JP2007086411A - 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 液晶層12を挟持する一対の基板7,8と、液晶層12へ供給する光を出射する照明装置3と、基板7に設けられた光反射膜23と、サブ画素D領域内に設けられた透過表示領域T及び反射表示領域Rとを有する液晶表示装置1である。この液晶表示装置1は、基板7に設けられていて透過表示領域Tと反射表示領域Rとで液晶層12の層厚t0,t1を異ならせる第1絶縁膜22と、基板7と第1絶縁膜22との間に設けられていて複数のサブ画素Dを通過する配線19と、配線19のうちの複数のサブ画素D間に在る部分の上に設けられていて第1絶縁膜22よりも膜厚が薄い第2絶縁膜46とを有する。
【選択図】 図1
Description
以下、本発明に係る液晶表示装置を実施形態を例に挙げて説明する。なお、本発明がこの実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。また、これ以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、これらの図面に示される構造は特徴的な部分を分かり易く示すために実際の構造に対して寸法を異ならせて示す場合がある。本実施形態は、スイッチング素子として2端子型のスイッチング素子であるTFD(Thin Film Diode)素子を用いたアクティブマトリクス方式で半透過反射方式の液晶表示装置に本発明を適用するものである。
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、上記の実施形態では、スイッチング素子として2端子型スイッチング素子であるTFD素子を用いる場合を例示したが、これに代えて、3端子型スイッチング素子であるTFT(Thin Film Transistor)素子を用いても良い。なお、TFT素子の場合は配線として、ゲート電極につながるゲート電極線及びソース電極につながるソース電極線が考えられる。この場合、ゲート電極線はゲート絶縁膜で覆われることもあるので、そのときには上記の実施形態における保護膜46(図1参照)を用いるまでもなくゲート電極線は保護されるかもしれない。但し、その場合でも、ゲート絶縁膜に加えて上記実施形態における保護膜46を併せて用いれば、信頼性をさらに高めることができる。
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法について、図1に示した液晶表示装置を製造する場合を例に挙げて説明する。図5は本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を示している。図5の工程P1〜工程P7に至る工程は図1の素子基板7を形成する工程である。また、工程P11〜工程P17に至る工程は図1のカラーフィルタ基板8を形成する工程である。また、工程P21〜工程P27に至る工程はそれらの基板を貼り合わせて製品である液晶表示装置を形成する工程である。
以下、図5の工程P2の絶縁膜形成工程について、図6、図7、及び図8を参照して詳細に説明する。絶縁膜形成工程が始まると、まず、図6の工程P31において図7(a)の基板7aを所定の洗浄液によって洗浄する。次に、図6の工程P32において、図7(b)に示すように、第1透光性基板7aの上にTFD素子31及びデータ線19を覆うように層間絶縁膜22の材料、例えばポジ型レジストである感光性樹脂22’をスピンコートによって一様な厚さに塗布する。次に、工程P33において、例えば90℃で120秒のプリベークを行って、感光性樹脂材料22’内の溶媒を除去する。
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法の他の実施形態を説明する。本実施形態の製造方法の全体的な工程は図5に示した第1の実施形態に係る製造方法と同じである。図6に示した先の実施形態では、工程P34と工程P35で2度露光を行ったが、本実施形態ではハーフトーンマスクを用いて露光処理を行うものである。以下、その露光処理について説明する。なお、以下の説明では、本実施形態を先の実施形態と異なる点を中心として説明するものとし、共通する構成については説明を省略する。
(1)凹凸パターンのうちの凸部を形成すべき部分に完全遮光領域A3を合わせ、
(2)凹凸パターンのうちの凹部を形成すべき部分に第2部分光透過領域A2を合わせ、
(3)保護膜46を形成すべき部分に第1部分光透過領域A1を合わせ、
(4)透過表示領域Tのように層間絶縁膜22を除去したい部分に完全光透過領域A0を合わせる。
T3<T2<T1<T0
に設定する。また、
T3=0%、 T0=100%
に設定する。なお、必ずしもT3=0%、T0=100%に限定しなくても良い場合もある。
以上の実施形態では、図1に示す液晶表示装置1を製造するものとした。しかしながら、本発明は、その他の液晶表示装置を製造する場合にも適用できる。また、以上に説明した実施形態では、樹脂膜としてポジ型の感光性樹脂を用いたが、これに代えて、ネガ型の(すなわち、光を受けた部分が固化する性質を有する)感光性樹脂を用いることができる。
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、POS端末器等が挙げられる。
7a.第1透光性基板、 8.カラーフィルタ基板、 8a.第2透光性基板、
12.液晶層、 13.LED、 18a,18b.偏光板、
19.データ線(配線)、 22.層間絶縁膜(第1絶縁膜)、 23.光反射膜、
24.画素電極、 26a,26b.配向膜、
31.TFD素子(スイッチング素子)、 32a,32b.TFD要素、
33.第1素子電極、 34.絶縁膜、 36a,36b.第2素子電極、
37.コンタクト部、 41.着色膜、 42.遮光膜、 43.オーバーコート層、
44.帯状電極、 46.保護膜(第2絶縁膜)、
56A,56B,56C.露光マスク、 E.分枝部分、 G.セルギャップ、
L0,L1.光、 L3,L4,L5.露光光、 t0,t1.層厚、
t2,t3.膜厚
Claims (6)
- 液晶層を挟持する一対の基板と、
前記液晶層に向けて光を出射する照明装置と、
前記一対の基板のうちの一方の基板に設けられた光反射膜と、
表示の最小単位となる1つのサブ画素領域内に、前記照明装置から出射される光を透過して表示を行う透過表示領域と、前記光反射膜で反射した光を用いて表示を行う反射表示領域とを有する液晶表示装置であって、
前記一方の基板に設けられていて前記透過表示領域と前記反射表示領域とで前記液晶層の層厚を異ならせる第1絶縁膜と、
前記一方の基板と前記第1絶縁膜との間に設けられていて前記複数のサブ画素を通過する配線と、
該配線のうちの前記複数のサブ画素間に在る部分の上に設けられていて前記第1絶縁膜よりも膜厚が薄い第2絶縁膜と、
を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1記載の液晶表示装置において、
前記サブ画素は平面視で一方に長くそれと直角方向に短い形状を有し、
前記配線は前記サブ画素の長手方向に延び、
前記第2絶縁膜は前記配線と直交する方向に延びる
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1又は請求項2記載の液晶表示装置において、前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜は同じ材料によって形成されることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の液晶表示装置において、
それぞれが表示の最小単位である複数のサブ画素のそれぞれに対応して設けられたスイッチング素子をさらに有し、
前記第1絶縁膜は前記スイッチング素子を覆う層間絶縁膜であり、
前記配線は前記スイッチング素子へ信号を伝送する信号線である
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 複数のサブ画素のそれぞれに対応させて基板上にスイッチング素子を形成する工程と、
前記複数のサブ画素にわたって前記基板上に配線を形成する工程と、
前記スイッチング素子及び前記配線の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に光反射膜を形成する工程と、を有し、
前記絶縁膜を形成する工程では、膜厚の厚い第1絶縁膜を前記サブ画素に対応して形成し、前記複数のサブ画素間の領域であって前記配線が形成された領域に前記第1絶縁膜よりも膜厚が薄い第2絶縁膜を形成する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 請求項1から請求項4のいずれか1つに記載の液晶表示装置を有することを特徴とする電子機器。
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JP2005275145A JP2007086411A (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法、及び電子機器 |
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