KR20080049514A - 수직정렬구조 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

수직정렬구조 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 화소영역과 상기 화소영역에 반사부와 투과부가 정의된 제 1 기판과;
상기 제 1 기판 상부에, 게이트 절연막을 사이에 두고 그 하부 및 상부로 서로 교차하여 상기 화소영역는 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 게이트 및 데이터 배선과 각각 연결되며 형성된 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터를 덮으며 상기 반사부에 형성된 보호층과; 상기 투과부 형성된 다수의 철부와; 상기 보호층 상부로 형성된 반사판과; 상기 반사판 위로 상기 박막트랜지스터의 일전극과 접촉하며 형성된 제 1 서브화소전극과, 상기 제 1 서브화소전극과 연결되며 상기 다수의 철부를 덮으며 형성되어 상기 다수의 철부에 의해 볼록한 형태를 가지는 제 2 서브화소전극을 포함하는 화소전극과; 상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판과; 상기 제 2 기판 내측면에 형성된 블랙매트릭스와; 상기 블랙매트릭스 외부로 노출된 상기 내측면에 형성된 컬러필터층과; 상기 컬러필터층 하부로 전면에 형성된 공통전극과; 상기 화소전극 및 공통전극 사이에 개재된 액정층을 포함하는 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치를 제공한다.

Description

수직정렬구조 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법{Vertical alignment mode trans-flective liquid crystal display device and method of fabricating the same}
도 1은 종래의 수직정렬구조 반사투과형 액정표시장치의 스위칭 소자인 박막트랜지스터를 포함하는 하나의 화소영역 일부에 대한 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 수직정렬 구조 반사투과형 액정표시장치의 의 하나의 화소영역에 대한 평면도.
도 3은 도 2를 절단선 Ⅲ-Ⅲ을 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
도 4a 내지 도 4l은 도 2를 절단선 Ⅲ-Ⅲ를 따라 절단한 부분에 대한 어레이 기판의 제조 단계별 공정 단면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 수직정렬구조 반사투과형 액정표시장치
101 : 어레이 기판 105 : 게이트 전극
109 : 제 1 스토리지 전극 113 : 게이트 절연막
116 : 액티브층 117 : 순수 비정질 실리콘 패턴
122 : 불순물 비정질 실리콘 패턴 123 : 오믹콘택층
127 : 반도체 패턴 128 : 반도체층
130 : 데이터 배선 132 : 소스 전극
134 : 드레인 전극 136 : 제 2 스토리지 전극
140 : 보호층 142 : 드레인 콘택홀
145 : 철부 145a, 145b : 제 1, 2 철부
155 : 화소전극
155a, 155b, 155c : 제 1, 2, 3 서브화소전극
171 : 컬러필터 기판 173 : 블랙매트릭스
175 : 컬러필터층
175a, 175b, 175c : 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴
178 : 오버코트층 181 : 공통전극
183 : 컬럼 스페이서 187 : 액정층
d1, d2 :반사부 및 투과부에서의 셀갭(액정층 두께)
P : 화소영역 P1, P2, P3 : 제 1, 2, 3 서브화소영역
RxA : 반사부 StgA : 스토리지 영역
StgC : 스토리지 커패시터 TfA : 투과부
Tr : 박막트랜지스터 TrA : 스위칭 영역
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 정보화 사회로 시대가 급발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판 표시 장치(flat panel display)의 필요성이 대두되었다.
이러한 평판 표시 장치는 스스로 빛을 발하느냐 그렇지 못하냐에 따라 나눌 수 있는데, 스스로 빛을 발하여 화상을 표시하는 것을 발광형 표시장치라 하고, 그렇지 못하고 외부의 광원을 이용하여 화상을 표시하는 것을 수광형 표시장치라고 한다. 발광형 표시장치로는 플라즈마 표시장치(plasma display device)와 전계 방출 표시장치(field emission display device), 전계 발광 표시 장치(electro luminescence display device) 등이 있으며, 수광형 표시 장치로는 액정표시장치(liquid crystal display device)가 있다.
이중 액정표시장치가 해상도, 컬러표시, 화질 등이 우수하여 노트북이나 데스크탑 모니터에 활발하게 적용되고 있다.
일반적으로 액정표시장치는 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 서로 대향하도록 배치하고, 두 기판 사이에 액정을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직여 빛의 투과율을 조절하여 화상을 표현하는 장치이다.
그런데, 액정표시장치는 앞서 언급한 바와 같이 스스로 빛을 발하지 못하므로 별도의 광원이 필요하다.
따라서, 액정패널 뒷면에 백라이트(backlight) 유닛을 구성하고, 상기 백라이트 유닛으로부터 나오는 빛을 액정패널에 입사시켜, 액정의 배열에 따라 빛의 양을 조절함으로써 화상을 표시한다.
이러한 액정표시장치를 투과형(transmission type) 액정표시장치라고 하는데, 투과형 액정표시장치는 백라이트와 같은 인위적인 배면광원을 사용하므로 어두운 외부 환경에서도 밝은 화상을 구현할 수 있으나, 백라이트로 인한 전력소비(power consumption)가 큰 단점이 있다.
이와 같은 단점을 보완하기 위해 반사형(reflection type) 및 반사투과형 액정표시장치가 제안되었다.
반사형 액정표시장치는 외부의 자연광이나 인조광을 반사시킴으로써 액정의 배열에 따라 빛의 투과율을 조절하는 형태로 투과형 액정표시장치에 비해 전력소비가 적다. 이러한 반사형 액정표시장치에서 하부 어레이 기판 상에 형성되는 화소전극은 반사가 잘 되는 도전 물질로 형성하고, 상부의 컬러필터 기판에 형성되는 공통전극은 외부광을 투과시키기 위해 투명 도전 물질로 형성한다.
또한, 반사투과형 액정표시장치는 투과형 및 반사형 액정표시장치의 장점을 모두 갖춘 것으로, 실내 또는 외부광이 없는 곳에는 백라이트 광을 이용하는 투과모드로 사용하고, 외부광원이 존재하는 곳에서는 상기 외부광을 광원으로 이용하는 반사모드로 선택 사용할 수 있는 것이 특징이 되고 있다.
따라서 최근에는 반사 및 투과의 두 모드를 모두 이용할 수 있으며, 나아가 시야각을 향상시키기 위해 액정이 초기 수직배향을 이루는 수직정렬구조를 도입한 반사투과형 액정표시장치가 많은 관심을 받고 있다.
도 1은 종래의 수직정렬구조 반사투과형 액정표시장치의 스위칭 소자인 박막트랜지스터를 포함하는 하나의 화소영역 일부에 대한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 다수의 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(30)이 교차하여 이들 두 배선(미도시, 30)으로 둘러싸인 영역이라 정의되는 화소영역(P)내의 반사부(RA)에 있어서는, 어레이 기판(11) 상에 게이트 전극(15)과, 게이트 절연막(20)과, 반도체층(25)과 소스 및 드레인 전극(33, 36)을 포함하는 박막트랜지스터(Tr)가 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터(Tr) 위로 유기절연물질로써 두꺼운 두께를 가지며 평탄한 표면을 가지며 상기 드레인 전극(36) 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀(47)을 갖는 보호층(40)이 형성되어 있으며, 그 상부로 그 표면에 요철을 가지며 반사특성을 갖는 반사판(50)이 형성되어 있다. 또한, 상기 반사판(50)의 상부로는 상기 드레인 콘택홀(47)을 통해 상기 드레인 전극(36)과 접촉하는 화소전극(60)이 형성되어 있다.
다음, 투과부(TA)에 있어서는, 상기 어레이 기판(11)상에 게이트 절연막(20)이 형성되어 있으며, 그 위로 상기 반사부(RA)에 상기 박막트랜지스터(Tr)와 접촉하며 형성된 화소전극(60)이 상기 반사부(RA)로부터 연장되어 형성되어 있다. 이때 상기 화소전극(60)은 반사부(RxA) 및 투과부(TfA)를 포함하여 화소영역(P)내에서 하나 패턴 형태로 도시되고 있으나, 실질적으로는 상기 화소영역(P)은 반사부(RxA) 와 투과부(TfA) 이외에 세부적으로 다수의 서브화소영역(미도시)으로 나뉘며, 상기 각 서브 화소영역(미도시)별로 서브 화소전극(미도시)이 형성되며 이들 하나의 화소영역(P) 내에 형성된 서브 화소전극(미도시)은 연결패턴(미도시)에 의해 전기적으로 연결되고 있다.
이때, 상기 투과부(TfA)에 있어서는 상기 보호층(40)이 제거됨으로써 반사부(RxA)와 상기 보호층(40) 두께만큼의 더욱 정확히는 상기 보호층(40) 및 반사판(50)의 두께만큼의 단차를 형성하고 있다.
한편 전술한 구조를 갖는 어레이 기판(11)에 대응하여 그 상부로 위치한 컬러필터 기판(71)에 있어서는, 각 화소영역(P)을 둘러싸는 격자 형태로 하부의 게이트 및 데이터 배선(미도시, 30)에 대응하여 블랙매트릭스(74)가 형성되어 있으며, 그 하부로 각 화소영역(P)별로 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(78a, 78b, 78c)이 순차 반복하는 형태의 컬러필터층(78)이 형성되어 있으며, 그 하부로 전면에 오버코트층(80)과 공통전극(83)이 순차 적층되며 형성되어 있다.
또한, 상기 공통전극(83) 하부로 상기 블랙매트릭스(74)에 대응하여 상기 어레이 기판(11) 및 컬러필터 기판(71)이 일정한 간격을 유지하도록 하기 위한 컬럼 스페이서(87)가 형성되어 있으며, 상기 각 화소영역(P)에 대응하여 상기 화소영역(P)을 다수의 서브화소영역(미도시)으로 나뉘어 상기 각 서브화소영역(미도시)의 중앙부에는 볼록한 형태의 리벳(rivet)(85)이 형성되어 있다.
이때, 상기 리벳(85)은 상기 어레이 기판(11)상에 형성된 (서브)화소전극(60)과 이와 대응하는 컬러필터 기판(71) 내에 형성된 공통전극(83)간의 수직전 계의 왜곡을 유도하여 하나의 화소영역(P) 내에서 멀티도메인을 구현시킴으로써 시야각 특성을 향상시키는 역할을 하고 있다.
이러한 구조를 갖는 수직정렬 구조 반사투과형 액정표시장치(1)를 제조하는데 있어서, 특히 리벳(85)을 구비한 수직정렬 구조 반사투과형 액정표시장치용 컬러필터 기판(71)은 블랙매트릭스(74)(#1), 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴을 포함하는 컬러필터층(78)(#2~#4), 리벳(85)(#5) 및 컬럼 스페이서(87)(#6)를 각각 패터닝하는 6마스크 공정에 의해 제조됨으로써 통상 5개의 마스크 공정을 통해 제조되는 일반적인 액정표시장치용 컬러필터 기판의 제조 대비 1회의 마스크 공정을 추가로 필요로 하는 바, 공정수 증가에 의한 생산성 저하 및 생산 비용의 증가의 문제가 있다.
또한, 상기 리벳(85)은 하부의 어레이 기판(11)의 각 화소영역(P) 내에 부분적으로 형성된 각 서브화소전극(미도시)의 중앙부에 위치하도록 해야 하며 이 경우 컬러필터 기판(71)과 어레이 기판(11)의 더욱 큰 합착마진이 요구되는 바, 개구율 저하의 문제가 발생하고 있다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위한 것으로 그 제조에 있어서 마스크 공정수를 줄여 생산성을 향상시키는 것을 제 1 목적으로 한다.
또한, 컬러필터 기판 상에 형성되어 전계의 왜곡을 유도함으로써 멀티도메인을 구성하기 위해 형성되는 리벳을 생략하면서도 상하의 수직 전계의 왜곡을 유도 할 수 있는 수직정렬 구조 반사투과형 액정표시장치를 제공하는 것을 제 2 목적으로 하며, 나아가 상기 리벳을 생략함으로써 합착 마진을 줄임으로써 고개구율을 구현하는 것을 제 3 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 의한 수직정렬 모드 반사투과형 액정표시장치는, 화소영역과 상기 화소영역에 반사부와 투과부가 정의된 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 상부에, 게이트 절연막을 사이에 두고 그 하부 및 상부로 서로 교차하여 상기 화소영역는 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 게이트 및 데이터 배선과 각각 연결되며 형성된 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터를 덮으며 상기 반사부에 형성된 보호층과; 상기 투과부 형성된 다수의 철부와; 상기 보호층 상부로 형성된 반사판과; 상기 반사판 위로 상기 박막트랜지스터의 일전극과 접촉하며 형성된 제 1 서브화소전극과, 상기 제 1 서브화소전극과 연결되며 상기 다수의 철부를 덮으며 형성되어 상기 다수의 철부에 의해 볼록한 형태를 가지는 제 2 서브화소전극을 포함하는 화소전극과; 상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판과; 상기 제 2 기판 내측면에 형성된 블랙매트릭스와; 상기 블랙매트릭스 외부로 노출된 상기 내측면에 형성된 컬러필터층과; 상기 컬러필터층 하부로 전면에 형성된 공통전극과; 상기 화소전극 및 공통전극 사이에 개재된 액정층을 포함한다.
이때, 상기 투과부는 제 1 영역과 제 2 영역으로 나뉘며, 상기 다수의 철부는 각각 상기 제 1 영역과 제 2 영역의 중앙부에 형성되는 제 1 철부 및 제 2 철부 로 구성된 것이 특징이며, 상기 제 2 서브화소전극은 상기 제 1 영역과 제 2 영역에 각각 대응되는 제 3 및 제 4 서브화소전극으로 이루어지며, 상기 제 3 및 제 4 서브화소전극은 그 하부에 각각 위치한 상기 제 1, 2 철부에 의해 그 중앙부가 각각 볼록하게 형성된 것이 특징이다. 또한 이때, 상기 제 3 서브화소전극은 상기 제 1 서브화소전극과 이웃하며 제 1 연결패턴에 의해 전기적으로 연결되며, 상기 제 4 서브화소전극은 상기 제 3 서브화소전극과 제 2 연결패턴에 의해 전기적으로 연결되며, 상기 제 1, 2 연결패턴은 상기 화소전극이 형성된 동일층에 동일한 물질로 형성된 것이 특징이다.
또한, 상기 다수의 철부는 상기 보호층을 이루는 동일한 물질로 동일한 공정에 의해 상기 게이트 절연막 상부로 형성된 것이 특징이다.
또한, 상기 반사판은 그 표면이 요철구조를 가지며, 이러한 구조에 의해 그 상부에 위치한 상기 제 1 서브화소전극 또한 그 표면이 요철구조를 가지며, 이때, 상기 반사판은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄합금(AlNd)으로 이루어진 것이 특징이다.
또한, 상기 박막트랜지스터는 상기 제 1 기판면으로부터 순차 적층된 게이트 전극, 상기 게이트 절연막과, 반도체층 및 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극을 포함하며, 상기 보호층은 상기 드레인 전극 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀을 가지며, 상기 제 1 서브화소전극은 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 것이 특징이다.
또한, 상기 컬러필터층은 각 화소영역별로 순차 반복하는 적, 녹, 청색 컬러 필터 패턴으로 구성되거나 또는 각 화소영역별로 순차 반복하는 적, 녹, 청 및 무색 컬러필터 패턴으로 구성되며, 상기 컬러필터층과 공통전극 사이에는 오버코트층이 더욱 형성된 것이 특징이다.
또한, 상기 게이트 배선과 나란하게 형성되는 스토리지 배선과, 상기 스토리지 배선에서 분기하여 상기 화소영역 내측을 둘러싸는 형태의 제 1 스토리지 전극을 더욱 포함하며, 이때, 상기 박막트랜지스터의 일전극은 상기 제 1 스토리지 전극과 중첩하며 형성됨으로써 그 중첩되는 부분이 제 2 스토리지 전극을 형성하는 것이 특징이다.
본 발명에 따른 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치의 제조 방법은, 투과부와 반사부를 갖는 화소영역이 정의된 제 1 기판 상에 일방향으로 연장하는 게이트 배선과 상기 반사부 내에 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선 및 게이트 전극 위로 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막 위로 반도체층 및 상기 반도체층 위로 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 연결되며 상기 게이트 배선과 교차하여 상기 화소영역을 정의하는 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극 및 노출된 상기 게이트 절연막 위로 유기절연물질을 도포하여 그 표면이 평탄한 유기절연층을 형성하는 단계와; 상기 유기절연층을 패터닝함으로써 상기 반사부에 상기 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하고 동시에 상기 투과부에 다수의 철부를 형성하는 단계와; 상기 보호층 위로 반사판을 형성하는 단계와; 상기 반사판 및 다수의 철부 위로 각각 서로 전기적으 로 연결된 다수의 서브화소전극으로 구성된 화소전극을 형성하는 단계를 포함한다.
이때, 상기 보호층 및 다수의 철부를 형성하는 단계는, 상기 유기절연층 위로 제 1 포토레지스트층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 포토레지스트층 위로 빛의 투과영역과 차단영역 및 반투과영역을 갖는 제 1 노광 마스크를 위치시키고, 상기 제 1 노광 마스크를 통한 노광을 실시하는 단계와; 상기 노광된 제 1 포토레지스트층을 현상함으로써 상기 반사부에 대응해서는 제 1 두께를 갖는 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 다수의 철부가 형성될 부분에 대응해서는 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께의 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하고 그 외의 영역에 대응해서는 상기 유기절연층을 노출시키는 단계와; 상기 제 1, 2 포토레지스트 패턴 외부로 노출된 유기절연층을 1차 식각함으로써 상기 반사부에 있어서는 상기 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하며, 동시에 상기 투과부에 있어서는 상기 다수의 철부를 형성할 부분에 대해 다수의 유기절연패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 2 두께의 제 2 포토레지스트 패턴을 제거함으로써 상기 다수의 유기절연패턴을 노출시키는 단계와; 2차 식각을 실시하여 상기 유기절연패턴의 두께를 줄임으로써 상기 보호층보다 얇은 두께를 갖는 다수의 철부를 형성하는 단계와; 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 반사판을 형성하는 단계는, 상기 보호층 및 다수의 철부 위로 전면에 제 1 금속물질을 증착하여 제 1 금속층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 금속층 위로 제 2 포토레지스트층을 형성하는 단계와; 상기 제 2 포토레지스트층을 빛의 투과영역과 차단영역 및 반투과영역을 갖는 제 2 노광마스크를 통해 노광을 실시하 는 단계와; 상기 노광된 제 2 포토레지스트층을 현상함으로써 상기 반사부에 대응하여 제 3 두께를 갖는 제 3 포토레지스트 패턴과 상기 제 3 두께보다 얇은 제 4 두께를 갖는 제 4 포토레지스트 패턴이 교대하도록 형성하는 단계와; 상기 제 3, 4 포토레지스트 패턴 외부로 노출된 상기 제 1 금속층을 3차 식각을 실시함으로써 제거하여 상기 반사부에 평탄한 표면을 갖는 반사판을 형성하는 단계와; 상기 제 4 포토레지스트 패턴을 제거함으로써 상기 평탄한 표면을 갖는 반사판 일부를 노출시키는 단계와; 상기 제 3 포토레지스트 패턴 외부로 노출된 평탄한 표면을 갖는 반사판을 4차 식각을 진행하여 그 두께를 줄임으로써 그 표면이 요철 구조를 갖도록 하는 단계와; 상기 제 3 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하며, 이때, 상기 제 1 금속물질은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd)이며, 상기 반사부의 상기 드레인 콘택홀에 대응해서는 상기 제 3 금속층이 상기 3차식각 시 제거되어 상기 드레인 콘택홀을 노출시키도록 하는 것이 특징이다.
또한, 상기 화소전극을 형성하는 단계는, 상기 반사판 및 다수의 철부 위로 투명 도전성 물질을 증착하여 투명 도전성 물질층을 형성하는 단계와; 상기 투명 도전성 물질층을 패터닝하여 상기 반사부의 상기 반사판 상부로 제 1 서브화소전극을 형성하고, 동시에 상기 투과부에 대응해서는 이를 하나씩의 상기 철부를 포함하는 제 1 영역과 제 2 영역으로 나누어 상기 제 1 영역에 상기 제 1 서브화소전극과 제 1 연결패턴으로 연결된 제 2 서브화소전극과, 상기 제 2 영역에 상기 제 2 서브화소전극과 제 2 연결패턴으로 연결된 제 3 서브화소전극을 형성하는 단계를 포함하며, 이때, 상기 다수의 철부는 상기 제 1, 2 영역의 중앙부에 위치하도록 형성된 것이 특징이다.
또한, 상기 게이트 전극 및 게이트 배선을 형성하는 단계는, 상기 게이트 배선과 나란하게 이격하는 스토리지 배선과, 상기 스토리지 배선에서 분기하여 상기 화소영역 내측을 둘러싸는 형태의 제 1 스토리지 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 이때, 상기 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선을 형성하는 단계는, 상기 드레인 전극을 상기 제 1 스토리지 전극과 중첩하도록 연장 형성함으로써 상기 제 1 스토리지 전극과 중첩하는 부분이 제 2 스토리지 전극을 이루도록 하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 제 1 기판에 대응하는 제 2 기판에 공통전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1, 2 기판 중 어느 하나의 기판의 테두리에 씰패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 상기 씰패턴 내측으로 액정층을 형성하는 단계와; 상기 제 1, 2 기판을 합착하는 단계를 더욱 포함하며, 이때, 상기 제 2 기판상에 상기 제 1 기판의 게이트 및 데이터 배선에 대응하여 블랙매트릭스를 형성하는 단계와; 상기 블랙매트릭스와 일부 중첩하며 상기 화소영역에 대응하여 순차 반복하는 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴 또는 적, 녹, 청, 무색 컬러필터 패턴을 갖는 컬러필터층을 형성하는 단계를 더욱 포함한다. 또한 이때, 상기 컬러필터층과 상기 공통전극 사이에는 그 표면이 평탄한 오버코트층을 형성하는 단계를 더욱 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 수직정렬 구조 반사투과형 액정표시장치의 의 하나의 화소영역에 대한 평면도를 도시한 것이며, 도 3은 도 2를 절단선 Ⅲ-Ⅲ을 따라 절단한 부분에 대한 단면도이다. 이때, 평면도인 도 2에 있어서는 어레이 기판만을 도시하였으며, 이와 마주하는 컬러필터 기판은 생략하였다. 또한 설명의 편의를 위해 반사판이 형성된 부분을 반사부(RxA), 그리고 상기 반사판없이 화소전극이만이 형성된 부분을 투과부(TfA)라 정의하며, 상기 반사부(RxA)를 제 1 서브화소영역(P1), 그리고 상기 투과부(TfA)를 2개의 부분영역으로 나누어 상기 반사부(RxA)와 근접한 영역을 제 2 서브화소영역(P2), 그리고 그 외의 영역을 제 3 서브화소영역(P3)이라 정의한다. 또한, 상기 반사부(RxA) 내에 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)가 형성된 영역을 스위칭 영역(TrA), 그리고 스토리지 커패시터가 형성된 영역을 스토리지 영역(StgA)이라 정의한다.
도시한 바와 같이, 일방향으로 다수의 게이트 배선(103)이 형성되어 있으며, 또한 상기 게이트 배선(103)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하며 다수의 데이터 배선(130)이 형성되어 있다. 이때, 상기 화소영역(P)은 더욱 세분화되어 반사판(148)이 형성되어 반사부(RxA)를 이루는 제 1 서브화소영역(P1), 그리고 화소전극(155)만이 형성된 투과부(TfA)에 있어 이를 상하로 이등분하여 상기 반사부(RxA)와 이웃한 영역인 제 2 서브화소영역(P2) 및 이와 이웃한 제 3 서브화소영역(P3)으로 이루어지고 있다.
또한, 상기 게이트 배선(103)과 나란하게 동일한 층에 다수의 스토리지 배선(107)이 형성되어 있으며, 이때 상기 스토리지 배선(107)에서 분기하여 상기 화 소영역(P) 내부를 둘러싸는 형태로 제 1 스토리지 전극(109)이 형성되어 있다.
또한, 반사부(RxA) 내에 위치한 스위칭 영역에 있어서는 상기 게이트 배선(103)과 데이터 배선(130)의 교차 부근에 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)가 형성되어 있다. 이때, 상기 박막트랜지스터(Tr)는 상기 게이트 배선(103)에서 분기하여 형성된 게이트 전극(105)과, 그 상부로 게이트 절연막(113)과, 상기 게이트 절연막(113) 위로 액티브층(116)과 오믹콘택층(123)으로 이루어진 반도체층(128)과, 상기 반도체층(128) 위로 서로 이격하여 형성된 소스 및 드레인 전극(132, 134)으로 구성되고 있다. 이때, 상기 소스 전극(132)은 상기 데이터 배선(130)과 연결되어 있으며, 상기 드레인 전극(134)은 상기 제 1 스토리지 전극(109)이 형성된 스토리지 영역(StgA)까지 연장 형성됨으로써 상기 제 1 스토리지 전극(109)과 중첩된 부분이 제 2 스토리지 전극(136)을 형성하며, 스토리지 커패시터(StgC)를 이루고 있다. 이때, 도면에 있어서는 도면부호를 부여하지 않았지만, 상기 제 1 스토리지 전극(109)과 중첩되는 화소전극(155) 일부 또한 상기 제 2 스토리지 전극과 동일한 전위차를 갖게 되며, 이는 제 3 스토리지 전극을 형성함으로써 부가적인 스토리지 커패시터를 이루게 된다.
다음, 상기 박막트랜지스터(Tr) 및 데이터 배선(130) 위로 반사부(RxA)에 대응해서는 그 표면이 평탄한 상태를 가지며 상기 드레인 전극(134) 일부에 대응해서는 이를 노출시키는 드레인 콘택홀(142)을 갖는 보호층(140)이 형성되어 있다.
이때, 상기 보호층(140)은 상기 게이트 절연막(113) 표면으로부터 제 1 두께(t1)를 가지며 반사부(RxA)에만 형성되고 있으며, 투과부(TfA)에 있어서는 동일 한 물질로써 상기 제 2 및 3 서브화소(P2, P3) 중앙부에 대응해서 상기 제 1 두께(t1)보다 얇은 제 2 두께(t2)를 갖는 제 1 및 제 2 철부(145a, 145b)를 형성하고 있는 것이 특징이다.
상기 보호층(140) 및 상기 제 1, 2 철부(145a, 145b)는 하나의 마스크 공정에 의해 형성된 것이 특징이며 이를 형성하는 방법에 대해서는 추후 제조 방법에서 상세히 설명한다.
한편, 상기 보호층(140)의 제 1 두께(t1)는 상기 반사부(RxA)에서의 (액정표시장치의) 액정층의 두께(d1)와 동일한 값을 갖는 것이 바람직하다. 이는 반사부(RxA)와 투과부(TfA)에 있어서 사용자가 느끼는 빛의 위상차를 일치시키기 위함이다.
또한 상기 투과부(TfA) 더욱 정확히는 제 2 및 제 3 서브화소영역(P2, P3)에 형성된 상기 제 2 두께(높이)(t2)를 갖는 제 1,2 철부(145a, 145b)는 본 발명의 가장 특징적인 것으로 종래의 수직 정렬모드 액정표시장치에 있어서의 리벳의 역할을 하는 것으로써 추가적인 마스크 공정없이 상기 보호층(140)을 형성 시 동시에 형성되고 있으며, 그 상부에 형성되는 화소전극(155)의 형상을 변형시킴으로써 상부의 컬러필터 기판(171)에 형성된 공통전극(181)과 상기 화소전극(155) 간의 전계를 왜곡시켜 각 화소영역(P) 내에서 멀티도메인을 구현시키는 역할을 하는 것이다.
다음, 상기 제 1 서브화소영역(P1)에 있어서는 상기 평탄한 표면을 갖는 보호층(140) 위로 그 표면이 엠보싱 구조를 가져 빛을 효율적으로 반사시키는 역할을 하는 반사판(148)이 형성되어 있다.
또한, 그 표면이 엠보싱 구조를 갖는 상기 반사판(148) 위로는 투명 도전성 물질로써 상기 드레인 콘택홀(142)을 통해 상기 드레인 전극(134)과 접촉하며 그 하부에 위치하는 상기 반사판(148)의 형태에 영향을 받아 그 표면이 엠보싱 구조를 갖는 화소전극(155) 더욱 정확히는 제 1 서브화소전극(155a)이 형성되어 있다.
또한, 투과부(TfA)에 있어서는 상기 제 1, 2 철부(145a, 145b) 상부 및 게이트 절연막(113) 위로 상기 제 1 서브화소전극(155a)과 전기적으로 연결되며 각각 제 2 서브화소전극(155b)과 제 3 서브화소전극(155c)이 형성되어 있다.
이때, 상기 제 1 및 제 2 서브화소전극(155a, 155c)은 제 1 연결패턴(157a)에 의해, 상기 제 2 및 제 3 서브화소전극(155b, 155c)은 제 2 연결패턴(157b)에 의해 전기적으로 연결되고 있으며, 상기 제 1, 2 연결패턴(157a, 157b)은 상기 제 1, 2 및 제 3 서브화소전극(155a, 155b, 155c)과 동일한 공정에서 동일한 물질로 이루어진 것이 특징이다.
한편, 이러한 구조를 갖는 어레이 기판(101)에 대응하여 이와 마주하는 컬러필터 기판(171)에 있어서는, 투명한 절연기판(171) 하부로 상기 하부의 게이트 및 데이터 배선(미도시, 130)에 대응하여 개구부를 갖는 격자형태의 블랙매트릭스(173)가 형성되어 있으며, 상기 블랙매트릭스(173) 하부로 각 화소영역 별로 적, 녹, 청색의 3색 또는 적, 녹, 청 및 무색(흰색)의 4색 컬러필터 패턴(175a, 175b, 175c, 미도시)이 순차 반복되는 컬러필터층(175)이 형성되어 있으며, 상기 컬러필터층(175) 하부로 전면에 공통전극(181)이 형성되어 있다. 이때, 상기 컬러필터층(175)과 공통전극(181) 사이에는 오버코트층(178)이 더욱 형성되어 있으며, 상기 공통전극(181) 하부로 상기 블랙매트릭스(173)에 대응하여 일정 간격을 가지며 기둥형태의 컬럼 스페이서(183)가 다수 형성되어 있다.
또한, 전술한 구조를 갖는 어레이 기판(101)과 컬러필터 기판(171) 더욱 정확히는 상기 화소전극(155)과 공통전극(181) 사이에는 액정층(187)이 개재되어 있으며, 상기 컬럼 스페이서(183)에 의해 상기 액정층(187)의 두께 즉 셀갭(d1, d2)이 이들 두 기판(101, 171) 전면에 걸쳐 그 영역별로 일정하도록 유지되고 있으며, 상기 액정층(187)을 둘러싸며 상기 컬러필터 기판(171)과 어레이 기판(101)의 테두리부에 씰패턴(미도시)이 형성되어 있다. 이때 상기 액정층(187)은 반사부(RxA)와 투과부(TfA)에 있어 그 두께를 달리하고 있으며, 투과부(TfA)의 셀갭(d2)이 반사부(RxA)의 셀갭(d1)의 2배가 되도록 형성되고 있다.
이러한 구조를 갖는 수직정렬구조 반사투과형 액정표시장치(100)는 하나의 화소영역(P)이 크게 투과부(TfA)와 반사부(RxA)로 나뉘어 반사 및 투과모드로 동작함으로써 전력소비를 최소화하는 구조가 되며, 더불어 종래의 수직정렬구조 반사투과형 액정표시장치의 컬러필터 기판 상에 형성되는 리벳을 대체하여 어레이 기판(101)상에 철부(145)를 구비하고, 이러한 철부(145)가 화소전극(155)과 공통전극(181)간의 전계를 왜곡하여 각 서브화소영역(P1, P2, P3)별로 멀티도메인을 구현함으로써 시야각을 향상시키는 효과를 갖는다.
다음, 전술한 각 단면부분에서 공정 진행에 따른 제조 공정 단면도를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치의 제조 방법에 대해 설명한다.
우선, 본 발명의 특징적인 부분을 포함하는 어레이 기판의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 4a 내지 도 4l은 도 2를 절단선 Ⅲ-Ⅲ를 따라 절단한 부분에 대한 어레이 기판의 제조 단계별 공정 단면도를 도시한 것이다.
우선, 도 4a에 도시한 바와 같이, 투명한 절연 기판(101)상에 제 1 금속물질을 증착하여 전면에 제 1 금속층(미도시)을 형성한 후, 상기 제 1 금속층(미도시) 위로 포토레지스트를 도포하고, 빛의 투과영역과 차단영역을 갖는 노광 마스크(미도시)를 이용하여 노광하고, 상기 노광된 포토레지스트를 현상하고, 현상 후 남아있는 포토레지스트 사이로 노출된 제 1 금속층(미도시)을 식각하는 공정을 포함하는 제 1 마스크 공정을 진행하여 상기 제 1 금속층(미도시)을 패터닝함으로써 일방향으로 연장하는 게이트 배선(미도시) 및 이와 이격하여 나란하게 스토리지 배선(미도시)을 형성하고, 동시에 각 화소영역(P) 내의 스위칭 영역(TrA)에 있어서는 상기 게이트 배선(미도시)으로 분기한 형태의 게이트 전극(105)을 형성하며 상기 스토리지 배선(미도시)에서 분기하여 각 화소영역(P) 내측으로 상기 화소영역을 둘러싸는 형태의 제 1 스토리지 전극(109)을 한다.
다음, 도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 배선(미도시)과 게이트 전극(105) 및 스토리지 배선(미도시)과 제 1 스토리지 전극(109) 위로 전면에 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 증착하여 게이트 절연막(113)을 형성하고, 연속하여 상기 게이트 절연막(113) 위로 순수 비정질 실리콘과, 불순 물 비정질 실리콘과, 제 2 금속물질을 순차적으로 증착함으로써 순수 비정질 실리콘층(115)과 불순물 비정질 실리콘층(120)과 제 2 금속층(125)을 형성한다.
이후, 상기 제 2 금속층(125) 위로 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층(미도시)을 형성한 후, 이를 투과영역과, 차단영역과, 그리고 빛의 투과량이 상기 투과영역과 차단영역의 사이의 값을 갖는 반투과영역을 갖는 노광 마스크(미도시)를 이용하여 회절 노광 또는 하프톤 노광을 실시하고, 노광된 상기 포토레지스트층(미도시)을 현상함으로써 스위칭 영역(TrA)과, 스토리지 영역(StgA) 및 데이터 배선이 형성되어야 할 영역에 포토레지스트 패턴(191)을 형성한다. 이때, 스위칭 영역(TrA)에 있어 소스 및 드레인 전극이 형성되어야 할 영역의 포토레지스트 패턴(191a)의 두께(t3)가 상기 소스 및 드레인 전극이 이격하는 영역 즉 캐리어의 이동 통로가 되는 채널을 형성할 영역에 형성되는 포토레지스트 패턴(191b)의 두께(t4)보다 더 큰 값을 갖도록 형성한다. 즉, 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극과 제 2 스토리지 전극이 형성되어야 하는 영역에 대응해서는 제 3 두께(t3)의 제 1 포토레지스트 패턴(191a)을, 그리고 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 채널 영역에 대해서는 상기 제 3 두께(t3) 보다 얇은 제 4 두께(t4)의 제 2 포토레지스트 패턴(191b)을 형성한다. 그 외의 영역에 있어서는 상기 포토레지스트층의 현상 시 제거되어 상기 제 2 금속층(125)을 노출하는 상태가 되도록 한다.
다음, 도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 제 1, 2 포토레지스트 패턴(191a, 191b) 외부로 노출된 상기 제 2 금속층(도 4b의 125)과 그 하부의 불순물 비정질 실리콘층(도 4b의 120)과 순수 비정질 실리콘층(도 4b의 115)을 식각함으로써 스위 칭 영역(TrA)에 있어서 연결된 상태의 소스 드레인 패턴(126)을 형성하고, 상기 소스 드레인 패턴(126) 하부로 연결된 상태의 불순물 비정질 실리콘 패턴(121)과 그 하부로 순수 비정질 실리콘의 액티브층(126)을 형성하며, 동시에 하부의 게이트 배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(130)을 형성하고, 동시에 스토리지 영역(StgA)에 있어서는 제 2 스토리지 전극(136)을 형성한다. 이때, 상기 데이터 배선(130)과 제 2 스토리지 전극(136) 하부에는 각각 상기 데이터 배선(130)과 제 2 스토리지 전극(136)의 형태와 동일한 형태로 불순물 및 순수 비정질 실리콘 패턴(117, 122)이 형성되어 진다.
다음, 도 4d에 도시한 바와 같이, 상기 데이터 배선(130) 및 스위칭 영역(TrA)에 있어 소스 드레인 패턴(도 4c의 126)을 형성한 후, 애싱(ashing) 공정을 진행하여 얇은 제 4 두께(도 4c의 t4)의 제 2 포토레지스트 패턴(도 4c의 191b)을 제거함으로써 상기 제 2 포토레지스트 패턴(도 4c의 191b) 하부의 상기 소스 드레인 패턴(도 4b의 126) 일부를 노출시킨다. 이때 상기 애싱(ashing) 공정에 의해 상기 제 1 포토레지스트 패턴(도 4c의 191a)도 그 두께가 얇아지게 되나 상기 애싱(ashing) 공정 후에도 여전히 기판(101)상에 남아있게 된다.
이후, 상기 제 1 포토레지스트 패턴(도 4c의 191a) 외부로 노출된 상기 소스 드레인 패턴(도 4c의 126)과, 그 하부의 불순물 비정질 실리콘 패턴(도 4c의 121)을 식각함으로써 스위칭 영역(TrA)에 서로 이격하며 그 일끝이 서로 대향하는 소스 전극 및 드레인 전극(132, 134)을 형성하고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극(132, 134) 하부로 상기 소스 및 드레인 전극(132, 134)과 동일한 형태로 서로 이격하는 형태의 오믹콘택층(123)을 형성한다.
이 경우, 상기 소스 및 드레인 전극(132, 134)과 그 하부에 위치한 오믹콘택층(123)과 액티브층(116)으로 이루어진 반도체층(128)을 하나의 마스크 공정을 진행하여 형성한 것을 보이고 있으나, 변형예로써 상기 반도체층(128)을 하나의 마스크 공정을 통해 형성하고, 소스 및 드레인 전극(132, 134)을 포함하는 데이터 배선(130)과 제 2 스토리지 전극(136)을 또 다른 마스크 공정을 진행하여 즉, 2회의 마스크 공정을 진행하여 형성할 수 있다. 이 경우 상기 데이터 배선(130) 하부에는 반도체 패턴(127)을 형성되지 않는다.
다음, 도 4e에 도시한 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극(132, 134)과 데이터 배선(130) 및 제 2 스토리지 전극(136) 상부에 남아있는 상기 제 1 포토레지스트 패턴(도 4d의 191a)을 스트립(strip)하여 제거한다. 이후, 상기 데이터 배선(130)과 소스 및 드레인 전극(132, 134)과 제 2 스토리지 전극(136) 위로 전면에 유기절연물질 예를들면 벤조사이클로부텐(BCB) 또는 포토아크릴(photo acryl)을 도포함으로써 제 1 두께(t1)를 가지며 그 표면이 평탄한 유기절연층(139)을 형성하고, 연속하여 상기 보호층(140) 위로 포토레지스트를 도포함으로써 제 2 포토레지스트층(미도시)을 형성한다.
이후, 상기 제 2 포토레지스트층(미도시)에 빛의 투과영역과 차단영역 그리고 빛의 투과량이 상기 투과영역과 차단영역의 사이의 값을 갖는 반투과영역을 갖는 노광 마스크(미도시)를 이용하여 회절 노광 또는 하프톤 노광을 실시한다.
다음, 상기 반투과영역을 포함하는 노광 마스크(미도시)를 통해 노광된 상기 제 2 포토레지스트층(미도시)을 현상함으로써 제 5 두께(t5) 및 상기 제 5 두께(t5)보다 얇은 제 6 두께(t6)를 갖는 제 3 및 제 4 포토레지스트 패턴(192a, 192b)을 형성한다. 이때, 반사부(RxA)에 있어서 상기 보호층이 형성될 부분에 대해서는 제 3 포토레지스트 패턴(192a)이, 그리고 투과부(TfA)에 있어서 제 2, 3 서브화소영역(P1, P2)의 중앙부에 대응해서는 제 4 포토레지스트 패턴(192b)이 형성되도록 하며, 그 외의 영역에 대응해서는 상기 제 3, 4 포토레지스트 패턴(192a, 192b) 외부로 상기 유기절연층(139)이 노출되게 된다. 이때, 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(130)에 대응해서도 상기 유기절연층 위로 제 5 두께(t5)의 제 3 포토레지스트 패턴(192a)이 형성되도록 한다.
다음, 도 4f에 도시한 바와 같이, 상기 제 3 및 4 포토레지스트 패턴(192a, 도 4e의 192b) 외부로 노출된 유기절연층(도 4e의 139)에 대해 1차 식각을 진행함으로써 상기 제 1 서브화소영역(P1)인 반사부(RxA)에 대응해서는 상기 드레인 전극(134) 일부에 대응하는 부분을 제외하고는 그 표면이 평탄한 상태의 유기절연층(도 4e의 139)이 제거되지 않고 그대로 남도록 하여 보호층(140)을 형성하도록 하고, 투과부(TfA)인 제 2 및 제 3 서브화소영역(P2, P3)에 있어서는 그 중앙부에 대해서만 상기 유기절연패턴(144a, 144b)이 남도록 한다. 이때 상기 반사부(RxA)에 있어서 상기 유기절연층(도 4e의 139)이 제거된 부분에 있어서는 드레인 전극(134)이 노출되게 된다.
다음, 애싱(ashing)을 실시하여 상기 제 2 및 제 3 서브화소영역(P2, P3)에 있어서 제 6 두께(도 4e의 t6)를 갖는 제 4 포토레지스트 패턴(도 4e의 192b)을 제 거함으로써 제 2, 3 서브화소영역(P2, P3)의 중앙부에 제거되지 않고 남아있는 유기절연패턴(144a, 144b)을 노출시킨다. 이때, 상기 반사부(RxA)에 형성된 제 3 포토레지스트 패턴(192a)의 두께 또한 얇아지게 되지만 여전히 상기 반사부(RxA)의 보호층(140) 상부에 남아있게 된다.
다음 도 4g에 도시한 바와 같이, 제 4 포토레지스트 패턴(도 4e의 192b)이 제거됨으로써 새롭게 노출된 상기 제 2 및 3 서브화소영역(P2, P3)의 제 1 두께(도 4f의 t1)를 갖는 유기절연패턴(144)을 2차 식각을 진행하여 그 두께를 얇게 함으로써 상기 제 1 두께(도 4f의 t1)보다 얇은 제 2 두께(t2)를 갖는 제 1 및 제 2 철부(145a, 145b)를 형성한다.
이후, 스트립(strip) 또는 애싱(ashing)을 실시함으로써 상기 반사부(RxA) 및 상기 게이트 및 데이터 배선(미도시, 130 )에 대응하는 보호층(140)에 남아있는 제 3 포토레지스트 패턴(도 4f의 192a)을 제거한다.
다음, 도 4h에 도시한 바와 같이, 상기 보호층(140)과 제 1, 2 철부(145a, 145b) 위로 반사율이 비교적 높은 금속물질 예를들면 알루미늄(AL) 또는 알루미늄 합금(AlNd)을 전면에 증착하여 제 3 금속층(147)을 형성한다.
이후 상기 제 3 금속층(147) 위로 포토레지스트를 도포하여 제 3 포토레지스트층(193)을 형성하고, 상기 반사부(RxA)에 있어 드레인 콘택홀(142)에 대응해서는 차단영역(BA)이 그 외의 영역에 대응해서는 동일한 폭을 가지며 교대하는 반투과영역(HTA)과 투과영역(TA)이 대응되도록, 그리고 상기 투과부(TfA) 즉, 제 2 및 제 3 서브화소영역(P2, P3) 대응해서는 차단영역(BA)이 대응되도록 노광 마스크(197)를 위치시킨 후, 상기 노광 마스크(197)를 통해 상기 제 3 포토레지스트층(193)을 노광한다.
다음, 도 4i에 도시한 바와같이, 상기 노광된 제 3 포토레지스트층(도 4h 197)을 현상하면, 본 발명에 있어서는 일례로써 상기 제 3 포토레지스트층(도 4h 197)을 빛을 받으면 현상 후 남게되는 네가티브 타입(negative)의 포토레지스트 사용하여 형성하였기 때문에 투과부(TfA)에 있어서는 제 7 두께(t7) 및 이보다 작은 크기의 제 8 두께(t8)를 갖는 제 5 및 제 6 포토레지스트 패턴(193a, 193b)이 교대하며 형성되며, 제 2 및 제 3 서브화소영역(P2, P3)에 있어서는 현상되어 제거됨으로써 그 하부의 제 3 금속층(147)을 노출시키게 된다.
다음, 도 4j에 도시한 바와 같이, 상기 제 5 및 제 6 포토레지스트 패턴(도 4i의 193a, 193b) 외부로 노출된 제 3 금속층(도 4i의 147)을 3차 식각을 진행함으로써 제거한다. 이때, 상기 3차 식각에 의해 드레인 콘택홀(142)에 대응해서도 상기 제 3 금속층(도 4i의 147)이 제거됨으로써 상기 드레인 전극(134)이 노출되게 된다. 이 경우 상기 드레인 콘택홀(142)에 대해서는 상기 제 3 금속층(도 4i의 147)이 완전하게 제거되지 않아도 무방하다. 이는 상기 제 3 금속층(도 4i의 147)이 상기 드레인 콘택홀(142)을 통해 드레인 전극(134)과 접촉하고 있기 때문에 추후 화소전극을 형성 시 상기 드레인 전극(134)과 전기적으로 연결되는 데에는 문제되지 않기 때문이다.
이후, 연속하여 애싱(ashing)을 실시하여 제 8 두께(도 4i의 t8)를 갖는 제 6 포토레지스트 패턴(도 4i의 193b)을 제거함으로써 상기 반사부(RxA)에 있어서 상 기 제 3 금속층(147) 일부를 새롭게 노출시킨다.
다음 도 4k에 도시한 바와 같이, 상기 제 6 포토레지스트 패턴(도 4i의 147)이 제거됨으로써 새롭게 노출된 제 3 금속층(도 4j의 147)에 대해 4차 식각을 진행함으로써 그 두께를 점진적으로 줄인다. 이때 상기 4차 식각은 상기 제 5 포토레지스트 패턴(193a) 외부로 노출된 상기 제 3 금속층(도 4i의 147)이 완전히 제거되도록 하지 않고 단지 상기 제 5 포토레지스트 패턴(193a)에 의해 덮혀있는 제 3 금속층(도 4i의 147) 대비 얇은 두께를 갖도록 함으로써 상기 반사부(RxA)에 형성된 제 3 금속층의 표면이 요철(149a, 149b)구조가 되도록 진행하는 것이 특징이다. 이때 상기 반사부(RxA)의 그 표면이 요철(149a, 149b)구조를 갖는 제 3 금속층은 반사판(148)을 이루게 된다.
한편, 상기 요철구조의 반사판은 전술한 방법 이외에 변형예로서 상기 보호층의 표면에 요철구조를 갖도록 함으로써 그 상부로 금속물질을 증착하고 이를 투과영역 및 차단영역을 갖는 노광 마스크를 이용하여 패터닝하여 형성할 수도 있다. 이 경우, 상기 요철구조를 갖는 보호층의 형성은 일례로써 유기절연물질층을 형성한 후, 그 위로 네가티브 타입의 포토레지스트를 도포하고, 그 위로 빛의 투과영역과 차단영역 그리고 상기 빛의 투과율을 달리하는 제 1, 2 반투과영역을 갖는 노광 마스크를 이용하여 상기 반사부에 대응해서는 투과영역과 제 1 반투과영역이 교대하며 일부 드레인 전극에 대응하는 부분에는 차단영역이 대응되도록, 그리고 제 1, 2 철부가 형성되어야 할 부분에 대응해서는 제 2 반투과영역이 그 외의 영역에 대해서는 투과영역이 대응되도록 위치시킨 후, 노광 및 현상을 함으로써 제 9, 10 및 11 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이들 제 9, 10, 11 두께를 달리하는 포토레지스트 패턴 외부로 노출되는 상기 유기절연물질층을 식각하고, 상기 제 9, 10, 11 포토레지스트 중 낮은 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 애싱하여 제거하고 상기 애싱에 의해 새롭게 노출되는 유기절연물질층에 대해 부분식각을 진행하고, 다시 애싱을 진행하는 식으로 3회의 식각 및 3회의 애싱을 진행함으로써 반사부에 있어 그 표면이 요철구조를 갖는 보호층을 그리고 투과부에 있어서는 제 3 높이를 갖는 상기 제 1, 2 철부를 형성할 수 있다.
이후, 이러한 요철을 갖는 보호층 위로 금속물질을 증착하고 패터닝함으로써 그 표면이 요철구조를 갖는 반사판을 형성할 수 있다.
다음 도 4l 도시한 바와같이, 상기 요철(149a, 149b)구조를 갖는 반사판(148) 위로 남아있는 제 5 포토레지스트 패턴(도 4k의 193a)을 스트립(strip) 또는 애싱(ashing)을 실시하여 제거하고, 상기 반사판(148) 및 노출된 게이트 절연막(113) 및 제 1, 2 철부(145a, 145b) 위로 전면에 투명도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 증착하고 이를 마스크 공정을 진행함으로써 제 1, 2, 3 서브화소영역(P1, P2, P3)에 각각 제 1 내지 제 3 서브화소전극(155a, 155b, 155c)을 형성하고, 동시에 상기 제 1 및 제 2 서브화소전극(155a, 155b) 사이에 이들 제 1, 2 서브화소전극(155a, 155b)과 동시에 접촉하는 제 1 연결패턴(157a)과, 상기 제 2 및 제 3 서브화소전극(155b, 155c) 사이에 이들 제 2 및 제 3 서브화소전극(155b, 155c)과 동시에 접촉하는 제 2 연결패턴(157b)을 형성함으로써 본 발명의 실시예에 따른 수직정렬구조 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판(101)을 완성한다.
이때, 상기 반사부(RxA) 즉, 제 1 서부화소영역(P)에 형성된 제 1 서브화소전극(155a)은 상기 드레인 콘택홀(142)을 통해 상기 드레인 전극(134)과 접촉함으로서 전기적으로 연결되고 있으며, 그 표면은 하부의 요철구조를 갖는 반사판(148)에 영향으로 요철구조를 갖는 것이 특징이다.
또한, 제 2 및 제 3 서브화소영역(P2, P3)에 각각 형성된 제 2 및 제 3 서브화소전극(155b, 155c)은 그 중앙부에 대해 각각 그 하부로 제 2 및 제 3 철부(145a, 145b)가 형성되어 있는 바, 상기 부분 즉 그 중앙부가 볼록한 형태를 가지며 그 외에는 평탄한 표면을 갖도록 형성되는 것이 특징이다.
한편, 이러한 구조를 갖는 어레이 기판에 대응하는 컬러필터 기판의 제조 방법에 대해 도 3에 도시된 단면구조를 참조하여 간단히 설명한다. 본 발명에 따른 수직정렬구조 반사투과형 액정표시장치용 컬러필터 기판은 리벳 등을 형성하지 않는 바, 컬럼 스페이서를 포함하는 일반적인 컬러필터 기판의 제조 방법과 유사하다. 이때, 도면에서는 컬러필터 기판이 어레이 기판 상부에 형성되고 있는 것처럼 도시되었으나 실질적으로 제조시에는 컬러필터 기판이 상기 어레이 기판이 위치한 위치에서 제조되므로 즉 컬러필터 기판의 외측면이 상측이 아니 하측에 위치한다는 가정하에서 제조 방법에 대해 설명한다.
우선, 투명한 기판(171) 상에 크롬(Cr) 또는 크롬산화물(CrOx) 등의 금속물질을 전면에 증착하거나 또는 블랙레진(black resin)을 전면에 도포하여 블랙매트릭스층(미도시)을 형성하고 이를 제 1 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 이 와 마주하여 패널상태를 이루는 어레이 기판(101) 상에 형성된 게이트 및 데이터 배선(미도시, 130)이 형성된 부분에 대응하여 블랙매트릭스(173)를 형성한다. 이때 상기 블랙매트릭스(173)로 둘러싸인 영역은 상기 기판(171)을 노출시키는 개구부를 이루며 이는 화소영역(P)에 대응되게 된다.
다음, 상기 블랙매트릭스(173) 및 이의 외부로 노출된 기판(171) 상에 적색 레지스트층을 형성하고, 제 2 마스크 공정을 진행하여 이를 패터닝함으로써 적색 컬러필터 패턴(175a)을 형성하고, 연속하여 상기 적색 컬러필터 패턴(175a)을 형성한 방법과 동일한 방법으로 제 3 및 제 4 마스크 공정을 진행하여 녹색 및 청색 컬러필터 패턴(175b, 175c)을 형성함으로써 각 화소영역(P) 별로 순차 반복하는 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(175a, 175b, 175c)을 갖는 컬러필터층(175)을 형성한다. 이때, 상기 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴 이외에 무색(흰색) 컬러필터 패턴을 더욱 형성함으로써 적, 녹, 청 및 무색 컬러필터 패턴이 순차 반복되는 컬러필터층을 형성할 수도 있다.
다음, 상기 컬러필터층(175) 위로 전면에 무색 투명한 유기절연물질 예를들면 벤조사이클로부텐(BCB) 또는 포토아크릴(photo acryl)을 도포하여 그 표면이 평탄한 오버코트층(178)을 형성한다. 이 경우 상기 오버코트층(178)은 기판(171) 전면에 형성되도록 하는 바, 별도의 마스크 공정을 진행하지 않아도 되며, 더욱이 상기 오버코트층(178)은 생략할 수도 있다.
다음, 상기 평탄한 표면을 갖는 오버코트층(178) 위로 전면에 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 증착하여 공통전극(183)을 형성한다. 이때, 상기 공통전극(183) 또한 기판(171) 전면에 형성되는 바, 상기 오버코트층(180)과 마찬가지로 별도의 마스크 공정은 진행할 필요가 없다.
다음, 상기 공통전극(183) 위로 유기절연물질을 도포하고 이를 제 5 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 이와 마주하는 어레이 기판(171) 상의 게이트 및 데이터 배선(미도시, 130) 일부에 대응하여 일정 간격을 갖는 다수의 컬럼 스페이서(183)를 형성함으로써 본 발명에 따른 수직정렬모드 액정표시장치용 컬러필터 기판(171)을 완성한다.
다음, 전술한 바와 같은 제조 방법에 의해 각각 완성된 수직정렬구조 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판(101)과 컬러필터 기판(171) 각각에 대해 서로 마주대하는 면 즉, 추후 공정에 의해 액정층(187)과 접촉하는 면에 대해 배향막(미도시)을 형성한 후, 이들 두 기판(101, 171) 중 어느 하나의 기판 테두리를 따라 씰패턴(미도시)을 형성하고, 상기 씰패턴(미도시) 내측으로 액정을 주입하고 상기 컬러필터 기판(171) 상에 형성된 컬럼 스페이서(183)의 끝단이 상기 어레이 기판(101)과 접촉하도록 하여 전면에 대해 영역별로 일정한 셀갭을 갖도록 합착함으로써 본 발명에 따른 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치(100)를 완성할 수 있다.
본 발명에 따른 수직정렬모드 반사투과용 액정표시장치는 하나의 마스크 공 정을 통해 컬러필터 기판 상에 형성되던 리벳을 생략하고 이를 대신하여 어레이 기판 상에 보호층 형성 시 마스크 공정 추가없이 각 화소영역별로 제 1, 2 철부를 형성함으로써 1회의 마스크 공정을 생략할 수 있게 되는 바, 공정 단축 및 이를 통한 생산성을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 컬러필터 기판에 형성되었던 리벳 없이도 어레이 기판 상의 각 화소영역 내에 형성된 제 1 및 제 2 철부를 통해 전계 왜곡을 유발시킬 수 있는 구조가 되는 바, 멀티도메인을 구현함으로써 시야각을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 상기 컬러필터 기판 상에 형성되는 리벳을 생략함으로써 리벳 형성 시 필요로 하는 합착 마진보다 더 작은 합착마진을 갖게 되는 바, 개구율을 향상시키는 효과가 있다.

Claims (26)

  1. 화소영역과 상기 화소영역에 반사부와 투과부가 정의된 제 1 기판과;
    상기 제 1 기판 상부에, 게이트 절연막을 사이에 두고 그 하부 및 상부로 서로 교차하여 상기 화소영역는 게이트 배선 및 데이터 배선과;
    상기 게이트 및 데이터 배선과 각각 연결되며 형성된 박막트랜지스터와;
    상기 박막트랜지스터를 덮으며 상기 반사부에 형성된 보호층과;
    상기 투과부 형성된 다수의 철부와;
    상기 보호층 상부로 형성된 반사판과;
    상기 반사판 위로 상기 박막트랜지스터의 일전극과 접촉하며 형성된 제 1 서브화소전극과, 상기 제 1 서브화소전극과 연결되며 상기 다수의 철부를 덮으며 형성되어 상기 다수의 철부에 의해 볼록한 형태를 가지는 제 2 서브화소전극을 포함하는 화소전극과;
    상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판과;
    상기 제 2 기판 내측면에 형성된 블랙매트릭스와;
    상기 블랙매트릭스 외부로 노출된 상기 내측면에 형성된 컬러필터층과;
    상기 컬러필터층 하부로 전면에 형성된 공통전극과;
    상기 화소전극 및 공통전극 사이에 개재된 액정층
    을 포함하는 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 투과부는 제 1 영역과 제 2 영역으로 나뉘며, 상기 다수의 철부는 각각 상기 제 1 영역과 제 2 영역의 중앙부에 형성되는 제 1 철부 및 제 2 철부로 구성된 것이 특징인 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 서브화소전극은 상기 제 1 영역과 제 2 영역에 각각 대응되는 제 3 및 제 4 서브화소전극으로 이루어지며, 상기 제 3 및 제 4 서브화소전극은 그 하부에 각각 위치한 상기 제 1, 2 철부에 의해 그 중앙부가 각각 볼록하게 형성된 것이 특징인 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 3 서브화소전극은 상기 제 1 서브화소전극과 이웃하며 제 1 연결패턴에 의해 전기적으로 연결되며, 상기 제 4 서브화소전극은 상기 제 3 서브화소전극과 제 2 연결패턴에 의해 전기적으로 연결되는 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1, 2 연결패턴은 상기 화소전극이 형성된 동일층에 동일한 물질로 형성된 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 철부는 상기 보호층을 이루는 동일한 물질로 동일한 공정에 의해 상기 게이트 절연막 상부로 형성된 것이 특징인 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사판은 그 표면이 요철구조를 가지며, 이러한 구조에 의해 그 상부에 위치한 상기 제 1 서브화소전극 또한 그 표면이 요철구조를 갖는 것이 특징인 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 반사판은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄합금(AlNd)으로 이루어진 수직정 렬모드 반사투과형 액정표시장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는 상기 제 1 기판면으로부터 순차 적층된 게이트 전극, 상기 게이트 절연막과, 반도체층 및 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호층은 상기 드레인 전극 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀을 가지며, 상기 제 1 서브화소전극은 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 컬러필터층은 각 화소영역별로 순차 반복하는 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴으로 구성되거나 또는 각 화소영역별로 순차 반복하는 적, 녹, 청 및 무색 컬러필터 패턴으로 구성된 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 컬러필터층과 공통전극 사이에는 오버코트층이 더욱 형성된 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 배선과 나란하게 형성되는 스토리지 배선과, 상기 스토리지 배선에서 분기하여 상기 화소영역 내측을 둘러싸는 형태의 제 1 스토리지 전극을 더욱 포함하는 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터의 일전극은 상기 제 1 스토리지 전극과 중첩하며 형성됨으로써 그 중첩되는 부분이 제 2 스토리지 전극을 형성하는 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치.
  15. 투과부와 반사부를 갖는 화소영역이 정의된 제 1 기판 상에 일방향으로 연장하는 게이트 배선과 상기 반사부 내에 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선 및 게이트 전극 위로 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 절연막 위로 반도체층 및 상기 반도체층 위로 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 연결되며 상기 게이트 배선과 교차하여 상기 화소영역을 정의하는 데이터 배선을 형성하는 단계와;
    상기 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극 및 노출된 상기 게이트 절연막 위로 유기절연물질을 도포하여 그 표면이 평탄한 유기절연층을 형성하는 단계와;
    상기 유기절연층을 패터닝함으로써 상기 반사부에 상기 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하고 동시에 상기 투과부에 다수의 철부를 형성하는 단계와;
    상기 보호층 위로 반사판을 형성하는 단계와;
    상기 반사판 및 다수의 철부 위로 각각 서로 전기적으로 연결된 다수의 서브화소전극으로 구성된 화소전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 보호층 및 다수의 철부를 형성하는 단계는,
    상기 유기절연층 위로 제 1 포토레지스트층을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 포토레지스트층 위로 빛의 투과영역과 차단영역 및 반투과영역을 갖는 제 1 노광 마스크를 위치시키고, 상기 제 1 노광 마스크를 통한 노광을 실시하는 단계와;
    상기 노광된 제 1 포토레지스트층을 현상함으로써 상기 반사부에 대응해서는 제 1 두께를 갖는 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 다수의 철부가 형성될 부분에 대응해서는 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께의 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하고 그 외의 영역에 대응해서는 상기 유기절연층을 노출시키는 단계와;
    상기 제 1, 2 포토레지스트 패턴 외부로 노출된 유기절연층을 1차 식각함으로써 상기 반사부에 있어서는 상기 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하며, 동시에 상기 투과부에 있어서는 상기 다수의 철부를 형성할 부분에 대해 다수의 유기절연패턴을 형성하는 단계와;
    상기 제 2 두께의 제 2 포토레지스트 패턴을 제거함으로써 상기 다수의 유기절연패턴을 노출시키는 단계와;
    2차 식각을 실시하여 상기 유기절연패턴의 두께를 줄임으로써 상기 보호층보다 얇은 두께를 갖는 다수의 철부를 형성하는 단계와;
    상기 제 1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계
    를 포함하는 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치의 제조 방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 반사판을 형성하는 단계는,
    상기 보호층 및 다수의 철부 위로 전면에 제 1 금속물질을 증착하여 제 1 금속층을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 금속층 위로 제 2 포토레지스트층을 형성하는 단계와;
    상기 제 2 포토레지스트층을 빛의 투과영역과 차단영역 및 반투과영역을 갖는 제 2 노광마스크를 통해 노광을 실시하는 단계와;
    상기 노광된 제 2 포토레지스트층을 현상함으로써 상기 반사부에 대응하여 제 3 두께를 갖는 제 3 포토레지스트 패턴과 상기 제 3 두께보다 얇은 제 4 두께를 갖는 제 4 포토레지스트 패턴이 교대하도록 형성하는 단계와;
    상기 제 3, 4 포토레지스트 패턴 외부로 노출된 상기 제 1 금속층을 3차 식각을 실시함으로써 제거하여 상기 반사부에 평탄한 표면을 갖는 반사판을 형성하는 단계와;
    상기 제 4 포토레지스트 패턴을 제거함으로써 상기 평탄한 표면을 갖는 반사판 일부를 노출시키는 단계와;
    상기 제 3 포토레지스트 패턴 외부로 노출된 평탄한 표면을 갖는 반사판을 4차 식각을 진행하여 그 두께를 줄임으로써 그 표면이 요철 구조를 갖도록 하는 단계와;
    상기 제 3 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계
    를 포함하는 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치의 제조 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 금속물질은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd)인 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치의 제조 방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 반사부의 상기 드레인 콘택홀에 대응해서는 상기 제 3 금속층이 상기 3차식각 시 제거되어 상기 드레인 콘택홀을 노출시키도록 하는 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치의 제조 방법.
  20. 제 15 항에 있어서,
    상기 화소전극을 형성하는 단계는,
    상기 반사판 및 다수의 철부 위로 투명 도전성 물질을 증착하여 투명 도전성 물질층을 형성하는 단계와;
    상기 투명 도전성 물질층을 패터닝하여 상기 반사부의 상기 반사판 상부로 제 1 서브화소전극을 형성하고, 동시에 상기 투과부에 대응해서는 이를 하나씩의 상기 철부를 포함하는 제 1 영역과 제 2 영역으로 나누어 상기 제 1 영역에 상기 제 1 서브화소전극과 제 1 연결패턴으로 연결된 제 2 서브화소전극과, 상기 제 2 영역에 상기 제 2 서브화소전극과 제 2 연결패턴으로 연결된 제 3 서브화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치의 제조 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 다수의 철부는 상기 제 1, 2 영역의 중앙부에 위치하도록 형성된 것이 특징인 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치의 제조 방법.
  22. 제 15 항에 있어서,
    상기 게이트 전극 및 게이트 배선을 형성하는 단계는,
    상기 게이트 배선과 나란하게 이격하는 스토리지 배선과, 상기 스토리지 배선에서 분기하여 상기 화소영역 내측을 둘러싸는 형태의 제 1 스토리지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치의 제조 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선을 형성하는 단계는,
    상기 드레인 전극을 상기 제 1 스토리지 전극과 중첩하도록 연장 형성함으로써 상기 제 1 스토리지 전극과 중첩하는 부분이 제 2 스토리지 전극을 이루도록 하 는 단계를 포함하는 것이 특징인 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치의 제조 방법.
  24. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 기판에 대응하는 제 2 기판에 공통전극을 형성하는 단계와;
    상기 제 1, 2 기판 중 어느 하나의 기판의 테두리에 씰패턴을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 상기 씰패턴 내측으로 액정층을 형성하는 단계와;
    상기 제 1, 2 기판을 합착하는 단계
    를 더욱 포함하는 수직정렬모드 반사투과형 액정표시장치의 제조 방법.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 제 2 기판상에 상기 제 1 기판의 게이트 및 데이터 배선에 대응하여 블랙매트릭스를 형성하는 단계와;
    상기 블랙매트릭스와 일부 중첩하며 상기 화소영역에 대응하여 순차 반복하는 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴 또는 적, 녹, 청, 무색 컬러필터 패턴을 갖는 컬러필터층을 형성하는 단계
    를 더욱 포함하는 수직정렬모드 액정표시장치의 제조 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 컬러필터층과 상기 공통전극 사이에는 그 표면이 평탄한 오버코트층을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 수직정렬모드 액정표시장치의 제조 방법.
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US9176344B2 (en) 2010-04-21 2015-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display having pixel electrode with concave downward or convex upward portions
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