JP2006058721A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 狭い端子間に設けられる細い配線をカバー材によって正確に覆うことにより、安定した表示を行うことができる電気光学装置を提供する。
【解決手段】 電気光学物質を支持する透光性基板１６ｂと、透光性基板１６ｂ上に設けられる複数の端子４５と、端子４５間に形成される配線３３および配線３５と、配線３３および３５を覆うカバー材５５とを有する電気光学装置である。この電気光学装置において、カバー材５５はポジ型の感光性樹脂材料によって形成される。
【選択図】 図５

Description

本発明は、液晶表示装置、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置等といった電気光学装置に関する。また、本発明は、その電気光学装置を製造するための製造方法に関する。また、本発明は、その電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。

現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において、液晶表示装置、ＥＬ装置等といった電気光学装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として電気光学装置が用いられている。この電気光学装置において、電気光学物質として液晶を用いた装置、すなわち液晶表示装置が知られている。また、電気光学物質としてＥＬ（Electro Luminescence）を用いたＥＬ装置も知られている。

例えば、液晶表示装置は電気光学パネルとしての液晶パネルを有する。この液晶パネルは、一般に、それぞれが電極を備えた一対の基板の間に液晶層を介在させた構造を有する。この液晶層は、例えば次のようにして、すなわち、前記一対の基板の間にシール材によって囲まれた空間を形成し、この空間の中に液晶を封止することによって形成される。この液晶表示装置では、液晶層に光を供給すると共に該液晶層に印加される電圧を画素ごとに制御することにより、液晶層内の液晶分子の配向を画素ごとに制御する。液晶層へ供給された光は、液晶分子の配向状態に従って変調され、この変調された光を偏光板の液晶側表面に供給することにより、その偏光板の観察側表面に文字、数字、図形等といった像が表示される。

この液晶表示装置においては、一対の基板の一方または両方に複数の配線が形成される。これらの配線は、その一端が基板上に設けられた半導体要素である駆動用ＩＣに接続し、他端が液晶層の内部へ延びて電極に接続する。そして、これらの配線は駆動用ＩＣから出力された信号を各電極に伝送する。基板上において駆動用ＩＣが実装される領域には、複数の配線の端子部分が配置される。これらの端子は、駆動用ＩＣを基板上に実装した際に駆動用ＩＣの出力端子、例えばバンプに接続する位置に形成する。これら基板上の端子と駆動用ＩＣのバンプとを、例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を用いて接続することにより、駆動用ＩＣと配線とが接続される。

上記のような液晶表示装置の中には、従来、配線が腐蝕することによる駆動用ＩＣのバンプと基板上の端子との間の導通不良の発生を防止するために、配線を覆うカバー材を設けた構造のものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００２−２５８７６８号公報（第５頁、図５）

ところで、現在の液晶表示装置においては、装置の小型化と同時に表示の高精細化が求められており、表示画素数の増加および画素の微細化が進んでいる。これに対応するためには、駆動用ＩＣにおいてもその小型化と出力端子数の増加が必要である。そこで、駆動用ＩＣの出力端子をＩＣの能動面に複数列設け、さらに、その出力端子に対応した位置、すなわち基板上のＩＣ実装領域に端子を複数列形成した液晶表示装置が提案されている。この装置では、隣り合う端子間に他の列の端子から延びる配線が形成される。この場合には、基板上に形成した導電体同士の間隔、すなわち基板上に形成した端子とその端子間に形成された配線との間隔が、特許文献１に開示された液晶表示装置に比べて狭くなる。

上記のように基板上に端子を複数列設ける構造の液晶表示装置において、配線上にカバー材を形成する場合、従来は、ネガ型の感光性樹脂材料を用いて、例えばフォトエッチング処理によって配線上にカバー材を形成することが多い。しかしながら、ネガ型の感光性樹脂材料は、それをパターニングする際の解像度が悪いので、カバー材を細く形成することが難しかった。例えば、配線を覆うためのカバー材がその配線の隣に位置する端子の一部を覆ってしまうおそれがあった。こうなると、基板上に駆動用ＩＣを実装した際、駆動用ＩＣの出力端子と基板上の端子との間で接触不良が発生するおそれがあった。

本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、狭い端子間に設けられる細い配線をカバー材によって正確に覆うことにより、安定した表示を行うことができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するため、本発明に係る電気光学装置は、電気光学物質を支持する基板と、該基板上に設けられる複数の端子と、該端子間に形成される配線と、該配線を覆うカバー材とを有し、該カバー材はポジ型の感光性樹脂材料によって形成されることを特徴とする。

電気光学物質は、電気的条件の変化に応じて光学的特性が変化する物質のことであり、具体的には、液晶表示装置で用いられる液晶、ＥＬ装置で用いられるＥＬ、プラズマディスプレイ装置で用いられるガス等が考えられる。また、感光性樹脂材料は、一般に感光性有機化合物である。この感光性樹脂材料のうち、光照射によって溶け易くなるものが、本発明に用いるポジ型感光性樹脂材料である。逆に溶け難くなるものがネガ型感光性樹脂材料である。一般に、ポジ型感光性樹脂材料の方が、ネガ型感光性樹脂材料に比べてより高精度、且つ高精細のパターン形成が可能である。

上記の電気光学装置によれば、カバー材にポジ型感光性樹脂材料を用いたので、カバー材を細く、そして正確に形成できる。これにより、第１には、基板上において、端子間隔が狭くなっても配線に隣接する端子にカバー材が被ることがなくなるので、基板上の端子とその端子に接続される実装部品の端子との間で接触不良が発生することを防止できる。第２には、端子間隔が狭い場合であってもそれらの端子間に配設された配線をカバー材によって正確に覆うことができるので、基板上において、配線と端子との間に異物が載ったとしてもそれらの間で短絡が発生することを防止できる。

本発明の電気光学装置においては、前記基板上に実装される半導体要素をさらに有し、前記端子は該半導体要素の端子に導電接続することが望ましい。一般に、半導体要素の端子はその能動面に複数設けられ、それら端子の間隔は狭くなっている。そのため、半導体要素の端子と導電接続される基板上の端子も、その間隔は狭く形成する。本発明の電気光学装置によれば、配線を覆うカバー材を細く形成できるので、基板上において、配線に隣接する端子にカバー材が被ることがなくなる。これにより、半導体要素の端子と基板上の端子とが確実に接触できる。

本発明の電気光学装置は、前記基板上に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子を覆うように前記基板上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に設けられて前記スイッチング素子に導電接続する電極とをさらに有することができる。そして、上記のスイッチング素子は前記端子間に形成される前記配線に導電接続することができる。そしてこの場合、前記カバー材は該絶縁層と同じ材料であることが望ましい。

絶縁層は、例えば、ポジ型の感光性樹脂材料であるアクリル樹脂によって形成する。この絶縁層は、基板上においてスイッチング素子と電極との間を絶縁する。これにより、スイッチング素子と電極とを異なる層にそれぞれ形成できる。スイッチング素子と電極とを異なる層に形成すれば、それらの不要な部分を直接に接触させることなく平面的に見て重ねることができるので、電極の面積を大きくすることができる。その結果、１つの画素の面積を大きくできるので、表示を見やすくできる。

上記の電気光学装置によれば、カバー材を絶縁層と同じ材料を用いて形成するので、基板上に絶縁層を形成する際に、カバー材を同時に形成することができる。このように、カバー材を絶縁層と同時に形成すれば、新たに製造工程を増やすことなくカバー材を設けることができる。

本発明の電気光学装置において、前記複数の端子は前記基板上に複数列設けられ、前記端子間に形成される配線は当該端子が属する列以外の列に属する端子に繋がる配線であることが望ましい。基板上に端子を複数列設けた場合には、端子を１列に形成した場合に比べて、基板上の電極に信号を送信するための配線を増やすことができる。つまり、電気光学装置の表示部により多くの画素を形成できる。ただし、この場合には、基板上において端子と配線との間隔がより狭くなるので、カバー材によって配線のみを覆うことが難しくなる。しかし、本発明に係る電気光学装置によれば、配線を覆うカバー材は高精細に形成できるので、端子間に形成される配線だけを正確に覆うことができる。

本発明の電気光学装置において、前記半導体要素は前記電極に信号を送る駆動用ＩＣであることが望ましい。この構造は、ＣＯＧ（Chip On Glass）方式を用いた実装構造である。この構造に対して本発明を適用すれば、駆動用ＩＣの端子と基板上の端子とを確実に接続できる。

次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板上に複数の端子を形成する工程と、前記複数の端子の間に配線を形成する工程と、前記配線上にカバー材を形成する工程と、前記基板上に前記配線に導電接続するスイッチング素子を形成する工程と、前記スイッチング素子を覆うように前記基板上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に電極を形成する工程とを有し、前記絶縁層を形成する工程と前記カバー材を形成する工程とは同一工程であることを特徴とする。

この構成の電気光学装置の製造方法によれば、絶縁層とカバー材とを同じ工程において形成するようにしたので、工程を増やすことなくカバー材を設けることができる。

本発明の電気光学装置の製造方法において、前記複数の端子を形成する工程では前記複数の端子を前記基板上に複数列形成し、前記配線を形成する工程では前記複数の端子間に配線を形成し、該配線は当該端子が属する列以外の列に属する端子に繋がる配線であることが望ましい。基板上に端子を複数列設けた場合には、端子を１列に形成した場合に比べて、基板上の電極に信号を送信するための配線を増やすことができる。つまり、電気光学装置の表示部により多くの画素を形成できる。ただし、この場合には、基板上において端子と配線との間隔がより狭くなるので、カバー材によって配線のみを覆うことが難しくなる。しかし、本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、配線を覆うカバー材は高精細に形成できるので、端子間に形成される配線だけを正確に覆うことができる。

次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置を有することを特徴とする。本発明に係る電気光学装置は、基板上の配線をカバー材で覆うことにより、配線と端子との間における短絡を防止できる。さらに、カバー材を細く形成することにより、基板上の端子とその端子に接続される相手側の端子との間で接触不良が発生することを防止できる。従って、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器においても狭い領域に形成した配線と端子とにおいて、短絡や接触不良がない安定した表示を行うことができる。

（電気光学装置の実施形態）
以下、本発明を電気光学装置の一例である液晶表示装置に適用した場合を例に挙げて説明する。なお、これ以降に説明する実施形態は本発明の一例であって、本発明を限定するものではない。また、これからの説明では必要に応じて図面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素をわかり易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示している。

図１は、本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置を示している。また、図２は、図１における１つの表示ドット近傍を拡大して示している。ここに挙げられた液晶表示装置は、２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス方式であって、半透過反射型の液晶表示装置である。

図１において、液晶表示装置１は、電気光学パネルとしての液晶パネル２と、この液晶パネル２に実装された半導体要素としての駆動用ＩＣ３と、照明装置４とを有する。照明装置４は、観察側から見て（すなわち、図の矢印Ａ方向から見て）液晶パネル２の背面側に配設されてバックライトとして機能する。照明装置４は、液晶パネル２の観察側に配設してフロントライトとして機能させても良い。

照明装置４は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等といった点状光源や、冷陰極管等といった線状光源等によって構成された光源６と、透光性の樹脂によって形成された導光体７とを有する。観察側から見て導光体７の背面側には、必要に応じて、反射層８が設けられる。また、導光体７の観察側には、必要に応じて、拡散層９が設けられる。導光体７の光導入口７ａは図１の紙面垂直方向に延びており、光源６から発生した光はこの光導入口７ａを通して導光体７の内部へ導入される。

液晶パネル２は、カラーフィルタ基板１１と、それに対向する素子基板１２と、それらの基板を貼り合わせている矢印Ａ方向から見て正方形または長方形の枠状のシール材１３とを有する。カラーフィルタ基板１１と、素子基板１２と、シール材１３によって囲まれる間隙、いわゆるセルギャップＧ（図２参照）内に電気光学物質としての液晶が封入されて液晶層１４を構成している。

図１において、カラーフィルタ基板１１は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第１の透光性の基板１６ａを有する。この第１透光性基板１６ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。また、この第１透光性基板１６ａの外側表面には、位相差板２６ａ及び偏光板２７ａが、それぞれ、貼着等によって装着される。

図２において、第１透光性基板１６ａの内側表面には、樹脂層１７が形成され、その上に反射層１８が形成され、その上に複数の着色要素１９およびそれらを取り囲む遮光部材２１が形成され、その上にオーバーコート層２２が形成され、その上に紙面垂直方向へ直線的に延びる複数の帯状電極２３ａが形成され、さらにその上に配向膜２４ａが形成される。配向膜２４ａには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板１１の近傍の液晶分子の配向が決められる。

上記の樹脂層１７の表面には凹凸形状が形成されている。このため、その樹脂層１７上に積層された反射層１８は同じ凹凸形状を有する。この凹凸形状により、反射層１８で反射する光は拡散する。この反射層１８は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等によって形成される。なお、樹脂層１７の表面に形成する凹凸形状を滑らかにしたい場合には、樹脂層１７を第１層及び第２層の２層構造によって形成し、第１層の表面に粗い凹凸形状を形成し、そしてその上に第２層を積層して凹凸形状を滑らかにするという方法を用いることもできる。

着色要素１９は、例えば、１つ１つが矢印Ａ方向から見て長方形のドット状に形成され、１つの着色要素１９は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色のいずれか１つの光を通す材料によって形成されている。これら各色の着色要素１９は、矢印Ａ方向から見てストライプ配列、デルタ配列、モザイク配列、その他適宜の配列となるように並べられている。なお、着色要素１９は、Ｃ(シアン)、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ(イエロー)の３原色によって形成することもできる。

遮光部材２１は、例えばＣｒ（クロム）等といった遮光性の材料によって、複数の着色要素１９の間を埋める状態に形成される。この遮光部材２１は、ブラックマスクとして機能して着色要素１９を透過した光によって表示される像のコントラストを向上させる。なお、遮光部材２１は、Ｃｒ等といった特定の材料によって形成されることに限られず、例えば、着色要素１９を構成するＢ，Ｇ，Ｒの各着色要素を重ねること、すなわち積層することによっても形成することができる。

オーバーコート層２２は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性の樹脂によって形成される。図２の紙面垂直方向に帯状に延びる複数の電極２３ａは、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物によって形成される。また、その上に形成された配向膜２４ａは、例えばポリイミド等によって形成される。

図１において、カラーフィルタ基板１１に対向する素子基板１２は第２の透光性の基板１６ｂを有する。この第２透光性基板１６ｂは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成されており、その１辺が第１透光性基板１６ａの外側へ張り出して張出し部２９を形成している。

第２透光性基板１６ｂの内側表面には、図２に示すように、ライン配線３３が形成される。このライン配線３３は、カラーフィルタ基板１１上の帯状電極２３ａに対して直角方向、すなわち図２の左右方向に延びている。そして、スイッチング素子として機能する非線形抵抗素子である複数のＴＦＤ素子３１がそのライン配線３３に接続して形成される。さらに、それらのＴＦＤ素子３１およびライン配線３３を覆うように絶縁層としてのオーバーレイヤ５６が形成され、このオーバーレイヤ５６上に複数のドット電極２３ｂが形成される。ドット電極２３ｂは、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物によって形成される。

各ドット電極２３ｂの間には複数のフォトスペーサ１５が形成される。このフォトスペーサ１５は、例えば、感光性樹脂をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成する。フォトスペーサ１５は、立った状態の円柱形状に形成されており、セルギャップＧが均一な寸法を維持するように機能する。また、フォトスペーサ１５はギャップ材と呼ばれることがある。

フォトスペーサ１５の上には配向膜２４ｂが形成される。この配向膜２４ｂは、例えばポリイミド等によって形成される。配向膜２４ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板１２の近傍の液晶分子の配向が決められる。図１に戻って、第２透光性基板１６ｂの外側表面には、位相差板２６ｂ及び偏光板２７ｂが貼着等によって装着される。

図３に示すように、オーバーレイヤ５６は、例えばアクリル樹脂等の透光性を有した絶縁材料によってライン配線３３およびＴＦＤ素子３１を覆うように形成する。このオーバーレイヤ５６には、オーバーレイヤ５６上に形成したドット電極２３ｂとオーバーレイヤ５６によって覆われたＴＦＤ素子３１とを電気的に接続するためのコンタクトホール５７が形成される。このコンタクトホール５７は、ＴＦＤ素子３１とは重ならない位置であって、ドット電極２３ｂと平面的に重なる位置に形成する。

個々のＴＦＤ素子３１は、カラーフィルタ基板１１側の遮光部材２１に対応する位置に設けている。そしてさらに、ＴＦＤ素子３１は、図３に示すように、２つのＴＦＤ要素である第１ＴＦＤ要素３２ａと第２ＴＦＤ要素３２ｂとを直列に接続することによって、いわゆるバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造として形成されている。

ＴＦＤ素子３１は、例えば次のようにして形成される。すなわち、まず、Ｔａ（タンタル）またはＴａ合金によってライン配線３３の第１層４１及びＴＦＤ素子３１の第１金属３６を形成する。次に、陽極酸化処理によってライン配線３３の第２層４２及びＴＦＤ素子３１の絶縁膜３７を形成する。次に、例えばＣｒによってライン配線３３の第３層４３及びＴＦＤ素子３１の第２金属３８を形成する。そして、このように形成したＴＦＤ素子３１を覆うようにオーバーレイヤ５６を形成する。

第１ＴＦＤ要素３２ａの第２金属３８はライン配線３３の第３層４３から延びている。
オーバーレイヤ５６を、例えばフォトリソグラフィ処理によって形成する際、コンタクトホール５７を第２ＴＦＤ要素３２ｂの第２金属３８の先端の直上に形成する。そして、オーバーレイヤ５６を挟んでＴＦＤ素子３１の反対側にドット電極２３ｂが形成され、コンタクトホール５７を通してドット電極２３ｂと第２金属３８とが導通する。

上記のように、ドット電極２３ｂの下にオーバーレイヤ５６を設けることにより、ドット電極２３ｂの層とＴＦＤ素子３１の層とを別の層に分けて形成した。この構造は、ドット電極２３ｂとＴＦＤ素子３１とを同じ層に形成する構造に比べて、図１の素子基板１２上の表面を有効に活用できる。つまり、ドット電極２３ｂの面積、すなわち画素面積を大きくすることができるので、液晶表示装置１において表示を見やすくできる。

なお、第１金属３６等の第２透光性基板１６ｂからの剥れを防止したり、第２透光性基板１６ｂから第１金属３６等へ不純物が拡散しないようにする等のために、ＴＦＤ素子３１と第２透光性基板１６ｂとの間及びライン配線３３と第２透光性基板１６ｂとの間に下地層（図示せず）を設けることもできる。

図４は、図１の液晶表示装置１を矢印Ａ方向から見た場合であって、第２透光性基板１６ｂの図示を省略した状態の液晶表示装置１の平面構造を示している。なお、図４は、主に電極及び配線を示しており、それ以外の要素は図示を省略している。

図４に示すように、素子基板１２に設けられる複数の直線状のライン配線３３は全体としてストライプ状に設けられている。また、複数のＴＦＤ素子３１は個々のライン配線３３に適宜の間隔をおいて接続され、それらのＴＦＤ素子３１にドット電極２３ｂが接続されている。図４では、ライン配線３３を少ない本数で模式的に描いてあるが、実際には多数本、例えば２４０本程度が形成される。また、ＴＦＤ素子３１及びドット電極２３ｂはシール材１３の四隅部分に対応するものだけを部分的に示してあるが、実際には、シール材１３によって囲まれる領域内の全域に設けられる。また、ＴＦＤ素子３１及びドット電極２３ｂは、模式的に大きく描かれているため、数が少ないように描かれているが、実際には図４の縦方向、すなわち上下方向の１列に、それぞれ、例えば３２０個程度形成されている。つまり、ドット電極２３ｂは、例えば、縦×横＝３２０×２４０個の数だけ設けられている。

図１において素子基板１２に対向するカラーフィルタ基板１１に設けられる複数の帯状電極２３ａは、図４に示すように、全体としてストライプ状に形成されている。これらの帯状電極２３ａは、カラーフィルタ基板１１と素子基板１２とをシール材１３によって貼り合わせたとき、ライン配線３３と直角の方向に延び、さらに、横列を成す複数のドット電極２３ｂに平面的に重なり合う。このように、帯状電極２３ａとドット電極２３ｂとが重なり合う領域が、表示の最小単位である表示ドット領域を構成する。この表示ドット領域は図１および図２において符号Ｄで示す領域である。複数の表示ドット領域Ｄが縦方向及び横方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が表示領域Ｖである。この表示領域Ｖに文字、数字、図形等といった像が表示される。

図２において、反射層１８には個々の表示ドット領域Ｄに対応して開口４６が設けられる。これらの開口４６は、矢印Ａの方向から平面的に見て長方形状に形成されている。個々の表示ドット領域Ｄの中で反射層１８が設けられた部分Ｒが反射部であり、開口４６が形成された部分Ｔが透過部である。観察側から入射した外部光、すなわち素子基板１２側から入射した外部光Ｌｏは、反射部Ｒで反射する。一方、図１の照明装置４の導光体７から出射した光Ｌｓは、透過部Ｔを透過する。

また、本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色要素１９を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色要素１９に対応する３つの表示ドット領域Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の１色でモノカラー表示を行う場合は、１つの表示ドット領域Ｄによって１つの画素が形成される。

図４において、素子基板１２を構成する第２透光性基板１６ｂの張出し部２９上に実装される駆動用ＩＣ３は、走査信号を出力する駆動用ＩＣ３ａと、データ信号を出力する駆動用ＩＣ３ｂとによって構成されている。第２透光性基板１６ｂの第１辺１６ｃすなわち入力側の辺には外部接続用端子４４が形成され、これらの端子４４は駆動用ＩＣ３ａ及び３ｂの入力用端子、例えば入力用バンプにつながる。

外部接続端子４４には、図示しない配線基板、例えば可撓性配線基板が、ハンダ付け、ＡＣＦ、ヒートシール等といった導電接続手法によって接続される。この配線基板を介して、電子機器、例えば携帯電話機、携帯情報端末機から液晶表示装置１へ信号、電力等が供給される。

また、この第１辺１６ｃに隣接する２つの辺１６ｄ及び１６ｅの近傍に、それらの辺に沿って複数の配線３４が形成されている。これらの配線３４は、駆動用ＩＣ３ａの出力用端子、例えば出力用バンプから出てシール材１３を横切り、さらに、第１辺１６ｃに対向する第２辺１６ｆへ向かって延びている連続した配線である。これらの配線３４は、シール材１３の中に含まれる導電材５４を介してカラーフィルタ基板１１の帯状電極２３ａに接続している。また、素子基板１２上に形成されたライン配線３３は、シール材１３を横切って駆動用ＩＣ３ｂの実装領域まで延びており、その先端は駆動用ＩＣ３ｂの出力端子、例えば出力バンプに接続される。

図５は、図４の矢印Ｃで示す部分、すなわち、第２透光性基板１６ｂ上における駆動用ＩＣ３ｂの実装部分のうち、ライン配線３３と駆動用ＩＣ３ｂの出力バンプとが接続される部分を拡大して示している。図５に示すように、それぞれのライン配線３３の先端部分、すなわち駆動用ＩＣ３ｂの出力バンプが接続される部分には、ライン配線３３に比べて幅が広い端子４５が形成される。本実施形態において、これらの端子４５は、第２透光性基板１６ｂ上に２列に形成する。つまり、図の列Ｒａ上に端子４５ａを形成し、列Ｒｂ上に端子４５ｂを形成する。

そして、互いに隣接する端子４５ａの間には、端子４５ｂに接続されるライン配線３３が配設される。また、互いに隣接する端子４５ｂの間には、端子４５ａに接続される配線３５が配設される。この配線３５は、例えば、第２透光性基板１６ｂ上に設けられる検査用端子（図示せず）に接続される。このような配線の構造を有した基板１６ｂには、図１に示すように出力用バンプを２列に形成した、いわゆる２段バンプ構造の駆動用ＩＣ３ｂが実装される。

図５において、端子４５ａの間および端子４５ｂの間には、ライン配線３３および配線３５を覆うようにカバー材５５が形成される。このカバー材５５は、例えば、アクリル樹脂といったポジ型感光性樹脂材料を用いてフォトリソグラフィ処理によって形成する。ライン配線３３および配線３５はこのカバー材５５によって外部から電気的に絶縁される。駆動用ＩＣ３ｂを実装する際には、端子４５ａと配線３３との間、および端子４５ｂと配線３５との間に異物やＡＣＦ５３の導電粒子がまたがって載ることがある。しかしながら、そのような場合でも配線３３，３５がカバー材５５で覆われていれば、端子４５ａとライン配線３３との間、および端子４５ｂと配線３５との間で短絡が発生することを防止できる。

図６は、図４の液晶表示装置１の電気的な等価回路を示している。図６において、複数本の走査線４７が行方向Ｘに延びるように形成され、さらに、複数本のデータ線４８が列方向Ｙに延びるように形成されている。走査線４７は図４の帯状電極２３ａによって実現され、データ線４８は図４のライン配線３３によって実現される。表示用ドット領域Ｄは走査線４７とデータ線４８との各交差部分に形成される。各表示用ドット領域Ｄにおいては、液晶層１４と、ＴＦＤ素子３１とが直列に接続されている。本実施形態では、液晶層１４が走査線４７の側に接続され、ＴＦＤ素子３１がデータ線４８の側に接続されている。各走査線４７は、走査線駆動回路５１によって駆動される。一方、各データ線４８は、データ線駆動回路５２によって駆動される。走査線駆動回路５１は図４の駆動用ＩＣ３ａ，３ａによって構成され、データ線駆動回路５２は図４の駆動用ＩＣ３ｂによって構成される。

以上のように構成された液晶表示装置１によれば、図１において、液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置４をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。

反射型表示を行う場合、図２において、観察側Ａの方向から素子基板１２を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌｏは、液晶層１４を通過してカラーフィルタ基板１１内へ入った後、反射部Ｒにおいて反射膜１８で反射して再び液晶層１４へ供給される。他方、透過型表示を行う場合、図１の照明装置４の光源６が点灯し、それからの光が導光体７の光入射面７ａから導光体７へ導入され、さらに、光出射面７ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図２の符号Ｌｓで示すように透過部Ｔにおいて開口４６を通って液晶層１４へ供給される。

以上のようにして液晶層１４へ光が供給される間、素子基板１２側のドット電極２３ｂとカラーフィルタ基板１１側の帯状電極２３ａとの間には、走査信号およびデータ信号によって特定される表示用ドット領域Ｄに所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１４内の液晶分子の配向がＴＮ構造と垂直配向との間で表示用ドット領域Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１４に供給された光が表示用ドット領域Ｄごとに変調される。この変調された光が、素子基板１２側の偏光板２７ｂ（図１参照）を通過するとき、その偏光板２７ｂの偏光特性に従って表示用ドット領域Ｄごとに通過を許容または通過を阻止され、これにより、素子基板１２の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。

ところで、図５に示すカバー材５５は、例えば、感光性樹脂材料をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることにより形成する。フォトリソグラフィ処理は感光性樹脂材料が有する次の性質、すなわち光化学反応によって現像液に対する溶解性が変化するという性質を利用している。具体的には、まず、感光性樹脂材料の膜を基板上に一様に形成し、その上を必要なパターンを有したマスクで覆う。その後、マスクの上から感光性樹脂材料に光を照射し、さらに現像して所定のパターンを基板上に形成する。このとき、光照射によって溶け易くなるものが、ポジ型感光性樹脂材料であり、逆に溶け難くなるものがネガ型感光性樹脂材料である。一般に、ポジ型感光性樹脂材料の方が、ネガ型感光性樹脂材料に比べてより高精細のパターン形成が可能である。

上記のカバー材５５は、例えば図１に示すフォトスペーサ１５を形成する材料と同じ材料を用いて形成できる。この材料はネガ型の感光性樹脂材料である。しかしながら、このネガ型感光性樹脂材料は、フォトリソグラフィ処理によってパターニングされる際の解像度が十分でないために、狭い領域である端子４５，４５の間隔内にカバー材５５を精密に細く形成することが難しかった。そのため、端子４５，４５の間隔よりも広い幅のカバー材５５が形成されるおそれがあった。この場合には、端子４５にもカバー材５５が被ってしまうことがあり、駆動用ＩＣ３ｂの出力バンプと端子４５とが接触できないおそれがあった。また、端子４５，４５間において、配線３３および３５の全体がカバー材５５によって正確に覆われなくなるおそれがあった。この場合には、カバー材５５によって覆われない部分で配線３３，３５と端子４５との間に短絡が発生するおそれがあった。

このことに関し、本実施形態では、カバー材５５をポジ型の感光性樹脂材料を用いて形成するようにした。このポジ型感光性樹脂材料は、ネガ型感光性樹脂材料に比べて高精細のパターン形成が可能であり、図５の端子４５，４５の間隔が狭くてもそこにカバー材５５を形成できるだけの十分な解像度を有している。これにより、カバー材５５は、端子４５に被さることなく、端子４５，４５間に配設されたライン配線３３および配線３５のみを確実に覆うことができる。その結果、駆動用ＩＣ３ｂの出力用バンプと端子４５とがＡＣＦ５３の導電粒子を通して確実に接触できるので、接触不良が発生することを防止できる。また、配線３３および３５の１本１本は細いのであるが、その１本１本の全体をカバー材５５によって確実に覆うことができるので、配線３３および３５と端子４５との間で短絡が発生することを防止できる。

また、図２のカバー材５５は、ポジ型の感光性樹脂材料によって形成されている。従って、図５のカバー材５５は、オーバーレイヤ５６と同じ材料を用いて形成することができる。こうすれば、カバー材５５はオーバーレイヤ５６を形成するときに同時に形成することができるので、新たに製造工程を増やす必要がない。

（変形例）
上記の実施形態では、図５において第２透光性基板１６ｂ上の端子４５を、端子４５ａと端子４５ｂの２列に形成した。しかしながら、端子４５は、３列以上の複数列に形成することもできる。

また、上記の実施形態では、ＴＦＤ素子を用いた液晶表示装置に本発明を適用したが、本発明は、ＴＦＤ素子以外の２端子型スイッチング素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置にも適用できる。また、本発明は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等といった３端子型スイッチング素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置にも適用できる。また、本発明は、スイッチング素子を用いない単純マトリクス方式の液晶表示装置にも適用できる。

また、本発明は、液晶表示装置以外の電気光学装置、例えば、有機ＥＬ装置、無機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置（ＰＤＰ：Plasma Display）、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）、フィールドエミッションディスプレイ装置（ＦＥＤ：Field Emission Display：電界放出表示装置）にも適用できる。

（電気光学装置の製造方法の実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を図１に示した液晶表示装置１を製造する場合を例に挙げて説明する。図７は、液晶表示装置の製造方法の一例を工程図として示している。図７において、工程Ｐ１から工程Ｐ７が図１の素子基板１２を形成するための工程である。また、工程Ｐ１１から工程Ｐ１８が図１のカラーフィルタ基板１１を形成するための工程である。また、工程Ｐ２１から工程Ｐ２８がそれらの基板を組み合わせて液晶表示装置を完成させるための工程である。

なお、本実施形態の製造方法では、図１に示す素子基板１２およびカラーフィルタ基板１１を１つずつ形成するのではなく、素子基板１２に関しては、複数の素子基板１２を形成できる大きさの面積を有する素子側マザー透光性基板の上に素子基板１２の複数個分の要素を同時に形成するものとする。また、カラーフィルタ基板１１に関しては、複数のカラーフィルタ基板１１を形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板１１の複数個分の要素を同時に形成するものとする。素子側マザー透光性基板およびカラーフィルタ側マザー透光性基板は、例えば、透光性ガラス、透光性プラスチック等によって形成される。

まず、図７の工程Ｐ１において、素子側マザー透光性基板の表面にスイッチング素子である図３のＴＦＤ素子３１、図４の配線３３および配線３４、図５の端子４５ａ，４５ｂ、ならびに配線３５を同時に形成する。なお、図５に示すように、配線３３は互いに隣接する端子４５ａの間に形成される。この配線３３は、一端が図４のシール材１３の内側へ延びてＴＦＤ素子３１に接続され、他端が図５の端子４５ｂに接続される。また、配線３５は互いに隣接する端子４５ｂの間に形成される。この配線３５は、一端が検査用端子（図示せず）に接続され、他端が端子４５ａに接続される。

なお、配線３３，３４の第１層４１は、ＴＦＤ素子３１の第１金属３６と同時に、例えばＴａによって形成する。また、配線３３および配線３４の第２層４２は、陽極酸化処理によってＴＦＤ素子３１の絶縁膜３７と同時に形成する。また、配線３３および配線３４の第３層４３は、ＴＦＤ素子３１の第２金属３８と同時に、例えばＣｒによって形成する。

次に、工程Ｐ２において、絶縁層である図３のオーバーレイヤ５６を、ポジ型感光性樹脂材料によって第２透光性基板１６ｂ上に形成し、同時に、図５のカバー材５５を同じ材料によって形成する。このとき、図３のオーバーレイヤ５６の適所にコンタクトホール５７も形成される。次に、工程Ｐ３において、図３のドット電極２３ｂをＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理、すなわち、フォトリソグラフィ処理とエッチング処理との組み合せから成る処理によって形成する。このとき、コンタクトホール５７においてドット電極２３ｂとＴＦＤ素子３１の第２金属３８との導通がとられる。

次に、工程Ｐ４において、図２のフォトスペーサ１５が、例えば、ネガ型感光性樹脂材料を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成され、さらに工程Ｐ５において図２の配向膜２４ｂが、例えばポリイミドを印刷することによって形成される。次に、工程Ｐ６において、配向膜２４ｂにラビング処理が施され、さらに工程Ｐ７において、図１のシール材１３が、例えばエポキシ系樹脂を印刷することによって形成される。以上により、素子側マザー透光性基板の上に素子基板１２の複数個分の要素が形成されて大面積の素子側マザー基板が形成される。

次に図７の工程Ｐ１１において、カラーフィルタ側マザー透光性基板の表面上に図２の樹脂層１７を、例えば感光性レジスト材料を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。この処理の際に、ランダムに分散した多数の凹凸によって形成される凹凸パターンが樹脂層１７の表面に形成される。

次に、図７の工程Ｐ１２において、図２の反射膜１８を、例えばＡｌやＡｌ合金等を材料としてフォトエッチング処理によって形成する。このとき、表示用ドット領域Ｄごとに開口４６を形成することにより、光反射部Ｒと透光部Ｔを形成する。樹脂層１７の表面には凹凸パターンが形成されているので、その上に積層された反射膜１８に光が当たって反射する場合には、その反射光は散乱光となる。

次に、工程Ｐ１３において、図２の遮光部材２１を、例えばＣｒを材料としてフォトエッチング処理によって所定のパターン（例えば、複数の表示用ドット領域Ｄの周りを埋めるような格子状パターン）に形成する。次に、工程Ｐ１４において、図２の着色要素１９を形成する。着色要素１９については、Ｂ，Ｇ，Ｒの各色ごとに順々に形成する。例えば、各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料をフォトリソグラフィ処理によって所定の配列に形成する。次に、工程Ｐ１５において、図２のオーバーコート層２２を、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。

次に、図７の工程Ｐ１６において、図２の帯状電極２３ａをＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成し、さらに工程Ｐ１７において図２の配向膜２４ａを形成し、さらに工程Ｐ１８において、配向処理としてのラビング処理を行う。以上により、カラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板１１の複数個分の要素が形成されて大面積のカラーフィルタ側マザー基板が形成される。

その後、図７の工程Ｐ２１において、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とを貼り合わせる。これにより、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とが個々の液晶表示装置の領域において図１のシール材１３を挟んで貼り合わされた構造の大面積のパネル構造体が形成される。

次に、以上のようにして形成された大面積のパネル構造体に含まれるシール材１３を、工程Ｐ２２において熱硬化または紫外線硬化によって硬化させて両マザー基板を接着して大面積のパネル構造体を形成する。次に、工程Ｐ２３において、そのパネル構造体を１次切断、すなわち１次ブレイクして、図１の液晶パネル２の複数が１列に並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を複数形成する。シール材１３には予め適所に開口が形成されており、上記の１次ブレイクによって短冊状のパネル構造体が形成されると、そのシール材１３の開口が外部に露出する。

次に、図７の工程Ｐ２４において、上記のシール材１３の開口を通して各液晶パネル部分の内部へ液晶を注入し、その注入の完了後、その開口を樹脂によって封止する。次に工程Ｐ２５において、２回目の切断、すなわち２次ブレイクを行い、短冊状のパネル構造体から図１に示す個々の液晶パネル２を切り出す。

次に、図７の工程Ｐ２６において、図１の駆動用ＩＣ３を実装する。このとき、図７の工程Ｐ２において、図５の配線３３，３５の上にはカバー材５５が形成されている。このカバー材５５によって、工程Ｐ２６における駆動用ＩＣ３の実装の際に、配線３３と端子４５ａとの間および配線３５と端子４５ｂとの間において短絡が発生することを防止できる。

次に、工程Ｐ２７において、図１の液晶パネル２に偏光板２７ａ，２７ｂを貼着によって装着する。さらに工程Ｐ２８において、図１の照明装置４を液晶パネル２に取付ける。これにより、液晶表示装置１が完成する。

以上のように、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法においては、カバー材５５をポジ型の感光性樹脂材料を用いて形成するようにした。このポジ型感光性樹脂材料は、ネガ型感光性樹脂材料に比べて高精細のパターン形成が可能であり、狭い領域である図５の互いに隣接する端子４５，４５の間にカバー材５５を形成することに関して十分な解像度を有している。これにより、カバー材５５は端子４５，４５間に配設されたライン配線３３および配線３５のみを確実に覆うことができる。そして、カバー材５５は端子４５に被ることがなくなる。その結果、駆動用ＩＣ３ｂの出力用バンプと端子４５とがＡＣＦ５３の導電粒子を介して確実に接触できるので、接触不良が発生することを防止できる。また、張出し部２９にある部分の配線３３および３５をカバー材５５によって確実に覆うことができるので、配線３３および３５と端子４５との間で短絡が発生することを防止できる。

また、本実施形態では、図７の工程Ｐ２に示すようにカバー材を形成する工程とオーバーレイヤを形成する工程とを同じ工程にした。これにより、工程を増やすことなく図５のカバー材５５を形成できる。

（電子機器の実施形態）
次に、本発明に係る電子機器の実施形態を図面を用いて説明する。図８は、本発明に係る電子機器の一実施形態のブロック図を示している。ここに示す電子機器は、液晶表示装置９１と、これを制御する制御回路７０とを有する。液晶表示装置９１は、液晶パネル７１と、半導体ＩＣ等で構成される駆動回路７２とを有する。また、制御回路７０は、表示情報出力源７３と、表示情報処理回路７４と、電源回路７６と、タイミングジェネレータ７７とを有する。

表示情報出力源７３は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等から成るメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等から成るストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを有する。この表示情報出力源７３は、タイミングジェネレータ７７によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路７４に供給する。

表示情報処理回路７４は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７２へ供給する。駆動回路７２は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路７６は、上記の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。

液晶表示装置９１は、例えば、図１に示した液晶表示装置１によって構成できる。この液晶表示装置１は、素子基板１２上において、図５に示すように端子４５と配線３３および３５とをカバー材５５によって確実に絶縁する構造を有しているので、駆動用ＩＣ３ｂの出力用バンプと端子４５との間における接触不良の発生を防止できる。そのため、この液晶表示装置１を用いた本電子機器においても接触不良の発生を防止でき、それ故、安定した表示を行うことができる。

図９は、本発明を電子機器の一例である携帯電話機に適用した場合の一実施形態を示している。ここに示す携帯電話機８０は、本体部８１と、これに開閉可能に設けられた表示体部８２とを有する。液晶表示装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置８３は、表示体部８２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部８２において表示画面８４によって視認できる。本体部８１には操作ボタン８６が配列されている。

表示体部８２の一端部にはアンテナ８７が伸縮自在に取付けられている。表示体部８２の上部に設けられた受話部８８の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部８１の下端部に設けられた送話部８９の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置８３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部８１又は表示体部８２の内部に格納される。

表示装置８３は、例えば、図１に示した液晶表示装置１によって構成できる。この液晶表示装置１は、素子基板１２上において、図５に示すように配線３３および３５をカバー材５５によって確実に覆う構造を有しているので、駆動用ＩＣ３ｂの出力用バンプと端子４５との間における接触不良の発生を防止できる。そのため、この液晶表示装置１を用いた図９の携帯電話機８０においても接触不良の発生を防止でき、それ故、安定した表示を行うことができる。

（変形例）
本発明に係る電子機器としては、以上に説明した携帯電話機の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、デジタルスチルカメラ、腕時計、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、その他各種の機器が考えられる。

本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置を示す断面図である。 図１の要部を拡大して示す断面図である。 図１の装置で用いられるスイッチング素子の一例を示す斜視図である。 図１の矢印Ａに従って液晶表示装置を示す平面図である。 図４の矢印Ｃで示す部分を拡大して示す平面図である。 図１の液晶表示装置の電気等価回路を示す回路図である。 本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。 本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す斜視図である。

符号の説明

１．液晶表示装置（電気光学装置）、 ２．液晶パネル、 ３ａ，３ｂ．駆動用ＩＣ、 ４．照明装置、 ６．光源、 ７．導光体、 １１．カラーフィルタ基板、
１２．素子基板、 １３．シール材、１４．液晶層、 １５．フォトスペーサ、
１６ａ．第１透光性基板、 １６ｂ．第２透光性基板 １７．樹脂層、 １８．反射層 １９．着色要素、 ２１．遮光部材 ２２．オーバーコート層、
２３ａ．帯状電極、 ２３ｂ．ドット電極、 ２４ａ，２４ｂ．配向膜、
２６ａ，２６ｂ．位相差板、２７ａ，２７ｂ．偏光板、 ２９．張り出し部
３１．ＴＦＤ素子、３３．ライン配線、 ３４．配線、 ３６．第１金属、
３７．絶縁膜、 ３８．第２金属、 ４１．第１層、 ４２．第２層、 ４３．第３層、
４４．外部接続用端子、 ４５．端子、 ４６．開口、 ４７．走査線、
４８．データ線、 ５１．走査線駆動回路、 ５２．データ線駆動回路、
５３．異方性導電膜、 ５４．導通材、 ５５．カバー材、
５６．オーバーレイヤ（絶縁層）、 ５７．コンタクトホール、
８０．携帯電話機（電子機器）、 ８３．液晶表示装置、９１．液晶表示装置、
Ｄ．表示ドット領域、 Ｇ．セルギャップ、 Ｌo．外部光、 Ｌｓ．透過光、
Ｒ．反射部、 Ｔ．透過部、 Ｖ．表示領域

Claims (8)

1. 電気光学物質を支持する基板と、
   該基板上に設けられる複数の端子と、
   該端子間に形成される配線と、
   該配線を覆うカバー材と
   を有し、
   該カバー材はポジ型の感光性樹脂材料によって形成される
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１記載の電気光学装置において、前記基板上に実装される半導体要素をさらに有し、前記端子は該半導体要素の端子に導電接続することを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１または請求項２記載の電気光学装置において、前記基板上に設けられ、前記配線に導電接続するスイッチング素子と、該スイッチング素子を覆うように前記基板上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に設けられ前記スイッチング素子に導電接続する電極とをさらに有し、前記カバー材は前記絶縁層と同じ材料であることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記複数の端子は前記基板上に複数列設けられ、前記端子間に形成される配線は当該端子が属する列以外の列に属する端子に繋がる配線であることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項２から請求項４のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記半導体要素は前記電極に信号を送る駆動用ＩＣであることを特徴とする電気光学装置。
6. 基板上に複数の端子を形成する工程と、
   前記複数の端子の間に配線を形成する工程と、
   前記配線上にカバー材を形成する工程と、
   前記基板上に前記配線に導電接続するスイッチング素子を形成する工程と、
   前記スイッチング素子を覆うように前記基板上に絶縁層を形成する工程と、
   前記絶縁層上に電極を形成する工程と、
   を有し、
   前記絶縁層を形成する工程と前記カバー材を形成する工程とは同一工程である
   ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 請求項６に記載の電気光学装置の製造方法において、前記複数の端子を形成する工程では前記複数の端子を前記基板上に複数列形成し、前記配線を形成する工程では前記複数の端子間に配線を形成し、該配線は当該端子が属する列以外の列に属する端子に繋がる配線であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
8. 請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
   

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