JP2008185801A - 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】外部回路と接続端子との接続信頼性を向上させた電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器を提供すること。
【解決手段】素子基板に端子凸部34を形成する端子凸部形成工程を有し、端子凸部形成工程が、素子基板に弾性を有する樹脂材料で構成された樹脂凸部45を形成する工程と、樹脂凸部45を金属材料で構成された端子導電膜46で被覆する工程と、端子導電膜46を導電性金属酸化物で構成された端子被覆膜47で被覆する工程とを備える。
【選択図】図4
【解決手段】素子基板に端子凸部34を形成する端子凸部形成工程を有し、端子凸部形成工程が、素子基板に弾性を有する樹脂材料で構成された樹脂凸部45を形成する工程と、樹脂凸部45を金属材料で構成された端子導電膜46で被覆する工程と、端子導電膜46を導電性金属酸化物で構成された端子被覆膜47で被覆する工程とを備える。
【選択図】図4
Description
本発明は、例えば液晶表示装置などの電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器に関する。
例えば液晶表示装置を構成する基板にICチップなどの電子部品を実装する方法として、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)などの樹脂接着剤を介して基板上に電子部品を圧着する方法がある。しかし、ACF中の導電性微粒子が凝集することから、ICチップの端子の狭ピッチ化が困難である。
そこで、基板にICチップの端子と接続するためのバンプを形成する方法が提案されている(例えば、特許文献1、2参照)。ここで、前者の液晶表示装置では、ガラスで構成された基板にハーフエッチングを施すことで凸部を形成し、この凸部を導電膜で被覆することが記載されている。また、後者の液晶表示装置では、樹脂材料で形成された凸部上に画素電極などで用いられるITO(酸化インジウムスズ)膜を被覆することが記載されている。
特開平1−281433号公報
特開平6−180460号公報
そこで、基板にICチップの端子と接続するためのバンプを形成する方法が提案されている(例えば、特許文献1、2参照)。ここで、前者の液晶表示装置では、ガラスで構成された基板にハーフエッチングを施すことで凸部を形成し、この凸部を導電膜で被覆することが記載されている。また、後者の液晶表示装置では、樹脂材料で形成された凸部上に画素電極などで用いられるITO(酸化インジウムスズ)膜を被覆することが記載されている。
しかしながら、上記従来の液晶表示装置においても、以下の課題が残されている。すなわち、前者の液晶表示装置では、凸部がガラスなどの硬質材料で形成されており、搭載時に凸部が変形しないので、高い接続信頼性が得られないという問題がある。また、後者の液晶表示装置では、凸部が樹脂材料で構成されているので外部回路の搭載時に加重により変形するが、凸部の変形によってITO膜にクラックが発生することがある。これにより、高い接続信頼性が得られないという問題がある。
本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたもので、外部回路と接続端子との接続信頼性を向上させた電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器を提供することを目的とする。
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明にかかる電気光学装置の製造方法は、電気光学層を駆動する一対の電極の少なくとも一方が形成された基板を有する電気光学装置の製造方法であって、前記基板に、外部回路と接続する端子凸部を形成する端子凸部形成工程を有し、該端子凸部形成工程が、前記基板に弾性を有する樹脂材料で構成された樹脂凸部を形成する工程と、該樹脂凸部を金属材料で構成された端子導電膜で被覆する工程と、該端子導電膜を導電性金属酸化物で構成された端子被覆膜で被覆する工程とを備えることを特徴とする。
また、本発明にかかる電気光学装置は、電気光学層を駆動する一対の電極の少なくとも一方が形成された基板を有する電気光学装置であって、前記基板が、外部回路と接続する端子凸部を有し、該端子凸部が、弾性を有する樹脂材料で構成された樹脂凸部と、金属材料で構成されて該樹脂凸部を被覆する端子導電膜と、導電性金属酸化物膜で構成されて該端子導電膜を被覆する端子被覆膜とを備えることを特徴とする。
この発明では、端子凸部に外部回路を接続する際、樹脂凸部が弾性変形すると共に端子導電膜が樹脂凸部の弾性変形に伴って変形するため、外部回路と端子凸部との間の導通を確保できる。また、酸化物で構成された端子被覆膜が端子導電膜を被覆することで、端子導電膜の電蝕を防止できる。したがって、外部回路と端子凸部との間の高い接続信頼性を得ることができる。
すなわち、端子凸部が樹脂凸部を有しており、外部回路の接続時において樹脂凸部が加重に応じて弾性変形するため、端子凸部と外部回路との接触状態が維持される。そして、樹脂凸部を被覆している端子導電膜が金属材料で構成されており、樹脂凸部の変形に応じて変形するので、端子凸部と外部回路との導通状態が維持される。さらに、端子導電膜を導電性金属酸化物で構成された端子被覆膜で被覆しているので、端子導電膜の酸化による電蝕の発生を抑制できる。ここで、端子被覆膜が樹脂凸部と比較して弾性がなく、樹脂凸部の弾性変形によって端子被覆膜にクラックが発生しても、端子被覆膜による端子導電膜の電蝕の発生の抑制は有効に行われる。
すなわち、端子凸部が樹脂凸部を有しており、外部回路の接続時において樹脂凸部が加重に応じて弾性変形するため、端子凸部と外部回路との接触状態が維持される。そして、樹脂凸部を被覆している端子導電膜が金属材料で構成されており、樹脂凸部の変形に応じて変形するので、端子凸部と外部回路との導通状態が維持される。さらに、端子導電膜を導電性金属酸化物で構成された端子被覆膜で被覆しているので、端子導電膜の酸化による電蝕の発生を抑制できる。ここで、端子被覆膜が樹脂凸部と比較して弾性がなく、樹脂凸部の弾性変形によって端子被覆膜にクラックが発生しても、端子被覆膜による端子導電膜の電蝕の発生の抑制は有効に行われる。
また、本発明にかかる電気光学装置の製造方法は、前記基板に、画像表示領域内から引き廻される引廻配線を形成する引廻配線形成工程を備え、該引廻配線形成工程が、前記端子導電膜と同一の金属材料で構成された配線導電膜を形成する工程を有することが好ましい。
この発明では、端子導電膜と引廻配線を構成する配線導電膜とを同一工程で形成できるので、製造工程の簡略化が図れる。
この発明では、端子導電膜と引廻配線を構成する配線導電膜とを同一工程で形成できるので、製造工程の簡略化が図れる。
また、本発明にかかる電気光学装置の製造方法は、前記引廻配線形成工程が、前記端子被覆膜と同一の導電性金属酸化物で構成された配線被覆膜で前記配線導電膜を被覆する工程を有することが好ましい。
この発明では、配線導電膜を導電性金属酸化物で構成された配線被覆膜で被覆しているので、上述と同様に、配線導電膜の電蝕の発生を抑制できる。ここで、端子被覆膜と配線被覆膜とを同一工程で形成できるので、上述と同様に、製造工程の簡略化が図れる。
この発明では、配線導電膜を導電性金属酸化物で構成された配線被覆膜で被覆しているので、上述と同様に、配線導電膜の電蝕の発生を抑制できる。ここで、端子被覆膜と配線被覆膜とを同一工程で形成できるので、上述と同様に、製造工程の簡略化が図れる。
また、本発明にかかる電気光学装置の製造方法は、前記基板に、前記端子凸部と同一の樹脂材料で構成された樹脂膜を形成する工程と、前記端子被覆膜と同一の金属材料で構成された金属膜を形成する工程と、前記端子被覆膜と同一の導電性金属酸化物で構成された導電性金属酸化物膜を形成する工程とを備えることが好ましい。
この発明では、樹脂凸部と樹脂膜とを同一工程で形成できるので、上述と同様に、製造工程の簡略化が図れる。同様に、端子導電膜と金属膜とを同一工程で形成できると共に、端子被覆膜と導電性金属酸化物膜とを同一工程で形成できるので、製造工程の簡略化が図れる。
この発明では、樹脂凸部と樹脂膜とを同一工程で形成できるので、上述と同様に、製造工程の簡略化が図れる。同様に、端子導電膜と金属膜とを同一工程で形成できると共に、端子被覆膜と導電性金属酸化物膜とを同一工程で形成できるので、製造工程の簡略化が図れる。
また、本発明にかかる電気光学装置の製造方法は、前記電気光学層が、液晶層であり、前記金属膜が、前記一方の電極の反射電極を構成し、前記導電性金属酸化物膜が、前記一方の電極の透明電極を構成することとしてもよい。
この発明では、反射電極及び透明電極により反射表示領域及び透過表示領域を有する半透過反射型の液晶表示装置が構成される。
この発明では、反射電極及び透明電極により反射表示領域及び透過表示領域を有する半透過反射型の液晶表示装置が構成される。
また、本発明にかかる電子機器は、上記記載の電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置を備えることを特徴とする。
この発明では、外部回路と端子凸部との間の導通を確保できると共に端子導電膜の電蝕を防止できるため、外部回路との高い接続信頼性を有することとなる。
この発明では、外部回路と端子凸部との間の導通を確保できると共に端子導電膜の電蝕を防止できるため、外部回路との高い接続信頼性を有することとなる。
以下、本発明における電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の一実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。ここで、図1は液晶表示装置の概略斜視図、図2は図1の等価回路図、図3(a)は画素領域における素子基板の断面図、図3(b)は画像表示領域の外部における素子基板の断面図である。
〔液晶表示装置〕
最初に、本実施形態における液晶表示装置(電気光学装置)1について説明する。
本実施形態における液晶表示装置1は、TFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)を画素スイッチング素子として用いたアクティブマトリックス型の液晶表示装置である。ここで、表示を構成する最小単位となる表示領域を「画素領域」と称し、画素領域において液晶表示装置1の表示面側から入射する光を利用した表示が可能な領域を「反射表示領域」、液晶表示装置1の背面側(表示面と反対側)から入射する光を利用した表示が可能な領域を「透過表示領域」と称する。
最初に、本実施形態における液晶表示装置(電気光学装置)1について説明する。
本実施形態における液晶表示装置1は、TFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)を画素スイッチング素子として用いたアクティブマトリックス型の液晶表示装置である。ここで、表示を構成する最小単位となる表示領域を「画素領域」と称し、画素領域において液晶表示装置1の表示面側から入射する光を利用した表示が可能な領域を「反射表示領域」、液晶表示装置1の背面側(表示面と反対側)から入射する光を利用した表示が可能な領域を「透過表示領域」と称する。
液晶表示装置1は、半透過反射型の液晶表示装置であって、図1に示すように、素子基板(基板)2と、素子基板2と対向配置された対向基板3と、素子基板2及び対向基板3の間に挟持された液晶層4とを備えている。また、液晶表示装置1は、素子基板2と対向基板3とが対向する対向領域の外周部に設けられた平面視でほぼ矩形の枠状のシール材(図示略)を有しており、このシール材によって素子基板2と対向基板3とを貼り合わせている。そして、液晶表示装置1のうちシール材の内側に、画像表示領域5が形成されている。さらに、液晶表示装置1は、素子基板2に設けられたICチップなどの半導体装置であるデータ線駆動回路(外部回路)6、走査線駆動回路(外部回路)7及び配線基板(外部回路)8を備えている。
また、液晶表示装置1には、図示しない偏光板や反射シート、バックライトなどの部材が適宜設けられている。
また、液晶表示装置1には、図示しない偏光板や反射シート、バックライトなどの部材が適宜設けられている。
そして、液晶表示装置1の画像表示領域5には、図2に示すように、複数の画素領域がマトリックス状に配置されている。この複数の画素領域のそれぞれには、画素電極(一方の電極)11と、画素電極11をスイッチング制御するためのTFT素子12とが形成されている。また、画像表示領域5には、複数のデータ線13、走査線14及び容量線15が格子状に配置されている。
TFT素子12は、ソースがデータ線13に接続され、ゲートが走査線14に接続され、ドレインが画素電極11に接続されている。
データ線13は、データ線駆動回路6から画像信号S1、S2、…、Snを各画素領域に供給する構成となっている。ここで、データ線13は、画像信号S1〜Snをこの順で線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線13同士でグループごとに供給してもよい。
走査線14は、走査線駆動回路7から走査信号G1、G2、…、Gmを各画素領域に供給する構成となっている。ここで、走査線14は、走査信号G1〜Gmを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
容量線15は、画素電極11と対向基板3に形成された共通電極(他方の電極、図示略)との間で保持された画像信号S1〜Snがリークすることを防止するため、画素電極11と共通電極との間に形成される液晶容量と並列接続されるように各画素領域に形成された蓄積容量16を接続している。
データ線13は、データ線駆動回路6から画像信号S1、S2、…、Snを各画素領域に供給する構成となっている。ここで、データ線13は、画像信号S1〜Snをこの順で線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線13同士でグループごとに供給してもよい。
走査線14は、走査線駆動回路7から走査信号G1、G2、…、Gmを各画素領域に供給する構成となっている。ここで、走査線14は、走査信号G1〜Gmを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
容量線15は、画素電極11と対向基板3に形成された共通電極(他方の電極、図示略)との間で保持された画像信号S1〜Snがリークすることを防止するため、画素電極11と共通電極との間に形成される液晶容量と並列接続されるように各画素領域に形成された蓄積容量16を接続している。
また、液晶表示装置1は、図2に示すように、スイッチング素子であるTFT素子12が走査信号G1〜Gmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線13から供給される画像信号S1〜Snが所定のタイミングで画素電極11に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極11を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1〜Snは、画素電極11と対向基板3に設けられた共通電極(図示略)との間で一定期間保持される。
素子基板2は、図1及び図3に示すように、平面視でほぼ矩形状を有しており、例えばガラス、プラスチックなどの透光性材料を基体として構成されている。
そして、素子基板2のうち画像表示領域5と重なる領域には、画素電極11やTFT素子12(図2に示す)、複数のデータ線13、走査線14及び容量線15などが設けられている。
そして、素子基板2のうち画像表示領域5と重なる領域には、画素電極11やTFT素子12(図2に示す)、複数のデータ線13、走査線14及び容量線15などが設けられている。
画素電極11は、複数の画素領域のそれぞれに配置されており、図3に示すように、透光性の樹脂材料で構成された保護層(樹脂膜)21上に形成されている。そして、画素電極11は、反射電極(金属膜)22と透明電極(導電性金属酸化物膜)23とを有している。
反射電極22は、例えばAl(アルミニウム)などの高反射率を有する金属材料で構成されており、画素領域の反射表示領域に形成されている。また、反射電極22は、保護層21に形成されたコンタクトホールH1を介して、保護層21の下層に形成された接続電極24に接続されている。
透明電極23は、例えばITOなどの透光性導電材料で構成されており、画素領域の透過表示領域に形成されている。また、透明電極23は、その一部が反射電極22上に形成されており、反射電極22と導通している。
保護層21は、例えば感光性アクリル樹脂のような透光性を有する樹脂材料で構成されており、例えばSiNx(窒化シリコン)などの絶縁材料で構成された層間絶縁膜25上に形成されている。また、保護層21のうち反射電極22が形成される領域には、反射電極22に入射した光を散乱反射させるための凹凸部(図示略)が形成されている。そして、保護層21上には、液晶層4を構成する液晶分子の初期配向状態を規制する配向膜26が形成されている。この配向膜26は、例えばポリイミドなどの樹脂材料で構成されており、表面に配向処理が施されている。
反射電極22は、例えばAl(アルミニウム)などの高反射率を有する金属材料で構成されており、画素領域の反射表示領域に形成されている。また、反射電極22は、保護層21に形成されたコンタクトホールH1を介して、保護層21の下層に形成された接続電極24に接続されている。
透明電極23は、例えばITOなどの透光性導電材料で構成されており、画素領域の透過表示領域に形成されている。また、透明電極23は、その一部が反射電極22上に形成されており、反射電極22と導通している。
保護層21は、例えば感光性アクリル樹脂のような透光性を有する樹脂材料で構成されており、例えばSiNx(窒化シリコン)などの絶縁材料で構成された層間絶縁膜25上に形成されている。また、保護層21のうち反射電極22が形成される領域には、反射電極22に入射した光を散乱反射させるための凹凸部(図示略)が形成されている。そして、保護層21上には、液晶層4を構成する液晶分子の初期配向状態を規制する配向膜26が形成されている。この配向膜26は、例えばポリイミドなどの樹脂材料で構成されており、表面に配向処理が施されている。
接続電極24は、層間絶縁膜25上に形成されており、層間絶縁膜25に形成されたコンタクトホールH2を介してTFT素子12(図2に示す)のドレインに接続されている。
データ線13は、接続電極24と同様に、層間絶縁膜25上に形成されており、層間絶縁膜25に形成されたコンタクトホールH3を介してTFT素子12のソースに接続されている。
データ線13は、接続電極24と同様に、層間絶縁膜25上に形成されており、層間絶縁膜25に形成されたコンタクトホールH3を介してTFT素子12のソースに接続されている。
また、図1及び図3に示すように、素子基板2のうち対向基板3と対向配置したときに対向基板3から張り出す張出領域2aには、引廻配線31、32と外部接続配線33と端子凸部34とが形成されている。
引廻配線31は、画像表示領域5内に設けられたデータ線13に接続されており、データ線13と画像表示領域5外とを接続している。また、引廻配線31は、層間絶縁膜25上に形成された配線導電膜41と配線導電膜41を被覆する配線被覆膜42とを有している。
配線導電膜41は、上述した反射電極22と同一材料である例えばAlなどの金属材料で構成されている。また、配線被覆膜42は、上述した透明電極23と同一材料である例えばITOなどの導電性電極酸化物で構成されている。
引廻配線32は、引廻配線31と同様に、画像表示領域5内に設けられた走査線14及び容量線15に接続されており、走査線14と画像表示領域5外とを接続している。また、引廻配線32は、引廻配線31と同様に、層間絶縁膜25上に形成された配線導電膜41とこれを被覆する配線被覆膜42とを有している。
引廻配線31は、画像表示領域5内に設けられたデータ線13に接続されており、データ線13と画像表示領域5外とを接続している。また、引廻配線31は、層間絶縁膜25上に形成された配線導電膜41と配線導電膜41を被覆する配線被覆膜42とを有している。
配線導電膜41は、上述した反射電極22と同一材料である例えばAlなどの金属材料で構成されている。また、配線被覆膜42は、上述した透明電極23と同一材料である例えばITOなどの導電性電極酸化物で構成されている。
引廻配線32は、引廻配線31と同様に、画像表示領域5内に設けられた走査線14及び容量線15に接続されており、走査線14と画像表示領域5外とを接続している。また、引廻配線32は、引廻配線31と同様に、層間絶縁膜25上に形成された配線導電膜41とこれを被覆する配線被覆膜42とを有している。
外部接続配線33は、素子基板2に搭載されたデータ線駆動回路6や走査線駆動回路7と配線基板8とを接続している。そして、外部接続配線33は、引廻配線31と同様に、層間絶縁膜25上に形成された配線導電膜43と配線導電膜43を被覆する配線被覆膜44とを有している。
配線基板8は、図1に示すように、FPC(フレキシブルプリント基板)であり、容量素子やICチップなどの電子部品(図示略)が接続されている。そして、配線基板8は、これら電子部品を介して画像表示領域5における画像表示に関わる各種の信号をデータ線駆動回路6及び走査線駆動回路7に供給する。
配線基板8は、図1に示すように、FPC(フレキシブルプリント基板)であり、容量素子やICチップなどの電子部品(図示略)が接続されている。そして、配線基板8は、これら電子部品を介して画像表示領域5における画像表示に関わる各種の信号をデータ線駆動回路6及び走査線駆動回路7に供給する。
端子凸部34は、図3に示すように、引廻配線31、32の端部及び外部接続配線33の両端部にそれぞれ設けられている。そして、端子凸部34は、平面視でほぼ円形であり、その外径が先端に向かうにしたがって小さくなる柱状体である。また、端子凸部34は、柱状の樹脂凸部45と、樹脂凸部45を被覆する端子導電膜46と、端子導電膜46を被覆する端子被覆膜47とを有している。
樹脂凸部45は、保護層21と同一材料である例えばアクリルなどの透光性樹脂材料で構成されており、層間絶縁膜25上に形成されている。
端子導電膜46は、反射電極22と同一材料である例えばAlなどの金属材料で構成されており、樹脂凸部45を被覆している。また、端子導電膜46は、配線導電膜41、43と一体的に形成されている。
端子被覆膜47は、透明電極23と同一材料である例えばITOなどの導電性金属酸化物で構成されており、端子導電膜46を被覆している。また、端子被覆膜47は、配線被覆膜42、44と一体的に形成されている。
樹脂凸部45は、保護層21と同一材料である例えばアクリルなどの透光性樹脂材料で構成されており、層間絶縁膜25上に形成されている。
端子導電膜46は、反射電極22と同一材料である例えばAlなどの金属材料で構成されており、樹脂凸部45を被覆している。また、端子導電膜46は、配線導電膜41、43と一体的に形成されている。
端子被覆膜47は、透明電極23と同一材料である例えばITOなどの導電性金属酸化物で構成されており、端子導電膜46を被覆している。また、端子被覆膜47は、配線被覆膜42、44と一体的に形成されている。
一方、対向基板3は、図1に示すように、反射表示領域に対応して設けられた液晶層厚調整層(図示略)と、素子基板2に設けられた画素電極11と液晶層4を介して対向配置された共通電極とを有している。
そして、液晶層4は、正の誘電率異方性を有する液晶を用いたTN(Twisted Nematic)モードで動作する構成となっている。
そして、液晶層4は、正の誘電率異方性を有する液晶を用いたTN(Twisted Nematic)モードで動作する構成となっている。
〔液晶表示装置の製造方法〕
次に、以上のような構成の液晶表示装置1の製造方法について、図4を参照しながら説明する。なお、本実施形態では、素子基板2の製造工程のうち端子凸部34の形成工程に特徴があるため、この点について主に説明する。ここで、図4は、素子基板2の製造工程を示す工程図である。
まず、透光性材料で構成された基体の上面に下地保護膜を形成し、この下地保護膜上に半導体層を形成する。そして、この半導体層を被覆するゲート絶縁膜を形成し、このゲート絶縁膜上に走査線14及び容量線15を形成する。さらに、走査線14及び容量線15を被覆する層間絶縁膜25を形成し、層間絶縁膜25上にデータ線13及び接続電極24を形成する(図4(a))。
次に、以上のような構成の液晶表示装置1の製造方法について、図4を参照しながら説明する。なお、本実施形態では、素子基板2の製造工程のうち端子凸部34の形成工程に特徴があるため、この点について主に説明する。ここで、図4は、素子基板2の製造工程を示す工程図である。
まず、透光性材料で構成された基体の上面に下地保護膜を形成し、この下地保護膜上に半導体層を形成する。そして、この半導体層を被覆するゲート絶縁膜を形成し、このゲート絶縁膜上に走査線14及び容量線15を形成する。さらに、走査線14及び容量線15を被覆する層間絶縁膜25を形成し、層間絶縁膜25上にデータ線13及び接続電極24を形成する(図4(a))。
次に、引廻配線形成工程及び端子凸部形成工程を行う。まず、データ線13及び接続電極24を被覆する保護層21と、端子凸部34を構成する樹脂凸部45を形成する。ここでは、層間絶縁膜25上に保護層21及び樹脂凸部45を構成する感光性樹脂材料をスピンコート法などを用いて塗布し、フォトリソグラフィ技術などを用いてパターニングする。これにより、保護層21及び樹脂凸部45が形成される。このとき、保護層21にコンタクトホールH1が形成される(図4(b))。
続いて、画素電極11を構成する反射電極22、配線導電膜41、43及び端子導電膜46を形成する。ここでは、反射電極22や配線導電膜41、43、端子導電膜46を構成する金属膜を形成し、これをフォトリソグラフィ技術などを用いてパターニングする。これにより、反射電極22、配線導電膜41、43及び端子導電膜46が形成される(図4(c))。
続いて、画素電極11を構成する反射電極22、配線導電膜41、43及び端子導電膜46を形成する。ここでは、反射電極22や配線導電膜41、43、端子導電膜46を構成する金属膜を形成し、これをフォトリソグラフィ技術などを用いてパターニングする。これにより、反射電極22、配線導電膜41、43及び端子導電膜46が形成される(図4(c))。
次に、画素電極11を構成する透明電極23、配線被覆膜42、44を形成する。ここでは、透明電極23や配線被覆膜42、44、端子被覆膜47を構成する導電性金属酸化物膜を形成し、これをフォトリソグラフィ技術などを用いてパターニングする。これにより、透明電極23、配線被覆膜42、44及び端子被覆膜47が形成され、画素電極11、引廻配線31、32及び端子凸部34が形成される(図4(d))。
その後、保護層21及び画素電極11を被覆する配向膜26を形成する。これにより、素子基板2が形成される。そして、別途形成した対向基板3とシール材を介して貼り合わせて液晶層4を封入する。
その後、保護層21及び画素電極11を被覆する配向膜26を形成する。これにより、素子基板2が形成される。そして、別途形成した対向基板3とシール材を介して貼り合わせて液晶層4を封入する。
続いて、端子凸部34にデータ線駆動回路6、走査線駆動回路7及び配線基板8を接続する。ここでは、端子凸部34上にデータ線駆動回路6や走査線駆動回路7を搭載し、これらを紫外線硬化樹脂などの接着剤(図示略)を用いて素子基板2に固定する。ここで、データ線駆動回路6や走査線駆動回路7の搭載時に端子凸部34に加重が加わるが、端子凸部34が樹脂凸部45により弾性変形すると共に端子導電膜46がこの変形に追従するため、データ線駆動回路6や走査線駆動回路7と端子凸部34との導通が確保される。
また、同様に、端子凸部34上に配線基板8を搭載し、これを素子基板2に固定する。ここでも、上述と同様に、端子凸部34が樹脂凸部45により弾性変形すると共に端子導電膜46がこの変形に追従するため、配線基板8と端子凸部34との導通が確保される。また、端子被覆膜47により端子導電膜46が被覆されているので、端子導電膜46の酸化による電蝕の発生が抑制される。以上のようにして、液晶表示装置1を製造する。
また、同様に、端子凸部34上に配線基板8を搭載し、これを素子基板2に固定する。ここでも、上述と同様に、端子凸部34が樹脂凸部45により弾性変形すると共に端子導電膜46がこの変形に追従するため、配線基板8と端子凸部34との導通が確保される。また、端子被覆膜47により端子導電膜46が被覆されているので、端子導電膜46の酸化による電蝕の発生が抑制される。以上のようにして、液晶表示装置1を製造する。
〔電子機器〕
以上のような構成の液晶表示装置1は、例えば図5に示すような携帯電話機100の表示部101として用いられる。この携帯電話機100は、表示部101、複数の操作ボタン102、受話口103、送話口104及び上記表示部101を有する本体部を備えている。
以上のような構成の液晶表示装置1は、例えば図5に示すような携帯電話機100の表示部101として用いられる。この携帯電話機100は、表示部101、複数の操作ボタン102、受話口103、送話口104及び上記表示部101を有する本体部を備えている。
以上のように、本実施形態における液晶表示装置1の製造方法及び液晶表示装置1並びに携帯電話機100によれば、端子凸部34にデータ線駆動回路6や走査線駆動回路7、配線基板8を接続する際、樹脂凸部45が弾性変形すると共に端子導電膜46が樹脂凸部45の変形に伴って変形するので、データ線駆動回路6や走査線駆動回路7、配線基板8との導通を十分に確保できる。また、端子導電膜46を端子被覆膜47で被覆することで、端子導電膜46の酸化による電蝕を防止できる。したがって、データ線駆動回路6や走査線駆動回路7、配線基板8との間の高い接続信頼性が得られる。なお、端子被覆膜47に樹脂凸部45の弾性変形によってクラックが発生した場合であっても、端子被覆膜47による端子導電膜46の電蝕の発生の抑制効果は維持される。
ここで、樹脂凸部45と保護層21とを同一材料で構成することで、同一工程で形成することができ、製造工程を簡略化できる。また、端子導電膜46と反射電極22及び配線導電膜41、43とを同一工程で形成することができ、製造工程を簡略化できる。そして、端子被覆膜47と透明電極23及び配線被覆膜42、44とを同一工程で形成でき、製造工程を簡略化できる。
また、配線導電膜41、43をそれぞれ配線被覆膜42、44で被覆しているので、配線導電膜41、43の電蝕の発生を抑制できる。
ここで、樹脂凸部45と保護層21とを同一材料で構成することで、同一工程で形成することができ、製造工程を簡略化できる。また、端子導電膜46と反射電極22及び配線導電膜41、43とを同一工程で形成することができ、製造工程を簡略化できる。そして、端子被覆膜47と透明電極23及び配線被覆膜42、44とを同一工程で形成でき、製造工程を簡略化できる。
また、配線導電膜41、43をそれぞれ配線被覆膜42、44で被覆しているので、配線導電膜41、43の電蝕の発生を抑制できる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、樹脂凸部と保護層とを同一工程で形成しているが、それぞれ異なる工程で形成してもよい。これにより、樹脂凸部と保護層とでそれぞれ最適な材料を選択することができる。また、樹脂凸部を保護層と同一材料としているが、樹脂凸部と画像表示領域を構成する樹脂材料で構成された部材とが同一材料で構成されていればよく、例えば樹脂凸部とスペーサや配向膜、樹脂製のブラックマトリックス、カラーフィルタ、配向制御用の凸部など、他の樹脂材料で構成された部材と同一工程で形成されてもよい。
同様に、端子導電膜と配線導電膜と反射電極とを同一工程で形成しているが、端子導電膜及び配線導電膜のみを同一工程で形成してもよく、それぞれ異なる工程としてもよい。また、端子導電膜及び配線導電膜を反射電極と同一材料としているが、樹脂凸部よりも後の工程であると共に端子被覆膜よりも前の工程で形成される部材であれば、例えばデータ線や走査線、容量線、接続電極、反射膜など、他の金属材料で構成された部材と同一工程で形成されてもよい。
そして、端子被覆膜と配線被覆膜と透明電極とを同一工程で形成しているが、端子被覆膜及び配線被覆膜のみを同一工程で形成してもよく、それぞれ異なる工程としてもよい。また、端子被覆膜及び配線被覆膜を透明電極と同一材料としているが、樹脂凸部や端子導電膜よりも後の工程で形成される部材であればよい。
例えば、樹脂凸部と保護層とを同一工程で形成しているが、それぞれ異なる工程で形成してもよい。これにより、樹脂凸部と保護層とでそれぞれ最適な材料を選択することができる。また、樹脂凸部を保護層と同一材料としているが、樹脂凸部と画像表示領域を構成する樹脂材料で構成された部材とが同一材料で構成されていればよく、例えば樹脂凸部とスペーサや配向膜、樹脂製のブラックマトリックス、カラーフィルタ、配向制御用の凸部など、他の樹脂材料で構成された部材と同一工程で形成されてもよい。
同様に、端子導電膜と配線導電膜と反射電極とを同一工程で形成しているが、端子導電膜及び配線導電膜のみを同一工程で形成してもよく、それぞれ異なる工程としてもよい。また、端子導電膜及び配線導電膜を反射電極と同一材料としているが、樹脂凸部よりも後の工程であると共に端子被覆膜よりも前の工程で形成される部材であれば、例えばデータ線や走査線、容量線、接続電極、反射膜など、他の金属材料で構成された部材と同一工程で形成されてもよい。
そして、端子被覆膜と配線被覆膜と透明電極とを同一工程で形成しているが、端子被覆膜及び配線被覆膜のみを同一工程で形成してもよく、それぞれ異なる工程としてもよい。また、端子被覆膜及び配線被覆膜を透明電極と同一材料としているが、樹脂凸部や端子導電膜よりも後の工程で形成される部材であればよい。
また、液晶表示装置は、素子基板に画素電極を設けると共に対向基板に共通電極を設けた電極構造を有しているが、素子基板に画素電極及び共通電極を形成して液晶層に対して基板面方向の電界を発生させるIPS(In-Plane Switching)方式やFFS(Fringe-Field Switching)方式などの、いわゆる横電界方式を用いた電極構造を採用してもよい。
そして、液晶層として、TNモードで動作する液晶を用いているが、TNモードに限らず、負の誘電率異方性を有するVAN(Vertical Aligned Nematic)モードやECB(Electrically Controlled Birefringence)モード、OCB(Optical Compensated Bend)モードなど、他の液晶を用いてもよい。
そして、液晶表示装置は、画素電極が反射電極及び透明電極を有する半透過反射型の液晶表示装置となっているが、端子凸部が樹脂膜、端子導電膜及び端子被覆膜を有する構成であれば、反射型や透過型のような他の液晶表示装置の構成としてもよい。
そして、液晶層として、TNモードで動作する液晶を用いているが、TNモードに限らず、負の誘電率異方性を有するVAN(Vertical Aligned Nematic)モードやECB(Electrically Controlled Birefringence)モード、OCB(Optical Compensated Bend)モードなど、他の液晶を用いてもよい。
そして、液晶表示装置は、画素電極が反射電極及び透明電極を有する半透過反射型の液晶表示装置となっているが、端子凸部が樹脂膜、端子導電膜及び端子被覆膜を有する構成であれば、反射型や透過型のような他の液晶表示装置の構成としてもよい。
また、液晶表示装置を備える電子機器としては、携帯電話機に限らず、PDA(Personal Digital Assistant:携帯情報端末機)やパーソナルコンピュータ、ノート型パーソナルコンピュータ、ワークステーション、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、カーナビゲーション装置、ヘッドアップディスプレイ、デジタルビデオカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ページャ、電子手帳、電卓、電子ブックやプロジェクタ、ワードプロセッサ、テレビ電話機、POS端末、照明装置などのような他の電子機器であってもよい。
そして、電気光学装置としては、液晶層のように一対の電極間に電界を発生させることによって光学特性が変化する電気光学層を備えるものであれば、液晶表示装置に限らず、有機EL(エレクトロルミネッセンス)装置など他の装置であってもよい。
そして、電気光学装置としては、液晶層のように一対の電極間に電界を発生させることによって光学特性が変化する電気光学層を備えるものであれば、液晶表示装置に限らず、有機EL(エレクトロルミネッセンス)装置など他の装置であってもよい。
1 液晶表示装置(電気光学装置)、2 素子基板(基板)、4 液晶層(電気光学層)、6 データ線駆動回路(外部回路)、7 走査線駆動回路(外部回路)、8 配線基板(外部回路)、21 保護層(樹脂膜)、22 反射電極(金属膜)、23 透明電極(導電性金属酸化物膜)、41,43 配線導電膜、42,44 配線被覆膜、45 樹脂凸部、46 端子導電膜、47 端子被覆膜、100 携帯電話機(電子機器)
Claims (7)
- 電気光学層を駆動する一対の電極の少なくとも一方が形成された基板を有する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板に、外部回路と接続する端子凸部を形成する端子凸部形成工程を有し、
該端子凸部形成工程が、前記基板に弾性を有する樹脂材料で構成された樹脂凸部を形成する工程と、該樹脂凸部を金属材料で構成された端子導電膜で被覆する工程と、該端子導電膜を導電性金属酸化物で構成された端子被覆膜で被覆する工程とを備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 前記基板に、画像表示領域内から引き廻される引廻配線を形成する引廻配線形成工程を備え、
該引廻配線形成工程が、前記端子導電膜と同一の金属材料で構成された配線導電膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記引廻配線形成工程が、前記端子被覆膜と同一の導電性金属酸化物で構成された配線被覆膜で前記配線導電膜を被覆する工程を有することを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置の製造方法。
- 前記基板に、前記端子凸部と同一の樹脂材料で構成された樹脂膜を形成する工程と、前記端子被覆膜と同一の金属材料で構成された金属膜を形成する工程と、前記端子被覆膜と同一の導電性金属酸化物で構成された導電性金属酸化物膜を形成する工程とを備えることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電気光学装置の製造方法。
- 前記電気光学層が、液晶層であり、
前記金属膜が、前記一方の電極の反射電極を構成し、
前記導電性金属酸化物膜が、前記一方の電極の透明電極を構成することを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置の製造方法。 - 電気光学層を駆動する一対の電極の少なくとも一方が形成された基板を有する電気光学装置であって、
前記基板が、外部回路と接続する端子凸部を有し、
該端子凸部が、弾性を有する樹脂材料で構成された樹脂凸部と、金属材料で構成されて該樹脂凸部を被覆する端子導電膜と、導電性金属酸化物膜で構成されて該端子導電膜を被覆する端子被覆膜とを備えることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007019338A JP2008185801A (ja) | 2007-01-30 | 2007-01-30 | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011061989A1 (ja) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | シャープ株式会社 | デバイス基板およびその製造方法 |
WO2019167239A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-06 | シャープ株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
-
2007
- 2007-01-30 JP JP2007019338A patent/JP2008185801A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
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