JP2003186041A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コモン用出力配線を低抵抗に維持してその幅
を狭くしても、水分の付着に起因する腐食が生じないよ
うにする。 【解決手段】 セグメント基板１１の上面にはコモン用
出力配線３０が設けられている。この場合、コモン用出
力配線３０のうち、シール材１３の内側における部分
は、Ｃｒ等からなる低抵抗金属層３０ａ上に透明酸化金
属層３０ｂが設けられた２層構造となっており、それ以
外の部分は透明酸化金属層の１層構造となっている。こ
の結果、コモン用出力配線３０のうちのシール材１３の
内側における部分の抵抗値を小さく維持したままその幅
を比較的狭くすることができ、ひいてはその引き回し領
域を小さくすることができる。また、コモン用出力配線
３０のうちのシール材１３の外側における部分は、水分
が付着しても腐食してないようにすることができる。
を狭くしても、水分の付着に起因する腐食が生じないよ
うにする。 【解決手段】 セグメント基板１１の上面にはコモン用
出力配線３０が設けられている。この場合、コモン用出
力配線３０のうち、シール材１３の内側における部分
は、Ｃｒ等からなる低抵抗金属層３０ａ上に透明酸化金
属層３０ｂが設けられた２層構造となっており、それ以
外の部分は透明酸化金属層の１層構造となっている。こ
の結果、コモン用出力配線３０のうちのシール材１３の
内側における部分の抵抗値を小さく維持したままその幅
を比較的狭くすることができ、ひいてはその引き回し領
域を小さくすることができる。また、コモン用出力配線
３０のうちのシール材１３の外側における部分は、水分
が付着しても腐食してないようにすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は液晶表示素子に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】図１１は従来の液晶表示素子の一例の一
部の断面図を示したものである。この液晶表示素子は、
単純マトリクス型であり、セグメント基板１と該セグメ
ント基板１上に配置されたコモン基板２とがほぼ方形枠
状のシール材３を介して貼り合わされ、シール材３と両
基板１、２とで囲まれた空間に液晶４が封入されたもの
からなっている。
部の断面図を示したものである。この液晶表示素子は、
単純マトリクス型であり、セグメント基板１と該セグメ
ント基板１上に配置されたコモン基板２とがほぼ方形枠
状のシール材３を介して貼り合わされ、シール材３と両
基板１、２とで囲まれた空間に液晶４が封入されたもの
からなっている。
【０００３】セグメント基板１の上面（コモン基板２と
の対向面）においてシール材３の内側にはＩＴＯからな
る複数のセグメント電極５が図１１において紙面に垂直
な方向に延びて設けられている。コモン基板２の下面
（セグメント基板１との対向面）においてシール材３の
内側にはＩＴＯからなる複数のコモン電極６が図１１に
おいて左右方向に延びて設けられている。セグメント電
極５とコモン電極６とは互いに直交するように配置さ
れ、その交差部の対向領域により画素部が形成されてい
る。
の対向面）においてシール材３の内側にはＩＴＯからな
る複数のセグメント電極５が図１１において紙面に垂直
な方向に延びて設けられている。コモン基板２の下面
（セグメント基板１との対向面）においてシール材３の
内側にはＩＴＯからなる複数のコモン電極６が図１１に
おいて左右方向に延びて設けられている。セグメント電
極５とコモン電極６とは互いに直交するように配置さ
れ、その交差部の対向領域により画素部が形成されてい
る。
【０００４】セグメント基板１の一辺部はコモン基板２
から突出されている。この突出部１ａの上面にはＩＴＯ
からなる複数のコモン配線７および複数のセグメント配
線（図示せず）が設けられている。セグメント配線の一
端部は、対応するセグメント電極５に接続されている。
から突出されている。この突出部１ａの上面にはＩＴＯ
からなる複数のコモン配線７および複数のセグメント配
線（図示せず）が設けられている。セグメント配線の一
端部は、対応するセグメント電極５に接続されている。
【０００５】コモン配線７の一端部は、セグメント基板
１の上面においてシール材８の配置領域に設けられたＩ
ＴＯからなるセグメント基板側コモン端子８に接続され
ている。コモン基板２の下面においてセグメント基板側
コモン端子８に対応する部分にはＩＴＯからなるコモン
基板側コモン端子９が設けられている。コモン基板側コ
モン端子９は、対応するコモン電極６の一端部に接続さ
れている。
１の上面においてシール材８の配置領域に設けられたＩ
ＴＯからなるセグメント基板側コモン端子８に接続され
ている。コモン基板２の下面においてセグメント基板側
コモン端子８に対応する部分にはＩＴＯからなるコモン
基板側コモン端子９が設けられている。コモン基板側コ
モン端子９は、対応するコモン電極６の一端部に接続さ
れている。
【０００６】そして、互いに対応するセグメント基板側
コモン端子８とコモン基板側コモン端子９とは、これら
とシール材３とが重なる領域において、シール材３中に
混入された導電性粒子からなる導電材１０を介して導電
接続されている。
コモン端子８とコモン基板側コモン端子９とは、これら
とシール材３とが重なる領域において、シール材３中に
混入された導電性粒子からなる導電材１０を介して導電
接続されている。
【０００７】ところで、上記従来の液晶表示素子では、
特に、セグメント基板１の上面に設けられたセグメント
電極５、セグメント配線、コモン配線７およびセグメン
ト基板側コモン端子８をＩＴＯによって形成している。
この場合、ＩＴＯは抵抗が比較的高い透明な金属である
ので、特に、コモン配線７を低抵抗に維持するために
は、その幅を狭くすることはできなかった。
特に、セグメント基板１の上面に設けられたセグメント
電極５、セグメント配線、コモン配線７およびセグメン
ト基板側コモン端子８をＩＴＯによって形成している。
この場合、ＩＴＯは抵抗が比較的高い透明な金属である
ので、特に、コモン配線７を低抵抗に維持するために
は、その幅を狭くすることはできなかった。
【０００８】一方、最近では、特に携帯電話で使用され
る液晶表示素子として、小型で表示容量が比較的大きい
ものが要求されている。しかし、上記従来の液晶表示素
子では、特に、比較的幅広のコモン配線７の引き回し領
域が大きくなるので、小型化に限界がある。
る液晶表示素子として、小型で表示容量が比較的大きい
ものが要求されている。しかし、上記従来の液晶表示素
子では、特に、比較的幅広のコモン配線７の引き回し領
域が大きくなるので、小型化に限界がある。
【０００９】そこで、コモン配線７を低抵抗に維持して
その幅を狭くした液晶表示素子が開発されている。図１
２は従来のこのような液晶表示素子の一例の一部の断面
図を示したものである。この液晶表示素子では、反射型
であり、セグメント基板１の上面に設けられたセグメン
ト電極５、コモン配線７、セグメント基板側コモン電極
８および図示しないセグメント配線をＩＴＯ層５ａ、７
ａ、８ａとＩＴＯよりも低抵抗のＣｒ層５ｂ、７ｂ、８
ｂの２層構造としている。
その幅を狭くした液晶表示素子が開発されている。図１
２は従来のこのような液晶表示素子の一例の一部の断面
図を示したものである。この液晶表示素子では、反射型
であり、セグメント基板１の上面に設けられたセグメン
ト電極５、コモン配線７、セグメント基板側コモン電極
８および図示しないセグメント配線をＩＴＯ層５ａ、７
ａ、８ａとＩＴＯよりも低抵抗のＣｒ層５ｂ、７ｂ、８
ｂの２層構造としている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１２
に示す液晶表示素子では、特に、コモン配線７がシール
材３の外側に配置されて露出されているので、この露出
されたコモン配線７に水分が付着すると、コモン配線７
のうちのＣｒ層７ｂが腐食することがあるという問題が
あった。なお、ＩＴＯ層は水分が付着しても腐食しない
ので、図１１に示す液晶表示素子では、コモン配線７が
腐食することはない。しかしながら、図１１に示す液晶
表示素子では、上述の如く、比較的幅広のコモン配線７
の引き回し領域が大きくなるので、小型化に限界がある
という問題があった。この発明の課題は、配線を低抵抗
に維持してその幅を狭くしても、水分の付着に起因する
腐食が生じないようにすることである。
に示す液晶表示素子では、特に、コモン配線７がシール
材３の外側に配置されて露出されているので、この露出
されたコモン配線７に水分が付着すると、コモン配線７
のうちのＣｒ層７ｂが腐食することがあるという問題が
あった。なお、ＩＴＯ層は水分が付着しても腐食しない
ので、図１１に示す液晶表示素子では、コモン配線７が
腐食することはない。しかしながら、図１１に示す液晶
表示素子では、上述の如く、比較的幅広のコモン配線７
の引き回し領域が大きくなるので、小型化に限界がある
という問題があった。この発明の課題は、配線を低抵抗
に維持してその幅を狭くしても、水分の付着に起因する
腐食が生じないようにすることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、第１の基板と第２の基板とがシール材で封止され、
シール材の内側領域に表示領域が形成され、表示領域内
に複数の第１の電極と、該第１の電極に直交する複数の
第２の電極が配設され、前記シール材の外側領域に第１
の端子と第２の端子が配設され、前記表示領域の外側領
域に前記第１の電極と前記第１の端子を接続する第１の
配線、および前記第２の電極と前記第２の端子を接続す
る第２の配線が配設された液晶表示素子において、前記
シール材の外壁面より外側領域の前記第１の配線および
前記シール材の外壁面より外側領域の前記第２の配線を
透明酸化金属で形成し、少なくとも、前記第２の配線
は、前記シール材の内壁面の外側と前記表示領域間にお
いて前記透明酸化金属よりも低抵抗の金属で形成したこ
とを特徴とするものである。請求項２に記載の発明は、
請求項１に記載の発明において、前記第１の端子、前記
第１の配線、前記第１の電極および前記第２の端子、前
記第２の配線は前記第１の基板に形成され、前記第２の
電極は前記第２の基板に形成され、前記第２の電極と前
記第２の配線とは導電材を介して接続されていることを
特徴とするものである。請求項３に記載の発明は、請求
項１に記載の発明において、前記第１の基板は前記第２
の基板の一辺より突出した突出部を有し、前記第１の端
子および前記第２の端子は前記突出部に形成された半導
体チップ搭載領域に形成されていることを特徴とするも
のである。請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の
発明において、前記第２の配線は、前記表示領域の相対
向する一対の側面側に引き回されていることを特徴とす
るものである。請求項５に記載の発明は、請求項４に記
載の発明において、前記第２の配線は、前記第２の端子
配列の１本おきに前記表示領域の反対側の側面側に引き
回されていることを特徴とするものである。請求項６に
記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記第
２の配線は、少なくとも、前記シール材の内壁面の外側
と前記表示領域間において、前記透明酸化金属よりも低
抵抗の金属層と透明酸化金属層との２層構造であること
を特徴とするものである。請求項７に記載の発明は、請
求項６に記載の発明において、前記透明酸化金属よりも
低抵抗の金属層上に前記透明酸化金属層が形成されてい
ることを特徴とするものである。請求項８に記載の発明
は、請求項７に記載の発明において、前記第１の電極
は、前記透明酸化金属よりも低抵抗の金属層上に前記透
明酸化金属層が形成されていることを特徴とするもので
ある。そして、この発明によれば、少なくとも、第２の
配線を、シール材の内壁面の外側と表示領域間において
透明酸化金属よりも低抵抗の金属で形成しているので、
第２の配線の少なくとも一部を低抵抗に維持してその幅
を狭くすることができ、しかも、シール材の外壁面より
外側領域の第１の配線およびシール材の外壁面より外側
領域の第２の配線を透明酸化金属で形成しているので、
水分の付着に起因する腐食が生じないようにすることが
できる。
は、第１の基板と第２の基板とがシール材で封止され、
シール材の内側領域に表示領域が形成され、表示領域内
に複数の第１の電極と、該第１の電極に直交する複数の
第２の電極が配設され、前記シール材の外側領域に第１
の端子と第２の端子が配設され、前記表示領域の外側領
域に前記第１の電極と前記第１の端子を接続する第１の
配線、および前記第２の電極と前記第２の端子を接続す
る第２の配線が配設された液晶表示素子において、前記
シール材の外壁面より外側領域の前記第１の配線および
前記シール材の外壁面より外側領域の前記第２の配線を
透明酸化金属で形成し、少なくとも、前記第２の配線
は、前記シール材の内壁面の外側と前記表示領域間にお
いて前記透明酸化金属よりも低抵抗の金属で形成したこ
とを特徴とするものである。請求項２に記載の発明は、
請求項１に記載の発明において、前記第１の端子、前記
第１の配線、前記第１の電極および前記第２の端子、前
記第２の配線は前記第１の基板に形成され、前記第２の
電極は前記第２の基板に形成され、前記第２の電極と前
記第２の配線とは導電材を介して接続されていることを
特徴とするものである。請求項３に記載の発明は、請求
項１に記載の発明において、前記第１の基板は前記第２
の基板の一辺より突出した突出部を有し、前記第１の端
子および前記第２の端子は前記突出部に形成された半導
体チップ搭載領域に形成されていることを特徴とするも
のである。請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の
発明において、前記第２の配線は、前記表示領域の相対
向する一対の側面側に引き回されていることを特徴とす
るものである。請求項５に記載の発明は、請求項４に記
載の発明において、前記第２の配線は、前記第２の端子
配列の１本おきに前記表示領域の反対側の側面側に引き
回されていることを特徴とするものである。請求項６に
記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記第
２の配線は、少なくとも、前記シール材の内壁面の外側
と前記表示領域間において、前記透明酸化金属よりも低
抵抗の金属層と透明酸化金属層との２層構造であること
を特徴とするものである。請求項７に記載の発明は、請
求項６に記載の発明において、前記透明酸化金属よりも
低抵抗の金属層上に前記透明酸化金属層が形成されてい
ることを特徴とするものである。請求項８に記載の発明
は、請求項７に記載の発明において、前記第１の電極
は、前記透明酸化金属よりも低抵抗の金属層上に前記透
明酸化金属層が形成されていることを特徴とするもので
ある。そして、この発明によれば、少なくとも、第２の
配線を、シール材の内壁面の外側と表示領域間において
透明酸化金属よりも低抵抗の金属で形成しているので、
第２の配線の少なくとも一部を低抵抗に維持してその幅
を狭くすることができ、しかも、シール材の外壁面より
外側領域の第１の配線およびシール材の外壁面より外側
領域の第２の配線を透明酸化金属で形成しているので、
水分の付着に起因する腐食が生じないようにすることが
できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の第１実施形態と
しての液晶表示素子の要部の平面図を示したものであ
る。この液晶表示素子は、単純マトリクス型であり、セ
グメント基板１１と該セグメント基板１１上に配置され
たコモン基板１２とがほぼ方形枠状のシール材１３を介
して貼り合わされ、シール材１３と両基板１１、１２と
で囲まれた空間に液晶１４（図５参照）が封入されたも
のからなっている。
しての液晶表示素子の要部の平面図を示したものであ
る。この液晶表示素子は、単純マトリクス型であり、セ
グメント基板１１と該セグメント基板１１上に配置され
たコモン基板１２とがほぼ方形枠状のシール材１３を介
して貼り合わされ、シール材１３と両基板１１、１２と
で囲まれた空間に液晶１４（図５参照）が封入されたも
のからなっている。
【００１３】セグメント基板１１の上面（コモン基板１
２との対向面）において一点鎖線で囲まれた方形状の表
示領域１５には、図１に１本しか図示していないが、複
数のセグメント電極１６が列方向に延びて設けられてい
る。コモン基板１２の下面（セグメント基板１１との対
向面）には、これも図１に１本しか図示していないが、
複数のコモン電極１７が行方向に延びて設けられてい
る。セグメント電極１６とコモン電極１７とは互いに直
交するように配置され、その交差部の対向領域により画
素部が形成されている。
２との対向面）において一点鎖線で囲まれた方形状の表
示領域１５には、図１に１本しか図示していないが、複
数のセグメント電極１６が列方向に延びて設けられてい
る。コモン基板１２の下面（セグメント基板１１との対
向面）には、これも図１に１本しか図示していないが、
複数のコモン電極１７が行方向に延びて設けられてい
る。セグメント電極１６とコモン電極１７とは互いに直
交するように配置され、その交差部の対向領域により画
素部が形成されている。
【００１４】セグメント基板１１の一辺部（図１の下辺
部）はコモン基板１２から突出されている。この突出部
１１ａの上面中央部には長方形状の半導体チップ搭載領
域１８が設けられている。半導体チップ搭載領域１８上
には液晶駆動用のＬＳＩ等からなる長方形状の半導体チ
ップ１９が異方性導電接着剤（図示せず）を介して搭載
されている。
部）はコモン基板１２から突出されている。この突出部
１１ａの上面中央部には長方形状の半導体チップ搭載領
域１８が設けられている。半導体チップ搭載領域１８上
には液晶駆動用のＬＳＩ等からなる長方形状の半導体チ
ップ１９が異方性導電接着剤（図示せず）を介して搭載
されている。
【００１５】次に、図２は図１に示す液晶表示素子の一
部の透過平面図を示し、図３はセグメント基板１１の一
部の平面図を示し、図４はコモン基板１２の一部の透過
平面図を示したものである。この場合、図２および図３
では、半導体チップ１９は省略されている。
部の透過平面図を示し、図３はセグメント基板１１の一
部の平面図を示し、図４はコモン基板１２の一部の透過
平面図を示したものである。この場合、図２および図３
では、半導体チップ１９は省略されている。
【００１６】図３において、半導体チップ搭載領域１８
内の上辺部には複数のセグメント用出力端子２１が設け
られ、下辺部の左側には複数のコモン用出力端子２２が
設けられ、下辺部の右側には複数の入力端子２３が設け
られている。表示領域１５内に設けられたセグメント電
極１６の下端部は、セグメント基板１１の上面において
表示領域１５の下側に設けられたセグメント用出力配線
２４を介してセグメント用出力端子２１に接続されてい
る。
内の上辺部には複数のセグメント用出力端子２１が設け
られ、下辺部の左側には複数のコモン用出力端子２２が
設けられ、下辺部の右側には複数の入力端子２３が設け
られている。表示領域１５内に設けられたセグメント電
極１６の下端部は、セグメント基板１１の上面において
表示領域１５の下側に設けられたセグメント用出力配線
２４を介してセグメント用出力端子２１に接続されてい
る。
【００１７】図３において、セグメント基板１１の下端
部上面のほぼ中央部には複数の外部接続端子２５が設け
られている。外部接続端子２５と入力端子２３とは、そ
の間におけるセグメント基板１１上に設けられた入力配
線２６を介して接続されている。
部上面のほぼ中央部には複数の外部接続端子２５が設け
られている。外部接続端子２５と入力端子２３とは、そ
の間におけるセグメント基板１１上に設けられた入力配
線２６を介して接続されている。
【００１８】図３において、セグメント基板１１の上面
において表示領域１５の左外側および右外側にはそれぞ
れ複数のセグメント基板側コモン端子２７、２８が設け
られている。セグメント基板側コモン端子２７、２８
は、図１に示す表示領域１５の上下方向のほぼ全域に亘
って配置されている。
において表示領域１５の左外側および右外側にはそれぞ
れ複数のセグメント基板側コモン端子２７、２８が設け
られている。セグメント基板側コモン端子２７、２８
は、図１に示す表示領域１５の上下方向のほぼ全域に亘
って配置されている。
【００１９】この場合、図３に示すように、セグメント
基板側コモン端子２７、２８の各外端面はその近傍にお
けるセグメント基板１１の左端面もしくは右端面から同
じ距離だけ離れた位置に配置され、各内端面は下側から
上側に向かうに従って漸次表示領域１５側に接近する位
置に配置されている。換言すれば、セグメント基板側コ
モン端子２７、２８は、その外端面を、セグメント基板
１１の側端から同じ距離に揃えて配列され、且つ、上部
側に向かうに従いその長さが順次長くなる大きさに形成
されている。
基板側コモン端子２７、２８の各外端面はその近傍にお
けるセグメント基板１１の左端面もしくは右端面から同
じ距離だけ離れた位置に配置され、各内端面は下側から
上側に向かうに従って漸次表示領域１５側に接近する位
置に配置されている。換言すれば、セグメント基板側コ
モン端子２７、２８は、その外端面を、セグメント基板
１１の側端から同じ距離に揃えて配列され、且つ、上部
側に向かうに従いその長さが順次長くなる大きさに形成
されている。
【００２０】図３において、複数のコモン用出力端子２
２のうちの１つおきの一方のコモン用出力端子２２は、
セグメント基板１１の上面において半導体チップ搭載領
域１８の下辺部左側の下側およびセグメント基板１１の
上面の左辺部に設けられたコモン用出力配線２９を介し
て左側のセグメント基板側コモン端子２７の内端部に接
続されている。
２のうちの１つおきの一方のコモン用出力端子２２は、
セグメント基板１１の上面において半導体チップ搭載領
域１８の下辺部左側の下側およびセグメント基板１１の
上面の左辺部に設けられたコモン用出力配線２９を介し
て左側のセグメント基板側コモン端子２７の内端部に接
続されている。
【００２１】図３において、複数のコモン用出力端子２
２のうちの１つおきの他方のコモン用出力端子２２は、
セグメント基板１１の上面において半導体チップ搭載領
域１８内の幅方向中央部およびセグメント基板１１の上
面の右辺部に設けられたコモン用出力配線３０を介して
右側のセグメント基板側コモン端子２８の内端部に接続
されている。
２のうちの１つおきの他方のコモン用出力端子２２は、
セグメント基板１１の上面において半導体チップ搭載領
域１８内の幅方向中央部およびセグメント基板１１の上
面の右辺部に設けられたコモン用出力配線３０を介して
右側のセグメント基板側コモン端子２８の内端部に接続
されている。
【００２２】この場合、上述の如く、セグメント基板側
コモン端子２７、２８は、図１に示す表示領域１５の上
下方向のほぼ全域に亘って配置されており、コモン用出
力配線２９、３０は、表示領域１５から最も離れたもの
から、順次、セグメント基板側コモン端子２７、２８と
接続されるように延出され、表示領域１５に最も近接す
るものが最上部のセグメント基板側コモン端子２７、２
８に接続されるように最も長く延出されて、表示領域１
５の上下方向のほぼ全域に亘って配置されている。
コモン端子２７、２８は、図１に示す表示領域１５の上
下方向のほぼ全域に亘って配置されており、コモン用出
力配線２９、３０は、表示領域１５から最も離れたもの
から、順次、セグメント基板側コモン端子２７、２８と
接続されるように延出され、表示領域１５に最も近接す
るものが最上部のセグメント基板側コモン端子２７、２
８に接続されるように最も長く延出されて、表示領域１
５の上下方向のほぼ全域に亘って配置されている。
【００２３】図４において、コモン基板１２の下面にお
いて表示領域１５の左外側および右外側にはそれぞれ複
数のコモン基板側コモン端子３１、３２が設けられてい
る。コモン基板側コモン端子３１、３２は、図１に示す
表示領域１５の上下方向のほぼ全域に亘って配置されて
いる。
いて表示領域１５の左外側および右外側にはそれぞれ複
数のコモン基板側コモン端子３１、３２が設けられてい
る。コモン基板側コモン端子３１、３２は、図１に示す
表示領域１５の上下方向のほぼ全域に亘って配置されて
いる。
【００２４】この場合、図４に示すように、コモン基板
側コモン端子３１、３２の外端面はその近傍におけるコ
モン基板１２の左端面もしくは右端面から同じ距離だけ
離れた位置に配置され、内端面はその近傍における表示
領域１５の左辺もしくは右辺から同じ距離だけ離れた位
置に配置されている。換言すれば、コモン基板側コモン
端子３１、３２は、同じ長さで等間隔に配列されてい
る。
側コモン端子３１、３２の外端面はその近傍におけるコ
モン基板１２の左端面もしくは右端面から同じ距離だけ
離れた位置に配置され、内端面はその近傍における表示
領域１５の左辺もしくは右辺から同じ距離だけ離れた位
置に配置されている。換言すれば、コモン基板側コモン
端子３１、３２は、同じ長さで等間隔に配列されてい
る。
【００２５】また、図４に示すように、表示領域１５内
に設けられた複数のコモン電極１７のうちの１本おきの
一方のコモン電極１７の左端部は左側のコモン基板側コ
モン端子３１に接続されている。複数のコモン電極１７
のうちの１本おきの他方のコモン電極１７の右端部は右
側のコモン基板側コモン端子３２に接続されている。
に設けられた複数のコモン電極１７のうちの１本おきの
一方のコモン電極１７の左端部は左側のコモン基板側コ
モン端子３１に接続されている。複数のコモン電極１７
のうちの１本おきの他方のコモン電極１７の右端部は右
側のコモン基板側コモン端子３２に接続されている。
【００２６】そして、互いに対応するコモン基板側コモ
ン端子３１、３２とセグメント基板側コモン端子２７、
２８とは、図２に示すように、これらとシール材１３と
が重なる領域において、シール材１３中に混入された導
電性粒子からなる導電材３３（図５参照）を介して導電
接続されている。
ン端子３１、３２とセグメント基板側コモン端子２７、
２８とは、図２に示すように、これらとシール材１３と
が重なる領域において、シール材１３中に混入された導
電性粒子からなる導電材３３（図５参照）を介して導電
接続されている。
【００２７】これにより、半導体チップ搭載領域１８内
に設けられた複数のコモン用出力端子２２は、コモン用
出力配線２９、３０、セグメント基板側コモン端子２
７、２８、導電材３３およびコモン基板側コモン端子３
１、３２を介してコモン電極１７に接続されている。
に設けられた複数のコモン用出力端子２２は、コモン用
出力配線２９、３０、セグメント基板側コモン端子２
７、２８、導電材３３およびコモン基板側コモン端子３
１、３２を介してコモン電極１７に接続されている。
【００２８】この場合、上述の如く、半導体チップ搭載
領域１８内に設けられた複数のセグメント用出力端子２
１は、セグメント用出力配線２４を介してセグメント電
極１６に接続されている。従って、半導体チップ搭載領
域１８上に搭載された１つの半導体チップ１９は、複数
のセグメント電極１６および複数のコモン電極１７にそ
れぞれ電圧を供給するセグメント電極およびコモン電極
駆動用の駆動回路が内蔵されたものである。
領域１８内に設けられた複数のセグメント用出力端子２
１は、セグメント用出力配線２４を介してセグメント電
極１６に接続されている。従って、半導体チップ搭載領
域１８上に搭載された１つの半導体チップ１９は、複数
のセグメント電極１６および複数のコモン電極１７にそ
れぞれ電圧を供給するセグメント電極およびコモン電極
駆動用の駆動回路が内蔵されたものである。
【００２９】ここで、図２に示すように、シール材１３
の右辺部外壁面は、両基板１１、１２の右端面と両コモ
ン端子２８、３２の外端面との間のほぼ中央部に配置さ
れている。シール材１３の右辺部内壁面は、図２におい
て最も下側のセグメント基板側コモン端子２８の内端面
よりもやや外側に配置されている。換言すれば、両コモ
ン端子２８、３２は、シール材３２の外壁面と表示領域
１５との間に配置されている。このようなシール材１３
の配置は、図１の左辺部についても同様である。
の右辺部外壁面は、両基板１１、１２の右端面と両コモ
ン端子２８、３２の外端面との間のほぼ中央部に配置さ
れている。シール材１３の右辺部内壁面は、図２におい
て最も下側のセグメント基板側コモン端子２８の内端面
よりもやや外側に配置されている。換言すれば、両コモ
ン端子２８、３２は、シール材３２の外壁面と表示領域
１５との間に配置されている。このようなシール材１３
の配置は、図１の左辺部についても同様である。
【００３０】次に、両電極１６、１７等の構造および材
質について、図５に示す、図２のＡ−Ａ線に沿う部分お
よび表示領域１５の一部の断面図を参照して説明する。
コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示すコ
モン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の幅内お
よびその外壁面より外側領域ではＩＴＯ等の透明酸化金
属層３０ｂのみの単層構造であり、シール材１３の内壁
面よりも内側領域では、後述する低抵抗金属層３０ａ上
に透明酸化金属層３０ｂが設けられた２層構造となって
いる。低抵抗金属層３０ａは、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍ
ｏ、Ａｌ、Ａｇおよびそれらの合金等の透明酸化金属層
よりも低抵抗の金属によって形成されている（以下、同
じ）。
質について、図５に示す、図２のＡ−Ａ線に沿う部分お
よび表示領域１５の一部の断面図を参照して説明する。
コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示すコ
モン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の幅内お
よびその外壁面より外側領域ではＩＴＯ等の透明酸化金
属層３０ｂのみの単層構造であり、シール材１３の内壁
面よりも内側領域では、後述する低抵抗金属層３０ａ上
に透明酸化金属層３０ｂが設けられた２層構造となって
いる。低抵抗金属層３０ａは、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍ
ｏ、Ａｌ、Ａｇおよびそれらの合金等の透明酸化金属層
よりも低抵抗の金属によって形成されている（以下、同
じ）。
【００３１】両電極１６、１７はＩＴＯ等の透明酸化金
属層の１層構造となっている。コモン基板側コモン端子
３１、３２は、ＩＴＯ等の透明酸化金属層の１層構造と
なっている。また、セグメント基板側コモン端子２７、
２８は、図２に示すように、それぞれ、その長さが異な
っており、シール材２８の幅内の部分は透明酸化金属層
の１層構造とされ、シール材２８の内壁面より内側領域
の部分は、低抵抗金属層３０ａ上に透明酸化金属層３０
ｂが設けられた２層構造となっている。
属層の１層構造となっている。コモン基板側コモン端子
３１、３２は、ＩＴＯ等の透明酸化金属層の１層構造と
なっている。また、セグメント基板側コモン端子２７、
２８は、図２に示すように、それぞれ、その長さが異な
っており、シール材２８の幅内の部分は透明酸化金属層
の１層構造とされ、シール材２８の内壁面より内側領域
の部分は、低抵抗金属層３０ａ上に透明酸化金属層３０
ｂが設けられた２層構造となっている。
【００３２】また、図示していないが、図３を参照して
説明すると、セグメント用出力端子２１、コモン用出力
端子２２、入力端子２３、セグメント用出力配線２４、
外部接続端子２５および入力配線２６は透明酸化金属層
の１層構造となっている。
説明すると、セグメント用出力端子２１、コモン用出力
端子２２、入力端子２３、セグメント用出力配線２４、
外部接続端子２５および入力配線２６は透明酸化金属層
の１層構造となっている。
【００３３】このように、この液晶表示素子では、特
に、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示
すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の内
壁面より内側領域における部分を、低抵抗金属層３０ａ
と透明酸化金属層３０ｂの２層構造としているので、こ
の部分におけるコモン用出力配線２９、３０の幅を比較
的狭くしても必要な低抵抗値を確保することができる。
に、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示
すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の内
壁面より内側領域における部分を、低抵抗金属層３０ａ
と透明酸化金属層３０ｂの２層構造としているので、こ
の部分におけるコモン用出力配線２９、３０の幅を比較
的狭くしても必要な低抵抗値を確保することができる。
【００３４】この場合、上述した通り、コモン用出力配
線２９、３０は、特に、表示領域１５に近接するもの
程、上部側に向かって長く延出されているため、その低
抵抗値化の効果は大きく、その幅を小さくすることが可
能となるので、図１〜図３において、表示領域１５の左
外側および右外側におけるコモン用出力配線２９、３０
の引き回し領域の幅を小さくすることができ、ひいては
額縁の幅を狭くすることができる。
線２９、３０は、特に、表示領域１５に近接するもの
程、上部側に向かって長く延出されているため、その低
抵抗値化の効果は大きく、その幅を小さくすることが可
能となるので、図１〜図３において、表示領域１５の左
外側および右外側におけるコモン用出力配線２９、３０
の引き回し領域の幅を小さくすることができ、ひいては
額縁の幅を狭くすることができる。
【００３５】また、この液晶表示素子では、シール材１
３の配置領域およびその外側においては、コモン用出力
配線２９、３０を含むすべての配線を腐食しない透明酸
化金属層の１層構造としているので、これらの配線に水
分が付着しても腐食しないようにすることができる。
３の配置領域およびその外側においては、コモン用出力
配線２９、３０を含むすべての配線を腐食しない透明酸
化金属層の１層構造としているので、これらの配線に水
分が付着しても腐食しないようにすることができる。
【００３６】次に、図６はこの発明の第２実施形態とし
ての液晶表示素子の図５同様の断面図を示したものであ
る。この液晶表示素子では、コモン用出力配線３０（図
３において符号２９で示すコモン用出力配線も同じ）の
うち、シール材１３の内壁面より内側領域における部分
は、低抵抗金属層３０ａの１層構造となっており、それ
以外の部分は透明酸化金属層の１層構造となっている。
ての液晶表示素子の図５同様の断面図を示したものであ
る。この液晶表示素子では、コモン用出力配線３０（図
３において符号２９で示すコモン用出力配線も同じ）の
うち、シール材１３の内壁面より内側領域における部分
は、低抵抗金属層３０ａの１層構造となっており、それ
以外の部分は透明酸化金属層の１層構造となっている。
【００３７】両電極１６、１７は透明酸化金属層の１層
構造となっている。コモン基板側コモン端子３１、３２
は、ＩＴＯ等の透明酸化金属層の１層構造となってい
る。また、セグメント基板側コモン端子２７、２８は、
シール材２８の幅内の部分において、透明酸化金属層の
１層構造とされ、シール材２８の内壁面から内側領域の
部分は、低抵抗金属層の１層構造となっている。また、
図示していないが、図３を参照して説明すると、セグメ
ント用出力端子２１、コモン用出力端子２２、入力端子
２３、セグメント用出力配線２４、外部接続端子２５お
よび入力配線２６は透明酸化金属層の１層構造となって
いる。
構造となっている。コモン基板側コモン端子３１、３２
は、ＩＴＯ等の透明酸化金属層の１層構造となってい
る。また、セグメント基板側コモン端子２７、２８は、
シール材２８の幅内の部分において、透明酸化金属層の
１層構造とされ、シール材２８の内壁面から内側領域の
部分は、低抵抗金属層の１層構造となっている。また、
図示していないが、図３を参照して説明すると、セグメ
ント用出力端子２１、コモン用出力端子２２、入力端子
２３、セグメント用出力配線２４、外部接続端子２５お
よび入力配線２６は透明酸化金属層の１層構造となって
いる。
【００３８】このように、この液晶表示素子では、特
に、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示
すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の幅
内における部分を、低抵抗金属層３０ａの１層構造とし
ているので、コモン用出力配線３０の幅を比較的狭くし
ても必要な低抵抗値を確保することができる。この結
果、図１〜図３において、表示領域１５の左外側および
右外側におけるコモン用出力配線２９、３０の引き回し
領域の幅を小さくすることができ、ひいては額縁の幅を
狭くすることができる。
に、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示
すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の幅
内における部分を、低抵抗金属層３０ａの１層構造とし
ているので、コモン用出力配線３０の幅を比較的狭くし
ても必要な低抵抗値を確保することができる。この結
果、図１〜図３において、表示領域１５の左外側および
右外側におけるコモン用出力配線２９、３０の引き回し
領域の幅を小さくすることができ、ひいては額縁の幅を
狭くすることができる。
【００３９】また、この液晶表示素子では、シール材１
３の幅内およびその外壁面より外側領域においては、コ
モン用出力配線２９、３０を含むすべての配線を腐食し
ない透明酸化金属層の１層構造としているので、これら
の配線に水分が付着しても腐食しないようにすることが
できる。
３の幅内およびその外壁面より外側領域においては、コ
モン用出力配線２９、３０を含むすべての配線を腐食し
ない透明酸化金属層の１層構造としているので、これら
の配線に水分が付着しても腐食しないようにすることが
できる。
【００４０】さらに、この液晶表示素子では、コモン用
出力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出
力配線も同じ）のうち、シール材１３の幅内における部
分を、低抵抗金属層３０ａの１層構造としているので、
図５に示す２層構造の場合と比較して、この部分におけ
る段差が緩和され、ギャップの均一化を図ることができ
る。
出力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出
力配線も同じ）のうち、シール材１３の幅内における部
分を、低抵抗金属層３０ａの１層構造としているので、
図５に示す２層構造の場合と比較して、この部分におけ
る段差が緩和され、ギャップの均一化を図ることができ
る。
【００４１】なお、図５および図６において、低抵抗金
属層３０ａが、シール材１５の幅内に形成されると腐食
され易い材料の場合、シール材１５は、内壁面および外
壁面の位置がかなりばらつくため、そのばらつきを見込
んだ距離分、低抵抗金属層３０ａの端面をシール材１５
の内壁面より内側領域および外壁面より内側領域に位置
させるようにしてもよい。いずれにしても、シール材１
３の外側においては、コモン用出力配線２９、３０を含
むすべての配線は透明酸化金属層の１層構造であり、こ
れらの配線に水分が付着しても腐食しないようにするこ
とができる。
属層３０ａが、シール材１５の幅内に形成されると腐食
され易い材料の場合、シール材１５は、内壁面および外
壁面の位置がかなりばらつくため、そのばらつきを見込
んだ距離分、低抵抗金属層３０ａの端面をシール材１５
の内壁面より内側領域および外壁面より内側領域に位置
させるようにしてもよい。いずれにしても、シール材１
３の外側においては、コモン用出力配線２９、３０を含
むすべての配線は透明酸化金属層の１層構造であり、こ
れらの配線に水分が付着しても腐食しないようにするこ
とができる。
【００４２】次に、図７はこの発明の第３実施形態とし
ての液晶表示素子の図５同様の断面図を示したものであ
る。この液晶表示素子では、コモン用出力配線３０（図
３において符号２９で示すコモン用出力配線も同じ）の
うち、シール材１３の内壁面より外側領域における部分
は、透明酸化金属層３０ｂ上に低抵抗金属層３０ａが設
けられた２層構造となっており、それ以外の部分は透明
酸化金属層の１層構造となっている。
ての液晶表示素子の図５同様の断面図を示したものであ
る。この液晶表示素子では、コモン用出力配線３０（図
３において符号２９で示すコモン用出力配線も同じ）の
うち、シール材１３の内壁面より外側領域における部分
は、透明酸化金属層３０ｂ上に低抵抗金属層３０ａが設
けられた２層構造となっており、それ以外の部分は透明
酸化金属層の１層構造となっている。
【００４３】また、セグメント基板側コモン端子２７、
２８は、図２に示すように、それぞれ、その長さが異な
っており、シール材２８の幅内の部分は透明酸化金属層
の１層構造とされ、シール材２８の内壁面より内側領域
の部分は、、透明酸化金属層２８ｂ上に低抵抗金属層２
８ａが設けられた２層構造となっている。両電極１６、
１７は透明酸化金属層の１層構造となっている。また、
図示していないが、図３を参照して説明すると、セグメ
ント用出力端子２１、コモン用出力端子２２、入力端子
２３、セグメント用出力配線２４、外部接続端子２５お
よび入力配線２６は透明酸化金属層の１層構造となって
いる。
２８は、図２に示すように、それぞれ、その長さが異な
っており、シール材２８の幅内の部分は透明酸化金属層
の１層構造とされ、シール材２８の内壁面より内側領域
の部分は、、透明酸化金属層２８ｂ上に低抵抗金属層２
８ａが設けられた２層構造となっている。両電極１６、
１７は透明酸化金属層の１層構造となっている。また、
図示していないが、図３を参照して説明すると、セグメ
ント用出力端子２１、コモン用出力端子２２、入力端子
２３、セグメント用出力配線２４、外部接続端子２５お
よび入力配線２６は透明酸化金属層の１層構造となって
いる。
【００４４】このように、この液晶表示素子では、特
に、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示
すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の内
壁面より内側領域における部分を、透明酸化金属層３０
ｂと低抵抗金属層３０ａの２層構造としているので、コ
モン用出力配線３０の幅を比較的狭くしても必要な低抵
抗値を確保することができる。この結果、図１〜図３に
おいて、表示領域１５の左外側および右外側におけるコ
モン用出力配線２９、３０の引き回し領域の幅を小さく
することができ、ひいては額縁の幅を狭くすることがで
きる。
に、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示
すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の内
壁面より内側領域における部分を、透明酸化金属層３０
ｂと低抵抗金属層３０ａの２層構造としているので、コ
モン用出力配線３０の幅を比較的狭くしても必要な低抵
抗値を確保することができる。この結果、図１〜図３に
おいて、表示領域１５の左外側および右外側におけるコ
モン用出力配線２９、３０の引き回し領域の幅を小さく
することができ、ひいては額縁の幅を狭くすることがで
きる。
【００４５】また、この液晶表示素子では、シール材１
３の幅内およびその外壁面より外側領域において、コモ
ン用出力配線２９、３０は透明酸化金属層の１層構造と
しているので、これらの配線に水分が付着しても腐食し
ないようにすることができる。
３の幅内およびその外壁面より外側領域において、コモ
ン用出力配線２９、３０は透明酸化金属層の１層構造と
しているので、これらの配線に水分が付着しても腐食し
ないようにすることができる。
【００４６】さらに、この液晶表示素子では、例えば、
コモン用出力配線３０のうち、シール材１３の内壁面よ
り内側領域における部分を、透明酸化金属層３０ｂ上に
低抵抗金属層３０ａが設けられた２層構造としているの
で、透明酸化金属層および低抵抗金属層をこの順で連続
して成膜し、この成膜された低抵抗金属層および透明酸
化金属層をこの順でパターニングすることができる。
コモン用出力配線３０のうち、シール材１３の内壁面よ
り内側領域における部分を、透明酸化金属層３０ｂ上に
低抵抗金属層３０ａが設けられた２層構造としているの
で、透明酸化金属層および低抵抗金属層をこの順で連続
して成膜し、この成膜された低抵抗金属層および透明酸
化金属層をこの順でパターニングすることができる。
【００４７】これに対し、図５に示す第１実施形態の場
合には、透明酸化金属層を成膜し、次いでこの成膜され
た透明酸化金属層をパターニングし、次いで低抵抗金属
層を成膜し、次いでこの成膜された低抵抗金属層をパタ
ーニングすることになる。従って、本実施形態の場合に
は、図５に示す第１実施形態と比較して、透明酸化金属
層および低抵抗金属層をこの順で連続して成膜すること
ができるため、生産性の向上を図ることができる。
合には、透明酸化金属層を成膜し、次いでこの成膜され
た透明酸化金属層をパターニングし、次いで低抵抗金属
層を成膜し、次いでこの成膜された低抵抗金属層をパタ
ーニングすることになる。従って、本実施形態の場合に
は、図５に示す第１実施形態と比較して、透明酸化金属
層および低抵抗金属層をこの順で連続して成膜すること
ができるため、生産性の向上を図ることができる。
【００４８】次に、図８はこの発明の第４実施形態とし
ての液晶表示素子の図５同様の断面図を示したものであ
る。この液晶表示素子では、反射型であり、コモン用出
力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出力
配線も同じ）のうち、シール材１３の内壁面より内側領
域における部分は、低抵抗金属層３０ａの１層構造とな
っており、それ以外の部分は透明酸化金属層の１層構造
となっている。
ての液晶表示素子の図５同様の断面図を示したものであ
る。この液晶表示素子では、反射型であり、コモン用出
力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出力
配線も同じ）のうち、シール材１３の内壁面より内側領
域における部分は、低抵抗金属層３０ａの１層構造とな
っており、それ以外の部分は透明酸化金属層の１層構造
となっている。
【００４９】セグメント基板側コモン端子２８（図３に
おいて符号２７で示すセグメント基板側コモン端子も同
じ）は低抵抗金属層の１層構造となっている。コモン基
板側コモン端子３２（図４において符号３１で示すコモ
ン基板側コモン端子も同じ）は透明酸化金属層の１層構
造となっている。セグメント電極１６は低抵抗金属層の
１層構造となっている。コモン電極１７は透明酸化金属
層の１層構造となっている。また、図示していないが、
図３を参照して説明すると、セグメント用出力端子２
１、コモン用出力端子２２、入力端子２３、セグメント
用出力配線２４、外部接続端子２５および入力配線２６
は透明酸化金属層の１層構造となっている。
おいて符号２７で示すセグメント基板側コモン端子も同
じ）は低抵抗金属層の１層構造となっている。コモン基
板側コモン端子３２（図４において符号３１で示すコモ
ン基板側コモン端子も同じ）は透明酸化金属層の１層構
造となっている。セグメント電極１６は低抵抗金属層の
１層構造となっている。コモン電極１７は透明酸化金属
層の１層構造となっている。また、図示していないが、
図３を参照して説明すると、セグメント用出力端子２
１、コモン用出力端子２２、入力端子２３、セグメント
用出力配線２４、外部接続端子２５および入力配線２６
は透明酸化金属層の１層構造となっている。
【００５０】このように、この液晶表示素子では、特
に、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示
すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の内
壁面より内側領域における部分を、低抵抗金属層３０ａ
の１層構造としているので、コモン用出力配線３０の幅
を比較的狭くしても必要な低抵抗値を確保することがで
きる。この結果、図１〜図３において、表示領域１５の
左外側および右外側におけるコモン用出力配線２９、３
０の引き回し領域の幅を小さくすることができ、ひいて
は額縁の幅を狭くすることができる。
に、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示
すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の内
壁面より内側領域における部分を、低抵抗金属層３０ａ
の１層構造としているので、コモン用出力配線３０の幅
を比較的狭くしても必要な低抵抗値を確保することがで
きる。この結果、図１〜図３において、表示領域１５の
左外側および右外側におけるコモン用出力配線２９、３
０の引き回し領域の幅を小さくすることができ、ひいて
は額縁の幅を狭くすることができる。
【００５１】また、この液晶表示素子では、シール材１
３の幅内およびその外壁面より外側領域において、コモ
ン用出力配線２９、３０は透明酸化金属層の１層構造と
しているので、これらの配線に水分が付着しても腐食し
ないようにすることができる。
３の幅内およびその外壁面より外側領域において、コモ
ン用出力配線２９、３０は透明酸化金属層の１層構造と
しているので、これらの配線に水分が付着しても腐食し
ないようにすることができる。
【００５２】次に、図９はこの発明の第５実施形態とし
ての液晶表示素子の図５同様の断面図を示したものであ
る。この液晶表示素子では、反射型であり、コモン用出
力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出力
配線も同じ）のうち、シール材１３の内壁面より内側領
域における部分は、低抵抗金属層３０ａ上に透明酸化金
属層３０ｂが設けられた２層構造となっており、それ以
外の部分は透明酸化金属層の１層構造となっている。
ての液晶表示素子の図５同様の断面図を示したものであ
る。この液晶表示素子では、反射型であり、コモン用出
力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出力
配線も同じ）のうち、シール材１３の内壁面より内側領
域における部分は、低抵抗金属層３０ａ上に透明酸化金
属層３０ｂが設けられた２層構造となっており、それ以
外の部分は透明酸化金属層の１層構造となっている。
【００５３】セグメント基板側コモン端子２８（図３に
おいて符号２７で示すセグメント基板側コモン端子も同
じ）は、低抵抗金属層２８ａ上に透明酸化金属層２８ｂ
が設けられた２層構造となっている。コモン基板側コモ
ン端子３２（図４において符号３１で示すコモン基板側
コモン端子も同じ）は透明酸化金属層の１層構造となっ
ている。セグメント電極１６は、低抵抗金属層１６ａ上
に透明酸化金属層１６ｂが設けられた２層構造となって
いる。コモン電極１７は透明酸化金属層の１層構造とな
っている。また、図示していないが、図３を参照して説
明すると、セグメント用出力端子２１、コモン用出力端
子２２、入力端子２３、セグメント用出力配線２４、外
部接続端子２５および入力配線２６は透明酸化金属層の
１層構造となっている。
おいて符号２７で示すセグメント基板側コモン端子も同
じ）は、低抵抗金属層２８ａ上に透明酸化金属層２８ｂ
が設けられた２層構造となっている。コモン基板側コモ
ン端子３２（図４において符号３１で示すコモン基板側
コモン端子も同じ）は透明酸化金属層の１層構造となっ
ている。セグメント電極１６は、低抵抗金属層１６ａ上
に透明酸化金属層１６ｂが設けられた２層構造となって
いる。コモン電極１７は透明酸化金属層の１層構造とな
っている。また、図示していないが、図３を参照して説
明すると、セグメント用出力端子２１、コモン用出力端
子２２、入力端子２３、セグメント用出力配線２４、外
部接続端子２５および入力配線２６は透明酸化金属層の
１層構造となっている。
【００５４】このように、この液晶表示素子では、特
に、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示
すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の内
壁面より内側領域における部分を、低抵抗金属層３０ａ
上に透明酸化金属層３０ｂが設けられた２層構造として
いるので、コモン用出力配線３０の幅を比較的狭くして
も必要な低抵抗値を確保することができる。この結果、
図１〜図３において、表示領域１５の左外側および右外
側におけるコモン用出力配線２９、３０の引き回し領域
の幅を小さくすることができ、ひいては額縁の幅を狭く
することができる。
に、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示
すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の内
壁面より内側領域における部分を、低抵抗金属層３０ａ
上に透明酸化金属層３０ｂが設けられた２層構造として
いるので、コモン用出力配線３０の幅を比較的狭くして
も必要な低抵抗値を確保することができる。この結果、
図１〜図３において、表示領域１５の左外側および右外
側におけるコモン用出力配線２９、３０の引き回し領域
の幅を小さくすることができ、ひいては額縁の幅を狭く
することができる。
【００５５】また、この液晶表示素子では、シール材１
３の幅内およびその外壁面より外側領域において、コモ
ン用出力配線２９、３０は透明酸化金属層の１層構造と
しているので、これらの配線に水分が付着しても腐食し
ないようにすることができる。
３の幅内およびその外壁面より外側領域において、コモ
ン用出力配線２９、３０は透明酸化金属層の１層構造と
しているので、これらの配線に水分が付着しても腐食し
ないようにすることができる。
【００５６】次に、図１０はこの発明の第６実施形態と
しての液晶表示素子の図５同様の断面図を示したもので
ある。この液晶表示素子では、反射型であり、コモン用
出力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出
力配線も同じ）のうち、シール材１３の内壁面より内側
領域における部分は、透明酸化金属層３０ｂ上に低抵抗
金属層３０ａが設けられた２層構造となっており、それ
以外の部分は透明酸化金属層の１層構造となっている。
しての液晶表示素子の図５同様の断面図を示したもので
ある。この液晶表示素子では、反射型であり、コモン用
出力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出
力配線も同じ）のうち、シール材１３の内壁面より内側
領域における部分は、透明酸化金属層３０ｂ上に低抵抗
金属層３０ａが設けられた２層構造となっており、それ
以外の部分は透明酸化金属層の１層構造となっている。
【００５７】セグメント基板側コモン端子２８（図３に
おいて符号２７で示すセグメント基板側コモン端子も同
じ）は、透明酸化金属層２８ｂ上に低抵抗金属層２８ａ
が設けられた２層構造となっている。コモン基板側コモ
ン端子３２（図４において符号３１で示すコモン基板側
コモン端子も同じ）は透明酸化金属層の１層構造となっ
ている。セグメント電極１６は、透明酸化金属層１６ｂ
上に低抵抗金属層１６ａが設けられた２層構造となって
いる。コモン電極１７は透明酸化金属層の１層構造とな
っている。また、図示していないが、図３を参照して説
明すると、セグメント用出力端子２１、コモン用出力端
子２２、入力端子２３、セグメント用出力配線２４、外
部接続端子２５および入力配線２６は透明酸化金属層の
１層構造となっている。
おいて符号２７で示すセグメント基板側コモン端子も同
じ）は、透明酸化金属層２８ｂ上に低抵抗金属層２８ａ
が設けられた２層構造となっている。コモン基板側コモ
ン端子３２（図４において符号３１で示すコモン基板側
コモン端子も同じ）は透明酸化金属層の１層構造となっ
ている。セグメント電極１６は、透明酸化金属層１６ｂ
上に低抵抗金属層１６ａが設けられた２層構造となって
いる。コモン電極１７は透明酸化金属層の１層構造とな
っている。また、図示していないが、図３を参照して説
明すると、セグメント用出力端子２１、コモン用出力端
子２２、入力端子２３、セグメント用出力配線２４、外
部接続端子２５および入力配線２６は透明酸化金属層の
１層構造となっている。
【００５８】このように、この液晶表示素子では、特
に、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示
すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の内
壁面より内側領域における部分は、透明酸化金属層３０
ｂ上に低抵抗金属層３０ａが設けられた２層構造として
いるので、コモン用出力配線３０の幅を比較的狭くして
も必要な低抵抗値を確保することができる。この結果、
図１〜図３において、表示領域１５の左外側および右外
側におけるコモン用出力配線２９、３０の引き回し領域
の幅を小さくすることができ、ひいては額縁の幅を狭く
することができる。
に、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示
すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の内
壁面より内側領域における部分は、透明酸化金属層３０
ｂ上に低抵抗金属層３０ａが設けられた２層構造として
いるので、コモン用出力配線３０の幅を比較的狭くして
も必要な低抵抗値を確保することができる。この結果、
図１〜図３において、表示領域１５の左外側および右外
側におけるコモン用出力配線２９、３０の引き回し領域
の幅を小さくすることができ、ひいては額縁の幅を狭く
することができる。
【００５９】また、この液晶表示素子では、シール材１
３の幅内およびその外壁面より外側領域においては、コ
モン用出力配線２９、３０は透明酸化金属層の１層構造
としているので、これらの配線に水分が付着しても腐食
しないようにすることができる。
３の幅内およびその外壁面より外側領域においては、コ
モン用出力配線２９、３０は透明酸化金属層の１層構造
としているので、これらの配線に水分が付着しても腐食
しないようにすることができる。
【００６０】さらに、この液晶表示素子では、例えば、
コモン用出力配線３０のうち、シール材１３の内側にお
ける部分を、透明酸化金属層３０ｂ上に低抵抗金属層３
０ａが設けられた２層構造としているので、透明酸化金
属層および低抵抗金属層をこの順で連続して成膜し、こ
の成膜された低抵抗金属層および透明酸化金属層をこの
順でパターニングすることができる。
コモン用出力配線３０のうち、シール材１３の内側にお
ける部分を、透明酸化金属層３０ｂ上に低抵抗金属層３
０ａが設けられた２層構造としているので、透明酸化金
属層および低抵抗金属層をこの順で連続して成膜し、こ
の成膜された低抵抗金属層および透明酸化金属層をこの
順でパターニングすることができる。
【００６１】これに対し、図９に示す第５実施形態の場
合には、透明酸化金属層を成膜し、次いでこの成膜され
た透明酸化金属層をパターニングし、次いで低抵抗金属
層を成膜し、次いでこの成膜された低抵抗金属層をパタ
ーニングすることになる。従って、本実施形態の場合に
は、図９に示す第５の施形態と比較して、透明酸化金属
層および低抵抗金属層をこの順で連続して成膜すること
ができるため、生産性の向上を図ることができる。
合には、透明酸化金属層を成膜し、次いでこの成膜され
た透明酸化金属層をパターニングし、次いで低抵抗金属
層を成膜し、次いでこの成膜された低抵抗金属層をパタ
ーニングすることになる。従って、本実施形態の場合に
は、図９に示す第５の施形態と比較して、透明酸化金属
層および低抵抗金属層をこの順で連続して成膜すること
ができるため、生産性の向上を図ることができる。
【００６２】なお、図７〜図１０において、低抵抗金属
層３０ａが、シール材１５の幅内に形成されると腐食さ
れ易い材料の場合、低抵抗金属層３０ａの端面をシール
材１５のばらつきを見込んだ距離分、シール材１５の内
壁面の内側領域および外壁面の外側領域に位置させるよ
うにしてもよい。いずれにしても、シール材１３の外側
においては、コモン用出力配線２９、３０を含むすべて
の配線は透明酸化金属層の１層構造であり、これらの配
線に水分が付着しても腐食しないようにすることができ
る。
層３０ａが、シール材１５の幅内に形成されると腐食さ
れ易い材料の場合、低抵抗金属層３０ａの端面をシール
材１５のばらつきを見込んだ距離分、シール材１５の内
壁面の内側領域および外壁面の外側領域に位置させるよ
うにしてもよい。いずれにしても、シール材１３の外側
においては、コモン用出力配線２９、３０を含むすべて
の配線は透明酸化金属層の１層構造であり、これらの配
線に水分が付着しても腐食しないようにすることができ
る。
【００６３】ところで、上記実施形態では、セグメント
用出力配線２４を透明酸化金属層の１層構造としている
が、図２に示すように、シール材１３の外壁面よりも内
側におけるセグメント用出力配線２４の引き回し領域は
比較的小さいので、その抵抗値はあまり問題とはならな
い。しかし、シール材１３の外壁面よりも内側における
セグメント用出力配線２４も、上記コモン用出力配線２
９、３０の場合と同様に、低抵抗化を図るようにしても
よいことは勿論である。
用出力配線２４を透明酸化金属層の１層構造としている
が、図２に示すように、シール材１３の外壁面よりも内
側におけるセグメント用出力配線２４の引き回し領域は
比較的小さいので、その抵抗値はあまり問題とはならな
い。しかし、シール材１３の外壁面よりも内側における
セグメント用出力配線２４も、上記コモン用出力配線２
９、３０の場合と同様に、低抵抗化を図るようにしても
よいことは勿論である。
【００６４】また、上記実施形態において、セグメント
用出力端子２１、コモン用出力端子２２および入力端子
２３を透明酸化金属層の１層構造としたが、これらの各
端子は半導体チップのボンディングされるため、透明酸
化金属層とこの透明酸化金属層よりも低抵抗の金属層の
２層構造としてもよい。この場合、図１０に図示される
配線３０ａ、３０ｂと合わせ、各端子を透明酸化金属層
上にこの透明酸化金属層よりも低抵抗の金属層を形成す
るようにすれば、生産を効率的にすることができる。
用出力端子２１、コモン用出力端子２２および入力端子
２３を透明酸化金属層の１層構造としたが、これらの各
端子は半導体チップのボンディングされるため、透明酸
化金属層とこの透明酸化金属層よりも低抵抗の金属層の
２層構造としてもよい。この場合、図１０に図示される
配線３０ａ、３０ｂと合わせ、各端子を透明酸化金属層
上にこの透明酸化金属層よりも低抵抗の金属層を形成す
るようにすれば、生産を効率的にすることができる。
【００６５】さらに、上記実施形態では、セグメント電
極１６とコモン電極１７とが、それぞれ、セグメント基
板１とコモン基板２に直線状に配列された単純マトリク
ス型の液晶表示素子としたが、本発明は走査電極とデー
タ電極がアクティブ基板上に形成され、コモン電極が対
向基板に形成されたアクティブマトリクス型の液晶表示
素子にも適用できるものであり、その場合、走査電極と
データ電極の両方または一方に接続される配線の中、シ
ール材の内壁面より内側領域の部分を低抵抗化するよう
にすればよい。
極１６とコモン電極１７とが、それぞれ、セグメント基
板１とコモン基板２に直線状に配列された単純マトリク
ス型の液晶表示素子としたが、本発明は走査電極とデー
タ電極がアクティブ基板上に形成され、コモン電極が対
向基板に形成されたアクティブマトリクス型の液晶表示
素子にも適用できるものであり、その場合、走査電極と
データ電極の両方または一方に接続される配線の中、シ
ール材の内壁面より内側領域の部分を低抵抗化するよう
にすればよい。
【００６６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、少なくとも、第２の配線を、シール材の内壁面の外
側と表示領域間において透明酸化金属よりも低抵抗の金
属で形成しているので、第２の配線の少なくとも一部を
低抵抗に維持してその幅を狭くすることができ、ひいて
は第２の配線の引き回し領域を小さくすることができ、
しかも、シール材の外壁面より外側領域の第１の配線お
よびシール材の外壁面より外側領域の第２の配線を透明
酸化金属で形成しているので、水分の付着に起因する腐
食が生じないようにすることができる。
ば、少なくとも、第２の配線を、シール材の内壁面の外
側と表示領域間において透明酸化金属よりも低抵抗の金
属で形成しているので、第２の配線の少なくとも一部を
低抵抗に維持してその幅を狭くすることができ、ひいて
は第２の配線の引き回し領域を小さくすることができ、
しかも、シール材の外壁面より外側領域の第１の配線お
よびシール材の外壁面より外側領域の第２の配線を透明
酸化金属で形成しているので、水分の付着に起因する腐
食が生じないようにすることができる。
【図１】この発明の第１実施形態としての液晶表示素子
の要部の平面図。
の要部の平面図。
【図２】図１に示す液晶表示素子の一部の透過平面図。
【図３】図１に示すセグメント基板の一部の平面図。
【図４】図１に示すコモン基板の一部の透過平面図。
【図５】図２のＡ−Ａ線に沿う部分および表示領域の一
部の断面図。
部の断面図。
【図６】この発明の第２実施形態としての液晶表示素子
の図５同様の断面図。
の図５同様の断面図。
【図７】この発明の第３実施形態としての液晶表示素子
の図５同様の断面図。
の図５同様の断面図。
【図８】この発明の第４実施形態としての液晶表示素子
の図５同様の断面図。
の図５同様の断面図。
【図９】この発明の第５実施形態としての液晶表示素子
の図５同様の断面図。
の図５同様の断面図。
【図１０】この発明の第６実施形態としての液晶表示素
子の図５同様の断面図。
子の図５同様の断面図。
【図１１】従来の液晶表示素子の一例の一部の断面図。
【図１２】従来の液晶表示素子の他の例の一部の断面
図。
図。
１１ セグメント基板
１２ コモン基板
１３ シール材
１４ 液晶
１５ 表示領域
１６ セグメント電極
１６ａ 低抵抗金属層
１６ｂ 透明酸化金属層
１７ コモン電極
１８ 半導体チップ搭載領域
１９ 半導体チップ
２１ セグメント用出力端子
２２ コモン用出力端子
２３ 入力端子
２４ セグメント用出力配線
２５ 外部接続端子
２６ 入力配線
２７、２８ セグメント基板側コモン端子
２８ａ 低抵抗金属層
２８ｂ 透明酸化金属層
２９、３０ コモン用出力配線
３０ａ 低抵抗金属層
３０ｂ 透明酸化金属層
３１、３２ コモン基板側コモン端子
３３ 導電材
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 石堂 修一
東京都八王子市石川町2951番地の５ カシ
オ計算機株式会社八王子研究所内
Ｆターム(参考） 2H092 GA17 GA27 GA44 GA45 HA06
HA12 HA18 JB26 KB04 NA28
PA04 PA06
5C094 AA21 AA38 BA43 CA19 DB01
DB02 EA05 FA01
Claims (8)
- 【請求項１】 第１の基板と第２の基板とがシール材で
封止され、シール材の内側領域に表示領域が形成され、
表示領域内に複数の第１の電極と、該第１の電極に直交
する複数の第２の電極が配設され、前記シール材の外側
領域に第１の端子と第２の端子が配設され、前記表示領
域の外側領域に前記第１の電極と前記第１の端子を接続
する第１の配線、および前記第２の電極と前記第２の端
子を接続する第２の配線が配設された液晶表示素子にお
いて、前記シール材の外壁面より外側領域の前記第１の
配線および前記シール材の外壁面より外側領域の前記第
２の配線を透明酸化金属で形成し、少なくとも、前記第
２の配線は、前記シール材の内壁面の外側と前記表示領
域間において前記透明酸化金属よりも低抵抗の金属で形
成したことを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】 請求項１に記載の発明において、前記第
１の端子、前記第１の配線、前記第１の電極および前記
第２の端子、前記第２の配線は前記第１の基板に形成さ
れ、前記第２の電極は前記第２の基板に形成され、前記
第２の電極と前記第２の配線とは導電材を介して接続さ
れていることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項３】 請求項１に記載の発明において、前記第
１の基板は前記第２の基板の一辺より突出した突出部を
有し、前記第１の端子および前記第２の端子は前記突出
部に形成された半導体チップ搭載領域に形成されている
ことを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項４】 請求項３に記載の発明において、前記第
２の配線は、前記表示領域の相対向する一対の側面側に
引き回されていることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項５】 請求項４に記載の発明において、前記第
２の配線は、前記第２の端子配列の１本おきに前記表示
領域の反対側の側面側に引き回されていることを特徴と
する液晶表示素子。 - 【請求項６】 請求項１に記載の発明において、前記第
２の配線は、少なくとも、前記シール材の内壁面の外側
と前記表示領域間において、前記透明酸化金属よりも低
抵抗の金属層と透明酸化金属層との２層構造であること
を特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項７】 請求項６に記載の発明において、前記透
明酸化金属よりも低抵抗の金属層上に前記透明酸化金属
層が形成されていることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項８】 請求項７に記載の発明において、前記第
１の電極は、前記透明酸化金属よりも低抵抗の金属層上
に前記透明酸化金属層が形成されていることを特徴とす
る液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001382864A JP2003186041A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001382864A JP2003186041A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | 液晶表示素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007153586A Division JP2007249235A (ja) | 2007-06-11 | 2007-06-11 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003186041A true JP2003186041A (ja) | 2003-07-03 |
Family
ID=27593077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001382864A Pending JP2003186041A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003186041A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005196217A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置及びこれの製造方法 |
| JP2005242247A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Optrex Corp | 液晶表示パネル |
| JP2008015460A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置 |
| US7525625B2 (en) | 2005-08-08 | 2009-04-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device comprising a common signal line overlapping a sealing member and including at least two conductive layers with at least one of the conductive layers changing a pattern width |
| JP2012220806A (ja) * | 2011-04-12 | 2012-11-12 | Japan Display West Co Ltd | 表示パネル、表示装置および電子機器 |
-
2001
- 2001-12-17 JP JP2001382864A patent/JP2003186041A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005196217A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置及びこれの製造方法 |
| JP2005242247A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Optrex Corp | 液晶表示パネル |
| JP4521205B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2010-08-11 | オプトレックス株式会社 | 液晶表示パネル |
| US7525625B2 (en) | 2005-08-08 | 2009-04-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device comprising a common signal line overlapping a sealing member and including at least two conductive layers with at least one of the conductive layers changing a pattern width |
| US8031318B2 (en) | 2005-08-08 | 2011-10-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| JP2008015460A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置 |
| JP2012220806A (ja) * | 2011-04-12 | 2012-11-12 | Japan Display West Co Ltd | 表示パネル、表示装置および電子機器 |
| US8908112B2 (en) | 2011-04-12 | 2014-12-09 | Japan Display West Inc. | Display panel, display device, and electronic unit |
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