JP4858081B2 - 電気光学装置及びその製造方法 - Google Patents
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ところで、このような半透過反射型の液晶表示装置では、1つの画素領域内に透過表示を行う透過表示領域と反射表示を行う反射表示領域とが設けられている。そして、液晶表示装置のうち反射表示領域と対応する領域には、液晶層に入射した外光を入射面に向けて反射する反射膜が設けられている。この反射膜の表面には、反射表示において良好な表示特性を得ることを目的として、光を散乱させながら反射するための凹凸が形成されている。
このような横電界方式を用いた液晶表示装置では、液晶層を挟持する一対の基板の一方に液晶分子を駆動するための一対の電極である画素電極及び共通電極が設けられている。例えば、FFS方式の液晶表示装置における画素電極は、共通電極との間で電界を発生させるために間隔をあけて設けられた複数の帯状電極を備えている。
すなわち、反射膜のうち帯状電極の非形成領域と対応する領域に高凹凸部を設けることで、反射膜のうち帯状電極の非形成領域対応する領域に入射した光が散乱反射される。
また、反射膜のうち帯状電極と対応する領域に低凹凸部を設けることで、帯状電極の非形成領域と対応する領域に設けられた高凹凸部と比較して、その表面の平坦性が向上する。これにより、複数の帯状電極のパターニングを精度よく行うことができるので、帯状電極の断線や隣接する他の帯状電極などとの短絡が防止できる。そして、帯状電極が平坦性の高い形成面上に形成されることで、電気光学層内に発生する電界が乱れることを抑制できる。さらに、反射膜のうち帯状電極と対応する領域も平坦面ではない低凹凸部とすることで、反射膜のうち帯状電極と対応する領域に入射した光が散乱反射される。これにより、平坦面とすることと比較して反射表示領域における画像の表示特性が向上する。
この発明では、下地層に凹凸形状を設けることで、下地層上に形成された反射膜にも凹凸形状に対応した散乱反射特性を付与することができる。
この発明では、高凹凸部に対応して凸部を形成することで、反射膜に高凹凸部が形成される。そして、低凹凸部に対応して凸部よりも突出量の小さい微小凸部を形成し、一部の微小凸部が隣接する凸部や他の微小凸部の縁部と部分的に重なることで、凸部のみの場合よりも微小凸部と重なった凸部または他の微小凸部と間における下地層の凹凸の高低差が小さくなる。これにより、高凹凸部よりも平坦性の高い低凹凸部が形成される。
この発明では、上述と同様に、高凹凸部に対応して凸部を形成することで、反射膜に高凹凸部が形成される。そして、低凹凸部に対応する凸部の間を充填するように平坦部を形成することで、凸部と平坦部との間における下地層の凹凸の高低差が小さくなる。これにより、高凹凸部よりも平坦性の高い低凹凸部が形成される。
この発明では、上述と同様に、高凹凸部に対応して凸部を形成することで、反射膜に高凹凸部が形成される。そして、低凹凸部に対応して突条部を形成することで、低凹凸部の延在方向に沿った方向における下地層の平坦性が向上する。これにより、高凹凸部よりも凹凸の小さい低凹凸部が形成される。このとき、突条部の両側面に傾斜面が設けられているので、散乱反射特性は維持される。
この発明では、上述と同様に、高凹凸部に対応して凸部を形成することで、反射膜に高凹凸部が形成される。そして、低凹凸部に対応して互いに間隔をあけないように連続して凸部を形成し、一部の凸部が隣接する他の凸部の縁部と重なることで、凸部を分散して形成することよりも凸部と重なった他の凸部との間における下地層の凹凸の高低差が小さくなる。これにより、高凹凸部よりも平坦性の高い低凹凸部が形成される。
以下、本発明における液晶表示装置(電気光学装置)の第1の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。ここで、図1は液晶表示装置を示す等価回路図、図2はサブ画素領域の平面構成図、図3は図2のA−A矢視断面図、図4は図3の部分拡大図、図5は液晶層厚調整層を示す平面図である。
本実施形態における液晶表示装置(電気光学装置)1は、カラー液晶表示装置であって、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色光を出力する3個のサブ画素領域で1個の画素を構成する液晶表示装置である。ここで、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」と称する。
走査線駆動回路15は、走査線16を介して走査信号G1、G2、…、Gmを各サブ画素領域に供給する構成となっている。ここで、走査線駆動回路15は、走査信号G1〜Gmを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
液晶表示装置1は、各サブ画素領域において、図2及び図3に示すように、サブ画素領域の長軸方向(X軸方向)の一端部(サブ画素領域のうち長軸方向で二分割した領域のうち当該サブ画素領域と対応して設けられた走査線16から離間する側)と対応する領域を反射表示領域Rとし、他の領域を透過表示領域Tとした2つの表示領域を有している。
また、液晶表示装置1には、素子基板21と対向基板22とが対向する領域の縁端に沿ってシール材(図示略)が設けられており、このシール材、素子基板21及び対向基板22によって液晶層23が封止されている。
また、素子基板21は、基板本体31の内側の表面に配置された走査線16と、ゲート絶縁膜32の内側の表面に配置されたデータ線(図2に示す)14、半導体層41、ソース電極42及びドレイン電極43と、液晶層厚調整層34の内側の表面に配置された反射膜44と、第1層間絶縁膜33及び反射膜44の内側の表面に配置された共通電極45と、第2層間絶縁膜35の内側の表面に配置された画素電極11とを備えている。
第1層間絶縁膜33は、ゲート絶縁膜32と同様に、例えばSiN(窒化シリコン)などの透光性材料で構成されており、ゲート絶縁膜32上に形成されたデータ線14、半導体層41、ソース電極42及びドレイン電極43を覆うように設けられている。
凸部34a及び微小凸部34bは、液晶層厚調整層34をパターニングすることによって形成されている。また、微小凸部34bは、その突出量が凸部34aよりも小さく、一部が隣接する凸部34aや他の微小凸部34bの縁部と重なっている。
したがって、液晶層厚調整層34のうち平面視で画素電極11と対応する領域は、平坦面ではないが、画素電極11の非形成領域と対応する領域よりも高い平坦性を有している。
配向膜36は、例えばポリイミドなどの樹脂材料で構成されており、第2層間絶縁膜35上に形成された画素電極11を覆うように設けられている。また、配向膜36の表面には、図2に示すサブ画素領域の短軸方向(Y軸方向)を配向方向とする配向処理が施されている。
高凹凸部44aは、液晶層厚調整層34の内側の表面に凸部34aが形成されていることから、散乱反射が可能となっている。また、低凹凸部44bは、液晶層厚調整層34の内側の表面に凸部34a及び微小凸部34bが形成されており、平坦性が高くなっていることから、高凹凸部44aよりも狭い散乱反射を行う構成となっている。なお、低凹凸部44bでは、凹凸面となっていることから鏡面反射が行われない。
帯状部11bは、互いが平行となるように形成されており、その両端がそれぞれ枠部11aのうちY軸方向に沿って延在する部分と接続されている。また、帯状部11bは、その延在方向がY軸方向と非平行となるように設けられている。すなわち、帯状部11bは、その延在方向が平面視においてデータ線14から離間する一端から近接する他端に向かうにしたがって走査線16に近接するように形成されている。ここで、枠部11a及び帯状部11bのうち、反射表示領域Rと対応する領域における第2層間絶縁膜35上に形成された一部は、図4に示すように、反射膜44の低凹凸部44bと平面視で共通電極45及び第2層間絶縁膜35を介して重なるように形成されている。
遮光膜52は、基板本体51の表面のうち平面視でサブ画素領域の縁部と重なる領域に形成されており、サブ画素領域を縁取っている。
また、カラーフィルタ層53は、各サブ画素領域に対応して配置されており、例えばアクリルなどで構成されて各サブ画素領域で表示する色に対応する色材を含有している。
配向膜54は、例えばポリイミドなどの透光性の樹脂材料で構成されており、カラーフィルタ層53を覆うように設けられている。そして、配向膜54の内側の表面には、配向膜36の配向方向と同方向のラビング処理が施されている。
ここで、液晶層23の層厚は、反射表示領域Rにおいて液晶層23を透過する光に付与される位相差が1/4波長分となるような値となり、透過表示領域Tにおいて液晶層23を透過する光に付与される位相差が1/2波長分となるような値となっている。
ここで、偏光板24、25の一方または双方の内側には、光学補償フィルム(図示略)を配置してもよい。光学補償フィルムを配置することで、液晶表示装置1を斜視した場合の液晶層23の位相差を補償することができ、光漏れを減少させてコントラストを増加させることができる。光学補償フィルムとしては、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせたものや、各方向の屈折率がnx>nz>nyである二軸性媒体が用いられる。
次に、このような構成の液晶表示装置1の製造方法について説明する。まず、従来の液晶表示装置の製造方法と同様に、基板本体31上に走査線16を形成し、これを覆うようにゲート絶縁膜32を形成する。そして、ゲート絶縁膜32上にデータ線14、半導体層41、ソース電極42及びドレイン電極43を形成し、これを覆うように第1層間絶縁膜33を形成する。
その後、樹脂層のうち露光された領域を現像液によって除去する。これにより、ほぼ円柱状の突出部が形成される。さらに、樹脂層に加熱処理を施すことで、上記突出部の上端面を軟化させて凸部34a及び微小凸部34bを形成する。このとき、一部の微小凸部34bは、隣接する凸部34aや他の微小凸部34bの縁部と重なるように形成される。このようにして、内側の表面が凹凸面である液晶層厚調整層34が形成される。ここで、液晶層厚調整層34のうち凸部34a及び微小凸部34bが形成された領域は、平坦面ではないが、凸部34aのみが形成された領域よりも高い平坦性を有している。
そして、第1層間絶縁膜33及び反射膜44上に共通電極45を形成し(電極形成工程)、これを覆うように第2層間絶縁膜35を形成する。さらに、第1及び第2層間絶縁膜33、35を貫通するコンタクトホールHを形成し、第2層間絶縁膜35上に画素電極11を形成する。ここで、凸部34a及び微小凸部34bが形成されていることで平坦性が向上しているので、枠部11a及び帯状部11bが断線なく形成される。その後、これを覆うように配向膜36を形成する。以上のようにして、素子基板21を形成する。
その後、上述のように形成した素子基板21及び対向基板22をシール材で貼り合わせて液晶を注入、封止することで液晶層23を形成する。そして、素子基板21及び対向基板22のそれぞれの外面に偏光板24、25を配置する。以上のようにして液晶表示装置1を製造する。
次に、このような構成の液晶表示装置1の動作について説明する。
まず、透過表示(透過モード)について説明する。素子基板21の外面側から透過表示領域Tに入射した光は、偏光板24によってサブ画素領域の長軸方向(図2に示すX軸方向)に平行な直線偏光に変換されて液晶層23に入射する。
ここで、オフ状態の場合であれば、液晶層23に入射した直線偏光は、液晶層23により入射時と同一の偏光状態で液晶層23から出射する。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板25の透過軸と直交するため、偏光板25で遮断され、サブ画素領域が暗表示となる。
ここで、オフ状態の場合であれば、液晶層23に入射した直線偏光は、液晶層23により所定の位相差(1/4波長分)が付与され、円偏光に変換されて反射膜44に達する。この円偏光が反射膜44で反射すると、回転方向が反転する。その後、円偏光は、液晶層23によりさらに所定の位相差(1/4波長分)が付与され、入射時の偏光方向と直交する直線偏光に変換されて液晶層23から出射する。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板25の透過軸と直交するため、偏光板25で遮断され、サブ画素領域が暗表示となる。
ここで、反射膜44の高凹凸部44aに入射した光は、反射膜44の内側の表面が凹凸面であることから、散乱反射されて液晶層23に再度入射する。また、反射膜44の低凹凸部44bに入射した光も、高凹凸部44aよりも狭い散乱反射特性ではあるが、散乱反射されて液晶層23に再度入射する。これにより、オン状態における外光の正反射を防止して視認性に優れた反射表示となる。
以上のような構成の液晶表示装置1は、例えば図7に示すような携帯電話機100の表示部101として適用される。この携帯電話機100は、複数の操作ボタン102、受話口103、送話口104及び上記表示部101を有する本体部105を備えている。
次に、本発明における液晶表示装置の第2の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図8はサブ画素領域を示す部分拡大断面図、図9は液晶層厚調整層を示す外観斜視図である。なお、本実施形態では、第1の実施形態とサブ画素領域の構成が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態における液晶表示装置110では、図8及び図9に示すように、素子基板111の液晶層厚調整層112の内側の表面に形成された凹凸面が、分散して形成された複数の凸部112aと、平面視で反射膜113、共通電極45及び第2層間絶縁膜35を介して画素電極11と重なる領域に形成された平坦部112bとによって形成されている。
凸部112a及び平坦部112bは、液晶層厚調整層112をパターニングすることによって形成されている。また、平坦部112bは、その突出量が凸部112aよりも小さく、凸部112aの間を充填するように形成されている。
したがって、液晶層厚調整層112のうち平面視で画素電極11と対応する領域は、平坦面ではないが、画素電極11の非形成領域と対応する領域よりも高い平坦性を有している。
高凹凸部113aは、液晶層厚調整層112の内側の表面に凸部112aが形成されていることから、散乱反射が可能となっている。また、低凹凸部113bは、液晶層厚調整層112の内側の表面に平坦部112bが形成されており、平坦性が高くなっていることから、高凹凸部113aよりも狭い散乱反射を行う構成となっている。
なお、低凹凸部113bは、平坦部112bよりも内側に向けて凸部112aの先端が突出して形成されているために凹凸面となっていることから、鏡面反射を行わない構成となっている。
次に、このような構成の液晶表示装置1の製造方法について説明する。まず、上述した実施形態と同様に、第1層間絶縁膜33を形成した後、第1層間絶縁膜33の内側の表面のうち反射表示領域Rと対応する領域に液晶層厚調整層112を形成する。ここでは、第1層間絶縁膜33上に樹脂層を形成する。そして、図10に示すような開口パターンを有するマスクM2を用いて露光光を照射する。ここで、マスクM2の開口パターンは、凸部112a及び平坦部112bの非形成領域と透過表示領域Tと対応する領域に露光光を照射する形状となっている。また、平坦部112bと対応する領域を露光するための開口パターンには、ハーフトーン膜115が設けられており、露光光の透過率が下げられている。すなわち、本実施形態では、グレースケール法を用いて樹脂層のパターニングを行う。
そして、樹脂層のうち露光された領域を現像液によって除去し、加熱処理を施すことにより、凸部112a及び平坦部112bを形成する。このようにして、内側の表面が凹凸面である液晶層厚調整層112が形成される。ここで、液晶層厚調整層34のうち平坦部112bが形成された領域は、凸部34aのみが形成された領域よりも高い平坦性を有している。
次に、本発明における液晶表示装置の第3の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図11はサブ画素領域を示す部分拡大断面図、図12は液晶層厚調整層を示す外観斜視図である。なお、本実施形態では、第1の実施形態とサブ画素領域の構成が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態における液晶表示装置120では、図11及び図12に示すように、素子基板121の液晶層厚調整層122の内側の表面に形成された凹凸面が、平面視で反射膜123、共通電極45及び第2層間絶縁膜35を介して画素電極11の非形成領域と重なる領域に分散して形成された複数の凸部122aと、画素電極11と対応して形成された突条部122bとによって形成されている。
凸部122a及び突条部122bは、液晶層厚調整層122をパターニングすることによって形成されている。また、突条部122bは、断面がほぼ半楕円形状であり、その両側面が断面円弧状の傾斜面となっている。そして、突条部122bは、その突出量が凸部112aと同等であると共に、その延在方向が画素電極11の枠部11a及び帯状部11bの延在方向と同方向となっている。したがって、液晶層厚調整層122のうち平面視で画素電極11と対応する領域は、画素電極11の非形成領域と対応する領域よりも高い平坦性を有している。
高凹凸部123aは、液晶層厚調整層122の内側の表面に凸部122aが形成されていることから、散乱反射が可能となっている。また、低凹凸部123bは、液晶層厚調整層122の内側の表面に突条部122bが形成されており、平坦性が高くなっていることから、高凹凸部123aよりも狭い散乱反射を行う構成となっている。
なお、低凹凸部123bは、突条部122bの両側面が断面円弧状の傾斜面となっているために凹凸面となっていることから、鏡面反射を行わない構成となっている。
次に、本発明における液晶表示装置の第4の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図13はサブ画素領域を示す部分拡大断面図、図14は液晶層厚調整層を示す外観斜視図である。なお、本実施形態では、第1の実施形態とサブ画素領域の構成が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
例えば、液晶表示装置は、上記第1から第4の実施形態における構成を適宜組み合わせてもよい。
また、液晶表示装置は、液晶層厚調整層によって両表示領域において液晶層により付与される位相差を調整して両表示領域を共にノーマリブラックモードでそろえており、液晶層厚調整層の上面を凹凸面として上面に反射膜を形成しているが、液晶層厚調整層とは別に他の下地層を形成してその上面を凹凸面として上面に反射膜を形成する構成としてもよい。ここで、別途下地層を設ける場合には、液晶層厚調整層を設けずに、素子基板の外側に波長板を設けることで両表示領域をノーマリブラックモードでそろえてもよい。そして、液晶表示装置は、ノーマリブラックモードを採用しているが、ノーマリホワイトモードを採用してもよい。
そして、液晶層厚調整層に付与される凹凸形状は、低凹凸部と対応する領域において高凹凸部と対応する領域よりも高い平坦性を有していれば、他の形状であってもよい。
さらに、液晶表示装置は、液晶層厚調整層の上面を凹凸面とすることで、反射膜に凹凸形状を付与しているが、液晶層厚調整層の上面を平坦面として反射膜のみに凹凸形状を付与してもよい。
そして、感光性樹脂材料で構成された下地層に対して露光光を照射するフォトリソグラフィ技術を用いて下地層の上面に凹凸形状を付与して液晶層厚調整層を形成しているが、他の方法によって下地層に凹凸形状を付与してもよい。
そして、画素電極及び共通電極によってFFS方式の電極構造を形成しているが、IPS方式の電極構造を形成してもよい。この場合、画素電極及び共通電極が平面視でそれぞれ櫛歯形状を有しており、それぞれが互いに帯状部(帯状電極)を有している。ここで、画素電極を構成する帯状部と共通電極を構成する帯状部とは、それぞれが互いに噛み合うように配置されている。
さらに、画素電極が帯状電極を有していれば、FFS方式やIPS方式のようないわゆる横電界方式の液晶表示装置に限らず、液晶層を挟持する素子基板及び対向基板の間で発生する電界によって駆動するTN(Twisted Nematic)モードや負の誘電率異方性を有するVAN(Vertically Aligned Nematic)モード、ECB(Electrically Controlled Birefringence)モード、OCB(Optical Compensated Bend)モードなど、他のモードで動作する液晶を用いた液晶表示装置であってもよい。
そして、液晶表示装置は、画素電極をスイッチング制御する駆動素子としてTFT素子を用いているが、TFT素子に限らず、TFD(Thin Film Diode:薄膜ダイオード)素子など、他の駆動素子を用いてもよい。
さらに、液晶表示装置は、R、G、Bの3色の色表示を行うカラー液晶表示装置としているが、他の色表示を行うサブ画素領域を備える構成としてもよく、単色の色表示を行う構成としてもよい。ここで、対向基板にカラーフィルタ層を設けずに、素子基板にカラーフィルタ層を設けてもよい。
Claims (7)
- 反射表示領域を有する画素領域が設けられた基板と、
前記反射表示領域に設けられた反射膜と、
該反射膜上に設けられた複数の帯状電極とを備え、
前記反射膜が、平面視で前記帯状電極の非形成領域と重なる領域に形成され、かつ散乱反射を行う高凹凸部と、平面視で前記帯状電極と重なる領域に形成され、かつ前記高凹凸部よりも凹凸の小さい低凹凸部とを有することを特徴とする電気光学装置。 - 前記反射膜が、前記高凹凸部及び前記低凹凸部に対応する凹凸形状が付与された下地層上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記下地層が、前記高凹凸部及び前記低凹凸部に対応して形成された複数の凸部と、前記低凹凸部に対応して形成され、かつ前記凸部よりも突出量の小さい複数の微小凸部とを有することを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。
- 前記下地層が、前記高凹凸部及び前記低凹凸部に対応して形成された複数の凸部と、前記低凹凸部に対応して形成され、かつ前記複数の凸部よりも突出量の小さい平坦部とを有することを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。
- 前記下地層が、前記高凹凸部に対応して形成された複数の凸部と、前記低凹凸部に対応してその延在方向に沿って形成され、かつ側面に傾斜面が設けられた突条部とを有することを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。
- 前記下地層が、前記高凹凸部及び前記低凹凸部に対応して形成された複数の凸部を有し、
該複数の凸部のうち平面視で前記帯状電極と重なる領域に形成された一部が、前記帯状電極の延在方向に沿って連続して配列されていることを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。 - 反射表示領域を有する画素領域が設けられた基板を備える電気光学装置の製造方法であって、
前記反射表示領域に凹凸形状を備えた下地層を形成する凹凸形状付与工程と、
前記下地層上に反射膜を形成する反射膜形成工程と、
前記反射膜上に帯状電極を形成する電極形成工程とを有し、
前記凹凸形状付与工程では、前記下地層のうち平面視で前記帯状電極と重なる領域に、平面視で該帯状電極の非形成領域と重なる領域よりも凹凸の小さい凹凸形状を付与することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
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