JP2007071938A - 液晶装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 反射領域と透過領域との境界近傍において、液晶の配向乱れによる光漏れを抑制できる液晶装置を提供すること。
【解決手段】 液晶装置は、走査線１０、データ線２０、走査線１０およびデータ線２０の交差に対応して設けられたＴＦＴ５１および画素電極５５を有する素子基板と、素子基板６０に対向して設けられた対向基板と、素子基板６０および対向基板の間に挟持された液晶と、を備える。画素電極５５が形成される領域は、透過領域５０Ａと反射領域５０Ｂとを有し、走査線１０は、遮光性の導電材料からなり、透過領域５０Ａと反射領域５０Ｂとの境界に沿って設けられる。
【選択図】 図２

Description

本発明は、例えば、液晶を用いた液晶装置、およびこの液晶装置を有する電子機器に関するものである。

従来より、液晶を利用して画像を表示する液晶装置が知られている。この液晶装置として、バックライトといった照明手段による照明光を利用する透過型表示と、自然光や室内光といった周囲光の反射光を利用する反射型表示と、を兼ね備えた半透過反射型の液晶装置がある。

このような液晶装置は、液晶パネルと、照明装置としてのバックライトと、からなる。この液晶パネルは、複数の画素を有する表示領域と、この表示領域の周辺に設けられて画素を駆動する走査線駆動回路およびデータ線駆動回路と、を備える。

液晶パネルは、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（以降、ＴＦＴと呼ぶ）が画素に対応して配置された素子基板と、この素子基板に対向配置された対向基板と、素子基板および対向基板の間に挟持された電気光学物質としての液晶と、から構成されている。

素子基板は、所定間隔おきに設けられた複数の走査線と、これら走査線に略直交しかつ所定間隔おきに設けられた複数のデータ線と、各走査線と各データ線との交差部に対応して設けられたＴＦＴおよび画素電極と、を備える。
対向基板は、画素電極に対向して設けられた共通電極を備える。

各画素は、上述のＴＦＴ、画素電極、および共通電極のほか、蓄積容量で構成される。
ＴＦＴのゲートには、走査線が接続され、ＴＦＴのソースには、データ線が接続され、ＴＦＴのドレインには、画素電極および蓄積容量が接続されている。

また、各画素は、透過型表示を行う領域（以下、透過領域と呼ぶ）と、反射型表示を行う領域（以下、反射領域と呼ぶ）と、を備える（例えば、特許文献１参照）。

具体的には、画素は、以下のような構成である。
反射領域では、素子基板に、スイッチング素子、絶縁層、樹脂からなり所定の厚みを有する液晶層厚調整層、入射光を反射する反射層、透明画素電極の順に積層される。
一方、透過領域では、素子基板に、絶縁層、透明画素電極の順に積層される。

以上の液晶装置は、以下のように動作する。すなわち、走査線駆動回路から選択電圧を走査線に線順次で供給することで、ある走査線に係る画素を全て選択する。そして、これら画素の選択に同期して、データ線駆動回路からデータ線に画像信号を供給する。これにより、走査線駆動回路およびデータ線駆動回路で選択された画素に、データ線からスイッチング素子を介して画像信号が供給されて、画像データが画素電極に書き込まれる。

画素電極に画像データが書き込まれると、この画素電極と共通電極とに印加された電圧の電位差により、液晶に駆動電圧が印加される。したがって、画像信号の電圧レベルを変化させることで、液晶の配向や秩序を変化させて、各画素の光変調による階調表示を行う。

ここで、周囲光が少ない環境では、バックライトからの光を利用して、透過型の表示を行う。すなわち、バックライトから出射された光は、素子基板、液晶層、および対向基板を透過して液晶パネルから出射される。

一方、周囲光が十分にある環境では、反射型の表示を行う。すなわち、外部から入射した周囲光は、対向基板および液晶層を透過して、反射層で反射され、再び、液晶層および対向基板を透過して液晶パネルから出射される。

特開２０００−２５８８０２号公報

ところで、上述の液晶装置では、反射領域にできるだけ大きく形成されるため、その端縁が反射領域と透過領域の境界近傍まで延びている。そして、このような液晶層厚調製層の端縁では、液晶層厚調整層による段差部が生じるため、液晶の配向が乱れやすくなっている。よって、反射領域と透過領域との境界近傍において、液晶の配向が乱れやすくなり、光漏れが生じてしまうおそれがあった。

本発明は、反射領域と透過領域との境界近傍において、液晶の配向乱れによる光漏れを抑制できる液晶装置および電子機器を提供することを目的とする。

本発明の液晶装置は、走査線と、前記走査線と交差するデータ線と、前記走査線および前記データ線の交差に対応して設けられたスイッチング素子および画素電極を有する第１の基板と、前記第１基板に対向して設けられた第２基板と、前記第１の基板および前記第２の基板の間に挟持された液晶と、を備えた液晶装置であって、前記画素電極が形成される領域は、透過領域と反射領域とを有し、前記走査線は、遮光性の導電材料からなり、前記透過領域と前記反射領域との境界に沿って設けられることを特徴とする。

この発明によれば、透過領域と反射領域との境界に沿って走査線を設けたので、透過領域と反射領域との境界近傍を走査線で遮光して、液晶の配向乱れによる光漏れを抑制できる。

本発明の液晶装置では、前記反射領域には、前記液晶の層厚を調整する液晶層厚調整層が設けられ、この液晶層厚調整層の端縁は、前記走査線の上に位置することが好ましい。

液晶層調整層は、第１の基板に設けられてもよいし、第２の基板に設けられてもよい。
この発明によれば、液晶層厚調整層の端縁を走査線の上に位置させたので、液晶層厚調整層の端縁の段差部で液晶の配向乱れが生じても、この液晶の配向乱れを走査線で確実に隠蔽できる。

本発明の液晶装置では、前記液晶層厚調整層に対応して反射膜が設けられ、この反射膜は、前記走査線の上まで延長されていることが好ましい。

ここで、反射膜は、液晶層厚調整層の上側、つまり、液晶層側に設けられてもよいし、液晶層厚調整層の下側、つまり、液晶層厚調整層と第１の基板あるいは第２の基板との間に設けられてもよい。
反射膜が走査線の上まで延長されていない場合、反射膜と走査線との間に間隙が生じるので、この間隙から光漏れが生じるおそれがある。
しかしながら、この発明によれば、液晶層厚調整層に対応して反射膜を設け、この反射膜を走査線の上まで延長したので、反射膜と走査線との間隙を塞いで、この間隙からの光漏れを確実に防止できる。

本発明の液晶装置では、前記スイッチング素子は、前記反射領域に設けられることが好ましい。

この発明によれば、スイッチング素子を反射領域に設けたので、スイッチング素子が透過領域を透過する光を遮るのを防止して、透過領域の開口率を大きく確保できる。

本発明の液晶装置では、前記第１の基板は、隣接する画素電極間に配置された共通線と、前記画素電極に電気的に接続された第１容量電極と、前記第１容量電極に対向配置され前記共通線に電気的に接続される第２容量電極と、を備えることが好ましい。

この発明によれば、第１の基板に共通線、第１容量電極、および第２容量電極を設けたので、第１容量電極と第２容量電極とで蓄積容量を構成して、データ線から画素電極に書き込まれた画像データを所定時間に亘って保持できる。

本発明の液晶装置では、前記共通線および前記データ線は、遮光性の導電材料で形成され、前記画素電極を区画することが好ましい。

反射領域には、画素電極に対応して、液晶層の層厚を調整する液晶層厚調整層が形成される。共通線およびデータ線を遮光性の導電材料で形成し、これら共通線およびデータ線で画素電極を区画したので、液晶層厚調整層の端縁が共通線およびデータ線の上に位置することとなり、液晶層厚調整層の端縁の段差部で液晶の配向乱れが生じても、この液晶の配向乱れを共通線およびデータ線で確実に隠蔽できる。

本発明の電子機器は、上述の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この発明によれば、上述した効果と同様の効果がある。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の実施形態および変形例の説明にあたって、同一構成要件については同一符号を付し、その説明を省略もしくは簡略化する。
＜実施形態＞
図１は、本発明の一実施形態に係る液晶装置１のブロック図である。
液晶装置１は、液晶パネルＡＡと、照明装置としてのバックライトユニット８０（図３、図４参照）と、からなる。この液晶パネルＡＡは、複数の画素５０を有する表示領域Ａと、この表示領域Ａの周辺に設けられて画素５０を駆動する走査線駆動回路１１およびデータ線駆動回路２１と、を備える。

液晶パネルＡＡは、所定間隔おきに交互に設けられた複数の走査線１０および共通線（容量線）３０と、これら走査線１０に交差し所定間隔おきに設けられた複数のデータ線２０と、を備え、画素５０は、各走査線１０と各データ線２０との交差部に設けられる。

画素５０は、画素トランジスタ５１、画素電極５５、この画素電極５５に対向する共通電極５６、および、一端が画素電極５５に電気的に接続され他端が共通線３０に電気的に接続された蓄積容量５３で構成される。

画素トランジスタ５１のゲート電極には、走査線１０が接続され、画素トランジスタ５１のソース電極には、データ線２０が接続され、画素トランジスタ５１のドレイン電極には、画素電極５５および蓄積容量５３が接続されている。画素電極５５と共通電極５６との間には、液晶が挟持される。したがって、この画素トランジスタ５１は、走査線１０から選択電圧が印加されると、データ線２０と画素電極５５および蓄積容量５３とを導通状態とする。

共通電極５６は、液晶パネルＡＡの四隅に設けられた導通部３１およびこれら導通部３１同士を接続する共通配線３２を介して、共通線３０と接続される。

走査線駆動回路１１は、画素トランジスタ５１をオン状態にする選択電圧を各走査線１０に線順次で供給する。例えば、ある走査線１０に選択電圧が供給されると、この走査線１０に接続された画素トランジスタ５１が全て導通状態になり、この走査線１０に係る画素５０が全て選択される。
データ線駆動回路２１は、画像信号を各データ線２０に供給し、オン状態の画素トランジスタ５１を介して、画素５０の画素電極５５に画像データを順次書き込む。ここで、データ線駆動回路２１は、共通電極５６の電圧を基準電圧として、この共通電極５６の電圧よりも高い電圧でデータ線２０に画像信号を供給する正極性書込と、共通電極５６の電圧よりも低い電圧でデータ線２０に画像信号を供給する負極性書込とを交互に行う。

以上の液晶装置１は、以下のように動作する。
すなわち、走査線駆動回路１１から選択電圧を線順次で供給することで、ある走査線１０に係る画素５０を全て選択する。そして、これら画素５０の選択に同期して、データ線駆動回路２１からデータ線２０に画像信号を供給する。これにより、走査線駆動回路１１およびデータ線駆動回路２１で選択した全ての画素５０に、データ線２０から画素トランジスタ５１を介して画像信号が供給されて、画像データが画素電極５５に書き込まれる。
ここで、この液晶装置１では、データ線駆動回路２１により、上述の正極性書込と負極性書込とが交互に行われる。

画素５０の画素電極５５に画像データが書き込まれると、この画素電極５５と共通電極５６との電位差により、液晶に駆動電圧が印加される。したがって、画像信号の電圧レベルを変化させることで、液晶の配向や秩序を変化させて、各画素５０の光変調による階調表示を行う。
なお、液晶に印加される駆動電圧は、蓄積容量５３により、画像データが書き込まれる期間よりも３桁も長い期間に亘って保持される。

図２は、液晶装置１を構成する画素５０の拡大平面図である。図３は、液晶装置１のＡ−Ａ断面図である。図４は、液晶装置１のＢ−Ｂ断面図である。図５は、液晶装置１の概略構成を示す部分拡大斜視図である。

図３および図４に示すように、上述の液晶パネルＡＡは、画素５０に対応してスイッチング素子としての画素トランジスタ５１が配置された第１の基板としての素子基板６０と、この素子基板６０に対向配置された第２の基板としての対向基板７０と、素子基板６０および対向基板７０の間に挟持された液晶と、から構成されている。

図２に示すように、素子基板６０において、各画素５０の画素電極５５は、互いに隣り合う２本の遮光性の導電材料からなる共通線３０と、互いに隣り合う２本の遮光性の導電材料からなるデータ線２０とで囲まれた領域に設けられている。つまり、各画素５０の画素電極５５は、共通線３０とデータ線２０とで区画されている。
この各画素５０は、透過型表示を行う透過領域５０Ａと反射型表示を行う反射領域５０Ｂとを備える。これにより、画素電極が形成される領域は、反射領域５０Ｂと透過領域５０Ａとを有することになる。また、走査線１０は、遮光性の導電材料からなり、透過領域５０Ａと反射領域５０Ｂとの境界に沿って設けられる。
本実施形態では、画素トランジスタ５１は、逆スタガ型のアモルファスシリコンＴＦＴであり、反射領域５０Ｂには、このＴＦＴ５１が形成される領域５０Ｃ（図２中破線で囲まれた部分）が設けられている。

まず、素子基板６０について説明する。
素子基板６０は、ガラス基板６８を有し、このガラス基板６８上には、ガラス基板６８の表面荒れや汚れによるＴＦＴ５１の特性の変化を防止するために、全面に亘って下地絶縁膜（図示省略）が形成されている。
この下地絶縁膜の上には、遮光性の導電材料からなる上述の走査線１０および共通線３０のほか、共通線３０から反射領域５０Ｂに延長された蓄積容量５３の第２容量電極としての共通電位側容量電極５３１が形成されている。

走査線１０は、反射領域５０Ｂと透過領域５０Ａとの境界に沿って配置され、データ線２０との交差部の近傍において、反射領域５０Ｂ側に突出し、ＴＦＴ５１のゲート電極５１１を構成する。

共通電位側容量電極５３１は、走査線１０と同じ導電材料からなり、共通電位に接続される。この共通電位側容量電極５３１は、図５に示すように、ＴＦＴ５１が形成される領域５０Ｃを除いて、反射領域５０Ｂの大部分を占めるように形成される。

以上の走査線１０、共通線３０、および共通電位側容量電極５３１の上には、反射領域５０Ｂおよび透過領域５０Ａを含む画素５０の全面に亘って、第２の絶縁層としてのゲート絶縁膜６２が形成される。

ゲート絶縁膜６２上のＴＦＴが形成される領域５０Ｃには、ゲート電極５１１に対向して、アモルファスシリコンからなる半導体層（図示省略）、Ｎ^＋アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層（図示省略）が積層される。このオーミックコンタクト層には、ソース電極５１２およびドレイン電極５１３が積層されて、これにより、アモルファスシリコンＴＦＴが形成される。

ドレイン電極５１３は、ゲート絶縁膜６２上の共通電位側容量電極５３１に対向する領域まで延設され、蓄積容量５３の第１容量電極としての画素電位側容量電極５３２として機能する。すなわち、このドレイン電極５３１からなる画素電位側容量電極５３２は、この画素電位側容量電極５３２に対してゲート絶縁膜６２を挟んで対向する共通電位側容量電極５３１とともに、蓄積容量５３を構成する。したがって、画素電位側容量電極５３２と共通電位側容量電極５３１と間のゲート絶縁膜６２は、蓄積容量５３の誘電体膜として機能する。よって、反射領域５０ＢのうちＴＦＴ５１を除く領域に蓄積容量５３を形成することにより、蓄積容量５３の容量を増大させることができる。

ソース電極５１２は、データ線２０と同一の導電材料（同層）で形成される。すなわち、データ線２０からソース電極５１２が延出される構成となる。データ線２０は、走査線１０および共通線３０に対して交差するように配設されている。

このように、データ線２０と走査線１０および共通線３０との間にゲート絶縁膜６２を設けることにより、走査線１０および共通線３０とデータ線２０とが絶縁される。

ソース電極５１２、ドレイン電極５１３（画素電位側容量電極５３２）、およびデータ線２０上には、反射領域５０Ｂおよび透過領域５０Ａを含む画素５０の全面に亘って、絶縁層としてのパッシベーション膜６４が被覆される。
パッシベーション膜６４には、画素電極５５をドレイン電極５１３に接続するためのコンタクトホール６４１が形成されている。
このコンタクトホール６４１は、図２、図３および図５に示すように、走査線１０とデータ線２０との交差部のうち、ＴＦＴ５１が形成される領域５０Ｃとは反対側の角部に形成されている。すなわち、コンタクトホール６４１は、ＴＦＴ５１と反射領域５０Ｂと透過領域５０Ａとの境界近傍に位置している。

パッシベーション膜６４の反射領域５０Ｂには、ＴＦＴ５１が形成される領域５０Ｃを含んで、アクリル樹脂からなり液晶層の層厚を調整する液晶層厚調整層６５が形成されている。この液晶層厚調整層６５は、図５に示すように、互いに隣り合う画素５０に跨って、ストライプ状に形成される。
液晶層厚調整層６５は、ドレイン電極５１３（画素電位側容量電極５３２）と画素電極５５とを接続するコンタクトホール６４１を除く領域、すなわち、ＴＦＴ５１が形成されていない走査線１０とデータ線２０の交差部の角部を除く領域に形成される。これにより、コンタクトホール６４１は、液晶層厚調整層６５の近傍に位置している。

液晶層厚調整層６５の端縁は、図２、図３および図４に示すように、ドレイン電極５１３と画素電極５５とを接続するコンタクトホール６４１を除く領域では、走査線１０、データ線２０、共通線３０の各々遮光性を有する配線の上に位置している。なお、図３および図４には、理解を助けるため、走査線１０およびデータ線２０の両端縁から対向基板７０に向かって、補助線としての２点鎖線が設けられている。
液晶層厚調整層６５の液晶層側の表面には、反射光を散乱させるための凹部６５１が複数かつ不規則に形成されている。
この液晶層厚調整層６５の上には、反射膜６６が形成されている。この反射膜６６は、液晶層厚調整層６５の凹部６５１に合わせて凹凸を形成し、光を散乱させる機能を有する。そして、反射膜６６のうち凹部６５１を除いた領域は、入射光を反射する機能を有する。この反射膜６６は、図４中２点鎖線で示すように、走査線１０の上まで延長されている。

このパッシベーション膜６４の上（反射領域５０Ｂにおいては反射膜６６上）には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明電極からなる上述の画素電極５５が形成されている。
この画素電極５５は、パッシベーション膜６４に形成した上述のコンタクトホール６４１を介して、画素電位側容量電極５３２およびＴＦＴ５１のドレイン電極５１３に電気的に接続される。
画素電極５５上には、ポリイミド膜などの有機膜からなる配向膜（図示省略）が形成されている。

次に、対向基板７０について説明する。
対向基板７０は、ガラス基板７４を有し、このガラス基板７４のデータ線２０および共通線３０に対向する位置には、ブラックマトリクスを成す遮光膜７１が形成される。
ガラス基板７４および遮光膜７１上には、カラーフィルタの着色層７２が形成される。本実施形態では、透過領域５０Ａと反射領域５０Ｂを結ぶ方向に隣り合う画素５０は、同じ色の着色層７２を有している。カラーフィルタの着色層７２上には、画素電極５５に対向するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜からなる共通電極５６が形成される。共通電極５６上には、配向膜（図示省略）が形成されている。

素子基板６０と対向基板７０との間には、液晶層が形成され、この液晶層は、素子基板６０および対向基板７０の周囲に形成された図示しないシール材により封止されている。液晶層は、液晶層厚調整層６５が設けられた反射領域５０Ｂでは、層厚が薄く、透過領域５０Ａでは層厚が厚く構成され、反射表示と透過表示で光が液晶層を通過する光路（距離）が同じようになるように調整されている。

素子基板６０および対向基板７０の表面には、図示しない位相差板や偏光板が設けられている。
素子基板６０に対向する位置には、光源としてのバックライトユニット８０が設けられる。

次に、液晶装置１の反射型表示および透過型表示について説明する。
液晶装置１は、周囲光が少ない環境では、バックライトユニット８０からの光を利用して、透過型の表示を行う。すなわち、図３、図４中矢印で示すように、バックライトユニット８０から出射された光は、素子基板６０に設けられた偏光板（図示省略）で直線偏光となり、ガラス基板６８、ゲート絶縁膜６２、パッシベーション膜６４、および画素電極５５を透過して液晶層に入射する。

液晶層に入射した光は、液晶により印加電圧に応じて偏光方向が回転され、共通電極５６、カラーフィルタの着色層７２、およびガラス基板７４を透過して、対向基板７０の偏光板（図示省略）に達する。偏光板に達した光は、液晶による偏光方向の回転量に応じて、偏光板を透過する。

一方、周囲光が十分にある環境では、反射型の表示を行う。すなわち、図３、図４中矢印で示すように、外部から入射した周囲光は、対向基板７０の偏光板（図示省略）で直線偏光となり、ガラス基板７４、カラーフィルタの着色層７２、共通電極５６を透過して、液晶層に入射する。液晶層に入射した光は、画素電極５５を透過して、反射膜６６で反射され、再び画素電極５５を透過して、液晶層を通過する。この液晶層を通過する間に、印加電圧に応じて偏光方向が回転される。液晶層を通過した光は、再び、共通電極５６、カラーフィルタの着色層７２、およびガラス基板７４を透過して、対向基板７０の偏光板に達する。偏光板に達した光は、液晶による偏光方向の回転量に応じて、偏光板を透過する。

本実施形態によれば、以下のような効果がある。
（１）透過領域５０Ａと反射領域５０Ｂとの境界に沿って走査線１０を設けたので、透過領域１０Ａと反射領域１０Ｂとの境界を走査線１０で遮光して、液晶の配向乱れによる光漏れを抑制できる。

（２）液晶層厚調整層６５は、所定の厚みを有するため、その端縁にはパッシベーション膜６４と液晶層厚調整層６５とで段差部が形成されるが、この段差部では、液晶の配向が乱れやすくなる。
そこで、液晶層厚調整層６５の端縁を走査線１０の上に位置させたので、液晶層厚調整層６５の端縁の段差部で液晶の配向乱れが生じても、この液晶の配向乱れを走査線１０で確実に隠蔽できる。

（３）液晶層厚調整層６５に対応して反射膜６６を設け、この反射膜６６を走査線１０の上まで延長したので、反射膜６６と走査線１０との間隙を塞いで、この間隙からの光漏れを確実に防止できる。

（４）ＴＦＴ５１を反射領域５０Ｂに設けたので、ＴＦＴ５１が透過領域５０Ａを透過する光を遮るのを防止して、透過領域５０Ａの開口率を大きく確保できる。

（５）素子基板６０に共通線３０、画素電位側容量電極５３２、および共通電位側容量電極５３１を設けたので、画素電位側容量電極５３２と共通電位側容量電極５３１とで蓄積容量５３を構成して、データ線２０から画素電極５５に書き込まれた画像データを所定時間に亘って保持できる。

（６）反射領域５０Ｂには、画素電極５５の下に、液晶層の層厚を調整する液晶層厚調整層６５が形成される。共通線３０およびデータ線２０を遮光性の導電材料で形成し、これら共通線３０およびデータ線２０で画素電極５５を区画したので、液晶層厚調整層６５の端縁が共通線３０およびデータ線２０の上に位置することとなり、液晶層厚調整層６５の端縁の段差部で液晶の配向乱れが生じても、この液晶の配向乱れを共通線３０およびデータ線２０で確実に隠蔽できる。

＜変形例＞
なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前記実施形態では、液晶層厚調整層６５を素子基板６０に設けたが、これに限らず、対向基板７０に設けてもよい。すなわち、図６に示すように、液晶層厚調整層６５Ａを素子基板６０Ａの全面に亘って設けるとともに、液晶層厚調整層７５Ａを対向基板７０の反射領域５０Ｂに設ける。

また、前記実施形態では、画素トランジスタ５１として、アモルファスシリコンＴＦＴを用いたが、これに限らず、ポリシリコンＴＦＴを用いてもよい。
また、液晶としては、ＴＮ（Twisted Nematic）液晶や負の誘電率を用いた液晶を用いてもよい。また、液晶の表示モードとしては、ＩＰＳ（In-Plane Switching）やＦＦＳ（Fringe-Field Switching）など、透過型および反射型の液晶装置に用いられるモードであれば何でもよい。

＜応用例＞
次に、上述した実施形態に係る液晶装置１を適用した電子機器について説明する。
図７は、液晶装置１を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに液晶装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、液晶装置１に表示される画面がスクロールされる。

なお、液晶装置１が適用される電子機器としては、図７に示すものの他、パーソナルコンピュータ、情報携帯端末、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した液晶装置が適用可能である。

本発明の一実施形態に係る液晶装置の構成を示すブロック図である。 前記液晶装置を構成する画素の拡大平面図である。 前記液晶装置のＡ−Ａ断面図である。 前記液晶装置のＢ−Ｂ断面図である。 前記液晶装置の概略構成を示す部分拡大斜視図である。 本発明の変形例に係る液晶装置の断面図である。 上述した液晶装置を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。

符号の説明

１…液晶装置、１０…走査線、２０…データ線、３０…共通線、５０Ａ…透過領域、５０Ｂ…反射領域、５１…画素トランジスタ（スイッチング素子）、５５…画素電極、６０…素子基板（第１の基板）、６５…液晶層厚調整層、６６…反射膜、７０…対向基板（第２の基板）、５１３…ドレイン電極、５３１…共通電位側容量電極（第２容量電極）、５３２…画素電位側容量電極（第１容量電極）、３０００…携帯電話機（電子機器）。

Claims (7)

1. 走査線と、前記走査線と交差するデータ線と、前記走査線および前記データ線の交差に対応して設けられたスイッチング素子および画素電極を有する第１の基板と、前記第１基板に対向して設けられた第２基板と、前記第１の基板および前記第２の基板の間に挟持された液晶と、を備えた液晶装置であって、
   前記画素電極が形成される領域は、透過領域と反射領域とを有し、
   前記走査線は、遮光性の導電材料からなり、前記透過領域と前記反射領域との境界に沿って設けられることを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１に記載の液晶装置において、
   前記反射領域には、前記液晶の層厚を調整する液晶層厚調整層が設けられ、
   この液晶層厚調整層の端縁は、前記走査線の上に位置することを特徴とする液晶装置。
3. 請求項１または２に記載の液晶装置において、
   前記液晶層厚調整層に対応して反射膜が設けられ、
   この反射膜は、前記走査線の上まで延長されていることを特徴とする液晶装置。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の液晶装置において、
   前記スイッチング素子は、前記反射領域に設けられることを特徴とする液晶装置。
5. 請求項１から３のいずれかに記載の液晶装置において、
   前記第１の基板は、隣接する画素電極間に配置された共通線と、前記画素電極に電気的に接続された第１容量電極と、前記第１容量電極に対向配置され前記共通線に電気的に接続される第２容量電極と、を備えることを特徴とする液晶装置。
6. 請求項５に記載の液晶装置において、
   前記共通線および前記データ線は、遮光性の導電材料で形成され、前記画素電極を区画することを特徴とする液晶装置。
7. 請求項１から６のいずれかに記載の液晶装置を備えた電子機器。
   

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