JP2007304384A - 液晶装置、液晶装置の製造方法、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】透過領域および反射領域において、フリッカが生じるのを抑制できる半透過反射
型の液晶装置、液晶装置の製造方法、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置は、液晶パネルおよびバックライト３１を備える。液晶パネルは、
素子基板６０、対向基板７０、および液晶を備える。素子基板６０の透過領域５０Ａには
、透明電極５５Ａが形成され、この透明電極５５Ａは、素子基板６０の反射領域５０Ｂに
延設されてＴＦＴのドレイン電極に電気的に接続された画素電位側容量電極５３２に、電
気的に接続される。素子基板６０の反射領域５０Ｂには、透明電極５５Ａのうち反射領域
５０Ｂに延設された透明電極５５Ａおよび画素電位側容量電極５３２を覆って、反射部樹
脂膜６５Ｂが形成され、反射部樹脂膜６５Ｂの上には、反射膜５８および透明電極５５Ｂ
が形成される。反射膜５８および透明電極５５Ｂは、透明電極５５Ａと電気的に接続され
る。
【選択図】図３

Description

本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、および電子機器に関する。

従来より、バックライトといった照明による照明光を利用する透過型表示と、自然光や
室内光といった周囲光の反射光を利用する反射型表示と、を兼ね備えた半透過反射型の液
晶装置がある（例えば、特許文献１参照）。

この特許文献１の液晶装置は、透過領域および反射領域を有する画素が複数配列された
液晶パネルと、この液晶パネルに光を供給するバックライトと、を備える。液晶パネルは
、画素の反射領域に設けられたスイッチング素子を複数有する素子基板と、この素子基板
に対向配置された対向基板と、素子基板および対向基板の間に設けられた液晶と、を備え
る。

素子基板には、スイッチング素子を覆って素子基板の全面に亘り、絶縁膜が形成され、
反射領域の絶縁膜上には、アルミニウム等の反射率の高い金属を含有する反射膜が形成さ
れる。透過領域の絶縁膜の上および反射領域の反射膜の上には、画素電極として、ＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電体からなる透明
電極が形成される。
スイッチング素子の一端には、データ線が電気的に接続されている。スイッチング素子
の他端には、絶縁膜の一部を貫通して設けられたコンタクトホールを介して、透明電極が
電気的に接続されている。

対向基板には、透明電極および反射電極に対向して、対向電極が形成される。

以上の特許文献１の液晶装置は、以下のように動作する。
すなわち、データ線に画像信号を供給すると、オン状態のスイッチング素子を介して、
画素電極としての透明電極に画像信号に基づく画像データが書き込まれる。
これら画素電極に画像データが書き込まれると、画素電極と共通電極との電位差により
、液晶に駆動電圧が印加され、液晶の配向や秩序が変化する。すると、透過領域では、配
向や秩序の変化した液晶によりバックライトからの光が変化して、階調表示が行われる。
一方、反射領域では、液晶パネルに入射された周囲光が反射膜により反射され、配向や秩
序の変化した液晶により反射光が変化して、階調表示が行われる。
特開２００３−２７９９６７号公報

ところで、透過領域では、バックライトからの光が透明電極を１度通過する。一方、反
射領域では、周囲光が透明電極を通過した後、反射膜で反射されて透明電極を再び通過す
る。すなわち、反射領域では、周囲光が透明電極を２度通過する。

特許文献１の液晶装置は、透過領域および反射領域に同一工程で透明電極を形成するの
で、透過領域の透明電極と反射領域の透明電極とは、同一の膜厚になる。このため、反射
領域において光が通過する光路（距離）は、透過領域において光が通過する光路と比べて
、透明電極の膜厚の分だけ大きくなる。よって、反射領域および透過領域において、フリ
ッカが生じる場合があった。

本発明は、透過領域および反射領域において、フリッカが生じるのを抑制できる半透過
反射型の液晶装置、液晶装置の製造方法、および電子機器を提供することを目的とする。

本発明の液晶装置は、透過領域および反射領域を有する画素が複数配列された液晶パネ
ルと、前記液晶パネルに光を供給する照明と、を備え、前記液晶パネルは、前記画素の反
射領域に設けられたスイッチング素子を複数有する第１の基板と、前記第１の基板に対向
して設けられた第２の基板と、前記第１の基板および前記第２の基板の間に挟持された液
晶と、を備える液晶装置であって、前記第１の基板の透過領域には、第１の透明電極が形
成され、前記第１の透明電極は、前記第１の基板の反射領域に延設されて前記スイッチン
グ素子に電気的に接続され、前記第１の基板の反射領域には、前記第１の透明電極のうち
前記反射領域に延設された第１の透明電極と、前記スイッチング素子と、を覆って反射部
樹脂膜が形成され、前記反射部樹脂膜上には、反射膜が形成され、前記反射膜上には、第
２の透明電極が形成されることを特徴とする。

この発明によれば、第１の基板の透過領域に第１の透明電極を形成し、この第１の透明
電極を第１の基板の反射領域に延設させ、この第１の基板の反射領域に延在させた第１の
透明電極と、スイッチング素子と、を覆って反射部樹脂膜を形成した。そして、この反射
部樹脂膜上に反射膜を形成し、この反射膜上に第２の透明電極を形成した。このため、透
過領域に形成する第１の透明電極と、反射領域に形成する第２の透明電極と、をそれぞれ
別工程で形成することになるので、それぞれ異なる膜厚で形成できる。よって、第２の透
明電極を第１の透明電極よりも膜厚を薄く形成することで、透過領域において光が通過す
る光路と、反射領域において光が通過する光路と、を等しくして、透過領域および反射領
域において、フリッカが生じるのを抑制できる。

本発明の液晶装置では、前記第１の透明電極および前記第２の透明電極は、同一材料で
形成されることが好ましい。

画素電極は、ＩＴＯやＩＺＯ等で形成されるが、形成される材料によって電気的特性が
異なる。このため、画素電極としての第１の透明電極および第２の透明電極をそれぞれ異
なる材料で形成すると、これら第１の透明電極および第２の透明電極に同一の画像データ
を書き込んでも、透過領域と反射領域とで液晶の配向や秩序に差異が生じ、透過領域およ
び反射領域において、フリッカが生じる場合があった。
そこで、この発明によれば、画素電極としての第１の透明電極および第２の透明電極を
同一材料で形成したので、透過領域と反射領域とで液晶の配向や秩序に差異が生じるのを
抑制し、透過領域および反射領域において、フリッカが生じるのをさらに抑制できる。

本発明の液晶装置では、前記第２の透明電極は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成
され、前記反射膜は、アルミニウムを主材とし、少なくともニッケルが添加された材料で
形成されることが好ましい。

例えば、反射膜をアルミニウムのみで形成した場合について、以下に説明する。
アルミニウムの標準電極電位は、約−１．９Ｖであり、ＩＴＯの標準電極電位は、約−
０．２Ｖであるので、これらの電位差は、約１．７Ｖとなる。このため、ＩＴＯからなる
第２の透明電極上に、アルミニウムからなる反射膜を形成すると、反射膜には上述の約１
．７Ｖの電圧が印加される。ここで、アルミニウムは、１．７Ｖの電圧が印加されるとイ
オン化するので、反射膜は、溶けてしまう。よって、ＩＴＯからなる第２の透明電極と、
アルミニウムからなる反射膜との間には、アクリル系樹脂といった透光性が良好で絶縁性
の高い材料からなる絶縁膜を形成しなければならなかった。

そこで、この発明によれば、アルミニウムを主材とし、少なくともニッケルが添加され
た材料で、反射膜を形成した。このような反射膜とすることにより、ＩＴＯとの電位差を
、アルミニウムのイオン化電位以下とすることができるため、反射膜は、溶けない。よっ
て、ＩＴＯからなる第２の透明電極と、アルミニウムにニッケルが添加された材料からな
る反射膜との間に、絶縁膜を形成する工程を削除して、製造工程を簡略化できる。

本発明の液晶装置では、前記反射膜は、前記第１の透明電極に電気的に接続されること
が好ましい。

第１の透明電極および第２の透明電極は、膜厚が薄いと断線の可能性があるが、膜厚が
厚いと光ロスが大きくなる。
この発明によれば、反射膜を第１の透明電極に電気的に接続し、この反射膜上に第２の
透明電極を形成した。反射膜は、光を反射するために所定の膜厚で形成されているので、
断線の可能性が低い。このため、第２の透明電極の一部が断線しても、断線の可能性の低
い反射膜を介して、全ての第２の透明電極は、第１の透明電極に電気的に接続されている
。よって、断線を考慮することなく第２の透明電極の膜厚を薄くして、第２の透明電極で
の光ロスを低減できる。

本発明の電子機器は、上述の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この発明によれば、上述した効果と同様の効果がある。

本発明の液晶装置の製造方法は、透過領域および反射領域を有する画素が複数配列され
た液晶パネルと、前記液晶パネルに光を供給する照明と、を備え、前記液晶パネルは、前
記画素の反射領域に設けられたスイッチング素子を複数有する第１の基板と、前記第１の
基板に対向して設けられた第２の基板と、前記第１の基板および前記第２の基板の間に挟
持された液晶と、を備える液晶装置の製造方法であって、前記第１の基板の透過領域およ
び前記スイッチング素子上に、非晶質の第１のＩＴＯ薄膜を形成する手順と、前記非晶質
の第１のＩＴＯ薄膜を結晶化させて、第１の透明電極を形成する手順と、前記第１の基板
の反射領域に、前記第１の透明電極のうち前記スイッチング素子上に形成された第１の透
明電極と、前記スイッチング素子と、を覆って反射部樹脂膜を形成する手順と、前記反射
部樹脂膜上に、反射膜を形成する手順と、前記反射膜上に、非晶質の第２のＩＴＯ薄膜を
形成する手順と、前記非晶質の第２のＩＴＯ薄膜を結晶化させて、第２の透明電極を形成
する手順と、を備えることを特徴とする。

透明電極は、王水や塩酸等の薬品を用いて、非晶質のＩＴＯ薄膜が所定の形状に形成さ
れた後に、この非晶質のＩＴＯ薄膜が加熱等により結晶化されることで形成される。結晶
化したＩＴＯ薄膜は、上述の薬品に対して耐薬品性を有する。
この発明によれば、非晶質の第１のＩＴＯ薄膜を結晶化させてから、非晶質の第２のＩ
ＴＯ薄膜を形成した。このため、非晶質の第２のＩＴＯ薄膜を形成する際に上述の薬品を
用いても、第１のＩＴＯ薄膜は結晶化しているので、この第１のＩＴＯ薄膜に変質や変形
等が発生するのを抑制できる。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の実施形態および変形
例の説明にあたって、同一構成要件については同一符号を付し、その説明を省略もしくは
簡略化する。
＜実施形態＞
図１は、本発明の一実施形態に係る液晶装置１の構成を示すブロック図である。
液晶装置１は、液晶パネルＡＡと、この液晶パネルＡＡに光を供給する照明としてのバ
ックライト３１と、を備える。この液晶装置１は、バックライト３１からの光を利用する
透過型表示と、自然光や室内光といった周囲光の反射光を利用する反射型表示と、を兼ね
備えた半透過反射型表示を行う。

液晶パネルＡＡは、複数の画素５０を有する表示領域Ａと、この表示領域Ａの周辺に設
けられて画素５０を駆動する走査線駆動回路１１およびデータ線駆動回路２１と、を備え
る。

この液晶パネルＡＡは、複数の走査線１０と、これら複数の走査線１０に交差し所定間
隔おきに交互に設けられた複数のデータ線２０および複数の共通線３０と、を備え、各走
査線１０および各データ線２０の交差部には、画素５０が設けられている。

画素５０は、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（以降、ＴＦＴ（Thin Film
Transistor）と呼ぶ）５１、画素電極５５、この画素電極５５に対向する共通電極５６
、および、一端が画素電極５５に電気的に接続され他端が共通線３０に電気的に接続され
た蓄積容量５３で構成される。

ＴＦＴ５１のゲート電極には、走査線１０が接続され、ＴＦＴ５１のソース電極には、
データ線２０が接続され、ＴＦＴ５１のドレイン電極には、画素電極５５および蓄積容量
５３が接続されている。画素電極５５と共通電極５６との間には、液晶が挟持される。し
たがって、このＴＦＴ５１は、走査線１０から選択電圧が印加されるとオン状態になり、
データ線２０と画素電極５５および蓄積容量５３とを導通状態とする。

走査線駆動回路１１は、ＴＦＴ５１をオン状態にする選択電圧を各走査線１０に順次供
給する。例えば、ある走査線１０に選択電圧が供給されると、この走査線１０に接続され
たＴＦＴ５１が全てオン状態になり、この走査線１０に係る画素５０が全て選択される。

データ線駆動回路２１は、画像信号を各データ線２０に供給し、オン状態のＴＦＴ５１
を介して、画素電極５５に画像データを順次書き込む。

以上の液晶装置１は、以下のように動作する。
すなわち、走査線駆動回路１１から走査線１０に選択電圧を順次供給することで、ある
走査線１０に係るＴＦＴ５１を全てオン状態にして、この走査線１０に係る画素５０を全
て選択する。そして、これら画素５０の選択に同期して、データ線駆動回路２１からデー
タ線２０に画像信号を供給する。すると、走査線駆動回路１１で選択した全ての画素５０
に、データ線２０からオン状態のＴＦＴ５１を介して画像信号が供給されて、画像データ
が画素電極５５に書き込まれる。

画素電極５５に画像データが書き込まれると、この画素電極５５と共通電極５６との間
に電位差が生じて、液晶に駆動電圧が印加される。したがって、画像信号の電圧レベルを
変化させることで、液晶の配向や秩序を変化させて、各画素５０の光変調による階調表示
を行う。
なお、液晶に印加される駆動電圧は、蓄積容量５３により、画像データが書き込まれる
期間よりも３桁も長い期間に亘って保持される。

図２は、液晶パネルＡＡの画素５０の拡大平面図である。図３は、液晶パネルＡＡのＡ
−Ａ断面図である。

図３に示すように、液晶パネルＡＡは、画素５０に対応して設けられたＴＦＴ５１を複
数有する第１の基板としての素子基板６０と、この素子基板６０に対向して設けられた第
２の基板としての対向基板７０と、素子基板６０および対向基板７０の間に挟持された液
晶と、から構成されている。

図２に示すように、素子基板６０において、各画素５０は、互いに隣り合う２本の遮光
性の導電材料からなる走査線１０と、互いに隣り合う２本の遮光性の導電材料からなるデ
ータ線２０と、で囲まれた領域に設けられている。つまり、各画素５０は、走査線１０と
データ線２０とで区画されている。

この各画素５０は、透過型表示を行う透過領域５０Ａと、反射型表示を行う反射領域５
０Ｂと、を備える。
画素電極５５は、透過領域５０Ａに設けられた第１の透明電極としての透明電極５５Ａ
と、反射領域５０Ｂに設けられた第２の透明電極としての透明電極５５Ｂと、で構成され
る。これら透明電極５５Ａ、５５Ｂは、透明導電体としてのＩＴＯからなる。

本実施形態では、ＴＦＴ５１は、逆スタガ型のアモルファスシリコンＴＦＴであり、反
射領域５０Ｂには、このＴＦＴ５１が形成される領域５０Ｃ（図２中破線で囲まれた部分
）が設けられている。

まず、素子基板６０について説明する。
素子基板６０は、ガラス基板６８を有し、このガラス基板６８の上には、ガラス基板６
８の表面荒れや汚れによるＴＦＴ５１の特性の変化を防止するために、全面に亘って下地
絶縁膜（図示省略）が形成されている。

下地絶縁膜の上には、遮光性の導電材料からなる走査線１０および共通線３０が形成さ
れている。
走査線１０は、隣接する画素５０の境界に沿って設けられ、データ線２０との交差部の
近傍において反射領域５０Ｂ側に突出し、ＴＦＴ５１のゲート電極５１１を構成する。
共通線３０は、透過領域５０Ａと反射領域５０Ｂとの境界に沿って設けられ、各画素５
０において反射領域５０Ｂ側に突出し、共通電位側容量電極５３１を構成する。

また、下地絶縁膜の上には、共通電位側容量電極５３１と同じ遮光性の導電材料からな
る平坦化膜５３１Ａが、共通電位側容量電極５３１と同一の膜厚で形成されている。この
ため、反射領域５０Ｂにおいて、共通電位側容量電極５３１が形成された領域と、共通電
位側容量電極５３１が形成されない領域とでは、光の透過率が均一になっている。また、
反射領域５０Ｂにおいて、共通電位側容量電極５３１の形成された層が平坦になっている
。

以上の走査線１０、共通線３０、ゲート電極５１１、共通電位側容量電極５３１、およ
び平坦化膜５３１Ａを覆って、透過領域５０Ａおよび反射領域５０Ｂには、ゲート絶縁膜
６２が形成されている。

ゲート絶縁膜６２の上のＴＦＴ５１が形成される領域５０Ｃには、ゲート電極５１１に
対向して、アモルファスシリコンからなる半導体層（図示省略）、Ｎ＋アモルファスシリ
コンからなるオーミックコンタクト層（図示省略）が積層されている。このオーミックコ
ンタクト層には、ソース電極５１２およびドレイン電極５１３が積層されて、これにより
、アモルファスシリコンＴＦＴが形成されている。

ドレイン電極５１３は、ゲート絶縁膜６２の上の反射領域５０ＢでかつＴＦＴ５１が形
成される領域５０Ｃを除く領域において、画素電位側容量電極５３２を構成する。画素電
位側容量電極５３２は、ゲート絶縁膜６２を介して、上述の共通電位側容量電極５３１に
対向配置されている。これら共通電位側容量電極５３１および画素電位側容量電極５３２
は、蓄積容量５３を構成する。

ソース電極５１２は、データ線２０と同一の導電材料（同層）で形成されている。すな
わち、データ線２０からソース電極５１２が延出される構成となっている。データ線２０
は、走査線１０および共通線３０に対して交差するように設けられている。
上述のように、走査線１０および共通線３０の上には、ゲート絶縁膜６２が形成され、
このゲート絶縁膜６２の上には、データ線２０が形成されている。このため、データ線２
０は、走査線１０および共通線３０とは、ゲート絶縁膜６２により絶縁されている。

以上のデータ線２０、ソース電極５１２、ドレイン電極５１３、および画素電位側容量
電極５３２の一部を覆って、透過領域５０Ａおよび反射領域５０Ｂには、絶縁層としての
パッシベーション膜６４が形成されている。

パッシベーション膜６４の上の透過領域５０Ａには、透過部樹脂膜６５Ａが形成されて
いる。

透過部樹脂膜６５Ａの上の透過領域５０Ａには、透明電極５５Ａが形成されている。こ
の透明電極５５Ａは、反射領域５０Ｂの一部に延設され、画素電位側容量電極５３２のう
ち上述のパッシベーション膜６４が形成される領域を除く領域において、画素電位側容量
電極５３２に電気的に接続されている。

透明電極５５Ａのうち反射領域５０Ｂに延設された透明電極５５Ａと、パッシベーショ
ン膜６４と、画素電位側容量電極５３２のうち透明電極５５Ａが形成される領域を除く領
域と、を覆って、反射領域５０Ｂには、反射部樹脂膜６５Ｂが形成されている。
この反射部樹脂膜６５Ｂの液晶層側の表面には、複数の凹部６５１が形成されている。

反射部樹脂膜６５Ｂの上には、アルミニウムを主材とし、ニッケルが添加された材料か
らなる反射膜５８が形成されている。この反射膜５８は、周囲光を反射し、凹部６５１近
傍では、周囲光を散乱させる。また、この反射膜５８は、透過領域５０Ａおよび反射領域
５０Ｂの境界の近傍で、透明電極５５Ａに電気的に接続されている。

反射膜５８の上には、透明電極５５Ｂが形成されている。上述の反射膜５８および透明
電極５５Ｂは、反射電極を構成する。

透明電極５５Ａ、５５Ｂの上には、ポリイミド膜などの有機膜からなる配向膜（図示省
略）が形成されている。

次に、対向基板７０について説明する。
対向基板７０は、ガラス基板７４を有し、このガラス基板７４の走査線１０およびデー
タ線２０に対向する位置には、ブラックマトリクスとしての遮光膜７１が形成されている
。

ガラス基板７４および遮光膜７１の上には、カラーフィルタ７２が形成されている。本
実施形態では、透過領域５０Ａと反射領域５０Ｂとを結ぶ方向に隣り合う画素５０は、同
じ色の着色層を有している。カラーフィルタ７２の上には、透明電極５５Ａ、５５Ｂから
なる画素電極５５に対向するＩＴＯからなる共通電極５６が形成されている。共通電極５
６の上には、配向膜（図示省略）が形成されている。

以上の素子基板６０および対向基板７０は、フォトスペーサ４２により、所定の間隔を
空けて対向配置されている。これら素子基板６０と対向基板７０との間には、液晶層が形
成され、この液晶層は、素子基板６０および対向基板７０の周囲に形成されたシール材４
１（図５参照）により封止されている。
液晶層は、透過部樹脂膜６５Ａが形成された透過領域５０Ａでは、層厚が厚く、反射部
樹脂膜６５Ｂが形成された反射領域５０Ｂでは、層厚が薄く構成され、透過領域５０Ａと
反射領域５０Ｂとで光が液晶層を通過する光路（距離）が等しくなるように調整されてい
る。

素子基板６０および対向基板７０の表面には、図示しない位相差板や偏光板が設けられ
ている。
素子基板６０に対向する位置には、バックライト３１が設けられている。

次に、液晶装置１の透過型表示および反射型表示について説明する。
液晶装置１は、周囲光が少ない環境では、バックライト３１からの光を利用して、透過
型表示を行う。すなわち、図３中矢印で示すように、バックライト３１から出射された光
は、素子基板６０に設けられた偏光板（図示省略）で直線偏光となり、ガラス基板６８、
ゲート絶縁膜６２、パッシベーション膜６４、透過部樹脂膜６５Ａ、および透明電極５５
Ａを透過して、液晶層に入射する。

液晶層に入射した光は、透過領域５０Ａの透明電極５５Ａおよび共通電極５６の電位差
による印加電圧に応じて液晶により偏光方向が回転され、共通電極５６、カラーフィルタ
７２、およびガラス基板７４を透過して、対向基板７０に設けられた偏光板（図示省略）
に達する。偏光板に達した光は、液晶による偏光方向の回転量に応じて、偏光板を透過す
る。

一方、周囲光が十分にある環境では、周囲光の反射光を利用して、反射型表示を行う。
すなわち、図３中矢印で示すように、周囲光は、対向基板７０に設けられた偏光板（図示
省略）で直線偏光となり、ガラス基板７４、カラーフィルタ７２、および共通電極５６を
透過して、液晶層に入射する。液晶層に入射した光は、透明電極５５Ｂを透過して、反射
膜５８に達する。反射膜５８に達した光は、この反射膜５８で反射され、再び透明電極５
５Ｂを透過して液晶層に入射する。

液晶層に再び入射した光は、反射領域５０Ｂの透明電極５５Ｂおよび共通電極５６の電
位差による印加電圧に応じて液晶により偏光方向が回転され、再び、共通電極５６、カラ
ーフィルタ７２、およびガラス基板７４を透過して、対向基板７０に設けられた偏光板（
図示省略）に達する。偏光板に達した光は、液晶による偏光方向の回転量に応じて、偏光
板を透過する。

図４は、液晶パネルＡＡの平面図である。
液晶パネルＡＡの素子基板６０の上には、表示領域Ａの周辺に、走査線駆動回路１１や
データ線駆動回路２１を含む電子部品でなる駆動ＩＣ４０が設けられている。上述の走査
線１０およびデータ線２０は、この駆動ＩＣ４０に電気的に接続されている。

図５は、液晶パネルＡＡのＢ−Ｂ断面図である。
素子基板６０および対向基板７０の周囲には、液晶層を封止するシール材４１が設けら
れている。
素子基板６０の周縁部では、ガラス基板６８の上には、上述の下地絶縁膜（図示省略）
が形成され、この下地絶縁膜の上に走査線１０およびデータ線２０が形成されている。す
なわち、データ線２０は、素子基板６０の周縁部では、走査線１０と同層に形成されてい
る。また、これら走査線１０およびデータ線２０を覆ってゲート絶縁膜６２が形成され、
このゲート絶縁膜６２の上には、パッシベーション膜６４が形成されている。

ここで、素子基板６０の表示領域Ａにおいて、ゲート絶縁膜６２には、コンタクトホー
ル６２２が形成され、このコンタクトホール６２２を介して、ゲート絶縁膜６２の上に形
成されたデータ線２０が下地絶縁膜の上に形成されたデータ線２０に電気的に接続されて
いる。

また、素子基板６０の周縁部において、ゲート絶縁膜６２およびパッシベーション膜６
４には、コンタクトホール６２３が形成され、このコンタクトホール６２３を介して、下
地絶縁膜の上に形成された走査線１０およびデータ線２０が駆動ＩＣ４０に電気的に接続
されている。

次に、液晶パネルＡＡの素子基板６０の製造手順を図６（ａ）〜（ｆ）および図７（ａ
）〜（ｆ）を参照しながら説明する。
なお、図６（ａ）〜（ｆ）は、素子基板６０の表示領域Ａの製造手順であり、図２の液
晶パネルＡＡのＡ−Ａ断面に対応する。図７（ａ）〜（ｆ）は、素子基板６０の周縁部の
製造手順であり、図４の液晶パネルＡＡのＢ−Ｂ断面に対応する。

まず、素子基板６０の表示領域Ａに、走査線１０、共通線３０、ゲート電極５１１、共
通電位側容量電極５３１、および平坦化膜５３１Ａを形成し、素子基板６０の周縁部に、
走査線１０およびデータ線２０を形成する。
すなわち、スパッタリングにより、ガラス基板６８の全面に亘って金属層を形成する。
次に、この金属層が形成されたガラス基板６８にフォトリソグラフィおよびエッチングを
行う。

これにより、図６（ａ）に示すように、素子基板６０の表示領域Ａには、ガラス基板６
８の上に、走査線１０および共通線３０が形成される。また、データ線２０との交差部の
近傍において、走査線１０から反射領域５０Ｂ側に突出して、ゲート電極５１１が形成さ
れる。また、各画素５０において、共通線３０から反射領域５０Ｂ側に突出して、蓄積容
量５３の共通電位側容量電極５３１が形成される。また、各画素５０において、反射領域
５０Ｂのうち共通電位側容量電極５３１が形成される領域を除く領域に、平坦化膜５３１
Ａが形成される。

同時に、図７（ａ）に示すように、素子基板６０の周縁部には、ガラス基板６８の上に
、走査線１０およびデータ線２０が形成される。

次に、素子基板６０の表示領域Ａに、ゲート絶縁膜６２を形成し、素子基板６０の周縁
部に、ゲート絶縁膜６２およびコンタクトホール６２２、６２３を形成する。
すなわち、ＣＶＤ法により、素子基板６０の全面に亘って、ゲート絶縁膜６２を形成す
る。次に、このゲート絶縁膜６２が形成されたガラス基板６８にフォトリソグラフィおよ
びエッチングを行う。

これにより、図６（ｂ）に示すように、素子基板６０の表示領域Ａには、走査線１０、
共通線３０、ゲート電極５１１、共通電位側容量電極５３１、および平坦化膜５３１Ａを
覆って、ゲート絶縁膜６２が形成される。

同時に、図７（ｂ）に示すように、素子基板６０の周縁部には、走査線１０およびデー
タ線２０を覆って、ゲート絶縁膜６２が形成される。このゲート絶縁膜６２には、下地絶
縁膜の上に形成されたデータ線２０をゲート絶縁膜６２の上に形成されたデータ線２０に
電気的に接続するためのコンタクトホール６２２と、下地絶縁膜の上に形成された走査線
１０およびデータ線２０を駆動ＩＣ４０に電気的に接続するためのコンタクトホール６２
３と、が形成される。

次に、素子基板６０の表示領域Ａに、データ線２０、ソース電極５１２、ドレイン電極
５１３、および画素電位側容量電極５３２を形成し、素子基板６０の周縁部に、データ線
２０を形成する。
すなわち、スパッタリングにより、素子基板６０の全面に亘って、金属層を形成する。
次に、この金属層が形成された素子基板６０にフォトリソグラフィおよびエッチングを行
う。

これにより、図６（ｃ）に示すように、素子基板６０の表示領域Ａには、ゲート絶縁膜
６２の上の反射領域５０ＢでかつＴＦＴ５１が形成される領域５０Ｃを除く領域に、蓄積
容量５３の画素電位側容量電極５３２が形成される。
また、ゲート絶縁膜６２の上のＴＦＴ５１が形成される領域５０Ｃに、ゲート電極５１
１に対向して、アモルファスシリコンからなる半導体層（図示省略）、Ｎ＋アモルファス
シリコンからなるオーミックコンタクト層（図示省略）が積層される。このオーミックコ
ンタクト層には、ソース電極５１２およびドレイン電極５１３が積層されて、これにより
、アモルファスシリコンＴＦＴが形成される。ソース電極５１２は、データ線２０と同一
の導電材料（同層）で形成される。

同時に、図７（ｃ）に示すように、素子基板６０の周縁部には、ゲート絶縁膜６２の上
に、データ線２０が形成される。このゲート絶縁膜６２の上に形成されたデータ線２０は
、コンタクトホール６２２を介して、下地絶縁膜の上に形成されたデータ線２０に電気的
に接続されている。また、ゲート絶縁膜６２の上に形成されたデータ線２０と同一の導電
材料は、コンタクトホール６２３にも形成される。

次に、素子基板６０の表示領域Ａに、パッシベーション膜６４を形成し、素子基板６０
の周縁部に、パッシベーション膜６４およびコンタクトホール６２３を形成する。
すなわち、ＣＶＤ法により、素子基板６０の全面に亘って、パッシベーション膜６４を
形成する。次に、このゲート絶縁膜６２が形成されたガラス基板６８にフォトリソグラフ
ィおよびエッチングを行う。

これにより、図６（ｄ）に示すように、素子基板６０の表示領域Ａには、データ線２０
、ソース電極５１２、ドレイン電極５１３、および画素電位側容量電極５３２の一部を覆
って、パッシベーション膜６４が形成される。

同時に、図７（ｄ）に示すように、素子基板６０の周縁部には、ゲート絶縁膜６２およ
びデータ線２０を覆って、パッシベーション膜６４が形成される。このパッシベーション
膜６４には、下地絶縁膜の上に形成された走査線１０およびデータ線２０を駆動ＩＣ４０
に電気的に接続するためのコンタクトホール６２３が形成される。

次に、素子基板６０の表示領域Ａに、透過部樹脂膜６５Ａおよび透明電極５５Ａを形成
し、素子基板６０の周縁部に、導通電極６７を形成する。
すなわち、まず、ネガ型の樹脂材料を用いて、パッシベーション膜６４の上にフォトリ
ソグラフィおよび熱処理を行う。次に、スパッタリングにより、素子基板６０の全面に亘
って、非晶質のＩＴＯ薄膜を形成する。次に、この非晶質のＩＴＯ薄膜が形成されたガラ
ス基板６８にフォトリソグラフィ、エッチング、および熱処理を行って、所定の領域に結
晶化したＩＴＯ薄膜を形成する。
なお、透過部樹脂膜６５Ａの製造手順は、素子基板６０の周縁部には、行わない。

これにより、図６（ｅ）に示すように、素子基板６０の表示領域Ａには、パッシベーシ
ョン膜６４の上に、透過部樹脂膜６５Ａが形成される。また、この透過部樹脂膜６５Ａお
よび画素電位側容量電極５３２の一部の上に、透明電極５５Ａが形成される。

同時に、図７（ｅ）に示すように、素子基板６０の周縁部には、コンタクトホール６２
３に形成されたデータ線２０と同一の導電材料の上に、導通電極６７が形成される。

次に、素子基板６０の表示領域Ａに、反射部樹脂膜６５Ｂ、反射膜５８、および透明電
極５５Ｂを形成する。
すなわち、まず、ポジ型の樹脂材料を用いて、透明電極５５Ａの一部と、パッシベーシ
ョン膜６４と、ドレイン電極５１３と、画素電位側容量電極５３２の一部と、を覆って、
フォトリソグラフィおよび熱処理を行う。次に、アルミニウムを主材とし、ニッケルが添
加された材料を用いて、スパッタリングにより、素子基板６０のうち反射部樹脂膜６５Ｂ
の上に、反射層を形成する。次に、スパッタリングにより、この反射層が形成された素子
基板６０の全面に亘って、非晶質のＩＴＯ薄膜を形成する。次に、この非晶質のＩＴＯ薄
膜が形成されたガラス基板６８にフォトリソグラフィ、エッチング、および熱処理を行っ
て、所定の領域に結晶化したＩＴＯ薄膜を形成する。
なお、反射部樹脂膜６５Ｂ、反射層、および結晶化したＩＴＯ薄膜の製造手順は、素子
基板６０の周縁部には、行わない。

これにより、図６（ｆ）に示すように、素子基板６０の表示領域Ａには、透明電極５５
Ａの一部と、パッシベーション膜６４と、ドレイン電極５１３と、画素電位側容量電極５
３２の一部と、を覆って、表面に凹部６５１を有する反射部樹脂膜６５Ｂが形成される。
また、この反射部樹脂膜６５Ｂの上に、反射膜５８が形成される。この反射膜５８は、透
明電極５５Ａと電気的に接続されている。また、反射膜５８の上に、透明電極５５Ｂが形
成される。
なお、上述のように、共通電位側容量電極５３１が形成された層と同一の層には、平坦
化膜５３１Ａが形成されているので、共通電位側容量電極５３１の形成された層が平坦に
なっている。このため、複数の凹部６５１を均一に反射部樹脂膜６５Ｂの表面に形成でき
る。

また、図７（ｆ）に示すように、素子基板６０の周縁部には、反射部樹脂膜６５Ｂ、反
射膜５８、および透明電極５５Ｂは、形成されない。

本実施形態によれば、以下のような効果がある。
（１）素子基板６０の透過領域５０Ａに透明電極５５Ａを形成し、この透明電極５５Ａ
を素子基板６０の反射領域５０Ｂに延設させ、この素子基板６０の反射領域５０Ｂに延在
させた透明電極５５Ａと、ＴＦＴ５１のドレイン電極５１３に電気的に接続された画素電
位側容量電極５３２の一部と、を覆って反射部樹脂膜６５Ｂを形成した。そして、この反
射部樹脂膜６５Ｂの上に反射膜５８を形成し、この反射膜５８の上に透明電極５５Ｂを形
成した。このため、透過領域５０Ａに形成する透明電極５５Ａと、反射領域５０Ｂに形成
する透明電極５５Ｂと、をそれぞれ別工程で形成したので、それぞれ異なる膜厚で形成で
きる。よって、透明電極５５Ｂを透明電極５５Ａよりも膜厚を薄く形成することで、透過
領域５０Ａにおいて光が通過する光路と、反射領域５０Ｂにおいて光が通過する光路と、
を等しくして、透過領域５０Ａおよび反射領域５０Ｂにおいて、フリッカが生じるのを抑
制できる。

（２）画素電極５５としての透明電極５５Ａ、５５ＢをＩＴＯで形成したので、透過領
域５０Ａと反射領域５０Ｂとで液晶の配向や秩序に差異が生じるのを抑制し、透過領域５
０Ａおよび反射領域５０Ｂにおいて、フリッカが生じるのをさらに抑制できる。

（３）アルミニウムを主材とし、少なくともニッケルが添加された材料で、反射膜５８
を形成した。このような反射膜５８とすることにより、ＩＴＯとの電位差を、アルミニウ
ムのイオン化電位以下とすることができるため、反射膜５８は、溶けない。よって、ＩＴ
Ｏからなる透明電極５５Ｂと、アルミニウムにニッケルが添加された材料からなる反射膜
５８との間に、絶縁膜を形成する工程を削除して、製造工程を簡略化できる。

（４）反射膜５８を透明電極５５Ａに電気的に接続し、この反射膜５８の上に透明電極
５５Ｂを形成した。反射膜５８は、光を反射するために所定の膜厚で形成したので、断線
の可能性が低い。このため、透明電極５５Ｂの一部が断線しても、断線の可能性の低い反
射膜５８を介して、全ての透明電極５５Ｂは、透明電極５５Ａに電気的に接続されている
。よって、断線を考慮することなく透明電極５５Ｂの膜厚を薄くして、透明電極５５Ｂで
の光ロスを低減できる。

（５）透明電極５５Ａを形成するための非晶質のＩＴＯ薄膜を結晶化させてから、透明
電極５５Ｂを形成するための非晶質のＩＴＯ薄膜を形成した。このため、透明電極５５Ｂ
を形成するための非晶質のＩＴＯ薄膜を形成する際に、王水や塩酸等の薬品を用いても、
透明電極５５Ａを形成するための非晶質のＩＴＯ薄膜は結晶化しているので、この透明電
極５５Ａを形成するための非晶質のＩＴＯ薄膜に変質や変形等が発生するのを抑制できる
。

＜変形例＞
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる
範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、上述の実施形態では、ＴＮ（Twisted Nematic）液晶や負の誘電率を用いた液
晶を用いてもよい。また、液晶の表示モードとしては、ＩＰＳ（In-Plane Switching）
やＦＦＳ（Fringe-Field Switching）等でもよい。

また、上述の実施形態におけるバックライト３１としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）
や、冷陰極蛍光管（ＣＣＦＬ）等であってよい。

＜応用例＞
次に、上述した実施形態に係る液晶装置１を適用した電子機器について説明する。
図８は、液晶装置１を適用した携帯電話機３０００の構成を示す斜視図である。携帯電
話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに
液晶装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、液晶装置１に
表示される画面がスクロールされる。

なお、液晶装置１が適用される電子機器としては、図８に示すもののほか、パーソナル
コンピュータ、情報携帯端末、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型
、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳
、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネ
ルを備えた機器などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述
の液晶装置が適用可能である。

本発明の一実施形態に係る液晶装置の構成を示すブロック図である。 前記液晶装置における液晶パネルの画素の拡大平面図である。 前記液晶装置における液晶パネルのＡ−Ａ断面図である。 前記液晶装置における液晶パネルの平面図である。 前記液晶装置における液晶パネルのＢ−Ｂ断面図である。 前記液晶装置における素子基板の表示領域の製造手順を示す図である。 前記液晶装置における素子基板の周縁部の製造手順を示す図である。 上述の液晶装置を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。

符号の説明

１…液晶装置、１０…走査線、２０…データ線、３０…共通線、３１…バックライト（
照明）、５０…画素、５０Ａ…透過領域、５０Ｂ…反射領域、５１…ＴＦＴ（スイッチン
グ素子）、５５Ａ…透明電極（第１の透明電極）、５５Ｂ…透明電極（第２の透明電極）
、５８…反射膜、６０…素子基板（第１の基板）、６５Ａ…透過部樹脂膜、６５Ｂ…反射
部樹脂膜、６５１…凹部、７０…対向基板（第２の基板）、３０００…携帯電話機（電子
機器）、ＡＡ…液晶パネル。

Claims (6)

1. 透過領域および反射領域を有する画素が複数配列された液晶パネルと、前記液晶パネル
   に光を供給する照明と、を備え、
   前記液晶パネルは、前記画素の反射領域に設けられたスイッチング素子を複数有する第
   １の基板と、前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、前記第１の基板および
   前記第２の基板の間に挟持された液晶と、を備える液晶装置であって、
   前記第１の基板の透過領域には、第１の透明電極が形成され、
   前記第１の透明電極は、前記第１の基板の反射領域に延設されて前記スイッチング素子
   に電気的に接続され、
   前記第１の基板の反射領域には、前記第１の透明電極のうち前記反射領域に延設された
   第１の透明電極と、前記スイッチング素子と、を覆って反射部樹脂膜が形成され、
   前記反射部樹脂膜上には、反射膜が形成され、
   前記反射膜上には、第２の透明電極が形成されることを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１に記載の液晶装置において、
   前記第１の透明電極および前記第２の透明電極は、同一材料で形成されることを特徴と
   する液晶装置。
3. 請求項１または２に記載の液晶装置において、
   前記第２の透明電極は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成され、
   前記反射膜は、アルミニウムを主材とし、少なくともニッケルが添加された材料で形成
   されることを特徴とする液晶装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶装置において、
   前記反射膜は、前記第１の透明電極に電気的に接続されることを特徴とする液晶装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
6. 透過領域および反射領域を有する画素が複数配列された液晶パネルと、前記液晶パネル
   に光を供給する照明と、を備え、
   前記液晶パネルは、前記画素の反射領域に設けられたスイッチング素子を複数有する第
   １の基板と、前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、前記第１の基板および
   前記第２の基板の間に挟持された液晶と、を備える液晶装置の製造方法であって、
   前記第１の基板の透過領域および前記スイッチング素子上に、非晶質の第１のＩＴＯ薄
   膜を形成する手順と、
   前記非晶質の第１のＩＴＯ薄膜を結晶化させて、第１の透明電極を形成する手順と、
   前記第１の基板の反射領域に、前記第１の透明電極のうち前記スイッチング素子上に形
   成された第１の透明電極と、前記スイッチング素子と、を覆って反射部樹脂膜を形成する
   手順と、
   前記反射部樹脂膜上に、反射膜を形成する手順と、
   前記反射膜上に、非晶質の第２のＩＴＯ薄膜を形成する手順と、
   前記非晶質の第２のＩＴＯ薄膜を結晶化させて、第２の透明電極を形成する手順と、を
   備えることを特徴とする液晶装置の製造方法。

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