JP4142058B2 - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置等といった電気光学装置に関する。また本発明はその電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。

現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において電気光学装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として電気光学装置が用いられている。この電気光学装置において、電気光学物質として液晶を用いた装置、すなわち液晶表示装置が知られている。

上記の液晶表示装置は電気光学パネルとしての液晶パネルを有する。この液晶パネルは、例えば、それぞれが電極を備えた一対の基板の間に液晶層を介在させた構造を有する。この液晶表示装置では、液晶層に光を供給すると共に該液晶層に印加される電圧を画素ごとに制御することにより、液晶層内の液晶分子の配向を画素ごとに制御する。液晶層へ供給された光は、液晶分子の配向状態に従って変調され、この変調された光を偏光板の液晶側表面に供給することにより、その偏光板の観察側表面に文字、数字、図形等といった像が表示される。

上記のような液晶パネルには、像の表示を行う有効表示領域と、その有効表示領域の周りの領域であって表示に寄与しない周辺領域とを有する（例えば、特許文献１参照）。そして、液晶パネルを形成する一対の基板のそれぞれに設けられた電極の上には、有効表示領域と周辺領域にわたって配向膜が形成される。この配向膜は、例えば、ポリイミド等を印刷することによって塗布できる。

特開２００３−２６２８５６号公報（第８頁、図１）

特許文献１に開示された電気光学装置において、液晶パネルを構成する基板の表面には、絶縁膜等といった種々の要素が積層されている。これらの積層された要素の高さは、有効表示領域に対して周辺領域の方が高くなる場合が考えられる。例えば、いわゆるマルチギャップ構造において１つの画素内における液晶層の層厚を異ならせる場合等には、有効表示領域に比べて周辺領域が高くなる部分が生じることが考えられる。このような場合には、周辺領域に塗布された配向膜が有効表示領域へ流れ込み、有効表示領域と周辺領域との境界部分で配向膜が厚く形成されるおそれがあった。こうなると、有効表示領域において配向膜の厚さが不均一になり、配向膜が厚く形成された部分で配向不良が発生し、表示の輝度にムラが生じるおそれがあった。

本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、有効表示領域と周辺領域とを有する構造の電気光学装置において、有効表示領域と周辺領域の両者の間で配向膜を均一に塗布し、表示の輝度にムラが発生するのを防止することを目的とする。

本発明に係る電気光学装置は、一対の基板の間に枠状に設けられるシール材と、該シール材によって囲まれた領域内に電気光学物質を封止して成る電気光学物質層と、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板上であって前記シール材によって囲まれた領域内に設けられる絶縁層と、該絶縁層と前記電気光学物質層の間に設けられる配向膜とを有し、前記シール材によって囲まれた領域は、表示が行われる有効表示領域と、該有効表示領域と前記シール材の間にある周辺領域とを備え、前記有効表示領域内の前記絶縁層のうちの前記周辺領域に隣接する部分には、該周辺領域内の前記絶縁層より薄い部分を有し、前記周辺領域内の前記絶縁層には前記配向膜の材料が入る凹部が形成されることを特徴とする。

上記の配向膜は、例えば、ポリイミド等といった材料の溶液を、例えばスピンコート法等によって基板上に塗布され、その後塗布した材料を焼成することにより膜状に形成される。従来の電気光学装置では、配向膜の材料を塗布した際、その材料が流動して周辺領域から有効表示領域内に必要以上に流入するおそれがあった。こうなると、周辺領域と有効表示領域とで配向膜の膜厚が不均一になり、表示の輝度がばらつくおそれがあった。

上記の電気光学装置によれば、周辺領域内に配向膜の材料が入る凹部を形成した。これにより、周辺領域内に配向膜を形成する際、その配向膜の材料が周辺領域の凹部に流動して入ることができる。その結果、基板上に配向膜を形成する際に、配向膜の材料が周辺領域から有効表示領域内へ必要以上に流れ込むことを防止できる。それ故、有効表示領域と周辺領域の両方の領域の間で配向膜を均一に形成することができるので、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。

上記の電気光学装置によれば、周辺領域に隣接する有効表示領域内に絶縁層が薄い部分がある場合には、周辺領域に塗布された配向膜が流れ込み易い。このような場合には、有効表示領域内における配向膜の厚さにムラができ易い。このような電気光学装置に関しても、周辺領域に凹部を形成することにより、周辺領域に塗布された配向膜が凹部に入ることができるので、有効表示領域と周辺領域の両方の領域の間で配向膜を均一に形成することができる。

本発明に係る電気光学装置において、前記凹部は、前記有効表示領域に沿って延びる溝であることが望ましい。

本発明に係る電気光学装置において、前記凹部は、前記有効表示領域を囲む環状の溝であることが望ましい。

次に、本発明に係る電気光学装置において、前記凹部は環状の溝であることが望ましい。こうすれば、周辺領域に塗布された配向膜が、周辺領域の全周にわたって均一に凹部に入ることができるので、有効表示領域と周辺領域の両方の領域の間で配向膜をより一層均一に形成することができる。

次に、本発明に係る電気光学装置においては、前記有効表示領域は、反射表示を行う反射表示領域と、透過表示を行う透過表示領域とを有し、前記有効表示領域内の前記絶縁層は、前記反射表示領域における前記電気光学物質層の厚さを前記透過表示領域における前記電気光学物質層の厚さよりも薄くするように、少なくとも前記反射表示領域に形成され、前記反射表示領域内の前記絶縁層は前記周辺領域内の前記絶縁層と同じ厚さに形成されることが望ましい。

上記の電気光学装置は、いわゆる半透過反射型であってマルチギャップ構造を有した電気光学装置である。この電気光学装置では、周辺領域における絶縁層の厚さに比べて透過表示領域における絶縁層の厚さが薄く形成されるので、周辺領域に塗布された配向膜が有効表示領域、特に透過表示領域内に必要以上に流れ込み易い。従って、有効表示領域内における配向膜の厚さにムラができ易い。このような電気光学装置に関しても、周辺領域に凹部を形成することにより有効表示領域と周辺領域の両方の領域の間で配向膜を均一に形成することができる。

次に、本発明に係る電気光学装置において、前記周辺領域に隣接する前記透過領域と前記凹部との間に有る前記絶縁層の高さは、前記反射表示領域と前記凹部との間に有る前記絶縁層の高さより低いことが望ましい。こうすれば、透過表示領域と周辺領域との間において絶縁層の高さが急に変化する部分が無くなるので、その透過表示領域と周辺領域との間において、絶縁層の上に形成される膜、例えば電極の膜が切れることを防止できる。

次に、本発明に係る電気光学装置においては、前記周辺領域のうちの前記凹部が形成されていない領域と前記反射表示領域の両方にスペース部材を設けることが望ましい。こうすれば、有効表示領域と同じく周辺領域においても電気光学物質層の層厚を一定に保持することができる。これにより、有効表示領域と周辺領域との境界近傍において、電気光学物質層の層厚の変化による表示のムラが発生することを防止できる。

次に、本発明に係る電気光学装置において、前記スペース部材はフォトスペーサであることが望ましい。こうすれば、有効表示領域及び周辺領域に絶縁層を形成するのと同時にスペース部材を形成できる。

本発明に係る電気光学装置は、一対の基板に電気光学物質が挟持されてなり、反射表示を行う反射表示領域及び透過表示を行う透過表示領域を備える有効表示領域と、該有効表示領域の外側に配置されてなる周辺領域と、を備える電気光学装置であって、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板は、絶縁層と、該絶縁層の前記電気光学物質側に設けられてなる配向膜と、を有し、前記絶縁層は、前記反射表示領域における前記電気光学物質の厚さを前記透過表示領域における前記電気光学物質の厚さよりも薄くするように、少なくとも前記反射表示領域及び前記周辺領域に設けられてなるとともに、前記周辺領域内に前記配向膜の材料が入る凹部が形成されてなり、前記表示領域において、前記絶縁層の厚さが反映されて前記電気光学物質の厚さが厚い領域は、前記周辺領域の前記凹部と繋がっていることを特徴とする。

次に、本発明に係る電気光学装置においては、前記一方の基板は、前記絶縁層に覆われてなる着色層を備えることが好ましい。

次に、本発明に係る電気光学装置においては、前記一方の基板は、前記絶縁層に覆われてなるスイッチング素子を備えることが好ましい。

次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、表示が行われる有効表示領域と、該有効表示領域の周辺にある周辺領域とを有する電気光学装置の製造方法であって、前記有効表示領域及び前記周辺領域に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層を所定の形状にパターニングするパターニング工程とを有し、該パターニング工程では、前記周辺領域の前記絶縁層に凹部を形成することを特徴とする。

上記の電気光学装置の製造方法によれば、パターニング工程において周辺領域内に配向膜の材料が入る凹部を形成した。これにより、周辺領域内に配向膜を形成する際、その配向膜の材料が周辺領域の凹部に流動して入ることができる。その結果、基板上に配向膜を形成する際に、配向膜の材料が周辺領域から有効表示領域内へ必要以上に流れ込むことを防止できる。それ故、有効表示領域と周辺領域の両方の領域の間で配向膜を均一に形成することができるので、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。

次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記パターニング工程では、前記周辺領域に前記凹部を形成するのと同時に前記透過表示領域の絶縁層をパターニングして該透過表示領域の絶縁層を薄くする又は除去することが望ましい。こうすれば、一度のパターニング工程で、透過表示領域の絶縁層と凹部とをパターニングできるので、製造工程を増やすことなく凹部を形成できる。

次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記パターニング工程の後に、前記絶縁層上に配向膜を塗布する工程を有し、前記配向膜を塗布する工程において、前記配向膜は、前記絶縁層の前記凹部に流動することが望ましい。

次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置を有することを特徴とする。本発明に係る電気光学装置は、周辺領域内に配向膜の材料が入る凹部を形成したことにより、有効表示領域と周辺領域の両方の領域の間で配向膜を均一に形成することができるので、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。従って、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器においても、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。

（電気光学装置の第１実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置及びその電気光学装置の製造方法をその一実施形態を挙げて説明する。なお、本発明がこの実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。また、これからの説明で用いる図面では、特徴となる部分を分かり易く示すために、実際の寸法比率と異なる寸法比率で構成要素を図示することがあることに注意を要する。

図１は、本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置１を示している。図２は、図１のＢ−Ｂ線に従った断面を示している。また、図３は、図２の矢印Ｅで示す部分を拡大して示している。また、図４は、図２のＣ−Ｃ線に従った断面を示している。また、図５は、図１に示す液晶パネルを矢印Ａ方向から平面的に見た図である。図５においては、主要な構造を見易くするために主に素子や配線を図示し、その他の要素は図示を省略している。また、図６は、図４の矢印Ｈで示す部分を矢印Ｊが描かれた側から平面的に見た場合を示している。

本実施形態は、３端子型のアクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Diode）素子をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス方式であって、半透過反射型であって、さらにカラー表示が可能である液晶表示装置である。なお、ＴＦＴ素子には、アモルファスシリコンＴＦＴ、低温ポリシリコンＴＦＴ、高温ポリシリコンＴＦＴ等のように各種の素子があるが、本実施形態ではアモルファスシリコンＴＦＴを用いるものとする。もちろん、その他の種類のＴＦＴ素子を用いた液晶表示装置に対して本発明を適用することもできる。

図１において、本実施形態の液晶表示装置１は、電気光学パネルとしての液晶パネル２と、その液晶パネル２に実装された半導体要素としての駆動用ＩＣ３と、その液晶パネル２に付設された照明装置４とを有する。この液晶表示装置１に関しては、矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置４は、液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。

照明装置４は、光源、具体的には点状光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）６と、ＬＥＤ６から出射された点状の光を面状に変換して出射する導光体７とを有する。導光体７は、例えば透光性の樹脂によって形成される。各ＬＥＤ６は、その発光面が導光体７の１つの側面である光入射面７ａに対向するように設けられる。各ＬＥＤ６から出た光は、光入射面７ａから導光体７の内部へ導入され、その導光体７の光出射面７ｂから面状の光として出射して液晶パネル２へ供給される。なお、導光体７の光出射面７ｂには、必要に応じて光拡散層８が設けられる。また、導光体７の光出射面７ｂと反対の面には、必要に応じて光反射層９が設けられる。また、光源は、ＬＥＤ６以外の点状光源や、冷陰極管等といった線状光源によって構成することもできる。

液晶パネル２は、枠状のシール材１３によって互いに貼り合わされた一対の基板１１及び１２を有する。これらの基板１１，１２はいずれも矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形に形成されている。基板１１はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、基板１２はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。シール材１３はその一部に液晶注入口１３ａを有し、この液晶注入口１３ａを介して素子基板１１とカラーフィルタ基板１２との間に電気光学物質としての液晶、例えばＴＮ液晶が注入される。こうして、電気光学物質層としての液晶層１４が形成される。液晶注入口１３ａは液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。なお、液晶のモードとしてはＴＮ液晶の他に、必要に応じて種々の液晶を採用できる。例えば、負の誘電率異方性を持つ液晶、すなわち垂直配向モードの液晶でも良い。

図２において、素子基板１１は、観察側である矢印Ａ側から見て長方形または正方形の第１の透光性の基板１１ａを有する。この第１透光性基板１１ａは、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。また、この第１透光性基板１１ａの外側表面には偏光板１５ａが、例えば、貼着等によって装着される。必要に応じて、偏光板１５ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。

第１透光性基板１１ａの内側表面には、アクティブ素子又はスイッチング素子としてのＴＦＴ素子３１が複数個形成される。これらのＴＦＴ素子３１を覆うように絶縁層としての層間絶縁膜２５が形成されている。この層間絶縁膜２５は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。

層間絶縁膜２５の表面には複数の画素電極２１ａが設けられている。これらの画素電極２１ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）等といった金属酸化物を材料としてフォトエッチング処理によって形成される。複数の画素電極２１ａは、矢印Ａが描かれた側から見て個々がドット状に形成されており、それらが縦横方向、すなわち行列方向、すなわちＸ−Ｙ方向へマトリクス状に配列されている。

画素電極２１ａと層間絶縁膜２５との間には、図３に示すように、光反射層２６が、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等によって形成される。本実施形態において、光反射層２６は、複数の画素電極２１ａのそれぞれに対応した位置にドットマトリクス状に設けられる。また、個々の光反射層２６は、個々の画素電極２１ａのうちの一部に設けられている。つまり、個々の画素電極２１ａと層間絶縁膜２５との間には、光反射層２６が有る領域Ｒと光反射層２６が無い領域Ｔとが形成される。光反射層２６が有る領域Ｒは、外部光Ｌ０を用いて反射型表示を行う領域、すなわち反射表示領域Ｒである。一方、光反射層２６が無い領域Ｔは、照明装置４からの光Ｌ１を用いて透過型表示を行う領域、すなわち透過表示領域Ｔである。

層間絶縁膜２５は、反射表示領域Ｒに対応する部分の表面に光散乱用の凹凸パターンを有している。そのため、この凹凸パターン上にある光反射膜２６及び画素電極２１ａにも凹凸パターンが形成される。このため、光反射膜２６で反射した光は散乱光となる。これにより、光反射層２６で鏡面反射が生じることを防止できる。

また、画素電極２１ａの下に層間絶縁膜２５を設けることにより、画素電極２１ａの層とＴＦＴ素子３１の層とを別の層に分けている。この構造は、画素電極２１ａとＴＦＴ素子３１とを同じ層に形成する構造に比べて、素子基板１１の表面を有効に活用できる。例えば、画素電極２１ａの面積、すなわち画素面積を大きくすることができるので、液晶表示装置１において表示を見易くできる。

層間絶縁膜２５はＴＦＴ素子３１を覆うように形成される。画素電極２１ａは、この層間絶縁膜２５の上に形成されている。この層間絶縁膜２５には、画素電極２１ａとＴＦＴ素子３１とを電気的に接続するためのコンタクトホール２４が形成される。このコンタクトホール２４は、層間絶縁膜２５をフォトグラフィ処理によって形成する際に同時に形成される。このコンタクトホール２４は、矢印Ａ側から平面的に見て、すなわち平面視でＴＦＴ素子３１とは重ならない位置であって、画素電極２１ａと重なる位置に形成される。

本実施形態で用いるＴＦＴ素子３１はアモルファスシリコンＴＦＴであり、このＴＦＴ素子３１は、ゲート電極３３、ゲート絶縁層３４、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）等によって形成された半導体層３５、ソース電極３６、そしてドレイン電極３２を有する。ドレイン電極３２は、その一端が半導体層３５に接続し、その他端が画素電極２１ａにコンタクトホール２４を介して接続する。ソース電極３６は図３の紙面垂直方向に延びるソース電極線３６’の一部として形成されている。また、ゲート電極３３は、ソース電極線３６’と直角の方向すなわち図３の左右方向に延びるゲート電極線３３’から延びている。

図４において、複数の画素電極２１ａの間の領域、すなわち遮光領域又はブラックマスク領域であって層間絶縁膜２５上には、スペース部材としての複数のフォトスペーサ２２ａが適宜の間隔で形成されている。これらのフォトスペーサ２２ａは、例えば、感光性樹脂をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。フォトスペーサ２２ａは、例えば、立った状態の円柱又は角柱形状に形成されており、セルギャップＧが均一な寸法を維持するように機能する。

画素電極２１ａ及びフォトスペーサ２２ａの上には配向膜２３ａが形成される。そして、この配向膜２３ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、その配向膜２３ａの近傍の液晶分子の初期配向が決められる。配向膜２３ａは、例えば、ポリイミド溶液を塗布及び焼成して形成したり、オフセット印刷によって形成したりする。

図２において、素子基板１１に対向するカラーフィルタ基板１２は、矢印Ａで示す観察側から見て長方形または正方形の第２の透光性の基板１２ａを有する。この第２透光性基板１２ａは、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。また、この第２透光性基板１２ａの外側表面には偏光板１５ｂが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１５ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。

第２透光性基板１２ａの内側表面には複数の着色要素４２が設けられる。これらの着色要素４２はＢ（青），Ｇ（緑），Ｒ（赤）又はＣ（シアン），Ｍ（マゼンタ），Ｙ（イエロー）のいずれかに着色され、矢印Ａ方向から見て所定の配列に並べられる。本実施形態では、図６に示すように、Ｂ，Ｇ，Ｒが縦１列に並べられるストライプ配列を採用するものとする。なお、その他の配列、例えば、モザイク配列、デルタ配列等を採用することもできる。これらの着色要素４２の間には遮光部材４１ａが矢印Ａ方向から見てストライプ状に設けられている。これらの遮光部材４１ａは、色の異なる着色要素４２、例えばＢ，Ｇ，Ｒの３色の着色要素４２を全て重ねることにより、又はそれらのうちの２色を重ねることによって形成することができる。なお、遮光部材４１ａは、Ｃｒ等といった遮光性の金属材料によって形成することもできる。

図４において、遮光部材４１ａ及び着色要素４２の上には第１のオーバーコート層４３ａが設けられる。そしてその上に、第２のオーバーコート層４３ｂが設けられる。第１オーバーコート層４３ａ及び第２オーバーコート層４３ｂの上には共通電極２１ｂが設けられ、さらにその上に配向膜２３ｂが設けられる。共通電極２１ｂは、例えば、ＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成される。この共通電極２１ｂは第２透光性基板１２ａ上に一様な厚さで形成された面状電極である。上記の配向膜２３ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、その配向膜２３ｂの近傍の液晶分子の初期配向が決められる。この配向膜２３ｂは、例えば、ポリイミド溶液を塗布及び焼成して形成したり、オフセット印刷によって形成したりする。

第２オーバーコート層４３ｂは、図２に示すように、対向する素子基板１１に形成された画素電極２１ａのうちの反射表示領域Ｒに対応する位置にのみ形成される。第１オーバーコート層４３ａ及び第２オーバーコート層４３ｂは、例えば、エポキシ系又はアクリル系の樹脂材料を塗布及び焼成して形成したり、あるいは、必要に応じて、エポキシ系又はアクリル系の樹脂材料にフォトリソグラフィ処理を施すことによって形成される。

第２オーバーコート層４３ｂは、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で液晶層１４の層厚を調整するための層厚調整膜として機能する。具体的には、図３において、光反射層２６が設けられる反射表示領域Ｒに所定の層厚を有する第２オーバーコート層４３ｂを設ける。これにより、反射表示領域Ｒに対応する液晶層１４の層厚ｔ０を薄く設定する。一方、光反射層２６が設けられない透過表示領域Ｔには第２オーバーコート層４３ｂを設けない。つまり透過表示領域Ｔには第１オーバーコート層４３ａのみが設けられる。これにより、透過表示領域Ｔに対応する液晶層１４の層厚ｔ１をｔ０に比べて厚く、すなわちｔ１＞ｔ０に設定する。

反射型表示が行われる際、反射光Ｌ０は液晶層１４を往復で２回通過する。これに対し、透過表示が行われる際、透過光Ｌ１は液晶層１４を１回だけ通過する。従って、液晶層１４がｔ１＝ｔ０に設定されていると、反射型表示と透過型表示との間で表示の濃さが不均一になるおそれがある。これに対し、本実施形態のようにｔ１＞ｔ０に設定すれば、反射光Ｌ０と透過光Ｌ１との間で液晶層１４を通過する光路の長さを等しく又は近づけることができ、それ故、反射型表示と透過型表示との間で濃さが均一な表示を行うことができる。

なお、図３に示す実施形態では、透過表示領域Ｔにおいて第２オーバーコート層４３ｂを設けない、つまり第２オーバーコート層４３ｂの層厚をゼロとしたが、液晶層１４の層厚をｔ１＞ｔ０に設定できれば、透過表示領域Ｔにおける第２オーバーコート層４３ｂの層厚は必ずしもゼロに限定されるものではない。また、本実施形態では、第１オーバーコート層４３ａと第２オーバーコート層４３ｂの２つのオーバーコート層を設けるようにしたが、液晶層１４の層厚をｔ１＞ｔ０に設定できれば、オーバーコート層は１層とすることもできる。要は、オーバーコート層の層厚を反射表示領域Ｒに比べて透過表示領域Ｔで薄くすることにより、反射表示領域Ｒに対応する液晶層１４の層厚を透過表示領域Ｔに比べて薄くなるようにすれば良いのである。

図２において、素子基板１１上に形成された複数の画素電極２１ａは矢印Ａ方向から見てドットマトリクス状に配列される。これらの画素電極２１ａは矢印Ａ方向から見て共通電極２１ｂと重なっている。このように画素電極２１ａと共通電極２１ｂとが重なる領域は表示のための最小領域であるサブ画素領域Ｄを構成する。カラーフィルタ基板１２上の個々の着色要素４２はサブ画素領域Ｄに対応して設けられている。着色要素４２を用いない白黒表示の場合は１つのサブ画素領域Ｄによって１つの画素が形成されるが、本実施形態のように３色の着色要素４２を用いてカラー表示を行う構造の場合には、Ｂ，Ｇ，Ｒ又はＣ，Ｍ，Ｙの３色の着色要素４２の集まりによって１つの画素が形成される。図６に示すように、サブ画素領域Ｄの長手方向の片側は光反射層２６によって規定される反射表示領域Ｒであり、残りの片側は光反射層２６が形成されない透過表示領域Ｔである。

図２において、素子基板１１はカラーフィルタ基板１２の外側へ張り出して、張出し部１６を構成している。駆動用ＩＣ３はこの張出し部１６の表面に実装されている。本実施形態では、図５に示すように、１個の駆動用ＩＣ３ａと２個の駆動用ＩＣ３ｂが実装されている。この実装は、例えば、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）４６を用いたＣＯＧ技術を用いて行うことができる。

張出し部１６の表面には、複数の配線４７，４８、及び複数の外部接続用端子４４がフォトエッチング処理によって形成される。複数の配線４７は、シール材１３に囲まれた領域内に向けてＹ方向に延びるように形成されている。これらの配線４７は、素子基板１１上のゲート電極線３３’（図３参照）に直接繋がって走査線として機能する。また、複数の配線４８は、シール材１３に囲まれた領域内において素子基板１１の側辺１１ｂに沿ってＹ方向に延びるように形成され、さらに折れ曲ってＸ方向に延びるように形成されている。これらの配線４８は、素子基板１１上のソース電極線３６’（図３参照）に直接繋がってデータ線として機能する。

素子基板１１上では、走査線４７とデータ線４８との交差部分にサブ画素領域Ｄが形成される。各サブ画素領域Ｄを電気的な等価回路で示すと、図５の矢印Ｈで拡大して示すように、ＴＦＴ素子３１と画素電極２１ａとが直列に接続されている。そして、ＴＦＴ素子３１には走査線４７とデータ線４８とが接続されている。各走査線４７は駆動用ＩＣ３ａによって構成される走査線駆動回路によって駆動される。一方、各データ線４８は駆動用ＩＣ３ｂによって構成されるデータ線駆動回路によって駆動される。なお、走査線駆動回路及びデータ線駆動回路は共通の駆動用ＩＣに構成しても良い。

張出し部１６の辺端には、図１に示すように、可撓性を備えた配線基板であるＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）基板１７が、例えばＡＣＦ４６を用いて接続されている。ＦＰＣ基板１７には、液晶パネル２を駆動するために必要となる複数の電子部品（図示せず）が実装される。この電子部品としては、例えば、抵抗、コイル、コンデンサ、電源ＩＣ等が考えられる。また、ＦＰＣ基板１７上には、外部の入力用機器（例えば、携帯電話機等といった電子機器の制御回路）や外部電源等が接続される。そして、液晶パネル２を駆動するための信号や電力が、ＦＰＣ基板１７を通して入力用機器や外部電源から供給される。

図５において、サブ画素領域Ｄは複数個がマトリクス状に並べられている。このように複数のサブ画素領域Ｄが並べられることにより有効表示領域Ｖｉが形成され、その有効表示領域Ｖｉに画像が表示される。この有効表示領域Ｖｉの周辺の領域であってシール材１３の内側の領域が周辺領域Ｖｃである。この周辺領域Ｖｃは、配線４８が配設される領域であって画像が表示されない領域である。

以上のように構成された液晶表示装置１によれば、図２において、液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置４をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。

上記の反射型表示を行う場合、観察側である矢印Ａの方向からカラーフィルタ基板１２を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１４を通過して素子基板１１へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２６で反射して再び液晶層１４へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、照明装置４のＬＥＤ６が点灯し、それからの光が導光体７の光入射面７ａから導光体７へ導入され、さらに、光出射面７ｂから面状の光として出射する。この出射光は、符号Ｌ１で示すように透過表示領域Ｔにおいてカラーフィルタ基板１２を透過して液晶層１４へ供給される。

以上のようにして液晶層１４へ光が供給される間、素子基板１１側の画素電極２１ａとカラーフィルタ基板１２側の共通電極２１ｂとの間には、走査信号及びデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１４内の液晶分子の配向がサブ画素領域Ｄ毎に制御され、この結果、液晶層１４に供給された光がサブ画素領域Ｄごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板１２側の偏光板１５ｂを通過するとき、その偏光板１５ｂの偏光特性に従ってサブ画素領域Ｄごとに通過を許容又は通過を阻止され、これにより、カラーフィルタ基板１２の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが矢印Ａ方向から視認される。

以下、周辺領域Ｖｃに関して詳しく説明する。まず、図３において、第２透光性基板１２ａ上における周辺領域Ｖｃの全域には、遮光部材４１ｂが設けられる。ここに示す周辺領域Ｖｃは図５における上下の周辺領域Ｖｃである。この遮光部材４１ｂは、図４の着色要素４２の間にストライプ状に設けられた遮光部材４１ａと同じく、色の異なる着色要素４２、例えばＢ，Ｇ，Ｒの３色の着色要素４２を全て重ねることにより、又はそれらのうちの２色を重ねることによって形成することができる。また、Ｃｒ等といった遮光性の金属材料によって形成しても良い。

また、図３において、周辺領域Ｖｃに形成された第１オーバーコート層４３ａ上には、有効表示領域Ｖｉ内の反射表示領域Ｒと同じく、第２オーバーコート層４３ｂが設けられている。つまり、カラーフィルタ基板１２の内側の表面に形成された積層構造の層厚は、周辺領域Ｖｃと反射表示領域Ｒとで同じ厚さに形成されている。なお、反射表示領域Ｒに形成される第２オーバーコート層４３ｂと周辺領域Ｖｃ内に形成さる第２オーバーコート層４３ｂとは同じ材料を用いて同時に形成できる。

周辺領域Ｖｃ内の第２オーバーコート層４３ｂには凹部４９が形成されている。図３に示す凹部４９は図５の上下の周辺領域Ｖｃ内に設けられたものであるが、凹部４９は図６に示すように、図５の左右の周辺領域Ｖｃ内にも設けられる。つまり、凹部４９は、周辺領域Ｖｃ内の全域にわたって無端の環状に設けられる。この凹部４９は、有効表示領域Ｖｉ内の第２オーバーコート層４３ｂを反射表示領域Ｒ内に形成するようにパターニングする際に同時に形成できる。本実施形態では、図６に示すように凹部４９は溝、すなわち細長いくぼみである。また、図３において、凹部４９の高さは第２オーバーコート層４３ｂの高さと同じ高さに形成されているが、配向膜２３ｂの材料が流れて入ることができれば、第２オーバーコート層４３ｂの高さより低くても良い。つまり、凹部４９の底部には第２オーバーコート層４３ｂが残っていても良い。

図４に示すように、周辺領域Ｖｃ内であって凹部４９に重ならない場所の素子基板１１の層間絶縁膜２５上には、フォトスペーサ２２ｂが形成されている。このフォトスペーサ２２ｂは、有効表示領域Ｖｉ内に形成されているフォトスペーサ２２ａと同じく、感光性樹脂をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって、例えば、立った状態の円柱又は角柱形状に形成される。このフォトスペーサ２２ｂは、有効表示領域Ｖｉ内のフォトスペーサ２２ａと同時に形成できる。このように周辺領域Ｖｃにフォトスペーサ２２ｂを設けることにより、周辺領域Ｖｃにおいても液晶層１４の層厚を一定に保持することができる。これにより、有効表示領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃとの境界近傍において、液晶層１４の層厚の変化による表示のムラが発生することを防止できる。

図２及び図４に示す凹部４９を有していない従来の液晶表示装置では、カラーフィルタ基板上に配向膜を形成する際、周辺領域内に塗布された配向膜の材料が、有効表示領域内であって周辺領域より低い部分、すなわち透過表示領域内に流れ込むことがあった。これにより、有効表示領域と周辺領域との境界部分で配向膜が厚く形成されるおそれがあった。こうなると、有効表示領域において配向膜の厚さが不均一になり、配向膜が厚く形成された部分で配向不良が発生し、表示の輝度にムラが生じるおそれがあった。

これに対し、周辺領域Ｖｃに凹部４９を形成した本実施形態の液晶表示装置１によれば、図３の配向膜２３ｂをカラーフィルタ基板１２上に塗布した際、周辺領域Ｖｃに塗布された配向膜２３ｂの材料が、凹部４９に流動して入ることができる。従って、配向膜２３ｂの材料が図６において有効表示領域Ｖｉ、特に、周辺領域Ｖｃに隣接する透過表示領域Ｔに必要以上に流れ込むことを防止できるので、有効表示領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃとの間で配向膜２３ｂを均一に塗布することができる。その結果、液晶表示装置１の表示に輝度のムラが発生することを防止できる。

（電気光学装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の他の実施形態である液晶表示装置５１を図７、図８，図９及び図１０を用いて説明する。本実施形態の全体的な構成は図１に示す構造と同じとすることができる。図７は、先の実施形態の場合の図２と同様に図１のＢ−Ｂ線に従って液晶表示装置５１の断面を示している。また、図８は、先の実施形態の場合の図４と同様に図７のＣ−Ｃ線に従って液晶表示装置５１の断面を示している。また、図９は、先の実施形態の場合の図３と同様に図７の矢印Ｆで示す部分を拡大して示している。また、図１０は、先の実施形態の場合の図６と同様に図８の矢印Ｉで示す部分を矢印Ａが描かれた側から平面的に見た場合を示している。

先の実施形態で図２に示す液晶パネル２と、本実施形態で図７に示す液晶パネル５２とが異なる点は次の通りである。つまり、図２の液晶パネル２は、カラーフィルタ基板１２の第１オーバーコート層４３ａ上に第２オーバーコート層４３ｂを形成し、この第２オーバーコート層４３ｂによって液晶層１４の層厚を異ならせるようにした。また、周辺領域Ｖｃ内には、第２オーバーコート層４３ｂによってカラーフィルタ基板１２上に溝状の凹部４９を形成した。これに対して、図７の液晶パネル５２は、素子基板６１の第１層間絶縁膜７５ａ上に第２層間絶縁膜７５ｂを形成し、この第２層間絶縁膜７５ｂによって液晶層１４の層厚を異ならせている。つまり、本実施形態では、カラーフィルタ基板６２側で液晶層厚の調整を行うのではなく、素子基板６１側でその調整を行っている。また、周辺領域Ｖｃ内には、第２層間絶縁膜７５ｂによって素子基板６１上に溝状の凹部９９を形成している。

以下、本実施形態を先の第１実施形態と異なる点を中心として説明する。本実施形態において先の実施形態と同じ構成要素は同じ符号を付して示すことにして、その説明は省略することにする。

図８において、カラーフィルタ基板６２を構成する第２透光性基板６２ａの内側表面に、着色要素４２と遮光部材４１ａ，４１ｂとが形成され、その上に第１オーバーコート層４３ａが形成され、その上に共通電極２１ｂが形成され、そしてその上に配向膜２３ｂが形成される。これらの構成要素に関しては、図４の第２オーバーコート層４３ｂを形成せずに第１オーバーコート層４３ａの１層のみが形成されていることを除いて、図２の実施形態の場合と同じである。

図７において、素子基板６１を構成する第１透光性基板６１ａの内側表面には、ＴＦＴ素子３１が複数個形成される。これらのＴＦＴ素子３１を覆うように第１層間絶縁膜７５ａが形成される。そしてその上に、絶縁層としての第２の層間絶縁膜７５ｂが所定のパターン、すなわち、反射表示領域Ｒに対応する位置に形成される。図９に示すように、この第２層間絶縁膜７５ｂの上に光反射層２６を形成し、さらに光反射層２６上及び第１層間絶縁膜７５ａ上にわたって画素電極２１ａが形成される。第２層間絶縁膜７５ｂの表面には、光散乱用の凹凸パターンが形成されている。そのため、この凹凸パターン上にある光反射層２６及び画素電極２１ａにも凹凸パターンが形成される。このため、光反射層２６で反射した光は散乱光となる。

第２層間絶縁膜７５ｂは、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で液晶層１４の層厚を調整するための層厚調整膜として機能する。具体的には、光反射層２６が設けられる反射表示領域Ｒに所定の膜厚を有する第２層間絶縁膜７５ｂを設ける。これにより、反射表示領域Ｒに対応する液晶層１４の層厚ｔ０を薄く設定する。一方、光反射層２６が設けられない透過表示領域Ｔには第２層間絶縁膜７５ｂを設けない。つまり透過表示領域Ｔには第１層間絶縁膜７５ａのみが設けられる。これにより、透過表示領域Ｔに対応する液晶層１４の層厚ｔ１をｔ０に比べて厚く、すなわちｔ１＞ｔ０に設定する。これにより、反射光Ｌ０と透過光Ｌ１との間で液晶層１４を通過する光路の長さを等しく又は近づけることができ、それ故、反射型表示と透過型表示との間で濃さが均一な表示を行うことができる。

なお、図３に示す実施形態では、透過表示領域Ｔにおいて第２層間絶縁膜７５ｂを設けない、つまり第２層間絶縁膜７５ｂの層厚をゼロとしたが、液晶層１４の層厚をｔ１＞ｔ０に設定できれば、透過表示領域Ｔにおける第２層間絶縁膜７５ｂの層厚は必ずしもゼロに限定されるものではない。また、本実施形態では、第１層間絶縁膜７５ａと第２層間絶縁膜７５ｂの２つの層間絶縁膜７５を設けるようにしたが、液晶層１４の層厚をｔ１＞ｔ０に設定できれば、層間絶縁膜は１層とすることもできる。要は、層間絶縁膜の層厚を反射表示領域Ｒに比べて透過表示領域Ｔで薄くすることにより、反射表示領域Ｒに対応する液晶層１４の層厚を透過表示領域Ｔに比べて薄くなるようにすれば良いのである。

図８において、互いに隣接する画素電極２１ａの間の領域（すなわち、遮光領域又はブラックマスク領域）であって第２層間絶縁膜７５ｂ上には、スペース部材としての複数のフォトスペーサ２２ａが適宜の間隔で形成されている。画素電極２１ａ及びフォトスペーサ２２ａの上には配向膜２３ａが形成される。そして、この配向膜２３ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、その配向膜２３ａの近傍の液晶分子の初期配向が決められる。

図９において、周辺領域Ｖｃに形成された第１層間絶縁膜７５ａ上には、有効表示領域Ｖｉ内の反射表示領域Ｒと同じく、第２層間絶縁膜７５ｂが設けられている。つまり、素子基板１２の内側の表面に形成された積層構造の層厚は、周辺領域Ｖｃと反射表示領域Ｒとで同じ厚さに形成されている。なお、反射表示領域Ｒに形成される第２層間絶縁膜７５ｂと周辺領域Ｖｃ内に形成される第２層間絶縁膜７５ｂとは同じ材料を用いて同時に形成できる。

周辺領域Ｖｃ内の第２層間絶縁膜７５ｂには凹部９９が形成されている。この凹部９９は、有効表示領域Ｖｉ内の第２層間絶縁膜７５ｂを反射表示領域Ｒ内に形成するようにパターニングする際に同時に形成できる。本実施形態では、図１０に示すように凹部９９は溝、すなわち細長いくぼみであって、有効表示領域Ｖｉの全周を囲む周辺領域Ｖｃの全域に環状に形成されている。また、図９において、凹部９９の高さは第２層間絶縁膜７５ｂの高さと同じ高さに形成されているが、配向膜２３ａの材料が流れて入ることができれば、第２層間絶縁膜７５ｂの高さより低くても良い。つまり、凹部９９の底部には第２層間絶縁膜７５ｂが残っていても良い。

図８に示すように、周辺領域Ｖｃ内であって凹部９９に重ならない場所の第２層間絶縁膜７５ｂ上には、フォトスペーサ２２ｂが形成されている。このフォトスペーサ２２ｂは、有効表示領域Ｖｉ内のフォトスペーサ２２ａと同時に形成できる。このように周辺領域Ｖｃにフォトスペーサ２２ｂを設けることにより、周辺領域Ｖｃにおいても液晶層１４の層厚を一定に保持することができる。これにより、有効表示領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃとの境界近傍において、液晶層１４の層厚の変化による表示のムラが発生することを防止できる。

本実施形態の液晶表示装置５１では、周辺領域Ｖｃに凹部９９を形成した。これにより、図９の配向膜２３ａを素子基板６１上に塗布した際、周辺領域Ｖｃに塗布された配向膜２３ａの材料が、凹部９９に流動して入ることができる。従って、配向膜２３ａの材料が図１０において有効表示領域Ｖｉ、特に、周辺領域Ｖｃに隣接する透過表示領域Ｔに必要以上に流れ込むことを防止できるので、有効表示領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃとの間で配向膜２３ａを均一に塗布することができる。その結果、液晶表示装置５１の表示に輝度のムラが発生することを防止できる。

（電気光学装置のその他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。

例えば、上記の実施形態では、図６において、凹部４９は溝、すなわち細長いくぼみに形成されており、凹部４９と透過表示領域Ｔとは第２オーバーコート層４３ｂによって隔てられている。しかしながら、この凹部４９は、図１１（ａ）に示すように、周辺領域Ｖｃに隣接する透過表示領域Ｔに繋げて形成することもできる。この場合、図１１（ａ）のＰ１−Ｐ１線に従った断面、すなわち、周辺領域Ｖｃと反射表示領域Ｒとが隣接する部分の断面においては、図１１（ｂ）に示すように、凹部４９が図４と同様に周辺領域Ｖｃ内の第２オーバーコート層４３ｂに溝の形状に形成されている。

一方、図１１（ａ）のＰ２−Ｐ２線に従った断面、すなわち、周辺領域Ｖｃと透過表示領域Ｔとが隣接する部分の断面においては、図１１（ｃ）に示すように、シール材１３に隣接する部分に第２オーバーコート層４３ｂを形成し、透過表示領域Ｔに隣接する部分には第２オーバーコート層４３ｂを形成していない。従って、凹部４９の底面と透過表示領域Ｔとは同じ高さになっている。こうすれば、透過表示領域Ｔと周辺領域Ｖｃとの間において第２オーバーコート層４３ｂの厚さが急に変化する部分が無くなる。その結果、透過表示領域Ｔと周辺領域Ｖｃとの間において、第２オーバーコート層４３ｂの上に形成される膜、例えば、共通電極２１ｂ等が切れることを防止できる。

また、図１０において、凹部９９は溝、すなわち細長いくぼみに形成されており、凹部９９と透過表示領域Ｔとは第２層間絶縁膜７５ｂによって隔てられている。しかしながら、この凹部９９は、図１２（ａ）に示すように、周辺領域Ｖｃに隣接する透過表示領域Ｔに繋げて形成することもできる。この場合、図１２（ａ）のＰ１−Ｐ１線に従った断面、すなわち、周辺領域Ｖｃと反射表示領域Ｒとが隣接する部分の断面においては、図１２（ｂ）に示すように、凹部９９が図８と同様に周辺領域Ｖｃ内の第２層間絶縁膜７５ｂに溝の形状に形成されている。

一方、図１２（ａ）のＰ２−Ｐ２線に従った断面、すなわち、周辺領域Ｖｃと透過表示領域Ｔとが隣接する部分の断面においては、図１２（ｃ）に示すように、シール材１３に隣接する部分に第２層間絶縁膜７５ｂを形成し、透過表示領域Ｔに隣接する部分には第２層間絶縁膜７５ｂを形成していない。従って、凹部９９の底面と透過表示領域Ｔとは同じ高さに形成されている。こうすれば、透過表示領域Ｔと周辺領域Ｖｃとの間において第２層間絶縁膜７５ｂの厚さが急に変化する部分が無くなる。その結果、透過表示領域Ｔと周辺領域Ｖｃとの間において、第２層間絶縁膜７５ｂの上に形成される膜が切れることを防止できる。

また、図６において、凹部４９は、有効表示領域Ｖｉを囲む周辺領域Ｖｃの全域に環状に形成されている。しかしながら、この凹部４９は、図１３（ａ）に示すように、環状ではなく不連続に途切れた穴として形成しても良い。この場合、図１３（ａ）のＰ３−Ｐ３線に従った断面においては、図１３（ｂ）に示すように、凹部４９を図４と同様に周辺領域Ｖｃ内の第２オーバーコート層４３ｂに溝の形状に形成している。一方、図１３（ａ）のＰ４−Ｐ４線に従った断面においては、図１３（ｃ）に示すように、凹部４９を形成せずに第２オーバーコート層４３ｂを、周辺領域Ｖｃと有効表示領域Ｖｉとにわたって一様な高さに形成している。

また、図１０において、凹部９９は、有効表示領域Ｖｉを囲む周辺領域Ｖｃの全域に環状に形成されている。しかしながら、これらの凹部９９は、図１４（ａ）に示すように、環状ではなく不連続に途切れた穴として形成しても良い。この場合、図１４（ａ）のＰ３−Ｐ３線に従った断面においては、図１４（ｂ）に示すように、凹部９９を図８と同様に周辺領域Ｖｃ内の第２層間絶縁膜７５ｂに溝の形状に形成している。一方、図１４（ａ）のＰ４−Ｐ４線に従った断面においては、図１４（ｃ）に示すように、凹部９９を形成せずに第２層間絶縁膜７５ｂを、周辺領域Ｖｃと有効表示領域Ｖｉとにわたって一様な高さに形成している。

（電気光学装置の製造方法の第１実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を図２に示した液晶表示装置１を製造する場合を例に挙げて説明する。図１５は、その液晶表示装置の製造方法の一実施形態を工程図として示している。図１５において、工程Ｐ１〜工程Ｐ８に至る工程は図２の素子基板１１を形成する工程である。また、図２の工程Ｐ１１〜工程Ｐ１６に至る工程は図２のカラーフィルタ基板１２を形成する工程である。また、図１５の工程Ｐ２１〜工程Ｐ２８に至る工程はそれらの基板を貼り合わせて製品である液晶表示装置を形成する工程である。

なお、本実施形態では、図２に示す素子基板１１およびカラーフィルタ基板１２を１つずつ形成するのではなく、素子基板１１に関しては、複数の素子基板１１を形成できる大きさの面積を有する素子側マザー透光性基板の上に素子基板１１の複数個分の要素を同時に形成するものとする。また、カラーフィルタ基板１２に関しては、複数のカラーフィルタ基板１２を形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板１２の複数個分の要素を同時に形成するものとする。素子側マザー透光性基板およびカラーフィルタ側マザー透光性基板は、例えば、透光性ガラス、透光性プラスチック等によって形成される。

まず、図１５の工程Ｐ１において、図２のＴＦＴ素子３１をフォトエッチング処理等を用いて所定の積層構造、すなわち図３に示す積層構造に形成する。また同時に、図５の配線４７，配線４８及び端子４４を所定のパターンに形成する。次に、図１５の工程Ｐ２において、図２の層間絶縁膜２５を、例えば、ポジ型感光性樹脂材料によって第１透光性基板１１ａ上に形成する。このとき、図３に示すように、層間絶縁膜２５の適所にコンタクトホール２４及び凹凸パターンがフォトリソグラフィ処理によって形成される。

次に、図１５の工程Ｐ３において、図３の光反射層２６を、例えばＡｌやＡｌ合金等を材料としてフォトエッチング処理によって形成する。このとき、層間絶縁膜２５の表面のうちの凹凸パターンが形成されている部分においては、その上に積層された光反射層２６にも同じ凹凸パターンが形成され、その光反射層２６に光が当たって反射する場合には、その反射光は散乱光となる。

次に、図１５の工程Ｐ４において、図３のＴＦＴ素子３１に平面視で重なるように画素電極２１ａをＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって所定の形状に形成する。次に、図１５の工程Ｐ５において、図４のフォトスペーサ２２ａ及び２２ｂを、例えば、ネガ型感光性樹脂材料を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成し、図１５の工程Ｐ６において、図４の配向膜２３ａをポリイミド等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。次に、図１５の工程Ｐ７において、図４の配向膜２３ａにラビング処理を施して配向性を付与する。次に、工程Ｐ８において、図４のシール材１３をエポキシ系樹脂を料として印刷等によって形成する。以上により、大面積の素子基板用マザー透光性基板の上に素子基板１１の複数個分の膜要素が形成されて、素子基板１１側の大面積のマザー基板が形成される。

他方、図１５の工程Ｐ１１において、大面積であるカラーフィルタ側マザー透光性基板上に、図４の着色要素４２をＢ，Ｇ，Ｒの各色ごとに順々に形成する。これらの着色要素４２は、例えば、各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料をフォトリソグラフィ処理によって所定の配列に形成する。このとき同時に、互いに隣接する２色の着色要素４２を積層することにより、又は３色の着色要素４２を全て積層することにより、各色の着色要素４２の間に遮光部材４１ａを所定のパターンに形成する。本実施形態の場合は、異なる色の着色要素４２の間にサブ画素領域Ｄの間を埋めるようなストライプ状のパターンに形成する。また同時に、周辺領域Ｖｃの全域に遮光部材４１ｂを形成する。なお、遮光部材４１ａ，４１ｂはＣｒ等といった遮光性を有した金属を材料としてフォトエッチング処理によって所定のパターンに形成することもできる。

次に、図１５の工程Ｐ１２において、図４の遮光部材４１ａ，４１ｂ及び着色要素４２の上に第１オーバーコート層４３ａをアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。次に、図１５の工程Ｐ１３において、図２の第１オーバーコート層４３ａ上に、第２オーバーコート層４３ｂをアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって所定のパターンに形成する。このパターニング工程において、有効表示領域Ｖｉ内においては、サブ画素領域Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する位置に所定パターンの第２オーバーコート層４３ｂを形成し、周辺領域Ｖｃ内においては配向膜２３ｂの材料が入る凹部４９をその第２オーバーコート層４３ｂ内に形成する。

次に、図１５の工程Ｐ１４において、図２の共通電極２１ｂをＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成する。次に、図１５の工程Ｐ１５において、図２の配向膜２３ｂをポリイミド等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成し、さらに、図１５の工程Ｐ１６において図２の配向膜２３ｂの表面に配向処理としてのラビング処理を行う。以上により、大面積のカラーフィルタ基板側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板１２の複数個分の膜要素が形成されて、カラーフィルタ基板１２側の大面積のマザー基板が形成される。

その後、図１５の工程Ｐ２１において、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とを貼り合わせる。これにより、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とが個々の液晶表示装置の領域において図２のシール材１３を挟んで貼り合わされた構造の大面積のパネル構造体が形成される。

次に、以上のようにして形成された大面積のパネル構造体に含まれるシール材１３を、図１５の工程Ｐ２２において熱硬化または紫外線硬化によって硬化させて両マザー基板を接着して大面積のパネル構造体を形成する。次に、工程Ｐ２３において、そのパネル構造体を１次切断、すなわち１次ブレイクして、図１の液晶パネル２の複数が１列に並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を複数形成する。シール材１３には予め適所に開口１３ａが形成されており、上記の１次ブレイクによって短冊状のパネル構造体が形成されると、そのシール材１３の開口１３ａが外部に露出する。

次に、図１５の工程Ｐ２４において、上記のシール材１３の開口１３ａを通して各液晶パネル部分の内部へ液晶を注入し、その注入の完了後、その開口１３ａを樹脂によって封止する。次に工程Ｐ２５において、２回目の切断、すなわち２次ブレイクを行い、短冊状のパネル構造体から図１に示す個々の液晶パネル２を切り出す。

次に、図１５の工程２６において、図１の駆動用ＩＣ３をＡＣＦ４６を用いて熱圧着することにより実装する。次に、図１５の工程Ｐ２７において、図２の液晶パネル２に偏光板１５ａ，１５ｂを貼着によって装着する。さらに図１５の工程Ｐ２８において、図２の照明装置４を液晶パネル２に取付ける。これにより、液晶表示装置１が完成する。

以上のように、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法においては、図１５の工程Ｐ１３において、図３に示すように、周辺領域Ｖｃ内のカラーフィルタ基板１２上の第２オーバーコート層４３ｂに凹部４９を形成した。これにより、図１５の工程Ｐ１５において、図３の配向膜２３ｂの材料をカラーフィルタ基板１２上に塗布した際、周辺領域Ｖｃに塗布された配向膜２３ｂの材料が、凹部４９に流動して入ることができる。従って、配向膜２３ｂの材料が有効表示領域Ｖｉ、特に、周辺領域Ｖｃに隣接する透過表示領域Ｔに必要以上に流れて入ることを防止できるので、有効表示領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃとの間で配向膜２３ｂを均一に塗布することができる。その結果、液晶表示装置１の表示に輝度のムラが発生することを防止できる。

（電気光学装置の製造方法の第２実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の実施形態を図１６を用いて説明する。本実施形態では、図７に示す構造を有する液晶表示装置５１を製造するものとする。なお、この液晶表示装置５１の全体的な構成は、液晶パネル５２の構成を除いて図２に示した液晶表示装置１と同じであるとする。

図１６において、工程Ｐ３１〜工程Ｐ３９に至る工程は図７の素子基板６１を形成する工程である。また、図１６の工程Ｐ４１〜工程Ｐ４５に至る工程は図７のカラーフィルタ基板６２を形成する工程である。また、工程Ｐ５１〜工程Ｐ５８に至る工程はそれらの基板を貼り合わせて製品である液晶表示装置を形成する工程である。

本実施形態においても、図１５に示す実施形態と同じく、図７に示す素子基板６１及びカラーフィルタ基板６２を１つずつ形成するのではなく、素子基板６１に関しては、複数の素子基板６１を形成できる大きさの面積を有する素子側マザー透光性基板の上に素子基板６１の複数個分の要素を同時に形成するものとする。また、カラーフィルタ基板６２に関しては、複数のカラーフィルタ基板６２を形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板６２の複数個分の要素を同時に形成するものとする。素子側マザー透光性基板およびカラーフィルタ側マザー透光性基板は、例えば、透光性ガラス、透光性プラスチック等によって形成される。

まず、図１６の工程Ｐ３１において、図９のＴＦＴ素子３１をフォトエッチング処理等を用いて所定の積層構造に形成する。次に、図１６の工程Ｐ３２において、図９の第１層間絶縁膜７５ａを、例えば、ポジ型感光性樹脂材料によって第１透光性基板６１ａ上に形成する。次に、図１６の工程Ｐ３３において、図９の第１層間絶縁膜７５ａ上に、第２層間絶縁膜７５ｂを、例えば、ポジ型感光性樹脂材料によって所定のパターンに形成する。本実施形態では、有効表示領域Ｖｉ内においては、サブ画素領域Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する位置に形成し、周辺領域Ｖｃ内においては配向膜２３ｂの材料が入る凹部９９を形成する。またこのとき、第２層間絶縁膜７５ｂの表面の適所には凹凸パターンがフォトリソグラフィ処理によって形成される。また同時に、第１層間絶縁膜７５ａ及び第２層間絶縁膜７５ｂを貫通するコンタクトホール２４も形成される。

次に、図１６の工程Ｐ３４において、図９の光反射層２６を、例えばＡｌやＡｌ合金等を材料としてフォトエッチング処理によって形成する。このとき、第２層間絶縁膜７５ｂの表面のうちの凹凸パターンが形成されている部分においては、その上に積層された光反射層２６にも同じ凹凸パターンが形成され、その光反射層２６に光が当たって反射する場合には、その反射光は散乱光となる。

次に、図１６の工程Ｐ３５において、図９のＴＦＴ素子３１に平面視で重なるように画素電極２１ａをＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって所定の形状に形成する。次に、図１６の工程Ｐ３６において、図８のフォトスペーサ２２ａ，２２ｂが、例えば、ネガ型感光性樹脂材料を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成され、図１６の工程Ｐ３７において、図８の配向膜２３ａをポリイミド等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。次に、図１６の工程Ｐ３８において、図８の配向膜２３ａにラビング処理を施して配向性を付与する。次に、図１６の工程Ｐ３９において、図８のシール材１３をエポキシ系樹脂を料として印刷等によって形成する。以上により、大面積の素子基板用マザー透光性基板の上に素子基板６１の複数個分の膜要素が形成されて、素子基板６１側の大面積のマザー基板が形成される。

他方、図１６の工程Ｐ４１において、大面積であるカラーフィルタ側マザー透光性基板上に、図８の着色要素４２をＢ，Ｇ，Ｒの各色ごとに順々に形成する。例えば、各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料をフォトリソグラフィ処理によって所定の配列に形成する。このとき同時に、互いに隣接する２色の着色要素４２を積層することにより、又は３色の着色要素４２を全て積層することにより、各色の着色要素４２の間に遮光部材４１ａ，４１ｂを所定のパターンに形成する。本実施形態の場合は、異なる色の着色要素４２の間にサブ画素領域Ｄの間を埋めるようなストライプ状のパターンに形成する。なお、遮光部材４１ａ，４１ｂはＣｒ等といった遮光性を有した金属を材料としてフォトエッチング処理によって所定のパターンに形成することもできる。

次に、図１６の工程Ｐ４２において、図８の遮光部材４１ａ，４１ｂ及び着色要素４２の上にオーバーコート層４３ａをアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。次に、図１６の工程Ｐ４３において、図７の共通電極２１ｂをＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成する。次に、図１６の工程Ｐ４４において、図７の配向膜２３ｂをポリイミド等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成し、さらに、図１６の工程Ｐ４５において図７の配向膜２３ｂの表面に配向処理としてのラビング処理を行う。以上により、大面積のカラーフィルタ基板側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板６２の複数個分の膜要素が形成されて、カラーフィルタ基板６２側の大面積のマザー基板が形成される。

その後、図１６の工程５１において、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とを貼り合わせる。これにより、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とが個々の液晶表示装置の領域において図７のシール材１３を挟んで貼り合わされた構造の大面積のパネル構造体が形成される。

次に、以上のようにして形成された大面積のパネル構造体に含まれるシール材１３を、図１６の工程Ｐ５２において熱硬化または紫外線硬化によって硬化させて両マザー基板を接着して大面積のパネル構造体を形成する。次に、工程Ｐ５３において、そのパネル構造体を１次切断、すなわち１次ブレイクして、図７の液晶パネル５２の複数が１列に並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を複数形成する。シール材１３には予め適所に開口１３ａが形成されており、上記の１次ブレイクによって短冊状のパネル構造体が形成されると、そのシール材１３の開口１３ａが外部に露出する。

次に、図１６の工程Ｐ５４において、上記のシール材１３の開口１３ａを通して各液晶パネル部分の内部へ液晶を注入し、その注入の完了後、その開口１３ａを樹脂によって封止する。次に工程Ｐ５５において、２回目の切断、すなわち２次ブレイクを行い、短冊状のパネル構造体から図７に示す個々の液晶パネル５２を切り出す。

次に、図１６の工程５６において、図７の駆動用ＩＣ３をＡＣＦ４６を用いて熱圧着することにより実装する。次に、図１６の工程Ｐ５７において、図７の液晶パネル５２に偏光板１５ａ，１５ｂを貼着によって装着する。さらに図１６の工程Ｐ５８において、図７の照明装置４を液晶パネル５２に取付ける。これにより、液晶表示装置５１が完成する。

以上のように、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法においては、図１６の工程Ｐ３３において、図９に示すように、周辺領域Ｖｃ内の素子基板６１上の第２層間絶縁膜７５ｂに凹部９９を形成した。これにより、図１６の工程Ｐ３７において、図９の配向膜２３ａを素子基板６１上に塗布した際、周辺領域Ｖｃに塗布された配向膜２３ａの材料が、凹部９９に流動して入ることができる。従って、配向膜２３ａの材料が有効表示領域Ｖｉ、特に、周辺領域Ｖｃに隣接する透過表示領域Ｔに必要以上に流れて入ることを防止できるので、有効表示領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃとの間で配向膜２３ａを均一に塗布することができる。その結果、液晶表示装置５１の表示に輝度のムラが発生することを防止できる。

（電子機器の実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。

図１７は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶表示装置１０１と、これを制御する制御回路１００とを有する。制御回路１００は、表示情報出力源１０４、表示情報処理回路１０５、電源回路１０６及びタイミングジェネレータ１０７によって構成される。そして、液晶表示装置１０１は液晶パネル１０２及び駆動回路１０３を有する。

表示情報出力源１０４は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０７により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０５に供給する。

次に、表示情報処理回路１０５は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０３へ供給する。ここで、駆動回路１０３は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０６は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。

液晶表示装置１０１は、例えば、図２に示した液晶表示装置１や、図７に示した液晶表示装置５１を用いて構成できる。図２の液晶表示装置１においては、周辺領域Ｖｃ内に配向膜２３ｂの材料が入る凹部４９を形成したことにより、有効表示領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃの両方の領域の間で配向膜２３ｂを均一に形成することができるので、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。また、図７の液晶表示装置５１においては、周辺領域Ｖｃ内に配向膜２３ａの材料が入る凹部９９を形成したことにより、有効表示領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃの両方の領域の間で配向膜２３ａを均一に形成することができるので、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。従って、これらの液晶表示装置１，５１を用いた電子機器においても、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。

図１８は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、これに開閉可能に設けられた表示体部１１２とを有する。液晶表示装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置１１３は、表示体部１１２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１１２において表示画面１１４によって視認できる。本体部１１１には操作ボタン１１６が配列されている。

表示体部１１２の一端部にはアンテナ１１６が伸縮自在に取付けられている。表示体部１１２の上部に設けられた受話部１１７の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部１１１の下端部に設けられた送話部１１８の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部に格納される。

表示装置１１３は、例えば、図２に示した液晶表示装置１や、図７に示した液晶表示装置５１等を用いて構成できる。図２の液晶表示装置１においては、周辺領域Ｖｃ内に配向膜２３ｂの材料が入る凹部４９を形成したことにより、有効表示領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃの両方の領域の間で配向膜２３ｂを均一に形成することができるので、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。また、図７の液晶表示装置５１においては、周辺領域Ｖｃ内に配向膜２３ａの材料が入る凹部９９を形成したことにより、有効表示領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃの両方の領域の間で配向膜２３ａを均一に形成することができるので、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。従って、これらの液晶表示装置１，５１を用いた電子機器においても、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。

（変形例）
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。

本発明に係る電気光学装置の一実施形態を示す斜視図である。 図１のＢ−Ｂ線に従った断面図である。 図２の矢印Ｅで示す部分を拡大して示す断面図である。 図２のＣ−Ｃ線に従った断面図である。 図１の矢印Ａに従った液晶表示装置の平面図である。 図４の矢印Ｈで示す部分を示す平面図である。 本発明に係る電気光学装置の他の実施形態を示す断面図である。 図７のＣ−Ｃ線に従った断面図である。 図７の矢印Ｆで示す部分を拡大して示す断面図である。 図８の矢印Ｉで示す部分を示す平面図である。 図４の矢印Ｈで示す部分の他の例を示す図であり、（ａ）は平面を示し、（ｂ）は（ａ）のＰ１−Ｐ１線に従った断面を示し、（ｃ）は（ａ）のＰ２−Ｐ２線に従った断面を示している。 図８の矢印Ｉで示す部分の他の例を示す図であり、（ａ）は平面を示し、（ｂ）は（ａ）のＰ１−Ｐ１線に従った断面を示し、（ｃ）は（ａ）のＰ２−Ｐ２線に従った断面を示している。 図４の矢印Ｈで示す部分のさらに他の例を示す図であり、（ａ）は平面を示し、（ｂ）は（ａ）のＰ３−Ｐ３線に従った断面を示し、（ｃ）は（ａ）のＰ４−Ｐ４線に従った断面を示している。 図８の矢印Ｉで示す部分のさらに他の例を示す図であり、（ａ）は平面を示し、（ｂ）は（ａ）のＰ３−Ｐ３線に従った断面を示し、（ｃ）は（ａ）のＰ４−Ｐ４線に従った断面を示している。 本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。 本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。 本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す斜視図である。

符号の説明

１，５１．液晶表示装置（電気光学装置）、
２，５２．液晶パネル（電気光学パネル）、 ３．駆動用ＩＣ、 ４．照明装置、 ６．ＬＥＤ、 ７．導光体、 ７ａ．光入射面、 ７ｂ．光出射面、 ８．光拡散層、９．光反射層、 １１，６１．素子基板、 １１ａ，６１ａ．第１透光性基板、 １２，６２．カラーフィルタ基板、 １２ａ，６２ａ．第２透光性基板、
１３．シール材、 １４．液晶層、 １５ａ，１５ｂ．偏光板、 １６．張出し部、 １７．ＦＰＣ基板、 ２１ａ．画素電極、 ２１ｂ．共通電極、
２２ａ，２２ｂ．フォトスペーサ、 ２３ａ，２３ｂ．配向膜、
２４．コンタクトホール、 ２５．層間絶縁膜（絶縁層）、 ２６．光反射層、 ３１．ＴＦＴ素子、 ３２．ドレイン電極、 ３３．ゲート電極、
３３’．ゲート電極線、 ３４．ゲート絶縁膜、 ３５．半導体層、
３６．ソース電極、 ３６’．ソース電極線、 ４１ａ，４１ｂ．遮光部材、 ４２．着色要素、 ４３ａ．第１オーバーコート層、 ４３ｂ．第２オーバーコート層、４４．外部接続用端子、 ４６．ＡＣＦ、 ４７，４８．配線、
４９，９９．凹部、 ７５ａ．第１層間絶縁膜、 ７５ｂ．第２層間絶縁膜（絶縁層）、１００．制御回路、 １０１．液晶表示装置（電気光学装置）、
１０２．液晶パネル（電気光学パネル）、 １０３．駆動回路、
１１０．携帯電話機（電子機器）、 １１３．表示装置（電気光学装置）、
Ｄ．サブ画素領域、 Ｒ．反射表示領域、 Ｔ．透過表示領域、 Ｖｉ．有効表示領域、
Ｖｃ．周辺領域。

Claims (7)

1. 一対の基板の間に枠状に設けられるシール材と、
   該シール材によって囲まれた領域内に電気光学物質を封止して成る電気光学物質層と、
   前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板上であって前記シール材によって囲まれた領域内に設けられる絶縁層と、
   該絶縁層と前記電気光学物質層の間に設けられる配向膜とを有し、
   前記シール材によって囲まれた領域は、
   表示が行われる有効表示領域と、
   該有効表示領域と前記シール材の間にある周辺領域とを備え、
   前記有効表示領域内の前記絶縁層のうちの前記周辺領域に隣接する部分には、該周辺領域内の前記絶縁層より薄い部分を有し、
   前記周辺領域内の前記絶縁層には前記配向膜の材料が入る凹部が形成されることを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置において、前記凹部は、前記有効表示領域に沿って延びる溝であることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の電気光学装置において、前記凹部は、前記有効表示領域を囲む環状の溝であることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
   前記有効表示領域は、反射表示を行う反射表示領域と、透過表示を行う透過表示領域とを有し、
   前記有効表示領域内の前記絶縁層は、前記反射表示領域における前記電気光学物質層の厚さを前記透過表示領域における前記電気光学物質層の厚さよりも薄くするように、少なくとも前記反射表示領域に形成され、
   前記反射表示領域内の前記絶縁層は前記周辺領域内の前記絶縁層と同じ厚さに形成されることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項４記載の電気光学装置において、前記周辺領域に隣接する前記透過領域と前記凹部との間に有る前記絶縁層の高さは、前記反射表示領域と前記凹部との間に有る前記絶縁層の高さより低いことを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項４または請求項５に記載の電気光学装置において、前記周辺領域のうちの前記凹部が形成されていない領域と前記反射表示領域の両方にスペース部材を設けることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とす
   る電子機器。

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