JP2007171739A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】虹色干渉縞の発生を防止でき、膜構造が簡単である電気光学装置を提供する。
【解決手段】第１凹凸パターン１０備えた面で液晶層１２を支持する基板７ａと、基板７
ａと液晶層１２との間に設けられた樹脂膜２３と、樹脂膜２３の上に設けられた光反射膜
２４とを有する電気光学装置である。樹脂膜２３の表面には、第１凹凸パターン１０に対
向する領域に第２凹凸パターン２８が設けられている。第２凹凸パターン２８は、第１凹
凸パターン１０を反映した凹凸パターンの上に、さらにフォトリソグラフィ処理によって
凹凸パターンを形成したものであり、複雑でランダム性の高い凹凸パターンである。従っ
て、第２凹凸パターン２８の上に設けられた光反射膜２４で反射した光を用いて行われる
反射型表示において虹色干渉縞が発生することを防止できる。
【選択図】図２

Description

本発明は、液晶表示装置等といった電気光学装置に関する。また、本発明は、その電気
光学装置の製造方法に関する。また、本発明は、その電気光学装置を用いた電子機器に関
する。

現在、液晶表示装置、有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置等といった電気光学装置
が広く用いられている。この電気光学装置は、液晶、有機ＥＬ等といった電気光学物質の
電気光学特性を利用して文字、数字、図形等といった像を表示する。この電気光学装置の
画像表示面を特定の角度から観察したとき、複数色が線状に並んだ状態の縞模様、いわゆ
る虹色干渉縞が発生する場合があることが、従来から知られている。

この虹色干渉の発生を防止するため、本発明者は、例えば特許文献１において、第１樹
脂層の表面に第１の凹凸パターンを形成し、その第１の凹凸パターン上に第２樹脂膜を形
成し、その第２樹脂膜の表面に第２の凹凸パターンを形成し、その第２の凹凸パターンの
上に光反射膜を形成した構造を有する電気光学装置を提案した。この電気光学装置によれ
ば、２つの凹凸パターンを平面的に見て重ね合わせたことにより、光を反射する凹凸パタ
ーンである第２の凹凸パターンの平面内での無秩序性（すなわち、ランダム性）を高める
ことができ、その結果、虹色干渉縞の発生を有効に抑制することができる。

また、本出願人は、例えば特許文献２において、電気光学装置の内部で散乱光を得るた
めに、フロスト処理やサンドブラスト処理によって基板の表面に微細な凹凸を形成する技
術を提案した。

特開２００４−０２９４６６号公報（第８頁、図３） 特開２００１−１８８２３５号公報（第４頁、図１２）

しかしながら、特許文献１に開示された技術では、第１樹脂層及びそれに積層される第
２樹脂層の双方に凹凸パターンを形成するための処理を施さなければならず、膜構造が複
雑であり、製造工程も複雑であるという問題があった。また、両方の凹凸パターンは共に
フォトリソグラフィ処理によって形成されるものであり、このフォトリソグラフィ処理で
は、一般に、ランダム性の高い微細な凹凸パターンを形成することが難しいので、虹色干
渉縞の発生を防止することが、必ずしも十分ではなかった。

また、特許文献２に開示された技術では、基板上に形成された１種類の凹凸パターンの
みによって散乱光を得ることから、視角特性が狭く（すなわち、鏡面反射に近く）、散乱
特性及び指向性の調整が難しい光しか得られないという問題があった。

本発明は、従来装置における上記の問題点に鑑みて成されたものであって、虹色干渉縞
の発生を確実に防止でき、膜構造が複雑でない電気光学装置及び電子機器を提供すること
を目的とする。また、本発明は、その電気光学装置を確実に製造できる電気光学装置の製
造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る電気光学装置は互いに対向する一対の基板間には電気光学物質が挟持され
、一方の基板は、表面に第１凹凸パターン上には保護膜が設けられ、該保護膜と前記電気
光学物質との間には前記第１凹凸パターンに対応するように形成された第２凹凸パターン
を電気光学物質面側に備えた樹脂膜と、前記第２凹凸パターンと前記電気光学物質との間
に設けられた光反射膜とを有することを特徴とする。

この構成において、電気光学物質は電圧の印加により光学的特性が変化する物質、例え
ば、液晶、有機ＥＬ等である。また、樹脂膜は感光性を有するものであることが望ましく
、その感光性はポジ型でも、ネガ型でも良い。光反射膜は光を反射できる適宜の材料、例
えばＡｌ（アルミニウム）によって形成できる。

上記構成の本発明に係る電気光学装置によれば、観察者は光反射膜で反射した光を観察
する。光反射膜に凹凸パターンが形成されていないと、その光反射膜で鏡面反射が起こり
、観察者が視認する表示の背景に観察者の背景が移り込んでしまい、表示が見難くなる。
これに対し、光反射膜に凹凸パターンを形成すれば、反射光が鏡面反射することなく散乱
光となるので、表示の背景に映り込みのない、見易い表示を実現できる。

しかしながら、上記のように光反射膜を凹凸パターンに設ける場合、その凹凸パターン
が単調であると虹色干渉縞が発生して表示が見難くなる。本発明の電気光学装置では、基
板上の第１凹凸パターンと樹脂膜上の第２凹凸パターンとが平面視で重なり合うので、光
を反射する凹凸パターンである第２凹凸パターンがその下層である第１凹凸パターンを反
映した凹凸状態、すなわちランダム性の高い凹凸状態となり、虹色干渉縞の発生を大幅に
防止できる。

また、本発明の電気光学装置によれば、複数の樹脂膜を重ねることによって複数の凹凸
パターンを平面視で重ね合わせるのではなく、基板上に設けた第１凹凸パターンと樹脂膜
上の第２パターンとを重ね合わせるので、膜の構造が簡単になり、製造工程も簡素化でき
るため、製造時間を短縮できるとともに、材料コスト及び製造コストを低減できる。

次に、本発明に係る電気光学装置において、前記第１凹凸パターンは微細凹凸形成処理
によって前記基板上に形成され、前記第２凹凸パターンはフォトリソグラフィ処理によっ
て前記樹脂膜上に形成されることが望ましい。ここでいう微細凹凸形成処理とは、一般的
な露光装置によって露光マスクを用いて樹脂膜の表面に凹凸パターンを形成する場合に比
べて、より微細な凹凸を形成することができる処理のことである。このような微細凹凸形
成処理としては、例えば、フロスト処理、サンドブラスト処理等が考えられる。

フロスト処理とは、例えばガラス基板の表面をフッ酸溶液によってエッチングする処理
である。また、サンドブラスト処理とは、例えばガラス基板やプラスチック基板の表面に
微粒子を吹き付ける処理である。いずれの処理によっても、基板面に微細でランダム性の
高い凹凸パターンを形成することができる。

次に、本発明に係る電気光学装置は、前記基板上には前記第１凹凸パターンが設けられ
、スイッチング素子と、該スイッチング素子から延びる配線とを有する。前記第１凹凸パ
ターンが、前記スイッチング素子と前記基板との間、及び前記配線と前記基板との間には
ないことが望ましい。

前記スイッチング素子は、例えば３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Fil
m Transistor）素子や、２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）
素子を用いることができる。ＴＦＴ素子を用いる場合、上記配線は３端子の２つから延び
る２つの線、例えばゲート線及びソース線である。また、ＴＦＤ素子を用いる場合、上記
配線は２端子の１つから延びる１つの線、例えばデータ線である。

基板上に第１凹凸パターンが形成される場合、何等の措置も講じなければその第１凹凸
パターン上にスイッチング素子が形成されることになるが、第１凹凸パターンの存在によ
りスイッチング素子を形成しづらくなる。これに対し、本発明では、スイッチング素子及
び配線の下に凹凸パターンを形成しないことにより、スイッチング素子及び配線を正常に
形成できる。

カラー表示の場合、異なる複数の色要素（例えば、Ｂ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の３
色や、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３色）が個々のサブ画素に割り
当てられ、それら複数の色要素の数分のサブ画素によって１つの画素が形成される。また
、白黒表示又は任意の２色による表示（いわゆる、モノクロ表示）の場合は、個々のサブ
画素によって１つの画素が形成される。

上記の電気光学装置においては、そのサブ画素内に前記光反射膜のない領域を設けるこ
とができる。この領域は、光反射膜がないので反射光が生じず、光が透過する領域を有す
る。この光が透過する領域は、一般に、透過表示領域と呼ばれている。つまり、本発明態
様は、光反射膜によって反射する光によって表示が行われる反射表示領域と、透過光によ
って表示が行われる透過表示領域との２つの領域を１つのサブ画素内に有する電気光学装
置に関し、前記第１凹凸パターンは前記透過表示領域に対応する領域には設けられないこ
とが望ましい。こうすれば、透過表示時における表示品質の低下を抑えることができる。

次に、本発明に係る他の電気光学装置は、表面に第１凹凸パターンを備え、該第１凹凸
パターンを備えた面で電気光学物質を支持する基板と、該基板と前記電気光学物質との間
に設けられた第１光反射膜と、該第１光反射膜と前記電気光学物質との間に設けられた樹
脂膜であって前記第１凹凸パターンに対向する第２凹凸パターンを表面に備えた樹脂膜と
、前記第２凹凸パターンと前記電気光学物質との間に設けられた第２光反射膜とを有する
ことを特徴とする。

一般に第２凹凸パターンは、樹脂膜に対してフォトリソグラフィ処理を施すことによっ
て形成される。このフォトリソグラフィ処理は、所定の露光パターンを備えた露光マスク
を通して樹脂膜を露光する工程を含んでいるが、本発明形態でこの露光工程を実施するこ
とにより、樹脂膜に供給された露光光が樹脂膜を透過して、その下層の第１光反射膜に到
達し、第１反射膜で反射する。第１光反射膜は、第１凹凸パターン上に形成されているの
でそれ自身も凹凸パターンを有することから、第１光反射膜に到達した上記露光光は第１
反射膜で散乱反射する。このため、当該露光処理によって形成される第２凹凸パターンは
第１反射膜からの散乱光を背後から受け、ランダム性が高くなる。これにより、第２凹凸
パターンに基づいて得られる反射光によって反射表示を行うときに虹色干渉縞の発生を大
幅に抑えることができる。

なお、基板上に第２光反射膜を設けた上記電気光学装置においても、前記第１凹凸パタ
ーンは微細凹凸形成処理によって前記基板上に形成され、前記第２凹凸パターンはフォト
リソグラフィ処理によって前記樹脂膜上に形成されることが望ましい。また、前記微細凹
凸形成処理は、前記基板の表面をフッ酸溶液によってエッチング処理するフロスト処理、
又は前記基板の表面に微粒子を吹き付けるサンドブラスト処理であることが望ましい。

次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板上に微細凹凸形成処理によって第
１凹凸パターンを形成する工程と、前記第１凹凸パターンに対向する第２凹凸パターンを
表面に備えた樹脂膜を前記基板上に形成する工程と、前記第２凹凸パターン上に光反射膜
を形成する工程と、前記光反射膜の上層に電気光学物質の層を形成する工程とを有するこ
とを特徴とする。この構成の電気光学装置の製造方法によれば、互いに平面的に重なり合
う第１凹凸パターンと第２凹凸パターンとを有する電気光学装置を製造できる。

上記の電気光学装置の製造方法において、前記微細凹凸形成処理は、前記基板の表面を
フッ酸溶液によってエッチング処理するフロスト処理、又は前記基板の表面に微粒子を吹
き付けるサンドブラスト処理であることが望ましい。

次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置を有することを特
徴とする。本発明に係る電気光学装置によれば虹色干渉縞が発生しない見易い画像を表示
できるので、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器においても、虹色干渉縞が発生
しない見易い画像を表示できる。このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、携
帯情報端末機、その他種々の電子機器が考えられる。

（電気光学装置の実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置について説明する。本実施形態では、電気光学装置の
一例である液晶表示装置を例示する。また、本実施形態では、チャネルエッチ型でシング
ルゲート構造のアモルファスシリコンＴＦＴ素子をスイッチング素子として用いたアクテ
ィブマトリクス方式の液晶表示装置を例示する。なお、本発明がこの実施形態に限定され
ないことはもちろんである。また、以下の説明で用いる図面は、特徴部分を分かり易く示
すために、複数の構成要素の寸法を実際とは異なった比率で示している。

図１は、本発明に係る電気光学装置の液晶表示装置全体の側断面構造の一実施形態を示
している。図２は、図１において矢印Ｚ１で示す１つのサブ画素Ｄの部分を拡大して示し
、それ自身が単独で光を出射するＯＮ状態、光を出射しないＯＦＦ状態、又はそれらの中
間諧調状態のいずれかの状態をとる領域である。

図１において、電気光学装置としての液晶表示装置１は、電気光学パネルである液晶パ
ネル２と、この液晶パネル２に付設された照明装置３とを有する。この液晶表示装置１に
関しては矢印Ａが描かれた側が観察面であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して
観察面の反対側に配置されてバックライトとして機能する。図１においては、左右方向を
列方向Ｙとし、それに直交する紙面垂直方向を行方向Ｘとする。行方向Ｘは走査信号によ
って規定される水平走査方向であり、列方向Ｙはデータ信号によって規定される垂直走査
方向である。

液晶パネル２は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形で環状のシール材６によって貼
り合わされた一対の基板７及び８を有する。基板７はスイッチング素子が形成される素子
基板であり、基板８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。本実施形
態では、観察面側にカラーフィルタ基板８が配置され、観察面側から見て背面に素子基板
８が配置される。

シール材６は素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に間隙、いわゆるセルギャップ
Ｇを形成する。シール材６はその一部に液晶注入口（図示せず）を有し、この液晶注入口
を介して素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に電気光学物質である液晶が注入され
る。注入された液晶はセルギャップＧ内で電気光学物質層としての液晶層１２を形成する
。液晶注入口は液晶注入が完了した後に樹脂によって封止される。なお、液晶の注入方法
としては、上記のような液晶注入口を通して行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続
する環状のシール材６によって囲まれる領域内に液晶滴を滴下する方法でもよい。

セルギャップＧの間隔、すなわち液晶層１２の層厚は、複数のスペーサ（図示せず）に
よって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹脂部材を素子基板７又はカラ
ーフィルタ基板８の表面上にランダム（すなわち、無秩序）に分散させた状態で置くこと
によって形成できる。また、スペーサは、感光性樹脂を材料とするフォトリソグラフィ処
理によって所定の位置に柱状に形成することもできる。

照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１３と、導光体１４とを
有する。導光体１４は矢印Ａ方向から見て液晶パネル２とほぼ同じ面積の板状部材である
。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用いるこ
ともできる。導光体１４は、例えば、透光性を有する樹脂材料を成形加工することで形成
され、ＬＥＤ１３に対向する側面が光入射面１４ａであり、液晶パネル２に対向する面が
光出射面１４ｂである。矢印Ａで示す観察面から見て導光体１４の背面には、必要に応じ
て、光反射膜１６が設けられる。また、導光体１４の光出射面１４ｂには、必要に応じて
、光拡散層１７が設けられる。

素子基板７は、第１の透光性基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａは、例えば、
透光性のガラスやプラスチック等によって形成される。この第１透光性基板７ａの外側表
面には偏光板１８ａが貼り付けられている。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素
、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。

図２に示す矢印Ｚ１で示すサブ画素Ｄ部分の拡大図には、第１透光性基板７ａの内側表
面上の所定領域に第１凹凸パターン１０が形成されている。第１透光性基板７ａの表面に
列方向Ｙに延びるソース線１９が設けられている。また、ゲート絶縁膜３２を介してソー
ス線１９と交差するゲート線２０が行方向Ｘに延びている。ゲート線２０は行方向Ｘに延
びる走査線であり、ソース線１９は列方向Ｙに延びるデータ線である。そして、スイッチ
ング素子であるＴＦＴ素子２１が、ソース線１９とゲート線２０との交差部分の近傍に設
けられている。３端子素子であるＴＦＴ素子２１のうちの１つの端子がソース線１９に接
続し、他の１つの端子がゲート線２０に接続する。なお、ＴＦＴ素子２１、ソース線１９
、及びゲート線２０は第１透光性基板７ａ表面の第１凹凸パターン１０が形成されていな
い面の上に設けられている。

ＴＦＴ素子２１、ソース線１９及びゲート線２０の上に、それらを覆う保護膜２２が形
成され、その上に凹凸樹脂膜２３、光反射膜２４、透明電極２５、配向膜２６ａの順番に
形成されている。配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、
素子基板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。光反射膜２４と透明電極２
５との積層構造によって画素電極が構成されている。

通常、保護膜２２は、透光性及び絶縁性を有する窒化膜（例えば、ＳｉＮ）や二酸化ケ
イ素（例えば、ＳｉＯ２）によって形成される。また、凹凸樹脂膜２３は、透光性や感光
性、絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ
処理によってパターニングすることによって形成されている。光反射膜２４は、例えば、
Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング処理によっ
てパターニングすることによって形成されている。

透明電極２５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等といった金属酸化物をフォトエ
ッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。また、配向膜２６
ａは、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成されている。光反
射膜２４と透明電極２５とによって構成される画素電極は、矢印Ａ方向から見て素子基板
７上に行方向Ｘ及び列方向Ｙの両方向に沿ってマトリクス状に複数形成される。

凹凸樹脂膜２３の表面の適所には第２凹凸パターン２８が形成されている。この第２凹
凸パターン２８は基板７ａ上の第１凹凸パターン１０と対向する位置、すなわち平面視で
重なり合う位置に設けられているので、第１凹凸パターン１０の凹凸形状を反映した凹凸
形状を有している。具体的には、第２凹凸パターン２８は第１凹凸パターン１０の上に自
らの凹凸形状が重畳した状態の凹凸形状を有している。また、光反射膜２４は凹凸樹脂膜
２３の第２凹凸パターン２８上に均一な厚さで成膜されているので、この光反射膜２４は
第２凹凸パターン２８と同じ凹凸パターンを呈している。

保護膜２２及び凹凸樹脂膜２３には、透明電極２５とＴＦＴ素子２１の１つの端子とを
電気的に接続するための開口部としての貫通穴であるコンタクトホール２７が形成されて
いる。このコンタクトホール２７は、矢印Ａ方向から平面的に見てＴＦＴ素子２１の素子
本体部分に重ならない位置であって、透明電極２５と重なる位置に形成される。

サブ画素Ｄのうち符号Ｒで示す領域は光反射膜２４であり、反射する光Ｌ０によって表
示が行われる領域である。以下、この領域を反射表示領域Ｒとする。また、符号Ｔで示す
領域はサブ画素Ｄのうち光反射膜２４が設けられていない領域であり、素子基板７を透過
する光Ｌ１によって表示が行われる領域である。以下、この領域を透過表示領域Ｔとする
。反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを合わせた領域はサブ画素Ｄよりも小さい面積の領
域であり、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを合わせた領域の周辺の領域であってサブ
画素Ｄの内側の領域は表示に寄与しない領域である。以下、この周辺領域を非表示領域と
呼ぶことにする。この周辺の非表示領域は、通常、ブラックマスク等といわれる遮光部材
によって覆われて遮光される。

図３は図２の矢印Ａに従って第１透光性基板７ａの表面を示した平面図であり、特に、
第１凹凸パターン１０が形成された第１透光性基板７ａ上にＴＦＴ素子２１、ソース線１
９、及びゲート線２１を形成した状態を示している。なお、図３では、ＴＦＴ素子２１と
同時に形成される保持容量５１も示されている。図１の第１凹凸パターン１０は、図３に
斜線で示すように、ＴＦＴ素子２１、ソース線１９、ゲート線２０、及び保持容量５１が
設けられる領域、並びに後述する透過表示領域Ｔには設けられず、それ以外の領域の第１
透光性基板７ａ上に設けられている。

図４は、図２においてＴＦＴ素子２１等の上に保護膜２２及び凹凸樹脂膜２３を形成し
た平面図である。図５は、凹凸樹脂膜２３上に光反射膜２４を形成した平面図である。そ
して、図６は、光反射膜２４上に透明電極２５を形成した平面図である。

図５において、光反射膜２４が形成された領域によって反射表示領域Ｒが規定される。
また、光反射膜２４が形成されない領域によって透過表示領域Ｔが規定される。また、サ
ブ画素Ｄ内であって反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを合わせた領域以外の領域が非表
示領域である。ＴＦＴ素子２１に対応する領域も非表示領域に含まれる領域であって、光
反射膜２４が形成されない領域である。

図６において、ＴＦＴ素子２１及び保持容量５１を通るＺ２−Ｚ２線に沿った断面図が
図７である。図７において、ＴＦＴ素子２１は、ゲート電極３１、ゲート絶縁膜３２、ａ
−Ｓｉ（アモルファスシリコン）によって形成された半導体膜３３、Ｎ＋−Ｓｉ膜３４ａ
，３４ｂ、ソース電極３５、そしてドレイン電極３６を有する。本実施形態のＴＦＴ素子
２１は、ボトムゲート構造及びシングルゲート構造のチャネルエッチ型のＴＦＴ素子とし
て構成されている、

ＴＦＴ素子２１から少し離れて保持容量５１が設けられている。この保持容量５１は、
透明電極２５に付随する容量が小さくなり過ぎることを防止するために設けられるもので
ある。この保持容量５１は、ゲート電極３１と同じ層内に同じ材料によって形成された第
１電極３１ａと、ゲート絶縁膜３２と同じ層内に同じ材料によって形成されていて第１電
極３１ａを覆う絶縁膜３２ａと、ドレイン電極３６と同じ層内に形成されていて絶縁膜３
２ａを覆う第２電極３６ａとによって構成されている。図３に示すように、保持容量５１
の第１電極３１ａは、ゲート線２０に平行で、ソース線１９に交差して延びている。また
、第２電極３６ａは面積の広い長方形状に形成されている。

図７において、ドレイン電極３６は、その一端がＮ＋−Ｓｉ膜３４ｂを介して半導体膜
３３に接続し、その他端が保持容量５１の第２電極３６ａとなる所まで延びている。また
、ドレイン電極３６は、コンタクトホール２７を介して透明電極２５に電気的に接続して
いる。ソース電極３５は、図３に示すように、ソース線１９から分岐して形成されている
。また、ゲート電極３１は、ソース線に対して直角の方向に延びるゲート線２０から分岐
して延びている。

図７において、透明電極２５の下に保護膜２２と凹凸樹脂２３とから成る層間絶縁膜を
設けることにより、透明電極２５の層とＴＦＴ素子２１の層は上下の別々の層に分けられ
ている。これにより、透明電極２５とＴＦＴ素子２１とを同じ層内に形成する構造に比べ
て、素子基板７の表面を有効に活用できることになっている。例えば、透明電極２５の層
とＴＦＴ素子２１の層とを別層にすることにより、図６に示すように、透明電極２５の面
積、すなわち画素電極の面積をＴＦＴ素子２１によって阻害されることなく大きくするこ
とができ、そのため、液晶表示装置において鮮明な表示を可能としている。

次に、図１において、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は、矢印Ａ方向から
見て長方形又は正方形の第２の透光性基板８ａを有する。この第２透光性基板８ａは、例
えば、透光性のガラス、プラスチック等によって形成される。この第２透光性基板８ａの
外側表面には偏光板１８ｂが貼り付けられている。必要に応じて、偏光板１８ｂ以外の光
学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。

第２透光性基板８ａの内側表面には、図２にも示すように、カラーフィルタを構成する
着色膜４１が形成され、その周囲に遮光膜４２が形成され、着色膜４１及び遮光膜４２の
上には樹脂膜４３、共通電極４４、配向膜２６ｂが順番に形成されている。配向膜２６ｂ
は、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成される。

個々の着色膜４１は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形のドット状に形成されてい
る。また、着色膜４１は複数個が矢印Ａ方向から見て行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス
状に配列した状態に形成されている。遮光膜４２はそれらの着色膜４１を囲む格子状に形
成されている。

着色膜４１の個々は、Ｂ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の１色を通過させる光学的特性に
設定され、それらＢ，Ｇ，Ｒの着色膜４１が矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばスト
ライプ配列、モザイク配列、又はデルタ配列で並べられている。着色膜４１の光学的特性
はＢ，Ｇ，Ｒの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３
原色を通過させる特性とすることもできる。遮光膜４２は、異なる色の着色膜４１を重ね
る、あるいは、所定の材料（例えば、Ｃｒ）を使用することにより形成される。

図１において、共通電極４４は、カラーフィルタ基板８の表面の全域に設けられている
。一方、素子基板７上に設けられた複数の透明電極２５（すなわち、画素電極）は矢印Ａ
方向から平面的に見て、行方向Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に並んでいる。これ
らの透明電極２５とカラーフィルタ基板８上に設けられた共通電極４４とは、矢印Ａ方向
から平面的に見て複数のドット状の領域で重なっている。このように重なり合った領域が
サブ画素Ｄの主たる領域となっている。そして、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ及び列方向
Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、矢印Ａ方向から見て長方形状又は正方形状の表示領
域Ｖが形成され、この表示領域Ｖ内に文字、数字、図形等といった像が表示される。

本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色膜４１を用いてカラー表示を行う
場合、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色膜４１に対応する３つのサブ画素Ｄによっ
て１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合、１
つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。

次に、図２において、カラーフィルタ基板８上の樹脂膜４３は反射表示領域Ｒ内に設け
られており、透過表示領域Ｔ内には設けられていない。このため、反射表示領域Ｒ内の液
晶層１２の層厚ｔ０は、透過表示領域Ｔ内の液晶層１２の層厚ｔ１よりも薄くなっている
。ｔ０＝（ｔ１）／２になっていることが望ましい。このような液晶層１２の層厚調整は
、反射表示領域Ｒ内で光Ｌ０が液晶層１２を２回通過する反射表示の場合と、透過表示領
域Ｔ内で光Ｌ１が液晶層１２を１回しか通過しない透過表示の場合とで、液晶層１２を通
る光の光路長を近づけることにより、表示色を均一にするために行われるものである。

次に、図１において、素子基板７の構成要素である第１透光性基板７ａはカラーフィル
タ基板８の外側へ張り出す張出し部４５を有している。この張出し部４５の表面には、配
線４６がフォトエッチング処理等によって形成されている。配線４６は矢印Ａ方向から見
て複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向に沿って互いに等間隔で平行に
並べられている。また、張出し部４５の辺端には複数本の外部接続用端子４７が紙面垂直
方向に沿って互いに等間隔で平行に並ぶように形成されている。これらの外部接続端子４
７が設けられた張出し部４５の辺端には、例えばＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）基
板（図示せず）が接続される。

複数の配線４６は、シール材６に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びる状態で形成
されている。これらの配線４６の一部は、素子基板７上のソース線１９（図２参照）に直
接につながってデータ線として機能する。また、複数の配線４６の他の一部は、シール材
６によって囲まれた領域内において素子基板７の側辺に沿って列方向Ｙに延びた後、行方
向Ｘへ折れ曲がる状態に形成されている。これらの曲がり形状を有する配線４６は、素子
基板７上のゲート線２０（図２参照）に直接につながって走査線として機能する。

図１の張出し部４５の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）４８を用い
たＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ４９が実装されている。この駆動
用ＩＣ４９は、ソース線１９へデータ信号を伝送し、ゲート線２０へ走査信号を伝送する
。駆動用ＩＣ４９は１つのＩＣチップで形成しても良いし、必要に応じて複数のＩＣチッ
プで形成しても良い。駆動用ＩＣ４９を複数のＩＣチップによって構成する場合には、そ
れらのＩＣチップは張出し部４５上で図１の紙面垂直方向に並べて実装される。

以上のように構成された液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、
太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置
１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過
型の表示が行われる。

上記反射型表示を行う場合、図２において、観察面側である矢印Ａの方向からカラーフ
ィルタ基板８を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過して素
子基板７内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２４で反射して再び液晶層１２
へ供給される。他方、上記透過型表示を行う場合、図１の照明装置３の光源１３が点灯し
、その光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光出射面１
４ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図２の符号Ｌ１で示すように透過表示
領域Ｔにおいて光反射膜２４が存在しない領域を通って液晶層１２へ供給される。

以上のようにして液晶層１２へ光が供給される間、素子基板７側の透明電極２５とカラ
ーフィルタ基板８側の共通電極４４との間には、走査信号及びデータ信号によって特定さ
れる所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素Ｄご
とに制御される。この結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。
この変調光が、カラーフィルタ基板８側の偏光板１８ｂ（図１参照）を通過するとき、そ
の偏光板１８ｂの偏光特性に従って光がサブ画素Ｄごとに通過を規制され、カラーフィル
タ基板８の表面に文字、数字、図形等が表示され、これが矢印Ａ方向から視認される。

本実施形態において、図２及び図３に示した第１凹凸パターン１０は微細凹凸形成処理
、例えばフロスト処理又はサンドブラスト処理によって形成されている。フロスト処理と
は、ガラス基板の表面をフッ酸溶液によってエッチングすることにより、その基板表面に
微細な凹凸パターンを形成する処理であり、サンドブラスト処理とは、ガラス基板やプラ
スチック基板の表面に微粒子を吹き付けることにより、基板上に微細な凹凸パターンを形
成する処理である。いずれの処理によっても、個々の凹凸の平面形状及び断面高さが微細
、且つランダム性の高い配列で並んだ凹凸パターンを形成することができる。

従って、第１凹凸パターン１０に重ねて形成された第２凹凸パターン２８は、自らが持
っている凹凸パターンがある程度のランダム性を有している上に、第１凹凸パターン１０
が上記の通りに微細且つランダムな凹凸パターンであることから、非常にランダム性の高
い凹凸を有することになる。

さて、本実施形態の液晶表示装置１によれば、図２において、反射型表示時に光反射膜
２４で反射した光が観察者によって観察される。光反射膜２４に凹凸パターンが形成され
ていない場合、その光反射膜２４で鏡面反射が起こり、観察者が視認する表示の背景に観
察者の背景が映り込んでしまい、表示が見難くなる。これに対し、本実施形態のように凹
凸樹脂膜２３の第２凹凸パターン２８を反映した凹凸パターンを光反射膜２４に持たせれ
ば、反射光が鏡面反射することなく散乱光となるので、表示の背景に映り込みのない、見
易い表示を実現できる。

しかしながら、光反射膜２４に凹凸パターンを設ける場合、その凹凸パターンが単調で
あると虹色干渉縞が発生して表示が見難くなる。本実施形態は、第２凹凸パターン２８が
基板７ａ上に形成した第１凹凸パターン１０に重ねて形成されることにより非常にランダ
ム性の高い凹凸パターンが形成されているので、虹色干渉縞の発生を防止できる。

また、本実施形態では、図３に示したように、ＴＦＴ素子２１、ソース線１９、ゲート
線２０、そして保持容量５１の各要素の下には第１凹凸パターン１０を形成しないことに
より、ＴＦＴ素子２１及び保持容量５１は平らな面上に形成されることになり、それ故、
ＴＦＴ素子２１及び保持容量５１を所望の特性の素子として安定して形成できる。

また、本実施形態では、図３に示すように、透過表示領域Ｔに対応する領域に第１凹凸
パターン１０を設けない場合、透過表示領域Ｔを透過する光で透過表示を行っても、透過
光が散乱することに起因する表示品質の低下を抑えることができる。

（電気光学装置の第２実施形態）
図８は、本発明に係る電気光学装置の他の実施形態の要部を示している。図８は先の実
施形態における図２に対応する構造を示している。本実施形態が図２に示した先の実施形
態と異なる点は、図８において、素子基板７の構成要素である基板７ａの表面に設けられ
た第１凹凸パターン１０の上にゲート絶縁膜３２を介して第１光反射膜５４を設けたこと
である。ゲート絶縁膜３２は第１凹凸パターン１０に対応した凹凸パターンを有している
ので、その上に形成された第１光反射膜５４も同じ凹凸パターンを呈している。

第１光反射膜５４以外の構成は図１〜図７に示した第１実施形態と同じである。従って
、同じ構成要素は同じ符号を付して示すことにして説明は省略する。なお、本実施形態に
おいて、凹凸樹脂膜２３の表面に形成される光反射膜２４は第２光反射膜とする。

本実施形態において、凹凸樹脂膜２３の表面に形成される第２凹凸パターン２８は、凹
凸樹脂膜２３にフォトリソグラフィ処理を施すことによって形成される。このフォトリソ
グラフィ処理は、所定の露光パターンを備えた露光マスクを通して樹脂膜２３を露光する
工程を含んでいる。この露光工程を実施すると、樹脂膜２３に供給された露光光は樹脂膜
２３を透過してその下層である第１光反射膜５４に到達し、第１反射膜５４で反射する。

第１光反射膜５４は上記の通り第１凹凸パターン１０に対応した凹凸パターンを有して
おり、第１光反射膜５４に到達した上記露光光は第１反射膜５４に散乱状態で反射する。
このため、当該露光処理によって形成される第２凹凸パターン２８は第１反射膜５４から
の散乱光を背後から受け、ランダム性が高くなる。これにより、第２凹凸パターン２８に
基づいて得られる反射光によって反射表示を行うときに、虹色干渉縞の発生を大幅に抑え
ることができる。

（電気光学装置に関するその他の実施形態）
以上、実施形態を挙げて説明したが、本発明に係る電気光学装置はその実施形態に限定
されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。

例えば、上記に説明した実施形態は３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ素子をア
クティブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用しているが、本発明は２端子型の
スイッチング素子のアクティブマトリクス方式の液晶表示装置にも適用できる。例えば、
２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ素子を用いる液晶表示装置にも適用できる。

ＴＦＴ素子を用いる場合には、図３に示したように、ソース線１９及びゲート線２０と
いう２種類の配線が基板７ａ上に形成される。また、保持容量５１が基板７ａ上に設けら
れる。そして、第１凹凸パターン１０は２種類の配線１９，２０及び保持容量５１が設け
られる領域以外の領域に設けられる。これに対し、２端子型のスイッチング素子であるＴ
ＦＤ素子を用いる場合には、基板７ａ上には１種類の配線であるデータ線が設けられ、ま
た、保持容量が設けられないこともある。従って、ＴＦＤ素子を用いる場合には、ＴＦＤ
素子及びデータ線が設けられる領域以外の比較的広い領域に、フロスト処理等によって第
１凹凸パターンが設けられる。

上記で、チャネルエッチ型でシングルゲート構造のアモルファスシリコンＴＦＴ素子を
スイッチング素子として用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用
したが、本発明はチャネルエッチ型以外のアモルファスシリコンＴＦＴ素子を用いる液晶
表示装置にも適用できる。また、アモルファスシリコンＴＦＴ素子以外のＴＦＴ素子、例
えば低温ポリシリコンＴＦＴ素子や、高温ポリシリコンＴＦＴ素子等をスイッチング素子
として用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置にも適用できる。

また、本発明は、シングルゲート構造以外のＴＦＴ素子、例えばダブルゲート構造又は
マルチゲート構造のＴＦＴ素子を用いる液晶表示装置にも適用でき、液晶表示装置以外の
電気光学装置、例えば、有機ＥＬ装置、無機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置（ＰＤ
Ｐ：Plasma Display）、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）、
フィールドエミッションディスプレイ装置（ＦＥＤ：Field Emission Display）にも適用
できる。

（電気光学装置の製造方法の実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法を実施形態に基づいて説明する。本実施形
態では、図１に示した液晶表示装置１を製造例を説明する。なお、本発明方法がこの実施
形態に限定されないことはもちろんである。また、本実施形態では、液晶表示装置を１つ
ずつ作製するのではなく、面積の大きな透光性基板を用いて複数の液晶表示装置を同時に
作製する、いわゆる多数個取りの手法に基づいて液晶表示装置を作製するものとする。

このような多数個取りの製造方法においては、図１に示す素子基板７及びカラーフィル
タ基板８を１つずつ形成するのではなく、素子基板７に関しては、複数の素子基板７を形
成できる大きさの面積を有する素子側マザー透光性基板の上に素子基板７の複数個分の要
素を同時に形成してマザー素子基板を形成する。一方、カラーフィルタ基板８に関しては
、複数のカラーフィルタ基板８を形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザ
ー透光性基板の上にカラーフィルタ基板８の複数個分の要素を同時に形成してマザーカラ
ーフィルタ基板を形成する。

そして、それらのマザー素子基板とマザーカラーフィルタ基板とを貼り合わせることに
より、液晶パネル２（図１で液晶層１２を持たない状態）を縦及び横に複数列含む大きさ
の大面積のパネル構造体を作製する。その大面積のパネル構造体に対して１回目の切断処
理（いわゆる、１次ブレイク）を行う。この１次ブレイクでは、大面積のパネル構造体を
縦方向又は横方向の１つの方向に沿って切断して、複数の液晶パネル２が一列状態で含ま
れる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を作製する。この短冊状のパ
ネル構造体に関しては、それに含まれる複数の液晶パネル２内のシール材６（図１参照）
に設けられた液晶注入口が短冊状のパネル構造体の１つの側面において外部へ開放する。

次に、外部へ開放している液晶注入口を通して各液晶パネル２の内部へ液晶を注入して
液晶層１２（図１参照）を形成し、その後、液晶注入口を樹脂で塞いだ上で、短冊状のパ
ネル構造体に対して２回目の切断処理（いわゆる、２次ブレイク）を行う。この２次ブレ
イクにより、短冊状のパネル構造体から個々の液晶パネル２が切り出される。そしてその
後、図１に示すように液晶パネル２に対して、偏光板１８ａ，１８ｂ貼着、駆動用ＩＣ４
９実装、ＦＰＣ基板接続により、液晶表示装置１が完成する。

本実施形態に係る電気光学装置の製造方法では、図１のカラーフィルタ基板８を製造す
る工程に関しては従来から周知の製造方法を採用できる。これに対し、図１の素子基板７
を製造することに関して改善が加えられている。この事情に鑑み、これ以降の説明では、
カラーフィルタ基板８に関する製造方法の説明は省略し、素子基板７の製造方法について
詳しく説明する。

図９は、図１の素子基板７を製造する方法の一実施形態を示している。図９において、
基板の製造作業が開始されると、工程Ｐ１において、図２の基板７ａ（大面積の透光性基
板の状態）に対して微細凹凸形成処理であるフロスト処理を実行する。具体的には、基板
７ａをフッ酸溶液中に所定時間浸漬させる。これにより、図２に示すように基板７ａの表
面に微細でランダム性の高い第１凹凸パターン１０が形成される。なお、基板７ａ上でＴ
ＦＴ素子２１等を形成する領域には第１凹凸パターン１０を形成しないので、図３で斜線
を施した領域以外の領域は、フロスト処理に際してマスク処理を施して処理を受けないよ
うにしておく。

次に、工程Ｐ２において、基板７ａ上にゲート電極３１、ゲート線２０、及び保持容量
第１電極３１ａを形成する。これらの要素は、Ａｌを主とする第１層の上にＭｏ（モリブ
デン）を主とする第２層を積層して成る２層構造によって形成される。上記の各要素を形
成するにあたっては、ます、スパッタリングによってＡｌを膜厚１０００Åで成膜し、次
に、そのＡｌの上にスパッタリングによってＭｏを膜厚５００Åで成膜する。Ｍｏによっ
て上層を形成するのは次の理由による。すなわち、Ａｌはその表面に酸化膜を形成し易い
ので、ゲート電極等をＡｌ単体で形成すると、その上に他の金属膜を積層する際にそれら
の間の接触性が悪くなるおそれがある。これに対し、ＡｌにＭｏを重ねてゲート電極等を
形成すれば、それに他の金属膜を積層する際の接触性を良好に維持できる。

以上により、Ｍｏ／Ａｌの材料層が形成されると、次に、その材料層の上にレジストを
塗布し、フォトリソグラフィ処理によってそのレジストを所定の平面形状にパターニング
し、そのパターニングされたレジストをマスクとしてＭｏ／Ａｌ層をエッチングし、さら
にマスクとして使ったレジストを剥離するという一連の処理を行う。これにより、図７の
ゲート電極３１、ゲート線２０、及び保持容量第１電極３１ａが基板７ａ（マザー基板状
態）上の所定位置にそれぞれ所定形状に形成される。

次に、図９の工程Ｐ３において半導体膜材料の成膜工程を実施する。具体的には、図７
のゲート絶縁膜３２の材料層、ａ−Ｓｉ膜３３の材料層、そして高濃度不純物を含むＮ＋
−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂの材料層の３層をそれぞれＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition
）法によって成膜する。より具体的には、ＳｉＮによって膜厚４０００Åのゲート絶縁膜
材料層を成膜し、次にａ−Ｓｉによって膜厚１０００Åのａ−Ｓｉ材料層を成膜し、次に
Ｎ＋−Ｓｉ膜用の材料層を膜厚５００Åに成膜する。

図９の工程Ｐ４において、図７のＴＦＴ素子２１のａ−Ｓｉ膜３３及びＮ＋−Ｓｉ膜３
４ａ，３４ｂをアイランド状（すなわち、島状）に形成するためのパターニング処理を行
う。具体的には、まず感光性樹脂であるレジスト（実施形態ではポジ型）をＮ＋−Ｓｉ膜
３４ａ，３４ｂの材料層の上に塗布し、フォトリソグラフィ処理によってレジストをパタ
ーニングし、パターニングされたそのレジストをマスクとしてエッチングし、さらにマス
クとして使用したレジストを剥離することにより、島状のａ−Ｓｉ膜及び島状のＮ＋−Ｓ
ｉ膜を形成する。

図９の工程Ｐ５において、図７のソース電極３５及びドレイン電極３６の両電極用の導
電材料をスパッタリングによって成膜する。具体的には、Ｍｏによって膜厚５０Åの第１
層を成膜し、その上にＡｌによって膜厚１０００Åの第２層を成膜し、さらにその上にＭ
ｏによって膜厚５００Åの第３層を成膜する。つまり、ソース・ドレイン導電材料層は、
Ｍｏ（第３層）／Ａｌ（第２層）／Ｍｏ（第１層）の３層構造によって形成される。

第１層として５０ÅのＭｏ層を設けるのは、ソース電極３５及びドレイン電極３６の下
層である半導体層３３へＡｌが拡散するのを防止するためである。また、第３層として５
００ÅのＭｏを設けるのは、ドレイン電極３６等の上に他の金属膜が設けられる場合の導
電接触性を高く保持できるようにするためである。

次に、感光性樹脂であるレジストを電極３５，３６の材料層の上に塗布し、フォトリソ
グラフィ処理によってレジストをパターニングし、パターニングされたそのレジストをマ
スクとしてエッチングし、さらにマスクとして使用したレジストを剥離することにより、
ソース電極３５及びドレイン電極３６を所定の形状に形成する。

工程Ｐ６においてチャネルエッチ処理を実行する。具体的には、Ｎ＋−Ｓｉ膜３４ａ，
３４ｂの島状材料層に対してエッチング処理を行うことにより、図７に示すように島状材
料層の中央部分を除去して、左右のＮ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂを形成する。

工程Ｐ７において、保護膜２２の材料層としてＳｉＮをＣＶＤ法により膜厚４０００Å
に形成し、さらにフォトリソグラフィ処理により、所定の形状にパターニングする。この
とき、保護膜２２は個々の液晶パネル形成領域に対して図１の表示領域Ｖ内にのみ形成さ
れる。なお、図２では詳しく示していないが、保護膜２２はその下層である第１凹凸パタ
ーン１０と同じ凹凸パターンをその表面に有する。

工程Ｐ８において凹凸樹脂膜２３を形成する。具体的には、凹凸樹脂膜２３の材料層を例
えば塗布法によって膜厚２μｍに形成し、さらにフォトリソグラフィ処理により、所定の
形状にパターニングする。このパターニング時に、凹凸樹脂膜２３の表面に第２凹凸パタ
ーン２８が形成される。この第２凹凸パターン２８は基板７ａ上の第１凹凸パターン１０
よりも凹凸の平面形状及び断面高さが大きいパターン（すなわち、第１凹凸パターン１０
よりも粗いパターン）である。凹凸樹脂膜２３も保護膜２２と同様に個々の液晶パネル形
成領域内の表示領域Ｖ内にのみ形成される。

図２では詳しく示していないが、凹凸樹脂膜２３はその下層である保護膜２２の表面の
凹凸パターン（すなわち、第１凹凸パターン１０）と同じ凹凸パターンをその表面に有す
ることになる。従って、凹凸樹脂膜２３の表面には、第１凹凸パターン１０の上に第２凹
凸パターン２８が重畳した状態の複雑でランダム性の高い凹凸パターンが形成される。

工程Ｐ９において、図２の光反射膜２４の材料層を、例えばＡｌ又はＡｌ合金を材料と
してスパッタリングによって膜厚１０００Åで成膜する。このとき、凹凸樹脂膜２３の凹
凸形状の上に積層された光反射膜２４の材料層はその凹凸形状を反映した形状、すなわち
その凹凸形状と同じ凹凸形状を有することになる。凹凸樹脂膜２３の表面の凹凸パターン
は第１凹凸パターン１０と第２凹凸パターン２８とが重ね合わさった状態の複雑でランダ
ム性の高い凹凸パターンであるので、光反射膜２４が有する凹凸パターンも同じく複雑で
ランダム性の高い凹凸パターンとなる。このため、光反射膜２４で反射する光を用いて表
示を行ったとき、その表示に虹色干渉縞が発生することを防止できる。

光反射膜の材料層に対してフォトエッチング処理を行って所定形状の光反射膜２４をパ
ターニングする。具体的には、図５に示すように、サブ画素Ｄ内のうちＴＦＴ素子２１の
上方領域、透過表示領域Ｔとすべき領域、及びサブ画素Ｄの内側周辺の幅の狭い非表示領
域の各領域以外の領域に光反射膜２４を形成する。ＴＦＴ素子２１の上方領域に光反射膜
２４を形成しないのは、図７において光反射膜２４と透明電極２５とから成る画素電極と
、ＴＦＴ素子２１のドレイン電極３６とをコンタクトホール２７を介して接続させる際の
良好な接触性を確保するためである。

工程Ｐ１０において、保護膜２２及び凹凸樹脂膜２３に対してフォトリソグラフィ処理
を行うことにより、ドレイン電極３６の延在部分を外部とつなげるためのコンタクトホー
ル２７を保護膜２２及び凹凸樹脂膜２３の内部に形成する。

工程Ｐ１１において光反射膜２４及び凹凸樹脂膜２３の上に透明電極２５の材料、例え
ばＩＴＯをスパッタリングによって膜厚１０００Åで成膜する。このとき、ＩＴＯはコン
タクトホール２７の中に流れ込んでドレイン電極３６のコンタクト部分に接触する。続い
て、透明電極２５の材料層に対してフォトエッチング処理を行うことにより、図６におい
て長方形状のサブ画素Ｄが形成されるように透明電極２５がパターニングされる。形成さ
れた透明電極２５は、コンタクトホール２７を介してＴＦＴ素子２１のドレイン電極３６
に接続される。ドレイン電極３６はＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層構造を有していて最上層が導
電接触性の高いＭｏであるので、透明電極２５とドレイン電極３６との接触性は良好に維
持される。

工程Ｐ１２において、図２の透明電極２５の上に、例えばポリイミドをローラ転写法に
よって印刷することで配向膜２６ａが形成され、その配向膜２６ａに対してラビング処理
が行われる。以上により、図１の素子基板７（マザー基板状態）が作成される。この後は
、別途作製されたカラーフィルタ基板（マザー基板状態）と、その素子基板７（マザー基
板状態）とを貼り合わせ、液晶を注入し、基板の切断を行うことにより、図１に示す個々
の液晶パネル２を作製する。

上記説明では、図９の微細凹凸形成処理工程Ｐ１をフロスト処理によって実施すること
としたが、工程Ｐ１はその他の処理、例えばサンドブラスト処理によって実施することも
できる。

（電子機器の第１実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態に基づいて説明する。なお、この実施形態は本
発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。

図１０は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。電子機器は、液晶表示装
置１０１と、制御する制御回路１０２とを有する。液晶表示装置１０１は液晶パネル１０
３及び駆動回路１０４を有する。制御回路１０２は、表示情報出力源１０５、表示情報処
理回路１０６、電源回路１０７及びタイミングジェネレータ１０８によって構成される。

表示情報出力源１０５は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種デ
ィスク等といったストレージユニット、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を
備え、タイミングジェネレータ１０８により生成される各種のクロック信号に基づいて、
所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０６に供給する。

表示情報処理回路１０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回
路、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して
、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０４へ供給する。ここで、駆動回路１
０４は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。
また、電源回路１０７は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。

本実施形態の電子機器では液晶表示装置１０１を図１に示した液晶表示装置１を用いて
構成することにより、図１に示した液晶表示装置１が奏する効果をそのまま奏することが
できる。例えば、図２において、光反射膜２４で反射した光が観察者によって観察される
。光反射膜２４に凹凸パターンが形成されていない場合、光反射膜２４で鏡面反射が起こ
り、観察者が視認する表示背景に観察者の背景が映り込んでしまい、表示が見難くなる。
これに対し、図２に示すように光反射膜２４に第２凹凸パターン２８を形成すれば、反射
光が鏡面反射することなく散乱光となるので、表示の背景に映り込みのない、見易い表示
を実現できる。

しかしながら、光反射膜２４に第２凹凸パターン２８を設ける場合、その凹凸パターン
２８が単調であると虹色干渉縞が発生して表示が見難くなる。このことに関し、本実施形
態では、基板７ａの表面に形成した微細でランダム性の高い第１凹凸パターン１０に重ね
て第２凹凸パターン２８を形成することで、虹色干渉縞の発生を大幅に防止できる。

また、本実施形態によれば、複数の樹脂膜を重ねることによって複数の凹凸パターンを
平面視で重ね合わせるのではなく、基板７ａ上に設けた第１凹凸パターン１０と凹凸樹脂
膜２３上の第２凹凸パターン２８とを重ね合わせることで、膜構造と製造工程を簡素化し
、製造時間を短縮できる。このため、材料コスト及び製造コストを低減できる。

（電子機器の第２実施形態）
図１１は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。携帯
電話機１１０は、本体部１１１と、開閉可能に設けられた表示体部１１２とを有する。液
晶表示装置等の電気光学装置によって構成された表示装置１１３は、表示体部１１２の内
部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１１２の表示画面１１４によって
視認できる。本体部１１１には複数の操作ボタン１１５が適宜の配列で設けられている。

表示体部１１２の一端部には伸縮自在のアンテナ１１６が取付けられている。表示体部
１１２の上部の受話部１１７内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部
１１１の下端部の送話部１１８内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置１
１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部とし
て、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部に格納される。

本実施形態の携帯電話機１１０では表示装置１１３を図１に示した液晶表示装置１を用
いて構成することにより、液晶表示装置１が奏する効果をそのまま奏することができる。
この効果は、図１０に示した電子機器の場合と同じであるので、詳しい説明は省略する。

電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、
液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲ
ーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テ
レビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられ、各種の電子機器に本発明を適用できる。

本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置の一例を示す側面断面図。 図１の矢印Ｚ１で示す部分を拡大して示す断面図。 基板にフロスト処理を施し、さらにＴＦＴ素子等を形成した状態を示す平面図。 基板上に保護膜及び凹凸樹脂膜を形成した状態を示す平面図。 基板上に光反射膜を形成した状態を示す平面図。 基板上に透明電極を形成した状態を示す平面図。 図６のＺ２−Ｚ２線に従った断面図。 本発明に係る電気光学装置の他の実施形態の要部を示す側断面図。 本発明に係る電気光学装置の製造方法の主要工程を示す工程図。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図。 本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示す斜視図。

符号の説明

１．液晶表示装置（電気光学装置）、 ２．液晶パネル（電気光学パネル）、
３．照明装置、 ６．シール材、 ７．素子基板、 ７ａ．第１透光性基板、
８．カラーフィルタ基板、 ８ａ．第２透光性基板、 １０．第１凹凸パターン、
１２．液晶層、 １３．ＬＥＤ、 １４．導光体、 １８ａ，１８ｂ．偏光板、
１９．ソース線、 ２０．ゲート線、 ２１．ＴＦＴ素子、 ２２．保護膜、
２３．凹凸樹脂膜、 ２４．光反射膜（第２光反射膜）、 ２５．透明電極、
２６ａ，２６ｂ．配向膜、 ２７．コンタクトホール、 ２８．第２凹凸パターン、
３１．ゲート電極、 ３１ａ．保持容量の第１電極、 ３２．ゲート絶縁膜、
３２ａ．保持容量の絶縁膜、 ３３．半導体膜、 ３４ａ，３４ｂ．Ｎ＋−Ｓｉ膜、
３５．ソース電極、 ３６．ドレイン電極、 ３６ａ．保持容量の第２電極、
４１．着色膜、 ４２．遮光膜、 ４３．樹脂膜、 ４４．共通電極、
４５．張出し部、 ４６．配線、 ４７．外部接続用端子、 ５１．保持容量、
５４．第１光反射膜、 Ｄ．サブ画素、 Ｇ．セルギャップ、 Ｌ０，Ｌ１．光、
ｔ０，ｔ１．層厚

Claims (11)

1. 互いに対向する一対の基板間には電気光学物質が挟持され、一方の基板は、表面に第１
   凹凸パターンを備え、該第１凹凸パターン上には保護膜が設けられ、該保護膜と前記電気
   光学物質との間には前記第１凹凸パターン形状に対応するように形成された第２凹凸パタ
   ーンを電気光学物質面側に備えた樹脂膜と、前記第２凹凸パターンと前記電気光学物質と
   の間に設けられた光反射膜とを有することを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１記載の電気光学装置において、前記第１凹凸パターンは微細凹凸形成処理によ
   って前記基板上に形成され、前記第２凹凸パターンはフォトリソグラフィ処理によって前
   記樹脂膜上に形成されることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１又は請求項２記載の電気光学装置において、前記微細凹凸形成処理は、前記基
   板の表面をフッ酸溶液によってエッチング処理するフロスト処理、又は前記基板の表面に
   微粒子を吹き付けるサンドブラスト処理であることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記基板上の前
   記第１凹凸パターンが設けられた面上にはスイッチング素子と、該スイッチング素子から
   延びる配線とを有し、前記第１凹凸パターンが、前記スイッチング素子と前記基板との間
   、及び前記配線と前記基板との間にないことを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の電気光学装置において、サブ画素内には
   前記光反射膜が設けられない領域である透過表示領域があり、前記第１凹凸パターンは前
   記透過表示領域に対応する領域には設けられないことを特徴とする電気光学装置。
6. 表面に第１凹凸パターンを備え該第１凹凸パターンを備えた面で電気光学物質を支持す
   る基板と、該基板と前記電気光学物質との間に設けられた第１光反射膜と、該第１光反射
   膜と前記電気光学物質との間に設けられた樹脂膜であって前記第１凹凸パターンに対向す
   る第２凹凸パターンを表面に備えた樹脂膜と、前記第２凹凸パターンと前記電気光学物質
   との間に設けられた第２光反射膜とを有することを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項６記載の電気光学装置において、前記第１凹凸パターンは微細凹凸形成処理によ
   って前記基板上に形成され、前記第２凹凸パターンはフォトリソグラフ処理によって前記
   樹脂膜上に形成されることを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項６又は請求項７記載の電気光学装置において、前記微細凹凸形成処理は、前記基
   板の表面をフッ酸溶液によってエッチング処理するフロスト処理、又は前記基板の表面に
   微粒子を吹き付けるサンドブラスト処理であることを特徴とする電気光学装置。
9. 基板上に微細凹凸形成処理によって第１凹凸パターンを形成する工程と、前記第１凹凸
   パターンに対向する第２凹凸パターンを表面に備えた樹脂膜を前記基板上に形成する工程
   と、前記第２凹凸パターン上に光反射膜を形成する工程と、前記光反射膜の上層に電気光
   学物質の層を形成する工程とを有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
10. 請求項９記載の電気光学装置の製造方法において、前記微細凹凸形成処理は、前記基板
    の表面をフッ酸溶液によってエッチング処理するフロスト処理、又は前記基板の表面に微
    粒子を吹き付けるサンドブラスト処理であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
11. 請求項１から請求項８のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする
    電子機器。

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