JP3702858B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置、ＥＬ（Electro Luminescence）装置等といった電気光学装置、その電気光学装置の製造方法、及びその電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機、携帯情報端末機、パーソナルコンピュータ等といった電子機器に、例えば情報を表示するための表示部として液晶装置が広く用いられている。また、今後、液晶装置と共にＥＬ装置が用いられるようになることが考えられる。
【０００３】
上記の液晶装置は、一般に、シール材を介して貼り合わされた一対の基板と、両基板の間に挟まれた液晶と、液晶に対して電圧を印加するための電極とを有する。また、一方の基板のうち他方の基板の外側へ張り出す領域（すなわち、張出し領域）に配線を形成し、この配線の一端に各種実装部品の端子を接続し、この配線を介して上記電極へ電圧を供給するようにした構成が知られている。
【０００４】
ここで、上記の実装部品としては、例えば、張出し領域上にＣＯＧ（Chip On Glass）技術を用いて実装されたＩＣチップや、回路基板等といった外部機器と液晶装置とを接続するためのＦＰＣ等が考えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、張出し領域に形成された配線は外気に曝されるため、この配線には外気中の水分等が付着し易く、従って、この配線は腐食し易い。そして、このようにして配線に腐食が生じる場合には、当該配線と上記実装部品の端子との間の導通が不完全となり、そのため、液晶装置としての信頼性が低下してしまうという問題があった。
【０００６】
さらに、互いに隣接する複数の配線に跨って水分や導電性の不純物等が付着すると、これらの配線が短絡するおそれがある。この短絡を防ぐためには各配線の間隔を広くする必要があるが、この場合には配線を形成するために広いスペースを確保しなければならず、そのため、液晶装置の小型化の要請に応えることが困難となる。このように、従来の液晶装置においては、配線が外気に晒されることに起因して種々の問題が生じていた。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、配線が外気に晒されることに起因して生じる種々の不具合を簡易且つ有効に防ぐこと目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
（１） 上記の目的を達成するため、本発明に係る電気光学装置は、第１基板と、該第１基板の１辺に沿って且つ当該１辺と交差する他辺に向かって引き回された配線と、該配線を被覆する被覆層とを有することを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、配線が被覆層によって覆われているため、当該配線層に水分や導電性の不純物等が付着するのを防止できる。この結果、水分の付着等に起因して当該配線が腐食するのを抑えることができる。また、水分や導電性の不純物が複数の配線に跨って付着することがないので、配線間に短絡が生じることがない。これらのように、本発明に係る電気光学装置によれば、配線が外気に晒されることに起因して生じる種々の不具合を簡易且つ有効に防ぐことができる。
【００１０】
また、上記のように配線同士の間隔を狭くすることができるので、配線を形成すべき面積を小さくすることができ、それ故、電気光学装置の小型化を達成できる。
【００１１】
（２） 上記構成の電気光学装置は、前記第１基板に対向する第２基板と、該第２基板に形成された電極と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶とを有することができ、この場合、前記被覆層は前記液晶を囲むシール材によって形成でき、そして前記配線は前記電極に接続することができる。この構成は、一対の基板をシール材を挟んで貼り合わせると共に、それらの基板間の間隙、いわゆるセルギャップ内に電気光学物質としての液晶を封入することによって形成される液晶装置に相当する。
【００１２】
この構成によれば、配線がシール材によって覆われているため、当該配線層に水分や導電性の不純物等が付着するのを防止できる。この結果、水分の付着等に起因して当該配線が腐食するのを抑えることができる。また、配線のうちシール材によって被覆された部分においては、水分や導電性の不純物が複数の配線に跨って付着することがないので、配線間に短絡が生じることがなく、それ故、配線同士の間隔を狭くすることができる。この結果、配線を形成すべき面積を小さくすることができ、それ故、電気光学装置の小型化を達成できる。
【００１３】
（３） シール材、第２基板及び液晶を有する上記構成の電気光学装置において、前記電極は複数設けることができ、さらに前記配線は前記複数の電極のそれぞれに導通して複数設けることができる。そしてこの場合、前記複数の配線のうちの少なくとも１つの配線と該配線に対応する前記電極とは、前記第１基板の１辺側にて導通させることができ、さらに、前記複数の配線のうちの他の配線と該配線に対応する前記電極とは、前記１辺に対向する辺側にて導通させることができる。
【００１４】
つまり、本発明に係る電気光学装置では、シール材における左右両辺の２個所又は上下両辺の２個所において配線と電極との間の導通をとることができる。こうすれば、配線と電極との間の導通をシール材の１辺だけで行う場合に比べて、各画素又は各表示ドットを安定して駆動することができる。
【００１５】
（４） 上記構成の電気光学装置において、前記配線の一端は外部接続回路に接続することができる。こうすれば、外部接続回路の出力信号を前記配線を通して前記電極へ伝送できる。
【００１６】
（５） シール材を用いる構成の上記電気光学装置においては、前記シール材中に導通材を含ませることができ、前記配線と前記電極とをその導通材によって接続させることができる。こうすれば、例えば、電極に接続されるべき実装部品、例えば駆動用ＩＣやＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）等を、電極が設けられた基板と同じ基板の上に実装することが不要となる。すなわち、一対の基板のうちの一方の上にのみ実装部品を実装すれば良いことになり、構成の簡略化及び製造コストの低減を達成できる。
【００１７】
また、電極と配線とをシール材中に分散した導電粒子を介して導通させるようにしたので、シール材によって両基板を貼り合わせることによって、両基板上の電極と配線とを導通させることができ、それ故、その導通のために特段の構造が不要となる。従って、より一層の構成の簡略化及び製造コストの低減を達成できる。
【００１８】
（６） 上記構成の電気光学装置は、前記第１基板の上に第１金属膜と絶縁膜と第２金属膜とを積層して成る薄膜ダイオードをさらに有することができ、この場合、前記配線は、前記第１金属膜又は前記第２金属膜のうち少なくとも一方と同一の層によって形成することができる。
【００１９】
このように、薄膜ダイオード素子と配線とを共通の層によって形成すれば、薄膜ダイオードを形成する工程において同時に前記配線を形成することができ、それ故、配線を形成する工程を別個に実施する場合に比べて、製造工程の簡略化を達成できる。
【００２０】
（７） 薄膜ダイオードを用いる構造の上記電気光学装置は、前記薄膜ダイオードに接続された画素電極をさらに有することができ、この場合、前記配線は、前記第１金属膜、前記第２金属膜又は前記画素電極のうちの少なくとも１つと同一の層によって形成することができる。この場合にも、配線を形成する工程を別個に実施する場合に比べて、製造工程の簡略化を達成できる。
【００２１】
（８） 上記構成の電気光学装置は、前記第２基板上に形成された配線をさらに有することができ、この場合、該配線は、前記シール材の辺によって覆われると共に該辺と略同じ方向に延在する被被覆部分を有することができる。つまり、被覆層によって被覆される配線は、第１基板のみならず第２基板にも設けることができる。こうすれば、第２基板上の配線についても、それが外気に晒されることを簡易且つ有効に防止できる。
【００２２】
（９） 上記構成の電気光学装置において、前記シール材は前記配線を被覆する部位及び前記配線を被覆しない部位を含むことができ、この場合には、前記配線を被覆する部位は前記配線を被覆しない部位に比べて広い幅に形成することができる。すなわち、シール材の辺のうち配線を覆う部分を有しない辺については、両基板を貼り合わせるために最低限必要な幅とすることによって、いわゆる額縁領域を狭くすることができる。そしてその一方で、配線を覆う部分を有する辺については、両基板を貼り合わせるだけでなく当該配線を覆うために十分な幅とすることにより、配線が外気に触れることに起因して生じる種々の問題を解消できる。
【００２３】
（１０） シール材中に分散させた導通材を介して一対の基板間で導通をとるようにした構造の上記の電気光学装置においては、前記シール材は、前記導通材を含む導通部と、前記導通材を含まない非導通部とを含むように構成でき、そして前記配線は、前記非導通部によって被覆するように構成できる。
【００２４】
配線を被覆する被覆層を、導通材を含むシール材によって形成するようにした場合、電極と配線とのあいだの導電接続がその導通材によって達成されることは上述の通りである。しかしながらここで問題となるのは、シール材によって被覆される複数の配線の間隔が狭くなるとき、いわゆる狭ピッチになるとき、それらの配線間に短絡が発生するおそれがあることである。
【００２５】
このことに関し、上記構成のように、シール材を導通部と非導通部とによって形成すれば、非導通部には導電材が含まれないので短絡のおそれがなく、よって、非導通部の中に多数の配線を狭ピッチで配置したとしても、それらの配線間に短絡が発生することは無い。シール材は液晶を確実に封止できるだめの幅を有していれば良いので、その幅を導通部と非導通部とに適切に分配すれば、短絡のおそれの高い狭ピッチの配線の全てをその非導通部の中に配置させることができ、これにより、短絡の発生を確実に防止できる。
【００２６】
（１１） シール材を導通部と非導通部とによって構成するようにした上記構成の電気光学装置において、前記配線は、該配線と前記電極との導通位置よりも内側位置に引き回すことができる。こうすれば、シール材の外側に配線が引回されることがなくなるので、基板をシール材の外側領域に広く張り出す必要がなくなり、それ故、電気光学装置を小型に形成できる。
【００２７】
（１２） 次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置を有することを特徴とする。本発明に係る電気光学装置によれば、引回し配線が外気に晒されることに起因して生じ得る各種の問題を簡単且つ確実に防ぐことができるので、長期間にわたって良好な表示を行うことができる。従って、この電気光学装置を含んで構成された電子機器においても、その電子機器に関する情報を長期間にわたって良好に表示することができる。
【００２８】
（１３） 次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、枠状のシール材を介して貼り合わされた一対の基板の間に液晶を有する電気光学装置の製造方法であって、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に配線を形成する第１工程と、前記一対の基板をシール材を介して接合する第２工程とを有し、該第２工程では、前記該シール材の辺のうち前記配線の一部の延在方向と略同一方向に延びる辺が前記配線の一部を覆うように、前記一対の基板が接合されることを特徴とする。この製造方法によって得られた電気光学装置によれば、上述したのと同様の理由により、配線が外気に晒されることによって生じる種々の問題を解消できる。
【００２９】
（１４） 上記構成の電気光学装置の製造方法において、前記第２工程は、前記配線が形成された一方の基板の上に、前記シール材の辺のうち前記配線の一部の延在方向と略同一方向に延びる辺によって該配線の一部が覆われるように、該シール材を形成する工程と、前記シール材を介して前記一対の基板を接合する工程とを有することが望ましい。
【００３０】
このように、基板上に形成された配線を覆うようにシール材を形成すれば、シール材の形成から両基板の貼り合わせまでの期間においても配線が外気に晒されることを防止できるので、配線が大気に触れることに起因して発生する種々の問題を、より一層確実に防止できる。
【００３１】
（１５） 上記構成の電気光学装置の製造方法は、前記一対の基板の一方に前記シール材の一部分を形成する工程と、前記一対の基板の他方に前記シール材の残り部分を形成する工程とをさらに有することができ、この場合、前記第２工程では、前記シール材の一部分と前記シール材の残り部分とが繋ぎ合わされて前記シール材の全体が形成される。この方法によれば、導通部と非導通部という異なった２つの部分によってシール材を形成するということを、簡単且つ確実に実行できる。
【００３２】
（１６） シール材を導通部と非導通部とによって構成するようにした上記構成の電気光学装置の製造方法においては、前記シール材の一部分は前記シール材の内側の枠状部分とし、前記シール材の残り部分は前記シール材の外側の枠状部分とすることができる。この構成によれば、小さい枠状部分と大きい枠状部分とを組み合わせることにより、すなわち、つなぎ合わせることにより、シール材の全体が形成される。
【００３３】
（１７） 上記構成の電気光学装置の製造方法においては、前記シール材の一部分及び前記シール材の残り部分の一方には導通材が含まれ、前記シール材の一部分及び前記シール材の残り部分の他の一方には非導通性のギャップ材が含まれるように構成できる。このように、シール材の残り部分に非導通性のギャップ材を含ませれば、当該部分における配線の短絡を防止しつつ、一対の基板間の間隙寸法を一定に維持するという機能も確実に達成できる。
【００３４】
（１８） 上記構成の電気光学装置の製造方法において、前記シール材の一部分及び前記シール材の残り部分は、前記一対の基板を貼り合わせたときに互いに重なり合うオーバーラップを有することが望ましい。こうすれば、シール材の一部分とその残り部分とをつなぎ合わせたときに、それらの間に空隙が発生することを防止できる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
（電気光学装置の第１実施形態）
以下、スイッチング素子としてＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を備えたアクティブマトリクス方式であって、電気光学物質として液晶を用い、さらに、太陽光や室内光等といった外部光を利用する反射型の液晶装置に本発明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態を説明する。
【００３６】
なお、以下の全ての図面においては、装置の構造を分かり易く示すために、装置を構成する複数の構成要素の寸法の比率を適宜に異ならせたり、同じ構造が繰り返される部分については図示を省略したりしてあることに留意願いたい。
【００３７】
図１は、本実施形態に係る液晶装置の電気的構成をブロック図によって示している。同図に示すように、液晶装置１は、Ｘ方向に延在する複数の走査線２５と、Ｘ方向に直角なＹ方向に延在する複数のデータ線１１と、走査線２５及びデータ線１１の各交差部分に設けられた複数の表示ドット５０とを有する。各表示ドット５０は、液晶表示要素５１とＴＦＤ素子１３とが直列に接続された構成となっている。これらの表示ドット５０はマトリクス状に配列されている。
【００３８】
これらの表示ドット５０の1個は、像を表示するための最小単位の表示要素のことであり、表示像がＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色の組み合わせによって形成されるカラー像である場合には、Ｒ，Ｇ，Ｂの３個の表示ドット５０が集まって１個の画素が形成される。他方、表示像が白黒像である場合には、１個の表示ドット５０によって１個の画素が形成される。
【００３９】
図１において、複数の走査線２５のうち、上から数えて奇数本目の走査線２５は、第１ＹドライバＩＣ４０ａに接続される。一方、上から数えて偶数本目の走査線２５は第２ＹドライバＩＣ４０ｂに接続される。そして、これらのＹドライバＩＣ４０ａ，４０ｂによって生成された走査信号が各走査線２５に供給される。なお、以下では、第１ＹドライバＩＣ４０ａと第２ＹドライバＩＣ４０ｂとを特に区別する必要がない場合には、それらを単にＹドライバＩＣ４０と表記する。
【００４０】
複数のデータ線１１は、それぞれ、ＸドライバＩＣ４１に接続され、このＸドライバＩＣ４１によって生成されたデータ信号がそれらのデータ線１１に供給される。一方、マトリクス状に配列する複数の表示ドット５０の各々は、本実施形態の場合は、Ｒ，Ｇ又はＢのいずれかの色に対応する。
【００４１】
次に、図２（ａ）は、本実施形態に係る液晶装置１を観察側、すなわち観察者が位置すべき側から見た場合を示している。また、図２（ｂ）は、この液晶装置１を背面側、すなわち図２（ａ）と反対側から見た場合を示している。なお、以下では、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、Ｘ軸の負方向を「Ａ側」、その正方向を「Ｂ側」と表記する。
【００４２】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、液晶装置１は、相互に対向する素子基板１０及び対向基板２０がシール材３０によって貼り合わされると共に、両基板とシール材３０とによって囲まれた領域に液晶（図２においては図示が省略されている）が封入された構成となっている。シール材３０は、対向基板２０の縁辺、すなわち外周辺に沿って略長方形の枠状に形成される。そしてこのシール材３０の一部には、液晶を封入するための開口が形成される。この開口を通して液晶が封入された後、その開口は封止材３１によって封止される。
【００４３】
シール材３０には導電性を有する多数の導電粒子が分散されている。これらの導電粒子は、例えば金属のメッキが施されたプラスチックの粒子や、導電性を有する樹脂の粒子であり、素子基板１０及び対向基板２０の各々に形成された配線同士を導通させる機能と、両基板の間隙、すなわちセルギャップを一定に保つスペーサとしての機能とを兼ね備える。なお、実際には、素子基板１０及び対向基板２０の外側の表面に、入射光を偏光させるための偏光板や、干渉色を補償するための位相差板等が貼着されるが、これらは本発明と直接の関係がないため、その図示及び説明を省略する。
【００４４】
素子基板１０及び対向基板２０は、例えば、光透過性ガラス、光透過性石英、光透過性プラスチック等といった光透過性を有する板状部材によって形成される。これらの基板のうち、観察側に位置する素子基板１０の内側表面、すなわち液晶側表面には、上述した複数のデータ線１１が形成される。一方、背面側に位置する対向基板２０の内側の面上には、複数の走査線２５が形成される。
【００４５】
素子基板１０は、対向基板２０の外側に張り出す張出し領域１０ａを有し、この張出し領域１０ａはシール材３０の外周縁から外側へ張り出した領域、すなわち、シール材３０及びそのシール材３０の内側に封入された液晶と重ならない領域である。張出し領域１０ａのうちＸ方向の中央部近傍にはＸドライバＩＣ４１が実装されている。また、当該ＸドライバＩＣ４１を挟んでＸ方向で対向する位置には、第１ＹドライバＩＣ４０ａ及び第２ＹドライバＩＣ４０ｂが実装されている。
【００４６】
上記の各ドライバＩＣ４１，４０ａ，４０ｂは、それぞれ、ＣＯＧ技術を用いて張出し領域１０ａの上に実装されている。すなわち、これらのドライバＩＣは、接着材中に導電粒子を分散させたＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を用いて素子基板１０の張出し領域１０a上に接合されている（図８（ｂ）参照）。また、張出し領域１０ａの縁端部には複数の外部接続端子１７が形成される。これらの外部接続端子１７が形成された部分には、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）（図示せず）の一端が接続され、このＦＰＣの他端には、例えば回路基板等といった外部機器が接続される。これにより、外部機器から出力される電源電力や電気信号等がＦＰＣを通して外部接続端子１７へ供給される。
【００４７】
ＸドライバＩＣ４１は、外部機器からＦＰＣ及び外部接続端子１７を介して入力された信号に応じてデータ信号を生成し、これをデータ線１１へ出力する。他方、ＹドライバＩＣ４０は、外部機器からＦＰＣ及び外部接続端子１７を介して入力された信号に応じて走査信号を生成して出力する。この走査信号は、素子基板１０上に形成された引回し配線１６からシール材３０中の導電粒子を介して対向基板２０上の各走査線２５へ与えられる。
【００４８】
次に、シール材３０の内周縁によって囲まれた領域、すなわち表示領域Ｖ内の構成を説明する。図３は、図２（ａ）におけるＣ−Ｃ’線に従った断面のうち表示領域Ｖ内の一部分を示す図である。また、図４は、表示領域Ｖ内に形成された数個の表示ドットを示す斜視図である。なお、図４におけるＤ−Ｄ’線に従った断面図が図３に相当する。
【００４９】
これらの図に示すように、表示領域Ｖ内における素子基板１０の内側表面、すなわち液晶３５側の表面には、マトリクス状に配列された複数の画素電極１２と、各画素電極１２の間隙部分においてＹ方向に延在する複数のデータ線１１とが形成されている。各画素電極１２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等といった透明導電材料によって形成された略矩形状の電極である。そして、各画素電極１２と、当該画素電極１２に一方の側において隣接するデータ線１１とはＴＦＤ素子１３を介して接続されている。
【００５０】
また、図３に示すように、データ線１１、画素電極１２及びＴＦＤ素子１３が形成された素子基板１０の表面は、配向膜５６（図４においては図示略）によって覆われている。この配向膜５６はポリイミド等から成る有機薄膜であり、この配向膜には、電圧が印加されていないときの液晶３５の配向を規定するためのラビング処理が施されている。
【００５１】
図５（ａ）は、素子基板１０上における１つの表示ドット５０を対向基板２０側、すなわち観察側に対する背面側から見た場合を示している。また、図５（ｂ）は図５（ａ）におけるＥ−Ｅ’線に従った断面図であり、図５（ｃ）は図５（ａ）におけるＦ−Ｆ’線に従った断面図である。図５（ａ）及び図５（ｃ）に示すように、データ線１１は、主配線１１ａと、当該主配線１１ａ上に積層された補助配線１１ｂとから成る。補助配線１１ｂは、例えば主配線１１ａが断線した場合に当該主配線１１ａに代えてデータ線１１として機能する配線であり、画素電極１２と同一層によって形成される。
【００５２】
一方、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、ＴＦＤ素子１３は、Ｘ方向に延在してデータ線１１の主配線１１ａと交差する第１金属膜１３ａと、この第１金属膜１３ａの表面に陽極酸化によって形成された絶縁膜１３ｂと、この絶縁膜１３ｂの表面に相互に離間して形成された第２金属膜１１ｃ及び１３ｃとによって構成されている。
【００５３】
第１金属膜１３ａは、例えばタンタル（Ｔａ）単体や、タングステン（Ｗ）等を含むタンタル合金といった各種の導電性材料によって形成される。但し、本実施形態においては、第１金属膜１３ａがタンタルによって形成されるものとする。また、第２金属膜１１ｃは、図５（ａ）に示すように、データ線１１を構成する主配線１１ａのうち第１金属膜１３ａと交差する部分に位置する。なお、上記補助配線１１ｂは、主配線１１ａのうち第２金属膜１１ｃに相当する部分以外の部分の面上に積層されている。
【００５４】
第２金属膜１３ｃは画素電極１２に接続されている。また、データ線１１の主配線１１ａ（第２金属膜１１ｃを含む）及び第２金属膜１３ｃは、クロム（Ｃｒ）やアルミニウム（Ａｌ）といった各種の導電性材料から成る同一の層によって形成される。但し、本実施形態においては、主配線１１ａ及び第２金属膜１３ｃがクロムによって形成されるものとする。
【００５５】
ＴＦＤ素子１３は、第１ＴＦＤ素子１３１と第２ＴＦＤ素子１３２とによって構成される。すなわち、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、第１ＴＦＤ素子１３１は、データ線１１の側から見ると第２金属膜１１ｃ、絶縁膜１３ｂ及び第１金属膜１３ａがこの順に積層された構成となり、金属／絶縁体／金属のサンドイッチ構造を採る結果、正負双方向のダイオードスイッチング特性を有する。一方、第２ＴＦＤ素子１３２は、データ線１１の側から見ると第１金属膜１３ａ、絶縁膜１３ｂ及び第２金属膜１３ｃがこの順に積層された構成となり、第１ＴＦＤ素子１３１とは反対のダイオードスイッチング特性を有する。
【００５６】
このように、ＴＦＤ素子１３は、２つのダイオードを互いに逆向きに直列接続した構成となっているため、１つのダイオードを用いた場合と比較して、電流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化される。但し、この非線形特性の対称性を確保するためには、第１ＴＦＤ素子１３１の絶縁膜１３ｂと第２ＴＦＤ素子１３２の絶縁膜１３ｂとを同一の厚さにすると共に、第１ＴＦＤ素子１３１において第１金属膜１３ａと第２金属膜１１ｃとが対向する面積を、第２ＴＦＤ素子１３２において第１金属膜１３ａと第２金属膜１３ｃとが対向する面積と等しくする必要がある。
【００５７】
そして、本実施形態においては、第１ＴＦＤ素子１３１における当該面積を第２ＴＦＤ素子１３２における当該面積と同一とするために、図５（ａ）に示すように、データ線１１を構成する主配線１１ａのうち第２金属膜１１ｃに対応する部分の幅をその他の部分の幅と比較して狭くしている。
【００５８】
図３及び図４において、対向基板２０の面上には、反射層２１、カラーフィルタ２２、遮光層２３、オーバーコート層２４、複数の走査線２５及び配向膜２６が形成されている。反射層２１は、例えばアルミニウムや銀といった光反射性を有する金属によって形成された薄膜である。図３において、観察側から液晶装置に入射した光Ｒは、この反射層２１の表面において反射して観察側に出射し、これにより、いわゆる反射型表示が実現される。
【００５９】
ここで、図３に示すように、対向基板２０の内側表面のうち反射層２１によって覆われる領域は、多数の微細な凹凸が形成された粗面となっている。従って、この粗面を覆うように薄膜状に形成された反射層２１の表面には、当該粗面を反映した微細な凹凸が形成される。そして、この凹凸が、光を散乱するための散乱構造として機能する。この結果、観察側からの入射光は、反射層２１の表面において適度に散乱した状態で反射するので、反射層２１の表面における鏡面反射を回避して広い視野角が実現される。
【００６０】
カラーフィルタ２２は、各表示ドット５０に対応して反射層２１の面上に形成された樹脂層であり、図４に示すように、染料や顔料によってＲ（赤色）、Ｇ（緑色）又はＢ（青色）のうちのいずれかに着色されている。そして、相互に異なる色の３つの表示ドット５０によって、表示画像を形成する１つの画素が構成される。
【００６１】
遮光層２３は、素子基板１０上にマトリクス状に配列する画素電極１２の間隙部分に対応して格子状に形成され、各画素電極１２同士の隙間を遮光する役割を担っている。本実施形態における遮光層２３は、図３に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色分のカラーフィルタ２２が積層された構成を有する。オーバーコート層２４は、カラーフィルタ２２及び遮光層２３によって形成された凹凸を平坦化するための層であり、例えばエポキシ系やアクリル系等の樹脂材料によって形成される。
【００６２】
走査線２５は、オーバーコート層２４の上に、ＩＴＯ等といった透明導電材料によって形成された帯状の電極である。図４に示すように、各走査線２５は、素子基板１０上においてＸ方向に列をなす複数の画素電極１２と対向するようにＸ方向に延在して形成される。そして、画素電極１２と、これに対向する走査線２５と、両者によって挟まれた液晶３５とによって、図１に示した液晶表示要素５１が構成される。
【００６３】
走査線２５に走査信号を供給すると共に、データ線１１にデータ信号を供給することによってＴＦＤ素子１３にしきい値以上の電圧を印加すると、当該ＴＦＤ素子１３はオン状態となる。そしてこの結果、ＴＦＤ素子１３に接続された液晶表示要素５１に電荷が蓄積され、液晶３５の配向が変化する。こうして表示ドット５０ごとに液晶３５の配向を変化させることにより、所望の表示を行うことができる。また、電荷が蓄積された後に当該ＴＦＤ素子１３がオフ状態となっても、液晶表示要素５１における電荷の蓄積は維持される。
【００６４】
図３において、複数の走査線２５が形成されたオーバーコート層２４の表面は配向膜２６によって覆われる。この配向膜２６は、素子基板１０上に形成する配向膜５６と同じ材料によって形成され、さらに配向膜５６と同様にしてラビング処理が施される。
【００６５】
次に、図６を参照して、本実施形態に係る液晶装置の配線の態様を説明する。図６は液晶装置１を観察側、すなわち素子基板１０側から見た場合の平面構造であって、素子基板１０を構成する基板素材を取り除き、その基板素材上に形成されるデータ線１１等はそのまま図示した状態を示している。図６における紙面手前側から奥側に向かう方向が図２（ａ）及び図２（ｂ）におけるＺ軸の正方向に相当する。従って、図６においては、素子基板１０が紙面に対して最も手前側に位置し、これ以外の要素は素子基板１０に対して紙面奥側に位置する。
【００６６】
図６において、各データ線１１は、表示領域Ｖ内においてＹ方向に延在すると共に、シール材３０の一辺３０ａを横切って張出し領域１０ａに延び出ている。そして、各データ線１１のうち張出し領域１０ａ内に張り出したそれらの端部は、ＡＣＦ２９内に含まれる導電粒子によってＸドライバＩＣ４１の出力端子に接続される。この構成により、ＸドライバＩＣ４１によって生成されたデータ信号は、各データ線１１に出力される。
【００６７】
図６において、対向基板２０上においてＸ方向に延在する複数の走査線２５（斜線が付されている）は、１本ごとに交互にＡ側及びＢ側に引き出され、その引き出された端部がシール材３０と重なるようになっている。ここで、図７は、図６におけるＧ−Ｇ’線に従った断面図、すなわち奇数本目の走査線２５に対応する断面図である。図７に示すように、対向基板２０のうちシール材３０によって覆われた領域の近傍にはカラーフィルタ２２やオーバーコート層２４等は形成されていない。これに対し、奇数本目の走査線２５は、オーバーコート層２４の上面から対向基板２０の上面に至ると共に、そのままシール材３０のＢ側の辺に向かってＸ方向に延在して、その端部がシール材３０によって覆われる。つまり、走査線２５の端部は、対向基板２０とシール材３０との間に介在する。
【００６８】
さらに、図６において、走査線２５のうちシール材３０によって覆われる端部（以下、「導通部２５ａ」と表記する）の幅は、表示領域Ｖ内に存在する部分の幅と比較して広くなっている。偶数本目の走査線２５についても同様であり、図６に示すように、シール材３０のＡ側の辺に向かってＸ方向に延在し、その端部に位置する導通部２５ａがシール材３０のＡ側の辺と重なるようになっている。なお、素子基板１０の液晶側表面であってシール材３０の内周縁近傍には、表示領域Ｖの縁辺に沿った枠状の形状を有する周辺遮光層５７が形成される。この周辺遮光層５７は、表示領域Ｖの縁辺近傍を遮光するための層である。
【００６９】
図６及び図７において、素子基板１０の液晶側表面には、当該素子基板１０のうちＹ方向に延在する２つの縁辺に沿って、且つ、当該縁辺と交差する他辺に向かって、複数の引回し配線１６が形成されている。各引回し配線１６は、ＹドライバＩＣ４０の出力端子と走査線２５とを接続するための配線である。より具体的には、引回し配線１６は、図６に示すように、素子基板１０のうちＢ側の縁辺に沿って形成された引回し配線１６１と、素子基板１０のうちＡ側の縁辺に沿って形成された引回し配線１６２とから成る。これらの引回し配線１６の各々は、導通部１６ａと、素子基板１０の縁辺に沿って延在する延在部１６ｂとを有する。
【００７０】
各引回し配線１６の導通部１６ａは、走査線２５の導通部２５ａと対向するように形成されている。そして、図７に示すように、対向基板２０上に形成された奇数本目の走査線２５の導通部２５ａは、シール材３０に分散された導電粒子３２を介して、素子基板１０上に形成された引回し配線１６１の導通部１６ａと導通する。偶数本目の走査線２５についても同様であり、その導通部２５ａは、シール材３０のＡ側の辺に位置する導電粒子３２を介して、素子基板１０上に形成された引回し配線１６２の導通部１６ａと導通する。
【００７１】
各引回し配線１６の延在部１６ｂは、図６に示すように、その一端が導通部１６ａに連結されると共に、素子基板１０のうちシール材３０によって覆われた領域、すなわちシール材３０と重なる領域を通って張出し領域１０ａに達するように延在する。より具体的には、引回し配線１６１の延在部１６ｂは、素子基板１０の面上においてシール材３０のＢ側の辺によって覆われると共に当該Ｂ側の辺と略同一方向に延在して、張出し領域１０ａのＢ側の部分、つまり、第１ＹドライバＩＣ４０ａが実装されるべき部分に向かって延在する。そして、当該延在部１６ｂのうち張出し領域１０ａ内に張り出した端部が、第１ＹドライバＩＣ４０ａの出力端子に接続される。
【００７２】
他方、引回し配線１６２の延在部１６ｂは、素子基板１０の面上においてシール材３０のＡ側の辺によって覆われると共に当該Ａ側の辺と略同一方向に延在し、張出し領域１０ａのＡ側の部分に張り出した端部が第２ＹドライバＩＣ４０ｂの出力端子に接続される。このように、本実施形態においては、引回し配線１６の延在部１６ｂのうちシール材３０の辺によって覆われた部分が、当該辺と略同一方向に延在するようになっている。
【００７３】
換言すれば、シール材３０の辺のうち引回し配線１６の一部の延在方向と略同一方向に延びる辺が、当該引回し配線１６の一部を覆うように、当該シール材３０が形成されている。つまり、本実施形態では、シール材３０が配線１６を被覆するための被覆層として作用する。
【００７４】
この作用を確実にするため、シール材３０のうちＹ方向に延在する二辺、すなわち引回し配線１６を覆うべき二辺の幅は、Ｘ方向に延在する二辺の幅と比較して広くなっている。すなわち、Ｘ方向に延在する二辺は、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ得る幅であれば十分であるのに対し、Ｙ方向に延在する二辺については、両基板を貼り合わせるだけでなく、引回し配線１６を覆うことができるように、その幅が選定されている。
【００７５】
第１ＹドライバＩＣ４０ａから出力された走査信号は、素子基板１０上に形成された引回し配線１６１の延在部１６ｂ及び導通部１６ａ、並びにシール材３０のＢ側の辺に分散された導電粒子３２を介して、対向基板２０上に形成された奇数本目の走査線２５の導通部２５ａに供給される。同様に、第２ＹドライバＩＣ４０ｂから出力された走査信号は、引回し配線１６２及びシール材３０のＡ側の辺に分散された導電粒子３２を介して偶数本目の走査線２５の導通部２５ａに供給される。
【００７６】
このように、本実施形態においては、引回し配線１６がシール材３０によって覆われた部分を有するため、当該部分に水分等が付着して腐食が生じるのを回避できる。さらに、この部分においては、水分や導電性の不純物が複数の引回し配線１６に跨って付着するという事態が生じないので、配線間に短絡が生じることがなく、それ故、引回し配線１６同士の間隔を狭くすることができる。そしてこの結果、引回し配線１６が形成されるべきスペースを狭くすることができる。
【００７７】
次に、引回し配線１６の層構成を説明する。本実施形態における引回し配線１６は、ＴＦＤ素子１３及び画素電極１２といった表示領域Ｖ内にある要素と同一の層から形成されるようになっている。但し、引回し配線１６のうち張出し領域１０ａ内に位置する部分、すなわちシール材３０の外側領域にある部分と、シール材３０によって覆われた部分、すなわちシール材３０と重なる領域にある部分とでは、その層構造が異なる。詳述すると、以下の通りである。
【００７８】
図８（ａ）は、図６において矢印Ｐで示す部分、すなわち引回し配線１６のうち張出し領域１０ａに延び出た部分を拡大して示している。また、図８（ｂ）は、図８（ａ）におけるＨ−Ｈ’線に従った断面図である。また、図８（ｃ）は、図８（ａ）及び図８（ｂ）におけるＩ−Ｉ’線に従った断面図である。また、図８（ｄ）は、図８（ａ）及び図８（ｂ）におけるＪ−Ｊ’線に従った断面図である。
【００７９】
これらの図に示すように、引回し配線１６は、第１配線層１８１と第２配線層１８２と第３配線層１８３とによって構成される。第１配線層１８１はＴＦＤ素子１３の第１金属膜１３ａ（図５（ｂ）参照）と同一層から形成され、第２配線層１８２はデータ線１１の主配線１１ａ及びＴＦＤ素子１３の第２金属膜１３ｃ（図５（ｂ）参照）と同一層から形成され、第３配線層１８３は画素電極１２（図５（ｂ）参照）と同一層から形成される。すなわち、本実施形態においては、第１配線層１８１はタンタルから成り、第２配線層１８２はクロムから成り、第３配線層１８３はＩＴＯから成る。ここで、クロムはタンタル又はＩＴＯと比較してイオン化傾向が高いため、第２配線層１８２は第１配線層１８１及び第３配線層１８３と比較して腐食し易い。
【００８０】
第１配線層１８１及び第３配線層１８３は、図６の導通部１６ａから張出し領域１０ａ内に位置する端部にわたる引回し配線１６の全長に対応して形成されている。これに対し、第２配線層１８２は、素子基板１０のうちシール材３０と対向する領域、すなわち素子基板１０のうちシール材３０と重なる領域内のみに形成されている。
【００８１】
より具体的には、第２配線層１８２は、シール材３０の外周縁から所定の長さだけ内側に位置する境界（以下、配線境界という）１０ｂから見て張出し領域１０ａとは反対側においてのみ形成されており、張出し領域１０ａ内には形成されていない。従って、引回し配線１６のうち当該配線境界１０ｂから見て導通部１６ａ側の部分、すなわち、シール材３０と重なる領域に形成された部分は、図８（ｂ）及び図８（ｃ）に示すように、第１配線層１８１、第２配線層１８２及び第３配線層１８３の３層がこの順に積層された構成となっている。これに対し、上記配線境界１０ｂから見て張出し領域１０ａ側の部分は、図８（ｂ）及び図８（ｄ）に示すように、第１配線層１８１及び第３配線層１８３の２層のみが積層された構成となっている。
【００８２】
ところで、図８（ａ）において、引回し配線１６のうち張出し領域１０ａ内に形成された部分はＹ方向に対して所定の角度を成して延在している。このため、この部分においては、Ｙ方向に延在する部分、つまり、シール材３０によって覆われた部分と比較して広いピッチを確保することができる。そして、本実施形態においては、引回し配線１６のうち張出し領域１０ａ内に形成された部分の幅Ｗ１が、シール材３０によって覆われた部分の幅Ｗ２よりも広くなっている。
【００８３】
また、図８（ｂ）において、素子基板１０の端部に形成された外部接続端子１７は、引回し配線１６のうち配線境界１０ｂから見て張出し領域１０ａ側の部分と同様の層構成となっている。すなわち、各外部接続端子１７は、タンタルから成る第１配線層１８１とＩＴＯから成る第３配線層１８３とが積層された構成となっている。
【００８４】
以上に説明したように、本実施形態においては、引回し配線１６を構成する複数の配線層の一部である第２配線層１８２をシール材３０と重なる領域内に形成する一方、これ以外の配線層である第１配線層１８１を当該引回し配線１６の全長に対応して形成したので、当該引回し配線１６の腐食を有効に抑えることができるという利点がある。すなわち、クロムから成る第２配線層１８２は抵抗値が低い反面、タンタルから成る第１配線層１８１やＩＴＯからなる第３配線層１８３と比較してイオン化傾向が高く、大気に対する耐食性が低いため、腐食し易いという特性を有する。
【００８５】
このため、引回し配線１６のうちシール材３０によって覆われていない部分や外部接続端子１７に第２配線層１８２を形成した場合には、当該第２配線層１８２が外気中の水分等の付着に起因して腐食し易いという問題が生じ得る。これに対し、本実施形態によれば、イオン化傾向の高い第２配線層１８２がシール材３０によって覆われた領域のみに形成されており、当該第２配線層１８２に水分等が付着するのを回避できるので、第２配線層１８２の腐食を抑えることができる。
【００８６】
他方、第１配線層１８１を構成するタンタル及び第３配線層１８３を構成するＩＴＯは第２配線層１８２を構成するクロムと比較して抵抗値が高い。このため、引回し配線１６を、その全長にわたって第１配線層１８１及び第２配線層１８２のみによって形成した場合には配線抵抗が高くなり、液晶装置の表示特性に悪影響を与えるおそれがある。これに対し、本実施形態によれば、引回し配線１６のうちシール材３０によって覆われた部分には、抵抗値が低い第２配線層１８２が形成されているため、配線抵抗の上昇を抑えることができるという利点がある。
【００８７】
さらに、本実施形態においては、引回し配線１６のうち張出し領域１０ａ内に形成された部分の幅が、シール材３０によって覆われた部分の幅よりも広くなっている。換言すれば、第１配線層１８１と第３配線層１８３とから成る部分の幅が、第２配線層１８２を含む部分の幅よりも広くなっている。このため、張出し領域１０ａ内の部分が、比較的抵抗値の高い第１配線層１８１と第３配線層１８３とによって構成されているにもかかわらず、当該部分における配線抵抗が極端に高くなってしまうという不都合が回避される。
【００８８】
以上に説明したように、本実施形態によれば、引回し配線１６がシール材３０によって覆われた部分、すなわち被被覆部分を有するため、引回し配線１６に水分や導電性の不純物等が付着することを防止できる。この結果、水分の付着等に起因して引回し配線１６が腐食するのを抑えることができる。また、引回し配線１６のうちシール材３０によって覆われた部分においては、水分や導電性の不純物が複数の引回し配線１６に跨って付着して配線の短絡が生じるといった事態を回避できるので、引回し配線１６がその大部分にわたって外気に晒される従来の構造と比較して、引回し配線１６同士の間隔を狭くすることができる。そしてこの結果、引回し配線１６が形成されるべきスペースを狭くすることができるので、液晶装置の小型化を達成できる。このように、本実施形態によれば、引回し配線１６が外気に晒されることに起因して生じる種々の問題を確実に防止できる。ところで、引回し配線１６が外気に晒されることを防止するための手段として、例えば、素子基板１０上の引回し配線１６をその全長にわたって覆うように、樹脂材料等から成る絶縁層を形成することもできる。但し、この場合には、この絶縁層を形成するための工程が不可欠となるため、その分だけ製造コストが高くなってしまう。これに対し、本実施形態によれば、引回し配線１６がシール材３０によって覆われるようになっており、上記のような絶縁層を形成するための独立した工程は不要であるので、製造コストの増大を伴うことなく上記の効果を得ることができる。
【００８９】
（電気光学装置の製造方法の実施形態）
次に、電気光学装置の製造方法について説明する。まず、図３の素子基板１０上に設けられるデータ線１１、ＴＦＤ素子１３等といった各要素の製造方法について説明する。図９及び図１０は、素子基板１０上における１つの表示ドット５０の製造方法を工程順に示している。また、図１１は、素子基板１０上の引回し配線１６の製造方法を工程順に示している。
【００９０】
上述したように、本実施形態における引回し配線１６は、ＴＦＤ素子１３及び画素電極１２を構成する各層と同一の層によって形成される。従って、以下では、表示ドット５０と引回し配線１６の双方の製造工程を並行して説明する。また、図６における引回し配線１６が形成されるべき領域に関して、張出し領域１０ａと、シール材３０が形成されるべき領域と、ＹドライバＩＣ４０が実装されるべき領域との位置関係は、図１１（ａ）に示す通りである。
【００９１】
まず、図９（ａ）及び図１１（ａ）に示すように、素子基板１０の面上にタンタルからなる金属膜６１を形成する。この金属膜６１の成膜には、例えばスパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いることができる。金属膜６１の膜厚は、ＴＦＤ素子１３の用途等に応じて好適な値が選択されるが、通常は、１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。なお、金属膜６１の形成前に、素子基板１０の表面に酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）等から成る絶縁膜を形成しても良い。この絶縁膜を下地として金属膜６１を形成すれば、当該金属膜６１と素子基板１０との密着性を高めると共に素子基板１０から金属膜６１への不純物の拡散を抑えることができる。
【００９２】
次に、金属膜６１を、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によってパターニングする。具体的には、図６の表示領域Ｖ内においては、図９（ｅ１）に示すようなＴＦＤ素子１３の第１金属膜１３ａに対応する形状であって、図９（ａ１）に示すようなＸ方向に列を成す複数の表示ドット５０に沿って延びる形状に、金属膜６１がパターニングされる。
【００９３】
一方、図６の引回し配線１６が形成されるべき領域においては、上記パターニングと同じ工程によって、図１１（ｂ）に示すように、引回し配線１６を構成する第１配線層１８１と、外部接続端子１７を構成する第１配線層１８１とが形成される。上述したように、引回し配線１６を構成する第１配線層１８１は、図６の導通部１６ａから張出し領域１０ａ内に位置する端部までに至る引回し配線１６の全長に対応して形成される。
【００９４】
次に、図９（ａ）において表示領域Ｖ内に形成された金属膜６１の表面を陽極酸化法によって酸化させることにより、図９（ｂ）に示すように、当該金属膜６１の表面に酸化タンタルから成る酸化膜６２を形成する。具体的には、素子基板１０を所定の電解液中に浸漬し、表示領域Ｖ内の金属膜６１と電解液との間に所定の電圧を印加して当該金属膜６１の表面を酸化させる。酸化膜６２の膜厚は、ＴＦＤ素子１３の特性に応じて好適な値が選択されるが、例えば１０〜３５ｎｍ程度である。なお、陽極酸化に用いられる電解液としては、例えば０．０１〜０．１重量％のクエン酸水溶液を用いることができる。この後、ピンホールの除去や膜質の安定化を図るために、上記陽極酸化によって形成した酸化膜６２に対して熱処理を施す。なお、図１１（ｂ）に示す引回し配線１６のための第１配線層１８１に対しては陽極酸化は施こさない。従って、この第１配線層１８１の表面に酸化膜は形成されない（図１１（ｃ）参照）。
【００９５】
次に、図９（ｃ）及び図１１（ｃ）に示すように、素子基板１０の全面を覆うように金属膜６３を形成する。この金属膜６３は、例えばスパッタリング法等によって、５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度の膜厚に形成される。この金属膜６３は、図１０（ｃ１）のデータ線１１のうちの主配線１１ａ及び図９（ｅ１）のＴＦＤ素子１３の第２金属膜１３ｃ、並びに図１１（ｆ）の引回し配線１６の第２配線層１８２となる薄膜である。従って、本実施形態における金属膜６３はクロムによって形成される。
【００９６】
この後、図９（ｃ）及び図１１（ｃ）において、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によって金属膜６３をパターニングする。これにより、表示領域Ｖ内においては、図９（ｄ）及び図９（ｄ１）に示すように、第２金属膜１１ｃに相当する細くなった部分を有する主配線１１ａと、図９（ｅ１）の第２ＴＦＤ素子１３２の第２金属膜１３ｃとが形成される。
【００９７】
他方、引回し配線１６が形成されるべき領域においては、図１１（ｃ）における金属膜６３のパターニングにより、図１１（ｄ）に示すように第２配線層１８２が形成される。すなわち、引回し配線１６のうち配線境界１０ｂから導通部１６ａ（図６参照）側の部分に対応した形状の第２配線層１８２が形成される。換言すると、先の工程で形成された第１配線層１８１の面上に位置する金属膜６３のうち、配線境界１０ｂから見て張出し領域１０ａ側の部分（外部接続端子１７が形成されるべき部分を含む）に対応する金属膜６３が除去される。
【００９８】
次に、図９（ｄ）において、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理を用いて上述した金属膜６１及び酸化膜６２をパターニングして、図９（ｅ）及び図９（ｅ１）に示すように、各表示ドット５０のＴＦＤ素子１３を構成する第１金属膜１３ａ及び絶縁膜１３ｂを形成する。すなわち、酸化膜６２によって覆われた金属膜６１のうち、Ｘ方向に列を成す各表示ドット５０同士の間の部分を除去することにより、第２金属膜１１ｃ及び１３ｃの双方と交差する島状の部分となるように第１金属膜１３ａ及び絶縁膜１３ｂをパターニングする。この工程により、第１ＴＦＤ素子１３１及び第２ＴＦＤ素子１３２が各表示ドット５０ごとに形成される。なお、図１０（ａ）は、図９（ｅ１）におけるＦ−Ｆ’線に従った断面図であって、データ線１１の主配線１１ａ及び第２ＴＦＤ素子１３２の第２金属膜１３ｃの断面形状を示している。
【００９９】
また、図９（ｄ）における金属膜６１及び酸化膜６２のパターニングに際しては、図１１（ｄ）における引回し配線１６用の第１配線層１８１及び第２配線層１８２には何ら処理は施されない。
【０１００】
ところで、上記の例では、図９（ｃ）の金属膜６３にパターニング処理を施した後に、図９（ｄ）の金属膜６１及び酸化膜６２にパターニング処理を施すようにしたが、これとは逆に、金属膜６１及び酸化膜６２のパターニングを行った後に、金属膜６３の形成及び当該金属膜６３のパターニングを行うようにしても良い。
【０１０１】
次に、図１０（ｂ）及び図１１（ｅ）に示すように、ＩＴＯから成る透明導電膜６４を素子基板１０の全面を覆うように形成する。この成膜には、例えばスパッタリング法等を用いることができる。この後、透明導電膜６４を、例えばフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によってパターニングする。これにより、表示領域Ｖ内においては、図１０（ｃ）及び図１０（ｃ１）に示すように、第２ＴＦＤ素子１３２の第２金属膜１３ｃに接続された画素電極１２と、主配線１１ａと共にデータ線１１を構成する補助配線１１ｂとが形成される。
【０１０２】
他方、表示領域Ｖの外側においては、図１１（ｆ）に示すように、引回し配線１６の全長に対応して第１配線層１８１及び第２配線層１８２を覆う第３配線層１８３と、外部接続端子１７の第１配線層１８１を覆う第３配線層１８３とが形成される。
【０１０３】
この後、図３に示すように素子基板１０のうち表示領域Ｖを覆う配向膜５６を形成すると共に、当該配向膜５６に対して所定方向にラビング処理を施す。次いで、図１１（ｇ）において、導電粒子３２が分散されたシール材３０を、例えばスクリーン印刷等の技術を用いて塗布する。このとき、図６に示すように、シール材３０の辺のうち、引回し配線１６の一部の延在方向と略同一方向に延びる辺がその引回し配線１６を覆うように、そのシール材３０を塗布する。
【０１０４】
以上が、図３の素子基板１０上に各種要素を製造するための製造方法である。この一方で、対向基板２０上に設けられる各要素は、例えば、図１２及び図１３に示す工程を経て形成される。なお、これらの図は、図６の対向基板２０のうちシール材３０によって覆われるべき領域の断面の近傍を示している。シール材３０が形成されるべき領域は、図１２（ａ）において「シール領域」として示されている。
【０１０５】
まず、図１２（ａ）において、対向基板２０のうち反射層２１が形成されるべき領域の表面を粗面化する。具体的には、例えば、エッチング処理を用いて、当該対向基板２０の表面のうち多数の微細な領域を所定の厚さだけ選択的に除去する。これにより、除去された部分に対応する凹部と、除去されなかった部分に対応する凸部とを有する粗面が対向基板２０の表面上に形成される。
【０１０６】
但し、対向基板２０の表面を粗面化する方法はこれに限られるものではない。例えば、対向基板２０を覆うようにエポキシ系やアクリル系の樹脂層を形成し、当該樹脂層表面の多数の微細な部分をエッチングによって選択的に除去する。この後、当該樹脂層に熱を加えて軟化させ、エッチングによって生じた角の部分を丸めることにより、滑らかな凹凸を有する粗面を形成しても良い。
【０１０７】
次に、図１２（ａ）において対向基板２０の全面を覆うように、光反射性を有する金属の薄膜を、スパッタリング法等を用いて形成する。この薄膜は、例えばアルミニウムや銀といった単体金属、又はこれらを主成分とする合金等によって形成される。この後、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理を用いて当該薄膜をパターニングすることにより、図１２（ｂ）に示す反射層２１を形成する。
【０１０８】
次に、図１２（ｃ）に示すように、反射層２１の面上にカラーフィルタ２２及び遮光層２３を形成する。すなわち、まず、染料や顔料によってＲ（赤）、Ｇ（緑）又はＢ（青）のうちのいずれかの色、例えばＲ色に着色された樹脂膜を反射層２１の面上に形成した後、Ｒ色のカラーフィルタ２２が形成されるべき領域と、遮光層２３が形成されるべき格子状の領域、すなわち表示ドット５０同士の間隙領域とを残して、当該樹脂膜を除去する。以後、これと同様の工程を、他の２色、すなわちＧ色及びＢ色についても繰り返すことにより、図１２（ｃ）に示すように、Ｒ、Ｇ又はＢのいずれかの色に対応するカラーフィルタ２２と、これらの３色の層が積層された遮光層２３とが形成される。
【０１０９】
この後、図１２（ｄ）において、カラーフィルタ２２及び遮光層２３を覆うようにエポキシ系又はアクリル系の樹脂材料を塗布し、さらにそれを焼成して、オーバーコート層２４を形成する。次に、図１３（ｅ）において、上記各要素が形成された対向基板２０の全面を覆うようにＩＴＯ等から成る透明導電膜６５を形成する。この成膜には、例えばスパッタリング法等を用いることができる。
【０１１０】
この透明導電膜６５をフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によってパターニングして、図１３（ｆ）に示すように、複数の走査線２５を形成する。これらの走査線２５は、１本ごとに、シール材３０のＡ側及びＢ側の辺が形成されるべき領域に至るように形成され、その端部には導通部２５ａが形成される。この後、図１３（ｇ）に示すように、表示領域Ｖを覆うように配向膜２６を形成すると共に、当該配向膜２６に対してラビング処理を施す。
【０１１１】
次に、上記各工程を経て得られた素子基板１０と対向基板２０とを、図２に示すように、各々の電極形成面が対向するようにシール材３０を間に挟んで貼り合わせる。このとき、図６において、各走査線２５の導通部２５ａと引回し配線１６の導通部１６ａとがシール材３０を挟んで対向するように、両基板１０，２０の相対的な位置が調整される。
【０１１２】
そして、図２において両基板１０，２０とシール材３０とによって囲まれた領域内に、シール材３０の開口部分を介して液晶を封入し、その後、当該開口部分を封止材３１によって封止する。この後、両基板１０，２０の外側表面に偏光板や位相差板等を貼着すると共に、素子基板１０の張出し領域１０ａにＸドライバＩＣ４１及びＹドライバＩＣ４０をＣＯＧ技術を用いて実装し、これにより、上述した液晶装置１が得られる。
【０１１３】
このように、本実施形態によれば、引回し配線１６がＴＦＤ素子１３及び画素電極１２と共通の層から形成されるため、ＴＦＤ素子１３及び引回し配線１６の各々を形成する工程を別個に実施した場合と比較して、製造工程の簡略化及び製造コストの低減が達成できる。
【０１１４】
また、引回し配線１６の一部が、当該一部が延在する方向と同一方向の辺によって覆われるように、当該辺を含むシール材３０が形成されるため、製造工程の増大を伴うことなく、引回し配線１６が外気に晒されることを防止できる。
【０１１５】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、上記実施形態はあくまでも例示であり、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【０１１６】
（電気光学装置の第２実施形態）
図６に示した先の実施形態では、対向基板２０上の走査線２５が素子基板１０上の引回し線１６と導通する構成を例示したが、これに代えて、図１４に示すような構成を採用できる。なお、図１４において図６に示した構成要素と同じ構成要素については同一の符号を付すことにする。
【０１１７】
図１４に示すように、本実施形態に係る液晶装置８１においては、素子基板１０及び対向基板２０のそれぞれが、シール材３０の外周縁から一方の側に張り出した張出し領域１０ａ、２０ａを有する。そして、素子基板１０の面上に形成された複数のデータ線１１は、Ｙ方向に延在して張出し領域１０ａに至り、当該張出し領域１０ａ内に実装されたＸドライバＩＣ４１の出力端子に接続される。なお、複数のデータ線１１の各々については、実際には、ＴＦＤ素子１３を介して画素電極１２が接続されるが、図１４及び以下に示す図１５においては、これらの要素の図示が省略されている。
【０１１８】
一方、対向基板２０の面上に形成された複数の走査線２５は、Ｘ方向に延在して張出し領域２０ａに至り、当該張出し領域２０ａ内に実装されたＹドライバＩＣ４０の出力端子に接続される。このように、本実施形態の液晶装置８１では、対向基板２０上の走査線２５は、素子基板１０上の配線に導通されず、対向基板２０の張出し領域２０ａに至って１つのＹドライバＩＣ４０に接続されている点で、図６に示した先の実施形態と異なっている。従って、シール材３０中に導電粒子３２を分散させる必要は必ずしもない。
【０１１９】
図１５（ａ）は、図１４に示した液晶装置８１における素子基板１０上の配線であるデータ線１１とシール材３０との位置関係を示している。なお、同図において、データ線１１及びＸドライバＩＣ４１は、素子基板１０よりも紙面奥側に位置している。各データ線１１は、表示領域Ｖから張出し領域１０ａに向かってＹ方向に延在すると共に、シール材３０の張出し領域１０ａに近接する側の一辺３０ａによって覆われた領域内に至って略垂直に折れ曲がり、当該シール材３０の一辺３０ａと略同一の方向、すなわちＸ方向に延在する。そして、当該シール材３０によって覆われた領域内において再び略垂直に折れ曲がってＹ方向に延在し、その端部が張出し領域１０ａ内のＸドライバＩＣ４１が実装されるべき領域に至るようになっている。
【０１２０】
一方、図１５（ｂ）は液晶装置８１における対向基板２０上の配線である走査線２５とシール材３０との位置関係を示している。同図に示すように、走査線２５とシール材３０との位置関係は、上述したデータ線１１とシール材３０との位置関係と同様である。すなわち、表示領域Ｖ内においてＸ方向に延在する各走査線２５は、シール材３０の張出し領域２０ａに近接する側の一辺３０ｂによって覆われた領域内において折れ曲がり、当該シール材３０の一辺と略同一の方向、すなわちＹ方向に延在する。そして、当該シール材３０によって覆われた領域内において再び折れ曲がって張出し領域２０ａのＹドライバＩＣ４０が実装されるべき領域に至るようになっている。
【０１２１】
このように、本実施形態においては、データ線１１及び走査線２５の各々が、シール材３０の一辺によって覆われる、すなわち被覆されると共に、当該一辺と略同一方向に延在する部分、すなわち被被覆部分を有する。換言すると、シール材３０は、その一部の辺が、データ線１１又は走査線２５のうち当該一辺と略同一方向に延在する部分を覆うように形成されている。このため、図１４及び図１５に示すように、略長方形の枠状に形成されたシール材３０のうち、張出し領域１０ａ及び２０ａに近接する二辺は、他の二辺と比較して幅が広くなっている。本実施形態においても、図６等に示した先の実施形態と同様の効果が得られる。
（電気光学装置の第３実施形態）
図６に示した実施形態においては、シール材３０のうち引回し配線１６を覆う辺の幅を、他の辺の幅と比較して広くした構成を採った。しかしながら、引回し配線１６を覆う辺を他の辺と同一の幅としても、両基板１０，２０を貼り合わせることができ、且つ引回し配線１６のうち当該辺と略同一方向に延在する部分を覆うことができるのであれば、必ずしもこれらの辺の幅を異ならせる必要はない。
【０１２２】
（電気光学装置の製造方法の他の実施形態）
図１１に示した液晶装置の製造方法の実施形態においては、引回し配線１６が形成された素子基板１０上にシール材３０を形成する構成としたが、これに代えて、対向基板２０上にシール材３０を形成し、このシール材３０を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせるようにしてもよい。要は、両基板１０，２０がシール材３０を介して貼り合わされた状態において、当該シール材３０の辺が、当該辺と略同一方向に延在する引回し配線１６の一部を覆うようになっていれば良い。
【０１２３】
（電気光学装置の第４実施形態）
図６に示した実施形態においては、ＴＦＤ素子１３が形成された素子基板１０が観察側に位置し、走査線２５が形成された対向基板２０が背面側に位置する構成を例示したが、これとは逆に、素子基板１０が背面側に位置し、対向基板２０が観察側に位置する構成としても良い。この場合には、図３において反射層２１を、対向基板２０上ではなくて素子基板１０上に形成すれば良い。
【０１２４】
また、図３に示した実施形態では、背面側に位置する基板２０にカラーフィルタ２２及び遮光層２３を形成したが、これらの要素は観察側に位置する基板１０に形成することもできる。また、カラーフィルタ２２や遮光層２３を設けないで、白黒表示のみを行う構成とすることもできる。すなわち、図３に示した実施形態では、素子基板１０が本発明における「第１基板」に対応し、対向基板２０が本発明における「第２基板」に対応するものとしたが、本発明における「第１基板」及び「第２基板」の各々は、観察側又は背面側のいずれに位置する基板であっても良く、さらに、ＴＦＤ素子１３、反射層２１、カラーフィルタ２２等といった各種要素のいずれが形成される基板であっても良い。
【０１２５】
さらに、図３の実施形態においては、反射型表示のみを行う反射型液晶装置を例示したが、いわゆる透過型表示のみを行う透過型液晶装置にも本発明を適用可能である。すなわち、この場合には、背面側の基板（すなわち、図３では対向基板２０）に反射層２１を設けない構成とし、背面側からの入射光が液晶を通過して観察側に出射する構成とすれば良い。
【０１２６】
さらに、反射型表示と透過型表示の双方が可能な、いわゆる半透過反射型液晶装置にも本発明を適用することができる。この場合には、図３の実施形態における反射層２１に代えて、各表示ドット５０ごとに開口部を有する反射層、又は表面に至った光のうちの一部を反射させ他の一部を透過させる半透過反射層（いわゆるハーフミラー）を設けると共に、液晶装置の背面側に照明装置を配設した構成とすれば良い。
【０１２７】
また、図６に示した実施形態では、二端子型スイッチング素子であるＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置を例示したが、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子に代表される三端子型スイッチング素子を用いた液晶装置や、スイッチング素子を持たないパッシブマトリクス方式の液晶装置にも本発明を適用できることは言うまでもない。このように、シール材と、当該シール材によって覆われるべき配線を具備する液晶装置であれば、その他の構成要素の態様の如何を問わず本発明を適用可能である。
【０１２８】
（電子機器の実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置を用いた電子機器について説明する。図１６（ａ）は、本発明をモバイル型のパーソナルコンピュータ、すなわち可搬型のパーソナルコンピュータ、いわゆるノート型パーソナルコンピュータに適用した場合、特にその表示部として適用した場合を示している。
【０１２９】
ここに示すパーソナルコンピュータ７１は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る液晶装置を適用した表示部７１３とを備えている。このパーソナルコンピュータ７１に用いる電気光学装置としては、暗所においても視認性を確保するため、反射型表示のみならず透過型表示も可能な半透過反射型の電気光学装置であることが望ましい。
【０１３０】
次に、図１６（ｂ）は、本発明に係る電気光学装置を携帯電話機の表示部として用いた場合を示している。同図において、携帯電話機７２は、複数の操作ボタン７２１の他、受話口７２２、送話口７２３と、表示部７２４とを有する。表示部７２４は、本発明に係る電気光学装置を用いて構成できる。また、暗所における視認性を確保するため、半透過反射電気光学装置を表示部７２４として用いることが望ましい。
【０１３１】
なお、本発明に係る電気光学装置を適用可能な電子機器としては、図１６（ａ）に示したパーソナルコンピュータや、図１６（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型のビデオテープレコーダ、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラ等が考えられる。また、本発明に係る電気光学装置をライトバルブとして用いたプロジェクタ等も本発明に係る電子機器と考えられる。
【０１３２】
上述したように、本発明に係る電気光学装置によれば、配線が外気に晒されることに起因して生じうる種々の問題を解消できるので、この電気光学装置を用いた電子機器においては、導通不良等を回避して高い信頼性を確保することができる。
【０１３３】
（電気光学装置の第５実施形態）
以下、パッシブマトリクス方式で半透過反射型でカラー表示を行う液晶装置に本発明を適用した場合の実施形態を説明する。図１７は、本発明に係る電気光学装置の一例である液晶装置の一実施形態を示している。図１８は、図１７に示す液晶装置における表示領域の一部分を拡大して示している。図１９は、図１８におけるＮ−Ｎ'線に従って液晶装置の断面構造を示している。図２０は、図１７において矢印Ｓで示す上下導通部を拡大して示している。また、図２１は、図２０のＴ−Ｔ'線に従って配線部分の断面構造を示している。
【０１３４】
ここに示す液晶装置３０１は、図１７に示すように、平面的に見て長方形状の下基板３０２と、同じく平面的に見て長方形状の上基板３０３とをシール材３０４によって互いに貼り合せることによって形成されている。シール材３０４の一部は各基板３０２，３０３の一辺側、本実施形態では上辺側で開口して液晶注入口３０５となっており、双方の基板３０２，３０３とシール材３０４とに囲まれた空間内に液晶が封入され、さらに、液晶注入口３０５が封止材３０６によって封止されている。
【０１３５】
但し、方形の環状に設けられたシール材３０４のうち、各基板３０２，３０３の右辺側と左辺側とに設けられていて互いに対向する２つの長辺部分は、導電粒子３３０等といった導通材が混入されている導通部３０４ａと、そのような導通材を含まない非導通部３０４ｂとを隙間無く密着させることによって形成されている。本実施形態では、非導通部３０４ｂには非導電性のギャップ材３３２を混入してある。
【０１３６】
また、シール材３０４のうち各基板３０２，３０３の上辺側と下辺側とに設けられていて互いに対向する２つの短辺部分は、上記の非導通部３０４から連続して形成されている。シール材３０４は、その全体が液晶を封止する機能を果たし、さらに導通部３０４ａが基板３０２と基板３０３との間の導通をとる機能を果たす。
【０１３７】
下基板３０２は、図１７における縦方向の長さが上基板３０３よりも大きくなっている。そして、上基板３０３及び下基板３０２の上辺、右辺、左辺の３辺に関してはそれらの縁、すなわち基板の端面が揃っている。これに対し、上基板３０３の残りの１辺、すなわち図１における下辺からは下基板３０２の周縁部が上基板３０３から張り出すように配置され、これにより、張出し領域３０９が形成されている。
【０１３８】
また、下基板３０２の下辺側の端部、すなわち短辺に沿った部位には、上基板３０及び下基板３０２の双方に設けられた電極を駆動するための駆動用半導体素子３０７、すなわち電子部品が実装されている。なお、符号３０８は表示領域Ｖの周囲を遮光するための方形で環状の遮光層であり、この遮光層８の内縁よりも内側の領域が実際の画像表示に寄与する表示領域Ｖとなる。
【０１３９】
図１７及び図１８に示すように、下基板３０２上に、図中縦方向に延在する複数のセグメント電極３１０が互いに平行に、すなわち全体としてストライプ状に形成されている。一方、上基板３０３上には、セグメント電極３１０と直交するように図中横方向に延在する複数のコモン電極３１１がストライプ状に形成されている。
【０１４０】
また、カラーフィルタ３１３のＲ、Ｇ、Ｂの各色素層３１３ｒ，３１３ｇ，３１３ｂは各セグメント電極３１０の延在方向に対応して配置されている。この配列は、いわゆる縦ストライプ配列であり、具体的には、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれが縦方向に同色で、全体としてストライプ状に配置されている。図１８に示す横方向に並んだＲ、Ｇ、Ｂの３個の表示ドットで画面上の１個の画素が構成されている。
【０１４１】
セグメント電極３１０はＷ２の幅で形成されたＡＰＣ膜３１８と、これを覆うＷ１の幅で形成されたＩＴＯ膜１９、すなわち透明導電膜との積層構造を有している。なお、ＡＰＣ膜とは、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐａ）、銅（Ｃｕ）を所定の割合で含有した合金である。
【０１４２】
ＡＰＣ膜１９が半透過反射膜として機能するように、本実施形態ではＡＰＣ膜１９が各表示ドット毎に２個ずつの光透過用の窓部３１２、すなわち光透過領域を有している。窓部３１２は、カラーフィルタ３１３の各色素層３１３ｒ，３１３ｇ，３１３ｂを複数の表示ドットにわたって縦方向に見たときに千鳥状に配置されている。なお、ここで言う「表示ドット」とは、図１８に示すように、セグメント電極３１０とコモン電極３１１とが平面的に見て重なり合った領域のことである。
【０１４３】
図１７に示すように、各コモン電極３１１はその両端がシール材３０４の導通部３０４ａに接し、さらに導通部３０４ａの外側にまで延びている。また、複数のコモン電極３１１（図１７では１０本のみ図示する）のうち、図１７の上側半分にある５本のコモン電極３１１については、コモン電極３１１の右端が、導通部３０４ａの中に混入させた導電粒子３３０を介して下基板３０２上のコモン電極用引回し配線３１４に電気的に接続されている。
【０１４４】
そして、下基板３０２上の引回し配線３１４は、導通部３０４ａを出て非導通部３０４ｂへ入り、その中で屈曲して下基板３０２の右辺に沿って非導通部３０４ｂの中を縦方向へ延びた後、この非導通部３０４ｂから出て、張出し領域３０９に実装された駆動用半導体素子３０７の出力端子に接続されている。
【０１４５】
同様に、図１７の下側半分にあるコモン電極３１１（図では５本だけが示されている）については、コモン電極３１１の左端が、導通部３０４ａの中に混入させた導電粒子３３０を介して下基板３０２上の引回し配線３１４に電気的に接続されている。
【０１４６】
そして、下基板３０２上の引回し配線３１４は、導通部３０４ａを出て非導通部３０４ｂへ入り、その中で屈曲して下基板３０２の左辺に沿って非導通部３０４ｂの中を縦方向へ延びた後、この非導通部３０４ｂから出て、張出し領域３０９に実装された駆動用半導体素子３０７の出力端子に接続されている。
【０１４７】
すなわち、全ての引回し配線３１４は、シール材３０４によって被覆された状態で基板３０２上に設けられている。つまり、シール材３０４は配線３１４を被覆するための被覆層として作用する。
【０１４８】
一方、セグメント電極３１０については、セグメント電極用引回し配線１５がセグメント電極１０の下端からシール材３０４の非導通部３０４ｂへ向けて引き出され、そのまま駆動用半導体素子３０７の出力端子に接続されている。多数の引回し配線３１４，３１５が各基板３０２，３０３の下辺側の非導通部３０４ｂを横断するが、非導通部３０４ｂは導電性を持たないため、狭ピッチで配置された引回し配線３１４，３１５が非導通部３０４ｂを横断しても短絡のおそれはない。
【０１４９】
本実施形態の場合、これら引回し配線３１４，３１５もセグメント電極３１０と同様、ＡＰＣ膜とＩＴＯ膜との積層膜で構成されている。また、駆動用半導体素子７に各種信号を供給するための外部接続端子３１６が下基板３０２の下辺から駆動用半導体素子７の入力端子へ向けて設けられている。
【０１５０】
上記液晶装置の画素部分の断面構造を見ると、図１９に示すように、ガラス、プラスチック等といった透明基板から成る下基板３０２上に、複数のセグメント電極３１０が図１９の紙面垂直方向へ延びるように形成されている。これらのセグメント電極３１０は図１９の左右方向へ互いに間隔を開けて平行に並べられ、全体として矢印Ｕ方向から見てストライプ状に形成されている。また、これらのセグメント電極３１０は、下基板上３０２上に形成されたＡＰＣ膜３１８と、その上に積層されたＩＴＯ膜３１９とから成る２層構造になっている。また、これらの電極３１０の上にはポリイミド等から成る配向膜３２０が形成されている。そして、この配向膜３２０の表面には、配向処理、例えばラビング処理が施こされている。
【０１５１】
本実施形態の場合、セグメント電極３１０に関しては、ＡＰＣ膜３１８の上面のみにＩＴＯ膜３１９が積層されただけではなく、ＩＴＯ膜３１９はＡＰＣ膜３１８の側面も覆うようにＡＰＣ膜３１８の幅Ｗ２よりもＩＴＯ膜３１９の幅Ｗ１の方が大きく設定されている。
【０１５２】
一方、ガラス、プラスチック等といった透明基板から成る上基板３０３３上に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色素層３１３ｒ，３１３ｇ，３１３ｂから成るカラーフィルタ３１３が形成され、このカラーフィルタ３１３上には各色素層間の段差を平坦化すると同時に各色素層の表面を保護するためのオーバーコート膜３２１が形成されている。このオーバーコート膜３２１はアクリル、ポリイミド等といった樹脂膜でも良いし、シリコン酸化膜等といった無機膜でも良い。
【０１５３】
さらに、オーバーコート膜３２１上には、ＩＴＯの単層膜から成るコモン電極３１１が図１９の紙面左右方向に矢印Ｕ方向から見てストライプ状に形成される。また、その電極３１１の上には、ポリイミド等から成る配向膜３２２が形成され、その配向膜３２２にはラビング処理が施される。上基板３０３と下基板３０２との間には、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶等から成る液晶３２３が挟持されている。また、下基板３０２の下面側には照明装３３５がバックライトとして配置されている。
【０１５４】
上基３０３の上にはブラックストライプ３２５が形成されている。このブラックストライプ３２５は、例えば樹脂ブラックや比較的反射率の低いクロム等といった金属等から成り、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色素層３１３ｒ，３１３ｇ，３１３ｂの間を区画するように設けられている。これらのブラックストライプ３２５の幅Ｗは、それの両側に隣接する一対の表示ドット内のＩＴＯ膜３１９同士の間隔Ｐ１、すなわちセグメント電極間の間隔、よりも大きく、さらに、ＡＰＣ膜３１８同士の間隔Ｐ２に一致するように設定されている。
【０１５５】
これを図１８で見ると、セグメント電極３１０の輪郭を示す外側の線がＩＴＯ膜３１９の縁を示し、その内側の線がＡＰＣ膜３１８の縁を示している。また、ブラックストライプ３２５の輪郭を示す線はＡＰＣ膜３１８の縁を示す線に重なっている。つまり、色素層３１３ｒ、３１３ｇ、３１３ｂの境界に設けられたブラックストライプ３２５の幅Ｗは、セグメント電極３１０を構成するＩＴＯ膜３１９の間隔Ｐ１よりも広く、且つＡＰＣ膜３１８の間隔Ｐ２とほぼ同じになるように設定されている。
【０１５６】
図２０は、図１７に符号Ｓで示した部分を拡大して示している。また、図２０のＴ−Ｔ'線に従った断面構造が図２１に示されている。図２０に示す上側３本のコモン電極３１１はその右端で引回し配線３１４と電気的に接続されている。また、下側２本のコモン電極３１１は、図１７を参照すれば明らかなように、その左端で引回し配線３１４と電気的に接続される。
【０１５７】
図２０及び図２１に示すように、上基板３０３上のコモン電極３１１の端部はシール材３０４の導通部３０４ａの形成領域よりも外側に張り出している。また、下基板３０２の引回し配線３１４の端部は導通部３０４ａの形成領域内に位置している。導通部３０４ａの中には、例えば直径が１０μｍ程度の導電粒子３３０が混入されており、これら導電粒子３３０を介して上基板３０３上のコモン電極３１１と下基板３０２上の引回し配線３１４とが電気的に接続される。
【０１５８】
引回し配線３１４は、セグメント電極３１０と同様に、ＡＰＣ膜３１８上にＩＴＯ膜３１９が積層された２層構造となっており、ＡＰＣ膜３１８の側面もＩＴＯ膜３１９で覆われている。引回し配線３１４と左端で接続されたコモン電極３１１（すなわち、図２０の下側２本のコモン電極３１１）に対しては、コモン電極３１１の右端の導通部３０４ａの形成領域内にダミーパターン３３１が形成されている。これらのダミーパターン３３１、引回し配線３１４と同様、ＡＰＣ膜３１８上にＩＴＯ膜３１９が積層された２層構造となっている。同様に、図示は省略するが、引回し配線３１４と右端で接続されたコモン電極３１１（すなわち、図２０の上側３本のコモン電極３１１）に対しても、コモン電極３１１の左端の導通部３０４ａの形成領域内にダミーパターン３１が形成されている。なお、図２０において、引回し配線３１４及びダミーパターン３３１を構成するＡＰＣ膜の周囲には、実際には、ＩＴＯ膜の輪郭が見えるはずであるが、ここでは図面を見易くするため、図示を省略した。
【０１５９】
本実施形態の液晶装置３０１においては、コモン電極３１１と引回し配線３１４とを電気的に接続する上下導通部として機能するシール材３０４が基板３０２及び３０３の周縁部に設けられ、下基板３０２上の多数の引回し配線３１４はシール材４に重なった状態、すなわちシール材３０４に被覆された状態で基板上を引き回されている。このため、引回し配線がシール材の外側に配置される構造の従来の液晶装置に比べて、基板の周縁領域、すなわち額縁領域を狭めることができる。
【０１６０】
額縁領域を狭くすることを考えれば、理想的には、シール材３０４の外側には基板の周縁部分を残さないことが望ましい。しかしながら、実際には、基板上にシール材３０４を印刷する時にある程度のマージンが必要となる。しかしながら、そのマージンは、例えば０．３μｍ程度の非常に狭い寸法で十分であるので、額縁領域は実用上問題となる程度に広くなることはない。
【０１６１】
また、本実施形態では、引回し配線３１４の材料として比抵抗が小さいＡＰＣを用いるため、引回し配線３１４のピッチを狭くすることができ、それ故、額縁領域をより一層小さくすることができる。さらに、本実施形態によれば、上基板３０３上のコモン電極３１１をシール材３０４の導通部３０４ａを介して下基板３０２上の引回し配線３１４に接続したので、下基板３０２上のセグメント電極３１０の駆動と上基板３０３上のコモン電極３１１の駆動の両方を下基板３０２上に実装した１個の駆動用半導体素子３０７で担うようにした。これにより、上下両方の基板のそれぞれに駆動用半導体素子３０７を実装する構造の液晶装置に比べて、額縁領域をより一層狭くすることができる。
【０１６２】
また、図１７に示すように、駆動用半導体素子３０７を１個にして下基板３０２の下端側に配置したことに加えて、多数の引回し配線３１４を半分ずつ左右に振り分けて配置したことにより、額縁領域の形状が左右対称となった。これにより、この液晶装置を電子機器に表示部として組み込む際には、その表示部を電子機器の中央に配置できるので、電子機器の組み立てに関する設計が非常に楽になると共に、電子機器の全体形状も小型にすることができる。
【０１６３】
また、図２０及び図２１に示すように、引回し配線３１４をシール材３０４の非導通部３０４ｂで被覆したので、引回し配線３１４が外気に触れることがなく、それ故、引回し配線３１４の腐食を防止して配線の信頼性を向上させることができる。また、ＡＰＣ膜３１８は、その使用時にエレクトロマイグレーションを起こし易いという性質を持っているが、本実施形態では、セグメント電極３１０や引回し配線３１４，３１５を構成するＩＴＯ膜３１９がＡＰＣ膜３１８の上面だけでなくその側面をも覆っているため、製造工程中の水分の付着による腐食の問題や膜表面の汚染に起因するエレクトロマイグレーションの問題を回避することができる。
【０１６４】
本実施形態の場合、引回し配線３１４はＡＰＣ膜３１８とＩＴＯ膜３１９との積層構造によって形成されている。この引回し配線３１４の全体の層厚、すなわちＡＰＣ膜３１８とＩＴＯ膜３１９との合計膜厚は、例えば０．３μｍ程度である。この、図２０において、シール材３１４の中で引回し配線３１４のある場所とない場所とでは０．３μｍ程度の段差ができてしまう。こうなると、セルギャップがばらついて、表示不良が発生するおそれがある。
【０１６５】
このことに関し、本実施形態では、引回し配線３１４が存在しないコモン電極３１１の端部には、引回し配線３１４と同じ構成及び同じ層厚のダミーパターン３３１が設けられているので、セルギャップが場所によらず一定になり、それ故、表示不良を防止することができる。また、引回し配線３１４とダミーパターン３３１は同一工程において形成される同じ層によって形成されているので、ダミーパターン３３１の形成にあたってはマスクパターンにおけるパターンを追加するだけで済み、製造工程が複雑になることはない。
【０１６６】
また、本実施形態では、互いに隣接する一対のセグメント電極３１０内のＡＰＣパターン３１８同士の間隙を完全に覆うように、上基板３０３上にブラックストライプ３２５を設けたので、光漏れがなくなり、混色を防止することができる。その結果、反射表示時における表示の明るさが向上し、同時に、透過表示時における色の彩度が向上して鮮明なカラー像を表示できる。
【０１６７】
図１７の実施形態では、駆動用半導体素子３０７を張出し領域３０９の上に直接に実装した、すなわちＣＯＧ方式の実装方法を採用した。しかしながら、それに代えて、液晶装置３０１の外部に駆動用半導体素子３０７を設け、外部接続端子３１６に配線基板、例えばＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）の一端を接続し、さらにそのＦＰＣの多端に上記駆動用半導体素子３０７の出力端子を接続し、外部の半導体素子３０７の出力信号をＦＰＣ、外部接続端子３１６、引回し配線１４及び引回し配線１５を通して、各基板３０２，３０３上の各電極３１０，３１１へ供給することもできる。
【０１６８】
ところで、本実施形態においては、図１７に示したように、各基板３０２，３０３の上辺及び下辺に沿っ部分のシール材３０４は非導通部３０４ｂだけによって形成され、他方、各基板３０２，３０３の右辺及び左辺に沿った部分のシール材３０４は、導通部３０４ａと非導通部３０４ｂとから成る２重構造となっている。下基板３０２の上に形成される引回し配線３１４は、非導通部３０４ｂの形成領域内に配置されている。
【０１６９】
基板３０２，３０３の周縁部側に設けられた導通部３０４aは、図２０に示すように、その内部に導電粒子３３０等といった導電材が混入され、液晶の封止と共に上下導通部として機能する。他方、導通部３０４aよりも基板３０２，３０３の中央側に設けられた非導通部３０４bには、導電材は混入されておらず、それに代えて、セルギャップを確保するためのギャップ材３３２が混入されている。このため、非導通部３０４bは、上下導通部としての機能を奏することはなく、専ら液晶封止の機能を担う。
【０１７０】
液晶の封止に必要なシール材３０４の幅はある程度決まっている。通常、この幅は０．５ｍｍ程度であると考えられる。今、シール材３０４の全体を導通部３０４ａだけで形成するものとすると、上下導通のための面積が大きく取れるのでコモン電極３１１と引回し配線３１４との間で安定した導通を確保できるという利点がある。また、この場合、コモン電極３１１同士のピッチは広いのでそれらが短絡するということもない。
【０１７１】
しかしながら、引回し配線１４について見ると、それらの間のピッチは狭いので、その引回し配線１４を導通部３０４ａの形成領域内に配置すると引回し配線１４間が短絡するおそれがある。従って、シール材３０４を導通部３０４aだけによって形成する場合には、引回し配線３１４の短絡を回避するために、引回し配線３１４をシール材３０４よりも内側に配置しなければならない。これでは、シール材３０４を避けて引回し配線３１４を配置させた分だけ液晶装置の平面寸法が大きくなり、液晶装置の額縁領域を狭くしようという要求を満足できない。これに対して、本実施形態では、導通部３０４ａ及び非導通部３０４ｂはともに液晶封止のために機能するので、液晶の封止に必要となるシール材の幅である０．５ｍｍをこれらの導通部３０４ａ及び非導通部３０４ｂで分け合うことにした。具体的には、上下導通の信頼性を確保することを考慮した上で、図２０に示すように、例えば導通微３０４ａの幅Ｓ１を０．２ｍｍとし、非導通部３０４ｂの幅Ｓ２を０．３ｍｍとした。
【０１７２】
この場合でも、シール材３０４の全体の幅Ｓは、あくまでも０．５ｍｍであるので、シール材３０４は液晶を確実に封止することができる。また、非導通部３０４ｂはそもそも導電性を持たないので、導通部３０４ａの形成領域を避けて、非導通部３０４ｂの形成領域内に引回し配３１４を配置すれば、それらの引回し配線３１４の短絡を防止できる。
【０１７３】
具体的には、基板の縁から導通部３０４ａまでの寸法Ｅを０．３ｍｍとすると、基板の縁から寸法Ｅと導通部３０４ａの幅Ｓ１の合計である０．５ｍｍの範囲には引回し配線３１４を配置できないが、それよりも基板中央寄りには引回し配線３１４を配置できることになる。すなわち、シール材３０４の全体を導通部３０４aによって形成する場合に比べて、片側で０．３ｍｍ、両側で０．６ｍｍの狭額縁化を達成できる。このように、図２０に示す２重構造のシール材３０４を採用したことにより、本実施形態の液晶装置によれば、額縁領域をより一層狭くすることができる。
【０１７４】
なお、２重構造のシール材３０４を形成する場合、導通部３０４ａと非導通部３０４ｂとの間に気泡等が入ると、液晶封止の信頼性が低下するおそれがある。シール材３０４の中に気泡が入らないようにするためには、例えば図２２に示すような方法を採ることができる。
【０１７５】
すなわち、図２２では、導通部３０４ａとなる樹脂材料を上基板３０３上に印刷し、他方、非導通部３０４ｂとなる樹脂材料を下基板３０２上に印刷する。そして、印刷の終了後の両基板３０２，３０３を互いに貼り合せることにより、導通部３０４aと非導通部３０４bとをつなぎ合わせて図２１に示すようにシール材３０４を形成する。
【０１７６】
なお、基板を貼り合わせる際には、図２２に示すように、導通部３０４ａの内周部の寸法Ｘの部分と、非導通部３０４ｂの外周部の寸法Ｘの部分とが互いに重なり合うようにすること、すなわち寸法的にオーバーラップさせることが望ましい。こうずれば、導通部３０４aの内周面と非導通部３０４bの外周面とを環状の全周にわたって隙間無く密着させて、気泡の発生をほぼ完全に防止できる。
【０１７７】
（電気光学装置の第６実施形態）
図２３は、電気光学装置の一例であるアクティブマトリクス方式のＥＬ（Electro Luminescence）装置１１０に本発明を適用した場合の実施形態を示している。また、図２４は、図２３におけるＹ−Ｙ’線に従ってＥＬ装置１１０の断面構造を示している。
【０１７８】
これらの図において、基板１００上には、複数の画素が形成される領域、すなわち表示領域Ｖが形成される。また、ゲート側駆動用ＩＣ１０２と、ソース側駆動用ＩＣ１０３とがＡＣＦ１２０によって基板１００上に実装されている。また、基板１００の辺端にＦＰＣ１２１がＡＣＦ１２０によって接続されている。ＦＰＣ１２１の出力端子と駆動用ＩＣ１０２，１０３の入力端子は、基板１００上に形成した外部接続端子１１７によって接続される。
【０１７９】
なお、上記の各駆動用ＩＣ１０２，１０３内には、例えば、シフトレジスタ、バッファ、レベルシフタ、サンプリング回路等が含まれる。また、デジタル駆動を行う場合には、Ｄ／Ａコンバータ等といった信号変換回路を含めることもできる。また、各駆動用ＩＣ１０２，１０３に相当する回路は、表示領域Ｖ内に半導体素子等を形成する際に、同時に、基板１００上に作り込むこともできる。またその際には、表示領域Ｖ及び駆動用ＩＣ１０２，１０３に相当する回路等といった回路構成以外に、信号分割回路、Ｄ／Ａコンバータ回路、オペアンプ回路、γ補正回路等といった論理回路を基板１００上に直接に形成することもできる。さらには、メモリ部やマイクロプロセッサ等を基板１００上に直接に形成することもできる。
【０１８０】
基板１００上には、接着剤１０５によってハウジング１０４が固着されている。このハウジング１０４は、少なくとも表示領域Ｖを囲むように設けられる。このハウジング１０４は、その内側の高さ寸法が表示領域Ｖの高さよりも大きい凹部を有する形状又はそのような凹部を持たないシート形状である。接着剤１０５によって固着されたハウジング１０４は、基板１００と協働して表示領域Ｖの周りに密閉空間を形成する。このとき、表示領域Ｖ内に形成される複数のＥＬ素子は上記の密閉空間に完全に封入された状態となり、外気から完全に遮断される。ハウジング１０４の材質は、ガラス、ポリマー等といった絶縁性物質が好ましい。例えば、硼硅酸塩ガラス、石英等といった非晶質ガラス、結晶化ガラス、セラミックスガラス、有機系樹脂（例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂等）、シリコーン系樹脂等とすることができる。また、接着剤１０５が絶縁性物質であるならば、ステンレス合金等といった金属材料を用いることもできる。
【０１８１】
接着剤１０５としては、エポキシ系樹脂、アクリレート系樹脂等といった接着剤を用いることができる。また、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂を接着剤として用いることもできる。但し、可能な限り酸素、水分を透過しない材質であることが必要である。
【０１８２】
図２４において、ハウジング１０４と基板１００との間の空隙１０６には、アルゴン、ヘリウム、窒素等といった不活性ガスを充填しておくことが望ましい。また、ガスに限らず不活性液体、例えばパーフルオロアルカンに代表される液状フッ素化炭素等を用いることもできる。また、空隙１０６内に乾燥剤を入れておくことも有効であり，そのような乾燥剤としては、例えば、酸化バリウムが考えられる。
【０１８３】
図２３に示すように、表示領域Ｖには個々に独立した複数の表示ドット５０がマトリクス状に配列されている。図２５は、図２３における矢印Ｌに従って、互いに隣り合う２つの表示ドット５０を示している。また、図２６はそれらの表示ドット内の電気的な回路構成を等価回路図として示している。
【０１８４】
図２５及び図２６に示すように、個々の表示ドット５０は、スイッチング用素子として機能するスイッチング用ＴＦＴ２０１と、ＥＬ素子へ流す電流量を制御する電流制御用素子として機能する電流制御用ＴＦＴ２０２とを有する。スイッチング用ＴＦＴ２０１のソースはソース配線２２１に接続され、そのゲートはゲート配線２１１に接続され、そして、そのドレインは電流制御用ＴＦＴ２０２のゲートに接続される。
【０１８５】
また、電流制御用ＴＦＴ２０２のソースは電流供給線２１２に接続され、そのドレインはＥＬ素子２０３に接続される。なお、ＥＬ素子２０３は、発光層を含むＥＬ層を陽極と陰極とによって挟んだ構造の発光素子である。図２５では、画素電極２４６が略方形状の陽極として示され、発光層を含むＥＬ層２４７がその画素電極２４６の上に積層され、その上に各表示ドット５０に共通する共通電極としての陰極（図２５では図示せず）が積層され、この積層構造によってＥＬ素子２０３が形成される。
【０１８６】
ソース配線２２１は、図２３において、紙面上下方向（すなわち、Ｘ方向）へ延びて図２３の上部において接着剤１０５の中、すなわちその下層へ入り、その接着剤１０５の中において配線１１２に接続する。配線１１２は、接着剤１０５の中を紙面横方向（すなわち、Ｙ方向）へ延び、接着剤１０５の左辺を横切ってハウジング１０４の外部へ張り出してソース用駆動用ＩＣ１０３の出力端子に接続する。
【０１８７】
ゲート配線２１１は、図２３のＹ方向へ延び、接着剤１０５の左辺の近傍において配線１１３に接続する。配線１１３は、接着剤１０５の左辺を横切ってハウジング１０４の外部へ張り出して、ゲート用駆動用ＩＣ１０２の出力端子に接続する。
【０１８８】
電流供給線２１２は、図２３のＹ方向へ延びて図２３の下部において接着剤１０５の中、すなわちその下層へ入り、その接着剤１０５の中において配線１１４に接続する。配線１１４は、接着剤１０５の中をＹ方向へ延び、接着剤１０５の左辺を横切ってハウジング１０４の外部へ張り出して、外部接続端子１１７を介してＦＰＣ１２１の出力端子に接続する。
【０１８９】
図２７は、図２５におけるＭ−Ｍ’線に従って、ＥＬ素子を駆動するためのアクティブ素子部分の断面構造を示している。図２７において、基板１００の上に下地となる絶縁膜２０６が形成される。基板１００は、例えば、ガラス基板、ガラスセラミックス基板、石英基板、シリコン基板、セラミックス基板、金属基板、プラスチック基板又はプラスチックフィルム等によって形成される。
【０１９０】
下地膜２０６は、特に可動イオンを含む基板や導電性を有する基板を用いる場合に有効であるが、基板１００として石英基板を用いる場合には下地膜２０６は設けなくても構わない。下地膜２０６としては、例えば、珪素（すなわち、シリコン）を含む絶縁膜を用いれば良い。また、下地膜２０６には、ＴＦＴに発生する熱を発散させるための放熱機能を持たせることが望ましい。
【０１９１】
本実施形態では、１つの表示ドット内に２つのＴＦＴ、具体的にはスイッチング用素子として機能するスイッチング用ＴＦＴ２０１と、ＥＬ素子へ流す電流量を制御する電流制御用素子として機能する電流制御用ＴＦＴ２０２とが設けられる。これらのＴＦＴは、本実施形態では、どちらもｎチャネル型ＴＦＴとして形成したが、両方又はどちらかをｐチャネル型ＴＦＴとすることもできる。
【０１９２】
スイッチング用ＴＦＴ２０１は、ソース領域２１３、ドレイン領域２１４、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域２１５ａ，２１５ｂ，２１５ｃ，２１５ｄ、高濃度不純物領域２１６及びチャネル形成領域２１７ａ，２１７ｂの５種類の要素を含む活性層を有する。また、スイッチング用ＴＦＴ２０１は、ゲート絶縁膜２１８と、ゲート電極２１９ａ，２１９ｂと、第１層間絶縁膜２２０と、ソース配線２２１と、ドレイン配線２２２とを有する。
【０１９３】
図２５に示すように、ゲート電極２１９ａ，２１９ｂは、当該ゲート電極２１９ａ，２１９ｂよりも低抵抗である別の材料によって形成されたゲート配線２１１によって電気的に接続されたダブルゲート構造となっている。もちろん、ダブルゲート構造だけでなく、トリプルゲート構造等といった、いわゆるマルチゲート構造、すなわち、直列に接続された２つ以上のチャネル形成領域を有する活性層を含む構造、であっても良い。
【０１９４】
活性層は、結晶構造を含む半導体膜、すなわち、単結晶半導体膜や多結晶半導体膜や微結晶半導体膜等によって形成される。また、ゲート電極２１９ａ，２１９ｂ、ソース配線２２１、ドレイン配線２２２は、あらゆる種類の導電膜を用いることができる。さらに、スイッチング用ＴＦＴ２０１においては、ＬＤＤ領域２１５ａ〜２１５ｄは、ゲート絶縁膜２１８を介して且つゲート電極２１９ａ，２１９ｂとは重ならないように設けられる。このような構造は、オフ電流値を低減する上で非常に効果的である。
【０１９５】
次に、図２７において、電流制御用ＴＦＴ２０２は、ソース領域２３１、ドレイン領域２３２、ＬＤＤ領域２３３及びチャネル形成領域２３４の４種類の要素を含む活性層と、ゲート絶縁膜２１８と、ゲート電極２３５と、第１層間絶縁膜２２０と、ソース配線２３６と、ドレイン配線２３７とを有する。なお、ゲート電極２３５はシングルゲート構造となっているが、これに代えて、マルチゲート構造とすることもできる。
【０１９６】
図２７において、スイッチング用ＴＦＴ２０１のドレインは電流制御用ＴＦＴのゲートに接続されている。具体的には、電流制御用ＴＦＴ２０２のゲート電極２３５は、スイッチング用ＴＦＴ２０１のドレイン領域２１４とドレイン配線２２２を介して電気的に接続されている。また、ソース配線２３６は、電流供給線２１２に接続される。
【０１９７】
電流制御用ＴＦＴ２０２は、ＥＬ素子２０３を発光させるための電流を供給すると同時に、その供給量を制御して階調表示を可能とする。そのため、電流を流しても劣化しないようにホットキャリア注入による劣化対策を講じておく必要がある。また、黒色を表示する際は、電流制御用ＴＦＴ２０２をオフ状態にしておくが、その際，オフ電流値が高いときれいな黒色表示ができなくなり、コントラストの低下を招く。従って、オフ電流値も抑えることが望ましい。
【０１９８】
図２７において、第１層間絶縁膜２２０の上に第１パシベーション膜２４１が形成される。この第１パシベーション膜２４１は、例えば、珪素を含む絶縁膜によって形成される。この第１パシベーション膜２４１は、形成されたＴＦＴをアルカリ金属や水分から保護する機能を有する。最終的にＴＦＴの上方に設けられるＥＬ層にはナトリウム等といったアルカリ金属が含まれている。すなわち、第１パシベーション膜２４１は、これらのアルカリ金属をＴＦＴ側に侵入させない保護層として機能する。
【０１９９】
また、第１パシベーション膜２４１に放熱機能を持たせれば、ＥＬ層の熱劣化を防ぐこともできる。また、図２７の構造では基板１００に光が放射されるため、第１パシベーション膜２４１は透光性を有することが必要である。また、ＥＬ層として有機材料を用いる場合、そのＥＬ層は酸素との結合によって劣化するので、酸素を放出し易い絶縁膜は用いないことが望ましい。
【０２００】
第１パシベーション膜２４１の上には、各ＴＦＴを覆うような形で第２層間絶縁膜２４４が形成される。この第２層間絶縁膜２４４は、ＴＦＴによって形成される段差を平坦化する機能を有する。この第２層間絶縁膜２４４としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル等といった有機樹脂膜を用いることができる。もちろん、十分な平坦化が可能であれば、無機膜を用いることもできる。ＥＬ層は非常に薄いため、それを形成する面に段差が存在すると発光不良を起こす場合がある。従って、第２層間絶縁膜２４４によってＴＦＴによる段差を平坦化することは、後にその上に形成されるＥＬ層を正常に機能させることに関して重要である。
【０２０１】
第２層間絶縁膜２４４の上には、第２パシベーション膜２４５が形成される。この第２パシベーション膜２４５は、ＥＬ素子から拡散するアルカリ金属の透過を防ぐという機能を奏する。この第２パシベーション膜２４５は第１パシベーション膜２４１と同じ材料によって形成できる。また、第２パシベーション膜２４５はＥＬ素子で発生した熱を逃がす放熱層としても機能することが望ましく、この放熱機能により、ＥＬ素子に熱が蓄積することを防止できる。
【０２０２】
第２パシベーション膜２４５の上に画素電極２４６が形成される。この画素電極２４６は、例えば透明導電膜によって形成されて、ＥＬ素子の陽極として機能する。この画素電極２４６は、第２パシベーション膜２４５、第２層間絶縁膜２４４及び第１パシベーション膜２４１にコンタクトホール、すなわち開口を開けた後、形成されたそのコンタクトホールにおいて電流制御用ＴＦＴ２０２のドレイン配線２３７に接続するように形成される。
【０２０３】
次に、画素電極２４６の上にＥＬ層２４７が形成される。このＥＬ層２４７は単層構造又は多層構造で形成されるが、一般には、多層構造の場合が多い。このＥＬ層２４７において、画素電極２４６に直接に接触する層としては、正孔注入層、正孔輸送層又は発光層がある。
【０２０４】
今、正孔輸送層及び発光層の２層構造を採用するものとすれば、正孔輸送層は、例えばポリフェニレンビニレンによって形成できる。そして、発光層としては、赤色発光層にはシアノポリフェニレンビニレン、緑色発光層にはポリフェニレンビニレン、青色発光層にはポリフェニレンビニレン又はポリアルキルフェニレンを、それぞれ、用いることができる。
【０２０５】
次に、以上のようにして形成されたＥＬ層２４７の上に陰極２４８が形成され、さらにその上に保護電極２４９が形成される。これらの陰極２４８及び保護電極２４９は、例えば、真空蒸着法によって形成される。なお、陰極２４８と保護電極２４９とを大気解放しないで連続的に形成すれば、ＥＬ層２４７の劣化を抑えることができる。画素電極２４６、ＥＬ層２４７及び陰極２４８によって形成される発光素子がＥＬ素子２０３である。
【０２０６】
陰極２４８としては、仕事関数の小さいマグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）又はカルシウム（Ｃａ）を含む材料を用いることができる。保護電極２４９は陰極２４８を外部の水分等から保護するために設けられるものであり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）を含む材料を用いることができる。この保護電極２４９には放熱効果もある。
【０２０７】
図２７に示す構造は、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの色に対応した１種類のＥＬ素子２０３を個々の表示ドット５０に対応させて形成する単色発光方式の構造である。しかしながら、発光方式としては、そのような単色発光方式の他に、白色発光のＥＬ素子とカラーフィルタを組み合わせた方式や，青色又は青緑発光のＥＬ素子と蛍光体とを組み合わせた発光方式や、あるいは、陰極に透明電極を使用してＲ，Ｇ，Ｂに対応したＥＬ素子を重ねる方式等といった各種の方式を用いてカラー表示を行うこともできる。もちろん、白色発光のＥＬ層を単層で形成して白黒表示を行うこともできる。
【０２０８】
保護電極２４９の上には、第３パシベーション膜２５０が形成される。この第３パシベーション膜２５０は、ＥＬ層２４７を水分から保護するように機能すると共に、必要に応じて、第２パシベーション膜２４５と同様に放熱機能を奏するようにしても良い。なお、ＥＬ層として有機材料を用いる場合には、その有機材料は酸素との結合によって劣化する可能性があるので、酸素を放出し易い絶縁膜は第３パシベーション膜２５０として用いないことが望ましい。
【０２０９】
本実施形態に係るＥＬ装置１１０は以上のように構成されているので、図２３において、ゲート側駆動回路１０２によってゲート配線２１１へ走査信号又データ信号の一方が供給され、ソース側駆動回路１０３によってソース配線２２１へ走査信号又はデータ信号の他方が供給される。一方、電流供給線２１２によって各表示ドット５０内の電流制御用ＴＦＴ２０２へＥＬ素子を発光させるための電流が供給される。
【０２１０】
表示領域Ｖ内にマトリクス状に配列された複数の表示ドット５０のうちの適宜のものがデータ信号に基づいて個々に選択され、その選択期間においてスイッチング用ＴＦＴ２０１がオン状態になってデータ電圧の書き込みが行われ、非選択期間ではＴＦＴ２０１がオフ状態になることで電圧が保持される。このようなスイッチング及び記憶動作により、複数の表示ドット５０のうちの適宜のものが選択的に発光し、この発光点の集まりにより、図２３の紙面奥側、すなわち図２４に矢印Ｑで示す方向に、文字、数字、図形等といった像が表示される。
【０２１１】
図２３において、ソース配線２２１には配線１１２を通して信号が送られる。また、ゲート配線２１１には配線１１３を通して信号が供給される。また、電流供給線２１２には配線１１４を通して電流が供給される。本実施形態では、ＥＬ装置１１０の内部を外部から密閉状態に遮蔽するハウジング１０４のうち配線１１２，１１３，１１４が外部へ引き出される個所に相当する辺の近傍に配線境界１０ｂが設定される。
【０２１２】
上記の配線１１２，１１３，１１４に関しては、配線境界１０ｂから見て配線引出し側（すなわち、図２３の左側）に存在する部分は、その断面構造が、図８（ｄ）に示したように、第１配線層１８１及びそれに積層された第３配線層１８３の２層構造となっている。一方、配線境界１０ｂから見て表示領域Ｖ側に存在する部分は、その断面構造が、図８（ｃ）に示したように、第１配線層１８１、それに積層された第２配線層１８２、及びそれに積層された第３配線層１８３の３層構造となっている。つまり、配線境界１０ｂの内側と外側とで配線１１２，１１３，１１４の層構成が異なっている。
【０２１３】
例えば、配線境界１０ｂの内側（すなわち、表示領域Ｖ側）にだけ存在する第２配線層１８２を低抵抗で腐食し易い材料によって形成する場合を考えると、そのような第２配線層１８２を配線の中に含ませることにより、配線抵抗値を低く抑えることができるようになり、それ故、ＥＬ装置１１０によって安定した像表示を行うことが可能となる。
【０２１４】
しかも、そのように腐食し易い材料を用いて第２配線層１８２を形成する場合であっても、その第２配線層１８２を設ける領域は、ハウジング１０４によって外部から遮蔽された領域に限られているので、腐食し易い第２配線層１８２は外気に触れることがなく、それ故、第２配線層１８２従って配線全体に腐食が発生して表示不良が発生することは確実に防止される。
【０２１５】
さらに、本実施形態では、配線１１２及び配線１１４のうちＹ方向に延在する部分を広く接着剤１０５によって被覆しているので、それらの配線が外気に晒されることを確実に防止でき、それ故、外気に晒されることに起因して発生すると考えられる問題、例えば、腐食や短絡等を確実に防止できる。なお、このような問題は配線１１２等を基板１００上に形成した後の、ＥＬ装置の製造工程中においても発生すると考えられるが、できるだけ早い段階で配線１１２等を接着剤１０５で被覆すれば、上記の問題が発生することを早い段階から防止できる。
【０２１６】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【０２１７】
例えば、電気光学装置は液晶装置及びＥＬ装置に限られず、基板上に配線を形成する必要のある、あらゆる装置が考えられる。
【０２１８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、引回し配線が外気に晒されることに起因して生じ得る各種の問題を簡単且つ確実に防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を実施可能な電気光学装置の一例である液晶装置であって、特にＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置の電気的構成を示す等価回路図である。
【図２】本発明を電気光学装置の一例である液晶装置に実施した場合の一実施形態を示しており、（ａ）は観察側から見た場合の液晶装置の斜視図であり、（ｂ）は背面側から見た場合の液晶装置の斜視図である。
【図３】図２（ａ）におけるＣ−Ｃ’線に従って液晶装置の断面構造を示す断面図である。
【図４】図２（ａ）に示す液晶装置における表示領域内の構成を示す斜視図である。
【図５】（ａ）は図４における１つの画素電極及び１つのＴＦＤ素子を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＥ−Ｅ’線に従った断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＦ−Ｆ’線に従った断面図である。
【図６】図２（ａ）に示す液晶装置の平面断面図である。
【図７】図６におけるＧ−Ｇ’線に従った断面図である。
【図８】（ａ）は図６において矢印Ｐで示す部分を拡大して示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＨ−Ｈ’線に従った断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＩ−Ｉ’線に従った断面図であり、（ｄ）は（ａ）におけるＪ−Ｊ’線に従った断面図である。
【図９】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態であってＴＦＤ素子に関する製造方法を工程順に示す図である。
【図１０】図９に示す工程に関連する工程を示す工程図である。
【図１１】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態であって引回し配線に関する製造方法を工程順に示す図である。
【図１２】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態であって、対向基板上に設ける要素に関する製造方法を工程順に示す図である。
【図１３】図１２に引き続く工程を示す図である。
【図１４】本発明を電気光学装置の一例である液晶装置に実施した場合の他の実施形態を示す平面断面図である。
【図１５】図１４に示す液晶装置における電極と配線との関係を示す平面図である。
【図１６】本発明に係る電子機器の実施形態であり、（ａ）は電子機器の一例であるパーソナルコンピュータを示す斜視図であり、（ｂ）は電子機器の他の一例である携帯電話機を示す斜視図である。
【図１７】本発明を電気光学装置の一例である液晶装置に実施した場合の、さらに他の実施形態を一部破断して示す平面図である。
【図１８】図１７に示す液晶装置における画素部分を拡大して示す平面図である。
【図１９】図１８におけるＮ−Ｎ’線に従って液晶装置の内部の断面構造を示す断面図である。
【図２０】図１７において矢印Ｓで示す部分を拡大して示す図である。
【図２１】図２０におけるＴ−Ｔ’線に従って液晶装置におけるシール部分を拡大して示す断面図である。
【図２２】図２１に示すシール構造を製造するための方法の一例を示す断面図である。
【図２３】本発明を電気光学装置の他の一例であるＥＬ装置に実施した場合の一実施形態を一部破断して示す平面断面図である。
【図２４】図２３におけるＹ−Ｙ’線に従ってＥＬ装置の断面構造を示す断面図である。
【図２５】図２３において矢印Ｌで示す表示ドット部分を拡大して示す平面図である。
【図２６】図２５の構造に対応する電気的な等価回路図である。
【図２７】図２５におけるＭ−Ｍ’線に従ってＴＦＴの断面構造を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 液晶装置（電気光学装置）
１０ 素子基板（第１基板）
１０ａ 張出し領域
１０ｂ 配線境界
１１ データ線
１１ａ 主配線
１１ｂ 補助配線
１１ｃ 第２金属膜、
１２ 画素電極
１３ ＴＦＤ素子（薄膜ダイオード）
１３ａ 第１金属膜
１３ｂ 絶縁膜
１３ｃ 第２金属膜
１６，１６１，１６２ 引回し配線
１６ａ 導通部
１６ｂ 延在部
１７ 外部接続端子
２０ 対向基板（第２基板）
２１ 反射層
２２ カラーフィルタ
２３ 遮光層
２４ オーバーコート層
２５ 走査線
２５ａ 導通部
２６ 配向膜
３０ シール材（被覆層）
３２ 導電粒子
３５ 液晶
４０ａ 第１ＹドライバＩＣ
４０ｂ 第２ＹドライバＩＣ
４１ ＸドライバＩＣ
５０ 表示ドット
５１ 液晶表示要素
５６ 配向膜
５７ 周辺遮光層
１０５ 接着剤（被覆層）
１１０ ＥＬ装置（電気光学装置）
１１２，１１３，１１４ 配線
１３１ 第１ＴＦＤ素子
１３２ 第２ＴＦＤ素子
１８１ 第１配線層
１８２ 第２配線層
１８３ 第３配線層
３０１ 液晶装置（電気光学装置）
３０４ シール材
３０４ａ 導通部
３０４ 非導通部
３１１ コモン電極
３１４ 配線

Claims (13)

1. 第１基板と、
   前記第１基板に対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板の間に配置された液晶と、
   前記第２基板に形成された複数の電極と、
   前記第１基板の縁辺に沿って配設された延在部を有し、前記複数の電極にそれぞれ接続された複数の配線と、
   前記液晶を囲むとともに前記複数の配線を被覆するシール材と、
   前記シール材中に含まれた導通材と、
   前記配線の延在部の端部に設けられ、前記配線の延在部から前記縁辺と交差する方向に前記シール材の内周縁側に向かって延設され、前記配線の延在部よりも幅広に形成された複数の導通部と、
   前記電極の端部に設けられ、前記配線側の導通部と対向し、前記導通材によって前記配線側の導通部と接続された複数の導通部とを備え、
   前記複数の配線のうちの全ての配線が、前記シール材の縁と重なる位置から前記縁辺と交差する方向に配設された前記配線側の導通部までの領域にわたって、前記シール材によって被覆されていることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記配線側の導通部と前記電極側の導通部との対向している部分が、前記導通材によって接続された導通位置から前記シール材の内周縁よりも内側の位置まで延設されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記液晶を囲み、導通材が分散された導通部と当該導通材が分散されていない非導通部とを有するシール材を備え、
   前記配線が、前記非導通部において前記シール材に被覆され、
   前記配線側の導通部と前記電極側の導通部とが、前記シール材の導通部で接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記複数の配線の一部は、前記第１基板の前記一辺側において前記複数の電極の一部と導通し、
   前記複数の配線のその他は、前記第１基板の前記一辺と対向する辺側において前記複数の電極のその他と導通していることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
5. 前記電極側の導通部の幅が、前記電極の表示領域内に存在する部分の幅よりも広いことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記配線の一端は外部接続回路に接続されることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の電気光学装置。
7. 前記第１基板の上に第１金属膜と絶縁膜と第２金属膜とを積層して成る薄膜ダイオードをさらに有し、
   前記配線は、前記第１金属膜又は前記第２金属膜のうち少なくとも一方と同一の層によって形成されることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
8. 前記薄膜ダイオードに接続された画素電極をさらに有し、
   前記配線は、前記第１金属膜、前記第２金属膜又は前記画素電極のうちの少なくとも１つと同一の層によって形成されることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
9. 前記第１金属膜、前記第２金属膜、前記画素電極の構成材料のうち、他の２つよりもイオン化傾向の高い材料からなる層が、前記シール材と重なる領域のみに形成されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
10. 前記イオン化傾向の高い材料は、その抵抗値が他の２つの材料よりも低いことを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
11. 前記第２基板上に形成された配線をさらに有し、該配線は、前記シール材の辺によって覆われていることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の電気光学装置。
12. 前記シール材は前記配線を被覆する部位及び前記配線を被覆しない部位を含み、
    前記配線を被覆する部位は前記配線を被覆しない部位に比べて広い幅に形成されることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の電気光学装置。
13. 請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載した電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。

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