1228184 ⑴ 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關在一對基板間保持有光電物質的光電裝 置，及使用該光電裝置的電子機器。 【先前技術】 各種光電裝置中，光電物質採用液晶的光電裝置，係 具有第1基板；及對於第1基板藉由密封材隔著所定間隙 而貼合的第2基板·，及在前述間隙中，被保持在密封材所 區劃之領域內的光電層；在第1基板與第2基板上分別形 成透明的第1驅動電極與透明的第2驅動電極，以向光電 物質層施加電場。 此種光電裝置，若在第1基板的背面側配置背光裝置 ’則從該背光裝置射出的光在穿透光電物質層時施以光調 變，可以穿透模式顯示所定之畫像。又，在第1基板中， # 第1驅動電極的下層側若形成爲光反射膜，則從第2基板 入射的外光經過光反射膜反射後，直到再度從第2基板射 出之間因爲進行光調變，故可以反射模式顯示畫像。 此處，在半穿透反射型的光電裝置中，在第1驅動電 極之下層側形成之光反射膜形成光穿透孔，且在第1基板 的背面側配置背光裝置，除了光穿透孔形成領域是以穿透 模式進行顯示，另一方面未形成光穿透孔領域還以反射模 式進行顯示（例如，日本特開2002-14334(第8頁-第9頁 ，圖 1))。 -5- (2) 1228184 甚至，在第2基板中，在前述第1驅動電極與前述第 2驅動電極所面對領域的重疊部份上若形成彩色濾光膜則 可顯示彩色畫像。 爲了進行顯示，必須將所定之信號供給至供給第1驅 動電極與第2驅動電極。爲此，雖然需要在第1基板與第 2基板雙方皆安裝有驅動用1C之構造，或將安裝有驅動 用1C之可彎性基板安裝在第1基板與第2基板雙方，但 當使用此種構造時，需要兩個驅動用1C，且需要在第i 基板與第2基板雙方確保從另一基板伸出之安裝領域，故 必須要在光電裝置的畫像領域的外周側確保廣闊的領域。 於是，採用之構造爲：除了在第1基板上，設置連接 形成在從第2基板伸出領域之安裝端子、和形成在第2基 板重疊領域之第1基板間導通端子、連接安裝端子與前述 第1驅動電極的第1配線圖案、連接安裝端子與前述第i 基板間導通端子之第2配線圖案，還需要在第2基板上， • 設置對向於第1基板間導通端子之第2基板間導通端子。 此處，關於第1基板，先前，安裝端子、第1基板間 導通端子、連接安裝端子與前述第1驅動電極的第1配線 圖案，以及連接安裝端子與第1基板間導通端子的第2配 線圖案，都是使用形成第1驅動電極所用之稱爲ITO膜的 透明導電膜。 【發明內容】 但在此同時，於第1基板中，關於第2配線圖案，無 -6 - (3) 1228184 關於從安裝端子至第1基板間導通端子拉引了很長的距離 ，形成第1驅動電極之透明導電膜的就算只有ITO膜，電 氣阻抗就會顯著增大。 又，在半穿透反射型光電裝置中，若在第2基板這邊 形成彩色濾光層，則爲了使彩色濾光層形成爲平坦的領域 ，形成有光穿透孔的穿透顯示領域，及未形成有光穿透孔 之反射顯示領域之間因爲彩色濾光層的厚度均等，故在所 顯示之彩色影像中，會造成反射模式的顏色濃而穿透模式 的顏色淡之問題。亦即，穿透顯示光只通過彩色濾光層一 次，相對於此，反射顯示光則爲入射時和出射時共通過彩 色濾光層兩次之故。 有鑑於以上問題點，本發明的課題，在於提供解決使 用基板間導通的光電裝置、以及使用其之電子機器上，除 了降低配線阻抗，還要能消除穿透模式及反射模式所顯示 之畫像中，反射模式顏色濃而穿透模式顏色淡之問題的構 • 成。 [解決課題之手段] 爲了解決上記課題，本發明中的光電裝置，係屬於具 有第1基板，及相對於該第1基板藉由密封材隔著所定間 隙而貼合的第2基板，及前述間隙中，被保持在由密封材 所劃分之領域內的光電層；藉由前述第1基板及前述第2 基板所分別形成之透明之第1驅動電極與透明之第2驅動 電極來對前述光電物質層施加電場的光電裝置，其特徵爲 (4) 1228184 :前述第1基板，係具備從前述第2基板外凸領域所形成 的安裝端子，及和前述第2基板重疊領域所形成的第1基 板間導通端子，及將前述安裝端子與前述第1驅動電極連 接的第1配線圖案，及將前述安裝端子與前述第1基板間 導通端子連接之第2配線圖案·，前述第2基板，係具備面 對前述第1基板間導通端子的第2基板間導通端子；於前 述第1基板中，前述第1驅動電極的下層側上，在前述第 1驅動電極與前述第2驅動電極所面對領域的重疊領域的 一部份上，形成有形成了光穿透孔的光反射膜，同時，前 述光反射膜與前述第1驅動電極之層間形成有彩色濾光層 ;前述第2配線圖案，至少其中一部份具與備前述光反射 層同一之金屬膜所成的金屬配線。 本發明中，對於從安裝端子至第1基板間導通端子爲 長距離拉引之第2配線圖案，因爲是以金屬膜構成光反射 膜，故配線阻抗可以減小。又，光反射層與第1驅動電極 φ 之層間形成有彩色濾光層，且在彩色濾光層的下層側的光 反射層上形成有光穿透孔。因此，被形成在以穿透模式進 行顯示之光穿透窗上的彩色濾光層，較被形成在以反射模 式進行顯示之其他領域的彩色濾光層爲厚。因此，即使穿 透顯示光只通過彩色濾光層一次，反射顯示光在入射和出 射時共通過兩次，也不會發生穿透模式顯示與反射模式顯 示之反射模式色彩濃而穿透模式色彩淡之課題，故可進行 高品質的顯示。 本發明中，前述安裝端子及前述第1基板間導通端子 -8- (5) 1228184 ，係由構成前述第1驅動電極之透明導電膜所構成。 本發明中，前述彩色濾光層與前述第1驅動電極之層 間，形成有至少避開前述第1基板間導通端子與前述安裝 端子形成領域的透明有機絕緣膜；該當透明有機絕緣膜與 前述第1驅動電極之層間，前述第1基板的約略全體上形 成有無機絕緣膜者爲理想。若形成彩色濾光層則表面會產 生凹凸而使光電物質層的厚度發生變動，使光電物質層的 配向狀態會有紊亂之傾向，但只要在彩色濾光層的上層形 成有機絕緣膜所成之平坦化膜，就可避免此一問題。但是 ，當形成第1驅動電極之際，基板整面形成透明導電膜厚 之後，雖以光微影技術形成圖案，但此時被形成在有機絕 緣膜上的透明導電膜，和被形成在未形成有機絕緣膜領域 之透明導電膜的蝕刻速度不同，導致蝕刻精確度下降。因 此本發明中，因爲在有機絕緣膜的上層全面地形成無機絕 緣膜，故使基板全面的透明導電膜之蝕刻速度均等。因此 • ，即使形成了有機絕緣膜，也能以高精確度蝕刻第1驅動 電極。 本發明中，前述金屬配線，係在前述第1配線圖案與 前述第2配線圖案中，在由前述第2基板之基板邊露出之 領域處中斷。藉由此種構成，使得當金屬配線的上層側之 第1驅動電極等經由蝕刻形成圖案之際，或光電裝置製造 完成以後，避免第2基板露出領域上的金屬配線發生腐蝕 等問題。 本發明中，前述金屬配線，係在前述第1配線圖案與 -9- (6) 1228184 前述第2配線圖案中，在由前述第2基板之基板邊露出之 領域處亦有形成時，該當露出領域的前述金屬線的上層側 形成有前述有機絕緣膜者爲理想。藉由此種構成，使得在 金屬配線的上層側以蝕刻法形成第1驅動電極等之際，或 光電裝置製造完成以後，因第2基板露出領域上的金屬配 線受到有機絕緣膜保護，故不會發生腐蝕等問題。 本發明中，前述第1配線圖案，係在前述安裝端子形 成領域中，自其中央領域處所排列之安裝端子起、朝向對 面之基板邊延伸而連接至前述第1驅動電極；前述第2配 線圖案，係在前述安裝端子形成領域中，自其兩側領域所 排列之安裝端子起、通過前述第1配線圖案所形成之領域 的外側而延伸，而連接至在影像顯示領域的兩側領域沿著 基板邊排列的前述第1基板間導通端子；前述第2驅動電 極，係在前述影像顯示領域中，在前述第1驅動電極之方 向上延伸，而連接至前述第2基板間導通端子。 p 本發明中，至少在構成前述光反射膜之金屬膜所形成 之領域的下層側形成有基底導電膜者爲理想。若藉由此種 構成，則因金屬膜是隔著基底導電膜而形成於基板上，故 即使金屬膜和基板的密著性低，也不會發生圖案精確度下 降或剝離等不良。 本發明中，在構成前述光反射膜之金屬膜所形成之領 域的上層形成有導電性保護膜者爲理想。若藉由此種構成 ，則藉由形成彩色濾光層之際之燒結使得光反射層的表面 不會劣化。 -10- (7) 1228184 本發明中，在前述基底導電膜上，和前述光穿透孔重 疊的領域中形成有孔者爲理想。若藉由此種構成’則被形 成在形成有以穿透模式進行顯示之光穿透窗的彩色濾光層 ，會比被形成在以反射模式進行顯示之其他領域之彩色濾 光層還厚。因此，即使穿透顯示光只通過彩色濾光層一次 ，反射顯示光在入射和出射時共通過兩次，也不會發生穿 透模式顯示與反射模式顯示之反射模式色彩濃而穿透模式 色彩淡之課題，故可進行更高品質的顯示。 前述基底導電膜，係在前述安裝端子的下層側、以及 前述第1基板間導通端子的下層側亦有形成者爲理想。 本發明中，前述基底導電膜所形成之前述光反射層， 係例如銀合金膜。或所用的光反射層，係鋁合金膜、或者 鋁膜。 又，前述反射層，亦可在上層具有鋁合金膜或鋁膜， 在前述上層與前述基底導電膜所成之中間層的下層具有鉬 • 膜或鉬合金膜之兩層層積所構成。 本發明中，構成前述光反射層的金屬膜，係在前述安 裝端子以及前述第1基板間導通端子上亦有形成者爲理想 〇 本發明中，前述安裝端子與前述驅動用1C的凸塊 (bump)係隔著分散在樹脂成份的導電粒子而呈導電連接， 且前述導電粒子爲貫通形成在前述安裝端子上之前述無機 絕緣膜者爲理想。若藉由此種構成，則當將驅動用1C的 凸塊安裝在安裝端子之際，藉由導電粒子貫通安裝端子內 -11 - 1228184
的無機絕緣膜，而可使驅動用I c的凸塊，與形成在安裝 端子上的金屬膜或基底導電膜成電氣導通。 同樣地’則述基底導電膜，或構成前述光反射層之金 屬膜爲前述安裝端子，及前述第1基板間導通端子亦有形 成時’前述第1基板間導通端子與前述第2基板間導通端 子，係隔著分散在樹脂成份的導電粒子而呈導電連接，且 前述導電粒子爲貫通形成在前述第1基板間導通端子之下 層側之前述無機絕緣膜者爲理想。藉由此種構成，則連接 第1基板間導通端子與第2基板間導通端子之際，在第1 基板間導通端子內，藉由前述導電粒子貫通絕緣膜，可使 第1基板間導通端子，與形成在其下層側的金屬膜和基底 導電膜呈電氣導通。 適用本發明之光電裝置，係例如被使用於電子機器的 顯示部。 • 【實施方式】 兹佐以圖面說明本發明之實施形態。 〔實施形態1〕 (整體構成） 圖1與圖2分別事本發明之實施形態1所論之光電裝 置的斜視圖與其分解斜視圖。此外，這些圖爲了要使各層 和各部材在圖面上可被識別，故將各層和各部材的比例或 數量誇張化。 -12 - (9) 1228184 圖1與圖2中，本實施形態之光電裝置1’是藉由 著所定間隙之密封材3 0貼合成之矩形玻璃等所成之一 透明玻璃基板間，藉由密封材3 0區劃出液晶封入領域 ，該液晶封入領域3 5內有被當作光®物質而封入的液 之形成液晶層3 6 (光電物質層）。此處’在前述一對 明基板之中，令畫像顯示領域2內形成有呈縱方向延伸 複數列之第1驅動電極1 5 0的那片基板爲第1基板1 0 畫像顯示領域2內形成有呈橫方向延伸之複數列之第2 動電極250的那片基板爲第2基板20。 這裡所示的光電裝置1中，第1基板1 〇的外側表 貼有偏光板6 1，第2基板20的外側表面貼有偏光板62 又，第1基板1 〇的外側，配置有背光裝置9。 如此構成之光電裝置1中，第1基板1 〇係採用寬 寸法和第2基板2 0相等，長度寸法則大於之構成。 因此，在第1基板1 〇與第2基板2 0貼合的狀態下 Φ 第1基板10會從第2基板20的基板邊201凸出，該凸 領域15上，安裝有驅動用IC50的安裝端子160是沿著 板邊1 〇 1形成。又，凸出領域1 5上，安裝有可彎性基 8的安裝端子1 6 1亦沿著基板邊1 0 1形成。 此處，安裝有驅動用IC50的安裝端子160之中， 排列配置在其中央領域之安裝端子1 60，朝對向之基板 1 〇 1延伸出第1配線圖案1 1，連接至第1驅動電極1 5 0。 又，第1基板10中，在畫像顯示領域2的兩側上 與第2基板2 0重疊之領域上有第1基板間導通端子！ 隔 對 3 5 晶 透 之 驅 面 度 出 基 板 從 邊 7 0 -13- (10) 1228184 沿著基板邊103、104排列配置，安裝有驅動用1C50的安 裝端子1 60之中，從排列配置在兩側領域之安裝端子]60 ’通過形成有第1配線圖案1 1之領域的外側而延伸出第 2配線圖案1 2連接著第1基板間導通端子1 7 0。 相對於此，在第2基板2 0上，畫像顯示領域2中第 2驅動電極250呈橫方向延伸，第2驅動電極250的端部 ，則成爲和第1基板間導通端子1 7 0重疊之第2基板間導 通端子270。 (基板上的層構造） 茲將如此構成的光電裝置之構成，佐以圖3及圖4 ( A ) 、（ B )來詳述。 圖3係圖1所示光電裝置中所用之第1基板之構成的 模式平面圖，圖4 ( A ) 、（ B )分別爲沿著圖3之A-A’ 線將光電裝置切斷時的剖面圖，及沿著圖3之B-B’ B 線將光電裝置切斷時的剖面圖。 圖3及圖4(A) 、 （B)中，第1基板1〇上，首先 ，從下層往上層，依序形成由ITO膜所成之基底導電膜 110，銀合金等所成之光反射膜120，彩色濾光層7R、7G 、7B，作爲平坦化膜的有機絕緣膜130，由氧化矽膜等所 成之無機絕緣膜140，由ITO膜所成之第1驅動電極150 ，以及偏向膜（未圖示）。 相對於此，第2基板2 0上則依序形成由IΤ Ο膜所成 之第2驅動電極250，以及偏向膜（未圖示）。 -14· (11) 1228184 第1基板10與第2基板20，是藉由在樹脂成份 合間隙塡材（gap材）之密封材30所貼合。此處， 材3 0，是形成爲區劃出畫像顯示領域2，在其內側保 光電物質層3 6。 密封材3 0，係採用了在樹脂成份內摻合間隙塡 導電粒子之摻入導電粒子的密封材3 01，及樹脂成份 合間隙塡材的密封材3 02，而密封材3 0 1係塗佈在形 第1基板間導通端子170之兩個基板邊103、104， 出領域15上的第2基板20之基板邊201所重疊之一 成之三個邊。 在如此構成之光電裝置1的第1基板10中，基 電膜1 10，係在畫像顯示領域2上光反射膜120的下 做爲平塗領域而形成的同時，在安裝端子1 60的下層 有形成，且充當作第1配線圖案1 1的最下層配線1 從安裝端子1 60的下層側延伸至和第2基板20重疊 • 置。又，基底導電膜110，充當作第2配線圖案12 下層配線1 1 2而從安裝端子1 60的下層側延伸至第1 間導通端子170的下層側。 接著，被形成在基底導電膜110之上層的光反 1 20，在畫像顯示領域2上做爲平塗領域而形成。但 光反射膜12 0，係在第1驅動電極1 5 0與第2驅動 2 5 0所對向之像素中，被去除一部份而形成光穿透孔 〇 又，在第1基板10中，與光反射膜120同時形 中摻 密封 持有 材及 內摻 成有 與凸 邊所 底導 層側 側亦 11而 的位 的最 基板 射膜 是， 電極 125 成之 -15- (12) 1228184 金屬膜’除了被形成做爲安裝端子1 6 0之下層側的基底導 電膜1 2 3，在第2基板2 0之基板邊2 Ο 1附近還被形成做 爲基底電極121。甚至，關於和光反射膜120同時形成之 金屬膜，和第2基板20重疊之領域中做爲第2配線圖案 1 2之下層配線1 22而一直延伸至第1基板間導通端子1 70 的下層側。但是，和光反射膜1 2 0同時形成之金屬膜，在 第1基板1 0的凸出領域1 5中並無形成從第2基板2 0的 基板邊20 1露出之部份，而是在該領域上中斷。 接著，在光反射膜1 2 0的上層側，在畫像顯示領域2 上形成有R (紅）、G (綠）、B (藍）的彩色濾光層7R 、7G、7B。此處，彩色濾光層7R、7G、7B，因爲係將色 材分散於樹脂中，故於各像素中，在光反射膜1 2 0被去除 而形成有光穿透孔125的領域，是比形成有光反射膜120 之領域還厚。 接著，彩色濾光層7R、7G、7B的上層側，形成較厚 φ 的有機絕緣膜1 3 0做爲平坦化膜。此處，有機絕緣膜1 3 0 ，係在畫像顯示領域2內選擇地形成’而在其外周側沒有 形成。亦即，有機絕緣膜1 3 〇，除了避開安裝端子1 60及 第1基板間導通端子1 而形成，還避開密封材3 〇塗佈 領域而形成。 接著，在有機絕緣膜1 3 0上層’於基板全面形成薄的 氧化矽膜所成之無機絕緣膜140。 接著，在無機絕緣膜1 40的上層’除了在畫像顯示領 域2上形成了由ITO膜所成之第1驅動電極150，還藉由 -16- (13) 1228184 和第1驅動電極150同時形成的IT〇膜，形成安裝端子 160以及第1基板間導通端子：[70。 又’和第1驅動電極150同時形成的ΙΤΟ膜，做爲第 1配線圖案1 1的上層配線1 5 1從安裝端子1 6 0延伸至和 第2基板2 0重疊之領域，從該處伸出的先端成爲第1驅 動電極1 5 0。接著，和第1驅動電極〗5 〇同時形成的〗丁 〇 膜’露出第2基板2 0的部份，雖然被形成做爲第2配線 圖案1 2的上層配線1 5 2 ’但在和第2基板2 0重疊的領域 中沒有形成，而是中斷。 (製造方法） 接者’纽佐以圖5、圖6、圖7，更詳細說明使用了 本形態之光電裝置的各基板的構造的製造方法。 圖5(A)〜（F)分別是使用圖1所示的光電裝置之 第1基板及第2基板的各形成要素。圖6(a)〜（F)， φ 及圖7(A)〜（F)，分別是使用圖1所示的光電裝置之 第1基板及第2基板的製造方法之工程剖面圖。此外，圖 5(B) 、 ( C ) 、 （ D )中的畫像顯示領域內，係將矩形 框內複數之像素放大之示意圖。 首先，如圖5(A)所示，在製造第2基板2〇時，在 基板全面形成I Τ Ο膜後，使用光微影技術進行圖案化，在 畫像顯不領域2上沿著橫方向形成第2驅動電極2 5 0 (畫 斜線之領域）。此處，藉由第2驅動電極2 5 〇的端部，形 成第2基板間導通端子2 70。 -17- (14) 1228184 相對於此，在製造第1基板1 0時，首先，如圖5 ( B )、圖6(A)及圖7(A)所示，在基板全面形成ITO膜 後，使用光微影技術進行圖案化，在畫像顯示領域2上形 成基底導電膜1 1 〇 (圖5 ( B )以斜線所示之領域）做爲平 塗之矩形領域。又，關於基底導電膜1 1 0，需要形成安裝 端子1 60的領域亦有形成，且做爲第1配線圖案1 1之最 下層配線11 1而從安裝端子1 60的下層側至和第2基板 20重疊之位置殘留。又，關於基底導電膜110，則做爲第 2配線圖案12的基底電極121而從安裝端子160的下層 側至第1基板間導通端子1 70的下層側殘留。 接著，如圖5 ( C )、圖6 ( B )，以及圖7 ( B )所示 ，於基底導電膜110的上層形成銀合金膜等所成之金屬膜 後，使用光微影技術圖案化，在畫像顯示領域2上形成平 塗之光反射膜1 2 0 (圖5 ( C )斜線所示領域）。此時，在 光反射膜120中，去除第1驅動電極150與第2驅動電極 φ 2 5 0所對向之領域的一部份，形成光穿透孔1 2 5。 又，關於和光反射膜120同時形成之金屬膜，除了在 必須形成安裝端子1 60的領域下層側殘留以做爲基底導電 膜123，還在與第2基板20的基板邊201重疊領域殘留 以做爲基底電極1 2 1。又，關於和光反射膜1 20同時形成 之金屬膜，在和第2基板2 0重疊領域中至第1基板間導 通端子1 7 0下層側爲止殘留以做爲第2配線圖案1 2的下 層配線1 2 2。但是，和光反射膜1 2 0同時形成之金屬膜， 在第1基板1 〇的凸出領域1 5上去除從第2基板2 0的基 -18- (15) 1228184 板邊2 Ο 1露出部份。 此處，在構成光反射膜1 20的金屬膜下層側形 導電膜1 1 〇。爲此，因爲構成光反射膜1 2 0的金屬 用銀合金膜，故即使金屬膜與基板的密著性低，也 生光反射膜120等之圖案精密度下降或剝離等不良: 接著，如圖5(D)、圖6(C)及圖7(C) 在光反射膜1 20上層側，畫像顯示領域2之所定位 成R (紅）、G (綠）、Β (藍）的彩色濾光層7R 7 Β (斜線所示領域）。彩色濾光層7 R、7 G、7 Β， 將色材分散於樹脂中，故於各像素中，在光反射膜 去除而形成有光穿透孔1 2 5的領域，是比形成有光 1 2 0之領域還厚。 接著，如圖5(E)、圖6(D)及圖7(D) 在彩色濾光層7R、7G、7Β的上層，形成較厚的有 膜1 3 0後，使用光微影技術圖案化，使有機絕緣膜 φ 斜線所示領域）在畫像顯示領域2內選擇性地殘留 其外周側沒有殘留。其結果爲，有機絕緣膜130, 開安裝端子160及第1基板間導通端子170，還避 材3 0塗佈領域而形成之狀態。 接著，如圖6 ( Ε )及圖7 ( Ε )所示，在有機 1 3 0的上層，基板全面地形成由氧化矽膜所成之無 膜 140。 接著，如圖5 ( F )、圖6 ( F )及圖7 ( F )所 無機絕緣膜140的上層，基板全面形成ΙΤΟ膜後， 成基底 膜是使 不會發 見象。 所示， 置上形 、7G、 因爲係 120被 反射膜 所示， 機絕緣 130 ( ，而在 除了避 開密封 絕緣膜 機絕緣 示，在 使用光 -19- (16) 1228184 微影技術圖案化，在畫像顯示領域2上形成第1驅動電極 1 5 0 (斜線所示領域）。又，和第1驅動電極1 5 0同時形 成的ITO膜，係殘留以做爲安裝端子160及第1基板間導 通端子170。 再者，和第1驅動電極1 50同時形成的ITO膜，做爲 第1配線圖案1 1的上層配線1 5 1從安裝端子1 6 0延伸至 和第2基板2 0重疊之領域，且從該處爲連接第1驅動電 極1 5 0之狀態。再接著，和第1驅動電極1 5 0同時形成的 IΤ Ο膜，露出第2基板2 0之基板邊2 0 1的部份，雖然被 形成做爲第2配線圖案1 2的上層配線1 52，但在和第2 基板20重疊的領域中去除。 進行如此蝕刻之際，構成光反射膜1 2 0的銀合金膜， 因爲沒有露出狀態，故以針對I T 0膜的飽刻液不會腐鈾構 成光反射膜120之銀合金膜。 (1C之安裝構造及基板間導通構造） 針對聯繫第1配線圖案1 1，及第2配線圖案1 2的上 層配線151、152的安裝端子160，藉由在樹脂成份內配 合有異方性導電膜40而將驅動用IC50安裝。此時，在安 裝端子1 60的下層側雖然形成有由氧化矽膜所成之薄的無 機絕緣膜1 4 0 ’但在其下層側，則有和光反射膜丨2 〇同時 形成之金屬膜所成之基底導電膜123，及基底導電膜11〇 形成。爲此，隔著異方性導電膜4 0將驅動用I c 5 0熱壓著 至第1基板1 〇之際，藉由下層側有膜存在，而以壓著時 -20- (17) 1228184 的壓力使導電粒子41貫通無機絕緣膜〗40，安裝端子160 則電氣連接至和光反射膜1 2 0同時形成之金屬膜所成之基 底導電膜123，且透過該基底導電膜123，亦電氣連接至 第1配線圖案1 1及第2配線圖案1 2的最下層配線1 1 1、 112。 又，雖然第1基板1 〇與第2基板2 0係藉由密封材 30而貼合，但沿著形成有第1基板間導通端子170之兩 基板邊103、104，及凸出領域15側之第2基板20之基 板邊201重疊領域，並沒有塗佈含導電粒子3 0 3之密封材 30 1° 因此，在凸出領域15側上第2基板20之基板邊201 重疊部份，第1基板1 〇和第2基板20係隔著含導電粒子 3 0 3之密封材3 0而被熱壓著。此處，第1配線圖案1 1的 上層配線1 5 1之下層側雖然形成有無機絕緣膜1 4 0 ’但其 下層側形成有和光反射膜1 2 0同時形成之金屬膜所成之基 底電極1 2 1，甚至其下層側，形成有由基底導電膜1 1 〇所 成之第1配線圖案1 1的最下層配線Π 1。因此’當第1 基板1 0和第2基板20係隔著含導電粒子3 03之密封材 3 0而被熱壓著之際，藉由下層側有膜存在’以壓著時的 壓力使導電粒子3 0 3貫通無機絕緣膜1 4 〇 ’使第1配線圖 案1 1的上層配線1 5 1電氣連接至基底電極1 2 1。其結果 爲，第1配線圖案1 1的上層配線1 5 1 ’隔著基底電極121 ，亦電氣連接至第1配線圖案Π的最下層配線1 1 1。 因此，在第1配線圖案1 1中’從第2基板2 0之基板 -21 - (18) 1228184 邊露出的部份上，即使和光反射膜1 20同時形成之金屬膜 爲中斷，在該部份上的配線阻抗爲小。 同樣地，在凸出領域1 5側上第2基板2 0之基板邊 2 01重疊部份處，第1基板1 〇與第2基板2 0隔著含導電 粒子3 0 3的密封材30進行熱壓著之際，雖然第2配線圖 案1 2之上層配線1 5 2之下層側形成有無機絕緣膜1 40， 但其下層側形成有和光反射膜1 2 0同時形成之金屬膜所成 之第2配線圖案1 2的下層配線1 22，且又在其下層側， 形成有由基底導電膜110所成之第2配線圖案12之最下 層配線1 1 2。因此，當第1基板1 0與第2基板20隔著密 封材301進行熱壓著之際，該壓力使導電粒子303貫通無 機絕緣膜1 40，第2配線圖案1 2的上層配線1 52，除了電 氣連接至第2配線圖案1 2的下層配線1 22，還透過該下 層配線1 22，而電氣連接至第2配線圖案1 2的最下層配 線 1 1 2。 因此，從第2基板2 0之基板邊露出部份，即使和光 反射膜1 20同時形成之金屬膜爲中斷，該部份的電氣阻抗 仍小。 甚至，形成有第1基板間導通端子1 7 0之部份，當第 1基板1 〇與第2基板2 0隔著密封材3 0 1進行熱壓著之際 ，第1基板間導通端子1 70的下層側雖然形成有無機絕緣 膜1 4 0，但其下層側形成有和光反射膜1 2 0同時形成之第 2配線圖案】2的下層配線1 22，且又在其下層側，形成有 由基底導電膜I 1 0所成之第2配線圖案1 2之最下層配線 •22- (19) 1228184 1 1 2。因此，當第1基板1 〇與第2基板2 0隔著密封材 301進行熱壓著之際，其壓力使導電粒子303貫通無機絕 緣膜140，第1基板間導通端子170除了電氣連接至第2 配線圖案1 2的下層配線1 22，還透過該下層配線1 22而 電氣連接至第2配線圖案1 2的最下層配線]1 2。 如此構成之光電裝置1中，一旦從驅動用IC 5 0輸出 信號至安裝端子1 60，則信號會從形成在中央領域之安裝 端子160，透過具備了和第1驅動電極150同時形成的 ΙΤΟ膜所成之上層配線151，及由ΙΤΟ膜所成之最下層配 線1 5 2之第1配線圖案1 1，供給至第1驅動電極丨5 〇。 相對於此，信號從形成在兩領域中的安裝端子160, 透過第2配線圖案1 2之中，從第2基板2 0的基板邊2 0 1 露出之部份，和第1驅動電極1 5 0同時形成的ΙΤΟ膜所成 之上層配線1 5 2，及由ΙΤΟ膜所成之最下層配線1 5 2而傳 達之後’和弟2基板2 0重暨之領域中，信號是透過和光 φ 反射膜1 2 〇同時形成之第2配線圖案1 2的下層配線1 2 2 ，及由ΙΤΟ膜所成之最下層配線1 1 2供給至第1基板間導 通端子1 70。然後，供給至第1基板間導通端子1 70的信 號，會透過密封材3 0 1所含之導電粒子3 03、及第2基板 間導通端子2 7 0，供給至第2驅動電極2 5 0。 其結果爲，在和第1驅動電極150與第2驅動電極 2 5 0對向之部份中，可以像素單位控制位於該處的液晶層 3 6之配向狀態。因此，從第2基板2 0側入射的外光，經 光反射膜1 2 0反射後，在從第2基板2 0射出之間會受到 -23- (20) 1228184 光調變而顯示畫像（反射模式）。又，由於形成在第1 動電極1 5 0之下層側的光反射膜1 2 0上形成有光穿透 1 25，故配置在第1基板1 〇背面之背光裝置9所出射的 ，會透過光穿透孔125入射至液晶層36，從第2基板 出射之間會受到光調變而顯示畫像（穿透模式）。 此時，第1基板10上，因爲在第1驅動電極150 第2驅動電極2 5 0所對向之領域的重疊部份形成有彩色 光層7R、7G、7B，故可顯示彩色畫像。 (本形態的主要效果） 如以上說明，從安裝端子1 60拉引至第1基板間導 端子1 7 〇爲止的第2配線圖案1 2，因爲使用構成光反 膜1 20的金屬膜所成之金屬配線（下層配線1 22 )，故 線阻抗小。 又，在第1基板10側，光反射膜120與無機絕緣 140之層間形成有彩色濾光層7R、7G、7B，且在彩色 光層7R、7G、7B的下層側，光反射膜120上形成有光 透孔125。因此，以穿透模式進行顯示之光穿透孔125 所形成之彩色濾光層7R、7G、7B，是較以反射模式進 顯示之其他領域上所形成之彩色濾光層7R、7G、7B爲 〇 因此，即使穿透顯示光僅穿透彩色濾光層7R、7G 7B —次，而反射顯示光是入射與出射時穿透彩色濾光 7R、7G、7B兩次，因爲不發生穿透顯示模式與反射顯 驅 孔 光 20 與 濾 通 射 配 膜 濾 穿 上 行 厚 層 示 -24- (21) 1228184 模式下反射模式的色彩濃而穿透模式的色彩淡之課題，故 可進行高品質的顯示。 又，在彩色濾光層7R、7G、7B與第1驅動電極150 的層間形成有有機絕緣膜1 3 0。因此，一旦彩色濾光層7 R 、7G、7B形成，則表面產生凹凸的結果，雖然會使液晶 層3 6的厚度發生變動而導致配線控制紊亂等問題的產生 ，但本形態中，因爲彩色濾光層7R、7G、7B的上層是形 成有由有機絕緣膜1 3 0所成之平坦化膜，故可避免此一問 題。 但是，在第1驅動電極1 5 0形成時，雖然於基板全面 形成ITO膜後，使用光微影技術圖案化，但此時在形成於 有機絕緣膜130上的ITO膜，與形成在未形成有有機絕緣 膜130之領域上的ITO膜，因爲ITO膜與基底之密著性 差異，導致蝕刻速度差異，而降低了蝕刻精確度。因此本 形態中，在有機絕緣膜1 3 0的上層以基板全面的方式形成 φ 無機絕緣膜140，故在基板全面，ITO膜與基底的密著性 皆均等。因此，基板全面的ITO膜蝕刻速度均等，故即使 下層側形成了有機絕緣膜1 3 0，也能以高精確度進行第1 驅動電極1 5 0的触刻。 甚至，構成基底導電膜110或光反射膜120的金屬膜 係在安裝端子1 6 0及第1基板間導通端子1 7 0下層側亦有 形成。 因此，當驅動用IC50的凸起電極51安裝至安裝端子 1 6 0時，在安裝端子1 6 0的下層側，藉由導電粒子4 1貫 -25- (22) 1228184 通無機絕緣膜140，可使安裝端子mo，與形成在其下層 側金屬膜或基底導電膜11〇呈電氣導通。又，當連接第1 基板間導通端子1 7 0與第2基板間導通端子2 7 0之際，在 第1基板間導通端子1 7 0的下層側，藉由導電粒子3 0 3貫 通無機絕緣膜1 4 G ’可使第1基板間導通端子丨7 〇 ,與形 成在其下層側之金屬膜或基底導電膜110呈電氣導通。 又’金屬配線，在第1配線圖案1 1及第2配線圖案 12之中，從第2基板20露出的領域上被中斷。因此，自 光反射膜1 20形成以後，當在其上層側進行第1驅動電極 1 5 0等之蝕刻所致的圖案化之際，或光電裝置1製造完畢 以後，在第2基板20之基板邊201露出領域上不會發生 配線腐蝕等問題。 〔實施形態2〕 圖8(A) 、 （B)分別爲’沿者圖3之A-A’線位置 • 切斷光電裝置時的剖面圖、及沿著圖3之B1-B1，線與B2-B2’線位置切斷光電裝置時的剖面圖。圖9(A)〜（F) 分別是使用圖1所示的光電裝置之第1基板及第2基板的 各形成要素的說明圖。圖10(A)〜（F)及圖11(a) 〜（F )，分別是使用本形態之光電裝置之第1基板及第 2基板的製造方法之工程剖面圖。此外’本形態，以及以 下說明之各形態的基本構成’因爲和實施形態1共通，故 共通部份係以同一符號標明而圖示’並省略其詳細說明。 圖8 ( A ) 、 （ B )中，本形態之光電裝置，亦和實施 -26- (23) (23)1228184 形態1同樣地，在第1基板1 〇中，首先’從下層側往i 層側，依序形成由ITO膜所成之基底導電膜1 1 0，銀合金 等所成之光反射膜120，彩色濾光層7R、7G、7B，作爲 平坦化膜的有機絕緣膜1 3 0，由氧化矽膜等所成之無機絕 緣膜140，由ITO膜所成之第1驅動電極150，以及偏向 膜（未圖示）。 又，本形態中，在第1基板10上，基底導電膜110 係被形成在畫像顯示領域2，其上層側形成有光反射膜 1 2 0。此處，光反射膜1 2 0上，與第1驅動電極1 5 0及第 2驅動電極2 5 0爲對向之像素中，其一部份被去除而形成 光穿透孔1 2 5。 甚至，本形態中，和光反射膜120之光穿透孔125重 疊之位置，在基底導電膜110上形成有孔115。因此，一 旦在光反射膜120的上層側形成彩色濾光層7R、7G、7B ，在光反射膜1 2 0被去除而形成有光穿透孔1 2 5之領域中 ，由於基底導電膜Π 0上亦形成有孔1 1 5，故較形成有光 反射膜1 2 0之領域上所形成者還來得厚。因此，形成了以 穿透模式進行顯示所用之光穿透孔】25之彩色濾光層7R 、7 G、7 B，是較以反射模式進行顯示之其他領域上所形 成之彩色濾光層7R、7G、7B還厚上許多。因此，穿透顯 示光，即使在入射和出射時穿透彩色濾光層7R、7G、7B 兩次’因爲不發生穿透顯不模式與反射顯示模式下反射模 式的色彩濃而穿透模式的色彩淡之課題，故可進行高品質 的顯示。 -27- (24) 1228184 此外’在製造本形態之光電裝置1時，只需取代實施 形態1中參照圖5 ( B )、圖6 ( A )及圖7 ( A )說明之 工程，改以圖9(B) '圖1 0 ( A )及圖1 1 ( A )所示， 於基板全面形成ITO膜後，使用光微影技術圖案化，當形 成基底導電膜1 1 0之際，形成孔1 1 5即可。其他構成因爲 同於實施形態1，故省略說明。 〔實施形態3〕 圖12 ( A ) 、 ( B )，分別爲，沿著圖3之A-A、線位 置切斷光電裝置時的剖面圖、及沿著圖3之B 1 -B 1 ·線與 B 2 - B 2 ’線位置切斷光電裝置時的剖面圖。圖1 3 ( A )〜（ F )分別是使用圖1所示的光電裝置之第1基板及第2基 板的各形成要素的說明圖。圖1 4 ( A )〜（F )及圖1 5 ( A )〜（F )，分別是使用本形態之光電裝置之第1基板 及第2基板的製造方法之工程剖面圖。 圖12(A) 、 （ B )中，本形態之光電裝置，亦和實 施形態1同樣地，在第1基板1 〇中，首先，從下層側往 上層側，依序形成由ITO膜所成之基底導電膜1 1 〇，銀合 金等所成之光反射膜1 2 0，彩色濾光層7 R、7 G、7 B，作 爲平坦化膜的有機絕緣膜1 3 〇 ’由氧化矽膜等所成之無機 絕緣膜140，由ITO膜所成之第1驅動電極1 50 ’以及偏 向膜（未圖不）。 此處，雖然在實施形態〗中，在安裝端子1 60下層側 ’殘留有和光反射膜1 2 〇同時形成之金屬β吴做爲基底導電 -28· (25) 1228184 膜1 23，但本形態中，安裝端子1 60下層側沒有殘留金屬 膜。 即使在此種構成的情況下，對於聯繫至第1配線圖案 1 1及第2配線圖案1 2上的上層配線1 5 1、1 5 2的安裝端 子1 60，藉由在樹脂成份內配合導電粒子之異方性導電膜 4 0而將驅動用I C 5 0安裝。此時，安裝端子1 6 0的下層側 ，雖然形成氧化矽膜所成之薄的無機絕緣膜1 4 0，但其下 層側，形成有基底導電膜1 1 〇。因此，隔著異方性導電膜 40將驅動用IC50熱壓著至第1基板1〇之際，其壓力會 使導電粒子41貫通無機絕緣膜140，安裝端子160便會 電氣連接至第1配線圖案1 1、第2配線圖案1 2的最下層 配線 1 1 1、1 1 2。 此外，在製造本形態之光電裝置1時，只需取代實施 形態1中參照圖5 ( C )、圖6 ( B )及圖7 ( B )說明之工 程，改以圖9 ( C )、圖1 0 ( C )及圖1 1 ( C )所示，於基 φ 板全面形成金屬膜後，使用光微影技術圖案化，當形成光 反射膜120之際，將必須形成安裝端子160之領域的金屬 膜去除即可。其他構成因爲同於實施形態1，故省略說明 〔實施形態4〕 圖16 ( A ) 、( B )，分別爲，沿著圖3之A-A’線位 置切斷光電裝置時的剖面圖、及沿著圖3之B 1 - Β Γ線與 B2-B2’線位置切斷光電裝置時的剖面圖。圖17(A)〜（ • 29 - (26) 1228184 F )分別是使用圖1所示的光電裝置之第1基板及第2基 板的各形成要素的說明圖。圖1 8 ( A )〜（F )及圖1 9 ( A )〜（F ) ’分別是使用本形態之光電裝置之第1基板 及第2基板的製造方法之工程剖面圖。 圖16(A) 、 （ B )中，本形態之光電裝置，亦和實 施形態1同樣地，在第1基板1 0中，首先，從下層側往 上層側，依序形成由ITO膜所成之基底導電膜】1 〇，銀合 金等所成之光反射膜120，彩色濾光層711、70、7：8，作 爲平坦化膜的有機絕緣膜1 3 0，由氧化矽膜等所成之無機 絕緣膜1 4 0，由IT 0膜所成之第1驅動電極1 5 0，以及偏 向膜（未圖示）。 實施形態1中，和光反射膜1 2 0同時形成之金屬膜， 係在第1基板1 0的凸出領域1 5中從第2基板2 0之基板 邊20 1露出部份上沒有形成，而在該領域中斷，但本形態 中，該領域亦將金屬膜形成做爲第1配線圖案1 1之下層 配線1 26，以及第2配線圖案1 2的下層配線1 27。 取而代之，有機絕緣膜1 3 0係在第1配線圖案1 1之 下層配線1 2 6，以及第2配線圖案1 2的下層配線1 2 7之 上層亦有殘留。因此，例如，關於和第1驅動電極1 5 0同 時形成的ITO膜，係將第1配線圖案Π及第2配線圖案 1 2的上層配線1 5〗、1 5 2，在第1基板1 0的凸出領域1 5 中從第2基板20之基板邊201露出部份處作成中斷構造 時，也不會增大配線阻抗。
在製造此種光電裝置1時，如圖17(C)、圖18(B -30- (27) 1228184 )及圖19(B)所示，在基底導電膜110的上層形成銀合 金膜等所成之金屬膜後，使用光微影技術圖案化，於畫像 顯示領域2形成平塗之光反射膜1 2 0之際，在第1基板 1 〇的凸出領域1 5中從第2基板2 0之基板邊2 0 1露出之 部份，亦殘留以做爲第1配線圖案1 1的下層配線1 2 6， 以及第2配線圖案1 2的下層配線1 2 7。 又，如圖17(E)、圖18(D)及圖19(D)所示， 彩色濾光層7R、7G、7B的上層形成了較厚之有機絕緣膜 1 3 0後，使用光微影技術圖案化，將有機絕緣膜1 3 0 (斜 線所示領域）選擇性地殘留之際，在第1基板1 〇的凸出 領域1 5中從第2基板2 0之基板邊2 0 1露出部份上，亦殘 留而覆蓋著第1配線圖案1 1的下層配線126，及第2配 線圖案1 2的下層配線1 2 7。 因此，如圖17(F)、圖18(F)及圖19(F)所示 ，於無機絕緣膜140上層之基板全面地形成ITO膜後，使 φ 用光微影技術圖案化，於畫像顯示領域2上形成第1驅動 電極1 5 0 (斜線所示領域）之際，在第1基板1 〇的凸出 領域15中從第2基板20之基板邊201露出部份中，第1 配線圖案1 1的下層配線1 26，以及第2配線圖案1 2的下 層配線1 27，因爲受到有機絕緣膜1 3〇的保護，故這些下 層配線1 2 6，下層配線〗2 7不會發生腐蝕等。 又，在光電裝置1製造完成以後，在第1基板10的 凸出領域1 5中從第2基板2 0之基板邊2 0 1露出部份，因 爲第1配線圖案1 1的下層配線1 2 6，以及第2配線圖案 -31 - (28) 1228184 1 2的下層配線1 2 7受到有機絕緣膜丨3 〇保護，不會發生 腐蝕等，故沒有必要對該部份施以樹脂模封。 其他構成因爲同於實施形態1，故省略說明。 〔實施形態5〕 圖2 0 ( A ) 、 （ B )分別爲，沿著圖3之a _ a，線位置 切斷光電裝置時的剖面圖、及沿著圖3之B1-B1，線與B2-B2’線位置切斷光電裝置時的剖面圖。 圖20(A) 、 （B)中，本形態之光電裝置，亦和實 施形態1同樣地，在第1基板1 0中，首先，從下層側往 上層側，依序形成由IT 0膜所成之基底導電膜丨丨〇，銀合 金等所成之光反射膜120，彩色濾光層7R、7G、7BMt 爲平坦化膜的有機絕緣膜1 3 0，由氧化矽膜等所成之無機 絕緣膜1 4 0，由IT 0膜所成之第1驅動電極1 5 0，以及偏 向膜（未圖示）。 φ 此處，雖然在實施形態1中，和光反射膜1 2 0同時形 成之金屬膜之上層，直接形成有彩色濾光層7R、7G、7B ’但本形態中，是在做爲光反射膜1 2 0使用的銀合金膜上 層，形成由ITO膜所成之導電性保護膜1 90。因此，當形 成彩色濾光層7R、7G、7B之際，即使在燒成時，也可防 止該當熱造成銀合金膜表面變色等不良。又，使用光微影 技術將導電性保護膜1 90圖案化之際，因爲可直接使用形 成光反射膜1 2 0時所用的曝光遮罩，故亦可大幅降低製造 成本。 -32-
V (29) 1228184 此外，各層的平面佈局等其他構成，因爲同於實施形 態1，故省略說明。 :實施形態6〕 圖21 ( A ) 、 （ B )分別爲，沿著圖3之A-A'線位置 切斷光電裝置時的剖面圖、及沿著圖3之B卜Β Γ線與B 2 -B2 ’線位置切斷光電裝置時的剖面圖。 圖21(A) 、 （B)中，本形態之光電裝置在第1基 板1 〇中，使用鋁膜做爲光反射膜1 20。鋁膜和銀合金膜 不同，對於玻璃等基底的密著性佳。因此，本形態中，在 第1基板1 〇中，對於基底直接形成光反射膜1 20，並在 該光反射膜120上層，依序形成彩色濾光層7R、7G、7B ，作爲平坦化膜的有機絕緣膜1 3 0，由氧化矽膜等所成之 無機絕緣膜〗40，由ITO膜所成之第1驅動電極150，以 及偏向膜（未圖不）。 即使在此情況下，例如，在形成有第1基板間導通端 子1 7 0的部份，將第1基板1 0與第2基板2 0隔著含有導 電粒子3 03的密封材3 0進行熱壓著之際，雖然第1基板 間導通端子1 7 0下層側形成有無機絕緣膜1 4 0，但其下層 側，形成有和光反射膜1 2 〇同時形成之第2配線圖案12 的下層配線1 22。因此，將第1基板1 〇與第2基板20隔 著含有導電粒子3 03的密封材3 0進行熱壓著之際，其壓 力會使導電粒子3 03貫通無機絕緣膜140，使第1基板間 導通端子1 7 0呈電氣連接至第2配線圖案1 2的下層配線 -33- (30) 1228184 122。 此外’各層的平面佈局等其他構成，因爲同於實施形 態1，故省略說明。 〔實施形態7〕 圖22 ( A ) 、（ B )分別爲，沿著圖3之A-A，線位置 切斷光電裝置時的剖面圖、及沿著圖3之Β 1 - Β 1，線與Β 2 _ Β2’線位置切斷光電裝置時的剖面圖。 如圖2 2(A) 、 （ Β )所示，例如，亦可在實施形態 6中，光反射膜120的下層側，藉由在基板表面附上凹凸 19’使光反射膜120的上面（反射面）賦予凹凸129。此 種構成，因爲可使反射光以散亂光的形式出射，故可消除 顯示之視角依存性。 〔其他實施形態〕 • 此外，上記實施形態中，雖然說明了反光膜是使用銀 合金膜、鋁膜之例子，但亦可採用鋁合金膜、鉬膜、鉬合 金膜與鋁膜或鋁合金膜的多層構造等。 本發明的光電裝置，除了上述液晶裝置以外，亦可適 用於電激發光裝置，尤其是有機電激發光裝置、無機電激 發光裝置等，或電漿顯示裝置、FED (場效顯示）裝置、 LED (發光二極體）顯示裝置、電泳顯示裝置、薄型映像 管、使用液晶快門等之小型電視、數位微鏡裝置（DMD ) -34- (31) 1228184 〔電子機器的適用： 接著，茲佐以圖23說明適用了本發明之光電裝置的 電子機器的一例。 圖2 3係，具備和上記光電裝置相同之構成的光電裝 置1之電子機器的構成方塊圖。 圖2 3中，電子機器係含有：顯示資訊輸出源1 〇 〇 〇、 顯不資訊處理電路1 0 0 2、具備用以切換顯示模式之控制 電路的驅動電路1 〇 04、光電裝置1、時脈產生電路〗〇 〇 8 、以及電源電路1 〇 I 〇而構成。顯示資訊輸出源1 〇 〇 0，係 含有 ROM (Read Only Memory) 、RAM ( Random Access Memory )、光碟等之記憶體、將電視訊號之畫像訊號同 步輸出的同步電路等所構成，根據來自時脈產生電路 1 008的時脈，將所定格式的畫像訊號處理後輸出至顯示 資訊處理電路1 〇 〇 2。該顯不資訊處理電路1 〇 〇 2，係例如 含有增幅·極性反轉電路、相展開電路、翻轉（r〇tation) 電路、反差（gamma)補正電路，或鉗位（cianlp)電路等周知 的各種處理電路，根據時脈信號從被輸入之顯示資訊依次 產生數位訊號，和時脈訊號CLK 一倂輸出至驅動電路 1 0 0 4。驅動電路】0 0 4，係驅動光電裝置1。電源電路 1 0 1 〇係將所定之電源供給至上述各電路。 此種構成的電子機器，可舉例如攜帶型個人電腦、行 動電話機、支援多媒體的個人電腦（PC )、以及工程工 作站（EWS )、呼叫器，或行動電話、文字處理機、電視 -35- (32) r 1228184 、取景型或螢幕直視型的錄影帶攝影機、電子筆記、桌上 型電算機、車上導航裝置、POS終端、觸控面板等。 【發明效果】 如以上說明，本發明所論光電裝置中，關於從安裝端 子至第I基板間導通端子所拉引的第2配線圖案，由於是 以構成光反射膜的金屬膜所形成，故可減小電氣阻抗。又 ，在光反射層與第1驅動電極之層間形成彩色濾光層，且 在彩色濾光層下層側在光反射膜上形成光穿透孔。因此， 被形成在以穿透模式進行顯示之光穿透窗的彩色濾光層， 是較被形成在以反射模式進行顯示之其他領域的彩色濾光 層爲厚。因此，穿透顯示光，即使穿透顯示光只通過彩色 濾光層一次’反射顯示光在入射和出射時共通過兩次，也 不會發生穿透模式顯示與反射模式顯示之反射模式色彩濃 而穿透模式色彩淡之課題，故可進行高品質的顯示。 【圖式簡單說明】 [圖1 ] 本發明之實施形態1所論光電裝置的斜視圖。 [圖2 ] 圖1所示光電裝置的分解斜視圖。 [圖3 ] 使用圖1所示光電裝置的第！基板之構成模式平面圖 -36- (33) (33)1228184 [圖4] (A ) 、 （ B )分別爲，沿著圖3之Λ-A.線位置切斷光電 裝置時的剖面圖、及沿著圖3之B卜B 1 '線與B 2 - B 2 ·線位 置切斷光電裝置時的剖面圖。 [圖5 ] 圖1所示的光電裝置所用之第丨基板及第2基板的各 形成要素的說明圖。 [圖6] (A )〜（F )分別是使用本形態之光電裝置之第1 基板及第2基板的製造方法，對應於圖4 ( A )所示之工 程剖面圖。 [圖7] (A )〜（F )分別是使用本形態之光電裝置之第1 基板及第2基板的製造方法，對應於圖4 ( B )所示之工 程剖面圖。 [圖8] (A ) 、 （ B )分別爲，將本發明實施形態2所論之 光電裝置，沿著圖3之A - A ’線位置切斷光電裝置時的剖 面圖、及沿著圖3之B 1 - B 1 ’線與B 2 - B 2 ’線位置切斷光電 裝置時的剖面圖。 [圖9] 圖8所示的光電裝置所用之第1基板及第2基板的各 形成要素的說明圖。 [圖 10] -37- (34) 1228184 (A)〜（F)分別是使用圖8所示之光電裝置之第！ 基板及第2基板的製造方法，對應於圖8 ( A )所示之工 程剖面圖。 [圖 1 1 ] (A)〜（F)分別是使用圖8所示之光電裝置之第1 基板及第2基板的製造方法，對應於圖8 ( B )所示之工 程剖面圖。 [圖 12] (A ) 、 （ B )分別爲’將本發明實施形態3所論之 光電裝置，沿著圖3之A-A，線位置切斷光電裝置時的剖 面圖、及沿著圖3之B 1 · B 1，線與b 2 - B 2，線位置切斷光電 裝置時的剖面圖。 [圖 13] 圖12所示的光電裝置所用之第1基板及第2基板的 各形成要素的說明圖。 [圖 14] (A)〜（F)分別是使用圖12所示之光電裝置之第 1基板及第2基板的製造方法，對應於圖1 2 ( A )所示之 工程剖面圖。 [圖 15] (A)〜（F)分別是使用圖ι2所示之光電裝置之第 1基板及第2基板的製造方法，對應於圖12(B)所示之 工程剖面圖。 [圖 1 6 ] -38- (35) I228184 (A ) 、( B ) 光電裝置，沿著圖 面圖、及沿著圖3 裝置時的剖面圖。 分別爲，將本發明實施形態4所論之 3之A-A'線位置切斷光電裝置時的剖 之Bl-Bl，線與B2-B2,線位置切斷光電 [圖 17] 圖16所不的光電裝置所用之第1基板及第2基板的 各形成要素的說明圖。 [圖 18] (A)〜（F)分別是使用圖16所示之光電裝置之第 1基板及桌2基板的製造方法，對應於圖1 6 ( a )所示之 工程剖面圖。 [圖 19] (A)〜（F)分別是使用圖16所示之光電裝置之第 1基板及第2基板的製造方法，對應於圖1 6 ( B )所示之 工程剖面圖。 [圖 2 0] (A ) 、 （ B )分別爲，將本發明實施形態5所論之 光電裝置，沿著圖3之A-A’線位置切斷光電裝置時的剖 面圖、及沿著圖3之B卜B 1 ’線與B 2 - B 2 ’線位置切斷光電 裝置時的剖面圖。 [圖 21] (A ) 、 （ B )分別爲，將本發明實施形態6所論之 光電裝置，沿著圖3之A-A’線位置切斷光電裝置時的剖 面圖、及沿著圖3之B卜B1’線與B2-B2’線位置切斷光電 -39- (36) 1228184 裝置時的剖面圖。 [圖 22] (A ) 、 （ B )分別爲，將本發明實施形態7所論之 光電裝置，沿著圖3之A-A1泉位置切斷光電裝置時的剖 面圖、及沿著圖3之B1-B1’線與B2-B2’線位置切斷光電 裝置時的剖面圖。 [圖 23] 具備和上記光電裝置相同之構成的光電裝置1之電子 機器的構成方塊圖。 [符號說明] 2
7R、7G、7B
9 10 11 1 2 15 光電裝置 畫像顯示領域 彩色濾光層7R、7G、7B 背光裝置 第1基板 第1配線圖案 第2配線圖案 凸出領域
19 凹凸 20 第2基板 30 密封材 35 液晶封入領域 -40- (37)1228184 36 液晶層 50 驅 動 用 1C 6 1,62 偏 光 板 101,102. ,103，104 基 板 邊 110 基 底 導 電 膜 111 曰 取 下 層 配 線 112 第 2 配 線 圖 120 光 反 射 膜 12 1 基 底 電 極 122 第 2 配 線 圖 126 第 1 配 線 圖 129 反 光 膜 的 凹 130 有 機 絕 緣 膜 140 Μ 機 絕 緣 膜 150 第 1 驅 動 電 15 1 上 層 配 線 1 52 上 層 配 線 160,161 安 裝 端 子 1 70 弟 1 基 板 間 190 導 電 性 保 護 20 1 基 板 邊 250 第 2 驅 動 電 270 第 2 基 板 間 導通端子 膜 極 導通端子 -41 - 案的最下層配線 案的下層配線（金屬配線） 案的下層配線（金屬配線） 凸 極 (38)1228184 301 密封材 3 02 密封材 303 導電粒子
-42-