JP2007156289A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】虹色干渉縞の発生を防止でき、膜構造が簡単であり、製造工程が簡単である電気光学装置を提供する。
【解決手段】基板７ａと液晶層１２との間に設けられ表面に小凹凸パターン５４を有する樹脂膜２３と、樹脂膜２３と液晶層１２との間に設けられた光反射膜２４とを有し、小凹凸パターン５４を形成している複数の凸部の頂点を含む面は小凹凸パターン５４と異なる大凹凸パターン５３を持ち、大凹凸パターン５３を形成する複数の凸部の個々の平面径及び凸部断面高さは小凹凸パターン５４を形成する複数の凸部の個々の平面径及び凸部断面高さよりも大きくなっている。つまり、樹脂膜２３の表面には、粗い大凹凸パターン５３の上に細かい小凹凸パターン５４が形成されて成る凹凸パターン５２が設けられている。小凹凸パターン５４は適切なランダム性を持つので、光反射膜２４で反射した光を観察するときに虹色干渉縞が発生することを大幅に防止できる。
【選択図】図２

Description

本発明は、液晶表示装置等といった電気光学装置に関する。また、本発明は、その電気光学装置の製造方法に関する。また、本発明は、その電気光学装置を用いた電子機器に関する。

現在、液晶表示装置、有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置等といった電気光学装置が広く用いられている。この電気光学装置は、液晶、有機ＥＬ等といった電気光学物質の電気光学特性を利用して文字、数字、図形等といった像を表示する。この電気光学装置の画像表示面を特定の角度から観察したとき、複数色が線状に並んだ状態の縞模様、いわゆる虹色干渉縞が発生する場合があることが、従来から知られている。

この虹色干渉縞の発生を防止するため、本発明者は、例えば特許文献１において、第１樹脂層の表面に第１の凹凸パターンを形成し、その第１の凹凸パターン上に第２樹脂層を形成し、その第２樹脂層の表面に第２の凹凸パターンを形成し、その第２の凹凸パターンの上に光反射膜を形成した構造を有する電気光学装置を提案した。この電気光学装置によれば、２つの凹凸パターンを平面的に見て重ね合わせたことにより、光を反射する凹凸パターンである第２の凹凸パターンの平面内での無秩序性を高めることができ、その結果、虹色干渉縞の発生を有効に抑制することができる。

特開２００４−０２９４６６号公報（第８頁、図３）

しかしながら、特許文献１に開示された技術では、第１樹脂層及びそれに積層される第２樹脂層の双方に凹凸パターンを形成するための処理を施さなければならず、膜構造が複雑であり、製造工程も複雑であるという問題があった。

本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、虹色干渉縞の発生を防止でき、膜構造が簡単であり、製造工程が簡単である電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供することを目的とする。

本発明に係る電気光学装置は、電気光学物質を支持する基板と、該基板と前記電気光学物質との間に設けられ表面に小凹凸パターンを有する樹脂膜と、該樹脂膜の小凹凸パターン上に設けられた光反射膜とを有し、前記小凹凸パターンを形成している複数の凸部の頂点を含む面は前記小凹凸パターンと異なるパターン形状を持つ大凹凸パターンを持ち、該大凹凸パターンを形成する複数の凸部の個々の平面径及び凸部断面高さは、前記小凹凸パターンを形成する複数の凸部の個々の平面径及び凸部断面高さよりも大きいことを特徴とする。
この電気光学装置において、前記小凹凸パターンを形成する複数の凸部のうち互いに隣接するものの頂部同士の前記樹脂膜の底面からの高さは互いに異なることが望ましい。

上記構成において、「平面径」は、凸部を平面的に見た場合のその凸部の径である。また、「凸部断面高さ」は、凸部を側面から見た場合のその凸部の高さである。また、「電気光学物質」は印加電圧の変化により光学的特性が変化する物質、例えば液晶、有機ＥＬである。「基板」は透光性の材料、例えばガラス、プラスチックによって形成される。また、「樹脂膜」は積層構造でない単層の樹脂膜であり、この単層の樹脂膜の表面に大凹凸パターン及び小凹凸パターンの両方が形成され、しかも、小凹凸パターンに大凹凸パターンの形状が反映した状態になっている。つまり、大きな（すなわち、粗い）形状の大凹凸パターンの上に、それよりも小さな（すなわち、細かい）形状の小凹凸パターンが形成された状態となっている。

ところで、小凹凸パターンに大凹凸パターンの形状を反映させる方法として、下層樹脂膜の表面に大凹凸パターンを形成し、その上に上層樹脂膜を積層し、その上層樹脂膜の表面に小凹凸パターンを形成するという構成、つまり２層構造又は多層構造が考えられる。本発明は、そのように樹脂膜を積層する構成ではなく、１つの樹脂膜の表面にまず大凹凸パターンを形成し、その上に小凹凸パターンを形成することにより、小凹凸パターンに大凹凸パターンの形状を反映させたものである。

上記構成の本発明に係る電気光学装置によれば、光反射膜で反射した光が観察者によって観察される。仮に光反射膜に凹凸パターンが形成されていないと、その光反射膜で鏡面反射が起こり、観察者が視認する表示の背景に観察者の背景が映り込んでしまい、表示が見難くなるおそれがある。これに対し、光反射膜に凹凸パターンを形成すれば、反射光が鏡面反射することなく散乱光となるので、表示の背景に映り込みのない、見易い表示を実現できる。

しかしながら、上記のように光反射膜に凹凸パターンを設ける場合、その凹凸パターンが単調であると虹色干渉縞が発生して表示が見難くなるおそれがある。このことに関し、本発明の電気光学装置では、小凹凸パターンが大凹凸パターンの上に重ねて形成されるので、小凹凸パターンに適度なランダム性、すなわち適度な無秩序性を付与でき、それ故、虹色干渉縞の発生を大幅に防止できる。

また、本発明の電気光学装置によれば、１つの樹脂膜の表面に形成された小凹凸パターンそれ自体が大凹凸パターンの上に重ねて形成された状態となっているので、従来のように２つの樹脂膜の積層によって２種類の凹凸パターンを重ね合わせる場合に比べて、樹脂膜の構造が簡単であり、製造工程も簡単であり、製造時間を短縮できる。このため、材料コスト及び製造コストを低減できる。

さらに、本発明の電気光学装置によれば、大きな形状の大凹凸パターン上にそれよりも小さな形状の小凹凸パターンを重ねて形成することにしたので、簡単な手法によって無理なく確実に小凹凸パターンに適切な無秩序性を付与できる。

次に、本発明に係る電気光学装置において、前記小凹凸パターンを形成する複数の凸部は互いに平面径及び凸部断面高さが等しいことが望ましい。小凹凸パターンを形成する複数の凸部に関しては、それらが互いに異なる大きさ又は異なる形状に形成されていても構わないのであるが、これらの凸部の大きさ及び形状を互いに同じものとすれば、それらの凸部を形成する処理を簡単にすることができる。例えば、小凹凸パターンをフォトリソグラフィ処理によって形成する場合を考えれば、その小凹凸パターンを形成するための露光マスクに関して、小凹凸パターン内の複数の凸部に対応するマスクパターンを全て同じ形状にすることができ、コストを大幅に低減できる。

なお、本発明では、小凹凸パターンが大凹凸パターンの上に重ねて形成されるので、小凹凸パターンを形成する複数の凸部を上記のように互いに同じ大きさ及び形状、すなわち単一なパターンとして形成した場合でも、樹脂膜の表面の全体を見れば、適度に無秩序性を持った凹凸パターンを得ることができる。従って、虹色干渉縞の発生を大幅に防止できる。

次に、本発明に係る電気光学装置においては、上記の通り、前記小凹凸パターンを形成する複数の凸部を互いに平面径及び凸部断面高さが等しいパターンとして形成することができるのであるが、それに加えてさらに、前記大凹凸パターンを形成する複数の凸部をも互いに平面径及び凸部断面高さが等しいパターンとして形成することができる。

この場合、大凹凸パターンを形成する複数の凸部に関しては、それらが互いに異なる大きさ又は異なる形状に形成されていても構わないのであるが、これらの凸部の大きさ及び形状を互いに同じものとすれば、それらの凸部を形成する処理を簡単にすることができる。例えば、大凹凸パターンをフォトリソグラフィ処理によって形成する場合を考えれば、その大凹凸パターンを形成するための露光マスクに関して、大凹凸パターン内の複数の凸部に対応するマスクパターンを全て同じ形状にすることができ、コストを大幅に低減できる。

なお、本発明では、小凹凸パターンが大凹凸パターンの上に重ねて形成されるので、大凹凸パターンを形成する複数の凸部を上記のように互いに同じ大きさ及び形状、すなわち単一なパターンとして形成した場合でも、樹脂膜の表面の全体を見れば、適度に無秩序性を持った小凹凸パターンを得ることができる。従って、虹色干渉縞の発生を大幅に防止できる。

次に、本発明に係る電気光学装置において、前記小凹凸パターンを形成する複数の凸部は互いに平面径及び凸部断面高さが等しく、前記大凹凸パターンを形成する複数の凸部の中には平面径及び凸部断面高さが異なる複数種類の凸部が含まれることが望ましい。小凹凸パターンに関して複数の凸部の大きさ及び形状を互いに同じにしても良いことは上述した。また、大凹凸パターンに関して複数の凸部の大きさ及び形状を互いに同じにしても良いことも上述した。

今ここで考えている発明の態様は、小凹凸パターン内の複数の凸部に関してはそれらの大きさ及び形状を同じにするが、大凹凸パターン内の複数の凸部に関してはそれらの大きさ及び形状に変化を持たせるというものである。この構成によれば、大凹凸パターンのパターンが複雑になるので、その上に重ねて形成された小凹凸パターンのパターン形状をも複雑にすることができ、虹色干渉縞の発生をより一層確実に防止できる。

次に、本発明に係る電気光学装置において、前記小凹凸パターンは、前記樹脂膜の表面に前記大凹凸パターンを形成した後に当該大凹凸パターン上に重ねて形成されるパターンであることが望ましい。この構成によれば、大凹凸パターン及び小凹凸パターンを簡単に且つ所望の形状に正確に形成できる。

次に、本発明に係る電気光学装置において、前記樹脂膜は透光性及び感光性を有する樹脂材料によって形成され、前記小凹凸パターンは、前記樹脂材料に対する露光処理及び現像処理によって該樹脂膜材料の表面に前記大凹凸パターンを形成した上で、その大凹凸パターンを有する前記樹脂材料に対して再度の露光処理及び再度の現像処理を施すことによって形成されるパターンであることが望ましい。この構成によれば、大凹凸パターン及び小凹凸パターンを簡単に且つ所望の形状に正確に形成できる。

次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板上に均一な厚さの樹脂膜材料を形成する工程と、第１露光マスクを用いた第１回目の露光及びそれに引き続く第１回目の現像によって前記樹脂膜材料の表面に大凹凸パターンを形成する工程と、前記大凹凸パターンを有する前記樹脂膜材料に対して第２マスクを用いた第２回目の露光及びそれに引き続く第２回目の現像を行うことにより前記大凹凸パターンの上に前記小凹凸パターンを重ねて形成する工程と、前記小凹凸パターンを有する前記樹脂膜材料を焼成する工程とを有することを特徴とする。

この電気光学装置の製造方法によれば、本発明に係る電気光学装置、すなわち、大凹凸パターンを反映した状態の小凹凸パターンが表面に形成された状態の樹脂膜を有する電気光学装置、を確実に製造できる。つまり、虹色干渉縞の発生を大幅に防止できる電気光学装置を製造できる。

この電気光学装置の製造方法によれば、１つの樹脂膜の表面に形成された小凹凸パターンそれ自体が大凹凸パターンの上に重ねて形成された状態となるので、従来のように２つの樹脂膜の積層によって２種類の凹凸パターンを重ね合わせる場合に比べて、樹脂膜の構造が簡単であり、製造工程も簡単であり、製造時間を短縮できる。このため、材料コスト及び製造コストを低減できる。

次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１露光マスクは前記大凹凸パターンのためのマスクパターンを有し、前記第２露光マスクは前記小凹凸パターンのためのマスクパターンを有し、前記第１露光マスク内のマスクパターンの径は前記第２露光マスク内のマスクパターンの径よりも大きいことが望ましい。こうすれば、大きい形状の大凹凸パターン上に小さい形状の小凹凸パターンを重ねて形成できる。このように、大きな形状の大凹凸パターン上にそれよりも小さな形状の小凹凸パターンを重ねて形成することにすれば、簡単な手法によって無理なく確実に小凹凸パターンに適切な無秩序性を付与できる。

次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１露光マスク内のマスクパターンのうち前記大凹凸パターン内の複数の凸部に対応するマスクパターンは互いに等しい径を有することが望ましい。第１露光マスク内の複数の凸部に対応するマスクパターンに関しては、それらの径が互いに異なっていても構わないのであるが、これらのマスクパターンの径を互いに同じにすれば、第１露光マスクを簡単に、低コストで、正確に形成できる。

なお、本発明では、小凹凸パターンが大凹凸パターンの上に重ねて形成されるので、大凹凸パターン内の複数の凸部に対応するマスクパターンの径を上記のように互いに同じ大きさに設定することによって大凹凸パターンを単調なパターンとして形成した場合でも、小凹凸パターンが形成された後の樹脂膜の表面の全体を見れば、適度に無秩序性を持った小凹凸パターンを得ることができる。従って、第１露光マスクのマスクパターンのパターン径を均一にした場合でも、虹色干渉縞の発生を大幅に防止できる。

次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１露光マスク内における大凹凸パターン内の複数の凸部に対応するマスクパターンを互いに等しい径を有するパターンとして形成できることは上述の通りであるが、これに加えてさらに又はこれとは別に単独に、前記第２露光マスク内における小凹凸パターン内の複数の凸部に対応するマスクパターンを互いに等しい径を有するパターンとして形成することができる。

小凹凸パターン内の複数の凸部に対応するマスクパターンに関しては、それらが互いに異なる大きさ又は異なる形状に形成されていても構わないのであるが、これら凸部に対応するマスクパターンの大きさ及び形状を互いに同じものとすれば、第２露光マスクを簡単に、低コストで、正確に形成できる。

なお、本発明では、小凹凸パターンが大凹凸パターンの上に重ねて形成されるので、小凹凸パターン内の複数の凸部に対応するマスクパターンの径を上記のように互いに同じ大きさに設定することによって小凹凸パターンを単調なパターンとして形成した場合でも、樹脂膜の表面の全体を見れば、小凹凸パターンに大凹凸パターンが反映しているので、適度に無秩序性を持った小凹凸パターンを得ることができる。従って、小凹凸パターンのための第２露光マスクのマスクパターンのパターン径を均一にした場合でも、虹色干渉縞の発生を大幅に防止できる。

次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法においては、前記第１露光マスク内のマスクパターンのうち前記大凹凸パターン内の複数の凸部に対応するマスクパターンは径が異なる複数種類のパターンを含み、他方、前記第２露光マスク内のマスクパターンのうち前記小凹凸パターン内の複数の凸部に対応するマスクパターンは互いに等しい径を有することが望ましい。この構成は、径が異なる複数種類の大凹凸パターンの上に径が均一である複数の小凹凸パターンを重ねて形成する、という電気光学装置の製造方法である。

この製造方法によれば、複雑なパターンを有する大凹凸パターンの上に、均一なパターンを有する小凹凸パターンが重ねて形成される。この場合、小凹凸パターンそれ自体は単調なパターンであるが、その下地である大凹凸パターンは複雑なパターンを有するので、小凹凸パターンは最終的には複雑なパターンを有することになる。従って、この製造方法によって製造された電気光学装置は、虹色干渉縞の発生をより一層大幅に防止できる。

次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置を有することを特徴とする。本発明に係る電気光学装置によれば次の効果を得ることができる。すなわち、（１）小凹凸パターンが大凹凸パターンの上に重ねて形成されるので、小凹凸パターンに適度なランダム性、すなわち適度な無秩序性を付与でき、それ故、虹色干渉縞の発生を大幅に防止できる。また、（２）１つの樹脂膜の表面に形成された小凹凸パターンそれ自体が大凹凸パターンの上に重ねて形成された状態となっているので、従来のように２つの樹脂膜の積層によって２種類の凹凸パターンを重ね合わせる場合に比べて、樹脂膜の構造が簡単であり、製造工程も簡単であり、製造時間を短縮できる。このため、材料コスト及び製造コストを低減できる。さらに、（３）大きな形状の大凹凸パターン上にそれよりも小さな形状の小凹凸パターンを重ねて形成することにしたので、簡単な手法によって無理なく確実に小凹凸パターンに適切な無秩序性を付与できる。本発明に係る電子機器は本発明に係る電気光学装置を用いて構成されるので、上記（１）から（３）の効果を奏することができる。

（電気光学装置の第１実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置を実施形態に基づいて説明する。本実施形態では、電気光学装置の一例である液晶表示装置を例示するものとする。また、本実施形態では、チャネルエッチ型でシングルゲート構造のアモルファスシリコンＴＦＴ素子をスイッチング素子として用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置を例示するものとする。なお、本発明がこの実施形態に限定されないことはもちろんである。また、以下の説明で用いる図面では、特徴部分を分かり易く示すために、複数の構成要素の寸法を実際とは異なった比率で示す場合がある。

図１は本発明に係る電気光学装置の一例である液晶表示装置の一実施形態の全体の側断面構造を示している。図２は図１において矢印Ｚ１で示す１つのサブ画素部分を拡大して示している。図３は図２の矢印Ａに従って図２の下側の基板の平面構造を示している。図４は図３のＺ２−Ｚ２線に従って主にスイッチング素子の断面構造を示している。なお、図１は図３のＺ３−Ｚ３線に従った断面構造に相当する。

図１において、電気光学装置としての液晶表示装置１は、電気光学パネルである液晶パネル２と、この液晶パネル２に付設された照明装置３とを有する。この液晶表示装置１に関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側の反対側に配置されてバックライトとして機能ずる。図１においては、左右方向を列方向Ｙとし、それに直交する紙面垂直方向を行方向Ｘとする。行方向Ｘは走査信号によって規定される水平走査方向であり、列方向Ｙはデータ信号によって規定される垂直走査方向である。

液晶パネル２は、矢印Ａ方から見て長方形又は正方形で環状のシール材６によって互いに貼り合わされた一対の基板７及び８を有する。基板７はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、基板８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。本実施形態では、観察側にカラーフィルタ基板８が配置され、観察側から見て背面に素子基板７が配置される。

シール材６は素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に間隙、いわゆるセルギャップＧを形成する。シール材６はその一部に液晶注入口（図示せず）を有し、この液晶注入口を介して素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に電気光学物質である液晶が注入される。注入された液晶はセルギャップＧ内で電気光学物質の層としての液晶層１２を形成する。液晶注入口は液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。液晶の注入方法としては、上記のような液晶注入口を通して行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続する環状のシール材６によって囲まれる領域内に液晶滴を供給する方法も採用できる。

セルギャップＧの間隔、従って液晶層１２の層厚は、セルギャップＧ内に設けられる複数のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹脂部材を素子基板７又はカラーフィルタ基板８の表面上にランダム（すなわち、無秩序）に分散させた状態で置くことによって形成できる。また、スペーサは、感光性樹脂を材料とするフォトリソグラフィ処理によって所定の位置に柱状に形成することもできる。

照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１３と、導光体１４とを有する。導光体１４は矢印Ａ方向から見て液晶パネル２とほぼ同じ面積の板状部材である。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用いることもできる。導光体１４は、例えば、透光性を有する樹脂を材料とする成形加工によって形成され、ＬＥＤ１３に対向する側面が光入射面１４ａであり、液晶パネル２に対向する面が光出射面１４ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１４の背面には、必要に応じて、光反射層１６が設けられる。また、導光体１４の光出射面１４ｂには、必要に応じて、光拡散層１７が設けられる。

素子基板７は、第１の透光性の基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａが貼り付けられる。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。

他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、矢印Ｚ１で示す部分の拡大図である図２にも示すように、ソース線１９が列方向Ｙに延びている。また、ゲート絶縁膜３２を介してソース線１９と交差するゲート線２０が行方向Ｘに延びている。ゲート線２０は行方向Ｘに延びる走査線として機能し、ソース線１９は列方向Ｙに延びるデータ線として機能する。そして、スイッチング素子として機能するアクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子２１が、ソース線１９とゲート線２０との交差部分の近傍に設けられている。３端子素子であるＴＦＴ素子２１のうちの１つの端子がソース線１９に接続し、他の１つの端子がゲート線２０に接続する。

ＴＦＴ素子２１、ソース線１９及びゲート線２０の上に、それらを覆う保護膜２２が形成され、その上に凹凸樹脂膜２３が形成され、その上に光反射膜２４が形成され、その上に透明電極２５が形成され、その上に配向膜２６aが形成されている。この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。光反射膜２４と透明電極２５との積層構造によって画素電極が構成されている。

通常、保護膜２２は、透光性及び絶縁性を有する窒化膜（例えば、ＳｉＮ）や二酸化ケイ素膜（例えば、ＳｉＯ２）によって形成される。また、凹凸樹脂膜２３は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成されている。また、光反射膜２４は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。

透明電極２５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。また、配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成されている。

光反射膜２４と透明電極２５とによって構成される画素電極は、矢印Ａ方向から見て素子基板７上に行方向Ｘ及び列方向Ｙの両方向に沿ってマトリクス状に複数形成される。これらの画素電極、特に透明電極２５は、図３に示すように、各ソース線１９と各ゲート線２０とが交差する位置の近傍に設けられていて、個々のＴＦＴ素子２１の１つの端子に接続されている。

図２において、保護膜２２及び凹凸樹脂膜２３には、透明電極２５とＴＦＴ素子２１の１つの端子とを電気的に接続するための開口部としての貫通穴であるコンタクトホール２７が形成されている。このコンタクトホール２７は、矢印Ａ方向から平面的に見てＴＦＴ素子２１の素子本体部分に重ならない位置であって、透明電極２５と重なる位置に形成される。

本実施形態で用いるＴＦＴ素子２１はアモルファスシリコンＴＦＴであり、このＴＦＴ素子２１は、図４において、ゲート電極３１、ゲート絶縁膜３２、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）によって形成された半導体膜３３、Ｎ＋−Ｓｉ膜３４ａ,３４ｂ、ソース電極３５、そしてドレイン電極３６を有する。本実施形態のＴＦＴ素子２１は、ボトムゲート構造及びシングルゲート構造のチャネルエッチ型のＴＦＴ素子として構成されている。

ＴＦＴ素子２１から少し離れて補助容量５１が設けられている。この補助容量５１は透明電極２５に付随する容量が小さくなり過ぎることを防止するために設けられるものである。この補助容量５１は、ゲート電極３１と同じ層内に同じ材料によって形成された第１電極３１ａと、ゲート絶縁膜３２と同じ層内に同じ材料によって形成されていて第１電極３１ａを覆う絶縁膜３２ａと、ドレイン電極３６と同じ層内に形成されていて絶縁膜３２ａを覆う第２電極３６ａとによって構成されている。図３に示すように、第１電極３１ａは、ゲート線２０に平行で、ゲート線１９に交差して延びている。また、第２電極３６ａは面積の広い長方形状に形成されている。

図４において、ドレイン電極３６は、その一端がＮ＋−Ｓｉ膜３４ｂを介して半導体膜３３に接続し、その他端が補助容量５１の第２電極３６ａとなる所まで延びている。また、ドレイン電極３６はコンタクトホール２７を介して透明電極２５に電気的に接続している。ソース電極３５は図３に示すようにソース線１９から分岐して形成されている。また、ゲート電極３１は、ソース線１９に対して直角の方向に延びるゲート線２０から分岐して延びている。

図４において、透明電極２５の下に保護膜２２と凹凸樹脂膜２３とから成る層間絶縁膜を設けることにより、透明電極２５の層とＴＦＴ素子２１の層は上下の別々の層に分けられている。これにより、透明電極２５とＴＦＴ素子２１とを同じ層内に形成する構造に比べて、素子基板７の表面を有効に活用できることになっている。例えば、透明電極２５の層とＴＦＴ素子２１の層とを別層にすることにより、透明電極２５の面積、すなわち画素電極の面積をＴＦＴ素子２１によって阻害されることなく大きくすることができ、そのため、液晶表示装置において鮮明な表示を行うことができる。

次に、図１において、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板８ａを有する。この第２透光性基板８ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが貼り付けられる。必要に応じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。

第２透光性基板８ａの内側表面には、図２にも示すように、カラーフィルタを構成する着色膜４１が形成され、その周囲に遮光膜４２が形成され、着色膜４１及び遮光膜４２の上に樹脂膜４３が形成され、その上に共通電極４４が形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている。配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成される。

個々の着色膜４１は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形のドット状に形成されている。また、着色膜４１は複数個が矢印Ａ方向から見て行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に配列した状態に形成されている。遮光膜４２はそれらの着色膜４１を囲む格子状に形成されている。

図２において、着色膜４１の個々はＢ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＢ，Ｇ，Ｒの着色膜４１が矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばストライプ配列、モザイク配列、デルタ配列で並べられている。着色膜４１の光学的特性はＢ，Ｇ，Ｒの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色を通過させる特性とすることもできる。遮光膜４２は、異なる色の着色膜４１を重ねたり、あるいは、所定の材料（例えば、Ｃｒ）によって形成される。

図１において、共通電極４４は、カラーフィルタ基板８の表面の全域に設けられている。一方、素子基板７上に設けられた複数の透明電極２５（すなわち、画素電極）は矢印Ａ方向から平面的に見て行方向Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に並んでいる。これらの透明電極２５とカラーフィルタ基板８上に設けられた共通電極４４とは、矢印Ａ方向から平面的に見て複数のドット状の領域で重なっている。このように重なり合った領域が表示の最小単位であるサブ画素Ｄを形成している。そして、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、矢印Ａ方向から見て長方形状又は正方形状の表示領域Ｖが形成され、この表示領域Ｖ内に文字、数字、図形等といった像が表示される。

本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色膜４１を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色膜４１に対応する３つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。

図２において、光反射膜２４は、例えばフォトエッチング処理によって形成される。この光反射膜２４はサブ画素Ｄのうちの一部の領域Ｒに設けられており、サブ画素Ｄ内の残りの領域Ｔには設けられていない。領域Ｒは図３に示すようにサブ画素Ｄ内においてＴＦＴ素子２１に対応する領域を除いたほぼ長方形状の領域であり、領域Ｔはサブ画素Ｄ内の残りの長方形状の領域である。

個々のサブ画素Ｄの中で光反射膜２４が存在する領域Ｒが反射表示領域であり、光反射膜２４が存在しない領域Ｔが透過表示領域である。反射表示領域Ｒはサブ画素Ｄ内の図の上側の片側の領域であり、透過表示領域Ｔはサブ画素Ｄ内の残りの図の下側の片側の領域であり、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界線はサブ画素Ｄを行方向Ｘに横切る線（本実施形態では直線）となっている。図２において、矢印Ａで示す観察側から入射した外部光Ｌ０はは反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２４で反射する。一方、図１の照明装置３の導光体１４から出射した図２の光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを通過する。

凹凸樹脂膜２３の表面であって個々のサブ画素Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する部分には複数の凸部及び複数の凹部が矢印Ａ方向から見て平面的にランダムに形成され、これにより凹凸樹脂膜２３の表面に凹凸パターン５２が形成されている。この凹凸パターン５２は２重のパターン構造、すなわち２つのパターンを平面的に重ねた構造になっている。具体的には、大凹凸パターン５３に重ねて小凹凸パターン５４を重ねて形成している。さらに具体的には、小凹凸パターン５４を形成している複数の凸部の頂点を含む面（図２において鎖線で示す面）は小凹凸パターン５４と異なる凹凸パターン形状となっている。このことは、小凹凸パターン５４を形成している複数の凸部の個々に隣接する個々の凹部の底点を含む面が小凹凸パターン５４と異なる凹凸パターン形状となっているということである。

光反射膜２４は、そのような凹凸パターンが形成されている凹凸樹脂膜２３の上に一定の膜厚で形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンの形状を有している。このように光反射膜２４に凹凸パターンを形成することにより、光反射膜２４で反射する光Ｌ０を、鏡面反射でなく、適度の散乱光や適切な指向性を持った光とすることができる。

また、本実施形態のように、小凹凸パターン５４と異なる凹凸パターンを有する大凹凸パターン５３の上にその小凹凸パターン５４を重ねて形成することにすれば、小凹凸パターン５４のパターン形状が複雑になってランダム性（すなわち、無秩序性）が高くなるので、観察者が反射光を観察するときに虹色干渉縞が発生することを防止できる。

また、本実施形態では、小凹凸パターン５４内の複数の凸部の形状、及び大凹凸パターン５３内の複数の凸部の形状を互いに同じ形状にした場合であっても、すなわち、小凹凸パターン５４及び大凹凸パターン５３をそれぞれ均一又は単調なパターンに形成した場合であっても、大凹凸パターン５３の上に重ねて形成された小凹凸パターン５４は複雑な凹凸パターンとなるので、小凹凸パターン５４からの反射光を観察したときに虹色干渉縞が発生することを大幅に防止できる。

大凹凸パターン５３に重ねて小凹凸パターン５４を形成する方法としては任意の方法を採用できるが、例えば、まずポジ型感光性樹脂又はネガ型感光性樹脂にフォトリソグラフィ処理を施して複数の凸部を平面的にランダムに形成して（このとき必然的に凸部の隣に凹部が形成される）大凹凸パターン５３を形成し、次に、大凹凸パターン５３を有するに至った樹脂に再度フォトリソグラフィ処理を施して複数の凸部を平面的にランダムに形成して小凹凸パターン５４を形成する、というパターニング手法を採用できる。

なお、上記のようにフォトリソグラフィ処理を用いて大凹凸パターン５３の上に小凹凸パターン５４を形成する際、フォトリソグラフィ処理で用いる露光マスクには、大凹凸パターン５３内の凸部や小凹凸パターン５４内の凸部に対応するマスクパターンが形成される。一般に、そのようなマスクパターンは多角形パターン、例えば６角形パターンとして形成され、この多角形パターンによって露光光を遮光（ポジ型の場合）するか、又は透過（ネガ型の場合）させれば、そのマスクパターンに対応して樹脂表面に凸部が形成される。この場合の出来上がった凸部は、通常、多角形状のマスクパターンに対応した多角錐形状になるというよりも、頂部が丸い円錐形状に近い形状、すなわち山形状となる。

本実施形態では、大凹凸パターン５３を形成する凸部の平面断面の径は小凹凸パターン５４を形成する凸部の平面断面の径よりも大きくなるように設定している。すなわち、大凹凸パターン５３を粗い凹凸パターンで形成し、小凹凸パターン５４をそれよりも細かい凹凸パターンで形成している。

次に、図２において、カラーフィルタ基板８上の樹脂膜４３は反射表示領域Ｒ内に設けられており、透過表示領域Ｔ内には設けられていない。このため、反射表示領域Ｒ内の液晶層１２の層厚ｔ０は、透過表示領域Ｔ内の液晶層１２の層厚ｔ１よりも薄くなっている。望ましくは、ｔ０＝ｔ１／２になっている。このような液晶層１２の層厚の調整は、反射表示領域Ｒ内で光Ｌ０が液晶層１２を２回通過する反射表示の場合と、透過表示領域Ｔ内で光Ｌ１が液晶層１２を１回しか通過しない透過表示の場合とで、液晶層１２のリタデーション（Δｎｄ）を均一にして鮮明な表示を得るために行われるものである。但し、“Δｎ”は屈折率異方性、“ｄ”は液晶層厚を示している。

次に、図１において、素子基板７の構成要素である第１透光性基板７ａはカラーフィルタ基板８の外側へ張り出す張出し部４５を有している。この張出し部４５の表面には、配線４６がフォトエッチング処理等によって形成されている。配線４６は矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向に沿って互いに等間隔で平行に並べられている。また、張出し部４５の辺端には複数の外部接続用端子４７が紙面垂直方向に沿って互いに等間隔で平行に並ぶように形成されている。これらの外部接続用端子４７が設けられた張出し部４５の辺端に、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）基板（図示せず）が接続される。

複数の配線４６は、シール材６に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びる状態で形成されている。これらの配線４６の一部は、素子基板７上のソース線１９（図２参照）に直接につながってデータ線として機能する。また、複数の配線４６の他の一部は、シール材６によって囲まれた領域内において素子基板７の側辺に沿って列方向Ｙに延びた後、行方向Ｘへ折れ曲がる状態に形成されている。これらの曲がり形状を有する配線４６は、素子基板７上のゲート線２０（図２参照）に直接につながって走査線として機能する。

図１の張出し部４５の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）４８を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ４９が実装されている。この駆動用ＩＣ４９は、ソース線１９へデータ信号を伝送し、ゲート線２０へ走査信号を伝送する。駆動用ＩＣ４９は１つのＩＣチップで形成しても良いし、必要に応じて複数のＩＣチップで形成しても良い。駆動用ＩＣ４９を複数のＩＣチップによって構成する場合には、それらのＩＣチップは張出し部４５上で図１の紙面垂直方向に並べて実装される。

以上のように構成された液晶表示装置１によれば、図１において、液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。

上記の反射型表示を行う場合、図２において、観察側である矢印Ａの方向からカラーフィルタ基板８を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過して素子基板７内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２４で反射して再び液晶層１２へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図１の照明装置３の光源１３が点灯し、それからの光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光出射面１４ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図２の符号Ｌ１で示すように透過表示領域Ｔにおいて光反射膜２４が存在しない領域を通って液晶層１２へ供給される。

以上のようにして液晶層１２へ光が供給される間、素子基板７側の透明電極２５とカラーフィルタ基板８側の共通電極４４との間には、走査信号及びデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板８側の偏光板１８ｂ（図１参照）を通過するとき、その偏光板１８ｂの偏光特性に従って光がサブ画素Ｄごとに通過を許容又は通過を規制され、これにより、素子基板７の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが矢印Ａ方向から視認される。

本実施形態の液晶表示装置１によれば、図２において、反射型表示時に光反射膜２４で反射した光が観察者によって観察される。仮に光反射膜２４に凹凸パターンが形成されていないと、その光反射膜２４で鏡面反射が起こり、観察者が視認する表示の背景に観察者の背景が映り込んでしまい、表示が見難くなるおそれがある。これに対し、本実施形態のように凹凸パターン５２を反映した凹凸パターンを光反射膜２４に形成すれば、反射光が鏡面反射することなく散乱光となるので、表示の背景に映り込みのない、見易い表示を実現できる。

しかしながら、光反射膜２４に凹凸パターンを設ける場合、その凹凸パターンが単調であると虹色干渉縞が発生して表示が見難くなるおそれがある。このことに関し、本実施形態では、小凹凸パターン５４が大凹凸パターン５３の上に重ねて形成されるので、小凹凸パターン５４に適度なランダム性、すなわち適度な無秩序性を付与でき、それ故、虹色干渉縞の発生を大幅に防止できる。

また、本実施形態によれば、１つの樹脂膜である凹凸樹脂膜２３の表面に形成された小凹凸パターン５４それ自体が大凹凸パターン５３の上に重ねて形成された状態となっているので、従来のように２つの樹脂膜の積層によって２種類の凹凸パターンを重ね合わせる場合に比べて、樹脂膜の構造が簡単であり、製造工程も簡単であり、製造時間を短縮できる。このため、材料コスト及び製造コストを低減できる。

さらに、本実施形態によれば、大きな形状の大凹凸パター５３上にそれよりも小さな形状の小凹凸パターン５４を重ねて形成することにしたので、簡単な手法によって無理なく確実に小凹凸パターンに適切な無秩序性を付与できる。

本実施形態では、小凹凸パターン５４を形成する複数の凸部は互いに平面径及び凸部断面高さが等しくなっている。これは、凸部を形成するための露光マスクに関して複数の凸部に対応するマスクパターンを互いに等しい形状、例えば同じ形状の多角形状又は円形状に形成することによって実現できる。このように、小凹凸パターン５４を形成するための露光マスクに関して、小凹凸パターン５４内の複数の凸部に対応するマスクパターンを全て同じ形状にすれば、露光処理に関するコストを大幅に低減できる。なお、小凹凸パターン５４内の複数の凸部は上記のように全てを同じ形状及び大きさに形成することに限られず、いくつかの異なる種類の形状及び大きさに分けて形成することもできる。

次に、本実施形態においては、小凹凸パターン５４を形成する複数の凸部を互いに平面径及び凸部断面高さが等しいパターンとして形成すると共、大凹凸パターン５３を形成する複数の凸部をも互いに平面径及び凸部断面高さが等しいパターンとして形成するものとしている。つまり、本実施形態では、均一なパターンの大凹凸パターン５３上に均一なパターンの小凹凸パターン５４を重ねて形成するものとする。このように、大凹凸パターン５３を形成するための露光マスクに関しても、大凹凸パターン５３内の複数の凸部に対応するマスクパターンを全て同じ形状にすれば、露光処理に関するコストをより一層大幅に低減できる。なお、大凹凸パターン５３内の複数の凸部は上記のように全てを同じ形状及び大きさに形成することに限られず、いくつかの異なる種類の形状及び大きさに分けて形成することもできる。

（変形例）
上記の実施形態では、大凹凸パターン５３内の凸部を互いに同じ形状の均一な凸部とし、小凹凸パターン５４内の凸部も互いに同じ形状の均一な凸部とした。しかしながら、本発明の電気光学装置はその構成に限られるものではなく、小凹凸パターン５４を形成する複数の凸部は互いに平面径及び凸部高さが等しく、大凹凸パターン５３を形成する複数の凸部の中には平面径及び凸部断面高さが異なる複数種類の凸部が含まれる状態とすることができる。つまり、本発明は、小凹凸パターン５４内の複数の凸部に関してはそれらの大きさ及び形状を同じにするが、大凹凸パターン５３内の複数の凸部に関してはそれらの大きさ及び形状に変化を持たせるという構成も含むものである。この構成によれば、大凹凸パターン５３のパターンが複雑になるので、その上に重ねて形成された小凹凸パターン５４のパターンをも複雑にすることができ、虹色干渉縞の発生をより一層確実に防止できる。

（電気光学装置に関するその他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明に係る電気光学装置を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。

例えば、上記実施形態は、チャネルエッチ型でシングルゲート構造のアモルファスシリコンＴＦＴ素子をスイッチング素子として用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用したものであるが、本発明はチャネルエッチ型以外のアモルファスシリコンＴＦＴ素子を用いる液晶表示装置にも適用できる。また、本発明は、アモルファスシリコンＴＦＴ素子以外のＴＦＴ素子、例えば高温ポリシリコンＴＦＴ素子や、低温ポリシリコンＴＦＴ素子等をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置にも適用できる。

また、本発明は、シングルゲート構造以外のＴＦＴ素子、例えばダブルゲート構造又はマルチゲート構造のＴＦＴ素子を用いる液晶表示装置にも適用できる。また、上記実施形態は３端子型スイッチング素子であるＴＦＴ素子を用いる電気光学装置に本発明を適用したものであるが、本発明は、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子等といった２端子型スイッチング素子を用いる電気光学装置にも適用できる。

また、本発明は、液晶表示装置以外の電気光学装置、例えば、有機ＥＬ装置、無機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置（ＰＤＰ：Plasma Display）、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）、フィールドエミッションディスプレイ装置（ＦＥＤ：Field Emission Display：電界放出表示装置）にも適用できる。

（電気光学装置の製造方法の実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法を実施形態に基づいて説明する。本実施形態では、図１に示した液晶表示装置１を製造する場合を例に挙げて説明する。なお、本発明方法がこの実施形態に限定されないことはもちろんである。また、本実施形態では、液晶表示装置を１つずつ作製するのではなく、面積の大きな透光性基板を用いて複数の液晶表示装置を同時に作製する、いわゆる多数個取りの手法に基づいて液晶表示装置を作製するものとする。

このような多数個取りの製造方法においては、図１に示す素子基板７及びカラーフィルタ基板８を１つずつ形成するのではなく、素子基板７に関しては、複数の素子基板７を形成できる大きさの面積を有する素子側マザー透光性基板の上に素子基板７の複数個分の要素を同時に形成してマザー素子基板を形成する。一方、カラーフィルタ基板８に関しては、複数のカラーフィルタ基板８を形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板８の複数個分の要素を同時に形成してマザーカラーフィルタ基板を形成する。

そして、それらのマザー素子基板とマザーカラーフィルタ基板とを貼り合わせることにより、液晶パネル２（図１で液晶層１２を持たない状態）を縦及び横に複数列含む大きさの大面積のパネル構造体を作製する。次に、その大面積のパネル構造体に対して１回目の切断処理（いわゆる、１次ブレイク）を行う。この１次ブレイクでは、大面積のパネル構造体を縦方向又は横方向の１つの方向に沿って切断して、複数の液晶パネル２が一列状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を作製する。この短冊状のパネル構造体に関しては、それに含まれる複数の液晶パネル２内のシール材６（図１参照）に設けられた液晶注入口が短冊状のパネル構造体の１つの側面において外部へ開放する。

次に、外部へ開放している液晶注入口を通して各液晶パネル２の内部へ液晶を注入して液晶層１２（図１参照）を形成し、その後、液晶注入口を樹脂で塞いだ上で、短冊状のパネル構造体に対して２回目の切断処理（いわゆる、２次ブレイク）を行う。この２次ブレイクにより、短冊状のパネル構造体から個々の液晶パネル２が切り出される。そしてその後、図１に示すように液晶パネル２に対して、偏光板１８ａ，１８ｂが貼着されたり、駆動用ＩＣ４９が実装されたり、ＦＰＣ基板が接続されたりして、液晶表示装置１が完成する。

本実施形態に係る電気光学装置の製造方法では、図１のカラーフィルタ基板８を製造する工程に関しては従来から周知の製造方法を採用できる。これに対し、図１の素子基板７を製造することに関して改善が加えられている。この事情に鑑み、これ以降の説明では、カラーフィルタ基板８に関する製造方法の説明は省略し、素子基板７の製造方法について詳しく説明する。

図５は、図１の素子基板７を製造する方法の一実施形態を示している。以下、図２及び図４を参照しながら図５の製造方法を説明する。図５において、基板の製造作業が開始されると、工程Ｐ１において、基板７ａ（マザー基板状態）上にゲート電極３１、ゲート線２０、及び補助容量第１電極３１ａを形成する。これらの要素は、Ａｌ（アルミニウム）を主とする第１層の上にＭｏ（モリブデン）を主とする第２層を積層して成る２層構造によって形成される。

上記の各要素を形成するにあたっては、まず、スパッタリングによってＡｌを膜厚１０００Åで成膜し、次に、そのＡｌの上にスパッタリングによってＭｏを膜厚５００Åで成膜する。Ｍｏによって上層を形成するのは次の理由による。すなわち、Ａｌはその表面に酸化膜を形成し易いので、ゲート電極等をＡｌ単体で形成すると、その上に他の金属膜を積層する際にそれらの間の接触性が悪くなるおそれがある。これに対し、ＡｌにＭｏを重ねてゲート電極等を形成すれば、それに他の金属膜を積層する際の接触性を良好に維持できるからである。

以上により、Ｍｏ／Ａｌの材料層が形成されると、次に、その材料層の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ処理によってそのレジストを所定の平面形状にパターニングし、そのパターニングされたレジストをマスクとしてＭｏ／Ａｌ層をエッチングし、さらにマスクとして使ったレジストを剥離するという一連の処理を行う。これにより、ゲート電極３１、ゲート線２０、及び補助容量第１電極３１ａが基板７ａ（マザー基板状態）上の所定位置にそれぞれ所定形状に形成される。

次に、図５の工程Ｐ２において半導体膜材料の成膜工程を実施する。具体的には、ゲート絶縁膜３２の材料層、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜３３の材料層、そして高濃度不純物を含むＮ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂの材料層の３層をそれぞれＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって成膜する。より具体的には、ＳｉＮによって膜厚４０００Åのゲート絶縁膜材料層を成膜し、次にａ−Ｓｉによって膜厚１０００Åのａ−Ｓｉ材料層を成膜し、次にＮ＋−Ｓｉ膜用の材料層を膜厚５００Åに成膜する。

次に、図５の工程Ｐ３において、図４のＴＦＴ素子２１のａ−Ｓｉ膜３３及びＮ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂをアイランド状（すなわち、島状）に形成するためのパターニング処理を行う。具体的には、まず感光性樹脂であるレジスト（実施形態ではポジ型）をＮ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂの材料層の上に塗布し、フォトリソグラフィ処理によってレジストをパターニングし、パターニングされたそのレジストをマスクとしてエッチングし、さらにマスクとして使用したレジストを剥離することにより、島状のａ−Ｓｉ膜及び島状のＮ＋−Ｓｉ膜を形成する。

次に、図５の工程Ｐ４において、ソース電極３５及びドレイン電極３６の両電極用の導電材料をスパッタリングによって成膜する。具体的には、Ｍｏによって膜厚５０Åの第１層を成膜し、その上にＡｌによって膜厚１０００Åの第２層を成膜し、さらにその上にＭｏによって膜厚５００Åの第３層を成膜する。つまり、ソース・ドレイン導電材料層は、Ｍｏ（第３層）／Ａｌ（第２層）／Ｍｏ（第１層）の３層構造によって形成形成される。

第１層として５０ÅのＭｏ層を設けるのは、ソース電極３５及びドレイン電極３６の下層である半導体層３３へＡｌが拡散するのを防止するためである。また、第３層として５００ÅのＭｏを設けるのは、ドレイン電極３６等の上に他の金属膜が設けられる場合の導線接触性を高く保持できるようにするためである。

次に、感光性樹脂であるレジストを電極３５，３６の材料層の上に塗布し、フォトリソグラフィ処理によってレジストをパターニングし、パターニングされたそのレジストをマスクとしてエッチングし、さらにマスクとして使用したレジストを剥離することにより、ソース電極３５及びドレイン電極３６を所定の形状に形成する。

次に、工程Ｐ５においてチャネルエッチ処理を実行する。具体的には、Ｎ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂの島状材料層に対してエッチング処理を行うことにより、図４に示すように島状材料層の中央部分を除去して、左右のＮ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂを形成する。

次に、工程Ｐ６において、保護膜２２の材料層としてＳｉＮをＣＶＤ法により膜厚４０００Åに形成し、さらにフォトリソグラフィ処理により、所定の形状にパターニングする。このとき、保護膜２２は個々の液晶パネル形成領域に対して図１の表示領域Ｖ内にのみ形成される。

次に、工程Ｐ７において凹凸樹脂膜２３を形成する。具体的には、凹凸樹脂膜２３の材料層を例えば塗布法によって膜厚２μｍに形成し、さらにフォトリソグラフィ処理により、所定の形状にパターニングする。凹凸樹脂膜２３も保護膜２２と同様に個々の液晶パネル形成領域内の表示領域Ｖ内にのみ形成される。凹凸樹脂膜２３の表面に形成される大凹凸パターン５３及び小凹凸パターン５４、すなわち凹凸パターン５２については、後で詳しく説明する。

次に、工程Ｐ８において、図２の光反射膜２４の材料層を、例えばＡｌ又はＡｌ合金を材料としてスパッタリングによって膜厚１０００Åで成膜する。このとき、凹凸樹脂膜２３の凹凸形状の上に積層された材料層はその凹凸形状を反映した形状、すなわちその凹凸形状と同じ凹凸形状を有することになる。

次に、光反射膜の材料層に対してフォトエッチング処理を行って所定形状の光反射膜２４をパターニングする。具体的には、図３に示すようにサブ画素Ｄ内の片側を反射表示領域Ｒとするように光反射膜２４が形成される。なお、図４において光反射膜２４と透明電極２５とから成る画素電極と、ＴＦＴ素子２１のドレイン電極３６との接続を確保するため、ＴＦＴ素子２１と平面的に重なる領域、少なくともドレイン電極３６と平面的に重なる領域には光反射膜２４を形成しないことにする。

次に、工程Ｐ９において、保護膜２２及び凹凸樹脂膜２３に対してフォトリソグラフィ処理を行うことにより、ドレイン電極３６の延在部分を外部とつなげるためのコンタクトホール２７を保護膜２２及び凹凸樹脂膜２３の内部に形成する。

次に、工程Ｐ１０において光反射膜２４及び凹凸樹脂膜２３の上に透明電極２５の材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）をスパッタリングによって膜厚１０００Åで成膜する。このとき、ＩＴＯはコンタクトホール２７の中に流れ込んでドレイン電極３６のコンタクト部分に接触する。続いて、透明電極２５の材料層に対してフォトエッチング処理を行うことにより、図３において長方形状のサブ画素Ｄが形成されるように透明電極２５がパターニングされる。こうして形成された透明電極２５は、コンタクトホール２７を介してＴＦＴ素子２１のドレイン電極３６に接続する。ドレイン電極３６はＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層構造を有していて最上層が導電接触性の高いＭｏであるので、透明電極２５とドレイン電極３６との接触性は良好に維持される。

次に、工程Ｐ１１において、図２の透明電極２５の上に、例えばポリイミドをローラ転写法によって印刷することによって配向膜２６ａが形成され、さらにその配向膜２６ａに対してラビング処理が行われる。以上により、図１の素子基板７（マザー基板状態）が作製される。この後は、別途作製されたカラーフィルタ基板（マザー基板状態）と、その素子基板７（マザー基板状態）とを貼り合わせ、さらに液晶を注入し、さらに基板の切断を行うことにより、図１に示す個々の液晶パネル２を作製する。

（樹脂膜形成処理）
次に、図５の凹凸樹脂膜形成工程Ｐ７を図６に示すフローチャート、図７に示す膜構造変遷図、並びに図２、図３及び図４に示す構造図を参照して説明する。まず、図６の工程Ｐ２１において、図２の保護膜２２の上に図７（ａ）に示すように凹凸樹脂膜２３の材料２３’、例えばポジ型レジストである感光性樹脂２３’をスピンコートによって一様な厚さに塗布する。この感光性樹脂としては、例えば、ＪＳＲ社製のＰＣ４０５Ｇを用いることができる。また、スピンコートの条件は、例えば、７００〜１０００ｒｐｍ、８．５秒である。また、感光性樹脂の厚さは１．２〜２．５μｍとする。

次に、工程Ｐ２２において、例えば９０℃で１２０秒のプリベークを行って、感光性樹脂２３’内の溶媒を除去する。次に、工程Ｐ２３において１回目の露光処理を行う。この露光処理は感光性樹脂２３’の表面に図２の大凹凸パターン５３を形成するための露光処理である。具体的には、基板７ａ（マザー基板状態）を露光装置、例えば一括露光装置の所定位置に設置し、さらに図８（ａ）に示す第１露光マスク５６を図７（ｂ）に示すように基板７ａに対向する所定位置に設置する。

第１露光マスク５６は、ガラス、プラスチック等から成る透光性基板基板５７上に遮光用マスクパターン５８ａを設けて成るマスクである。遮光用マスクパターン５８ａは光透過率０％の領域であり、この領域は例えばＣｒ及びＣｒＯｘ（酸化クロム）の２層構造を有する積層クロムによって形成する。遮光用マスクパターン５８ａは、図示のような円形状とすることもできるし、図示の円に内接又は外接する多角形状（例えば、６角形状）とすることもできる。

図８（ａ）の実施形態では、面積（すなわち、径）の大きな遮光用マスクパターン５８ａと面積の小さい（すなわち、径の小さい）遮光用マスクパターン５８ａの２種類の遮光用マスクパターンを用いている。しかしながら、遮光用マスクパターン５８ａの面積は、面積の大きい遮光用マスクパターン５８ａの１種類であっても良く、面積の小さい遮光用マスクパターン５８ａの１種類であっても良く、あるいは、図８（ａ）に示したもの以外の面積の遮光用マスクパターン５８ａを１種類又は複数種類さらに含むものであっても良い。なお、複数の遮光用マスクパターン５８ａは基板５６上にランダム、すなわち無秩序に形成されている。

以上の構成を有する第１露光マスク５６を通して図７（ｂ）において感光性樹脂２３’へ一定光量の露光光Ｌ２を照射すると、遮光用マスクパターン５８ａ以外の領域が光を受けて可溶化する。次に、工程Ｐ２４において基板７ａを所定の現像液に所定時間浸漬して現像処理を行う。これにより、可溶化された部分が除去されて大凹凸パターン５３が形成される。この大凹凸パターン５３を形成している凸部は図８（ａ）の遮光用マスクパターン５８ａに対応した形状及び大きさに形成される。図８（ａ）の遮光用マスクパターン５８ａを円形状に形成すれば、図７（ｂ）で形成される大凹凸パターン５３の凸部は頂点が丸い状態の円錐形状、すなわち山形状になる。また、遮光用マスクパターン５８ａを多角形状に形成した場合も大凹凸パターン５３の凸部はほぼ円錐形状、すなわち山形状になる。図８（ａ）のように複数種類の大きさ及び形状の遮光用マスクパターン５８ａを有する第１露光マスク５６を用いて第１露光処理を行えば、基板７ａ上には複数種類の大きさ及び形状の凸部を有する大凹凸パターン５３が形成される。

次に、図６の第１露光処理Ｐ２３及び第１現像処理Ｐ２４に対して焼成処理を施すことなく、図６の工程Ｐ２５において２回目の露光処理を行う。この露光処理は、既に形成してある大凹凸パターン５３の上に図２の小凹凸パターン５４を重ねて形成するための露光処理である。具体的には、図８（ｂ）に示す第２露光マスク５９を図７（ｃ）に示すように基板７ａに対向する所定位置に設置する。

第２露光マスク５９は、ガラス、プラスチック等から成る透光性基板基板６１上に遮光用マスクパターン５８ｂを設けて成るマスクである。遮光用マスクパターン５８ｂは光透過率０％の領域であり、この領域は例えばＣｒ及びＣｒＯｘ（酸化クロム）の２層構造を有する積層クロムによって形成する。遮光用マスクパターン５８ｂは、図示のような円形状とすることもできるし、図示の円に内接又は外接する多角形状（例えば、６角形状）とすることもできる。

遮光用マスクパターン５８ｂは第１露光マスク５６に形成された遮光用マスクパターン５８ａよりも面積、すなわち径が小さいマスクパターンとなっている。つまり、遮光用マスクパターン５８ｂは第１露光マスク５６に設けられた最小径の遮光用マスクパターン５８ａよりも小さい径となるように形成されている。複数の遮光用マスクパターン５８ｂは全て同じ形状及び大きさの円形状又は多角形状に形成されている。また、複数の遮光用マスクパターン５８ｂは基板６１上にランダム、すなわち無秩序に形成されている。

以上の構成を有する第２露光マスク５９を通して図７（ｃ）において感光性樹脂２３’へ一定光量の露光光Ｌ３を照射すると、遮光用マスクパターン５８ｂ以外の領域が光を受けて可溶化する。次に、工程Ｐ２６において基板７ａを所定の現像液に所定時間浸漬して現像処理を行う。これにより、可溶化された部分が除去されて小凹凸パターン５４が形成される。この小凹凸パターン５４を形成している凸部は図８（ｂ）の遮光用マスクパターン５８ｂに対応した形状及び大きさに形成される。本実施形態では複数の遮光用マスクパターン５８ｂを全て同じ形状及び大きさに形成したので、小凹凸パターン５４を形成する複数の凸部も全て同じ形状及び大きさのパターン、例えば円錐パターンとなる。

次に、工程Ｐ２７において、例えば２２０℃、４０〜５０分で膜を焼成して凹凸樹脂膜２３の形状及び性質を安定状態に設定する。以上により、図２に示すように、大凹凸パターン５３に小凹凸パターン５４を重ねて形成して成る凹凸パターン５２が凹凸樹脂膜２３の表面に形成される。その後、既述した図５の光反射膜形成工程Ｐ８以降の工程が実行される。

以上に記載した液晶表示装置の製造方法を用いて液晶表示装置を製造すれば、図２に示すように大凹凸パターン５３のパターン形状を反映した小凹凸パターン５４が表面に形成された状態の樹脂膜２３を有する液晶表示装置を確実に製造できる。この液晶表示装置では、小凹凸パターン５４のパターン形状が大凹凸パターン５３を反映しているために適度に無秩序化されているので、この小凹凸パターン５４の上に設けられた光反射膜２４で反射した光を観察する際、虹色干渉縞の発生を大幅に防止できる。

なお、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法によれば、１つの樹脂膜２３の表面に形成された小凹凸パターン５４それ自体が大凹凸パターン５３の上に重ねて形成された状態となるので、従来のように２つの樹脂膜の積層によって２種類の凹凸パターンを重ね合わせる場合に比べて、樹脂膜の構造が簡単であり、製造工程も簡単であり、製造時間を短縮できる。このため、材料コスト及び製造コストを低減できる。

また、本実施形態では、図８（ａ）の第１露光マスク５６は図２の大凹凸パターン５３のための遮光用マスクパターン５８ａを有し、図８（ｂ）の第２露光マスク５９は図２の小凹凸パターン５４のための遮光用マスクパターン５８ｂを有している。そして、第１露光マスク５６の遮光用マスクパターン５８ａの径は第２露光マスク５９の遮光用マスクパターン５８ｂの径よりも大きく設定されている。この構成により、本実施形態では、大きい形状の大凹凸パターン５３上に小さい形状の小凹凸パターン５４を重ねて形成される。このように、大きな形状の大凹凸パターン５３上にそれよりも小さな形状の小凹凸パターン５４を重ねて形成することにすれば、簡単な手法によって無理なく確実に小凹凸パターン５４に適切な無秩序性を付与できる。

（変形例）
上記実施形態では、図８（ａ）に示すように、第１露光マスク５６内の遮光用マスクパターン５８ａ、すなわち図２の大凹凸パターン５３の凸部に対応するマスクパターンを、異なる大きさの２種類のマスクパターンとした。これにより、大凹凸パターン５３の上に形成される小凹凸パターン５４のパターン形状を複雑にすることができた。しかしながら、遮光用マスクパターン５８ａは必ずしも複数種類のマスクパターンとしなければならない訳ではなく、遮光用マスクパターン５８ａは全て同じ形状及び径のマスクパターンとすることもできる。こうすれば、遮光用マスクパターン５８ａを備えた第１露光マスク５６を簡単に、低コストで、正確に形成できる。

なお、本実施形態では、小凹凸パターン５４が大凹凸パターン５３の上に重ねて形成されるので、大凹凸パターン５３内の複数の凸部に対応する遮光用マスクパターンの径を上記のように互いに同じ大きさに設定することによって大凹凸パターン５３を単調なパターンとして形成した場合でも、小凹凸パターン５４が形成された後の樹脂膜の表面の全体を見れば、適度に無秩序性を持った小凹凸パターン５４を得ることができる。従って、第１露光マスク５６の遮光用マスクパターン５８ａのパターン径を均一にした場合でも、虹色干渉縞の発生を大幅に防止できる。

（電気光学装置の製造方法に関するその他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明に係る電気光学装置の製造方法を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。

例えば、上記実施形態は、チャネルエッチ型でシングルゲート構造のアモルファスシリコンＴＦＴ素子をスイッチング素子として用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置の製造方法に本発明を適用したものであるが、本発明方法はチャネルエッチ型以外のアモルファスシリコンＴＦＴ素子を用いる液晶表示装置を製造する場合にも適用できる。また、本発明方法は、アモルファスシリコンＴＦＴ素子以外のＴＦＴ素子、例えば高温ポリシリコンＴＦＴ素子や、低温ポリシリコンＴＦＴ素子等をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置を製造する場合にも適用できる。また、本発明方法は、シングルゲート構造以外のＴＦＴ素子、例えばダブルゲート構造又はマルチゲート構造のＴＦＴ素子を用いる液晶表示装置を製造する場合にも適用できる。また、本発明方法は、液晶表示装置以外の電気光学装置、例えば有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置を製造する場合にも適用できる。

（電子機器の第１実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態に基づいて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。

図９は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶表示装置１０１と、これを制御する制御回路１０２とを有する。液晶表示装置１０１は液晶パネル１０３及び駆動回路１０４を有する。制御回路１０２は、表示情報出力源１０５、表示情報処理回路１０６、電源回路１０７及びタイミングジェネレータ１０８によって構成される。

表示情報出力源１０５は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０８により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０６に供給する。

表示情報処理回路１０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０４へ供給する。ここで、駆動回路１０４は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０７は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。

本実施形態の電子機器では液晶表示装置１０１を図１に示した液晶表示装置１を用いて構成する。こうすれば、本実施形態の電子機器は図１に示した液晶表示装置１が奏する効果をそのまま奏することができる。例えば、図２において、光反射膜２４で反射した光が観察者によって観察される。仮に光反射膜２４に凹凸パターンが形成されていないと、その光反射膜２４で鏡面反射が起こり、観察者が視認する表示の背景に観察者の背景が映り込んでしまい、表示が見難くなるおそれがある。これに対し、図２に示すように光反射膜２４に凹凸パターン５２を形成すれば、反射光が鏡面反射することなく散乱光となるので、表示の背景に映り込みのない、見易い表示を実現できる。

しかしながら、光反射膜２４に凹凸パターン５２を設ける場合、その凹凸パターン５２が単調であると虹色干渉縞が発生して表示が見難くなるおそれがある。このことに関し、本実施形態では、小凹凸パターン５４が大凹凸パターン５３の上に重ねて形成されるので、小凹凸パターン５４に適度なランダム性、すなわち適度な無秩序性を付与でき、それ故、虹色干渉縞の発生を大幅に防止できる。

また、本実施形態によれば、１つの樹脂膜である凹凸樹脂膜２３の表面に形成された小凹凸パターン５４それ自体が大凹凸パターン５３の上に重ねて形成された状態となっているので、従来のように２つの樹脂膜の積層によって２種類の凹凸パターンを重ね合わせる場合に比べて、樹脂膜の構造が簡単であり、製造工程も簡単であり、製造時間を短縮できる。このため、材料コスト及び製造コストを低減できる。

さらに、本実施形態によれば、大きな形状の大凹凸パター５３上にそれよりも小さな形状の小凹凸パターン５４を重ねて形成することにしたので、簡単な手法によって無理なく確実に小凹凸パターンに適切な無秩序性を付与できる。

（電子機器の第２実施形態）
図１０は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、これに開閉可能に設けられた表示体部１１２とを有する。液晶表示装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置１１３は、表示体部１１２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１１２において表示画面１１４によって視認できる。本体部１１１には複数の操作ボタン１１５が適宜の配列で設けられている。

表示体部１１２の一端部にはアンテナ１１６が伸縮自在に取付けられている。表示体部１１２の上部に設けられた受話部１１７の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部１１１の下端部に設けられた送話部１１８の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部に格納される。

本実施形態の携帯電話機１１０では表示装置１１３を図１に示した液晶表示装置１を用いて構成する。こうすれば、本実施形態の携帯電話機１１０は図１に示した液晶表示装置１が奏する効果をそのまま奏することができる。この効果は、図９に示した電子機器の場合と同じであるので、詳しい説明は省略する。

（変形例）
電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。これら各種の電子機器に本発明を適用できる。

本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置の一例を示す側面断面図である。 図１において矢印Ｚ１で示す部分を拡大して示す断面図である。 図２において矢印Ａに従って素子基板上の１つのサブ画素及びその周辺の平面構造を示す平面図である。 図３のＺ２−Ｚ２線に従った断面図である。 本発明に係る電気光学装置の製造方法の主要工程を示す工程図である。 図５の工程図の主要工程を示す工程図である。 図６の工程図に対応した基板上の膜構成の構造変遷図である。 図６に示す方法で使用する露光マスクの一例を示す平面図である。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。 本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示す斜視図である。

符号の説明

１．液晶表示装置（電気光学装置）、 ２．液晶パネル（電気光学パネル）、
３．照明装置、 ６．シール材、 ７．素子基板、 ７ａ．第１透光性基板、
８．カラーフィルタ基板、 ８ａ．第２透光性基板、
１２．液晶層（電気光学物質層）、 １３．ＬＥＤ、 １４．導光体、
１８ａ，１８ｂ．偏光板、 １９．ソース線、 ２０．ゲート線、 ２１．ＴＦＴ素子、
２２．保護膜、 ２３．凹凸樹脂膜、 ２４．光反射膜、 ２５．透明電極、
２６ａ，２６ｂ．配向膜、 ２７．コンタクトホール、 ３１．ゲート電極、
３１ａ．補助容量第１電極、 ３２．ゲート絶縁膜、 ３２ａ．補助容量絶縁膜、
３３．半導体膜、 ３４ａ，３４ｂ．Ｎ＋−Ｓｉ膜、 ３５．ソース電極、
３６．ドレイン電極、 ３６ａ．補助容量第２電極、 ４１．着色膜、 ４２．遮光膜、
４３．樹脂膜、 ４４．共通電極、 ４５．張出し部、 ４９．駆動用ＩＣ、
５１．補助容量、 ５２．凹凸パターン、 ５３．大凹凸パターン、
５４．小凹凸パターン、 ５６．第１露光マスク、 ５７．透光性基板、
５８ａ，５８ｂ．遮光用マスクパターン、 ５９．第２露光マスク、
６１．透光性基板、 １０１．液晶表示装置（電気光学装置）、 １０２．制御回路、
１０３．液晶パネル、 １０４．駆動回路、 １１０．携帯電話機（電子機器）、
Ｄ．サブ画素、 Ｇ．セルギャップ、 Ｌ０，Ｌ１．光、 Ｌ２，Ｌ３．露光光、
Ｒ．光反射領域、 Ｔ．透過表示領域、 ｔ０，ｔ１．液晶層厚、 Ｖ．表示領域

Claims (11)

1. 電気光学物質を支持する基板と、
   該基板と前記電気光学物質との間に設けられ、表面に小凹凸パターンを有する樹脂膜と、
   該樹脂膜の小凹凸パターン上に設けられた光反射膜と、を有し
   前記小凹凸パターンを形成している複数の凸部の頂点を含む面は前記小凹凸パターンと異なるパターン形状を持つ大凹凸パターンを持ち、
   該大凹凸パターンを形成する複数の凸部の個々の平面径及び凸部断面高さは前記小凹凸パターンを形成する複数の凸部の個々の平面径及び凸部断面高さよりも大きい
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１記載の電気光学装置において、前記小凹凸パターンを形成する複数の凸部のうち互いに隣接するものの頂部同士の前記樹脂膜の底面からの高さは互いに異なることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１又は請求項２記載の電気光学装置において、前記小凹凸パターンを形成する複数の凸部は互いに平面径及び凸部断面高さが等しいことを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項３記載の電気光学装置において、前記大凹凸パターンを形成する複数の凸部は互いに平面径及び凸部断面高さが等しいことを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１又は請求項２記載の電気光学装置において、
   前記小凹凸パターンを形成する複数の凸部は互いに平面径及び凸部断面高さが等しく、
   前記大凹凸パターンを形成する複数の凸部の中には平面径及び凸部断面高さが異なる複数種類の凸部が含まれる
   ことを特徴とする電気光学装置。
6. 基板上に均一な厚さの樹脂膜材料を形成する工程と、
   第１露光マスクを用いた第１回目の露光及び第１回目の現像によって前記樹脂膜材料の表面に大凹凸パターンを形成する工程と、
   前記大凹凸パターンを有する前記樹脂膜材料に対して第２マスクを用いた第２回目の露光及び第２回目の現像を行うことにより前記大凹凸パターンの上に前記小凹凸パターンを重ねて形成する工程と、
   前記小凹凸パターンを有する前記樹脂膜材料を焼成する工程と
   を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 請求項６記載の電気光学装置の製造方法において、
   前記第１露光マスクは前記大凹凸パターンのためのマスクパターンを有し、
   前記第２露光マスクは前記小凹凸パターンのためのマスクパターンを有し、
   前記大凹凸パターンを形成する凸部に対応する前記第１露光マスク内のマスクパターンの径は、前記小凹凸パターンを形成する凸部に対応する前記第２露光マスク内のマスクパターンの径よりも大きい
   ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
8. 請求項６又は請求項７記載の電気光学装置の製造方法において、
   前記第１露光マスク内のマスクパターンのうち前記大凹凸パターン内の複数の凸部に対応するマスクパターンは互いに等しい径を有する
   ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
9. 請求項６から請求項８のいずれか１つに記載の電気光学装置の製造方法において、
   前記第２露光マスク内のマスクパターンのうち前記小凹凸パターン内の複数の凸部に対応するマスクパターンは互いに等しい径を有する
   ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
10. 請求項６又は請求項７のいずれか１つに記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記第１露光マスク内のマスクパターンのうち前記大凹凸パターン内の複数の凸部に対応するマスクパターンは径が異なる複数種類のパターンを含み、
    前記第２露光マスク内のマスクパターンのうち前記小凹凸パターン内の複数の凸部に対応するマスクパターンは互いに等しい径を有する
    ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
11. 請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
    
    

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