JP4799952B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は液晶表示装置に関し、特に詳しくは、基板上にコモン信号用配線が設けられた液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、通常、それぞれに透明電極が形成された上下一対の電極基板を、基板の画像表示部外縁に形成されたシール材により貼り合わせ、その内部に液晶を封入するよう構成されている。また、液晶表示装置には、アクティブマトリクス型とパッシブマトリクス型のものがある。アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、スイッチング素子である薄膜トランジスタがマトリクス状に形成されたＴＦＴアレイ基板を有している（例えば、特許文献１参照）。そして、ＴＦＴアレイ基板と対向基板がシール材を介して貼り合わされている。そして、ＴＦＴアレイ基板と対向基板との間には液晶が封入されている。

図１３は、特許文献１の液晶表示装置を構成するＴＦＴアレイ基板の画像表示部周辺部の角部を示す平面図である。図において、１はＴＦＴアレイを有する配線基板、２は表示領域、３は走査信号用配線、５は表示信号用配線、７はコモン信号用配線、８はシール材をそれぞれ示す。

液晶表示装置では、表示領域２の外縁にシール材８が形成されている。シール材８のパターンは走査信号用配線３との重なり領域と表示信号用配線５との重なり領域とを持っている。さらに、シール材８は、表示領域２の角部に、コモン信号用配線７との重なり領域を持つよう配置されている。仮にコモン信号用配線７がない場合、シール材８が形成される領域の下地高さが走査信号用配線３あるいは表示信号用配線５がある領域とない領域で配線高さ分の段差が急に生じることになる。よって、その段差に起因するパネルギャップの変動が画素表示部の角部で発生し、表示ムラの原因となる。しかし、特許文献１では、ＴＦＴアレイが設けられた配線基板１の角部近傍にコモン信号用配線７を走査信号用配線３もしくは表示信号用配線５のいずれかと同一工程で形成している。これにより、アレイ基板上のシール材８下の下地高さの変動が均一もしくは軽減される。よって、パネルギャップ変動による表示ムラの発生を抑制することが可能となる。

一方、パッシブマトリクス型の液晶表示装置では、液晶に電圧を印加するセグメント電極が形成された透明基板とコモン電極が形成された対向基板とをシール材を介して貼り合わせている（例えば、特許文献２参照）。基板と対向基板との間には液晶が封入されている。そして、セグメント電極とコモン電極との交差点が画素となる。

図１４に、特許文献２に示されている液晶表示装置の構成を示す。図１４は、液晶表示装置の構成を示す断面図である。図１４において、１０１は液晶に電圧を印加するためのセグメント電極（図示せず）が形成される透明基板、７ａ、７ｂは透明基板１０１上に設けられたコモン信号用配線、８は透明基板上に形成されたシール材、１９はコモン信号が印加されるコモン電極、１０２はコモン電極１９が形成される透明基板、１８は導電材、１２は上記２枚の基板と上記シール材よりなる空間に封入された液晶である。

透明基板１０１上に設けられた駆動用回路（図示せず）あるいはフレキシブル基板（図示せず）はコモン信号用配線７にコモン信号を供給する。コモン信号用配線７に供給されたコモン信号は導電材１８を介して対向基板１０２上のコモン電極１９に印加される。この構成ではシール材８の下のコモン信号用配線を２層としているため、配線の低抵抗化を実現することができる。さらに、シール材８の下にコモン信号用配線７をおさめるように配置することでパネル外側からの水分の侵入をシール材８で防御し、コモン信号用配線７の耐食性を向上することができる。
特開平１１−１４９０８７ 特開２００３−１８６０４１（第９図）

しかしながら、従来の液晶表示装置には、以下の問題点があった。図１３に示す液晶表示装置ではシール材８のパターン下にコモン信号用配線７を形成している。よって、シール材８とコモン信号用配線が重なる領域と、シール材８と走査信号用配線３又は表示信号用配線５とが重なる領域とで、下地高さにできる限り差が生じないようにする必要がある。これにより、局所的に生じる急激なパネルギャップの変動をおさえることができる。一般的に走査信号用配線と表示信号用配線の膜厚が大きく異なることは少ない。そのため、特許文献１の液晶表示装置では、コモン信号用配線は走査信号用配線もしくは信号用配線を構成する材料のいずれか一方を用いて形成し、シール材８のパターン下の下地高さの均一化を図っている。すなわち、コモン信号用配線７の膜厚を厚くしてしまうと、局所的に急激なパネルギャップの変動が生じてしまう。よって、この構成では、コモン信号用配線を走査信号用配線もしくは信号用配線を構成する材料のいずれか一方のみで形成する必要がある。

また、コモン信号用配線のパターン幅を広くして、配線抵抗を低減する方法もある。しかしながら、配線パターンの幅を広くしてしまうと、シール材８が形成される周辺領域の幅が広がってしまう。これにより、額縁領域が大きくなり、パネル外形を狭くしたコンパクトな液晶表示装置の実現を妨げてしまうという問題点があった。

また、図１４に示す液晶表示装置ではシール材８のパターン下に配置されたコモン信号用配線７を２層としているため、配線の低抵抗化を実現することが可能となる。しかしながら、コモン信号用配線を２層で形成した場合、表示信号用配線あるいは走査信号用配線がシール材８と重なる領域とコモン信号用配線とシール材とが重なる領域との間で下地高さが急に変動する箇所が発生してしまうおそれがある。この場合、その箇所での急激なパネルギャップ変動によるムラが発生してしまう。従って、特許文献２の構成では、急激なパネルギャップ変動を避けるため、２層配線が形成できる領域が限定されてしまう。よって、高速駆動対応で必要となる低抵抗化の妨げとなる場合があった。

このように、従来の液晶表示装置では、急激なパネルギャップ変動に起因する表示ムラが発生するため、コモン信号用配線の低抵抗化を図ることできなかった。すなわち、コモン信号用配線を２層構造とすると、パネルギャップが急激に変動してしまう。そのため、表示ムラが発生し、表示品質を向上することができないという問題点があった。

上述のように従来の表示装置では、コモン信号用配線の抵抗を下げると、急激なパネルギャップ変動に起因する表示ムラが発生するため、表示品質を向上することできないという問題点があった。
本発明はこのような問題点を鑑みてなされたものであり、表示品質の高い液晶表示装置を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様にかかる液晶表示装置は、配線基板と、前記配線基板に対向配置された対向基板と、前記配線基板及び前記対向基板を貼り合わせるシール材と、で囲まれた空間に封入された液晶を備えた液晶表示装置であって、前記配線基板上には、前記シール材の内側に配置された表示領域に形成された複数の走査信号用配線と、前記表示領域に形成され、前記走査信号用配線と絶縁膜を介して交差する複数の表示信号用配線と、前記表示領域の外側に配置されたコモン信号用配線と、が形成され、前記コモン信号用配線が、少なくとも２層の導電層を含み、前記シール材のパターン下において少なくとも１層の前記導電層のパターン幅が変化しているものである。これにより、パネルギャップを急激に変動させることなく、コモン信号用配線の抵抗を低減することができるため、表示品質を向上することができる。

本発明の第２の態様にかかる液晶表示装置は、上記の液晶表示装置において、前記シール材のパターン下の前記コモン信号用配線が前記シール材の一辺の方向に延設され、前記コモン信号用配線が延設されている方向において、前記導電層のパターン幅が変化しているものである。これにより、コモン信号の遅延を低減することができる。

本発明の第３の態様にかかる液晶表示装置は、上記の液晶表示装置において、前記コモン信号用配線が延設されている方向において、前記配線基板の前記表示信号用配線又は前記走査信号用配線に信号を供給する側の端部から離れるにしたがって、前記導電層のパターン幅が広くなっているものである。これにより、コモン信号配線の実効的なパターン幅を広くすることができ、抵抗を低減することができる。

本発明の第４の態様にかかる液晶表示装置は、上記の液晶表示装置において、複数の前記走査信号用配線又は表示信号用配線に信号を供給するための引き回し配線が前記表示領域の外側に設けられ、前記引き回し配線が前記走査信号用配線又は表示信号用配線に接続されるにしたがって、前記コモン信号用配線のパターン幅が段階的に広くなるものである。これにより、コモン信号配線の実効的なパターン幅を広くすることができ、抵抗を低減することができる。

本発明の第５の態様にかかる液晶表示装置は、上記の液晶表示装置において、前記コモン信号用配線が延設された前記シール材の一辺において、前記コモン信号用配線が前記シール材のパターンの外縁よりも表示領域側に形成されているものである。これにより、コモン信号配線の実効的なパターン幅を広くすることができ、抵抗を低減することができる。

本発明の第６の態様にかかる液晶表示装置は、上記の液晶表示装置において、前記コモン信号用配線に含まれる導電層のうち、最上層の導電層以外の導電層が、前記コモン信号用配線が延設された前記シール材の一辺において、前記シール材のパターンの外縁の外側まで延設され、前記シール材のパターンの外縁の外側まで延設された導電層が２層以上の絶縁膜により覆われているものである。これにより、コモン信号用配線の腐食を防ぐことができる。

本発明の第７の態様にかかる液晶表示装置は、上記の液晶表示装置において、前記表示信号用配線又は前記走査信号用配線に信号を供給するための引き回し配線が前記表示領域の外側に複数設けられ、前記複数の引き回し配線の間に、前記引き回し配線と異なる導電層で形成されたコモン信号用補助配線が形成され、前記複数のコモン信号用補助配線と接続されたコモン信号用接続配線が形成されているものである。これにより、さらなる低抵抗化を図ることができる。

本発明の第８の態様にかかる液晶表示装置は、配線基板と、前記配線基板に対向配置された対向基板と、前記配線基板及び前記対向基板を貼り合わせるシール材と、で囲まれた空間に封入された液晶を備えた液晶表示装置であって、前記配線基板上には、前記シール材の内側に配置された表示領域に形成された複数の走査信号用配線と、前記表示領域に形成され、前記走査信号用配線と絶縁膜を介して交差する複数の表示信号用配線と、前記表示領域の外側に配置されたコモン信号用配線であって、前記シール材のパターン下において、前記シール材の一辺の方向に延設されたコモン信号用配線と、が形成され、前記コモン信号用配線が、少なくとも２層の導電層を含み、前記コモン信号用配線含まれる複数の導電層のうち、最上層の導電層以外の導電層が、前記コモン信号用配線が延設された前記シール材の一辺において、前記シール材のパターンの外縁の外側まで延在され、前記シール材のパターンの外縁の外側に延在している導電層が２層以上の絶縁膜により覆われているものである。これにより、コモン信号用配線の抵抗を低減することができるため、表示品質を向上することができる。

本発明の第９の態様にかかる液晶表示装置は、上記の液晶表示装置において、前記コモン信号用配線が、前記表示信号用配線を構成する導電層と前記走査信号用配線を構成する導電層とを含んでいることを特徴とするものである。これにより、コモン信号用配線の抵抗を低減することができるため、表示品質を向上することができる。

本発明の第１０の態様にかかる液晶表示装置は、上記の液晶表示装置において、前記配線基板上に、前記表示信号用配線とスイッチング素子を介して接続された画素電極と、前記表示信号用配線及び前記走査信号用配線の上であって、前記画素電極の下に形成された有機絶縁膜と、が形成され、前記コモン信号用配線が、前記画素電極を構成する導電層を含んでいることを特徴とするものである。これにより、コモン信号用配線の抵抗を低減することができるため、表示品質を向上することができる。

本発明によれば、表示品質の高い液晶表示装置を得ることができる。

以下に、本発明を適用可能な実施の形態が説明される。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能であろう。尚、各図において同一の符号を付されたものは同様の要素を示しており、適宜、説明が省略される。
発明の実施の形態１．

本実施の形態にかかる液晶表示装置について図１乃至図３を用いて説明する。図１は、本実施の形態にかかる液晶表示装置に用いられる配線基板の端部の構成を示す平面図である。なお、図１では、配線基板に設けられたシール材の右下の角近傍の構成を示している。図２は図１のＡ−Ａ´線における液晶表示パネルの構成を示す断面図である。図３は図１のＢ−Ｂ´線における液晶表示パネルの構成を示す断面図である。図において、１は配線基板、２は表示領域、３は走査信号用配線、４は走査信号用配線に接続する走査信号用引き回し配線、５は表示信号用配線、６は表示信号用配線に接続する表示信号用引き回し配線、７はコモン信号用配線、８はシール材、９は対向電極、１０はゲート絶縁膜、１１は層間絶縁膜、１２は液晶、２０は対向基板、２１は駆動ＩＣ、２２は額縁領域である。

本実施の形態では、アクティブマトリクス型液晶表示装置を例に挙げて説明する。すなわち、本実施の形態にかかる液晶表示装置の配線基板１は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アレイ基板である。例えば、矩形状の配線基板１上に、複数の走査信号用配線３が平行に形成されている。図１中、複数の走査信号用配線３は一定の間隔で、横方向に沿って、配置される。ゲート絶縁膜１０を介して走査信号用配線３と交差するように複数の表示信号用配線５が形成されている。すなわち、走査信号用配線３の覆うように設けられたゲート絶縁膜１０上に、表示信号用配線５が走査信号用配線３と直交する方向に沿って設けられている。図１中、複数の表示信号用配線５は一定の間隔で、縦方向に沿って形成される。配線基板１には、例えば、ガラス基板などの透明な絶縁性基板を用いることができる。走査信号用配線３と表示信号用配線５とは、同程度の膜厚で形成される。ゲート絶縁膜１０は、例えば酸化シリコン膜や窒化シリコン膜により形成することができる。

走査信号用配線３と表示信号用配線５との交差点近傍には、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（図示せず）が形成される。ＴＦＴは、表示信号用配線５と同じ層で形成されたドレイン電極及びソース電極を備えている。ソース電極とドレイン電極とは、半導体層を介して接続されている。このＴＦＴを介して、表示信号用配線５と画素電極とが接続される。したがって、ＴＦＴをオン状態にすることによって、表示信号用配線５から画素電極に表示電圧が印加される。画素電極と表示信号用配線５との間には、層間絶縁膜１１が形成されている。そして、層間絶縁膜１１に設けられたコンタクトホールを介して、ＴＦＴのドレイン電極と、画素電極とが接続される。画素電極はアレイ状に配設される。画素電極が設けられている各々の箇所が画素となる。アレイ状に配列された複数の画素が配列されている領域が表示領域２となる。表示領域２は矩形状に形成されている。そして、この表示領域２の外側が額縁領域２２となる。すなわち、図１の点線よりも内側（左上側）の領域が表示領域２となり、点線よりも外側（右下側）の領域が額縁領域２２となる。なお、層間絶縁膜１１は、例えば酸化シリコン膜や窒化シリコン膜、あるいは有機絶縁膜により形成することができる。

額縁領域２２は、表示領域２を囲むように配置される。すなわち、額縁領域２２は、略ロの字型に形成されている。配線基板１の額縁領域２２には、駆動ＩＣ２１が実装されている。駆動ＩＣ２１は、配線基板１の下辺近傍の端部に配設されている。駆動ＩＣ２１は、走査信号用のドライバＩＣと表示信号用のドライバＩＣとを兼用している。すなわち、駆動ＩＣ２１から、走査信号と、表示信号とが出力される。従って、駆動ＩＣ２１には、走査信号用配線３と接続される走査信号用引き回し配線４と、表示信号用配線５と接続される表示信号用引き回し配線６が接続されている。

額縁領域２２には、複数の表示信号用引き回し配線６が形成されている。複数の表示信号用引き回し配線６は、隣の配線と導通しないように、所定の間隔を隔てて設けられている。表示信号用引き回し配線６は、駆動ＩＣ２１から表示領域２の下辺まで設けられている。そして、表示信号用引き回し配線６は、表示領域２の下辺で、表示信号用配線５と接続されている。そして、駆動ＩＣ２１からの表示信号は表示信号用引き回し配線６を介して、表示信号用配線５に入力される。表示信号用引き回し配線６と表示信号用配線５とは、同一の導電層で形成されている。すなわち、表示信号用引き回し配線６と表示信号用配線５とは一体的にパターニングされている。なお、図１において、駆動ＩＣ２１の近傍の各配線については省略して図示している。

走査信号用引き回し配線４は、表示領域２の右下の角の外側を通って、駆動ＩＣ２１から表示領域２の右辺まで設けられている。そして、表示領域２内に設けられた複数の走査信号用配線３と複数の走査信号用引き回し配線４とがそれぞれ接続されている。すなわち、駆動ＩＣ２１からの走査信号は走査信号用引き回し配線４を介して、走査信号用配線３に入力される。複数の走査信号用引き回し配線４は、隣の配線と導通しないように、所定の間隔を隔てて設けられている。走査信号用配線３と走査信号用引き回し配線４とは、例えば、同一の導電層で形成されている。すなわち、走査信号用引き回し配線４と走査信号用配線３とは一体的にパターニングされている。額縁領域２２上に設けられた複数の走査信号用引き回し配線４は、表示領域２の下辺側の走査信号用配線３から順番に接続されている。換言すると、表示領域２の最も下辺側に配置された走査信号用配線３と、最も表示領域側、すなわち、最も左側に配置された走査信号用引き回し配線４とが、接続される。そして、額縁領域２２の上部側に行くにしたがい、走査信号用引き回し配線４の本数が少なくなる。従って、配線基板１の上部側に行くほど、額縁領域２２中における走査信号用引き回し配線４が占める領域の割合が小さくなる。よって、配線基板１の右辺側の額縁領域２２では、上部側の箇所ほど走査信号用引き回し配線４が形成されていない領域が広くなる。

走査信号用引き回し配線４の外側には、コモン信号用配線７が形成されている。コモン信号用配線７は額縁領域２２に形成されている。換言すると、走査信号用引き回し配線４は、コモン信号用配線７と表示領域２の間に配設される。コモン信号用配線７は、図２及び図３に示すようにコモン信号用配線７ａとコモン信号用配線７ｂとの２層により構成される。コモン信号用配線７ａは、走査信号用引き回し配線４と同じ導電層により形成され、コモン信号用配線７ｂは、表示信号用引き回し配線６と同じ導電層により形成される。よって、コモン信号用配線７ａは、走査信号用配線３及び走査信号用引き回し配線４と同じ材料、かつ同じ膜厚で形成されている。また、コモン信号用配線７ｂは、表示信号用配線５及び表示信号用引き回し配線６と同じ材料、かつ同じ膜厚で形成されている。コモン信号用配線７には、駆動ＩＣ２１のからのコモン信号が供給される。

さらに、コモン信号用配線７ａとコモン信号用配線７ｂとの間には、ゲート絶縁膜１０が形成されている。すなわち、コモン信号用配線７ｂは、コモン信号用配線７ａを覆うように設けられたゲート絶縁膜１０の上に形成される。配線基板１の端部において、ゲート絶縁膜１０にコモン信号用配線７ａとコモン信号用配線７ｂとを接続するためのコンタクトホール（図示せず）が形成される。このコンタクトホールを介して、コモン信号用配線７ａとコモン信号用配線７ｂとが接続される。コンタクトホールは、信号の入力側、すなわち、駆動ＩＣ２１の近傍に形成される。このように、コモン信号用配線７はゲート絶縁膜１０を隔てて配置されたコモン信号用配線７ａとコモン信号用配線７ｂとの２層構造から構成されている。よって、コモン信号用配線７の低抵抗化を図ることができる。コモン信号用配線７ａを走査信号用配線と同一の導電層で形成し、コモン信号用配線７ｂを表示信号用配線５と同一の導電層で形成することが好ましい。これにより、コモン信号用配線７のトータルの膜厚を大きくすることができ、コモン信号用配線７の配線抵抗を低減することができる。また、コモン信号用配線７ｂの上には層間絶縁膜１１が形成されている。

コモン信号用配線７は、そのパターン幅が途中で変わるように形成されている。具体的には、図１に示すように、駆動ＩＣ２１から離れるにつれて、パターン幅が広くなるように形成されている。従って、図１のＡ−Ａ´線とＢ−Ｂ´線では、図２及び図３に示すように、コモン信号用配線７のパターン幅が異なっている。すなわち、配線基板１の右辺側の額縁領域２２では、上辺側ほど走査信号用引き回し配線４が形成されていない領域が広くなる。そのため、配線基板１の上辺に近くなるほどコモン信号用配線７のパターン幅を広くすることができる。すなわち、配線基板１の上辺側では、コモン信号用配線７と走査信号用引き回し配線４とを接触させることなく、コモン信号用配線７のパターン幅を広くすることができる。額縁領域２２において、コモン信号用配線７は駆動ＩＣ２１が設けられている側の端部近傍では、そのパターン幅が狭く、駆動ＩＣ２１が設けられている側と反対側の端部では、そのパターン幅が広くなる。このように、配線基板１の信号を供給する側の端部から離れていくにしたがって、コモン信号用配線７のパターン幅が広がるよう形成されている。

本実施の形態では、走査信号用引き回し配線４が走査信号用配線３と接続される毎に、コモン信号用配線７のパターン幅が段階的に広くなっていく。すなわち、走査信号用配線３と走査信号用引き回し配線４とが接続されると、額縁領域２２上における走査信号用引き回し配線４の占める領域が小さくなる。したがって、走査信号用引き回し配線４の配線ピッチだけ、コモン信号用配線７のパターン幅を広くすることができる。このように、コモン信号用配線７のパターン幅を変えていくことによって、コモン信号用配線７のさらなる低抵抗化を図ることができる。よって、コモン信号の遅延を低減することができ、表示品質を向上することができる。従って、表示品質を劣化することなく、高速駆動を行なうことができる。このように、本発明では、コモン信号用配線７を２層構造とした効果に加えて、及びコモン信号用配線７のパターン幅を広くした効果を得ることができ、コモン信号用配線７のさらなる低抵抗化を図ることができる。

額縁領域２２には、配線基板１と対向基板２０とを貼り合わせるためのシール材８が塗布されている。通常、シール材８を対向基板２０の額縁領域２２上に塗布した後、対向基板２０と配線基板１とを貼り合わせる。シール材８は層間絶縁膜１１の上に配置される。よって、額縁領域２２に形成されたシール材８は、コモン信号用配線７の上側に位置する。すなわち、図２に示すように、コモン信号用配線７上には、層間絶縁膜１１を介して、シール材８が形成されている。シール材８は、表示領域２を囲むように枠状に形成されている。シール材８のパターン下には、コモン信号用配線７及び走査信号用引き回し配線４の一部が配置される。ここでは、コモン信号用配線７は、シール材８の右辺と重なるように設けられている。さらに、コモン信号用配線７は枠状に設けられたシール材８の右辺に沿って配置されている。よって、シール材８のパターン下のコモン信号用配線７は、シール材８の右辺が設けられている方向に延びるように形成されている。すなわち、コモン信号用配線７は、図１中の縦方向に延設されている。従って、シール材８の右下の角近傍及び右辺が、シール材８とコモン信号用配線７とが重なる重なり領域となる。

ここで、コモン信号用配線７はコモン信号用配線７ａ及びコモン信号用配線７ｂの積層構造から形成されている。そのため、コモン信号用配線７が形成されている領域は、走査信号用引き回し配線４が形成されている領域よりも下地高さが高くなる。すなわち、コモン信号用配線７が形成されている領域では、２層の導電層及び２層の絶縁層が形成されており、走査信号用引き回し配線４が形成されている領域では、１層の導電層及び２層の絶縁層が形成されている。従って、コモン信号用配線７が形成されている領域は、コモン信号用配線７ｂの膜厚だけ、シール材８のパターン下の下地高さが高くなる。

シール材８のパターンが形成される領域において、走査信号用引き回し配線４が占める領域の面積とコモン信号用配線７が占める領域の面積が段階的に変化する。具体的には、額縁領域２２の下辺側では、走査信号用引き回し配線４が占める領域の幅が広く、コモン信号用配線７が占める幅が狭くなる。一方、額縁領域２２の上辺側では、走査信号用引き回し配線４が占める領域の幅が狭く、コモン信号用配線７が占める幅が広くなる。ここで、シール材８のパターンが形成される領域における走査信号用引き回し配線４が占める領域の幅とは、シール材８のパターンが形成される領域において、最も表示領域側に配置された走査信号用引き回し配線４と、最も外側に配置された走査信号用引き回し配線４までの距離とする。走査信号用引き回し配線４が占める領域の幅とコモン信号用配線７が占める幅との和を略一定とすることができる。これにより、シール材８のパターン下において、下地高さが徐々に変化していく。すなわち、コモン信号用配線７が占める領域は、走査信号用引き回し配線４が占める領域よりも、コモン信号用配線７ｂの膜厚だけ、下地高さが高くなっている。本実施の形態では、走査信号用引き回し配線４が占める領域の幅が狭くなるにつれて、コモン信号用配線７が占める領域の幅を段階的に広くしている。そのため、駆動ＩＣ２１から離れるほど、下地高さが高くなっている領域が、徐々に広くなる。駆動ＩＣ２１が設けられている側と反対側の端部では、略全ての走査信号用引き回し配線４が走査信号用配線３と接続されているため、シール材８のパターン下の領域の略全体が下地高さの高い領域となる。

上記のようなパターン形状とすることで、シール材８直下の下地高さを徐々に変化させることができる。すなわち、シール材８のパターン下において、コモン信号用配線７が占める領域と、走査信号用引き回し配線４が占める領域との境界線が、駆動ＩＣ２１から離れるにつれて、表示領域２と徐々に近づくようコモン信号用配線７のパターン幅が変化している。また、導電層が一層の領域と、導電層が２層の領域との境界線を長くすることができる。これにより、シール材８下のギャップ厚の変化による生じる輝度変化を実用上視認されないレベルに軽減することが可能となる。

また、コモン信号用配線７はほとんどの領域をシール材８のパターン下部に形成することでパネル外部からの水分等の侵入が抑制される。すなわち、シール材８の外縁よりも表示領域側にコモン用信号配線７が配置されるよう、コモン信号用配線７のパターン幅を決定する。これにより、シール材８のパターンの外縁よりも内側にコモン信号用配線７が配置される。耐食性にすぐれた液晶表示装置を提供することが可能となる。よって、液晶表示装置の表示品質の劣化を防ぐことができ、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。さらに、上述の構成により、額縁領域２２が広くなるのを防ぐことができるため、液晶表示装置の狭額縁化を図ることができる。

また、コモン信号用配線７ａとコモン信号用配線７ｂとは、例えば、配線基板１の角部近傍において、接続される。すなわち、配線基板１の角部近傍において、ゲート絶縁膜１０にコモン信号用配線７ａとコモン信号用配線７ｂとを接続するためのコンタクトホールが形成される。さらに、層間絶縁膜１１の一部を除去して、コモン信号用配線７ｂを露出させる。コモン信号用配線７ｂの露出した領域には、例えば、トランスファ電極が形成される。このトランスファ電極によって、コモン信号用配線７と対向基板２０に設けられた対向電極９とが導通する。トランスファ電極は、例えば、シール材８のパターン下以外に形成することができる。駆動ＩＣ２１が設けられている端部と反対側の端部まで、コモン信号用配線７を延設して、そこにトランスファ電極を設けることも可能である。

対向基板２０としては、ガラス基板などの透明な絶縁性基板が用いられる。カラー液晶表示装置では、対向基板２０に、図示しないカラーフィルタやブラックマトリクス（ＢＭ）がマトリクス状に形成される。さらに、カラーフィルタ及びＢＭの上には、画素電極と対向する対向電極９が対向基板２０の略全面に設けられている。この対向電極９は、上記のトランスファ電極に接続される。

このような対向基板２０と配線基板１との間には、液晶１２が挟持される。すなわち、配線基板１と対向基板２０とシール材８とで囲まれた空間に液晶１２が封入されている。これにより、液晶表示パネルが構成される。また、配線基板１と対向基板２０との間隔を一定に保つスペーサ（図示せず）を配設してもよい。この液晶表示パネルの背面側には、バックライトユニットが配設される。バックライトユニットは、面全体に均一な光を出射する面状光源装置である。バックライトユニットは、ＬＥＤや蛍光管などの光源と、光源からの光を面全体に導く導光板と、拡散シートやプリズムシートなどの光学シートを備えている。さらに、外部の制御回路と配線基板１とが、例えば、フレキシブル配線基板を介して接続される。外部の制御回路からの、電源電圧、制御信号及び画像データに基づいて、駆動ＩＣ２１が表示信号、走査信号及びコモン信号を出力する。そして、対向電極９と、画素電極との間に、印加される電圧によって液晶が駆動する。これにより、液晶表示パネルの透過光量が制御される。なお、配線基板１又は対向基板２０には配向膜と設けてもよい。また、液晶表示パネルには、偏光フィルム等を貼り付けてもよい。

なお、上記の説明では、コモン信号用配線７のパターン幅が段階的に変化されている例について示したが、これに限るものではない。例えば、コモン信号用配線７のパターン幅を一定の角度で変化させてもよい。すなわち、コモン信号用配線７を斜めにパターニングしてもよい。また、コモン信号用配線７が走査信号用引き回し配線４と隣接して配置されている例について示したが、これに限るものではない。例えば、表示信号用引き回し配線６と隣接してコモン信号用配線７を配置してもよい。この場合、表示信号用引き回し配線６と表示信号用配線５との接続に応じて、表示信号用引き回し配線６のパターン幅を変更する。このように、コモン信号用配線７の配置は、駆動ＩＣ２１が設けられている箇所や、引き回し配線の構成等によって適宜変更可能である。また、コモン信号用配線７は、配線基板１上のパターン構成に応じて、３層以上の導電層で形成してもよい。

また上記の説明では、配線基板１上に駆動ＩＣ２１を接続した例について示したが、これに限るものではない。例えば、駆動ＩＣを配線基板１の外部に設け、フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）を配線基板１に接続してもよい。この場合、配線基板１の外部に設けられた駆動ＩＣ２１からＦＰＣを介して信号が供給される。このような構成でも、上記の効果と同様の効果を得ることができる。
発明の実施の形態２．

本実施の形態にかかる液晶表示装置の構成について図４〜図６を用いて説明する。図４は、本実施の形態にかかる液晶表示装置に用いられる配線基板の端部の構成を示す平面図である。なお、図４では、配線基板に設けられたシール材の右下の角近傍の構成を示している。図５は図４のＣ−Ｃ´線における液晶表示パネルの構成を示す断面図である。図６は図４のＤ−Ｄ´線における液晶表示パネルの構成を示す断面図である。なお、本実施の形態にかかる配線基板の基本的構成は、実施の形態１と同様であるため、詳細な説明を省略する。さらに、実施の形態１と同様の内容についても説明を省略する。

本実施の形態では、走査信号用引き回し配線４がシール材８のパターンよりも内側に形成されている。また、コモン用信号配線７が複数の走査用引き回し配線４の外側に形成されている。さらに、右辺側の額縁領域２２のシール材８下において、２層構造のコモン信号用配線７のうち、コモン信号用配線７ｂのパターン幅のみを変化させている。すなわち、右辺側のシール材８下において、２層構造のコモン信号用配線７のうち、コモン信号用配線７ａのパターン幅を略一定としている。具体的には、図５に示すように、駆動ＩＣ２１に近い箇所では、コモン信号用配線７ａよりもコモン信号用配線７ｂのパターン幅が非常に狭くなっている。コモン信号用配線７ｂのパターン幅は、駆動ＩＣ２１から離れるいくほど広くなっていく。そして、駆動ＩＣ２１からさらに離れると、コモン信号用配線７ｂのパターン幅は、所定の幅で一定となる。ここで、図６に示すように、コモン信号用配線７ｂのパターン幅は、コモン信号用配線７ａよりも広くなる。すなわち、シール材８の右辺に沿って延設されたコモン信号用配線７のうちコモン信号用配線７ｂのパターン幅が、駆動ＩＣから離れるに応じて、徐々に広くなっていく。

図４に示すように、シール材８の右下の角近傍では、コモン信号用配線７ｂを斜めにパターニングする。よって、駆動ＩＣ２１に近いＣ−Ｃ´線上では、図５に示すように、コモン信号用配線７ｂのパターン幅がコモン信号用配線７ａに比べて狭くなっている。そして、駆動ＩＣ２１から離れたＤ−Ｄ´線上では、図６に示すよう、コモン信号用配線７ｂのパターン幅が広くなる。これにより、コモン信号用配線７の実効的な配線幅を広くすることができ、低抵抗化を図ることができる。なお、コモン信号用配線７ｂのパターン幅がシール材８のパターンの内側まではみ出すまで広くなったら、駆動ＩＣ２１から離れてもパターン幅が一定となるようにする。ここで、コモン信号用配線７ａとコモン信号用配線７ｂとは、駆動ＩＣ２１側に設けられたコンタクトホールを介して接続されている。このコンタクトホールは、例えば、Ｃ−Ｃ´線の近傍に形成することができる。このとき、コンタクトホールの大きさがある程度小さければ、パネルギャップによる影響は視認されないレベルとなる。あるいは、コモン信号用配線７ｂの一部を駆動ＩＣ２１近傍まで延設して、シール材８の外側にコンタクトホールを設けてもよい。この場合、コモン信号用配線７ｂが、駆動ＩＣ２１側のシール材８の外側まで延設させる。すなわち、コモン信号用配線７ａのパターン上の一部に、コモン信号用配線７ｂのパターンを形成する。このコモン信号用配線７ｂの延在させたパターンは、走査信号用引き回し配線４と隣接する側と反対側に形成することが好ましい。すなわち、シール材８の外縁側にコモン信号用配線７ｂの延在パターンを形成することが好ましい。

また、シール材８下において、コモン信号用配線７の走査信号用引き回し配線４の近傍に形成されている部分は、１層の導電層から構成される。すなわち、走査信号用引き回し配線４の近傍では、コモン信号用配線７ｂが形成されていない。走査信号用引き回し配線４が形成されている領域は１層の導電層と、２層の絶縁膜が形成されている。シール材８のパターン下において、走査信号用引き回し配線４近傍のコモン信号用配線７も、１層の導電層と、２層の絶縁膜が形成されている。よって、シール材８のパターンが形成されている領域において、コモン信号用配線７が占める領域と走査信号用引き回し配線４が占める領域との境界近傍では、どちらの領域も導電層が１層であり、下地高さの急激な変化が軽減される。これにより、コモン信号用配線７が占める領域と走査信号用引き回し配線４が占める領域との境界における表示ムラを防ぐことができる。

さらに、本実施の形態では、コモン信号用配線７ｂを斜めにパターニングしている。よって、コモン信号用配線７が延設されている方向において、導電層が１層の領域と導電層が２層の領域との境界線が徐々に表示領域に近くなっていく。すなわち、シール材８とコモン信号用配線７が重なる領域において、２層以上の導電膜で構成される領域と一層の導電層で構成される領域との幅の比率が連続的に増加するように形成する。これにより、コモン信号用配線７が形成されている領域において、シール材８の下地高さの急激な変化が軽減される。このように、シール材８下における下地高さの変動による表示ムラを低減することができる。また、コモン信号用配線７はほとんどの領域をシール材８のパターン下部に形成することでパネル外部からの水分等の侵入が抑制される。すなわち、シール材８の外縁よりも内側にコモン用信号配線７を配置されるよう、コモン信号用配線７のパターン幅を決定する。これにより、耐食性にすぐれた表示装置を提供することが可能となる。液晶表示装置の表示品質の劣化を防ぐことができる。よって、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。

本実施の形態では、コモン信号用配線７の多層構造による効果を得ることができ、低抵抗化を図ることが可能となる。なお、上記の例では、コモン信号用配線７が２層構造からなる例について説明したが、コモン信号用配線７を３層以上の積層構造としてもよい。さらに、シール材８とコモン信号用配線７の重なる箇所でのシール材８下の下地高さも徐々に変えることが可能となる。よって、シール材８下のギャップ厚の変化による輝度変化も実用上視認されないレベルに軽減することが出来る。また、コモン信号用配線７はほとんどの領域をシール下部に形成することでパネル外部からの水分等の侵入が抑制され耐食性にすぐれた液晶表示装置を提供することが可能となる。さらに、上述の構成により、額縁領域２２が広くなるのを防ぐことができるため、液晶表示装置の小型化を図ることができる。

なお、図４ではコモン信号用配線７ｂを斜めにパターニングする例について説明したが、これに限るものではない。例えば、実施の形態１と同様に、コモン信号用配線７ｂのパターン幅が段階的に変化するようにしてもよい。また、シール材８下において、コモン信号用配線７と走査信号用引き回し配線４が隣接する例について説明したが、コモン信号用配線７と表示信号用引き回し配線６が隣接する構成についても同様の効果を得ることができる。この場合、走査線用引き回し配線４と同一の導電層のコモン信号用配線７ａのパターン幅を変化させればよい。

コモン信号用配線７ａを走査信号用配線と同一の導電層で形成し、コモン信号用配線７ｂを表示信号用配線５と同一の導電層で形成することが好ましい。走査信号用配線３と表示信号用配線５とは、異なるフォトリソグラフィー工程でパターニングされるため、コモン信号用配線７ａとコモン信号用配線７ｂとを異なるパターン形状とすることができる。これにより、配線幅の増加と、配線の厚みの増加とによってコモン信号用配線の抵抗を低減することができる。さらに、製造工程数の増加による生産性の低下を防止することができる。
発明の実施の形態３．

本実施の形態にかかる液晶表示装置の構成について図７及び図８を用いて説明する。図７は、本実施の形態にかかる液晶表示装置に用いられる配線基板の端部の構成を示す平面図である。なお、図７では、配線基板に設けられたシール材の右下の角近傍の構成を示している。図８は図７のＥ−Ｅ´線における液晶表示パネルの構成を示す断面図である。なお、本実施の形態にかかる配線基板の基本的構成は、実施の形態１と同様であるため、詳細な説明を省略する。さらに、実施の形態１と同様の内容についても説明を省略する。

本実施の形態では、走査信号用引き回し配線４の外側に設けられているコモン信号用配線７のパターン形状は実施の形態１と同様である。さらに、本実施の形態では、隣接する走査信号用引き回し配線の間にコモン信号用補助配線１７が設けられている。コモン信号用補助配線１７は、隣接する走査信号用引き回し配線４の隙間に対応する箇所に形成されている。コモン信号用補助配線１７の配線パターンと走査信号用引き回し配線４の配線パターンとが交互に配置されている。

コモン信号用補助配線１７は、表示信号用配線５と同じ導電層で形成されている。すなわち、コモン信号用補助配線１７は、コモン信号用配線７ｂと同じ材質、かつ同じ膜厚で形成されている。図８に示すように、コモン信号用補助配線１７の下には、走査信号用引き回し配線４が形成されていない。よって、コモン信号用配線７の内側では、シール材８のパターンの下地高さは、１層の導電層と２層の絶縁層に基づくものとなる。すなわち、層間絶縁膜１１の膜厚とゲート絶縁膜１０の膜厚との合計に、表示信号用配線５又走査信号用配線３の膜厚を加えた高さが、下地高さになる。一般に、走査信号用配線３と表示信号用配線５とは、大きく異なる膜厚で形成されることはない。従って、走査信号用引き回し配線４が形成されている領域において、シール材８のパターンの下地高さを略均一にすることができる。

複数のコモン信号用補助配線１７は、シール材８の内側に設けられたコモン信号用接続配線２７によって接続される。コモン信号用接続配線２７はコモン信号用補助配線１７と同一の導電層により形成することができる。コモン信号用補助配線１７及びコモン信号用接続配線２７は、駆動ＩＣ２１とそれぞれ接続され、各々にコモン信号が供給される。

このように、走査信号用引き回し配線４の間に、コモン信号用補助配線１７を形成することで、信号の経路を増やすことができ、コモン信号用配線７の実効的な配線幅を広げることができる。よって、配線抵抗を低減することができ、表示品質を向上することができる。

コモン信号用補助配線１７を、走査信号用引き回し配線４が形成される導電層と異なる導電層で形成することにより、同層のパターン間隔を比較的広く取った場合でも、配線間の短絡を防止できる。すなわち、配線を短絡させることなく、配線抵抗のさらなる低減が可能となる。

なお、上記の説明では、コモン信号用補助配線１７を走査信号用引き回し配線４の間に配設する例を示したが、これに限るものではない。例えば、コモン信号用補助配線１７を表示信号用引き回し配線６の間に配置してもよい。この場合、コモン信号用補助配線１７は、走査信号用配線３及び走査信号用引き回し配線４と同一の導電層により形成される。また、実施の形態１にコモン信号用補助配線１７を追加する構成に限らず、コモン信号用補助配線１７を単独で用いることも可能である。すなわち、コモン信号用配線７のパターン幅を略一定とした構成に対して、コモン信号用補助配線１７及びコモン信号用接続配線２７を設けてもよい。
発明の実施の形態４．

本実施の形態にかかる液晶表示装置の構成について図９及び図１０を用いて説明する。図９は、本実施の形態にかかる液晶表示装置に用いられる配線基板の端部の構成を示す平面図である。なお、図９では、配線基板に設けられたシール材８の右下の角近傍の構成を示している。図１０は図９のＦ−Ｆ´線における液晶表示パネルの構成を示す断面図である。なお、本実施の形態にかかる配線基板の基本的構成は、実施の形態１と同様であるため、詳細な説明を省略する。さらに、実施の形態１と同様の内容についても説明を省略する。

本実施の形態では配線基板１上の層間絶縁膜１１を有機絶縁膜により形成している。すなわち、表示信号用配線５と走査信号用配線３の上には、有機絶縁膜からなる層間絶縁膜１１が形成されている。層間絶縁膜１１の上には画素電極１３が配設される。本実施の形態では、画素電極１３の形成と同時にコモン信号用配線７ｂのパターンを形成する。すなわち、コモン信号用配線７ｂは画素電極１３と同じ導電層で形成される。従って、コモン信号用配線７は、走査信号用配線３と同一の導電層と画素電極１３と同一の導電層からなる２層構造となる。これにより、コモン信号用配線７の配線抵抗を低減することができる。

このような配線基板１では走査信号用配線３及び表示信号用配線５並びにその引き回し配線４、６上は層間絶縁膜１１の効果で下地パターンの影響をほとんど受けずに平滑な状態となる。すなわち、有機絶縁膜は、一般的に、各配線を構成する無機金属薄膜よりも十分厚い。よって、有機絶縁膜からなる層間絶縁膜１１を形成することによって、下地の配線パターンの影響を低減することができる。走査信号用配線３もしくは表示信号用配線５の引き回し配線４、６のパターン形成領域とコモン信号用配線７の形成領域の間での配線高さ変動によるセルギャップ変動は問題とならない。

なお、層間絶縁膜１１上に形成された表示領域２中の画素電極１３による段差が表示領域外周近傍におけるセルギャップの差の原因となる場合がある。これは画素電極１３の膜厚が大きい液晶表示装置、例えば、例えば反射型液晶表示装置において、その傾向が強い。すなわち、反射型液晶表示装置では、画素電極には透明導電膜よりも厚い金属薄膜が用いられる。このような場合、図１０に示すように、シール材８のパターン下のコモン信号用配線７ｂを表示領域２の画素電極１３と同一の導電層を用いて形成する。これにより、表示領域２とシール材８が形成されている領域でのパネルギャップの変動を抑制することができる。また、コモン信号用配線７が積層構造になるため、低抵抗化を実現することができる。

なお、本実施の形態では、コモン信号用配線７は、コモン信号用配線７を画素電極１３と同一の導電層と、走査信号用配線３と同一の導電層との２層により構成されているが、これに限るものではない。例えば、コモン信号用配線７を画素電極１３と同一の導電層と、表示信号用配線５と同一の導電層との２層により構成してもよい。コモン信号用配線７のパターンに隣接する引き回し配線と同一の導電層と画素電極の導電層との２層により構成することが好ましい。もちろん、コモン信号用配線７を３層以上の積層構造としてもよい。
発明の実施の形態５．

本実施の形態にかかる液晶表示装置の構成について図１１及び図１２を用いて説明する。図１０は、本実施の形態にかかる液晶表示装置に用いられる配線基板の端部の構成を示す平面図である。なお、図１０では、表示領域２の右下の角近傍の構成を示している。図１１は図１０のＧ−Ｇ´線における液晶表示パネルの構成を示す断面図である。なお、本実施の形態にかかる配線基板の基本的構成は、実施の形態１と同様であるため、詳細な説明を省略する。さらに、実施の形態１と同様の内容についても説明を省略する

本実施の形態では、コモン信号用配線７が延設されているシール材８の一辺において、２層からなるコモン信号用配線７のうちの下層のコモン信号用配線７ａをシール材８のパターンの外縁の外側まで延設させている。具体的には、コモン信号用配線７ａとコモン信号用配線７ｂとを異なるパターン幅で形成する。そして、最上層のコモン信号用配線７ｂではないコモン信号用配線７ａをシール材８のパターンの外縁よりも基板端辺側に配置する。そして、コモン信号用配線７ａの上にゲート絶縁膜１０と層間絶縁膜１１とを形成する。これにより、コモン信号用配線７ａのうち、シール材８のパターン外縁の外側に配置された部分を２層の絶縁膜に覆うことができる。よって、一方の絶縁膜にピンホールもしくは異物等による欠損が生じた場合でも、もう一方の絶縁膜がコモン信号用配線７ａを保護するため、実用上必要な防食性が確保できる。さらに、実質的な配線幅を広げることが可能となるため、コモン信号用配線７の抵抗を低減することが可能となる。

実施の形態１〜５に示した各配線は、ＡｌやＣｒなどの金属薄膜により形成される。もちろん、これ以外の材質を用いてもよい。例えば、スパッタリング法や蒸着法により金属薄膜を成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングすることにより、各配線のパターンを形成することができる。また、画素電極１３及び対向電極９は、ＩＴＯなどの透明導電膜により形成される。例えば、スパッタリング法や蒸着法により透明導電膜を成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングすることにより、画素電極１３及び対向電極９を形成することができる。なお、対向電極９を対向基板全面に設ける場合は、フォトリソグラフィー法によってパターニングしなくてもよい。また、反射型の液晶表示装置の場合は、画素電極を金属薄膜によって形成する。これらの配線層と同一の導電層を積層してコモン信号用配線７を形成することによって、製造工程を増加させることなく、コモン信号用配線７を任意の形状にパターニングすることができる。

実施の形態１〜５では、コモン信号用配線７が２層の導電層からなる構成について説明したが、これに限るものではない。例えば、コモン信号用配線７が３層以上の導電層からなる構成でもよい。すなわち、コモン信号用配線７は、少なくとも２層の導電層を含む構成であればよい。また、コモン信号用配線７は、走査信号用配線３と同一の導電層、表示信号用配線５と同一の導電層又は、画素電極１３と同一の導電層のうちの少なくとも２層以上の導電層によって形成することが好ましい。

本発明の実施の形態１にかかる配線基板の端部の構成を示す平面図である。 図１のＡ−Ａ´線における液晶表示パネルの構成を示す側面図である。 図１のＢ−Ｂ´線における液晶表示パネルの構成を示す側面図である。 本発明の実施の形態２にかかる配線基板の端部の構成を示す平面図である。 図４のＣ−Ｃ´線における液晶表示パネルの構成を示す側面図である。 図４のＤ−Ｄ´線における液晶表示パネルの構成を示す側面図である。 本発明の実施の形態３にかかる配線基板の端部の構成を示す平面図である。 図７のＥ−Ｅ´線における液晶表示パネルの構成を示す側面図である。 本発明の実施の形態３にかかる配線基板の端部の構成を示す平面図である。 図９のＦ−Ｆ´線における液晶表示パネルの構成を示す側面図である。 本発明の実施の形態３にかかる配線基板の端部の構成を示す平面図である。 図１１のＧ−Ｇ´線における液晶表示パネルの構成を示す側面図である。 従来の液晶表示装置に用いられるＴＦＴアレイ基板の画像表示部周辺部の角部を示す平面図である。 従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。

符号の説明

１ 配線基板、２ 表示領域、３ 走査信号用配線、４ 走査信号用引き回し配線、
５ 表示信号用配線、６ 表示信号用引き回し配線、７ コモン信号用配線、
８ シール材、９ 対向電極、１０ ゲート絶縁膜、１１ 層間絶縁膜、１２ 液晶、
１３ 画素電極、１８ 導電材、１９ コモン電極、
２０ 対向基板、２１ 駆動ＩＣ、２２ 額縁領域、２７ コモン信号用接続配線

Claims (10)

1. 配線基板と、前記配線基板に対向配置された対向基板と、前記配線基板及び前記対向基板を貼り合わせるシール材と、で囲まれた空間に封入された液晶を備えた液晶表示装置であって、
   前記配線基板上には、
   前記シール材の内側に配置された表示領域に形成された複数の走査信号用配線と、
   前記表示領域に形成され、前記走査信号用配線と絶縁膜を介して交差する複数の表示信号用配線と、
   前記表示領域の外側に配置されたコモン信号用配線と、が形成され、
   前記コモン信号用配線が、少なくとも２層の導電層を含み、前記シール材のパターン下において少なくとも１層の前記導電層のパターン幅が変化している液晶表示装置。
2. 前記シール材のパターン下の前記コモン信号用配線が前記シール材の一辺の方向に延設され、
   前記コモン信号用配線が延設されている方向において、前記導電層のパターン幅が変化している請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記コモン信号用配線が延設されている方向において、
   前記配線基板の前記表示信号用配線又は前記走査信号用配線に信号を供給する側の端部から離れるにしたがって、前記導電層のパターン幅が広くなっている請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 前記走査信号用配線又は表示信号用配線に信号を供給するための引き回し配線が前記表示領域の外側に複数設けられ、
   前記引き回し配線が前記走査信号用配線又は表示信号用配線に接続されるにしたがって、前記コモン信号用配線のパターン幅が段階的に広くなる請求項２又は３に記載の液晶表示装置。
5. 前記コモン信号用配線が延設された前記シール材の一辺において、
   前記コモン信号用配線が前記シール材のパターンの外縁よりも表示領域側に形成されている請求項２乃至４のいずれかに記載の液晶表示装置。
6. 前記コモン信号用配線に含まれる導電層のうち、最上層の導電層以外の導電層が、前記コモン信号用配線が延設された前記シール材の一辺において、前記シール材のパターンの外縁の外側まで延設され、
   前記シール材のパターンの外縁の外側まで延設された導電層が２層以上の絶縁膜により覆われている請求項２乃至４のいずれかに記載の液晶表示装置。
7. 前記表示信号用配線又は前記走査信号用配線に信号を供給するための引き回し配線が前記表示領域の外側に複数設けられ、
   前記複数の引き回し配線の間に、前記引き回し配線と異なる導電層で形成されたコモン信号用補助配線が形成され、
   前記複数のコモン信号用補助配線と接続されたコモン信号用接続配線が形成されている請求項１乃至６のいずれかに記載の液晶表示装置。
8. 配線基板と、前記配線基板に対向配置された対向基板と、前記配線基板及び前記対向基板を貼り合わせるシール材と、で囲まれた空間に封入された液晶を備えた液晶表示装置であって、
   前記配線基板上には、
   前記シール材の内側に配置された表示領域に形成された複数の走査信号用配線と、
   前記表示領域に形成され、前記走査信号用配線と絶縁膜を介して交差する複数の表示信号用配線と、
   前記表示領域の外側に配置されたコモン信号用配線であって、前記シール材のパターン下において、前記シール材の一辺の方向に延設されたコモン信号用配線と、が形成され、
   前記コモン信号用配線が、少なくとも２層の導電層を含み、前記コモン信号用配線含まれる複数の導電層のうち、最上層の導電層以外の導電層が、前記コモン信号用配線が延設された前記シール材の一辺において、前記シール材のパターンの外縁の外側まで延在され、
   前記シール材のパターンの外縁の外側に延在している導電層が２層以上の絶縁膜により覆われている液晶表示装置。
9. 前記コモン信号用配線が、前記表示信号用配線を構成する導電層と前記走査信号用配線を構成する導電層とを含んでいることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の液晶表示装置。
10. 前記配線基板上に、
    前記表示信号用配線とスイッチング素子を介して接続された画素電極と、
    前記表示信号用配線及び前記走査信号用配線の上であって、前記画素電極の下に形成された有機絶縁膜と、が形成され、
    前記コモン信号用配線が、前記画素電極を構成する導電層を含んでいることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の液晶表示装置。

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