WO2011061989A1

WO2011061989A1 - デバイス基板およびその製造方法

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Publication number: WO2011061989A1
Application number: PCT/JP2010/065980
Authority: WO
Inventors: 裕喜中濱; 松井　隆司; 武志堀口; 塩田　素二
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2009-11-20
Filing date: 2010-09-15
Publication date: 2011-05-26
Also published as: US20120236230A1

Abstract

　表面に端子部（２４）が形成される絶縁層（６０）は、表示部を除くガラス基板（２０）全面に渡って形成されているので、絶縁層（６０）の境界部分（外周部分）がＮＣＦ（８１）が設けられる領域すなわちＬＳＩチップ（４０）近傍等に差し掛かることがない。よって、ＮＣＦ（８１）によって当該境界部分から絶縁層（６０）が剥がされることにより端子部（２４）が破壊されることを防止することができる。また絶縁層（６０）の弾性力により、端子部（２４）とバンプ電極（４０ａ）とは恒常的に圧着され、電気的に安定に接続される。

Description

デバイス基板およびその製造方法

　本発明は、表示パネルなどのデバイス基板およびその製造方法に関し、より詳しくは、接着材を用いて実装されたＬＳＩチップなどの電子部品の端子と圧接される端子を含むデバイス基板およびその製造方法に関する。

　従来より、ガラス基板などに電子部品を実装する場合、異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film：以下「ＡＣＦ」という）を用いることがある。図２１は、このＡＣＦを用いて電子部品を実装した、携帯電話などに搭載される従来の液晶パネル６００の模式平面図である。

　図２１に示すように、液晶パネル６００は、対向して配置された２枚のガラス基板６１０、６１５と、ＬＳＩチップ６３０と、ＦＰＣ基板６４０とを備えている。以下、本明細書における液晶パネルは、対向して配置された２枚のガラス基板、ガラス基板に実装されたＬＳＩチップなどの電子部品を含み、バックライトや偏光板などは含まないものを指すが、これに限定されるわけではなく、必ずしも電子部品としてＦＰＣ基板などを含んでいる必要はない。

　２枚のガラス基板６１０、６１５に挟まれた空間は、シール材（図示しない）によって液晶（図示しない）が封止された表示部６２０を形成する。また、ガラス基板６１０の張出部６１１には、表示部６２０を駆動するために必要なドライバ機能を有する大規模集積回路（Large Scale Integration：以下「ＬＳＩ」という）チップ６３０、および外部の電子機器に接続されるフレキシブルプリント配線（Flexible Printed Circuit：以下、「ＦＰＣ」という）基板６４０がそれぞれチップ用ＡＣＦ６３０ａおよびＦＰＣ用ＡＣＦ６４０ａを用いて実装されている。そして外部からＦＰＣ基板６４０を介してＬＳＩチップ６３０に映像信号、制御信号および電源電圧が与えられると、映像が表示部６２０に表示される。

　ここで、チップ用ＡＣＦ６３０ａおよびＦＰＣ用ＡＣＦ６４０ａがそれぞれ使用されるのは、硬いＬＳＩチップ６３０は硬いチップ用ＡＣＦ６３０ａで実装し、柔らかいＦＰＣ基板６４０は柔らかいＦＰＣ用ＡＣＦ６４０ａで実装することが好ましい点と、狭ピッチのＬＳＩチップ６３０を実装するには、小さい径の導電粒子を含むチップ用ＡＣＦ６３０ａを使用し、比較的広い配線間隔を有するＦＰＣ基板６４０を実装するには、比較的大きい径の導電粒子を含むＦＰＣ用ＡＣＦ６４０ａを使用することが好ましいからである。

　特に、近年ではＬＳＩの狭ピッチ化が進んでおり、隣接する２つの端子に１つの導電性粒子が同時に、または複数の導電性粒子が凝集した状態で同時に接触しないよう、チップ用ＡＣＦ６３０ａに含まれる導電性粒子の径は小さくなる傾向がある。もっとも、形成される導電経路の太さは導電性粒子の大きさに依存し、導電性粒子が大きければ導電経路も太くなるため、導電性粒子の径は小さくない方が好ましい。

　そこで、日本特開２００６－２３７４８６号公報には、ＬＳＩチップのバンプ表面に薄い絶縁コートを形成する構成が記載されている。この構成によれば、導電性粒子の径を小さくしすぎることなく、隣接する２つの端子に複数の導電性粒子が凝集した状態で同時に接触しないようにすることができる。

　しかし、このように導電性粒子を使用する構成では、１つの導電性粒子の直径よりもピッチを狭くすることはできない。また、導電性粒子が小さくなるほどその弾性力も小さくなるため、導電性粒子がバンプの高さバラツキ等を吸収することができない場合もあり、接続不良を生じる可能性がある。

　そこで、日本特開２００５－２６６０９１号公報には、ＡＣＦを使用せず、ＬＳＩチップのバンプと接触すべき端子の構成として、樹脂からなる凸部表面に導電層を設けた表示パネルが記載されている。この構成では樹脂からなる凸部が適宜に凹むことによりバンプの高さバラツキ等が吸収され、良好な接続状態が得られる。

日本特開２００６－２３７４８６号公報日本特開２００５－２６６０９１号公報

　しかし、上記日本特開２００５－２６６０９１号公報に記載されている従来の端子構成では、凸部を構成する樹脂とガラス基板との境界部分が剥がれやすいため、端子が破壊されることがあり、接続不良を生じる原因となる。

　すなわち上記従来例では、上記凸部の大きさは１つまたは複数の端子程度の大きさであってガラス基板との接触面積が小さく、そのために剥がれやすくなっている。また、ＬＳＩチップのバンプ数に対応して、１つまたは複数の端子毎に凸部が多数形成されるため、ガラス基板との境界部分が多数生じることになる。ここで、凸部を含む端子の周囲にはＬＳＩチップとガラス基板とを固着させるための接着剤が流し込まれており、この接着剤により凸部をガラス基板から引き剥がそうとする力が生じている。この力は、凸部の境界部分（外周部分）に集中することになるため、多数の境界部分に多くの力が集中する結果、凸部がガラス基板から剥がれることがあり、そのために端子が破壊されることがある。

　そこで、本発明は、接着材により固着させたＬＳＩチップ等の電子部品を接続することができる端子を有する表示パネルなどのデバイス基板であって、接着材による当該端子の破壊が抑制されたデバイス基板、およびその製造方法を提供することを目的とする。

　本発明の第１の局面は、電子部品が非導電性の接着材によって基板上に実装されたデバイス基板であって、
　絶縁性の基板と、
　前記電子部品と接続されるべき複数の端子部が形成されており、当該複数の端子部全てと前記基板との間に連続的に形成される、所定の弾性力を有する絶縁層と、
　前記絶縁層と前記電子部品との間を含む所定領域に設けられる接着材と
を備え、
　前記絶縁層の外周部分は、前記接着材が設けられる前記領域外にあることを特徴とする。

　本発明の第２の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記基板には、前記複数の端子部に接続される複数の配線が形成されており、
　前記絶縁層には、前記複数の端子部と前記複数の配線とをそれぞれ接続するための複数のコンタクトホールが形成されていることを特徴とする。

　本発明の第３の局面は、本発明の第２の局面において、
　前記複数のコンタクトホールは、前記接着材が設けられる前記領域内に形成されることを特徴とする。

　本発明の第４の局面は、本発明の第２の局面において、
　前記複数のコンタクトホールそれぞれは、前記電子部品の実装により生じるべき前記複数の端子部の前記基板面に対する垂直方向の撓みにより、対応する端子部と対応する配線との接続不良が生じない距離に離された位置に形成されることを特徴とする。

　本発明の第５の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記複数の端子部は、前記電子部品の実装により生じるべき、前記複数の端子部の前記基板面に対する垂直方向の撓みによる破壊が生じない靱性を有する素材からなることを特徴とする。

　本発明の第６の局面は、本発明の第５の局面において、
　前記複数の端子部は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む素材からなることを特徴とする。

　本発明の第７の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記複数の端子部それぞれは、接続されるべき前記電子部品に設けられる複数の電極それぞれよりも、当該複数の電極の配列方向における長さが小さく、前記配列方向に対して垂直な方向の長さが大きいことを特徴とする。

　本発明の第８の局面は、本発明の第７の局面において、
　前記複数の端子部それぞれの前記配列方向における長さは、前記複数の電極それぞれの前記配列方向における長さの半分よりも小さいことを特徴とする。

　本発明の第９の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記接着材は、非導電フィルムまたは非導電ペーストであることを特徴とする。

　本発明の第１０の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記接着材は、導電性粒子を含み、
　前記導電性粒子は、前記電子部品を実装する際に加えられる圧力により、前記複数の端子部に形成されうる高抵抗膜を突き破ることができる硬さを有することを特徴とする。

　本発明の第１１の局面は、本発明の第１０の局面において、
　前記導電性粒子は、前記硬さを有する単一の素材からなることを特徴とする。

　本発明の第１２の局面は、本発明の第１０の局面において、
　前記導電性粒子は、１ミクロン以下の粒径を有することを特徴とする。

　本発明の第１３の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記絶縁層は、前記複数の端子部のうちの１つまたは隣接する２つ以上を含む領域毎に、前記基板面に対して垂直方向に凸となる部分を含むことを特徴とする。

　本発明の第１４の局面は、本発明の第１３の局面において、
　前記絶縁層は、前記端子部毎に、前記基板面に対して垂直方向に凸となるよう形成されることを特徴とする。

　本発明の第１５の局面は、本発明の第１３の局面において、
　前記絶縁層は、前記複数の端子部に接するべき面上に、前記基板面に対して垂直方向に凸となる複数の突起部が形成されていることを特徴とする。

　本発明の第１６の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記電子部品は、前記複数の端子部に接続されるべき複数の電極を含み、
　前記絶縁層は、前記電子部品を実装する際に前記複数の電極のエッジ部分と接するべき前記複数の端子部の部分に応力集中が生じるよう、低反発弾性を有する素材により構成されることを特徴とする。

　本発明の第１７の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記電子部品は、前記複数の端子部に接続されるべき複数の電極を含み、
　前記複数の電極のうちの複数からなる各群の電極のうち、少なくとも１つの群を構成する複数の電極は、対応する１つの端子部が延びる方向に沿って当該端子部にそれぞれ接続されることを特徴とする。

　本発明の第１８の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記電子部品は、前記複数の端子部に接続されるべき複数の電極を含み、
　前記複数の端子に接する前記複数の電極の面には、前記複数の端子部に形成されうる高抵抗膜を突き破ることができるよう、それぞれ所定の凹部または凸部が形成されることを特徴とする。

　本発明の第１９の局面は、本発明の第１８の局面において、
　前記電子部品は、集積回路モジュールであって、前記複数の電極である複数のバンプ電極を含み、
　前記複数のバンプ電極における前記面に、前記複数の端子部に形成されうる高抵抗膜を突き破ることができる高さを有する凸部が形成されるよう、前記面と対向する面に形成されるパッシベーション層の厚さを前記高さと略同一にすることを特徴とする。

　本発明の第２０の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記電子部品は、前記複数の端子部に接続されるべき複数の電極を含み、
　前記複数の端子部それぞれは、前記電子部品を実装する際に接続されるべき前記複数の電極の１つにおけるエッジ部分と接するべき部分のうち少なくとも１つの部分近傍で、当該部分が延びる方向に平行な長さが小さくなる部分を含む。

　本発明の第２１の局面は、本発明の第２０の局面において、
　前記複数の端子部それぞれは、前記長さが小さくなる部分にスリットが形成されることを特徴とする。

　本発明の第２２の局面は、本発明の第２０の局面において、
　前記基板には、前記複数の端子部に接続される複数の配線が形成されており、
　前記複数の端子部それぞれは、前記エッジ部分と接するべき部分のうち、前記複数の配線のうちの対応する１つに最も近い部分以外の少なくとも１つの部分近傍で、前記長さが小さくなる部分を含むことを特徴とする。

　本発明の第２３の局面は、本発明の第２２の局面において、
　前記複数の端子部それぞれは、前記エッジ部分と接するべき部分のうち当該端子部の終端に最も近い部分近傍で、前記長さが小さくなる部分を含むことを特徴とする。

　本発明の第２４の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記基板は、画像を表示する表示部を含み、
　前記電子部品は、外部から与えられる信号に基づいて前記表示部を駆動する駆動素子を含む。

　本発明の第２５の局面は、本発明の第２４の局面において、
　前記表示部は、
　　外部から入射する光を反射する光反射部と、
　　外部から入射する光および前記反射部により反射される光の透過率を制御される液晶層とを含み、
　前記光反射部は、前記端子部と同一の素材により形成されることを特徴とする。

　本発明の第２６の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記電子部品は、集積回路チップとフレキシブル基板とを含み、
　前記接着材は、前記絶縁層と前記集積回路チップとの間、および前記絶縁層と前記フレキシブル基板との間で同一種類が設けられることを特徴とする。

　本発明の第２７の局面は、電子部品が非導電性の接着材によって基板上に実装されたデバイス基板の製造方法であって、
　絶縁性の基板上に、所定の弾性力を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
　前記絶縁層上に、前記電子部品と接続されるべき複数の端子部を形成する端子部形成工程と、
　前記絶縁層と前記電子部品との間を含む所定領域に接着材を設ける接着準備工程と、
　所定の圧着手段で前記電子部品を前記基板に圧着することにより、前記電子部品を実装する実装工程と
を備え、
　前記絶縁層形成工程では、前記複数の端子部全てと前記基板との間に連続的に前記絶縁層を形成するとともに、前記絶縁層の外周部分を前記接着材が設けられる前記領域外に形成することを特徴とする。

　本発明の第２８の局面は、本発明の第２６の局面において、
　前記基板上に、前記複数の端子部とそれぞれ接続されるべき複数の配線となる導体パターンを形成するパターン形成工程と、
　前記絶縁層に、前記複数の端子部と前記複数の配線とを接続するためのコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と
をさらに備えることを特徴とする。

　本発明の第２９の局面は、本発明の第２７の局面において、
　前記基板上に、画像を表示する表示部を形成する表示部形成工程をさらに備え、
　前記端子部形成工程では、前記表示部において外部から入射する光を反射する光反射部を形成しようとする場合に使用されるべき膜形成方法と同一の方法で、前記光反射部に使用されるべき素材と同一の素材を使用することにより前記端子部を形成することを特徴とする。

　上記本発明の第１の局面によれば、所定の弾性力を有する絶縁層が複数の端子部全てと基板との間に連続的に形成され、絶縁層の外周部分は、接着材が設けられる領域外にあるので、絶縁層の外周部分（境界部分）が接着材の設けられる領域に差し掛かることがない。よって、接着材によって当該境界部分から絶縁層が剥がされることにより端子部が破壊されることを防止することができる。また、端子部の直下に絶縁層が形成されているので、この絶縁層の弾性力により、端子部が電子部品の端子と恒常的に圧着され、電気的に安定に接続される。

　上記本発明の第２の局面によれば、例えばガラス基板上に配線パターンを形成した後、層間絶縁膜ないしパッシベーション層などの絶縁層を形成するといった、一般的な表示パネルなどのデバイス基板における製造工程を使用することができるので、製造コストを下げることができる。

　上記本発明の第３の局面によれば、コンタクトホールが接着材に覆われるため、コンタクトホールを保護できるとともに、コンタクトホールの位置まで端子部が露出することがないため、その腐食を防止することができる。

　上記本発明の第４の局面によれば、電子部品の実装により生じるべき端子部の垂直方向の撓みにより、対応する端子部と対応する配線との接続不良が生じない距離に離された位置にコンタクトホールが形成されるので、例えばコンタクトホール周囲の端子部の屈曲部分にクラックが生じることにより破断するがなく、電気的に良好な接続を保つことができる。

　上記本発明の第５の局面によれば、端子部は、撓みによる破壊が生じない靱性を有する素材からなるので、端子部が撓む場合にも（その屈曲率が大きい部分に）クラックが生じにくい、または生じることが無く、電気的に安定した接続を得ることができる。

　上記本発明の第６の局面によれば、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む素材により端子部を形成するため靱性の高い安価な素材を使用することができる。

　上記本発明の第７の局面によれば、端子部は、電子部品に設けられる複数の電極よりも、電極の配列方向における長さが小さいので、当該電極の（接触可能な面の）範囲内では、均一に押圧されるので、傾いてバランスが悪くなることにより電気的接続状態が悪くなることがなく、また配列方向に対して垂直な方向の長さが大きいので、当該垂直な方向に電子部品の設置位置がずれたとしても、当該電極の範囲内では電気的接続状態を良好に維持することができる。

　上記本発明の第８の局面によれば、端子部の配列方向における長さは、電極の配列方向における長さの半分よりも小さいので、例えば理想的な中心位置を含んで上記長さの１／４ずつの範囲内で配列方向に電極の位置がずれたとしても、端子部は均一に押圧されるので、端子部が傾くことがなく、電気的な接続状態を良好に保つことができる。

　上記本発明の第９の局面によれば、接着材が非導電フィルムまたは非導電ペーストであるので、接続に導電性粒子は必要ないことから安価で簡単に電子部品を接着することができる。

　上記本発明の第１０の局面によれば、接着材に含まれる導電性粒子が電子部品を実装する際に加えられる圧力により、端子部に形成されうる高抵抗膜を突き破ることができる硬さを有しているので、高抵抗膜を簡単に排除して電気的な接続を確実にすることができる。

　上記本発明の第１１の局面によれば、導電性粒子が単一の素材からなるので、十分な硬さを得やすいとともに、典型的には金属（例えばニッケル）のみからなるような層構造を有しない構成の導電性粒子は低コストで簡単に製造することができる。

　上記本発明の第１２の局面によれば、導電性粒子が１ミクロン以下の粒径を有するので、高抵抗膜を突き破りやすくすることができる。なお、このように小さい粒径の導電性粒子は、層構造を形成することが困難であるため、上記本発明の第１１の局面のように（金属の）単一の素材からなる構造であることが好ましい。

　上記本発明の第１３の局面によれば、絶縁層は複数の端子部のうちの１つまたは隣接する２つ以上を含む領域毎に、基板面に対して垂直方向に凸となる部分を含むので、端子部を電子部品の電極に十分に押圧させることができるため、電気的な接続を確実にすることができる。

　上記本発明の第１４の局面によれば、各端子部毎に、電子部品の電極に十分に押圧させることができるため、電気的な接続を確実にすることができる。

　上記本発明の第１５の局面によれば、絶縁層上に、基板面に対して垂直方向に凸となる典型的には多数の突起部が形成されている。この突起の先端部分において、端子部に形成されうる高抵抗膜を突き破ることができるので、高抵抗膜を簡単に排除して電気的な接続を確実にすることができる。

　上記本発明の第１６の局面によれば、絶縁層は、低反発弾性を有する素材により構成されるので、電子部品を実装する際に電極のエッジ部分と接するべき複数の端子部の部分に応力集中が生じて、当該部分が大きく伸張されることになり引張応力が大きくかかる。その結果、当該部分に形成されうる高抵抗膜が破断するので、高抵抗膜を簡単に排除して電気的な接続を確実にすることができる。

　上記本発明の第１７の局面によれば、１つの群を構成する複数の電極は、対応する１つの端子部が延びる方向に沿って当該端子部にそれぞれ接続されるので、１つの端子に接触するべき電極のエッジ部分が結果として増加することになり、当該エッジ部分において端子部に形成されうる高抵抗膜を多く突き破ることができるので、高抵抗膜を多く排除して電気的な接続をより確実にすることができる。

　上記本発明の第１８の局面によれば、電極の面に所定の凹部または凸部が形成されるので、当該電極におけるエッジ部分において端子部に形成されうる高抵抗膜を多く突き破ることができる。よって、高抵抗膜を多く排除して電気的な接続をより確実にすることができる。

　上記本発明の第１９の局面によれば、パッシベーション層の厚さを凸部の高さと略同一にすることにより、当該凸部によって高抵抗膜を簡単に排除して電気的な接続を確実にすることができる。

　上記本発明の第２０の局面によれば、電極のエッジ部分と接するべき（１つ以上の）部分のうち少なくとも１つの部分近傍で、当該部分が延びる方向に平行な長さが小さくなる部分を端子部が含むので、この部分が構造的に弱くなることにより、電子部品を実装する際に電極のエッジ部分と接することで例えばクラックが生じる。その結果、当該部分に形成されうる高抵抗膜が破断するので、高抵抗膜を簡単に排除して電気的な接続を確実にすることができる。

　上記本発明の第２１の局面によれば、スリットを形成することにより上記長さが小さくなる部分の長さを簡単に小さくすることができる。

　上記本発明の第２２の局面によれば、エッジ部分と接するべき部分近傍で、対応する配線に最も近い部分は上記長さが小さくならないので、当該部分が例えば破断するなどすることよって配線へ流れる電流が遮断または抑制されるような状態の発生を未然に回避することができる。

　上記本発明の第２３の局面によれば、エッジ部分と接するべき部分のうち当該端子部の終端に最も近い部分近傍で上記長さが小さくなるので、当該部分が例えば破断するなどした場合であっても、配線へ流れる電流が影響を受けることは全くなく、当該電流の遮断または抑制されるような状態の発生を未然にかつ確実に回避することができる。

　上記本発明の第２４の局面によれば、上記本発明の第１の局面と同様の効果を奏する、例えば液晶パネルなどの表示部を備えた表示用パネルを提供することができる。

　上記本発明の第２５の局面によれば、端子部は、表示部（の画素形成部）において形成される反射電極を形成する工程で生成されるので、従来の液晶表示装置の製造工程を使用することにより、新たな製造工程を開発および導入することなく、低コストで上記端子部を備えた表示パネルであるデバイス基板を製造することができる。

　上記本発明の第２６の局面によれば、同一種類の接着材が設けられるので、設置精度を考慮することなく、集積回路チップとフレキシブル基板とを近づけて設けることができる。したがって、デバイス基板の狭額縁化を図ることができ、接着材を一種類とすることにより製造工程を簡単にすることができる。

　上記本発明の第２７の局面によれば、上記本発明の第１の局面と同様の効果を奏するデバイス基板の製造方法を提供することができる。

　上記本発明の第２８の局面によれば、上記本発明の第２の局面と同様の効果を奏するデバイス基板の製造方法を提供することができる。

　上記本発明の第２９の局面によれば、端子部形成工程では、反射部を形成しようとする場合に使用されるべき膜形成方法と同一の方法で、光反射部に使用されるべき素材と同一の素材を使用することにより端子部を形成するので、表示部形成工程で光反射部を形成しない場合であっても、それを形成する場合に使用される製造装置や膜形成手法により、特別な工程を採用することなく、簡単かつ低コストに端子部を形成することができる。

本発明の一実施形態に係る液晶パネルを示す模式平面図である。上記実施形態において、図１に示す液晶パネル１０の構造を示す斜視図である。上記実施形態において、図２に示す矢線Ａ－Ａに沿った液晶パネル１０の断面図である。上記実施形態において、図３に示す断面図のうち端子部近傍の構造を示す断面図である。上記実施形態において、ＬＳＩチップのバンプ電極と接続される端子部を有するガラス基板の製造工程を簡易に示すための表示用配線と絶縁層とを示す断面図である。上記実施形態において、絶縁層に開口されるコンタクトホールを示す断面図である。上記実施形態において、絶縁層上に形成される端子部を示す断面図である。上記実施形態において、ＬＳＩチップ４０およびその周辺部分をガラス基板２０の裏面側から見た平面図である。上記実施形態において、バンプ電極と端子部とを接続するときの位置関係の一例を、端子部２４が延びる方向に対して垂直な断面で示す図である。上記実施形態において、バンプ電極と端子部とを接続するときの位置関係の別例を、端子部２４が延びる方向に対して垂直な断面で示す図である。上記実施形態の変形例において、２つのバンプ電極と１つの端子部との接続関係を示す平面図である。上記実施形態の変形例において、図１１に示す２つのバンプ電極と１つの端子部との構造を示す断面図である。上記実施形態の変形例において、端子部に接続される前の時点における、エッジ部分に凸部が形成されたバンプ電極および端子部近傍の構造を示す断面図である。上記実施形態の変形例において、端子部に接続された後の時点における、エッジ部分に凸部が形成されたバンプ電極および端子部近傍の構造を示す断面図である。上記実施形態の変形例において、端子部の形状の一例を示す平面図である。上記実施形態の変形例において、図１５に示す電極と端子部との断面図である。上記実施形態の変形例において、端子部の形状の別例を示す平面図である。上記実施形態の変形例において、端子部の形状のさらなる別例を示す平面図である。上記実施形態の変形例において、バンプ電極よりも幅の大きい端子部の形状の一例を示す平面図である。上記実施形態の変形例において、バンプ電極よりも幅の大きい端子部の形状の別例を示す平面図である。従来の液晶パネルの模式平面図である。

＜１．　液晶パネルの構成＞
　図１は、本発明の一実施形態に係る液晶パネル１０の構成を示す模式平面図である。液晶パネル１０は、図に示すように、対向して配置された２枚のガラス基板２０、２５と、ＬＳＩチップ４０とを備えている。なお、さらにコンデンサ等の電子部品を備えていてもよい。

　２枚のガラス基板２０、２５に挟まれた空間には、シール材（図示しない）によって液晶（図示しない）が封止された表示部３０が形成される。ガラス基板２０の張出部２０ａには、液晶を駆動するために必要なドライバ機能を有するＬＳＩチップ４０や、外部に接続されるＦＰＣ基板５０が実装されている。

　またガラス基板２０の表示部３０を除く領域上には、ＬＳＩチップ４０を実装するのに好適な弾性力を有する絶縁層６０が形成されており、この絶縁層６０上に（後述する図４に示す端子部に繋がる配線を介して）ＬＳＩチップ４０およびＦＰＣ基板５０が実装されている。この液晶パネルは、外部からＦＰＣ基板５０を介してＬＳＩチップ４０に映像信号が与えられると、ＬＳＩチップ４０は表示部３０に映像を表示する。

　ＬＳＩチップ４０は、ゲートドライバ、ソースドライバおよびＤＣ／ＤＣコンバータの回路パターン等が微細加工技術を用いてシリコン基板の表面に形成されるとともに、それらの回路パターンを外部に接続するための接続端子としてのバンプ電極が形成されたベアチップ（パッケージングを行う前のチップ）である。なおバンプ電極の高さは、例えば約１５μｍである。なおこのようにベアチップであるＬＳＩチップ４０を張出部２０ａにフェイスダウンボンディングする構成は一例であって、例えばＬＳＩチップ４０を表面実装型のパッケージにパッケージングしたＬＳＩデバイスをガラス基板２０上に（後述する図４に示す端子部を介して）実装してもよい。

　ＦＰＣ基板５０は、厚み１２～５０μｍの可撓性の絶縁性フィルムの片面に、厚み８～５０μｍの銅箔からなる複数本の配線層が形成された基板であり、自由に折り曲げられる。なお、配線層は、絶縁性フィルムの片面だけでなく、両面に形成されていてもよい。

　図２は、図１に示す液晶パネル１０の構造を示す斜視図であり、図３は図２の矢線Ａ－Ａに沿った液晶パネル１０の断面図である。

　図３に示すように、ＬＳＩチップ４０では、導電性粒子を含まない接着材（典型的には非導電膜（Non Conductive Film：以下「ＮＣＦ」という）８１を用いたフェイスダウンボンディングにより、その表面に形成されたバンプ電極４０ａが、張出部２０ａに形成されたＦＰＣ用配線７３の一端および表示部３０に延びる表示用配線２３と接続されている。また、ＦＰＣ基板５０の絶縁性フィルム５１に形成された配線層７４も、導電性粒子を含まない接着材であるＮＣＦ８２を用いてＦＰＣ用配線７３の他端に接続されている。なお、ＦＰＣ用配線７３および表示用配線２３は、表示部３０内の他の配線と同時形成されるので、アルミニウム（Ａｌ）またはタンタル（Ｔａ）を含む材料によって形成されている。

　このようにして、ＦＰＣ基板５０の配線層７４とＬＳＩチップ４０の入力端子とがＦＰＣ用配線７３を介して接続されるので、外部からＦＰＣ基板５０の各配線層７４に与えられる映像信号、クロック信号などの信号、基準電圧などはそれぞれＬＳＩチップ４０の対応する入力端子に与えられる。

　また、表示部３０内の各画素形成部と、ＬＳＩチップ４０の出力端子とは、表示用配線２３を介して接続されるので、ＬＳＩチップ４０から出力される映像信号は表示部３０内の各画素形成部に与えられる。

　このような接続に用いられるＮＣＦ８１、８２は、エポキシ系樹脂などの熱硬化性樹脂をフィルム状に成型したものである。なお、これらの樹脂に微細な導電性粒子を混ぜ合わせてフィルム状に成型したものが前述したＡＣＦであり、ＮＣＦ８１、８２は、このＡＣＦから導電性粒子を除いたものである。また、ＮＣＦ８１、８２に代えて、フィルム状ではなく、ペースト状の熱硬化性樹脂であって導電性粒子を混ぜ合わせていない非導電ペースト（Non Conductive Paste）を使用してもよい。本明細書では、これら非導電膜および非導電ペーストをまとめて非導電接着材または単に接着材とも称する。なお、以下で使用される接着材は、ＮＣＦまたはＮＣＰに限定されず、電子部品を絶縁性の基板に接着するのに適した周知のものを広く使用することができる。

　ここで、他の構成要素を無視して単純にＮＣＦ８１、８２を用いるだけでは、ＬＳＩチップ４０と表示用配線２３およびＦＰＣ用配線７３とを電気的に安定に接続することは通常できない。ＬＳＩチップ４０のバンプ電極４０ａも、これと接続される（図４に示す）端子部も、一般的には硬い金属からなる。そのため、これらはほとんど弾性変形することがなく、接着材のみによっては電気的に安定に接続されない。特に、接着材が吸湿することにより膨潤すると、これらの接触は容易に解除されてしまう。また、バンプ電極４０ａの高さにばらつきがあると、一部のバンプ電極４０ａと端子部２４との電気的な接続が不十分または非接続状態となることがある。

　そこで、このような場合にもこれらを恒常的に接続（圧着）させるために好適な弾性力を有する絶縁層６０を設け、この絶縁層６０が少なくともバンプ電極４０ａ（および表示用配線２３またはＦＰＣ用配線７３に繋がる対応する端子部）の下方に来るように配置する。そうすれば、この絶縁層６０の上記弾性力により、上記配線とバンプ電極４０ａとが恒常的に圧着され、電気的に安定に接続される。

　このように絶縁層６０は、その弾性力による上記機能を実現するためには、バンプ電極４０ａの下方にのみ存在すればよいともいえるが、ＬＳＩチップ４０のバンプ電極４０ａは狭いピッチで多数が配列されているので、これらの下方にのみ設けることは製造工程を複雑にし、好適でない。また、複数のバンプ電極４０ａをまとめ、その下方に絶縁層６０を設ける構成も考えられるが、ガラス基板２０上に（表示部３０が設けられる領域以外の）全面に渡って設ける方が後述するように簡単に製造することができるため好適である。

　さらに、前述したように、端子部の周囲にはＬＳＩチップとガラス基板とを固着させるための接着材が流し込まれており、この接着材により端子部をガラス基板から引き剥がそうとする力が生じている。この力は、上記従来の構成における絶縁層の外周部分である境界部分にも集中することになるため、この境界部分から絶縁層がガラス基板から剥がれる可能性があり、その場合には端子部が破壊されることになる。したがって、絶縁層６０の境界部分（外周部分）が少なくとも接着材に接しないようにすることが好適である。さらに境界部分が接着材に接していなくても、通常使用される絶縁層６０の素材がガラス基板２０ａと強く接着する物質でないことが多いことからすれば、ガラス基板２０と接する絶縁層６０の面積は相当程度大きいことが好ましい。

　また、絶縁層の境界部分（外周部分）が単に接着材に接しているばかりでなく、従来のように境界部分で囲まれた絶縁層がガラス基板から高さ方向に凸となるよう設けられると、さらに境界部分に力がかかりやすくなるため当然に剥がれやすくなり、好ましくない。したがって、ガラス基板２０の面に沿って平らな層構造として設けられることが好ましい。

　さらにまた、絶縁層を凸形状にするためには、当然にその形状が維持可能な素材を使用する必要があるので、そのような形状が維持できない（平らに広がってしまう）ような柔らかい素材を使用することはできず、使用可能な素材が限定されてしまう。また、凸形状を形成する場合には、そのための工程が必要となり、また適切な弾性力を生じさせるために適した形状を設計し、ばらつきなく正確に形成する困難な作業が必要となる。

　その他、本実施形態のように絶縁層を平らに形成すると、ＬＳＩチップ４０を実装後に、バンプ電極４０ａが圧着されることにより端子部２４に生じる圧痕を基板裏面から微分顕微鏡で検査することにより、接続状態の良否を確認することができる。このような微分顕微鏡による圧痕検査は広く行われているが、絶縁層を端子部分で凸形状になるよう形成すると、基板面に対する垂直方向の厚さ変化が極端に大きくなるので、平面上に形成された圧痕を検査するための微分顕微鏡によっては接続状態の良否を確認することができなくなる。その結果、接続状態の良否を確認するための新たな方策が必要となり、検査コストがかかることになる。以上の点から、ガラス基板２０上に層状に形成される本実施形態の構成が極めて好適であるといえる。

　もっとも、絶縁層の境界部分（外周部分）が（ガラス基板２０の外周部分と一致しているため）接着材に接していない本実施形態の構成において、端子部周辺のみを凸となるように形成しても当該部分が剥がれやすくなるとは言えない。確かに絶縁層６０の高さは均一である方がより好ましいが、高さが変わる位置で絶縁層６０が断裂することにより剥がれる危険性は小さく、剥がれやすいガラス基板との境界部分（外周部分）が接着材に接しているわけではない。よって、連続する１つ以上の端子部周辺または端子部１つずつの周辺が凸となるよう絶縁層６０を形成してもよい。

　次に、バンプ電極４０ａに接続されるべき上記端子部近傍の詳しい構造について、図４を参照して説明する。なお、以下では、ＬＳＩチップ４０のバンプ電極４０ａと各端子部との接続関係に着目して説明するが、ＦＰＣ基板５０の絶縁性フィルム５１に形成された配線層７４と、張出部２０ａに形成されたＦＰＣ用配線７３に繋がる各端子部との接続においても同様であるため、その説明については省略する。

＜２．　バンプ電極と端子部との接続構造＞
　図４は、図３に示す断面図のうち端子部近傍の構造を示す断面図である。この図４に示されるように、ＬＳＩチップ４０のバンプ電極４０ａと接続する端子部２４は、絶縁層６０上に形成されており、絶縁層６０下に形成される表示用配線２３とは、絶縁層６０に開口されるコンタクトホール６０ａを介して接続されている。このように端子部２４は、バンプ電極４０ａと接続する部分を含み、コンタクトホール６０ａまで繋がる金属電極全体を指すものとする。また、接着材であるＮＣＦ８１は、ＬＳＩチップ４０の下面に設けられる端子部２４およびその下面近傍に設けられるコンタクトホール６０ａを覆うように設けられている。このような構造を有するガラス基板２０の製造工程について、図５から図７までを参照して説明する。

　図５は、ＬＳＩチップのバンプ電極と接続される端子部を有するガラス基板の製造工程を簡易に示すための表示用配線と絶縁層とを示す断面図であり、図６は、上記絶縁層に開口されるコンタクトホールを示す断面図であり、図７は、上記絶縁層上に形成される端子部を示す断面図である。

　図５に示されるように、ガラス基板２０上に表示用配線２３を形成する。具体的には、まずガラス基板２０の表面に、例えば複数の金属膜からなる積層膜をスパッタ法により成膜する。なお、ガラス基板に代えて石英やプラスチック等の透明な絶縁体からなる絶縁性基板を使用してもよいし、配線材料としてクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、および銅（Ｃｕ）、や酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などまたはこれらの物質に微量の不純物を添加した合金を単層でまたは積層させて使用してもよい。

　次に、積層膜上にレジストを塗布し、露光および現像を行うことによって表示用配線２３（およびＦＰＣ用配線７３）のエッチング時のマスクとなるレジストパターンを形成する。形成したレジストパターンをマスクとして、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔｉの順にドライエッチングを行った後、レジストパターンを剥離する。この結果、ガラス基板２０上に表示用配線２３（およびＦＰＣ用配線７３）が形成される。なお、それまでの製造工程は周知であるので詳しい説明は省略する。

　続いて例えば有機樹脂からなる絶縁膜である絶縁層６０を例えば３～４μｍ程度の膜厚で形成する。上記有機樹脂の組成や膜厚は、形成後の表面がほぼ平坦になるような条件に設定するのが好ましい。具体的には絶縁層６０は、たとえばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）からなるベースフィルム上に層状に形成された有機樹脂を基板に転写したのち、ベースフィルムを除去して形成する方法や、ノズルから有機樹脂を基板に吐出し、スピンコート法を用いて塗布する方法などの周知の方法で形成することができる。

　ここで、上記有機樹脂には、感光性の素材が使用され、所定の膜厚になるように塗布および成膜された後、フォトマスクを使用して露光しさらに現像を行うことにより、絶縁層６０の所定位置に、図６に示されるようなコンタクトホール６０ａが形成される。なお、絶縁層６０は特に感光性の素材である必要はなく、フォトリソグラフィ処理を使用しない周知のエッチング処理などを行うことにより、コンタクトホール６０ａを形成してもよい。

　また、上記コンタクトホール６０ａの位置は、端子部２４がバンプ電極４０ａと接触すべき位置から或る程度離れていることが好ましい。すなわち、端子部２４はバンプ電極４０ａとＮＣＦ８１により接続されると、互いに強く圧着されるため、絶縁層６０の側へ撓むことになる。したがって、この撓みの影響を受ける程度に近い位置にコンタクトホール６０ａが形成されると、コンタクトホール６０ａの表面に設けられる端子部２４の部分もまた撓むことになり、その結果、コンタクトホール６０ａにおいて端子部２４と表示用配線２３との電気的接続が不良となりまたは切断されることがある。例えば、コンタクトホール６０ａ周囲の端子部２４の屈曲部分にクラックが生じることにより破断することがある。したがって、コンタクトホール６０ａの位置は、端子部２４がバンプ電極４０ａと接触すべき位置から、当該接触により撓む（すなわち基板面に対して垂直方向に変位する）ことで電気的接続が不良となりまたは切断される可能性がある距離よりも離れていることが好ましい。

　さらに、上記コンタクトホール６０ａの位置は、ＮＣＦ８１により覆われる範囲内に入る程度に、端子部２４がバンプ電極４０ａと接触すべき位置に近接していることが好ましい。ＮＣＦ８１は、ＬＳＩチップ４０を基板面に接着するためにその下面に設けられるが、安定的に接着するために、その側面下方を含む下面周囲に設けられるのが通常である。したがって、このＮＣＦ８１が設けられる範囲内にコンタクトホール６０ａが開口されると、コンタクトホール６０ａを保護できるとともに、コンタクトホール６０ａまで端子部２４が露出することがないため、その腐食を防止することができる。このように構成すれば、端子部２４にアルミニウムなどの腐食しやすい金属であっても腐食防止策を講じることなく簡単に使用することができる。

　以上のように適宜の位置にコンタクトホール６０ａが形成されるよう、絶縁層６０を露光し現像したのち、スパッタ法などによって所定の位置に、例えばアルミニウム（Ａｌ）や、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などからなる図７に示されるような端子部２４が形成される。この端子部２４は、周知の導電性素材を適宜に使用することができる。

　もっとも本実施形態では、この端子部２４は、典型的には反射型または半透過型の液晶表示装置（の画素形成部）において形成される反射電極を形成する工程で生成されるものとする。この場合、端子部２４は、反射率の高い物質、例えばＡｌ、Ａｇまたはこれらの物質に微量の不純物を添加した合金が使用されることになる。なお、透過型の液晶表示装置では反射電極は形成されないが、反射電極を形成するための製造装置および製造工程を使用することにより端子部２４を形成することが好ましい。このように反射電極を形成する工程で端子部２４を形成すれば、従来の液晶表示装置の製造工程を使用することにより、新たな製造工程を開発および導入することなく、低コストで本液晶表示装置を製造することができる。

　また、端子部２４は、靱性の低いＩＴＯ等の素材からなるよりも、靱性の高い導電性素材、例えばＡｌ等からなることが好ましい。靱性の高い素材であれば、端子部２４がバンプ電極４０ａと接触して撓む場合にも（その屈曲率が大きい部分に）クラックが生じにくい、または生じることが無く、電気的に安定した接続を得ることができるからである。さらに、この端子部２４の構造について図８から図１０までを参照して詳しく説明する。

　図８は、ＬＳＩチップ４０およびその周辺部分をガラス基板２０の裏面側から見た平面図である。なお、表示用配線２３およびＦＰＣ用配線７３とそれに対応するバンプ電極４０ａとの数は実際にはそれぞれ数十ないし百を超えることが多いが、図中では簡略に示されており、配線の幅や間隔なども実際とは異なり簡略に示されている。

　なお、図８に示されていないが、ＬＳＩチップ４０（の下面）およびその周囲にはＮＣＦ８１が設けられており、これによりＬＳＩチップ４０がガラス基板２０に熱圧着されている。このような熱圧着工程については周知であるので説明を省略する。

　また、バンプ電極４０ａ（の基板面に平行な断面）は円形のように記載されているが、その形状に限定はない。もっとも、その断面部分の長さは、（表示用配線２３およびＦＰＣ用配線７３に繋がる）端子部２４の基板面に平行な断面部分の長さよりも、端子部２４が延びる方向に相当に短く、当該延びる方向と垂直方向に長く（言い換えれば、バンプ電極４０ａが図の横方向に少しはみ出すように）形成されることが好ましい。

　このように形成されれば、ＬＳＩチップ４０をガラス基板２０に（チップディスペンサなどで）搭載するときに、ＬＳＩチップ４０の短辺に沿った方向に或る程度の位置ずれが生じる場合であっても電気的に良好に接続できるようにすることができる。すなわち、図８を参照すればわかるように、ＬＳＩチップ４０の短辺に沿った方向にバンプ電極４０ａの位置が若干ずれたとしても、その垂直方向にずれていないとすれば、バンプ電極４０ａはやはり端子部２４上にあるので電気的な接続に影響が出ることがない。なお、この端子部２４の上記短辺に沿った方向の長さは、上記長辺に沿った方向の長さよりも相当長く（例えば隣接する２つのバンプ電極４０ａの間隔よりも長く）することができるため、上記短辺方向の位置ずれが生じる場合であっても電気的な接続を良好に保つことができる。

　また、このように形成されれば、ＬＳＩチップ４０をガラス基板２０に搭載するときに、ＬＳＩチップ４０の長辺に沿った方向に少しの距離だけ（すなわちバンプ電極４０ａの上記断面の範囲内で）ずれた場合にも電気的な接続に影響が出ないようにすることができる。この点について、図９および図１０を参照して説明する。

　図９は、バンプ電極と端子部とを接続するときの位置関係の一例を、端子部２４が延びる方向に対して垂直な断面で示す図である。図９に示す矢印の左側では、バンプ電極４０ａが端子部２４に対して接触すべき位置が、理想的な中心位置よりもＬＳＩチップ４０の長辺に沿った方向へ少しずれて示されており、図９に示す矢印の右側では、バンプ電極４０ａが端子部２４に対して接触したときに良好に接続されることが示されている。なお、周囲に設けられるべきＮＣＦ８１は記載を省略している。

　この図９を参照すればわかるように、端子部２４が延びる方向と垂直方向の端子部２４の長さ（ＬＳＩチップ４０の長辺方向、すなわちバンプ電極４０ａの配列方向に沿った長さ）は、同方向に沿ったバンプ電極４０ａの長さより小さく、また端子部２４がバンプ電極４０ａの範囲内にある場合、端子部２４が傾くことなく、基板面に対して垂直方向に押されており、理想的な中心位置であった場合と電気的な接続状態が変わらないことがわかる。

　これに対して、端子部２４が延びる方向と垂直方向の端子部２４の長さ（ＬＳＩチップ４０の長辺方向、すなわちバンプ電極４０ａの配列方向に沿った長さ）が、同方向に沿ったバンプ電極４０ａの（接触すべき部分の）長さより大きい場合、端子部２４が傾くことがある。図１０は、このようなバンプ電極と端子部とを接続するときの位置関係の別例を、端子部２４が延びる方向に対して垂直な断面で示す図である。

　この図１０を図９と比較参照すればわかるように、端子部２４が延びる方向と垂直方向の端子部２４の長さが、同方向に沿ったバンプ電極４０ａの（接触すべき部分の）長さより大きいと、端子部２４の全面をバンプ電極４０ａで押圧することができなくなって、端子部２４が傾く場合が生じる。このように端子部２４が傾いてバランスが悪くなると、電気的な接続状態が悪化するため好ましくない。したがって、端子部２４が延びる方向と垂直方向の端子部２４の長さは、同方向に沿ったバンプ電極４０ａの（接触すべき部分の）長さより小さいことが好ましい。

　さらには、端子部２４が延びる方向と垂直方向の端子部２４の長さは、同方向に沿ったバンプ電極４０ａの（接触すべき部分の）長さの半分以下であることがより好ましい。そうすれば理想的な中心位置を含んで上記長さの１／４ずつの範囲内でバンプ電極４０ａの位置が図の左右方向へずれたとしても、端子部２４の全面をバンプ電極４０ａで押圧することができるので、端子部２４が傾くことがなく、電気的な接続状態を良好に保つことができる。

＜３．　効果＞
　上記実施形態によれば、表面に端子部２４が形成される絶縁層６０は、張出部２０ａを含んで表示部３０を除くガラス基板２０全面に渡って形成されているので、絶縁層６０の境界部分（外周部分）がＮＣＦ８１，８２が設けられる領域（ＬＳＩチップ４０近傍等）に差し掛かることがない。よって、ＮＣＦ８１，８２によって当該境界部分から絶縁層６０が剥がされることにより端子部２４が破壊されることを防止することができる。

　またＬＳＩチップ４０のバンプ電極４０ａおよびこれと接続される端子部２４の直下に絶縁層６０が形成されているので、この絶縁層６０の弾性力により、端子部２４とバンプ電極４０ａとは恒常的に圧着され、電気的に安定に接続される。

＜４．　変形例＞
＜４．１　第１の主たる変形例＞
　上記実施形態では、ＬＳＩチップ４０およびＦＰＣ基板５０をガラス基板２０上に実装するために、導電性粒子を含まないＮＣＦ８１，８２が使用されるが、導電性粒子を含むＡＣＦまたはＡＣＰが使用されてもよい。

　本実施形態では弾性力を有する絶縁層６０により安定した電気的接続が得られるので、一般的に使用される粒径３μｍ以上の樹脂を金属層でコーティングした（例えばニッケルメッキと金メッキとを施した）層構造を有する導電性粒子を使用する必要はない。しかし、端子部２４の素材によっては、その表面に酸化膜や水酸化膜などの非常に薄い（ナノメートルオーダーの）高抵抗膜が形成されることがあり、この高抵抗膜を（ＬＳＩチップ４０を圧着させる際に）突き破ることができるような導電性粒子を使用すると、バンプ電極４０ａと端子部２４とを電気的な接続を確実にすることができる（すなわち接続抵抗を小さくすることができる）。

　そこで、従来のように、バンプ高さのバラツキや接着材の吸湿・膨潤による接触不良を防止するための弾性力を有するように、樹脂および金属層からなる導電性粒子ではなく、上記高抵抗膜を突き破ることができる硬さを有することが好ましく、典型的には金属（例えばニッケル）のみからなることが好適である。このように層構造を有しない構成の導電性粒子は低コストで簡単に製造することができる。

　さらに、上記導電性粒子は、上記高抵抗膜の厚さよりも大きい必要はあるが、大きくなりすぎると上記高抵抗膜を突き破りにくくなるので、粒径が１μｍ以下であることが好ましい。なお、このように小さい粒径の導電性粒子は、層構造を形成することが困難であるため、上記のように金属単体からなる構造であることが好ましい。次に、以上のような第１の主たる変形例とは異なる態様で、上記高抵抗膜を突き破ることができる特徴的な構成について検討する。

＜４．２　第２の主たる変形例＞
　まず、絶縁層６０に周知の低反発弾性材を使用することで、バンプ電極４０ａにより上記高抵抗膜を突き破ることができる。以下その理由について説明する。上記高抵抗膜の靱性は、端子部２４の靱性よりも低い。よって、高抵抗膜が形成された端子部２４を伸張する（引っ張る）とまず高抵抗膜が破断することになる。そして例えばＬＳＩチップ４０をガラス基板２０上に実装するときに引張応力が最も大きくかかる部分は、バンプ電極４０ａの端部（エッジ部分）と接触する部分である。そこで、この部分に引張応力を集中させるために、絶縁層６０に周知の低反発弾性材を使用する。この低反発弾性材とは、粘弾性を有するためにその反発弾性が一般的な弾性材よりも非常に小さい素材をいう。このような低反発弾性材である絶縁層６０は、バンプ電極４０ａが押しつけられたときに、バンプ電極４０ａの中央部分近傍直下の部分は均一に沈み込み、バンプ電極４０ａの直下ではない部分は沈み込まないので、その境界部分、すなわちバンプ電極４０ａの端部（エッジ部分）と接触する部分が大きく伸張されることになり引張応力が大きくかかる。その結果、バンプ電極４０ａの端部（エッジ部分）と接触する高抵抗膜が破断し、バンプ電極４０ａにより上記高抵抗膜を突き破ることができる。

　なお、絶縁層６０に上記低反発弾性材が使用されない場合であっても、ガラス基板２０上にＬＳＩチップ４０を実装するとき、バンプ電極４０ａの端部（エッジ部分）と接触する部分に引張応力はかかるので、高抵抗膜の破断が生じないわけではない。しかし、上記低反発弾性材が使用される場合には、より多くまたは大きな破断を生じさせることができる。

　ここで上記低反発弾性材が使用されない場合であっても（もちろん使用されてもよいが）、バンプ電極４０ａの端部（エッジ部分）の長さが大きくなれば高抵抗膜の破断箇所も多く（すなわち破断箇所の長さが大きく）なるのでバンプ電極４０ａにより、上記高抵抗膜をさらに広い部分（多い箇所）で突き破ることができる。このためのバンプ電極４０ａの構造について図１１および図１２を参照して説明する。

　図１１は、ＬＳＩチップ４０が実装される基板面の反対側の面から見た、２つのバンプ電極と１つの端子部との接続関係を示す平面図であり、図１２は、図１１に示す２つのバンプ電極と１つの端子部との構造を示す断面図である。なお、図１１に示される端子部２４０は、図８に示される表示用配線２３に繋がる端子部２４に相当する。また、図１１に示される端子部２４０の端部は、図１２では図の左側に示されている。

　これら図１１および図１２に示されるように、この変形例では、１つの端子部２４０に対して２つのバンプ電極４０１，４０２が接続されており、これら２つのバンプ電極４０１，４０２は、同一の金属電極層４１０で接続されている。なお、図１２では、金属電極層の開口部周囲に形成されるパッシベーション層や、金属電極層上に形成されるアンダーバリアメタル（ＵＢＭ）層などの記載は省略されている。

　このように２つのバンプ電極４０１，４０２は、電気的には同一の電極であって、端子部２４０が延びる方向に沿って設けられている。そのため、例えば図４などに示されるような上記実施形態の場合に比べて、端子部２４０に接するバンプ電極の端部（エッジ部分）は２倍の長さになる。具体的には図１２に示されるように、２つのバンプ電極４０１，４０２のエッジ部分で、高抵抗膜２５０が（断面では）４カ所で破断されており、当該破断部分を突き破って２つのバンプ電極４０１，４０２（のエッジ部分）が端子部２４０と接続する。そのため、バンプ電極と端子部とを電気的な接続を確実にすることができる（すなわち接続抵抗を小さくすることができる）。

　なお、ここでは１つの端子部２４０に対して２つのバンプ電極４０１，４０２が接続される例について説明したが、接続されるバンプ電極は３つ以上であってもよいし、接続されるバンプ電極が電気的に接続されていれば、同一の金属電極層４１０により接続されていなくてもよい。また、１つの端子部２４０に接続される複数のバンプ電極は、液晶パネル１０の全ての端子部に設けられる必要はなく、電源端子や接地端子など低抵抗が要求される端子のみに設けられる構成であってもよい。このことは他のバンプ電極や端子部の構成においても同様である。

　ここで、上記のように１つの端子に接続されるバンプ電極の数を増やすのではなく、各バンプ電極の表面に溝などの凹部または凸部を形成するなどの手法により、バンプ電極のエッジ部分を増加させてもよい。この溝などの凹部または凸部は、端子部２４０が延びる方向に対して基板面に沿って垂直方向に延びるよう形成される必要はなく、形成される長さや形状等に限定はない。次にバンプ電極の表面に凸部を形成する変形例として、エッジ部分に凸部が形成されたバンプ電極の構造について、図１３および図１４を参照して説明する。なお、エッジ部分に凸部を形成することにより必ずしもエッジ部分が増加するわけではないが、凸部が形成されたエッジ部分によって、より確実に高抵抗膜を破断することができる。

　図１３は、端子部に接続される前の時点における、エッジ部分に凸部が形成されたバンプ電極および端子部近傍の構造を示す断面図であり、図１４は、端子部に接続された後の時点における当該バンプ電極および端子部近傍の構造を示す断面図である。

　図１３に示されるように、金属電極層４１０が露出するように開口部が設けられる際に金属電極層４１０の開口部周囲に形成されるパッシベーション層４０８は、金属電極層４１０の上にも形成される。その後、スパッタ法などによりアンダーバリアメタル（ＵＢＭ）層４０９が形成され、さらにメッキ法などによりバンプ電極４０５が形成される。なお、このような工程は周知であるため詳しい説明は省略する。

　このような工程を経てバンプ電極４０５が形成されるため、上記開口部周囲の金属電極層４１０の上に形成されるパッシベーション層４０８の厚みにより、バンプ電極４０５のエッジ部分には突起部４０５ａ，４０５ｂが形成される。このような突起部４０５ａ，４０５ｂは、バンプ電極の端子部に対する接触面の平坦化を阻害するため、従来よりできるだけ形成されないように工夫されるのが通常である。しかし、本変形例ではこのような工夫を行わず、逆に突起部４０５ａ，４０５ｂが確実に形成されるよう、パッシベーション層４０８の厚さを通常よりも大きくしている。このパッシベーション層４０８の厚さは、具体的には、形成されるべき突起部４０５ａ，４０５ｂにより、非常に薄い高抵抗膜２５１が突き破られる程度には大きく、かつ所定の厚みを有する端子部２４１が切断（破壊）されない程度に小さいことが好ましい。

　以上のようにバンプ電極４０５を形成することにより、図１４に示されるように、端子部２４１上に形成される高抵抗膜２５１は、バンプ電極４０５の上記突起部４０５ａ，４０５ｂにより破断されており、当該破断部分を突き破って２つのバンプ電極４０１，４０２（の突起部）が端子部２４０と接続する。そのため、バンプ電極と端子部とを電気的な接続を確実にすることができる（すなわち接続抵抗を小さくすることができる）。次に上記変形例とは異なる変形例として、高抵抗膜が破断されやすいよう形成された端子部の構造について、図１５から図２０までを参照して説明する。

　図１５は、ＬＳＩチップ４０が実装される基板面の反対側の面から見た端子部の形状を示す平面図であり、図１６は、図１５に示す電極と端子部との断面図である。なお、図１５に示される端子部２４２は、図８に示される表示用配線２３に繋がる端子部２４に相当する。また、図１５に示される端子部２４２の端部は、図１６では図の左側に示されている。

　図１５に示すように、端子部２４２は、バンプ電極４０ａのエッジ部分と接する部分のうち、端子終端に近い（図の下方）側の部分近傍の幅が他の部分の幅よりも小さくなっており、くびれた形状となっている。このように端子部２４２の幅が小さいと強度が小さくなるためクラックが入りやすくなる。

　特に、端子部において幅の小さい部分が幅の大きい２つの部分の間に形成される（すなわちくびれた形状となる）構成では、当該幅の小さい部分にＬＳＩチップ４０を実装するときの引張応力が集中することになるので、よりクラックが入りやすくなる。

　このような構成を有する端子部上にＬＳＩチップ４０（のバンプ電極４０ａ）を接続するとき、バンプ電極４０ａの端部（エッジ部分）と接触する端子部の部分に大きな引張応力が集中することから、当該部分にクラックが入ることになる。このようにクラックが入ると、端子部２４２よりも靱性の小さい高抵抗膜２４２は大きく（多く）破断されることになる。よって、バンプ電極４０ａにより上記高抵抗膜を突き破ることで、バンプ電極と端子部とを電気的な接続を確実にすることができる（すなわち接続抵抗を小さくすることができる）。

　なお、図１５に示すように、幅が小さい（くびれた）部分は、バンプ電極４０ａの端部（エッジ部分）と接触する端子部の２つの部分のうち、端子部が延びる方向の終端側の部分、すなわち電気信号が流れるべき表示用配線２３に繋がる側とは反対側の部分であることが好ましい。なぜなら、バンプ電極４０ａの端部（エッジ部分）と接触する端子部の部分には大きな引張応力がかかることから、バンプ電極４０ａの高さが不均一であるなどの理由により、現実には高抵抗膜が破断されるだけでなく、端子部自体が破断される可能性がある。しかし、端子部２４２のうち上記表示用配線２３に繋がる側とは反対側の部分が仮に破断したとしても、バンプ電極と端子部との電気的な接続は確実に保たれる（すなわち接続抵抗が大きくならない）ので問題とならないからである。

　ここで、端子部において幅の小さい部分は、必ずしも図１５に示すように幅の大きい２つの部分の間に形成される（すなわちくびれた形状となる）構成である必要はなく、図１７に示す端子部２４３のように、当該端子部における上記終端部分からバンプ電極４０ａのエッジ部分と接する部分までの幅が他の部分の幅よりも小さい構成であってもよい。このような構成であっても、当該幅の小さい部分は強度が小さくなる。そのため、図１５に示す構成におけるような引張応力の集中は生じないとしても、よりクラックが入りやすくなるため、高抵抗膜を破断させることができる。

　また、端子部において幅の小さい部分は、端子として機能する金属部分の（端子が延びる方向に対して垂直方向の）長さの和が小さければよいので、図１８に示す端子部２４４のように、端子部２４４の終端側に近いバンプ電極４０ａのエッジ部分と接する部分近傍にスリットを入れることにより、当該部分の幅（の合計の長さ）を他の部分の幅よりも小さくした構成であってもよい。なお、この構成では、端子部において幅の小さい部分が幅の大きい２つの部分の間に形成されることになるので、図１５に示す構成と同様に当該幅の小さい部分にＬＳＩチップ４０を実装するときの引張応力が集中することになるので、よりクラックが入りやすくなる。

　さらにまた、図１８に示すスリットを端子部２４４の終端部分まで延ばすことにより（すなわち当該終端部分を短冊状に形成することにより）、当該端子部終端からバンプ電極４０ａのエッジ部分と接する部分までの幅が他の部分の幅よりも小さい構成であってもよい。

　また、端子部において幅の小さい部分は、強度が小さくなればよいので、工数は増加するが、当該部分の端子の厚さ（基板面に対して垂直方向の長さ）を小さくしてもよい。例えば、当該厚さ方向に凹部が形成されるように切れ目を入れる構成であってもよい。

　次に、図１５から図１７までに示す例では、端子部は、バンプ電極の幅よりも小さい構成であって、端子部が延びる方向に対して（基板面に沿って）垂直な方向に位置するバンプ電極４０ａの２つのエッジ部分（以下、これらを左右のエッジ部分と呼ぶ）が端子部に接することは（原則として）ないが、これら左右のエッジ部分の少なくとも一方が端子部に接する構成、例えばバンプ電極の幅よりも端子部の幅が大きい構成であってもよい。

　このような構成では、上述した図１５から図１８までに示す構成とは異なり、（基板面に沿って正方形である形状を有する）バンプ電極４０ａのエッジ部分と接する部分は最大で４つとなる。もっとも、前述したように、バンプ電極４０ａの端部（エッジ部分）と接触する端子部の部分には大きな引張応力がかかることから、端子部自体が破断される可能性もある。そのため、上記表示用配線２３に繋がる部分が破断しないよう構成されることが好ましい。

　そこで、図１９に示されるように、バンプ電極４０ａの端部（エッジ部分）と接触する端子部の４つの部分のうち、端子部終端側の部分近傍の幅と、左右のエッジ部分に接触する端子部の部分近傍の幅（ここでは端子が延びる方向の長さ）とが他の部分の幅よりも小さい（典型的にはくびれた）構成であってもよい。なお、上記幅の小さい３つの部分のうち、いずれか１つまたは２つが省略されてもよい。

　ここで、図１９に示す例とは異なってバンプ電極４０ａの（端子部と接する）面の形状が端子の延びる方向に長い長方形状である場合、左右のエッジ部分に接触する端子部の部分近傍の幅（ここでは端子が延びる方向の長さ）が端子部自体の幅よりも大きいことがある。この場合における上述した他の部分の幅は、端子部自体の幅（端子が延びる方向と基板面に沿って垂直な方向の長さ）を指すのではなく、当該エッジ部分が延びる方向と平行なバンプ電極４０ａと端子との接触部分の長さ、具体的には、バンプ電極４０ａと接している端子部の範囲を、当該対応するエッジ部分が延びる方向と平行な線分で切り取って得られる線分の最大の長さを指すと言える。そうすれば、当該対応するエッジ部分から外側へ延びる端子部の部分が（外側へ延びる方向において）細くなっている（典型的にはくびれている）と言える。

　また、図２０に示されるように、バンプ電極４０ａの幅よりも端子部２４６の幅が大きく、バンプ電極４０ａの端部（エッジ部分）と接触する端子部の４つの部分のうち、端子部終端側の部分近傍の幅と、左右のエッジ部分に接触する端子部の部分近傍の幅（ここでは端子が延びる方向の長さ）とが他の部分の幅よりも小さくなるように、図１８に示す構成と同様、当該部分にスリットが設けられる構成であってもよい。なお、上記幅の小さい３つの部分に設けられるスリットのうち、いずれか１つまたは２つの部分に設けられるスリットが省略されてもよい。

　さらに、バンプ電極４０ａのエッジ部分から外側へ延びる端子部の部分が（外側へ延びる方向において）そのエッジ部分近傍で細くなっている（典型的にはくびれている）形態であれば、バンプ電極４０ａのエッジ部分に接触する端子部部分の長さより細くなっている必要はなく、その近傍で部分的に細くなっていればよい。例えば、図１５、図１７、または図１９に示す例において、バンプ電極４０ａが端子部より小さい、具体的にはバンプ電極４０ａのエッジ部分の長さが（当該エッジ部分と平行に）細くなっている端子部の部分の長さよりも小さい場合であっても、バンプ電極４０ａのエッジ部分近傍にあって当該細くなっている部分は、構造的に弱くなってクラックが入りやすくなるため、その近傍の高抵抗膜を破断させることができる。また、図１８や図２０に示す例のようにスリットがバンプ電極４０ａのエッジ部分上に差し掛かる位置になく、エッジ部分の近傍にスリットがある場合、具体的には上記エッジ部分から外側方向へ少し離れた位置に、スリットの最も内側に近い端部がある場合であっても、当該スリットにより細くなっている部分は、同様に構造的に弱くなってクラックが入りやすくなるため、その近傍の高抵抗膜を破断させることができる。このように端子部は、バンプ電極４０ａのエッジ部分と接するべき部分のうち少なくとも１つの部分近傍で、当該部分が延びる方向に平行な長さが（その近傍であって当該方向に平行な他の部分の長さよりも）小さくなる、すなわち細くなっている（典型的にはくびれている）部分を含んでいればよい。そうすれば当該部分にクラックが入りやすくなるため、その近傍の高抵抗膜を破断させることができる。

　以上のような構成のほか、高抵抗膜の破断箇所を増大させる構成として、絶縁層６０の表面に多数の突起部を形成する構成も考えられる。このような構成は、例えば周知のフォトリソグラフィ処理により多数の突起部を有する絶縁層６０を形成したり、絶縁層６０を形成した後に周知のアッシング処理により多数の突起部を形成することで容易に実現することができる。

　このように多数の突起部が形成された絶縁層６０上にさらに形成される端子部の表面には、上記多数の突起部と同様の多数の突起部が形成される。このような多数の突起部を有する端子部にバンプ電極４０ａを圧接すると、当該端子部上に形成される高抵抗膜が突起部の先端部への応力集中により破断することになる。よって、バンプ電極４０ａにより上記高抵抗膜を突き破ることで、バンプ電極と端子部とを電気的な接続を確実にすることができる（すなわち接続抵抗を小さくすることができる）。

＜４．３　その他の変形例＞
　上記実施形態では、ＬＳＩチップ４０を接着するためのＮＣＦ８１と、ＦＰＣ基板５０を接着するためのＮＣＦ８２とは異なるように説明したが、同一のＮＣＦを使用してもよい。この点、従来よりＬＳＩチップを接続するためのＡＣＦと、ＦＰＣ基板を接続するためのＡＣＦとは、異なるものを使用する場合が多い。それぞれの接続のために好適なＡＣＦの硬さや導電粒子径、導電粒子密度などが異なるからである。そしてこの構成では、ＬＳＩチップとＦＰＣ基板とは、ＡＣＦの貼り付け精度を考慮して、所定の距離だけ離して設ける必要があった。しかし、上記のように同一のＮＣＦを使用する場合には、貼り付け精度を考慮する必要がないので、ＬＳＩチップとＦＰＣ基板とを上記距離よりも近づけて設けることができる。したがって、表示パネルの狭額縁化を図ることができ、接着材を一種類とすることにより製造工程を簡単にすることができる。なおＮＣＦ以外の接着材が使用される場合であっても、同一種類の接着材を使用することによりＬＳＩチップとＦＰＣ基板とを近づけて設けることができるので、同様の効果を得ることができる。

　上記実施形態では、表示用配線２３およびＦＰＣ用配線７３は、絶縁層６０の下に形成されているが、絶縁層６０の上に形成されてもよい。この場合には、これらの配線と端子部とを接続するためのコンタクトホールは不要となる。もっとも、一般的な液晶表示装置の製造工程では、上記実施形態と同様に、ガラス基板上に上記配線パターンを形成した後、層間絶縁膜ないしパッシベーション層などの絶縁層を形成するため、一般的な製造工程を使用することができる上記実施形態の構成の方が製造コストを下げることができる。

　上記実施形態では液晶パネルである表示パネルについて説明したが、液晶表示装置に使用される液晶パネルに限定されず、有機または無機のＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel；ＰＤＰ）、真空蛍光ディスプレイ（Vacuum Fluorescent Display）、電子ペーパなどの各種表示装置に使用される表示パネルにも同様に適用することができ、また表示装置以外に使用される各種表示パネルにも同様に適用することができる。さらに表示パネル以外の各種デバイス基板（各種電子部品を搭載したプリント配線基板など）にも同様に適用することができる。

　本発明は、例えば液晶表示パネルなどのデバイス基板に適用されるものであって、接着材を用いて実装されたＬＳＩチップなどの電子部品の端子と圧接される端子を含むデバイス基板に適している。

　１０…液晶パネル
　２０、２５…ガラス基板
　２０ａ…張出部
　２３　…表示用配線
　２４、２４０～２４６…端子部
　３０…表示部
　４０…ＬＳＩチップ
　４０ａ、４０１、４０２、４０５…バンプ電極
　５０…ＦＰＣ基板
　６０…絶縁層
　７３…ＦＰＣ用配線
　７４…ＦＰＣ基板の配線層
　８１、８２…ＮＣＦ（非導電膜）
　２５０～２５２…高抵抗膜
　４０８…パッシベーション層

Claims

　電子部品が非導電性の接着材によって基板上に実装されたデバイス基板であって、
　絶縁性の基板と、
　前記電子部品と接続されるべき複数の端子部が形成されており、当該複数の端子部全てと前記基板との間に連続的に形成される、所定の弾性力を有する絶縁層と、
　前記絶縁層と前記電子部品との間を含む所定領域に設けられる接着材と
を備え、
　前記絶縁層の外周部分は、前記接着材が設けられる前記領域外にあることを特徴とする、デバイス基板。
　前記基板には、前記複数の端子部に接続される複数の配線が形成されており、
　前記絶縁層には、前記複数の端子部と前記複数の配線とをそれぞれ接続するための複数のコンタクトホールが形成されていることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス基板。
　前記複数のコンタクトホールは、前記接着材が設けられる前記領域内に形成されることを特徴とする、請求項２に記載のデバイス基板。
　前記複数のコンタクトホールそれぞれは、前記電子部品の実装により生じるべき前記複数の端子部の前記基板面に対する垂直方向の撓みにより、対応する端子部と対応する配線との接続不良が生じない距離に離された位置に形成されることを特徴とする、請求項２に記載のデバイス基板。
　前記複数の端子部は、前記電子部品の実装により生じるべき、前記複数の端子部の前記基板面に対する垂直方向の撓みによる破壊が生じない靱性を有する素材からなることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス基板。
　前記複数の端子部は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む素材からなることを特徴とする、請求項５に記載のデバイス基板。
　前記複数の端子部それぞれは、接続されるべき前記電子部品に設けられる複数の電極それぞれよりも、当該複数の電極の配列方向における長さが小さく、前記配列方向に対して垂直な方向の長さが大きいことを特徴とする、請求項１に記載のデバイス基板。
　前記複数の端子部それぞれの前記配列方向における長さは、前記複数の電極それぞれの前記配列方向における長さの半分よりも小さいことを特徴とする、請求項７に記載のデバイス基板。
　前記接着材は、非導電フィルムまたは非導電ペーストであることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス基板。
　前記接着材は、導電性粒子を含み、
　前記導電性粒子は、前記電子部品を実装する際に加えられる圧力により、前記複数の端子部に形成されうる高抵抗膜を突き破ることができる硬さを有することを特徴とする、請求項１に記載のデバイス基板。
　前記導電性粒子は、前記硬さを有する単一の素材からなることを特徴とする、請求項１０に記載のデバイス基板。
　前記導電性粒子は、１ミクロン以下の粒径を有することを特徴とする、請求項１０に記載のデバイス基板。
　前記絶縁層は、前記複数の端子部のうちの１つまたは隣接する２つ以上を含む領域毎に、前記基板面に対して垂直方向に凸となる部分を含むことを特徴とする、請求項１に記載のデバイス基板。
　前記絶縁層は、前記端子部毎に、前記基板面に対して垂直方向に凸となるよう形成されることを特徴とする、請求項１３に記載のデバイス基板。
　前記絶縁層は、前記複数の端子部に接するべき面上に、前記基板面に対して垂直方向に凸となる複数の突起部が形成されていることを特徴とする、請求項１３に記載のデバイス基板。
　前記電子部品は、前記複数の端子部に接続されるべき複数の電極を含み、
　前記絶縁層は、前記電子部品を実装する際に前記複数の電極のエッジ部分と接するべき前記複数の端子部の部分に応力集中が生じるよう、低反発弾性を有する素材により構成されることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス基板。
　前記電子部品は、前記複数の端子部に接続されるべき複数の電極を含み、
　前記複数の電極のうちの複数からなる各群の電極のうち、少なくとも１つの群を構成する複数の電極は、対応する１つの端子部が延びる方向に沿って当該端子部にそれぞれ接続されることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス基板。
　前記電子部品は、前記複数の端子部に接続されるべき複数の電極を含み、
　前記複数の端子に接する前記複数の電極の面には、前記複数の端子部に形成されうる高抵抗膜を突き破ることができるよう、それぞれ所定の凹部または凸部が形成されることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス基板。
　前記電子部品は、集積回路モジュールであって、前記複数の電極である複数のバンプ電極を含み、
　前記複数のバンプ電極における前記面に、前記複数の端子部に形成されうる高抵抗膜を突き破ることができる高さを有する凸部が形成されるよう、前記面と対向する面に形成されるパッシベーション層の厚さを前記高さと略同一にすることを特徴とする、請求項１８に記載のデバイス基板。
　前記電子部品は、前記複数の端子部に接続されるべき複数の電極を含み、
　前記複数の端子部それぞれは、前記電子部品を実装する際に接続されるべき前記複数の電極の１つにおけるエッジ部分と接するべき部分のうち少なくとも１つの部分近傍で、当該部分が延びる方向に平行な長さが小さくなる部分を含むことを特徴とする、請求項１に記載のデバイス基板。
　前記複数の端子部それぞれは、前記長さが小さくなる部分にスリットが形成されることを特徴とする、請求項２０に記載のデバイス基板。
　前記基板には、前記複数の端子部に接続される複数の配線が形成されており、
　前記複数の端子部それぞれは、前記エッジ部分と接するべき部分のうち、前記複数の配線のうちの対応する１つに最も近い部分以外の少なくとも１つの部分近傍で、前記長さが小さくなる部分を含むことを特徴とする、請求項２０に記載のデバイス基板。
　前記複数の端子部それぞれは、前記エッジ部分と接するべき部分のうち当該端子部の終端に最も近い部分近傍で、前記長さが小さくなる部分を含むことを特徴とする、請求項２２に記載のデバイス基板。
　前記基板は、画像を表示する表示部を含み、
　前記電子部品は、外部から与えられる信号に基づいて前記表示部を駆動する駆動素子を含む、請求項１に記載のデバイス基板。
　前記表示部は、
　　外部から入射する光を反射する光反射部と、
　　外部から入射する光および前記反射部により反射される光の透過率を制御される液晶層とを含み、
　前記光反射部は、前記端子部と同一の素材により形成されることを特徴とする、請求項２４に記載のデバイス基板。
　前記電子部品は、集積回路チップとフレキシブル基板とを含み、
　前記接着材は、前記絶縁層と前記集積回路チップとの間、および前記絶縁層と前記フレキシブル基板との間で同一種類が設けられることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス基板。
　電子部品が非導電性の接着材によって基板上に実装されたデバイス基板の製造方法であって、
　絶縁性の基板上に、所定の弾性力を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
　前記絶縁層上に、前記電子部品と接続されるべき複数の端子部を形成する端子部形成工程と、
　前記絶縁層と前記電子部品との間を含む所定領域に接着材を設ける接着準備工程と、
　所定の圧着手段で前記電子部品を前記基板に圧着することにより、前記電子部品を実装する実装工程と
を備え、
　前記絶縁層形成工程では、前記複数の端子部全てと前記基板との間に連続的に前記絶縁層を形成するとともに、前記絶縁層の外周部分を前記接着材が設けられる前記領域外に形成することを特徴とする、デバイス基板の製造方法。
　前記基板上に、前記複数の端子部とそれぞれ接続されるべき複数の配線となる導体パターンを形成するパターン形成工程と、
　前記絶縁層に、前記複数の端子部と前記複数の配線とを接続するためのコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と
をさらに備えることを特徴とする、請求項２７に記載のデバイス基板の製造方法。
　前記基板上に、画像を表示する表示部を形成する表示部形成工程をさらに備え、
　前記端子部形成工程では、前記表示部において外部から入射する光を反射する光反射部を形成しようとする場合に使用されるべき膜形成方法と同一の方法で、前記光反射部に使用されるべき素材と同一の素材を使用することにより前記端子部を形成することを特徴とする、請求項２７に記載のデバイス基板の製造方法。