JP2007114337A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】従来は一般的にＡｌによって形成されていた光反射膜を間に挟んでＣｒの電極の上にＩＴＯの画素電極が設けられる構造の電気光学装置において、Ｃｒの電極とＩＴＯの画素電極との間で信頼性の高い導電接続を得られるようにする。
【解決手段】基板７ａ上に設けられていて第２素子電極３４ｂを備えたＴＦＤ素子３１を有する電気光学装置である。この電気光学装置は、ＴＦＤ素子３１を覆う層間絶縁膜２２と、ＴＦＤ素子３１に電気的につながると共に絶縁膜２２から露出したコンタクト部２５ａを備える導電膜２５と、絶縁膜２２上に設けられると共にコンタクト部２５ａにおいて導電膜２５に積層された光反射膜２３と、コンタクト部２５ａにおいて光反射膜２３に積層された画素電極２４とを有する。コンタクト部２５ａはＣｒ又はＣｒ合金によって形成され、画素電極２４はＩＴＯによって形成され、光反射膜２３はＡｌＮｉによって形成される。
【選択図】図４

Description

本発明は、液晶表示装置、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置等といった電気光学装置に関する。また、本発明は、その電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。

近年、携帯電話機、携帯情報端末機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等といった電子機器に液晶表示装置等といった電気光学装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種の表示を行うために電気光学装置が用いられている。なお、液晶表示装置は、電気光学物質である液晶によって光を変調することにより文字、数字、図形等といった像を表示する電気光学装置である。

液晶表示装置は、一般に、それぞれが電極を有する一対の基板間にシール材によって囲まれた空間を形成し、その空間内に液晶を封止する構造を有する。それらの電極を平面的に重ねて見ると、電極が重なる領域が行方向及び列方向にマトリクス状に並び、これらの各領域が画素を構成する。そして、個々の画素内に存在する液晶に印加する電圧を画素ごとに制御して液晶の配向を制御することにより、表示が行われる。

このような液晶表示装置として、従来、画素に印加する電圧をスイッチング素子を用いて制御することにより液晶の配向を制御する構造のアクティブマトリクス方式の液晶表示装置が知られている。また、この種の液晶表示装置において、画素電極とスイッチング素子とを層間絶縁膜によって異なる層に分ける構造が知られている。さらにまた、反射型表示を実現するために画素電極と層間絶縁膜との間に光反射膜を介在させる構造も知られている。

上記のように、スイッチング素子、層間絶縁膜、光反射膜、画素電極をその順に積層する構造を有する電気光学装置においては、層間絶縁膜によって互いに絶縁されたスイッチング素子と画素電極とを電気的に導通させる必要がある。この場合に一般的に考えられる導通方法としては、例えば、スイッチング素子の電極を層間絶縁膜から部分的に露出させ、その電極の露出部分も含めて層間絶縁膜上に光反射膜を形成し、その後、その電極の露出部分上の光反射膜を除去した上で、光反射膜及び電極の露出部分の上に画素電極を形成する、という導通方法が考えられる。この場合には、電極の露出部分の上に画素電極を形成することにより、スイッチング素子の電極と画素電極との導通がとられることになる。

しかしながら、この導通方法に関しては、次のような問題が考えられる。すなわち、この方法の場合には、スイッチング素子の電極の上に一旦、光反射膜の材料を載せた後にその材料を除去してからスイッチング素子の電極の上に画素電極を載せなければならないので、仮に、スイッチング素子の電極をＣｒ（クロム）によって形成し、光反射膜をＡｌ（アルミニウム）によって形成し、画素電極をＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide：インジウム錫酸化物）によって形成する場合には、Ｃｒの電極上に一旦Ａｌを載せた後にそのＡｌを除去するという処理を行うことになり、その処理時にＣｒの表面が改質してその接触抵抗が上昇し、その結果、その後にＣｒの上にＩＴＯを載せたときに、両者間で接触不良が発生するおそれがあるということである。

本発明者は、この問題を解消すべく、種々の従来文献を検討した。その結果、スイッチング素子を構成する素子電極をＣｒによって形成し、このＣｒにＡｌの反射電極を導電接続する技術があることを知見した（例えば、特許文献１参照）。また、画素電極をＡｌ又はＩＴＯによって形成し、スイッチング素子の電極をＣｒによって形成し、画素電極と素子電極とを直接に接触させる技術があることも知見した（例えば、特許文献２参照）。

特開平１１−１５３８０４号公報（第３頁、図１） 特開平８−２１１４１０号公報（第３頁、図２）

特許文献１に開示された導通方法、すなわち、ＣｒとＡｌとを直接に導電接続させる方法については、それ自体は特に問題はないのであるが、Ａｌの上にＩＴＯを載せた上でそのＩＴＯとＣｒとを導電接続させようとすると、やはり、上述したようにＣｒの改質によってＣｒとＩＴＯとの導電接続に不良が発生するおそれがある。

また、特許文献２に開示された導通方法、すなわち、ＣｒをＡｌやＩＴＯに直接に導電接続させる方法については、ＣｒとＡｌとを直接に導電接続させることに関しては特許文献１と同じ問題がある。また、ＣｒとＩＴＯとを導電接続させることに関しては、それ自体は特に問題はないのであるが、Ｃｒの上にＩＴＯを載せる前にＡｌの積層及び除去の処理を介在させる場合には、やはり、上述したようにＣｒの改質によってＣｒとＩＴＯとの導電接続に不良が発生するおそれがある。

本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、従来は一般的にＡｌによって形成されていた光反射膜を間に挟んでＣｒの電極の上にＩＴＯの画素電極が設けられる構造の電気光学装置及び電子機器において、Ｃｒの電極とＩＴＯの画素電極との間で信頼性の高い導電接続を得られるようにすることを目的とする。

本発明に係る電気光学装置は、基板と、該基板上に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子を覆う絶縁膜と、前記スイッチング素子に電気的につながると共に前記絶縁膜から露出したコンタクト部を備える導電膜と、前記絶縁膜上に設けられると共に、前記コンタクト部において前記導電膜に積層された光反射膜と、前記コンタクト部において前記光反射膜に積層された画素電極とを有し、前記コンタクト部はクロム又はクロムを含む合金によって形成され、前記画素電極はＩＴＯによって形成され、前記光反射膜はアルミニウムとニッケルとを含んで成る合金によって形成されることを特徴とする。

本発明に係る電気光学装置としては、電気光学物質として液晶を用いる液晶表示装置、電気光学物質として有機ＥＬを用いる有機ＥＬ装置、電気光学物質としてプラズマ用ガスを用いるプラズマディスプレイ装置等がある。さらには、電気泳動ディスプレイ装置（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）、フィールドエミッションディスプレイ装置（ＦＥＤ：電界放出表示装置：Field Emission Display）等がある。

上記構成において、基板とは、ガラス、プラスチック等といった透光性材料によって形成された板材である。この基板上に、電極、配向膜、その他各種の要素を形成することにより、素子基板、カラーフィルタ基板、その他、電気光学装置の種類に応じて必要とされる各種の基板が製造される。

本発明に係る電気光学装置において、導電膜はスイッチング素子に電気的につながっている。この導電膜は、スイッチング素子を形成する電極と同じ層に一体に形成することができる。他方、導電膜は、スイッチング素子と電気的に接続していれば、スイッチング素子を形成する電極と異なる層に別体に形成することもできる。また、コンタクト部は、導電膜の一部の領域であって、絶縁膜から露出した領域である。このコンタクト部は、Ｃｒ単体又はＣｒを含んで成る合金（以下、本明細書中においてＣｒ合金と記す場合がある。）によって形成される。

従来の電気光学装置においては、一般に、光反射膜をＡｌ単体又はＡｌＮｄ（アルミニオブ）合金によって形成していた。これらの金属材料に関しては、画素電極の材料であるＩＴＯとの間で良好なコンタクト、すなわち導電接触性が得られない場合があるので、光反射膜材料を間に挟んで、Ｃｒ又はＣｒ合金によって形成されたコンタクト部の上にＩＴＯの画素電極を載せることが難しかった。これに対し、本発明の電気光学装置では、ＡｌとＮｉとを含んで成る合金（以下、ＡｌＮｉという場合がある）を用いて光反射膜を形成した。このＡｌＮｉはＩＴＯとの間で良好な導電接触性を得ることができるので、本発明では、ＡｌＮｉの光反射膜材料を挟んだ状態のままでＣｒ又はＣｒ合金から成るコンタクト部にＩＴＯの画素電極を載せた場合でも、良好な導電接続を得ることができる。

また、本発明に係る電気光学装置では、Ｃｒ又はＣｒ合金によって形成されていて絶縁膜から露出したコンタクト部に光反射膜を積層して、該コンタクト部を光反射膜で覆うことにした。そのため、光反射膜を所定の形状に形成する際のフォトエッチング処理時に、コンタクト部の表面が酸化等によって改質するおそれがなくなった。この結果、Ｃｒ又はＣｒ合金から成るコンタクト部とＩＴＯの画素電極との導電接続を長期間にわたって安定した良好な状態に維持できるようになった。

次に、本発明に係る電気光学装置は、個々が表示の最小単位となる複数のサブ画素と、個々の前記サブ画素の領域内に設けられていて前記光反射膜が無い領域を透過した光を用いて表示を行う透過表示領域と、個々の前記サブ画素の領域内に設けられていて前記光反射膜によって反射した反射光を用いて表示を行う反射表示領域とを有し、前記絶縁膜は前記透過表示領域と前記反射表示領域との境界部に端辺を有し、前記コンタクト部は前記絶縁膜の端辺から当該絶縁膜の外部へ張り出して露出することが望ましい。この構成は、コンタクトホールを介してコンタクトを行う構成の場合に比べてコンタクト部の面積を大きくとることができるので、コンタクト部と画素電極との間で安定した導電接続を得ることができる。

次に、本発明に係る電気光学装置において、前記絶縁膜は平面的に見て互いに交差する２つの端辺を有し、前記コンタクト部は前記絶縁膜の前記２つの端辺から当該絶縁膜の外部へ張出して露出することが望ましい。絶縁膜は、例えばフォトリソグラフィ処理等といったパターニング手法によって形成されるのであるが、仮に、絶縁膜の位置がずれて形成された場合、本来コンタクト部であるべき部分が絶縁膜に覆われてしまうことが考えられる。本発明態様のようにコンタクト部を絶縁膜の互いに交差する２つの端辺に沿って設ければ、絶縁膜の位置がずれたとしても、絶縁膜の２つの端辺のうち少なくとも１つの端辺からはコンタクト部を露出させることができるので、コンタクト部と画素電極との間で常に確実に電気的なコンタクトを得ることができる。

次に、本発明に係る電気光学装置において、前記絶縁膜は前記コンタクト部に平面的に重なる位置に当該絶縁膜をその厚み方向に貫通するコンタクトホールを有することが望ましい。この構成は、絶縁膜の端辺からコンタクト部を外部へ露出させる構成に代えて採用されるものである。

コンタクトホールを用いて導電膜と画素電極とを導電接続する場合には、その導電接続部分であるコンタクト部の面積が比較的小さくなることが考えられる。しかしながらその場合でも、本発明のようにＡｌＮｉによって形成された光反射膜材料をコンタクト部と画素電極との間に配置すれば、安定した良好な導電接続を得ることができる。

次に、本発明に係る電気光学装置は、前記基板上であって前記画素電極が複数設けられる領域以外の領域に設けられた半導体チップと、前記基板上であって前記画素電極が複数設けられる領域以外の領域に設けられていて前記半導体チップと導電接続される端子とをさらに有し、前記端子は、クロム又はクロムを含む合金によって形成された第１層と、該第１層の上に設けられアルミニウムとニッケルとを含んで成る合金によって形成された第２層と、該第２層の上に設けられＩＴＯによって形成された第３層とから成る積層構造を有することができる。

基板上に設けられる端子は、従来、スイッチング素子やコンタクト部と同じ材料で同時に形成されていた。すなわち、端子部分においても、コンタクト部と同じく、光反射膜を形成する際に、Ｃｒ又はＣｒ合金の表面、すなわち第１層の表面が酸化するおそれがあった。

本発明態様の電気光学装置では、Ｃｒ又はＣｒ合金で形成された端子の第１層に第２層を積層した。こうすれば、第１層は第２層で覆われているので、第１層の表面、すなわちＣｒ又はＣｒ合金の表面が酸化等することを防止できる。特に、光反射膜を所定の形状に形成する際のフォトエッチング処理では、Ｃｒ又はＣｒ合金の表面が酸化等によって改質するおそれがある。しかしながら、このフォトエッチング処理の際、第１層は第２層によって覆われているので、第１層の表面が酸化等することを確実に防止できる。また、第２層をＡｌとＮｉとを含んで成る合金を用いて形成したので、第２層上に積層される第３層、すなわちＩＴＯとの間で良好なコンタクトを得ることができる。

次に、本発明に係る電気光学装置において、前記端子の前記第３層は、前記第１層及び前記第２層の両方の側面を覆う形状に形成されることが望ましい。こうすれば、第１層のＣｒ又はＣｒ合金と第２層のＡｌＮｉを第３層のＩＴＯによって保護できるので、端子の耐蝕性をより一層向上できる。

次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置を有することを特徴とする。本発明に係る電気光学装置は、Ｃｒ又はＣｒ合金で形成されたコンタクト部に、ＡｌＮｉで形成された光反射膜を積層しているので、そのコンタクト部を有する導電膜と画素電極との間で良好な電気的コンタクトを得ることができ、安定した表示を行うことができる。従って、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器においても、安定した表示を行うことができる。

（電気光学装置の第１実施形態）
以下、電気光学装置の一例として、半透過反射型でＴＦＤ（Thin Film Diode）駆動方式でカラー表示が可能な液晶表示装置に本発明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態を説明する。なお、本発明がその実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。また、これからの説明では必要に応じて図面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素をわかり易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示す場合がある。

図１は、本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置を示している。図２は、図１におけるＺ１−Ｚ１線に従った断面図である。また、図３は、図１の液晶表示装置における画素部分を拡大して示す平面図である。また、図４は、図３のＺ２−Ｚ２線に従ってサブ画素の長手側の断面構造、すなわち図２の矢印Ｂで示す部分を示している。

図１において、液晶表示装置１は、電気光学パネルとしての液晶パネル２と、この液晶パネル２に付設された照明装置３とを有する。液晶パネル２にはＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性プリント回路）基板４が接続されている。この液晶表示装置１に関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。

液晶パネル２は、長方形又は正方形で環状のシール材６によって互いに貼り合わされた一対の基板７及び８を有する。基板７はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、基板８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。シール材６は図２に示すように素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に間隙、いわゆるセルギャップＧを形成する。シール材６は図１に示すようにその一部に液晶注入口６ａを有し、この液晶注入口６ａを介して素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に電気光学物質としての液晶が注入される。注入された液晶は図２に示すようにセルギャップＧ内で液晶層１２を形成する。図１の液晶注入口６ａは液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。液晶の注入方法としては、上記のような液晶注入口６ａを通して行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続する環状のシール材６によって囲まれる領域内に液晶滴を供給する方法も採用できる。

図２において、セルギャップＧの間隔、従って液晶層１２の層厚は、セルギャップＧ内に設けられる複数のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹脂部材を素子基板７又はカラーフィルタ基板８の表面上にランダム（すなわち、無秩序）に置くことによって形成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ処理によって所定の位置に柱状に形成することもできる。

照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１３と、導光体１４とを有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用いることもできる。導光体１４は、例えば、透光性を有する樹脂を材料とする成形加工によって形成され、ＬＥＤ１３に対向する側面が光入射面１４ａであり、液晶パネル２に対向する面が光出射面１４ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１４の背面には、必要に応じて、光反射層１６が設けられる。また、導光体１４の光出射面１４ｂには、必要に応じて、光拡散層１７が設けられる。

素子基板７は、第１の透光性の基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、矢印Ｂで示す部分の拡大図である図４にも示すように、配線としてのデータ線１９が列方向Ｙに延びて形成されている。そして、アクティブ素子として機能するスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子３１がデータ線１９に接続して形成されている。データ線１９は図１に示すように複数本が互いに平行に設けられている。本実施形態において、データ線１９は、Ｃｒによって形成されている。なお、このデータ線１９はＣｒ以外の金属、例えばＭｏ（モリブデン）等によって形成することもできる。また、ＴＦＤ素子３１は複数個が各データ線１９に沿って等間隔に設けられている。

それらのＴＦＤ素子３１及びデータ線１９の上に、図４に示すように、それらを覆うように絶縁膜としての層間絶縁膜２２が形成され、その上に光反射膜２３が形成され、その上に画素電極２４が形成され、その上に配向膜２６ａが形成されている。層間絶縁膜２２は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。また、光反射膜２３は、ＡｌとＮｉとを含む合金であるＡｌＮｉ（アルミニッケル）を用いて形成されている。このＡｌＮｉは光反射性材料である。光反射膜２３は、ＡｌＮｉをフォトエッチング処理（すなわち、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理）によってパターニングすることによって形成される。画素電極２４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。

光反射膜２３及び画素電極２４は、図１に示すように、素子基板７上にドットマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜２３及び画素電極２４は、個々のＴＦＤ素子３１に接続されて各データ線１９に沿って設けられている。複数の画素電極２４は図示の通り個々がドット状に形成されており、それらが縦横方向、すなわち行列方向へマトリクス状に並ぶように形成される。図４の配向膜２６ａは図２において素子基板７の表面の略全域に形成される。そして、この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。

図４において、ＴＦＤ素子３１は、互いに電気的に直列につながれた一対のＴＦＤ要素３１ａ及び３１ｂによって形成されている。第１のＴＦＤ要素３１ａは、第１素子電極３２、絶縁膜３３、そして第２素子電極３４ａをその順で重ねることによって形成されている。また、第２のＴＦＤ要素３１ｂは、第１素子電極３２、絶縁膜３３、そして第２素子電極３４ｂをその順で重ねることによって形成されている。第１素子電極３２は、例えば、Ｔａ（タンタル）又はＴａ合金によって形成される。Ｔａ合金としては、例えば、ＴａＷ（タンタル・タングステン）を用いることができる。絶縁膜３３は、例えば、陽極酸化処理によって形成される。第２素子電極３４ａ，３４ｂは、例えばＣｒによって形成される。

第１ＴＦＤ要素３１ａ内の第２素子電極３４ａは図３に示すようにデータ線１９から延びている。また、第２ＴＦＤ要素３１ｂ内の第２素子電極３４ｂは画素電極２４に接続されている。データ線１９から画素電極２４へ信号が伝送されることを考えたとき、第１ＴＦＤ要素３１ａと第２ＴＦＤ要素３１ｂは電気的に逆極性である２つのＴＦＤ要素が直列に接続されることになる。この構造はバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造と呼ばれることがある。本実施形態では、このようにバック・ツー・バック構造のＴＦＤ素子を用いたが、単一のＴＦＤ要素によってＴＦＤ素子を形成しても良い。

第２ＴＦＤ要素３１ｂは画素電極２４に導電接続される要素であるが、この第２ＴＦＤ要素３１ｂの第２素子電極３４ｂは、導電膜２５によって画素電極２４と導電接続されている。導電膜２５は、第２素子電極３４ｂから導出されており、その先端には面積の広い平面部分が形成されている。この平面部分は、一部が層間絶縁膜２２に覆われ、他の一部が層間絶縁膜２２の１つの端部Ｅから外部に露出している。この導電膜２５のうち、層間絶縁膜２２の１つの端部Ｅから外部に露出した部分（すなわち、図３の斜線部分）がコンタクト部２５ａである。また、コンタクト部２５ａと第２素子電極３４ｂとをつなぐ部分がコネクト部２５ｂである。図３において、表示の最小単位の領域をサブ画素Ｄと呼ぶことにすれば、層間絶縁膜２２が在る部分から層間絶縁膜２２が無い部分にわたってサブ画素Ｄの中に形成された画素電極２４が導電膜２５のコンタクト部２５ａに接触し、これにより、ＴＦＤ素子３１と画素電極２４との間の電気的な接続が行われている。

本実施形態では、図４に示すように、画素電極２４の下に層間絶縁膜２２を設けることにより、画素電極２４の層とＴＦＴ素子３１の層とを別の層に分けている。この構造は、画素電極２４とＴＦＤ素子３１とを同じ層に形成する構造に比べて、以下のような利点を有する。

まず、ＴＦＤ素子３１とデータ線１９とを覆う層間絶縁膜２２を形成し、その層間絶縁膜２２上に画素電極２４を形成するものとしているため、画素電極２４とＴＦＤ素子３１及び／又はデータ線１９との間の寄生容量を低減することができる。また、層間絶縁膜２２を介して画素電極２４とＴＦＤ素子３１及び／又はデータ線１９とを積層構造にて形成しているため、ＴＦＤ素子３１及び／又はデータ線１９を覆う形にて画素電極２４を構成することができ、画素電極２４をＴＦＤ素子３１及び／又はデータ線１９と同一平面上に形成する場合に比して、画素電極２４を大きく構成することができ、ひいては有効画素領域を大きくとることができるようになる。

以上のような効果を齎す結果、非常に信頼性の高い電気光学装置を提供することが可能となり、特にこれを表示装置として用いた場合には、開口率の大きい視認性に優れた表示を実現することが可能となる。

図２において、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は、矢印Ａで示す観察側から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板８ａを有する。この第２透光性基板８ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。

第２透光性基板８ａの内側表面には、図４にも示すように、着色膜４１が形成され、その周囲に遮光膜４２が形成され、着色膜４１及び遮光膜４２の上にオーバーコート層４３が形成され、その上に帯状電極４４が形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている。帯状電極４４は、図４の紙面垂直方向（すなわち、行方向Ｘ）に延びている。配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。

個々の着色膜４１に関して、素子基板７に設けられた光反射膜２３に平面的に重なる領域内の一部には、着色膜４１が設けられていない領域Ｑが設けられている。図３に示すように、この領域Ｑは平面的に見て楕円形状に形成されている。この領域Ｑは、必要に応じて楕円形状以外の任意の形状、例えば、円形状、長円形状、方形状等に形成することもできる。この着色膜４１が設けられていない領域Ｑでは光の波長選択は行われず、入射した光が強度を減衰されることなくこの領域Ｑを通過する。このため、本実施形態では、図４の光反射膜２３において反射する光を用いた反射型表示時に明るい画像を表示できる。

着色膜４１は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形のドット状に形成されている。また、着色膜４１は複数個が矢印Ａ方向から見て図４の紙面垂直方向（行方向Ｘ）及び左右方向（列方向Ｙ）にマトリクス状に配列されている。遮光膜４２はそれらの着色膜４１を囲む格子状に形成されている。着色膜４１の個々はＢ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＢ，Ｇ，Ｒの着色膜４１が矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばストライプ配列に並べられている。ストライプ配列とは、列方向ＹにＢ，Ｇ，Ｒの同色が並び、行方向ＸにＢ，Ｇ，Ｒが交互に順番に並ぶ配列である。

なお、着色膜４１の配列はストライプ配列以外の任意の配列とすることができ、例えば、モザイク配列、デルタ配列等とすることもできる。また、着色膜４１の光学的特性はＢ，Ｇ，Ｒの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色を通過させる特性とすることもできる。遮光膜４２は、本実施形態では、Ｂ，Ｇ，Ｒの３原色のうちのいずれか２色を重ねることによって形成されている。しかしながら、遮光膜４２は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色を重ねて形成することもできるし、所定の材料をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成することもできる。この場合の所定の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ等といった遮光性の材料が考えられる。

着色膜４１及び遮光膜４２の上に形成されたオーバーコート層４３は、着色膜４１及び遮光膜４２の表面を平坦化するものであり、帯状電極４４はこうして平坦化されたオーバーコート層４３の上に形成される。帯状電極４４は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。帯状電極４４は、図１に示すように、カラーフィルタ基板８上に複数本が互いに平行に並ぶように設けられている。個々の帯状電極４４は行方向Ｘに延びている。図４において帯状電極４４の上に形成された配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板８の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。

図１において、素子基板７上に設けられた複数の画素電極２４は矢印Ａ方向から平面的に見て、行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並んでいる。一方、カラーフィルタ基板８上に設けられた複数の帯状電極４４は、行方向Ｘに並ぶ複数の画素電極２４と矢印Ａ方向から平面的に見て重なるようにストライプ状に並んでいる。このように画素電極２４と帯状電極４４とは矢印Ａ方向から見て重なり合っており、その重なり合った領域が表示のための最小単位であるサブ画素Ｄを形成している。そして、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより図１の有効表示領域Ｖが形成され、この有効表示領域Ｖに文字、数字、図形等といった像が表示される。

本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色膜４１を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色膜４１に対応する３つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。１つの画素部分を平面的に示す図面である図３に示すように、サブ画素Ｄは長方形状に形成されている。

図４において、光反射膜２３は、例えばフォトエチング処理によって形成される。この光反射膜２３はサブ画素Ｄのうちの一部の領域Ｒに設けられており、残りの領域Ｔには設けられていない。領域Ｔは図３に示すようにサブ画素Ｄ内の一部の長方形状の領域である。一方、領域Ｒはサブ画素Ｄ内の残りの領域であって、本実施形態では領域Ｔをコ字状に囲む領域である。

個々のサブ画素Ｄの中で光反射膜２３が存在する領域が反射表示領域Ｒであり、光反射膜２３が存在しない領域Ｔが透過表示領域である。図４において矢印Ａで示す観察側から入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒ内で光反射膜２３で反射する。一方、図１の照明装置３の導光体１４から出射した図４の光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを透過する。これらの反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界部に、層間絶縁膜２２の端部Ｅが設けられている。

層間絶縁膜２２の表面であって個々のサブ画素Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する部分には凸部又は凹部が形成されて凹凸パターンが形成されている。この凹凸パターンは矢印Ａ方向から見てランダム（すなわち、無秩序）なパターンとなっている。光反射膜２３は、そのような凹凸パターンが形成されている層間絶縁膜２２の上に形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンを有している。このように光反射膜２３に凹凸パターンを形成することにより、光反射膜２３で反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、散乱光や指向性を持った光とすることができる。

本実施形態の層間絶縁膜２２は反射表示領域Ｒに設けられており、透過表示領域Ｔには設けられていない。このため、反射表示領域Ｒ内の液晶層１２の層厚ｔ０は、透過表示領域Ｔ内の液晶層１２の層厚ｔ１よりも薄くなっている。望ましくはｔ０＝ｔ１／２になっている。このような液晶層１２の層厚の調整は、反射表示領域Ｒ内で光Ｌ０が液晶層１２を２回通過する反射表示の場合と、透過表示領域Ｔ内で光Ｌ１が液晶層１２を１回しか通過しない透過表示の場合とで、液晶層１２のリタデーション（Δｎｄ）を均一にして鮮明な表示を得るために行われるものである。但し、“Δｎ”は屈折率異方性、“ｄ”は液晶層厚を示している。

次に、図２において、素子基板７を構成する第１透光性基板７ａはカラーフィルタ基板８の外側へ張り出す張出し部４６を有している。この張出し部４６の表面には、配線４７がフォトエチング処理等によって形成されている。配線４７は矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並べられている。これらの配線４７の個々には、端子としてのランド部４７ａが設けられている。また、張出し部４６の辺端には複数の外部接続用端子４８が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並ぶように形成されている。これらの外部接続用端子４８は、図１に示したＦＰＣ基板４に形成される複数の配線（図示せず）に導電接続される。また、これらの外部接続用端子４８の個々には、端子としてのランド部４８ａが設けられている。

複数の配線４７の一部は、シール材６によって囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びてデータ線１９に繋がっている。また、複数の配線４７の他の一部は、シール材６の中に含まれる導通材４９を介してカラーフィルタ基板８上の各帯状電極４４につながっている。

図２の張出し部４６の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）５１を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、半導体チップとしての駆動用ＩＣ５２が実装されている。駆動用ＩＣ５２は、本実施形態では図１に示すように複数、例えば３個実装されている。例えば、中央の１つの駆動用ＩＣ５２は、データ線１９へデータ信号を伝送する。他方、両側の駆動用ＩＣ５２，５２は、帯状電極４４へ走査信号を伝送する。

図２において、駆動用ＩＣ５２は、複数の入力用バンプ５２ａ及び複数の出力用バンプ５２ｂを有する。これら入力用バンプ５２ａ及び出力用バンプ５２ｂは、複数個が図２の紙面垂直方向（行方向Ｘ）へ、例えば互いに等間隔に並べられている。複数の入力用バンプ５２ａは、ＡＣＦ５１内の導通粒子を介して外部接続用端子４８のランド部４８ａに導電接続される。また、複数の出力用バンプ５２ｂは、ＡＣＦ５１内の導通粒子を介して配線４７のランド部４７ａに導電接続される。

以上のように構成された液晶表示装置１によれば、図２において、液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。

上記の反射型表示を行う場合、図４において、観察側である矢印Ａの方向からカラーフィルタ基板８を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過して素子基板７内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２３で反射して再び液晶層１２へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図２の照明装置３の光源１３が点灯し、それからの光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光出射面１４ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図４の符号Ｌ１で示すように透過表示領域Ｔにおいて光反射膜２３が存在しない領域を通って液晶層１２へ供給される。

以上のようにして液晶層１２へ光が供給される間、素子基板７側の画素電極２４とカラーフィルタ基板８側の帯状電極４４との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板８側の偏光板１８ｂ（図２参照）を通過するとき、その偏光板１８ｂの偏光特性に従ってサブ画素Ｄごとに通過を許容又は通過を阻止され、これにより、カラーフィルタ基板８の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。

以上に説明したように、素子基板７の内側表面は図４で示すような積層構造となっている。具体的には、基板７ａ上にＴＦＤ素子３１、データ線１９及び導電膜２５が形成され、それらの上に層間絶縁膜２２が形成され、その上に光反射膜２３が形成され、その上に画素電極２４が形成され、さらにその上に配向膜２６ａが形成されている。

これらの各要素のうち、光反射膜２３を製造するには、まず、ＴＦＤ素子３１、データ線１９、導電膜２５、及び層間絶縁膜２２が形成された素子基板７上の全域に、光反射膜２３の材料であるＡｌＮｉをスパッタ処理によって一様な厚さに成膜する。そして次に、このＡｌＮｉの膜をフォトエッチング処理によって所定の形状にパターニングする。こうして所定の形状を有した光反射膜２３が形成される。この光反射膜２３はサブ画素Ｄの一部に形成され、残りの一部には形成されない。光反射膜２３が形成された領域が反射表示領域Ｒとなり、光反射膜２３が形成されない領域が透過表示領域Ｔとなる。

ところで、素子基板７上のコンタクト部２５ａには、従来、光反射膜２３は積層されず、画素電極２４が直接に積層されていた。すなわち、光反射膜２３は、従来、層間絶縁膜２２の端辺Ｅから透過表示領域Ｔ内へ張出さないように形成されていた。しかしながら、コンタクト部２５ａに直接に画素電極２４を積層する構造では、光反射膜２３を形成する際に一旦、光反射膜の材料をコンタクト部２５ａ上に載せた後にその材料を除去するという処理を行わなければならなかった。そのため、この処理時において、Ｃｒによって形成されたコンタクト部２５ａの表面が改質するおそれがあった。例えば、光反射膜２３を所定の形状にパターニングする際に行われるフォトエッチング処理において、Ｃｒの表面が水やエッチング液等に直接に触れて酸化等することがあった。こうなると、ＴＦＤ素子３１と画素電極２４との間において接触抵抗が上昇し、その結果、両者間で接触不良が発生するおそれがあった。

これに対して、本実施形態に係る液晶表示装置では、Ｃｒによって形成されていて層間絶縁膜２２から露出したコンタクト部２５ａに光反射膜２３を積層して、そのコンタクト部２５ａを光反射膜２３で覆うことにした。具体的には、光反射膜２３を層間絶縁膜２２の端辺Ｅからわずかに張出すように形成することで、層間絶縁膜２２の端辺Ｅから露出したコンタクト部２５ａに光反射膜２３が被るようにした。そのため、光反射膜２３を所定の形状に形成する際のフォトエッチング処理時に、コンタクト部２５ａの表面に水やエッチング液等が直接に触れることがなくなるので、Ｃｒの表面が酸化等によって改質するおそれがなくなった。この結果、Ｃｒのコンタクト部２５ａとＩＴＯの画素電極２４との導電接続を長期間にわたって安定した良好な状態に維持できる。

また、従来の液晶表示装置では、一般に、光反射膜をＡｌ単体又はＡｌＮｄ（アルミニオブ）合金によって形成していた。これらの金属材料に関しては、画素電極の材料であるＩＴＯとの間で良好なコンタクト、すなわち導電接触性が得られない場合があるので、光反射膜材料を間に挟んでＣｒのコンタクト部の上にＩＴＯの画素電極を載せることが難しかった。これに対し、本実施形態では、図４の光反射膜２３をＡｌとＮｉとを含んで成る合金であるＡｌＮｉを用いて形成した。このＡｌＮｉはＩＴＯとの間で良好な導電接触性を得ることができるので、本発明では、ＡｌＮｉの光反射膜材料を挟んだ状態のままでＣｒのコンタクト部２５ａにＩＴＯの画素電極２４を載せた場合でも、良好な導電接続を得ることができる。

（電気光学装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の他の実施形態を図５を用いて説明する。図６は本実施形態に係る電気光学装置としての液晶表示装置の画素部分の構造を平面的に示している。先の第１実施形態では、図３において、導電膜２５のうちの面積の広い平面部分を、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界であって層間絶縁膜２２の１つの端辺Ｅに沿って形成することにより、コンタクト部２５ａを１つの端辺Ｅに沿って設けていた。これに対し本実施形態では、図５に示すように、互いに交差する２つの端辺を有する絶縁膜として、例えばコ字状の３つの端辺Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２を有する層間絶縁膜２２を設け、導電膜５５のうちの面積の広い平面部分を層間絶縁膜２２のコ字状の３つの端辺Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２に沿ってコ字状に形成し、それら３つの端辺Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２に沿ってコンタクト部５５ａを設けるようにした。以下、本実施形態を先の実施形態と異なる点を中心として説明するものとし、共通する構成については説明を省略する。

本実施形態における液晶表示装置の外観形状は、概ね、図１と同じである。また、この液晶表示装置の内部の構成は、概ね、図２及び図４に示す構成と同じである。

本実施形態おいても、図２に示すように、素子基板７とカラーフィルタ基板８との間にセルギャップＧが形成され、そのセルギャップＧ内に液晶が封入されて液晶層１２が形成されている。素子基板７は第１透光性基板７ａを有し、この第１透光性基板７ａの内側表面の全域には、データ線１９が列方向Ｙに延びて形成され、さらに、ＴＦＤ素子３１がデータ線１９に接続して形成されている。

それらのＴＦＤ素子３１及びデータ線１９の上には、それらを覆うように層間絶縁膜２２が形成され、その上に光反射膜２３が形成され、その上に画素電極２４が形成され、その上に配向膜２６ａが形成されている。層間絶縁膜２２は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。この層間絶縁膜２２は、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒの境界部分に３つの端辺Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２を有している。これらのうちＥ０とＥ１の２つの端辺は互いに交差している。他方、Ｅ０とＥ２の２つの端辺も互いに交差している。

光反射膜２３は、光反射性材料であるＡｌＮｉをフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。画素電極２４は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。

素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は第２透光性基板８ａを有し、この第２透光性基板８ａの内側表面には、着色膜４１が形成され、その周囲に遮光膜４２が形成され、着色膜４１及び遮光膜４２の上にオーバーコート層４３が形成され、その上に帯状電極４４が形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている。帯状電極４４は、図４の紙面垂直方向（すなわち、行方向Ｘ）に延びている。また、配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板８の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。

図５において、第２素子電極３４ｂは、導電膜５５によって画素電極２４と導電接続されている。導電膜５５は、第２素子電極３４ｂから導出された導電膜であり、その先端には面積の広い平面部分が、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界である層間絶縁膜２２の３つの端辺Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２に沿って平面的に見てコ字状に形成されている。このコ字状の平面部分は、一部が層間絶縁膜２２に覆われ、他の一部が層間絶縁膜２２の３つの端辺Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２から外部に露出している。この導電膜５５のうち、層間絶縁膜２２の３つの端辺Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２から外部に露出した部分（すなわち、図５の斜線部分）がコンタクト部５５ａである。また、コンタクト部５５ａと第２素子電極３４ｂとをつなぐ部分がコネクト部５５ｂである。本実施形態においては、層間絶縁膜２２が在る部分から層間絶縁膜２２が無い部分にわたってサブ画素領域Ｄの中に形成された画素電極２４が、層間絶縁膜２２から露出した導電膜５５のコンタクト部５５ａに接触し、これにより、ＴＦＤ素子３１と画素電極２４との間の電気的な接続が行われる。

導電膜５５のうちの面積の広い平面部分はコ字状に形成されている。これにより、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界である層間絶縁膜２２の３つの端辺Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２においてコンタクト部５５ａと画素電極２４とが確実に接触できる。また、仮に、コ字状に形成された中継導電膜５５の平面部分に対して層間絶縁膜２２の位置がずれた場合であっても、コンタクト部５５ａは、層間絶縁膜２２の３つの端辺Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２のうちの少なくとも１つの端辺の外側、すなわち透過表示領域Ｔ内に必ず露出できるので、コンタクト部５５ａと画素電極２４とが確実に接触できる。

本実施形態においても、Ｃｒによって形成されていて層間絶縁膜２２から露出したコンタクト部５５ａに光反射膜２３を積層して、そのコンタクト部５５ａを光反射膜２３で覆うことにした。具体的には、光反射膜２３を層間絶縁膜２２の３つの端辺Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２からわずかに張出すように形成することで、層間絶縁膜２２の３つの端辺Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２から露出したコンタクト部５５ａに光反射膜２３が被るようにした。そのため、光反射膜２３を所定の形状に形成する際のフォトエッチング処理時に、コンタクト部５５ａの表面に水やエッチング液等が直接に触れることがなくなるので、Ｃｒの表面が酸化等によって改質するおそれがなくなった。この結果、Ｃｒのコンタクト部５５ａとＩＴＯの画素電極２４との導電接続を長期間にわたって安定した良好な状態に維持できる。

また、光反射膜２３をＡｌとＮｉとを含んで成る合金であるＡｌＮｉを用いて形成した。このＡｌＮｉはＩＴＯとの間で良好な導電接触性を得ることができるので、本発明では、ＡｌＮｉの光反射膜材料を挟んだ状態のままでＣｒのコンタクト部５５ａにＩＴＯの画素電極２４を載せた場合でも、良好な導電接続を得ることができる。

（変形例）
上記の第２実施形態では、図５に示すように、導電膜５５のうちの面積の広い平面部分は、層間絶縁膜２２のコ字状の３つの端辺Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２に沿って平面的に見てコ字状に形成した。そして、コンタクト部５５ａは層間絶縁膜２２の３つの端辺Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２から外部に露出するようにした。しかしながら、導電膜５５の面積の広い平面部分は、絶縁膜２２のコ字状の３つの端辺のうち互いに交差する２つの端辺に沿って設けても良い。具体的には、導電膜５５の平面部分を層間絶縁膜２２の互いに交差する２つの端辺Ｅ０，Ｅ１に沿ってＬ字状に形成し、コンタクト部５５ａを２つの端辺Ｅ０とＥ１から外部へ露出させるように設けることもできる。また、導電膜５５の平面部分を層間絶縁膜２２の互いに交差する２つの端辺Ｅ０，Ｅ２に沿ってＬ字状に形成し、コンタクト部５５ａを２つの端辺Ｅ０とＥ２から外部へ露出させるように設けることもできる。

また、層間絶縁膜２２は、コ字状の３つの端辺に代えて、Ｌ字状の２つの端辺を有するようにしても良い。この場合には、導電膜５５の面積の広い平面部分を、層間絶縁膜２２のＬ字状の２つの端辺、すなわち互いに交差する２つの端辺に沿ったＬ字状に設けることができる。なお、導電膜５５の平面部分は、層間絶縁膜２２のコ字状の３つの端辺又はＬ字状の２つの端辺からコンタクト部５５ａが露出することができれば、コ字状又はＬ字状に沿って直角に設ける必要はない。例えば、導電膜５５の平面部分は、平面的に見て直角以外の鈍角又は鋭角に形成したり、角が無い曲線状に形成することもできる。これらいずれの実施形態であっても、コンタクト部５５ａは、層間絶縁膜２２の端辺の外側、すなわち透過表示領域Ｔ内に必ず露出できるので、コンタクト部５５ａと画素電極２４とが確実に接触できる。

（電気光学装置の第３実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態を図６を用いて説明する。図６は本実施形態に係る電気光学装置としての液晶表示装置の画素部分の構造を平面的に示している。第１実施形態では、図３において、画素電極２４とＴＦＤ素子３１とは導電膜２５のコンタクト部２５ａを介して導電接続されていた。また、第２実施形態では、図５において、画素電極２４とＴＦＤ素子３１とは導電膜５５のコンタクト部５５ａを介して導電接続されていた。これに対し本実施形態では、図６において、ＴＦＤ素子３１の第２素子電極３４ｂにつながる導電膜６５に平面的に重なる位置の層間絶縁膜２２に、その層間絶縁膜２２の厚み方向（すなわち、図６の紙面垂直方向）に貫通するコンタクトホール６６を設け、そのコンタクトホール６６を通して外部に空間的につながっているコンタクト部６５ａを介して、画素電極２４とＴＦＤ素子３１とを導電接続するようにした。以下、本実施形態を先の実施形態と異なる点を中心として説明するものとし、共通する構成については説明を省略する。

本実施形態における液晶表示装置の外観形状は、概ね、図１と同じである。また、この液晶表示装置の内部の構成は、概ね、図２及び図４に示す構成と同じである。

本実施形態おいても、図２に示すように、素子基板７とカラーフィルタ基板８との間にセルギャップＧが形成され、そのセルギャップＧ内に液晶が封入されて液晶層１２が形成されている。素子基板７は第１透光性基板７ａを有し、この第１透光性基板７ａの内側表面の全域には、データ線１９が列方向Ｙに延びて形成され、さらに、ＴＦＤ素子３１がデータ線１９に接続して形成されている。

それらのＴＦＤ素子３１及びデータ線１９の上には、それらを覆うように層間絶縁膜２２が形成され、その上に光反射膜２３が形成され、その上に画素電極２４が形成され、その上に配向膜２６ａが形成されている。層間絶縁膜２２は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。

光反射膜２３は、光反射性材料であるＡｌＮｉをフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。画素電極２４は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。

素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は第２透光性基板８ａを有し、この第２透光性基板８ａの内側表面には、着色膜４１が形成され、その周囲に遮光膜４２が形成され、着色膜４１及び遮光膜４２の上にオーバーコート層４３が形成され、その上に帯状電極４４が形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている。帯状電極４４は、図４の紙面垂直方向（すなわち、行方向Ｘ）に延びている。また、配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板８の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。

図６において、導電膜６５は、第２素子電極３４ｂにつながる導電膜である。コンタクトホール６６は、反射表示領域Ｒ内であって、導電膜６５の先端の部分に平面的に重なる位置に設けられている。このコンタクトホール６６は、層間絶縁膜２２の厚み方向に貫通する穴である。中継導電膜６５の先端の部分のコンタクトホール６６に平面的に重なって層間絶縁膜２２の外部に空間的につながっている部分（すなわち、図６の斜線部分）がコンタクト部６５ａである。一方、コンタクト部６５ａと第２素子電極３４ｂとをつなぐ部分がコネクト部６５ｂである。画素電極２４は、コンタクトホール６６を介してコンタクト部６５ａと直接に接触することができる。これにより、第２素子電極３４ｂと画素電極２４（すなわち、ＴＦＴ素子３１と画素電極２４）との間の電気的な接続が行われる。

本実施形態においても、Ｃｒによって形成されたコンタクト部６５ａに光反射膜２３を積層して、そのコンタクト部６５ａを光反射膜２３で覆うことにした。具体的には、光反射膜２３をコンタクトホール６６の内側の空間にも形成することで、コンタクト部６５ａに光反射膜２３が被るようにした。そのため、光反射膜２３を所定の形状に形成する際のフォトエッチング処理時に、コンタクト部６５ａの表面に水やエッチング液等が直接に触れることがなくなるので、Ｃｒの表面が酸化等によって改質するおそれがなくなった。この結果、Ｃｒのコンタクト部６５ａとＩＴＯの画素電極２４との導電接続を長期間にわたって安定した良好な状態に維持できる。

また、光反射膜２３をＡｌとＮｉとを含んで成る合金であるＡｌＮｉを用いて形成した。このＡｌＮｉはＩＴＯとの間で良好な導電接触性を得ることができるので、本発明では、ＡｌＮｉの光反射膜材料を挟んだ状態のままでＣｒのコンタクト部６５ａにＩＴＯの画素電極２４を載せた場合でも、良好な導電接続を得ることができる。なお、本実施形態のように、コンタクトホール６６を用いてＴＦＤ素子３１と画素電極２４とを導電接続する場合には、その導電接続部分の面積、すなわちコンタクト部６５ａの面積が比較的小さくなることが考えられる。しかしながらその場合でも、本実施形態のようにＡｌＮｉによって形成された光反射膜材料をコンタクト部６５ａと画素電極２４との間に配置すれば、安定した良好な導電接続を得ることができる。

（電気光学装置の第４実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態を図７を用いて説明する。本実施形態における液晶表示装置の外観形状は、概ね、図１と同じである。また、この液晶表示装置の内部の構成は、概ね、図２及び図４に示す構成と同じである。図７（ａ）は、図２のＺ３−Ｚ３線に従ったランド部４８ａの断面構造、及びＺ４−Ｚ４線に従ったランド部４７ａの断面構造を示している。第１実施形態において説明したように、図２のランド部４８ａは駆動用ＩＣ５２の入力用バンプ５２ａと導電接続される端子である。また、ランド部４７ａは駆動用ＩＣ５２の出力用バンプ５２ｂと導電接続される端子である。

図７（ａ）に示すように、ランド部４７ａ及び４８ａは３層の積層構造を有している。この積層構造は、第１透光性基板７ａの上にＣｒによって形成された第１層６１と、当該第１層６１の上にＡｌとＮｉとを含んで成る合金であるＡｌＮｉによって形成された第２層６２と、当該第２層６２の上にＩＴＯによって形成された第３層６３とから成っている。本実施形態において、第２層６２は、第１層６１に対して小さい幅に形成されている。すなわち、第２層６２の側面６２ａが第１層６１の側面６１ａより内側に位置するように形成され、第１層６１と第２層６２とが階段状の積層構造となっている。こうすることにより、第３層６３は、第１層６１の側面６１ａ及び第２層６２の側面６２ａの両方を覆う形状に形成することができる。

ところで、基板上に設けられるランド部は、従来、ＴＦＤ素子やコンタクト部と同じ材料でそれらと同時に形成されていた。すなわち、ランド部においても、コンタクト部と同じく、光反射膜を形成する際に、Ｃｒの表面、すなわち第１層の表面が酸化するおそれがあった。

本実施形態では、Ｃｒで形成された端子の第１層６１に第２層６２を積層した。こうすれば、第１層６１は第２層６２で覆われているので、第１層６１の表面、すなわちＣｒの表面が酸化等することを防止できる。特に、図４の光反射膜２３を所定の形状に形成する際のフォトエッチング処理では、Ｃｒの表面が酸化等によって改質するおそれがある。しかしながら、このフォトエッチング処理の際、図７（ａ）の第１層６１は第２層６２によって覆われているので、第１層６１の表面が酸化等することを確実に防止できる。また、第２層６２をＡｌＮｉを用いて形成したので、第２層６２上に積層される第３層６３、すなわちＩＴＯとの間で良好なコンタクトを得ることができる。

また、本実施形態では、第２層６２を、第１層６１に対して小さい幅に形成した。これにより、第３層６３を、第１層６１の側面６１ａ及び第２層６２の側面６２ａの両方を覆う形状に形成することができる。その結果、第１層６１を形成するＣｒと第２層６２を形成するＡｌＮｉとを第３層６３を形成するＩＴＯによって保護できるので、ランド部４７ａ及び４８ａの耐蝕性をより一層向上できる。

（変形例）
上記の第４実施形態では、図７（ａ）に示すように、ランド部４７ａ，４８ａの第２層６２を第１層６１対して小さい幅に形成するようにした。しかしながら、ランド部４７ａ，４８ａは、図７（ｂ）に示すように、第２層６２と第１層６１とを略同じ幅とすることもできる。すなわち、第１層６１の側面６１ａと第２層６２の側面６２ａとを揃えて形成することもできる。この場合であっても、第１層６１を形成するＣｒと第２層６２を形成するＡｌＮｉとを第３層６３を形成するＩＴＯによって保護できるので、ランド部４７ａ及び４８ａの耐蝕性をより一層向上できる。

（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、上記これまでの実施形態では、図４に示すように、ＩＴＯで形成された画素電極２４はサブ画素Ｄ内の全域に設けられている。すなわち、画素電極２４のＩＴＯと光反射膜２３のＡｌＮｉとは、コンタクト部２５ａ以外に反射表示領域Ｒ内の全域で接触する構造としている。しかしながら、ＩＴＯで形成された画素電極２４とＡｌＮｉで形成された光反射膜２３とはコンタクト部２５ａのみにおいて接触する構造とすることもできる。この場合、透過表示領域Ｔ内ではＩＴＯで形成された電極２４が画素電極として機能し、反射表示領域Ｒ内ではＡｌＮｉで形成された光反射膜２３が画素電極（すなわち、反射電極）として機能する。

また、上記それぞれの実施形態では、図３のコンタクト部２５ａ、図５のコンタクト部５５ａ、図６のコンタクト部６５ａ及び図７のランド部４７ａ，４８ａの第１層をＣｒ単体によって形成している。しかしながら、図３のコンタクト部２５ａ、図５のコンタクト部５５ａ、図６のコンタクト部６５ａ及び図７のランド部４７ａ，４８ａの第１層は、Ｃｒを含んで成る合金を用いて形成することもできる。

また、上記それぞれの実施形態では、ＴＦＤ素子を用いた液晶表示装置に本発明を適用したが、本発明は、ＴＦＤ素子以外の２端子型スイッチング素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置にも適用できる。また、本発明は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等といった３端子型スイッチング素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置にも適用できる。

また、本発明は、液晶表示装置以外の電気光学装置、例えば、有機ＥＬ装置、無機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置（ＰＤＰ：Plasma Display）、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）、フィールドエミッションディスプレイ装置（ＦＥＤ：Field Emission Display：電界放出表示装置）にも適用できる。

（電子機器の実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。

図８は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶表示装置１０１と、これを制御する制御回路１００とを有する。制御回路１００は、表示情報出力源１０４、表示情報処理回路１０５、電源回路１０６及びタイミングジェネレータ１０７によって構成される。そして、液晶表示装置１０１は液晶パネル１０２及び駆動回路１０３を有する。

表示情報出力源１０４は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０７により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０５に供給する。

次に、表示情報処理回路１０５は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０３へ供給する。ここで、駆動回路１０３は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０６は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。

液晶表示装置１０１は、例えば、図２に示した液晶表示装置１を用いて構成できる。図２の液晶表示装置１では、図４において、Ｃｒで形成されたコンタクト部２５ａに、ＡｌＮｉで形成された光反射膜２３を積層しているので、コンタクト部２５ａと画素電極２４との間で良好な電気的コンタクトを得ることができ、安定した表示を行うことができる。従って、本発明に係る液晶表示装置を用いた電子機器においても、安定した表示を行うことができる。

図９は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、これに開閉可能に設けられた表示体部１１２とを有する。液晶表示装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置１１３は、表示体部１１２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１１２において表示画面１１４によって視認できる。本体部１１１には操作ボタン１１５が配列されている。

表示体部１１２の一端部にはアンテナ１１６が伸縮自在に取付けられている。表示体部１１２の上部に設けられた受話部１１７の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部１１１の下端部に設けられた送話部１１８の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部に格納される。

表示装置１１３は、例えば、図２に示した液晶表示装置１を用いて構成できる。図２の液晶表示装置１では、図４において、Ｃｒで形成されたコンタクト部２５ａに、ＡｌＮｉで形成された光反射膜２３を積層しているので、コンタクト部２５ａと画素電極２４との間で良好な電気的コンタクトを得ることができ、安定した表示を行うことができる。従って、本発明に係る液晶表示装置を用いた電子機器においても、安定した表示を行うことができる。

（変形例）
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。

本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置の一例を示す斜視図である。 図１のＺ１−Ｚ１線に従った断面図である。 図１の画素部分を拡大して示す平面図である。 図３のＺ２−Ｚ２線に従った断面、すなわち図２の矢印Ｂで示す部分を拡大して示す断面図である。 本発明に係る電気光学装置の他の実施形態の要部を示す平面図である。 本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態の要部を示す平面図である。 本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態の要部を示す断面図であり、（ａ）は一実施形態を示し、（ｂ）は他の実施形態を示している。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。 本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す斜視図である。

符号の説明

１．液晶表示装置（電気光学装置）、 ２．液晶パネル（電気光学パネル）、
３．照明装置、 ４．ＦＰＣ基板、 ６．シール材、 ６ａ．液晶注入口、
７．素子基板、 ７ａ．第１透光性基板、 ８．カラーフィルタ基板、
８ａ．第２透光性基板、 １２．液晶層、 １３．ＬＥＤ、 １４．導光体、
１６．光反射層、 １７．光拡散層、 １８ａ，１８ｂ．偏光板、
１９．データ線、 ２２．層間絶縁膜（第２絶縁膜）、 ２３．光反射膜、
２４．画素電極、 ２５，５５、６５．導電膜、
２５ａ，５５ａ，６５ａ．コンタクト部、 ２６ａ，２６ｂ．配向膜、
３１．ＴＦＤ素子（スイッチング素子）、 ３１ａ．第１ＴＦＤ要素、
３１ｂ．第２ＴＦＤ要素、 ３２．第１素子電極、 ３３．絶縁膜、
３４ａ，３４ｂ．第２素子電極、 ４１．着色膜、 ４２．遮光膜、
４３．オーバーコート層、 ４４．共通電極、 ４６．張出し部、 ４７．配線、
４７ａ，４８ａ．ランド部（端子）、 ４８．外部接続用端子、 ４９．導通材、
５１．ＡＣＦ、 ５２．駆動用ＩＣ、 ５２ａ．入力用バンプ、
５２ｂ．出力用バンプ、 ６１．第１層、 ６１ａ．第１層の側面、 ６２．第２層、
６２ａ．第２層の側面、 ６３．第３層、 ６６．コンタクトホール、
１００．制御回路、 １０１．液晶表示装置（電気光学装置）、
１０２．液晶パネル（電気光学パネル）、 １０３．駆動回路、
１１０．携帯電話機（電子機器）、 １１１．本体部、 １１２．表示体部、
１１３．表示装置、 Ｇ．セルギャップ、 Ｌ０．外部光、 Ｌ１．透過光、
Ｒ．反射表示領域、 Ｔ．透過表示領域

Claims (7)

1. 基板と、
   該基板上に設けられたスイッチング素子と、
   該スイッチング素子を覆う絶縁膜と、
   前記スイッチング素子に電気的につながると共に前記絶縁膜から露出したコンタクト部を備える導電膜と、
   前記絶縁膜上に設けられると共に、前記コンタクト部において前記導電膜に積層された光反射膜と、
   前記コンタクト部において前記光反射膜に積層された画素電極と、を有し、
   前記コンタクト部はクロム又はクロムを含む合金によって形成され、
   前記画素電極はＩＴＯによって形成され、
   前記光反射膜はアルミニウムとニッケルとを含んで成る合金によって形成される
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１記載の電気光学装置において、個々が表示の最小単位となる複数のサブ画素と、個々の前記サブ画素の領域内に設けられていて前記光反射膜が無い領域を透過した光を用いて表示を行う透過表示領域と、個々の前記サブ画素の領域内に設けられていて前記光反射膜によって反射した反射光を用いて表示を行う反射表示領域とを有し、前記絶縁膜は前記透過表示領域と前記反射表示領域との境界部に端辺を有し、前記コンタクト部は前記絶縁膜の端辺から当該絶縁膜の外部へ張り出して露出することを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１記載の電気光学装置において、前記絶縁膜は平面的に見て互いに交差する２つの端辺を有し、前記コンタクト部は前記絶縁膜の前記２つの端辺から当該絶縁膜の外部へ張出して露出することを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１記載の電気光学装置において、前記絶縁膜は前記コンタクト部に平面的に重なる位置に当該絶縁膜をその厚み方向に貫通するコンタクトホールを有することを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
   前記基板上であって前記画素電極が複数設けられる領域以外の領域に設けられた半導体チップと、
   前記基板上であって前記画素電極が複数設けられる領域以外の領域に設けられていて前記半導体チップと導電接続される端子と、をさらに有し、
   前記端子は、
   クロム又はクロムを含む合金によって形成された第１層と、該第１層の上に設けられアルミニウムとニッケルとを含んで成る合金によって形成された第２層と、該第２層の上に設けられＩＴＯによって形成された第３層とから成る積層構造を有する
   ことを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項５記載の電気光学装置において、前記端子の前記第３層は、前記第１層及び前記第２層の両方の側面を覆うことを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
   
   

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