JP3896933B2 - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

電気光学装置および電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP3896933B2
JP3896933B2 JP2002271478A JP2002271478A JP3896933B2 JP 3896933 B2 JP3896933 B2 JP 3896933B2 JP 2002271478 A JP2002271478 A JP 2002271478A JP 2002271478 A JP2002271478 A JP 2002271478A JP 3896933 B2 JP3896933 B2 JP 3896933B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
film
region
electro
drive electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2002271478A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004109449A5 (ja
JP2004109449A (ja
Inventor
章二 日向
一喜 坂井
耕太郎 上野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2002271478A priority Critical patent/JP3896933B2/ja
Priority to TW092124123A priority patent/TWI228184B/zh
Priority to CNB031568459A priority patent/CN100354732C/zh
Priority to KR10-2003-0064370A priority patent/KR100530393B1/ko
Priority to US10/666,954 priority patent/US6882390B2/en
Publication of JP2004109449A publication Critical patent/JP2004109449A/ja
Publication of JP2004109449A5 publication Critical patent/JP2004109449A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3896933B2 publication Critical patent/JP3896933B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • G02F1/133555Transflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一対の基板間に電気光学物質が保持された電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
各種の電気光学装置のうち、電気光学物質として液晶を用いた電気光学装置は、第1の基板と、第1の基板に対してシール材によって所定の間隙を介して貼り合わされた第2の基板と、前記の間隙のうち、シール材で区画された領域内に保持された電気光学層とを有し、第1の基板および第2の基板の各々に形成された透明な第1の駆動電極および透明な第2の駆動電極によって電気光学物質層に電界が印加される。
【0003】
このような電気光学装置は、第1の基板の背面側にバックライト装置を配置しておけば、このバックライト装置から出射された光が電気光学物質層を透過する間に光変調を施して透過モードで所定の画像を表示することができる。また、第1の基板において、第1の駆動電極の下層側に光反射膜を形成しておけば、第2の基板側から入射した外光が光反射膜で反射して再び、第2の基板から出射される間に光変調を行うことができるので、反射モードで画像を表示できる。
【0004】
そこで、半透過反射型の電気光学装置では、第1の駆動電極の下層側に形成した光反射膜に光透過穴を形成し、かつ、第1の基板の背面側にバックライト装置を配置し、光透過穴が形成されている領域で透過モードでの表示を行う一方、光透過穴が形成されていない領域では反射モードでの表示を行うようになっている(例えば、特許文献1参照)。
【0005】
さらに、第2の基板において、第1の駆動電極と第2の駆動電極とが対向する領域と重なる部分にカラーフィルタを形成しておけばカラー画像を表示することができる。
【0006】
このような表示を行うためには、第1の駆動電極および第2の駆動電極に所定の信号を供給する必要がある。このため、第1の基板および第2の基板の双方に駆動用ICを実装した構造、あるいは、第1の基板および第2の基板の双方に、駆動用ICが実装された可撓性基板を実装する必要があるが、このような構造の場合には、2つの駆動用ICが必要で、かつ、第1の基板および第2の基板の双方に他方の基板から張り出した実装領域を確保する必要があるため、電気光学装置の画像領域の外周側に広い領域を確保せざるを得ないことになる。
【0007】
そこで、第1の基板の方には、第2の基板からの張り出し領域に形成された実装端子と、第2の基板との重なり領域に形成された第1の基板間導通端子と、実装端子と前記第1の駆動電極とを接続する第1の配線パターンと、実装端子と第1の基板間導通端子とを接続する第2の配線パターンとを設ける一方、第2の基板には、第1の基板間導通端子に対向する第2の基板間導通端子を設けた構造が採用されている。
【0008】
ここで、第1の基板については、従来、実装端子、第1の基板間導通端子、実装端子と第1の駆動電極とを接続する第1の配線パターン、および実装端子と第1の基板間導通端子とを接続する第2の配線パターンのいずれについても、第1の駆動電極を形成しているITO膜などといった透明導電膜が用いられている。
【0009】
【特許文献1】
特開2002−14334号(第8頁―第9頁、図1)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、第1の基板において、第2の配線パターンについては実装端子から第1の基板間導通端子まで長い距離が引き回されるにも関わらず、第1の駆動電極を形成している透明導電膜を構成しているITO膜のみで形成すると、電気的な抵抗が著しく大きくなってしまう。
【0011】
また、半透過反射型電気光学装置において、第2の基板の方にカラーフィルタ層を形成しておくと、平坦な領域にカラーフィルタ層が形成されるため、光透過穴が形成されている透過表示領域と、光透過穴が形成されていない反射表示領域との間でカラーフィルタ層の厚さが等しいので、表示されたカラー画像において反射モードの色が濃く透過モードの色が淡くなってしまうという課題が発生するという問題点がある。すなわち、透過表示光は、カラーフィルタ層を1回だけ透過するのに対して、反射表示光は、入射時と出射時の2回、カラーフィルタ層を透過するためである。
【0012】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、基板間導通を用いた電気光学装置、およびそれを用いた電子機器において、配線抵抗を低減するとともに、透過モードおよび反射モードで表示した画像の反射モードの色が濃く透過モードの色が淡くなってしまうという課題の解消可能な構成を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明では、第1の基板と、該第1の基板に対してシール材によって所定の間隙を介して貼り合わされた第2の基板と、前記間隙のうち、シール材で区画された領域内に保持された電気光学物質層とを有し、前記第1の基板および前記第2の基板の各々に形成された透明な第1の駆動電極および透明な第2の駆動電極によって前記電気光学物質層に電界が印加される電気光学装置において、前記第1の基板は、前記第2の基板からの張り出し領域に形成された実装端子と、前記第2の基板との重なり領域に形成された第1の基板間導通端子と、前記実装端子と前記第1の駆動電極とを接続する第1の配線パターンと、前記実装端子と前記第1の基板間導通端子とを接続する第2の配線パターンとを備え、前記第2の基板は、前記第1の基板間導通端子に対向する第2の基板間導通端子を備え、前記第1の基板における前記第1の駆動電極の下層側には、前記第1の駆動電極と前記第2の駆動電極とが対向する領域と重なる領域の一部に光透過穴が形成された光反射膜が形成されているとともに、前記光反射と前記第1の駆動電極との層間にカラーフィルタ層が形成され、前記第2の配線パターンは、少なくともその一部に前記光反射層と同一の金属膜からなる金属配線を備えていることを特徴とする。
【0014】
本発明では、実装端子から第1の基板間導通端子まで長い距離を引き回される第2の配線パターンについては、光反射膜を構成する金属膜が用いられているので、配線抵抗を小さくできる。また、光反射層と第1の駆動電極との層間にカラーフィルタ層が形成され、かつ、カラーフィルタ層の下層側において光反射膜には光透過穴が形成されている。このため、透過モードによる表示を行う光透過窓に形成されたカラーフィルタ層は、反射モードによる表示を行うそれ以外の領域に形成されたカラーフィルタ層に比較して厚い。それ故、透過表示光は、カラーフィルタ層を1回だけ透過し、反射表示光は、入射時と出射時の2回、カラーフィルタ層を透過するとしても、透過モードで表示した場合と反射モードで表示した場合とで反反射モードの色が濃く透過モードの色が淡くなってしまうという課題が発生しないため、品位の高い表示を行うことができる。
【0015】
本発明において、前記実装端子および前記第1の基板間導通端子は、例えば、前記第1の駆動電極を構成する透明導電膜から構成されている。
【0016】
本発明において、前記カラーフィルタ層と前記第1の駆動電極との層間には、少なくとも前記第1の基板間導通端子および前記実装端子が形成されている領域を避けるように透明な有機絶縁膜が形成され、当該有機絶縁膜と前記第1の駆動電極との層間には、前記第1の基板の略全体に無機絶縁膜が形成されていることが好ましい。カラーフィルタを形成すると表面に凹凸が発生して電気光学物質層の厚さが変動し、電気光学物質層の配向状態が乱れる傾向にあるが、カラーフィルタ層の上層に有機絶縁膜からなる平坦化膜を形成しておけば、このような問題を回避できる。但し、第1の駆動電極を形成する際には、基板の全面に透明導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングするが、その際、有機絶縁膜上に形成された透明導電膜と、有機絶縁膜が形成されていない領域に形成された透明導電膜とではエッチング速度が異なるため、エッチング精度が低下する。しかるに本発明では、有機絶縁膜の上層に基板全面に無機絶縁膜を形成するため、基板の全面において透明導電膜のエッチング速度が等しい。それ故、有機絶縁膜を形成しても、第1の駆動電極を高い精度でエッチングできる。
【0017】
本発明において、前記金属配線は、前記第1の配線パターン、および前記第2の配線パターンのうち、前記第2の基板の縁から露出している領域では途切れている。このように構成すると、金属配線の上層側で第1の駆動電極などをエッチングによりパターニングする際、あるいは電気光学装置を製造し終えた以降、第2の基板の縁から露出している領域において金属配線が腐食するなどの問題が発生しない。
【0018】
本発明において、前記金属配線は、前記第1の配線パターン、および前記第2の配線パターンのうち、前記第2の基板の縁から露出している領域にも形成されている場合には、当該露出している領域の前記金属配線の上層側に前記有機絶縁膜が形成されていることが好ましい。このように構成すると、金属配線の上層側で第1の駆動電極などをエッチングによりパターニングする際、あるいは電気光学装置を製造し終えた以降、第2の基板の縁から露出している領域において金属配線は有機絶縁膜で保護されているので、腐食するなどの問題が発生しない。
【0019】
本発明において、前記第1の配線パターンは、前記実装端子が形成されている領域のうち、その中央領域で配列する実装端子から対向する基板辺に向かって延びて前記第1の駆動電極に接続し、前記第2の配線パターンは、前記実装端子が形成されている領域のうち、その両側領域で配列する実装端子から前記第1の配線パターンが形成されている領域の外側を通って延びて、画像表示領域の両側領域で基板辺に沿って配列されている前記第1の基板間導通端子に接続し、前記第2の駆動電極は、前記画像表示領域において前記第1の駆動電極と交差する方向に延びて前記第2の基板間導通端子に接続している。
【0020】
本発明において、少なくとも前記光反射膜を構成する金属膜が形成されている領域の下層側に下地導電膜が形成されていることが好ましい。このように構成すると、金属膜は、下地導電膜を介して基板上に形成されることになるので、金属膜と基板との密着性が低い場合でも、パターニング精度の低下や剥がれなどといった不具合が発生しない。
【0021】
本発明において、前記光反射膜を構成する金属膜が形成されている領域の上層に導電保護膜が形成されていることが好ましい。このように構成すると、カラーフィルタ層を形成する際の焼成によって光反射膜の表面が劣化することがない。
【0022】
本発明において、前記下地導電膜には、前記光透過穴と重なる領域に穴が形成されていることが好ましい。このように構成すると、透過モードによる表示を行う光透過窓に形成されたカラーフィルタ層は、反射モードによる表示を行うそれ以外の領域に形成されたカラーフィルタ層に比較してさらに厚くなる。それ故、透過表示光は、カラーフィルタ層を1回だけ透過し、反射表示光は、入射時と出射時の2回、カラーフィルタ層を透過するとしても、透過モードで表示した場合と反射モードで表示した場合とで反射モードの色が濃く透過モードの色が淡くなってしまうという課題が発生しないため、さらに品位の高い表示を行うことができる。
【0023】
本発明において、前記下地導電膜は、前記実装端子の下層側、および前記第1の基板間導通端子の下層側にも形成されていることが好ましい。
【0024】
本発明において、前記下地導電膜が形成される前記光反射は、例えば、銀合金膜である。あるいは用いられる光反射層は、アルミニウム合金膜、もしくはアルミニウム膜である。
【0025】
また、前記反射は、上層にアルミニウム合金膜もしくはアルミニウム膜を有し、前記上層と前記下地導電膜との中間層となる下層にモリブデン膜もしくはモリブデン合金膜を有する2層積層から構成されることもある。
【0026】
本発明において、前記光反射を構成する金属膜は、前記実装端子、および前記第1の基板間導通端子の下層側にも形成されていることが好ましい。
【0027】
本発明において、前記下地導電膜、あるいは前記光反射層を構成する金属膜が前記実装端子、および前記第1の基板間導通端子にも形成されている場合には、前記実装端子と前記駆動用ICのバンプが樹脂成分に分散している導電粒子を介して電気的に接続し、その際に前記導電粒子が前記実装端子の下層側に形成されている前記無機絶縁膜を貫通していることが好ましい。このように構成すると、実装端子に駆動用ICのバンプを実装した際、実装端子内の無機絶縁膜を導電粒子が貫通することで、駆動用ICのバンプと、実装端子に形成されている金属膜や下地導電膜と電気的に導通させることができる。
【0028】
同様に、前記下地導電膜、あるいは前記光反射を構成する金属膜が前記実装端子、および前記第1の基板間導通端子にも形成されている場合には、
前記第1の基板間導通端子と前記第2の基板間導通端子は、樹脂成分に分散している導電粒子を介して電気的に接続し、その際に前記導電粒子が前記第1の基板間導通端子内に形成されている前記無機絶縁膜を貫通していることが好ましい。このように構成すると、第1の基板間導通端子と第2の基板間導通端子とを接続した際、第1の基板間導通端子内では、前記導電粒子が絶縁膜を貫通することで第1の基板間導通端子と、その下層側に形成されている金属膜や下地導電膜と電気的に導通させることができる。
【0029】
本発明を適用した電気光学装置は、例えば、電子機器の表示部として用いられる。
【0030】
【発明の実施の形態】
添付図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【0031】
[実施の形態1]
(全体構成)
図1および図2はそれぞれ、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置の斜視図、およびその分解斜視図である。なお、これらの図、および以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺や数を異ならせている。
【0032】
図1および図2において、本形態の電気光学装置1では、所定の間隙を介してシール材30によって貼り合わされた矩形のガラスなどからなる一対の透明基板間にシール材30によって液晶封入領域35が区画され、この液晶封入領域35内に電気光学物質としての液晶が封入されて液晶層36(電気光学物質層)が形成されている。ここで、前記一対の透明基板のうち、画像表示領域2内で縦方向に延びる複数列の第1の駆動電極150が形成されている方の基板を第1の基板10とし、画像表示領域2内で横方向に延びる複数列の第2の駆動電極250が形成されている方の基板を第2の基板20とする。
【0033】
ここに示す電気光学装置1では、第1の基板10の外側表面に偏光板61が貼られ、第2の基板20の外側表面には偏光板62が貼られている。また、第1の基板10の外側には、バックライト装置9が配置されている。
【0034】
このように構成した電気光学装置11において、第1の基板10は、第2の基板20と比較して幅寸法は等しいが、長さ寸法の大きなものが用いられている。このため、第1の基板10と第2の基板20とを貼り合わせた状態で、第1の基板10の端部は、第2の基板20の基板辺201から張り出しており、この張り出し領域15には、駆動用IC50が実装される実装端子160が基板辺101に沿って形成されている。また、張り出し領域15には、可撓性基板8が実装される実装端子161も基板辺101に沿って形成されている。
【0035】
ここで、駆動用IC50が実装される実装端子160のうち、その中央領域で配列する実装端子160からは、対向する基板辺101に向かって第1の配線パターン11が延びて、第1の駆動電極150に接続している。
【0036】
また、第1の基板10において、画像表示領域2の両側には、第2の基板20と重なる領域に第1の基板間導通端子170が基板辺103、104に沿って配列されており、駆動用IC50が実装される実装端子160のうち、両側領域で配列する実装端子160からは、第1の配線パターン11が形成されている領域の外側を通って第2の配線パターン12が延びて第1の基板間導通端子170に接続している。
【0037】
これに対して、第2の基板20では、画像表示領域2で横方向に第2の駆動電極250が延びており、第2の駆動電極250の端部は、第1の基板間導通端子170と重なる第2の基板間導通端子270となっている。
【0038】
(基板上における層構造)
このように構成した電気光学装置の構成を、図3、および図4(A)、(B)を参照して詳述する。
【0039】
図3は、図1に示す電気光学装置に用いた第1の基板の構成を模式的に示す平面図である、図4(A)、(B)はそれぞれ、図3のA−A′線に沿って電気光学装置を切断したときの断面図、および図3のB1−B1′線並びにB2−B2′線で切断したときの断面図である。
【0040】
図3および図4(A)、(B)において、第1の基板10では、まず、下層側から上層側に向かって、ITO膜からなる下地導電膜110、銀合金などからなる光反射膜120、カラーフィルタ層7R、7G、7B、平坦化膜としての有機絶縁膜130、シリコン酸化膜などからなる無機絶縁膜140、ITO膜からなる第1の駆動電極150、および配向膜(図示せず)がこの順に形成されている。
【0041】
これに対して、第2の基板20では、ITO膜からなる第2の駆動電極250、および配向膜(図示せず)がこの順に形成されている。
【0042】
第1の基板10と第2の基板20とは、樹脂成分にギャップ材が配合されたシール材30によって貼り合わされている。ここで、シール材30は、画像表示領域2を区画するように形成され、その内側に電気光学物質層36が保持されている。
【0043】
シール材30は、樹脂成分にギャップ材および導電粒子が配合された導電粒子入りのシール材301と、樹脂成分にギャップ材が配合されたシール材302とが用いられ、導電粒子入りのシール材301は、第1の基板間導通端子170が形成されている2つの基板辺103、104と、張り出し領域15の側で第2の基板20の基板辺201が重なる1つの辺とからなる3つの辺に対して塗布されている。
【0044】
このように構成した電気光学装置1の第1の基板10において、下地導電膜110は、画像表示領域2に光反射膜120の下層側にベタの領域と形成されているとともに、実装端子160の下層側にも形成され、かつ、実装端子160の下層側から第1の配線パターン11の最下層配線111として第2の基板20との重なる位置まで延びている。また、下地導電膜110は、実装端子160の下層側から第2の配線パターン12の最下層配線112として第1の基板間導通端子170の下層側まで延びている。
【0045】
次に、下地導電膜110の上層に形成された光反射膜120は、画像表示領域2にベタの領域として形成されている。但し、光反射膜120は、第1の駆動電極150と第2の駆動電極250とが対向する画素では、その一部が除去されて光透過穴125が形成されている。
【0046】
また、第1の基板10において、光反射膜120と同時形成された金属膜は、実装端子160の下層側に下地電極123として形成されているとともに、第2の基板20の基板辺201付近と重なる領域にも下地電極121として形成されている。さらに、光反射膜120と同時形成された金属膜については、第2の基板20との重なり領域では第2の配線パターン12の下層配線122として第1の基板間導通端子170の下層側まで延びている。但し、光反射膜120と同時形成された金属膜は、第1の基板10の張り出し領域15において第2の基板20の基板辺201から露出する部分には形成されておらず、この領域では途切れている。
【0047】
次に、光反射膜120の上層側には、画像表示領域2にR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルタ層7R、7G、7Bが形成されている。ここで、カラーフィルタ層7R、7G、7Bは、色材を樹脂に分散させてなるもので、各画素において、光反射膜120が除去されて光透過穴125が形成されている領域では、光反射膜120が形成されている領域と比較して分厚く形成されている。
【0048】
次に、カラーフィルタ層7R、7G、7Bの上層には、分厚い有機絶縁膜130が平坦化膜として形成されている。ここで、有機絶縁膜130は、画像表示領域2に選択的に形成され、その外周側には形成されていない。すなわち、有機絶縁膜130は、実装端子160、および第1の基板間導通端子170を避けて形成されているとともに、シール材30が塗布される領域も避けて形成されている。
【0049】
次に、有機絶縁膜130の上層には、基板全面に薄いシリコン酸化膜からなる無機絶縁膜140が形成されている。
【0050】
次に、無機絶縁膜140の上層では、画像表示領域2にITO膜からなる第1の駆動電極150が形成されているとともに、第1の駆動電極150と同時形成されたITO膜によって、実装端子160、および第1の基板間導通端子170が形成されている。
【0051】
また、第1の駆動電極150と同時形成されたITO膜は、実装端子160から第1の配線パターン11の上層配線151として第2の基板20との重なり領域まで延び、そこから先が第1の駆動電極150になっている。さらに、第1の駆動電極150と同時形成されたITO膜は、第2の基板20の露出している部分では、第2の配線パターン12の上層配線152として形成されているが、第2の基板20と重なる領域には形成されておらず、途切れている。
【0052】
(製造方法)
次に、図5、図6、および図7を参照して、本形態の電気光学装置に用いた各基板の構造を製造方法を説明しながらさらに詳述する。
【0053】
図5(A)〜(F)はそれぞれ、図1に示す電気光学装置に用いた第1の基板および第2の基板に形成された各要素の説明図である。図6(A)〜(F)、および図7(A)〜(F)はそれぞれ、図1に示す電気光学装置に用いた第1の基板および第2の基板の製造方法を示す工程断面図である。なお、図5(B)、(C)、(D)において画像表示領域内には、矩形枠内複数の画素を拡大して模式的に示してある。
【0054】
まず、図5(A)に示すように、第2の基板20を製造するには、基板全面にITO膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、画像表示領域2で横方向に延びた第2の駆動電極250(斜線を付した領域)を形成する。ここで、第2の駆動電極250の端部によって、第2の基板間導通端子270が形成される。
【0055】
これに対して第1の基板10を製造するには、まず、図5(B)、図6(A)、および図7(A)に示すように、基板全面にITO膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、下地導電膜110(図5(B)で斜線を付した領域)を画像表示領域2にベタの矩形領域として形成する。また、下地導電膜110については、実装端子160を形成すべき領域にも形成し、かつ、実装端子160の下層側から第1の配線パターン11の最下層配線111として第2の基板20との重なる位置まで残す。また、下地導電膜110については、実装端子160の下層側から第2の配線パターン12の最下層配線121として第1の基板間導通端子170の下層側まで残す。
【0056】
次に、図5(C)、図6(B)、および図7(B)に示すように、下地導電膜110の上層に銀合金膜などからなる金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、画像表示領域2にベタの光反射膜120(図5(C)で斜線を付した領域)を形成する。この際、光反射膜120には、第1の駆動電極150と第2の駆動電極250とが対向する領域の一部を除去し光透過穴125を形成する。
【0057】
また、光反射膜120と同時形成された金属膜については、実装端子160を形成すべき領域の下層側に下地電極123として残すとともに、第2の基板20の基板辺201と重なる領域に下地電極121として残す。また、光反射膜120と同時形成された金属膜については、第2の基板20との重なり領域では第2の配線パターン12の下層配線122として第1の基板間導通端子170の下層側まで残す。但し、光反射膜120と同時形成された金属膜については、第1の基板10の張り出し領域15において第2の基板20の基板辺201から露出する部分では除去する。
【0058】
ここで、光反射膜120を構成する金属膜の下層側に下地導電膜110が形成されている。このため、光反射膜120を構成する金属膜として銀合金膜を用いたため、金属膜と基板との密着性が低くても、光反射膜120などのパターニング精度の低下や剥がれなどといった不具合が発生しない。
【0059】
次に、図5(D)、図6(C)、および図7(C)に示すように、光反射膜120の上層側において、画像表示領域2の所定位置にR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルタ層7R、7G、7B(斜線を付した領域)を形成する。カラーフィルタ層7R、7G、7Bは、色材を樹脂に分散させてなるもので、各画素において、光反射膜120が除去されて光透過穴125が形成されている領域では、光反射膜120が形成されている領域と比較して分厚く形成される。
【0060】
次に、図5(E)、図6(D)、および図7(D)に示すように、カラーフィルタ層7R、7G、7Bの上層に分厚い有機絶縁膜130を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、有機絶縁膜130(斜線を付した領域)を画像表示領域2に選択的に残し、その外周側には残さない。その結果、有機絶縁膜130は、実装端子160、および第1の基板間導通端子170を避けて形成されるとともに、シール材30が塗布される領域も避けて形成された状態となる。
【0061】
次に、図6(E)、および図7(E)に示すように、有機絶縁膜130の上層において、基板全面に薄いシリコン酸化膜からなる無機絶縁膜140を形成する。
【0062】
次に、図5(F)、図6(F)、および図7(F)に示すように、無機絶縁膜140の上層において基板全面にITO膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、画像表示領域2に第1の駆動電極150(斜線を付した領域)を形成する。また、第1の駆動電極150と同時形成されたITO膜については、実装端子160、および第1の基板間導通端子170として残す。さらに、第1の駆動電極150と同時形成されたITO膜については、実装端子160から第1の配線パターン11として第2の基板20との重なり領域まで第1の配線パターン11の上層配線151として残し、そこから先に第1の駆動電極150に繋がった状態とする。さらにまた、第1の駆動電極150と同時形成されたITO膜については、第2の基板20の基板辺201から露出している部分では、第2の配線パターン12の上層配線152として形成するが、第2の基板20と重なる領域では除去する。
【0063】
このようなエッチングを行う際、光反射膜120を構成する銀合金膜は、露出した状態にないので、ITO膜に対するエッチング液で光反射膜120を構成する銀合金膜が腐食することがない。
【0064】
(ICの実装構造および基板間導通構造)
第1の配線パターン11、および第2の配線パターン12の上層配線151、152に繋がる実装端子160に対しては、樹脂成分に導電粒子41が配合された異方性導電膜40によって駆動用IC50を実装する。この際、実装端子160の下層側には、シリコン酸化膜からなる薄い無機絶縁膜140が形成されているが、その下層側には、光反射膜120と同時形成された金属膜からなる下地電極123、および下地導電膜110が形成されている。このため、異方性導電膜40を介して駆動用IC50を第1の基板10に熱圧着した際、下層側に膜が存在することにより、圧着時の圧力で導電粒子41が無機絶縁膜140を貫通し、実装端子160は、光反射膜120と同時形成された金属膜からなる下地電極123に電気的に接続し、かつ、この下地電極123を介して、第1の配線パターン11および第2の配線パターン12の最下層配線111、112にも電気的に接続することになる。
【0065】
また、第1の基板10と第2の基板20とはシール材30によって貼り合わされるが、第1の基板間導通端子170が形成されている2つの基板辺103、104に沿う領域と、張り出し領域15の側で第2の基板20の基板辺201が重なる領域では、導電粒子303を含むシール材301が塗布される。
【0066】
従って、張り出し領域15側で第2の基板20の基板辺201が重なる部分では、導電粒子303を含むシール材30を介して第1の基板10と第2の基板20とが熱圧着されることになる。ここで、第1の配線パターン11の上層配線151の下層側には無機絶縁膜140が形成されているが、その下層側には、光反射膜120と同時形成された金属膜からなる下地電極121が形成され、さらにその下層側には、下地導電膜110からなる第1の配線パターン11の最下層配線111が形成されている。このため、シール材301を介して第1の基板10と第2の基板20とが熱圧着した際、下層側に膜が存在することにより、圧着時の圧力で導電粒子303が無機絶縁膜140を貫通し、第1の配線パターン11の上層配線151は、下地電極121に電気的に接続する。その結果、第1の配線パターン11の上層配線151は、下地電極121を介して、第1の配線パターン11の最下層配線111にも電気的に接続することになる。
【0067】
従って、第1の配線パターン11において、第2の基板20の基板辺から露出する部分で、光反射膜120と同時形成された金属配線が途切れていても、この部分での配線抵抗が小さい。
【0068】
同様に、張り出し領域15側で第2の基板20の基板辺201が重なる部分で、導電粒子303を含むシール材30を介して第1の基板10と第2の基板20とが熱圧着する際、第2の配線パターン12の上層配線152の下層側には無機絶縁膜140が形成されているが、その下層側には、光反射膜120と同時形成された金属膜からなる第2の配線パターン12の下層配線122が形成され、さらにその下層側には、下地導電膜110からなる第2の配線パターン12の最下層配線112が形成されている。このため、シール材301を介して第1の基板10と第2の基板20とが熱圧着した際、その圧力で導電粒子303が無機絶縁膜140を貫通し、第2の配線パターン12の上層配線152は、第2の配線パターン12の下層配線122に電気的に接続するとともに、この下層配線122を介して、第2の配線パターン12の最下層配線112にも電気的に接続することになる。
【0069】
従って、第2の基板20の基板辺から露出する部分で、光反射膜120と同時形成された金属配線が途切れていても、この部分での電気的な抵抗が小さい。
【0070】
さらに、第1の基板間導通端子170が形成されている部分で、導電粒子303を含むシール材30を介して第1の基板10と第2の基板20とを熱圧着する際、第1の基板間導通端子170の下層側には無機絶縁膜140が形成されているが、その下層側には、光反射膜120と同時形成された第2の配線パターン12の下層配線122が形成され、さらにその下層側には、下地導電膜110からなる第2の配線パターン12の最下層配線112が形成されている。このため、シール材301を介して第1の基板10と第2の基板20とが熱圧着した際、その圧力で導電粒子303が無機絶縁膜140を貫通し、第1の基板間導通端子170は、第2の配線パターン12の下層配線122に電気的に接続するとともに、この下層配線122を介して、第2の配線パターン12の最下層配線112にも電気的に接続することになる。
【0071】
このように構成した電気光学装置1において、駆動用IC50から各実装端子160に信号が出力されると、中央領域に形成されている実装端子160からは、第1の駆動電極150と同時形成されたITO膜からなる上層配線151、およびITO膜からなる最下層配線115を備えた第1の配線パターン11を介して第1の駆動電極150に供給される。
【0072】
これに対して、両側領域に形成されている実装端子160からは、第2の配線パターン12のうち、第2の基板20の基板辺201から露出している部分では、第1の駆動電極150と同時形成されたITO膜からなる上層配線152、およびITO膜からなる最下層配線12を介して信号が伝達された後、第2の基板20と重なる領域では、光反射膜120と同時形成された第2の配線パターン12の下層配線122、およびITO膜からなる最下層配線112を介して第1の基板間導通端子170に信号が供給される。そして、第1の基板間導通端子170に供給された信号は、第1の基板間導通端子170、シール材301に含まれる導電粒子303、および第2の基板間導通端子270を介して第2の駆動電極250に供給される。
【0073】
その結果、第1の駆動電極150と第2の駆動電極250とが対向する部分では、そこに位置する液晶層36の配向状態が画素毎に制御される。従って、第2の基板20側から入射した外光は、光反射膜120で反射して再び、第2の基板20から出射される間に光変調を受けて画像を表示する(反射モード)。また、第1の駆動電極150の下層側に形成した光反射膜120には光透過穴125が形成されているので、第1の基板10の背面側に配置したバックライト装置9から出射された光は、光透過穴125を透過して液晶層36に入射し、第2の基板20から出射する間に光変調を受けて画像を表示する(透過モード)。
【0074】
この際、第1の基板10には、第1の駆動電極150と第2の駆動電極50とが対向する領域と重なる部分にカラーフィルタ層7R、7G、7Bが形成されているので、カラー画像を表示することができる。
【0075】
(本形態の主な効果)
以上説明したように、実装端子160から第1の基板間導通端子170まで引き回される第2の配線パターン12には、光反射膜120を構成する金属膜からなる金属配線(下層配線122)が用いられているので、配線抵抗が小さい。
【0076】
また、第1の基板10の側において光反射膜120と第1の駆動電極140との層間にカラーフィルタ層7R、7G、7Bが形成され、かつ、カラーフィルタ層7R、7G、7Bの下層側において光反射膜120には光透過穴125が形成されている。このため、透過モードによる表示を行うための光透過穴125に形成されたカラーフィルタ層7R、7G、7Bは、反射モードによる表示を行うそれ以外の領域に形成されたカラーフィルタ層7R、7G、7Bに比較して厚い。それ故、透過表示光は、カラーフィルタ層7R、7G、7Bを1回だけ透過し、反射表示光は、入射時と出射時の2回、カラーフィルタ層7R、7G、7Bを透過するとしても、透過モードで表示した場合と反射モードで表示した場合とで反射モードの色が濃く透過モードの色が淡くなってしまうという課題が発生しないため、品位の高い表示を行うことができる。
【0077】
また、カラーフィルタ層7R、7G、7Bと第1の駆動電極150との層間には有機絶縁膜130が形成されている。従って、カラーフィルタ層7R、7G、7Bを形成すると、表面に凹凸が発生する結果、液晶層36の厚さが変動して配向制御が乱れるなどの問題が発生するが、本形態では、カラーフィルタ層7R、7G、7Bの上層に有機絶縁膜130からなる平坦化膜が形成されているので、このような問題を回避できる。
【0078】
但し、第1の駆動電極150を形成するには、基板の全面にITO膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングするが、その際、有機絶縁膜130上に形成されたITO膜と、有機絶縁膜130が形成されていない領域に形成されたITO膜とでは、ITO膜と下地との密着性が異なるため、エッチング速度が異なり、エッチング精度が低下する。しかるに本形態では、有機絶縁膜130の上層に基板全面に無機絶縁膜140を形成するため、基板の全面においてITO膜と下地との密着性が等しい。それ故、基板の全面においてITO膜のエッチング速度が等しいので、下層側に有機絶縁膜130を形成しても、第1の駆動電極150を高い精度でエッチングできる。
【0079】
さらに、下地導電膜110、あるいは光反射膜120を構成する金属膜が実装端子160、および第1の基板間導通端子170の下層側にも形成されている。このため、実装端子160に駆動用IC50のバンプ51を実装した際、実装端子160の下層側では、導電粒子41が無機絶縁膜140を貫通することで実装端子160と、その下層側に形成されている金属膜や下地導電膜110と電気的に導通させることができる。また、第1の基板間導通端子170と第2の基板間導通端子270とを接続した際、第1の基板間導通端子170の下層側では、導電粒子303が無機絶縁膜140を貫通することで第1の基板間導通端子170と、その下層側に形成されている金属膜や下地導電膜110と電気的に導通させることができる。
【0080】
また、金属配線は、第1の配線パターン11、および第2の配線パターン12のうち、第2の基板20の縁から露出している領域では途切れている。従って、光反射膜120を形成した以降、その上層側で第1の駆動電極150などをエッチングによりパターニングする際、あるいは電気光学装置1を製造し終えた以降、第2の基板20の基板辺201から露出している領域において金属配線が腐食するなどの問題が発生しない。
【0081】
[実施の形態2]
図8(A)、(B)はそれぞれ、図3のA−A′線に相当する位置に沿って電気光学装置を切断したときの断面図、および図3のB1−B1′線並びにB2−B2′線に相当する位置で切断したときの断面図である。図9(A)〜(F)はそれぞれ、図1に示す電気光学装置に用いた第1の基板および第2の基板に形成された各要素の説明図である。図10(A)〜(F)、および図11(A)〜(F)はそれぞれ、本形態の電気光学装置に用いた第1の基板および第2の基板の製造方法を示す工程断面図である。なお、本形態、および以下に説明する各形態の基本的な構成は、実施の形態1と共通しているので、共通する部分について同一の符号を付して図示することにして、それらの詳細な説明を省略する。
【0082】
図8(A)、(B)において、本形態の電気光学装置でも、実施の形態1と同様、第1の基板10では、まず、下層側から上層側に向かって、ITO膜からなる下地導電膜110、光反射膜120、カラーフィルタ層7R、7G、7B、平坦化膜としての有機絶縁膜130、シリコン酸化膜などからなる無機絶縁膜140、ITO膜からなる第1の駆動電極150、および配向膜(図示せず)がこの順に形成されている。
【0083】
また、本形態でも、第1の基板10には、下地導電膜110が画像表示領域2に形成され、その上層側には光反射膜120が形成されている。ここで、光反射膜120には、第1の駆動電極150と第2の駆動電極250とが対向する画素では、その一部が除去されて光透過穴125が形成されている。
【0084】
さらに、本形態では、光反射膜120の光透過穴125と重なる位置には、下地導電膜110に穴115が形成されている。従って、光反射膜120の上層側にカラーフィルタ層7R、7G、7Bを形成すると、光反射膜120が除去されて光透過穴125が形成されている領域では、下地導電膜110にも穴115が形成されているため、光反射膜120が形成されている領域と比較して分厚く形成されている。従って、透過モードによる表示を行うための光透過穴125に形成されたカラーフィルタ層7R、7G、7Bは、反射モードによる表示を行うそれ以外の領域に形成されたカラーフィルタ層7R、7G、7Bに比較して充分に厚い。それ故、透過表示光は、カラーフィルタ層7R、7G、7Bを1回だけ透過し、反射表示光は、入射時と出射時の2回、カラーフィルタ層7R、7G、7Bを透過するとしても、透過モードで表示した場合と反射モードで表示した場合とで反射モードの色が濃く透過モードの色が淡くなってしまうという課題が発生しないため、品位の高い表示を行うことができる。
【0085】
なお、本形態の電気光学装置1を製造するには、実施の形態1に関して図5(B)、図6(A)および図7(A)を参照して説明した工程に代えて、図9(B)、図10(A)および図11(A)に示すように、基板全面にITO膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングして、下地導電膜110を形成する際、穴115を形成すればよい。その他の構成については実施の形態1と同様であるため、説明を省略する。
【0086】
[実施の形態3]
図12(A)、(B)はそれぞれ、図3のA−A′線に相当する位置に沿って電気光学装置を切断したときの断面図、および図3のB1−B1′線並びにB2−B2′線に相当する位置で切断したときの断面図である。図13(A)〜(F)はそれぞれ、図1に示す電気光学装置に用いた第1の基板および第2の基板に形成された各要素の説明図である。図14(A)〜(F)、および図15(A)〜(F)はそれぞれ、本形態の電気光学装置に用いた第1の基板および第2の基板の製造方法を示す工程断面図である。
【0087】
図12(A)、(B)において、本形態の電気光学装置でも、実施の形態1と同様、第1の基板10では、まず、下層側から上層側に向かって、ITO膜からなる下地導電膜110、光反射膜120、カラーフィルタ層7R、7G、7B、平坦化膜としての有機絶縁膜130、シリコン酸化膜などからなる無機絶縁膜140、ITO膜からなる第1の駆動電極150、および配向膜(図示せず)がこの順に形成されている。
【0088】
ここで、実施の形態1では、実装端子160の下層側に、光反射膜120と同時形成された金属膜を下地電極123として残したが、本形態では、実装端子160の下層側に金属膜を残さない。
【0089】
このように構成した場合にも、第1の配線パターン11、および第2の配線パターン12の上層配線151、152に繋がる実装端子160に対して、樹脂成分に導電粒子が配合された異方性導電膜40によって駆動用IC50を実装する。この際、実装端子160の下層側には、シリコン酸化膜からなる薄い無機絶縁膜140が形成されているが、その下層側には、下地導電膜110が形成されている。このため、異方性導電膜40を介して駆動用IC50を第1の基板10に熱圧着した際、その圧力で導電粒子41が無機絶縁膜140を貫通し、実装端子160は、第1の配線パターン11、および第2の配線パターン12の最下層配線111、112にも電気的に接続することになる。
【0090】
なお、本形態の電気光学装置1を製造するには、実施の形態1に関して図5(C)、図6(B)および図7(B)を参照して説明した工程に代えて、図9(C)、図10(C)および図11(C)に示すように、基板全面に金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングして、光反射膜120を形成する際、実装端子160を形成すべき領域から金属膜を除去すればよい。その他の構成については実施の形態1と同様であるため、説明を省略する。
【0091】
[実施の形態4]
図16(A)、(B)はそれぞれ、図3のA−A′線に相当する位置に沿って電気光学装置を切断したときの断面図、および図3のB1−B1′線並びにB2−B2′線に相当する位置で切断したときの断面図である。図17(A)〜(F)はそれぞれ、図1に示す電気光学装置に用いた第1の基板および第2の基板に形成された各要素の説明図である。図18(A)〜(F)、および図19(A)〜(F)はそれぞれ、本形態の電気光学装置に用いた第1の基板および第2の基板の製造方法を示す工程断面図である。
【0092】
図16(A)、(B)において、本形態の電気光学装置でも、実施の形態1と同様、第1の基板10では、まず、下層側から上層側に向かって、ITO膜からなる下地導電膜110、光反射膜120、カラーフィルタ層7R、7G、7B、平坦化膜としての有機絶縁膜130、シリコン酸化膜などからなる無機絶縁膜140、ITO膜からなる第1の駆動電極150、および配向膜(図示せず)がこの順に形成されている。
【0093】
実施の形態1では、光反射膜120と同時形成された金属膜は、第1の基板10の張り出し領域15において第2の基板20の基板辺201から露出する部分には形成されておらず、この領域では途切れていたが、本形態では、このような領域にも金属膜を第1の配線パターン11の下層配線126、および第2の配線パターン12の下層配線127として形成されている。
【0094】
その代わりに、有機絶縁膜130は、第1の配線パターン11の下層配線126、および第2の配線パターン12の下層配線127の上層にも残してある。このため、例えば、第1の駆動電極150と同時形成されたITO膜については、第1の配線パターン11および第2の配線パターン12の上層配線151、152を、第1の基板10の張り出し領域15において第2の基板20の基板辺201から露出する部分で途切れた構造とした場合でも配線抵抗が増大することがない。
【0095】
このような構成の電気光学装置1を製造するには、図17(C)、図18(B)、および図19(B)に示すように、下地導電膜110の上層に銀合金膜などからなる金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングして、画像表示領域2にベタの光反射膜120を形成する際、第1の基板10の張り出し領域15において第2の基板20の基板辺201から露出する部分にも、第1の配線パターン11の下層配線126、および第2の配線パターン12の下層配線127として残す。
【0096】
また、図17(E)、図18(D)、および図19(D)に示すように、カラーフィルタ層7R、7G、7Bの上層に分厚い有機絶縁膜130を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングして、有機絶縁膜130(斜線を付した領域)を画像表示領域2に選択的に残す際、第1の基板10の張り出し領域15において第2の基板20の基板辺201から露出する部分にも、第1の配線パターン11の下層配線126、および第2の配線パターン12の下層配線127を覆うように残す。
【0097】
従って、図17(F)、図18(F)、および図19(F)に示すように、無機絶縁膜140の上層において基板全面にITO膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、画像表示領域2に第1の駆動電極150(斜線を付した領域)を形成する際、第1の基板10の張り出し領域15において第2の基板20の基板辺201から露出する部分では、第1の配線パターン11の下層配線126、および第2の配線パターン12の下層配線127が有機絶縁膜130で保護されているので、これらの下層配線126、127に腐食などが発生しない。
【0098】
また、電気光学装置1が完成した以降も、第1の基板10の張り出し領域15において第2の基板20の基板辺201から露出する部分では、第1の配線パターン11の下層配線126、および第2の配線パターン12の下層配線127が有機絶縁膜130で保護されているので、腐食などが発生しないので、この部分に対して樹脂モールドを施す必要がない。
【0099】
その他の構成は、実施の形態1と同様であるため、それらの説明を省略する。
【0100】
[実施の形態5]
図20(A)、(B)はそれぞれ、図3のA−A′線に相当する位置に沿って電気光学装置を切断したときの断面図、および図3のB1−B1′線並びにB2−B2′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【0101】
図20(A)、(B)において、本形態の電気光学装置でも、実施の形態1と同様、第1の基板10では、まず、下層側から上層側に向かって、ITO膜からなる下地導電膜110、光反射膜120、カラーフィルタ層7R、7G、7B、平坦化膜としての有機絶縁膜130、シリコン酸化膜などからなる無機絶縁膜140、ITO膜からなる第1の駆動電極150、および配向膜(図示せず)がこの順に形成されている。
【0102】
ここで、実施の形態1では、光反射膜120と同時形成された金属膜の上層に直接、カラーフィルタ層7R、7G、7Bが形成されていたが、本形態では、光反射膜120として用いた銀合金膜の上層にITO膜からなる導電性保護膜190が形成されている。このため、カラーフィルタ層7R、7G、7Bを形成する際、焼成する場合でも、その熱で銀合金膜の表面が変色するなどの不具合を防止できる。また、導電性保護膜190をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする際、光反射膜120を形成する際に用いた露光マスクをそのまま使用できるので、製造コストが大幅に増大することもない。
【0103】
なお、各層の平面的なレイアウトなど、その他の構成は、実施の形態1と同様であるため、それらの説明を省略する。
【0104】
[実施の形態6]
図21(A)、(B)はそれぞれ、図3のA−A′線に相当する位置に沿って電気光学装置を切断したときの断面図、および図3のB1−B1′線並びにB2−B2′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【0105】
図21(A)、(B)において、本形態の電気光学装置の第1の基板10では、光反射膜120としてアルミニウム膜が用いられており、アルミニウム膜は、銀合金膜と違って、ガラスなどの下地に対する密着性がよい。従って、本形態において、第1の基板10では、下地に対して光反射膜120が直接、形成され、この光反射膜120の上層に、カラーフィルタ層7R、7G、7B、平坦化膜としての有機絶縁膜130、シリコン酸化膜などからなる無機絶縁膜140、ITO膜からなる第1の駆動電極150、および配向膜(図示せず)がこの順に形成されている。
【0106】
このように構成した場合も、例えば、第1の基板間導通端子170が形成されている部分で、導電粒子303を含むシール材30を介して第1の基板10と第2の基板20とを熱圧着する際、第1の基板間導通端子170の下層側には無機絶縁膜140が形成されているが、その下層側には、光反射膜120と同時形成された第2の配線パターン12の下層配線122が形成されている。このため、シール材301を介して第1の基板10と第2の基板20とが熱圧着した際、その圧力で導電粒子303が無機絶縁膜140を貫通し、第1の基板間導通端子170は、第2の配線パターン12の下層配線122に電気的に接続することになる。
【0107】
なお、各層の平面的なレイアウトなど、その他の構成は、実施の形態1と同様であるため、それらの説明を省略する。
【0108】
[実施の形態7]
図22(A)、(B)はそれぞれ、図3のA−A′線に相当する位置に沿って電気光学装置を切断したときの断面図、および図3のB1−B1′線並びにB2−B2′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【0109】
図22(A)、(B)に示すように、例えば、実施の形態6において、光反射膜120の下層側において、基板表面に凹凸19を付すことにより、光反射膜120の上面(反射面)に凹凸129を付与してもよい。このように構成すると、反射光を散乱光として出射できるので、表示の視角依存性を解消できる。
【0110】
[その他の実施の形態]
なお、上記形態では、光反射膜として、銀合金膜、アルミニウム膜を用いた例を説明したが、アルミニウム合金膜、もしくはモリブデン膜あるいはモリブデン合金膜とアルミニウム膜あるいはアルミニウム合金膜との多層構造などを採用してもよい。
【0111】
本発明の電気光学装置は、上述した液晶装置の他にも、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、FED(フィールドエミッションディスプレイ)装置、LED(発光ダイオード)表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)を用いた装置等に適用可能である。
【0112】
[電子機器への適用]
次に、本発明を適用した電気光学装置を備えた電子機器の一例を、図23を参照して説明する。
【0113】
図23は、上記の電気光学装置と同様に構成された電気光学装置1を備えた電子機器の構成をブロック図である。
【0114】
図23において、電子機器は、表示情報出力源1000、表示情報処理回路1002、表示モードを切り換えるための制御回路を備えた駆動回路1004、電気光学装置1、クロック発生回路1008、および電源回路1010を含んで構成される。表示情報出力源1000は、ROM(Read Only Memory)、RAM(Randam Access Memory)、光ディスクなどのメモリ、テレビ信号の画像信号を同調して出力する同調回路などを含んで構成され、クロック発生回路1008からのクロックに基づいて、所定フォーマットの画像信号を処理して表示情報処理回路1002に出力する。この表示情報出力回路1002は、たとえば増幅・極性反転回路、相展開回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、あるいはクランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成され、クロック信号に基づいて入力された表示情報からデジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKとともに駆動回路1004に出力する。駆動回路1004は、電気光学装置1を駆動する。電源回路1010は、上述の各回路に所定の電源を供給する。
【0115】
このような構成の電子機器としては、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話機、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ(PC)、およびエンジニアリング・ワークステーション(EWS)、ページャ、あるいは携帯電話、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネルなどを挙げることができる。
【0116】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置では、実装端子から第1の基板間導通端子まで引き回される第2の配線パターンについては、光反射膜を構成する金属膜で形成されているので、電気的な抵抗を小さくできる。また、光反射層と第1の駆動電極との層間にカラーフィルタ層が形成され、かつ、カラーフィルタ層の下層側において光反射膜には光透過穴が形成されている。このため、透過モードによる表示を行う光透過窓に形成されたカラーフィルタ層は、反射モードによる表示を行うそれ以外の領域に形成されたカラーフィルタ層に比較して厚い。それ故、透過表示光は、カラーフィルタ層を1回だけ透過し、反射表示光は、入射時と出射時の2回、カラーフィルタ層を透過するとしても、透過モードで表示した場合と反射モードで表示した場合とで反射モードの色が濃く透過モードの色が淡くなってしまうという課題がが発生しないため、品位の高い表示を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1に係る電気光学装置の斜視図である。
【図2】 図1に示す電気光学装置の分解斜視図である。
【図3】 図1に示す電気光学装置に用いた第1の基板の構成を模式的に示す平面図である、
【図4】 (A)、(B)はそれぞれ、図3のA−A′線に沿って電気光学装置を切断したときの断面図、および図3のB1−B1′線並びにB2−B2′線で切断したときの断面図である。
【図5】 図1に示す電気光学装置に用いた第1の基板および第2の基板に形成された各要素の説明図である。
【図6】 (A)〜(F)はそれぞれ、図1に示す電気光学装置に用いた第1の基板の製造方法を図4(A)に対応するように示した工程断面図である。
【図7】 (A)〜(F)はそれぞれ、図1に示す電気光学装置に用いた第1の基板の製造方法を図4(B)に対応するように示した工程断面図である。
【図8】 (A)、(B)はそれぞれ、本発明の実施の形態2に係る電気光学装置を図3のA−A′線に相当する位置で切断したときの断面図、および図3のB1−B1′線並びにB2−B2′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【図9】 図8に示す電気光学装置に用いた第1の基板および第2の基板に形成された各要素の説明図である。
【図10】 (A)〜(F)はそれぞれ、図8に示す電気光学装置に用いた第1の基板の製造方法を図8(A)に対応するように示した工程断面図である。
【図11】 (A)〜(F)はそれぞれ、図8に示す電気光学装置に用いた第1の基板の製造方法を図8(B)に対応するように示した工程断面図である。
【図12】 (A)、(B)はそれぞれ、本発明の実施の形態3に係る電気光学装置を図3のA−A′線に相当する位置で切断したときの断面図、および図3のB1−B1′線並びにB2−B2′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【図13】 図12に示す電気光学装置に用いた第1の基板および第2の基板に形成された各要素の説明図である。
【図14】 (A)〜(F)はそれぞれ、図12に示す電気光学装置に用いた第1の基板の製造方法を図12(A)に対応するように示した工程断面図である。
【図15】 (A)〜(F)はそれぞれ、図12に示す電気光学装置に用いた第1の基板の製造方法を図12(B)に対応するように示した工程断面図である。
【図16】 (A)、(B)はそれぞれ、本発明の実施の形態4に係る電気光学装置を図3のA−A′線に相当する位置で切断したときの断面図、および図3のB1−B1′線並びにB2−B2′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【図17】 図16に示す電気光学装置に用いた第1の基板および第2の基板に形成された各要素の説明図である。
【図18】 (A)〜(F)はそれぞれ、図16に示す電気光学装置に用いた第1の基板の製造方法を図16(A)に対応するように示した工程断面図である。
【図19】 (A)〜(F)はそれぞれ、図16に示す電気光学装置に用いた第1の基板の製造方法を図16(B)に対応するように示した工程断面図である。
【図20】 (A)、(B)はそれぞれ、本発明の実施の形態5に係る電気光学装置を図3のA−A′線に相当する位置で切断したときの断面図、および図3のB1−B1′線並びにB2−B2′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【図21】 (A)、(B)はそれぞれ、本発明の実施の形態6に係る電気光学装置を図3のA−A′線に相当する位置で切断したときの断面図、および図3のB1−B1′線並びにB2−B2′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【図22】 (A)、(B)はそれぞれ、本発明の実施の形態7に係る電気光学装置を図3のA−A′線に相当する位置で切断したときの断面図、および図3のB1−B1′線並びにB2−B2′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【図23】 本発明を適用した電気光学装置を用いた電子機器の電気的な構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
1 電気光学装置、2 画像表示領域、7R、7G、7B カラーフィルタ層、9 バックライト装置、10 第1の基板、11 第1の配線パターン、12 第2の配線パターン、15 張り出し領域、19 基板側の凹凸、20 第2の基板、30 シール材、35 液晶封入領域、36 液晶層(電気光学物質層)、50 駆動用IC、61、62 偏光板、101、102、103、104 第1の基板の基板辺、110 下地導電膜、111 第1の配線パターンの最下層配線、112 第2の配線パターンの最下層配線、120 光反射膜、121下地電極、122 第2の配線パターンの下層配線(金属配線)、123 下地電極、125 光透過穴、126 第1の配線パターンの下層配線(金属配線)、129 光反射膜の凹凸、130 有機絶縁膜、140 無機絶縁膜、150 第1の駆動電極、151 第1の配線パターンの上層配線、152 第2の配線パターンの上層配線、160、161 実装端子、170 第1の基板間導通端子、190 導電性保護膜、201 第2の基板の基板辺、250 第2の駆動電極、270 第2の基板間導通端子、301 導電粒子入りのシール材、302 シール材、303 導電粒子

Claims (16)

  1. 第1の基板と、該第1の基板に対してシール材によって所定の間隙を介して貼り合わされた第2の基板と、前記間隙のうち、シール材で区画された領域内に保持された電気光学物質層とを有し、前記第1の基板および前記第2の基板の各々に形成された透明な第1の駆動電極および透明な第2の駆動電極によって前記電気光学物質層に電界が印加される電気光学装置において、
    前記第1の基板は、前記第2の基板からの張り出し領域に形成された実装端子と、前記第2の基板との重なり領域に形成された第1の基板間導通端子と、前記シール材よりも内側を引き回されて前記実装端子と前記第1の基板間導通端子とを接続する配線パターンとを備え、
    前記第2の基板は、前記第1の基板間導通端子に対向する第2の基板間導通端子を備え、
    前記第1の基板における前記第1の駆動電極の下層側には、前記第1の駆動電極と前記第2の駆動電極とが対向する領域と重なる領域の一部に光透過穴が形成された光反射膜が形成されているとともに、前記光反射膜と前記第1の駆動電極との層間にカラーフィルタ層が形成され、前記配線パターンは、少なくともその一部に前記光反射膜と同一の金属膜からなる金属配線を備え、
    前記配線パターンの一部を構成する上層配線の下層側には無機絶縁膜が形成され、該無機絶縁膜の一部の下層側には前記金属配線が形成され、前記シール材の一部は導電粒子を含み、
    前記上層配線と前記金属配線とが、前記第1の基板間導通端子と前記第2の基板間導通端子の接続位置で前記シール材の導電粒子が前記無機絶縁膜を貫通することにより電気的に接続され、更に前記張り出し領域側の前記第2の基板辺に位置する個所で前記シール材の導電粒子が前記無機絶縁膜を貫通することにより電気的に接続されたことを特徴とする電気光学装置。
  2. 第1の基板と、該第1の基板に対してシール材によって所定の間隙を介して貼り合わされた第2の基板と、前記間隙のうち、シール材で区画された領域内に保持された電気光学物質層とを有し、前記第1の基板および前記第2の基板の各々に形成された透明な第1の駆動電極および透明な第2の駆動電極によって前記電気光学物質層に電界が印加される電気光学装置において、
    前記第1の基板は、前記第2の基板からの張り出し領域に形成された実装端子と、前記実装端子から前記シール材で区画された領域内に延設される配線パターンと、前記第2の基板との重なり領域に形成された第1の基板間導通端子と、前記張り出し領域に実装される駆動用ICと、を備え、
    前記第2の基板は、前記第1の基板間導通端子に対向する第2の基板間導通端子を備え、
    前記第1の基板における前記第1の駆動電極の下層側には、前記第1の駆動電極と前記第2の駆動電極とが対向する領域と重なる領域の一部に光透過穴が形成された光反射膜が形成されているとともに、前記光反射膜と前記第1の駆動電極との層間にカラーフィルタ層が形成され、前記配線パターンは、少なくともその一部に前記光反射膜と同一の金属膜からなる金属配線を備え、
    前記配線パターンの一部を構成する上層配線の下層側には無機絶縁膜が形成され、該無機絶縁膜の一部の下層側には前記金属配線が形成され、前記シール材の一部は導電粒子を含み、
    前記上層配線と前記金属配線とが、前記張出し領域側の前記第2の基板の基板辺に位置する個所で前記シール材の導電粒子が前記無機絶縁膜を貫通することにより電気的に接続され、更に前記実装端子と前記駆動用ICのバンプとが間に存在する樹脂に含まれる導電粒子により電気的に接続されたことを特徴とする電気光学装置。
  3. 第1の基板と、該第1の基板に対してシール材によって所定の間隙を介して貼り合わされた第2の基板と、前記間隙のうち、シール材で区画された領域内に保 持された電気光学物質層とを有し、前記第1の基板および前記第2の基板の各々に形成された透明な第1の駆動電極および透明な第2の駆動電極によって前記電気光学物質層に電界が印加される電気光学装置において、
    前記第1の基板は、前記第2の基板からの張り出し領域に形成された実装端子と、前記第2の基板との重なり領域に形成された第1の基板間導通端子と、前記シール材よりも内側を引き回されて前記実装端子と前記第1の基板間導通端子とを接続する配線パターンと、前記張り出し領域に実装される駆動用ICと、を備え、
    前記第2の基板は、前記第1の基板間導通端子に対向する第2の基板間導通端子を備え、
    前記第1の基板における前記第1の駆動電極の下層側には、前記第1の駆動電極と前記第2の駆動電極とが対向する領域と重なる領域の一部に光透過穴が形成された光反射膜が形成されているとともに、前記光反射膜と前記第1の駆動電極との層間にカラーフィルタ層が形成され、前記配線パターンは、少なくともその一部に前記光反射膜と同一の金属膜からなる金属配線を備え、
    前記配線パターンの一部を構成する上層配線の下層側には無機絶縁膜が形成され、該無機絶縁膜の一部の下層側には前記金属配線が形成され、前記シール材の一部は導電粒子を含み、
    前記上層配線と前記金属配線とが、前記第1の基板間導通端子と前記第2の基板間導通端子の接続位置で前記シール材の導電粒子が前記無機絶縁膜を貫通することにより電気的に接続されるとともに、前記張り出し領域側の前記第2の基板の基板辺に位置する個所で前記シール材の導電粒子が前記無機絶縁膜を貫通することにより電気的に接続され、更に前記実装端子と駆動用ICのバンプとが間に存在する樹脂に含まれる導電粒子により電気的に接続されたことを特徴とする電気光学装置。
  4. 請求項2または3において、
    前記配線パターンは第2の配線パターンであり、前記金属配線は第2の金属配線であって、
    前記実装端子と前記第1の駆動電極とを接続する第1の配線パターンを更に有し、
    該第1の配線パターンを構成する上層配線の下層側にも前記無機絶縁膜を有し、
    該無機絶縁膜の一部の下層側に第1の金属配線を有し、
    該第1の金属配線と前記上層配線とが、前記張り出し領域側の前記第2の基板の基板辺に位置する個所で前記シール材の導電粒子が無機絶縁膜を貫通することにより電気的に接続され、更に前記実装端子と駆動用ICのバンプとが間に存在する樹脂に含まれる導電粒子により電気的に接続されたことを特徴とする電気光学装置。
  5. 請求項1ないし4のいずれかにおいて、
    前記実装端子および前記第1の基板間導通端子は、前記第1の駆動電極を構成する透明導電膜から構成されていることを特徴とする電気光学装置。
  6. 請求項1ないし5のいずれかにおいて、
    前記カラーフィルタ層と前記第1の駆動電極との層間には、少なくとも前記第1の基板間導通端子および前記実装端子が形成されている領域を避けるように透明な有機絶縁膜が形成され、
    当該有機絶縁膜と前記第1の駆動電極との層間には、前記第1の基板の略全体に前記無機絶縁膜が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
  7. 請求項1ないし6のいずれかにおいて、
    少なくとも前記光反射膜及び前記金属配線が形成されている領域の下層側に下地導電膜が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
  8. 請求項において、
    前記光反射膜及び前記金属配線が形成されている領域の上層に導電性保護膜が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
  9. 請求項7または8において、
    前記下地導電膜は、前記実装端子の下層側、および前記第1の基板間導通端子の下層側にも形成されていることを特徴とする電気光学装置。
  10. 請求項7ないし9のいずれかにおいて、
    前記下地導電膜には、前記光透過穴と重なる領域に穴が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
  11. 請求項4ないし10のいずれかにおいて、
    前記金属配線は、前記第1の配線パターンおよび前記第2の配線パターンのうち、前記第2の基板の基板辺から露出している領域では途切れていることを特徴とする電気光学装置。
  12. 請求項において、
    前記第1の配線パターンは、前記実装端子が形成されている領域のうち、その中央領域で配列する実装端子から対向する基板辺に向かって延びて前記第1の駆動電極に接続し、
    前記第2の配線パターンは、前記実装端子が形成されている領域のうち、その両側領域で配列する実装端子から前記第1の配線パターンが形成されている領域の外側を通って延びて、画像表示領域の両側領域で基板辺に沿って配列されている前記第1の基板間導通端子に接続し、
    前記第2の駆動電極は、前記画像表示領域において前記第1の駆動電極と交差する方向に延びて前記第2の基板間導通端子に接続していることを特徴とする電気光学装置。
  13. 請求項7ないし12のいずれかにおいて、
    前記光反射膜は、銀合金膜、アルミニウム合金膜、アルミニウム膜のいずれかから構成されていることを特徴とする電気光学装置。
  14. 請求項7ないし12のいずれかにおいて、
    前記光反射膜は、上層にアルミニウム合金膜もしくはアルミニウム膜を有し、前記上層と前記下地導電膜との中間層となる下層にモリブデン膜もしくはモリブデン合金膜を有する2層積層から構成されていることを特徴とする電気光学装置。
  15. 請求項6ないし14のいずれかにおいて、
    前記光反射膜を構成する金属膜は、前記実装端子、および前記第1の基板間導通端子にも形成されていることを特徴とする電気光学装置。
  16. 請求項1ないし15のいずれかに規定する電気光学装置を表示部として有することを特徴とする電子機器。
JP2002271478A 2002-09-18 2002-09-18 電気光学装置および電子機器 Expired - Lifetime JP3896933B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002271478A JP3896933B2 (ja) 2002-09-18 2002-09-18 電気光学装置および電子機器
TW092124123A TWI228184B (en) 2002-09-18 2003-09-01 Electro-optic device and electronic apparatus
CNB031568459A CN100354732C (zh) 2002-09-18 2003-09-10 电光装置和电子设备
KR10-2003-0064370A KR100530393B1 (ko) 2002-09-18 2003-09-17 전기 광학 장치 및 전자 기기
US10/666,954 US6882390B2 (en) 2002-09-18 2003-09-18 Electro-optic apparatus including reflection film with transmission holes and wiring patterns formed of same metal film as reflection film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002271478A JP3896933B2 (ja) 2002-09-18 2002-09-18 電気光学装置および電子機器

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2004109449A JP2004109449A (ja) 2004-04-08
JP2004109449A5 JP2004109449A5 (ja) 2005-02-03
JP3896933B2 true JP3896933B2 (ja) 2007-03-22

Family

ID=32268775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002271478A Expired - Lifetime JP3896933B2 (ja) 2002-09-18 2002-09-18 電気光学装置および電子機器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6882390B2 (ja)
JP (1) JP3896933B2 (ja)
KR (1) KR100530393B1 (ja)
CN (1) CN100354732C (ja)
TW (1) TWI228184B (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3770240B2 (ja) * 2003-02-20 2006-04-26 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
BRPI0411514A (pt) * 2003-06-20 2006-08-01 Coley Pharm Gmbh antagonistas de receptor toll-like de molécula pequena
JP3835442B2 (ja) * 2003-09-24 2006-10-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
KR101282397B1 (ko) 2004-12-07 2013-07-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 배선, 상기 배선을 포함하는 박막 트랜지스터표시판 및 그 제조 방법
JP2006309161A (ja) * 2005-03-29 2006-11-09 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2008083177A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Seiko Epson Corp 液晶装置及び電子機器
CN101340753B (zh) * 2007-07-05 2012-07-04 奇美电子股份有限公司 有机发光装置及包含其的电子装置
TW201011350A (en) * 2008-09-04 2010-03-16 E Pin Optical Industry Co Ltd Liquid crystal zoom lens
JP5377077B2 (ja) * 2009-05-25 2013-12-25 株式会社オーディオテクニカ コンデンサヘッドホンユニット
TWM381837U (en) * 2010-01-28 2010-06-01 He Wei Technology Co Ltd Touch control module
JP2011258740A (ja) * 2010-06-09 2011-12-22 Toshiba Corp 半導体装置、カメラモジュールおよび半導体装置の製造方法
WO2014017075A1 (ja) * 2012-07-26 2014-01-30 パナソニック株式会社 有機el装置
JP5444515B1 (ja) * 2012-07-30 2014-03-19 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 コネクタ機構
JP6186697B2 (ja) 2012-10-29 2017-08-30 セイコーエプソン株式会社 有機el装置の製造方法、有機el装置、電子機器
JP2016197580A (ja) * 2015-04-06 2016-11-24 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
CN108959771B (zh) * 2018-07-03 2020-05-12 北京华大九天软件有限公司 一种使用两种金属的等电阻布线方法
CN113138474A (zh) * 2020-01-20 2021-07-20 松下液晶显示器株式会社 视角控制单元、视角控制单元的基板组件及显示组件

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3209219B2 (ja) * 1999-01-18 2001-09-17 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP3674537B2 (ja) * 1999-07-16 2005-07-20 セイコーエプソン株式会社 液晶装置および電子機器
JP3384397B2 (ja) * 2000-05-25 2003-03-10 セイコーエプソン株式会社 液晶装置、その製造方法および電子機器
US6414337B1 (en) * 2000-11-10 2002-07-02 Three-Five Systems, Inc. Aperture frame for liquid crystal display device

Also Published As

Publication number Publication date
CN1495475A (zh) 2004-05-12
US6882390B2 (en) 2005-04-19
TW200407595A (en) 2004-05-16
US20040121628A1 (en) 2004-06-24
KR100530393B1 (ko) 2005-11-22
KR20040025606A (ko) 2004-03-24
JP2004109449A (ja) 2004-04-08
TWI228184B (en) 2005-02-21
CN100354732C (zh) 2007-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3525918B2 (ja) 電気光学装置、その検査方法および電子機器
JP3896933B2 (ja) 電気光学装置および電子機器
JP3697173B2 (ja) 液晶装置および電子機器
JP3702858B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP2002040465A (ja) 液晶装置および電子機器
US6992737B2 (en) Color filter substrate, electrooptic device and electronic apparatus, and methods for manufacturing color filter substrate and electrooptic device
JP2002040472A (ja) 液晶装置の製造方法および液晶装置と電子機器
JP3770240B2 (ja) 電気光学装置および電子機器
JP4474818B2 (ja) 電気光学パネル、電気光学装置および電子機器
JP3937701B2 (ja) 液晶装置および電子機器
JP2002040467A (ja) 液晶装置および電子機器
JP2002207221A (ja) 液晶表示装置
JP2002323865A (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP2005037957A (ja) 電気光学装置、その製造方法及び電子機器
JP4122741B2 (ja) 液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器
JP3633394B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP2003098543A (ja) 電気光学パネル、その製造方法および電子機器
JP4466044B2 (ja) 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器
JP2002040470A (ja) 液晶装置および電子機器
JP2004226712A (ja) 電気光学装置用マザー基板、電気光学装置用基板、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP2002040471A (ja) 液晶装置の製造方法
JP2002202731A (ja) 電気光学装置、その検査方法および電子機器
JP2004264513A (ja) 電気光学装置、およびそれを用いた電子機器
JP2005148305A (ja) 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器
JP2008003119A (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040226

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040226

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050420

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050426

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20050608

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050627

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20050628

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051115

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060613

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060808

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061128

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061211

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 3896933

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100105

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110105

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110105

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120105

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120105

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130105

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130105

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140105

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term