JP2005309149A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器 - Google Patents

Abstract

【０００１】
【課題】 配線上に異物が付着することを防止することにより、その配線間に短絡が発生することを防止して、安定した表示を行うことができる電気光学装置を提供する。
【解決手段】 液晶層１４を支持する基板１２と、液晶層１４の外側に配置されるように基板１２上に設けられるシール材１３と、シール材１３を横切って設けられる配線３３および４９と、配線３３および４９と導電接続するように導電接合材５３によって基板１２上に実装される駆動用ＩＣ３と、シール材１３の外側に位置する配線３３ｄおよび４９ｄ上であって導電接合材５３よりも基板１２に近い位置に設けられたカバー材５５とを有する電気光学装置である。
【選択図】 図１

Description

本発明は、液晶表示装置、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置等といった電気光学装置に関する。また、本発明は、その電気光学装置を製造するための製造方法に関する。また、本発明は、その電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。

現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において、液晶表示装置、ＥＬ装置等といった電気光学装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として電気光学装置が用いられている。この電気光学装置において、電気光学物質として液晶を用いた装置、すなわち液晶表示装置が知られている。また、電気光学物質としてＥＬ（Electro Luminescence）を用いたＥＬ装置も知られている。

液晶表示装置は、一般に、それぞれが電極を備えた一対の基板の間に液晶層を介在させた構造を有する。この液晶層は、前記一対の基板の間にシール材によって囲まれた空間を形成し、この空間の内側に液晶を封止することにより形成される。液晶表示装置は、液晶層に光を供給すると共に、該液晶層に印加される電圧を表示ドットごとに制御することにより、液晶層内の液晶分子の配向を表示ドットごとに制御する。液晶層へ供給された光は液晶分子の配向状態に従って変調され、この変調された偏光が偏光板を通過するか、あるいは通過しないかに応じて、外部に文字、数字、図形等といった像が表示される。

この液晶表示装置においては、各電極に信号を伝送するために一対の基板の一方または両方に複数の配線が形成される。これらの配線の多くは、液晶を封止しているシール材の内側とその外側とに渡って配設される。シール材の内側に配設される内側配線においては、金属片等といった異物による短絡、および水分や汚れによる腐蝕は発生し難い。一方、シール材の外側に配設される外側配線においては、水分や汚れによる腐蝕が発生するおそれがある。また、外側配線においては、それらに異物が付着することによって配線間の短絡が発生するおそれがある。

ところで、液晶表示装置の中には、シール材の外側に位置する基板上に駆動用ＩＣが実装される構造のものがある。この場合の実装は、例えば、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を用いて行われる（例えば、特許文献１参照）。従来、この構造の液晶表示装置に関して上記のような配線間の短絡の発生を防止するために、駆動用ＩＣおよび外側配線の両方をモールド材で覆う構造が知られている。ここで用いるモールド材としては、例えばシリコーン樹脂が知られている。この従来の構造によれば、モールド材を用いて駆動用ＩＣおよび外側配線の全体を覆うことにより、異物が配線の上に直接に付着することがなくなり、それ故、配線間において短絡が発生するのを防ぐことができる。また同時に、配線に水分や汚れが付着することを防止できるので、シール材の外側に位置する外側配線に腐蝕が発生することを防止できる。

特開２００３−９８５４３号公報（第７頁、図９）

しかしながら、従来、モールド材を形成する工程は、液晶表示装置を駆動するための駆動用ＩＣを実装した後に行われていた。この場合、モールド材を設けた後であれば配線に異物が付着することを防ぐことはできるが、基板上に駆動用ＩＣを実装する工程において配線に異物が付着するのを防ぐことができなかった。

本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、電気光学装置の製造中および製造後において、配線の上に異物が付着することによって配線間に短絡が発生することを防止して、安定した表示を行うことができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器を提供することを目的とする。

本発明に係る電気光学装置は、電気光学物質を支持する基板と、前記電気光学物質の外側に配置されるように前記基板上に設けられるシール材と、前記シール材を横切って設けられる配線と、前記配線と導電接続するように導電接合材によって前記基板上に実装される半導体要素と、前記シール材の外側に位置する配線上であって前記導電接合材よりも前記基板に近い位置に設けられたカバー材とを有することを特徴とする。

上記の電気光学装置によれば、シール材の外側に位置する外側配線上にカバー材を設けた。これにより、外側配線の上に異物が載ることによって生じる配線間の短絡を防止できる。従って、外側配線と半導体要素をモールド材によって覆わなくてもよい。また、カバー材を導電接合部材よりも基板に近い位置に設けたので、半導体要素を実装する際に、配線上に異物が付着することを防止できる。

本発明の電気光学装置において、前記配線は耐蝕性材料により形成されることが望ましい。配線を覆うカバー材には、主にアクリル系の材料を用いる。このアクリル系材料は、耐湿性材料ではないものが殆どであり、吸湿性材料である場合も考えられる。これらの材料を用いたカバー材によって配線を覆う場合には、カバー材に含まれる水分によって配線が腐蝕するおそれがある。本発明において、配線を耐蝕性材料によって形成すれば、カバー材に含まれる水分が配線に付着した場合であっても、その配線の腐蝕を防ぐことができる。

本発明の電気光学装置は、光の波長を選択する着色要素と、前記着色要素の上に設けられるオーバーコート材とを有することができる。この場合、前記カバー材は前記オーバーコート材と同じ材料であることが望ましい。着色要素は、電気光学装置においてカラー表示を行う場合に、その電気光学装置を構成する基板上に設けられる。上記のオーバーコート材は、着色要素の表面を平滑にするために電気光学装置において広く用いられるものである。従って、この着色要素の上に設けられるオーバーコート材と同じ材料を用いてカバー材を形成することにより、材料のコストを減らすことができる。

本発明の電気光学装置においては、前記基板上にフォトスペーサを設けることができる。この場合には、前記カバー材は前記フォトスペーサと同じ材料であることが望ましい。こうすれば、基板上にフォトスペーサを形成する際に、カバー材を同時に形成することができる。カバー材をフォトスペーサと同時に形成すれば、新たに製造工程を増やすことなくカバー材を基板上に設けることができる。

本発明の電気光学装置においては、前記電気光学物質に電圧を印加する電極と、該電極の下に設けられるオーバーコート材とをさらに設けることができる。この場合には、前記カバー材は前記オーバーコート材と同じ材料であることが望ましい。こうすれば、基板上にオーバーコート材を形成する際に、カバー材を同時に形成することができる。カバー材をオーバーコート材と同時に形成すれば、新たに製造工程を増やすことなく、カバー材を基板上に設けることができる。

本発明の電気光学装置において、前記カバー材は感光性樹脂材料であることが望ましい。こうすれば、カバー材をフォトリソグラフィ処理のみで形成することができ、エッチング処理を必要としないので、カバー材を容易に形成することができる。

本発明の電気光学装置において、前記カバー材は２５０℃以下の温度で焼成ができる材料であることが望ましい。その理由は次の通りである。すなわち、カバー材を設ける基板上には、他にもスイッチング素子を設けることがある。このスイッチング素子は、これを高温の雰囲気中にさらした場合、特性が劣化し、正確な動作が行えなくなるおそれがある。カバー材の焼成はスイッチング素子を形成した後に行うので、カバー材を焼成する温度が２５０℃以下であれば、スイッチング素子に影響を及ぼすことなくカバー材を形成できる。

本発明の電気光学装置において、前記カバー材の厚さは３〜１０μｍであることが望ましい。カバー材が３μｍ未満であると、仮にカバー材の上に異物が載った場合、カバー材が薄すぎて配線間の短絡を防止できないおそれがある。カバー材が１０μｍ以上であると、基板上に実装する半導体要素のバンプの高さに対してカバー材の厚さが厚すぎるので、半導体要素と基板との間で導通不良が発生するおそれがある。カバー材の厚さが３〜１０μｍであれば、半導体要素と基板との間で導通不良が発生せず、且つ外側配線における配線間の短絡を確実に防止できる。

次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板上に配線を形成する配線形成工程と、前記基板および前記配線上にシール材を形成するシール材形成工程と、前記シール材の外側の基板上に半導体要素を実装する半導体要素実装工程と、前記配線形成工程と半導体実装工程との間で行われ、前記シール材の外側に位置する配線上にカバー材を形成するカバー材形成工程とを有することを特徴とする。

この構成の電気光学装置の製造方法によれば、シール材の外側に位置する外側配線上にカバー材を形成するようにしたので、外側配線の上に異物が載ることによって生じる配線間の短絡を防止することができる。従って、外側配線と半導体要素をモールド材によって覆わなくてもよい。また、カバー材形成工程は配線形成工程と半導体要素実装工程との間において行うようにした。つまり、配線は、基板上に半導体要素を実装する前に、カバー材によって覆われる。これにより、半導体要素を実装する際に配線上に異物が付着することを防止できる。

本発明の電気光学装置の製造方法において、前記配線形成工程では、前記配線を耐蝕性材料によって形成することが望ましい。こうすれば、カバー材に含まれる水分が配線に付着しても、その配線が腐蝕することを防止できる。

本発明の電気光学装置の製造方法において、前記カバー材形成工程は、フォトスペーサを形成する工程と同じ工程であることが望ましい。こうすれば、新たに製造工程を増やすことなく、カバー材を基板上に設けることができる。

本発明の電気光学装置の製造方法において、前記カバー材形成工程は、前記電極のオーバーコート材を形成する工程と同じ工程であることが望ましい。こうすれば、新たに製造工程を増やすことなく、カバー材を基板上に設けることができる。

次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置を有することを特徴とする。本発明に係る電気光学装置は、配線の上に異物が付着することを防止したので配線間に短絡が発生することがなくなり、それ故、安定した表示を行うことができる。従って、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器においても安定した表示を行うことができる。

（電気光学装置の第１実施形態）
以下、本発明を電気光学装置の一例である液晶表示装置に適用した場合を例に挙げて説明する。なお、これ以降に説明する実施形態は本発明の一例であって、本発明を限定するものではない。また、これからの説明では必要に応じて図面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素をわかり易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示している。

図１は、本発明に係る電気光学装置の実施形態である液晶表示装置を示している。また、図２は、図１における１つの表示ドット近傍を拡大して示している。ここに挙げられた液晶表示装置は、２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス方式であって、半透過反射型の液晶表示装置である。

図１において、液晶表示装置１は、液晶パネル２と、この液晶パネル２に実装された半導体要素としての駆動用ＩＣ３と、照明装置４とを有する。照明装置４は、観察側（すなわち、図の上側）から見て液晶パネル２の背面側に配設されてバックライトとして機能する。照明装置４は、液晶パネル２の観察側に配設してフロントライトとして機能させても良い。

照明装置４は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等といった点状光源や、冷陰極管等といった線状光源等によって構成された光源６と、透光性の樹脂によって形成された導光体７とを有する。観察側から見て導光体７の背面側には、必要に応じて、反射層８が設けられる。また、導光体７の観察側には、必要に応じて、拡散層９が設けられる。導光体７の光導入口７ａは図１の紙面垂直方向に延びており、光源６から発生した光はこの光導入口７ａを通して導光体７の内部へ導入される。

液晶パネル２は、素子基板１２と、それに対向するカラーフィルタ基板１１と、それらの基板を貼り合わせている矢印Ａ方向から見て正方形または長方形の枠状のシール材１３とを有する。カラーフィルタ基板１１と、素子基板１２と、シール材１３によって囲まれる間隙、いわゆるセルギャップＧ（図２参照）内に電気光学物質としての液晶１４が封入されて液晶層を構成している。

カラーフィルタ基板１１は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第１基材１６ａを有し、その第１基材１６ａの内側表面には、凹凸すなわち凹部と非凹部との組み合わせを有する樹脂層１７が形成され、その上に反射層１８が形成され、その上に複数の着色要素１９およびそれらを取り囲む遮光部材２１が形成され、その上にオーバーコート層２２が形成され、その上に紙面垂直方向へ直線的に延びる複数の電極２３ａが形成され、さらに、その上に配向膜２４ａが形成される。

配向膜２４ａには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板１１の近傍の液晶分子の配向が決められる。また、第１基材１６ａの外側表面には、位相差板２６ａ及び偏光板２７ａが貼着等によって装着される。第１基材１６ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。

図２において、樹脂層１７は、第１層１７ａ及び第２層１７ｂから成る２層構造によって形成されており、第２層１７ｂの表面には、細かい凹凸、すなわち細かい凹部及び非凹部が形成されている。反射層１８は、例えば、Ａｌ、Ａｌ合金等によって形成される。この反射層１８の表面は、その下地層である樹脂層１７に着けられた凹凸に対応して凹凸形状となっている。この凹凸形状により、反射層１８で反射する光は拡散する。

着色要素１９は、例えば、１つ１つが長方形のドット状に形成され、１つの着色要素１９は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色のいずれか１つを呈する。これら各色の着色要素１９は、矢印Ａ方向から見てストライプ配列、デルタ配列、モザイク配列、その他適宜の配列となるように並べられている。なお、着色要素１９は、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色によって形成することもできる。

遮光部材２１は、例えばＣｒ（クロム）等といった遮光性の材料によって、複数の着色要素１９の間を埋める状態に形成される。この遮光部材２１は、ブラックマトリクスとして機能して着色要素１９を透過した光によって表示される像のコントラストを向上させる。なお、遮光部材２１は、Ｃｒ等といった特定の材料によって形成されることに限られず、例えば、着色要素１９を構成するＲ，Ｇ，Ｂの各着色要素を重ねること、すなわち積層することによっても形成することができる。

オーバーコート層２２は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性の樹脂によって形成される。図２の紙面垂直方向に線状に延びる複数の電極２３ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等といった金属酸化物によって形成される。また、その上に形成された配向膜２４ａは、例えばポリイミド等によって形成される。

図１において、カラーフィルタ基板１１に対向する素子基板１２は第２基材１６ｂを有する。この第２基材１６ｂは、張出し部２９が形成される１辺が第１基材１６ａの外側へ張り出している。この第２基材１６ｂの内側表面には、図２に示すように、ライン配線３３が形成され、スイッチング素子として機能する非線形抵抗素子である複数のＴＦＤ素子３１がそのライン配線３３に接続して形成される。そしてさらに、それらのＴＦＤ素子３１に接続するように複数のドット電極２３ｂが形成される。ライン配線３３は、カラーフィルタ基板１１上の線状電極２３ａに対して直角方向、すなわち図２の左右方向に延びている。

各ドット電極２３ｂの間に複数のフォトスペーサ１５が形成され、それらの上に配向膜２４ｂが形成される。これらのフォトスペーサ１５は、例えば、感光性樹脂をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。フォトスペーサ１５は、立った状態の円柱形状に形成されており、セルギャップＧが均一な寸法を維持するように機能する。フォトスペーサ１５はギャップ材と呼ばれることがある。配向膜２４ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板１２の近傍の液晶分子の配向が決められる。図１において、第２基材１６ｂの外側表面には、位相差板２６ｂ及び偏光板２７ｂが貼着等によって装着される。

第２基材１６ｂは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。また、ドット電極２３ｂはＩＴＯ等といった金属酸化物によって形成される。また、配向膜２４ｂは、例えばポリイミド等によって形成される。

個々のＴＦＤ素子３１は、カラーフィルタ基板１１側の遮光部材２１に対応する位置に設けられ、さらに、図３に示すように、第１ＴＦＤ要素３２ａと第２ＴＦＤ要素３２ｂとを直列に接続することによって形成されている。

図３において、ＴＦＤ素子３１は、例えば、次のようにして形成される。すなわち、まず、例えばＴａＷ（タンタルタングステン）によってライン配線３３の第１層４２及びＴＦＤ素子３１の第１金属３６を形成する。次に、陽極酸化処理によってライン配線３３の第２層４３及びＴＦＤ素子３１の絶縁膜３７を形成する。次に、例えばＣｒによってライン配線３３の第３層４１及びＴＦＤ素子３１の第２金属３８を形成する。

第１ＴＦＤ要素３２ａの第２金属３８はライン配線３３の第３層４１から延びている。また、第２ＴＦＤ要素３２ｂの第２金属３８の先端に重なるように、ドット電極２３ｂが形成される。ライン配線３３からドット電極２３ｂへ向けて電気信号が流れることを考えれば、その電流方向に従って、第１ＴＦＤ要素３２ａでは第２電極３８→絶縁膜３７→第１金属３６の順に電気信号が流れ、一方、第２ＴＦＤ要素３２ｂでは第１金属３６→絶縁膜３７→第２金属３８の順に電気信号が流れる。

つまり、第１ＴＦＤ要素３２ａと第２ＴＦＤ要素３２ｂとの間では電気的に逆向きの一対のＴＦＤ要素が互いに直列に接続されている。このような構造は、一般に、バック・ツー・バック（Back-to-Back）構造と呼ばれており、この構造のＴＦＤ素子は、ＴＦＤ素子を１個のＴＦＤ要素だけによって構成する場合に比べて、安定した特性を得られることが知られている。なお、第１金属３６等の第２基材１６ｂからの剥れを防止したり、第２基材１６ｂから第１金属３６等へ不純物が拡散しないようにする等のために、ＴＦＤ素子３１と基材１６ｂとの間及びライン配線３３と基材１６ｂとの間に下地層（図示せず）を設けることもできる。

図４は、図１の液晶表示装置１を矢印Ａ方向から見た場合であって、第２基材１６ｂの図示を省略した状態の液晶表示装置１の平面構造を示している。また、図５は、図１の素子基板１２を矢印Ａ方向から見た場合であって、第２基材１６ｂの図示を省略した状態の素子基板１２の平面構造を示している。また、図６は、図１のカラーフィルタ基板１１を矢印Ａ方向から見た場合のそのカラーフィルタ基板１１の平面構造を示している。なお、図４、図５および図６は、主に電極及び配線を示しており、それ以外の要素は図示を省略している。

図５に示すように、素子基板１２に設けられる複数の直線状のライン配線３３は全体としてストライプ状に設けられている。また、複数のＴＦＤ素子３１は個々のライン配線３３に適宜の間隔をおいて接続され、それらのＴＦＤ素子３１にドット電極２３ｂが接続されている。図５では、ライン配線３３を少ない本数で模式的に描いてあるが、実際には多数本、例えば２４０本程度が形成される。また、ＴＦＤ素子３１及びドット電極２３ｂはシール材１３の四隅部分に対応するものだけを部分的に示してあるが、実際には、シール材１３によって囲まれる領域内の全域に設けられる。また、ＴＦＤ素子３１及びドット電極２３ｂは、模式的に大きく描かれているため、数が少ないように描かれているが、実際には図５の縦方向、すなわち上下方向の１列に、それぞれ、例えば３２０個程度形成されている。つまり、ドット電極２３ｂは、例えば、縦×横＝３２０×２４０個の数だけ設けられている。

図１において、素子基板１２に対向するカラーフィルタ基板１１に設けられる複数の線状電極２３ａは、図６に示すように、全体としてストライプ状に形成されている。これらの線状電極２３ａは、図４に示すように、カラーフィルタ基板１１と素子基板１２とをシール材１３によって貼り合わせたとき、ライン配線３３と直角の方向に延び、さらに、横列を成す複数のドット電極２３ｂに平面的に重なり合う。このように、線状電極２３ａとドット電極２３ｂとが重なり合う領域が、表示の最小単位である表示ドット領域を構成する。この表示ドット領域は図１および図２において符号Ｄで示す領域である。複数の表示ドット領域Ｄが縦方向及び横方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が表示領域Ｖである。この表示領域Ｖに文字、数字、図形等といった像が表示される。

本実施形態のように、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色から成る着色要素１９を用いてカラー表示を行う場合は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応する３つの着色要素１９に対応する３つの表示ドット領域Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の１色でモノカラー表示を行う場合は、１つの表示ドット領域Ｄによって１つの画素が形成される。

図５において、素子基板１２を構成する第２基材１６ｂの張出し部２９上に実装される駆動用ＩＣ３は、走査信号を出力する駆動用ＩＣ３ａと、データ信号を出力する駆動用ＩＣ３ｂとによって構成されている。第２基材１６ｂの第１辺１６ｃすなわち入力側の辺には外部接続用端子４４が形成され、これらの端子４４は駆動用ＩＣ３ａ及び３ｂの入力用端子、例えば入力用バンプにつながる。

外部接続端子４４には、図示しない配線基板、例えば可撓性配線基板が、ハンダ付け、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）、ヒートシール等といった導電接続手法によって接続される。この配線基板を介して、電子機器、例えば携帯電話機、携帯情報端末機から液晶表示装置１へ信号、電力等が供給される。

また、この第１辺１６ｃに隣接する２つの辺１６ｄ及び１６ｅの近傍に、それらの辺に沿って複数の配線４９が形成されている。これらの配線４９は、駆動用ＩＣ３ａの出力用端子、例えば出力用バンプからシール材１３を横切り、さらに、第１辺１６ｃに対向する第２辺１６ｆへ向かって延びている連続した配線である。また、素子基板１２上に形成されたライン配線３３は、シール材１３を横切って駆動用ＩＣ３ｂの出力端子、例えば出力バンプに接続される。

図２において、反射層１８には個々の表示ドット領域Ｄに対応して開口４６が設けられる。これらの開口４６は、矢印Ａの方向から平面的に見て長方形状に形成されている。個々の表示ドット領域Ｄの中で反射層１８が設けられた部分Ｒが反射部であり、開口４６が形成された部分Ｔが透過部である。観察側から入射した外部光、すなわち素子基板１２側から入射した外部光Ｌ０は、反射部Ｒで反射する。一方、図１の照明装置４の導光体７から出射した光Ｌ１は、透過部Ｔを透過する。

以下、本実施形態の液晶表示装置１について、その動作を説明する。図２において、太陽光、室内光等といった外部光が強い場合は、外部光Ｌ０が反射部Ｒで反射して液晶層１４へ供給される。これにより、反射型表示が行われる。一方、図１の照明装置４が点灯した場合は、導光体７から出射する平面状の光が、図２の透過部Ｔを通して液晶層１４へ供給される。これにより、透過型表示が行われる。このような反射型表示及び透過型表示を希望に応じて選択して実行することにより、半透過反射型の表示が行われる。

液晶層１４を挟持する線状電極２３ａ及びドット電極２３ｂの一方、本実施形態では線状電極２３ａに走査信号が印加される。一方、線状電極２３ａ及びドット電極２３ｂの他方、本実施形態ではドット電極２３ｂにデータ信号が印加される。走査信号とデータ信号が印加された表示ドット領域Ｄに付属するＴＦＤ素子３１はＯＮ状態となり、当該表示ドット領域Ｄにおける液晶分子の配向状態が該表示ドット領域Ｄを通過する光を変調するように維持される。そして、この変調された光が図１の偏光板２７ｂを通過するか、しないかによって、素子基板１２の外側に、文字、数字、図形等といった希望の像が表示される。外部光Ｌ０を用いて表示が行われる場合が反射型表示であり、透過光Ｌ１を用いて表示が行われる場合が透過型表示である。

本実施形態に係る液晶表示装置においては、図５において、配線４９は、シール材１３の内側に位置する部分である内側配線４９ｃと、シール材１３の外側に位置する部分である外側配線４９ｄとを有する。また、ライン配線３３も、シール材１３の内側に位置する部分である内側配線３３ｃと、シール材１３の外側に位置する部分である外側配線３３ｄとを有する。なお、シール材１３と重なる部分の配線は内側配線である。

外側配線３３ｄ、４９ｄと内側配線３３ｃ、４９ｃとは継ぎ目のない連続した１本の配線を形成している。仮に、外側配線と内側配線とが別々の配線であって、それらが導通材によって導電接続されるような構成を考えると、その導電接続部分において接続不良が発生する可能性がある。これに対し、外側配線と内側配線とが１本の配線となっていれば、そのような接続不良の心配がない。

図７（ａ）は、図５の配線４９におけるＢ−Ｂ線に沿った外側配線４９ｄのうちの１本の配線の断面を示している。この配線の断面構造は、ライン配線３３の外側配線３３ｄにおいても同じである。この外側配線３３ｄおよび４９ｄは、第２基材１６ｂの上に耐蝕性材料としてのＴａＷによって第１層４２を形成し、その上に絶縁材料としてのＴａＯｘ（酸化タンタル）によって第２層４３を形成した積層構造を有している。外側配線３３ｄおよび４９ｄは、シール材１３の外側に位置しているので、内側配線３３ｃおよび４９ｃに比べて水分やよごれが付着し易い。つまり、外側配線３３ｄおよび４９ｄは内側配線３３ｃおよび４９ｃに比べて腐蝕し易い環境下にある。

ところで、配線抵抗を下げることを念頭に置くと、配線の材料としては、低抵抗材料、例えばＣｒが好適に用いられる。しかし、Ｃｒは水分や汚れによって腐蝕を生じ易い。配線に腐蝕が生じた場合、配線の抵抗値が変化したり配線が断線したりすることにより、液晶表示装置の表示部に表示むらが生じるおそれがある。このことに関連して、本実施形態においては、外側配線３３ｄおよび４９ｄを耐蝕性材料であるＴａＷおよび同じく耐蝕性材料であるＴａＯｘの積層構造にした。これにより、外側配線３３ｄおよび４９ｄはＣｒ等といった低抵抗材料を用いた場合に比べて腐蝕し難くなる。

一方、図７（ｂ）は図５の配線４９におけるＣ−Ｃ線に沿った内側配線４９ｃのうちの１本の断面を示している。この配線の断面構造は、ライン配線３３の内側配線３３ｃにおいても同じである。この内側配線３３ｃおよび４９ｃは、外側配線と同じ積層構造、すなわち、第１層４２および第２層４３の上に、さらに低抵抗材料としてのＣｒによって第３層４１を形成した積層構造である。内側配線３３ｃおよび４９ｃは、シール材１３の内側にあるので水分や汚れの影響を受けない。そのため、内側配線３３ｃおよび４９ｃは、低抵抗材料であるＣｒを用いて配線を形成しても腐蝕し難い。そして、このようにＣｒを用いれば、内側配線３３ｃおよび４９ｃの、ひいては、配線４９全体の抵抗を低くすることができる。

上記内側配線３３ｃおよび４９ｃ、ならびに外側配線３３ｄおよび４９ｄは、素子基板１２上に図３のＴＦＤ素子３１を形成する際に同時に形成することができる。すなわち、図３において、ＴＦＤ素子３１の第１金属３６を形成するのと同時に第１層４２を形成し、ＴＦＤ素子３１の絶縁膜３７を形成するのと同時に第２層４３を形成する。さらに、ＴＦＤ素子３１の第２金属３８を形成するのと同時に第３層４１を形成することができる。

図４において、シール材１３の内部には、球形又は円筒形の導通材５４が不規則な分散状態で含まれている。図５に示す素子基板１２と図６に示すカラーフィルタ基板１１とを図４に示すように貼り合わせたとき、矢印Ｅに示す部分において、素子基板１２側の導通パッド部と、カラーフィルタ基板１１側の線状電極２３ａの端部とが導通材５４によって導通される。これにより、カラーフィルタ基板１１側の電極２３ａが素子基板１２側の配線４９を通して駆動用ＩＣ３ａに電気的に接続される。

なお、線状電極２３ａと配線４９との導通は、図４の左辺側と右辺側との間で交互に実現されている。しかしながら、これに代えて、表示領域Ｖの上半分に関しては左辺側又は右辺側の一方で導通を行い、表示領域Ｖの下半分に関しては左辺側又は右辺側の他方で導通を行うという駆動方法を採用することもできる。

図８は、図１における素子基板１２の張出し部２９周辺を拡大して示している。図５に示すように、シール材１３の外側には外側配線３３ｄおよび４９ｄが複数本配設されている。それぞれの配線の端部には、図１６に示すようにＩＣ接続用端子４７が形成されている。これらのＩＣ接続用端子４７は、素子基板１２の張出し部２９上において、駆動用ＩＣ３に、例えば、導電接合材としてのＡＣＦ５３によって接続される。

ＡＣＦ５３は、熱硬化性樹脂又は紫外線硬化性樹脂の内部に導電粒子を分散することによって形成されている。駆動用ＩＣ３の本体部分は熱硬化性樹脂等によって基板の張出し部２９上に固着される。また、駆動用ＩＣ３の出力バンプとＩＣ接続用端子４７とが、さらには、駆動用ＩＣ３の入力バンプと外部接続用端子４４とが、ＡＣＦ５３に含まれる導電粒子によって導電接続される。

本実施形態においては、図５において、シール材１３の内側に配設される内側配線３３ｃおよび４９ｃに関しては、水分による腐蝕、および異物の付着による短絡のおそれはほとんどない。一方、シール材１３の外側に配設される外側配線３３ｄおよび４９ｄに関しては、耐蝕性材料を用いて配線を形成したので、水分による腐蝕のおそれはない。しかしながら、配線上に異物が付着することによる配線間の短絡が生じるおそれがある。従来、上記のような異物の付着による配線間の短絡が生じる問題に対しては、以下のような対策がとられていた。

すなわち、図１６に示すように、シール材１３の外側に位置する素子基板１２の張出し部２９の全体に、外側配線３３ｄおよび４９ｄ、ならびに駆動用ＩＣ３ａおよび３ｂを覆うようにモールド材５６が設けられる。このモールド材５６には、例えばシリコーン樹脂が用いられる。この構造によれば、外部からの異物が配線上に付着することを防ぐことができ、配線間において短絡が発生することを防ぐことができる。しかしながら、この従来の構造では、駆動用ＩＣ３を素子基板１２上に実装するときには外側配線３３ｄおよび４９ｄは外部に露出している状態にあり、駆動用ＩＣ３の実装工程において配線に異物が付着するおそれがある。

図８に示すように、本実施形態における基板張出し部２９上の配線被覆構造は、図１６のモールド材５６に代えてカバー材５５を設けた。このカバー材５５は、外側配線３３ｄおよび４９ｄ上であり、ＡＣＦ５３より素子基板１２に近い位置に、ＡＣＦ５３にもぐり込むように設けてある。具体的には、図８に示すように、カバー材５５は外側配線３３ｄおよび４９ｄとＡＣＦ５３との間の位置に配設される。このとき、ＡＣＦ５３はカバー材５５の片側の一部を隙間なく覆うように形成される。これにより、外側配線３３ｄおよび４９ｄを確実にカバーできる。また、カバー材５５の他方側にシール材１３が設けられる。このシール材１３も、カバー材５５の一部を隙間なく覆うように設けられる。これにより、外側配線３３ｄおよび４９ｄを確実にカバーできる。

この構造によれば、駆動用ＩＣ３をＡＣＦ５３を用いて素子基板１２に実装するときには、外側配線３３ｄおよび４９ｄは既にカバー材５５によって覆われている。従って、駆動用ＩＣ３の実装工程において外側配線３３ｄおよび４９ｄに異物が付着するのを防ぐことができる。

なお、本実施形態において、カバー材５５は、図１に示すフォトスペーサ１５と同じ材料を用いて形成することができる。こうすれば、カバー材５５はフォトスペーサ１５を形成するときに同時に形成することができるので、新たに製造工程を増やす必要が無い。

このフォトスペーサ１５には、感光性樹脂であるアクリル系材料を用いる。そして、フォトスペーサ１５は、そのアクリル系材料をフォトリソグラフィ処理を用いてパターニングすることによって形成する。そのため、フォトスペーサ１５はエッチング処理を必要としないので容易に形成することができる。従って、カバー材５５に関しても、フォトスペーサ１５と同じ工程によって形成するので、フォトリソグラフィ処理により容易に形成することができる。

また、フォトスペーサ１５およびカバー材５５に用いられる材料は、主にアクリル系材料である。このアクリル系材料は耐蝕性が無い場合が殆どであり、さらに吸湿性の材料である場合も考えられる。これらの材料を用いたカバー材５５によって覆われた外側配線３３ｄおよび４９ｄは、カバー材５５に含まれる水分によって腐蝕するおそれがある。しかしながら、本実施形態における外側配線３３ｄおよび４９ｄは、耐蝕性材料によって形成するようにした。これにより、仮にカバー材５５に水分が含まれていたとしても、外側配線３３ｄおよび４９ｄの腐蝕を防ぐことができる。

（電気光学装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の他の実施形態を説明する。本実施形態においても、図１の液晶表示装置１に本発明を適用するものとする。従って、本実施形態において、第１実施形態と同じ要素は同じ符号を付して示すことにして、その説明は省略する。

図９は、本実施形態で用いるＴＦＤ素子およびドット電極を示している。第１実施形態においては、図３に示すように、ＴＦＤ素子３１とドット電極２３ｂは離れた位置に配設し、第２ＴＦＤ素子３２ｂから延びる第２金属３８の先端に重なるように、ドット電極２３ｂを形成している。本実施形態においては、図９に示すように、ＴＦＤ素子３１の上にアクリル系材料から成るオーバーコート層５７を形成し、さらにその上にドット電極２３ｂを形成する。オーバーコート層５７には、例えば、フォトリソグラフィ処理によってコンタクトホール６２を形成する。このコンタクトホール６２において、第２金属３８とドット電極２３ｂとを導通させている。

上記のように、本実施形態においてはドット電極２３ｂの下にオーバーコート層５７を設けることにより、ドット電極２３ｂの層とＴＦＤ素子３１の層とを別の層に分けて形成した。この構造は、図３に示すようにドット電極２３ｂとＴＦＤ素子３１とを同じ層に形成する構造に比べて、素子基板１２上の表面を有効に活用できる。つまり、ドット電極２３ｂの面積、すなわち画素面積を大きくすることができるので、液晶表示装置１によってより精細な表示ができる。

本実施形態は以上のように構成されるので、図８に示すカバー材５５を図９に示す電極２３ｂ下のオーバーコート層５７と同じ材料を用いて形成することができる。従って、カバー材５５は電極２３ｂの下のオーバーコート層５７を形成するときに同時に形成することができるので、その場合には新たに製造工程を増やす必要が無い。

このオーバーコート層５７は、感光性樹脂をフォトリソグラフィ処理を用いてパターニングすることによって形成する。そのため、エッチング処理を必要としないので容易に形成することができる。従って、カバー材５５をオーバーコート層５７と同じ工程で形成する場合には、フォトリソグラフィ処理だけにより容易に形成することができる。

また、電極下のオーバーコート層５７およびカバー材５５に用いられる材料は、主にアクリル系材料である。このアクリル系材料は耐蝕性が無い場合が殆どであり、さらに吸湿性の材料である場合も考えられる。これらの材料を用いたカバー材５５によって覆われた外側配線３３ｄおよび４９ｄは、カバー材５５に含まれる水分によって腐蝕するおそれがある。しかしながら、本実施形態にいても外側配線３３ｄおよび４９ｄは、耐蝕性材料によって形成でき、こうすれば、仮にカバー材５５に水分が含まれていたとしても、外側配線３３ｄおよび４９ｄの腐蝕を防ぐことができる。

（その他の実施形態）
上記それぞれの実施形態では、外側配線３３ｄおよび４９ｄをカバーするカバー材５５の材料に、図２に示すフォトスペーサ１５、または図９に示すドット電極２３ｂ下のオーバーコート層５７と同じ材料を用いて形成した。しかしながら、カバー材５５は、それらに代えて、図２に示すカラーフィルタ基板１１において着色要素１９の上に設けたオーバーコート層２２と同じ材料を用いて形成することもできる。

上記それぞれの実施形態では、ＴＦＤ素子を用いた液晶表示装置に本発明を適用したが、本発明は、ＴＦＤ素子以外の２端子型スイッチング素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置にも適用できる。また、本発明は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等といった３端子型スイッチング素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置にも適用できる。また、本発明は、スイッチング素子を用いない単純マトリクス方式の液晶表示装置にも適用できる。

また、本発明は、液晶表示装置以外の電気光学装置、例えば、有機ＥＬ装置、無機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置（ＰＤＰ：Plasma Display）、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）、フィールドエミッションディスプレイ装置（ＦＥＤ：Field Emission Display：電界放出表示装置）にも適用できる。

（電気光学装置の製造方法の第１実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を図１に示した液晶表示装置１を製造する場合を例に挙げて説明する。図１０は、液晶表示装置の製造方法の一実施形態を工程図として示している。図１０において、工程Ｐ１から工程Ｐ６が図１の素子基板１２を形成するための工程である。また、工程Ｐ１１から工程Ｐ１８が図１のカラーフィルタ基板１１を形成するための工程である。また、工程Ｐ２１から工程Ｐ２８がそれらの基板を組み合わせて液晶表示装置を完成させるための工程である。

なお、本実施形態の製造方法では、図１に示す素子基板１２およびカラーフィルタ基板１１を１つずつ形成するのではなく、素子基板１２に関しては、複数の素子基板１２を形成できる大きさの面積を有する素子側マザー基材を用いて複数の素子基板１２を同時に形成する。また、カラーフィルタ基板１１に関しては、複数のカラーフィルタ基板１１を形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー基材を用いて複数のカラーフィルタ基板１１を同時に形成する。素子側マザー基材およびカラーフィルタ側マザー基材は、例えば、透光性ガラス、透光性プラスチック等によって形成される。

まず、図１０の工程Ｐ１において、素子側マザー基材の表面に図３のＴＦＤ素子３１、図５の配線３３および配線４９を形成する。なお、配線３３および配線４９の第１層４２は、ＴＦＤ素子３１の第１金属３６と同時に、例えばＴａＷによって形成する。また、配線３３および配線４９の第２層４３は、陽極酸化処理によってＴＦＤ素子３１の絶縁膜３７と同時に形成する。また、内側配線３３ｃおよび内側配線４９ｃの第３層４１は、ＴＦＤ素子３１の第２金属３８と同時に、例えばＣｒによって形成する。

次に、工程Ｐ２において、図３の電極２３ｂをＴＦＤ素子３１の第２金属３８に重なるように、例えばＩＴＯによって形成する。次に、工程Ｐ３において、図２のフォトスペーサ１５をフォトリソグラフィ処理によって形成する。また同時に、図８のカバー材５５を形成する。なお、フォトスペーサ１５は図２の表示用ドット領域Ｄ以外の領域に形成することが望ましい。また、カバー材５５は図５に示すように、外側配線３３ｄおよび４９ｄの全てを覆うように形成することが望ましい。

カバー材５５は、例えばアクリル系樹脂によって形成できる。アクリル系樹脂に対する焼成の温度は２５０℃以下であることが望ましい。カバー材５５を焼成するためには素子基板１２を高温の雰囲気中にさらす必要がある。こうした場合、素子基板１２上に形成したＴＦＤ素子３１が高温によって劣化して、オフ状態のときに絶縁性を保つことができなくなくなるおそれがある。カバー材の焼成温度が２５０℃以下であれば、ＴＦＤ素子３１の特性が劣化することを防止できる。

また、カバー材５５の厚さは３〜１０μｍであることが望ましい。その理由は、３μｍ未満であると、仮にカバー材５５の上に異物が載った場合、カバー材５５が薄すぎて配線間の短絡を防止できないおそれがあるからである。また、１０μｍを超えると、駆動用ＩＣ３のバンプの高さに対してカバー材５５の厚さが厚すぎてしまうため、素子基板１２の張出し部２９上に駆動用ＩＣ３を実装する際、素子基板１２と駆動用ＩＣ３との間において導通不良が発生するおそれがあるからである。カバー材５５の厚さを３〜１０μｍに形成すれば、素子基板１２と駆動用ＩＣ３との間において導通不良が発生せず、且つ外側配線３３ｄおよび４９ｄにおける配線間の短絡を確実に防止できる。

この工程Ｐ３において、図５の外側配線３３ｄおよび４９ｄの上にカバー材５５を形成するようにしたので、外側配線３３ｄおよび４９ｄ上に異物が付着することを防ぐことができる。こうすれば、配線間の短絡が生じることを防止できる。また、カバー材５５は図２のフォトスペーサ１５と同時に形成するようにしたので、新たに製造工程を増やすことなくカバー材５５を設けることができる。

さらに工程Ｐ４において、配向膜２４ｂを塗布や印刷等によって形成し、工程Ｐ５において、その配向膜２６ｂに配向処理、例えばラビング処理を施す。次に、工程Ｐ６において、例えばエポキシ系の樹脂を材料として印刷等によって図１のシール材１３を形成する。以上により、素子側マザー基材の上に複数の素子基板１２が形成されて素子側マザー基板が形成される。

次に図１０の工程Ｐ１１において、カラーフィルタ側マザー基材の表面上に図２の樹脂層１７の第１層１７ａを、例えば感光性レジスト材料を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。この処理の際に、ランダムに分散した多数の凹凸によって形成される凹凸パターンが第１層１７ａの表面に形成される。

その後、図２において、第１層１７ａの上に同じ材料の第２層１７ｂを薄く塗布して、樹脂層１７を形成する。第２層１７ｂを積層するのは、凹部または凸部の表面を滑らかにするためである。次に、図１０の工程Ｐ１２において、図２の反射膜１８を、例えばＡｌやＡｌ合金等を材料としてフォトリソグラフィ処理およびエッチング処理によって形成する。このとき、表示用ドット領域Ｄごとに開口４６を形成することにより、光反射部Ｒと透光部Ｔを形成する。樹脂層１７の表面には凹凸パターンが形成されているので、その上に積層された反射膜１８に光が当たって反射する場合には、その反射光は散乱光となる。

次に、工程Ｐ１３において、図２の遮光部材２１を、例えばＣｒを材料としてフォトリソグラフィ処理およびエッチング処理によって所定のパターン（例えば、複数の表示用ドット領域Ｄの周りを埋めるような格子状パターン）に形成する。次に、工程Ｐ１４において、図２の着色要素１９を形成する。着色要素１９については、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色ごとに順々に形成する。例えば、各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料をフォトリソグラフィ処理によって所定の配列に形成する。次に、工程Ｐ１５において、図２のオーバーコート層２２を、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。

次に、図１０の工程Ｐ１６において、図２の線状電極２３ａをＩＴＯを材料としてフォトリソグラフィ処理およびエッチング処理によって形成し、さらに工程Ｐ１７において図２の配向膜２４ａを形成し、さらに工程Ｐ１８において、配向処理としてのラビング処理を行う。以上により、カラーフィルタ側マザー基材の上に複数のカラーフィルタ基板１１が形成されてカラーフィルタ側マザー基板が形成される。

その後、図１０の工程Ｐ２１において、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とを貼り合わせる。これにより、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とが個々の液晶表示装置の領域において図１のシール材１３を挟んで貼り合わされた構造の大面積のパネル構造体が形成される。

次に、以上のようにして形成された大面積のパネル構造体に含まれるシール材１３を、工程Ｐ２２において硬化させて両マザー基板を接着する。次に、工程Ｐ２３において、パネル構造体を１次切断、すなわち１次ブレイクして、図１の液晶パネル２の複数が１列に並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を複数形成する。シール材１３には予め適所に開口が形成されており、上記の１次ブレイクによって短冊状のパネル構造体が形成されると、そのシール材１３の開口が外部に露出する。

次に、図１０の工程Ｐ２４において、上記のシール材１３の開口を通して各液晶パネル部分の内部へ液晶を注入し、その注入の完了後、その開口を樹脂によって封止する。次に工程Ｐ２５において、２回目の切断、すなわち２次ブレイクを行い、短冊状のパネル構造体から図１に示す個々の液晶パネル２を切り出す。

次に、図１０の工程Ｐ２６において、図１の駆動用ＩＣ３を実装する。このとき、図５の外側配線３３ｄおよび４９ｄの上には、図１０の工程Ｐ２において形成されたカバー材５５が載っている。従って、工程Ｐ２６において駆動用ＩＣ３を実装する際には、上記のカバー材５５の働きにより、外側配線３３ｄおよび４９ｄ上に異物が付着することを防止できる。

次に、工程Ｐ２７において、図１の液晶パネル２に偏光板２７ａおよび２７ｂを貼着によって装着する。さらに工程Ｐ２８において、図１の照明装置４を取り付ける。これにより、液晶表示装置１が完成する。

以上のように、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法においては、図１０の工程Ｐ３において、図８に示したように、外側配線３３ｄおよび４９ｄ上にカバー材５５をフォトリソグラフィ処理によって形成した。これにより、外側配線３３ｄおよび４９ｄ上に異物が付着することを防止できるので、外側配線３３ｄおよび４９ｄにおける配線間に短絡が生じることを防止できる。

また、このカバー材５５の形成工程Ｐ３は、駆動用ＩＣ３を素子基板１２上に実装する工程Ｐ２６より前に行われる。従って、駆動用ＩＣ３を実装する際には外側配線３３ｄおよび４９ｄ上にカバー材５５が既に形成されている。これにより、工程Ｐ２６において駆動用ＩＣ３を実装する際に、異物が外側配線３３ｄおよび４９ｄ上に付着することを防止できる。さらに、カバー材５５の形成工程は、図１０の工程Ｐ３でフォトスペーサ１５（図２参照）を形成するときに同時に行う。従って、新たに製造工程を増やすことなくカバー材５５を形成することができる。

（電気光学装置の製造方法の第２実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の実施形態を説明する。本実施形態では、図９に示す構造のドット電極２３ｂを有する電気光学装置を製造するものとする。また、この電気光学装置における電極２３ｂ以外の構成は図１に示した電気光学装置と同じであるとする。

図１１は、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を工程図として示している。図１１において、工程Ｐ３１から工程Ｐ３７が図１の素子基板１２を形成するための工程である。また、工程Ｐ１１から工程Ｐ１８が図１のカラーフィルタ基板１１を形成するための工程である。また、工程Ｐ２１から工程Ｐ２８がそれらの基板を組み合わせて液晶表示装置を完成させるための工程である。

工程Ｐ１１から工程Ｐ１８に至るカラーフィルタ基板の形成工程は、図１０に示した先の実施形態の場合と同じであるので、これらの工程に関する説明は省略する。また、工程Ｐ２１から工程Ｐ２８に至る工程も図１０に示した先の実施形態の場合と同じであるので、これらの工程に関する説明も省略する。

まず、図１１の工程Ｐ３１において、図３のＴＦＤ素子３１、図５の配線３３および配線４９を形成する。なお、配線３３および配線４９の第１層４２は、ＴＦＤ素子３１の第１金属３６と同時に、例えばＴａＷによって形成する。また、配線３３および配線４９の第２層４３は、陽極酸化処理によってＴＦＤ素子３１の絶縁膜３７と同時に形成する。また、内側配線３３ｃおよび内側配線４９ｃの第３層４１は、ＴＦＤ素子３１の第２金属３８と同時に、例えばＣｒによって形成する。

次に、工程Ｐ３２において、図９のオーバーコート層５７を、例えば感光性樹脂であるアクリル樹脂によって基材１６ｂ上に形成し、同時に、図１のカバー材５５を同じ材料によって形成する。このとき、オーバーコート層５７の適所にコンタクトホール６２も形成される。次に、工程Ｐ３３において、図９の電極２３ｂをＩＴＯによって形成する。このとき、コンタクトホール６２において電極２３ｂとＴＦＤ素子３１の第２電極３８との導通がとられる。

次に、工程Ｐ３４において図１のフォトスペーサ１５が形成され、さらに工程Ｐ３５において図１の配向膜２４ｂが形成される。次に、工程Ｐ３６において、配向膜２４ｂにラビング処理が施され、さらに工程Ｐ３７において、図１のシール材１３が形成される。以上により、素子側マザー基材の上に複数の素子基板１２が形成されて素子側マザー基板が形成される。

以上のように、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法においては、図８に示したように、外側配線３３ｄおよび４９ｄ上にカバー材５５をフォトリソグラフィ処理によって形成した。これにより、外側配線３３ｄおよび４９ｄ上に異物が付着することを防止できるので、外側配線３３ｄおよび４９ｄにおける配線間に短絡が生じることを防止できる。

また、このカバー材５５の形成工程Ｐ３２は、駆動用ＩＣ３を素子基板１２上に実装する工程Ｐ２６より前に行われる。従って、駆動用ＩＣ３を実装する際には外側配線３３ｄおよび４９ｄ上にカバー材５５が既に形成されている。これにより、工程Ｐ２６において駆動用ＩＣ３を実装する際に、異物が外側配線３３ｄおよび４９ｄ上に付着することを防止できる。さらに、図１１の工程Ｐ３２におけるカバー材５５を形成する工程は、図９のＴＦＤ素子３１の上にオーバーコート層５７を形成するときに同時に行う。従って、新たに製造工程を増やすことなくカバー材５５を形成することができる。

（電気光学装置の製造方法の第３実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法のさらに他の実施形態を説明する。本実施形態においても、図１の液晶表示装置１を製造するものとする。図１２は、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を工程図として示している。図１２において、工程Ｐ４１から工程Ｐ４７が図１の素子基板１２を形成するための工程である。また、工程Ｐ１１から工程Ｐ１８が図１のカラーフィルタ基板１１を形成するための工程である。また、工程Ｐ２１から工程Ｐ２８がそれらの基板を組み合わせて液晶表示装置を完成させるための工程である。

なお、工程１１から工程Ｐ１８に至るカラーフィルタ基板の形成工程は、図１０に示した先の実施形態の場合と同じであるので、これらの工程に関する説明は省略する。また、工程Ｐ２１から工程Ｐ２８に至る工程も図１０に示した先の実施形態の場合と同じであるので、これらの工程に関する説明も省略する。

図１２において、工程Ｐ４１および工程Ｐ４２おいては、図１０の工程Ｐ１および工程Ｐ２と同じ処理を行う。また、図１２の工程Ｐ４５から工程Ｐ４７においては、図１０の工程Ｐ４から工程Ｐ６と同じ処理を行う。図１０の実施形態では、工程Ｐ３においてのフォトスペーサ１５とのカバー材５５を同時に形成した。これに対し本実施形態では、図１２の工程Ｐ４３および工程Ｐ４４において、フォトスペーサ１５とカバー材５５を別々に形成する。

さらに、カバー材５５は工程Ｐ１５のオーバーコート層と同じ材料によって形成する。具体的には、図５の素子基板１２の張出し部２９上に感光性樹脂材料を塗布して一様な厚さの膜を成膜する。この感光性樹脂材料は、図１２の工程Ｐ１５において形成するオーバーコート層２２（図２参照）と同じアクリル樹脂を用いる。これにより、材料のコストを減らすことができる。

次に、フォトリソグラフィ処理により不要なアクリル樹脂を除去し、図８に示すように外側配線３３ｄおよび４９ｄの上にカバー材５５を形成する。これにより、外側配線３３ｄおよび４９ｄ上に異物が付着することを防止できるので、外側配線３３ｄおよび４９ｄにおける配線間に短絡が生じることを防止できる。

また、このカバー材５５の形成工程Ｐ４４は、駆動用ＩＣ３を素子基板１２上に実装する工程Ｐ２６より前に行われる。従って、駆動用ＩＣ３を実装する際には外側配線３３ｄおよび４９ｄ上にカバー材５５が既に形成されている。これにより、工程Ｐ２６において駆動用ＩＣ３を実装する際に、異物が外側配線３３ｄおよび４９ｄ上に付着することを防止できる。

（電子機器の実施形態）
次に、本発明に係る電子機器の実施形態を図面を用いて説明する。図１３は、本発明に係る電子機器の一実施形態のブロック図を示している。ここに示す電子機器は、液晶表示装置１と、これを制御する制御回路８０とを有する。液晶表示装置１は、液晶パネル８１と、半導体ＩＣ等で構成される駆動回路８２とを有する。この液晶表示装置１は、図１に示した液晶表示装置１によって構成される。また、制御回路８０は、表示情報出力源８３と、表示情報処理回路８４と、電源回路８６と、タイミングジェネレータ８７とを有する。

表示情報出力源８３は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等から成るメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等から成るストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを有する。この表示情報出力源８３は、タイミングジェネレータ８７によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路８４に供給する。

表示情報処理回路８４は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路８２へ供給する。駆動回路８２は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路８６は、上記の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。

図１４は、本発明を電子機器の一例である携帯電話機に適用した場合の一実施形態を示している。ここに示す携帯電話機７０は、本体部７１と、これに開閉可能に設けられた表示体部７２とを有する。液晶表示装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置７３は、表示体部７２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部７２にて表示画面７４によって視認できる。本実施形態では、表示装置７３を図１の液晶表示装置１によって構成する。本体部７１には操作ボタン７６が配列されている。

表示体部７２の一端部にはアンテナ７７が伸縮自在に取付けられている。表示体部７２の上部に設けられた受話部７８の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部７１の下端部に設けられた送話部７９の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置７３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部７１又は表示体部７２の内部に格納される。

図１５は、電子機器の他の一例である携帯情報機器に本発明を適用した場合の実施形態を示している。ここに示す携帯情報機器９０は、タッチパネルを備えた情報機器であり、電気光学装置としての液晶表示装置９１を搭載している。この液晶表示装置９１は図１の液晶表示装置１によって構成される。この情報機器９０は、液晶表示装置９１の表示面によって構成される表示領域Ｖと、その表示領域Ｖの下方に位置する第１入力領域Ｗ１とを有する。第１入力領域Ｗ１には入力用シート９２が配置されている。

液晶表示装置９１は、長方形状又は正方形状の液晶パネルと、同じく長方形状又は正方形状のタッチパネルとが平面的に重なり合う構造を有する。タッチパネルは入力用パネルとして機能する。タッチパネルは、液晶パネルよりも大きく、この液晶パネルの一端部から突き出した形状となっている。

表示領域Ｖ及び第１入力領域Ｗ１にはタッチパネルが配置されており、表示領域Ｖに対応する領域も、第１入力領域Ｗ１と同様に入力操作可能な第２入力領域Ｗ２として機能する。タッチパネルは、液晶パネル側に位置する第２面とこれと対向する第１面とを有しており、第１面の第１入力領域Ｗ１に相当する位置に入力用シート９２が貼られている。

入力用シート９２にはアイコン９３及び手書き文字認識領域Ｗ３を識別するための枠が印刷されている。第１入力領域Ｗ１においては、入力用シート９２を介してタッチパネルの第１面に指やペン等といった入力器具で荷重をかけることにより、アイコン９３の選択や文字認識領域Ｗ３での文字入力等といったデータ入力を行うことができる。

一方、第２入力領域Ｗ２においては、液晶パネルの像を観察することができるほか、液晶パネルに例えば入力モード画面を表示させ、タッチパネルの第１面に指やペンで荷重をかけることにより、その入力モード画面内の適宜の位置を指定することができ、これにより、データ入力等を行うことができる。

（変形例）
本発明に係る電子機器としては、以上に説明した携帯電話機や携帯情報機器の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、デジタルスチルカメラ、腕時計、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、その他各種の機器が考えられる。

本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置を示す断面図である。 図１の要部を拡大して示す断面図である。 図１の装置で用いられるスイッチング素子の一例を示す斜視図である。 図１の矢印Ａに従った液晶表示装置の平面図である。 図１の矢印Ａに従って素子基板を示す平面図である。 図１の矢印Ａに従ってカラーフィルタ基板を示す平面図である。 （ａ）は図５のＢ−Ｂ線に従った断面図であり、（ｂ）は図５のＣ−Ｃ線に従った断面図である。 図１の基板張出し部を拡大して示す断面図である。 本発明に係る電気光学装置の他の実施形態の主要部であるスイッチング素子の近傍の断面図である。 本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。 本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。 本発明に係る電気光学装置の製造方法のさらに他の実施形態を示す工程図である。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。 本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す斜視図である。 本発明に係る電子機器のさらに他の実施形態を示す斜視図である。 従来の電気光学装置の一例の要部を示す断面図である。

符号の説明

１．液晶表示装置（電気光学装置）、 ２．液晶パネル、
３ａ，３ｂ．駆動用ＩＣ（半導体要素）、 ４．照明装置、 ６．光源、 ７．導光体、 １１．カラーフィルタ基板、 １２．素子基板、 １３．シール材、１４．液晶、
１５．フォトスペーサ、 １６ａ、１６ｂ．基材 １７ａ、１７ｂ．樹脂層、
１８．反射層 １９．着色要素、 ２１．遮光部材 ２２．オーバーコート層、
２３ａ．線状電極、 ２３ｂ．ドット電極、 ２４ａ，２４ｂ．配向膜、
２６ａ，２６ｂ．位相差板、 ２７ａ，２７ｂ．偏光板、 ２９．張出し部、
３１．ＴＦＤ素子、３３．ライン配線、 ３３ｃ．ライン配線の内側配線、
３３ｄ．ライン配線の外側配線、 ３６．第１金属、 ３７．絶縁膜、
３８．第２金属、 ４９、配線、 ４９ｃ．内側配線、 ４９ｄ．外側配線、
４１．第３層、 ４２．第１層、 ４３．第２層、 ４４．外部接続用端子、
４７．ＩＣ接続用端子、 ５３．ＡＣＦ（導電接合材）、 ５４．導通材、
５５．カバー材、 ５６．モールド材、 ５７．オーバーコート層、
６２．コンタクトホール、 ７０．携帯電話機（電子機器）、 ７３．液晶表示装置、
９０．携帯情報機器（電子機器）、 ９１．液晶表示装置、 Ｄ．表示ドット領域、
Ｌ０．外部光、 Ｌ１．透過光、 Ｒ．反射部、 Ｔ．透過部、Ｖ．表示領域、

Claims (13)

1. 電気光学物質を支持する基板と、
   前記電気光学物質の外側に配置されるように前記基板上に設けられるシール材と、
   前記シール材を横切って設けられる配線と、
   前記配線と導電接続するように導電接合材によって前記基板上に実装される半導体要素と、
   前記シール材の外側に位置する前記配線上であって前記導電接合材よりも前記基板に近い位置に設けられたカバー材と
   を有することを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置において、前記配線は耐蝕性材料により形成されることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の電気光学装置において、光の波長を選択する着色要素と、該着色要素の上に設けられるオーバーコート材とを有し、前記カバー材は前記オーバーコート材と同じ材料であることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１または請求項２に記載の電気光学装置において、前記基板上に設けられるフォトスペーサをさらに有し、前記カバー材は前記フォトスペーサと同じ材料であることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１または請求項２に記載の電気光学装置において、前記電気光学物質に電圧を印加する電極と、該電極の下に設けられるオーバーコート材とを有し、前記カバー材は前記オーバーコート材と同じ材料であることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記カバー材は感光性樹脂材料であることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記カバー材は２５０℃以下の温度で焼成ができる材料であることを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項１から請求項７のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記カバー材の厚さは３〜１０μｍであることを特徴とする電気光学装置。
9. 基板上に配線を形成する配線形成工程と、
   前記基板および前記配線上にシール材を形成するシール材形成工程と、
   前記シール材の外側の基板上に半導体要素を実装する半導体要素実装工程と、
   前記配線形成工程と半導体実装工程との間で行われ、前記シール材の外側に位置する配線上にカバー材を形成するカバー材形成工程と
   を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
10. 請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法において、前記配線形成工程では、前記配線を耐蝕性材料によって形成することを特徴とする電気光学装置の製造工程。
11. 請求項１０または請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法において、前記基板上にフォトスペーサを形成する工程をさらに有し、前記カバー材形成工程は、前記フォトスペーサ形成工程と同じ工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
12. 請求項１０または請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法において、前記基板上に電極を形成する工程を有し、該電極形成工程の前にオーバーコート層を形成する工程をさらに有し、前記カバー材形成工程は、前記オーバーコート層形成工程と同じ工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
13. 請求項１から請求項９のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
    
    

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