JP4900332B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
また、本開示は、上記液晶表示装置の製造方法において、前記複層構造のゲート絶縁膜は同一材料を用いてそれぞれの層毎に周囲の雰囲気ガスの成分を変えることにより形成した。
先ず、図3Aに示すように、透明基板11上に所定厚のアルミニウム、モリブデン、クロムあるいはこれらの合金からなる導電物質層24を成膜する。そして、図3Bに示すように、周知のフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることによりその一部をエッチングにより除去し、横方向に伸びる複数本の走査線16と、これら複数本の走査線16間に補助容量線18とを形成する。なお、図3Bにおいては走査線16から伸びるゲート電極Gと補助容量線18の一部を幅広とすることにより形成された補助容量電極18aが示されている。また、ここで示す走査線16及び補助容量線18は、アルミニウムとモリブデンからなる多層構造の配線として示している。これは、アルミニウムは抵抗値が小さいという長所を持っているが、その反面、腐食しやすい、ITOとの接触抵抗が高いなどの欠点があるため、アルミニウムをモリブデンで覆った多層構造にすることでそうした欠点を改善できる。
Claims (8)
- 透明基板上にゲート電極に連なる走査線及び補助容量線を互いに平行に複数本配設する工程と、
前記透明基板上の全面を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の前記補助容量線上に位置する部分を薄膜化して前記補助容量線の周囲より厚みの薄い絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上方に薄膜トランジスタのドレイン電極を形成すると共にこの薄膜トランジスタの前記ドレイン電極を前記補助容量線上の前記絶縁層を被覆するように延在させて補助容量を形成する工程とを含み、
前記絶縁層を形成する工程は、前記ゲート絶縁膜を複数回に分けて複数層に形成する工程と、その内の少なくとも一層を除去する工程とを含み、
複層構造のゲート絶縁膜は同一材料を用いてそれぞれの層毎に基板温度を変えることによって形成した液晶表示装置の製造方法。 - 前記絶縁層を形成する工程は、
前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の表面にフォトレジストを塗布する工程と、
ハーフトーンマスクを用い、前記補助容量線上の補助容量形成部のフォトレジストは除去し、ゲート電極に対応する位置に厚いフォトレジストを残すとともにその他の部分に薄いフォトレジストを残す工程と、
エッチングにより、露出している前記補助容量形成部の半導体層を除去した後に、更に前記補助容量形成部に位置する前記ゲート絶縁膜の一部を除去して周囲のゲート絶縁膜より厚さの薄い絶縁層を形成する工程と、
前記薄いフォトレジストを除去して前記ゲート電極に対応する位置にのみフォトレジストを残す工程と、
露出している前記半導体層をエッチングにより除去する工程と、
残りの前記フォトレジストを除去する工程を含む請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記絶縁層を形成する工程は、前記ゲート絶縁膜を複数回に分けて複数層に形成する際に最初に形成した層を除去する工程である請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記絶縁層を形成する工程は、前記ゲート絶縁膜を複数回に分けて複数層に形成した後に最後に形成した層を除去する工程である請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記基板温度は、最初のゲート絶縁膜の形成時が最も高く、更なるゲート絶縁膜の形成時に順次低くなるようにした請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記複層構造のゲート絶縁膜は同一材料を用いてそれぞれの層毎に周囲の雰囲気ガスの成分を変えることにより形成した請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記ドレイン電極を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜に前記ドレイン電極と前記補助容量線が重なる位置にコンタクトホールを形成する工程と、
前記層間絶縁膜上にコンタクトホールを介して前記ドレイン電極と電気的に接続するように画素電極を形成する工程とを含む請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記画素電極の形成前又は後に、前記薄膜トランジスタ及び前記補助容量線に対応する位置、あるいは、前記画素電極に対応する位置の全面に反射板を形成する工程を含む請求項7に記載の液晶表示装置の製造方法。
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