JP3587426B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法並びに液晶表示装置の欠陥検査方法に関するもので、特に、薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法並びにアクティブマトリクス型液晶表示装置の欠陥検査方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年のアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、高精細な表示を目指した大容量及び高密度のアクティブマトリクス型液晶表示装置の開発が盛んである。
【0003】
このようなアクティブマトリクス型液晶表示装置を実現するために、図8乃至図10に示すように、ゲート配線51、ソース配線52及びゲート配線51とソース配線52との交差部の近傍に設けられた薄膜トランジスタ53と、薄膜トランジスタ53に接続された液晶層54に電圧を印加するための画素電極55とを、層間絶縁膜56を介して異なる層に形成するアクティブマトリクス型液晶表示装置が提案されている。
【0004】
図8は従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置を示す断面図、図9は図8におけるアクティブマトリクス基板を示す平面図、図10は図9のB−B線における断面図である。
【0005】
図8乃至図10のような構成のアクティブマトリクス型液晶表示装置では、画素電極55をゲート配線51及びソース配線52上に重畳するように形成することができるため、大幅に開口率を高くすることができる。
【0006】
図8乃至図10において、57は絶縁性基板、58はゲート電極、59はゲート絶縁膜、60は半導体膜、61はソース電極、62はドレイン電極、63はソース接続配線、64はドレイン接続配線、65はコンタクトホール、66はアクティブマトリクス基板、67は対向電極、68はカラーフィルター、69は遮光膜、70は対向基板である。
【0007】
一方、開口率を高めるための別の方法として、対向基板に形成されている遮光膜(ブラックマトリクス)を、アクティブマトリクス基板に形成する方法が提案されている。
【0008】
遮光膜をアクティブマトリクス基板に形成すれば、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせる際の貼り合わせ精度を考慮する必要がないため、遮光膜を大きめに形成する必要がなくなり、開口率を高くすることができる。
【0009】
遮光膜をアクティブマトリクス基板に形成した例としては、特開平2−207222号公報に開示されているように、ゲート配線及びソース配線を遮光膜として用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置が提案されている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
前述した特開平2−207222号公報に開示されているアクティブマトリクス型液晶表示装置では、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせる際の貼り合わせ精度を考慮する必要がないため、遮光膜を大きめに形成する必要がなくなり、開口率を高くすることができるが、ゲート配線及びソース配線として金属を用いる必要があり、遮光膜の光の反射率が高く、表示品位が低くなるという問題点がある。
【0011】
また、ゲート配線、ソース配線及び薄膜トランジスタと画素電極とを層間絶縁膜を介して異なる層に形成したアクティブマトリクス型液晶表示装置では、画素電極をゲート配線及びソース配線上に重畳するように形成することができるため、大幅に開口率を高くすることができるが、画素電極がゲート配線及びソース配線上に重畳するように形成されているため、クロストークが問題となる。
【0012】
さらに、このクロストークを避けるため、画素電極とゲート配線及びソース配線とを重畳しないように形成すれば、隣接する画素電極同士の横方向の電界に起因する液晶層の配向乱れによって、画素電極の周縁部から光漏れが発生し、コントラストの低下が生じるという問題がある。
【0013】
さらに、画素電極をパターニングする際に、エッチング不良等によって隣り合う画素電極同士が分離されなかった場合には、この分離されなかった画素電極同士が電気的に短絡して欠陥となるが、このような欠陥は、液晶表示装置として点灯させてみなければ欠陥を検出できないという問題がある。
【0014】
本発明は、以上のような従来の問題点に鑑みなされたものであって、開口率が高く、クロストークの発生を抑えたアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法並びに画素電極同士の電気的な短絡を検出するアクティブマトリクス型液晶表示装置の欠陥検査方法を提供することを目的としている。
【0015】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するために、本発明アクティブマトリクス型液晶表示装置は、ゲート配線と、ソース配線と、前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部の近傍に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された液晶層に電圧を印加するための画素電極とを有し、前記ゲート配線、前記ソース配線及び前記薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜上に前記画素電極が形成されているアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記層間絶縁膜の前記画素電極間及び前記画素電極の周縁下部に溝が形成され、前記溝に絶縁性を有する第1の遮光膜が形成されており、前記薄膜トランジスタと前記画素電極とは、前記層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して接続され、前記コンタクトホールには絶縁性を有する第2の遮光膜が形成されており、前記第1の遮光膜及び前記第2の遮光膜の表面は、前記画素電極の表面と略同一平面上に位置していることを特徴とする。
【0016】
本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、前記第1の遮光膜及び前記第2の遮光膜は低誘電率材料からなることを特徴としている。
【0017】
本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、ゲート配線と、ソース配線と、前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部の近傍に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された液晶層に電圧を印加するための画素電極とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法において、前記ゲート配線、前記ソース配線及び前記薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記層間絶縁膜上に前記画素電極を形成する工程と、前記画素電極をマスクとして前記層間絶縁膜をエッチングすることにより、前記画素電極間及び前記画素電極の周縁下部に溝を形成する工程と、前記溝及び前記コンタクトホールに絶縁性を有する遮光膜を形成し、前記遮光膜の表面が前記画素電極の表面と略同一平面上に位置するようにする工程とを有することを特徴とする。
【0018】
また、本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、前記エッチング方法として、酸素プラズマを用いたリアクティブイオンエッチングを用いることを特徴とする。
【0019】
また、本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、前記遮光膜は有機樹脂であり、前記遮光膜の形成を真空引きしながら行うことを特徴とする。
【0027】
本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置によれば、ゲート配線、ソース配線及び薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜が形成され、層間絶縁膜上に画素電極が形成され、画素電極間に絶縁性を有する遮光膜が形成されていることにより、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせる際の貼り合わせ精度を考慮する必要がないため、遮光膜を大きめに形成する必要がなくなり、開口率を高くすることができる。
【0028】
さらに、遮光膜は低誘電率材料からなることにより、層間絶縁膜上にゲート配線及びソース配線と重畳するように画素電極が形成されていても、クロストークの発生を抑えることができる。
【0029】
また、薄膜トランジスタと画素電極とは、層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して接続され、コンタクトホールにも遮光膜が形成されていることにより、コンタクトホール部での液晶層の配向乱れを目立たなくすることができる。
【0030】
また、層間絶縁膜の画素電極間に位置する部分に溝が形成され、溝に遮光膜が形成されていることにより、画素電極と画素電極が形成されていない部分との段差をなくすことができ、平坦な状態として配向膜を形成することができるため、表示品位を向上させることができる。
【0031】
さらに、遮光膜の表面が画素電極の表面と略同一平面上に位置していることにより、遮光膜と画素電極との段差をなくすことができ、さらに平坦な状態として配向膜を形成することができる。
【0032】
また、遮光膜が各々の画素電極の周縁下部にも形成されていることにより、隣接する画素電極同士の横方向の電界に起因する液晶層の配向乱れによって、画素電極の周縁部から光漏れが発生することを防止することができる。
【0034】
本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法によれば、ゲート配線、ソース配線及び薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、層間絶縁膜上に画素電極を形成する工程と、画素電極をマスクとして層間絶縁膜をエッチングすることにより、画素電極間及び画素電極の周縁下部に溝を形成する工程と、溝及びコンタクトホールに絶縁性を有する遮光膜を形成し、遮光膜の表面が画素電極の表面と略同一平面上に位置するようにする工程とを有することにより、遮光膜を自己整合的に精度よく、簡便にアクティブマトリクス基板に形成することができる。
【0035】
さらに、エッチング方法として、酸素プラズマを用いたリアクティブイオンエッチングを用いることにより、異方性のエッチングを行うことができ、画素電極をレジストとして層間絶縁膜をエッチングし、精度よく溝を形成することができる。
【0036】
また、遮光膜は有機樹脂であり、遮光膜の形成を真空引きしながら行うことにより、気泡を含ませることなく遮光膜を形成することができる。
【0039】
【発明の実施の形態】
図1乃至図7を用いて、本発明の実施の形態について説明する。
【0040】
(実施の形態1)
図1乃至図4を用いて、本発明の液晶表示装置及びその製造方法について説明する。図1は本発明に係わる液晶表示装置を示す断面図、図2は図1におけるアクティブマトリクス基板を示す平面図、図3は図2のA−A線における断面図、図4は本発明に係わる液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。
【0041】
図1乃至図3に示すように、本発明に係わる液晶表示装置は、絶縁性基板1、薄膜トランジスタ2、ゲート配線3、ソース配線4、層間絶縁膜5、コンタクトホール6、遮光膜7及び画素電極8からなるアクティブマトリクス基板9と、絶縁性基板1、カラーフィルター10及び対向電極11からなる対向基板12との間に液晶層13を封入して構成されている。
【0042】
薄膜トランジスタ2は、ゲート電極14、ゲート絶縁膜15、ソース電極16、ドレイン電極17、半導体膜18、ソース接続配線19、ドレイン接続配線20から構成されている。
【0043】
ソース電極16とソース配線4とはソース接続配線19によって接続され、ドレイン電極17と画素電極8とはドレイン接続配線20によってコンタクトホール6を介して接続されている。
【0044】
遮光膜7は、層間絶縁膜5上の画素電極8間に形成されるとともに、コンタクトホール6に形成されることが望ましい。
【0045】
このような液晶表示装置の製造方法は、図4(a)に示すように、ガラスからなる絶縁性基板1上に、TaまたはAl等をスパッタリング法によって堆積し、パターニングすることによってゲート配線3及びゲート電極14を形成する。
【0046】
次に、ゲート絶縁膜15を形成する。ゲート絶縁膜15としては、ゲート配線3及びゲート電極14を陽極酸化することによって形成する酸化タンタルもしくは酸化アルミニウム、またはプラズマCVD法で堆積する窒化シリコンもしくは酸化シリコン等を単独または組み合わせて用いる。
【0047】
ゲート絶縁膜15上に、低圧CVD法またはプラズマCVD法によって半導体膜18を堆積してパターニングし、プラズマドーピング法または低加速イオン注入法等により、ソース電極16及びドレイン電極17を自己整合的に形成する。
【0048】
次に、ITO等の透明な導電性の材料を用いて、ソース電極16とソース配線4とを電気的に接続するソース接続配線19、及びドレイン電極17と画素電極8とを電気的に接続するドレイン接続配線20を形成し、Al、Ta、Cr、MoまたはITO等を用いてソース配線4を形成する。
【0049】
さらに、ポリイミド等の無色透明で絶縁性を有する材料を用いて、層間絶縁膜5を形成し、層間絶縁膜5にコンタクトホール6を形成して、層間絶縁膜5上にITO等の透明な導電性の材料で画素電極8を形成する。
【0050】
画素電極8は、コンタクトホール6を介してドレイン接続配線20と接続され、ドレイン電極17と電気的に接続される。
【0051】
そして、図4(b)に示すように、画素電極8をレジストとして用いて、酸素プラズマを用いたリアクティブイオンエッチングにより、自己整合的に層間絶縁膜5をエッチングし、層間絶縁膜5の画素電極8間に溝21を形成する。
【0052】
このとき、画素電極8をパターニングする際に用いたフォトレジストを、レジストとして用いて層間絶縁膜5をエッチングして溝21を形成してもよく、エッチング方法については、酸素プラズマを用いたリアクティブイオンエッチングに限定されるものではなく、例えばウエットエッチングによって溝21を形成してもよい。
【0053】
次に、図4(c)に示すように、アクティブマトリクス基板9上に真空引きしながら絶縁性及び遮光性を有する樹脂22を塗布し、加熱または紫外線を照射することによって絶縁性及び遮光性を有する樹脂22を硬化する。真空引きしながら絶縁性及び遮光性を有する樹脂22を塗布することにより、絶縁性及び遮光性を有する樹脂22に気泡が発生することを防止できる。
【0054】
そして、図4(d)に示すように、絶縁性及び遮光性を有する樹脂22をマスク等を用いることなく全面をエッチングし、画素電極8上の絶縁性及び遮光性を有する樹脂22を除去することにより、溝21及びコンタクトホール6に遮光膜7を形成し、配向膜を形成してアクティブマトリクス基板9を完成する。
【0055】
このとき、遮光膜7の表面が画素電極8の表面と略同一平面上に位置するように形成すれば、その上に形成する配向膜をさらに平坦な状態とすることができるため、表示品位を向上させることができる。
【0056】
遮光膜7の材料としては、カーボンブラックもしくは黒色顔料等を添加したエポキシ樹脂またはポリイミド等の有機樹脂を用いればよく、特に限定されるものではないが、低誘電率材料を用いることが望ましい。
【0057】
遮光膜7の材料として低誘電率のものを用いれば、画素電極8間、すなわちゲート配線3及びソース配線4上に低誘電率の遮光膜7が形成されているため、画素電極8とゲート配線3及びソース配線4の間で形成されるコンデンサーの静電容量を小さくすることができる。このため、ゲート信号とソース信号とのクロストークを低減することができる。
【0058】
一方、ガラスからなる絶縁性基板1上に、カラーフィルター10、ITO等からなる対向電極11及び配向膜を形成し、対向基板12を完成する。
【0059】
このようにして完成したアクティブマトリクス基板9と対向基板12とを、シール材料を介して貼り合わせ、液晶層13を封入して液晶表示装置を完成する。
【0060】
次に、図5及び図6を用いて、本発明の液晶表示装置の欠陥検査方法について説明する。図5は画素電極同士が電気的に短絡している欠陥を示す平面図、図6は本発明に係わる液晶表示装置の欠陥検査方法を示す概略図である。
【0061】
本発明では、画素電極8間に遮光膜7が自己整合的に形成されるため、図5に示すように、画素電極8間の幅が狭くなっている場合、これにともなって遮光膜7の幅も狭くなり、画素電極8同士が電気的に短絡しているときには、遮光膜7が途切れてしまい、欠陥23となる。
【0062】
このため、遮光膜7の幅について光学的な画像検査を行うことにより、画素電極8同士が電気的に短絡している欠陥23を検出することが可能となる。
【0063】
図6に示すように、アクティブマトリクス基板9をCCDカメラ24によって撮像し、画像処理装置25により、画像に対して2値化処理を行って遮光膜7のみを抽出し、遮光膜7が途切れているか否かを検査して、画素電極8同士が電気的に短絡しているか否かを判定する。
【0064】
このようにして、アクティブマトリクス基板9の状態で、画素電極8同士の電気的な短絡を検査することができる。
【0065】
(実施の形態2)
図7を用いて、本発明の他の液晶表示装置及びその製造方法について説明する。図7は本発明に係わる他の液晶表示装置を示す断面図である。尚、実施の形態1と同様の部分については、説明を省略する。
【0066】
図7に示すように、本発明に係わる他の液晶表示装置は、絶縁性基板1、薄膜トランジスタ、ゲート配線、ソース配線4、層間絶縁膜5、コンタクトホール、遮光膜7及び画素電極8からなるアクティブマトリクス基板9と、絶縁性基板1、カラーフィルター10及び対向電極11からなる対向基板12との間に液晶層13を封入して構成されている。
【0067】
遮光膜7は、層間絶縁膜5上の画素電極8間に形成されるとともに、各々の画素電極8の周縁下部にも形成される。
【0068】
このような液晶表示装置の製造方法は、実施の形態1と同様に、ガラスからなる絶縁性基板1上に、ゲート配線、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、ソース電極、ドレイン電極、ソース接続配線及びドレイン接続配線を形成し、Al、Ta、Cr、MoまたはITO等を用いてソース配線4を形成する。
【0069】
さらに、ポリビニルアルコール系、アクリル系またはゼラチン系等の可染性で無色透明の絶縁性を有する材料を用いて、層間絶縁膜5を形成し、層間絶縁膜5にコンタクトホールを形成して、層間絶縁膜5上にITO等の透明な導電性の材料で画素電極8を形成する。画素電極8は、コンタクトホールを介してドレイン接続配線と接続され、ドレイン電極と電気的に接続される。
【0070】
可染性で無色透明の絶縁性を有する材料としては、染色法で形成されるカラーフィルターに用いられるものと同様のものを用いてもかまわない。
【0071】
そして、画素電極8をマスクとして、黒色の酸性染料または反応性染料を用いて自己整合的に層間絶縁膜5を1〜2μm染色し、層間絶縁膜5の画素電極8間及び画素電極8の周縁下部を不透明に染色して、遮光膜7を形成する。そして、配向膜を形成してアクティブマトリクス基板9を完成する。
【0072】
染色方法としては、カラーフィルターの染色方法と同様に行えばよく、染色は等方性であるため、層間絶縁膜5の画素電極8間及び画素電極8の周縁下部に同時に遮光膜7を形成することができる。このように、実施の形態1よりも少ない工程で遮光膜7を形成することができる。
【0073】
このとき、実施の形態1と同様に、層間絶縁膜5としてポリイミド等の無色透明で絶縁性を有するものを用いてもよいが、その場合は等方性プラズマエッチングまたはウエットエッチング等の等方性のエッチングにより、画素電極8をレジストとして用いて、層間絶縁膜5をエッチングして層間絶縁膜5の画素電極8間及び画素電極8の周縁下部に溝を形成し、カーボンブラックもしくは黒色顔料等を添加したエポキシ樹脂またはポリイミド等の有機樹脂を塗布して、加熱または紫外線を照射することによって樹脂を硬化し、マスク等を用いることなく全面をエッチングして、画素電極8間及び画素電極8の周縁下部に遮光膜7を形成すればよい。
【0074】
一方、ガラスからなる絶縁性基板1上に、カラーフィルター10、ITO等からなる対向電極11及び配向膜を形成し、対向基板12を完成する。
【0075】
このようにして完成したアクティブマトリクス基板9と対向基板12とを、シール材料を介して貼り合わせ、液晶層13を封入して液晶表示装置を完成する。本実施の形態においても、実施の形態1と同様に、本発明の液晶表示装置の欠陥検査方法を行うことができる。
【0076】
【発明の効果】
以上の説明のように、本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置によれば、ゲート配線、ソース配線及び薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜が形成され、層間絶縁膜上に画素電極が形成され、画素電極間に絶縁性を有する遮光膜が形成されていることにより、遮光膜を大きめに形成する必要がなくなり、開口率を高くすることができるため、明るい表示を行うことができる。
【0077】
さらに、遮光膜は低誘電率材料からなることにより、層間絶縁膜上にゲート配線及びソース配線と重畳するように画素電極が形成されていても、クロストークの発生を抑えることができるため、表示品位を向上することができる。
【0078】
また、薄膜トランジスタと画素電極とは、層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して接続され、コンタクトホールにも遮光膜が形成されていることにより、コンタクトホール部での液晶層の配向乱れを目立たなくすることができるため、表示品位を向上することができる。
【0079】
また、層間絶縁膜の画素電極間に位置する部分に溝が形成され、溝に遮光膜が形成されていることにより、平坦な状態として配向膜を形成することができるため、表示品位を向上させることができる。
【0080】
さらに、遮光膜の表面が画素電極の表面と略同一平面上に位置していることにより、さらに平坦な状態として配向膜を形成することができるため、表示品位をさらに向上させることができる。
【0081】
また、遮光膜が各々の画素電極の周縁下部にも形成されていることにより、隣接する画素電極同士の横方向の電界に起因する液晶層の配向乱れによって、画素電極の周縁部から光漏れが発生することを防止することができ、クロストークの発生及びコントラストの低下を防ぐことができる。
【0083】
本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法によれば、ゲート配線、ソース配線及び薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、層間絶縁膜上に画素電極を形成する工程と、画素電極をマスクとして層間絶縁膜をエッチングすることにより、画素電極間及び画素電極の周縁下部に溝を形成する工程と、溝及びコンタクトホールに絶縁性を有する遮光膜を形成し、遮光膜の表面が画素電極の表面と略同一平面上に位置するようにする工程とを有することにより、遮光膜を自己整合的に精度よく、簡便にアクティブマトリクス基板に形成することができるため、製造コストを抑えて開口率の高い液晶表示装置を得ることができる。
【0084】
さらに、エッチング方法として、酸素プラズマを用いたリアクティブイオンエッチングを用いることにより、精度よく溝を形成することができるため、開口率の高い液晶表示装置を得ることができる。
【0085】
また、遮光膜は有機樹脂であり、遮光膜の形成を真空引きしながら行うことにより、気泡を含ませることなく遮光膜を形成することができるため、コントラストの高い液晶表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる液晶表示装置を示す断面図である。
【図2】図1におけるアクティブマトリクス基板を示す平面図である。
【図3】図2のA−A線における断面図である。
【図4】(a)〜(d)は本発明に係わる液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。
【図5】画素電極同士が電気的に短絡している欠陥を示す平面図である。
【図6】本発明に係わる液晶表示装置の欠陥検査方法を示す概略図である。
【図7】本発明に係わる他の液晶表示装置を示す断面図である。
【図8】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置を示す断面図である。
【図9】図8におけるアクティブマトリクス基板を示す平面図である。
【図10】図9のB−B線における断面図である。
【符号の説明】
1 絶縁性基板
2 薄膜トランジスタ
3 ゲート配線
4 ソース配線
5 層間絶縁膜
6 コンタクトホール
7 遮光膜
8 画素電極
9 アクティブマトリクス基板
10 カラーフィルター
11 対向電極
12 対向基板
13 液晶層
14 ゲート電極
15 ゲート絶縁膜
16 ソース電極
17 ドレイン電極
18 半導体膜
19 ソース接続配線
20 ドレイン接続配線
21 溝
22 絶縁性及び遮光性を有する樹脂
23 欠陥
24 CCDカメラ
25 画像処理装置
51 ゲート配線
52 ソース配線
53 薄膜トランジスタ
54 液晶層
55 画素電極
56 層間絶縁膜
57 絶縁性基板
58 ゲート電極
59 ゲート絶縁膜
60 半導体膜
61 ソース電極
62 ドレイン電極
63 ソース接続配線
64 ドレイン接続配線
65 コンタクトホール
66 アクティブマトリクス基板
67 対向電極
68 カラーフィルター
69 遮光膜
70 対向基板

Claims (2)

  1. ゲート配線と、ソース配線と、前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部の近傍に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された液晶層に電圧を印加するための画素電極とを有し、前記ゲート配線、前記ソース配線及び前記薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜上に前記画素電極が形成されているアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
    前記層間絶縁膜の前記画素電極間及び前記画素電極の周縁下部に溝が形成され、前記溝に絶縁性を有する第1の遮光膜が形成されており、
    前記薄膜トランジスタと前記画素電極とは、前記層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して接続され、前記コンタクトホールには絶縁性を有する第2の遮光膜が形成されており、
    前記第1の遮光膜及び前記第2の遮光膜の表面は、前記画素電極の表面と略同一平面上に位置しており、
    前記第1の遮光膜及び前記第2の遮光膜は、低誘電率材料からなることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  2. ゲート配線と、ソース配線と、前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部の近傍に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された液晶層に電圧を印加するための画素電極とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法において、
    前記ゲート配線、ソース配線及び前記薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜を形成する工程と、
    前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、
    前記層間絶縁膜上に前記画素電極を形成する工程と、
    前記画素電極をマスクとして前記層間絶縁膜をエッチングすることにより、前記画素電極間及び前記画素電極の周縁下部に溝を形成する工程と、
    前記溝及び前記コンタクトホールに絶縁性を有する遮光膜を形成し、前記遮光膜の表面が前記画素電極の表面と略同一平面上に位置するようにする工程とを有し、
    前記エッチング方法として、酸素プラズマを用いたリアクティブイオンエッチングを用い、
    前記遮光膜は有機樹脂であり、前記遮光膜の形成を真空引きしながら行うことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
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