JP3245527B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）などのスイッチング素子を備えた液晶表示装
置に関し、特に画素部分における構造に関するものであ
る。
（ＴＦＴ）などのスイッチング素子を備えた液晶表示装
置に関し、特に画素部分における構造に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図７は、基板上に周辺駆動回路を形成し
た従来の液晶表示装置の構成を示す回路図である。
た従来の液晶表示装置の構成を示す回路図である。
【０００３】図７において、ガラス基板または石英基板
３１上には、ゲート駆動回路３２、ソース駆動回路３
３、およびＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉ
ｓｔｏｒ）アレイ部３４とが形成されている。このゲー
ト駆動回路３２は、シフトレジスタ３２ａおよびバッフ
ァ３２ｂとから構成されている。また、ソース駆動回路
３３は、シフトレジスタ３３ａ、バッファ３３ｂ、およ
びビデオライン３８のサンプリングを行うアナログスイ
ッチ３９とから構成されている。
３１上には、ゲート駆動回路３２、ソース駆動回路３
３、およびＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉ
ｓｔｏｒ）アレイ部３４とが形成されている。このゲー
ト駆動回路３２は、シフトレジスタ３２ａおよびバッフ
ァ３２ｂとから構成されている。また、ソース駆動回路
３３は、シフトレジスタ３３ａ、バッファ３３ｂ、およ
びビデオライン３８のサンプリングを行うアナログスイ
ッチ３９とから構成されている。
【０００４】ＴＦＴアレイ部３４には、前記ゲート駆動
回路３２から延びる多数の平行するゲートバス配線１１
６が配設されており、前記ソース駆動回路３３からは多
数のソースバス配線１２０が、該ゲートバス配線１１６
に直交して配設されている。また、このゲートバス配線
１１６に平行して、付加容量共通配線１１４が配設され
ている。
回路３２から延びる多数の平行するゲートバス配線１１
６が配設されており、前記ソース駆動回路３３からは多
数のソースバス配線１２０が、該ゲートバス配線１１６
に直交して配設されている。また、このゲートバス配線
１１６に平行して、付加容量共通配線１１４が配設され
ている。
【０００５】さらに、上述したような２本のゲートバス
配線１１６、１１６、ソースバス配線１２０、１２０、
および付加容量共通配線１１４、１１４とに囲まれた矩
形の領域には、ＴＦＴ３５、画素３６、および付加容量
３７とが配設されている。このとき、このＴＦＴ３５の
ゲート電極は、ゲートバス配線１１６に接続されてお
り、また、該ＴＦＴ３５のソース電極は、ソースバス配
線１２０に接続されている。
配線１１６、１１６、ソースバス配線１２０、１２０、
および付加容量共通配線１１４、１１４とに囲まれた矩
形の領域には、ＴＦＴ３５、画素３６、および付加容量
３７とが配設されている。このとき、このＴＦＴ３５の
ゲート電極は、ゲートバス配線１１６に接続されてお
り、また、該ＴＦＴ３５のソース電極は、ソースバス配
線１２０に接続されている。
【０００６】そして、前記ＴＦＴ３５のドレインに接続
された画素電極３６と対向基板上に形成された対向電極
との間に液晶が封入されて、画素が構成されている。ま
た、このとき付加容量共通配線１１４は、対向電極と同
じ電位の電極に接続されている。
された画素電極３６と対向基板上に形成された対向電極
との間に液晶が封入されて、画素が構成されている。ま
た、このとき付加容量共通配線１１４は、対向電極と同
じ電位の電極に接続されている。
【０００７】図５は、従来の液晶表示装置における画素
１個分の構成を示した平面図であり、図６は、図５の液
晶表示装置におけるＡ−Ａ線断面図を示している。
１個分の構成を示した平面図であり、図６は、図５の液
晶表示装置におけるＡ−Ａ線断面図を示している。
【０００８】図５および図６において、絶縁基板１１０
上には、活性層となる多結晶シリコン薄膜１１１が４０
ｎｍ〜８０ｎｍの厚さで形成されており、その上に、ス
パッタリングもしくはＣＶＤ法を用いて、ゲート絶縁膜
１１３が８０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さで形成されてい
る。
上には、活性層となる多結晶シリコン薄膜１１１が４０
ｎｍ〜８０ｎｍの厚さで形成されており、その上に、ス
パッタリングもしくはＣＶＤ法を用いて、ゲート絶縁膜
１１３が８０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さで形成されてい
る。
【０００９】そして、前記多結晶シリコン薄膜１１１に
おいて、後に付加容量を形成する付加容量部（図５、図
６における斜線部分）に、Ｐ+ を１×１０15（ｃｍ-2）
の濃度でイオン注入を行い、ゲート電極１１６ａおよび
付加容量上部電極１１４ａを、金属もしくは低抵抗の多
結晶シリコンを用いて、所定の形状にパターニングを行
った。
おいて、後に付加容量を形成する付加容量部（図５、図
６における斜線部分）に、Ｐ+ を１×１０15（ｃｍ-2）
の濃度でイオン注入を行い、ゲート電極１１６ａおよび
付加容量上部電極１１４ａを、金属もしくは低抵抗の多
結晶シリコンを用いて、所定の形状にパターニングを行
った。
【００１０】その後、この薄膜トランジスタの導電型を
決定するために、前記ゲート電極１１６ａの上方から、
Ｐ+ を１×１０15（ｃｍ-2）の濃度でイオン注入を行
い、該ゲート電極１１６ａの下部にチャンネル１１２を
形成した。
決定するために、前記ゲート電極１１６ａの上方から、
Ｐ+ を１×１０15（ｃｍ-2）の濃度でイオン注入を行
い、該ゲート電極１１６ａの下部にチャンネル１１２を
形成した。
【００１１】さらに、ＳｉＯ2 もしくはＳｉＮｘを用い
て、第１の層間絶縁膜１１５を基板全面に形成後、コン
タクトホール１１８および１１９の形成を行い、ソース
バス配線１２０および積み上げ電極１２１をＡｌなどの
低抵抗の金属を用いて形成した。
て、第１の層間絶縁膜１１５を基板全面に形成後、コン
タクトホール１１８および１１９の形成を行い、ソース
バス配線１２０および積み上げ電極１２１をＡｌなどの
低抵抗の金属を用いて形成した。
【００１２】そして、前記第１の層間絶縁膜１１５と同
様に、ＳｉＯ2 もしくはＳｉＮｘを用いて、第２の層間
絶縁膜１２４を基板全面に形成後、コンタクトホール１
２３の形成を行い、該コンタクトホール１２３を覆っ
て、ＩＴＯなどの透明導電膜からなる画素電極１２５の
形成を行った。
様に、ＳｉＯ2 もしくはＳｉＮｘを用いて、第２の層間
絶縁膜１２４を基板全面に形成後、コンタクトホール１
２３の形成を行い、該コンタクトホール１２３を覆っ
て、ＩＴＯなどの透明導電膜からなる画素電極１２５の
形成を行った。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の液晶表示装置においては、前記第１の層間絶縁膜１
１５は膜厚数１００ｎｍの無機材料で形成されているた
め、ソースバス配線１２０とゲートバス配線１１６との
交差部分において、該ゲートバス配線１１６の段差によ
るソースバス配線１２０の断線が発生していた。
来の液晶表示装置においては、前記第１の層間絶縁膜１
１５は膜厚数１００ｎｍの無機材料で形成されているた
め、ソースバス配線１２０とゲートバス配線１１６との
交差部分において、該ゲートバス配線１１６の段差によ
るソースバス配線１２０の断線が発生していた。
【００１４】また、付加容量共通配線１１４は、前記ゲ
ートバス配線１１６と同じ層に形成されており付加容量
が平面的に形成されているので、該付加容量の領域を設
ける必要があり、また、該付加容量共通配線１１６は光
を通さないため開口率の低下を招いていた。
ートバス配線１１６と同じ層に形成されており付加容量
が平面的に形成されているので、該付加容量の領域を設
ける必要があり、また、該付加容量共通配線１１６は光
を通さないため開口率の低下を招いていた。
【００１５】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであって、その目的とするところは、
第１の層間絶縁膜を有機材料により形成するとともに、
該第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール内壁
部分に付加容量を形成するような構成とすることによ
り、従来問題となっていたソースバス配線の断線を防止
するとともに、付加容量による開口率の低下を起こさな
い高開口率の液晶表示装置を提供することにある。
めになされたものであって、その目的とするところは、
第１の層間絶縁膜を有機材料により形成するとともに、
該第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール内壁
部分に付加容量を形成するような構成とすることによ
り、従来問題となっていたソースバス配線の断線を防止
するとともに、付加容量による開口率の低下を起こさな
い高開口率の液晶表示装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、基板上に、非単結晶シリコン薄膜とゲート絶縁膜と
ゲートバス配線とが形成され、該ゲートバス配線の上部
に、第１の層間絶縁膜とソースバス配線と第２の層間絶
縁膜と画素電極とがそれぞれ形成された液晶表示装置に
おいて、前記第１の層間絶縁膜が有機材料によって形成
されていることを特徴としており、そのことにより上記
目的が達成される。
は、基板上に、非単結晶シリコン薄膜とゲート絶縁膜と
ゲートバス配線とが形成され、該ゲートバス配線の上部
に、第１の層間絶縁膜とソースバス配線と第２の層間絶
縁膜と画素電極とがそれぞれ形成された液晶表示装置に
おいて、前記第１の層間絶縁膜が有機材料によって形成
されていることを特徴としており、そのことにより上記
目的が達成される。
【００１７】また、本発明の液晶表示装置は、前記第２
の層間絶縁膜も有機材料によって形成されていることが
好ましい。
の層間絶縁膜も有機材料によって形成されていることが
好ましい。
【００１８】また、本発明の液晶表示装置は、前記有機
材料が、感光性アクリル樹脂であることが好ましい。
材料が、感光性アクリル樹脂であることが好ましい。
【００１９】また、本発明の液晶表示装置は、前記第１
の層間絶縁膜を貫く少なくとも一つのコンタクトホール
内壁部分に、付加容量が形成されていることが好まし
い。
の層間絶縁膜を貫く少なくとも一つのコンタクトホール
内壁部分に、付加容量が形成されていることが好まし
い。
【００２０】また、本発明の液晶表示装置は、前記付加
容量が形成されるコンタクトホール内壁部分に、積み上
げ電極が形成されているとともに、該積み上げ電極を付
加容量の下部電極とすることが好ましい。
容量が形成されるコンタクトホール内壁部分に、積み上
げ電極が形成されているとともに、該積み上げ電極を付
加容量の下部電極とすることが好ましい。
【００２１】また、本発明の液晶表示装置は、前記第１
の層間絶縁膜上に遮光膜が形成されていることが好まし
い。また、本発明の液晶表示装置は、前記遮光膜が、付
加容量の上部電極により形成されていることが好まし
い。
の層間絶縁膜上に遮光膜が形成されていることが好まし
い。また、本発明の液晶表示装置は、前記遮光膜が、付
加容量の上部電極により形成されていることが好まし
い。
【００２２】本発明の液晶表示装置は、基板上に、非単
結晶シリコン薄膜とゲート絶縁膜とゲートバス配線とが
形成され、該ゲートバス配線の上部に、第１の層間絶縁
膜とソースバス配線と第２の層間絶縁膜と画素電極とが
それぞれ形成された液晶表示装置において、前記第１の
層間絶縁膜の開口部に付加容量下部電極となる積み上げ
電極が形成され、該積み上げ電極上部にシリコン窒化膜
が形成され、該シリコン窒化膜上部に付加容量上部電極
が形成され、該積み上げ電極と付加容量上部電極との間
で付加容量が形成されていることを特徴としており、そ
のことにより上記目的が達成される。また、本発明の液
晶表示装置は、前記付加容量上部電極が遮光膜となるこ
とが好ましい。また、本発明の液晶表示装置は、前記第
１の層間絶縁膜または第２の層間絶縁膜が有機材料によ
って形成されていることが好ましい。
結晶シリコン薄膜とゲート絶縁膜とゲートバス配線とが
形成され、該ゲートバス配線の上部に、第１の層間絶縁
膜とソースバス配線と第２の層間絶縁膜と画素電極とが
それぞれ形成された液晶表示装置において、前記第１の
層間絶縁膜の開口部に付加容量下部電極となる積み上げ
電極が形成され、該積み上げ電極上部にシリコン窒化膜
が形成され、該シリコン窒化膜上部に付加容量上部電極
が形成され、該積み上げ電極と付加容量上部電極との間
で付加容量が形成されていることを特徴としており、そ
のことにより上記目的が達成される。また、本発明の液
晶表示装置は、前記付加容量上部電極が遮光膜となるこ
とが好ましい。また、本発明の液晶表示装置は、前記第
１の層間絶縁膜または第２の層間絶縁膜が有機材料によ
って形成されていることが好ましい。
【００２３】以下、その作用について説明する。
【００２４】本発明の液晶表示装置においては、基板上
に、非単結晶シリコン薄膜とゲート絶縁膜とゲートバス
配線とが形成され、該ゲートバス配線の上部に、第１の
層間絶縁膜とソースバス配線と第２の層間絶縁膜と画素
電極とがそれぞれ形成された液晶表示装置において、前
記第１の層間絶縁膜が有機材料によって形成されてい
る。このように、前記第１の層間絶縁膜が有機材料によ
って形成されているので、無機材料を使用した場合に発
生していたゲートバス配線およびソースバス配線の層間
絶縁膜を通じてのショートが起こることはない。また、
ソースバス配線の下部領域が十分に平坦化されているの
で、薄膜トランジスタやゲートバス配線の段差によるソ
ースバス配線の断線を防止することができる。また、ゲ
ートバス配線とソースバス配線との交差部分の容量が小
さくなり、バス配線に発生する信号遅延の問題も抑制す
ることができる。
に、非単結晶シリコン薄膜とゲート絶縁膜とゲートバス
配線とが形成され、該ゲートバス配線の上部に、第１の
層間絶縁膜とソースバス配線と第２の層間絶縁膜と画素
電極とがそれぞれ形成された液晶表示装置において、前
記第１の層間絶縁膜が有機材料によって形成されてい
る。このように、前記第１の層間絶縁膜が有機材料によ
って形成されているので、無機材料を使用した場合に発
生していたゲートバス配線およびソースバス配線の層間
絶縁膜を通じてのショートが起こることはない。また、
ソースバス配線の下部領域が十分に平坦化されているの
で、薄膜トランジスタやゲートバス配線の段差によるソ
ースバス配線の断線を防止することができる。また、ゲ
ートバス配線とソースバス配線との交差部分の容量が小
さくなり、バス配線に発生する信号遅延の問題も抑制す
ることができる。
【００２５】また、本発明によれば、前記第２の層間絶
縁膜も有機材料によって形成されているので、該第２の
層間絶縁膜の下部領域が液晶層へ与える電界を小さくす
ることができ、また、前記画素電極を十分に平坦化され
た領域上に形成することができるため、確実なラビング
処理を行うことができ、液晶配向の乱れを無くすること
ができる。
縁膜も有機材料によって形成されているので、該第２の
層間絶縁膜の下部領域が液晶層へ与える電界を小さくす
ることができ、また、前記画素電極を十分に平坦化され
た領域上に形成することができるため、確実なラビング
処理を行うことができ、液晶配向の乱れを無くすること
ができる。
【００２６】また、本発明によれば、前記有機材料とし
て感光性アクリル樹脂を使用しているので、露光および
現像によりコンタクトホールを容易に形成することがで
き、製造プロセスを簡略化することが可能となる。ま
た、前記感光性アクリル樹脂は透光性に優れているの
で、本液晶表示装置を透過型液晶表示装置として使用し
た場合であっても透過率の低下が起こることはない。
て感光性アクリル樹脂を使用しているので、露光および
現像によりコンタクトホールを容易に形成することがで
き、製造プロセスを簡略化することが可能となる。ま
た、前記感光性アクリル樹脂は透光性に優れているの
で、本液晶表示装置を透過型液晶表示装置として使用し
た場合であっても透過率の低下が起こることはない。
【００２７】また、本発明によれば、前記第１の層間絶
縁膜を貫く少なくとも一つのコンタクトホール内壁部分
に、付加容量が形成されているので、非透光性である付
加容量の領域を小さくすることができ、液晶表示装置の
開口率を向上させることができる。
縁膜を貫く少なくとも一つのコンタクトホール内壁部分
に、付加容量が形成されているので、非透光性である付
加容量の領域を小さくすることができ、液晶表示装置の
開口率を向上させることができる。
【００２８】また、本発明によれば、前記付加容量が形
成されるコンタクトホール内壁部分には、積み上げ電極
が形成されているとともに、該積み上げ電極を付加容量
の下部電極としているので、ソースバス配線形成と同時
に付加容量の下部電極を形成することができ、付加容量
の下部電極を新たにパターニングする必要がなくなる。
また、本発明によれば、前記第１の層間絶縁膜上に遮光
膜が形成されているとともに、その遮光膜が、付加容量
の上部電極により形成されているので、対向基板上に遮
光膜を形成する必要がなくなり、製造プロセスをさらに
簡略化することが可能となる。
成されるコンタクトホール内壁部分には、積み上げ電極
が形成されているとともに、該積み上げ電極を付加容量
の下部電極としているので、ソースバス配線形成と同時
に付加容量の下部電極を形成することができ、付加容量
の下部電極を新たにパターニングする必要がなくなる。
また、本発明によれば、前記第１の層間絶縁膜上に遮光
膜が形成されているとともに、その遮光膜が、付加容量
の上部電極により形成されているので、対向基板上に遮
光膜を形成する必要がなくなり、製造プロセスをさらに
簡略化することが可能となる。
【００２９】本発明の液晶表示装置においては、基板上
に、非単結晶シリコン薄膜とゲート絶縁膜とゲートバス
配線とが形成され、該ゲートバス配線の上部に、第１の
層間絶縁膜とソースバス配線と第２の層間絶縁膜と画素
電極とがそれぞれ形成された液晶表示装置において、前
記第１の層間絶縁膜の開口部に付加容量下部電極となる
積み上げ電極が形成され、該積み上げ電極上部にシリコ
ン窒化膜が形成され、該シリコン窒化膜上部に付加容量
上部電極が形成され、該積み上げ電極と付加容量上部電
極との間で付加容量が形成されている。このような構成
とすることで、積み上げ電極でＴＦＴと画素電極との接
続不良をなくすことができるとともに、この非透光性の
積み上げ電極を付加容量下部電極として用い、さらには
シリコン窒化膜を付加容量の絶縁膜として使用すること
で小さな面積で効率よく付加容量を形成することがで
き、高開口率の液晶表示装置を実現することができる。
また、本発明によれば、前記付加容量上部電極が遮光膜
となるような構成としていることにより、遮光膜の形成
プロセスを簡略化することができ、また、ＴＦＴの光リ
ーク電流を防止することも可能となる。また、本発明に
よれば、前記第１の層間絶縁膜または第２の層間絶縁膜
が有機材料によって形成されているので、配線による凹
凸の平坦化および配線の容量低減を実現することがで
き、液晶表示装置の表示品位を向上させることが可能と
なる。
に、非単結晶シリコン薄膜とゲート絶縁膜とゲートバス
配線とが形成され、該ゲートバス配線の上部に、第１の
層間絶縁膜とソースバス配線と第２の層間絶縁膜と画素
電極とがそれぞれ形成された液晶表示装置において、前
記第１の層間絶縁膜の開口部に付加容量下部電極となる
積み上げ電極が形成され、該積み上げ電極上部にシリコ
ン窒化膜が形成され、該シリコン窒化膜上部に付加容量
上部電極が形成され、該積み上げ電極と付加容量上部電
極との間で付加容量が形成されている。このような構成
とすることで、積み上げ電極でＴＦＴと画素電極との接
続不良をなくすことができるとともに、この非透光性の
積み上げ電極を付加容量下部電極として用い、さらには
シリコン窒化膜を付加容量の絶縁膜として使用すること
で小さな面積で効率よく付加容量を形成することがで
き、高開口率の液晶表示装置を実現することができる。
また、本発明によれば、前記付加容量上部電極が遮光膜
となるような構成としていることにより、遮光膜の形成
プロセスを簡略化することができ、また、ＴＦＴの光リ
ーク電流を防止することも可能となる。また、本発明に
よれば、前記第１の層間絶縁膜または第２の層間絶縁膜
が有機材料によって形成されているので、配線による凹
凸の平坦化および配線の容量低減を実現することがで
き、液晶表示装置の表示品位を向上させることが可能と
なる。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００３１】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態の液晶表示装置における画素１個分の構成を示した
平面図であり、図２は、図１の液晶表示装置におけるＡ
−Ａ線断面図を示している。
形態の液晶表示装置における画素１個分の構成を示した
平面図であり、図２は、図１の液晶表示装置におけるＡ
−Ａ線断面図を示している。
【００３２】図１および図２において、まず、ガラスま
たは石英などからなる絶縁基板１０上に、活性層となる
多結晶シリコン薄膜１１を４０ｎｍ〜８０ｎｍの厚さで
形成し、該多結晶シリコン薄膜１１の中央部上に、スパ
ッタリングもしくはＣＶＤ法を用いて、ＳｉＯ2 もしく
はＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜１３を８０ｎｍの厚さ
で形成した。さらに、該ゲート絶縁膜１３上に、Ａｌも
しくは多結晶シリコンからなるゲート電極１６ａを３０
ｎｍの厚さで形成した。
たは石英などからなる絶縁基板１０上に、活性層となる
多結晶シリコン薄膜１１を４０ｎｍ〜８０ｎｍの厚さで
形成し、該多結晶シリコン薄膜１１の中央部上に、スパ
ッタリングもしくはＣＶＤ法を用いて、ＳｉＯ2 もしく
はＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜１３を８０ｎｍの厚さ
で形成した。さらに、該ゲート絶縁膜１３上に、Ａｌも
しくは多結晶シリコンからなるゲート電極１６ａを３０
ｎｍの厚さで形成した。
【００３３】その後、この薄膜トランジスタの導電型を
決定するために、前記ゲート電極１６ａの上方から、該
ゲート電極１６ａをマスクとして、Ｐ+ を１×１０
15（ｃｍ-2）の濃度でイオン注入を行って、活性層の該
ゲート電極１６ａの下部にノンドープのチャンネル部１
２を形成し、該チャンネル部１２以外の領域に高濃度の
不純物領域を形成した。なお、このとき、このＴＦＴの
活性層において、前記チャンネル部１２近傍に低濃度不
純物領域もしくはノンドープ領域を設けて、ＴＦＴのオ
フ時にリーク電流を少なくするような構造としてもよ
い。
決定するために、前記ゲート電極１６ａの上方から、該
ゲート電極１６ａをマスクとして、Ｐ+ を１×１０
15（ｃｍ-2）の濃度でイオン注入を行って、活性層の該
ゲート電極１６ａの下部にノンドープのチャンネル部１
２を形成し、該チャンネル部１２以外の領域に高濃度の
不純物領域を形成した。なお、このとき、このＴＦＴの
活性層において、前記チャンネル部１２近傍に低濃度不
純物領域もしくはノンドープ領域を設けて、ＴＦＴのオ
フ時にリーク電流を少なくするような構造としてもよ
い。
【００３４】次に、前記基板全面に、感光性のアクリル
樹脂を用いて、スピンコート法により２．５μｍの膜厚
で第１の層間絶縁膜１５を形成した後、露光および現像
を行って、該第１の層間絶縁膜１５上においてコンタク
トホール１８、１９の形成を行った。
樹脂を用いて、スピンコート法により２．５μｍの膜厚
で第１の層間絶縁膜１５を形成した後、露光および現像
を行って、該第１の層間絶縁膜１５上においてコンタク
トホール１８、１９の形成を行った。
【００３５】ここで、前記第１の層間絶縁膜１５を２μ
ｍ以上積層したことにより、該第１の層間絶縁膜１５の
下部領域の平坦化を行うことができ、また、該第１の層
間絶縁膜１５として感光性のものを用いたことにより、
露光および現像工程だけで前記コンタクトホール１８、
１９の形成が可能となり、製造プロセスを単純にするこ
とができる。
ｍ以上積層したことにより、該第１の層間絶縁膜１５の
下部領域の平坦化を行うことができ、また、該第１の層
間絶縁膜１５として感光性のものを用いたことにより、
露光および現像工程だけで前記コンタクトホール１８、
１９の形成が可能となり、製造プロセスを単純にするこ
とができる。
【００３６】次に、前記コンタクトホール１８、１９を
覆うように、それぞれソースバス配線２０および積み上
げ電極２１をＡｌなどの低抵抗の金属を用いて形成し
た。このとき、前記ソースバス配線２０の下部領域は、
前記第１の層間絶縁膜１５により平坦化されているの
で、該ソースバス配線２０とゲートバス配線１６との交
差部分においても、該ソースバス配線２０が該ゲートバ
ス配線１６の段差により断線することは無くなる。ま
た、この第１の層間絶縁膜１５として用いた感光性アク
リル樹脂材料は、比誘電率が無機材料に比べて小さく、
また、膜厚を大きくすることもできるので、前記ソース
バス配線２０と前記ゲートバス配線１６との交差部分で
の容量は無視することができ、バス配線に発生する信号
の遅延を防止することができる。
覆うように、それぞれソースバス配線２０および積み上
げ電極２１をＡｌなどの低抵抗の金属を用いて形成し
た。このとき、前記ソースバス配線２０の下部領域は、
前記第１の層間絶縁膜１５により平坦化されているの
で、該ソースバス配線２０とゲートバス配線１６との交
差部分においても、該ソースバス配線２０が該ゲートバ
ス配線１６の段差により断線することは無くなる。ま
た、この第１の層間絶縁膜１５として用いた感光性アク
リル樹脂材料は、比誘電率が無機材料に比べて小さく、
また、膜厚を大きくすることもできるので、前記ソース
バス配線２０と前記ゲートバス配線１６との交差部分で
の容量は無視することができ、バス配線に発生する信号
の遅延を防止することができる。
【００３７】ここで、前記積み上げ電極２１は、前記コ
ンタクトホール１９の内壁に沿って形成されており、こ
の積み上げ電極２１は付加容量を形成するための下部電
極として機能している。
ンタクトホール１９の内壁に沿って形成されており、こ
の積み上げ電極２１は付加容量を形成するための下部電
極として機能している。
【００３８】次に、絶縁膜２７をＳｉＮｘなどを用い
て、５０ｎｍの厚さで前記基板全面に形成した。このと
き、この絶縁膜２７も前記積み上げ電極２１と同様に、
コンタクトホール１９の内壁に沿って形成されており、
この絶縁膜２７は付加容量を形成するための絶縁膜とし
て機能している。
て、５０ｎｍの厚さで前記基板全面に形成した。このと
き、この絶縁膜２７も前記積み上げ電極２１と同様に、
コンタクトホール１９の内壁に沿って形成されており、
この絶縁膜２７は付加容量を形成するための絶縁膜とし
て機能している。
【００３９】次に、ＴａやＡｌなどの金属を用いて付加
容量を形成するための上部電極２８ａをコンタクトホー
ル１９を覆うように形成し、同時に付加容量共通配線２
８も形成した。このとき、前記第１の層間絶縁膜の膜厚
は、２．５μｍと従来に比べて厚いので、前記コンタク
トホール１９の内壁部分の表面積が大きくなり、付加容
量値を十分大きくとることが可能となっている。
容量を形成するための上部電極２８ａをコンタクトホー
ル１９を覆うように形成し、同時に付加容量共通配線２
８も形成した。このとき、前記第１の層間絶縁膜の膜厚
は、２．５μｍと従来に比べて厚いので、前記コンタク
トホール１９の内壁部分の表面積が大きくなり、付加容
量値を十分大きくとることが可能となっている。
【００４０】ここで、前記付加容量値について簡単に説
明する。前記コンタクトホール１９内の付加容量上部電
極２８ａの内径が、例えば５μｍであれば、表面積は、
５×５（底部）＋５×２．５×４（側部）＝７５（μｍ
2 ）となり、５０ｎｍのＳｉＮｘの単位面積当たりの容
量は、Ｃox＝１．４×１０-3（ｐＦ／μｍ2 ）であるの
で、このコンタクトホール１９だけで０．１１ｐＦの付
加容量値を得ることが可能となる。仮に、この付加容量
を平面的に形成したとすれば、７５（μｍ2 ）の付加容
量領域が必要となり、この付加容量領域は光を通さない
ため、この領域分だけ開口率が低下してしまう。本発明
においては、たとえ付加容量値が足りない場合であって
も、前記コンタクトホール１９を大きく形成するか、も
しくは平面的な容量を補助的に形成することにより、該
付加容量値を補うことができる。
明する。前記コンタクトホール１９内の付加容量上部電
極２８ａの内径が、例えば５μｍであれば、表面積は、
５×５（底部）＋５×２．５×４（側部）＝７５（μｍ
2 ）となり、５０ｎｍのＳｉＮｘの単位面積当たりの容
量は、Ｃox＝１．４×１０-3（ｐＦ／μｍ2 ）であるの
で、このコンタクトホール１９だけで０．１１ｐＦの付
加容量値を得ることが可能となる。仮に、この付加容量
を平面的に形成したとすれば、７５（μｍ2 ）の付加容
量領域が必要となり、この付加容量領域は光を通さない
ため、この領域分だけ開口率が低下してしまう。本発明
においては、たとえ付加容量値が足りない場合であって
も、前記コンタクトホール１９を大きく形成するか、も
しくは平面的な容量を補助的に形成することにより、該
付加容量値を補うことができる。
【００４１】次に、前記基板全面に、第２の層間絶縁膜
２４を第１の層間絶縁膜１５と同様に、感光性アクリル
樹脂を用いて形成した後、露光および現像を行い、次い
で前記絶縁膜２７のエッチングも行って、該第２の層間
絶縁膜２４上においてコンタクトホール２３の形成を行
った。さらに、前記コンタクトホール２３を覆うよう
に、画素電極２５をＩＴＯなどの透明導電膜を用いて形
成した。なお、このときに前記積み上げ電極２１と前記
画素電極２５とのコンタクトのオーミック性が問題とな
るような場合は、該コンタクトホール２３にバリアメタ
ルを形成してもよい。
２４を第１の層間絶縁膜１５と同様に、感光性アクリル
樹脂を用いて形成した後、露光および現像を行い、次い
で前記絶縁膜２７のエッチングも行って、該第２の層間
絶縁膜２４上においてコンタクトホール２３の形成を行
った。さらに、前記コンタクトホール２３を覆うよう
に、画素電極２５をＩＴＯなどの透明導電膜を用いて形
成した。なお、このときに前記積み上げ電極２１と前記
画素電極２５とのコンタクトのオーミック性が問題とな
るような場合は、該コンタクトホール２３にバリアメタ
ルを形成してもよい。
【００４２】本発明における実施形態においては、第２
の層間絶縁膜２４は感光性アクリル樹脂を使用している
ので、第１の層間絶縁膜と同様に該第２の層間絶縁膜２
４の下部領域が液晶層へ与える電界を無視することがで
き、また、前記画素電極２５は、十分に平坦化された領
域上に形成されているため、確実なラビング処理を行う
ことができ、液晶配向の乱れを生じることも無くなる。
の層間絶縁膜２４は感光性アクリル樹脂を使用している
ので、第１の層間絶縁膜と同様に該第２の層間絶縁膜２
４の下部領域が液晶層へ与える電界を無視することがで
き、また、前記画素電極２５は、十分に平坦化された領
域上に形成されているため、確実なラビング処理を行う
ことができ、液晶配向の乱れを生じることも無くなる。
【００４３】（実施の形態２）図３は、本発明の実施の
形態の液晶表示装置における画素１個分の構成を示した
平面図であり、図４は、図３の液晶表示装置におけるＡ
−Ａ線断面図を示している。なお、図１および図２と同
様の部分についてはその説明を省略する。
形態の液晶表示装置における画素１個分の構成を示した
平面図であり、図４は、図３の液晶表示装置におけるＡ
−Ａ線断面図を示している。なお、図１および図２と同
様の部分についてはその説明を省略する。
【００４４】本実施の形態２においては、図３および図
４に示すように、付加容量上部電極２８ａをＴＦＴ上部
まで延長した以外は、実施の形態１と同様にして液晶表
示装置を作製した。
４に示すように、付加容量上部電極２８ａをＴＦＴ上部
まで延長した以外は、実施の形態１と同様にして液晶表
示装置を作製した。
【００４５】このことにより、ゲートバス配線１６とソ
ースバス配線２０と付加容量上部電極２８ａとが遮光膜
として機能することになるので、対向基板上に遮光膜を
形成する必要がなくなり、製造プロセスをさらに簡略化
することが可能となる。
ースバス配線２０と付加容量上部電極２８ａとが遮光膜
として機能することになるので、対向基板上に遮光膜を
形成する必要がなくなり、製造プロセスをさらに簡略化
することが可能となる。
【００４６】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置においては、前記
第１の層間絶縁膜が有機材料によって形成されているの
で、無機材料を使用した場合に発生していたゲートバス
配線およびソースバス配線の層間絶縁膜を通じてのショ
ートが起こることはない。また、ソースバス配線の下部
領域が十分に平坦化されているので、薄膜トランジスタ
やゲートバス配線の段差によるソースバス配線の断線を
防止することができる。また、ゲートバス配線とソース
バス配線との交差部分の容量が小さくなり、バス配線に
発生する信号遅延の問題も抑制することができる。
第１の層間絶縁膜が有機材料によって形成されているの
で、無機材料を使用した場合に発生していたゲートバス
配線およびソースバス配線の層間絶縁膜を通じてのショ
ートが起こることはない。また、ソースバス配線の下部
領域が十分に平坦化されているので、薄膜トランジスタ
やゲートバス配線の段差によるソースバス配線の断線を
防止することができる。また、ゲートバス配線とソース
バス配線との交差部分の容量が小さくなり、バス配線に
発生する信号遅延の問題も抑制することができる。
【００４７】また、本発明によれば、前記第２の層間絶
縁膜が有機材料によって形成されているので、該第２の
層間絶縁膜の下部領域が液晶層へ与える電界を小さくす
ることができ、また、前記画素電極を十分に平坦化され
た領域上に形成することができるため、確実なラビング
処理を行うことができ、液晶配向の乱れを無くすること
ができる。
縁膜が有機材料によって形成されているので、該第２の
層間絶縁膜の下部領域が液晶層へ与える電界を小さくす
ることができ、また、前記画素電極を十分に平坦化され
た領域上に形成することができるため、確実なラビング
処理を行うことができ、液晶配向の乱れを無くすること
ができる。
【００４８】また、本発明によれば、前記有機材料とし
て感光性アクリル樹脂を使用しているので、露光および
現像によりコンタクトホールを容易に形成することがで
き、製造プロセスを簡略化することが可能となる。ま
た、前記感光性アクリル樹脂は透光性に優れているの
で、本液晶表示装置を透過型液晶表示装置として使用し
た場合であっても透過率の低下が起こることはない。
て感光性アクリル樹脂を使用しているので、露光および
現像によりコンタクトホールを容易に形成することがで
き、製造プロセスを簡略化することが可能となる。ま
た、前記感光性アクリル樹脂は透光性に優れているの
で、本液晶表示装置を透過型液晶表示装置として使用し
た場合であっても透過率の低下が起こることはない。
【００４９】また、本発明によれば、前記第１の層間絶
縁膜を貫く少なくとも一つのコンタクトホール内壁部分
に、付加容量が形成されているので、非透光性である付
加容量の領域を小さくすることができ、液晶表示装置の
開口率を向上させることができる。
縁膜を貫く少なくとも一つのコンタクトホール内壁部分
に、付加容量が形成されているので、非透光性である付
加容量の領域を小さくすることができ、液晶表示装置の
開口率を向上させることができる。
【００５０】また、本発明によれば、前記付加容量が形
成されるコンタクトホール内壁部分には、積み上げ電極
が形成されているとともに、該積み上げ電極を付加容量
の下部電極としているので、ソースバス配線形成と同時
に付加容量の下部電極を形成することができ、付加容量
の下部電極を新たにパターニングする必要がなくなる。
また、本発明によれば、前記第１の層間絶縁膜上に遮光
膜が形成されているとともに、その遮光膜が、付加容量
の上部電極により形成されているので、対向基板上に遮
光膜を形成する必要がなくなり、製造プロセスをさらに
簡略化することが可能となる。
成されるコンタクトホール内壁部分には、積み上げ電極
が形成されているとともに、該積み上げ電極を付加容量
の下部電極としているので、ソースバス配線形成と同時
に付加容量の下部電極を形成することができ、付加容量
の下部電極を新たにパターニングする必要がなくなる。
また、本発明によれば、前記第１の層間絶縁膜上に遮光
膜が形成されているとともに、その遮光膜が、付加容量
の上部電極により形成されているので、対向基板上に遮
光膜を形成する必要がなくなり、製造プロセスをさらに
簡略化することが可能となる。
【００５１】本発明の液晶表示装置においては、基板上
に、非単結晶シリコン薄膜とゲート絶縁膜とゲートバス
配線とが形成され、該ゲートバス配線の上部に、第１の
層間絶縁膜とソースバス配線と第２の層間絶縁膜と画素
電極とがそれぞれ形成された液晶表示装置において、前
記第１の層間絶縁膜の開口部に付加容量下部電極となる
積み上げ電極が形成され、該積み上げ電極上部にシリコ
ン窒化膜が形成され、該シリコン窒化膜上部に付加容量
上部電極が形成され、該積み上げ電極と付加容量上部電
極との間で付加容量が形成されている。このような構成
とすることで、積み上げ電極でＴＦＴと画素電極との接
続不良をなくすことができるとともに、この非透光性の
積み上げ電極を付加容量下部電極として用い、さらには
シリコン窒化膜を付加容量の絶縁膜として使用すること
で小さな面積で効率よく付加容量を形成することがで
き、高開口率の液晶表示装置を実現することができる。
また、本発明によれば、前記付加容量上部電極が遮光膜
となるような構成としていることにより、遮光膜の形成
プロセスを簡略化することができ、また、ＴＦＴの光リ
ーク電流を防止することも可能となる。また、本発明に
よれば、前記第１の層間絶縁膜または第２の層間絶縁膜
が有機材料によって形成されているので、配線による凹
凸の平坦化および配線の容量低減を実現することがで
き、液晶表示装置の表示品位を向上させることが可能と
なる。
に、非単結晶シリコン薄膜とゲート絶縁膜とゲートバス
配線とが形成され、該ゲートバス配線の上部に、第１の
層間絶縁膜とソースバス配線と第２の層間絶縁膜と画素
電極とがそれぞれ形成された液晶表示装置において、前
記第１の層間絶縁膜の開口部に付加容量下部電極となる
積み上げ電極が形成され、該積み上げ電極上部にシリコ
ン窒化膜が形成され、該シリコン窒化膜上部に付加容量
上部電極が形成され、該積み上げ電極と付加容量上部電
極との間で付加容量が形成されている。このような構成
とすることで、積み上げ電極でＴＦＴと画素電極との接
続不良をなくすことができるとともに、この非透光性の
積み上げ電極を付加容量下部電極として用い、さらには
シリコン窒化膜を付加容量の絶縁膜として使用すること
で小さな面積で効率よく付加容量を形成することがで
き、高開口率の液晶表示装置を実現することができる。
また、本発明によれば、前記付加容量上部電極が遮光膜
となるような構成としていることにより、遮光膜の形成
プロセスを簡略化することができ、また、ＴＦＴの光リ
ーク電流を防止することも可能となる。また、本発明に
よれば、前記第１の層間絶縁膜または第２の層間絶縁膜
が有機材料によって形成されているので、配線による凹
凸の平坦化および配線の容量低減を実現することがで
き、液晶表示装置の表示品位を向上させることが可能と
なる。
【図１】本発明の実施の形態の液晶表示装置における画
素１個分の構成を示した平面図である。
素１個分の構成を示した平面図である。
【図２】図１の液晶表示装置におけるＡ−Ａ線断面図を
示している。
示している。
【図３】本発明の実施の形態の液晶表示装置における画
素１個分の構成を示した平面図である。
素１個分の構成を示した平面図である。
【図４】図３の液晶表示装置におけるＡ−Ａ線断面図を
示している。
示している。
【図５】従来の液晶表示装置における画素１個分の構成
を示した平面図である。
を示した平面図である。
【図６】図５の液晶表示装置におけるＡ−Ａ線断面図を
示している。
示している。
【図７】基板上に周辺駆動回路を形成した従来の液晶表
示装置の構成を示す回路図である。
示装置の構成を示す回路図である。
１０ 絶縁基板 １１ 多結晶シリコン薄膜 １２ チャンネル部 １３ ゲート絶縁膜 １５ 第１の層間絶縁膜 １６ ゲートバス配線 １６ａ ゲート電極 １８ コンタクトホール １９ コンタクトホール ２０ ソースバス配線 ２１ 積み上げ電極 ２３ コンタクトホール ２４ 第２の層間絶縁膜 ２５ 画素電極 ２７ 絶縁膜 ２８ 付加容量共通配線 ２８ａ 付加容量上部電極 ３１ 基板 ３２ ゲート駆動回路 ３２ａ シフトレジスタ ３２ｂ バッファ ３３ ソース駆動回路 ３３ａ シフトレジスタ ３３ｂ バッファ ３４ ＴＦＴアレイ部 ３５ ＴＦＴ ３６ 画素 ３７ 付加容量 ３８ ビデオライン ３９ アナログスイッチ １１０ 絶縁基板 １１１ 多結晶シリコン薄膜 １１２ チャンネル １１３ ゲート絶縁膜 １１４ 付加容量共通配線 １１４ａ 付加容量上部電極 １１５ 第１の層間絶縁膜 １１６ ゲートバス配線 １１６ａ ゲート電極 １１８ コンタクトホール １１９ コンタクトホール １２０ ソースバス配線 １２１ 積み上げ電極 １２３ コンタクトホール １２４ 第２の層間絶縁膜 １２５ 画素電極
Claims (10)
- 【請求項１】 基板上に、非単結晶シリコン薄膜とゲー
ト絶縁膜とゲートバス配線とが形成され、該ゲートバス
配線の上部に、第１の層間絶縁膜とソースバス配線と第
２の層間絶縁膜と画素電極とがそれぞれ基板側から順番
に形成された液晶表示装置において、 前記第１の層間絶縁膜が有機材料によって形成されてい
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記第２の層間絶縁膜が有機材料によっ
て形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液
晶表示装置。 - 【請求項３】 前記有機材料が、感光性アクリル樹脂で
あることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表
示装置。 - 【請求項４】 前記第１の層間絶縁膜を貫く少なくとも
一つのコンタクトホール内壁部分に、付加容量が形成さ
れ、前記付加容量の上部電極が前記第２の層間絶縁膜の
下部に形成されていることを特徴とする請求項１または
２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記付加容量が形成されるコンタクトホ
ール内壁部分には、積み上げ電極が形成されているとと
もに、該積み上げ電極を付加容量の下部電極とすること
を特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記第１の層間絶縁膜上に遮光膜が形成
されていることを特徴とする請求項１または２に記載の
液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記遮光膜は、付加容量の上部電極によ
り形成されていることを特徴とする請求項６に記載の液
晶表示装置。 - 【請求項８】 基板上に、非単結晶シリコン薄膜とゲー
ト絶縁膜とゲートバス配線とが形成され、該ゲートバス
配線の上部に、第１の層間絶縁膜とソースバス配線と第
２の層間絶縁膜と画素電極とがそれぞれ基板側から順番
に形成された液晶表示装置において、 前記第１の層間絶縁膜の開口部に付加容量下部電極とな
る積み上げ電極が形成され、該積み上げ電極の上部にシ
リコン窒化膜が形成され、該シリコン窒化膜の上部かつ
該第２の層間絶縁膜の下部に付加容量上部電極が形成さ
れ、該積み上げ電極と付加容量上部電極との間で付加容
量が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項９】 前記付加容量上部電極が遮光膜となるこ
とを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１０】 前記第１の層間絶縁膜または第２の層
間絶縁膜が有機材料によって形成されていることを特徴
とする請求項８に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32457895A JP3245527B2 (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 液晶表示装置 |
| US08/718,051 US5917563A (en) | 1995-10-16 | 1996-09-13 | Liquid crystal display device having an insulation film made of organic material between an additional capacity and a bus line |
| US09/233,168 US6141066A (en) | 1995-10-16 | 1999-01-19 | Liquid crystal display device with active matrix substrate using source/drain electrode as capacitor conductor |
| US09/648,553 US6359665B1 (en) | 1995-10-16 | 2000-08-28 | Switching element substrate having additional capacity and manufacturing method thereof |
| US10/052,345 US6806932B2 (en) | 1995-10-16 | 2002-01-23 | Semiconductor device |
| US10/839,215 US7057691B2 (en) | 1995-10-16 | 2004-05-06 | Semiconductor device |
| US11/292,357 US7190418B2 (en) | 1995-10-16 | 2005-12-02 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32457895A JP3245527B2 (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09160074A JPH09160074A (ja) | 1997-06-20 |
| JP3245527B2 true JP3245527B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=18167389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32457895A Expired - Lifetime JP3245527B2 (ja) | 1995-10-16 | 1995-12-13 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3245527B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP3973787B2 (ja) | 1997-12-31 | 2007-09-12 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP3463007B2 (ja) * | 1999-08-26 | 2003-11-05 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| TW478014B (en) | 1999-08-31 | 2002-03-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing thereof |
| KR100720069B1 (ko) * | 1999-08-31 | 2007-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
| US7023021B2 (en) * | 2000-02-22 | 2006-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP3591513B2 (ja) | 2000-04-21 | 2004-11-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置およびプロジェクタ |
| KR100776509B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2007-11-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| JP4214741B2 (ja) * | 2002-08-27 | 2009-01-28 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| DE102006060734B4 (de) * | 2006-06-30 | 2014-03-06 | Lg Display Co., Ltd. | Flüssigkristalldisplay und Verfahren zu dessen Herstellung |
| KR101331803B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-11-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| JP4730407B2 (ja) * | 2008-07-17 | 2011-07-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| CN106125436B (zh) * | 2016-08-31 | 2019-09-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及制作方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3214202B2 (ja) * | 1993-11-24 | 2001-10-02 | ソニー株式会社 | 表示素子基板用半導体装置 |
-
1995
- 1995-12-13 JP JP32457895A patent/JP3245527B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09160074A (ja) | 1997-06-20 |
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