JP2000187209A - 反射型液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
反射型液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JP2000187209A JP2000187209A JP10365561A JP36556198A JP2000187209A JP 2000187209 A JP2000187209 A JP 2000187209A JP 10365561 A JP10365561 A JP 10365561A JP 36556198 A JP36556198 A JP 36556198A JP 2000187209 A JP2000187209 A JP 2000187209A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＴＦＴアレイ基板と対向基板の張合せ時のア
ライメント精度を緩和し、隣接画素間のショートを防い
で開口率の高い反射型液晶表示装置を得る。 【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板上の走査線と信号線を
除く画素領域内の全面に反射膜を形成し、反射膜上の画
素領域全面にカラーフィルタを形成し、カラーフィルタ
上に段差を吸収する層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜上
にコンタクトホールを介してＴＦＴの電極に電気的に接
続された透明画素電極を画素領域全面に形成した。
ライメント精度を緩和し、隣接画素間のショートを防い
で開口率の高い反射型液晶表示装置を得る。 【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板上の走査線と信号線を
除く画素領域内の全面に反射膜を形成し、反射膜上の画
素領域全面にカラーフィルタを形成し、カラーフィルタ
上に段差を吸収する層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜上
にコンタクトホールを介してＴＦＴの電極に電気的に接
続された透明画素電極を画素領域全面に形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部より入射した
光を反射させて表示を行う反射型液晶表示装置とその製
造方法に関する。
光を反射させて表示を行う反射型液晶表示装置とその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、ＣＲＴに替わるフラッ
トパネルディスプレイの一つとして活発に研究開発が行
われており、とくに消費電力が小さいことや薄型である
という特徴を生かして、電池駆動の小型ＴＶ、ノートブ
ック型コンピュータ、カーナビゲーション、携帯端末機
器などに実用化されている。
トパネルディスプレイの一つとして活発に研究開発が行
われており、とくに消費電力が小さいことや薄型である
という特徴を生かして、電池駆動の小型ＴＶ、ノートブ
ック型コンピュータ、カーナビゲーション、携帯端末機
器などに実用化されている。
【０００３】液晶表示装置の駆動方法として、高品質表
示の要求から薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す）
をスイッチング素子に用いたアクティブマトリクス型Ｔ
ＦＴアレイが主として用いられている。
示の要求から薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す）
をスイッチング素子に用いたアクティブマトリクス型Ｔ
ＦＴアレイが主として用いられている。
【０００４】ディスプレイの構成としては、透過型と反
射型のものがある。反射型のものは透過型のようなバッ
クライト光源が不要であることから、低消費電力が実現
でき、携帯端末等の用途に極めて適していると言える。
射型のものがある。反射型のものは透過型のようなバッ
クライト光源が不要であることから、低消費電力が実現
でき、携帯端末等の用途に極めて適していると言える。
【０００５】また、反射型液晶表示装置の表示特性向上
には、液晶表示パネルの画素部の有効表示面積を大きく
して光の利用効率を高めること、すなわち画素の高開口
率化が有効である。
には、液晶表示パネルの画素部の有効表示面積を大きく
して光の利用効率を高めること、すなわち画素の高開口
率化が有効である。
【０００６】反射型液晶表示装置では、格子状に設けら
れた電極、ＴＦＴ部、反射画素電極などを設けた第１の
絶縁性基板（ＴＦＴアレイ基板）と、カラーフィルタ、
ブラックマトリクス、対向電極等を備えた透明な第２の
絶縁性基板（対向基板）を対向させて接着するととも
に、前記２枚の基板間に液晶を注入することにより構成
される。
れた電極、ＴＦＴ部、反射画素電極などを設けた第１の
絶縁性基板（ＴＦＴアレイ基板）と、カラーフィルタ、
ブラックマトリクス、対向電極等を備えた透明な第２の
絶縁性基板（対向基板）を対向させて接着するととも
に、前記２枚の基板間に液晶を注入することにより構成
される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】画素電極を有する第１
の絶縁性基板とカラーフィルタを有する透明な第２の絶
縁性基板の張り合わせ位置誤差による光漏れ等を防ぐた
めに大きな対向側のブラックマトリクスが必要である。
また、張り合わせ精度には限界があり、高開口率化が難
しくなっていた。
の絶縁性基板とカラーフィルタを有する透明な第２の絶
縁性基板の張り合わせ位置誤差による光漏れ等を防ぐた
めに大きな対向側のブラックマトリクスが必要である。
また、張り合わせ精度には限界があり、高開口率化が難
しくなっていた。
【０００８】第１の基板と第２の基板の張り合わせ時の
位置ずれを考慮せずに液晶表示装置を形成する方法とし
て、走査電極、信号電極、半導体層からなるＴＦＴ、反
射画素電極を形成したのち、カラーフィルタを反射画素
電極上に作るカラーフィルタ・オン・アレイ構造が特開
平８−３１３７２６号公報に開示されている。
位置ずれを考慮せずに液晶表示装置を形成する方法とし
て、走査電極、信号電極、半導体層からなるＴＦＴ、反
射画素電極を形成したのち、カラーフィルタを反射画素
電極上に作るカラーフィルタ・オン・アレイ構造が特開
平８−３１３７２６号公報に開示されている。
【０００９】この手法によるとカラーフィルタをアレイ
基板側に作成できるため、対向基板との重ね合わせのア
ライメント精度の問題を解決できる。
基板側に作成できるため、対向基板との重ね合わせのア
ライメント精度の問題を解決できる。
【００１０】しかしながら、カラーフィルタは、絶縁膜
のコンタクトホールを介してＴＦＴ素子と電気的に接続
され、絶縁膜上に形成された反射画素電極上に導電性着
色膜で形成されており、カラーフィルタに導電性着色膜
を用いた場合、画素間ショートが生じ、画素間ピッチを
詰めることが非常に困難となる。
のコンタクトホールを介してＴＦＴ素子と電気的に接続
され、絶縁膜上に形成された反射画素電極上に導電性着
色膜で形成されており、カラーフィルタに導電性着色膜
を用いた場合、画素間ショートが生じ、画素間ピッチを
詰めることが非常に困難となる。
【００１１】カラーレジストにＩＴＯなどを分散させた
導電性カラーレジストのパターン精度は、通常のレジス
トやカラーレジストに比べ更にわるくなるとともに、現
像液に未溶解のＩＴＯは現像残渣として基板上に残り、
不良の原因となる。
導電性カラーレジストのパターン精度は、通常のレジス
トやカラーレジストに比べ更にわるくなるとともに、現
像液に未溶解のＩＴＯは現像残渣として基板上に残り、
不良の原因となる。
【００１２】更にＩＴＯ等の導電膜の分散度合いで液晶
に架かる電圧に差が生じ、表示特性にも問題が生じる。
に架かる電圧に差が生じ、表示特性にも問題が生じる。
【００１３】また、過飽和析出法で画素間に有色の絶縁
物を堆積させてブラックマトリクスとするなどの手法を
必要とし、製造歩留まりが低下するという問題もあっ
た。
物を堆積させてブラックマトリクスとするなどの手法を
必要とし、製造歩留まりが低下するという問題もあっ
た。
【００１４】そのため低消費電力、高開口率の反射型液
晶表示装置に適用することは困難であった。
晶表示装置に適用することは困難であった。
【００１５】本発明は、従来技術の前述の問題点を解決
するためになされたものであり、アレイ基板と対向基板
の張合せ位置精度が緩和され、カラーフィルタによる隣
接画素とのショートを防ぐことができ、画素最上層で充
分に液晶に駆動電圧を与えられるとともに、アレイ表面
の凹凸によるラビング不良で発生する表示不良を無くす
ことができ、低消費電力で高開口率なＴＦＴアレイ基板
が安定的に得られ、かつ張り合わせ不良の削減によるコ
スト低減が可能な反射型液晶表示装置、ならびにその製
造方法を提供することを目的とするものである。
するためになされたものであり、アレイ基板と対向基板
の張合せ位置精度が緩和され、カラーフィルタによる隣
接画素とのショートを防ぐことができ、画素最上層で充
分に液晶に駆動電圧を与えられるとともに、アレイ表面
の凹凸によるラビング不良で発生する表示不良を無くす
ことができ、低消費電力で高開口率なＴＦＴアレイ基板
が安定的に得られ、かつ張り合わせ不良の削減によるコ
スト低減が可能な反射型液晶表示装置、ならびにその製
造方法を提供することを目的とするものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明にかかわる第１の
反射型液晶表示装置は、アレイ基板上でスイッチング素
子を構成する片方の電極をスイッチング素子近傍以外で
は走査線、信号線に重畳せずに画素領域内に全面に形成
し、反射膜を兼ねさせた後、画素領域に整合した形状の
カラーフィルタを形成し、基板上の段差を無くするよう
に表面が平坦化された絶縁性透明樹脂からなる層間絶縁
膜を形成し、画素電極は層間絶縁膜上に透明導電膜で形
成し、カラーフィルタと層間絶縁膜に開けられたコンタ
クトホールを介して前記スイッチング素子電極と接続し
たものである。
反射型液晶表示装置は、アレイ基板上でスイッチング素
子を構成する片方の電極をスイッチング素子近傍以外で
は走査線、信号線に重畳せずに画素領域内に全面に形成
し、反射膜を兼ねさせた後、画素領域に整合した形状の
カラーフィルタを形成し、基板上の段差を無くするよう
に表面が平坦化された絶縁性透明樹脂からなる層間絶縁
膜を形成し、画素電極は層間絶縁膜上に透明導電膜で形
成し、カラーフィルタと層間絶縁膜に開けられたコンタ
クトホールを介して前記スイッチング素子電極と接続し
たものである。
【００１７】また、本発明にかかわる第２の反射型液晶
表示装置は、アレイ基板上で行方向の走査線と平行に形
成された共通電極配線を、信号線とのクロス部以外では
走査線、信号線に重畳せずに前記画素領域の全面に反射
膜を兼ねさせて形成し、その後、画素領域に整合した形
状のカラーフィルタを形成し、基板上の段差を無くする
ように表面が平坦化された絶縁性透明樹脂からなる層間
絶縁膜を形成し、画素電極は層間絶縁膜上に透明導電膜
で形成し、カラーフィルタと層間絶縁膜に開けられたコ
ンタクトホールを介して前記スイッチング素子電極と接
続したものである。
表示装置は、アレイ基板上で行方向の走査線と平行に形
成された共通電極配線を、信号線とのクロス部以外では
走査線、信号線に重畳せずに前記画素領域の全面に反射
膜を兼ねさせて形成し、その後、画素領域に整合した形
状のカラーフィルタを形成し、基板上の段差を無くする
ように表面が平坦化された絶縁性透明樹脂からなる層間
絶縁膜を形成し、画素電極は層間絶縁膜上に透明導電膜
で形成し、カラーフィルタと層間絶縁膜に開けられたコ
ンタクトホールを介して前記スイッチング素子電極と接
続したものである。
【００１８】また、本発明にかかわる第３の反射型液晶
表示装置は、アレイ基板上で走査線、共通電極配線、信
号線、平行する各々２本の走査線と信号線で区画された
画素領域に形成されたスイッチング素子、前記スイッチ
ング素子を保護するパッシベーション膜を形成した後、
走査線、信号線に重畳せず前記画素領域内に全面に画素
電極と電気的に接続させないで反射膜を形成し、画素領
域に整合した形状のカラーフィルタを形成し、基板上の
段差を無くするように表面が平坦化された絶縁性透明性
樹脂からなる層間絶縁膜を形成し、画素電極は層間絶縁
膜上に透明導電膜で形成し、カラーフィルタと層間絶縁
膜に開けられたコンタクトホールを介して前記スイッチ
ング素子電極と接続したものである。
表示装置は、アレイ基板上で走査線、共通電極配線、信
号線、平行する各々２本の走査線と信号線で区画された
画素領域に形成されたスイッチング素子、前記スイッチ
ング素子を保護するパッシベーション膜を形成した後、
走査線、信号線に重畳せず前記画素領域内に全面に画素
電極と電気的に接続させないで反射膜を形成し、画素領
域に整合した形状のカラーフィルタを形成し、基板上の
段差を無くするように表面が平坦化された絶縁性透明性
樹脂からなる層間絶縁膜を形成し、画素電極は層間絶縁
膜上に透明導電膜で形成し、カラーフィルタと層間絶縁
膜に開けられたコンタクトホールを介して前記スイッチ
ング素子電極と接続したものである。
【００１９】また、本発明にかかわる第４の反射型液晶
表示装置は、カラーフィルタは絶縁性の有色樹脂であ
り、カラーフィルタおよび画素電極は走査線と重畳して
形成されている。
表示装置は、カラーフィルタは絶縁性の有色樹脂であ
り、カラーフィルタおよび画素電極は走査線と重畳して
形成されている。
【００２０】また、本発明にかかわる第５の反射型液晶
表示装置は、カラーフィルタは走査線、スイッチング素
子、信号線上で３色積層され、層間絶縁膜で平坦化され
ている。
表示装置は、カラーフィルタは走査線、スイッチング素
子、信号線上で３色積層され、層間絶縁膜で平坦化され
ている。
【００２１】本発明の第１の反射型液晶装置の製造方法
は、少なくともいずれか一方には電極が形成されている
２枚の絶縁性基板を対向させて接着するとともに、前記
２枚の絶縁性基板のあいだに液晶材料が狭持されている
反射型液晶表示装置の製造方法において、前記２枚の絶
縁性基板の一方に、行方向に複数本の走査線と共通電極
配線および、この走査線、共通電極配線と交差する列方
向に複数本の信号線を形成し、前記平行する各々２本の
走査線と信号線で区画された画素領域にスイッチング素
子を形成し、前記スイッチング素子を構成する片方の電
極を、スイッチング素子近傍以外では前記走査線、信号
線に重畳させず前記画素領域内に全面に形成する工程
と、前記画素領域内に所定の開口部を有するカラーフィ
ルタを形成する工程と、前記走査線、信号線、スイッチ
ング素子およびカラーフィルタより上層に感光性を有す
る樹脂を塗布、露光、現像することにより、カラーフィ
ルタの開口部にコンタクトホールを有する層間絶縁膜を
形成する工程と、前記層間絶縁膜上および前記コンタク
トホール内に透明導電膜を形成し、レジストマスクを用
いてエッチングし、前記スイッチング素子と前記コンタ
クトホールを介して電気的に接続された画素電極を前記
層間絶縁膜上に形成する工程とを含むものである。
は、少なくともいずれか一方には電極が形成されている
２枚の絶縁性基板を対向させて接着するとともに、前記
２枚の絶縁性基板のあいだに液晶材料が狭持されている
反射型液晶表示装置の製造方法において、前記２枚の絶
縁性基板の一方に、行方向に複数本の走査線と共通電極
配線および、この走査線、共通電極配線と交差する列方
向に複数本の信号線を形成し、前記平行する各々２本の
走査線と信号線で区画された画素領域にスイッチング素
子を形成し、前記スイッチング素子を構成する片方の電
極を、スイッチング素子近傍以外では前記走査線、信号
線に重畳させず前記画素領域内に全面に形成する工程
と、前記画素領域内に所定の開口部を有するカラーフィ
ルタを形成する工程と、前記走査線、信号線、スイッチ
ング素子およびカラーフィルタより上層に感光性を有す
る樹脂を塗布、露光、現像することにより、カラーフィ
ルタの開口部にコンタクトホールを有する層間絶縁膜を
形成する工程と、前記層間絶縁膜上および前記コンタク
トホール内に透明導電膜を形成し、レジストマスクを用
いてエッチングし、前記スイッチング素子と前記コンタ
クトホールを介して電気的に接続された画素電極を前記
層間絶縁膜上に形成する工程とを含むものである。
【００２２】本発明の第２の反射型液晶装置の製造方法
は、少なくともいずれか一方には電極が形成されている
２枚の絶縁性基板を対向させて接着するとともに、前記
２枚の絶縁性基板のあいだに液晶材料が狭持されている
反射型液晶表示装置の製造方法において、前記２枚の絶
縁性基板の一方に行方向に複数本の走査線およびこの走
査線と交差する列方向に複数本の信号線を形成し、前記
平行する各々２本の走査線と信号線で区画された画素領
域に前記行方向の走査線と平行に形成される共通電極配
線を、前記信号線と交差する部分以外では前記走査線、
信号線と重畳させずに前記画素領域内全面に形成する工
程と、前記画素領域内にスイッチング素子を形成する工
程と、前記画素領域内に所定の開口部を有するカラーフ
ィルタを形成する工程と、前記走査線、信号線、共通電
極配線、スイッチング素子およびカラーフィルタより上
層に感光性を有する樹脂を塗布、露光、現像することに
より、カラーフィルタの開口部にコンタクトホールを有
する層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上お
よび前記コンタクトホール内に透明導電膜を成膜し、レ
ジストマスクを用いてエッチングし、前記スイッチング
素子と前記コンタクトホールを介して電気的に接続され
た画素電極を前記層間絶縁膜上に形成する工程とを含む
ものである。
は、少なくともいずれか一方には電極が形成されている
２枚の絶縁性基板を対向させて接着するとともに、前記
２枚の絶縁性基板のあいだに液晶材料が狭持されている
反射型液晶表示装置の製造方法において、前記２枚の絶
縁性基板の一方に行方向に複数本の走査線およびこの走
査線と交差する列方向に複数本の信号線を形成し、前記
平行する各々２本の走査線と信号線で区画された画素領
域に前記行方向の走査線と平行に形成される共通電極配
線を、前記信号線と交差する部分以外では前記走査線、
信号線と重畳させずに前記画素領域内全面に形成する工
程と、前記画素領域内にスイッチング素子を形成する工
程と、前記画素領域内に所定の開口部を有するカラーフ
ィルタを形成する工程と、前記走査線、信号線、共通電
極配線、スイッチング素子およびカラーフィルタより上
層に感光性を有する樹脂を塗布、露光、現像することに
より、カラーフィルタの開口部にコンタクトホールを有
する層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上お
よび前記コンタクトホール内に透明導電膜を成膜し、レ
ジストマスクを用いてエッチングし、前記スイッチング
素子と前記コンタクトホールを介して電気的に接続され
た画素電極を前記層間絶縁膜上に形成する工程とを含む
ものである。
【００２３】本発明の第３の反射型液晶装置の製造方法
は、少なくともいずれか一方には電極が形成されている
２枚の絶縁性基板を対向させて接着するとともに、前記
２枚の絶縁性基板のあいだに液晶材料が狭持されている
反射型液晶表示装置の製造方法において、前記二枚の絶
縁性基板の一方に行方向に複数本の走査線と共通電極配
線およびこの走査線、共通電極配線と交差する列方向に
複数本の信号線を形成する工程と、前記平行する各々２
本の走査線と信号線で区画された画素領域にスイッチン
グ素子を形成する工程と、前記走査線、共通電極配線、
信号線およびスイッチング素子上に前記スイッチング素
子を保護するパッシベーション膜を形成する工程と、前
記パッシベーション膜上に前記走査線、信号線に重畳せ
ずに前記画素領域内全面に所定の開口部を有する反射膜
を形成する工程と、前記反射膜上に反射膜の開口部と整
合した開口部を持つカラーフィルタを形成する工程と、
前記走査線、信号線、スイッチング素子、反射膜および
カラーフィルタより上層に感光性を有する樹脂を塗布、
露光、現像することにより、カラーフィルタと反射膜の
開口部に整合したコンタクトホールを有する層間絶縁膜
を形成する工程と、前記層間絶縁膜上および前記コンタ
クトホール内に透明導電膜を成膜し、レジストマスクを
用いてエッチングし、前記スイッチング素子と前記コン
タクトホールを介して電気的に接続された画素電極を前
記層間絶縁膜上に形成する工程とを含むものである。
は、少なくともいずれか一方には電極が形成されている
２枚の絶縁性基板を対向させて接着するとともに、前記
２枚の絶縁性基板のあいだに液晶材料が狭持されている
反射型液晶表示装置の製造方法において、前記二枚の絶
縁性基板の一方に行方向に複数本の走査線と共通電極配
線およびこの走査線、共通電極配線と交差する列方向に
複数本の信号線を形成する工程と、前記平行する各々２
本の走査線と信号線で区画された画素領域にスイッチン
グ素子を形成する工程と、前記走査線、共通電極配線、
信号線およびスイッチング素子上に前記スイッチング素
子を保護するパッシベーション膜を形成する工程と、前
記パッシベーション膜上に前記走査線、信号線に重畳せ
ずに前記画素領域内全面に所定の開口部を有する反射膜
を形成する工程と、前記反射膜上に反射膜の開口部と整
合した開口部を持つカラーフィルタを形成する工程と、
前記走査線、信号線、スイッチング素子、反射膜および
カラーフィルタより上層に感光性を有する樹脂を塗布、
露光、現像することにより、カラーフィルタと反射膜の
開口部に整合したコンタクトホールを有する層間絶縁膜
を形成する工程と、前記層間絶縁膜上および前記コンタ
クトホール内に透明導電膜を成膜し、レジストマスクを
用いてエッチングし、前記スイッチング素子と前記コン
タクトホールを介して電気的に接続された画素電極を前
記層間絶縁膜上に形成する工程とを含むものである。
【００２４】本発明の第４の反射型液晶装置の製造方法
は、前記第３の製造方法において、前記反射膜を、反射
膜上のカラーフィルタをマスクとしてオーバエッチし、
反射膜のコンタクトホール壁面への露出および走査線、
信号線との重畳を無くして形成する工程を含むものであ
る。
は、前記第３の製造方法において、前記反射膜を、反射
膜上のカラーフィルタをマスクとしてオーバエッチし、
反射膜のコンタクトホール壁面への露出および走査線、
信号線との重畳を無くして形成する工程を含むものであ
る。
【００２５】
【発明の実施の形態】実施の形態１ 以下、本発明の一実施の形態を図を用いて説明する。
【００２６】図１は本発明の一実施の形態にかかわるＴ
ＦＴアレイ基板を示す平面図の一部である。
ＦＴアレイ基板を示す平面図の一部である。
【００２７】図２は本発明の一実施の形態にかかわるＴ
ＦＴアレイ基板を示す断面図であり、図１のＡ−Ａ′断
面を示している。
ＦＴアレイ基板を示す断面図であり、図１のＡ−Ａ′断
面を示している。
【００２８】本実施の形態にかかわる液晶表示装置のＴ
ＦＴアレイ基板の製造方法を図を用いて説明する。
ＦＴアレイ基板の製造方法を図を用いて説明する。
【００２９】図に示すように、ガラスなどからなる絶縁
性基板１に、スパッタ法を用いてＣｒを成膜し、フォト
リソグラフィ法にて走査線（ゲート電極２）および共通
電極配線３を形成する。次に、プラズマＣＶＤ法などを
用いて窒化シリコンからなるゲート絶縁膜４、アモルフ
ァスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと称す）５、不純物をド
プした低抵抗アモルファスシリコン（以下、ｎ+−ａ−
Ｓｉと称す）のオーミックコンタクト膜６を順次成膜
し、フォトリソグラフィ法を用いてａ−Ｓｉ膜５、ｎ+
−ａ−Ｓｉ膜６をパターニングして半導体層を形成す
る。
性基板１に、スパッタ法を用いてＣｒを成膜し、フォト
リソグラフィ法にて走査線（ゲート電極２）および共通
電極配線３を形成する。次に、プラズマＣＶＤ法などを
用いて窒化シリコンからなるゲート絶縁膜４、アモルフ
ァスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと称す）５、不純物をド
プした低抵抗アモルファスシリコン（以下、ｎ+−ａ−
Ｓｉと称す）のオーミックコンタクト膜６を順次成膜
し、フォトリソグラフィ法を用いてａ−Ｓｉ膜５、ｎ+
−ａ−Ｓｉ膜６をパターニングして半導体層を形成す
る。
【００３０】次に、スパッタリング法により金属膜を形
成し、フォトリソグラフィ法により半導体層のチャネル
部９ならびに信号線（ソース電極７、ドレイン電極８）
を形成してＴＦＴを形成する。
成し、フォトリソグラフィ法により半導体層のチャネル
部９ならびに信号線（ソース電極７、ドレイン電極８）
を形成してＴＦＴを形成する。
【００３１】ドレイン電極８は、ＴＦＴ近傍以外では走
査線、信号線に重畳せずに画素領域に全面に形成されて
反射膜を兼ねるとともに、無機絶縁膜のゲート絶縁膜４
を挟み、画素電極１４のエリア内で、下層に低抵抗金属
で形成された共通電極配線３と対向し、静電容量（コン
デンサー）を形成する。
査線、信号線に重畳せずに画素領域に全面に形成されて
反射膜を兼ねるとともに、無機絶縁膜のゲート絶縁膜４
を挟み、画素電極１４のエリア内で、下層に低抵抗金属
で形成された共通電極配線３と対向し、静電容量（コン
デンサー）を形成する。
【００３２】次に、トランジスタ保護のパッシベーショ
ン膜１０をＣＶＤ法などで成膜したのち、所定の開口部
を有し、各画素領域に整合する形状の絶縁性カラーフィ
ルタ赤（Ｒ）１１ａ、緑（Ｇ）１１ｂ、青（Ｂ）１１ｃ
をゲート電極配線２、ソース電極配線７に重畳して順次
形成する。
ン膜１０をＣＶＤ法などで成膜したのち、所定の開口部
を有し、各画素領域に整合する形状の絶縁性カラーフィ
ルタ赤（Ｒ）１１ａ、緑（Ｇ）１１ｂ、青（Ｂ）１１ｃ
をゲート電極配線２、ソース電極配線７に重畳して順次
形成する。
【００３３】カラーフィルタの形成方法としてはインク
ジェット法、顔料分散法、ラミネート法などを用いるこ
とができ、とくに限定されるものではない。
ジェット法、顔料分散法、ラミネート法などを用いるこ
とができ、とくに限定されるものではない。
【００３４】次に、感光性を有する、たとえばアクリル
系の透明絶縁性樹脂を、ＴＦＴ、制御配線およびカラー
フィルタによる段差を無くし表面が平坦化されるように
塗布し、フォトリソグラフィ法で、ドレイン電極８が共
通配線３と対向して保持容量を形成する部分上にコンタ
クトホール１３および端子コンタクト（図示せず）を形
成する。その後アクリル系の透明樹脂は充分焼成され、
層間絶縁膜１２とする。
系の透明絶縁性樹脂を、ＴＦＴ、制御配線およびカラー
フィルタによる段差を無くし表面が平坦化されるように
塗布し、フォトリソグラフィ法で、ドレイン電極８が共
通配線３と対向して保持容量を形成する部分上にコンタ
クトホール１３および端子コンタクト（図示せず）を形
成する。その後アクリル系の透明樹脂は充分焼成され、
層間絶縁膜１２とする。
【００３５】層間絶縁膜１２のコンタクトホール１３
は、カラーフィルタの開口部と整合していてドレイン電
極８と重畳する位置であればよく、位置は問わない。
は、カラーフィルタの開口部と整合していてドレイン電
極８と重畳する位置であればよく、位置は問わない。
【００３６】次に、層間絶縁膜１２をマスクとし、トラ
ンジスタ保護用のパッシベーション膜１０をエッチング
し、コンタクトホール１３の位置にドレイン電極８を露
出させる。
ンジスタ保護用のパッシベーション膜１０をエッチング
し、コンタクトホール１３の位置にドレイン電極８を露
出させる。
【００３７】同時に、端子（トランスファー電極を含
む）のコンタクト部のパッシベーション膜１０も除去さ
れる（図示せず）。
む）のコンタクト部のパッシベーション膜１０も除去さ
れる（図示せず）。
【００３８】アレイ基板上に段差を無くするように表面
が平坦化された透明性樹脂からなる層間絶縁膜１２上に
透明導電膜（ＩＴＯ）を成膜し、フォトリソグラフィ法
を用いてパターニングし、画素電極１４をゲート電極配
線２、ソース電極配線７に重畳して各画素領域全面に形
成する。
が平坦化された透明性樹脂からなる層間絶縁膜１２上に
透明導電膜（ＩＴＯ）を成膜し、フォトリソグラフィ法
を用いてパターニングし、画素電極１４をゲート電極配
線２、ソース電極配線７に重畳して各画素領域全面に形
成する。
【００３９】画素電極１４は、層間絶縁膜１２開けられ
たコンタクトホール１３を介してドレイン電極８と接続
する。
たコンタクトホール１３を介してドレイン電極８と接続
する。
【００４０】画素電極１４としては、ＩＴＯ膜以外にも
酸化インジュウム膜、酸化スズ膜などの透明膜を用いて
もよい。
酸化インジュウム膜、酸化スズ膜などの透明膜を用いて
もよい。
【００４１】なお、本実施の形態では信号線をソース電
極７に接続しているため画素電極１４をドレイン電極８
に接続しているが、信号線をドレイン電極に接続する回
路方式の場合は、画素電極をソース電極に接続する。
極７に接続しているため画素電極１４をドレイン電極８
に接続しているが、信号線をドレイン電極に接続する回
路方式の場合は、画素電極をソース電極に接続する。
【００４２】カラーフィルタに絶縁性樹脂を用いたもの
であってカラーフィルタによって平坦化を行なう場合
は、層間絶縁膜１２がなくてもよい（図３）。
であってカラーフィルタによって平坦化を行なう場合
は、層間絶縁膜１２がなくてもよい（図３）。
【００４３】以上の工程により形成されたＴＦＴアレイ
基板と、他の透明絶縁性基板に対向電極が形成された対
向基板の表面にともに配向膜を形成した後対向させ、こ
の間に液晶材料を注入することにより反射型液晶表示装
置を形成する。
基板と、他の透明絶縁性基板に対向電極が形成された対
向基板の表面にともに配向膜を形成した後対向させ、こ
の間に液晶材料を注入することにより反射型液晶表示装
置を形成する。
【００４４】この発明によれば、Ｒ、Ｇ、Ｂのカラーフ
ィルタを、アレイ基板側の各画素部に整合させて形成し
た。そのため、アレイ基板と対向基板の張合せ位置精度
の要求は大巾に緩和される。
ィルタを、アレイ基板側の各画素部に整合させて形成し
た。そのため、アレイ基板と対向基板の張合せ位置精度
の要求は大巾に緩和される。
【００４５】更に、電極配線、ＴＦＴ部、カラーフィル
タによる段差を透明な層間絶縁膜１２で平坦化されてい
るのでラビングが良好に行なわれ、液晶分子の配向異常
による表示不良が抑制できる。
タによる段差を透明な層間絶縁膜１２で平坦化されてい
るのでラビングが良好に行なわれ、液晶分子の配向異常
による表示不良が抑制できる。
【００４６】カラーフィルタ１１、画素電極１４をゲー
ト電極配線２、ソース電極配線７に重畳して形成してい
るので、画素部の有効面積を大きくでき、光利用効率が
向上している。
ト電極配線２、ソース電極配線７に重畳して形成してい
るので、画素部の有効面積を大きくでき、光利用効率が
向上している。
【００４７】以上のことにより、低消費電力で高開口率
な反射型液晶表示装置が得られる。
な反射型液晶表示装置が得られる。
【００４８】本実施の形態では窒化膜などのパッシベー
ション膜１０が設けられているが、なくても同様の効果
が得られる。
ション膜１０が設けられているが、なくても同様の効果
が得られる。
【００４９】また、反射膜部表面に凹凸が形成されて
も、駆動方式が単純マトリクスなどでもよくとくに何ら
問題はない。
も、駆動方式が単純マトリクスなどでもよくとくに何ら
問題はない。
【００５０】実施の形態２ 図４、５は実施の形態２によるＴＦＴアレイ基板を示す
平面図の一部である。
平面図の一部である。
【００５１】図６は実施の形態２によるＴＦＴアレイ基
板を示す断面図であり、図４のＢ−Ｂ′断面を示してい
る。
板を示す断面図であり、図４のＢ−Ｂ′断面を示してい
る。
【００５２】次に、本実施の形態による反射型液晶表示
装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法について説明する。
装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法について説明する。
【００５３】実施の形態１と同様の方法により絶縁基板
１上にゲート電極配線２、共通電極配線３、ゲート絶縁
膜４、ａ−Ｓｉ膜５、ｎ+−ａ−Ｓｉ膜６、チャネル部
９、ソース電極配線７、ドレイン電極８、パッシベーシ
ョン膜１０を順次形成する。
１上にゲート電極配線２、共通電極配線３、ゲート絶縁
膜４、ａ−Ｓｉ膜５、ｎ+−ａ−Ｓｉ膜６、チャネル部
９、ソース電極配線７、ドレイン電極８、パッシベーシ
ョン膜１０を順次形成する。
【００５４】前記共通電極配線３は、ゲート電極配線、
ソース電極配線で区画された画素領域内で、前記ソース
線と交差する部分以外では前記ゲート電極配線、ソース
電極配線と重畳させずに画素領域全面に形成されて、反
射を兼ねる構造となっている。
ソース電極配線で区画された画素領域内で、前記ソース
線と交差する部分以外では前記ゲート電極配線、ソース
電極配線と重畳させずに画素領域全面に形成されて、反
射を兼ねる構造となっている。
【００５５】次に、パッシベーション膜１０上に所定の
開口部を有し、各画素領域に整合する形状の絶縁性カラ
ーフィルタ赤（Ｒ）１１ａ、緑（Ｇ）１１ｂ、青（Ｂ）
１１ｃをゲート電極配線２、ソース電極配線７に重畳し
て順次形成したのち、感光性を有する透明絶縁性樹脂
を、ＴＦＴ、制御配線およびカラーフィルタによる段差
を無くし表面が平坦化されるように塗布し、フォトリソ
グラフィ法で、ドレイン電極８が共通電極配線３と対向
し保持容量を形成する部分上にコンタクトホール１３お
よび端子コンタクト（図示せず）を形成する。その後透
明樹脂は充分焼成され、層間絶縁膜１２とする。
開口部を有し、各画素領域に整合する形状の絶縁性カラ
ーフィルタ赤（Ｒ）１１ａ、緑（Ｇ）１１ｂ、青（Ｂ）
１１ｃをゲート電極配線２、ソース電極配線７に重畳し
て順次形成したのち、感光性を有する透明絶縁性樹脂
を、ＴＦＴ、制御配線およびカラーフィルタによる段差
を無くし表面が平坦化されるように塗布し、フォトリソ
グラフィ法で、ドレイン電極８が共通電極配線３と対向
し保持容量を形成する部分上にコンタクトホール１３お
よび端子コンタクト（図示せず）を形成する。その後透
明樹脂は充分焼成され、層間絶縁膜１２とする。
【００５６】層間絶縁膜１２のコンタクトホール１３の
位置はカラーフィルタの開口部と整合していてドレイン
電極８と重畳する位置であればよく、位置は問わない。
位置はカラーフィルタの開口部と整合していてドレイン
電極８と重畳する位置であればよく、位置は問わない。
【００５７】次に、層間絶縁膜１２をマスクとし、トラ
ンジスタ保護用のパッシベーション膜１０をエッチング
しコンタクトホール１２の位置にドレイン電極８を露出
させる。
ンジスタ保護用のパッシベーション膜１０をエッチング
しコンタクトホール１２の位置にドレイン電極８を露出
させる。
【００５８】同時に、端子の（トランスファー電極を含
む）コンタクト部のパッシベーション膜１０も除去され
る（図示せず）。
む）コンタクト部のパッシベーション膜１０も除去され
る（図示せず）。
【００５９】次に層間絶縁膜１２上に透明導電膜（ＩＴ
Ｏ）を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いてパターニ
ングし、画素電極１４をゲート電極配線２、ソース電極
配線７に重畳して各画素領域全面に形成する。
Ｏ）を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いてパターニ
ングし、画素電極１４をゲート電極配線２、ソース電極
配線７に重畳して各画素領域全面に形成する。
【００６０】画素電極１４は、層間絶縁膜１２開けられ
たコンタクトホール１３を介してドレイン電極８と接続
する。
たコンタクトホール１３を介してドレイン電極８と接続
する。
【００６１】また、共通電極配線３と対向して容量（コ
ンデンサー）を形成するドレイン電極８を、画素領域内
にゲート配線、ソース配線に重畳せず、任意の形状と大
きさで形成してもよい（図５）。
ンデンサー）を形成するドレイン電極８を、画素領域内
にゲート配線、ソース配線に重畳せず、任意の形状と大
きさで形成してもよい（図５）。
【００６２】以上の工程により形成されたＴＦＴアレイ
基板を用い、実施の形態１と同様の方法により対向基板
と対向させ、液晶を注入して反射型液晶表示装置を構成
する。
基板を用い、実施の形態１と同様の方法により対向基板
と対向させ、液晶を注入して反射型液晶表示装置を構成
する。
【００６３】本実施の形態においても実施の形態１と同
様の効果が得られ、共通電極配線をゲート電極配線、ソ
ース電極配線で区画された画素領域に、前記ソース線と
交差する部分をのぞき画素領域内全面形成しているの
で、ドレイン電極の冗長部も容量形成に利用でき、表示
特性の向上が得られる。
様の効果が得られ、共通電極配線をゲート電極配線、ソ
ース電極配線で区画された画素領域に、前記ソース線と
交差する部分をのぞき画素領域内全面形成しているの
で、ドレイン電極の冗長部も容量形成に利用でき、表示
特性の向上が得られる。
【００６４】実施の形態３ 図７は実施の形態３によるＴＦＴアレイ基板を示す平面
図の一部である。
図の一部である。
【００６５】図８は実施の形態３によるＴＦＴアレイ基
板を示す断面図であり、図７のＣ−Ｃ′断面を示してい
る。
板を示す断面図であり、図７のＣ−Ｃ′断面を示してい
る。
【００６６】次に、本実施の形態による反射型液晶表示
装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法に付いて説明する。
装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法に付いて説明する。
【００６７】実施の形態１と同様の方法により絶縁基板
１上にゲート電極配線２、共通電極配線３、ゲート絶縁
膜４、ａ−Ｓｉ膜５、ｎ+−ａ−Ｓｉ膜６、チャネル部
９、ソース電極配線７、ドレイン電極８、パッシベーシ
ョン膜１０を順次形成する。
１上にゲート電極配線２、共通電極配線３、ゲート絶縁
膜４、ａ−Ｓｉ膜５、ｎ+−ａ−Ｓｉ膜６、チャネル部
９、ソース電極配線７、ドレイン電極８、パッシベーシ
ョン膜１０を順次形成する。
【００６８】次に、パッシベーション膜１０上に所定の
開口部を有した反射膜１５を、前記ゲート電極配線、ソ
ース電極配線で区画された画素領域内全面に、前記ゲー
ト電極配線、ソース電極配線と重畳させずに形成する。
開口部を有した反射膜１５を、前記ゲート電極配線、ソ
ース電極配線で区画された画素領域内全面に、前記ゲー
ト電極配線、ソース電極配線と重畳させずに形成する。
【００６９】次に、反射膜１５上に反射膜の開口部と整
合した開口部を有する絶縁性カラーフィルタ赤（Ｒ）１
１ａ、緑（Ｇ）１１ｂ、青（Ｂ）１１ｃをゲート電極配
線２、ソース電極配線７に重畳して順次形成する。
合した開口部を有する絶縁性カラーフィルタ赤（Ｒ）１
１ａ、緑（Ｇ）１１ｂ、青（Ｂ）１１ｃをゲート電極配
線２、ソース電極配線７に重畳して順次形成する。
【００７０】その後、感光性を有する透明絶縁性樹脂を
ＴＦＴ、制御配線、およびカラーフィルタによる段差を
なくし表面が平坦化されるように塗布し、フォトリソグ
ラフィ法で、ドレイン電極８が共通電極配線３と対向し
て保持容量を形成する部分上にコンタクトホール１３お
よび端子コンタクト（図示せず）を形成する。その後透
明樹脂は充分焼成され、層間絶縁膜１２とする。
ＴＦＴ、制御配線、およびカラーフィルタによる段差を
なくし表面が平坦化されるように塗布し、フォトリソグ
ラフィ法で、ドレイン電極８が共通電極配線３と対向し
て保持容量を形成する部分上にコンタクトホール１３お
よび端子コンタクト（図示せず）を形成する。その後透
明樹脂は充分焼成され、層間絶縁膜１２とする。
【００７１】層間絶縁膜１２のコンタクトホール１３は
反射膜１５、カラーフィルタ１１の開口部と整合してお
り、コンタクトホール径は反射膜およびカラーフィルタ
の開口部の径より狭く、ドレイン電極８と重畳する位置
に形成されている。
反射膜１５、カラーフィルタ１１の開口部と整合してお
り、コンタクトホール径は反射膜およびカラーフィルタ
の開口部の径より狭く、ドレイン電極８と重畳する位置
に形成されている。
【００７２】次に、層間絶縁膜１２をマスクとし、トラ
ンジスタ保護用のパッシベーション膜１０をエッチング
しコンタクトホール１２の位置にドレイン電極８を露出
させる。
ンジスタ保護用のパッシベーション膜１０をエッチング
しコンタクトホール１２の位置にドレイン電極８を露出
させる。
【００７３】同時に、端子の（トランスファー電極を含
む）コンタクト部のパッシベーション膜１０も除去され
る（図示せず）。
む）コンタクト部のパッシベーション膜１０も除去され
る（図示せず）。
【００７４】次に、層間絶縁膜１２上に透明導電膜（Ｉ
ＴＯ）を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いてパター
ニングし、画素電極１４をゲート電極配線２、ソース電
極配線７に重畳して形成する。
ＴＯ）を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いてパター
ニングし、画素電極１４をゲート電極配線２、ソース電
極配線７に重畳して形成する。
【００７５】画素電極１４は、層間絶縁膜１２開けれた
コンタクトホール１３を介してドレイン電極８と接続す
る。
コンタクトホール１３を介してドレイン電極８と接続す
る。
【００７６】以上の工程により形成されたＴＦＴアレイ
基板を用い、実施の形態１と同様の方法により反射型液
晶表示装置を構成する。
基板を用い、実施の形態１と同様の方法により反射型液
晶表示装置を構成する。
【００７７】本実施の形態においても実施の形態１と同
様の効果が得られ、反射膜に使用する高反射率材料が大
きく許容されるとともに共通電極配線、ゲート電極配
線、ソース電極配線用材料も制約が緩和される。また、
本実施の形態では、カラーフィルタが導電性のものであ
ってもよい。
様の効果が得られ、反射膜に使用する高反射率材料が大
きく許容されるとともに共通電極配線、ゲート電極配
線、ソース電極配線用材料も制約が緩和される。また、
本実施の形態では、カラーフィルタが導電性のものであ
ってもよい。
【００７８】実施の形態４ 図９は実施の形態４によるＴＦＴアレイ基板を示す断面
図であり、図７のＤ−Ｄ′断面を示している。
図であり、図７のＤ−Ｄ′断面を示している。
【００７９】次に、本実施の形態による反射型液晶表示
装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法に付いて説明する。
装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法に付いて説明する。
【００８０】実施の形態１と同様の方法により絶縁基板
１上にゲート電極配線２、共通電極配線３、ゲート絶縁
膜４、ａ−Ｓｉ膜５、ｎ+−ａ−Ｓｉ膜６、チャネル部
９、ソース電極配線７、ドレイン電極８、パッシベーシ
ョン膜１０、反射膜１５を形成し、反射膜１５上に所定
の開口部を有する絶縁性カラーフィルタ赤（Ｒ）１１
ａ、緑（Ｇ）１１ｂ、青（Ｂ）１１ｃを隣接画素同志一
定の間隔を設け、ゲート電極配線２、ソース電極配線７
に重畳して形成する（図９ａ）。
１上にゲート電極配線２、共通電極配線３、ゲート絶縁
膜４、ａ−Ｓｉ膜５、ｎ+−ａ−Ｓｉ膜６、チャネル部
９、ソース電極配線７、ドレイン電極８、パッシベーシ
ョン膜１０、反射膜１５を形成し、反射膜１５上に所定
の開口部を有する絶縁性カラーフィルタ赤（Ｒ）１１
ａ、緑（Ｇ）１１ｂ、青（Ｂ）１１ｃを隣接画素同志一
定の間隔を設け、ゲート電極配線２、ソース電極配線７
に重畳して形成する（図９ａ）。
【００８１】次にカラーフィルタ１１をマスクとし反射
膜１５をエッチングする。このとき、反射膜はゲート電
極配線、ソース電極配線と重畳しない所までオーバーエ
ッチングされる。また、カラーフィルタの開口部も同様
にオーバーエッチングされる。
膜１５をエッチングする。このとき、反射膜はゲート電
極配線、ソース電極配線と重畳しない所までオーバーエ
ッチングされる。また、カラーフィルタの開口部も同様
にオーバーエッチングされる。
【００８２】その後、感光性を有する透明絶縁性樹脂を
ＴＦＴ、制御配線およびカラーフィルタによる段差をな
くし表面が平坦化されるように塗布し、マスク１６を用
いてフォトリソグラフィ法で、ドレイン電極８が共通電
極配線３と対向し保持容量を形成する部分上にコンタク
トホール１３および端子コンタクト（図示せず）を形成
する。その後透明樹脂は充分焼成され、層間絶縁膜１２
とする（図９ｂ）。
ＴＦＴ、制御配線およびカラーフィルタによる段差をな
くし表面が平坦化されるように塗布し、マスク１６を用
いてフォトリソグラフィ法で、ドレイン電極８が共通電
極配線３と対向し保持容量を形成する部分上にコンタク
トホール１３および端子コンタクト（図示せず）を形成
する。その後透明樹脂は充分焼成され、層間絶縁膜１２
とする（図９ｂ）。
【００８３】前記層間絶縁膜１２のコンタクトホール１
３は反射膜１５、カラーフィルタ１１の開口部と整合し
た位置に形成されている。
３は反射膜１５、カラーフィルタ１１の開口部と整合し
た位置に形成されている。
【００８４】次に、層間絶縁膜１２をマスクとしパッシ
ベーション膜１０をエッチングし、コンタクトホール１
３の位置にドレイン電極８を露出させ、層間絶縁膜１２
上およびコンタクトホール内に透明導電膜（ＩＴＯ）を
成膜し、フォトリソグラフィ法を用いてパターニング
し、画素電極１４をゲート電極配線２、ソース電極配線
７に重畳して形成する。ここで、カラーフィルタ１１の
開口径を大きくし、図８のように画素電極１４との間に
層間絶縁膜１２を介在させてもよい。
ベーション膜１０をエッチングし、コンタクトホール１
３の位置にドレイン電極８を露出させ、層間絶縁膜１２
上およびコンタクトホール内に透明導電膜（ＩＴＯ）を
成膜し、フォトリソグラフィ法を用いてパターニング
し、画素電極１４をゲート電極配線２、ソース電極配線
７に重畳して形成する。ここで、カラーフィルタ１１の
開口径を大きくし、図８のように画素電極１４との間に
層間絶縁膜１２を介在させてもよい。
【００８５】画素電極１４は、層間絶縁膜１２開けられ
たコンタクトホール１３を介してドレイン電極８と接続
する（図９ｃ）。
たコンタクトホール１３を介してドレイン電極８と接続
する（図９ｃ）。
【００８６】以上の工程により形成されたＴＦＴアレイ
基板を用い、実施の形態１と同様の方法により反射型液
晶表示装置を構成する。
基板を用い、実施の形態１と同様の方法により反射型液
晶表示装置を構成する。
【００８７】本実施の形態においても実施の形態１と同
様の効果が得られ、反射膜をカラーフィルタをマスクと
してエッチング形成するので、レジストマスクの工程が
省ける。また、本実施の形態においては、カラーフィル
タが導電性のものであってもよい。
様の効果が得られ、反射膜をカラーフィルタをマスクと
してエッチング形成するので、レジストマスクの工程が
省ける。また、本実施の形態においては、カラーフィル
タが導電性のものであってもよい。
【００８８】実施の形態５ 図１０は実施の形態１０によるＴＦＴアレイ基板の断面
図である。
図である。
【００８９】この実施の形態は、実施の形態１、実施の
形態２および実施の形態３において、カラーフィルタに
用いた絶縁性有色膜を、ゲート電極配線、スイッチング
素子、ソース電極配線上で３色積層したのち、透明な層
間絶縁膜で平坦化した構造に形成したものである。
形態２および実施の形態３において、カラーフィルタに
用いた絶縁性有色膜を、ゲート電極配線、スイッチング
素子、ソース電極配線上で３色積層したのち、透明な層
間絶縁膜で平坦化した構造に形成したものである。
【００９０】本実施の形態においても実施の形態１と同
様の効果が得られ、カラーフィルタをゲート電極配線、
スイッチング素子、ソース電極配線上で３色積層したこ
とによりブラックマトリクスの効果を持つとともに、逆
スタガ型ＴＦＴでの光リークの防止が可能となる。
様の効果が得られ、カラーフィルタをゲート電極配線、
スイッチング素子、ソース電極配線上で３色積層したこ
とによりブラックマトリクスの効果を持つとともに、逆
スタガ型ＴＦＴでの光リークの防止が可能となる。
【００９１】
【発明の効果】本発明の請求項１〜３にかかわる反射型
液晶表示装置によれば、ＴＦＴアレイ基板上の走査線と
信号線を除く画素領域内の全面に反射膜を形成し、反射
膜上の画素領域全面にカラーフィルタを形成し、カラー
フィルタ上に段差を吸収する層間絶縁膜を形成し、層間
絶縁膜上にコンタクトホールを介してＴＦＴの電極に電
気的に接続された透明画素電極を画素領域全面に形成し
たので、ＴＦＴアレイ基板と対向基板との張合せ時のア
ライメント精度が緩和され、開口率が高く、ラビング不
良が防止でき、液晶に充分に駆動電圧を印加できる反射
型液晶装置が得られる。
液晶表示装置によれば、ＴＦＴアレイ基板上の走査線と
信号線を除く画素領域内の全面に反射膜を形成し、反射
膜上の画素領域全面にカラーフィルタを形成し、カラー
フィルタ上に段差を吸収する層間絶縁膜を形成し、層間
絶縁膜上にコンタクトホールを介してＴＦＴの電極に電
気的に接続された透明画素電極を画素領域全面に形成し
たので、ＴＦＴアレイ基板と対向基板との張合せ時のア
ライメント精度が緩和され、開口率が高く、ラビング不
良が防止でき、液晶に充分に駆動電圧を印加できる反射
型液晶装置が得られる。
【００９２】本発明の請求項４、５にかかわる反射型液
晶表示装置によれば、カラーフィルタの絶縁性に対する
要求が緩和される。
晶表示装置によれば、カラーフィルタの絶縁性に対する
要求が緩和される。
【００９３】本発明の請求項６にかかわる反射型液晶表
示装置によれば、カラーフィルタを絶縁性としたので、
画素間ショートが防止でき、画素ピッチを詰め、かつ開
口率を高くすることができる。
示装置によれば、カラーフィルタを絶縁性としたので、
画素間ショートが防止でき、画素ピッチを詰め、かつ開
口率を高くすることができる。
【００９４】本発明の請求項７にかかわる反射型液晶表
示装置によればスイッチング素子、走査線および信号線
上にブラックマトリクスと同等な効果の３層カラーフィ
ルタが形成されるので、画素間の光漏れを防止できる。
示装置によればスイッチング素子、走査線および信号線
上にブラックマトリクスと同等な効果の３層カラーフィ
ルタが形成されるので、画素間の光漏れを防止できる。
【００９５】本発明の請求項８にかかわる反射型液晶表
示装置によれば、透明画素電極をカラーフィルタ上に直
接に形成したので、層間絶縁膜を形成する工程を省くこ
とができる。
示装置によれば、透明画素電極をカラーフィルタ上に直
接に形成したので、層間絶縁膜を形成する工程を省くこ
とができる。
【００９６】本発明の請求項９〜１２にかかわる反射型
液晶装置の製造方法によれば、ＴＦＴアレイ基板と対向
基板との張合せ時のアライメント精度が緩和され、開口
率が高く、ラビング不良が防止でき、液晶に充分に駆動
電圧を印加できる反射型液晶装置が得られる。
液晶装置の製造方法によれば、ＴＦＴアレイ基板と対向
基板との張合せ時のアライメント精度が緩和され、開口
率が高く、ラビング不良が防止でき、液晶に充分に駆動
電圧を印加できる反射型液晶装置が得られる。
【図１】本発明の実施の形態１のＴＦＴアレイ基板の平
面図である。
面図である。
【図２】本発明の実施の形態１のＴＦＴアレイ基板の断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の実施の形態１のＴＦＴアレイ基板の断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の実施の形態２のＴＦＴアレイ基板の平
面図である。
面図である。
【図５】本発明の実施の形態２のＴＦＴアレイ基板の平
面図である。
面図である。
【図６】本発明の実施の形態２のＴＦＴアレイ基板の断
面図である。
面図である。
【図７】本発明の実施の形態３のＴＦＴアレイ基板の平
面図である。
面図である。
【図８】本発明の実施の形態３のＴＦＴアレイ基板の断
面図である。
面図である。
【図９】本発明の実施の形態４のＴＦＴアレイ基板の断
面図である。
面図である。
【図１０】本発明の実施の形態５のＴＦＴアレイ基板の
断面図である。
断面図である。
１ 透明絶縁性基板 ２ ゲート電極配線 ２ａ ゲート電極 ３ 共通電極配線 ４ ゲート絶縁膜 ５ ａ−Ｓｉ膜（半導体膜） ６ ｎ+−ａ−Ｓｉ膜（オーミックコンタクト膜） ７ ソース電極配線 ７ａ ソース電極 ８ ドレイン電極 ９ チャネル部 １０ パッシベーション膜 １１ カラーフィルタ １１ａ カラーフィルタ赤（Ｒ） １１ｂ カラーフィルタ緑（Ｇ） １１ｃ カラーフィルタ青（Ｂ） １２ 層間絶縁膜 １３ コンタクトホール １４ 透明画素電極 １５ 反射膜 １６ マスク
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FA14Y FB04 FC05 FC12 FD04 GA07 GA13 GA16 LA12 LA15 2H092 GA05 HA04 JA26 JA46 JB07 JB57 JB58 JB64 JB69 KA05 KA12 KB14 KB22 KB25 MA05 MA08 MA15 MA20 MA37 MA41 NA04 NA07 NA16 NA27 NA29 PA08
Claims (12)
- 【請求項１】 絶縁性基板と、前記絶縁性基板上で行方
向に形成された複数本の走査線および共通電極配線と、
前記走査線に交差する列方向に形成された複数本の信号
線と、平行する各々２本の前記走査線と信号線で区画さ
れた画素領域に形成されたスイッチング素子と、前記画
素領域に形成されたカラーフィルタと、前記走査線、信
号線、スイッチング素子、およびカラーフィルタより上
層に形成され、前記走査線、信号線、スイッチング素
子、およびカラーフィルタの段差を吸収する層間絶縁膜
と、前記層間絶縁膜上の前記各画素領域に透明導電膜に
より形成され、前記層間絶縁膜に設けられたコンタクト
ホール、カラーフィルタの開口部を介して前記スイッチ
ング素子と電気的に接続された画素電極を有する第１の
基板と、前記第１の基板とともに液晶材料を狭持する透
明な第２の基板とを備え、前記スイッチング素子を構成
する片方の電極が、スイッチング素子近傍以外では前記
走査線、信号線に重畳せずに前記画素領域内に全面に形
成されて反射膜を兼ねていることを特徴とする反射型液
晶表示装置。 - 【請求項２】 絶縁性基板と、前記絶縁性基板上で行方
向に形成された複数本の走査線および共通電極配線と、
前記走査線に交差する列方向に形成された複数本の信号
線と、平行する各々２本の前記走査線と信号線で区画さ
れた画素領域に形成されたスイッチング素子と、前記画
素領域に形成されたカラーフィルタと、前記走査線、信
号線、スイッチング素子、およびカラーフィルタより上
層に形成され、前記走査線、信号線、スイッチング素
子、およびカラーフィルタの段差を吸収する層間絶縁膜
と、前記層間絶縁膜上の前記各画素領域に透明導電膜に
より形成され、前記層間絶縁膜に設けられたコンタクト
ホール、カラーフィルタの開口部を介して前記スイッチ
ング素子と電気的に接続された画素電極を有する第１の
基板と、前記第１の基板とともに液晶材料を狭持する透
明な第２の基板とを備え、前記行方向の走査線と平行に
形成された共通電極配線が、信号線とのクロス部以外で
は走査線、信号線に重畳せずに前記画素領域内に全面に
形成されて反射膜を兼ねていることを特徴とする反射型
液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記走査線および信号線を除く前記画素
領域内の全面に形成された共通電極配線との間に、ゲー
ト絶縁膜を挟んで容量を形成するスイッチング素子の片
方の電極は、画素領域内に任意の大きさ、形状で形成さ
れた事を特徴とする請求項２項記載の反射型液晶表示装
置。 - 【請求項４】 絶縁性基板と、前記絶縁性基板上で行方
向に形成された複数本の走査線および共通電極配線と、
前記走査線に交差する列方向に形成された複数本の信号
線と、平行する各々２本の前記走査線と信号線で区画さ
れた画素領域に形成されたスイッチング素子と、前記ス
イッチング素子を保護するパッシベーション膜と、前記
パッシベーション膜上に形成された反射膜と、前記画素
領域で反射膜上に形成されたカラーフィルタと、前記走
査線、信号線、スイッチング素子、反射膜およびカラー
フィルタより上層に形成され、前記走査線、信号線、ス
イッチング素子、反射膜およびカラーフィルタの段差を
吸収する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上の前記各画素
領域に透明導電膜により形成され、前記層間絶縁膜に設
けられたコンタクトホール、カラーフィルタの開口部を
介して前記スイッチング素子と電気的に接続された画素
電極を有する第１の基板と、前記第１の基板とともに液
晶材料を狭持する透明な第２の基板とを備え、前記反射
膜は、走査線、信号線に重畳せず前記画素領域内に全面
に、画素電極と電気的に接続させないで形成されている
ことを特徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項５】 層間絶縁膜に設けられたコンタクトホー
ル径は、反射膜およびカラーフィルタの開口径より狭く
形成された事を特徴とする請求項４項記載の反射型液晶
表示装置。 - 【請求項６】 カラーフィルタは絶縁性であることを特
徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の反射型液晶
表示装置。 - 【請求項７】 カラーフィルタは前記走査線上、スイッ
チング素子上および信号線上で３色積層され、層間絶縁
膜で平坦化されていることを特徴とする請求項１〜６の
いずれか１項記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項８】 透明画素電極はカラーフィルタ上に直接
に形成された事を特徴とする請求項６項記載の反射型液
晶表示装置。 - 【請求項９】 少なくともいずれか一方には電極が形成
されている２枚の絶縁性基板を対向させて接着するとと
もに、前記２枚の絶縁性基板のあいだに液晶材料が狭持
されている反射型液晶表示装置の製造方法において、前
記２枚の絶縁性基板の一方に、行方向に複数本の走査線
と共通電極配線および、この走査線、共通電極配線と交
差する列方向に複数本の信号線を形成し、前記平行する
各々２本の走査線と信号線で区画された画素領域にスイ
ッチング素子を形成し、前記スイッチング素子を構成す
る片方の電極を、スイッチング素子近傍以外では前記走
査線、信号線に重畳させず前記画素領域内に全面に形成
する工程と、前記画素領域内に所定の開口部を有するカ
ラーフィルタを形成する工程と、前記走査線、信号線、
スイッチング素子およびカラーフィルタより上層に感光
性を有する樹脂を塗布、露光、現像することにより、カ
ラーフィルタの開口部にコンタクトホールを有する層間
絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上および前記
コンタクトホール内に透明導電膜を形成し、レジストマ
スクを用いてエッチングし、前記スイッチング素子と前
記コンタクトホールを介して電気的に接続された画素電
極を前記層間絶縁膜上に形成する工程とを含むことを特
徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】 少なくともいずれか一方には電極が形
成されている２枚の絶縁性基板を対向させて接着すると
ともに、前記２枚の絶縁性基板のあいだに液晶材料が狭
持されている反射型液晶表示装置の製造方法において、
前記２枚の絶縁性基板の一方に行方向に複数本の走査線
およびこの走査線と交差する列方向に複数本の信号線を
形成し、前記平行する各々２本の走査線と信号線で区画
された画素領域に前記行方向の走査線と平行に形成され
る共通電極配線を、前記信号線と交差する部分以外では
前記走査線、信号線と重畳させずに前記画素領域内全面
に形成する工程と、前記画素領域内にスイッチング素子
を形成する工程と、前記画素領域内に所定の開口部を有
するカラーフィルタを形成する工程と、前記走査線、信
号線、共通電極配線、スイッチング素子およびカラーフ
ィルタより上層に感光性を有する樹脂を塗布、露光、現
像することにより、カラーフィルタの開口部にコンタク
トホールを有する層間絶縁膜を形成する工程と、前記層
間絶縁膜上および前記コンタクトホール内に透明導電膜
を成膜し、レジストマスクを用いてエッチングし、前記
スイッチング素子と前記コンタクトホールを介して電気
的に接続された画素電極を前記層間絶縁膜上に形成する
工程とを含むことを特徴とする反射型液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項１１】 少なくともいずれか一方には電極が形
成されている２枚の絶縁性基板を対向させて接着すると
ともに、前記２枚の絶縁性基板のあいだに液晶材料が狭
持されている反射型液晶表示装置の製造方法において、
前記二枚の絶縁性基板の一方に行方向に複数本の走査線
と共通電極配線およびこの走査線、共通電極配線と交差
する列方向に複数本の信号線を形成する工程と、前記平
行する各々２本の走査線と信号線で区画された画素領域
にスイッチング素子を形成する工程と、前記走査線、共
通電極配線、信号線およびスイッチング素子上に前記ス
イッチング素子を保護するパッシベーション膜を形成す
る工程と、前記パッシベーション膜上に前記走査線、信
号線に重畳せずに前記画素領域内全面に所定の開口部を
有する反射膜を形成する工程と、前記反射膜上に反射膜
の開口部と整合した開口部を持つカラーフィルタを形成
する工程と、前記走査線、信号線、スイッチング素子、
反射膜およびカラーフィルタより上層に感光性を有する
樹脂を塗布、露光、現像することにより、カラーフィル
タと反射膜の開口部に整合したコンタクトホールを有す
る層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上およ
び前記コンタクトホール内に透明導電膜を成膜し、レジ
ストマスクを用いてエッチングし、前記スイッチング素
子と前記コンタクトホールを介して電気的に接続された
画素電極を前記層間絶縁膜上に形成する工程とを含むこ
とを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記反射膜は、反射膜上のカラーフィ
ルタをマスクとしてオーバエッチし、反射膜のコンタク
トホール壁面への露出および走査線、信号線との重畳を
無くして形成する工程を含むことを特徴とする第１１項
記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10365561A JP2000187209A (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10365561A JP2000187209A (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000187209A true JP2000187209A (ja) | 2000-07-04 |
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ID=18484571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10365561A Pending JP2000187209A (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
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- 1998-12-22 JP JP10365561A patent/JP2000187209A/ja active Pending
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