JP2003084292A - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents
液晶装置及び電子機器Info
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶装置を構成する基板の表面に形成される
パターンを工夫することにより、基板間隔の不均一性を
低減して、すなわち液晶パネルのセル厚ムラを低減し
て、液晶表示品質を向上する。 【解決手段】 シール材４によって貼り合わされた一対
の基板３ａ，３ｂと、シール材４中に入れられた導通材
５と、シール材４の適所に設定された導通領域３１にお
いて導通材５によって接続された一対の配線２９ｂ，３
３と、導通領域３１に向かい合う部分のシール材４を通
過する第１ダミーパターン３４とを有する液晶装置であ
る。配線２９ｂ及び配線３３がシール材４を横切ること
によって不均一になるおそれがあるセル厚を、第１ダミ
ーパターン３４を設けることによって解消する。
パターンを工夫することにより、基板間隔の不均一性を
低減して、すなわち液晶パネルのセル厚ムラを低減し
て、液晶表示品質を向上する。 【解決手段】 シール材４によって貼り合わされた一対
の基板３ａ，３ｂと、シール材４中に入れられた導通材
５と、シール材４の適所に設定された導通領域３１にお
いて導通材５によって接続された一対の配線２９ｂ，３
３と、導通領域３１に向かい合う部分のシール材４を通
過する第１ダミーパターン３４とを有する液晶装置であ
る。配線２９ｂ及び配線３３がシール材４を横切ること
によって不均一になるおそれがあるセル厚を、第１ダミ
ーパターン３４を設けることによって解消する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、互いに対向する一
対の基板のそれぞれに形成した配線の間をそれらの基板
間に介在させた導通材によって導通する構造の液晶装置
に関する。また、本発明は、その液晶装置を用いて構成
される電子機器に関する。
対の基板のそれぞれに形成した配線の間をそれらの基板
間に介在させた導通材によって導通する構造の液晶装置
に関する。また、本発明は、その液晶装置を用いて構成
される電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯型コンピュータ、携帯電話
機、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部に液晶装
置が広く用いられている。この液晶装置は、一般に、そ
れぞれに電極が形成された一対の基板をそれらの電極が
互いに対向するように環状のシール材によって貼り合わ
せ、一対の基板及びシール材によって囲まれる領域に液
晶を封入することによって形成される。この液晶装置で
は、一対の基板間に封止した液晶の配向を画素毎に制御
することにより、文字、数字、図形等といった像を表示
する。
機、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部に液晶装
置が広く用いられている。この液晶装置は、一般に、そ
れぞれに電極が形成された一対の基板をそれらの電極が
互いに対向するように環状のシール材によって貼り合わ
せ、一対の基板及びシール材によって囲まれる領域に液
晶を封入することによって形成される。この液晶装置で
は、一対の基板間に封止した液晶の配向を画素毎に制御
することにより、文字、数字、図形等といった像を表示
する。
【０００３】この液晶装置には、アクティブ素子を用い
ない単純マトリクス方式の液晶装置や、アクティブ素子
を用いる構造のアクティブマトリクス方式の液晶装置が
ある。また、そのようなアクティブ素子としては、２端
子型の能動素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜
ダイオード）素子や、３端子型の能動素子であるＴＦＴ
（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子等が
知られている。
ない単純マトリクス方式の液晶装置や、アクティブ素子
を用いる構造のアクティブマトリクス方式の液晶装置が
ある。また、そのようなアクティブ素子としては、２端
子型の能動素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜
ダイオード）素子や、３端子型の能動素子であるＴＦＴ
（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子等が
知られている。
【０００４】従来、単純マトリクス方式の液晶装置とし
て、例えば図１２に示す装置が知られている。ここに示
す液晶装置は、バックライト等といった照明装置や、制
御基板や、その他必要に応じて付設される付帯機器を図
示の液晶パネル１０１に付設することによって形成され
る。
て、例えば図１２に示す装置が知られている。ここに示
す液晶装置は、バックライト等といった照明装置や、制
御基板や、その他必要に応じて付設される付帯機器を図
示の液晶パネル１０１に付設することによって形成され
る。
【０００５】液晶パネル１０１は、ガラス等によって形
成された一対の基板１０２ａ及び１０２ｂを環状のシー
ル材１０３によって貼り合わせることによって形成され
る。シール材１０３の適所には液晶注入用開口１０３ａ
が設けられ、さらに、シール材１０３の内部には多数の
導通材１０６が混入されている。
成された一対の基板１０２ａ及び１０２ｂを環状のシー
ル材１０３によって貼り合わせることによって形成され
る。シール材１０３の適所には液晶注入用開口１０３ａ
が設けられ、さらに、シール材１０３の内部には多数の
導通材１０６が混入されている。
【０００６】シール材１０３によって囲まれると共に基
板１０２ａと基板１０２ｂとによって挟まれる間隙が、
いわゆるセルギャップであり、このセルギャップの中に
液晶（図示せず）が液晶注入用開口１０３ａを通して注
入され、その後、液晶注入用開口１０３ａが樹脂等によ
って封止される。一方の基板１０２ａは他方の基板１０
２ｂの外側へ張り出す張出し部１０２ｃを有し、その張
出し部１０２ｃの表面（図１２では紙面裏側の表面）に
液晶駆動用ＩＣ１０４ａ及び１０４ｂが実装される。
板１０２ａと基板１０２ｂとによって挟まれる間隙が、
いわゆるセルギャップであり、このセルギャップの中に
液晶（図示せず）が液晶注入用開口１０３ａを通して注
入され、その後、液晶注入用開口１０３ａが樹脂等によ
って封止される。一方の基板１０２ａは他方の基板１０
２ｂの外側へ張り出す張出し部１０２ｃを有し、その張
出し部１０２ｃの表面（図１２では紙面裏側の表面）に
液晶駆動用ＩＣ１０４ａ及び１０４ｂが実装される。
【０００７】一方の基板１０２ａの液晶側表面（すなわ
ち、図１２の紙面奥側表面）には、図１３に示すよう
に、複数の直線状の電極１０７ａが全体としてストライ
プ状になるように互いに平行に配列されている。また、
各電極１０７ａの端部から基板張出し部１０２ｃ上の液
晶駆動用ＩＣ１０４ａ（図１２参照）の実装領域に向け
て配線１０８ａが形成される。また、液晶駆動用ＩＣ１
０４ｂ（図１２参照）の実装領域から延びる配線１０８
ｂがシール材１０３の形成領域を通過して液晶封入領域
内へ入っている。
ち、図１２の紙面奥側表面）には、図１３に示すよう
に、複数の直線状の電極１０７ａが全体としてストライ
プ状になるように互いに平行に配列されている。また、
各電極１０７ａの端部から基板張出し部１０２ｃ上の液
晶駆動用ＩＣ１０４ａ（図１２参照）の実装領域に向け
て配線１０８ａが形成される。また、液晶駆動用ＩＣ１
０４ｂ（図１２参照）の実装領域から延びる配線１０８
ｂがシール材１０３の形成領域を通過して液晶封入領域
内へ入っている。
【０００８】他方の基板１０２ｂの液晶側表面（すなわ
ち、図１２の紙面手前側表面）には、図１４に示すよう
に、複数の直線状の電極１０７ｂが全体としてストライ
プ状になるように互いに平行に配列されている。また、
各電極１０７ｂの端部からシール材１０３の形成領域を
少し越える位置まで、配線１０９が形成される。
ち、図１２の紙面手前側表面）には、図１４に示すよう
に、複数の直線状の電極１０７ｂが全体としてストライ
プ状になるように互いに平行に配列されている。また、
各電極１０７ｂの端部からシール材１０３の形成領域を
少し越える位置まで、配線１０９が形成される。
【０００９】なお、図１２、図１３及び図１４では、構
造をわかり易く示すために、電極１０７ａ、電極１０７
ｂ、配線１０８ａ、１０８ｂ，１０９等を実際よりも広
い間隔で数本だけ模式的に示しているが、実際の液晶装
置では、より多数本の電極１０７ａ等がより狭い間隔で
配列される。
造をわかり易く示すために、電極１０７ａ、電極１０７
ｂ、配線１０８ａ、１０８ｂ，１０９等を実際よりも広
い間隔で数本だけ模式的に示しているが、実際の液晶装
置では、より多数本の電極１０７ａ等がより狭い間隔で
配列される。
【００１０】図１２に示す液晶パネル１０１を作製する
にあたっては、図１３の基板１０２ａ又は図１４の基板
１０２ａのいずれかにシール材１０３を形成し、そのシ
ール材１０３を挟んで基板１０２ａと基板１０２ｂと
を、電極１０７ａと電極１０７ｂとが互いに直交するよ
うに、互いに貼り合わせ、さらにシール材１０３を硬化
させる。さらに、基板１０２ａの張出し部１０２ｃの表
面に液晶駆動用ＩＣ１０４ａ及び１０４ｂを、それらの
端子、すなわちバンプが配線１０８ａ及び１０８ｂに導
電接続されるように実装する。
にあたっては、図１３の基板１０２ａ又は図１４の基板
１０２ａのいずれかにシール材１０３を形成し、そのシ
ール材１０３を挟んで基板１０２ａと基板１０２ｂと
を、電極１０７ａと電極１０７ｂとが互いに直交するよ
うに、互いに貼り合わせ、さらにシール材１０３を硬化
させる。さらに、基板１０２ａの張出し部１０２ｃの表
面に液晶駆動用ＩＣ１０４ａ及び１０４ｂを、それらの
端子、すなわちバンプが配線１０８ａ及び１０８ｂに導
電接続されるように実装する。
【００１１】こうして２つの基板１０２ａ及び１０２ｂ
を貼り合せたとき、図１３の配線１０８ｂと図１４の配
線１０９とが導通領域１１１の所で導通材１０６を間に
挟んで重なり合い、これにより、基板１０２ａ側の配線
１０８ｂと基板１０２ｂ側の配線１０９とが導電接続さ
れ、これにより、基板１０２ａ側の液晶駆動用ＩＣ１０
４ｂと基板１０２ｂ側の電極１０７ｂとが電気的につな
げられる。
を貼り合せたとき、図１３の配線１０８ｂと図１４の配
線１０９とが導通領域１１１の所で導通材１０６を間に
挟んで重なり合い、これにより、基板１０２ａ側の配線
１０８ｂと基板１０２ｂ側の配線１０９とが導電接続さ
れ、これにより、基板１０２ａ側の液晶駆動用ＩＣ１０
４ｂと基板１０２ｂ側の電極１０７ｂとが電気的につな
げられる。
【００１２】以上のようにして形成された液晶パネル１
０１に関しては、電極１０７ａと電極１０７ｂとの交点
及びその交点に挟持される液晶によって１画素が構成さ
れ、さらにこの画素が複数個、ドットマトリクス状に配
列することによって表示領域、すなわち駆動領域Ｖが形
成され、この表示領域Ｖ内に文字、数字等といった像が
形成される。
０１に関しては、電極１０７ａと電極１０７ｂとの交点
及びその交点に挟持される液晶によって１画素が構成さ
れ、さらにこの画素が複数個、ドットマトリクス状に配
列することによって表示領域、すなわち駆動領域Ｖが形
成され、この表示領域Ｖ内に文字、数字等といった像が
形成される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の液晶装置に
関しては、シール材１０３の一辺に形成した導通領域１
１１の所において、基板１０２ａ側の配線１０８ｂがシ
ール材１０３を通過し、さらに、基板１０２ｂ側の配線
１０９もシール材１０３を通過する。これに対し、導通
領域１１１に向かい合う部分のシール材１０３の部分領
域１１２には配線１０８ｂ等に相当するパターンは形成
されていない。
関しては、シール材１０３の一辺に形成した導通領域１
１１の所において、基板１０２ａ側の配線１０８ｂがシ
ール材１０３を通過し、さらに、基板１０２ｂ側の配線
１０９もシール材１０３を通過する。これに対し、導通
領域１１１に向かい合う部分のシール材１０３の部分領
域１１２には配線１０８ｂ等に相当するパターンは形成
されていない。
【００１４】このため、導通領域１１１ではセルギャッ
プが厚くなり、それと反対側の部分領域１１２ではセル
ギャップが狭くなり、そのため、液晶パネル１０１の全
体のセルギャップが不均一になるという問題が発生し
た。こうなると、各画素に印加される電圧にばらつきが
発生し、鮮明な像が得られなくなるという問題があっ
た。
プが厚くなり、それと反対側の部分領域１１２ではセル
ギャップが狭くなり、そのため、液晶パネル１０１の全
体のセルギャップが不均一になるという問題が発生し
た。こうなると、各画素に印加される電圧にばらつきが
発生し、鮮明な像が得られなくなるという問題があっ
た。
【００１５】本発明は、上記の問題点に鑑みて成された
ものであって、液晶装置を構成する基板の表面に形成さ
れるパターンを工夫することにより、基板間隔の不均一
性を低減して、すなわち液晶パネルのセル厚ムラを低減
して、液晶表示品質を向上することを目的とする。
ものであって、液晶装置を構成する基板の表面に形成さ
れるパターンを工夫することにより、基板間隔の不均一
性を低減して、すなわち液晶パネルのセル厚ムラを低減
して、液晶表示品質を向上することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】（１） 上記の目的を達
成するため、本発明に係る液晶装置は、シール材によっ
て貼り合わされた一対の基板と、前記シール材中に入れ
られた導通材と、前記シール材の適所に設定された導通
領域において前記導通材によって接続された一対の配線
と、前記導通領域に向かい合う部分の前記シール材を通
過する第１ダミーパターンとを有することを特徴とす
る。
成するため、本発明に係る液晶装置は、シール材によっ
て貼り合わされた一対の基板と、前記シール材中に入れ
られた導通材と、前記シール材の適所に設定された導通
領域において前記導通材によって接続された一対の配線
と、前記導通領域に向かい合う部分の前記シール材を通
過する第１ダミーパターンとを有することを特徴とす
る。
【００１７】この構成の液晶装置によれば、導通領域に
おいて配線がシール材を横切り、その導通領域に向かい
合う部分のシール材を第１ダミーパターンが横切る。こ
の構成により、配線がシール材の導通領域だけを横切る
構造の従来の液晶装置の場合に比べて、基板間隔、すな
わちセルギャップを液晶パネルの全面にわたって均一に
維持でき、これにより、液晶表示品質を高く維持でき
る。
おいて配線がシール材を横切り、その導通領域に向かい
合う部分のシール材を第１ダミーパターンが横切る。こ
の構成により、配線がシール材の導通領域だけを横切る
構造の従来の液晶装置の場合に比べて、基板間隔、すな
わちセルギャップを液晶パネルの全面にわたって均一に
維持でき、これにより、液晶表示品質を高く維持でき
る。
【００１８】（２） 次に、本発明に係る他の液晶装置
は、上記（１）において、前記第１ダミーパターンが前
記シール材を通過する面積は、前記導通領域において前
記配線が前記シール材を通過する面積とほぼ等しいこと
を特徴とする。こうすれば、シール材に対するダミーパ
ターン側の面積状況と配線側の面積状況とが等しくなる
ので液晶パネルのセルギャップをより一層均一に維持で
きる。
は、上記（１）において、前記第１ダミーパターンが前
記シール材を通過する面積は、前記導通領域において前
記配線が前記シール材を通過する面積とほぼ等しいこと
を特徴とする。こうすれば、シール材に対するダミーパ
ターン側の面積状況と配線側の面積状況とが等しくなる
ので液晶パネルのセルギャップをより一層均一に維持で
きる。
【００１９】（３） 次に、本発明に係る他の液晶装置
は、上記（１）項又は上記（２）項に記載した構成の液
晶装置において、前記第１ダミーパターンは、前記導通
領域内に存在する複数の配線の個々に対応した位置に形
成された複数の直線状のダミーパターン要素の集合によ
って形成されることを特徴とする液晶装置。こうすれ
ば、シール材に対するダミーパターン側の面積状況と配
線側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルのセルギ
ャップをより一層均一に維持できる。
は、上記（１）項又は上記（２）項に記載した構成の液
晶装置において、前記第１ダミーパターンは、前記導通
領域内に存在する複数の配線の個々に対応した位置に形
成された複数の直線状のダミーパターン要素の集合によ
って形成されることを特徴とする液晶装置。こうすれ
ば、シール材に対するダミーパターン側の面積状況と配
線側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルのセルギ
ャップをより一層均一に維持できる。
【００２０】（４） 次に、本発明に係る他の液晶装置
は、上記（３）項に記載した構成の液晶装置において、
前記複数のダミーパターン要素の個々の幅は対応する個
々の配線の幅とほぼ等しいことを特徴とする。この構成
によれば、シール材に対するダミーパターン側の面積状
況と配線側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルの
セルギャップをより一層均一に維持できる。
は、上記（３）項に記載した構成の液晶装置において、
前記複数のダミーパターン要素の個々の幅は対応する個
々の配線の幅とほぼ等しいことを特徴とする。この構成
によれば、シール材に対するダミーパターン側の面積状
況と配線側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルの
セルギャップをより一層均一に維持できる。
【００２１】（５） 次に、本発明に係る他の液晶装置
は、上記（１）項に記載した構成の液晶装置において、
前記一対の配線の一方又は双方は前記導通領域以外の第
２領域で前記シール材を通過し、該たことを特徴とす
る。
は、上記（１）項に記載した構成の液晶装置において、
前記一対の配線の一方又は双方は前記導通領域以外の第
２領域で前記シール材を通過し、該たことを特徴とす
る。
【００２２】液晶装置によっては、配線がシール材の外
側に形成されるものや、配線がシール材の内側であって
表示領域の外側に形成されるものがある。配線がシール
材の外側に形成される場合には、配線が導通領域以外で
シール材を通過する可能性は低いと考えられる。これに
対し、配線がシール材の内側であって表示領域の外側に
形成される場合には、導通領域において導通がとられた
一対の配線のうちの一方が導通領域とは別の個所でシー
ル材を通過する可能性が高い。
側に形成されるものや、配線がシール材の内側であって
表示領域の外側に形成されるものがある。配線がシール
材の外側に形成される場合には、配線が導通領域以外で
シール材を通過する可能性は低いと考えられる。これに
対し、配線がシール材の内側であって表示領域の外側に
形成される場合には、導通領域において導通がとられた
一対の配線のうちの一方が導通領域とは別の個所でシー
ル材を通過する可能性が高い。
【００２３】このように、配線が導通領域以外の個所で
シール材を通過する場合、その領域に向かい合うシール
材の部分領域に第２ダミーパターンを設ければ、液晶パ
ネルの基板間隔、すなわちセルギャップを液晶パネルの
全面にわたって均一に維持でき、これにより、液晶表示
品質を高く維持できる。
シール材を通過する場合、その領域に向かい合うシール
材の部分領域に第２ダミーパターンを設ければ、液晶パ
ネルの基板間隔、すなわちセルギャップを液晶パネルの
全面にわたって均一に維持でき、これにより、液晶表示
品質を高く維持できる。
【００２４】（６） 次に、本発明に係る他の液晶装置
は、上記（５）項に記載した構成の液晶装置において、
前記第２ダミーパターンが前記シール材を通過する面積
は、前記第２領域において前記配線が前記シール材を通
過する面積とほぼ等しいことを特徴とする。こうすれ
ば、シール材に対するダミーパターン側の面積状況と配
線側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルのセルギ
ャップをより一層均一に維持できる。
は、上記（５）項に記載した構成の液晶装置において、
前記第２ダミーパターンが前記シール材を通過する面積
は、前記第２領域において前記配線が前記シール材を通
過する面積とほぼ等しいことを特徴とする。こうすれ
ば、シール材に対するダミーパターン側の面積状況と配
線側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルのセルギ
ャップをより一層均一に維持できる。
【００２５】（７） 次に、本発明に係る他の液晶装置
は、上記（５）項又は上記（６）項に記載した構成の液
晶装置において、前記第２領域内に存在する複数の配線
の個々に対応する位置に形成された複数の直線状のダミ
ーパターン要素の集合によって形成されることを特徴と
する。こうすれば、シール材に対するダミーパターン側
の面積状況と配線側の面積状況とが等しくなるので液晶
パネルのセルギャップをより一層均一に維持できる。
は、上記（５）項又は上記（６）項に記載した構成の液
晶装置において、前記第２領域内に存在する複数の配線
の個々に対応する位置に形成された複数の直線状のダミ
ーパターン要素の集合によって形成されることを特徴と
する。こうすれば、シール材に対するダミーパターン側
の面積状況と配線側の面積状況とが等しくなるので液晶
パネルのセルギャップをより一層均一に維持できる。
【００２６】（８） 次に、本発明に係る他の液晶装置
は、上記（７）項に記載した構成の液晶装置において、
前記複数のダミーパターン要素の個々の幅は対応する個
々の配線の幅とほぼ等しいことを特徴とする。こうすれ
ば、シール材に対するダミーパターン側の面積状況と配
線側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルのセルギ
ャップをより一層均一に維持できる。
は、上記（７）項に記載した構成の液晶装置において、
前記複数のダミーパターン要素の個々の幅は対応する個
々の配線の幅とほぼ等しいことを特徴とする。こうすれ
ば、シール材に対するダミーパターン側の面積状況と配
線側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルのセルギ
ャップをより一層均一に維持できる。
【００２７】（９） 次に、本発明に係る他の液晶装置
は、シール材によって互いに貼り合わされていてそれら
のうちの一方が配線引出し領域を具備する一対の基板
と、前記シール材中に入れられた導通材と、前記配線引
出し領域と交差する方向へ延びていて表示領域を挟んで
互いに対向する一対のシール材辺のそれぞれの適所に設
定される導通領域と、該導通領域において前記導通材に
よって接続される一対の配線であって、そのうちの一方
は前記配線引出し領域へ延び、そのうちの他方は前記表
示領域へ延びるような一対の配線と、前記それぞれの導
通領域に向かい合う部分の前記シール材を通過する第１
ダミーパターンとを有することを特徴とする。
は、シール材によって互いに貼り合わされていてそれら
のうちの一方が配線引出し領域を具備する一対の基板
と、前記シール材中に入れられた導通材と、前記配線引
出し領域と交差する方向へ延びていて表示領域を挟んで
互いに対向する一対のシール材辺のそれぞれの適所に設
定される導通領域と、該導通領域において前記導通材に
よって接続される一対の配線であって、そのうちの一方
は前記配線引出し領域へ延び、そのうちの他方は前記表
示領域へ延びるような一対の配線と、前記それぞれの導
通領域に向かい合う部分の前記シール材を通過する第１
ダミーパターンとを有することを特徴とする。
【００２８】この構成の液晶装置によれば、導通領域に
おいて配線がシール材を横切り、その導通領域に向かい
合う部分のシール材を第１ダミーパターンが横切る。こ
の構成により、配線がシール材の導通領域だけを横切る
構造の従来の液晶装置の場合に比べて、基板間隔、すな
わちセルギャップを液晶パネルの全面にわたって均一に
維持でき、これにより、液晶表示品質を高く維持でき
る。
おいて配線がシール材を横切り、その導通領域に向かい
合う部分のシール材を第１ダミーパターンが横切る。こ
の構成により、配線がシール材の導通領域だけを横切る
構造の従来の液晶装置の場合に比べて、基板間隔、すな
わちセルギャップを液晶パネルの全面にわたって均一に
維持でき、これにより、液晶表示品質を高く維持でき
る。
【００２９】（１０） 次に、本発明に係る他の液晶装
置は、上記（９）項に記載した構成の液晶装置におい
て、前記第１ダミーパターンが前記シール材を通過する
面積は、前記導通領域において前記配線が前記シール材
を通過する面とほぼ等しいことを特徴とする。こうすれ
ば、シール材に対するダミーパターン側の面積状況と配
線側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルのセルギ
ャップをより一層均一に維持できる。
置は、上記（９）項に記載した構成の液晶装置におい
て、前記第１ダミーパターンが前記シール材を通過する
面積は、前記導通領域において前記配線が前記シール材
を通過する面とほぼ等しいことを特徴とする。こうすれ
ば、シール材に対するダミーパターン側の面積状況と配
線側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルのセルギ
ャップをより一層均一に維持できる。
【００３０】（１１） 次に、本発明に係る他の液晶装
置は、上記（９）項又上記（１０）項に記載した構成の
液晶装置において、前記第１ダミーパターンは、前記導
通領域内に存在する複数の配線の個々に対応した位置に
形成された複数の直線状のダミーパターン要素の集合に
よって形成されることを特徴とする。こうすれば、シー
ル材に対するダミーパターン側の面積状況と配線側の面
積状況とが等しくなるので液晶パネルのセルギャップを
より一層均一に維持できる。
置は、上記（９）項又上記（１０）項に記載した構成の
液晶装置において、前記第１ダミーパターンは、前記導
通領域内に存在する複数の配線の個々に対応した位置に
形成された複数の直線状のダミーパターン要素の集合に
よって形成されることを特徴とする。こうすれば、シー
ル材に対するダミーパターン側の面積状況と配線側の面
積状況とが等しくなるので液晶パネルのセルギャップを
より一層均一に維持できる。
【００３１】（１２） 次に、本発明に係る他の液晶装
置は、上記（１１）項に記載した構成の液晶装置におい
て、前記複数のダミーパターン要素の個々の幅は対応す
る個々の配線の幅とほぼ等しいことを特徴とする。こう
すれば、シール材に対するダミーパターン側の面積状況
と配線側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルのセ
ルギャップをより一層均一に維持できる。
置は、上記（１１）項に記載した構成の液晶装置におい
て、前記複数のダミーパターン要素の個々の幅は対応す
る個々の配線の幅とほぼ等しいことを特徴とする。こう
すれば、シール材に対するダミーパターン側の面積状況
と配線側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルのセ
ルギャップをより一層均一に維持できる。
【００３２】（１３） 次に、本発明に係る他の液晶装
置は、上記（９）項に記載した構成の液晶装置におい
て、前記一対の配線の一方又は双方は前記導通領域以外
の第２領域で前記シール材を通過し、該第２領域に向か
い合う部分の前記シール材を通過する第２ダミーパター
ンを設けたことを特徴とする。
置は、上記（９）項に記載した構成の液晶装置におい
て、前記一対の配線の一方又は双方は前記導通領域以外
の第２領域で前記シール材を通過し、該第２領域に向か
い合う部分の前記シール材を通過する第２ダミーパター
ンを設けたことを特徴とする。
【００３３】液晶装置によっては、配線がシール材の外
側に形成されるものや、配線がシール材の内側であって
表示領域の外側に形成されるものがある。配線がシール
材の外側に形成される場合には、配線が導通領域以外で
シール材を通過する可能性は低いと考えられる。これに
対し、配線がシール材の内側であって表示領域の外側に
形成される場合には、導通領域において導通がとられた
一対の配線のうちの一方が導通領域とは別の個所でシー
ル材を通過する可能性が高い。
側に形成されるものや、配線がシール材の内側であって
表示領域の外側に形成されるものがある。配線がシール
材の外側に形成される場合には、配線が導通領域以外で
シール材を通過する可能性は低いと考えられる。これに
対し、配線がシール材の内側であって表示領域の外側に
形成される場合には、導通領域において導通がとられた
一対の配線のうちの一方が導通領域とは別の個所でシー
ル材を通過する可能性が高い。
【００３４】このように、配線が導通領域以外の個所で
シール材を通過する場合、その領域に向かい合うシール
材の部分領域に第２ダミーパターンを設ければ、液晶パ
ネルの基板間隔、すなわちセルギャップを液晶パネルの
全面にわたって均一に維持でき、これにより、液晶表示
品質を高く維持できる。
シール材を通過する場合、その領域に向かい合うシール
材の部分領域に第２ダミーパターンを設ければ、液晶パ
ネルの基板間隔、すなわちセルギャップを液晶パネルの
全面にわたって均一に維持でき、これにより、液晶表示
品質を高く維持できる。
【００３５】（１４） 次に、本発明に係る他の液晶装
置は、上記（１３）項に記載した構成の液晶装置におい
て、前記第２ダミーパターンが前記シール材を通過する
面積は、前記第２領域において前記配線が前記シール材
を通過する面積とほぼ等しいことを特徴とする。こうす
れば、シール材に対するダミーパターン側の面積状況と
配線側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルのセル
ギャップをより一層均一に維持できる。
置は、上記（１３）項に記載した構成の液晶装置におい
て、前記第２ダミーパターンが前記シール材を通過する
面積は、前記第２領域において前記配線が前記シール材
を通過する面積とほぼ等しいことを特徴とする。こうす
れば、シール材に対するダミーパターン側の面積状況と
配線側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルのセル
ギャップをより一層均一に維持できる。
【００３６】（１５） 次に、本発明に係る他の液晶装
置は、上記（１３）項又は上記（１４）項に記載した構
成の液晶装置において、前記第２ダミーパターンは、前
記第２領域内に存在する複数の配線の個々に対応して形
成された複数の直線状のダミーパターン要素の集合によ
って形成されることを特徴とする液晶装置。こうすれ
ば、シール材に対するダミーパターン側の面積状況と配
線側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルのセルギ
ャップをより一層均一に維持できる。
置は、上記（１３）項又は上記（１４）項に記載した構
成の液晶装置において、前記第２ダミーパターンは、前
記第２領域内に存在する複数の配線の個々に対応して形
成された複数の直線状のダミーパターン要素の集合によ
って形成されることを特徴とする液晶装置。こうすれ
ば、シール材に対するダミーパターン側の面積状況と配
線側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルのセルギ
ャップをより一層均一に維持できる。
【００３７】（１６） 次に、本発明に係る他の液晶装
置は、上記（１５）項に記載した構成の液晶装置におい
て、前記複数のダミーパターン要素の個々の幅は対応す
る個々の配線の幅とほぼ等しいことを特徴とする。こう
すれば、シール材に対するダミーパターン側の面積状況
と配線側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルのセ
ルギャップをより一層均一に維持できる。
置は、上記（１５）項に記載した構成の液晶装置におい
て、前記複数のダミーパターン要素の個々の幅は対応す
る個々の配線の幅とほぼ等しいことを特徴とする。こう
すれば、シール材に対するダミーパターン側の面積状況
と配線側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルのセ
ルギャップをより一層均一に維持できる。
【００３８】（１７） 次に、本発明に係る電子機器
は、液晶装置と、該液晶装置を収容する筐体とを有する
電子機器において、前記液晶装置は上記（１）項から上
記（１６）項に記載した構成の液晶装置によって構成さ
れることを特徴とする。この電子機器によれば、内蔵す
る液晶装置において、液晶パネルの基板間隔、すなわち
セルギャップを液晶パネルの全面にわたって均一に維持
でき、これにより、液晶表示品質を高く維持できるの
で、電子機器に関する情報を常に鮮明に視認できる。
は、液晶装置と、該液晶装置を収容する筐体とを有する
電子機器において、前記液晶装置は上記（１）項から上
記（１６）項に記載した構成の液晶装置によって構成さ
れることを特徴とする。この電子機器によれば、内蔵す
る液晶装置において、液晶パネルの基板間隔、すなわち
セルギャップを液晶パネルの全面にわたって均一に維持
でき、これにより、液晶表示品質を高く維持できるの
で、電子機器に関する情報を常に鮮明に視認できる。
【００３９】
【発明の実施の形態】（液晶装置の第１実施形態）図１
は、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子をスイッチング素
子として用いるアクティブマトリクス型の液晶装置であ
って、基板上にＩＣチップを直接に実装する構造の、い
わゆるＣＯＧ（Chip On Glass）方式の液晶装置に本発
明を適用した場合の実施形態を示している。
は、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子をスイッチング素
子として用いるアクティブマトリクス型の液晶装置であ
って、基板上にＩＣチップを直接に実装する構造の、い
わゆるＣＯＧ（Chip On Glass）方式の液晶装置に本発
明を適用した場合の実施形態を示している。
【００４０】ここに示す液晶装置１は、図１にその全体
的な平面構造を示した液晶パネル２に、照明装置、制御
基板、その他の付帯機器を付設することによって構成さ
れる。液晶パネル２は、図面の手前側に配置された第１
基板３ａと、図面の奥側に配置された第２基板３ｂとを
環状のシール材４によって互いに接合、すなわち貼り合
わせることによって形成される。シール材４の内部に
は、第１基板３ａと第２基板３ｂとの間で電気的な導通
をとるための導通材５が分散状態で含まれている。
的な平面構造を示した液晶パネル２に、照明装置、制御
基板、その他の付帯機器を付設することによって構成さ
れる。液晶パネル２は、図面の手前側に配置された第１
基板３ａと、図面の奥側に配置された第２基板３ｂとを
環状のシール材４によって互いに接合、すなわち貼り合
わせることによって形成される。シール材４の内部に
は、第１基板３ａと第２基板３ｂとの間で電気的な導通
をとるための導通材５が分散状態で含まれている。
【００４１】シール材４、第１基板３ａ及び第２基板３
ｂによって囲まれる領域は高さが一定の間隙、いわゆる
セルギャップを構成し、そのセルギャップは図２に示す
ように、いずれか一方の基板３ａ又は３ｂの表面に分散
した多数のスペーサ１０によって均一な寸法に維持され
る。スペーサ１０は、例えば球形状に形成される。さら
に、シール材４の一部には液晶注入用開口４ａが形成さ
れる。上記のセルギャップ内には、上記液晶注入用開口
４ａを通して液晶が注入され、その注入の完了後、液晶
注入用開口４ａが樹脂等によって封止される。
ｂによって囲まれる領域は高さが一定の間隙、いわゆる
セルギャップを構成し、そのセルギャップは図２に示す
ように、いずれか一方の基板３ａ又は３ｂの表面に分散
した多数のスペーサ１０によって均一な寸法に維持され
る。スペーサ１０は、例えば球形状に形成される。さら
に、シール材４の一部には液晶注入用開口４ａが形成さ
れる。上記のセルギャップ内には、上記液晶注入用開口
４ａを通して液晶が注入され、その注入の完了後、液晶
注入用開口４ａが樹脂等によって封止される。
【００４２】図２は、図１におけるＡ−Ａ線に従って液
晶装置１の断面構造を示している。図２に示すように、
液晶パネル２の第２基板３ｂの裏側（すなわち、図２に
示す構造の下側）には、発光源６及び導光体７を有する
照明装置８がバックライトとして設けられている。
晶装置１の断面構造を示している。図２に示すように、
液晶パネル２の第２基板３ｂの裏側（すなわち、図２に
示す構造の下側）には、発光源６及び導光体７を有する
照明装置８がバックライトとして設けられている。
【００４３】図１において、第１基板３ａは第２基板３
ｂの外側へ張り出す、配線引出し領域としての基板張出
し部３ｃを有し、その基板張出し部３ｃ上に液晶駆動用
ＩＣ９ａ及び９ｂが導電接着要素、例えばＡＣＦ（Anis
otropic Conductive Film）１１によって実装されてい
る。液晶駆動用ＩＣ９ａと液晶駆動用ＩＣ９ｂは互いに
特性が異なるものであり、このように特性の異なる２種
類の液晶駆動用ＩＣを用いるのは、第１基板３ａ側と第
２基板３ｂ側とで、換言すれば、走査線駆動系と信号線
駆動系との間で使用する電圧値が異なっているため、そ
れらを１つのＩＣチップで賄うことができないからであ
る。
ｂの外側へ張り出す、配線引出し領域としての基板張出
し部３ｃを有し、その基板張出し部３ｃ上に液晶駆動用
ＩＣ９ａ及び９ｂが導電接着要素、例えばＡＣＦ（Anis
otropic Conductive Film）１１によって実装されてい
る。液晶駆動用ＩＣ９ａと液晶駆動用ＩＣ９ｂは互いに
特性が異なるものであり、このように特性の異なる２種
類の液晶駆動用ＩＣを用いるのは、第１基板３ａ側と第
２基板３ｂ側とで、換言すれば、走査線駆動系と信号線
駆動系との間で使用する電圧値が異なっているため、そ
れらを１つのＩＣチップで賄うことができないからであ
る。
【００４４】図２において、第１基板３ａは基材１２ａ
を有し、その基材１２ａの内側表面、すなわち液晶層Ｌ
側の表面に複数の画素電極１３が形成される。また、図
１に示すように、第１基板３ａの内側表面には、複数の
直線状のライン配線１４が互いに平行に配列されて全体
としてストライプ状に形成され、それらのライン配線１
４に沿って適宜の間隔でＴＦＤ素子１６が形成され、そ
れらのＴＦＤ素子１６を介して複数の画素電極１３が形
成されている。複数の画素電極１３は平面的にはドット
マトリクス状に配列されている。
を有し、その基材１２ａの内側表面、すなわち液晶層Ｌ
側の表面に複数の画素電極１３が形成される。また、図
１に示すように、第１基板３ａの内側表面には、複数の
直線状のライン配線１４が互いに平行に配列されて全体
としてストライプ状に形成され、それらのライン配線１
４に沿って適宜の間隔でＴＦＤ素子１６が形成され、そ
れらのＴＦＤ素子１６を介して複数の画素電極１３が形
成されている。複数の画素電極１３は平面的にはドット
マトリクス状に配列されている。
【００４５】図２において、画素電極１３、ＴＦＤ素子
１６及びライン配線１４が形成された基材１２ａの表面
上に、配向膜１７ａが形成される。また、基材１２ａの
外側表面には位相差板１８ａが設けられ、さらにその上
に偏光板１９ａが設けられる。
１６及びライン配線１４が形成された基材１２ａの表面
上に、配向膜１７ａが形成される。また、基材１２ａの
外側表面には位相差板１８ａが設けられ、さらにその上
に偏光板１９ａが設けられる。
【００４６】図１及び図２において矢印Ｃで示す１個の
ＴＦＤ素子の近傍の構造を示すと、例えば図３の通りで
ある。図３に示すのは、いわゆるBack-to-Back（バック
・ツー・バック）構造のＴＦＤ素子を用いたものであ
る。図３において、ライン配線１４は、例えばＴａＷ
（タングステン・タンタル）によって形成された第１層
１４ａと、例えば陽極酸化膜であるＴａ２Ｏ５（酸化タ
ンタル）によって形成された第２層１４ｂと、例えばＣ
ｒによって形成された第３層１４ｃとから成る３層構造
に形成されている。
ＴＦＤ素子の近傍の構造を示すと、例えば図３の通りで
ある。図３に示すのは、いわゆるBack-to-Back（バック
・ツー・バック）構造のＴＦＤ素子を用いたものであ
る。図３において、ライン配線１４は、例えばＴａＷ
（タングステン・タンタル）によって形成された第１層
１４ａと、例えば陽極酸化膜であるＴａ２Ｏ５（酸化タ
ンタル）によって形成された第２層１４ｂと、例えばＣ
ｒによって形成された第３層１４ｃとから成る３層構造
に形成されている。
【００４７】また、ＴＦＤ素子１６は、第１ＴＦＤ要素
１６ａと第２ＴＦＤ要素１６ｂとを直列に接続すること
によって構成されている。第１ＴＦＤ要素１６ａ及び第
２ＴＦＤ要素１６ｂは、ＴａＷによって形成された第１
金属層２１と、陽極酸化によって形成されたＴａ２Ｏ５
の絶縁層２２と、ライン配線１４の第３層１４ｃと同一
層であるＣｒの第２金属層２３との３層積層構造によっ
て構成されている。
１６ａと第２ＴＦＤ要素１６ｂとを直列に接続すること
によって構成されている。第１ＴＦＤ要素１６ａ及び第
２ＴＦＤ要素１６ｂは、ＴａＷによって形成された第１
金属層２１と、陽極酸化によって形成されたＴａ２Ｏ５
の絶縁層２２と、ライン配線１４の第３層１４ｃと同一
層であるＣｒの第２金属層２３との３層積層構造によっ
て構成されている。
【００４８】第１ＴＦＤ要素１６ａをライン配線１４側
から見ると、第２金属層２３／絶縁層２２／第１金属層
２１の積層構造が構成され、他方、第２ＴＦＤ要素１６
ｂをライン配線１４側から見ると、第１金属層２１／絶
縁層２２／第２金属層２３の積層構造が形成される。こ
のように一対のＴＦＤ要素１６ａ及び１６ｂを電気的に
逆向きに直列接続してバック・ツー・バック構造のＴＦ
Ｄ素子を構成することにより、ＴＦＤ素子のスイッチン
グ特性の安定化が達成されている。画素電極１３は、第
２ＴＦＤ要素１６ｂの第２金属層２３に接続するよう
に、例えばＩＴＯによって形成される。
から見ると、第２金属層２３／絶縁層２２／第１金属層
２１の積層構造が構成され、他方、第２ＴＦＤ要素１６
ｂをライン配線１４側から見ると、第１金属層２１／絶
縁層２２／第２金属層２３の積層構造が形成される。こ
のように一対のＴＦＤ要素１６ａ及び１６ｂを電気的に
逆向きに直列接続してバック・ツー・バック構造のＴＦ
Ｄ素子を構成することにより、ＴＦＤ素子のスイッチン
グ特性の安定化が達成されている。画素電極１３は、第
２ＴＦＤ要素１６ｂの第２金属層２３に接続するよう
に、例えばＩＴＯによって形成される。
【００４９】図２において、第２基板３ｂは基材１２ｂ
を有し、その基材１２ｂの内側表面、すなわち液晶層Ｌ
側の表面には半透過反射膜２４が形成され、その上にカ
ラーフィルタ膜２６が形成され、その上にオーバーコー
ト膜２７が形成され、その上に対向電極２８が形成さ
れ、さらにその上に配向膜１７ｂが形成される。また、
基材１２ｂの外側表面には、位相差板１８ｂが形成さ
れ、さらにその上に偏光板１９ｂが形成される。
を有し、その基材１２ｂの内側表面、すなわち液晶層Ｌ
側の表面には半透過反射膜２４が形成され、その上にカ
ラーフィルタ膜２６が形成され、その上にオーバーコー
ト膜２７が形成され、その上に対向電極２８が形成さ
れ、さらにその上に配向膜１７ｂが形成される。また、
基材１２ｂの外側表面には、位相差板１８ｂが形成さ
れ、さらにその上に偏光板１９ｂが形成される。
【００５０】対向電極２８は、図１に示すように、多数
の直線状の電極をライン配線１４と交差するように互い
に平行に並べることによりストライプ状に形成されてい
る。なお、図１では、電極パターンをわかり易く示すた
めに、対向電極２８の間隔を大きく広げて模式的に描い
てあるが、実際には、対向電極２８の間隔は画素電極１
３のドットピッチに合せて非常に狭く形成されている。
の直線状の電極をライン配線１４と交差するように互い
に平行に並べることによりストライプ状に形成されてい
る。なお、図１では、電極パターンをわかり易く示すた
めに、対向電極２８の間隔を大きく広げて模式的に描い
てあるが、実際には、対向電極２８の間隔は画素電極１
３のドットピッチに合せて非常に狭く形成されている。
【００５１】画素電極１３と対向電極２８との交差点は
ドットマトリクス状に配列しており、これらの交差点の
個々が１つのドットを構成し、図２のカラーフィルタ膜
２６の個々の色パターンがその１ドットに対応する。カ
ラーフィルタ膜２６は、例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、
Ｂ（青）の３原色が１つのユニットとなって１つの画素
を構成している。ドットマトリクス状に配列された複数
のドットによって区画される方形の領域Ｖがスイッチン
グ素子の駆動によって像が表示される領域、すなわち、
駆動領域又は表示領域である。
ドットマトリクス状に配列しており、これらの交差点の
個々が１つのドットを構成し、図２のカラーフィルタ膜
２６の個々の色パターンがその１ドットに対応する。カ
ラーフィルタ膜２６は、例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、
Ｂ（青）の３原色が１つのユニットとなって１つの画素
を構成している。ドットマトリクス状に配列された複数
のドットによって区画される方形の領域Ｖがスイッチン
グ素子の駆動によって像が表示される領域、すなわち、
駆動領域又は表示領域である。
【００５２】基材１２ａ、１２ｂは、例えば、ガラス、
プラスチック等によって形成される。また、半透過反射
膜２４は光反射性の材料、例えばＡｌ（アルミニウム）
によって形成される。但し、光反射性材料は半透過及び
反射の機能を達成するために、その厚さが光を透過可能
な程度に薄く形成したり、あるいは、半透過反射膜２４
の適所に光を通過させる開口を適宜の面積割合で形成し
たりする。
プラスチック等によって形成される。また、半透過反射
膜２４は光反射性の材料、例えばＡｌ（アルミニウム）
によって形成される。但し、光反射性材料は半透過及び
反射の機能を達成するために、その厚さが光を透過可能
な程度に薄く形成したり、あるいは、半透過反射膜２４
の適所に光を通過させる開口を適宜の面積割合で形成し
たりする。
【００５３】カラーフィルタ膜２６は、周知の色絵素形
成手法、例えばインクジェット法、顔料分散法等を用い
て顔料を、モザイク配列、ストライプ配列、デルタ配列
等といった適宜のパターンに塗布することによって形成
される。また、オーバーコート膜２７は、適宜の透光性
樹脂材料を、例えばスピンコート法、ロールコート法等
によって均一に塗布することによって形成される。
成手法、例えばインクジェット法、顔料分散法等を用い
て顔料を、モザイク配列、ストライプ配列、デルタ配列
等といった適宜のパターンに塗布することによって形成
される。また、オーバーコート膜２７は、適宜の透光性
樹脂材料を、例えばスピンコート法、ロールコート法等
によって均一に塗布することによって形成される。
【００５４】画素電極１３及び対向電極２８は、例え
ば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を周知の膜付け法、例
えばスパッタ法、真空蒸着法を用いて膜付けし、さらに
フォトエッチング法によって希望のパターンに形成され
る。配向膜１７ａ及び１７ｂは、例えば、ポリイミド溶
液を塗布した後に焼成する方法や、オフセット印刷法等
によって形成される。
ば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を周知の膜付け法、例
えばスパッタ法、真空蒸着法を用いて膜付けし、さらに
フォトエッチング法によって希望のパターンに形成され
る。配向膜１７ａ及び１７ｂは、例えば、ポリイミド溶
液を塗布した後に焼成する方法や、オフセット印刷法等
によって形成される。
【００５５】図４において、第１基板３ａの液晶側表面
（すなわち、図４の裏側表面）には、ライン配線１４か
ら基板張出し部３ｃの方向へそのまま延びる配線２９ａ
が形成される。また、第１基板３ａの張出し部３ｃと交
差する方向へ延びていて表示領域Ｖを挟んで互いに対向
する一対のシール材辺４ｂ及び４ｃのそれぞれの適所に
導通領域３１が設定されている。そして、これらの導通
領域３１と基板張出し部３ｃ上のＩＣ実装領域との間に
配線２９ｂが形成されている。このとき、配線２９ｂは
シール材４に関して導通領域３１以外の第２領域３２の
所でこのシール材４を通過して張出し部３ｃ上へ延び出
ている。
（すなわち、図４の裏側表面）には、ライン配線１４か
ら基板張出し部３ｃの方向へそのまま延びる配線２９ａ
が形成される。また、第１基板３ａの張出し部３ｃと交
差する方向へ延びていて表示領域Ｖを挟んで互いに対向
する一対のシール材辺４ｂ及び４ｃのそれぞれの適所に
導通領域３１が設定されている。そして、これらの導通
領域３１と基板張出し部３ｃ上のＩＣ実装領域との間に
配線２９ｂが形成されている。このとき、配線２９ｂは
シール材４に関して導通領域３１以外の第２領域３２の
所でこのシール材４を通過して張出し部３ｃ上へ延び出
ている。
【００５６】図５において、第２基板３ｂの液晶側表面
（すなわち、図５の手前側表面）には、対向電極２８と
導通領域３１との間、すなわち表示領域Ｖと導通領域３
１との間に配線３３が形成されている。
（すなわち、図５の手前側表面）には、対向電極２８と
導通領域３１との間、すなわち表示領域Ｖと導通領域３
１との間に配線３３が形成されている。
【００５７】図４の第１基板３ａ又は図５の第２基板３
ｂのいずれかの液晶側表面にシール材４を印刷等によっ
て環状に形成し、そのシール材４を挟んでそれらの基板
３ａ及び３ｂを貼り合わせることによって図１に示すよ
うな液晶パネル２が形成される。このとき、図２０に示
すように、導通領域３１において、第１基板３ａ側の配
線２９ｂと第２基板３ｂ側の配線３３とが互いに重なり
合い、さらにそれらの間がシール材４に含まれる導通材
５によって導電接続される。
ｂのいずれかの液晶側表面にシール材４を印刷等によっ
て環状に形成し、そのシール材４を挟んでそれらの基板
３ａ及び３ｂを貼り合わせることによって図１に示すよ
うな液晶パネル２が形成される。このとき、図２０に示
すように、導通領域３１において、第１基板３ａ側の配
線２９ｂと第２基板３ｂ側の配線３３とが互いに重なり
合い、さらにそれらの間がシール材４に含まれる導通材
５によって導電接続される。
【００５８】以上により、第１基板３ａ上に形成された
画素電極１３は、ＴＦＤ素子１６及びライン配線１４を
介して、第１基板３ａ上の液晶駆動用ＩＣ９ａに接続さ
れる。一方、第２基板３ｂ上に形成された対向電極２８
は、導通領域３１において導通材５によって導電接続さ
れた配線３３及び配線２９ｂを介して第１基板３ａ上の
液晶駆動用ＩＣ９ｂに接続される。
画素電極１３は、ＴＦＤ素子１６及びライン配線１４を
介して、第１基板３ａ上の液晶駆動用ＩＣ９ａに接続さ
れる。一方、第２基板３ｂ上に形成された対向電極２８
は、導通領域３１において導通材５によって導電接続さ
れた配線３３及び配線２９ｂを介して第１基板３ａ上の
液晶駆動用ＩＣ９ｂに接続される。
【００５９】本実施形態の液晶装置１は以上のように構
成されているので、図２において、太陽光、室内光等と
いった外部光が十分な場合には、その外部光が第１基板
３ａ及び液晶層Ｌを透過して半透過反射膜２４へ到達
し、この半透過反射膜２４で反射した後に液晶層Ｌへ供
給される。一方、外部光が不十分の場合には、照明装置
８の発光源６を点灯し、その発光源６からの点状又は線
状の光を導光体７によって面状の光へ変換して液晶パネ
ル２へ供給する。こうして液晶パネル２へ供給された光
は半透過反射板２４を透過して液晶層Ｌへ供給される。
成されているので、図２において、太陽光、室内光等と
いった外部光が十分な場合には、その外部光が第１基板
３ａ及び液晶層Ｌを透過して半透過反射膜２４へ到達
し、この半透過反射膜２４で反射した後に液晶層Ｌへ供
給される。一方、外部光が不十分の場合には、照明装置
８の発光源６を点灯し、その発光源６からの点状又は線
状の光を導光体７によって面状の光へ変換して液晶パネ
ル２へ供給する。こうして液晶パネル２へ供給された光
は半透過反射板２４を透過して液晶層Ｌへ供給される。
【００６０】以上のようにして光が液晶層Ｌへ供給され
るとき、図１において液晶駆動用ＩＣ９ａが作動してラ
イン配線１４へ走査信号又はデータ信号の一方が供給さ
れ、さらに液晶駆動用ＩＣ９ｂが作動して対向電極２８
へ走査信号又はデータ信号の他方が供給される。これに
より、表示領域Ｖを構成する複数の画素内の液晶の配向
が画素毎に制御され、この液晶を通過する光が画素毎に
変調され、こうして変調された光が図２の偏光板１９ａ
を選択的に通過することにより、外部に文字、数字等と
いった像が表示される。
るとき、図１において液晶駆動用ＩＣ９ａが作動してラ
イン配線１４へ走査信号又はデータ信号の一方が供給さ
れ、さらに液晶駆動用ＩＣ９ｂが作動して対向電極２８
へ走査信号又はデータ信号の他方が供給される。これに
より、表示領域Ｖを構成する複数の画素内の液晶の配向
が画素毎に制御され、この液晶を通過する光が画素毎に
変調され、こうして変調された光が図２の偏光板１９ａ
を選択的に通過することにより、外部に文字、数字等と
いった像が表示される。
【００６１】本実施形態の液晶装置１では、図１におい
て、表示領域Ｖを挟んで２つの導通領域３１の各々に向
かい合う部分のシール材４の一部領域に第１ダミーパタ
ーン３４が設けられている。この第１ダミーパターン３
４は、本実施形態の場合は、図４に示すように第１基板
３ａの表面上において導通領域３１に向かい合う部分の
シール材４を通過するように形成された複数の直線状の
第１ダミーパターン要素３４ａと、図５に示すように第
２基板３ｂの表面上において導通領域３１に向かい合う
部分のシール材４を通過するように形成された複数の直
線状の第１ダミーパターン要素３４ｂとによって構成さ
れている。これらのダミーパターン３４ａ及び３４ｂ
は、図２０に示すように、シール材４を間に挟んで互い
に対向する。
て、表示領域Ｖを挟んで２つの導通領域３１の各々に向
かい合う部分のシール材４の一部領域に第１ダミーパタ
ーン３４が設けられている。この第１ダミーパターン３
４は、本実施形態の場合は、図４に示すように第１基板
３ａの表面上において導通領域３１に向かい合う部分の
シール材４を通過するように形成された複数の直線状の
第１ダミーパターン要素３４ａと、図５に示すように第
２基板３ｂの表面上において導通領域３１に向かい合う
部分のシール材４を通過するように形成された複数の直
線状の第１ダミーパターン要素３４ｂとによって構成さ
れている。これらのダミーパターン３４ａ及び３４ｂ
は、図２０に示すように、シール材４を間に挟んで互い
に対向する。
【００６２】第１基板３ａ側の第１ダミーパターン要素
３４ａは、基板３ａ上に配線２９ｂを形成する工程にお
いて同じ材料、例えばＴａ、Ｃｒ、ＩＴＯ等によって同
時に同じ厚さに形成することができる。また、第２基板
３ｂ側の第１ダミーパターン要素３４ｂは、基板３ｂ上
に対向電極２８及び配線３３を形成する工程において同
じ材料、例えばＩＴＯ等によって同時に同じ厚さに形成
することができる。
３４ａは、基板３ａ上に配線２９ｂを形成する工程にお
いて同じ材料、例えばＴａ、Ｃｒ、ＩＴＯ等によって同
時に同じ厚さに形成することができる。また、第２基板
３ｂ側の第１ダミーパターン要素３４ｂは、基板３ｂ上
に対向電極２８及び配線３３を形成する工程において同
じ材料、例えばＩＴＯ等によって同時に同じ厚さに形成
することができる。
【００６３】なお、ダミーパターン要素３４ｂは、対向
電極２８に接続しても良いし、あるいは対向電極２８を
延長させて形成しても良い。このようにしてダミーパタ
ーン要素３４ｂを対向電極２８に電気的に導通させれば
次のような効果が得られる。すなわち、対向する基板３
ａ及び３ｂのそれぞれに形成されたダミーパターンが両
方とも電気的に独立しているとすると、そこにコンデン
サが形成されるので、一度そこに電荷が蓄積されるとそ
の電荷が逃げられなくなって都合が悪い。これに対し、
ダミーパターンの一方を電極又は配線と電気的に接続す
れば、電荷を逃げられるようにできて好都合である。
電極２８に接続しても良いし、あるいは対向電極２８を
延長させて形成しても良い。このようにしてダミーパタ
ーン要素３４ｂを対向電極２８に電気的に導通させれば
次のような効果が得られる。すなわち、対向する基板３
ａ及び３ｂのそれぞれに形成されたダミーパターンが両
方とも電気的に独立しているとすると、そこにコンデン
サが形成されるので、一度そこに電荷が蓄積されるとそ
の電荷が逃げられなくなって都合が悪い。これに対し、
ダミーパターンの一方を電極又は配線と電気的に接続す
れば、電荷を逃げられるようにできて好都合である。
【００６４】本実施形態では、１つの第１ダミーパター
ン要素３４ａと１つの第１ダミーパターン要素３４ｂと
がシール材４を挟んで位置的に重なりあって一つのユニ
ットを構成し、そのユニットが適宜の間隔をおいて複数
集まって第１ダミーパターン３４を構成している。
ン要素３４ａと１つの第１ダミーパターン要素３４ｂと
がシール材４を挟んで位置的に重なりあって一つのユニ
ットを構成し、そのユニットが適宜の間隔をおいて複数
集まって第１ダミーパターン３４を構成している。
【００６５】図４において、第１基板３ａ側の第１ダミ
ーパターン要素３４ａは、導通領域３１内に存在する複
数の配線２９ｂの個々に対応した位置に形成されてい
る。また、個々の第１ダミーパターン要素３４ａの線幅
は対応する個々の配線２９ｂの線幅とほぼ等しく設定さ
れている。
ーパターン要素３４ａは、導通領域３１内に存在する複
数の配線２９ｂの個々に対応した位置に形成されてい
る。また、個々の第１ダミーパターン要素３４ａの線幅
は対応する個々の配線２９ｂの線幅とほぼ等しく設定さ
れている。
【００６６】また、図５において、第２基板３ｂ側の第
１ダミーパターン要素３４ｂは、向かい合う導通領域３
１内に存在する複数の配線３３の個々に対応した位置に
形成されている。また、個々の第１ダミーパターン要素
３４ｂの線幅は対応する個々の配線３３の線幅とほぼ等
しく設定されている。
１ダミーパターン要素３４ｂは、向かい合う導通領域３
１内に存在する複数の配線３３の個々に対応した位置に
形成されている。また、個々の第１ダミーパターン要素
３４ｂの線幅は対応する個々の配線３３の線幅とほぼ等
しく設定されている。
【００６７】また、第１基板３ａ側の第１ダミーパター
ン要素３４ａと第２基板３ｂ側の第１ダミーパターン要
素３４ｂは、図１では少しずれた位置に配置されている
ように示されているが、これは構造をわかり易く示すた
めの便宜上の措置であり、実際には、第１ダミーパター
ン要素３４ａと第１ダミーパターン要素３４ｂとは、第
１基板３ａと第２基板３ｂとを貼り合せた状態であって
それらの基板を直角方向から見た場合に、第１ダミーパ
ターン要素３４ａと第１ダミーパターン要素３４ｂとが
互いに重なり合ってほぼ１本の線になるように形成され
ている。
ン要素３４ａと第２基板３ｂ側の第１ダミーパターン要
素３４ｂは、図１では少しずれた位置に配置されている
ように示されているが、これは構造をわかり易く示すた
めの便宜上の措置であり、実際には、第１ダミーパター
ン要素３４ａと第１ダミーパターン要素３４ｂとは、第
１基板３ａと第２基板３ｂとを貼り合せた状態であって
それらの基板を直角方向から見た場合に、第１ダミーパ
ターン要素３４ａと第１ダミーパターン要素３４ｂとが
互いに重なり合ってほぼ１本の線になるように形成され
ている。
【００６８】以上により、第１基板３ａ側の第１ダミー
パターン要素３４ａと第２基板３ｂ側の第１ダミーパタ
ーン要素３４ｂとによって構成される第１ダミーパター
ン３４がシール材４を通過する面積は、その第１ダミー
パターン３４に向かい合う導通領域３１において第１基
板３ａ側の配線２９ｂ及び第２基板３ｂ側の配線３３が
シール材４を通過する面積の合計とほぼ等しくなってい
る。
パターン要素３４ａと第２基板３ｂ側の第１ダミーパタ
ーン要素３４ｂとによって構成される第１ダミーパター
ン３４がシール材４を通過する面積は、その第１ダミー
パターン３４に向かい合う導通領域３１において第１基
板３ａ側の配線２９ｂ及び第２基板３ｂ側の配線３３が
シール材４を通過する面積の合計とほぼ等しくなってい
る。
【００６９】導通領域３１においては、導通をとるため
の必要性から、第１基板３ａ側の配線２９ｂ及び第２基
板３ｂ側の配線３３がシール材４を通過しなければなら
ない。この場合に、その導通領域３１に向かい合う部分
のシール部材４の領域に何等の措置も講じておかなけれ
ば、基板間の間隙寸法、すなわちセルギャップが不均一
になって液晶の配向制御が表示領域Ｖの全面にわたって
均一にできなくなるおそれがある。このことに関し、本
実施形態では、導通領域３１に向かい合う部分のシール
部材４の領域に第１ダミーパターン３４を設けたので、
基板間隔、すなわちセルギャップを液晶パネルの全面に
わたって均一に維持でき、これにより、液晶表示品質を
高く維持できる。
の必要性から、第１基板３ａ側の配線２９ｂ及び第２基
板３ｂ側の配線３３がシール材４を通過しなければなら
ない。この場合に、その導通領域３１に向かい合う部分
のシール部材４の領域に何等の措置も講じておかなけれ
ば、基板間の間隙寸法、すなわちセルギャップが不均一
になって液晶の配向制御が表示領域Ｖの全面にわたって
均一にできなくなるおそれがある。このことに関し、本
実施形態では、導通領域３１に向かい合う部分のシール
部材４の領域に第１ダミーパターン３４を設けたので、
基板間隔、すなわちセルギャップを液晶パネルの全面に
わたって均一に維持でき、これにより、液晶表示品質を
高く維持できる。
【００７０】また、第１ダミーパターン３４がシール材
４を通過する面積を、第１基板３ａ側の配線２９ｂ及び
第２基板３ｂ側の配線３３がシール材４を通過する面積
の合計とほぼ同じに設定したので、セルギャップをより
一層均一に維持できる。
４を通過する面積を、第１基板３ａ側の配線２９ｂ及び
第２基板３ｂ側の配線３３がシール材４を通過する面積
の合計とほぼ同じに設定したので、セルギャップをより
一層均一に維持できる。
【００７１】また、図４において、第１基板３ａ側の第
１ダミーパターン要素３４ａは、導通領域３１内に存在
する複数の配線２９ｂの個々に対応して配置されてい
る。また、図５において、第２基板３ｂ側の第１ダミー
パターン要素３４ｂは、導通領域３１内に存在する複数
の配線３３の個々に対応して配置されている。この構成
により、シール材４に対する第１ダミーパターン３４側
の面積状況と、シール材４に対する配線２９ｂ及び３３
側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルのセルギャ
ップをより一層均一に維持できる。
１ダミーパターン要素３４ａは、導通領域３１内に存在
する複数の配線２９ｂの個々に対応して配置されてい
る。また、図５において、第２基板３ｂ側の第１ダミー
パターン要素３４ｂは、導通領域３１内に存在する複数
の配線３３の個々に対応して配置されている。この構成
により、シール材４に対する第１ダミーパターン３４側
の面積状況と、シール材４に対する配線２９ｂ及び３３
側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルのセルギャ
ップをより一層均一に維持できる。
【００７２】次に、図４において、ライン配線１４から
延びる配線２９ａはシール材４の１辺４ｅを通過する。
また、ライン配線１４の反対側の端部であってシール材
４の反対側の１辺４ｄを通過する部分はダミーパターン
３８として機能する。このダミーパターン３８は、配線
２９ａが通過する側のシール材辺４ｅの所の基板間厚
さ、すなわちセルギャップと、その反対側のシール材辺
４ｄの所のセルギャップとを等しい寸法に維持するよう
に作用する。このダミーパターン３８の作用により、図
４のライン配線１４に沿った図の縦方向における液晶パ
ネルのセルギャップを一定に維持できる。
延びる配線２９ａはシール材４の１辺４ｅを通過する。
また、ライン配線１４の反対側の端部であってシール材
４の反対側の１辺４ｄを通過する部分はダミーパターン
３８として機能する。このダミーパターン３８は、配線
２９ａが通過する側のシール材辺４ｅの所の基板間厚
さ、すなわちセルギャップと、その反対側のシール材辺
４ｄの所のセルギャップとを等しい寸法に維持するよう
に作用する。このダミーパターン３８の作用により、図
４のライン配線１４に沿った図の縦方向における液晶パ
ネルのセルギャップを一定に維持できる。
【００７３】なお、図２に示すように、ダミーパターン
３８に対向する位置の第２基板３ｂの表面には、別のダ
ミーパターン６３がダミーパターン３８と重なるように
形成されている。また、ダミーパターン３８と反対側に
おいて配線２９ａがシール材辺４ｅを通過する部分に対
向する位置の第２基板３ｂの表面にも、別のダミーパタ
ーン６４が配線２９ａと重なるように形成されている。
３８に対向する位置の第２基板３ｂの表面には、別のダ
ミーパターン６３がダミーパターン３８と重なるように
形成されている。また、ダミーパターン３８と反対側に
おいて配線２９ａがシール材辺４ｅを通過する部分に対
向する位置の第２基板３ｂの表面にも、別のダミーパタ
ーン６４が配線２９ａと重なるように形成されている。
【００７４】ダミーパターン６３は、図４におけるダミ
ーパターン３８がシール材４を通過する部分の形状と同
じ形状となるように図５に示すように形成される。ま
た、ダミーパターン６４は、図４における配線２９ａが
シール材４を通過する部分の形状と同じ形状となるよう
に図５に示すように形成される。なお、図２に示すよう
に、ダミーパターン３８とダミーパターン６３はそれぞ
れ導通材５の上端及び下端に接触し、さらに、液晶層Ｌ
を挟んだ反対側では、配線２９ａとダミーパターン６４
とがそれぞれ導通材５の上端及び下端に接触している。
さらに、図５に示すように、ダミーパターン６３及びダ
ミーパターン６４は、対向電極２８と電気的に接続され
ることなく、いずれも、電気的に独立している。これら
のダミーパターン６３及び６４を設けることにより、セ
ルギャップをより一層均一に維持することが可能とな
る。
ーパターン３８がシール材４を通過する部分の形状と同
じ形状となるように図５に示すように形成される。ま
た、ダミーパターン６４は、図４における配線２９ａが
シール材４を通過する部分の形状と同じ形状となるよう
に図５に示すように形成される。なお、図２に示すよう
に、ダミーパターン３８とダミーパターン６３はそれぞ
れ導通材５の上端及び下端に接触し、さらに、液晶層Ｌ
を挟んだ反対側では、配線２９ａとダミーパターン６４
とがそれぞれ導通材５の上端及び下端に接触している。
さらに、図５に示すように、ダミーパターン６３及びダ
ミーパターン６４は、対向電極２８と電気的に接続され
ることなく、いずれも、電気的に独立している。これら
のダミーパターン６３及び６４を設けることにより、セ
ルギャップをより一層均一に維持することが可能とな
る。
【００７５】ところで、本実施形態では、図４に示すよ
うに、第１基板３ａの表面に形成した配線２９ｂが導通
領域３１以外の第２領域３２でシール材４を通過して、
基板張出し部３ｃすなわち配線引出し領域へ延び出てい
る。この場合に、その第２領域３２に向かい合う部分の
シール部材４の領域に何等の措置も講じておかなけれ
ば、基板間の間隙寸法、すなわちセルギャップが不均一
になって液晶の配向制御が表示領域Ｖの全面にわたって
均一にできなくなるおそれがある。このことに関し、本
実施形態では、第２領域３２に向かい合う部分のシール
部材４の領域に第２ダミーパターン３７を設けた。これ
により、基板間隔、すなわちセルギャップを液晶パネル
の全面にわたって均一に維持でき、これにより、液晶表
示品質を高く維持できる。
うに、第１基板３ａの表面に形成した配線２９ｂが導通
領域３１以外の第２領域３２でシール材４を通過して、
基板張出し部３ｃすなわち配線引出し領域へ延び出てい
る。この場合に、その第２領域３２に向かい合う部分の
シール部材４の領域に何等の措置も講じておかなけれ
ば、基板間の間隙寸法、すなわちセルギャップが不均一
になって液晶の配向制御が表示領域Ｖの全面にわたって
均一にできなくなるおそれがある。このことに関し、本
実施形態では、第２領域３２に向かい合う部分のシール
部材４の領域に第２ダミーパターン３７を設けた。これ
により、基板間隔、すなわちセルギャップを液晶パネル
の全面にわたって均一に維持でき、これにより、液晶表
示品質を高く維持できる。
【００７６】本実施形態では、第２ダミーパターン３７
は、第２領域３２内に存在する複数の配線２９ｂの個々
に対応する位置に形成された複数の直線状のパターン３
９によって構成されている。また、各パターン３９がシ
ール材４を通過する面積の合計は、第２領域３２におい
て配線２９ｂがシール材４を通過する面積の合計にほぼ
等しくなっている。これにより、基板間隔、すなわちセ
ルギャップを液晶パネルの全面にわたって均一に維持で
き、これにより、液晶表示品質を高く維持できる。
は、第２領域３２内に存在する複数の配線２９ｂの個々
に対応する位置に形成された複数の直線状のパターン３
９によって構成されている。また、各パターン３９がシ
ール材４を通過する面積の合計は、第２領域３２におい
て配線２９ｂがシール材４を通過する面積の合計にほぼ
等しくなっている。これにより、基板間隔、すなわちセ
ルギャップを液晶パネルの全面にわたって均一に維持で
き、これにより、液晶表示品質を高く維持できる。
【００７７】さらに、本実施形態では、図４の配線２９
ｂが形成された第１基板３ａに対向する図５の第２基板
３ｂに関して、図４の配線２９ｂがシール材４を通過す
る位置に対向させてダミーパターン６６を形成した。ま
た、図４のダミーパターン３９に対向する位置の図５の
第２基板３ｂの表面にダミーパターン６７を形成した。
このように、配線２９ｂを形成した第１基板３ａに対向
する第２基板３ｂにダミーパターン６６及び６７を設け
ることにより、ライン配線１４の延在方向に沿ったセル
ギャップをより一層均一に維持できる。
ｂが形成された第１基板３ａに対向する図５の第２基板
３ｂに関して、図４の配線２９ｂがシール材４を通過す
る位置に対向させてダミーパターン６６を形成した。ま
た、図４のダミーパターン３９に対向する位置の図５の
第２基板３ｂの表面にダミーパターン６７を形成した。
このように、配線２９ｂを形成した第１基板３ａに対向
する第２基板３ｂにダミーパターン６６及び６７を設け
ることにより、ライン配線１４の延在方向に沿ったセル
ギャップをより一層均一に維持できる。
【００７８】（変形例）図１に示す実施形態では、導通
領域３１以外に配線２９ｂが通過する領域である第２領
域３２に対応して第２ダミーパターン３７を設けたが、
第２領域３２に対応する位置には、必ずしもダミーパタ
ーンを設けなくても良い。
領域３１以外に配線２９ｂが通過する領域である第２領
域３２に対応して第２ダミーパターン３７を設けたが、
第２領域３２に対応する位置には、必ずしもダミーパタ
ーンを設けなくても良い。
【００７９】また、図１に示す実施形態では、第１ダミ
ーパターン３４を第１基板３ａ及び第２基板３ｂの両方
に形成したが、場合によっては、いずれか一方の基板に
形成するだけでも良い。
ーパターン３４を第１基板３ａ及び第２基板３ｂの両方
に形成したが、場合によっては、いずれか一方の基板に
形成するだけでも良い。
【００８０】また、図１に示す実施形態では、第１ダミ
ーパターン３４を複数の直線状のパターンの集合によっ
て形成したが、これに代えて、適宜の面積を持った１つ
のパターンによって第１ダミーパターン３４を構成する
こともできる。
ーパターン３４を複数の直線状のパターンの集合によっ
て形成したが、これに代えて、適宜の面積を持った１つ
のパターンによって第１ダミーパターン３４を構成する
こともできる。
【００８１】（液晶装置の第２実施形態）図６は、アク
ティブ素子を用いない構造の単純マトリクス型の液晶装
置であって、基板上にＩＣチップを直接に実装する構造
の、いわゆるＣＯＧ（Chip On Glass）方式の液晶装置
に本発明を適用した場合の実施形態を示している。
ティブ素子を用いない構造の単純マトリクス型の液晶装
置であって、基板上にＩＣチップを直接に実装する構造
の、いわゆるＣＯＧ（Chip On Glass）方式の液晶装置
に本発明を適用した場合の実施形態を示している。
【００８２】ここに示す液晶装置４１は、図６にその全
体的な平面構造を示した液晶パネル４２に、照明装置、
制御基板、その他の付帯機器を付設することによって構
成される。液晶パネル４２は、図面の手前側に配置され
た第１基板３ａと、図面の奥側に配置された第２基板３
ｂとを環状のシール材４によって互いに接合、すなわち
貼り合わせることによって形成される。シール材４の内
部には、第１基板３ａと第２基板３ｂとの間で電気的な
導通をとるための導通材５が分散状態で含まれている。
体的な平面構造を示した液晶パネル４２に、照明装置、
制御基板、その他の付帯機器を付設することによって構
成される。液晶パネル４２は、図面の手前側に配置され
た第１基板３ａと、図面の奥側に配置された第２基板３
ｂとを環状のシール材４によって互いに接合、すなわち
貼り合わせることによって形成される。シール材４の内
部には、第１基板３ａと第２基板３ｂとの間で電気的な
導通をとるための導通材５が分散状態で含まれている。
【００８３】シール材４、第１基板３ａ及び第２基板３
ｂによって囲まれる領域は高さが一定の間隙、いわゆる
セルギャップを構成する。さらに、シール材４の一部に
は液晶注入用開口４ａが形成される。上記のセルギャッ
プ内には、上記液晶注入用開口４ａを通して液晶が注入
され、その注入の完了後、液晶注入用開口４ａが樹脂等
によって封止される。
ｂによって囲まれる領域は高さが一定の間隙、いわゆる
セルギャップを構成する。さらに、シール材４の一部に
は液晶注入用開口４ａが形成される。上記のセルギャッ
プ内には、上記液晶注入用開口４ａを通して液晶が注入
され、その注入の完了後、液晶注入用開口４ａが樹脂等
によって封止される。
【００８４】図７は、図６におけるＤ−Ｄ線に従って液
晶装置４１の断面構造を示している。図７に示すよう
に、液晶パネル４２の第２基板３ｂの裏側（すなわち、
図７に示す構造の下側）には、発光源６及び導光体７を
有する照明装置８がバックライトとして設けられてい
る。
晶装置４１の断面構造を示している。図７に示すよう
に、液晶パネル４２の第２基板３ｂの裏側（すなわち、
図７に示す構造の下側）には、発光源６及び導光体７を
有する照明装置８がバックライトとして設けられてい
る。
【００８５】図６において、第１基板３ａは第２基板３
ｂの外側へ張り出す、配線引出し領域としての基板張出
し部３ｃを有し、その基板張出し部３ｃ上に液晶駆動用
ＩＣ９ａ及び９ｂが導電接着要素、例えばＡＣＦ（Anis
otropic Conductive Film）１１によって実装されてい
る。液晶駆動用ＩＣ９ａと液晶駆動用ＩＣ９ｂは互いに
特性が異なるものであり、このように特性の異なる２種
類の液晶駆動用ＩＣを用いるのは、第１基板３ａ側と第
２基板３ｂ側とで、換言すれば、走査線駆動系と信号線
駆動系との間で使用する電圧値が異なっているため、そ
れらを１つのＩＣチップで賄うことができないからであ
る。
ｂの外側へ張り出す、配線引出し領域としての基板張出
し部３ｃを有し、その基板張出し部３ｃ上に液晶駆動用
ＩＣ９ａ及び９ｂが導電接着要素、例えばＡＣＦ（Anis
otropic Conductive Film）１１によって実装されてい
る。液晶駆動用ＩＣ９ａと液晶駆動用ＩＣ９ｂは互いに
特性が異なるものであり、このように特性の異なる２種
類の液晶駆動用ＩＣを用いるのは、第１基板３ａ側と第
２基板３ｂ側とで、換言すれば、走査線駆動系と信号線
駆動系との間で使用する電圧値が異なっているため、そ
れらを１つのＩＣチップで賄うことができないからであ
る。
【００８６】図７において、第１基板３ａは基材１２ａ
を有し、その基材１２ａの内側表面、すなわち液晶層Ｌ
側の表面にはカラーフィルタ膜４６が形成され、そのカ
ラーフィルタ膜４６の上に第１電極４３が形成され、さ
らにその上に配向膜１７ａが形成される。第１電極４３
は、図６に示すように、複数本が互いに平行に配列され
て全体としてストライプ状に形成されている。また、基
材１２ａの外側表面には偏光板１９ａが設けられる。
を有し、その基材１２ａの内側表面、すなわち液晶層Ｌ
側の表面にはカラーフィルタ膜４６が形成され、そのカ
ラーフィルタ膜４６の上に第１電極４３が形成され、さ
らにその上に配向膜１７ａが形成される。第１電極４３
は、図６に示すように、複数本が互いに平行に配列され
て全体としてストライプ状に形成されている。また、基
材１２ａの外側表面には偏光板１９ａが設けられる。
【００８７】図７において、第２基板３ｂは基材１２ｂ
を有し、その基材１２ｂの内側表面、すなわち液晶層Ｌ
側の表面には第２電極４８が形成され、その上に配向膜
１７ｂが形成される。また、基材１２ｂの外側表面に
は、偏光板１９ｂが形成され、その上に半透過反射膜４
４が形成される。
を有し、その基材１２ｂの内側表面、すなわち液晶層Ｌ
側の表面には第２電極４８が形成され、その上に配向膜
１７ｂが形成される。また、基材１２ｂの外側表面に
は、偏光板１９ｂが形成され、その上に半透過反射膜４
４が形成される。
【００８８】第２電極４８は、図６に示すように、多数
の直線状の電極４８を第１電極４３と交差するように互
いに平行に並べることにより全体としてストライプ状に
形成されている。なお、図６では、電極パターンをわか
り易く示すために、第１電極４３及び第２電極４８を数
本だけ間隔を大きく広げて模式的に示してあるが、実際
には、第１電極４３及び第２電極４８は多数本が狭い間
隔で形成されている。図６において、第１電極４３と第
２電極４８との交差点はドットマトリクス状に配列して
おり、これらの交差点の個々が１つのドットを構成し、
図７のカラーフィルタ膜４６の個々の色パターンがその
１ドットに対応する。カラーフィルタ膜４６は、例え
ば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色が１つのユ
ニットとなって１つの画素を構成している。ドットマト
リクス状に配列された複数のドットによって区画される
方形の領域Ｖが、電圧印加によって駆動される駆動領
域、すなわち文字等といった像が表示される表示領域で
ある。
の直線状の電極４８を第１電極４３と交差するように互
いに平行に並べることにより全体としてストライプ状に
形成されている。なお、図６では、電極パターンをわか
り易く示すために、第１電極４３及び第２電極４８を数
本だけ間隔を大きく広げて模式的に示してあるが、実際
には、第１電極４３及び第２電極４８は多数本が狭い間
隔で形成されている。図６において、第１電極４３と第
２電極４８との交差点はドットマトリクス状に配列して
おり、これらの交差点の個々が１つのドットを構成し、
図７のカラーフィルタ膜４６の個々の色パターンがその
１ドットに対応する。カラーフィルタ膜４６は、例え
ば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色が１つのユ
ニットとなって１つの画素を構成している。ドットマト
リクス状に配列された複数のドットによって区画される
方形の領域Ｖが、電圧印加によって駆動される駆動領
域、すなわち文字等といった像が表示される表示領域で
ある。
【００８９】基材１２ａ、１２ｂは、例えば、ガラス、
プラスチック等によって形成される。また、半透過反射
膜４４は光反射性の材料、例えばＡｌ（アルミニウム）
によって形成される。但し、光反射性材料は半透過及び
反射の機能を達成するために、その厚さが光を透過可能
な程度に薄く形成したり、あるいは、半透過反射膜２４
の適所に光を通過させる開口を適宜の面積割合で形成し
たりする。
プラスチック等によって形成される。また、半透過反射
膜４４は光反射性の材料、例えばＡｌ（アルミニウム）
によって形成される。但し、光反射性材料は半透過及び
反射の機能を達成するために、その厚さが光を透過可能
な程度に薄く形成したり、あるいは、半透過反射膜２４
の適所に光を通過させる開口を適宜の面積割合で形成し
たりする。
【００９０】カラーフィルタ膜４６は、周知の色絵素形
成手法、例えばインクジェット法、顔料分散法等を用い
て顔料を、モザイク配列、ストライプ配列、デルタ配列
等といった適宜のパターンに塗布することによって形成
される。
成手法、例えばインクジェット法、顔料分散法等を用い
て顔料を、モザイク配列、ストライプ配列、デルタ配列
等といった適宜のパターンに塗布することによって形成
される。
【００９１】第１電極４３及び第２電極４８は、例え
ば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を周知の膜付け法、例
えばスパッタ法、真空蒸着法を用いて膜付けし、さらに
フォトエッチング法によって希望のパターンに形成され
る。配向膜１７ａ及び１７ｂは、例えば、ポリイミド溶
液を塗布した後に焼成する方法や、オフセット印刷法等
によって形成される。
ば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を周知の膜付け法、例
えばスパッタ法、真空蒸着法を用いて膜付けし、さらに
フォトエッチング法によって希望のパターンに形成され
る。配向膜１７ａ及び１７ｂは、例えば、ポリイミド溶
液を塗布した後に焼成する方法や、オフセット印刷法等
によって形成される。
【００９２】図８において、第１基板３ａの液晶側表面
（すなわち、図８の裏側表面）には、第１電極４３から
基板張出し部３ｃの方向へそのまま延びる配線２９ａが
形成される。また、第１基板３ａの張出し部３ｃと平行
に延びるシール材辺４ｅの両端部に導通領域３１が設定
されている。そして、これらの導通領域３１と基板張出
し部３ｃ上のＩＣ実装領域との間に配線２９ｂが形成さ
れている。
（すなわち、図８の裏側表面）には、第１電極４３から
基板張出し部３ｃの方向へそのまま延びる配線２９ａが
形成される。また、第１基板３ａの張出し部３ｃと平行
に延びるシール材辺４ｅの両端部に導通領域３１が設定
されている。そして、これらの導通領域３１と基板張出
し部３ｃ上のＩＣ実装領域との間に配線２９ｂが形成さ
れている。
【００９３】また、図９において、第２基板３ｂの液晶
側表面（すなわち、図９の手前側表面）には、第２電極
４８の端部と導通領域３１との間、すなわち表示領域Ｖ
と導通領域３１との間に配線３３が形成されている。
側表面（すなわち、図９の手前側表面）には、第２電極
４８の端部と導通領域３１との間、すなわち表示領域Ｖ
と導通領域３１との間に配線３３が形成されている。
【００９４】図８の第１基板３ａ又は図９の第２基板３
ｂのいずれかの液晶側表面にシール材４を印刷等によっ
て環状に形成し、そのシール材４を挟んでそれらの基板
３ａ及び３ｂを貼り合わせることによって図６に示すよ
うな液晶パネル４２が形成される。このとき、導通領域
３１において、図２２に示すように、第１基板３ａ側の
配線２９ｂと第２基板３ｂ側の配線３３とが互いに重な
り合い、さらにそれらの間がシール材４に含まれる導通
材５によって導電接続される。
ｂのいずれかの液晶側表面にシール材４を印刷等によっ
て環状に形成し、そのシール材４を挟んでそれらの基板
３ａ及び３ｂを貼り合わせることによって図６に示すよ
うな液晶パネル４２が形成される。このとき、導通領域
３１において、図２２に示すように、第１基板３ａ側の
配線２９ｂと第２基板３ｂ側の配線３３とが互いに重な
り合い、さらにそれらの間がシール材４に含まれる導通
材５によって導電接続される。
【００９５】以上により、図６において、第１基板３ａ
上に形成された第１電極４３は、配線２９ａを介して、
第１基板３ａ上の液晶駆動用ＩＣ９ａに接続される。一
方、第２基板３ｂ上に形成された第２電極４８は、導通
領域３１において導通材５によって導電接続された配線
３３及び配線２９ｂを介して第１基板３ａ上の液晶駆動
用ＩＣ９ｂに接続される。
上に形成された第１電極４３は、配線２９ａを介して、
第１基板３ａ上の液晶駆動用ＩＣ９ａに接続される。一
方、第２基板３ｂ上に形成された第２電極４８は、導通
領域３１において導通材５によって導電接続された配線
３３及び配線２９ｂを介して第１基板３ａ上の液晶駆動
用ＩＣ９ｂに接続される。
【００９６】本実施形態の液晶装置４１は以上のように
構成されているので、図７において、太陽光、室内光等
といった外部光が十分な場合には、その外部光が第１基
板３ａ及び液晶層Ｌを透過して半透過反射膜４４へ到達
し、この半透過反射膜４４で反射した後に液晶層Ｌへ供
給される。一方、外部光が不十分の場合には、照明装置
８の発光源６を点灯し、その発光源６からの点状又は線
状の光を導光体７によって面状の光へ変換して液晶パネ
ル４２へ供給する。こうして液晶パネル４２へ供給され
た光は半透過反射板４４を透過して液晶層Ｌへ供給され
る。
構成されているので、図７において、太陽光、室内光等
といった外部光が十分な場合には、その外部光が第１基
板３ａ及び液晶層Ｌを透過して半透過反射膜４４へ到達
し、この半透過反射膜４４で反射した後に液晶層Ｌへ供
給される。一方、外部光が不十分の場合には、照明装置
８の発光源６を点灯し、その発光源６からの点状又は線
状の光を導光体７によって面状の光へ変換して液晶パネ
ル４２へ供給する。こうして液晶パネル４２へ供給され
た光は半透過反射板４４を透過して液晶層Ｌへ供給され
る。
【００９７】以上のようにして光が液晶層Ｌへ供給され
るとき、図６において液晶駆動用ＩＣ９ａが作動して第
１電極４３へ走査信号又はデータ信号の一方が供給さ
れ、さらに液晶駆動用ＩＣ９ｂが作動して第２電極４８
へ走査信号又はデータ信号の他方が供給される。これに
より、表示領域Ｖを構成する複数の画素内の液晶の配向
が画素毎に制御され、この液晶を通過する光が画素毎に
変調され、こうして変調された光が図７の偏光板１９ａ
を選択的に通過することにより、外部に文字、数字等と
いった像が表示される。
るとき、図６において液晶駆動用ＩＣ９ａが作動して第
１電極４３へ走査信号又はデータ信号の一方が供給さ
れ、さらに液晶駆動用ＩＣ９ｂが作動して第２電極４８
へ走査信号又はデータ信号の他方が供給される。これに
より、表示領域Ｖを構成する複数の画素内の液晶の配向
が画素毎に制御され、この液晶を通過する光が画素毎に
変調され、こうして変調された光が図７の偏光板１９ａ
を選択的に通過することにより、外部に文字、数字等と
いった像が表示される。
【００９８】本実施形態の液晶装置４１では、図６にお
いて、２つの導通領域３１の各々に向かい合う部分のシ
ール材４の一部領域に第１ダミーパターン３４が設けら
れている。この第１ダミーパターン３４は、本実施形態
の場合は、図８に示すように第１基板３ａの表面上にお
いて導通領域３１に向かい合う部分のシール材４を通過
するように形成された複数の直線状の第１ダミーパター
ン要素３４ａと、図９に示すように第２基板３ｂの表面
上において導通領域３１に向かい合う部分のシール材４
を通過するように形成された複数の直線状の第１ダミー
パターン要素３４ｂとによって構成されている。
いて、２つの導通領域３１の各々に向かい合う部分のシ
ール材４の一部領域に第１ダミーパターン３４が設けら
れている。この第１ダミーパターン３４は、本実施形態
の場合は、図８に示すように第１基板３ａの表面上にお
いて導通領域３１に向かい合う部分のシール材４を通過
するように形成された複数の直線状の第１ダミーパター
ン要素３４ａと、図９に示すように第２基板３ｂの表面
上において導通領域３１に向かい合う部分のシール材４
を通過するように形成された複数の直線状の第１ダミー
パターン要素３４ｂとによって構成されている。
【００９９】図８において、第１基板３ａ側の第１ダミ
ーパターン要素３４ａは、基板３ａ上に配線２９ｂを形
成する工程において同じ材料、例えばＩＴＯ等によって
同時に同じ厚さに形成することができる。また、図９に
おいて、第２基板３ｂ側の第１ダミーパターン要素３４
ｂは、基板３ｂ上に配線３３を形成する工程において同
じ材料、例えばＩＴＯ等によって同時に同じ厚さに形成
することができる。
ーパターン要素３４ａは、基板３ａ上に配線２９ｂを形
成する工程において同じ材料、例えばＩＴＯ等によって
同時に同じ厚さに形成することができる。また、図９に
おいて、第２基板３ｂ側の第１ダミーパターン要素３４
ｂは、基板３ｂ上に配線３３を形成する工程において同
じ材料、例えばＩＴＯ等によって同時に同じ厚さに形成
することができる。
【０１００】本実施形態では、１つの第１ダミーパター
ン要素３４ａと１つの第１ダミーパターン要素３４ｂと
が、図２２に示すように、シール材４を挟んで位置的に
重なりあって一つのユニットを構成し、そのユニットが
図６において適宜の間隔をおいて複数集まって第１ダミ
ーパターン３４を構成している。
ン要素３４ａと１つの第１ダミーパターン要素３４ｂと
が、図２２に示すように、シール材４を挟んで位置的に
重なりあって一つのユニットを構成し、そのユニットが
図６において適宜の間隔をおいて複数集まって第１ダミ
ーパターン３４を構成している。
【０１０１】図８において、第１基板３ａ側の第１ダミ
ーパターン要素３４ａは、導通領域３１内に存在する複
数の配線２９ｂの個々に対応した位置に形成されてい
る。また、個々の第１ダミーパターン要素３４ａの線幅
は対応する個々の配線２９ｂの線幅とほぼ等しく設定さ
れている。
ーパターン要素３４ａは、導通領域３１内に存在する複
数の配線２９ｂの個々に対応した位置に形成されてい
る。また、個々の第１ダミーパターン要素３４ａの線幅
は対応する個々の配線２９ｂの線幅とほぼ等しく設定さ
れている。
【０１０２】また、図９において、第２基板３ｂ側の第
１ダミーパターン要素３４ｂは、導通領域３１内に存在
する複数の配線３３の個々に対応した位置に形成されて
いる。また、個々の第１ダミーパターン要素３４ｂの線
幅は対応する個々の配線３３の線幅とほぼ等しく設定さ
れている。
１ダミーパターン要素３４ｂは、導通領域３１内に存在
する複数の配線３３の個々に対応した位置に形成されて
いる。また、個々の第１ダミーパターン要素３４ｂの線
幅は対応する個々の配線３３の線幅とほぼ等しく設定さ
れている。
【０１０３】また、第１基板３ａ側の第１ダミーパター
ン要素３４ａと第２基板３ｂ側の第１ダミーパターン要
素３４ｂは、図６では少しずれた位置に配置されている
ように示されているが、これは構造をわかり易く示すた
めの便宜上の措置であり、実際には、第１ダミーパター
ン要素３４ａと第１ダミーパターン要素３４ｂとは、第
１基板３ａと第２基板３ｂとを貼り合せた状態であって
それらの基板を直角方向から見た場合に、第１ダミーパ
ターン要素３４ａと第１ダミーパターン要素３４ｂとが
互いに重なり合ってほぼ１本の線になるように形成され
ている。
ン要素３４ａと第２基板３ｂ側の第１ダミーパターン要
素３４ｂは、図６では少しずれた位置に配置されている
ように示されているが、これは構造をわかり易く示すた
めの便宜上の措置であり、実際には、第１ダミーパター
ン要素３４ａと第１ダミーパターン要素３４ｂとは、第
１基板３ａと第２基板３ｂとを貼り合せた状態であって
それらの基板を直角方向から見た場合に、第１ダミーパ
ターン要素３４ａと第１ダミーパターン要素３４ｂとが
互いに重なり合ってほぼ１本の線になるように形成され
ている。
【０１０４】以上により、第１基板３ａ側の第１ダミー
パターン要素３４ａと第２基板３ｂ側の第１ダミーパタ
ーン要素３４ｂとによって構成される第１ダミーパター
ン３４がシール材４を通過する面積は、その第１ダミー
パターン３４に向かい合う導通領域３１において第１基
板３ａ側の配線２９ｂ及び第２基板３ｂ側の配線３３が
シール材４を通過する面積の合計とほぼ等しくなってい
る。
パターン要素３４ａと第２基板３ｂ側の第１ダミーパタ
ーン要素３４ｂとによって構成される第１ダミーパター
ン３４がシール材４を通過する面積は、その第１ダミー
パターン３４に向かい合う導通領域３１において第１基
板３ａ側の配線２９ｂ及び第２基板３ｂ側の配線３３が
シール材４を通過する面積の合計とほぼ等しくなってい
る。
【０１０５】導通領域３１においては、導通をとるため
の必要性から、第１基板３ａ側の配線２９ｂ及び第２基
板３ｂ側の配線３３がシール材４を通過しなければなら
ない。この場合に、その導通領域３１に向かい合う部分
のシール部材４の領域に何等の措置も講じておかなけれ
ば、基板間の間隙寸法、すなわちセルギャップが不均一
になって液晶の配向制御が表示領域Ｖの全面にわたって
均一にできなくなるおそれがある。このことに関し、本
実施形態では、導通領域３１に向かい合う部分のシール
部材４の領域に第１ダミーパターン３４を設けたので、
基板間隔、すなわちセルギャップを液晶パネルの全面に
わたって均一に維持でき、これにより、液晶表示品質を
高く維持できる。
の必要性から、第１基板３ａ側の配線２９ｂ及び第２基
板３ｂ側の配線３３がシール材４を通過しなければなら
ない。この場合に、その導通領域３１に向かい合う部分
のシール部材４の領域に何等の措置も講じておかなけれ
ば、基板間の間隙寸法、すなわちセルギャップが不均一
になって液晶の配向制御が表示領域Ｖの全面にわたって
均一にできなくなるおそれがある。このことに関し、本
実施形態では、導通領域３１に向かい合う部分のシール
部材４の領域に第１ダミーパターン３４を設けたので、
基板間隔、すなわちセルギャップを液晶パネルの全面に
わたって均一に維持でき、これにより、液晶表示品質を
高く維持できる。
【０１０６】また、第１ダミーパターン３４がシール材
４を通過する面積を、第１基板３ａ側の配線２９ｂ及び
第２基板３ｂ側の配線３３がシール材４を通過する面積
の合計とほぼ同じに設定したので、セルギャップをより
一層均一に維持できる。
４を通過する面積を、第１基板３ａ側の配線２９ｂ及び
第２基板３ｂ側の配線３３がシール材４を通過する面積
の合計とほぼ同じに設定したので、セルギャップをより
一層均一に維持できる。
【０１０７】また、図８において、第１基板３ａ側の第
１ダミーパターン要素３４ａは、導通領域３１内に存在
する複数の配線２９ｂの個々に対応して配置されてい
る。また、図９において、第２基板３ｂ側の第１ダミー
パターン要素３４ｂは、導通領域３１内に存在する複数
の配線３３の個々に対応して配置されている。この構成
により、シール材４に対する第１ダミーパターン３４側
の面積状況と、シール材４に対する配線２９ｂ及び３３
側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルのセルギャ
ップをより一層均一に維持できる。
１ダミーパターン要素３４ａは、導通領域３１内に存在
する複数の配線２９ｂの個々に対応して配置されてい
る。また、図９において、第２基板３ｂ側の第１ダミー
パターン要素３４ｂは、導通領域３１内に存在する複数
の配線３３の個々に対応して配置されている。この構成
により、シール材４に対する第１ダミーパターン３４側
の面積状況と、シール材４に対する配線２９ｂ及び３３
側の面積状況とが等しくなるので液晶パネルのセルギャ
ップをより一層均一に維持できる。
【０１０８】次に、図８において、第１電極４３から延
びる配線２９ａはシール材４の１辺４ｅを通過する。ま
た、第１電極４３の反対側の端部であってシール材４の
反対側の１辺４ｄを通過する部分はダミーパターン３８
として機能する。このダミーパターン３８は、配線２９
ａが通過する側のシール材辺４ｅの所の基板間厚さ、す
なわちセルギャップと、その反対側のシール材辺４ｄの
所のセルギャップとを等しい寸法に維持するように作用
する。このダミーパターン３８の作用により、図８の第
１電極４３に沿った図の縦方向における液晶パネルのセ
ルギャップを一定に維持できる。
びる配線２９ａはシール材４の１辺４ｅを通過する。ま
た、第１電極４３の反対側の端部であってシール材４の
反対側の１辺４ｄを通過する部分はダミーパターン３８
として機能する。このダミーパターン３８は、配線２９
ａが通過する側のシール材辺４ｅの所の基板間厚さ、す
なわちセルギャップと、その反対側のシール材辺４ｄの
所のセルギャップとを等しい寸法に維持するように作用
する。このダミーパターン３８の作用により、図８の第
１電極４３に沿った図の縦方向における液晶パネルのセ
ルギャップを一定に維持できる。
【０１０９】なお、図７に示すように、ダミーパターン
３８に対向する位置の第２基板３ｂの表面には、別のダ
ミーパターン６３がダミーパターン３８と重なるように
形成されている。また、ダミーパターン３８と反対側に
おいて配線２９ａがシール材辺４ｅを通過する部分に対
向する位置の第２基板３ｂの表面にも、別のダミーパタ
ーン６４が配線２９ａと重なるように形成されている。
ダミーパターン６３は、図８におけるダミーパターン３
８がシール材４を通過する部分の形状と同じ形状となる
ように図９に示すように形成される。また、ダミーパタ
ーン６４は、図８における配線２９ａがシール材４を通
過する部分の形状と同じ形状となるように図９に示すよ
うに形成される。
３８に対向する位置の第２基板３ｂの表面には、別のダ
ミーパターン６３がダミーパターン３８と重なるように
形成されている。また、ダミーパターン３８と反対側に
おいて配線２９ａがシール材辺４ｅを通過する部分に対
向する位置の第２基板３ｂの表面にも、別のダミーパタ
ーン６４が配線２９ａと重なるように形成されている。
ダミーパターン６３は、図８におけるダミーパターン３
８がシール材４を通過する部分の形状と同じ形状となる
ように図９に示すように形成される。また、ダミーパタ
ーン６４は、図８における配線２９ａがシール材４を通
過する部分の形状と同じ形状となるように図９に示すよ
うに形成される。
【０１１０】なお、図７に示すように、ダミーパターン
３８とダミーパターン６３はそれぞれ導通材５の上端及
び下端に接触し、さらに、液晶層Ｌを挟んだ反対側で
は、配線２９ａとダミーパターン６４とがそれぞれ導通
材５の上端及び下端に接触している。さらに、図９に示
すように、ダミーパターン６３及びダミーパターン６４
は、第２電極４８と電気的に接続されることなく、いず
れも、電気的に独立している。これらのダミーパターン
６３及び６４を設けることにより、セルギャップをより
一層均一に維持することが可能となる。
３８とダミーパターン６３はそれぞれ導通材５の上端及
び下端に接触し、さらに、液晶層Ｌを挟んだ反対側で
は、配線２９ａとダミーパターン６４とがそれぞれ導通
材５の上端及び下端に接触している。さらに、図９に示
すように、ダミーパターン６３及びダミーパターン６４
は、第２電極４８と電気的に接続されることなく、いず
れも、電気的に独立している。これらのダミーパターン
６３及び６４を設けることにより、セルギャップをより
一層均一に維持することが可能となる。
【０１１１】ところで、本実施形態では、図９に示すよ
うに、第２基板３ｂの表面に形成した配線３３が導通領
域３１以外の第２領域３２でシール材４を通過してい
る。この場合に、その第２領域３２に向かい合う部分の
シール部材４の領域Ａに何等の措置も講じておかなけれ
ば、基板間の間隙寸法、すなわちセルギャップが不均一
になって液晶の配向制御が表示領域Ｖの全面にわたって
均一にできなくなるおそれがある。このことに関し、本
実施形態では、第２領域３２に向かい合う部分のシール
部材４の領域Ａに第２ダミーパターン３７を設けた。こ
れにより、基板間隔、すなわちセルギャップを液晶パネ
ルの全面にわたって均一に維持でき、これにより、液晶
表示品質を高く維持できる。
うに、第２基板３ｂの表面に形成した配線３３が導通領
域３１以外の第２領域３２でシール材４を通過してい
る。この場合に、その第２領域３２に向かい合う部分の
シール部材４の領域Ａに何等の措置も講じておかなけれ
ば、基板間の間隙寸法、すなわちセルギャップが不均一
になって液晶の配向制御が表示領域Ｖの全面にわたって
均一にできなくなるおそれがある。このことに関し、本
実施形態では、第２領域３２に向かい合う部分のシール
部材４の領域Ａに第２ダミーパターン３７を設けた。こ
れにより、基板間隔、すなわちセルギャップを液晶パネ
ルの全面にわたって均一に維持でき、これにより、液晶
表示品質を高く維持できる。
【０１１２】本実施形態において、第２ダミーパターン
３７に関しては、それを構成する複数の直線状のパター
ン３９がシール材４を通過する面積の合計は、領域Ａに
対応する長さの第２領域３２において配線３３がシール
材４を通過する面積にほぼ等しくなっている。これによ
り、基板間隔、すなわちセルギャップを液晶パネルの全
面にわたって均一に維持でき、これにより、液晶表示品
質を高く維持できる。なお、パターン３９は、対向電極
４８に接続しても良いし、あるいは第２電極４８を延長
させて形成しても良い。このようにしてパターン３９を
第２電極４８に電気的に導通させれば次のような効果が
得られる。すなわち、対向する基板３ａ及び３ｂのそれ
ぞれに形成されたダミーパターンが両方とも電気的に独
立しているとすると、そこにコンデンサが形成されるの
で、一度そこに電荷が蓄積されるとその電荷が逃げられ
なくなって都合が悪い。これに対し、ダミーパターンの
一方を電極又は配線と電気的に接続すれば、電荷を逃げ
られるようにできて好都合である。
３７に関しては、それを構成する複数の直線状のパター
ン３９がシール材４を通過する面積の合計は、領域Ａに
対応する長さの第２領域３２において配線３３がシール
材４を通過する面積にほぼ等しくなっている。これによ
り、基板間隔、すなわちセルギャップを液晶パネルの全
面にわたって均一に維持でき、これにより、液晶表示品
質を高く維持できる。なお、パターン３９は、対向電極
４８に接続しても良いし、あるいは第２電極４８を延長
させて形成しても良い。このようにしてパターン３９を
第２電極４８に電気的に導通させれば次のような効果が
得られる。すなわち、対向する基板３ａ及び３ｂのそれ
ぞれに形成されたダミーパターンが両方とも電気的に独
立しているとすると、そこにコンデンサが形成されるの
で、一度そこに電荷が蓄積されるとその電荷が逃げられ
なくなって都合が悪い。これに対し、ダミーパターンの
一方を電極又は配線と電気的に接続すれば、電荷を逃げ
られるようにできて好都合である。
【０１１３】図６のＥ−Ｅ線に従った断面図である図２
１に示すように、シール材４の断面幅は複数の導通材５
を含むことができる幅となっており、図２１ではその断
面内に複数（図では３個）の導通材５が含まれている様
子を示している。なお、図では導通材５を楕円形状に示
してあるが、これは、図面を分かりやすく示すための措
置であって、実際には、導通材５はスペーサ１０と略同
じか、あるいはわずかに大きい球形又は円筒形に形成さ
れている。
１に示すように、シール材４の断面幅は複数の導通材５
を含むことができる幅となっており、図２１ではその断
面内に複数（図では３個）の導通材５が含まれている様
子を示している。なお、図では導通材５を楕円形状に示
してあるが、これは、図面を分かりやすく示すための措
置であって、実際には、導通材５はスペーサ１０と略同
じか、あるいはわずかに大きい球形又は円筒形に形成さ
れている。
【０１１４】図２１に示す通り、１つのダミーパターン
３９のＥ−Ｅ断面における長さは、液晶層Ｌを挟んでそ
の反対側にある配線３３であってシール材４の内部領域
に在るもののＥ−Ｅ断面における長さよりも長くなって
いる。しかしながら、図９におけるＡ領域を考えれば、
そのＡ領域内におけるパターン３９の面積の合計は、Ａ
領域内における配線３３の面積の合計と等しくなるよう
に設定されている。この結果、Ａ領域内においてパター
ン３９の上に載る導通材５の数と、同じくＡ領域内にお
いて配線３３の上に載る導通材５の数とは、互いに等し
くなるように設定できる。こうすることにより、セルギ
ャップをより一層均一に維持できる。
３９のＥ−Ｅ断面における長さは、液晶層Ｌを挟んでそ
の反対側にある配線３３であってシール材４の内部領域
に在るもののＥ−Ｅ断面における長さよりも長くなって
いる。しかしながら、図９におけるＡ領域を考えれば、
そのＡ領域内におけるパターン３９の面積の合計は、Ａ
領域内における配線３３の面積の合計と等しくなるよう
に設定されている。この結果、Ａ領域内においてパター
ン３９の上に載る導通材５の数と、同じくＡ領域内にお
いて配線３３の上に載る導通材５の数とは、互いに等し
くなるように設定できる。こうすることにより、セルギ
ャップをより一層均一に維持できる。
【０１１５】（変形例）図６に示す実施形態では、導通
領域３１以外に配線３３が通過する領域である第２領域
３２に対応して第２ダミーパターン３７を設けたが、第
２領域３２に対応する位置には、必ずしもダミーパター
ンを設けなくても良い。
領域３１以外に配線３３が通過する領域である第２領域
３２に対応して第２ダミーパターン３７を設けたが、第
２領域３２に対応する位置には、必ずしもダミーパター
ンを設けなくても良い。
【０１１６】また、図６に示す実施形態では、第１ダミ
ーパターン３４を第１基板３ａ及び第２基板３ｂの両方
に形成したが、場合によってはいずれか一方の基板に形
成するだけでも良い。
ーパターン３４を第１基板３ａ及び第２基板３ｂの両方
に形成したが、場合によってはいずれか一方の基板に形
成するだけでも良い。
【０１１７】また、図６に示す実施形態では、第１ダミ
ーパターン３４を複数の直線状のパターンの集合によっ
て形成したが、これに代えて、適宜の面積を持った１つ
のパターンによって第１ダミーパターン３４を構成する
こともできる。
ーパターン３４を複数の直線状のパターンの集合によっ
て形成したが、これに代えて、適宜の面積を持った１つ
のパターンによって第１ダミーパターン３４を構成する
こともできる。
【０１１８】（液晶装置の第３実施形態）図１５は、本
発明を単純マトリクス方式の半透過反射型カラー液晶装
置に適用した場合の実施形態を示している。ここに示す
液晶装置１２０は、図１５にその全体的な平面構造を示
した液晶パネル１２１に、照明装置、制御基板、その他
の付帯機器を付設することによって構成される。
発明を単純マトリクス方式の半透過反射型カラー液晶装
置に適用した場合の実施形態を示している。ここに示す
液晶装置１２０は、図１５にその全体的な平面構造を示
した液晶パネル１２１に、照明装置、制御基板、その他
の付帯機器を付設することによって構成される。
【０１１９】この液晶パネル１２１は、平面視長方形状
の下基板１２２と上基板１２３とがシール材１２４を介
して対向配置されている。シール材１２４の一部は各基
板１２２，１２３の一辺（図１５における上辺）側で開
口して液晶注入口１２５となっており、双方の基板１２
２，１２３とシール材１２４とに囲まれた空間内に液晶
が封入され、さらに液晶注入口１２５が封止材１２６に
よって封止されている。ただし、矩形環状のシール材１
２４のうち、各基板１２２，１２３の右辺及び左辺に沿
う部分１２４ａは異方性導電粒子等といった導通材５が
混入され、液晶封止の他に導通部としても機能する。一
方、各基板１２２，１２３の上辺及び下辺に沿う部分１
２４ｂは導通材５を含んでおらず、液晶封止のための非
導通シール材として機能する。
の下基板１２２と上基板１２３とがシール材１２４を介
して対向配置されている。シール材１２４の一部は各基
板１２２，１２３の一辺（図１５における上辺）側で開
口して液晶注入口１２５となっており、双方の基板１２
２，１２３とシール材１２４とに囲まれた空間内に液晶
が封入され、さらに液晶注入口１２５が封止材１２６に
よって封止されている。ただし、矩形環状のシール材１
２４のうち、各基板１２２，１２３の右辺及び左辺に沿
う部分１２４ａは異方性導電粒子等といった導通材５が
混入され、液晶封止の他に導通部としても機能する。一
方、各基板１２２，１２３の上辺及び下辺に沿う部分１
２４ｂは導通材５を含んでおらず、液晶封止のための非
導通シール材として機能する。
【０１２０】本実施の形態では、上基板１２３よりも下
基板１２２の外形寸法の方が大きく、上基板１２３と下
基板１２２の３辺（すなわち、図１における上辺、右
辺、左辺）では基板の縁、すなわち基板の端面が揃って
いるが、上基板１２３の残りの１辺（すなわち、図１に
おける下辺）からは下基板１２２の周縁部が張り出すよ
うに配置され、張出領域１２９を形成している。そし
て、この張出領域１２９に、上基板１２３、下基板１２
２の双方の電極を駆動するための駆動用半導体素子１２
７が実装されている。なお、符号１２８は有効表示領域
の周囲を遮光するための矩形環状の遮光層（すなわち、
周辺見切り）であり、この遮光層１２８の内縁よりも内
側の領域が実際の画像表示に寄与する有効表示領域とな
る。
基板１２２の外形寸法の方が大きく、上基板１２３と下
基板１２２の３辺（すなわち、図１における上辺、右
辺、左辺）では基板の縁、すなわち基板の端面が揃って
いるが、上基板１２３の残りの１辺（すなわち、図１に
おける下辺）からは下基板１２２の周縁部が張り出すよ
うに配置され、張出領域１２９を形成している。そし
て、この張出領域１２９に、上基板１２３、下基板１２
２の双方の電極を駆動するための駆動用半導体素子１２
７が実装されている。なお、符号１２８は有効表示領域
の周囲を遮光するための矩形環状の遮光層（すなわち、
周辺見切り）であり、この遮光層１２８の内縁よりも内
側の領域が実際の画像表示に寄与する有効表示領域とな
る。
【０１２１】下基板１２２上には、図１６に示すよう
に、縦方向に延在する複数のセグメント電極１３０がス
トライプ状に形成されている。一方、上基板１２３上に
は、セグメント電極１３０と直交するように図中横方向
に延在する複数のコモン電極１３１がストライプ状に形
成されている。
に、縦方向に延在する複数のセグメント電極１３０がス
トライプ状に形成されている。一方、上基板１２３上に
は、セグメント電極１３０と直交するように図中横方向
に延在する複数のコモン電極１３１がストライプ状に形
成されている。
【０１２２】カラーフィルター１３３のＲ、Ｇ、Ｂの各
色素層１３３ｒ，１３３ｇ，１３３ｂは、各セグメント
電極１３０の延在方向に同色が並び、それと直角の方向
にＲ、Ｇ、Ｂが交互に並ぶように配列されており、図１
６に示す横方向に並んだＲ、Ｇ、Ｂの３個の画素で画面
上の１個のドットが構成されている。
色素層１３３ｒ，１３３ｇ，１３３ｂは、各セグメント
電極１３０の延在方向に同色が並び、それと直角の方向
にＲ、Ｇ、Ｂが交互に並ぶように配列されており、図１
６に示す横方向に並んだＲ、Ｇ、Ｂの３個の画素で画面
上の１個のドットが構成されている。
【０１２３】セグメント電極１３０は、Ｗ２の幅で形成
されたＡＰＣ膜１３８と、これを覆うＷ１の幅で形成さ
れた透明導電膜１３９との積層構造を有する。ＡＰＣ膜
１３８は、銀、パラジウム、銅を所定の割合で含有した
合金からなる膜である。また、透明導電膜１３９は、例
えば、ＩＴＯ膜によって形成される。
されたＡＰＣ膜１３８と、これを覆うＷ１の幅で形成さ
れた透明導電膜１３９との積層構造を有する。ＡＰＣ膜
１３８は、銀、パラジウム、銅を所定の割合で含有した
合金からなる膜である。また、透明導電膜１３９は、例
えば、ＩＴＯ膜によって形成される。
【０１２４】ＡＰＣ膜１３８が半透過反射膜として機能
するように、本実施形態ではＡＰＣ膜１３８が各画素毎
に２個ずつの光透過用の窓部１３２を光透過領域として
有している。窓部１３２は、カラーフィルター１３３の
各色素層１３３ｒ，１３３ｇ，１３３ｂを複数の画素に
わたって縦方向に見たときに千鳥状に配置されている。
なお、ここで言う「画素」とは、図１６に示すように、
セグメント電極１３０とコモン電極１３１とが平面的に
見て重なり合った各領域のことである。
するように、本実施形態ではＡＰＣ膜１３８が各画素毎
に２個ずつの光透過用の窓部１３２を光透過領域として
有している。窓部１３２は、カラーフィルター１３３の
各色素層１３３ｒ，１３３ｇ，１３３ｂを複数の画素に
わたって縦方向に見たときに千鳥状に配置されている。
なお、ここで言う「画素」とは、図１６に示すように、
セグメント電極１３０とコモン電極１３１とが平面的に
見て重なり合った各領域のことである。
【０１２５】図１５に示すように、各コモン電極１３１
はその両端が導通シール材１２４ａに接し、さらに導通
シール材１２４ａの外側にまで貫通して延在している。
複数のコモン電極１３１（図１５では１０本のみ図示す
る）のうち、図１５の上側半分（図１５では５本）のコ
モン電極１３１については、コモン電極１３１の右端
が、導通シール材１２４ａ中に混入させた異方性導電粒
子等といった導通材５を介して下基板１２２上のコモン
電極用引回し配線１４に電気的に接続されている。そし
て、下基板１２２上の引回し配線１４が導通シール材１
２４ａから基板中央部に向けて延びた後、屈曲して下基
板１２２の右辺に沿って縦方向に延び、非導通シール材
１２４ｂの部分を横断して張出領域１２９に実装された
駆動用半導体素子１２７の出力端子（図示省略）に接続
されている。
はその両端が導通シール材１２４ａに接し、さらに導通
シール材１２４ａの外側にまで貫通して延在している。
複数のコモン電極１３１（図１５では１０本のみ図示す
る）のうち、図１５の上側半分（図１５では５本）のコ
モン電極１３１については、コモン電極１３１の右端
が、導通シール材１２４ａ中に混入させた異方性導電粒
子等といった導通材５を介して下基板１２２上のコモン
電極用引回し配線１４に電気的に接続されている。そし
て、下基板１２２上の引回し配線１４が導通シール材１
２４ａから基板中央部に向けて延びた後、屈曲して下基
板１２２の右辺に沿って縦方向に延び、非導通シール材
１２４ｂの部分を横断して張出領域１２９に実装された
駆動用半導体素子１２７の出力端子（図示省略）に接続
されている。
【０１２６】同様に、複数のコモン電極１３１のうち図
１５の下側半分（図１５では５本）のコモン電極１３１
については、コモン電極１３１の左端が、導通シール材
１２４ａ中に混入させた異方性導電粒子等といった導通
材５を介して下基板１２２上の引回し配線１３４に電気
的に接続されている。そして、下基板１２２上の引回し
配線１３４が導通シール材１２４ａから基板中央部に向
けて延びた後、屈曲して下基板１２２の左辺に沿って縦
方向に延び、非導通シール材１２４ｂの部分を横断して
張出領域１２９に実装された駆動用半導体素子１２７の
出力端子に接続されている。
１５の下側半分（図１５では５本）のコモン電極１３１
については、コモン電極１３１の左端が、導通シール材
１２４ａ中に混入させた異方性導電粒子等といった導通
材５を介して下基板１２２上の引回し配線１３４に電気
的に接続されている。そして、下基板１２２上の引回し
配線１３４が導通シール材１２４ａから基板中央部に向
けて延びた後、屈曲して下基板１２２の左辺に沿って縦
方向に延び、非導通シール材１２４ｂの部分を横断して
張出領域１２９に実装された駆動用半導体素子１２７の
出力端子に接続されている。
【０１２７】すなわち、全ての引回し配線１３４が導通
シール材１２４ａより内側の領域でかつ遮光層１２８の
形成幅の内縁よりも外側の範囲内に配置されている。つ
まり、引回し配線１３４は、形成された導通シール材１
２４ａと遮光層１２８との間の領域（形成幅を含む）を
延在して形成され、基板の短辺側に配置された非導通シ
ール材１２４ｂを通過して張出領域１２９に張り出し、
張出領域１２９に実装された駆動用半導体素子１２７の
出力端子に接続されている。
シール材１２４ａより内側の領域でかつ遮光層１２８の
形成幅の内縁よりも外側の範囲内に配置されている。つ
まり、引回し配線１３４は、形成された導通シール材１
２４ａと遮光層１２８との間の領域（形成幅を含む）を
延在して形成され、基板の短辺側に配置された非導通シ
ール材１２４ｂを通過して張出領域１２９に張り出し、
張出領域１２９に実装された駆動用半導体素子１２７の
出力端子に接続されている。
【０１２８】一方、セグメント電極１３０については、
セグメント電極用引回し配線１３５がセグメント電極１
３０の下端から非導通シール材１２４ｂに向けて引き出
され、そのまま駆動用半導体素子１２７の出力端子に接
続されている。多数の引回し配線１３４，１３５が各基
板１２２，１２３の下辺側の非導通シール材１２４ｂを
横断するが、非導通シール材１２４ｂは導電性を持たな
いため、狭ピッチで配置された引回し配線１３４，１３
５が非導通シール材１２４ｂを横断しても短絡の恐れは
ない。
セグメント電極用引回し配線１３５がセグメント電極１
３０の下端から非導通シール材１２４ｂに向けて引き出
され、そのまま駆動用半導体素子１２７の出力端子に接
続されている。多数の引回し配線１３４，１３５が各基
板１２２，１２３の下辺側の非導通シール材１２４ｂを
横断するが、非導通シール材１２４ｂは導電性を持たな
いため、狭ピッチで配置された引回し配線１３４，１３
５が非導通シール材１２４ｂを横断しても短絡の恐れは
ない。
【０１２９】本実施形態の場合、これらの引回し配線１
３４，１３５もセグメント電極１３０と同様、ＡＰＣ膜
とＩＴＯ膜との積層膜で構成されている。また、駆動用
半導体素子１２７に各種信号を供給するための入力用配
線（すなわち、外部入力端子）１３６が下基板１２２の
下辺から駆動用半導体素子１２７の入力端子（図示省
略）に向けて設けられている。
３４，１３５もセグメント電極１３０と同様、ＡＰＣ膜
とＩＴＯ膜との積層膜で構成されている。また、駆動用
半導体素子１２７に各種信号を供給するための入力用配
線（すなわち、外部入力端子）１３６が下基板１２２の
下辺から駆動用半導体素子１２７の入力端子（図示省
略）に向けて設けられている。
【０１３０】図１６のＧ−Ｇ線に従って画素部分の断面
構造を見ると、図１７に示すように、ガラス、プラスチ
ック等といった透明基板からなる下基板１２２上に、Ａ
ＰＣ膜１３８上にＩＴＯ膜１３９が積層された２層構造
のセグメント電極１３０が紙面を貫通する方向にストラ
イプ状に形成されている。また、その上に例えば表面に
ラビング処理が施されたポリイミド等からなる配向膜１
４０が形成されている。本実施の形態の場合、セグメン
ト電極１３０の構成は、ＡＰＣ膜１３８の上面のみにＩ
ＴＯ膜１３９が積層されただけではなく、ＩＴＯ膜１３
９がＡＰＣ膜１３８の側面も覆うようにＡＰＣ膜１３８
の幅（Ｗ２）よりもＩＴＯ膜の幅（Ｗ１）の方が大きく
設定されている。
構造を見ると、図１７に示すように、ガラス、プラスチ
ック等といった透明基板からなる下基板１２２上に、Ａ
ＰＣ膜１３８上にＩＴＯ膜１３９が積層された２層構造
のセグメント電極１３０が紙面を貫通する方向にストラ
イプ状に形成されている。また、その上に例えば表面に
ラビング処理が施されたポリイミド等からなる配向膜１
４０が形成されている。本実施の形態の場合、セグメン
ト電極１３０の構成は、ＡＰＣ膜１３８の上面のみにＩ
ＴＯ膜１３９が積層されただけではなく、ＩＴＯ膜１３
９がＡＰＣ膜１３８の側面も覆うようにＡＰＣ膜１３８
の幅（Ｗ２）よりもＩＴＯ膜の幅（Ｗ１）の方が大きく
設定されている。
【０１３１】一方、ガラス、プラスチック等といった透
明基板からなる上基板１２３上に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色素
層１３３ｒ，１３３ｇ，１３３ｂからなるカラーフィル
タ１３３が形成され、そのカラーフィルタ１３３上には
各色素層間の段差を平坦化すると同時に各色素層の表面
を保護するためのオーバーコート膜１４１が形成されて
いる。このオーバーコート膜１４１はアクリル、ポリイ
ミド等から成る樹脂膜でもよいし、シリコン酸化膜等と
いった無機膜でもよい。
明基板からなる上基板１２３上に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色素
層１３３ｒ，１３３ｇ，１３３ｂからなるカラーフィル
タ１３３が形成され、そのカラーフィルタ１３３上には
各色素層間の段差を平坦化すると同時に各色素層の表面
を保護するためのオーバーコート膜１４１が形成されて
いる。このオーバーコート膜１４１はアクリル、ポリイ
ミド等から成る樹脂膜でもよいし、シリコン酸化膜等と
いった無機膜でもよい。
【０１３２】さらに、オーバーコート膜１４１上にＩＴ
Ｏの単層膜からなるコモン電極１３１が紙面に平行な方
向にストライプ状に形成されており、その上に例えば表
面にラビング処理が施されたポリイミド等から成る配向
膜１４２が形成されている。上基板１２３と下基板１２
２との間にはＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶等
から成る液Ｌが挟持されている。また、バックライト
（図示略）が下基板１２２の下面側に配置されている。
Ｏの単層膜からなるコモン電極１３１が紙面に平行な方
向にストライプ状に形成されており、その上に例えば表
面にラビング処理が施されたポリイミド等から成る配向
膜１４２が形成されている。上基板１２３と下基板１２
２との間にはＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶等
から成る液Ｌが挟持されている。また、バックライト
（図示略）が下基板１２２の下面側に配置されている。
【０１３３】また、上基板１２３の上にブラックストラ
イプ１４５が形成されている。ブラックストライプ１４
５は、例えば、樹脂ブラックや比較的反射率の低いクロ
ム等といった金属等からなり、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色素層１
３３ｒ，１３３ｇ，１３３ｂの間、すなわち境界を区画
するように設けられている。本実施形態の場合、ブラッ
クストライプ１４５の幅Ｗは、隣接する画素のＩＴＯ膜
１３９の間隔Ｐ１、すなわちセグメント電極間の間隔よ
り大きく、そしてＡＰＣ膜１３８の間隔Ｐ２に一致して
いる。
イプ１４５が形成されている。ブラックストライプ１４
５は、例えば、樹脂ブラックや比較的反射率の低いクロ
ム等といった金属等からなり、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色素層１
３３ｒ，１３３ｇ，１３３ｂの間、すなわち境界を区画
するように設けられている。本実施形態の場合、ブラッ
クストライプ１４５の幅Ｗは、隣接する画素のＩＴＯ膜
１３９の間隔Ｐ１、すなわちセグメント電極間の間隔よ
り大きく、そしてＡＰＣ膜１３８の間隔Ｐ２に一致して
いる。
【０１３４】このことを図１６で見ると、セグメント電
極１３０の輪郭を示す外側の線がＩＴＯ膜１３９の縁を
示し、さらに、その内側の線がＡＰＣ膜１３８の縁を示
しているが、ブラックストライプ１４５の輪郭を示す線
はＡＰＣ膜１３８の縁を示す線に重なっている。つま
り、半透過反射型カラー液晶装置の構成として、色素層
の境界に設けられたブラックストライプ１４５の幅Ｗ
が、セグメント電極１３０のＩＴＯ膜１３９の間隔Ｐ１
より広く、ＡＰＣパターン１８の間隔Ｐ２とほぼ同じに
なるように形成されて配置されている。
極１３０の輪郭を示す外側の線がＩＴＯ膜１３９の縁を
示し、さらに、その内側の線がＡＰＣ膜１３８の縁を示
しているが、ブラックストライプ１４５の輪郭を示す線
はＡＰＣ膜１３８の縁を示す線に重なっている。つま
り、半透過反射型カラー液晶装置の構成として、色素層
の境界に設けられたブラックストライプ１４５の幅Ｗ
が、セグメント電極１３０のＩＴＯ膜１３９の間隔Ｐ１
より広く、ＡＰＣパターン１８の間隔Ｐ２とほぼ同じに
なるように形成されて配置されている。
【０１３５】図１５に符号Ｄで示す領域を拡大して示す
と図１８に示す通りである。また、図１８のＨ−Ｈ線に
従って断面構造を示すと図１９に示す通りである。図１
８に示す上側３本のコモン電極１３１は、その右端で引
回し配線１３４と電気的に接続する。一方、下側２本の
コモン電極１３１は、図１５に示すように、その左端で
引回し配線１３４と電気的に接続する。
と図１８に示す通りである。また、図１８のＨ−Ｈ線に
従って断面構造を示すと図１９に示す通りである。図１
８に示す上側３本のコモン電極１３１は、その右端で引
回し配線１３４と電気的に接続する。一方、下側２本の
コモン電極１３１は、図１５に示すように、その左端で
引回し配線１３４と電気的に接続する。
【０１３６】図１８において、上基板１２３のコモン電
極１３１の端部は導通シール材１２４ａの形成領域より
も外側にはみ出しており、下基板１２２の引回し配線１
３４の端部は導通シール材１２４ａの形成領域内に位置
している。導通シール材１２４ａの中には例えば直径が
１０μｍ程度の導電粒子１５０が混入されており、これ
らの導電粒子１５０が図１９に示すように基板１２２と
基板１２３と間で接触することにより、上基板１２３の
コモン電極１３１と下基板１２２の引回し配線１３４と
が電気的に接続される。
極１３１の端部は導通シール材１２４ａの形成領域より
も外側にはみ出しており、下基板１２２の引回し配線１
３４の端部は導通シール材１２４ａの形成領域内に位置
している。導通シール材１２４ａの中には例えば直径が
１０μｍ程度の導電粒子１５０が混入されており、これ
らの導電粒子１５０が図１９に示すように基板１２２と
基板１２３と間で接触することにより、上基板１２３の
コモン電極１３１と下基板１２２の引回し配線１３４と
が電気的に接続される。
【０１３７】図１９において、引回し配線１３４は、セ
グメント電極１３０（図１７参照）と同様に、ＡＰＣ膜
１３８上にＩＴＯ膜１３９が積層された２層構造となっ
ており、ＡＰＣ膜１３８の側面もＩＴＯ膜１３９で覆わ
れている。引回し配線１３４と左端で接続されたコモン
電極１３１（例えば、図１８の下側２本のコモン電極１
３１）に関しては、その右端部が導通シール材１２４ａ
を通過するが、そのコモン電極１３１の右端部に対向す
る基板上にはダミーパターン１５１が形成されている。
このダミーパターン１５１も、引回し配線１３４と同様
に、ＡＰＣ膜１８上にＩＴＯ膜１９が積層された２層構
造となっている。
グメント電極１３０（図１７参照）と同様に、ＡＰＣ膜
１３８上にＩＴＯ膜１３９が積層された２層構造となっ
ており、ＡＰＣ膜１３８の側面もＩＴＯ膜１３９で覆わ
れている。引回し配線１３４と左端で接続されたコモン
電極１３１（例えば、図１８の下側２本のコモン電極１
３１）に関しては、その右端部が導通シール材１２４ａ
を通過するが、そのコモン電極１３１の右端部に対向す
る基板上にはダミーパターン１５１が形成されている。
このダミーパターン１５１も、引回し配線１３４と同様
に、ＡＰＣ膜１８上にＩＴＯ膜１９が積層された２層構
造となっている。
【０１３８】また、引回し配線１３４と右端で接続され
たコモン電極１３１（例えば、図１８の上側３本のコモ
ン電極１３１）に関しては、その左端部が図１５に示す
ように導通シール材１２４ａを通過するが、そのコモン
電極１３１の左端部に対向する基板上にもダミーパター
ン１５１が形成される。なお、図１８において、実際に
は引回し配線１３４及びダミーパターン１５１を構成す
るＡＰＣ膜の周囲にはＩＴＯ膜の輪郭が見えるはずであ
るが、ここでは図面を見やすくするため、図示を省略し
た。
たコモン電極１３１（例えば、図１８の上側３本のコモ
ン電極１３１）に関しては、その左端部が図１５に示す
ように導通シール材１２４ａを通過するが、そのコモン
電極１３１の左端部に対向する基板上にもダミーパター
ン１５１が形成される。なお、図１８において、実際に
は引回し配線１３４及びダミーパターン１５１を構成す
るＡＰＣ膜の周囲にはＩＴＯ膜の輪郭が見えるはずであ
るが、ここでは図面を見やすくするため、図示を省略し
た。
【０１３９】本実施形態において、引回し配線１３４
は、図１９に示すように、ＡＰＣ膜１３８とＩＴＯ膜１
３９との積層構造であり、引回し配線１３４の全体の層
厚（すなわち、ＡＰＣ膜１３８とＩＴＯ膜１３９との合
計の膜厚）が例えば０．３μｍ程度であるとする。する
と通常であれば、シール材１２４の中で引回し配線１３
４のある場所とない場所とで０．３μｍの段差ができ、
セルギャップがばらついて表示不良となる恐れがある。
は、図１９に示すように、ＡＰＣ膜１３８とＩＴＯ膜１
３９との積層構造であり、引回し配線１３４の全体の層
厚（すなわち、ＡＰＣ膜１３８とＩＴＯ膜１３９との合
計の膜厚）が例えば０．３μｍ程度であるとする。する
と通常であれば、シール材１２４の中で引回し配線１３
４のある場所とない場所とで０．３μｍの段差ができ、
セルギャップがばらついて表示不良となる恐れがある。
【０１４０】これに対して本実施形態では、引回し配線
１３４が存在しないコモン電極１３１の端部に引回し配
線１３４と同じ形状及び同じ層厚のダミーパターン１５
１を配置したので、液晶パネル全体のセルギャップが場
所によらず一定になり、それ故、表示不良を防止するこ
とができる。また、引回し配線１３４とダミーパターン
１５１は同じレイヤーで形成されているので、そのダミ
ーパターンを形成する際にはマスクパターンの追加のみ
で済み、製造プロセスが複雑になることはない。
１３４が存在しないコモン電極１３１の端部に引回し配
線１３４と同じ形状及び同じ層厚のダミーパターン１５
１を配置したので、液晶パネル全体のセルギャップが場
所によらず一定になり、それ故、表示不良を防止するこ
とができる。また、引回し配線１３４とダミーパターン
１５１は同じレイヤーで形成されているので、そのダミ
ーパターンを形成する際にはマスクパターンの追加のみ
で済み、製造プロセスが複雑になることはない。
【０１４１】また、本実施形態の場合、図１７に示すよ
うに、隣接するセグメント電極１３０のＡＰＣ膜１３８
同士の間隙を完全に覆うように、上基板１２３上にブラ
ックストライプ１４５を設けたため、光漏れがなくな
り、混色を防止することができる。その結果、反射率に
優れたＡＰＣ膜１３８を用いたことで反射モードでの表
示の明るさが向上するのと同時に、透過モードでの色の
彩度が従来より向上し、カラーの各色を鮮やかに視認し
得る液晶装置を実現することができる。
うに、隣接するセグメント電極１３０のＡＰＣ膜１３８
同士の間隙を完全に覆うように、上基板１２３上にブラ
ックストライプ１４５を設けたため、光漏れがなくな
り、混色を防止することができる。その結果、反射率に
優れたＡＰＣ膜１３８を用いたことで反射モードでの表
示の明るさが向上するのと同時に、透過モードでの色の
彩度が従来より向上し、カラーの各色を鮮やかに視認し
得る液晶装置を実現することができる。
【０１４２】なお、本実施形態では、シール材１２４が
導通シール材１２４ａと非導通シール材１２４ｂとで構
成されているが、シール材１２４は導通シール材１２４
ａのみによって構成されていても構わない。
導通シール材１２４ａと非導通シール材１２４ｂとで構
成されているが、シール材１２４は導通シール材１２４
ａのみによって構成されていても構わない。
【０１４３】また、本実施形態では、図１５に示すよう
に、張出領域１２９に駆動用半導体素子１２７を搭載し
た構成を示したが、これに代えて、駆動用半導体素子１
２７を張出領域１２９に搭載させることなく、液晶装置
１２０の外部に例えばＦＰＣ（Flexible Printed Circu
it）等を介して配置しておき、駆動用半導体素子１２７
の端子をＦＰＣ等を介して外部入力端子１３６に接続
し、その外部接続端子１３６から直接に引回し配線１３
４及び引回し配線１３５へ信号を供給する構成とするこ
ともできる。
に、張出領域１２９に駆動用半導体素子１２７を搭載し
た構成を示したが、これに代えて、駆動用半導体素子１
２７を張出領域１２９に搭載させることなく、液晶装置
１２０の外部に例えばＦＰＣ（Flexible Printed Circu
it）等を介して配置しておき、駆動用半導体素子１２７
の端子をＦＰＣ等を介して外部入力端子１３６に接続
し、その外部接続端子１３６から直接に引回し配線１３
４及び引回し配線１３５へ信号を供給する構成とするこ
ともできる。
【０１４４】（液晶装置の第４実施形態）図２３は、本
発明に係る液晶装置の他の実施形態を示している。ここ
に示す液晶パネル１６１を用いて構成される液晶装置１
６０の基本構成は図１５に示した液晶装置１２０と同じ
であるため、詳細な説明は省略する。
発明に係る液晶装置の他の実施形態を示している。ここ
に示す液晶パネル１６１を用いて構成される液晶装置１
６０の基本構成は図１５に示した液晶装置１２０と同じ
であるため、詳細な説明は省略する。
【０１４５】図１５に示した実施形態では、複数のコモ
ン電極１３１のうち、上半分のコモン電極１３１につい
ては、コモン電極１３１の右端から引回し配線１３４が
引き回され、下半分のコモン電極１３１については、コ
モン電極１３１の左端から引回し配線１３４が引き廻さ
れていた。これに対して、本実施形態の場合は、図２３
における最上位のコモン電極１３１は右端から引回し配
線１３４が引き回され、上から２番目のコモン電極１３
１は左端から引回し配線１３４が引き回されるというよ
うに、引回し配線１３４が１本毎に右、左、右、左、…
と交互に振り分けられている。その他の構成は図１５の
実施形態の場合と全く同じである。
ン電極１３１のうち、上半分のコモン電極１３１につい
ては、コモン電極１３１の右端から引回し配線１３４が
引き回され、下半分のコモン電極１３１については、コ
モン電極１３１の左端から引回し配線１３４が引き廻さ
れていた。これに対して、本実施形態の場合は、図２３
における最上位のコモン電極１３１は右端から引回し配
線１３４が引き回され、上から２番目のコモン電極１３
１は左端から引回し配線１３４が引き回されるというよ
うに、引回し配線１３４が１本毎に右、左、右、左、…
と交互に振り分けられている。その他の構成は図１５の
実施形態の場合と全く同じである。
【０１４６】本実施形態の液晶装置１６０においても、
配線１３４と電極１３１とが交互に左右で導通されると
き、それらの導通領域３１に関して表示領域を挟んで向
かい合う部分のシール材４の部分には、該シール材４を
通過するダミーパターン３４が設けられる。これによ
り、セグメント電極１３１に沿った方向の液晶パネル１
６１のセルギャップを均一に維持している。
配線１３４と電極１３１とが交互に左右で導通されると
き、それらの導通領域３１に関して表示領域を挟んで向
かい合う部分のシール材４の部分には、該シール材４を
通過するダミーパターン３４が設けられる。これによ
り、セグメント電極１３１に沿った方向の液晶パネル１
６１のセルギャップを均一に維持している。
【０１４７】（電子機器の実施形態）図１０は、本発明
に係る電子機器の一実施形態である携帯電話機を示して
いる。ここに示した携帯電話機５０は、アンテナ５１、
スピーカ５２、キースイッチ５３、マイクロホン５４等
といった各種構成要素を、外装ケース５６に格納するこ
とによって構成される。外装ケース５６の内部には、表
示装置として作用する液晶装置６０及び制御回路基板５
７が収納される。
に係る電子機器の一実施形態である携帯電話機を示して
いる。ここに示した携帯電話機５０は、アンテナ５１、
スピーカ５２、キースイッチ５３、マイクロホン５４等
といった各種構成要素を、外装ケース５６に格納するこ
とによって構成される。外装ケース５６の内部には、表
示装置として作用する液晶装置６０及び制御回路基板５
７が収納される。
【０１４８】液晶装置６０は図の上部面が表示面となっ
ており、その表示面に対向する部分の外装ケース５６に
は、液晶装置６０を保護すると共に表示面の視界を確保
するための透明なカバー５８が設けられる。液晶装置６
０は、例えば図１に示す液晶装置１や図６に示す液晶装
置４１によって構成できる。
ており、その表示面に対向する部分の外装ケース５６に
は、液晶装置６０を保護すると共に表示面の視界を確保
するための透明なカバー５８が設けられる。液晶装置６
０は、例えば図１に示す液晶装置１や図６に示す液晶装
置４１によって構成できる。
【０１４９】図１０に示す携帯電話機６０では、キース
イッチ５３及びマイクロホン５４を通して入力される信
号や、アンテナ５１によって受信した受信データ等が制
御回路基板５７の制御回路に入力される。そしてその制
御回路は、入力した各種のデータに基づいて液晶装置６
０の表示面内に数字、文字、図形等といった像を表示
し、さらにアンテナ５１から送信データを送信する。
イッチ５３及びマイクロホン５４を通して入力される信
号や、アンテナ５１によって受信した受信データ等が制
御回路基板５７の制御回路に入力される。そしてその制
御回路は、入力した各種のデータに基づいて液晶装置６
０の表示面内に数字、文字、図形等といった像を表示
し、さらにアンテナ５１から送信データを送信する。
【０１５０】図１１は、図１０に示す携帯電話機、ある
いはその他の電子機器に用いられる電気制御系の一実施
形態を示している。ここに示した電気制御系は、表示情
報出力源９０、表示情報処理回路９１、電源回路９２、
タイミングジェネレータ９３、そして表示装置としての
液晶装置９４を有する。また、液晶装置９４は液晶パネ
ル９５及び駆動回路９６を有する。液晶装置９４は、例
えば図１に示した液晶装置１や図６に示す液晶装置４１
によって構成できる。
いはその他の電子機器に用いられる電気制御系の一実施
形態を示している。ここに示した電気制御系は、表示情
報出力源９０、表示情報処理回路９１、電源回路９２、
タイミングジェネレータ９３、そして表示装置としての
液晶装置９４を有する。また、液晶装置９４は液晶パネ
ル９５及び駆動回路９６を有する。液晶装置９４は、例
えば図１に示した液晶装置１や図６に示す液晶装置４１
によって構成できる。
【０１５１】表示情報出力源９０は、ＲＯＭ（Read Onl
y Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等といっ
たメモリ、各種ディスク等といったストレージユニッ
ト、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備
え、タイミングジェネレータ９３によって生成された各
種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像
信号等といった表示情報を表示情報処理回路９１に供給
する。
y Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等といっ
たメモリ、各種ディスク等といったストレージユニッ
ト、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備
え、タイミングジェネレータ９３によって生成された各
種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像
信号等といった表示情報を表示情報処理回路９１に供給
する。
【０１５２】表示情報処理回路９１は、シリアル−パラ
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路８６へ
供給する。駆動回路９６は走査線駆動回路、データ線駆
動回路、検査回路等を含んで構成される。また、電源回
路９２は各構成要素に所定の電圧を供給する。
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路８６へ
供給する。駆動回路９６は走査線駆動回路、データ線駆
動回路、検査回路等を含んで構成される。また、電源回
路９２は各構成要素に所定の電圧を供給する。
【０１５３】（その他の実施形態）以上、好ましい実施
形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形
態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明
の範囲内で種々に改変できる。
形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形
態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明
の範囲内で種々に改変できる。
【０１５４】例えば、以上の説明では、単純マトリクス
型の液晶装置やＴＦＤ素子をスイッチング素子として用
いたアクティブマトリクス方式の液晶装置を例示した
が、本発明は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等とい
った３端子型スイッチング素子をアクティブ素子として
用いる構造のアクティブマトリクス方式の液晶装置にも
適用できる。
型の液晶装置やＴＦＤ素子をスイッチング素子として用
いたアクティブマトリクス方式の液晶装置を例示した
が、本発明は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等とい
った３端子型スイッチング素子をアクティブ素子として
用いる構造のアクティブマトリクス方式の液晶装置にも
適用できる。
【０１５５】また、本発明に係る電子機器は、図８に示
した携帯電話機に限られず、その他の任意の電子機器、
例えば携帯情報端末機、デジタルカメラ等とすることも
できる。
した携帯電話機に限られず、その他の任意の電子機器、
例えば携帯情報端末機、デジタルカメラ等とすることも
できる。
【０１５６】
【発明の効果】本発明に係るによれば、導通領域におい
て配線がシール材を横切り、その導通領域に向かい合う
部分のシール材を第１ダミーパターンが横切る。この構
成により、配線がシール材の導通領域だけを横切る構造
の従来の液晶装置の場合に比べて、基板間隔、すなわち
セルギャップを液晶パネルの全面にわたって均一に維持
でき、これにより、液晶表示品質を高く維持できる。
て配線がシール材を横切り、その導通領域に向かい合う
部分のシール材を第１ダミーパターンが横切る。この構
成により、配線がシール材の導通領域だけを横切る構造
の従来の液晶装置の場合に比べて、基板間隔、すなわち
セルギャップを液晶パネルの全面にわたって均一に維持
でき、これにより、液晶表示品質を高く維持できる。
【図１】本発明に係る液晶装置の一実施形態を一部破断
して示す平面図である。
して示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に従って液晶装置の断面構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】図１の液晶装置で用いられるＴＦＤ素子の一例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図４】図１の液晶装置を構成する一方の基板を示す平
面図である。
面図である。
【図５】図１の液晶装置を構成する他方の基板を示す平
面図である。
面図である。
【図６】本発明に係る液晶装置の他の実施形態を一部破
断して示す平面図である。
断して示す平面図である。
【図７】図６のＤ−Ｄ線に従って液晶装置の断面構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図８】図６の液晶装置を構成する一方の基板を示す平
面図である。
面図である。
【図９】図６の液晶装置を構成する他方の基板を示す平
面図である。
面図である。
【図１０】本発明に係る電子機器の一例である携帯電話
機の一実施形態を示す斜視図である。
機の一実施形態を示す斜視図である。
【図１１】本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図１２】従来の液晶装置の一例を一部破断して示す平
面図である。
面図である。
【図１３】図１２に示す従来の液晶装置を構成する一方
の基板を示す平面図である。
の基板を示す平面図である。
【図１４】図１２に示す従来の液晶装置を構成する他方
の基板を示す平面図である。
の基板を示す平面図である。
【図１５】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態
を一部破断して示す平面図である。
を一部破断して示す平面図である。
【図１６】図１５の要部を示す平面図である。
【図１７】図１７のＧ−Ｇ線に従った断面図である。
【図１８】図１５の矢印Ｄで示す部分を拡大して示す図
である。
である。
【図１９】図１８のＨ−Ｈ線に従った断面図である。
【図２０】図１のＢ−Ｂ線に従った断面図である。
【図２１】図６のＥ−Ｅ線に従った断面図である。
【図２２】図６のＦ−Ｆ線に従った断面図である。
【図２３】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態
を一部破断して示す平面図である。
を一部破断して示す平面図である。
１ 液晶装置
２ 液晶パネル
３ａ，３ｂ 基板
３ｃ 基板張出し部（配線引出し領域）
４ シール材
４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ シール材辺
５ 導通材
８ 照明装置
９ａ，９ｂ 液晶駆動用ＩＣ
１１ ＡＣＦ
１２ａ，１２ｂ 基材
１３ 画素電極
１４ ライン配線
１６ ＴＦＤ素子
１７ａ，１７ｂ 配向膜
１８ａ，１８ｂ 位相差板
１９ａ，１９ｂ 偏光板
２４ 半透過反射板
２６ カラーフィルタ膜
２７ オーバーコート膜
２８ 対向電極
２９ａ，２９ｂ 配線
３１ 導通領域
３２ 第２領域
３３ 配線
３４ 第１ダミーパターン
３４ａ，３４ｂ 第１ダミーパターン要素
３７ 第２ダミーパターン
３８ ダミーパターン
３９ パターン
４１ 液晶装置
４２ 液晶パネル
４３ 第１電極
４４ 半透過反射膜
４６ カラーフィルタ膜
４８ 第２電極
５０ 携帯電話機（電子機器）
６０，１２０，１６０ 液晶装置
６３，６４，６６，６７ ダミーパターン
１２１，１６１ 液晶パネル
１３４，１３５ 引回し配線
１５１ ダミーパターン
Ｌ 液晶層
Ｖ 表示領域
Claims (17)
- 【請求項１】 シール材によって貼り合わされた一対の
基板と、 前記シール材中に入れられた導通材と、 前記シール材の適所に設定された導通領域において前記
導通材によって接続された一対の配線と、 前記導通領域に向かい合う部分の前記シール材を通過す
る第１ダミーパターンとを有することを特徴とする液晶
装置。 - 【請求項２】 請求項１において、前記第１ダミーパタ
ーンが前記シール材を通過する面積は、前記導通領域に
おいて前記配線が前記シール材を通過する面積とほぼ等
しいことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２において、前記第
１ダミーパターンは、前記導通領域内に存在する複数の
配線の個々に対応した位置に形成された複数の直線状の
ダミーパターン要素の集合によって形成されることを特
徴とする液晶装置。 - 【請求項４】 請求項３において、前記複数のダミーパ
ターン要素の個々の幅は対応する個々の配線の幅とほぼ
等しいことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項５】 請求項１において、前記一対の配線の一
方又は双方は前記導通領域以外の第２領域で前記シール
材を通過し、 該第２領域に向かい合う部分の前記シール材を通過する
第２ダミーパターンを設けたことを特徴とする液晶装
置。 - 【請求項６】 請求項５において、前記第２ダミーパタ
ーンが前記シール材を通過する面積は、前記第２領域に
おいて前記配線が前記シール材を通過する面積とほぼ等
しいことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項７】 請求項５又は請求項６において、前記第
２ダミーパターンは、前記第２領域内に存在する複数の
配線の個々に対応する位置に形成された複数の直線状の
ダミーパターン要素の集合によって形成されることを特
徴とする液晶装置。 - 【請求項８】 請求項７において、前記複数のダミーパ
ターン要素の個々の幅は対応する個々の配線の幅とほぼ
等しいことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項９】 シール材によって互いに貼り合わされて
いてそれらのうちの一方が配線引出し領域を具備する一
対の基板と、 前記シール材中に入れられた導通材と、 前記配線引出し領域と交差する方向へ延びていて表示領
域を挟んで互いに対向する一対のシール材辺のそれぞれ
の適所に設定される導通領域と、 該導通領域において前記導通材によって接続される一対
の配線であって、そのうちの一方は前記配線引出し領域
へ延び、そのうちの他方は前記表示領域へ延びるような
一対の配線と、 前記それぞれの導通領域に向かい合う部分の前記シール
材を通過する第１ダミーパターンとを有することを特徴
とする液晶装置。 - 【請求項１０】 請求項９において、前記第１ダミーパ
ターンが前記シール材を通過する面積は、前記導通領域
において前記配線が前記シール材を通過する面とほぼ等
しいことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項１１】 請求項９又は請求項１０において、前
記第１ダミーパターンは、前記導通領域内に存在する複
数の配線の個々に対応した位置に形成された複数の直線
状のダミーパターン要素の集合によって形成されること
を特徴とする液晶装置。 - 【請求項１２】 請求項１１において、前記複数のダミ
ーパターン要素の個々の幅は対応する個々の配線の幅と
ほぼ等しいことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項１３】 請求項９において、前記一対の配線の
一方又は双方は前記導通領域以外の第２領域で前記シー
ル材を通過し、 該第２領域に向かい合う部分の前記シール材を通過する
第２ダミーパターンを設けたことを特徴とする液晶装
置。 - 【請求項１４】 請求項１３において、前記第２ダミー
パターンが前記シール材を通過する面積は、前記第２領
域において前記配線が前記シール材を通過する面積とほ
ぼ等しいことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項１５】 請求項１３又は請求項１４において、
前記第２ダミーパターンは、前記第２領域内に存在する
複数の配線の個々に対応して形成された複数の直線状の
ダミーパターン要素の集合によって形成されることを特
徴とする液晶装置。 - 【請求項１６】 請求項１５において、前記複数のダミ
ーパターン要素の個々の幅は対応する個々の配線の幅と
ほぼ等しいことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項１７】 液晶装置と、該液晶装置を収容する筐
体とを有する電子機器において、前記液晶装置は請求項
１から請求項１６の少なくともいずれか１つに記載した
液晶装置によって構成されることを特徴とする電子機
器。
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