JP2001083504A - 反射型又は半透過反射型の電気光学装置、これを用いた電子機器並びにその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＴＦＤ（薄膜ダイオード）アクティブマトリ
クス駆動方式の半透過反射型又は反射型の液晶装置にお
いて、製造プロセスにおける工程数の削減、各画素にお
ける高開口率化、狭画素ピッチによる高精細化、反転駆
動におけるフリッカの低減及び対向電極と画素電極との
間におけるショート防止を図る。 【解決手段】 ＴＦＤアクティブマトリクス駆動方式の
半透過反射型又は反射型の液晶装置は、ＴＦＤアレイ基
板（１０）上の液晶層（５０）に面する側に、同一の第
１金属膜からなる画素電極（６２）及びＴＦＤ（４０）
の第１電極（４２ａ）がパターンニング形成されてお
り、これらの上には、第１金属膜が陽極酸化されてなる
絶縁膜（１２）が形成されている。ＴＦＤにおけるこの
絶縁膜上には、第２金属膜からなる第２電極（４６ａ）
がパターンニング形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＦＤ（Thin Fil
m Diode：薄膜ダイオード）アクティブマトリクス駆動
方式の電気光学装置、これを用いた電子機器及びこれを
製造する方法の技術分野に属し、特に反射型表示と透過
型表示とを切り換えて表示可能な半透過反射型又は反射
型表示のみ可能な反射型のＴＦＤアクティブマトリクス
駆動方式の電気光学装置、このような電気光学装置を用
いた電子機器、更にこのような電気光学装置を製造する
方法の技術分野に属する。

【０００２】

【背景技術】ＴＦＤアクティブマトリクス駆動方式の電
気光学装置では、各画素に設けられる画素電極をスイッ
チング駆動するための薄膜ダイオード（以下適宜、ＴＦ
Ｄと称する）が、ＴＦＤアレイ基板上における各画素電
極に隣接した領域に配置される。ここで、各ＴＦＤは、
Ｔａ（タンタル）等の金属膜から下電極（第１電極）が
形成され、その上にＴａ酸化物による絶縁膜が形成さ
れ、更にその上に他の金属膜から上電極（第２電極）が
形成されることにより、ＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）
構造を持つように構成される。他方で、このように形成
されたＴＦＤの上電極に接続されるように且つ各画素の
開口領域（即ち、各画素において表示に寄与する光が透
過又は反射により出射する領域）に配置されるように、
各画素電極は、Ａｌ（アルミニウム）等の導電性及び光
反射性の金属膜から別途形成される。

【０００３】特に、半透過反射型の電気光学装置の場
合、ＴＦＤアレイ基板の裏側にバックライトが置かれ、
このバックライトからの光源光を透過するためのスリッ
トや微細孔等の開口部が画素電極に設けられる。そし
て、反射型表示時には、対向基板側から入射される外光
を画素電極の開口部を除く部分で反射することにより反
射型表示を行い、透過型表示時には、バックライトから
の光源光を画素電極の開口部を通して対向基板側から出
射することで透過型表示を行うように構成されている。
他方、反射型の電気光学装置の場合、このような開口部
が画素電極に設けられず、専ら対向基板側から入射され
る外光を画素電極で反射することにより反射型表示を行
うように構成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た半透過反射型又は反射型のＴＦＤアクティブマトリク
ス駆動方式の電気光学装置によれば、その製造プロセス
において、各画素電極に隣接する領域に、下電極、絶縁
膜及び上電極からなるＭＩＭ構造を有するＴＦＤをＴａ
膜等をパターンニングして形成する他方で、各画素電極
をＡｌ膜等を別途パターンニングして形成するため、基
本的に工程数が多いという問題点がある。更に、このよ
うに工程数が多く比較的複雑なパターンニングを複数回
行う必要が有るため、配線幅や配線間隔を狭めることが
基本的に困難であり、各画素の高開口率化や高精細化が
困難であるという問題点もある。 また、上述した半透
過反射型又は反射型のＴＦＤアクティブマトリクス駆動
方式の電気光学装置によれば、ＭＩＭ構造における絶縁
体が誘電率の大きいＴａ酸化物で構成されるため、ダイ
オードの寄生容量（素子容量）が大きいという問題点が
ある。更に画素電極と対向電極との間の液晶容量が小さ
くなった場合には、寄生容量（素子容量）がクロストー
ク等画質劣化の原因となるため、画素電極の面積を小さ
くすること（高精細化）が困難であるという問題点もあ
る。

【０００５】また、上述した半透過反射型又は反射型の
ＴＦＤアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置に
よれば、Ａｌ膜等からなる反射電極は、特に対向電極が
ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜の場合に、極性差があ
り、１フレームや１フィールド等の反転周期で一行毎に
駆動電圧極性を反転させる１Ｈ反転駆動方式等の反転駆
動方式を行った場合に、反転周期のフリッカが生じる原
因になるという問題点もある。

【０００６】更に、上述した半透過反射型又は反射型の
ＴＦＤアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置に
よれば、電気光学物質を介して対向配置された対向電極
と画素電極とがショートする可能性があり、装置信頼性
に劣るという問題点もある。

【０００７】本発明は上述の問題点に鑑みなされたもの
であり、製造プロセスにおける工程数の削減、各画素に
おける高開口率化、狭画素ピッチによる高精細化、反転
駆動におけるフリッカの低減及び対向電極と画素電極と
の間におけるショート防止が図られており、装置信頼性
が高く且つ明るく高精細で高品位の画像表示が可能なＴ
ＦＤアクティブマトリクス駆動方式の半透過反射型又は
反射型の電気光学装置、これを用いた電子機器並びに製
造工程数が比較的少ないと共に比較的容易にこの電気光
学装置を製造可能な製造方法を提供することを課題とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置は
上記課題を解決するために、一対の第１及び第２基板間
に電気光学物質が挟持されてなり、前記第１基板上に、
導電性且つ光反射性の第１金属膜からなる第１電極、前
記第１金属膜の表面が陽極酸化されてなる絶縁膜及び該
絶縁膜上に形成された導電性の第２金属膜からなる第２
電極を有する薄膜ダイオードと、前記第１金属膜と同一
膜からなり前記第１電極に接続された配線と、前記第１
金属膜と同一膜からなり前記第１電極及び前記配線から
分離されていると共に前記薄膜ダイオードに前記第２電
極側で接続されており表面に前記絶縁膜と同一膜が形成
された画素電極とを備える。

【０００９】本発明の電気光学装置によれば、第１基板
上において、光反射性の第１金属膜からなる画素電極
が、薄膜ダイオードを介して配線に接続されており、Ｔ
ＦＤ駆動方式の半透過反射型又は反射型の電気光学装置
が構築される。

【００１０】例えば、画素電極に第１基板側からの光源
光を透過するためのスリットや微細孔等の開口部が設け
られていれば、半透過反射型の電気光学装置が構築され
る。即ちこの場合、反射型表示時には、第２基板側から
入射される外光が第２基板及び液晶等の電気光学物質を
介して画素電極の開口部を除く部分で反射されて、再び
電気光学物質及び第２基板を介して出射される。この
時、薄膜ダイオードを介して画素電極に画像表示用信号
（例えば、画像信号又は走査信号）を供給することによ
り各画素電極毎に電気光学物質を駆動することができ、
これにより反射型表示を行える。他方、透過型表示時に
は、第１基板側から入射される光源光が第１基板及び画
素電極の開口部を透過して、電気光学物質及び第２基板
を介して出射される。この時、薄膜ダイオードを介して
画素電極に画像表示用信号を供給することにより各画素
電極毎に電気光学物質を駆動することができ、これによ
り透過型表示を行える。

【００１１】また例えば、このような開口部が画素電極
に設けられていなければ、反射型の電気光学装置が構築
される。即ちこの場合、第２基板側から入射される外光
が第２基板及び液晶等の電気光学物質を介して画素電極
で反射されて、再び電気光学物質及び第２基板を介して
出射される。この時、薄膜ダイオードを介して画素電極
に画像表示用信号（例えば、画像信号又は走査信号）を
供給することにより各画素電極毎に電気光学物質を駆動
することができ、これにより反射型表示を行える。

【００１２】本発明では特に、薄膜ダイオードの第１電
極と、これに接続された配線と、薄膜ダイオードの第２
電極側に接続された画素電極とは、同一の第１金属膜か
らなるので、その製造において、これら第１電極、配線
及び画素電極を、同一工程でパターンニングできる。即
ち、本発明によれば、製造工程の簡略化を図ることが可
能となり、且つ薄膜ダイオードの端部又は至近位置まで
画素電極を形成することが可能となるので各画素におけ
る開口率（即ち、各画素の全領域に対して表示に寄与す
る光が反射或いは透過により出射する領域の面積比率）
を高めることも可能となる。

【００１３】更に、第１電極及び画素電極の表面に絶縁
膜を形成する際にも、同一工程で陽極酸化できる。加え
て、配線についてもその表面に陽極酸化により絶縁膜が
形成されるため、配線と対向電極間とのショートを防止
するのに効果的な構造が得られる。

【００１４】更にまた、画素電極の表面に陽極酸化され
てなる絶縁膜が形成されているため、第２基板側との間
で画素電極がショートする可能性を、このような絶縁膜
が形成されていない場合と比較して遥かに低減できる。
加えて、画素電極の表面に陽極酸化されてなる絶縁膜が
形成されているため、前述した１Ｈ反転駆動方式等によ
る反転駆動を行う場合に、当該画素電極と第２基板側に
設けられる電極との間における極性差を、このような絶
縁膜が形成されていない場合と比較して低減でき、フレ
ーム或いはフィールド等の反転周期のフリッカを低減で
きる。

【００１５】以上の結果、本発明によれば、製造工程数
が比較的少ないと共に製造が比較的容易であり、画素開
口率を高め、画素ピッチを狭め且つフリッカを低減する
ことが可能であり、最終的に装置信頼性が高く且つ明る
く高精細で高品位の画像表示が可能な電気光学装置を実
現できる。

【００１６】本発明の電気光学装置の一態様では、前記
第１基板上に、前記画素電極を構成する前記第１金属膜
から延設された部分から一方の電極が構成され、該一方
の電極に前記絶縁膜と同一膜を介して対向する前記第２
電極部分から他方の電極が構成された他の薄膜ダイオー
ドを更に備える。

【００１７】この態様によれば、画素電極と薄膜ダイオ
ードとの間に、直列に他の薄膜ダイオードが逆向きに接
続された構造が得られる。よって、動作時に、配線から
２つの逆向きに直列接続された薄膜ダイオードを介して
画素電極に画像表示用信号（例えば、画像信号又は走査
信号）を供給することができ、画素電極間におけるクロ
ストーク、反転周期のフリッカ、表示の焼付き等をより
確実に防止できる。更に、このような２つの薄膜ダイオ
ードは、両者共に第１金属膜、これが陽極酸化されてな
る絶縁膜及び第２金属膜から構成されているので、両者
を同一工程で形成可能であり、製造工程上有利である。

【００１８】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記第１基板上に、前記第２金属膜と同一膜からなる他の
配線を更に備える。

【００１９】この態様によれば、他の配線は、第２金属
と同一膜からなるので、薄膜ダイオードの第２電極と同
一工程でパターンニング可能である。即ち、当該他の配
線を形成するために追加的な工程は必要とされないの
で、製造工程上有利である。そして、第１基板上におい
て第１及び第２金属膜から夫々形成された２つの配線
を、各種信号用の配線として用いることができる。特
に、両者は、第１金属膜が陽極酸化されてなる絶縁膜に
より相互に絶縁可能であり、且つ第１基板上において相
異なる積層位置に存在する。従って両者は平面レイアウ
ト上は交差しても重なってもよいため、配線をレイアウ
トする上での自由度が格段に増す。更に、両配線を冗長
的に用いることにより、配線抵抗を顕著に下げることも
可能となる。この結果、画像表示用信号（例えば、画像
信号又は走査信号）の劣化を招くこと無く配線幅を狭め
ることが可能となり、第１基板上における画素ピッチを
狭めると共に各画素の開口率を高めることが可能とな
り、最終的に高精細で高品位の画像表示が可能となる。

【００２０】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記第１基板上に、前記第２金属膜と同一膜からなる実装
用端子を更に備える。

【００２１】この態様によれば、実装用端子は、第２金
属膜と同一膜からなるので、薄膜ダイオードの第２電極
と同一工程でパターンニング可能である。即ち、当該実
装用端子を形成するために追加的な工程は必要とされな
いので、製造工程上有利である。

【００２２】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記第１金属膜は、アルミニウムを主成分とする。

【００２３】この態様によれば、第１金属膜は、例え
ば、Ａｌ（アルミニウム）を主成分として、Ｇｄ（ガド
リニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、
Ｎｄ（ネオジム）、Ｙ（イットリウム）、Ｔａ（タンタ
ル）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｓｃ（スカンジ
ウム）等を含有している。このような第１金属膜を用い
れば、薄膜ダイオードの第１電極、画素電極及び配線と
して良好な導電性や光反射性が得られ、同時に、陽極酸
化によりＴａ酸化物と比較して低誘電率で良質な絶縁膜
が形成可能となる。これらの結果、素子容量が小さくダ
イオード特性に優れた薄膜ダイオード、高反射率の画素
電極及び低抵抗の配線を用いて、高品位の画像表示が可
能な電気光学装置を実現できる。

【００２４】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記第２金属膜は、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）、Ｍ
ｏ（モリブデン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔａ（タンタ
ル）及びＡｌのうち少なくとも一つを含む。

【００２５】この態様によれば、第２金属膜は、クロ
ム、チタン、モリブデン、ニッケル、タンタル及びアル
ミニウムのうち少なくとも一つを含む単体金属又は合金
からなるので、薄膜ダイオードの第２電極として良好な
導電性が得られ、ダイオード特性に優れた薄膜ダイオー
ドを構築できる。

【００２６】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記第２基板上に、前記電気光学物質を介して前記画素電
極に対向する対向電極を備える。

【００２７】この態様によれば、画素電極及び対向電極
間で電圧を印加することにより、両者間に挟持された液
晶等の電気光学物質を各画素電極毎に駆動できる。例え
ば、画素電極及び対向電極の一方に画像信号を供給する
と共に他方に走査信号を供給すれば、ＴＦＤアクティブ
マトリクス駆動方式による駆動を行うことも可能であ
る。ここで一般には画素電極と対向電極とが電気光学物
質を介して対向する構成を採用すると、画素電極及び対
向電極間でショートが起きやすいが、本発明では、画素
電極の表面に陽極酸化されてなる絶縁膜が形成されてい
るため、このようにショートする可能性を低減できる。
加えて、画素電極の表面に陽極酸化されてなる絶縁膜が
形成されているため、前述した１Ｈ反転駆動方式等によ
る反転駆動を行う場合に、画素電極と対向電極との間に
おける極性差を、このような絶縁膜が形成されていない
場合（例えば、対向電極をＩＴＯ膜から構成し、画素電
極をＡｌを主成分とする金属膜から構成した場合等）と
比較して低減でき、フレーム或いはフィールド等の反転
周期のフリッカを低減できる。

【００２８】この態様では、前記画素電極は、駆動回路
により反転駆動方式で駆動されてもよい。

【００２９】このように構成すれば、画素電極が駆動回
路により１Ｈ反転駆動方式等の反転駆動方式で駆動され
るが、本発明では、画素電極の表面に陽極酸化されてな
る絶縁膜が形成されているため、画素電極と対向電極と
の間における極性差を低減できるので、フレーム或いは
フィールド等の反転周期のフリッカを低減できる。

【００３０】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記第１基板の前記第２基板と反対側に、光源を更に備え
ており、前記画素電極には、前記光源からの光が透過す
る開口部が設けられている。

【００３１】即ち、この態様によれば、光源のオンオフ
により、外光を利用した反射型表示と光源光を利用した
透過型表示とを切換え可能な半透過反射型の電気光学装
置が実現される。

【００３２】本発明の電子機器によれば、明るく高精細
で高品位の画像表示が可能な電気光学装置を用いた携帯
電話、腕時計、電子手帳、ノートパソコン等の各種の電
子機器を実現できる。

【００３３】本発明の電気光学装置の製造方法は上記課
題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を
製造する電気光学装置の製造方法であって、前記第１基
板上に、前記第１金属膜を形成する工程と、前記第１金
属膜をパターニングして、前記第１電極、前記配線及び
前記画素電極並びに前記第１電極又は前記配線と前記画
素電極とを一時的に接続する部分を形成する第１パター
ンニング工程と、前記配線を介して前記第１電極及び前
記画素電極に電圧を供給することにより前記絶縁膜を陽
極酸化により形成する陽極酸化工程と、前記絶縁膜上
に、前記第２金属膜を形成する工程と、前記第２金属膜
をパターンニングして、前記第２電極を形成する第２パ
ターンニング工程と、前記一時的に接続する部分を除去
する除去工程とを備える。

【００３４】本発明の電気光学装置の製造方法によれ
ば、第１基板上に第１金属膜が形成された後に、第１パ
ターンニング工程により、第１金属膜がパターンニング
され、第１電極、配線及び画素電極が形成される。この
ように第１電極、配線及び画素電極を、同一工程でパタ
ーンニングできるので、従来の如く画素電極に隣接した
領域においてＴａ等の金属膜から下電極（第１電極）を
形成し、その上に絶縁膜を介して他の金属膜から上電極
（第２電極）を形成してＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）
構造を持つ薄膜ダイオードを形成し、これに接続される
ように画素電極をＡｌ等の金属膜から別途パターンニン
グする製造技術と比べて、製造工程の簡略化を図ること
が可能となる。

【００３５】本発明では特に、上述のように第１パター
ンニング工程により第１電極、配線及び画素電極が形成
される際に、第１電極又は前記配線と画素電極とを一時
的に接続する部分も形成される。次に、陽極酸化工程に
より、配線を介して第１電極及び画素電極に電圧を供給
することにより、絶縁膜が陽極酸化により形成される。
このように本発明によれば、同一の陽極酸化工程により
配線、第１電極及び画素電極の表面に絶縁膜を形成でき
る。しかもこの時、第１電極又は前記配線と画素電極と
は、第１金属膜からなる一時的に接続する部分により接
続されているので、画素電極毎に陽極酸化用の電圧を供
給しないで済む。即ち、配線並びに配線に接続された第
１電極及び一又は複数の画素電極に対して一個所から陽
極酸化用の電圧を供給すれば済むので、当該陽極酸化を
より容易に行うことが可能となる。

【００３６】続いて、絶縁膜上に第２金属膜が形成され
た後に、第２パターンニング工程により、第２金属膜が
パターンニングされて、薄膜ダイオードの第２電極が形
成される。このように第２金属膜の形成工程やパターン
ニング工程の後又は前に、前述のように画素電極と第１
電極又は配線とを一時的に接続する第１金属膜部分がエ
ッチング等により除去される。よって第１電極及び配線
と画素電極とを比較的容易に分離でき、これにより画素
電極における薄膜ダイオードの第２電極側に接続された
構造が得られる。

【００３７】以上の結果、本発明の電気光学装置の製造
方法によれば、上述した本発明の電気光学装置を比較的
少ない工程数で且つ比較的容易に製造することが可能と
なる。

【００３８】本発明の電気光学装置の製造方法の一態様
では、前記第１パターンニング工程で、前記画素電極に
開口部を設ける。

【００３９】この態様によれば、開口部が設けられた画
素電極を、追加的な工程なしで形成できるので、半透過
反射型の電気光学装置を比較的少ない工程数で製造でき
る。

【００４０】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００４１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。

【００４２】（電気光学装置の構成）本発明の実施形態
における電気光学装置の構成について、図１から図８を
参照して説明する。本実施形態は、本発明をＴＦＤアク
ティブマトリクス駆動方式の半透過反射型の液晶装置に
適用したものである。

【００４３】先ず図１から図４を参照して、本実施形態
における液晶装置の基本構成及び動作について説明す
る。尚、図１は、液晶装置を対向基板上に形成されるカ
ラーフィルタを便宜上取り除いて対向基板側から見た様
子を示す図式的平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ’
断面をカラーフィルタを含めて示す液晶装置の図式的断
面図である。また、図３は、図２に示された画素電極付
近における外光を反射し且つ光源光を透過する構成を拡
大して示す図式的拡大断面図であり、図４は、本実施形
態の画素電極に設けられる開口部に係る各種具体例を示
す拡大平面図である。尚、図１では、説明の便宜上、図
中横方向に伸びるストライプ状の走査電極を６本且つ図
中縦方向に伸びる画素電極配列を６列だけ図式的に示し
ているが実際には、多数本の走査電極及び多数個の画素
電極が存在しており、更に図１から図４においては、各
層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするた
め、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

【００４４】図１及び図２において、本実施形態におけ
る半透過反射型の液晶装置は、透明のＴＦＤアレイ基板
１０と、ＴＦＤアレイ基板１０に対向配置された透明の
対向基板２０と、ＴＦＤアレイ基板１０及び対向基板２
０間に挟持された液晶層５０と、ＴＦＤアレイ基板１０
の対向基板２０に対向する側（即ち、図２で上側表面）
に配置されておりＡｌを主成分とする導電性且つ光反射
性の第１金属膜からなり図１で縦方向に夫々伸びる複数
のデータ線６１と、データ線６１と同じく第１金属膜か
らなりデータ線６１にＴＦＤ４０を介して夫々接続され
ており半透過反射電極として夫々構成された複数の画素
電極６２と、画素電極６２を構成する第１金属膜が陽極
酸化されてなる絶縁膜１２と、絶縁膜１２上に配置され
た配向膜１５とを備える。液晶装置はまた、第２基板上
のＴＦＤアレイ基板１０に対向する側（即ち、図２で下
側表面）に配置されたカラーフィルタ２３と、カラーフ
ィルタ２３上に配置されたカラーフィルタ平坦化膜２４
と、カラーフィルタ平坦化膜２４上に配置されており図
１で横方向に夫々伸びるストライプ状（或いは、各画素
に対応する部分が幅広に形成された短冊状）の透明電極
から夫々構成された複数の走査電極２１と、走査電極２
１上に配置された配向膜２５とを備えて構成されてい
る。

【００４５】ＴＦＤアレイ基板１０及び対向基板２０
は、液晶層５０の周囲において、シール材３１により貼
り合わされており、液晶層５０は、シール材３１及び封
止材３２により、ＴＦＤアレイ基板１０及び対向基板２
０間に封入されている。液晶装置は更に、ＴＦＤアレイ
基板１０の液晶層５０と反対側に、偏光板１０７及び位
相差板１０８を備えていると共に対向基板２０の液晶層
５０と反対側に、偏光板１０５及び位相差板１０６を備
えている。偏光板１０７の外側には、蛍光管１１９と蛍
光管１１９からの光を偏光板１０７から液晶パネル内に
導くための導光板１１８とを備えて構成されている。Ｔ
ＦＤアレイ基板１０上には更に、データ線６１及びＴＦ
Ｄ４０を介して各画素電極６２に画像信号を供給するＸ
ドライバ回路１１０及び走査電極２１に走査信号を供給
するＹドライバ回路１００が設けられている。

【００４６】ここに本実施形態における画素電極６２に
は、ＴＦＤアレイ基板１０側からの光源光を透過するた
めのスリット又は微細孔などの開口部が設けられてお
り、画素電極６２は夫々、半透過反射電極として構成さ
れている。

【００４７】即ち、図３に拡大して示すように、画素電
極６２は、Ａｌを主成分とする第１金属膜により形成さ
れ、透過領域Ａ２においてＴＦＤアレイ基板１０側から
の光源光Ｌ２を透過するための２μｍ径の開口部６２ａ
が多数設けてある。画素電極６２の表面は、開口部６２
ａを除く反射領域Ａ１において、対向基板２０の側から
入射する外光Ｌ１を反射する反射面となっている。透過
領域Ａ２の総面積は反射領域Ａ１の総面積に対して約１
０％の割合となるように開口部６２ａをランダム或いは
規則的に設けてある。このような画素電極６２は、蒸着
やスパッタ等により形成される。

【００４８】このような画素電極６２の開口部６２ａの
各種具体例について図４を参照して説明する。

【００４９】図４（ａ）に示すように各画素電極６２毎
に４つの矩形スロットを４方に開口部６２ａとして配置
してもよいし、図４（ｂ）に示すように各画素電極６２
毎に５つの矩形スロットを横並びに開口部６２ａとして
配置してもよいし、図４（ｃ）示すように各画素電極６
２毎に多数の円形開口を開口部６２ａとして離散配置し
てもよいし、図４（ｄ）示すように各画素電極６２毎に
１つの比較的大きな矩形スロットを開口部６２ａとして
配置してもよい。このような開口部６２ａは、レジスト
を用いたフォト工程／現像工程／剥離工程で容易に作製
することができる。開口部６２ａの平面形状は図示のほ
かにも、正方形でもよいし、或いは、多角形、楕円形、
不規則形でもよい。また、画素電極６２をパターニング
するときに同時に開口部６２ａを開孔することも可能で
あり、このようにすれば製造工程数を増やさず済む。ま
た、いずれの形状であっても、開口部６２ａの径は、
０．０１μｍ以上２０μｍ以下とされ、更に開口部６２
ａは、反射領域Ａ１に対して透過領域Ａ２が５％以上３
０％以下の面積比で形成されるように開口されるのが好
ましい。

【００５０】図４（ａ）から（ｄ）に示すように、各画
素電極６２の左下部分は突起状に延設されてＴＦＤ４０
の第４電極４２ｂが第１金属膜から形成されており、Ｔ
ＦＤ４０における第２金属膜からなる第３電極と絶縁膜
１２を介して対向配置されてＭＩＭ（Metal Insulator
- Metal）構造が採られている。このようなＴＦＤ４０
の構成については後に詳述する。

【００５１】尚、画素電極６２は、対向基板２０に垂直
な方向から平面的に見て各画素の開口領域よりも一回り
小さく形成されて、各画素電極６２の周囲の間隙が透過
領域Ａ２となる（即ち、この間隙に対面する液晶部分を
画素電極６２による斜め電界にて駆動する）ように構成
されてもよい。このように構成すれば、装置構成や製造
プロセスの複雑化を招く微細な欠陥部や微細な開口部を
多数設けなくても画素電極６２を構成できるため、実用
上有利であり、装置信頼性や製造歩留まりを向上させる
ことも可能となる。

【００５２】再び図１及び図２において、ＴＦＤアレイ
基板１０及び対向基板２０は夫々、可視光に対して透明
或いは少なくとも半透明であることが要求されており、
例えばガラス基板や石英基板等からなる。

【００５３】配向膜１５及び２５は夫々、ポリイミド薄
膜などの有機薄膜からなり、スピンコート又はフレキソ
印刷により形成され、ラビング処理等の所定の配向処理
が施されている。

【００５４】液晶層５０は、画素電極６２及び走査電極
２１間で電界が印加されていない状態で配向膜１５及び
２５により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例え
ば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶か
らなる。

【００５５】シール材３１は、例えば光硬化性樹脂や熱
硬化性樹脂からなる接着剤である。特に、当該液晶装置
が対角数インチ程度以下の小型の場合には、シール材中
に両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバ
ー或いはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が混
入される。但し、このようなギャップ材は、当該液晶装
置が対角数インチ〜１０インチ程度或いはそれ以上の大
型の場合には、液晶層５０内に混入されてもよい。ま
た、封止材３２は、シール材３１の注入口を介して液晶
を真空注入した後に、当該注入口を封止する樹脂性接着
剤等からなる。

【００５６】カラーフィルタ２３は、青色光、緑色光及
び赤色光を画素毎に夫々透過する色材膜と共に各画素の
境界にブラックマスク或いはブラックマトリクスと称さ
れる遮光膜が形成されて各画素間の混色を防止するよう
に構成されたデルタ配列、ストライプ配列、モザイク配
列、トライアングル配列等の公知のカラーフィルタであ
る。また遮光膜は形成されていなくても良い。また図１
及び図２では省略しているが、シール材５２の内側に並
行して、例えばカラーフィルタ２３中の遮光膜と同じ或
いは異なる材料から成る画像表示領域の周辺を規定する
額縁としての遮光膜が設けられてもよい。或いはこのよ
うな額縁は、液晶装置を入れる遮光性のケースの縁によ
り規定してもよい。

【００５７】蛍光管１１９と共にバックライトを構成す
る導光板１１８は、裏面全体に散乱用の粗面が形成さ
れ、或いは散乱用の印刷層が形成されたアクリル樹脂板
などの透明体であり、光源である蛍光管１１９の光を端
面にて受けて、図の上面からほぼ均一な光を放出するよ
うになっている。

【００５８】次に図５から図７を参照して、ＴＦＤ４０
の詳細構成について説明する。ここに、図５（ａ）は、
ＴＦＤ４０を画素電極６２及びデータ線６１と共に示す
拡大平面図であり、図５（ｂ）は、ＴＦＤ４０を形成す
る前（陽極酸化により絶縁膜１２を形成する時点）にお
ける第１金属膜の平面パターンを示す平面図である。図
６は、図５（ａ）のＢ−Ｂ’断面図であり、図７（ａ）
は、図５（ａ）のＣ−Ｃ’断面図であり、図７（ｂ）
は、変形例における図５（ａ）のＣ−Ｃ’断面図であ
る。尚、図６及び図７においては、各層や各部材を図面
上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材
毎に縮尺を異ならしめてある。

【００５９】図５（ａ）、図６及び図７（ａ）におい
て、ＴＦＤ４０は、ＴＦＤアレイ基板１０上に第１ＴＦ
Ｄ４０ａ及び第２ＴＦＤ４０ｂが直列接続されてなる。

【００６０】第１ＴＦＤ４０ａは、下から順に第１金属
膜からなる第１電極４２ａ、絶縁層１２及び第２金属膜
からなる第２電極４６ａから構成され、ＴＦＤ構造或い
はＭＩＭ構造を持つ。第２ＴＦＤ４０ｂは、上から順に
第２金属膜からなる第３電極４６ｂ、絶縁層１２及び第
１金属膜からなる第４電極４２ｂから構成され、ＴＦＤ
構造或いはＭＩＭ構造を持つ。そして、第１金属膜から
なるデータ線６１が第１電極４２ａに接続されており
（即ち、第１電極４２ａはデータ線６１から延設されて
おり）、第２電極４６ａが第３電極４６ｂと接続されて
おり（即ち、第２電極４６ａ及び第３電極４６ｂは、連
続した第２金属膜４６から形成されており）、第４電極
４２ｂと画素電極６２とが接続されている（即ち、第４
電極４２ｂは画素電極６２から延設されている）。この
ようにＴＦＤ４０は、データ線６１から２個の直列接続
されたＴＦＤ（即ち、第１ＴＦＤ４０ａ及び第２ＴＦＤ
４０ｂ）を介して画素電極６２に画像信号を供給するよ
うに構成されている。

【００６１】本実施形態では特に、ＴＦＤ４０の第１電
極４２ａ及び第４電極４２ｂ、データ線６１並びに画素
電極６２を構成する第１金属膜は、Ａｌを主成分とし
て、Ｇｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｄ、Ｙ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｎｉ、
Ｓｃ等を含有している。このような第１金属膜を用いれ
ば、データ線６１及び画素電極６２として良好な導電性
や光反射性が得られ、同時に、後述の製造プロセスにお
ける陽極酸化により良質な絶縁膜１２が形成できる。他
方、ＴＦＤ４０の第２電極４６ａ及び第３電極４６ｂを
構成する第２金属膜４６は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｉ、
Ｔａ及びＡｌのうち少なくとも一つを含む単体金属又は
合金からなる。このような第１金属膜及び第２金属膜を
用いれば、ダイオード特性に優れた第１ＴＦＤ４０ａ及
び第２ＴＦＤ４０ｂを構築できる。これらの結果、ダイ
オード特性に優れた第１ＴＦＤ４０ａ及び第２ＴＦＤ４
０ｂ、高反射率の画素電極６２及び低抵抗のデータ線６
１を用いて、高品位の画像表示が可能な電気光学装置を
実現できる。尚、第２金属膜としてＩＴＯ膜を用いるこ
とも可能である。

【００６２】次に図８を参照して、以上のように構成さ
れたＴＦＤ４０を備えて構成されるＴＦＤアクティブマ
トリクス駆動方式の液晶装置の電気的な構成について説
明する。ここに、図８は、図１に示した液晶装置の等価
回路図である。

【００６３】図８において、ＴＦＤアクティブマトリク
ス駆動方式の液晶装置は、対向基板上に配列された複数
の走査電極２１が、ＴＦＤアレイ基板上に形成されたＹ
ドライバ回路１００に接続されており、ＴＦＤアレイ基
板上に配列された複数のデータ線６１が、ＴＦＤアレイ
基板上にＸドライバ回路１１０に接続されている。マト
リクス状の各画素領域において、データ線６１は、ＴＦ
Ｄ４０の第１電極４２ａに接続されており（図５から図
７参照）、走査電極２１は、液晶層５０及び画素電極６
２を介してＴＦＤ４０の第４電極４２ｂに接続されてい
る。従って、各画素領域に対応する走査電極２１に走査
信号が供給され、データ線７１にデータ信号が供給され
ると、当該画素領域におけるＴＦＤ４０がオン状態とな
り、ＴＦＤ４０を介して、画素電極６２及び走査電極２
１間にある液晶層５０に駆動電圧が印加される。

【００６４】本実施形態では特に、ＴＦＤ４０の第１電
極４２ａ及び第４電極４２ｂと、これに接続されたデー
タ線６１と、画素電極６２とは、同一の第１金属膜から
なるので、後述する製造プロセスにおいて、これらを同
一工程でパターンニングできる。しかも、ＴＦＤ４０の
端部まで画素電極６２が形成されており、各画素の開口
率が高められている。更に、第１電極４２ａ、第４電極
４２ｂ、画素電極６２及びデータ線６１の表面に絶縁膜
１２を形成する際にも、同一工程で陽極酸化できる。

【００６５】仮にＴＦＤアレイ基板１０上に、絶縁膜１
２を介在させることなく、画素電極６２及び配向膜１５
を形成したのでは、特に、液晶層５０中又はシール材３
１中のギャップ材（スペーサ）より大きなサイズの導電
性の異物が液晶層５０中に混入した場合に、配向膜１５
及び２５を破って、画素電極６２と走査電極２１とがシ
ョートする、即ち、装置欠陥が発生する可能性が高い。
しかしながら、本実施形態によれば、配向膜１５よりも
強度が高い絶縁膜１２の存在により、或いは、配向膜１
５と絶縁膜１２との協動によりこのような装置欠陥の発
生確率を顕著に低減し得る。同様に、データ線６１の表
面にも絶縁膜１２が形成されているため、データ線６１
がショートする可能性も低減できる。

【００６６】尚、図７（ｂ）に示したように、データ線
６１上に絶縁膜１２を介して、第２金属膜から他の配線
６１’を形成してもよい。このように他の配線６１’を
形成すれば、他の配線６１’は、ＴＦＤ４０の第２電極
４６ａや第３電極４６ｂと同一工程でパターンニング可
能である。そして、ＴＦＤアレイ基板１０上において第
１及び第２金属膜から夫々形成された２つの配線を、各
種信号用の配線として用いることができる。特に、両者
は、第１金属膜が陽極酸化されてなる絶縁膜１２により
相互に絶縁されているので且つＴＦＤアレイ基板１０上
において相異なる積層位置に存在するので、平面レイア
ウト上で交差しても重なってもよい。更に、データ線６
１及び他の配線６１’を冗長的に用いる（例えば、両者
をコンタクトホールで相互接続して２重配線として用い
る）ことにより、配線抵抗を顕著に下げることも可能と
なる。また、他の配線６１’に代えて又は加えて、ＴＦ
Ｄアレイ基板１０上に、第２金属膜と同一膜からなる実
装用端子を形成してもよい。この場合にも、実装用端子
は、ＴＦＤ４０の第２電極４６ａや第３電極４６ｂと同
一工程でパターンニング可能である。

【００６７】（電気光学装置の動作）次に、以上の如く
構成された本実施形態における半透過反射型の液晶装置
の動作について図２及び図３を参照して説明する。

【００６８】先ず反射型表示について説明する。この場
合には、対向基板２０の側から外光Ｌ１が入射すると、
対向基板２０及び液晶層５０を介して、反射領域Ａ１に
おけるＴＦＤアレイ基板１０上に設けられた配向膜１
５、絶縁膜１２及び画素電極６２からなる積層体により
反射され、再び液晶層５０及び対向基板２０を介して対
向基板２０側から出射される。従って、Ｘドライバ回路
１１０及びＹドライバ回路１００から画素電極６２及び
走査電極２１に、画像信号及び走査信号を所定タイミン
グで夫々供給すれば、画素電極６２及び走査電極２１が
対向する個所における液晶層５０部分には、行毎又は列
毎若しくは画素毎に電界が順次印加される。これにより
液晶層５０の配向状態を各画素単位で制御することによ
り、外光Ｌ１を変調し、階調表示が可能となる。

【００６９】次に透過型表示について説明する。この場
合には、ＴＦＤアレイ基板１０の下側から光源光Ｌ２が
入射すると、透過領域Ａ２（即ち、画素電極６２の開口
部６２ａ）におけるＴＦＤアレイ基板１０上に設けられ
た配向膜１５を透過し、液晶層５０及び対向基板２０を
介して対向基板２０側から出射される。従って、Ｘドラ
イバ回路１１０及びＹドライバ回路１００から画素電極
６２及び走査電極２１に、画像信号及び走査信号を所定
タイミングで夫々供給すれば、画素電極６２及び走査電
極２１が対向する個所における液晶層５０部分には、行
毎又は列毎若しくは画素毎に電界が順次印加される。こ
れにより液晶層５０の配向状態を各画素単位で制御する
ことにより、光源光Ｌ２を変調し、階調表示が可能とな
る。

【００７０】以上のように本実施形態によれば、明るく
高精細で高品位の画像表示が可能なとなる。しかも本実
施形態によれば、第１基板の外側に設けた反射板により
反射する伝統的な液晶装置と比べて、ＴＦＤアレイ基板
１０の上側における画素電極６２による反射により外光
を反射するので、光路が短くなる分だけ表示画像におけ
る視差が低減され且つ表示画像における明るさも向上す
る。特に、ＴＦＤ４０を介して各画素電極６２に電力を
供給するため、画素電極６２間におけるクロストークを
低減でき、より高品位の画像表示が可能となる。

【００７１】このように動作する本実施形態では好まし
くは、液晶層５０が直流電圧の印加により劣化するのを
防ぐために及びフリッカやクロストークを低減するため
に、Ｘドライバ回路１１０及びＹドライバ回路１００に
より液晶層５０に印加する駆動電圧の極性を、１フレー
ム又は１フィールドを反転周期として１行毎に反転させ
る１Ｈ反転駆動方式等の反転駆動方式が採用される。こ
のように反転駆動方式を採用する場合、前述のように画
素電極６２の表面に陽極酸化されてなる絶縁膜１２が形
成されているため、画素電極６２と対向基板２０側に設
けられる走査電極２１との間における極性差を、このよ
うな絶縁膜１２が形成されていない場合と比較して低減
でき、１フレーム或いは１フィールド等の反転周期のフ
リッカを低減できる。

【００７２】以上説明した本実施形態では、Ｘドライバ
回路１１０やＹドライバ回路１００を第１基板上に直接
設けるのに代えて、これらのドライバ回路を含む駆動用
ＬＳＩを例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding)基板
上に実装して異方性導電フィルムを介して電気的及び機
械的に接続するようにしてもよい。或いは、シール材３
１の外側のＴＦＤアレイ基板１０又は対向基板２０上の
周辺領域に、Ｘドライバ回路１１０やＹドライバ回路１
００に加えて、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品
質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成して所謂
周辺回路内蔵型の液晶装置としてもよい。更に、本実施
形態において、データ線６１と走査電極２１との機能を
相互に逆にして、ＴＦＤアレイ基板１０上では、データ
線６１の代りに走査線を設けて該走査線からＴＦＤ４０
を介して各画素電極６２に走査信号を供給するように構
成し、且つ対向基板２０上のストライプ状の透明電極を
走査信号供給用ではなく（即ち、走査電極２１としてで
はなく）画像信号供給用の電極として用いるように構成
してもよい。

【００７３】また、ＴＦＤアレイ基板１０や対向基板２
０の外面側には、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モ
ード、ＶＡ(Vertically Aligned)モード、ＰＤＬＣ(Pol
ymerDispersed Liquid Crystal)モード等の動作モード
や、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモ
ードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏
光板などが所定の方向で配置される。更に、ＴＦＤアレ
イ基板１０又は対向基板２０上に１画素1個対応するよ
うにマイクロレンズを形成してもよい。このようにすれ
ば、入射光の集光効率を向上することで、明るい液晶装
置が実現できる。更にまた、ＴＦＤアレイ基板１０又は
対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を
堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り
出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダ
イクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明る
いカラー液晶装置が実現できる。

【００７４】次に、本実施形態における偏光板１０５、
位相差板１０６、偏光板１０７及び位相差板１０８（図
２参照）の光学設定について説明する。

【００７５】本実施形態では、位相差板１０６により反
射型表示時における光の波長分散に起因する色付きなど
の色調への影響を低減する（即ち、位相差板１０６を用
いて反射型表示時における表示の最適化を図る）と共
に、位相差板１０８により透過型表示時における光の波
長分散に起因する色付きなどの色調への影響を低減する
（即ち、位相差板１０６により反射型表示時における表
示の最適化を図った条件下で、更に、位相差板１０８に
より透過型表示時における表示の最適化を図る）ことが
可能となる。なお、位相差板１０６及び１０８について
は夫々、液晶セルの着色補償、もしくは視角補償により
複数枚位相差板を配置することも可能である。このよう
に位相差板１０６又は１０８として、位相差板を複数枚
用いれば着色補償或いは視覚補償の最適化をより容易に
行える。

【００７６】更にまた、偏光板１０５、位相差板１０
６、液晶層５０及び画素電極６２における光学特性を反
射型表示時におけるコントラストを高める設定とすると
共に、この条件下で偏光板１０７及び位相差板１０８に
おける光学特性を透過型表示時におけるコントラストを
高める設定とすることにより、反射型表示と透過型表示
とのいずれにおいても高いコントラスト特性を得ること
ができる。例えば、反射型表示時には、外光が、偏光板
１０５を通って直線偏光となり、更に位相差板１０６及
び電圧非印加状態（暗表示状態）にある液晶層５０部分
を通って右円偏光となって画素電極６２に達し、ここで
反射されて進行方向が逆転すると共に左円偏光に変換さ
れ、再び電圧非印加状態にある液晶層５０部分を通って
直線偏光に変換され、偏光板１０５で吸収される（即
ち、暗くなる）ように偏光板１０５、位相差板１０６、
液晶層５０及び画素電極６２における光学特性が設定さ
れる。この時、電圧印加状態（明表示状態）にある液晶
層５０部分を通る外光は、液晶層５０部分を素通りする
ため、画素電極６２で反射されて偏光板１０５から出射
される（即ち、明るくなる）。他方で、透過型表示時に
は、バックライトから発せられ、偏光板１０７及び位相
差板１０８を介して画素電極６２の開口部６２ａを透過
する光源光が、上述した反射型表示時における画素電極
６２で反射される左円偏光と同様な光となるように、偏
光板１０７及び位相差板１０８の光学特性が設定され
る。すると、反射型表示時と比べて光源及び光路が異な
るにも拘わらず、透過型表示時における画素電極６２の
開口部６２ａを透過する光源光は、反射型表示時におけ
る画素電極６２で反射する外光と同様に電圧非印加状態
（暗表示状態）にある液晶層５０部分を通って直線偏光
に変換され、偏光板１０５で吸収される（即ち、暗くな
る）。この時、電圧印加状態（明表示状態）にある液晶
層５０部分を通る光は、液晶層５０部分を素通りして偏
光板１０５から出射される（即ち、明るくなる）。

【００７７】尚、以上説明した実施形態において、画素
電極６２の液晶層５０に面する表面を凹凸に構成して、
これらの鏡面感を無くし、散乱面（白色面）に見せるよ
うにしてもよい。また、凹凸による散乱によって視野角
を広げてもよい。この凹凸形状は、画素電極６２の下地
に感光性のアクリル樹脂等を用いて形成したり、下地の
基板自身をフッ酸によって荒らすこと等によって形成す
ることができる。尚、画素電極６２の凹凸表面上に透明
な平坦化膜を形成して、液晶層５０に面する表面（配向
膜を形成する表面）を平坦化しておくことが液晶の配向
不良を防ぐ観点から望ましい。

【００７８】（電気光学装置の製造プロセス）次に以上
の如き構成を持つ実施形態における電気光学装置の製造
プロセスについて、図９及び図５を参照して説明する。
ここに図９は、図７（ａ）と同様に、図５（ａ）のＣ−
Ｃ’断面図に対応する個所における電気光学装置の工程
図である。

【００７９】図９において、先ず工程（１）に示すよう
に、ＴＦＤアレイ基板１０上に第１金属膜６２’が形成
された後に、工程（２）に示すように、フォトリソグラ
フィ及びエッチングにより、ＴＦＤ４０の第１電極４２
ａ及び第４電極４２ｂ、データ線６１及び画素電極６２
となる部分を含むように、第１金属膜６２’がパターン
ニングされる。この工程（２）において、これらの電極
や配線を、同一工程でパターンニングできるので、従来
の如く画素電極に隣接した領域においてＴａ（タンタ
ル）等の金属膜から下電極を形成し、その上に絶縁膜を
介して他の金属膜から上電極を形成してＭＩＭ構造を持
つ薄膜ダイオードを形成し、これに接続されるように画
素電極をＡｌ膜から別途パターンニングする製造技術と
比べて、製造工程の簡略化を図れる。更に、工程（２）
において、画素電極６２に開口部６２ａを設ける。これ
により、開口部６２ａが設けられた画素電極６２を、追
加的な工程なしで形成できる。加えて、この工程（２）
において本実施形態では特に、図５（ｂ）に示したよう
に、Ｃ１領域に、データ線６１と画素電極６２とを一時
的に接続する部分も形成される。

【００８０】次に、工程（３）に示すように、データ線
６１となる部分の所定個所に電圧印加用プローブを接触
させて、第１電極４２ａ及び第４電極４２ｂ、データ線
６１及び画素電極６２となる第１金属膜６２’部分に一
まとめに電圧を供給することにより、絶縁膜１２’が陽
極酸化により形成される。このように本実施形態によれ
ば、同一の陽極酸化工程により第１電極４２ａ及び第４
電極４２ｂ、データ線６１及び画素電極６２上に配置さ
れる絶縁膜１２’を形成できる。しかもこの陽極酸化時
には、画素電極６２がデータ線６１に、領域Ｃ１に形成
された第１金属膜部分（図５（ｂ）参照）を介して接続
されているので、画素電極６２毎に陽極酸化用の電圧を
供給しないで済む。

【００８１】次に、工程（４）に示すように、絶縁膜１
２’上に第２金属膜４６’が形成された後に、工程
（５）に示すように、ＴＦＤ４０の第３電極４６ｂ（及
び図示されない第２電極４６ａ）が形成されるように、
第２金属膜がパターンニングされる。

【００８２】次に、工程（６）に示すように、陽極酸化
時に画素電極６２とデータ線６１とを一時的に接続して
いた領域Ｃ１における第１金属膜部分（図５（ｂ）参
照）がエッチングにより除去される。

【００８３】最後に、工程（７）に示すように、配向膜
１５を形成して図７（ａ）に示した積層構造が得られ
る。その後、このように画素電極６２等が形成されたＴ
ＦＤアレイ基板１０と走査電極２１等が形成された対向
基板１０とを、シール材３１により貼り合わせ、液晶を
真空注入すること等により、前述した本実施形態の電気
光学装置が完成する。

【００８４】以上説明した製造プロセスによれば、前述
した電気光学装置を比較的少ない工程数で且つ比較的容
易に製造することが可能となる。

【００８５】尚、本実施形態の製造プロセスによれば、
工程（７）において、領域Ｃ１では、絶縁膜１２が除去
された状態で配向膜１５が形成されることとなるが、こ
の領域Ｃ１には、画素電極６２やデータ線６１が形成さ
れておらず、局所的に凹んでいるため、当該絶縁膜１２
が形成されていなくても、前述したショート防止効果が
落ちることは殆ど無い。他方、領域Ｃ１に形成された一
時的に接続する第１金属膜部分（図５（ｂ）参照）を除
去する工程は、陽極酸化を終えた後（即ち工程（３）以
降）且つ配向膜１５の形成前であれば、どの段階で行っ
てもよい。

【００８６】以上図１から図９を参照して説明した実施
形態では、ＴＦＤ４０は、２個のＴＦＤ（即ち、第１Ｔ
ＦＤ４０ａ及び第２ＴＦＤ４０ｂ）が直列接続されてな
るが、第１ＴＦＤ４０ａと画素電極６２との間に第２Ｔ
ＦＤ４０ｂを配置すること無く、第１ＴＦＤ４０ａの第
２電極４６ａと画素電極６２の端部とをコンタクトホー
ル等を用いて直接接続してもよい。

【００８７】また、図１から図９を参照して説明した実
施形態では、電気光学装置は、半透過反射型の液晶装置
とされているが、図３から図５のように画素電極６２に
開口部６２ａを設けないようにすれば、即ち各画素の開
口領域全域が反射領域であるように構成すれば、専ら外
光を反射して表示を行う反射型の液晶装置とすることが
できる。尚、このように反射型の液晶装置とする場合に
は、図１に示したＴＦＤアレイ基板１０の下側にある偏
光板１０７、位相差板１０８、導光板１１８、蛍光管１
１９等が不要であることは言うまでもなく、更に、ＴＦ
Ｄアレイ基板１０は、透明でなくてもよく、画素電極６
２下に素子や配線を作り込むことも可能である。

【００８８】（電子機器の実施形態）次に、本発明によ
る電子機器の実施形態について、図１０を参照して説明
する。本実施形態は、上述した実施形態における半透過
反射型や反射型の液晶装置を適用した各種の電子機器か
らなる。

【００８９】先ず、上述の液晶装置を、例えば図１０
（ａ）に示すような携帯電話１０００の表示部１００１
に適用すれば、明るく高コントラストであり、しかも視
差が殆ど無く高精細の白黒又はカラー表示を行う省エネ
ルギ型の携帯電話を実現できる。

【００９０】また、図１０（ｂ）に示すような腕時計１
１００の表示部１１０１に適用すれば、明るく高コント
ラストであり、しかも視差が殆ど無く高精細の白黒又は
カラー表示を行う省エネルギ型の腕時計を実現できる。

【００９１】更に、図１０（ｃ）に示すようなパーソナ
ルコンピュータ（或いは、情報端末）１２００におい
て、キーボード１２０２付きの本体１２０４に開閉自在
に取り付けられるカバー内に設けられる表示画面１２０
６に適用すれば、明るく高コントラストであり、しかも
視差が殆ど無く高精細の白黒又はカラー表示を行う省エ
ネルギ型の省エネルギ型のパーソナルコンピュータを実
現できる。

【００９２】以上図１０に示した電子機器の他にも、液
晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデ
オテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手
帳、電卓、ワードプロセッサ、エンジニアリング・ワー
クステーション（ＥＷＳ）、テレビ電話、ＰＯＳ端末、
タッチパネルを備えた装置等などの電子機器にも、上述
した実施形態における半透過反射型や反射型の液晶装置
を適用可能である。

【００９３】尚、本発明は、以上説明した実施形態に限
るものではなく、本発明の要旨を変えない範囲で実施形
態を適宜変更して実施することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の本実施形態であるＴＦＤアクティブマ
トリクス駆動方式の液晶装置を、対向基板上に形成され
るカラーフィルタを便宜上取り除いて対向基板側から見
た様子を示す図式的平面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ’断面をカラーフィルタを含めて
示す液晶装置の図式的断面図である。

【図３】図２に示された画素電極付近における外光を反
射し且つ光源光を透過する構成を拡大して示す図式的拡
大断面図である。

【図４】本実施形態の画素電極に設けられる開口部に係
る各種具体例を示す拡大平面図である。

【図５】図５（ａ）は、本実施形態におけるＴＦＤを画
素電極及びデータ線と共に示す拡大平面図であり、図５
（ｂ）は、ＴＦＤを形成する前（陽極酸化時）における
第１金属膜の平面パターンを示す平面図である。

【図６】図５（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。

【図７】図７（ａ）は、図５（ａ）のＣ−Ｃ’断面図で
あり、図７（ｂ）は、変形例における図５（ａ）のＣ−
Ｃ’断面図である。

【図８】実施形態の液晶装置の画素部の等価回路を周辺
駆動回路と共に示す等価回路図である。

【図９】図５（ａ）のＣ−Ｃ’断面図に対応する個所に
おける電気光学装置の製造プロセスを示す工程図であ
る。

【図１０】本発明の実施形態である各種電子機器の外観
図である。

【符号の説明】

１０…第１基板 １２…絶縁膜 １５…配向膜 ２０…第２基板 ２１…走査電極 ２５…配向膜 ３１…シール材 ３２…封止材 ４０…ＴＦＤ ４０ａ…第１ＴＦＤ ４０ｂ…第２ＴＦＤ ４２ａ…第１電極 ４２ｂ…第４電極 ４６ａ…第２電極 ４６ｂ…第３電極 ５０…液晶層 ６１…データ線 ６２…画素電極 ６２ａ…開口部 １００…Ｙドライバ回路 １１０…Ｘドライバ回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA14Z FA15Z LA12 LA17 2H092 GA43 JA03 JB07 JB12 KA18 KB04 MA17 MA24 NA13 NA25 NA27 PA06 PA08 PA10 PA11 QA07 5C094 BA03 BA04 BA43 BA48 CA19 DB01 EA06 FB02 FB14 5G435 AA01 BB12 BB16 CC09 HH12 HH13 HH20 KK05 KK09

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の第１及び第２基板間に電気光学物
   質が挟持されてなり、 前記第１基板上に、導電性且つ光反射性の第１金属膜か
   らなる第１電極、前記第１金属膜の表面が陽極酸化され
   てなる絶縁膜及び該絶縁膜上に形成された導電性の第２
   金属膜からなる第２電極を有する薄膜ダイオードと、 前記第１金属膜と同一膜からなり前記第１電極に接続さ
   れた配線と、 前記第１金属膜と同一膜からなり前記第１電極及び前記
   配線から分離されていると共に前記薄膜ダイオードに前
   記第２電極側で接続されており表面に前記絶縁膜と同一
   膜が形成された画素電極とを備えたことを特徴とする電
   気光学装置。
2. 【請求項２】 前記第１基板上に、前記画素電極を構成
   する前記第１金属膜から延設された部分から一方の電極
   が構成され、該一方の電極に前記絶縁膜と同一膜を介し
   て対向する前記第２電極部分から他方の電極が構成され
   た他の薄膜ダイオードを更に備えたことを特徴とする請
   求項１に記載の電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記第１基板上に、前記第２金属膜と同
   一膜からなる他の配線を更に備えたことを特徴とする請
   求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記第１基板上に、前記第２金属膜と同
   一膜からなる実装用端子を更に備えたことを特徴とする
   請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 前記第１金属膜は、アルミニウムを主成
   分とすることを特徴とする請求項１から４のいずれか一
   項に記載の電気光学装置。
6. 【請求項６】 前記第２金属膜は、クロム、チタン、モ
   リブデン、ニッケル、タンタル及びアルミニウムのうち
   少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１から５
   のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記第２基板上に、前記電気光学物質を
   介して前記画素電極に対向する対向電極を備えたことを
   特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気
   光学装置。
8. 【請求項８】 前記画素電極は、駆動回路により反転駆
   動方式で駆動されることを特徴とする請求項７に記載の
   電気光学装置。
9. 【請求項９】 前記第１基板の前記第２基板と反対側
   に、光源を更に備えており、 前記画素電極には、前記光源からの光が透過する開口部
   が設けられたことを特徴とする請求項１から８のいずれ
   か一項に記載の電気光学装置。
10. 【請求項１０】 請求項１から９のいずれか一項に記載
    の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
11. 【請求項１１】 請求項１に記載の電気光学装置を製造
    する電気光学装置の製造方法であって、 前記第１基板上に、前記第１金属膜を形成する工程と、 前記第１金属膜をパターニングして、前記第１電極、前
    記配線及び前記画素電極並びに前記第１電極又は前記配
    線と前記画素電極とを一時的に接続する部分を形成する
    第１パターンニング工程と、 前記配線を介して前記第１電極及び前記画素電極に電圧
    を供給することにより前記絶縁膜を陽極酸化により形成
    する陽極酸化工程と、 前記絶縁膜上に、前記第２金属膜を形成する工程と、 前記第２金属膜をパターンニングして、前記第２電極を
    形成する第２パターンニング工程と、 前記一時的に接続する部分を除去する除去工程とを備え
    たことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記第１パターンニング工程で、前記
    画素電極に開口部を設けることを特徴とする請求項１１
    に記載の電気光学装置の製造方法。