JP4238883B2 - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、液晶層を通過する光を変調して像を形成する液晶装置に関する。また、本発
明は、その液晶装置を用いて構成される電子機器に関する。

現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において、例えば、当該
電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として、液晶装置が広く用
いられている。液晶装置は、一般に、互いに対向する一対の基板間に液晶層を配置し、そ
の液晶層を通過する光をサブ画素ごとに変調することにより、光の進行方向の下流側に在
る基板の外側に、文字、数字、図形等といった像を表示する。

液晶層を通過する光としては、反射光及び透過光の２種類が考えられる。反射光は、太
陽光、室内光等といった外部光が液晶装置の内部で反射して液晶層へ供給される光である
。透過光は、液晶装置の構成要素である液晶パネルの外側の面に設けられた照明手段から
出射して液晶層へ供給される光である。反射光を用いた表示は反射型表示と呼ばれ、透過
光を用いた表示は透過型表示と呼ばれている。

上記の反射型表示及び透過型表示の両方の表示を行うことができる液晶装置として、従
来、個々のサブ画素の領域内の一部に光反射膜を設け、１つのサブ画素内に反射表示領域
及び透過表示領域を備えた半透過反射型の液晶装置が知られている（例えば、特許文献１
参照）。この液晶装置では、液晶パネルの表示面と反対側の透過表示領域に対応した位置
に発光層が設けられている。この液晶装置では、発光層から発せられる光を用いて透過表
示領域において明るい表示を行うことができる。

特開２００１−６６５９３号公報（第４頁、図２）

ところで、携帯電話機等といった電子機器においては、現在、表示部分の表面と裏面の
両面において表示を行うことができるものがある。特許文献１に開示された液晶装置は、
液晶装置の片面においてのみ表示を行う構成であり、両面で表示を行う構成にはなってい
ない。仮に、この液晶装置を用いて両面表示を行う場合には、電子機器の表面と裏面との
それぞれに液晶装置を配置して、電子機器の両面で表示を行うことが考えられる。しかし
ながら、この場合には電子機器全体の厚さが厚く形成されるおそれがある。

本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、反射型の表示と透過型の表示
の両方を行うことができる液晶装置であって表面と裏面の両面において表示を行うことが
できる液晶装置を、薄く形成することを目的とする。

本発明に係る第１の液晶装置は、互いに対向する第１基板と第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、前記第２基板に選択的に設けられるとともに、前記第１基板側から入射した光を反射させて前記第１基板から出射させる光反射膜と、前記第２基板の前記光反射膜が設けられていない領域に対応して、前記第１基板の前記液晶層側とは反対側に設けられるとともに、前記第２基板へ向けて発光して前記第２基板から出射させる発光層と、を備え、前記発光層に重なる領域の前記液晶層を駆動するための、第１画素電極と当該第１画素電極に電気的に接続された第１スイッチング素子とが前記第１基板に形成され、前記光反射膜に重なる領域の前記液晶層を駆動するための、第２画素電極と当該第２画素電極に電気的に接続された第２スイッチング素子とが前記第２の基板に形成されることを特徴とする。

上記構成の液晶装置において、第１基板及び第２基板は透光性を有する材料、例えば透
光性のガラス、透光性のプラスチックによって形成された基板である。また、発光層は、
例えば有機ＥＬ（electroluminescence）や無機ＥＬ等を用いて形成される。また、第２
基板上に設けられた光反射膜は、例えばＡｌ（アルミニウム）等を用いて形成され、室内
光等といった外部光を反射してその光を表示に利用するためのものである。

上記構成の液晶装置において、第１基板側では、第２基板に設けられた光反射膜を用い
て反射型の表示を行うことができる。具体的には、第１基板側から入射した外部光を第１
基板へ向けて反射する。この反射した光を用いて第１基板側に画像を表示できる。他方、
第２基板側では、第２基板の光反射膜が設けられていない領域に対応する領域であって第
１基板の液晶層側とは反対側に設けられた発光層を用いて透過型の表示を行うことができ
る。具体的には、発光層から発せられた光が第１基板側から入射して第２基板を通過する
。この通過した光を用いて第２基板側に画像を表示できる。

このように、本発明に係る第１の液晶装置によれば、第２基板に設けられた光反射膜で
反射した光を用いて第１基板側に画像を表示し、第１基板の液晶層とは反対側に設けられ
た発光層から発せられた光を用いて第２基板側に画像を表示するので、両面表示が可能な
液晶装置を、第１基板と第２基板の２枚の基板から成る１つの液晶パネルを用いて形成で
きる。その結果、従来のように２つの液晶パネルを用いて表裏両面の表示を行う液晶装置
に比べて、液晶装置の全体の厚さを薄く形成できる。また、第１基板の液晶層側と反対側
に発光層を設けたので、第２基板の表面において発光層からの光を用いて明るい表示を行
うことができる。

次に、本発明に係る第１の液晶装置においては、互いに交差する第１方向と第２方向に配列された複数のサブ画素を備え、該複数のサブ画素は、前記第２基板に光反射膜が設けられ前記第１基板側に画像を表示する第１サブ画素（光反射膜が形成された領域）と、前記第１基板の前記液晶層側とは反対側に前記発光層が設けられ前記第２基板側に画像を表示する第２サブ画素（発光層が形成された領域）とを有して構成され、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素は前記第２方向で異なる長さを有し前記第１方向で同じ長さを有することもできる。

個々の第１サブ画素及び個々の第２サブ画素は表示を行うための最小単位の領域である
。これらの第１サブ画素及び第２サブ画素が、第１方向と第２方向とに複数個平面的に配
列されることによって、表示が行われる全体の領域である表示領域が構成されている。こ
こで、第１方向は、各サブ画素に走査信号を伝送する走査線に沿った方向とすることがで
きる。また、第２方向は、走査線に直交して設けられ各サブ画素にデータ信号を伝送する
データ線に沿った方向とすることができる。

両面表示を行う液晶装置では、一方の表示面で主となる表示を行い、他方の表示面で副
次的な表示を行うことが多い。この場合、副次的な表示に比べて主となる表示の精細度を
高くすることが望ましいと考えられる。本発明態様の液晶装置では、第１サブ画素と第２
サブ画素とを互いに異なる大きさに形成できるので、表側面の表示と裏側面の表示とで表
示の精細度を異ならせることができる。例えば、第１サブ画素と第２サブ画素とにおいて
、主となる表示を行う方のサブ画素を副次的な表示を行うサブ画素に比べて大きく形成す
れば、主となる表示の精細度を高くすることができる。

また、本発明態様では、個々の前記第１サブ画素同士及び個々の前記第２サブ画素同士
を前記第１方向に沿って互いに隣り合って並べ、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素を
前記第２方向に沿って交互に並べることができる。また、個々の前記第１サブ画素同士及
び個々の前記第２サブ画素同士を前記第２方向に沿って互いに隣り合って並べ、前記第１
サブ画素と前記第２サブ画素を前記第１方向に沿って交互に並べることもできる。仮に、
第１サブ画素及び第２サブ画素を第１方向と第２方向の両方向において互いに隣り合うよ
うに配列した場合、第１基板側の表示領域及び第２基板側の表示領域は、第１基板及び第
２基板の平面領域内において片寄った領域に狭く形成されることが考えられる。

これに対し、本発明態様のように、個々の第１サブ画素同士及び個々の第２サブ画素同
士を第１方向及び第２方向のうちのいずれか一方に沿って互いに隣り合うように並べ、第
１方向及び第２方向のうちの他方に第１サブ画素と第２サブ画素とを交互に並べれば、第
１サブ画素及び第２サブ画素を、第１基板及び第２基板の平面領域内に効率良く配列でき
る。その結果、第１基板側の表示領域及び第２基板側の表示領域が平面領域内で片寄るこ
とがなくなるので、それらの表示領域を広く形成できる。

次に、本発明に係る第１の液晶装置においては、互いに交差する第１方向と第２方向に
配列された複数のサブ画素を備え、該複数のサブ画素は、前記第２基板に光反射膜が設け
られた第１サブ画素と、前記第１基板の前記液晶層側とは反対側に前記発光層が設けられ
た第２サブ画素とを有して構成され、前記第１基板又は前記第２基板の少なくとも一方に
は、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素のそれぞれに対応して１色又は複数色の着色
膜が所定の配列で設けられていることが望ましい。

この構成の液晶装置において、前記光反射膜と重なる領域と前記発光層と重なる領域とにそれぞれ着色膜が形成される。第１サブ画素及び第２サブ画素のそれぞれに対応して１色の着色膜を設けた場合には、その１色のみを用いた表示、いわゆるモノカラーの表示を行うことができる。一方、第１サブ画素及び第２サブ画素のそれぞれに対応して複数色の着色膜を設けた場合には、それら複数色を用いたカラー表示を行うことができる。例えば、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）の３色の着色膜を設けた場合には、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色を用いた表示、いわゆるフルカラーの表示を行うことができる。なお、所定の配列としては、例えばストライプ配列、モザイク配列、デルタ配列等がある。

次に、本発明に係る第１の液晶装置においては、前記光反射膜と重なる領域の前記第１基板又は第２基板の前記液晶層側には液晶層厚調整用の樹脂膜が設けられ、前記光反射膜と重なる領域における前記液晶層の層厚をｔ１とし、前記発光層と重なる領域における前記液晶層の層厚をｔ２としたとき、
ｔ１＜ｔ２
であることが望ましい。

この構造は、いわゆるマルチギャップ構造である。この構成の液晶装置において、液晶
層厚調整用の樹脂膜としては、例えば、光反射膜と第２基板との間に設けられて光反射膜
と第２基板上にある導電部材との間を電気的に絶縁する樹脂膜、いわゆる層間絶縁膜等が
考えられる。この液晶層厚調整用の樹脂膜の厚さを調整することにより、液晶層の層厚を
容易に調整できる。

また、本発明態様によれば、第１サブ画素内における液晶層の層厚ｔ１と、第２サブ画
素内における液晶層の層厚ｔ２との関係をｔ１＜ｔ２とすることができるので、反射型の
表示を行う第１サブ画素内で光が液晶層を２回通過する場合と、透過型の表示を行う第２
サブ画素内で光が液晶層を１回しか通過しない場合とで、液晶層のリタデーションを均一
にして鮮明な表示を行うことができる。

次に、本発明に係る第２の液晶装置は、前記光反射膜と重なる領域に着色膜が形成され、前記発光層は着色光を発光することを特徴とする。この液晶装置では、第２サブ画素に対応した位置に設けられた発光層が着色光を発光するので、第２サブ画素を用いた表示においてカラー表示を行うことができる。

次に、本発明に係る第２の液晶装置において、前記第１サブ画素内には１色又は複数色
の着色膜が所定の配列で設けられ、前記発光層が発光する前記着色光は、当該発光層が設
けられた前記第２サブ画素に隣接する前記第１サブ画素に設けられた着色膜と同じ色の光
であることが望ましい。こうすれば、第１サブ画素を用いて表示を行う側と第２サブ画素
を用いて表示を行う側とで、サブ画素の色の構成を同じにすることができる。

次に、本発明に係る第３の液晶装置は、前記光反射膜と重なる領域に配置された第２スイッチング素子と前記発光層と重なる領域に配置された前記第１スイッチング素子によって、前記反射膜と重なる領域と前記発光層と重なる領域との前記液晶層がそれぞれ別々に駆動されることを特徴とする。
また、前記第１基板に対して前記第２基板の反対側に設けられた第３基板と、該第３基板に対して前記第１基板の反対側に設けられた第４基板と、をさらに有し、前記発光層は、前記第３基板上に形成された透光性の電極と該透光性の電極上に設けられた有機発光層と、前記第４基板上に前記有機発光層に対向して設けられた反射電極とを含むことを特徴とする。

また、本発明に係る第３の液晶装置において、前記第１基板の前記第２サブ画素内には
、スイッチング素子と、該スイッチング素子上に電気的に接続された透光性の電極とが設
けられ、前記第２基板の前記第２サブ画素内には、着色膜と、該着色膜上に設けられた透
光性の樹脂膜と、該透光性の樹脂膜上に設けられた透光性の電極とが設けられていること
が望ましい。

本発明に係る第３の液晶装置は、いわゆるアクティブマトリクス方式の液晶装置である
。上記の第１基板上及び第２基板上に設けられたスイッチング素子には、例えば３端子型
のアクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子や、２
端子型のアクティブ素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）素子等を用
いることができる。これらのスイッチング素子を備えた第１基板と第２基板とは、液晶層
を挟持して液晶パネルを形成する。また、第３基板上に設けられた発光層には、例えば、
有機ＥＬや無機ＥＬ等を用いることができる。この発光層を備えた第３基板と第４基板は
照明装置を形成する。

上記構成の液晶装置において、個々の第１サブ画素では、第１基板側から入射した外部
光を第２基板上に設けられた光反射膜によって第１基板へ向けて反射することにより反射
型の表示を行うことができる。この第１サブ画素が複数設けられることにより、反射した
光を用いて第１基板側に画像を表示できる。他方、個々の第２サブ画素では、当該第２サ
ブ画素に対応して設けられた発光層から発せられた光が第１基板側から入射して第２基板
を通過することにより透過型の表示を行うことができる。この第２サブ画素が複数設けら
れることにより、発光層からの光を用いて第２基板側に画像を表示できる。

本発明に係る第３の液晶装置によれば、スイッチング素子によって、第１基板の表面に
おける表示と第２基板の表面における表示とを個別に駆動することができる。そして、１
つの液晶パネルで表と裏の両面において表示を行う液晶装置を確実に構成できる。

次に、本発明に係る第４の液晶装置は、（１）互いに対向する第１基板及び第２基板と
、（２）前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、（３）前記第１基板
及び前記第２基板の平面領域において、平面的に見て第１方向と該第１方向に直交する第
２方向とに配列され、前記第１基板側に画像を表示する第１サブ画素と前記第２基板側に
画像を表示する第２サブ画素とから成る複数のサブ画素とを有し、（４）前記第１サブ画
素と前記第２サブ画素は、前記第１方向及び前記第２方向の少なくとも一方で交互に設け
られることを特徴とする。

この液晶装置によれば、複数の第１サブ画素を用いて第１基板側に画像を表示し、複数
の第２サブ画素を用いて第２基板側に画像を表示するので、両面表示が可能な液晶装置を
、第１基板と第２基板の２枚の基板から成る１つの液晶パネルを用いて形成できる。その
結果、従来のように２つの液晶パネルを用いて表裏両面の表示を行う液晶装置に比べて、
液晶装置の全体の厚さを薄く形成できる。また、個々の第２サブ画素に対応した位置に発
光層を設けたので、第２基板の表面において発光層からの光を用いて明るい表示を行うこ
とができる。

次に、本発明に係る液晶装置において、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とは個別
に駆動されることが望ましい。こうすれば、第１面側における表示と第２面側における表
示とを独立して行うことができ、多様な表示を提供できる。

次に、本発明に係る液晶装置において、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素の個々
にスイッチング素子が設けられ、前記第１サブ画素に設けられたスイッチング素子群と前
記第２サブ画素に設けられた前記スイッチング素子群とは個別に駆動されることが望まし
い。この構成の液晶装置は、アクティブマトリクス方式の液晶装置である。この構成にお
いても、第１サブ画素に設けられたスイッチング素子群と第２サブ画素に設けられたスイ
ッチング素子群とを個別に駆動することにより、第１面側における表示と第２面側におけ
る表示とを独立して行うことができる。

次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の液晶装置を有することを特徴と
する。本発明に係る液晶装置は、複数の第１サブ画素を用いて第１基板の表面に画像を表
示し、複数の第２サブ画素を用いて第２基板の表面に画像を表示できるので、第１基板と
第２基板の２枚の基板から成る１つの液晶パネルで両面表示を行うことができる。その結
果、従来のように２つの液晶パネルを用いて表裏両面の表示を行う液晶装置に比べて、液
晶装置の全体の厚さを薄く形成できる。従って、この液晶装置を用いた本発明に係る電子
機器も全体の厚さを薄く形成できる。

また、本発明に係る液晶装置において、個々の第２サブ画素に対応した位置に発光層を
設けた場合には、第２基板の表面において発光層からの光を用いて明るい表示を行うこと
ができる。従って、この液晶装置を用いた本発明に係る電子機器においても明るい表示を
行うことができる。

（液晶装置の第１実施形態）
以下、液晶装置の一例として、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）駆動方式でカラー表示
が可能な液晶装置に本発明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態を説明する。ま
た、本実施形態では、ＴＦＴ素子としてチャンネルエッチ型でシングルゲート構造のアモ
ルファスシリコンＴＦＴ素子を用いた液晶装置に本発明を適用する。なお、本発明がこの
実施形態に限定されないことはもちろんである。また、以下の説明で用いる図面では、特
徴部分を分かり易く示すために、複数の構成要素の寸法を実際とは異なった比率で示す場
合がある。

図１は、本発明に係る液晶装置の断面構造を示している。また、図２は、図１の液晶装
置のうちの液晶パネルの平面構造を矢印Ａに従って示している。なお、図１は、図２のＺ
１−Ｚ１線に従って示す断面図である。また、図３は、図１において矢印Ｚ２で示す部分
を拡大して示している。

図１において、液晶装置１は、液晶パネル２と、照明装置３とを有している。この液晶
装置１に関しては、矢印Ａが描かれた側が主たる表示が行われる主観察側であり、矢印Ｂ
が描かれた側が副次的な表示が行われる副観察側である。すなわち、本実施形態の液晶装
置１は、矢印Ａ側と矢印Ｂ側の両面において表示を行う両面表示型の液晶パネル２から成
る液晶装置である。

液晶パネル２は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形で環状のシール材６によって互
いに貼り合わされた一対の基板４及び５を有する。基板４は矢印Ａが描かれた主観察側に
配置され、その基板４の外側の表面に第１の表示面Ｓ１が形成される。他方、基板５は矢
印Ｂが描かれた副観察側に配置され、その基板５の外側に第２の表示面Ｓ２が形成される
。

基板４は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第１基板としての第１の透光性の基
板４ａを有する。この第１透光性基板４ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラス
チック等によって形成される。この第１透光性基板４ａの外側表面には偏光板８ａが貼り
付けられている。必要に応じて、偏光板８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に
設けることもできる。他方、基板４に対向する基板５は、矢印Ｂ方向から見て長方形又は
正方形の第２基板としての第２の透光性の基板５ａを有する。この第２透光性基板５ａは
、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光
性基板５ａの外側表面には偏光板８ｂが貼り付けられている。必要に応じて、偏光板８ｂ
以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。

シール材６は、基板４と基板５との間に間隙、いわゆるセルギャップＧを形成する。シ
ール材６はその一部に液晶注入口（図示せず）を有し、この液晶注入口を介して基板４と
基板５との間に電気光学物質である液晶が注入される。注入された液晶はセルギャップＧ
内で電気光学物質の層としての液晶層７を形成する。液晶注入口は液晶の注入が完了した
後に樹脂によって封止される。液晶の注入方法としては、上記のような液晶注入口を通し
て行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続する環状のシール材６によって囲まれる領
域内に液晶滴下する方法でもよい。なお、本実施形態では、液晶として、正の誘電異方性
を有するネマティック液晶を用いることができる。

セルギャップＧの間隔、従って液晶層７の層厚は、セルギャップＧ内に設けられる複数
のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹脂
部材を基板４又は基板５の表面上にランダム（すなわち、無秩序）に置くことによって形
成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ処理によって所定の位置に柱状に形成
することもできる。

照明装置３は、第４基板としての基板１１及び第３基板としての基板１２を有する。基
板１１及び基板１２は一対の透光性の基板である。この照明装置３は、液晶パネル２の主
観察側、すなわち、基板４の矢印Ａが描かれた側に基板１２が対向して配置されている。

基板１１の内側の表面には、複数の反射電極１５が矢印Ａ方向から見て所定の配列で並
べられている。他方、基板１２の内側の表面には、透光性の電極１４が設けられ、その透
光性電極１４上に発光層としての有機発光層１３が設けられている。これらの透光性電極
１４及び有機発光層１３は、基板１１上の反射電極１５に平面的に重なる位置に設けられ
ている。このように反射電極１５、透光性電極１４及び有機発光層１３が平面的に重なっ
て発光部Ｅを形成している。また、基板１１と基板１２の間であって、発光部Ｅ以外の領
域には、透光性を有した樹脂層１６が形成されている。

反射電極１５は、例えばＡｌ（アルミニウム）やＡｌ合金等といった光反射性を有した
金属を用いて形成されている。また、透光性電極１４は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin O
xide：インジウム錫酸化物）等を用いて形成されている。また、有機発光層１３は、例え
ば、蛍光色素を含有したポリパラフェニレンビニレン又はその誘導体の前駆体等を用いて
形成されている。なお、本実施形態において、発光層１３は白色光を発光する。また、樹
脂層１６は、例えば、透光性及び感光性を有した樹脂を用いて形成されている。また、図
示はしないがが、実際には有機発光層１３と反射電極１５との間にアルミニウムキノリノ
ール錯体等から成る電子輸送層が形成されている。

図２において、液晶パネル２には、複数の領域Ｄ１とＤ２とが設けられている。符号Ｄ
１で示す領域（すなわち、図２において斜線で示す領域）は、図１の第１表示面Ｓ１にお
ける表示の単位領域である第１サブ画素である。また、図２において符号Ｄ２で示す領域
は、図１の第２表示面Ｓ２における表示の単位領域である第２サブ画素である。これらの
第１サブ画素Ｄ１及び第２サブ画素Ｄ２は、後述する画素電極と帯状電極とが平面的に重
なった領域であり、表示の最小単位となる領域である。なお、図２は図１の液晶装置を矢
印Ａ方向から示す平面図であり、この図２において、基板５は紙面奥側に設けられており
、基板４は紙面手前側に設けられている。従って、液晶パネル２の内部に設けられる電極
や配線は、本来、基板４の存在によって外部から見えない要素であるが、図２では便宜的
に電極、配線等を実線で示している。

第１サブ画素Ｄ１及び第２サブ画素Ｄ２は、複数個が互いに平面的に並んで設けられて
いる。第１方向としての行方向Ｘ（すなわち、図２の左右方向）に関しては、第１サブ画
素Ｄ１同士が互いに隣り合って配置されている。また、第２サブ画素Ｄ２同士も互いに隣
り合って配置されている。他方、第２方向としての列方向Ｙ（すなわち、図２の上下方向
）に関しては、第１サブ画素Ｄ１と第２サブ画素Ｄ２とが交互に配置されている。つまり
、行方向Ｘに沿って並べられた複数の第１サブ画素Ｄ１の列と、同じく行方向に沿って並
べられた複数の第２サブ画素Ｄ２の列とが、列方向Ｙに交互に配置されている。

次に、基板４と基板５から成る液晶パネル２の内部の構造を詳細に説明する。図１の液
晶装置１では、第１サブ画素Ｄ１内と第２サブ画素Ｄ２内との間の関係において液晶パネ
ル２の内部の構造が異なっている。

まず、第１サブ画素Ｄ１内における液晶パネル２の内部の構造を説明する。
図４及び図５は、図２において矢印Ｚ３で示す部分を拡大して示している。また、図６
は、図４のＺ４−Ｚ４線に従った断面図である。また、図７は、図５のＺ５−Ｚ５線に従
った断面図である。これらの図６及び図７は、主にＴＦＴ素子を示している。なお、図４
は、図３の矢印Ａ方向から、主に基板５の平面構造を示している。また、図５は、図３の
矢印Ｂ方向から、主に基板４の平面構造を示している。

図３において、第２透光性基板５ａの内側表面には、ソース線１９Ａが列方向Ｙ（すな
わち、図３の左右方向）に延びている。また、ゲート線２０Ａが行方向Ｘ（すなわち、図
３の紙面垂直方向）に延びている。そして、スイッチング素子として機能するアクティブ
素子であるＴＦＴ素子２１Ａがソース線１９Ａ及びゲート線２０Ａに接続して形成されて
いる。なお、ソース線１９Ａは、ＴＦＴ素子２１Ａにデータ信号を伝送するデータ線とし
て機能する。一方、ゲート線２０Ａは、ＴＦＴ素子２１Ａに走査信号を伝送する走査線と
して機能する。

それらのＴＦＴ素子２１Ａ、ソース線１９Ａ及びゲート線２０Ａの上に、それらを覆う
保護膜２２が形成され、その上に絶縁膜としての凹凸樹脂膜２３が形成され、その上に光
反射膜２４が形成され、その上に透光性の電極である画素電極２５Ａが形成され、その上
に配向膜２６ｂが形成されている。この配向膜２６ｂに配向処理、例えばラビング処理が
施され、これにより、基板５の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。

通常、保護膜２２は、透光性と絶縁性を有する窒化膜（ＳｉＮ）や二酸化ケイ素膜（Ｓ
ｉＯ２）を用いて形成される。また、凹凸樹脂膜２３は、例えば、透光性、感光性、及び
絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理
によってパターニングすることによって形成されている。

光反射膜２４は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料を
フォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。画素電極
２５Ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）等といった金属酸化
物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。また
、配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成され
ている。

光反射膜２４及び画素電極２５Ａは、図２において、基板５上に行方向Ｘ及び列方向Ｙ
に沿ってマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜２４及び画素電極２５Ａは、
矢印Ｚ３で示す部分を拡大した図４にも示すように、各ソース線１９Ａと各ゲート線２０
Ａとが交差する位置の近傍に設けられていて、個々のＴＦＴ素子２１Ａに接続されている
。

図３において、保護膜２２及び凹凸樹脂膜２３には、画素電極２５ＡとＴＦＴ素子２１
Ａとを電気的に接続するための開口部として貫通穴であるコンタクトホール２７が形成さ
れている。このコンタクトホール２７は、矢印Ａ方向から平面的に見てＴＦＴ素子２１Ａ
の素子本体部分に重ならない位置であって、画素電極２５Ａと重なる位置に形成される。

本実施形態で用いるＴＦＴ素子２１ＡはアモルファスシリコンＴＦＴであり、このＴＦ
Ｔ素子２１Ａは、図６に示すように、ゲート電極３１、ゲート絶縁膜３２、ａ−Ｓｉ（ア
モルファスシリコン）によって形成された半導体膜３３、Ｎ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂ、
ソース電極３５、ドレイン電極３６を有する。本実施形態のＴＦＴ素子２１Ａは、ボトム
ゲート構造及びシングルゲート構造のチャネルエッチ型のＴＦＴ素子として構成されてい
る。

ＴＦＴ素子２１Ａから少し離れて補助容量３７が設けられている。この補助容量３７は
画素電極２５Ａに付随する容量が小さくなり過ぎることを防止するために設けられるもの
である。この補助容量３７は、ゲート電極３１と同じ層内に同じ材料によって形成された
第１電極３１ａと、ゲート絶縁膜３２と同じ層内に同じ材料によって形成されていて第１
電極３１ａを覆う絶縁膜３２ａと、ドレイン電極３６と同じ層内に形成されていて絶縁膜
３２ａを覆う第２電極３６ａとによって構成されている。図４に示すように、第１電極３
１ａは、ゲート線２０Ａに平行で、ソース線１９Ａに交差して延びている。また、第２電
極３６ａは面積の広い長方形状に形成されている。

図６において、ドレイン電極３６は、その一端がＮ＋−Ｓｉ膜３４ｂを介して半導体膜
３３に接続し、その他端が補助容量３７の第２電極３６ａとなる所まで延びている。また
、ドレイン電極３６はコンタクトホール２７を介して画素電極２５Ａに電気的に接続し、
ソース電極３５は、図４に示すように、ソース線１９Ａから分岐して形成されている。ゲ
ート電極３１は、ソース線１９Ａと直角方向に延びるゲート線２０Ａから分岐して延びて
いる。

図６において、画素電極２５Ａの下に保護膜２２と凹凸樹脂膜２３とから成る層間絶縁
膜を設けることにより、画素電極２５Ａの層とＴＦＴ素子２１Ａの層は別々の層に分けら
れている。これにより、画素電極２５ＡとＴＦＴ素子２１Ａとを同じ層に形成する構造に
比べて、基板５の表面を有効に活用できる。例えば、画素電極２５Ａの層とＴＦＴ素子２
１Ａの層とを別層とすることにより、画素電極２５Ａの面積、すなわち画素面積をＴＦＴ
素子２１Ａによって阻害されることなく大きくすることができ、そのため、液晶装置にお
いて鮮明な表示を行うことができる。

次に、図３において、第１サブ画素Ｄ１内の基板５に対向する第１透光性基板４ａの内
側表面には、カラーフィルタを構成する着色膜４１Ａが形成され、その着色膜４１Ａの上
にオーバーコート膜４２Ａが形成され、その上に透光性の電極である帯状電極４３Ａが形
成され、その上に配向膜２６ａが形成されている。オーバーコート膜４２Ａは、カラーフ
ィルタを保護する保護膜として機能する。配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を印刷等
によって塗布することによって形成される。

個々の着色膜４１Ａは、各第１サブ画素Ｄ１内に、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方
形のドット状（すなわち、島状）に形成されている。また、着色膜４１Ａは複数個が矢印
Ａ方向から見て行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に配列されている。

着色膜４１Ａの個々はＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の１つを通過させる光学的特性に
設定され、それらＲ，Ｇ，Ｂの着色膜４１Ａが矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばス
トライプ配列、モザイク配列、デルタ配列で並べられている。着色膜４１Ａの光学的特性
はＲ，Ｇ，Ｂの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３
原色を通過させる特性とすることもできる。

帯状電極４３Ａは、例えば、ＩＴＯをフォトエッチング処理によって所定の帯形状にパ
ターニングして形成される。１本の帯状電極４３Ａは、図４に示すように、行方向Ｘ（図
４の左右方向）に延びている。そして、複数の帯状電極４３Ａが列方向Ｙ（図４の上下方
向）に所定間隔をおいて互いに平行に並べられている。

基板５上において行方向Ｘに並ぶ複数のドット状の画素電極２５Ａと、基板４上におい
て行方向Ｘへ延びる帯状電極４３Ａとは、平面的に重なっている。このように両電極が重
なることにより、表示のための最小単位である第１サブ画素Ｄ１が構成されている。そし
て、図１において、複数の第１サブ画素Ｄ１がＸＹ平面内で行方向Ｘ及び列方向Ｙにマト
リクス状に並ぶことにより、基板４の外側（矢印Ａが描かれた側）に第１表示領域Ｖ１が
形成され、この第１表示領域Ｖ１内に文字、数字、図形等の像が表示される。

第１表示領域Ｖ１において、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色から成る着色膜４１Ａを用いてカラー表
示を行う場合は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応する３つの着色膜４１Ａに対応する３つの第１
サブ画素Ｄ１によって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー
表示を行う場合は、１つの第１サブ画素Ｄ１によって１つの画素が形成される。

本実施形態においては、図３に示すように、第１サブ画素Ｄ１内には光反射膜２４が設
けられている。このように、光反射膜２４が存在する第１サブ画素Ｄ１が反射表示領域Ｒ
である。矢印Ａで示す主観察側から入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒである第１サブ
画素Ｄ１内で光反射膜２４で反射する。

凹凸樹脂膜２３の表面であって個々の第１サブ画素Ｄ１内には、複数の凹部及び複数の
凸部が矢印Ａ方向から見て平面的にランダムに形成されることにより凹凸パターンが形成
されている。光反射膜２４は、そのような凹凸パターンが形成されている凹凸樹脂膜２３
の上に一定の膜厚で形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンの形状を有している。
このように光反射膜２４に凹凸パターンを形成することにより、光反射膜２４で反射する
光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、適度の散乱光や適切な指向性を持った光とすることがで
きる。

次に、第２サブ画素Ｄ２内における液晶パネル２の内部の構造を説明する。
図３において、第１透光性基板４ａの内側表面には、ソース線１９Ｂが列方向Ｙ（すな
わち、図３の左右方向）に延びている。また、ゲート線２０Ｂが行方向Ｘ（すなわち、図
３の紙面垂直方向）に延びている。そして、第２サブ画素Ｄ２内には、スイッチング素子
として機能するアクティブ素子であるＴＦＴ素子２１Ｂがソース線１９Ｂ及びゲート線２
０Ｂに接続して形成されている。ＴＦＴ素子２１Ｂは、図７に示すように、ゲート電極３
１、ゲート絶縁膜３２、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）によって形成された半導体膜
３３、Ｎ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂ、ソース電極３５、ドレイン電極３６を備えている。
このＴＦＴ素子２１Ｂは、図６のＴＦＴ素子２１Ａと同じ構成であり、その詳細な説明は
省略する。なお、図３のソース線１９Ｂは、ＴＦＴ素子２１Ｂにデータ信号を伝送するデ
ータ線として機能する。一方、ゲート線２０Ｂは、ＴＦＴ素子２１Ｂに走査信号を伝送す
る走査線として機能する。

図７において、ＴＦＴ素子２１Ｂには画素電極２５Ｂが電気的に接続されている。この
画素電極２５Ｂは、図２において、基板４上に行方向Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス
状に複数形成される。これらの画素電極２５Ｂは、矢印Ｚ３で示す部分を拡大した図５に
も示すように、各ソース線１９Ｂと各ゲート線２０Ｂとが交差する位置の近傍に設けられ
ていて、個々のＴＦＴ素子２１Ｂに接続されている。

具体的には、図７において、画素電極２５Ｂの一部分が、ＴＦＴ素子２１Ｂのドレイン
電極３６の一端に平面的に重なる位置に形成されている。この画素電極２５Ｂは、例えば
ＩＴＯをフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。
その画素電極２５Ｂの上に配向膜２６ａが形成されている。この配向膜２６ａに配向処理
、例えばラビング処理が施され、これにより、基板４の近傍における第２サブ画素Ｄ２内
の液晶分子の初期配向が決められる。

次に、図３において、第２サブ画素Ｄ２内であって、基板４に対向する第２透光性基板
５ａの内側表面には、着色膜４１Ｂが形成され、その着色膜４１Ｂの上にオーバーコート
膜４２Ｂが形成され、その上に透光性の電極である帯状電極４３Ｂが形成され、その上に
配向膜２６ｂが形成されている。オーバーコート膜４２Ｂは、カラーフィルタを保護する
保護膜として機能する。

個々の着色膜４１Ｂは、各第２サブ画素Ｄ２内に、矢印Ｂ方向から見て長方形又は正方
形のドット状（すなわち、島状）に形成されている。また、着色膜４１Ｂは複数個が矢印
Ｂ方向から見て行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に配列されている。

着色膜４１Ｂの個々はＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の１つを通過させる光学的特性に
設定され、それらＲ，Ｇ，Ｂの着色膜４１Ｂが矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばス
トライプ配列、モザイク配列、デルタ配列で並べられている。着色膜４１Ｂの光学的特性
はＲ，Ｇ，Ｂの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３
原色を通過させる特性とすることもできる。

帯状電極４３Ｂは、例えば、ＩＴＯをフォトエッチング処理によって所定の帯形状にパ
ターニングして形成される。１本の帯状電極４３Ｂは、図５に示すように、行方向Ｘ（図
５の左右方向）に延びている。そして、複数の帯状電極４３Ｂが列方向Ｙ（図５の上下方
向）に所定間隔をおいて互いに平行に並べられている。

基板４上において行方向Ｘに並ぶ複数のドット状の画素電極２５Ｂと、基板５上におい
て行方向Ｘへ延びる帯状電極４３Ｂとは、平面的に重なっている。このように両電極が重
なることにより、表示のための最小単位である第２サブ画素Ｄ２が構成されている。そし
て、図１において、複数の第２サブ画素Ｄ２がＸＹ平面内で行方向Ｘ及び列方向Ｙにマト
リクス状に並ぶことにより、基板５の外側（矢印Ｂが描かれた側）に第２表示領域Ｖ２が
形成され、この第２表示領域Ｖ２内に文字、数字、図形等の像が表示される。

第２表示領域Ｖ２においても、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色から成る着色膜４１Ｂを用いてカラー
表示を行う場合は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応する３つの着色膜４１Ｂに対応する３つの第
２サブ画素Ｄ２によって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラ
ー表示を行う場合は、１つの第２サブ画素Ｄ２によって１つの画素が形成される。

図３において、第１サブ画素Ｄ１内に設けられた光反射膜２４は第２サブ画素Ｄ２内に
は設けられていない。このように、光反射膜が存在しない第２サブ画素Ｄ２が透過表示領
域Ｔである。照明装置３から出射した光Ｌ１及びＬ２は、矢印Ａ側から液晶パネル２に供
給され、透過表示領域Ｔである第２サブ画素Ｄ２を透過する。

本実施形態において、反射表示領域Ｒである第１サブ画素Ｄ１内のＴＦＴ素子２１Ａ上
には保護膜２２及び凹凸樹脂膜２３から成る液晶層厚調整用の樹脂膜としての層間絶縁膜
が設けられている。一方、透過表示領域である第２サブ画素Ｄ２内のＴＦＴ素子２１Ｂ上
には層間絶縁膜は設けられていない。そのため、第１サブ画素Ｄ１内の液晶層７の層厚ｔ
１と、第２サブ画素Ｄ２内の液晶層７の層厚ｔ２とは、
ｔ１＜ｔ２
の関係になっている。望ましくはｔ１＝ｔ２／２になっている。このような液晶層７の層
厚の調整は、反射表示領域Ｒである第１サブ画素Ｄ１内で光Ｌ０が液晶層７を２回通過す
る反射表示の場合と、透過表示領域Ｔである第２サブ画素Ｄ２内で光Ｌ１が液晶層７を１
回しか通過しない透過表示の場合とで、液晶層７のリタデーション（Δｎｄ）を均一にし
て鮮明な表示を得るために行われるものである。但し、“Δｎ”は屈折率異方性、“ｄ”
は液晶層厚を示している。

次に、図１において、基板５を構成する第２透光性基板５ａは基板４の外側へ張り出す
張出し部４５Ａを有している。この張出し部４５Ａの表面には、配線４６Ａがフォトエッ
チング処理等によって形成されている。配線４６Ａは矢印Ａ方向から見て複数本形成され
ており、それらの複数本が紙面垂直方向に沿って互いに間隔を空けて並べられている。ま
た、張出し部４５Ａの辺端には複数の外部接続用端子４７Ａが紙面垂直方向に沿って互い
に間隔を空けて並ぶように形成されている。これらの外部接続用端子４７Ａが設けられた
張出し部４５Ａの辺端に、例えば、ＦＰＣ基板（図示せず）が接続される。

図２において、複数の配線４６Ａは、シール材６に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに
延びるように形成されている。これらの配線４６Ａの一部は、基板５上のソース線１９Ａ
に直接に繋がってデータ線として機能する。また、複数の配線４６Ａの他の一部は、シー
ル材６によって囲まれた領域内で基板５の側辺に沿ってＹ方向に延びるように形成され、
さらに折れ曲って行方向Ｘに延びるパターンとして形成されている。このパターンの配線
４６Ａは、基板５上のゲート線２０Ａに直接に繋がって走査線として機能する。

張出し部４５Ａの表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）
４８Ａを用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ４９Ａが実装されて
いる。駆動用ＩＣ４９Ａは、ソース線１９Ａへデータ信号を伝送し、ゲート線２０Ａへ走
査信号を伝送する。ソース線１９Ａとゲート線２０Ａが接続されたスイッチング素子群で
ある複数のＴＦＴ素子２１Ａは、駆動用ＩＣ４９Ａを用いて駆動される。すなわち、ＴＦ
Ｔ素子２１Ａが備えられた複数の第１サブ画素Ｄ１は、駆動用ＩＣ４９Ａによって駆動さ
れる。駆動用ＩＣ４９Ａは１つのＩＣチップで形成しても良いし、必要に応じて複数のＩ
Ｃチップで形成しても良い。駆動用ＩＣ４９Ａを複数のＩＣチップによって構成する場合
には、それらのＩＣチップは張出し部４５Ａ上で図２の左右方向に並べて実装される。

他方、図１において、基板４を構成する第１透光性基板４ａは基板５の外側へ張り出す
張出し部４５Ｂを有している。この張出し部４５Ｂの表面には、配線４６Ｂがフォトエッ
チング処理等によって形成されている。配線４６Ｂは矢印Ａ方向から見て複数本形成され
ており、それらの複数本が紙面垂直方向に沿って互いに間隔を空けて並べられている。ま
た、張出し部４５Ｂの辺端には複数の外部接続用端子４７Ｂが紙面垂直方向に沿って互い
に間隔を空けて並ぶように形成されている。これらの外部接続用端子４７Ｂが設けられた
張出し部４５Ｂの辺端に、例えば、ＦＰＣ基板（図示せず）が接続される。

図２において、複数の配線４６Ｂは、シール材６に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに
延びるように形成されている。これらの配線４６Ｂの一部は、基板４上のソース線１９Ｂ
に直接に繋がってデータ線として機能する。また、複数の配線４６Ｂの他の一部は、シー
ル材６によって囲まれた領域内で基板４の側辺に沿ってＹ方向に延びるように形成され、
さらに折れ曲って行方向Ｘに延びるパターンとして形成されている。このパターンの配線
４６Ｂは、基板４上のゲート線２０Ｂに直接に繋がって走査線として機能する。

張出し部４５Ｂの表面には、ＡＣＦ４８Ｂを用いたＣＯＧ技術によって、駆動用ＩＣ４
９Ｂが実装されている。駆動用ＩＣ４９Ｂは、ソース線１９Ｂへデータ信号を伝送し、ゲ
ート線２０Ｂへ走査信号を伝送する。ソース線１９Ｂとゲート線２０Ｂが接続されたスイ
ッチング素子群である複数のＴＦＴ素子２１Ｂは、駆動用ＩＣ４９Ｂを用いて駆動される
。すなわち、ＴＦＴ素子２１Ｂが備えられた複数の第２サブ画素Ｄ２は、駆動用ＩＣ４９
Ｂによって駆動される。駆動用ＩＣ４９Ｂは１つのＩＣチップで形成しても良いし、必要
に応じて複数のＩＣチップで形成しても良い。

次に、図３において、照明装置３の発光層１３を含む発光部Ｅは、第２サブ画素Ｄ２に
対応する位置に設けられている。この発光部Ｅは第１サブ画素Ｄ１に対応する位置には設
けられていない。従って、発光層１３から発光された光は、基板１２の光出射面１２ａ（
図１参照）のうちの発光部Ｅに対応する領域から液晶パネル２の第２サブ画素Ｄ２へ向け
て出射される。

以上のように構成された図１の液晶装置１によれば、矢印Ａが描かれた主観察側では、
太陽光や室内光等といった外部光を用いて第１サブ画素Ｄ１によって反射型の表示が行わ
れる。一方、矢印Ｂが描かれた副観察側では、照明装置３を用いて第２サブ画素Ｄ２によ
って透過型の表示が行われる。

主観察側において反射型の表示が行われる場合には、図３において、矢印Ａの方向から
基板４を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０が、液晶層７を通過して基板５内へ
入った後、第１サブ画素Ｄ１内において光反射膜２４で反射して再び液晶層７へ供給され
る。このように液晶層７へ光が供給される間、基板５の画素電極２５Ａと基板４の帯状電
極４３Ａとの間には、走査信号及びデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され
、液晶層７内の液晶分子の配向が第１サブ画素Ｄ１ごとに制御される。この結果、液晶層
７に供給された光が第１サブ画素Ｄ１ごとに変調される。この変調された光が、基板４の
偏光板８ａ（図１参照）を通過するとき、その偏光板８ａの偏光特性により第１サブ画素
Ｄ１ごとに通過を規制され、基板４の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、
これが、矢印Ａ方向から視認される。

他方、副観察側において透過型の表示が行われる場合には、図３において、照明装置３
の発光層１３が点灯すると、当該発光層１３からの白色光Ｌ１が透光性電極１４及び基板
１２を通って光出射面１２ａ（図１参照）から出射される。また、発光層１３からの光の
うちの基板１１方向へ向けて出射された白色光Ｌ２は、基板１１上の反射電極１５で反射
して、発光層１３、透光性電極１４及び基板１２を通って光出射面１２ａから出射される
。これらの出射光Ｌ１及びＬ２は矢印Ａ方向から基板４を透過して液晶パネル２内へ入射
して液晶層７へ供給される。

このように液晶層７へ光が供給される間、基板４の画素電極２５Ｂと基板５の帯状電極
４３Ｂとの間には、走査信号及びデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、
液晶層７内の液晶分子の配向が第２サブ画素Ｄ２ごとに制御される。この結果、液晶層７
に供給された光が第２サブ画素Ｄ２ごとに変調される。この変調された光が、基板５の偏
光板８ｂ（図１参照）を通過するとき、その偏光板８ｂの偏光特性により第２サブ画素Ｄ
２ごとに通過を規制され、基板５の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、こ
れが、矢印Ｂ方向から視認される。なお、発光層１３が発光する光Ｌ１及びＬ２は白色光
であり、これらの光Ｌ１，Ｌ２が着色膜４１Ｂを透過することにより、光Ｌ１，Ｌ２にお
ける特定波長の光が選択され、その結果カラー表示を行うことができる。

また、反射型表示が行われる第１サブ画素Ｄ１と透過型表示が行われる第２サブ画素Ｄ
２とは、それぞれが個別に駆動される。具体的には、図２において、個々の第１サブ画素
Ｄ１に設けられたＴＦＴ素子２１Ａを駆動用ＩＣ４９Ａを用いて駆動することにより、複
数の第１サブ画素Ｄ１が駆動される。一方、個々の第２サブ画素Ｄ２に設けられたＴＦＴ
素子２１Ｂを駆動用ＩＣ４９Ｂを用いて駆動することにより、複数の第２サブ画素Ｄ２が
駆動される。

以上のようにして、本実施形態に係る液晶装置では、図１の液晶パネル２において、矢
印Ａが描かれた主観察側と矢印Ｂが描かれた副観察側の両側で別々の駆動によって表示を
行うことができる。この液晶装置１では、複数の第１サブ画素Ｄ１を用いて基板４の表面
Ｓ１に画像を表示し、複数の第２サブ画素Ｄ２を用いて基板５の表面Ｓ２に画像を表示す
るので、両面表示が可能な液晶装置を、基板４と基板５の２枚の基板から成る１つの液晶
パネル２を用いて形成できる。その結果、従来のように２つの液晶パネルを用いて表面と
裏面とで両面表示を行う液晶装置に比べて、液晶装置の全体の厚さを薄く形成できる。

また、個々の第２サブ画素Ｄ２に対応した位置に発光部Ｅを設けたので、基板５の表面
Ｓ２において発光部Ｅの発光層１３からの光Ｌ１及びＬ２を用いて明るい表示を行うこと
ができる。

なお、本実施形態では、図４に示すように、第１サブ画素Ｄ１と第２サブ画素Ｄ２とを
互いに異なる大きさに形成している。具体的には、個々の第１サブ画素Ｄ１の面積を個々
の第２サブ画素の面積より大きく形成している。一般に、両面表示を行う液晶装置では、
一方の表示面で主となる表示を行い、他方の表示面で副次的な表示を行っている。この場
合、副次的な表示に比べて主となる表示の精細度を高くすることが望ましいと考えられる
。本実施形態に係る液晶装置では、個々の第１サブ画素Ｄ１の面積を個々の第２サブ画素
の面積より大きく形成しているので、基板５の表面であって副次的な表示を行う第２表示
面Ｓ２における表示の精細度に比べて、基板４の表面であって主となる表示を行う第１表
示面Ｓ１における表示の精細度を高くすることができる。

また、本実施形態では、図２に示すように、行方向Ｘ（すなわち、図２の左右方向）に
関して、第１サブ画素Ｄ１同士を互いに隣り合って配列し、第２サブ画素Ｄ２同士も互い
に隣り合って配列している。そして列方向Ｙ（すなわち、図２の上下方向）に関しては、
第１サブ画素Ｄ１と第２サブ画素Ｄ２とを交互に配列している。これにより、第１サブ画
素Ｄ１及び第２サブ画素Ｄ２を、図１の表示領域Ｖ１及び表示領域Ｖ２の平面領域内に効
率良く配列できる。その結果、表示領域Ｖ１及び表示領域Ｖ２がＸＹ平面内で片寄ること
がなくなるので、それらの表示領域Ｖ１及びＶ２を広く形成できる。

（液晶装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置の他の実施形態を説明する。図８は、本実施形態の液晶装
置５１の断面構造を示している。また、図９は、図８の矢印Ｂに従った平面構造を示して
いる。なお、図８は、図９のＺ６−Ｚ６線に従って示す断面図である。また、図１０は、
図８の矢印Ｚ７で示す部分を拡大して示している。また、図１１及び図１２は、図９にお
いて矢印Ｚ８で示す部分を拡大して示している。なお、図１１は、図１０の矢印Ａ方向か
ら、主に基板５５の平面構造を示している。また、図１２は、図１０の矢印Ｂ方向から、
主に基板５４の平面構造を示している。

この実施形態に係る図９の液晶装置５１の構成は、シール材６によって囲まれた内側の
領域における第１サブ画素Ｄ１及び第２サブ画素Ｄ２の構成及び配列を除いて、図２に示
した液晶装置１と略同じである。以下、主に第１サブ画素Ｄ１と第２サブ画素Ｄ２の構成
及び配列に関する内容を中心に液晶装置５１について説明する。なお、図９に示す本実施
形態は図２に示した先の実施形態と同じ構成要素を有しており、同じ構成要素は同じ符号
を付して示すことにして、その説明は省略する。

図８において、液晶装置５１は、液晶パネル５２と、照明装置５３とを有している。こ
の液晶装置５１に関しては、矢印Ａが描かれた側が主たる表示が行われる主観察側であり
、矢印Ｂが描かれた側が副次的な表示が行われる副観察側である。すなわち、本実施形態
の液晶装置５１は、矢印Ａ側と矢印Ｂ側の両面において表示を行う両面表示型の液晶パネ
ル５２から成る液晶装置である。

液晶パネル５２は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形で環状のシール材６によって
互いに貼り合わされた一対の基板５４及び５５を有する。基板５４は矢印Ａが描かれた主
観察側に配置され、その基板５４の外側の表面に第１の表示面Ｓ１が形成される。他方、
基板５５は矢印Ｂが描かれた副観察側に配置され、その基板５５の外側に第２の表示面Ｓ
２が形成される。

照明装置５３は、第４基板としての基板１１及び第３基板としての基板１２を有する。
基板１１及び基板１２は一対の透光性の基板である。この照明装置５３は、液晶パネル２
の主観察側、すなわち、基板５４の矢印Ａが描かれた側に基板１２が対向して配置されて
いる。この照明装置５３は図３に示す照明装置３と同じ構成である。すなわち、基板１１
の内側の表面に複数の反射電極１５が矢印Ａ方向から見て所定の配列で並べられ、基板１
２の内側の表面に透光性の電極１４及び有機発光層１３が設けられている。これらの透光
性電極１４及び有機発光層１３は、基板１１上の反射電極１５に平面的に重なる位置に設
けられている。このように反射電極１５、透光性電極１４及び有機発光層１３が平面的に
重なって発光部Ｅを形成している。また、基板１１と基板１２の間であって、発光部Ｅ以
外の領域には、透光性を有した樹脂層１６が形成されている。

液晶パネル５２には、図９に示すように、複数の第１サブ画素領域Ｄ１と複数の第２サ
ブ画素領域Ｄ２とが設けられている。第１サブ画素Ｄ１及び第２サブ画素Ｄ２は、複数個
が互いに平面的に並んで設けられている。第１サブ画素Ｄ１は、図９において斜線で示さ
れた領域である。

本実施形態の液晶装置５１は、図２の液晶装置１に対して、第１サブ画素Ｄ１と第２サ
ブ画素Ｄ２の構成及び配列が異なっている。具体的には、第２方向としての列方向Ｙ（す
なわち、図９の上下方向）に関しては、第１サブ画素Ｄ１同士が互いに隣り合って配置さ
れている。また、第２サブ画素Ｄ２同士も互いに隣り合って配置されている。他方、第１
方向としての行方向Ｘ（すなわち、図９の左右方向）に関しては、第１サブ画素Ｄ１と第
２サブ画素Ｄ２とが交互に配置されている。つまり、列方向Ｙに沿って並べられた複数の
第１サブ画素Ｄ１の列と、同じく列方向Ｙに沿って並べられた複数の第２サブ画素Ｄ２の
列とが、行方向Ｘに沿って交互に配置されている。

図１０において、第１サブ画素Ｄ１内における液晶パネル５２の内部の層構造は、図３
に示す液晶パネル２における第１サブ画素Ｄ１内の構造と同じである。具体的には、図１
０に示すように、第２透光性基板５ａの内側表面に、ソース線１９Ａが列方向Ｙ（すなわ
ち、図１０の紙面垂直方向）に延びている。また、ゲート線２０Ａが行方向Ｘ（すなわち
、図１０の左右方向）に延びている。そして、ＴＦＴ素子２１Ａがソース線１９Ａ及びゲ
ート線２０Ａに接続して形成されている。本実施形態の液晶装置５１に用いられるＴＦＴ
素子２１Ａは、図１１のＺ９−Ｚ９線に従った断面の構造が図６に示す先の実施形態にお
けるＴＦＴ素子２１Ａと同じであり、その詳細な説明は省略する。

それらのＴＦＴ素子２１Ａ、ソース線１９Ａ及びゲート線２０Ａの上に、それらを覆う
保護膜２２が形成され、その上に絶縁膜としての凹凸樹脂膜２３が形成され、その上に光
反射膜２４が形成され、その上に透光性の電極である画素電極２５Ａが形成され、その上
に配向膜２６ｂが形成されている。

光反射膜２４及び画素電極２５Ａは、図９において、基板５５上に行方向Ｘ及び列方向
Ｙに沿ってマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜２４及び画素電極２５Ａは
、矢印Ｚ８で示す部分を拡大した図１１にも示すように、各ソース線１９Ａと各ゲート線
２０Ａとが交差する位置の近傍に設けられていて、個々のＴＦＴ素子２１Ａに接続されて
いる。また、図１０において、保護膜２２及び凹凸樹脂膜２３には、画素電極２５ＡとＴ
ＦＴ素子２１Ａとを電気的に接続するための開口部として貫通穴であるコンタクトホール
２７が形成されている。このコンタクトホール２７は、矢印Ａ方向から平面的に見てＴＦ
Ｔ素子２１Ａの素子本体部分に重ならない位置であって、画素電極２５Ａと重なる位置に
形成される。

次に、第１サブ画素Ｄ１内の基板５５に対向する第１透光性基板４ａの内側表面には、
カラーフィルタを構成する着色膜４１Ａが形成され、その着色膜４１Ａの上にオーバーコ
ート膜４２Ａが形成され、その上に透光性の電極である帯状電極４３Ａが形成され、その
上に配向膜２６ａが形成されている。

本実施形態において帯状電極４３Ａは、図１１に示すように、列方向Ｙ（図１１の上下
方向）に延びている。そして、複数の帯状電極４３Ａが行方向Ｘ（図１１の左右方向）に
所定間隔をおいて互いに平行に並べられている。基板５５上において列方向Ｙに並ぶ複数
のドット状の画素電極２５Ａと、基板５４上において列方向Ｙへ延びる帯状電極４３Ａと
は、平面的に重なっている。このように両電極が重なることにより、表示のための最小単
位である第１サブ画素Ｄ１が構成されている。そして、図８において、複数の第１サブ画
素Ｄ１がＸＹ平面内で行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、基板５４
の外側（矢印Ａが描かれた側）に第１表示領域Ｖ１が形成され、この第１表示領域Ｖ１内
に文字、数字、図形等の像が表示される。

次に、図１０において、第２サブ画素Ｄ２内における液晶パネル５２の内部の層構造は
、図３に示す液晶パネル２における第２サブ画素Ｄ２内の構造と同じである。具体的には
、図１０に示すように、第１透光性基板４ａの内側表面にソース線１９Ｂが列方向Ｙ（す
なわち、図１０の紙面垂直方向）に延びている。また、ゲート線２０Ｂが行方向Ｘ（すな
わち、図１０の左右方向）に延びている。そして、ＴＦＴ素子２１Ｂがソース線１９Ｂ及
びゲート線２０Ｂに接続して形成されている。ＴＦＴ素子２１Ｂは、図１２におけるＺ１
０−Ｚ１０線に従った断面の構造が図７に示すＴＦＴ素子２１Ｂと同じであり、その詳細
な説明は省略する。

ＴＦＴ素子２１Ｂには画素電極２５Ｂが電気的に接続されている。この画素電極２５Ｂ
は、図９において、基板５４上に行方向Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に複数形成
される。これらの画素電極２５Ｂは、矢印Ｚ８で示す部分を拡大した図１２にも示すよう
に、各ソース線１９Ｂと各ゲート線２０Ｂとが交差する位置の近傍に設けられていて、個
々のＴＦＴ素子２１Ｂに接続されている。

具体的には、画素電極２５Ｂの一部分が、ＴＦＴ素子２１Ｂのドレイン電極３６の一端
に平面的に重なる位置に形成されている。この画素電極２５Ｂは、例えばＩＴＯをフォト
エッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。その画素電極２
５Ｂの上に配向膜２６ａが形成されている。

次に、図１０において、第２サブ画素Ｄ２内であって、基板５４に対向する第２透光性
基板５ａの内側表面には、着色膜４１Ｂが形成され、その着色膜４１Ｂの上にオーバーコ
ート膜４２Ｂが形成され、その上に透光性の電極である帯状電極４３Ｂが形成され、その
上に配向膜２６ｂが形成されている。

本実施形態において、帯状電極４３Ｂは、図１２に示すように、列方向Ｙ（図１２の上
下方向）に延びている。そして、複数の帯状電極４３Ｂが行方向Ｘ（図１２の左右方向）
に所定間隔をおいて互いに平行に並べられている。基板５４上において列方向Ｙに並ぶ複
数のドット状の画素電極２５Ｂと、基板５５上において列方向Ｙへ延びる帯状電極４３Ｂ
とは、平面的に重なっている。このように両電極が重なることにより、表示のための最小
単位である第２サブ画素Ｄ２が構成されている。そして、図８において、複数の第２サブ
画素Ｄ２がＸＹ平面内で行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、基板５
５の外側（矢印Ｂが描かれた側）に第２表示領域Ｖ２が形成され、この第２表示領域Ｖ２
内に文字、数字、図形等の像が表示される。

次に、図１０において、照明装置５３の発光層１３を含む発光部Ｅは、第２サブ画素Ｄ
２に対応する位置に設けられている。この発光部Ｅは第１サブ画素Ｄ１に対応する位置に
は設けられていない。従って、発光層１３から発光された光は、基板１２の光出射面１２
ａ（図８参照）のうちの発光部Ｅに対応する領域から液晶パネル２の第２サブ画素Ｄ２へ
向けて出射される。

本実施形態に係る図９の液晶装置５１においても、図８の液晶パネル５２において、矢
印Ａが描かれた主観察側と矢印Ｂが描かれた副観察側の両側で表示を行うことができる。
この液晶装置５１では、複数の第１サブ画素Ｄ１を用いて基板５４の表面に画像を表示し
、複数の第２サブ画素Ｄ２を用いて基板５５の表面に画像を表示するので、両面表示が可
能な液晶装置を、基板５４と基板５５の２枚の基板から成る１つの液晶パネル５２を用い
て形成できる。その結果、従来のように２つの液晶パネルを用いて表裏両面の表示を行う
液晶装置に比べて、液晶装置の全体の厚さを薄く形成できる。

また、個々の第２サブ画素Ｄ２に対応した位置に発光部Ｅを設けたので、基板５５の表
面Ｓ２において発光部Ｅの発光層１３からの光Ｌ１及びＬ２を用いて明るい表示を行うこ
とができる。

なお、本実施形態においても、図１１に示すように、第１サブ画素Ｄ１と第２サブ画素
Ｄ２とを互いに異なる大きさに形成している。具体的には、個々の第１サブ画素Ｄ１の面
積を個々の第２サブ画素の面積より大きく形成している。これにより、基板５５の表面で
あって副次的な表示を行う第２表示面Ｓ２における表示の精細度に比べて、基板５４の表
面であって主となる表示を行う第１表示面Ｓ１における表示の精細度を高くすることがで
きる。

また、本実施形態では、図９に示すように、列方向Ｙ（すなわち、図９の上下方向）に
関して、第１サブ画素Ｄ１同士を互いに隣り合って配列し、第２サブ画素Ｄ２同士も互い
に隣り合って配列している。そして行方向Ｘ（すなわち、図９の左右方向）に関しては、
第１サブ画素Ｄ１と第２サブ画素Ｄ２とを交互に配列している。これにより、第１サブ画
素Ｄ１及び第２サブ画素Ｄ２を、図８の表示領域Ｖ１及び表示領域Ｖ２の平面領域内に効
率良く配列できる。その結果、表示領域Ｖ１及び表示領域Ｖ２がＸＹ平面内で片寄ること
がなくなるので、それらの表示領域Ｖ１及びＶ２を広く形成できる。

（液晶装置の第３実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態を説明する。図１３は、本実施形態
の液晶装置６１のうちの第１サブ画素Ｄ１と第２サブ画素Ｄ２とが隣接する部分の断面構
造を示している。本実施形態に係る図１３の液晶装置６１の全体的な構成は、照明装置６
３及び第２サブ画素Ｄ２内の液晶パネル６２の構造を除いて、図３に示した第１実施形態
の液晶装置１と同じである。以下、第２サブ画素Ｄ２内の液晶パネル６２の構造に関する
内容を中心に液晶装置６１について説明する。なお、図１３に示す本実施形態は図３に示
した先の実施形態と同じ構成要素を有しており、同じ構成要素は同じ符号を付して示すこ
とにして、その説明は省略する。

図１３において、液晶装置６１は、液晶パネル６２と、照明装置６３とを有している。
この液晶装置６１に関しては、矢印Ａが描かれた側が主たる表示が行われる主観察側であ
り、矢印Ｂが描かれた側が副次的な表示が行われる副観察側である。すなわち、本実施形
態の液晶装置６１は、矢印Ａ側と矢印Ｂ側の両面において表示を行う両面表示型の液晶パ
ネル６２から成る液晶装置である。

図１３の液晶装置６１において、第１サブ画素Ｄ１内における液晶パネル６２の構成は
、図３の液晶パネル２と同じである。図３の液晶パネル２において、第２サブ画素Ｄ２内
の基板５ａ上には、ゲート絶縁膜３２を全面に設け、その上に着色膜４１Ｂ及びオーバー
コート膜４２Ｂを設けている。これに対し図１３に示す液晶パネル６２では、第２サブ画
素Ｄ２内の基板５ａ上に着色膜及びオーバーコート膜を設けていない。すなわち、第２サ
ブ画素Ｄ２内の基板５ａ上のゲート絶縁膜３２上には帯状電極４３Ｂのみが設けられてい
る。

次に、照明装置６３の構成は、発光層７３を除いて図３の照明装置３と同じである。図
３において、発光層１３は白色光を発光するものである。これに対し、図１３において、
発光層７３は着色光を発光するものである。

上記のように、第２サブ画素Ｄ２内の基板６５に着色膜を設けず、第２サブ画素Ｄ２内
に光を供給する照明装置６３の発光層７３から着色光を発光すれば、図３に示す液晶装置
１と同じく、第２サブ画素Ｄ２を用いた表示、すなわち透過型の表示においてカラー表示
を行うことができる。

なお、本実施形態において、図１３の発光層７３が発する光の色は、当該発光層７３が
設けられた第２サブ画素Ｄ２に隣接する第１サブ画素Ｄ１内に設けられた着色膜４１Ａと
同じ色である。仮に、着色膜４１ＡがＢ（青色）である場合には、発光層７３が発する光
Ｌ３及びＬ４はＢ（青色）である。また、着色膜４１ＡがＧ（緑色）である場合には、発
光層７３が発する光Ｌ３及びＬ４はＧ（緑色）である。また、着色膜４１ＡがＲ（赤色）
である場合には、発光層７３が発する光Ｌ３及びＬ４はＲ（赤色）である。

このように、互いに隣接する第１サブ画素Ｄ１と第２サブ画素Ｄ２との間で、発光層７
３が発する光の色と着色膜４１Ａの色とを同じにすれば、第１サブ画素Ｄ１を用いて表示
を行う主観察側Ａと第２サブ画素Ｄ２を用いて表示を行う副観察側Ｂとで、サブ画素の色
の構成を同じにすることができる。

（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定さ
れるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、上記の各実施形態では、第１表示領域Ｖ１における表示を反射型の表示とし、
第２表示領域Ｖ２における表示を透過型の表示としている。しかしながら、それとは逆に
、第１表示領域Ｖ１における表示を透過型とし、第２表示領域Ｖ２における表示を反射型
とすることもできる。

また、上記の各実施形態では、スイッチング素子として３端子型のスイッチング素子で
あるＴＦＴ素子であってチャネルエッチ型でシングルゲート構造のアモルファスシリコン
ＴＦＴ素子を用いる液晶装置に本発明を適用した。しかしながら本発明は、他の構造のア
モルファスシリコンＴＦＴ素子を用いる液晶装置にも適用できる。また、本発明は、アモ
ルファスシリコンＴＦＴ素子以外のＴＦＴ素子、例えば高温ポリシリコンＴＦＴ素子や、
低温ポリシリコンＴＦＴ素子等をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス方
式の液晶装置にも適用できる。

また、本発明は、スイッチング素子として２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（
Thin Film Diode）素子を用いる液晶装置にも適用できる。

また、上記の各実施形態では、図３及び図１０に示すように、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色の着色
膜４１Ａ又はＲ，Ｇ，Ｂの３色の着色膜４１Ｂを用いてフルカラー表示を行うことができ
る液晶装置に本発明を適用した。しかしながら、本発明は、１色の着色膜を用いてモノカ
ラー表示を行う液晶装置に適用することもできる。また、着色膜を用いていない構成であ
って白黒表示を行う液晶装置に適用することもできる。

また、上記の各実施形態では、スイッチング素子を用いたアクティブマトリクス方式の
液晶装置に本発明を適用した。しかしながら、本発明は、スイッチング素子を用いない構
成であるパッシブマトリクス方式の液晶装置に適用することもできる。

（電子機器の実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発
明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。

図１４は、本発明に係る電子機器の一実施形態をブロック図で示している。また、図１
５は、図１４のブロック図で示す電子機器の一例である折り畳み式携帯電話機を示してい
る。図１４に示す電子機器は、液晶装置１０１と、これを制御する制御回路１０２とを有
する。制御回路１０２は、表示情報出力源１０５、表示情報処理回路１０６、電源回路１
０７及びタイミングジェネレータ１０８を有する。そして、液晶装置１０１は液晶パネル
１０３、照明装置１００、第１駆動回路１０４Ａ及び第２駆動回路１０４Ｂを有する。

表示情報出力源１０５は、ＲＯＭ(Read Only Memory)やＲＡＭ(Random Access Memory)
等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信
号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０８により生成される各
種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情
報処理回路１０６に供給する。

次に、表示情報処理回路１０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ
補正回路や、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を
実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０４Ａ又は１０４Ｂへ供給す
る。ここで、駆動回路１０４Ａ及び１０４Ｂは、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共
に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０７は、上記の各構成要素に所
定の電源電圧を供給する。

図１４のブロック図に示した電子機器は、例えば、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示
した折り畳み式の携帯電話機１１０として構成される。この携帯電話機１１０では、液晶
パネル１０１を備えた表示体１１２がヒンジ部１１４を介して操作本体１１３に開閉可能
に連結されている。液晶パネル１０１は表と裏の両面で表示を行うことができる液晶パネ
ルである。液晶パネル１０１は、表示体１１２を開いたときに、主の表示を行うメイン表
示部１１５として動作する。一方、表示体１１２を操作本体１１３に折り重ねたときには
、副次的な表示を行うサブ表示部１１６として動作する。

ここで、メイン表示部１１５及びサブ表示部１１６のいずれで表示を行うかは、携帯電
話機１１０の折り畳み操作で切替えられる。このため、図１４に示すように、この電子機
器には、携帯電話機１１０の折り畳み操作を検出する開閉検出回路１０９が含まれる。こ
の開閉検出回路１０９はその検出結果を液晶装置１０１に出力するようになっている。

図１４の液晶装置１０１は、例えば、図２に示した液晶装置１又は図９に示した液晶装
置５１を用いて構成できる。液晶装置１，５１においては、複数の第１サブ画素Ｄ１を用
いて基板４，５４の表面に画像を表示し、複数の第２サブ画素Ｄ２を用いて基板５，５５
の表面に画像を表示できるので、基板４，５４と基板５，５５の２枚の基板から成る１つ
の液晶パネル２，５２で両面表示を行うことができる。その結果、従来のように２つの液
晶パネルを用いて表裏両面の表示を行う液晶装置に比べて、液晶装置の全体の厚さを薄く
形成できる。従って、この液晶装置を用いた図１５（ａ）及び図１５（ｂ）で示す携帯電
話機１１０もその全体の厚さを薄く形成できる。なお、本実施形態においては、図１５の
液晶パネル１０１を図１の液晶装置１又は図８の液晶装置５１を用いて構成するので、図
１５において液晶パネル１０１がサブ表示部１１６として動作するとき、図１４の照明装
置１００が点灯して液晶パネル１０１に光が供給される。

（変形例）
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュ
ータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カー
ナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーショ
ン、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。

本発明に係る液晶装置の一実施形態を示す断面図である。 図１の矢印Ａに従って示す平面図である。 図１の矢印Ｚ２で示す部分を拡大して示す断面図である。 図３の矢印Ａ方向から図２の矢印Ｚ３で示す部分を拡大して示す平面図である。 図３の矢印Ｂ方向から図２の矢印Ｚ３で示す部分を拡大して示す平面図である。 図４のＺ４−Ｚ４線に従う断面図である。 図５のＺ５−Ｚ５線に従う断面図である。 本発明に係る液晶装置の他の実施形態を示す断面図である。 図８の矢印Ｂに従って示す平面図である。 図８の矢印Ｚ７で示す部分を拡大して示す断面図である。 図１０の矢印Ａ方向から図９の矢印Ｚ８で示す部分を拡大して示す平面図である。 図１０の矢印Ｂ方向から図９の矢印Ｚ８で示す部分を拡大して示す平面図である。 本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の要部を示す断面図である。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。 図１４に示す電子機器の外観を示す図であって、（ａ）は閉じた状態を示し、（ｂ）は開いた状態を示している。

符号の説明

１，５１，６１．液晶装置、 ２，５２，６２．液晶パネル、
３，５３，６３．照明装置（照明手段）、
４，５４，６４．基板、 ４ａ．第１透光性基板（第１基板）、
５，５５，６５．基板、 ５ａ．第２透光性基板（第２基板）、 ６．シール材、
７．液晶層、 ８ａ，８ｂ．偏光板、 １１．基板（第３基板）、
１２．基板（第４基板）、 １２ａ．光出射面、 １３．有機発光層（発光層）、
１４．透光性電極、 １５．反射電極、 １６．樹脂層、１９Ａ，１９Ｂ．ソース線、
２０Ａ，２０Ｂ．ゲート線、 ２１Ａ，２１Ｂ．ＴＦＴ素子、 ２２．保護膜、
２３．凹凸樹脂膜、 ２４．光反射膜、 ２５Ａ，２５Ｂ．画素電極（透光性の電極）、
２６ａ，２６ｂ．配向膜、 ２７．コンタクトホール、 ３１．ゲート電極、
３１ａ．第１電極、 ３２．ゲート絶縁膜、 ３３．半導体膜、
３４ａ，３４ｂ．Ｎ＋−Ｓｉ膜、 ３５．ソース電極、 ３６．ドレイン電極、
３７．補助容量、 ４１Ａ，４１Ｂ．着色膜、 ４２Ａ，４２Ｂ．オーバーコート膜、
４３Ａ，４３Ｂ．帯状電極（透光性の電極）、 ４５Ａ，４５Ｂ．張出し部、
４６Ａ，４６Ｂ．配線、 ４７Ａ，４７Ｂ．外部接続用端子、
４８Ａ，４８Ｂ．ＡＣＦ、 ４９Ａ，４９Ｂ．駆動用ＩＣ、 １００．照明装置、
１０１．液晶装置、 １０２．制御回路、 １０３．液晶パネル、
１０４Ａ．第１駆動回路、 １０４Ｂ．第２駆動回路、
１１０．携帯電話機（電子機器）、 １１２．表示体、 １１３．操作本体、
１１４．ヒンジ部、 １１５．メイン表示部、 １１６．サブ表示部、
Ｄ１．第１サブ画素、 Ｄ２．第２サブ画素、 Ｅ．発光部、 Ｇ．セルギャップ、
Ｌ０．外部光、 Ｌ１，Ｌ２．白色光、 Ｌ３，Ｌ４．着色光、 Ｓ１．主表示面、
Ｓ２．副表示面、 Ｖ１．第１表示領域、 Ｖ２．第２表示領域

Claims (10)

1. 互いに対向する第１基板と第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、
   前記第２基板に選択的に設けられるとともに、前記第１基板側から入射した光を反射させて前記第１基板から出射させる光反射膜と、
   前記第２基板の前記光反射膜が設けられていない領域に対応して、前記第１基板の前記液晶層側とは反対側に設けられるとともに、前記第２基板へ向けて発光して前記第２基板から出射させる発光層と、を備え、
   前記発光層に重なる領域の前記液晶層を駆動するための、第１画素電極と当該第１画素電極に電気的に接続された第１スイッチング素子とが前記第１基板に形成され、
   前記光反射膜に重なる領域の前記液晶層を駆動するための、第２画素電極と当該第２画素電極に電気的に接続された第２スイッチング素子とが前記第２の基板に形成されることを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１記載の液晶装置において、互いに交差する第１方向と第２方向に配列された複数のサブ画素を備え、該複数のサブ画素は、前記光反射膜が設けられ前記第１基板側に画像を表示する第１サブ画素と、前記発光層が設けられ前記第２基板側に画像を表示する第２サブ画素とを有することを特徴とする液晶装置。
3. 請求項２記載の液晶装置において、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素は前記第２方向で異なる長さを有し前記第１方向で同じ長さを有しており、個々の前記第１サブ画素同士及び個々の前記第２サブ画素同士は前記第１方向に沿って互いに隣り合って並べられ、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素は前記第２方向に沿って交互に並べられていることを特徴とする液晶装置。
4. 請求項２記載の液晶装置において、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素は前記第１方向で異なる長さを有し前記第２方向で同じ長さを有しており、個々の前記第１サブ画素同士及び個々の前記第２サブ画素同士は前記第２方向に沿って互いに隣り合って並べられ、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素は前記第１方向に沿って交互に並べられていることを特徴とする液晶装置。
5. 請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記光反射膜と重なる領域と前記発光層と重なる領域とにそれぞれ着色膜が形成されることを特徴とする液晶装置。
6. 請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記光反射膜と重なる領域に着色膜が形成され、前記発光層は着色光を発光することを特徴とする液晶装置。
7. 請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記光反射膜と重なる領域の前記第１基板又は第２基板の前記液晶層側には液晶層厚調整用の樹脂膜が設けられ、前記光反射膜と重なる領域における前記液晶層の層厚をｔ１とし、前記発光層と重なる領域における前記液晶層の層厚をｔ２としたとき、
   ｔ１＜ｔ２
   であることを特徴とする液晶装置。
8. 請求項１から請求項７のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記光反射膜と重なる領域に配置された第２スイッチング素子と前記発光層と重なる領域に配置された前記第１スイッチング素子によって、前記反射膜と重なる領域と前記発光層と重なる領域との前記液晶層がそれぞれ別々に駆動されることを特徴とする液晶装置。
9. 請求項１から請求項８のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記第１基板に対して前記第２基板の反対側に設けられた第３基板と、
   該第３基板に対して前記第１基板の反対側に設けられた第４基板と、をさらに有し、
   前記発光層は、前記第３基板上に形成された透光性の電極と該透光性の電極上に設けられた発光層と、前記第４基板上に前記発光層に対向して設けられた反射電極とを含むことを特徴とする液晶装置。
10. 請求項１から請求項９のいずれか１つに記載の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。

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