JP2007248491A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】半透過反射型の電気光学装置において、反射表示領域と透過表示領域との間でセルギャップを異ならせる構造を形成する際の工程を簡単にし、さらにセルギャップを異ならせる構造を形成したときに色づきが発生することを防止する。
【解決手段】一対の基板７ａ，８ａに液晶が挟持されてなり、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒを有するサブ画素Ｄを複数備える液晶表示装置であって、基板７ａのサブ画素Ｄの透過表示領域Ｔ及び反射表示領域Ｒに設けられてなる第１着色膜２２と、第１着色膜２２上の反射表示領域Ｒに設けられてなり、第１着色膜２２の色と異なる色の第２着色膜２３と、第２着色膜２３上に設けられてなる光反射膜２４とを備えた液晶表示装置である。この液晶表示装置において、液晶は、第２着色膜２３を反映して、反射表示領域Ｒにおける厚さｔ０が透過表示領域Ｔにおける厚さｔ１よりも薄くなっている。
【選択図】図２

Description

本発明は、液晶表示装置等といった電気光学装置に関する。また、本発明は、その電気光学装置を用いて構成する電子機器に関する。

現在、携帯電話機、携帯情報端末機といった各種の電子機器では、例えば、当該電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として、液晶表示装置が用いられている。この液晶表示装置として、例えば、透光性のガラス基板上にＴＦＴ（Thin-Film-Transistor）素子等といったスイッチング素子や信号線等といった導電膜を形成し、その上に樹脂膜と光反射膜を形成した構造のものが知られている。この構造の液晶表示装置として、例えば半透過反射型の液晶表示装置がある。半透過反射型液晶表示装置において、表示が行われるときのサブ画素内には、室内光等といった外部光を光反射膜によって反射しその反射光を表示に用いる反射表示領域と、照明装置等から供給される光を透過して表示に用いる透過表示領域とが設けられる。

また、上記の液晶表示装置には、例えば、Ｂ（青色）、Ｇ（緑色）、Ｒ（赤色）の着色膜を個々のサブ画素に対応して設け、Ｂ，Ｇ，Ｒのうちのいずれかの色の光が個々のサブ画素から出射され、これら各色の光を用いてカラー表示が行われるものがある。

上記の半透過反射型の液晶表示装置として、従来、基板上に設けられた樹脂膜の膜厚を調節することにより、反射表示領域における液晶層の層厚（すなわち、セルギャップ）を、透過表示領域における液晶層の層厚に比べて薄くした構造のものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このように反射表示領域と透過表示領域とで液晶層の層厚を変えることにより、液晶表示装置の表示領域の全域において液晶のリタデーションを均一にして、反射型表示と透過型表示との間の表示色の均一性を高めている。

特開２００３−１９５２８７号公報（第５頁、図１）

ところで、特許文献１に開示された液晶表示装置においては、反射表示領域内に樹脂膜を設けることにより、反射表示領域と透過表示領域との間でセルギャップを異ならせている。しかしながら、この液晶表示装置においては、反射表示領域内に樹脂膜を形成する工程が必要であり、その液晶表示装置を製造する際の工程が繁雑であった。また、上記の樹脂膜を透過する光がその樹脂膜に起因して色づくことにより、液晶表示装置の表示に色づきが発生するおそれがあった。

本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、半透過反射型の電気光学装置において、反射表示領域と透過表示領域との間でセルギャップを異ならせる構造を形成する際の工程を簡単にすること、及びセルギャップを異ならせる構造を形成したときに色づきが発生することを防止することを目的とする。

本発明に係る第１の電気光学装置は、一対の基板に電気光学物質が挟持されてなり、透過表示領域と反射表示領域を有するサブ画素を複数備える電気光学装置であって、一方の前記基板の前記サブ画素の前記透過表示領域及び前記反射表示領域に設けられてなる第１着色層と、該第１着色層上の前記反射表示領域に設けられてなり、前記第１着色層の色と異なる色の第２着色層と、該第２着色層上に設けられてなる反射層とを備えた電気光学装置である。この電気光学装置において、前記電気光学物質は、前記第２着色層を反映して、前記反射表示領域における厚さが前記透過表示領域における厚さよりも薄くなっている。

本発明に係る第１の電気光学装置は、透過表示領域と反射表示領域とを備えた、いわゆる半透過反射型の電気光学装置である。また、この電気光学装置は、反射表示領域における電気光学物質層の層厚を透過表示領域における電気光学物質層の層厚に比べて薄くした構造、いわゆるマルチギャップ構造の電気光学装置である。また、本発明の電気光学装置に用いられる着色膜は、電気光学装置においてカラー表示を行うためのカラーフィルタを形成する要素であり、従来からカラー表示が可能な電気光学装置に設けられているものである。この着色膜は、例えば、顔料又は染料を含有させた感光性の樹脂材料を用いて形成されて、絶縁性を有するものである。なお、本発明に係る電気光学装置では、反射表示領域内において反射膜を第２着色膜上に設けているので、反射型表示では視覚的に白色と黒色とを表示する白黒表示を行い、透過型表示ではカラー表示を行うことができる。

本発明に係る第１の電気光学装置では、一対の基板のうちの一方の基板上であって透過表示領域及び反射表示領域にわたって第１着色層を設け、当該第１着色層上の反射表示領域に当該第１着色層の色と異なる色の第２着色層を設けることにした。透過表示領域内に設けられた第１着色層は、カラーフィルタとして機能する。一方、反射表示領域に設けられた第２着色層は、電気光学物質層の層厚を調整する層厚調整膜として機能する。すなわち、本発明に係る電気光学装置では、反射表示領域内において第１着色層上に第２着色層を設けることによって、当該反射表示領域内における電気光学物質層の層厚を透過表示領域内における電気光学物質層の層厚より薄くしている。

既述のように、第１着色層はカラーフィルタを形成する要素であり、第２着色膜はその第１着色膜と同じ材料を用いて形成される。この第２着色層を用いて層厚調整膜を形成することにより、層厚調整膜としての樹脂膜を別途基板上に形成する必要がなくなる。その結果、電気光学装置の製造工程を減らすことができる。

次に、本発明に係る第１の電気光学装置において、前記一方の基板は、前記第１着色層に覆われてなるスイッチング素子と、前記反射層上に設けられ、前記スイッチング素子と電気的に接続されてなる透明導電膜とを備えることができる。この構成の電気光学装置は、いわゆるアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置である。スイッチング素子としては、例えば３端子型の能動素子であるＴＦＴ（Thin-Film Diode）素子や２端子型の能動素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子等がある。また、スイッチング素子に接続される透明導電膜としては、例えばサブ画素を構成する画素電極がある。

本発明態様では、スイッチング素子を第１着色層によって覆う構成としている。この構成において、第１着色層は、カラーフィルタとして機能することに加えて、透明導電膜とスイッチング素子とを電気的に絶縁する層間絶縁膜として機能する。なお、スイッチング素子と透明導電膜とを電気的に接続するのであるが、その接続は、例えば、第１着色層の一部にスイッチング素子と透明導電膜とを接続するためのコンタクトホールを設け、そのコンタクトホールを介して行われることがある。第１着色層は、そのコンタクトホール等といった接続部分以外の部分においてスイッチング素子と透明導電膜とを絶縁する。このように第１着色層を用いて層間絶縁膜を形成することにより、層間絶縁膜としての樹脂膜を別途基板上に形成する必要がなくなるので、電気光学装置の製造工程を減らすことができる。

また、従来は、透過表示領域に設けられる層間絶縁膜として、透光性の樹脂膜を用いることが多かった。この場合、表示に用いられる光が透光性の樹脂膜を透過すると、当該樹脂膜の材料特性によって電気光学装置の表示が色づくこと、例えは表示が黄色に色づくことがある。これに対し本発明の電気光学装置では、層間絶縁膜を第１着色層によって形成するので、色づきの原因となる透光性の樹脂膜の数を減らすことができる。その結果、透過表示領域を透過する光が色づくことを防止できる。

次に、本発明に係る第１の電気光学装置において、前記一方の基板は、複数の色の着色層を有し、複数の前記サブ画素のうちの１つの前記サブ画素は、前記複数の色のうちの１つの色の前記着色層が前記第１着色層として設けられてなるとともに、前記１つの色の前記着色層とは異なる色であり、他のサブ画素に備えられる前記第１着色層と同じ色の前記着色層が前記第２着色層として設けられてなることが望ましい。こうすれば、異なるサブ画素間において、第１着色層と第２着色層とを同時に形成することができるので、電気光学装置の製造工程を減らすことができる。

次に、本発明に係る第１の電気光学装置において、前記反射表示領域内には、（１）緑色の第１着色層と青色の第２着色層とが平面的に重ねられているか、又は（２）赤色の第１着色層と青色の第２着色層とが平面的に重ねられているか、又は（３）青色の第１着色層と赤色の第２着色層とが平面的に重ねられていることが望ましい。また、前記反射表示領域内には、（４）緑色の第１着色層と青色の第２着色層と赤色の第２着色層とが平面的に重ねられているか、又は（５）青色の第１着色層と緑色の第２着色層と赤色の第２着色層とが平面的に重ねられているか、又は（６）赤色の第１着色層と青色の第２着色層と緑色の第２着色層とが平面的に重ねられていることが望ましい。

青色、緑色及び赤色の着色層は、従来からカラーフィルタに用いられている色である。これら青色、緑色、赤色の着色層を第１着色層及び第２着色層に用いれば、マルチギャップ構造を容易に形成できる。また、上記（１）〜（６）のように第１着色層と第２着色層とを平面的に重ねて設ければ、その重なった部分を透過できる光の波長が狭く制限されることになり、そのため、透過光の光量が小さくなるように規制され、色相的には黒色に近い色となるように規制される。これにより、反射表示領域を通過して透過表示領域内へ光が漏れ出ることを防止できるので、電気光学装置の表示のコントラストが低下することを防止できる。

次に、本発明に係る第２の電気光学装置は、一対の基板に電気光学物質が挟持されてなり、透過表示領域と反射表示領域を有するサブ画素を複数備える電気光学装置であって、一方の前記基板の前記サブ画素の前記反射表示領域に設けられてなる第１着色層と、該第１着色層上に設けられてなる反射層と、前記一方の基板の前記サブ画素の前記透過表示領域及び前記反射層上に設けられてなり、前記第１着色層の色と異なる色の第２着色層とを備えた電気光学装置である。この電気光学装置において、前記電気光学物質は、前記第１着色層を反映して、前記反射表示領域における厚さが前記透過表示領域における厚さよりも薄くなっている。

本発明に係る第２の電気光学装置も、半透過反射型の電気光学装置であって、マルチギャップ構造の電気光学装置である。また、本発明の電気光学装置に用いられる着色層も、電気光学装置においてカラー表示を行うためのカラーフィルタを形成する要素であって、絶縁性を有するものである。なお、本発明に係る電気光学装置では、反射表示領域内において第１着色層上に反射膜を設け、当該反射膜上に第２着色層を設けているので、反射型表示と透過型表示の両方でカラー表示を行うことができる。

本発明に係る第２の電気光学装置では、一対の基板のうちの一方の基板上であって反射表示領域内に第１着色層を設け、該第１着色層上に反射膜を設け、さらに透過表示領域及び反射膜上に第２着色層を設けることにした。反射表示領域に設けられた第１着色層は、電気光学物質層の層厚を調整する層厚調整膜として機能する。すなわち、本発明に係る電気光学装置では、反射表示領域内において第２着色層上に第１着色層を設けることによって、当該反射表示領域内における電気光学物質層の層厚を透過表示領域内における電気光学物質層の層厚より薄くしている。

既述のように、第１着色層はカラーフィルタを形成する要素であり、この第１着色層を用いて層厚調整膜を形成することにより、層厚調整膜としての樹脂膜を別途基板上に形成する必要がなくなる。その結果、電気光学装置の製造工程を減らすことができる。

次に、本発明に係る第２の電気光学装置において、前記一方の基板は、前記第１着色層に覆われてなるスイッチング素子と、前記第２着色層上に設けられ、前記スイッチング素子と電気的に接続されてなる透明導電膜とを備えることができる。この構成の電気光学装置は、いわゆるアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置である。スイッチング素子としては、例えば３端子型の能動素子であるＴＦＴ（Thin-Film Diode）素子や２端子型の能動素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子等がある。また、スイッチング素子に接続される透明導電膜としては、例えばサブ画素を構成する画素電極がある。

本発明態様では、スイッチング素子を第１着色層によって覆う構成としている。この構成において、第１着色層は、透明導電膜とスイッチング素子とを、例えばコンタクトホール用といった接続部分以外の部分において、電気的に絶縁する層間絶縁膜として機能する。このように第１着色層を用いて層間絶縁膜を形成することにより、層間絶縁膜としての樹脂膜を別途基板上に形成する必要がなくなるので、電気光学装置の製造工程を減らすことができる。

また、従来は、透過表示領域に設けられる層間絶縁膜として、透光性の樹脂膜を用いることが多かった。この場合、表示に用いられる光が透光性の樹脂膜を透過すると、当該樹脂膜の材料特性によって電気光学装置の表示が色づくこと、例えは表示が黄色に色づくことがある。これに対し本発明の電気光学装置では、層間絶縁膜を第２着色層によって形成するので、色づきの原因となる透光性の樹脂膜の数を減らすことができる。その結果、透過表示領域を透過する光が色づくことを防止できる。

次に、本発明に係る第２の電気光学装置において、前記一方の基板は、複数の色の着色層を有し、複数の前記サブ画素のうちの１つの前記サブ画素は、前記複数の色のうちの１つの色の前記着色層が前記第１着色層として設けられてなるとともに、前記１つの色の前記着色層とは異なる色であり、他のサブ画素に備えられる前記第１着色層と同じ色の前記着色層が前記第２着色層として設けられてなることが望ましい。こうすれば、異なるサブ画素間において、第１着色層と第２着色層とを同時に形成することができるので、電気光学装置の製造工程を減らすことができる。

次に、本発明に係る第２の電気光学装置において、前記反射表示領域内には、（１）緑色の第２着色層と青色の第１着色層とが平面的に重ねられているか、又は（２）赤色の第２着色層と青色の第１着色層とが平面的に重ねられているか、又は（３）青色の第２着色層と赤色の第１着色層とが平面的に重ねられていることが望ましい。また、前記反射表示領域内には、（４）緑色の第２着色層と青色の第１着色層と赤色の第１着色層とが平面的に重ねられているか、又は（５）青色の第２着色層と緑色の第１着色層と赤色の第１着色層とが平面的に重ねられているか、又は（６）赤色の第２着色層と青色の第１着色層と緑色の第１着色層とが平面的に重ねられていることが望ましい。

青色、緑色及び赤色の着色層は、従来からカラーフィルタに用いられている色である。これら青色、緑色、赤色の着色層を第１着色層及び第２着色層に用いれば、マルチギャップ構造を容易に形成できる。また、上記（１）〜（６）のように第１着色層と第２着色層とを平面的に重ねて設ければ、その重なった部分を透過できる光の波長が狭く制限されることになり、そのため、透過光の光量が小さくなるように規制され、色相的には黒色に近い色となるように規制される。これにより、反射表示領域を通過して透過表示領域内へ光が漏れ出ることを防止できるので、電気光学装置の表示のコントラストが低下することを防止できる。

次に、本発明に係る電気光学装置において、互いに隣接するサブ画素同士の間の画素間領域には、前記第１着色層と前記第２着色層とが平面的に重ねて設けられることが望ましい。こうすれば、平面的に重ねて設けられた第１着色層と第２着色層とによって、画素間領域を透過できる光の波長が狭く制限されることになり、そのため、透過光の光量が小さくなるように規制され、色相的には黒色に近い色となるように規制される。従って、このように着色層が重なった部分では、例えば反射率が低い金属等を用いて遮光部材を設ける場合と同様の遮光効果を得ることができる。この画素間領域内に重ねて設けられた第１着色層と第２着色層は、当該画素間領域に隣接する反射表示領域内に設けられる第１着色層と第２着色層の構成と同じとすることができる。従って、画素間領域と当該画素間領域に隣接する反射表示領域とにおいて第１着色層と第２着色層とを同時に形成できる。

次に、本発明に係る第２の電気光学装置において、前記第１着色層は黒色着色層であることが望ましい。ここで、黒色着色層は、黒色の顔料、黒色の染料、又はカーボン等を感光性の樹脂材料に含有させたものを用いることができる。この黒色着色層としては、従来、互いに隣接するするサブ画素同士の間に設けられて遮光部材、例えばブラックマスクとして用いられているものを用いることができる。

本発明態様においては、一対の基板のうちの一方の基板上であって反射表示領域内に設けられる第１着色層として黒色着色層を用いることができる。こうすれば、反射型表示と透過型表示の両方でカラー表示を行う電気光学装置において、特に透過型表示を行う際に反射表示領域から透過表示領域内に不要な光が漏れ出すことを防止できる。また、黒色着色層を反射表示領域と当該反射表示領域に隣接するサブ画素間の領域にわたって設ければ、互いに隣接するサブ画素同士の間を確実に遮光できる。

次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置を有することを特徴とする。本発明に係る電気光学装置は、透過表示領域と反射表示領域とに第１着色層を設け、反射表示領域内の第１着色層には当該第１着色層の色と異なる色の第２着色層を平面的に重ねて設けることにより反射表示領域内における電気光学物質層の層厚を透過表示領域内における電気光学物質層の層厚より薄くしている。こうすることにより、基板上に別途樹脂膜を形成する必要がなくなるので、電気光学装置の製造工程を減らすことができる。従って、本発明に係る電子機器においても、その電子機器の製造工程を減らすことができる。

また、本発明に係る電気光学装置は、反射表示領域内及び透過表示領域内の樹脂膜に代えて着色層を用いるので、色づきの原因となる透光性の樹脂膜の数を減らすことができる。その結果、反射表示領域で反射する光又は透過表示領域を透過する光が色づくことを防止できる。従って、本発明に係る電子機器においても、その電子機器の表示が色づくことを防止できる。

（電気光学装置の第１実施形態）
本発明に係る第１の電気光学装置は、一対の基板に電気光学物質が挟持されてなり、透過表示領域と反射表示領域とを有するサブ画素を複数備える電気光学装置であって、一方の前記基板の前記サブ画素の前記透過表示領域及び前記反射表示領域に設けられてなる第１着色層と、該第１着色層上の前記反射表示領域に設けられてなり、前記第１着色層の色と異なる色の第２着色層と、該第２着色層上に設けられてなる反射層とを備え、前記電気光学物質は前記第２着色層を反映して前記反射表示領域における厚さが前記透過表示領域における厚さよりも薄くなっている構成の電気光学装置である。以下、この発明の一実施形態を説明する。

なお、本実施形態では、電気光学装置の一例として、半透過反射型でＴＦＴ（Thin Film Transistor）駆動方式の液晶表示装置に本発明を適用する。また、本実施形態では、反射型表示において白黒表示が可能で透過型表示においてカラー表示が可能な液晶表示装置に本発明を適用する。また、本実施形態では、スイッチング素子であるＴＦＴ素子として、チャネルエッチ型でシングルゲート構造のアモルファスシリコンＴＦＴ素子を採用した液晶表示装置に本発明を適用する。また、本実施形態では、液晶モードとしてＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence：電界制御複屈折モード）を採用した液晶表示装置に本発明を適用する。

なお、本発明がこの実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。また、これからの説明では必要に応じて図面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素をわかり易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示す場合がある。

図１は、本発明に係る液晶表示装置の全体の側面断面構造を示している。また、図２は、図１において矢印Ｚ１で示す部分を拡大して示している。また、図３は、図２の矢印Ａに従った平面構造を示している。また、図４は、図３のＺ２−Ｚ２線に従った断面図であり、主にＴＦＴ素子を示している。また、図５は、図３の平面構造が完成する前の途中の段階であって基板上に着色膜を形成した段階の状態を示している。なお、図１は図３のＺ３−Ｚ３線に従った断面図である。

図１において、液晶表示装置１は、電気光学パネルである液晶パネル２と、この液晶パネル２に付設された照明手段である照明装置３とを有する。この液晶表示装置１に関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。

液晶パネル２は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形で環状のシール材６によって互いに貼り合わされた一対の基板７及び８を有する。基板７はスイッチング素子やカラーフィルタが形成される素子基板である。また、基板８は素子側の電極に対向する電極が形成される対向基板である。本実施形態では、観察側から見て背面に素子基板７が配置される。

シール材６は素子基板７と対向基板８との間に間隙、いわゆるセルギャップＧを形成する。シール材６はその一部に液晶注入口（図示せず）を有し、この液晶注入口を介して素子基板７と対向基板８との間に電気光学物質である液晶が注入される。注入された液晶はセルギャップＧ内で電気光学物質層としての液晶層１２を形成する。液晶注入口は液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。液晶の注入方法としては、上記のような液晶注入口を通して行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続する環状のシール材６によって囲まれる領域内に液晶滴を滴下によって供給する方法も採用できる。なお、本実施形態では、ＥＣＢ駆動を念頭において、液晶として、正の誘電異方性を有するネマティック液晶を用いることにする。

セルギャップＧの間隔、従って液晶層１２の層厚は、セルギャップＧ内に設けられる複数のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹脂部材を素子基板７又は対向基板８の表面上にランダム（すなわち、無秩序）に置くことによって形成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ処理によって所定の位置に柱状に形成することもできる。

照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１３と、導光体１４とを有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用いることもできる。導光体１４は、例えば、透光性を有する樹脂を材料とする成形加工によって形成され、ＬＥＤ１３に対向する側面が光入射面１４ａであり、液晶パネル２に対向する面が光出射面１４ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１４の背面には、必要に応じて、光反射層１６が設けられる。また、導光体１４の光出射面１４ｂには、必要に応じて、光拡散層１７が設けられる。

素子基板７は、第１の透光性の基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、矢印Ｚ１で示す部分の拡大図である図２にも示すように、導電膜としてのソース線１９が列方向Ｙ（すなわち、図２の左右方向）に延びている。また、ゲート線２０が行方向Ｘ（すなわち、図２の紙面垂直方向）に延びている。そして、スイッチング素子として機能するアクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子２１がソース線１９及びゲート線２０に接続して形成されている。

それらのＴＦＴ素子２１、ソース線１９及びゲート線２０の上に、それらを覆う第１着色層としての第１着色膜２２が形成され、その上に第２着色層としての第２着色膜２３が形成され、その上に反射層としての光反射膜２４が形成され、その上に透明導電膜としての画素電極２５が形成され、その上に配向膜２６ａが形成されている。この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の配向が決められる。なお、本実施形態において液晶分子の配向は、ＥＣＢ駆動を念頭において、液晶に電界を印加しない状態で水平配向になるように設定されている。

第１着色膜２２及び第２着色膜２３は絶縁性の材料、例えば、顔料又は染料を含有させた感光性樹脂を用いて形成されている。第１着色膜２２は、ソース線１９及びＴＦＴ素子２１を覆う形状に形成され、これらのソース線１９及びＴＦＴ素子２１と画素電極２５とを電気的に絶縁する層間絶縁膜として機能する。また、第２着色膜２３は、第１着色膜２２上の光反射膜２４に対応した位置に設けられ、液晶層１２の層厚を調整する層厚調整膜として機能する。

第１着色膜２２及び第２着色膜２３の個々はＢ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の１つの光を通過させる光学的特性に設定され、それらＢ，Ｇ，Ｒの第１着色膜２２及び第２着色膜２３が矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばストライプ配列、モザイク配列、デルタ配列で並べられている。第１着色膜２２及び第２着色膜２３の光学的特性はＢ，Ｇ，Ｒの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色を通過させる特性とすることもできる。これらの第１着色膜２２及び第２着色膜２３については後に詳しく説明する。

光反射膜２４は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。画素電極２５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。また、配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成されている。

光反射膜２４及び画素電極２５は、矢印Ａ方向から平面的に見て素子基板７上に行方向Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜２４及び画素電極２５は、図３に示すように、各ソース線１９と各ゲート線２０とが交差する位置の近傍に設けられている。そして画素電極２５は、個々のＴＦＴ素子２１に電気的に接続されている。

図２において、第１着色膜２２及び第２着色膜２３には、画素電極２５とＴＦＴ素子２１とを電気的に接続するための開口部としての貫通穴であるコンタクトホール２７が形成されている。このコンタクトホール２７は、矢印Ａ方向から平面的に見てＴＦＴ素子２１の素子本体部分に重ならない位置であって、画素電極２５と重なる位置に形成される。

本実施形態で用いるＴＦＴ素子２１はアモルファスシリコンＴＦＴであり、このＴＦＴ素子２１は、図４に示すように、ゲート電極３１、ゲート絶縁膜３２、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）によって形成された半導体膜３３、Ｎ^＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂ、ソース電極３５、そしてドレイン電極３６を有する。本実施形態のＴＦＴ素子２１は、ボトムゲート構造及びシングルゲート構造のチャネルエッチ型のＴＦＴ素子として構成されている。

ＴＦＴ素子２１から少し離れて補助容量３７が設けられている。この補助容量３７は画素電極２５に付随する容量が小さくなり過ぎることを防止するために設けられるものである。この補助容量３７は、ゲート電極３１と同じ層内に同じ材料によって形成された第１電極３１ａと、ゲート絶縁膜３２と同じ層内に同じ材料によって形成されていて第１電極３１ａを覆う絶縁膜３２ａと、ドレイン電極３６と同じ層内に形成されていて絶縁膜３２ａを覆う導電膜としての第２電極３６ａとによって構成されている。図３に示すように、補助容量３７の第１電極３１ａは、ゲート線２０に平行で、ソース線１９に交差して延びている。また、第２電極３６ａは面積の広い長方形状に形成されている。

図４において、ドレイン電極３６は、その一端がＮ^＋−Ｓｉ膜３４ｂを介して半導体膜３３に接続し、その他端が補助容量３７の第２電極３６ａとなる所まで延びている。また、ドレイン電極３６はコンタクトホール２７を介して画素電極２５に電気的に接続している。ソース電極３５は、図３に示すように、ソース線１９から分岐して形成されている。また、ゲート電極３１は、ソース線１９と直角の方向に延びるゲート線２０から分岐して延びている。

本実施形態では、図４に示すように、画素電極２５の下に層間絶縁膜としての第１着色膜２２を設けることにより、画素電極２５の層とＴＦＴ素子２１の層とを別の層に分けている。この構造は、画素電極２５とＴＦＴ素子２１とを同じ層に形成する構造に比べて、以下のような利点を有する。

まず、ＴＦＴ素子２１とソース線１９とを覆う第１着色膜２２を形成し、その第１着色膜２２上に画素電極２５を形成するものとしているため、画素電極２５とＴＦＴ素子２１、及び画素電極２５とソース線１９の間の寄生容量を低減することができる。また、第１着色膜２２を介して画素電極２５とＴＦＴ素子２１、及び画素電極２５とソース線１９とを積層構造にて形成しているため、ＴＦＴ素子２１及びソース線１９を覆う形にて画素電極２５を構成することができ、画素電極２５をＴＦＴ素子２１及びソース線１９と同一平面上に形成する場合に比して、画素電極２５を大きく構成することができ、ひいては有効画素領域を大きくとることができるようになる。

以上のような効果を齎す結果、非常に信頼性の高い電気光学装置を提供することが可能となり、特にこれを表示装置として用いた場合には、開口率の大きい視認性に優れた表示を実現することが可能となる。

次に、図１において、素子基板７に対向する対向基板８は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板８ａを有する。この第２透光性基板８ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが貼着されている。必要に応じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。なお、本実施形態においては、偏光板１８ａと１８ｂとをクロスニコル配置としている。そして、液晶表示装置の表示モードは、ノーマリホワイトモード、すなわち液晶に電界を印加していない時に白表示になり、電界を印加している時に黒表示になる表示モードに設定されている。

第２透光性基板８ａの内側表面には、図２にも示すように、共通電極４１が形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている。配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成される。

図１において、共通電極４１は、対向基板８の表面の全面に設けられている。一方、素子基板７上に設けられた複数の画素電極２５は矢印Ａ方向から平面的に見て行方向Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に並んでいる。これらの画素電極２５と対向基板８上に設けられた共通電極４１とは、矢印Ａ方向から平面的に見て複数のドット状の領域で重なっている。このように重なり合った領域が表示のための最小単位であるサブ画素Ｄを形成している。そして、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、矢印Ａ方向から見て長方形状又は正方形状の表示領域Ｖが形成され、この表示領域Ｖ内に文字、数字、図形等といった像が表示される。

本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る第１着色膜２２を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの第１着色膜２２に対応する３つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。

図２において、光反射膜２４は、例えばフォトエッチング処理によって形成される。この光反射膜２４はサブ画素Ｄのうちの一部の領域Ｒに設けられており、残りの領域Ｔには設けられていない。領域Ｔは、図３に示すように、サブ画素Ｄ内の一部の長方形状の領域であり、領域Ｒはサブ画素Ｄ内の領域Ｔ以外の領域である。

個々のサブ画素Ｄの中で光反射膜２４が存在する領域が反射表示領域Ｒであり、光反射膜２４が存在しない領域が透過表示領域Ｔである。図２において矢印Ａで示す観察側から入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２４で反射する。一方、図１の照明装置３の導光体１４から出射した図２の光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを透過する。

第１着色膜２２の表面であって個々のサブ画素Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する部分には、複数の凹部及び複数の凸部が矢印Ａ方向から見て平面的にランダムに形成されることにより凹凸パターンが形成されている。そして、この凹凸パターン上に一定膜厚の第２着色膜２３が形成されることにより、第１着色膜２２上の凹凸パターンが第２着色膜２３の表面に反映されている。光反射膜２４は、そのような凹凸パターンが形成されている第２着色膜２３の上に一定の膜厚で形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンの形状を有している。このように光反射膜２４に凹凸パターンを形成することにより、光反射膜２４で反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、適度の散乱光や適切な指向性を持った光とすることができる。

本実施形態の第２着色膜２３は、反射表示領域Ｒに設けられており、透過表示領域Ｔには設けられていない。このため、反射表示領域Ｒ内の液晶層１２の層厚ｔ０は、第２着色膜２３の膜厚を反映して、透過表示領域Ｔ内の液晶層１２の層厚ｔ１よりも薄くなっている。望ましくはｔ０＝（ｔ１）／２になっている。このような液晶層１２の層厚の調整は、反射表示領域Ｒ内で光Ｌ０が液晶層１２を２回通過する反射型表示の場合と、透過表示領域Ｔ内で光Ｌ１が液晶層１２を１回しか通過しない透過型表示の場合とで、光の光路長が不均一になることを補償するための措置である。この層厚の調整により、反射型表示と透過型表示との間で均一な色表示を行うことが可能となる。

次に、図１において、素子基板７を構成する第１透光性基板７ａは対向基板８の外側へ張り出す張出し部４２を有している。この張出し部４２の表面には、配線４３がフォトエッチング処理等によって形成されている。配線４３は矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向に沿って互いに間隔を空けて並べられている。また、張出し部４２の辺端には複数の外部接続用端子４４が紙面垂直方向に沿って互いに間隔を空けて並ぶように形成されている。これらの外部接続用端子４４が設けられた張出し部４２の辺端に、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性プリント回路）基板（図示せず）が接続される。

複数の配線４３は、シール材６に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びるように形成されている。これらの配線４３の一部は、素子基板７上のソース線１９（図２参照）に直接に繋がってデータ線として機能する。また、複数の配線４３の他の一部は、シール材６によって囲まれた領域内において素子基板７の側辺に沿ってＹ方向に延びるように形成され、さらに折れ曲って行方向Ｘに延びるように形成されている。これらの曲がった状態の配線４３は、素子基板７上のゲート線２０（図２参照）に直接に繋がって走査線として機能する。

図１の張出し部４２の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）４５を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ４６が実装されている。駆動用ＩＣ４６は、ソース線１９へデータ信号を伝送し、ゲート線２０へ走査信号を伝送する。駆動用ＩＣ４６は１つのＩＣチップで形成しても良いし、必要に応じて複数のＩＣチップで形成しても良い。駆動用ＩＣ４６を複数のＩＣチップによって構成する場合には、それらのＩＣチップは張出し部４２上で図１の紙面垂直方向に並べて実装される。

以上のように構成された液晶表示装置１によれば、液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。なお、本実施形態において、反射型の表示が行われる場合には、図２の光反射膜２４で反射する光Ｌ０は第１着色膜２２を通過しないので、カラー表示は行われず、視覚的に白色及び黒色を用いた表示（以下、白黒表示という）が行われることになる。一方、透過型の表示が行われる場合には、透過表示領域Ｔを透過する光Ｌ１は第１着色膜２２を通過するのでカラー表示が行われることになる。

上記の反射型表示を行う場合、観察側である矢印Ａの方向から対向基板８を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過して素子基板７内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２４で反射して再び液晶層１２へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図１の照明装置３の光源１３が点灯し、それからの光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光出射面１４ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図２の符号Ｌ１で示すように透過表示領域Ｔ、すなわち光反射膜２４が存在しない領域を通って液晶層１２へ供給される。

以上のようにして液晶層１２へ光が供給される間、素子基板７側の画素電極２２と対向基板８側の共通電極４１との間には、走査信号およびデータ信号によって規定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。この変調された光が、対向基板８側の偏光板１８ｂ（図１参照）を通過するとき、その偏光板１８ｂの偏光特性に従ってサブ画素Ｄごとに通過を規制され、これにより、対向基板８の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。

以下、図２に示す第１着色膜２２及び第２着色膜２３について詳しく説明する。図６は、図３のＺ４−Ｚ４線に従った断面図である。まず、図２において、第１着色膜２２は、第１透光性基板７ａ上のＴＦＴ素子２１及びソース線１９を覆う形状に形成されている。この第１着色膜２２は、カラーフィルタを構成する要素である。個々の第１着色膜２２は１つのサブ画素Ｄに対応して配置され、さらにＢ、Ｇ、Ｒの１つを通過させる光学的特性に設定されている。図では青色の第１着色膜を２２Ｂ、緑色の第１着色膜を２２Ｇ、赤色の第１着色膜を２２Ｒで示している。

本実施形態において第１着色膜２２は、図５において平面的に示すように、青色第１着色膜２２Ｂ、緑色第１着色膜２２Ｇ、赤色第１着色膜２２Ｒのうちの同色が、複数のサブ画素Ｄにわたって列方向Ｙに連続して設けられている。そして、列方向Ｙと直交する行方向Ｘに青色第１着色膜２２Ｂ、緑色第１着色膜２２Ｇ、赤色第１着色膜２２Ｒが交互に順番に並ぶ配列、すなわち、ストライプ配列になっている。また、行方向Ｘに互いに隣接する第１着色膜２２同士は、それらの境界において隙間を空けずに接触している。従って、第１着色膜２２は、１つのサブ画素Ｄと、Ｘ，Ｙの両方向でそのサブ画素Ｄに隣接する領域Ｓとにわたって設けられている。この領域Ｓは、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の画素間領域である。

図６において、この画素間領域Ｓにはソース線１９が列方向Ｙに延在している。また、図４に示すように、サブ画素Ｄ内にはＴＦＴ素子２１と、ＴＦＴ素子２１に接続された導電膜である第２電極３６ａが設けられている。第１着色膜２２は、それらのソース線１９、ＴＦＴ素子２１及び第２電極３６ａ上にそれらを覆う形状に設けられている。

次に、図２において、第２着色膜２３は、個々の反射表示領域Ｒ内において第１着色膜２２上に積層して設けられている。すなわち、第１着色膜２２と第２着色膜２３とは平面的に重ねて設けられている。本実施形態において、第２着色膜２３は青色又は赤色の１つを通過させる光学的特性に設定されている。図では青色の第２着色膜を２３Ｂ、赤色の第２着色膜を２３Ｒで示している。

第１着色膜２２とそれに積層された第２着色膜２３は互いに異なる色の着色膜である。具体的には、図６に示すように、青色の第１着色膜２２Ｂの上には赤色の第２着色膜２３Ｒが積層されている。また、緑色の第１着色膜２２Ｇの上には青色の第２着色膜２３Ｂが設けられている。また、赤色の第１着色膜２２Ｒの上には青色の第２着色膜２３Ｂが設けられている。

図５において、右端に示す位置で列方向Ｙに延びるサブ画素Ｄの列及びそのサブ画素Ｄの列の左側に隣接する画素間領域Ｓに対応して、赤色第１着色膜２２Ｒが設けられている。また、中央に示す位置で列方向Ｙに延びるサブ画素Ｄの列及びそのサブ画素Ｄの列の左側に隣接する画素間領域Ｓに対応して、緑色第１着色膜２２Ｇが設けられている。また、左端に示す位置で列方向Ｙに延びるサブ画素Ｄの列に対応して、青色第１着色膜２２Ｂが設けられている。図示はしていないが、この青色第１着色膜２２Ｂが設けられたサブ画素Ｄの列の左側に隣接する画素間領域Ｓに対応する位置にも青色第１着色膜２２Ｂが設けられている。これらの赤色第１着色膜２２Ｒ、緑色第１着色膜２２Ｇ、及び青色第１着色膜２２Ｂはそれらの境界において隙間を空けずに互いに接触している。

また、右端の赤色第１着色膜２２Ｒ及び中央の緑色第１着色膜２２Ｇの両方の上に青色第２着色膜２３Ｂが共通に設けられている。また、左端の青色第１着色膜２２Ｂの上には赤色第２着色膜２３Ｒが設けられている。これらの第２着色膜２３Ｂ及び２３Ｒもそれらの境界において隙間を空けずに互いに接触している。以上の説明から理解できるように、ここの画素間領域Ｓ内には、互いに色の異なる第１着色膜２２と第２着色膜２３とが積層状態で平面的に重なって設けられている。なお、図５では３つのサブ画素Ｄの間、すなわち１つの画素内における第１着色膜２２と第２着色膜２３との積層状態関係を示したが、この積層状態関係は表示領域内の全ての画素に関して同じである。

第１着色膜２２と第２着色膜２３とが積層された部分は、透過できる光の波長が狭く制限されることになり、そのため、透過光の光量が小さくなるように規制され、色相的には黒色に近い色となるように規制される。従って、このように着色膜を積層した部分では、例えば反射率が低い金属等を用いて遮光部材を設ける場合と同様の遮光効果を得ることができる。本実施形態では、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の画素間領域Ｓにおいて、第１着色膜２２と第２着色膜２３とを積層しているので、画素間領域Ｓを抜けようとする光を遮光できる。それ故、互いに隣接するサブ画素Ｄ間に金属等から成るブラックマスク等といった遮光部材を別途設ける必要がなくなる。

ところで、従来の液晶表示装置では、樹脂膜によって反射表示領域内に層厚調整膜を設けることにより、反射表示領域と透過表示領域との間で液晶層の層厚、すなわちセルギャップを異ならせていた。また、透過表示領域には、透光性の樹脂膜によって層間絶縁膜が形成されていた。しかしながら、このような従来の液晶表示装置においては、反射表示領域内に樹脂膜を形成する工程が必要であり、その液晶表示装置を製造する際の工程が繁雑であった。また、透過表示領域においては、層間絶縁膜を透過する光がその樹脂膜の材料特性によって色づくこと、例えば黄色に色づくことがあった。この場合には、透過型の表示において色づきが発生するおそれがあった。

これらの問題に対し、本実施形態の液晶表示装置では、図２に示すように、個々のサブ画素Ｄにおいて、透過表示領域Ｔ内に第１着色膜２２を１層設け、反射表示領域Ｒ内に第１着色膜２２と異なる色の第２着色膜２３を積層して設けた。透過表示領域Ｔ内に設けられた第１着色膜２２は、光反射膜２４や画素電極２５等とＴＦＴ素子２１とを電気的に絶縁する層間絶縁膜として機能する。一方、反射表示領域Ｒに積層された第２着色膜２３は、液晶層１２の層厚を調整する層厚調整膜として機能する。

反射表示領域Ｒ内において第１着色膜２２に第２着色膜２３を積層することによって、当該反射表示領域Ｒ内における液晶層１２の層厚、すなわちセルギャップＧを透過表示領域Ｔ内における液晶層１２の層厚より薄くしている。第１着色膜２２と第２着色膜２３はカラーフィルタを形成する要素であり、第１着色膜２２を用いて層間絶縁膜を形成し、且つ第２着色膜２３を用いて層厚調整膜を形成することにより、液晶層１２の層厚を調整するために、別途、基板７ａ上に樹脂膜を形成する必要がなくなる。その結果、液晶表示装置の製造工程を減らすことができる。

また、本実施形態の液晶表示装置では、層間絶縁膜を第１着色膜２２によって形成することにより、基板７ａ上に形成される透光性の樹脂膜を減らすことができる。すなわち、透過表示領域Ｔを透過する光が透過する透光性樹脂膜の数を１つ減らすことができるので、その光が色づくことを防止できる。また、仮に透過表示領域Ｔを透過する光が色づいたとしても、その光が第１着色膜２２を通過することによって当該光の波長が所定の波長に選択されるので、液晶表示装置の表示が色づくことを補正できる。

（電気光学装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る第１の電気光学装置の他の実施形態を説明する。本実施形態も先の第１実施形態と同じ構成の電気光学装置に関する。本実施形態においても、電気光学装置の実施形態として液晶表示装置を例示して説明する。本実施形態に係る液晶表示装置の外観形状は、概ね、図１と同じである。図７は、本発明に係る液晶表示装置の主要部を示しており、図１において矢印Ｚ１で示す部分、すなわちサブ画素部分を拡大して示している。また、図８は、図７の矢印Ａに従った平面構造を示している。なお、図７は図８のＺ５−Ｚ５線に従った断面図である。

既述の第１実施形態では、図２に示したように、スイッチング素子として３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ素子２１を用いた液晶表示装置に本発明を適用した場合を例示した。これに対し本実施形態では、図７に示すように、スイッチング素子として２端子型のＴＦＤ（Thin Film Diode）素子６１を用いた液晶表示装置５１に本発明を適用した場合について説明する。なお、本実施形態において、液晶パネル５２の内部構造以外の液晶表示装置５１の構成要素は、図２で示した第１実施形態の場合と同じものを用いることにして、それらの説明は省略する。

図７において、液晶パネル５２を構成する素子基板７に関しては、第１透光性基板７ａの内側表面に、データ線６０が列方向Ｙ（すなわち、図７の左右方向）に延びて形成されている。そして、スイッチング素子としてのＴＦＤ（Thin Film Diode）素子６１がデータ線６０に接続して形成されている。データ線６０は複数本が行方向Ｘ（すなわち、図７の紙面垂直方向）に沿って互いに等間隔で平行に並べられている。これらのデータ線６０は、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）等といった金属によって形成されている。また、ＴＦＤ素子６１は複数個が各データ線６０に沿って等間隔に設けられている。

それらのＴＦＤ素子６１及びデータ線６０の上に、それらを覆う第１着色層としての第１着色膜７２が形成され、その上に第２着色層としての第２着色膜７３が形成され、その上に反射層としての光反射膜２４が形成され、その上に透明導電膜としての画素電極２５が形成され、その上に配向膜２６ａが形成されている。そして、この配向膜２６ａにラビング処理が施されて、素子基板７の近傍の液晶層１２の配向が決められる。なお、本実施形態において、液晶分子の配向は、液晶に電界を印加していない状態で水平配向になるように設定されている。

光反射膜２４及び画素電極２５は、矢印Ａ方向から平面的に見て素子基板７上に行方向Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜２４及び画素電極２５は、各データ線６０に沿って設けられている。そして個々の画素電極２５は個々のＴＦＤ素子６１にコンタクトホール２７を介して電気的に接続されている。

ＴＦＤ素子６１は、互いに電気的に直列につながれた一対のＴＦＤ要素６１ａ及び６１ｂによって形成されている。第１のＴＦＤ要素６１ａは、第１素子電極６２、絶縁膜６３、そして第２素子電極６４ａをその順で重ねることによって形成されている。また、第２のＴＦＤ要素６１ｂは、第１素子電極６２、絶縁膜６３、そして第２素子電極６４ｂをその順で重ねることによって形成されている。第１素子電極６２は、例えば、Ｔａ（タンタル）又はＴａ合金によって形成される。Ｔａ合金としては、例えば、ＴａＷ（タンタル・タングステン）を用いることができる。絶縁膜６３は、例えば、陽極酸化処理によって形成される。第２素子電極６４ａ，６４ｂは、例えばＣｒによって形成される。

図８において、第１ＴＦＤ要素６１ａ内の第２素子電極６４ａはデータ線６０から延びている。また、第２ＴＦＤ要素６１ｂ内の第２素子電極６４ｂはコンタクトホール２７を介して画素電極２５に接続されている。データ線６０から画素電極２５へ信号が伝送されることを考えたとき、第１ＴＦＤ要素６１ａと第２ＴＦＤ要素６１ｂは電気的に逆極性である２つのＴＦＤ要素が直列に接続されることになる。この構造はバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造と呼ばれることがある。本実施形態では、このようにバック・ツー・バック構造のＴＦＤ素子を用いたが、単一のＴＦＤ要素によってＴＦＤ素子を形成しても良い。

図７において、素子基板７に対向する対向基板８に関しては、第２透光性基板８ａの内側表面に帯状電極７１が形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている。帯状電極７１は、図７の行方向Ｘ（すなわち、紙面垂直方向）に延びている。配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。

帯状電極７１は、例えば、ＩＴＯをフォトエッチング処理によって所定の帯形状にパターニングすることによって形成されている。１本の帯状電極７１は行方向Ｘ（すなわち、図７の紙面垂直方向）に延びている。そして、複数の帯状電極７１が列方向Ｙ（すなわち、図７の左右方向）に所定間隔をおいて互いに平行に並べられている。

液晶パネル５２を矢印Ａ方向から見た場合、素子基板７上において行方向Ｘに並ぶ複数のドット状の画素電極２５と、対向基板８上において行方向Ｘへ延びる帯状電極７１とは、平面的に重なっている。両電極がこうして重なる領域は表示のための最小単位であるサブ画素Ｄを構成する。図１において行った説明と同様にして、複数のサブ画素Ｄが平面内で行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、表示領域Ｖが形成される。この表示領域Ｖ内に文字、数字、図形等といった像が表示され、矢印Ａ方向から観察者によって視認される。

本実施形態における第１着色膜７２及びその上に積層されて平面的に重なる第２着色膜７３の構成は、図５に示した第１実施形態における第１着色膜２２及び第２着色膜２３の構成と同じである。すなわち、図７の第１着色膜７２は、第１透光性基板７ａ上のＴＦＤ素子６１及びデータ線６０を覆う形状に形成されている。この第１着色膜７２は、カラーフィルタを構成する要素である。個々の第１着色膜７２は１つのサブ画素Ｄに対応して配置され、さらにＢ、Ｇ、Ｒの１つを通過させる光学的特性に設定されている。図では青色の第１着色膜７２Ｂ、緑色の第１着色膜を７２Ｇ、赤色の第１着色膜を７２Ｒで示している。

本実施形態において第１着色膜７２は、図５において平面的に示すように、青色第１着色膜７２Ｂ、緑色第１着色膜７２Ｇ、赤色第１着色膜７２Ｒのうちの同色が、複数のサブ画素Ｄにわたって列方向Ｙに連続して設けられている。そして、列方向Ｙと直交する行方向Ｘに青色第１着色膜７２Ｂ、緑色第１着色膜７２Ｇ、赤色第１着色膜７２Ｒが交互に順番に並ぶ配列になっている。また、行方向Ｘに互いに隣接する第１着色膜７２同士は、それらの境界において隙間を空けずに接触している。従って、第１着色膜７２は、１つのサブ画素Ｄとそのサブ画素Ｄに隣接する画素間領域Ｓとにわたって設けられている。画素間領域Ｓは、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の領域である。

図７に示すように、サブ画素Ｄ内にはＴＦＤ素子６１とデータ線６０が設けられている。第１着色膜７２は、それらのデータ線６０及びＴＦＤ素子６１上にそれらを覆う形状に設けられている。

次に、第２着色膜７３は、個々の反射表示領域Ｒ内において第１着色膜７２上に積層して設けられている。本実施形態において、第２着色膜７３は青色又は赤色の１つを通過させる光学的特性に設定されている。図では青色の第２着色膜を７３Ｂ、赤色の第２着色膜を７３Ｒで示している。

第１着色膜７２とそれに積層された第２着色膜７３は互いに異なる色の着色膜である。具体的には、図６に示すように、青色の第１着色膜７２Ｂの上には赤色の第２着色膜７３Ｒが積層されている。また、緑色の第１着色膜７２Ｇの上には青色の第２着色膜７３Ｂが設けられている。また、赤色の第１着色膜７２Ｒの上には青色の第２着色膜７３Ｂが設けられている。

図５において、右端に示す位置で列方向Ｙに延びるサブ画素Ｄの列及びそのサブ画素Ｄの列の左側に隣接する画素間領域Ｓに対応して、赤色第１着色膜７２Ｒが設けられている。また、中央に示す位置で列方向Ｙに延びるサブ画素Ｄの列及びそのサブ画素Ｄの列の左側に隣接する画素間領域Ｓに対応して、緑色第１着色膜７２Ｇが設けられている。また、左端に示す位置で列方向Ｙに延びるサブ画素Ｄの列に対応して、青色第１着色膜７２Ｂが設けられている。図示はしていないが、この青色第１着色膜７２Ｂが設けられたサブ画素Ｄの列の左側に隣接する画素間領域Ｓに対応する位置にも青色第１着色膜７２Ｂが設けられている。これらの赤色第１着色膜７２Ｒ、緑色第１着色膜７２Ｇ、及び青色第１着色膜７２Ｂはそれらの境界において隙間を空けずに互いに接触している。

また、右端の赤色第１着色膜７２Ｒ及び中央の緑色第１着色膜７２Ｇの両方の上に青色第２着色膜７３Ｂが共通に設けられている。また、左端の青色第１着色膜７２Ｂの上には赤色第２着色膜７３Ｒが設けられている。これらの第２着色膜７３Ｂ及び７３Ｒもそれらの境界において隙間を空けずに互いに接触している。以上の説明から理解できるように、ここの画素間領域Ｓ内には、互いに色の異なる第１着色膜７２と第２着色膜７３とが積層状態で平面的に重なって設けられている。なお、図５では３つのサブ画素Ｄの間、すなわち１つの画素内における第１着色膜７２と第２着色膜７３との積層状態関係を示したが、この積層状態関係は表示領域内の全ての画素に関して同じである。

第１着色膜７２と第２着色膜７３とが積層された部分は、透過できる光の波長が狭く制限されることになり、そのため、透過光の光量が小さくなるように規制され、色相的には黒色に近い色となるように規制される。従って、このように着色膜を積層した部分では、例えば反射率が低い金属等を用いて遮光部材を設ける場合と同様の遮光効果を得ることができる。本実施形態では、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の画素間領域Ｓにおいて、第１着色膜７２と第２着色膜７３とを積層しているので、画素間領域Ｓを抜けようとする光を遮光できる。それ故、互いに隣接するサブ画素Ｄ間に金属等から成るブラックマスク等といった遮光部材を別途設ける必要がなくなる。

本実施形態においても、図７に示すように、個々のサブ画素Ｄにおいて、透過表示領域Ｔ内に第１着色膜７２を１層設け、反射表示領域Ｒ内に第１着色膜７２と異なる色の第２着色膜７３を積層して設けた。透過表示領域Ｔ内及び反射表示領域Ｒ内に設けられた第１着色膜７２は、光反射膜２４や画素電極２５等とＴＦＴ素子２１とを電気的に絶縁する層間絶縁膜として機能する。一方、反射表示領域Ｒに積層された第２着色膜７３は、液晶層１２の層厚を調整する層厚調整膜として機能する。

反射表示領域Ｒ内において第１着色膜７２に第２着色膜７３を積層することによって、当該反射表示領域Ｒ内における液晶層１２の層厚、すなわちセルギャップＧを透過表示領域Ｔ内における液晶層１２の層厚より薄くしている。第１着色膜７２と第２着色膜７３はカラーフィルタを形成する要素であり、第１着色膜７２を用いて層間絶縁膜を形成し、且つ第２着色膜７３を用いて層厚調整膜を形成することにより、層間絶縁膜や層厚調整膜を形成するための樹脂膜を、バット、基板７ａ上に形成する必要がなくなる。その結果、液晶表示装置の製造工程を減らすことができる。

また、本実施形態の液晶表示装置では、スイッチング素子としてＴＦＤ素子６１を用いている。ＴＦＤ素子６１は、ＴＦＴ素子２１（図４参照）と異なり、基板７ａ上にゲート絶縁膜等といった透明樹脂膜を設ける必要がない。また、ＴＦＤ素子６１を覆う層間絶縁膜は第１着色膜７２によって形成される。従って、第１着色膜７２を覆うための透光性の樹脂膜を基板７ａ上に設けることなく素子基板７を構成できる。その結果、透過表示領域Ｔを透過する光は透光性の樹脂膜によって色づく、例えば黄色に色づくことがなくなる。それ故、液晶表示装置の表示が色づくことを防止できる。

（電気光学装置の第３実施形態）
次に、本発明に係る第２の電気光学装置は、一対の基板に電気光学物質が挟持されてなり、透過表示領域と反射表示領域を有するサブ画素を複数備える電気光学装置であって、一方の前記基板の前記サブ画素の前記反射表示領域に設けられてなる第１着色層と、該第１着色層上に設けられてなる反射層と、前記一方の基板の前記サブ画素の前記透過表示領域及び前記反射層上に設けられてなり、前記第１着色層の色と異なる色の第２着色層とを備え、前記電気光学物質は、前記第１着色層を反映して、前記反射表示領域における厚さが前記透過表示領域における厚さよりも薄くなっている構成の電気光学装置である。以下、この発明の一実施形態を説明する。

本実施形態においても、電気光学装置の実施形態として液晶表示装置を例示して説明する。本実施形態に係る液晶表示装置の外観形状は、概ね、図１と同じである。図９は、図１において矢印Ｚ１で示す部分、すなわちサブ画素部分を拡大して示している。

既述の各実施形態では、図１に示したように、反射表示領域内において、光反射膜２４は積層された第１着色膜２２，７２と第２着色膜２３，７３の上に設けられている。従って、図１に示した液晶表示装置は、反射型の表示において光反射膜２４で反射した光が第１着色膜２２，７２を透過しないので、白黒表示が行われることになる。これに対し本実施形態では、図９において、反射表示領域Ｒ内において積層された着色膜９２，９３の間の平面内に光反射膜２４を設けている。従って、本実施形態の液晶表示装置は、反射型の表示においてカラー表示を行うことができる。

以下に本実施形態について説明する。なお、本実施形態において、液晶パネル８２の素子基板７の構造を除いた液晶表示装置８１の構成要素は、図２で示した第１実施形態の場合と同じものを用いることにして、それらの説明は省略する。

図９において、液晶パネル８２を構成する素子基板７は、第１透光性基板７ａの内側表面に、ソース線１９、ゲート線２０及びスイッチング素子としてのＴＦＴ素子２１を有する。それらのＴＦＴ素子２１、ソース線１９及びゲート線２０の上に、それらを覆う第１着色層としての黒色着色膜９２及び第２着色層としての第２着色膜９３が形成されている。黒色着色膜９２の上には反射層としての光反射膜２４が形成され、第２着色膜９３は黒色着色膜９２及び光反射膜２４の上にまで延びている。従って、第２着色膜９３は、反射表示領域Ｒ内において光反射膜２４上に設けられている。そして第２着色膜９３の上には透明導電膜としての画素電極２５が形成され、その上に配向膜２６ａが形成されている。

本実施形態において、ソース線１９、ゲート線２０、ＴＦＴ素子２１の構成は、第１実施形態において図３で示す構成と同じである。また、本実施形態でも補助容量３７が設けられている。すなわち、図９の矢印Ａに従った平面構造は図３と同じである。図１０は、図３の平面構造が完成する前の途中の段階であって基板上に着色膜９２，９３を形成した段階の状態を示している。

図９において、黒色着色膜９２は絶縁性を有した黒色の樹脂、例えばカーボン等を含有させた感光性樹脂を用いて形成されている。また、第２着色膜９３は絶縁性の材料、例えば、顔料又は染料を含有させた感光性樹脂を用いて形成されている。この黒色着色膜９２は、図１０において、反射表示領域Ｒとその反射表示領域Ｒに隣接する領域、すなわち互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の画素間領域Ｓとにわたって設けられている。この黒色着色膜９２は、反射表示領域Ｒ内において液晶層１２の層厚を調整する層厚調整膜として機能する。

図３において、画素間領域Ｓにはソース線１９が列方向Ｙに延在している。また、サブ画素Ｄ内にはＴＦＴ素子２１と、ＴＦＴ素子２１に接続された導電膜である第２電極３６ａが設けられている。黒色着色膜９２は、それらのソース線１９、ＴＦＴ素子２１及び第２電極３６ａ上にそれらを覆う形状に設けられている。従って、黒色着色膜９２はＴＦＴ素子２１と光反射膜２４との間を電気的に絶縁する機能を有している。

次に、図９において第２着色膜９３は、カラーフィルタを構成する要素である。個々の第２着色膜９３は１つのサブ画素Ｄに対応して配置され、さらにＢ、Ｇ、Ｒの１つを通過させる光学的特性に設定されている。図では青色の第２着色膜を９３Ｂ、緑色の第２着色膜を９３Ｇ、赤色の第２着色膜を９３Ｒで示している。これらの第２着色膜９３は、透過表示領域Ｔ内において、ソース線１９と画素電極２５とを電気的に絶縁する層間絶縁膜として機能する。

第２着色膜９３は、個々のサブ画素Ｄ内において、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒにわたって設けられている。従って、透過表示領域Ｔ内では、第２着色膜９３が１層設けられ、反射表示領域Ｒ内では、黒色着色膜９２と第２着色膜９３とが積層して設けられている。従って、反射表示領域Ｒ内の液晶層１２の層厚ｔ０は、黒色着色膜９２の膜厚を反映して、透過表示領域Ｔ内の層厚ｔ１に比べて薄くなっている。

以上のように構成された液晶表示装置において、反射型の表示が行われる場合には、観察側である矢印Ａの方向から対向基板８を通して液晶パネル８２内へ入射した外部光Ｌ０が、液晶層１２を通過して素子基板７内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２４で反射して第２着色膜９３を通過し、再び液晶層１２へ供給される。こうしてカラー表示が行われる。他方、透過型表示を行う場合、図１の照明装置３の光源１３が点灯し、それからの光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光出射面１４ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図９の符号Ｌ１で示すように透過表示領域Ｔ、すなわち光反射膜２４が存在しない領域において第２着色膜９３を通って液晶層１２へ供給される。こうしてカラー表示が行われる。

本実施形態においては、個々のサブ画素Ｄにおいて、透過表示領域Ｔ内に第２着色膜９３を１層設け、反射表示領域Ｒ内に黒色着色膜９２と第２着色膜９３とを積層して設けた。反射表示領域Ｒ内において第２着色膜９３と黒色着色膜９２とを積層することによって、当該反射表示領域Ｒ内における液晶層１２の層厚、すなわちセルギャップＧを透過表示領域Ｔ内における液晶層１２の層厚より薄くしている。また、黒色着色膜９２は、従来からサブ画素Ｄ間を遮光する遮光部材として用いられることがあるものであり、図１０においてこの黒色着色膜９２を反射表示領域Ｒとサブ画素Ｄ間の画素間領域Ｓとにわたって設けることにより、液晶層１２の層厚を調整すると同時に、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間を遮光することができる。

また、本実施形態の液晶表示装置では、図９に示すように、反射表示領域Ｒ内において、光反射膜２４上に第２着色膜９３を設ける構造としたので、反射型表示においてもカラー表示を行うことが可能になった。

また、従来では、ＴＦＴ素子２１と光反射膜２４との間の層間絶縁膜を専用の透光性の樹脂膜によって形成していたが、本実施形態の液晶表示装置では、第２着色膜９３によって層間絶縁膜を形成することにより、基板７ａ上に形成される樹脂膜を減らすことができる。こうして、透過表示領域Ｔを透過する光が透過する透光性樹脂膜の数を減らすことができるので、その光が色づくことを防止できる。

（電気光学装置に関するその他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明に係る電気光学装置を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。例えば、上記の第１実施形態及び第２実施形態においては、図５に示すように、第２着色膜２３，７３として青色着色膜２３Ｂ，７３Ｂ及び赤色着色膜２３Ｒ，７３を用いている。しかしながら、第２着色膜２３，７３は、第１着色膜２２，７２と異なる色であって、第１着色膜２２，７２に積層することによって遮光効果を得られる色であれば、青色及び赤色以外の色の着色膜としても良い。

また、上記の第３実施形態においては、図１０に示すように、第１着色層として黒色着色膜９２を用いている。しかしながら、第１着色層は、第２着色膜９３と異なる色であって、第２着色膜９３に積層することによって遮光効果を得られる色であれば、黒色以外の色の着色膜としても良い。

また、上記の各実施形態では、反射表示領域Ｒ内には２層の着色膜を積層した構造としているが、反射表示領域Ｒ内の着色膜は２層より多い多層、例えば３層としても良い。この場合、第１実施形態では、図２において、緑色第１着色膜２２Ｇと青色第２着色膜２３Ｂと赤色第２着色膜２３Ｒとを平面的に重ねるか、又は青色第１着色膜２２Ｂと緑色第２着色膜２３Ｇと赤色第２着色膜２３Ｒとを平面的に重ねるか、又は赤色第１着色膜２２Ｒと青色第２着色膜２３Ｂと緑色第２着色膜２３Ｇとを平面的に重ねることが望ましい。

また、第２実施形態では、図７において、緑色第１着色膜７２Ｇと青色第２着色膜７３Ｂと赤色第２着色膜７３Ｒとを平面的に重ねるか、又は青色第１着色膜７２Ｂと緑色第２着色膜７３Ｇと赤色第２着色膜７３Ｒとを平面的に重ねるか、又は赤色第１着色膜７２Ｒと青色第２着色膜７３Ｂと緑色第２着色膜７３Ｇとを平面的に重ねることが望ましい。

また、第３実施形態では、緑色第２着色膜９３Ｇと青色第１着色膜９２Ｂと赤色第１着色膜９２Ｒとを平面的に重ねるか、又は青色第２着色膜９３Ｂと緑色第１着色膜９２Ｇと赤色第１着色膜９２Ｒとを平面的に重ねるか、又は赤色第２着色膜９３Ｒと青色第１着色膜９２Ｂと緑色第１着色膜９２Ｇとを平面的に重ねることが望ましい。

また、図２に示した第１実施形態は、スイッチング素子として３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ素子２１であってチャネルエッチ型でシングルゲート構造のアモルファスシリコンＴＦＴ素子を用いる電気光学装置に本発明を適用したものである。しかしながら本発明は、他の構造のアモルファスシリコンＴＦＴ素子を用いる液晶表示装置にも適用できる。また、本発明は、アモルファスシリコンＴＦＴ素子以外のＴＦＴ素子、例えば高温ポリシリコンＴＦＴ素子や、低温ポリシリコンＴＦＴ素子等をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置にも適用できる。

また、上記の各実施形態では、ＥＣＢ方式の液晶モードを採用した液晶表示装置に本発明を適用したものであるが、本発明は、例えばＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モードや、ＶＡ（Vertically Aligned：垂直配向）モード等の液晶モードを採用した液晶表示装置にも適用できる。

（電子機器の第１実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。

図１１は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶表示装置１０１と、これを制御する制御回路１０２とを有する。制御回路１０２は、表示情報出力源１０５、表示情報処理回路１０６、電源回路１０７及びタイミングジェネレータ１０８によって構成される。そして、液晶表示装置１０１は液晶パネル１０３及び駆動回路１０４を有する。

表示情報出力源１０５は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０８により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０６に供給する。

次に、表示情報処理回路１０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０４へ供給する。ここで、駆動回路１０４は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０７は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。

液晶表示装置１０１は、例えば、図１に示した液晶表示装置１を用いて構成できる。図１の液晶表示装置１では、図２において、透過表示領域Ｔ内に第２着色膜２２を１層設け、反射表示領域Ｒ内には互いに色が異なる第１着色膜２２と第２着色膜２３とを積層して設けることにより反射表示領域Ｒ内における液晶層１２の層厚ｔ０を透過表示領域Ｔ内における液晶層１２の層厚ｔ１より薄くしている。こうすることにより、液晶層厚を調整するための樹脂膜を、別途、基板７ａ上に形成する必要がなくなるので、液晶表示装置１の製造工程を減らすことができる。従って、本発明に係る電子機器においても、その電子機器の製造工程を減らすことができる。

また、液晶表示装置１は、従来において層間絶縁膜や液晶層厚調整膜として用いていた反射表示領域Ｒ内及び透過表示領域Ｔ内の樹脂膜に換えて第１着色膜２２又は第２着色膜２３を用いるので、色づきの原因となる透光性の樹脂膜の数を減らすことができる。その結果、反射表示領域Ｒ内で反射する光Ｌ０又は透過表示領域Ｔ内を透過する光Ｌ１が色づくことを防止できる。従って、本発明に係る電子機器においても、その電子機器の表示が色づくことを防止できる。

（電子機器の第２実施形態）
図１２は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、これに開閉可能に設けられた表示体部１１２とを有する。液晶表示装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置１１３は、表示体部１１２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１１２において表示画面１１４によって視認できる。本体部１１１には操作ボタン１１５が配列されている。

表示体部１１２の一端部にはアンテナ１１６が伸縮自在に取付けられている。表示体部１１２の上部に設けられた受話部１１７の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部１１１の下端部に設けられた送話部１１８の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部に格納される。

表示装置１１３は、例えば、図１に示した液晶表示装置１を用いて構成できる。図１の液晶表示装置１では、図２において、透過表示領域Ｔ内に第２着色膜２２を１層設け、反射表示領域Ｒ内には互いに色が異なる第１着色膜２２と第２着色膜２３とを積層して設けることにより反射表示領域Ｒ内における液晶層１２の層厚ｔ０を透過表示領域Ｔ内における液晶層１２の層厚ｔ１より薄くしている。こうすることにより、液晶層厚を調整するための樹脂膜を、別途、基板７ａ上に形成する必要がなくなるので、液晶表示装置１の製造工程を減らすことができる。従って、本発明に係る電子機器においても、その電子機器の製造工程を減らすことができる。

また、液晶表示装置１は、従来において層間絶縁膜や液晶層厚調整膜として用いていた反射表示領域Ｒ内及び透過表示領域Ｔ内の樹脂膜に換えて第１着色膜２２又は第２着色膜２３を用いるので、色づきの原因となる透光性の樹脂膜の数を減らすことができる。その結果、反射表示領域Ｒ内で反射する光Ｌ０又は透過表示領域Ｔ内を透過する光Ｌ１が色づくことを防止できる。従って、本発明に係る電子機器においても、その電子機器の表示が色づくことを防止できる。

（変形例）
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。

本発明に係る電気光学装置の一実施形態を示す側面断面図である。 図１において矢印Ｚ１で示す部分を拡大して示す断面図である。 図２の矢印Ａに従ってサブ画素近傍の構造を示す平面図である。 図３のＺ２−Ｚ２線に従って主にＴＦＴ素子の断面構造を示す断面図である。 図３の素子基板の内部の平面構造を示す平面図である。 図３のＺ４−Ｚ４線に従って示す断面図である。 本発明に係る電気光学装置の他の実施形態の要部を示す断面図である。 図７の矢印Ａに従ってサブ画素近傍の構造を示す平面図である。 本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態の要部を示す断面図である。 図９の矢印Ａに従って素子基板の内部の平面構造を示す平面図である。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。 本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示す斜視図である。

符号の説明

１，５１，８１．液晶表示装置（電気光学装置）、 ２，５２，８２．液晶パネル、
３．照明装置、 ６．シール材、 ７．素子基板、 ７ａ．第１透光性基板、
８．対向基板、 ８ａ．第２透光性基板、 １２．液晶層（電気光学物質層）、
１３．ＬＥＤ（光源）、 １４．導光体、 １８ａ，１８ｂ．偏光板、
１９．ソース線（導電膜）、 ２０．ゲート線、
２１．ＴＦＴ素子（スイッチング素子）、 ２２，７２．第１着色膜（第１着色層）、
２３，７３，９３．第２着色膜（第２着色層）、 ２４．光反射膜、
２５．画素電極（透明導電膜）、２６ａ，２６ｂ．配向膜、 ２７．コンタクトホール、
３１．ゲート電極、 ３２．ゲート絶縁膜、 ３３．半導体層、
３４ａ，３４ｂ．Ｎ+−Ｓｉ膜、 ３５．ソース電極、 ３６．ドレイン電極、
３７．補助容量、 ４１．共通電極、 ４２．張出し部、 ６０．データ線（導電膜）、
６１．ＴＦＤ素子（スイッチング素子）、 ６３ａ．第１ＴＦＤ要素、
６３ｂ．第２ＴＦＤ要素、 ６４．第１素子電極、 ６５．絶縁膜、
６６ａ，６６ｂ．第２素子電極、 ７１．帯状電極、
９２．黒色着色膜（第１着色層）、 ９３．第２着色膜、
１０１．液晶表示装置（電気光学装置）、 １０２．制御回路、 １０３．液晶パネル、
１０４．駆動回路、 １１０．携帯電話機（電子機器）、 １１１・本体部、
１１２．表示体部、 １１３．表示装置、 １１４．表示画面、 Ｄ．サブ画素、
Ｇ．セルギャップ、 Ｌ０，Ｌ１．光、 Ｒ．反射表示領域、 Ｔ．透過表示領域、
Ｖ．表示領域

Claims (13)

1. 一対の基板に電気光学物質が挟持されてなり、透過表示領域と反射表示領域を有するサブ画素を複数備える電気光学装置であって、
   一方の前記基板の前記サブ画素の前記透過表示領域及び前記反射表示領域に設けられてなる第１着色層と、
   該第１着色層上の前記反射表示領域に設けられてなり、前記第１着色層の色と異なる色の第２着色層と、
   該第２着色層上に設けられてなる反射層と、
   を備え、
   前記電気光学物質は、前記第２着色層を反映して、前記反射表示領域における厚さが前記透過表示領域における厚さよりも薄いことを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置において、前記一方の基板は、前記第１着色層に覆われてなるスイッチング素子と、前記反射層上に設けられ、前記スイッチング素子と電気的に接続されてなる透明導電膜と、を備えることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１又は請求項２記載の電気光学装置において、前記一方の基板は、複数の色の着色層を有し、複数の前記サブ画素のうちの１つの前記サブ画素は、前記複数の色のうちの１つの色の前記着色層が前記第１着色層として設けられてなるとともに、前記１つの色の前記着色層とは異なる色であり、他のサブ画素に備えられる前記第１着色層と同じ色の前記着色層が前記第２着色層として設けられてなることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記反射表示領域内には、緑色の第１着色膜と青色の第２着色膜とが平面的に重ねられているか、又は赤色の第１着色膜と青色の第２着色膜とが平面的に重ねられているか、又は青色の第１着色膜と赤色の第２着色膜とが平面的に重ねられていることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記反射表示領域内には、緑色の第１着色膜と青色の第２着色膜と赤色の第２着色膜とが平面的に重ねられているか、又は青色の第１着色膜と緑色の第２着色膜と赤色の第２着色膜とが平面的に重ねられているか、又は赤色の第１着色膜と青色の第２着色膜と緑色の第２着色膜とが平面的に重ねられていることを特徴とする電気光学装置。
6. 一対の基板に電気光学物質が挟持されてなり、透過表示領域と反射表示領域を有するサブ画素を複数備える電気光学装置であって、
   一方の前記基板の前記サブ画素の前記反射表示領域に設けられてなる第１着色層と、
   該第１着色層上に設けられてなる反射層と、
   前記一方の基板の前記サブ画素の前記透過表示領域及び前記反射層上に設けられてなり、前記第１着色層の色と異なる色の第２着色層と、
   を備え、
   前記電気光学物質は、前記第１着色層を反映して、前記反射表示領域における厚さが前記透過表示領域における厚さよりも薄いことを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項６に記載の電気光学装置において、前記一方の基板は、前記第１着色層に覆われてなるスイッチング素子と、前記第２着色層上に設けられ、前記スイッチング素子と電気的に接続されてなる透明導電膜と、を備えることを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項６又は請求項７記載の電気光学装置において、前記一方の基板は、複数の色の着色層を有し、複数の前記サブ画素のうちの１つの前記サブ画素は、前記複数の色のうちの１つの色の前記着色層が前記第１着色層として設けられてなるとともに、前記１つの色の前記着色層とは異なる色であり、他のサブ画素に備えられる前記第１着色層と同じ色の前記着色層が前記第２着色層として設けられてなることを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項６から請求項８のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記反射表示領域内には、緑色の第２着色膜と青色の第１着色膜とが平面的に重ねられているか、又は赤色の第２着色膜と青色の第１着色膜とが平面的に重ねられているか、又は青色の第２着色膜と赤色の第１着色膜とが平面的に重ねられていることを特徴とする電気光学装置。
10. 請求項６から請求項８のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記反射表示領域内には、緑色の第２着色膜と青色の第１着色膜と赤色の第１着色膜とが平面的に重ねられているか、又は青色の第２着色膜と緑色の第１着色膜と赤色の第１着色膜とが平面的に重ねられているか、又は赤色の第２着色膜と青色の第１着色膜と緑色の第１着色膜とが平面的に重ねられていることを特徴とする電気光学装置。
11. 請求項１から請求項１０のいずれか１つに記載の電気光学装置において、互いに隣接するサブ画素同士の間の画素間領域には、前記第１着色膜と前記第２着色膜とが平面的に重ねて設けられることを特徴とする電気光学装置。
12. 請求項６又は７に記載の電気光学装置において、前記第１着色膜は黒色着色膜であることを特徴とする電気光学装置。
13. 請求項１から請求項１２のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
    
    

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