CN117406505A - 阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板和显示装置，其中，阵列基板包括：衬底；源漏金属层，设置于衬底的一侧；第一有源层，设置于源漏金属层的背离衬底的一侧，第一有源层包括沟道区域；耐刻蚀导电层，设置于源漏金属层的背离衬底的一侧且连接于沟道区域；钝化层，设置于第一有源层的背离衬底的一侧，钝化层设置有暴露源漏金属层和耐刻蚀导电层的过孔；第一透明电极层，设置于钝化层的背离衬底的一侧且通过过孔与源漏金属层和耐刻蚀导电层连接。本申请实施例的技术方案可以使第一透明电极层和耐刻蚀导电层之间的接触电阻较小，从而提升显示面板的显示效果。

Description

阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板和显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板和显示装置。

背景技术

相关技术中，为减小显示面板中与数据线相关的寄生电容，需要将数据线下置，使数据线设置于衬底的表面，然后在数据线的背离衬底的一侧依次设置层间介质层、有源层、栅绝缘层、栅金属层、钝化层和公共电极层。公共电极层通过钝化层上的过孔与数据线和有源层连接。然而，在钝化层上刻蚀过孔容易对有源层造成刻蚀损伤，使公共电极层与有源层的接触电阻增大，从而影响显示面板的显示效果。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板和显示装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

作为本申请实施例的第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板，包括：衬底；源漏金属层，设置于衬底的一侧；第一有源层，设置于源漏金属层的背离衬底的一侧，第一有源层包括沟道区域；耐刻蚀导电层，设置于源漏金属层的背离衬底的一侧且连接于沟道区域；钝化层，设置于第一有源层的背离衬底的一侧，钝化层设置有暴露源漏金属层和耐刻蚀导电层的过孔；第一透明电极层，设置于钝化层的背离衬底的一侧且通过过孔与源漏金属层和耐刻蚀导电层连接。

在一种实施方式中，第一有源层还包括第一导体化搭接区域，第一导体化搭接区域设置于耐刻蚀导电层的背离源漏金属层的一侧，第一导体化搭接区域的一部分搭接于耐刻蚀导电层，第一导体化搭接区域的另一部分搭接于沟道区域。

在一种实施方式中，过孔暴露第一导体化搭接区域，第一透明电极层通过过孔与第一导体化搭接区域连接。

在一种实施方式中，第一有源层还包括与沟道区域相连接的导体化电极区域，沟道区域位于耐刻蚀导电层和导体化电极区域之间。

在一种实施方式中，阵列基板还包括：第二透明电极层，设置于源漏金属层的背离衬底的一侧且与耐刻蚀导电层间隔设置，沟道区域连接于耐刻蚀导电层和第二透明电极层之间。

在一种实施方式中，第一有源层还包括第二导体化搭接区域，第二导体化搭接区域设置于第二透明电极层的背离源漏金属层的一侧，第二导体化搭接区域的一部分搭接于第二透明电极层，第二导体化搭接区域的另一部分搭接于沟道区域。

在一种实施方式中，第二透明电极层与耐刻蚀导电层的材料相同，且第二透明电极层和耐刻蚀导电层通过一次工艺形成。

在一种实施方式中，耐刻蚀导电层为不透光金属层。

在一种实施方式中，阵列基板还包括：第二有源层，设置于耐刻蚀导电层和源漏金属层之间且连接于沟道区域，第二有源层的靠近过孔的侧面通过过孔暴露出。

在一种实施方式中，源漏金属层包括间隔设置的数据线区域和遮光区域，过孔暴露数据线区域，沟道区域在衬底上的正投影位于遮光区域在衬底上的正投影内。

在一种实施方式中，阵列基板还包括：栅金属层，设置于第一有源层的一侧；栅绝缘层，设置于栅金属层和第一有源层之间；其中，栅绝缘层在衬底上的正投影位于遮光区域在衬底上的正投影内；或者第一有源层在衬底上的正投影和遮光区域在衬底上的正投影均位于栅绝缘层在衬底上的正投影内，且数据线区域在衬底上的正投影与栅绝缘层在衬底上的正投影具有交叠区域。

在一种实施方式中，耐刻蚀导电层的背离源漏金属层的表面的一部分以及耐刻蚀导电层的背离沟道区域的侧面通过过孔暴露出。

作为本申请实施例的第二方面，本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：提供一衬底；在衬底的一侧形成源漏金属层；在源漏金属层的背离衬底的一侧形成耐刻蚀导电层和第一有源层；其中，第一有源层包括连接于耐刻蚀导电层的沟道区域；在第一有源层的背离衬底的一侧形成钝化层，并在钝化层上形成暴露源漏金属层和耐刻蚀导电层的过孔；在钝化层的背离衬底的一侧形成第一透明电极层，并且使第一透明电极层通过过孔与源漏金属层和耐刻蚀导电层连接。

在一种实施方式中，在源漏金属层的背离衬底的一侧形成耐刻蚀导电层和第一有源层，包括：在源漏金属层的背离衬底的一侧形成透明导电层；对透明导电层进行图案化处理，得到间隔设置的耐刻蚀导电层和第二透明电极层；在源漏金属层的背离衬底的一侧形成第一有源层，使第一有源层的沟道区域连接于耐刻蚀导电层和第二透明电极层之间。

作为本申请实施例的第三方面，本申请实施例提供一种显示面板，包括上述任一实施方式的阵列基板。

作为本申请实施例的第四方面，本申请实施例提供一种显示装置，包括上述任一实施方式的显示面板。

本申请实施例采用上述技术方案可以使第一透明电极层和耐刻蚀导电层之间的接触电阻较小，从而提升显示面板的显示效果。

上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本申请进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。

附图说明

在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本申请公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本申请范围的限制。

图1示出一些实施例中阵列基板的结构示意图；

图2示出一些实施例中阵列基板的制备工艺示意图；

图3示出另一些实施例中阵列基板的结构示意图；

图4示出又一些实施例中阵列基板的结构示意图；

图5示出根据本申请第一个实施例的阵列基板的结构示意图；

图6示出根据本申请第一个实施例的阵列基板的制备工艺示意图；

图7示出根据本申请第二个实施例的阵列基板的结构示意图；

图8示出根据本申请第二个实施例的阵列基板的制备工艺示意图；

图9示出根据本申请第三个实施例的阵列基板的结构示意图；

图10示出根据本申请第三个实施例的阵列基板的制备工艺示意图；

图11示出根据本申请第四个实施例的阵列基板的结构示意图；

图12示出根据本申请第四个实施例的阵列基板的制备工艺示意图；

图13示出根据本申请第五个实施例的阵列基板的结构示意图；

图14示出根据本申请实施例的阵列基板的制备方法的流程示意图。

附图标记说明：

10：阵列基板；

100：衬底；200：源漏金属层；210：数据线区域；220：遮光区域；300：第一有源层；310：沟道区域；320：第一导体化搭接区域；330：导体化电极区域；340：第二导体化搭接区域；350：第一导体化区域；360：第二导体化区域；400：耐刻蚀导电层；500：栅绝缘层；600：栅金属层；700：钝化层；710：过孔；800：第一透明电极层；900：第二透明电极层；910：透明导电层；1000：第二有源层；1100：层间介质层；1200：半导体层。

具体实施方式

在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本申请的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。

随着液晶显示屏(Liquid Crystal Display，LCD)技术的不断发展，LCD面板的分辨率和刷新率不断提高。更高的分辨率意味着屏幕上可以显示更多的像素，从而提供更清晰和更精细的图像。更快的刷新率则使屏幕上的图像更加流畅。在LCD面板中，阵列基板的与数据线相关的寄生电容成为制约分辨率和刷新率进一步提升的重要因素。

图1示出一些实施例中阵列基板的结构示意图；图2示出一些实施例中阵列基板的制备工艺示意图。如图1和图2所示，在一些实施例中，为减小阵列基板10中与数据线相关的寄生电容，需要将阵列基板10的数据线下置，使数据线设置于衬底100的表面。制备时，首先在衬底100上形成源漏金属层200；其中，源漏金属层200包括间隔设置的数据线区域210和遮光区域220。然后依次在源漏金属层200的背离衬底100的一侧形成层间介质层1100、在层间介质层1100的背离衬底100的一侧形成第一有源层300。遮光区域220用于遮挡第一有源层300的沟道区域310。之后依次在第一有源层300的背离衬底100的一侧形成栅绝缘层500、在栅绝缘层500的背离衬底100的一侧形成栅金属层600。接着对第一有源层300的非沟道区域进行导体化处理，得到位于沟道区域310两侧的第一导体化区域350和第二导体化区域360。然后在栅金属层600的背离衬底100的一侧沉积钝化层700，并且在钝化层700上形成过孔710。最后在钝化层700的背离衬底100的一侧形成第一透明电极层800，使第一透明电极层800通过过孔710与数据线区域210和第一导体化区域350连接。

图3示出另一些实施例中阵列基板10的结构示意图；图4示出又一些实施例中阵列基板10的结构示意图。在阵列基板10的制备工艺中，过孔710的刻蚀过程容易对第一导体化区域350造成刻蚀损伤(如图3所示)，甚至将过孔710处的第一导体化区域350完全刻穿(如图4所示)，使第一透明电极层800与第一有源层300的接触电阻增大，从而影响显示面板的显示效果。

为解决上述问题，本申请第一方面实施例提供了一种阵列基板10。图5示出根据本申请第一个实施例的阵列基板10的结构示意图。如图5所示，该阵列基板10包括衬底100、源漏金属层200、第一有源层300、耐刻蚀导电层400、钝化层700和第一透明电极层800。示例性地，衬底100可以为玻璃衬底100，也可以为柔性衬底100。耐刻蚀导电层400可以由具备耐刻蚀性能和导电性能的材料制备而成。

具体而言，源漏金属层200设置于衬底100的一侧。第一有源层300设置于源漏金属层200的背离衬底100的一侧，第一有源层300包括沟道区域310。沟道区域310可以为半导体区域。耐刻蚀导电层400设置于源漏金属层200的背离衬底100的一侧且连接于沟道区域310。钝化层700设置于第一有源层300的背离衬底100的一侧，钝化层700设置有暴露源漏金属层200和耐刻蚀导电层400的过孔710。第一透明电极层800设置于钝化层700的背离衬底100的一侧且通过过孔710与源漏金属层200和耐刻蚀导电层400连接。

需要说明的是，“过孔710暴露源漏金属层200和耐刻蚀导电层400”指的是在未设置第一透明电极层800的情况下，源漏金属层200的至少部分以及耐刻蚀导电层400的至少部分通过过孔710暴露出。

示例性地，阵列基板10还可以包括层间介质层1100、栅绝缘层500和栅金属层600。图6示出根据本申请第一个实施例的阵列基板10的制备工艺示意图。结合图6，阵列基板10可以为顶栅型，制备时，首先可以在衬底100的一侧形成源漏金属层200；然后依次在源漏金属层200的背离衬底100的一侧形成层间介质层1100、在层间介质层1100的背离衬底100的一侧形成耐刻蚀导电层400，并对耐刻蚀导电层400进行图案化处理。接着在层间介质层1100的背离衬底100的一侧形成第一有源层300，使第一有源层300的沟道区域310连接于耐刻蚀导电层400。之后在第一有源层300的背离衬底100的一侧依次形成栅绝缘层500、栅金属层600和钝化层700，并在钝化层700上形成暴露源漏金属层200和耐刻蚀导电层400的过孔710。例如，在形成过孔710后，耐刻蚀导电层400的背离源漏金属层200的表面的一部分以及耐刻蚀导电层400的背离沟道区域310的侧面可以通过过孔710暴露出。最后在钝化层700的背离衬底100的一侧形成第一透明电极层800，使第一透明电极层800通过过孔710与源漏金属层200和耐刻蚀导电层400连接。

本申请实施例采用耐刻蚀导电层400替换了上述实施例中的第一导体化区域350，由于耐刻蚀导电层400的材料具备耐刻蚀性能，在刻蚀过孔710的过程中，可以有效减轻对耐刻蚀导电层400的刻蚀损伤，避免刻穿耐刻蚀导电层400。

在一个示例中，源漏金属层200可以包括间隔设置的数据线区域210和遮光区域220，过孔710暴露数据线区域210，沟道区域310在衬底100上的正投影位于遮光区域220在衬底100上的正投影内。这样，遮光区域220可以为沟道区域310遮光，避免沟道区域310受到光照影响。

需要说明的是，本申请实施例中的阵列基板10还可以是底栅结构的阵列基板10，或双栅结构的阵列基板10(即包括底栅和顶栅)，本申请对此不作限定。

示例性地，在阵列基板10应用于显示面板的情况下，在显示面板的显示阶段，在外加电压时，栅金属层600控制沟道区域310导通，源漏金属层200输出的数据信号通过第一透明电极层800传递至耐刻蚀导电层400，然后从耐刻蚀导电层400传递至沟道区域310，最后由沟道区域310传递至像素电极，从而达到显示效果。

示例性地，源漏金属层200和栅金属层600可以采用相同材料制成。第一透明电极层800的材料可以为氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)。栅绝缘层500可以包括氮化物无机层，例如，栅绝缘层500可以包括SiOx、SiNx、SiON中的一种或多种材料，但不限于此。第一有源层300可以为透明金属氧化物半导体有源层如氧化铟镓锌(Indium Gallium ZincOxide，IGZO)、氧化铟镓锌锡(Indium Gallium Zinc Tin Oxide，IGZTO)、氧化铟镓锌钇(Indium Gallium Zinc Yttrium Oxide，IGZYO)、氧化锌氮化物(Zinc Oxide Nitride，ZnON)等；也可以为多晶硅或非晶硅等其他有源层。

根据本申请实施例的阵列基板10，通过在源漏金属层200的背离衬底100的一侧设置连接于沟道区域310的耐刻蚀导电层400，并且使第一透明电极层800通过过孔710与源漏金属层200和耐刻蚀导电层400连接，第一透明电极层800和耐刻蚀导电层400之间的接触电阻较小，从而可以提升显示面板的显示效果。

在一种实施方式中，如图5所示，第一有源层300还包括第一导体化搭接区域320，第一导体化搭接区域320设置于耐刻蚀导电层400的背离源漏金属层200的一侧，第一导体化搭接区域320的一部分搭接于耐刻蚀导电层400，第一导体化搭接区域320的另一部分搭接于沟道区域310。由此，可以保证耐刻蚀导电层400与沟道区域310的可靠连接，从而保证信号的可靠传输，避免由于耐刻蚀导电层400与沟道区域310存在间隙而导致信号传输中断。

图7示出根据本申请第二个实施例的阵列基板10的结构示意图；图8示出根据本申请第二个实施例的阵列基板10的制备工艺示意图。在一种实施方式中，如图7和图8所示，过孔710暴露第一导体化搭接区域320，第一透明电极层800通过过孔710与第一导体化搭接区域320连接。

示例性地，在阵列基板10的制备过程中，在层间介质层1100的背离衬底100的一侧形成耐刻蚀导电层400并对耐刻蚀导电层400进行图案化处理后，可以在层间介质层1100的背离衬底100的一侧形成第一有源层300，使第一有源层300的沟道区域310连接于耐刻蚀导电层400，且第一有源层300的第一导体化搭接区域320覆盖耐刻蚀导电层400的背离衬底100的表面且覆盖耐刻蚀导电层400的背离沟道区域310的侧面。此时耐刻蚀导电层400在衬底100上的正投影位于第一导体化搭接区域320在衬底100上的正投影内，且耐刻蚀导电层400在垂直于衬底100的平面上的正投影位于第一导体化搭接区域320在垂直于衬底100的平面上的正投影内。之后在第一有源层300的背离衬底100的一侧依次形成栅绝缘层500、栅金属层600和钝化层700，并在钝化层700上形成过孔710，过孔710可以暴露源漏金属层200、耐刻蚀导电层400和第一导体化搭接区域320。在刻蚀过孔710的过程中，第一导体化搭接区域320可以对耐刻蚀导电层400起到有效的保护作用。在形成第一透明电极层800后，源漏金属层200输出的数据信号可以通过第一透明电极层800传递至耐刻蚀导电层400和第一导体化搭接区域320，然后从耐刻蚀导电层400和第一导体化搭接区域320传递至沟道区域310，最后由沟道区域310传递至像素电极，从而达到显示效果。

本实施例中，通过使过孔710暴露第一导体化搭接区域320，一方面，在过孔710的刻蚀过程中，第一导体化搭接区域320可以有效保护耐刻蚀导电层400，避免损伤耐刻蚀导电层400；另一方面，可以保证源漏金属层200与沟道区域310的连接，进一步提升信号传输的可靠性。

在一种实施方式中，如图5所示，第一有源层300还包括与沟道区域310相连接的导体化电极区域330，沟道区域310位于耐刻蚀导电层400和导体化电极区域330之间。示例性地，在形成栅金属层600后，可以对第一导体化搭接区域320以及导体化电极区域330进行导体化处理，使第一导体化搭接区域320以及导体化电极区域330均为导体区域。

本实施例中，通过使第一有源层300包括导体化电极区域330，导体化电极区域330可以作为像素电极，从而可以通过电场控制液晶分子的排列方式，从而调整像素的亮度和颜色，保证显示面板的显示效果。

图9示出根据本申请第三个实施例的阵列基板10的结构示意图；图10示出根据本申请第三个实施例的阵列基板10的制备工艺示意图。在一种实施方式中，如图9和图10所示，阵列基板10还包括第二透明电极层900，第二透明电极层900设置于源漏金属层200的背离衬底100的一侧且与耐刻蚀导电层400间隔设置，沟道区域310连接于耐刻蚀导电层400和第二透明电极层900之间。由此，第二透明电极层900可以作为像素电极，无需进行导体化处理，且第二透明电极层900的透过率较高，从而可以提升像素的透过率，提升显示面板的显示效果。

可选地，第二透明电极层900的材料可以与第一透明电极层800的材料相同，例如均可以为ITO。由于ITO的电阻较低，从而可以有效减小像素电阻。

在一种实施方式中，如图9和图10所示，第一有源层300还可以包括第二导体化搭接区域340，第二导体化搭接区域340设置于第二透明电极层900的背离源漏金属层200的一侧，第二导体化搭接区域340的一部分搭接于第二透明电极层900，第二导体化搭接区域340的另一部分搭接于沟道区域310。示例性地，在形成栅金属层600后，可以对第一导体化搭接区域320以及第二导体化搭接区域340进行导体化处理，使第一导体化搭接区域320以及第二导体化搭接区域340均为导体区域。

本实施例中，通过设置上述的第二导体化搭接区域340，可以保证沟道区域310与第二透明电极层900的可靠连接，从而保证信号在沟道区域310与第二透明电极层900之间的可靠传输，避免由于沟道区域310与第二透明电极层900之间存在间隙而导致信号传输中断。

在一种实施方式中，第二透明电极层900与耐刻蚀导电层400的材料可以相同，且第二透明电极层900和耐刻蚀导电层400通过一次工艺形成。其中，“工艺”可以包括涂布、曝光、显影、刻蚀等步骤。“一次工艺”指的是在同一工艺制程中形成第二透明电极层900和耐刻蚀导电层400。例如，耐刻蚀导电层400的材料和第二透明电极层900的材料可以为均ITO。

示例性地，制备时，在形成层间介质层1100后，可以在层间介质层1100的背离衬底100的一侧形成透明导电层910。然后对透明导电层910进行图案化处理，得到间隔设置的耐刻蚀导电层400和第二透明电极层900。之后在源漏金属层200的背离衬底100的一侧形成第一有源层300，使第一有源层300的沟道区域310连接于耐刻蚀导电层400和第二透明电极层900之间。

本实施例中，通过使第二透明电极层900与耐刻蚀导电层400的材料相同，耐刻蚀导电层400可以为透明导电层910，从而可以进一步提升像素开口率。通过使第二透明电极层900和耐刻蚀导电层400通过一次工艺形成，可以减少阵列基板10的工艺步骤，提升阵列基板10的生产效率。

当然，本申请不限于此，在另一种实施方式中，耐刻蚀导电层400还可以为不透光金属层。例如，耐刻蚀导电层400的材料可以为钼。可以理解的是，耐刻蚀导电层400的材料可以根据实际需求具体确定，只要保证耐刻蚀导电层400的材料具备耐刻蚀性能和导电性能即可。

图11示出根据本申请第四个实施例的阵列基板10的结构示意图；图12示出根据本申请第四个实施例的阵列基板10的制备工艺示意图。在一种实施方式中，如图11和图12所示，阵列基板10还可以包括第二有源层1000，第二有源层1000设置于耐刻蚀导电层400和源漏金属层200之间且连接于沟道区域310，第二有源层1000的靠近过孔710的侧面通过过孔710暴露出。

示例性地，结合图12，制备时，在形成层间介质层1100后，可以依次在层间介质层1100的背离衬底100的一侧形成半导体层1200，在半导体层1200的背离衬底100的一侧形成透明导电层910。然后对半导体层1200和透明导电层910进行图案化处理，得到耐刻蚀导电层400、第二透明电极层900和第二有源层1000。其中，第二有源层1000的第一部分与耐刻蚀导电层400相对设置，第二有源层1000中的第二部分与第二透明电极层900相对设置。之后在层间介质层1100的背离衬底100的一侧形成第一有源层300，使第一有源层300的沟道区域310位于第二有源层1000的第一部分和第二部分之间，第一有源层300的第一导体化搭接区域320搭接于耐刻蚀导电层400和沟道区域310，且第一有源层300的第二导体化搭接区域340搭接于第二透明电极层900和沟道区域310。接着依次形成栅绝缘层500、栅金属层600、钝化层700和第一透明电极层800。

本实施例中，通过在耐刻蚀导电层400和源漏金属层200之间设置第二有源层1000，由于第二有源层1000的材料容易被刻蚀，可以避免在阵列基板10的制备过程中耐刻蚀导电层400的材料残留于沟道区域310所在位置，从而可以有效控制沟道区域310的导通和关断，保证显示面板的显示可靠性。

在一种实施方式中，栅金属层600设置于第一有源层300的一侧。栅绝缘层500设置于栅金属层600和第一有源层300之间。其中，栅绝缘层500在衬底100上的正投影可以位于遮光区域220在衬底100上的正投影内(如图5-图12所示)。或者，第一有源层300在衬底100上的正投影和遮光区域220在衬底100上的正投影均位于栅绝缘层500在衬底100上的正投影内，且数据线区域210在衬底100上的正投影与栅绝缘层500在衬底100上的正投影具有交叠区域(如图13所示)，此时除栅绝缘层500在过孔710处的部分被刻蚀掉以外，栅绝缘层500的其余部分均未被刻蚀，结构简单，方便加工。

本申请第二方面实施例提供了一种阵列基板的制备方法。图14示出根据本申请实施例的阵列基板的制备方法的流程示意图。如图14所示，该制备方法包括：

步骤S1401：提供一衬底。示例性地，衬底可以为玻璃衬底，也可以为柔性衬底。耐刻蚀导电层可以由具备耐刻蚀性能和导电性能的材料制备而成。

步骤S1402：在衬底的一侧形成源漏金属层。

步骤S1403：在源漏金属层的背离衬底的一侧形成耐刻蚀导电层和第一有源层；其中，第一有源层包括连接于耐刻蚀导电层的沟道区域。示例性地，耐刻蚀导电层可以由具备耐刻蚀性能和导电性能的材料制备而成。

步骤S1404：在第一有源层的背离衬底的一侧形成钝化层，并在钝化层上形成暴露源漏金属层和耐刻蚀导电层的过孔。由于耐刻蚀导电层的材料具备耐刻蚀性能，在刻蚀过孔的过程中，可以有效减轻对耐刻蚀导电层的刻蚀损伤，避免刻穿耐刻蚀导电层。

步骤S1405：在钝化层的背离衬底的一侧形成第一透明电极层，并且使第一透明电极层通过过孔与源漏金属层和耐刻蚀导电层连接。示例性地，在阵列基板应用于显示面板的情况下，在显示面板的显示阶段，在外加电压时，栅金属层控制沟道区域导通，源漏金属层输出的数据信号可以通过第一透明电极层传递至耐刻蚀导电层，然后从耐刻蚀导电层传递至沟道区域，最后由沟道区域传递至像素电极，从而达到显示效果。

根据本申请实施例的阵列基板的制备方法，通过在源漏金属层的背离衬底的一侧形成耐刻蚀导电层，可以减小在形成过孔的过程中对耐刻蚀导电层的损伤，从而可以减小第一透明电极层和耐刻蚀导电层之间的接触电阻，提升显示面板的显示效果。

在一种实施方式中，在步骤S1403中，在源漏金属层的背离衬底的一侧形成耐刻蚀导电层和第一有源层，可以包括：在源漏金属层的背离衬底的一侧形成透明导电层；对透明导电层进行图案化处理，得到间隔设置的耐刻蚀导电层和第二透明电极层；在源漏金属层的背离衬底的一侧形成第一有源层，使第一有源层的沟道区域连接于耐刻蚀导电层和第二透明电极层之间。

如此设置，第二透明电极层可以作为像素电极，无需进行导体化处理，且耐刻蚀导电层和第二透明电极层的透过率较高，从而可以提升像素的透过率，提升显示面板的显示效果。

本申请第三方面实施例提供了一种显示面板，包括上述任一实施方式的阵列基板。示例性地，显示面板还可以包括与阵列基板相对设置的对向基板。

本申请第四方面实施例提供了一种显示装置，包括上述任一实施方式的显示面板。其中，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

上述实施例的阵列基板、显示面板和显示装置的其他构成可以采用于本领域普通技术人员现在和未来知悉的各种技术方案，这里不再详细描述。

在本说明书的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

源漏金属层，设置于所述衬底的一侧；

第一有源层，设置于所述源漏金属层的背离所述衬底的一侧，所述第一有源层包括沟道区域；

耐刻蚀导电层，设置于所述源漏金属层的背离所述衬底的一侧且连接于所述沟道区域；

钝化层，设置于所述第一有源层的背离所述衬底的一侧，所述钝化层设置有暴露所述源漏金属层和所述耐刻蚀导电层的过孔；

第一透明电极层，设置于所述钝化层的背离所述衬底的一侧且通过所述过孔与所述源漏金属层和所述耐刻蚀导电层连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层还包括第一导体化搭接区域，所述第一导体化搭接区域设置于所述耐刻蚀导电层的背离所述源漏金属层的一侧，所述第一导体化搭接区域的一部分搭接于所述耐刻蚀导电层，所述第一导体化搭接区域的另一部分搭接于所述沟道区域。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔暴露所述第一导体化搭接区域，所述第一透明电极层通过所述过孔与所述第一导体化搭接区域连接。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层还包括与所述沟道区域相连接的导体化电极区域，所述沟道区域位于所述耐刻蚀导电层和所述导体化电极区域之间。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

第二透明电极层，设置于所述源漏金属层的背离所述衬底的一侧且与所述耐刻蚀导电层间隔设置，所述沟道区域连接于所述耐刻蚀导电层和所述第二透明电极层之间。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层还包括第二导体化搭接区域，所述第二导体化搭接区域设置于所述第二透明电极层的背离所述源漏金属层的一侧，所述第二导体化搭接区域的一部分搭接于所述第二透明电极层，所述第二导体化搭接区域的另一部分搭接于所述沟道区域。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二透明电极层与所述耐刻蚀导电层的材料相同，且所述第二透明电极层和所述耐刻蚀导电层通过一次工艺形成。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述耐刻蚀导电层为不透光金属层。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

第二有源层，设置于所述耐刻蚀导电层和所述源漏金属层之间且连接于所述沟道区域，所述第二有源层的靠近所述过孔的侧面通过所述过孔暴露出。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏金属层包括间隔设置的数据线区域和遮光区域，所述过孔暴露所述数据线区域，所述沟道区域在所述衬底上的正投影位于所述遮光区域在所述衬底上的正投影内。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

栅金属层，设置于所述第一有源层的一侧；

栅绝缘层，设置于所述栅金属层和所述第一有源层之间；

其中，所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影位于所述遮光区域在所述衬底上的正投影内；或者所述第一有源层在所述衬底上的正投影和所述遮光区域在所述衬底上的正投影均位于所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影内，且所述数据线区域在所述衬底上的正投影与所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影具有交叠区域。

12.根据权利要求1-9中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述耐刻蚀导电层的背离所述源漏金属层的表面的一部分以及所述耐刻蚀导电层的背离所述沟道区域的侧面通过所述过孔暴露出。

13.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底的一侧形成源漏金属层；

在所述源漏金属层的背离所述衬底的一侧形成耐刻蚀导电层和第一有源层；其中，所述第一有源层包括连接于所述耐刻蚀导电层的沟道区域；

在所述第一有源层的背离所述衬底的一侧形成钝化层，并在所述钝化层上形成暴露所述源漏金属层和所述耐刻蚀导电层的过孔；

在所述钝化层的背离所述衬底的一侧形成第一透明电极层，并且使所述第一透明电极层通过所述过孔与所述源漏金属层和所述耐刻蚀导电层连接。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，在所述源漏金属层的背离所述衬底的一侧形成耐刻蚀导电层和第一有源层，包括：

在所述源漏金属层的背离所述衬底的一侧形成透明导电层；

对所述透明导电层进行图案化处理，得到间隔设置的耐刻蚀导电层和第二透明电极层；

在所述源漏金属层的背离所述衬底的一侧形成第一有源层，使第一有源层的沟道区域连接于所述耐刻蚀导电层和所述第二透明电极层之间。

15.一种显示面板，其特征在于，包括根据权利要求1-12中任一项所述的阵列基板。

16.一种显示装置，其特征在于，包括根据权利要求15所述的显示面板。