JPH1124095A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH1124095A JPH1124095A JP17737997A JP17737997A JPH1124095A JP H1124095 A JPH1124095 A JP H1124095A JP 17737997 A JP17737997 A JP 17737997A JP 17737997 A JP17737997 A JP 17737997A JP H1124095 A JPH1124095 A JP H1124095A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示パネルと駆動回路との接続信頼性が
高く、製造工程の増加が少なく、大型パネルまで対応可
能なＩＰＳ方式の液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 ソース配線５１、画素電極６１をＩＴＯ
等の導電性酸化膜を含む積層膜で形成し、接続端子１０
０、３００、５００を導電性酸化膜をソース配線５１お
よび画素電極６１と同時形成して、接続端子表面を導電
性酸化膜で構成した。このとき、導電性酸化膜を含む積
層膜は、金属膜として、写真製版時の現像液中の電位
が、導電性酸化膜の電位よりも高い金属を用いる。導電
性酸化膜を、低抵抗の金属と積層することにより、配線
抵抗が低く大型パネルにも対応可能な液晶表示装置が得
られる。
高く、製造工程の増加が少なく、大型パネルまで対応可
能なＩＰＳ方式の液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 ソース配線５１、画素電極６１をＩＴＯ
等の導電性酸化膜を含む積層膜で形成し、接続端子１０
０、３００、５００を導電性酸化膜をソース配線５１お
よび画素電極６１と同時形成して、接続端子表面を導電
性酸化膜で構成した。このとき、導電性酸化膜を含む積
層膜は、金属膜として、写真製版時の現像液中の電位
が、導電性酸化膜の電位よりも高い金属を用いる。導電
性酸化膜を、低抵抗の金属と積層することにより、配線
抵抗が低く大型パネルにも対応可能な液晶表示装置が得
られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＶ、モニタ、ノ
ート型パーソナルコンピュータ、携帯端末等に用いられ
る液晶表示装置に関するものである。
ート型パーソナルコンピュータ、携帯端末等に用いられ
る液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、直視型の液晶表示装置として、高
画質が得られるという点から、画素毎にアモルファスＳ
ｉ（以下ａ−Ｓｉと記す）または多結晶Ｓｉ（以下Poly
−Ｓｉと記す）からなる薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴ
と称す）を設け、このスイッチング動作により画素電極
に電圧を印加し、液晶を駆動するアクティブマトリクス
型の液晶表示装置が多く使用されるようになった。アク
ティブマトリクス型の液晶表示装置としては、液晶に印
加する電界の方向を基板面に垂直な方向とするＴＮ（Tw
isted Nematic）表示方式が主に採用されている。近
年、広視野角を実現する技術として、液晶に印加する電
界の方向を基板面にほぼ平行な方向とするＩＰＳ（In-P
lane Switching ）方式の液晶表示装置が開発された。
画質が得られるという点から、画素毎にアモルファスＳ
ｉ（以下ａ−Ｓｉと記す）または多結晶Ｓｉ（以下Poly
−Ｓｉと記す）からなる薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴ
と称す）を設け、このスイッチング動作により画素電極
に電圧を印加し、液晶を駆動するアクティブマトリクス
型の液晶表示装置が多く使用されるようになった。アク
ティブマトリクス型の液晶表示装置としては、液晶に印
加する電界の方向を基板面に垂直な方向とするＴＮ（Tw
isted Nematic）表示方式が主に採用されている。近
年、広視野角を実現する技術として、液晶に印加する電
界の方向を基板面にほぼ平行な方向とするＩＰＳ（In-P
lane Switching ）方式の液晶表示装置が開発された。
【０００３】図４は、特開平７−３６０５８号公報に示
されたＩＰＳ方式の液晶表示装置のＴＦＴアレイ平面図
である。図において、１はＡｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｕおよびその合金等の導体からなる
ゲート配線、２はゲート配線１と同時形成された対向電
極、３は対向電極２と接続した共通配線、４はスイッチ
ング素子を形成するためのａ−Ｓｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ等
からなるＴＦＴ部分、５はＡｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｕおよびその合金等の導体からなる
ソース配線、６はソース配線５と同時形成された画素電
極、７は共通配線３と画素電極６の間に絶縁層を挟んで
形成された液晶駆動電圧保持用の保持容量部分、８は液
晶分子をそれぞれ示す。
されたＩＰＳ方式の液晶表示装置のＴＦＴアレイ平面図
である。図において、１はＡｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｕおよびその合金等の導体からなる
ゲート配線、２はゲート配線１と同時形成された対向電
極、３は対向電極２と接続した共通配線、４はスイッチ
ング素子を形成するためのａ−Ｓｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ等
からなるＴＦＴ部分、５はＡｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｕおよびその合金等の導体からなる
ソース配線、６はソース配線５と同時形成された画素電
極、７は共通配線３と画素電極６の間に絶縁層を挟んで
形成された液晶駆動電圧保持用の保持容量部分、８は液
晶分子をそれぞれ示す。
【０００４】ＩＰＳ方式では、画素電極６と対向電極２
が同じ基板上に形成されており、液晶８に印加される電
界は基板面にほぼ平行な方向となり、液晶分子は面内回
転する。画素電極６、対向電極２上では、液晶分子に水
平方向の電界がかからないため、液晶分子は回転しな
い。すなわち、ＩＰＳ方式では原理的に、画素電極６、
対向電極２が透明である必要はない。従って、本従来例
では、製造工程を簡略化するために、対向電極２はゲー
ト配線１、共通配線３と、画素電極６はソース配線５と
それぞれ同一部材で同時形成している。従来のＴＮ方式
では、ゲート配線、ソース配線とは別に、ＩＴＯ（Ｉ
ｎ、Ｓｎの酸化物）等の透明な導電性酸化膜からなる画
素電極、カラーフィルタ基板の対向電極形成が必要であ
ったが、ＩＰＳ方式では、透明な画素電極、対向電極形
成の２工程を省略でき、製造工程が大幅に削減できる利
点がある。
が同じ基板上に形成されており、液晶８に印加される電
界は基板面にほぼ平行な方向となり、液晶分子は面内回
転する。画素電極６、対向電極２上では、液晶分子に水
平方向の電界がかからないため、液晶分子は回転しな
い。すなわち、ＩＰＳ方式では原理的に、画素電極６、
対向電極２が透明である必要はない。従って、本従来例
では、製造工程を簡略化するために、対向電極２はゲー
ト配線１、共通配線３と、画素電極６はソース配線５と
それぞれ同一部材で同時形成している。従来のＴＮ方式
では、ゲート配線、ソース配線とは別に、ＩＴＯ（Ｉ
ｎ、Ｓｎの酸化物）等の透明な導電性酸化膜からなる画
素電極、カラーフィルタ基板の対向電極形成が必要であ
ったが、ＩＰＳ方式では、透明な画素電極、対向電極形
成の２工程を省略でき、製造工程が大幅に削減できる利
点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＩＰＳ方式の液晶表示
装置では、画素電極６および対向電極２は透明である必
要はないため、従来のＴＮ方式で使用されているＩＴＯ
等の透明な導電性酸化膜は必要としない。よって、液晶
表示パネルと駆動回路を接続する液晶パネル周辺に設け
られた接続端子はゲート配線１、ソース配線５および共
通配線３の構成部材からなっていた。ところが、一般
に、液晶表示パネルと駆動回路ＩＣの搭載されたＴＣＰ
（Tape Carrier Package）との接続には、熱圧着性の
異方性導電フィルムが使用されており、この接続信頼性
に関しては、従来のＴＮ方式の接続端子で使用されてい
るＩＴＯ等の透明導電性酸化膜との接続信頼性が最も確
立されている。ＩＴＯ等の導電性酸化膜より構成される
接続端子は、もともとが酸化膜であるため、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｃｕ等の金属膜端子と異なり、表面酸化による腐
食、導電性低下、密着力低下等の心配が少ないという利
点がある。従って、接続端子がゲート配線１、ソース配
線５および共通配線３等の部材からなり、ＩＴＯ等の導
電性酸化膜以外の場合は、新たな接続条件出し、信頼性
等を確立しなければならないという問題があった。
装置では、画素電極６および対向電極２は透明である必
要はないため、従来のＴＮ方式で使用されているＩＴＯ
等の透明な導電性酸化膜は必要としない。よって、液晶
表示パネルと駆動回路を接続する液晶パネル周辺に設け
られた接続端子はゲート配線１、ソース配線５および共
通配線３の構成部材からなっていた。ところが、一般
に、液晶表示パネルと駆動回路ＩＣの搭載されたＴＣＰ
（Tape Carrier Package）との接続には、熱圧着性の
異方性導電フィルムが使用されており、この接続信頼性
に関しては、従来のＴＮ方式の接続端子で使用されてい
るＩＴＯ等の透明導電性酸化膜との接続信頼性が最も確
立されている。ＩＴＯ等の導電性酸化膜より構成される
接続端子は、もともとが酸化膜であるため、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｃｕ等の金属膜端子と異なり、表面酸化による腐
食、導電性低下、密着力低下等の心配が少ないという利
点がある。従って、接続端子がゲート配線１、ソース配
線５および共通配線３等の部材からなり、ＩＴＯ等の導
電性酸化膜以外の場合は、新たな接続条件出し、信頼性
等を確立しなければならないという問題があった。
【０００６】また、接続端子を、ゲート配線１、ソース
配線５および共通配線３の構成部材とは別に、ＩＴＯ等
の導電性酸化膜で形成する場合には、接続端子形成だけ
のために導電性酸化膜の形成、写真製版、エッチング等
の製造工程が増加するという問題があった。さらに、ゲ
ート配線１、ソース配線５および共通配線３のいずれか
をＩＴＯ等の透明な導電性酸化膜で形成した場合、接続
端子をこれと同じ導電性酸化膜で形成すれば、信頼性に
問題はなく、製造工程の増加もないが、ＩＴＯ等の導電
性酸化膜は一般に電気抵抗が大きいため配線抵抗が大き
くなり、信号遅延等の問題が生じるため、例えば１０型
以上の大型パネルには使用できないという問題があっ
た。
配線５および共通配線３の構成部材とは別に、ＩＴＯ等
の導電性酸化膜で形成する場合には、接続端子形成だけ
のために導電性酸化膜の形成、写真製版、エッチング等
の製造工程が増加するという問題があった。さらに、ゲ
ート配線１、ソース配線５および共通配線３のいずれか
をＩＴＯ等の透明な導電性酸化膜で形成した場合、接続
端子をこれと同じ導電性酸化膜で形成すれば、信頼性に
問題はなく、製造工程の増加もないが、ＩＴＯ等の導電
性酸化膜は一般に電気抵抗が大きいため配線抵抗が大き
くなり、信号遅延等の問題が生じるため、例えば１０型
以上の大型パネルには使用できないという問題があっ
た。
【０００７】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、液晶表示パネルと駆動回路との
接続信頼性が従来のＴＮ方式のパネルと同様に高く、か
つ製造工程の増加が少なく、大型パネルまで対応可能な
ＩＰＳ方式の液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
ためになされたもので、液晶表示パネルと駆動回路との
接続信頼性が従来のＴＮ方式のパネルと同様に高く、か
つ製造工程の増加が少なく、大型パネルまで対応可能な
ＩＰＳ方式の液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる液晶表
示装置は、基板上に配置された複数本のゲート配線とソ
ース配線の各交点に設けられた薄膜トランジスタに接続
された画素電極と、画素電極との間に絶縁膜を挟んで保
持容量を形成する共通配線と、画素電極と平行に配置さ
れ、共通配線に接続された対向電極と、基板周辺部に配
置され、ゲート配線、ソース配線および共通配線と各々
の駆動回路を接続する接続端子と、これらを形成した基
板と対向基板との間に配向膜を介して挟持された液晶を
備え、画素電極と対向電極との間に電圧を印加し、基板
面にほぼ平行に電界を発生させ、液晶を面内応答させる
液晶表示装置であって、少なくともゲート配線、ソース
配線、共通配線のいずれかはＩＴＯ等の導電性酸化膜を
含む積層膜で構成され、かつ、接続端子は、ゲート配
線、ソース配線、共通配線のいずれかを構成する導電性
酸化膜を含む積層膜で構成され、接続端子表面を導電性
酸化膜とするものである。
示装置は、基板上に配置された複数本のゲート配線とソ
ース配線の各交点に設けられた薄膜トランジスタに接続
された画素電極と、画素電極との間に絶縁膜を挟んで保
持容量を形成する共通配線と、画素電極と平行に配置さ
れ、共通配線に接続された対向電極と、基板周辺部に配
置され、ゲート配線、ソース配線および共通配線と各々
の駆動回路を接続する接続端子と、これらを形成した基
板と対向基板との間に配向膜を介して挟持された液晶を
備え、画素電極と対向電極との間に電圧を印加し、基板
面にほぼ平行に電界を発生させ、液晶を面内応答させる
液晶表示装置であって、少なくともゲート配線、ソース
配線、共通配線のいずれかはＩＴＯ等の導電性酸化膜を
含む積層膜で構成され、かつ、接続端子は、ゲート配
線、ソース配線、共通配線のいずれかを構成する導電性
酸化膜を含む積層膜で構成され、接続端子表面を導電性
酸化膜とするものである。
【０００９】また、基板上に配置された複数本のゲート
配線とソース配線の各交点に設けられた薄膜トランジス
タに接続された画素電極と、画素電極との間に絶縁膜を
挟んで保持容量を形成する共通配線と、画素電極と平行
に配置され、共通配線に接続された対向電極と、基板周
辺部に配置され、ゲート配線、ソース配線および共通配
線と各々の駆動回路を接続する接続端子と、これらを形
成した基板と対向基板との間に配向膜を介して挟持され
た液晶を備え、画素電極と対向電極との間に電圧を印加
し、基板面にほぼ平行に電界を発生させ、液晶を面内応
答させる液晶表示装置であって、少なくとも画素電極お
よび対向電極のいずれかはＩＴＯ等の導電性酸化膜を含
む積層膜で構成され、かつ、接続端子は、画素電極、対
向電極のいずれかを構成する導電性酸化膜を含む積層膜
で構成され、接続端子表面を導電性酸化膜とするもので
ある。
配線とソース配線の各交点に設けられた薄膜トランジス
タに接続された画素電極と、画素電極との間に絶縁膜を
挟んで保持容量を形成する共通配線と、画素電極と平行
に配置され、共通配線に接続された対向電極と、基板周
辺部に配置され、ゲート配線、ソース配線および共通配
線と各々の駆動回路を接続する接続端子と、これらを形
成した基板と対向基板との間に配向膜を介して挟持され
た液晶を備え、画素電極と対向電極との間に電圧を印加
し、基板面にほぼ平行に電界を発生させ、液晶を面内応
答させる液晶表示装置であって、少なくとも画素電極お
よび対向電極のいずれかはＩＴＯ等の導電性酸化膜を含
む積層膜で構成され、かつ、接続端子は、画素電極、対
向電極のいずれかを構成する導電性酸化膜を含む積層膜
で構成され、接続端子表面を導電性酸化膜とするもので
ある。
【００１０】また、ソース配線および画素電極は、導電
性酸化膜を含む積層膜で構成されているものである。ま
た、ゲート配線、共通配線および対向電極は、導電性酸
化膜を含む積層膜で構成されているものである。また、
導電性酸化膜を含む積層膜は、導電性酸化膜と積層する
金属膜として、写真製版時の現像液中の電位が、導電性
酸化膜の電位よりも高い金属を用いるものである。さら
に、画素電極および対向電極の膜厚は、ゲート配線およ
びソース配線の膜厚よりも薄いものである。
性酸化膜を含む積層膜で構成されているものである。ま
た、ゲート配線、共通配線および対向電極は、導電性酸
化膜を含む積層膜で構成されているものである。また、
導電性酸化膜を含む積層膜は、導電性酸化膜と積層する
金属膜として、写真製版時の現像液中の電位が、導電性
酸化膜の電位よりも高い金属を用いるものである。さら
に、画素電極および対向電極の膜厚は、ゲート配線およ
びソース配線の膜厚よりも薄いものである。
【００１１】
実施の形態１．以下、この発明の実施の形態１を図につ
いて説明する。図１は、本発明の実施の形態１である液
晶表示装置のＴＦＴアレイ平面図である。図において、
１はＡｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｕお
よびその合金等の導体からなるゲート配線、２はゲート
配線１と同時形成され、後述の画素電極６１と平行に配
置された対向電極、３は対向電極２と接続され、後述の
画素電極６１との間に絶縁膜を挟んで保持容量を形成す
る共通配線、４はゲート配線１と後述のソース配線５１
との各交点に設けられ、スイッチング素子を形成するａ
−Ｓｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ等からなるＴＦＴ部、５１はＣ
ｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｐｔ、または
これらの組み合わせからなる合金あるいはＡｌにこれら
を添加したＡｌ合金等の金属膜上にＩＴＯ等の導電性酸
化膜を積層した構成からなるソース配線、６１はＴＦＴ
部４に接続され、ソース配線５１と同時形成された画素
電極である。
いて説明する。図１は、本発明の実施の形態１である液
晶表示装置のＴＦＴアレイ平面図である。図において、
１はＡｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｕお
よびその合金等の導体からなるゲート配線、２はゲート
配線１と同時形成され、後述の画素電極６１と平行に配
置された対向電極、３は対向電極２と接続され、後述の
画素電極６１との間に絶縁膜を挟んで保持容量を形成す
る共通配線、４はゲート配線１と後述のソース配線５１
との各交点に設けられ、スイッチング素子を形成するａ
−Ｓｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ等からなるＴＦＴ部、５１はＣ
ｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｐｔ、または
これらの組み合わせからなる合金あるいはＡｌにこれら
を添加したＡｌ合金等の金属膜上にＩＴＯ等の導電性酸
化膜を積層した構成からなるソース配線、６１はＴＦＴ
部４に接続され、ソース配線５１と同時形成された画素
電極である。
【００１２】さらに、１００、３００、５００は基板周
辺部に配置され、ソース配線５１および画素電極６１と
同時形成された接続端子であり、それぞれゲート配線
１、共通配線３およびソース配線５１と各々の駆動回路
を接続する。１０１、３０１は接続端子１００、３００
をそれぞれゲート配線１、共通配線３と接続するための
コンタクトホールである。接続端子１００、３００、５
００表面は、すべてが導電性酸化膜になっている。本実
施の形態による液晶表示装置は、図１に示すＴＦＴアレ
イ基板と対向基板との間に配向膜を介して液晶を挟持
し、画素電極６１と対向電極２との間に電圧を印加し、
基板面にほぼ平行に電界を発生させ、液晶を面内応答さ
せるものであり、製造工程削減のため、ソース配線５
１、画素電極６１および接続端子１００、３００、５０
０が同一材料で形成されていることを特徴とする。
辺部に配置され、ソース配線５１および画素電極６１と
同時形成された接続端子であり、それぞれゲート配線
１、共通配線３およびソース配線５１と各々の駆動回路
を接続する。１０１、３０１は接続端子１００、３００
をそれぞれゲート配線１、共通配線３と接続するための
コンタクトホールである。接続端子１００、３００、５
００表面は、すべてが導電性酸化膜になっている。本実
施の形態による液晶表示装置は、図１に示すＴＦＴアレ
イ基板と対向基板との間に配向膜を介して液晶を挟持
し、画素電極６１と対向電極２との間に電圧を印加し、
基板面にほぼ平行に電界を発生させ、液晶を面内応答さ
せるものであり、製造工程削減のため、ソース配線５
１、画素電極６１および接続端子１００、３００、５０
０が同一材料で形成されていることを特徴とする。
【００１３】本実施の形態によるＴＦＴアレイの製造方
法を以下に説明する。本実施の形態において、ソース配
線５１、画素電極６１、接続端子１００、３００、５０
０となる積層膜形成は、電気抵抗の低い金属膜上に導電
性酸化膜を連続形成する。例えば、Ｍｏ４０００Å上
に、代表的導電性酸化膜であるＩＴＯを５００〜１００
０Å程度、連続してスパッタ形成すればよい。写真製版
工程は従来と変わりないが、注意すべき事として、露光
後のフォトレジストのアルカリ現像時に、例えばＩＴＯ
と金属膜を積層した膜構成の場合、アルカリ現像液中の
金属膜の電位がＩＴＯの電位よりも低いと、ＩＴＯに電
気的腐食が発生することがある。例えば、純Ａｌの上に
ＩＴＯを積層した構成の場合、アルカリ現像液中のＩＴ
Ｏの電位は、−１. ３〜−１. ４Ｖであり、純Ａｌは−
１. ９Ｖであるため、ＩＴＯが電気的に腐食して溶けて
しまう。従って、導電性酸化膜がＩＴＯの場合、アルカ
リ現像液中のＩＴＯの電位よりも高い電位の金属膜を選
択する必要がある。例えば、Ｃｒは−０. ３Ｖ、Ｃｕは
−０. ２Ｖ、Ｍｏは−０. ６Ｖ、Ｔａは−０. ８５Ｖ、
Ｗは−０. ７Ｖであるので、使用可能である。また、純
Ａｌではなく、Ａｌに電位の高い前記金属を添加したＡ
ｌ合金、例えばＡｌ−Ｗ、Ａｌ−Ｍｏ、Ａｌ−Ｐｔ等も
使用可能である。
法を以下に説明する。本実施の形態において、ソース配
線５１、画素電極６１、接続端子１００、３００、５０
０となる積層膜形成は、電気抵抗の低い金属膜上に導電
性酸化膜を連続形成する。例えば、Ｍｏ４０００Å上
に、代表的導電性酸化膜であるＩＴＯを５００〜１００
０Å程度、連続してスパッタ形成すればよい。写真製版
工程は従来と変わりないが、注意すべき事として、露光
後のフォトレジストのアルカリ現像時に、例えばＩＴＯ
と金属膜を積層した膜構成の場合、アルカリ現像液中の
金属膜の電位がＩＴＯの電位よりも低いと、ＩＴＯに電
気的腐食が発生することがある。例えば、純Ａｌの上に
ＩＴＯを積層した構成の場合、アルカリ現像液中のＩＴ
Ｏの電位は、−１. ３〜−１. ４Ｖであり、純Ａｌは−
１. ９Ｖであるため、ＩＴＯが電気的に腐食して溶けて
しまう。従って、導電性酸化膜がＩＴＯの場合、アルカ
リ現像液中のＩＴＯの電位よりも高い電位の金属膜を選
択する必要がある。例えば、Ｃｒは−０. ３Ｖ、Ｃｕは
−０. ２Ｖ、Ｍｏは−０. ６Ｖ、Ｔａは−０. ８５Ｖ、
Ｗは−０. ７Ｖであるので、使用可能である。また、純
Ａｌではなく、Ａｌに電位の高い前記金属を添加したＡ
ｌ合金、例えばＡｌ−Ｗ、Ａｌ−Ｍｏ、Ａｌ−Ｐｔ等も
使用可能である。
【００１４】次に、写真製版工程で形成したフォトレジ
ストマスクを用いて、上記の積層膜を導電性酸化膜、金
属膜の順に連続的にウェットエッチング、ドライエッチ
ングすればよい。本実施の形態では、従来の製造工程に
おけるソース配線５１、画素電極６１の形成工程に薄い
導電性酸化膜を連続形成する工程と、エッチングする工
程を追加するだけでよい。写真製版のマスクパターン
は、ソース配線５１、画素電極６１に加え、接続端子１
００、３００、５００を含むパターン形状に設計すれば
よい。このように、本実施の形態によれば、少しの製造
工程の増加で、液晶表示装置の接続端子の信頼性が従来
パネルと同等に確保できる効果がある。また、ソース配
線５１は導電性酸化膜を含む積層膜で構成されているの
で、低抵抗な金属と積層することにより配線抵抗を低く
でき、大型パネルにも対応可能である。
ストマスクを用いて、上記の積層膜を導電性酸化膜、金
属膜の順に連続的にウェットエッチング、ドライエッチ
ングすればよい。本実施の形態では、従来の製造工程に
おけるソース配線５１、画素電極６１の形成工程に薄い
導電性酸化膜を連続形成する工程と、エッチングする工
程を追加するだけでよい。写真製版のマスクパターン
は、ソース配線５１、画素電極６１に加え、接続端子１
００、３００、５００を含むパターン形状に設計すれば
よい。このように、本実施の形態によれば、少しの製造
工程の増加で、液晶表示装置の接続端子の信頼性が従来
パネルと同等に確保できる効果がある。また、ソース配
線５１は導電性酸化膜を含む積層膜で構成されているの
で、低抵抗な金属と積層することにより配線抵抗を低く
でき、大型パネルにも対応可能である。
【００１５】実施の形態２．図２は、本発明の実施の形
態２である液晶表示装置のＴＦＴアレイ平面図である。
図において、５はＡｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｃｕおよびその合金等の導体からなるソース配
線、６はソース配線５と同時形成された画素電極、１１
はＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｐｔ、ま
たはこれらの組み合わせからなる合金あるいはＡｌにこ
れらを添加したＡｌ合金等の金属膜上にＩＴＯ等の導電
性酸化膜を積層した構成からなるゲート配線、２１、３
１はゲート配線１１と同時形成された対向電極および共
通配線である。１０２、３０２、５０２は、ゲート配線
１１、対向電極２１および共通配線３１と同時形成され
た接続端子である。５０１は接続端子５０２とソース配
線５を接続するためのコンタクトホールである。１０
３、３０３、５０３は接続端子上の絶縁膜を除去して導
電性酸化膜表面を露出するための接続端子穴である。こ
の接続端子穴１０３、３０３および５０３により、接続
端子１０２、３０２、５０２表面は導電性酸化膜になっ
ている。本実施の形態では、製造工程削減のため、ゲー
ト配線１１、対向電極２１、共通配線３１、接続端子１
０２、３０２、５０２が同一材料で同時形成されてい
る。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、
説明を省略する。
態２である液晶表示装置のＴＦＴアレイ平面図である。
図において、５はＡｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｃｕおよびその合金等の導体からなるソース配
線、６はソース配線５と同時形成された画素電極、１１
はＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｐｔ、ま
たはこれらの組み合わせからなる合金あるいはＡｌにこ
れらを添加したＡｌ合金等の金属膜上にＩＴＯ等の導電
性酸化膜を積層した構成からなるゲート配線、２１、３
１はゲート配線１１と同時形成された対向電極および共
通配線である。１０２、３０２、５０２は、ゲート配線
１１、対向電極２１および共通配線３１と同時形成され
た接続端子である。５０１は接続端子５０２とソース配
線５を接続するためのコンタクトホールである。１０
３、３０３、５０３は接続端子上の絶縁膜を除去して導
電性酸化膜表面を露出するための接続端子穴である。こ
の接続端子穴１０３、３０３および５０３により、接続
端子１０２、３０２、５０２表面は導電性酸化膜になっ
ている。本実施の形態では、製造工程削減のため、ゲー
ト配線１１、対向電極２１、共通配線３１、接続端子１
０２、３０２、５０２が同一材料で同時形成されてい
る。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、
説明を省略する。
【００１６】本実施の形態では、従来の製造工程におけ
るゲート配線１１、対向電極２１および共通配線３１の
形成工程に薄い導電性酸化膜を連続形成する工程と、エ
ッチングする工程を追加するだけでよい。写真製版のマ
スクパターンは、ゲート配線１１、対向電極２１および
共通配線３１に加え、接続端子１０２、３０２、５０２
を含むパターン形状に設計すればよく、上記実施の形態
１と同様の効果が得られる。
るゲート配線１１、対向電極２１および共通配線３１の
形成工程に薄い導電性酸化膜を連続形成する工程と、エ
ッチングする工程を追加するだけでよい。写真製版のマ
スクパターンは、ゲート配線１１、対向電極２１および
共通配線３１に加え、接続端子１０２、３０２、５０２
を含むパターン形状に設計すればよく、上記実施の形態
１と同様の効果が得られる。
【００１７】実施の形態３．図３は、本発明の実施の形
態３である液晶表示装置のＴＦＴアレイ平面図である。
図において、２２、６２はＩＴＯ等の導電性酸化膜、ま
たはＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｐｔ、
またはこれらの組み合わせからなる合金あるいはＡｌに
これらを添加したＡｌ合金等の金属膜上にＩＴＯ等の導
電性酸化膜を積層した構成からなる対向電極、画素電極
である。対向電極２２、画素電極６２は同一材料で同時
形成されている。１０４、３０４、５０４は画素電極６
２および対向電極２２と同時形成された接続端子であ
る。２３は対向電極２２と共通配線３を接続するコンタ
クトホール、１０５、３０５、５０５は接続端子１０
４、３０４、５０４とゲート配線１、共通配線３、ソー
ス配線５を接続するためのコンタクトホールである。接
続端子１０４、３０４、５０４表面は、すべてが導電性
酸化膜になっている。なお、図中、同一、相当部分には
同一符号を付し、説明を省略する。本実施の形態におい
て、画素電極６２、対向電極２２がＩＴＯ等の導電性酸
化膜の場合は、写真製版のマスクパターンで、画素電極
６２、対向電極２２に加えて接続端子１０４、３０４、
５０４を含むパターン形状に設計を変更するだけでよ
い。また、画素電極６２、対向電極２２がＩＴＯ等の導
電性酸化膜を含む積層膜の場合は、従来の製造工程にお
ける画素電極６２、対向電極２２の形成工程に薄い導電
性酸化膜を連続形成する工程と、エッチングする工程を
追加するだけでよい。写真製版のマスクパターンは、画
素電極６２、対向電極２２に加え、接続端子１０４、３
０４、５０４を含むパターン形状に設計すればよい。
態３である液晶表示装置のＴＦＴアレイ平面図である。
図において、２２、６２はＩＴＯ等の導電性酸化膜、ま
たはＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｐｔ、
またはこれらの組み合わせからなる合金あるいはＡｌに
これらを添加したＡｌ合金等の金属膜上にＩＴＯ等の導
電性酸化膜を積層した構成からなる対向電極、画素電極
である。対向電極２２、画素電極６２は同一材料で同時
形成されている。１０４、３０４、５０４は画素電極６
２および対向電極２２と同時形成された接続端子であ
る。２３は対向電極２２と共通配線３を接続するコンタ
クトホール、１０５、３０５、５０５は接続端子１０
４、３０４、５０４とゲート配線１、共通配線３、ソー
ス配線５を接続するためのコンタクトホールである。接
続端子１０４、３０４、５０４表面は、すべてが導電性
酸化膜になっている。なお、図中、同一、相当部分には
同一符号を付し、説明を省略する。本実施の形態におい
て、画素電極６２、対向電極２２がＩＴＯ等の導電性酸
化膜の場合は、写真製版のマスクパターンで、画素電極
６２、対向電極２２に加えて接続端子１０４、３０４、
５０４を含むパターン形状に設計を変更するだけでよ
い。また、画素電極６２、対向電極２２がＩＴＯ等の導
電性酸化膜を含む積層膜の場合は、従来の製造工程にお
ける画素電極６２、対向電極２２の形成工程に薄い導電
性酸化膜を連続形成する工程と、エッチングする工程を
追加するだけでよい。写真製版のマスクパターンは、画
素電極６２、対向電極２２に加え、接続端子１０４、３
０４、５０４を含むパターン形状に設計すればよい。
【００１８】本実施の形態では、画素電極６２および対
向電極２２は、ゲート配線１、ソース配線５および共通
配線３とは別の膜で構成されている。ゲート配線１、ソ
ース配線５および共通配線３は電気抵抗を低減するため
に膜厚は厚い方が望ましいが、一方、画素電極６２、対
向電極２２は配向膜ラビングによる液晶配向特性を良好
にするために、電極による段差が少なくなるように膜厚
が薄い方が望ましい。画素電極６２および対向電極２２
の長さは１画素内で短いため、電気抵抗はあまり問題に
ならない。従って、例えばゲート配線１、ソース配線５
の膜厚２０００〜４０００Åに対して、画素電極６２、
対向電極２２の膜厚は、電極の段差が少なくなるように
１０００Å以下の薄い膜厚とすることが可能である。
向電極２２は、ゲート配線１、ソース配線５および共通
配線３とは別の膜で構成されている。ゲート配線１、ソ
ース配線５および共通配線３は電気抵抗を低減するため
に膜厚は厚い方が望ましいが、一方、画素電極６２、対
向電極２２は配向膜ラビングによる液晶配向特性を良好
にするために、電極による段差が少なくなるように膜厚
が薄い方が望ましい。画素電極６２および対向電極２２
の長さは１画素内で短いため、電気抵抗はあまり問題に
ならない。従って、例えばゲート配線１、ソース配線５
の膜厚２０００〜４０００Åに対して、画素電極６２、
対向電極２２の膜厚は、電極の段差が少なくなるように
１０００Å以下の薄い膜厚とすることが可能である。
【００１９】以上のように、本実施の形態によれば、少
しの製造工程の増加で、液晶表示装置の接続端子の信頼
性が従来パネルと同等に確保できる効果がある。また、
ゲート配線１、ソース配線５、共通配線３は金属膜で構
成されているので、配線抵抗を低くでき、大型パネルに
も対応できる。さらに、画素電極６２、対向電極２２は
段差が少ない薄い膜で形成できるので、液晶配向特性を
良好にすることが可能である。
しの製造工程の増加で、液晶表示装置の接続端子の信頼
性が従来パネルと同等に確保できる効果がある。また、
ゲート配線１、ソース配線５、共通配線３は金属膜で構
成されているので、配線抵抗を低くでき、大型パネルに
も対応できる。さらに、画素電極６２、対向電極２２は
段差が少ない薄い膜で形成できるので、液晶配向特性を
良好にすることが可能である。
【００２０】なお、上記実施の形態１〜３では、スイッ
チング素子としてＴＦＴを用いた場合について説明した
が、Ｓｉ基板を用い単結晶ＳｉからなるＭＯＳトランジ
スタの場合にも同様に本発明は有効である。
チング素子としてＴＦＴを用いた場合について説明した
が、Ｓｉ基板を用い単結晶ＳｉからなるＭＯＳトランジ
スタの場合にも同様に本発明は有効である。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、少な
くともゲート配線、ソース配線、共通配線、画素電極、
対向電極のいずれかをＩＴＯ等の導電性酸化膜を含む積
層膜で形成し、接続端子を導電性酸化膜を含む上記配
線、電極のいずれかと同時形成し、接続端子表面を導電
性酸化膜で構成したので、少ない製造工程の増加で、高
い接続端子の信頼性が得られ、さらに、配線抵抗が低く
大型パネルにも対応可能な液晶表示装置が得られる効果
がある。
くともゲート配線、ソース配線、共通配線、画素電極、
対向電極のいずれかをＩＴＯ等の導電性酸化膜を含む積
層膜で形成し、接続端子を導電性酸化膜を含む上記配
線、電極のいずれかと同時形成し、接続端子表面を導電
性酸化膜で構成したので、少ない製造工程の増加で、高
い接続端子の信頼性が得られ、さらに、配線抵抗が低く
大型パネルにも対応可能な液晶表示装置が得られる効果
がある。
【図１】 この発明の実施の形態１である液晶表示装置
のＴＦＴアレイを示す平面図である。
のＴＦＴアレイを示す平面図である。
【図２】 この発明の実施の形態２である液晶表示装置
のＴＦＴアレイを示す平面図である。
のＴＦＴアレイを示す平面図である。
【図３】 この発明の実施の形態３である液晶表示装置
のＴＦＴアレイを示す平面図である。
のＴＦＴアレイを示す平面図である。
【図４】 従来の液晶表示装置のＴＦＴアレイを示す平
面図である。
面図である。
１、１１ ゲート配線、２、２１、２２ 対向電極、
３、３１ 共通配線、４ ＴＦＴ部、５、５１ ソース
配線、６、６１、６２ 画素電極、７ 蓄積容量部分、
８ 液晶分子、１００、１０２、１０４、３００、３０
２、３０４、５００、５０２、５０４接続端子、２３、
１０１、１０５、３０１、３０５、５０１、５０５ コ
ンタクトホール、１０３、３０３、５０３ 接続端子
穴。
３、３１ 共通配線、４ ＴＦＴ部、５、５１ ソース
配線、６、６１、６２ 画素電極、７ 蓄積容量部分、
８ 液晶分子、１００、１０２、１０４、３００、３０
２、３０４、５００、５０２、５０４接続端子、２３、
１０１、１０５、３０１、３０５、５０１、５０５ コ
ンタクトホール、１０３、３０３、５０３ 接続端子
穴。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｂ
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に配置された複数本のゲート配線
とソース配線の各交点に設けられた薄膜トランジスタに
接続された画素電極、 上記画素電極との間に絶縁膜を挟んで保持容量を形成す
る共通配線、 上記画素電極と平行に配置され、上記共通配線に接続さ
れた対向電極、 上記基板周辺部に配置され、上記ゲート配線、上記ソー
ス配線および上記共通配線と各々の駆動回路を接続する
接続端子、 上記基板と対向基板との間に配向膜を介して挟持された
液晶を備え、上記画素電極と上記対向電極との間に電圧
を印加し、基板面にほぼ平行に電界を発生させ、上記液
晶を面内応答させる液晶表示装置であって、少なくとも
上記ゲート配線、上記ソース配線、上記共通配線のいず
れかはＩＴＯ等の導電性酸化膜を含む積層膜で構成さ
れ、かつ、上記接続端子は、上記ゲート配線、上記ソー
ス配線、上記共通配線のいずれかを構成する上記導電性
酸化膜を含む積層膜で構成され、上記接続端子表面が導
電性酸化膜であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 基板上に配置された複数本のゲート配線
とソース配線の各交点に設けられた薄膜トランジスタに
接続された画素電極、 上記画素電極との間に絶縁膜を挟んで保持容量を形成す
る共通配線、 上記画素電極と平行に配置され、上記共通配線に接続さ
れた対向電極、 上記基板周辺部に配置され、上記ゲート配線、上記ソー
ス配線および上記共通配線と各々の駆動回路を接続する
接続端子、 上記基板と対向基板との間に配向膜を介して挟持された
液晶を備え、上記画素電極と上記対向電極との間に電圧
を印加し、基板面にほぼ平行に電界を発生させ、上記液
晶を面内応答させる液晶表示装置であって、少なくとも
上記画素電極および上記対向電極のいずれかはＩＴＯ等
の導電性酸化膜を含む積層膜で構成され、かつ、上記接
続端子は、上記画素電極、上記対向電極のいずれかを構
成する上記導電性酸化膜を含む積層膜で構成され、上記
接続端子表面が導電性酸化膜であることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項３】 ソース配線および画素電極は、導電性酸
化膜を含む積層膜で構成されていることを特徴とする請
求項１または請求項２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 ゲート配線、共通配線および対向電極
は、導電性酸化膜を含む積層膜で構成されていることを
特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項５】 導電性酸化膜を含む積層膜は、導電性酸
化膜と積層する金属膜として、写真製版時の現像液中の
電位が、導電性酸化膜の電位よりも高い金属を用いるこ
とを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一項に記
載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 画素電極および対向電極の膜厚は、ゲー
ト配線およびソース配線の膜厚よりも薄いことを特徴と
する請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の液晶表
示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17737997A JP3847419B2 (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17737997A JP3847419B2 (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1124095A true JPH1124095A (ja) | 1999-01-29 |
| JP3847419B2 JP3847419B2 (ja) | 2006-11-22 |
Family
ID=16029921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17737997A Expired - Fee Related JP3847419B2 (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3847419B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001092379A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Nec Corp | アクティブマトリックス基板及びその製造方法 |
| JP2002040484A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP2006285257A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法 |
| JP2007011340A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| JP2008015511A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 横電界型の液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法 |
| SG147270A1 (en) * | 2000-12-11 | 2008-11-28 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| JP2010181785A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| US8218120B2 (en) | 2005-03-31 | 2012-07-10 | Lg Display Co., Ltd. | Array substrate for in-plane switching liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| JP2014130358A (ja) * | 2014-01-27 | 2014-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US9059045B2 (en) | 2000-03-08 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9231044B2 (en) | 2000-12-21 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2017040929A (ja) * | 1999-07-22 | 2017-02-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 携帯情報端末 |
-
1997
- 1997-07-02 JP JP17737997A patent/JP3847419B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US9368514B2 (en) | 2000-03-08 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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| US9059216B2 (en) | 2000-12-11 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| US9666601B2 (en) | 2000-12-11 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| US10665610B2 (en) | 2000-12-11 | 2020-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| SG147270A1 (en) * | 2000-12-11 | 2008-11-28 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| US9793335B2 (en) | 2000-12-21 | 2017-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9231044B2 (en) | 2000-12-21 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7776635B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-08-17 | Lg Display Co., Ltd. | Array substrate for in-plane switching liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| JP4685681B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-05-18 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法 |
| US8218120B2 (en) | 2005-03-31 | 2012-07-10 | Lg Display Co., Ltd. | Array substrate for in-plane switching liquid crystal display device and method of fabricating the same |
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|---|---|
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