JP2015156012A - 表示装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】色純度の調整を可能とした、新規な表示装置を提供する。または、カラーフィルタの密着性が向上した新規な表示装置を提供する。または、良好な反射表示を可能とした、新規な表示装置を提供する。
【解決手段】画素領域と、画素領域に形成されたトランジスタと、トランジスタのソース電極層またはドレイン電極層と同一平面上に形成された反射電極層と、反射電極層上の第１の絶縁層と、反射電極層と重畳し、第１の絶縁層上の有色層と、有色層上の第２の絶縁層と、第２の絶縁層上の画素電極層と、を有し、有色層は、少なくとも第１の開口部及び第２の開口部を有し、画素電極層は、第１の開口部を介してトランジスタと電気的に接続され、第２の絶縁層が、第２の開口部を介して第１の絶縁層と接する。
【選択図】図３

Description

本発明は、物、方法、又は製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、又は組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、電子機器、それらの作製方法、又はそれらの駆動方法に関する。特に、本発明の一態様は、例えば、反射型液晶表示装置に関する。

なお、表示装置とは、表示素子を有する装置のことをいう。なお、表示装置は、複数の画素を駆動させる駆動回路等を含む。なお、表示装置は、別の基板上に配置された制御回路、電源回路、信号生成回路等を含む場合がある。

近年、スマートフォンを始めとした携帯情報端末の急速な普及に伴い、端末自体の高性能化も急速に進んでいる。画面は大型化、高精細化の一途を辿り、最近ではその精細度が３００ｐｐｉを超えるものも出てきている。

例えば、液晶表示装置として、表示領域にＲＧＢのサブピクセルを設け、各サブピクセルにカラーフィルタを設ける構成が一般的に用いられる。該カラーフィルタは、アクティブマトリクス基板（画素を駆動するためのトランジスタ等の素子が形成されている基板）と対向する基板（対向基板）に設けられる。

また、高精細化に伴い、アクティブマトリクス基板と、カラーフィルタが形成されている対向基板とのアライメント精度が問題視されることもある。これを解決するため、カラーフィルタをアクティブマトリクス基板側に形成する、所謂カラーフィルタ・オン・アレイ（ＣＯＡ）構造が注目されてきている。

ＣＯＡ構造を有する液晶表示装置としては、アクティブマトリクス基板側にカラーフィルタ、画素電極、反射層を具備し、対向基板側から入射した光が、画素電極、及びカラーフィルタを透過して、下層に配置された反射層で反射されて視認される反射型または半透過型の液晶表示装置が開示されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。

特開２０００−１８７２０９号公報 国際公開第２０１１／０４５９５３号

対向基板にカラーフィルタを有する反射型の表示装置の場合、外光などの光がカラーフィルタを通過し、反射膜等で反射し、さらにカラーフィルタを通過する。

また、ＣＯＡ構造を有する反射型の表示装置の場合も、外光などの光がカラーフィルタを通過し、反射膜等で反射し、さらにカラーフィルタを通過する。すなわち、外光などの光がカラーフィルタを２回通過することによって、視認者に観測される。したがって、反射光の色純度が高くなる場合がある。反射光の色純度が高い場合、室内などの外光が比較的弱い場合においては、反射光が弱く、表示が暗くなる。

反射型の表示装置の反射光の色純度の調整は、例えば、カラーフィルタの膜厚を厚くまたは薄く形成することで、行うことができる。また、カラーフィルタに用いる着色材料、例えば、顔料等を変えることで色純度を調整することができる。しかしながら、カラーフィルタの膜厚を厚くまたは薄く形成する場合、基板面内での膜厚を均一に形成するのが困難である。また、カラーフィルタに用いる着色材料を変える場合、材料変更が必要なため、開発までの期間が長くなりコスト増となる。

また、もう一つの課題として、カラーフィルタと被形成面との密着性が悪いといった問題がある。例えば、カラーフィルタとして、着色材料が分散された感光性樹脂溶液を用い、該感光性樹脂溶液を塗布乾燥して感光性樹脂膜を形成する。該感光性樹脂膜の露光時において、着色材料が分散されているために、露光時の光強度が深さ方向につれ減衰し、感光性樹脂膜と被形成面との界面付近で光硬化が不十分となり密着性が低下する場合がある。

上述の課題に鑑み、本発明の一態様は、色純度の調整を可能とした、新規な表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、カラーフィルタの密着性が向上した新規な表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、生産性が向上された、新規な表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、良好な反射表示を可能とした、新規な表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の他の一態様は、良好な反射表示を可能とした、ＣＯＡ構造が適用された新規な表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の他の一態様は、新規な表示装置などを提供することを課題の一つとする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、上記以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、上記以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、画素領域と、画素領域に形成されたトランジスタと、トランジスタのソース電極層またはドレイン電極層と、ソース電極層またはドレイン電極層上の絶縁層と、絶縁層上の画素電極層と、画素電極層及びドレイン電極層と重畳する有色層とを有し、画素電極層は、トランジスタと電気的に接続され、有色層は、少なくとも第１の開口部及び第２の開口部を有することを特徴とする表示装置である。

また、上記構成において、前記有色層は、対向基板に形成され、画素電極層が形成された基板と対向基板とが貼り合わされ、有色層が画素電極層と重畳するように位置合わせされている。上記構成において、画素電極層は、反射電極層として機能する。

また、上記構成において、有色層は、赤色の波長帯域の光を透過する材料層、緑色の波長帯域の光を透過する材料層、青色の波長帯域の光を透過する材料層を用いる。また、有色層の他の色として、シアン、マゼンダ、イエロー（黄）などを用いてもよい。また、フルカラーの表示を得るために３種類以上の有色層を用いる場合、有色層の上面形状を他の色の有色層と異ならせてもよく、例えば、有色層の開口形状を異ならせる。また、複数の有色層を形成する基板も一枚の基板に限定されず、例えば、対向基板に第１の有色層を設け、トランジスタを設ける基板に第２の有色層、及び第３の有色層を設けてもよい。

また、上記構成において、さらに第２の有色層と、第３の有色層とを有し、第２の有色層は、少なくとも第３の開口部及び第４の開口部を有し、第３の開口部及び第４の開口部の上面形状は、第１の開口部及び第２の開口部と異なることを特徴とする表示装置である。青色の有色層の開口部の面積よりも赤色の有色層の開口部の面積を大きくすることで、ＮＴＳＣ比を維持しつつ、反射率を改善することができる。

また、本発明の他の一態様は、画素領域と、画素領域に形成されたトランジスタと、トランジスタのソース電極層またはドレイン電極層と同一平面上に形成された反射電極層と、反射電極層上の第１の絶縁層と、反射電極層と重畳し、第１の絶縁層上の有色層と、有色層上の第２の絶縁層と、第２の絶縁層上の画素電極層と、を有し、有色層は、少なくとも第１の開口部及び第２の開口部を有し、画素電極層は、第１の開口部を介してトランジスタと電気的に接続され、第２の絶縁層が、第２の開口部を介して第１の絶縁層と接することを特徴とする表示装置である。

また、本発明の他の一態様は、画素領域と、画素領域に形成されたトランジスタと、トランジスタのソース電極層またはドレイン電極層と同一平面上に形成された反射電極層と、反射電極層上の無機絶縁材料によって形成された第１の絶縁層と、反射電極層と重畳し、第１の絶縁層上の有色層と、有色層上の有機絶縁材料によって形成された第２の絶縁層と、第２の絶縁層上の画素電極層と、を有し、有色層は、少なくとも第１の開口部及び第２の開口部を有し、画素電極層は、第１の開口部を介してトランジスタと電気的に接続され、第２の絶縁層が、第２の開口部を介して第１の絶縁層と接することを特徴とする表示装置である。

また、上記各構成において、トランジスタは、ゲート電極層と、ゲート電極層上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の半導体層と、ゲート絶縁層、及び半導体層と接するソース電極層及びドレイン電極層と、を有する構成であると好ましい。

また、上記各構成において、第１の絶縁層は、第１の開口部と重畳する位置に第３の開口部を有し、画素電極層は、第１の開口部及び第３の開口部を介してトランジスタのドレイン電極層と電気的に接続される構成であると好ましい。

また、上記各構成において、半導体層は、酸化物半導体層であると好ましい。また、該酸化物半導体層は、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆを表す。）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される酸化物を含むとよい。

また、上記各構成において、画素領域上にタッチパネルを重畳させてもよいし、タッチ入力機能を有する回路を対向基板上に設けてもよい。

また、上記各構成の表示装置を用いた電子機器も本発明の一態様に含まれる。

本発明の一態様により、色純度の調整を可能とした、新規な表示装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、カラーフィルタの密着性が向上した新規な表示装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、生産性が向上された、新規な表示装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、良好な反射表示を可能とした、新規な表示装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、新規な表示装置などを提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

表示装置の上面を説明する図。 表示装置の有色層の上面を説明する図。 表示装置の断面を説明する図。 表示装置の作製方法を説明する断面図。 表示装置の作製方法を説明する断面図。 表示装置の作製方法を説明する断面図。 表示装置の断面及び表示装置の作製方法を説明する図。 表示装置のブロック図及び画素の回路図。 表示モジュールを説明する図。 電子機器を説明する図。 実施例における光学顕微鏡観察像。 実施例における断面ＴＥＭ像。 実施例における断面ＴＥＭ像。 表示装置の有色層の上面を説明する図。 表示装置の作製方法を説明する断面図。 表示装置の断面を説明する図。 表示装置の断面を説明する図。 表示装置の断面を説明する図。 表示装置の断面を説明する図。 表示装置の断面を説明する図。 表示装置の上面を説明する図。 表示装置の有色層の上面を説明する図。 表示装置の断面を説明する図。 反射率の測定方法を示す図と、反射率を示すグラフである。 表示装置の観察写真と、表示装置の特性を示す図である。 表示装置の断面模式図。 表示装置の駆動方法の一例を示す概念図である。 リフレッシュ動作の前後に生じる画像の変化を示すグラフである。

以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。

また、本明細書にて用いる「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。

また、本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。

また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域またはドレイン電極層）とソース（ソース端子、ソース領域またはソース電極層）の間にチャネル領域を有しており、ドレインとチャネル領域とソースとを介して電流を流すことができるものである。

また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。

また、本明細書等において、「電気的に接続」には、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジスタなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有する素子などが含まれる。

また、本明細書等において、画素領域とは、少なくとも画素（一つの色要素（例えばＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）のいずれか１つ）の明るさを制御できる表示単位に相当するもの）を有する構成である。したがって、カラー表示装置の場合には、カラー画像の最小表示単位は、Ｒの画素とＧの画素とＢの画素との三画素から構成されるものとする。ただし、カラー画像を表示するための色要素は、三色に限定されず、三色以上を用いても良いし、ＲＧＢ以外の色を用いても良い。例えば、Ｒの画素とＧの画素とＢの画素とＷ（白）の画素の四画素から表示単位を構成してもよい。または、ペンタイル配列のように、ＲＧＢのうち、複数の色要素で一つの表示単位を構成してもよい。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図１乃至図６を用いて説明を行う。

図１は、本発明の一態様の表示装置の一例の上面図を表している。なお、図１に示す上面図としては、表示装置の画素領域の一部分（３画素分）を表しており、図面の煩雑を避けるため、ゲート絶縁層等の一部の構成要素を省略して図示している。

図１において、トランジスタ１５０は、ゲート電極層として機能する導電層１０４ａと、ゲート絶縁層（図１に図示せず。）と、チャネル領域が形成される半導体層１０８と、ソース電極層として機能する導電層１１０ｂ＿１と、ドレイン電極層として機能する導電層１１０ｂ＿２と、を有する。また、トランジスタ１５０のゲート電極層として機能する導電層１０４ａを含むゲート線１０４が左右方向に延在し、トランジスタ１５０のソース電極層として機能する導電層１１０ｂ＿１を含むソース線１１０が上下方向に延在している。また、隣接する２つのゲート線１０４と隣接する２つのソース線１１０で区画された領域には、画素領域１２０が形成されている。このように、トランジスタ１５０は、画素領域１２０に形成される。

また、ゲート電極層として機能する導電層１０４ａと同一工程で形成される導電層１０４ｂと、ドレイン電極層として機能する導電層１１０ｂ＿２と、がゲート絶縁層と同一工程で形成される絶縁層を介して積層して設けられる。導電層１０４ｂ、ゲート絶縁層と同一工程で形成される絶縁層、及び導電層１１０ｂ＿２により容量素子１５２が形成される。

また、トランジスタ１５０には、画素電極層１１８が電気的に接続されている。具体的には、画素電極層１１８は、開口部１３４及び開口部１３８を介して、トランジスタ１５０のドレイン電極層として機能する導電層１１０ｂ＿２と電気的に接続される。

また、図１に示すように、導電層１１０ｂ＿１を含むソース線１１０と、導電層１０４ａを含むゲート線１０４が交差する領域の面積を小さくすると好ましい。ソース線１１０及びゲート線１０４のそれぞれの面積を小さくすることで、ソース線１１０とゲート線１０４の間で生じうる寄生容量を低減することができる。

また、画素領域１２０は、トランジスタ１５０のソース電極層として機能する導電層１１０ｂ＿１、及びトランジスタ１５０のドレイン電極層として機能する導電層１１０ｂ＿２と同一工程で形成された導電層１１０ｂ＿３を有する。なお、導電層１１０ｂ＿３は、反射電極層としての機能を有する。また、導電層１１０ｂ＿３と重畳する位置には、有色層１１４が形成される。また、有色層１１４と重畳する位置には、画素電極層１１８が形成される。

図１に示す構成においては、導電層１１０ｂ＿３に入射する光（主に外光など）は、少なくとも画素電極層１１８及び有色層１１４を通過し、導電層１１０ｂ＿３で反射される。つまり、本実施の形態の一態様の表示装置としては、反射電極層として機能する導電層１１０ｂ＿３で反射された光を用いて、カラー表示を行う。なお、導電層１１０ｂ＿３は、容量線としての機能を有する。導電層１１０ｂ＿３は、隣接する画素間で接続されている。

また、有色層１１４は、第１の開口部として機能する開口部１３４と、第２の開口部として機能する開口部１３６を有する。なお、図１においては、１画素について１６個の開口部１３６が設けられている構成について例示している。ただし、開口部１３６の形状または個数については、これに限定されない。

開口部１３４は、トランジスタ１５０と、画素電極層１１８との接続用の開口部として機能する。また、開口部１３６は、有色層１１４の色純度を調整する機能を有する。すなわち、開口部１３６の形状または開口部の個数により、有色層１１４の色純度を調整できる。

このように、有色層１１４が開口部１３６を有する構成とすることで、有色層１１４の色純度を簡便に調整することができる。

ここで、図１に示す表示装置の有色層１１４の上面形状をより具体的に説明する。図２（Ａ）に有色層１１４の上面図を示す。なお、図２（Ａ）において、有色層１１４以外の他の構成要素は省略して図示している。また、図２（Ａ）においては、１画素分の上面図に相当する。

図２（Ａ）に示す有色層１１４は、開口部１３４と開口部１３６を有する。また、図２（Ａ）においては、隣接する画素、ここでは、上に隣接する画素の有色層１１４が重なる領域を領域１４１として表し、下に隣接する画素の有色層１１４が重なる領域を領域１４２として表している。このように、１つの画素に対して隣接する画素の有色層１１４の一部を重ねて配置することで、ゲート線１０４またはソース線１１０で反射しうる反射光を抑制することができる。すなわち、隣接する画素の有色層１１４を積層して設けることで、有色層１１４の一部を所謂ブラックマトリクス（ＢＭ）として機能させることができる。

なお、図２（Ａ）においては、隣接する画素の双方の有色層１１４が、それぞれ独立して有色層１１４と重なる構成について例示したが、これに限定されない。例えば、隣接する画素の双方の有色層１１４が、それぞれ共通して有色層１１４と重なる構成としてもよい。ただし、隣接する画素の双方の有色層１１４が、それぞれ共通して有色層１１４と重なる構成とする場合、画素領域１２０または画素領域１２０周辺の凹凸が大きくなる場合がある。よって、画素領域１２０または画素領域１２０周辺の平坦性も考慮すると、図２（Ａ）に示すように隣接する画素の双方の有色層１１４がそれぞれ独立して、有色層１１４と重なる構成の方が好ましい。あるいは画素領域１２０周辺に、ブラックマトリクス（ＢＭ）として機能する、黒色の有色層を配置する構成としてもよい。

また、図２（Ｂ）、（Ｃ）に図２（Ａ）に示す有色層１１４の変形例を示す。

図２（Ｂ）に示す有色層１１４は、図２（Ａ）に示す有色層１１４と比較して開口部１３４の形状、及び開口部１３６の形状並びに配置が異なる。また、図２（Ｃ）に示す有色層１１４は、図２（Ａ）に示す有色層１１４と比較して開口部１３４の形状、及び開口部１３６の形状並びに開口部１３６の配置が異なる。このように、有色層１１４が有する開口部１３４及び開口部１３６の形状または個数は、有色層１１４の色純度を調整するために、様々な形状または配置とすることができる。また、図１及び図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）においては、開口部１３６の形状を矩形としたが、これに限定されず、例えば、円形、楕円等の形状としてもよい。

なお、画素の色によって、有色層１１４、開口部１３４、開口部１３６などの形状や、それらの配置が異なるようにしてもよい。例えば、Ｒの画素の場合は、図２（Ａ）を採用し、Ｇの画素の場合には図２（Ｂ）を採用し、Ｂの画素の場合には図２（Ｃ）を採用してもよい。Ｗの画素の場合には有色層１１４を設けない構成、または開口部１３４や開口部１３６を他の色の画素の場合よりも大きく配置してもよい。

または、１つの画素の中に、透過領域４０１を有する構成にしてもよい。または、透過領域４０１と反射領域４００とを有する半透過型の表示装置としてもよい。図２（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示す有色層１１４の上面形状を、半透過型に適用した場合の例を図１４（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示す。図１４（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すように、透過領域４０１には、開口部１３６を設けない構成としてもよい。

次に、図１に示す表示装置の断面について、図３（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明する。なお、図３（Ａ）は、図１に示す一点鎖線Ｘ１−Ｙ１の切断面に相当する断面図である。また、図３（Ｂ）は、図１に示す一点鎖線Ｘ２−Ｙ２の切断面に相当する断面図である。

図３（Ａ）に示す表示装置は、第１の基板１０２と、第１の基板１０２上のゲート電極層として機能する導電層１０４ａと、導電層１０４ａと同一工程で形成された導電層１０４ｂと、第１の基板１０２及び導電層１０４ａ、１０４ｂ上の絶縁層１０６ａ、１０６ｂと、導電層１０４ａと重畳し、絶縁層１０６ｂ上の半導体層１０８と、半導体層１０８及び絶縁層１０６ｂ上のソース電極層として機能する導電層１１０ａ＿１と、半導体層１０８及び絶縁層１０６ｂ上のドレイン電極層として機能する導電層１１０ａ＿２と、導電層１１０ａ＿１、１１０ａ＿２と同一工程で形成された導電層１１０ａ＿３と、導電層１１０ａ＿１、１１０ａ＿２、１１０ａ＿３上の導電層１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２、１１０ｂ＿３と、導電層１１０ｂ＿２上の導電層１１０ｃ＿１と、絶縁層１０６ｂ、半導体層１０８、及び導電層１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２、１１０ｂ＿３、１１０ｃ＿１上の保護絶縁膜として機能する絶縁層１１２と、絶縁層１１２上のカラーフィルタとしての機能を有する有色層１１４と、有色層１１４上のオーバーコート層としての機能を有する絶縁層１１６と、絶縁層１１６上の画素電極層１１８と、画素電極層１１８上の液晶層１６６と、液晶層１６６上の対向電極としての機能を有する導電層１６４と、導電層１６４上の第２の基板１６２と、を有する。

なお、導電層１０４ａ、絶縁層１０６ａ、１０６ｂ、半導体層１０８、及び導電層１１０ａ＿１、１１０ａ＿２、１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２によって、トランジスタ１５０が構成されている。また、導電層１０４ｂ、絶縁層１０６ａ、１０６ｂ、及び導電層１１０ａ＿３、１１０ｂ＿３によって、容量素子１５２が構成されている。

なお、絶縁層１０６ａ、１０６ｂにおいて、ゲート電極層として機能する導電層１０４ａと重畳する部分は、トランジスタ１５０のゲート絶縁層としての機能を有し、導電層１０４ｂと重畳する部分は、容量素子１５２の誘電体層としての機能を有する。

また、絶縁層１０６ａ、１０６ｂには、導電層１０４ｂに達する開口部１３２が設けられており、開口部１３２を介してトランジスタ１５０のドレイン電極層としての機能を有する導電層１１０ａ＿２、１１０ｂ＿２と、導電層１０４ｂが接続されている。

なお、ここでは、開口部１３２が設けられている場合の例を示したが、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されない。例えば、図１６（Ａ）に示すように、開口部を設けない構成としてもよい。その場合、導電層１１０ｂ＿３は、導電層１１０ｂ＿２と同じアイランドとなる。同様に、導電層１１０ａ＿３は、導電層１１０ａ＿２と同じアイランドとなる。そして、導電層１０４ｂは、容量線としての機能を有することができる。よって、そのような場合には、導電層１０４ｂは、導電層１０４ａ、または、ゲート線１０４と概略平行な方向に延びて配置されることが望ましい。

また、有色層１１４には、開口部１３４と開口部１３６が設けられている。別言すると、有色層１１４上の絶縁層１１６が、開口部１３４を介して絶縁層１１２と接する。なお、絶縁層１１６は、有色層１１４よりも絶縁層１１２に対する密着性が高い。したがって、有色層１１４と絶縁層１１２の密着性が十分でない場合においても、絶縁層１１６と絶縁層１１２が接触する領域を有することで、有色層１１４の膜剥がれを抑制することができる。

また、絶縁層１１２としては、無機絶縁材料により形成されると好ましい。また絶縁層１１６としては、有機絶縁材料により形成されると好ましい。絶縁層１１２を無機絶縁材料により形成することによって、半導体層１０８との界面特性を良好にすることができる。また、絶縁層１１６を有機絶縁材料により形成することによって、絶縁層１１６上に形成される画素電極層１１８の平坦性を高くすることができる。

また、有色層１１４に設けられた開口部１３６によって、有色層１１４の色純度を調整することができる。例えば、開口部１３６の形状や開口部１３６の面積を調整することによって、有色層１１４の色純度を調整できる。

このように、有色層１１４が開口部１３６を有する構造とすることで、色純度の調整を可能とした、新規な表示装置を提供することができる。また、カラーフィルタとして用いる有色層１１４の密着性が向上した新規な表示装置を提供することができる。

また、絶縁層１１２には、開口部１３８が設けられている。また、画素電極層１１８は、開口部１３４、１３８を介してトランジスタ１５０のドレイン電極層として機能する導電層１１０ｃ＿１と接続されている。

また、導電層１１０ｂ＿３は、反射電極層としての機能を有する。したがって、反射率の高い導電層を用いると好ましい。該反射率の高い導電層としては、例えば、アルミニウム、銀、パラジウム、銅からなる単体金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いる。とくに導電層１１０ｂ＿３としては、コスト、及び加工性などの点からアルミニウムを含む材料が好ましい。また、導電層１１０ｃ＿１としては、耐酸化性の高い導電層を用いると好ましい。導電層１１０ｃ＿１に耐酸化性の高い導電層を用いることで、画素電極層１１８との接触抵抗を低くすることができる。このような構成とすることで、反射率が高く、且つ画素電極層との接触抵抗を低くすることができる。

別言すると、図３（Ａ）に示す表示装置は、反射領域においては、反射率の高い導電層を用い、画素電極層との接触領域においては、耐酸化性の高い導電層を用いることで、良好な反射表示を可能とし、トランジスタと画素電極層の接触不良が低減された新規な表示装置を提供することができる。

なお、図１６（Ｂ）に示すように、透過領域４０１を設けてもよい。

また、図３（Ａ）に示す表示装置は、第１の基板１０２と、第１の基板１０２と対向する第２の基板１６２との間に液晶層１６６が挟持されている。

第２の基板１６２の下には、導電層１６４が形成されており、画素電極層１１８、液晶層１６６、導電層１６４によって、液晶素子１７０が構成されている。画素電極層１１８及び導電層１６４に電圧を印加することによって、液晶層１６６の配向状態を制御することができる。なお、図３（Ａ）において、画素電極層１１８及び導電層１６４が液晶層１６６と接する構成について例示したが、これに限定されず、例えば、画素電極層１１８と液晶層１６６が接する領域、及び導電層１６４と液晶層１６６が接する領域に、それぞれ配向膜を形成してもよい。

図３（Ａ）に示す表示装置において、反射電極層として機能する導電層１１０ｂ＿３と、有色層１１４と、画素電極層１１８を第１の基板１０２上に形成することができるため、第２の基板１６２側に有色層を形成する場合と比較して、アライメント精度の高い構成とすることができる。したがって、高精細（例えば３００ｐｐｉ以上）な表示装置においても、カラー表示が可能な反射型の液晶表示装置を提供することができる。

なお、トランジスタ１５０は、チャネルの上側、チャネルの下側、または、チャネルの上側と下側に、ゲート電極が設けられていてもよい。例えば、画素電極層１１８と同時に形成した導電層１１８ａを配置した場合の例を図１７（Ａ）に示す。導電層１１８ａは、トランジスタ１５０のゲート電極としての機能を有することができる。なお、導電層１１８ａは、導電層１０４ａと接続されていてもよい。その場合、同じ信号や電位が供給されることとなる。または、導電層１１８ａは、導電層１０４ａと異なる信号や電位が供給されていてもよい。このように、導電層１１８ａは、画素電極層１１８と同時に形成し、同時に成膜して、同時にエッチングして形成するため、プロセス工程数の増加を防ぐことが出来る。ただし、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されない。例えば、別の導電層を用いて、トランジスタ１５０のゲート電極としての機能を有する導電層を形成してもよい。その場合の例を、図１７（Ｂ）、図１８（Ａ）に示す。導電層１９９、導電層１９９ａは、導電層１１０ｃ＿１で用いられる材料を有することが出来る。または、導電層１９９、導電層１９９ａは、導電層１０４ａ、導電層１１０ａ＿１、導電層１１０ｂ＿１、導電層１１０ｃ＿１などで用いることが出来る材料として述べた材料と、同様な材料を有することが出来る。

なお、図１８（Ｂ）に示すように、導電層１９９ａと同時に形成し、同時に成膜して、同時にエッチングして形成する導電層として、導電層１９９ｂを配置してもよい。この導電層には、導電層１１０ｂ＿３と同様な反射率の高い材料を用いることにより、反射電極として機能を持たせることも可能である。または、導電層１１０ｂ＿２と重ねて配置することにより、容量素子を形成することもできる。その場合、導電層１９９ｂは、導電層１０４ｂと接続されていてもよい。

なお、導電層１９９ａと同時に形成し、同時に成膜して、同時にエッチングして形成する導電層として、導電層１９９ｃを配置してもよい。導電層１９９ｃは、画素電極層１１８との接続部分に配置することが出来る。その場合の例を、図１９（Ａ）（Ｂ）に示す。この場合、導電層１９９ａは、導電層１１０ｃ＿１と同様な材料を有していてもよい。なお、導電層１９９ａは、必ずしも設けなくてもよい。その場合の例を、図２０（Ａ）（Ｂ）に示す。

次に、図３（Ｂ）に示す表示装置について、以下説明を行う。

図３（Ｂ）に示す表示装置は、第１の基板１０２と、第１の基板１０２上のゲート線１０４と、ゲート線１０４上の絶縁層１０６ａ、１０６ｂと、絶縁層１０６ｂ上の導電層１１０ａ＿４、１１０ｂ＿４と、絶縁層１０６ｂ及び導電層１１０ｂ＿４上の絶縁層１１２と、絶縁層１１２上の有色層１１４と、有色層１１４上の有色層１１４ａ、１１４ｂと、有色層１１４、１１４ａ、１１４ｂ上の絶縁層１１６と、絶縁層１１６上の液晶層１６６と、液晶層１６６上の導電層１６４と、導電層１６４上の第２の基板１６２と、を有する。なお、導電層１１０ａ＿４及び導電層１１０ｂ＿４は、ソース線１１０として機能する。

図３（Ｂ）は、ゲート線１０４と、ソース線１１０として機能する導電層１１０ａ＿４、１１０ｂ＿４との交差する領域の断面図である。

図３（Ｂ）に示すように、有色層１１４上に有色層１１４ａ、１１４ｂを形成することで、ゲート線１０４または導電層１１０ｂ＿４に起因する表面反射を抑制することができる。なお、有色層１１４ａは、隣接する画素、ここでは図１に示す下側の画素の有色層である。また、有色層１１４ｂは、隣接する画素、ここでは図１に示す上側の画素の有色層である。例えば、有色層１１４を緑（Ｇ）色とし、有色層１１４ａを青（Ｂ）色とし、有色層１１４ｂを赤（Ｒ）色とすることができる。

このように、少なくとも反射領域以外の箇所の有色層を積層構造とする、別言すると有色層と隣接する画素の有色層とを重畳させる構成とすることで、有色層の一部がブラックマトリクスとしての機能を有することができる。

なお、図１及び図３（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置のその他の構成要素については、表示装置の作製方法において詳細に説明する。

＜表示装置の作製方法＞
図１、図３（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置の作製方法について、図４乃至図６を用いて以下説明を行う。

まず、第１の基板１０２を準備する。第１の基板１０２としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料を用いる。量産する上では、第１の基板１０２は、第８世代（２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、または２４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のマザーガラスを用いることが好ましい。マザーガラスは、処理温度が高く、処理時間が長いと大幅に収縮するため、マザーガラスを使用して量産を行う場合、作製工程の加熱温度は、好ましくは６００℃以下、さらに好ましくは４５０℃以下、さらに好ましくは３５０℃以下とすることが望ましい。

次に、第１の基板１０２上に導電層を形成し、該導電層を所望の形状に加工することで、導電層１０４ａ、１０４ｂを形成する（図４（Ａ）参照）。

導電層１０４ａ、１０４ｂとしては、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、導電層１０４ａ、１０４ｂは、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。また、導電層１０４ａ、１０４ｂは、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。

次に、第１の基板１０２、及び導電層１０４ａ、１０４ｂ上に絶縁層１０６ａ、１０６ｂを形成する（図４（Ｂ）参照）。

絶縁層１０６ａとしては、例えば、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などを用いればよく、ＰＥ−ＣＶＤ装置を用いて積層または単層で設ける。また、絶縁層１０６ａを積層構造とした場合、第１の窒化シリコン膜として、欠陥が少ない窒化シリコン膜とし、第１の窒化シリコン膜上に、第２の窒化シリコン膜として、水素放出量及びアンモニア放出量の少ない窒化シリコン膜を設けると好適である。この結果、絶縁層１０６ａに含まれる水素及び窒素が、後に形成される半導体層１０８へ移動または拡散することを抑制できる。

絶縁層１０６ｂとしては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などを用いればよく、ＰＥ−ＣＶＤ装置を用いて積層または単層で設ける。

絶縁層１０６ａ、１０６ｂとしては、例えば、絶縁層１０６ａとして、厚さ４００ｎｍの窒化シリコン膜を形成し、その後、絶縁層１０６ｂとして、厚さ５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成することができる。該窒化シリコン膜と、該酸化窒化シリコン膜は、真空中で連続して形成すると不純物の混入が抑制され好ましい。なお、導電層１０４ａと重畳する領域の絶縁層１０６ａ、１０６ｂは、トランジスタ１５０のゲート絶縁層として機能する。また、導電層１０４ｂと重畳する領域の絶縁層１０６ａ、１０６ｂは、容量素子１５２の誘電体層として機能する。

なお、窒化酸化シリコンとは、窒素の含有量が酸素の含有量より大きい絶縁材料であり、他方、酸化窒化シリコンとは、酸素の含有量が窒素の含有量より大きな絶縁材料のことをいう。

ゲート絶縁層として、上記のような構成とすることで、例えば以下のような効果を得ることができる。窒化シリコン膜は、酸化シリコン膜と比較して比誘電率が高く、同等の静電容量を得るのに必要な膜厚が大きいため、ゲート絶縁膜を物理的に厚膜化することができる。よって、トランジスタ１５０の絶縁耐圧の低下を抑制、さらには絶縁耐圧を向上させて、トランジスタ１５０の静電破壊を抑制することができる。

次に、絶縁層１０６ｂ上に半導体層を成膜し、該半導体層を所望の形状に加工することで、半導体層１０８を形成する。なお、半導体層１０８は、導電層１０４ａと重畳する位置に形成する。（図４（Ｃ）参照）。

半導体層１０８としては、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン等を用いることができる。また、半導体層１０８としては、とくに酸化物半導体を用いると好ましい。該酸化物半導体は、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆを表す。）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される酸化物を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。

例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｚｎ酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ酸化物、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ酸化物を用いることができる。

なお、ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。なお、本実施の形態においては、半導体層１０８として、酸化物半導体を用いる。

次に、第１の加熱処理を行うことが好ましい。第１の加熱処理は、２５０℃以上６５０℃以下、好ましくは３００℃以上５００℃以下の温度で、不活性ガス雰囲気、酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含む雰囲気、または減圧状態で行えばよい。また、第１の加熱処理の雰囲気は、不活性ガス雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸素を補うために酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含む雰囲気で行ってもよい。第１の加熱処理によって、半導体層１０８に用いる酸化物半導体の結晶性を高め、さらに絶縁層１０６ａ、１０６ｂ、及び半導体層１０８から水素や水などの不純物を除去することができる。なお、半導体層１０８を島状に加工する前に第１の加熱工程を行ってもよい。

次に、絶縁層１０６ａ、１０６ｂの所望の領域に開口部１３２を形成する（図４（Ｄ）参照）。

なお、開口部１３２は、導電層１０４ｂに達するように形成する。開口部１３２の形成方法としては、例えば、ウエットエッチング、ドライエッチング、またはウエットエッチングとドライエッチングを組み合わせたエッチング方法を用いることができる。

次に、開口部１３２を覆うように、絶縁層１０６ｂ、及び半導体層１０８上に導電層１０９ａ、１０９ｂ、１０９ｃを形成する（図５（Ａ）参照）。

導電層１０９ａは、バリアメタルとしての機能を有する。導電層１０９ａは、半導体層１０８と良好な接触抵抗を有する材料を用いれば良く、例えば、チタン、クロム、ニッケル、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、タンタル、タングステンからなる単体金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いる。

導電層１０９ｂは、後に反射電極層の一部として機能するため、反射性の高い導電材料を用いるとよい。また、導電層１０９ｂは、トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層の一部として機能するため、低抵抗材料を用いるとよい。導電層１０９ｂに用いる材料としては、例えば、アルミニウム、銀、パラジウム、銅からなる単体金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いる。とくに導電層１０９ｂとしては、コスト、及び加工性などの点からアルミニウムを含む材料が好ましい。

導電層１０９ｃは、後に接続される画素電極層１１８と良好な接触抵抗が得られる材料を用いれば良く、耐酸化性の高い導電層を用いればよい。なお、耐酸化性の高い導電層としては、少なくとも導電層１０９ｂに用いる材料よりも耐酸化性が高ければよい。導電層１０９ｃとしては、例えば、チタン、クロム、ニッケル、イットリウム、モリブデン、タンタル、タングステンからなる単体金属、またはこれを主成分とする合金、あるいはこれを主成分とする金属窒化膜を単層構造または積層構造として用いる。特に導電層１０９ｃとしては、チタンまたはモリブデンのいずれか一方を含む材料で形成すると、画素電極層１１８として用いる材料（例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）など）と良好な接触抵抗を得られるため、好ましい。

例えば、導電層１０９ａとしてチタン膜または窒化チタン膜を用い、導電層１０９ｂとしてアルミニウム膜または銀膜を用い、導電層１０９ｃとしてチタン膜または窒化チタン膜を用いる。あるいは、導電層１０９ａとしてモリブデン膜または窒化モリブデン膜を用い、導電層１０９ｂとしてアルミニウム膜または銀膜を用い、導電層１０９ｃとしてモリブデン膜または窒化モリブデン膜を用いる。

なお、導電層１０９ａ、１０９ｂ、１０９ｃの構造は、上記構造に限定されず、導電層１０９ａを用いない二層構造としてもよい。該二層構造としては、例えば、導電層１０９ｂとしてアルミニウム膜を用い、導電層１０９ｃとしてチタン膜を用いる構成などが挙げられる。

また、導電層１０９ａ、１０９ｂ、１０９ｃとしては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。

次に、導電層１０９ｃを所望の形状に加工し、導電層１１０ｃ＿１と形成する（図５（Ｂ）参照）。

導電層１１０ｃ＿１としては、少なくとも、後に画素電極層１１８と接触する領域に形成する。また、導電層１１０ｃ＿１と同一工程で、導電層１１０ｃ＿１と異なる導電層を形成してもよい。例えば、導電層１１０ｃ＿１と同一工程で形成される導電層としては、接続部やＦＰＣ端子部上に形成される導電層などがある。

なお、導電層１１０ｃ＿１の形成時において、少なくとも導電層１０９ｂの表面の一部を露出させる。導電層１０９ｂの表面が露出した領域は、後に反射電極層として機能する。導電層１１０ｃ＿１の形成方法としては、例えば、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、またはプラズマ処理法などが挙げられる。また、導電層１１０ｃ＿１の形成時に、導電層１０９ｂの表面が粗面化する場合がある。該粗面化された表面は、入射する光を乱反射させることができる。したがって、反射電極層として、導電層１０９ｂを用いる場合、反射電極層の反射効率を向上させることができるので好適である。

次に、導電層１０９ａ、１０９ｂを所望の形状に加工し、トランジスタ１５０のソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電層１１０ａ＿１、１１０ｂ＿１、１１０ａ＿２、１１０ｂ＿２と、反射電極層及び容量素子１５２の一方の電極として機能する導電層１１０ａ＿３、１１０ｂ＿３と、を形成する。なお、この段階でトランジスタ１５０及び容量素子１５２が形成される（図５（Ｃ）参照）。

導電層１１０ａ＿１、１１０ｂ＿１、１１０ａ＿２、１１０ｂ＿２、１１０ａ＿３、１１０ｂ＿３としては、導電層１０９ａ、１０９ｂ上にマスクを形成し、該マスクに覆われていない領域をエッチングすることで、形成される。また、導電層１１０ａ＿１、１１０ｂ＿１、１１０ａ＿２、１１０ｂ＿２、１１０ａ＿３、１１０ｂ＿３の形成時のエッチング方法としては、例えばドライエッチング法、またはウエットエッチング法を用いることができる。

また、導電層１１０ａ＿１、１１０ｂ＿１、１１０ａ＿２、１１０ｂ＿２、１１０ａ＿３、１１０ｂ＿３の形成時において、半導体層１０８の一部がエッチングされ、凹部を有する半導体層１０８となる場合がある。

なお、図５（Ｃ）に示す断面構造を形成する場合、ハーフトーンマスク（または、グレートーンマスク、位相差マスクなど）を用いて形成してもよい。その場合、図５（Ａ）の次には、導電層１０９ａ、１０９ｂ、１０９ｃのエッチングにより、図１５に示すような断面構造となる。その後、レジストをアッシングすることなどにより、レジストを一回り小さくして、その後、一部の導電層のみをエッチングする。その結果、図５（Ｃ）に示すような断面構造となる。このように、ハーフトーンマスク（または、グレートーンマスク、位相差マスクなど）を用いることにより、プロセス工程数を削減することが出来る。この場合には、導電層１１０ｃ＿１の下には、必ず、導電層１１０ｂ＿２などが設けられている構成となる。ただし、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されない。例えば、導電層１１０ｃ＿１の下に導電層１１０ｂ＿２などが設けられておらず、例えば、導電層１１０ｃ＿１の下に絶縁膜が設けられていてもよい。または、例えば、図１５に示すような断面構造の後、導電層をエッチングせずに、上に絶縁層１１２を成膜してもよい。

次に、半導体層１０８、導電層１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２、１１０ｂ＿３、１１０ｃ＿１、及び絶縁層１０６ｂ上に絶縁層１１２を形成する（図５（Ｄ）参照）。

絶縁層１１２としては、半導体層１０８として用いる酸化物半導体との界面特性を向上させるため、酸素を含む無機絶縁材料を用いることができる。また、絶縁層１１２としては、例えば、ＰＥ−ＣＶＤ法を用いて形成することができる。

絶縁層１１２の一例としては、厚さ５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いることができる。本実施の形態においては、絶縁層１１２として、厚さ４５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を用いる。

また、絶縁層１１２上にさらに、絶縁層を形成してもよい。該絶縁層としては、外部からの不純物、例えば、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等が、半導体層１０８として用いる酸化物半導体へ拡散するのを防ぐ材料で形成される。該絶縁層の一例としては、厚さ５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等を用いることができる。

また、反射電極層として機能する導電層１１０ｂ＿３上の絶縁層１１２は、薄く形成すると好ましい。例えば、導電層１１０ｂ＿３上の絶縁層１１２の膜厚としては、好ましくは、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすると良い。導電層１１０ｂ＿３上の絶縁層１１２を薄く形成することで、導電層１１０ｂ＿３と有色層１１４の間の光路長を短くすることができる。反射電極層として機能する導電層１１０ｂ＿３上の絶縁層１１２を薄く形成する方法としては、例えば、絶縁層１１２形成後に、導電層１１０ｂ＿３上以外の領域にマスクを形成し、導電層１１０ｂ＿３上の絶縁層１１２をエッチングする。

次に、絶縁層１１２上の所望の形状の有色層１１４を形成する。その後、有色層１１４を覆うように絶縁層１１６を形成する（図６（Ａ）参照）。

有色層１１４としては、特定の波長帯域の光を透過する機能を有していればよく、例えば、赤色の波長帯域の光を透過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）のカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用いることができる。各カラーフィルタは、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。

なお、有色層１１４としては、第１の開口部として機能する開口部１３４、及び第２の開口部として機能する開口部１３６を有する。

絶縁層１１６としては、例えば、アクリル系樹脂等の有機絶縁材料を用いることができる。絶縁層１１６を形成することによって、例えば、有色層１１４中に含まれる不純物等を液晶層１６６側に拡散することを抑制することができる。また、絶縁層１１６を形成することによって、トランジスタ１５０または、有色層１１４に起因する凹凸等を平坦化することができる。

なお、絶縁層１１６としては、有色層１１４が有する開口部１３４と概略同じ位置に開口部を有すると好ましい。該開口部は、絶縁層１１２の表面の一部が露出するように形成される。

次に、開口部１３８を形成する（図６（Ｂ）参照）。

開口部１３８は、導電層１１０ｃ＿１が露出するように所望の領域に形成する。また、開口部１３８の形成方法としては、例えば、ドライエッチング法を用いることができる。ただし、開口部１３８の形成方法としては、これに限定されず、ウエットエッチング法、またはドライエッチング法とウエットエッチング法を組み合わせた形成方法としてもよい。

次に、開口部１３４、１３８を覆うように、絶縁層１１６上の所望の領域に画素電極層１１８を形成する（図６（Ｃ）参照）。

画素電極層１１８としては、可視光において、透光性を有する材料を用いればよい。画素電極層１１８としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の中から選ばれた一種を含む材料を用いるとよい。画素電極層１１８としては、例えば、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。また、画素電極層１１８としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。

なお、画素電極層１１８は、開口部１３４、１３８を介して導電層１１０ｃ＿１と接続される。すなわち、画素電極層１１８と、トランジスタ１５０のドレイン電極層として機能する導電層１１０ａ＿２、１１０ｂ＿２が電気的に接続される。

以上の工程によって、第１の基板１０２上の構造を形成することができる。

次に、第１の基板１０２と第２の基板１６２を貼り合わせ、液晶層１６６を形成する。

なお、第２の基板１６２は、導電層１６４を有する。導電層１６４は、液晶素子１７０の電極の他方として機能するため、透光性を有する材料で形成するとよい。導電層１６４に用いることのできる材料としては、画素電極層１１８に用いることのできる材料を適用することができる。

また、液晶層１６６の形成方法としては、ディスペンサ法（滴下法）や、第１の基板１０２と第２の基板１６２を貼り合わせてから毛細管現象を用いて液晶を注入する注入法を用いることができる。

液晶層１６６に用いることができる材料としては、特に限定されず、例えば、ネマチック液晶材料やコレステリック液晶材料等を用いれば良い。また、液晶層１６６に用いることができる材料としては、例えば、高分子分散型液晶、ポリマー分散型液晶、または高分子ネットワーク型液晶等を用いてもよい。

以上の工程で、図１、図３（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置を作製することができる。

また、本実施の形態においては、図示していないが、必要であれば、配向膜、偏光板、または円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）などの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板または円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。

なお、本実施の形態において、反射型の表示装置の場合について述べたが、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されない。例えば、画素の開口部において、透過領域を有していてもよい。例えば、画素の開口部において、一部において反射領域を有し、別の一部において、透過領域を有していてもよい。したがって、本発明の一態様は、半透過型の表示装置に適用することもできる。

なお、本実施の形態において、有色層１１４において、開口部１３６が設けられている場合の例を示したが、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されない。場合によっては、または、状況に応じて、有色層１１４において、開口部１３６が設けられていなくてもよい。例えば、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素の内の少なくとも一つにおいて、開口部１３６が設けられていなくてもよい。または、画素の開口部において、透過領域と反射領域とを有する場合、反射領域においては、有色層１１４の開口部１３６が設けられ、透過領域においては、有色層１１４の開口部１３６が設けられていなくてもよい。

なお、本実施の形態において、第１の基板１０２上に有色層１１４が設けられている場合の例を示したが、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されない。場合によっては、または、状況に応じて、第１の基板１０２上に有色層１１４が設けられていなくてもよい。例えば、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素の他に、Ｗ画素（白画素）を設ける場合、第１の基板１０２上に有色層１１４が設けられていなくてもよい。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態においては、実施の形態１に示す表示装置の変形例について、図７を用いて以下説明を行う。なお、実施の形態１に示す機能と同様の箇所については、同様の符号を用い、その詳細な説明は省略する。

図７（Ａ）は、図１に示す一点鎖線Ｘ１−Ｙ１の切断面に相当する断面図である。また、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示す表示装置の作製方法の一例を説明する断面図である。

図７（Ａ）に示す表示装置は、第１の基板２０２と、第１の基板２０２上の接着層２０３と、接着層２０３上の絶縁層２０５と、絶縁層２０５上のゲート電極層として機能する導電層１０４ａと、導電層１０４ａと同一工程で形成された導電層１０４ｂと、絶縁層２０５及び導電層１０４ａ、１０４ｂ上の絶縁層１０６ａ、１０６ｂと、導電層１０４ａと重畳し、絶縁層１０６ｂ上の半導体層１０８と、半導体層１０８及び絶縁層１０６ｂ上のソース電極層として機能する導電層１１０ａ＿１と、半導体層１０８及び絶縁層１０６ｂ上のドレイン電極層として機能する導電層１１０ａ＿２と、導電層１１０ａ＿１、１１０ａ＿２と同一工程で形成された導電層１１０ａ＿３と、導電層１１０ａ＿１、１１０ａ＿２、１１０ａ＿３上の導電層１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２、１１０ｂ＿３と、導電層１１０ｂ＿２上の導電層１１０ｃ＿１と、絶縁層１０６ｂ、半導体層１０８、及び導電層１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２、１１０ｂ＿３、１１０ｃ＿１上の保護絶縁膜として機能する絶縁層１１２と、絶縁層１１２上のカラーフィルタとしての機能を有する有色層１１４と、有色層１１４上のオーバーコート層としての機能を有する絶縁層１１６と、絶縁層１１６上の画素電極層１１８と、画素電極層１１８上の液晶層１６６と、液晶層１６６上の対向電極としての機能を有する導電層１６４と、導電層１６４上の絶縁層２０９と、絶縁層２０９上の接着層２０７と、接着層２０７上の第２の基板２６２と、を有する。

なお、導電層１０４ａ、絶縁層１０６ａ、１０６ｂ、半導体層１０８、及び導電層１１０ａ＿１、１１０ａ＿２、１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２によって、トランジスタ１５０が構成されている。また、導電層１０４ｂ、絶縁層１０６ａ、１０６ｂ、及び導電層１１０ａ＿３、１１０ｂ＿３によって、容量素子１５２が構成されている。

なお、ゲート電極層として機能する導電層１０４ａと重畳する位置の絶縁層１０６ａ、１０６ｂは、トランジスタ１５０のゲート絶縁層としての機能を有する。また、導電層１０４ｂと重畳する位置の絶縁層１０６ａ、１０６ｂは、容量素子１５２の誘電体層としての機能を有する。

また、絶縁層１０６ａ、１０６ｂには、導電層１０４ｂに達する開口部１３２が設けられており、開口部１３２を介してトランジスタ１５０のドレイン電極層としての機能を有する導電層１１０ａ＿２、１１０ｂ＿２と、導電層１０４ｂが接続されている。

また、有色層１１４には、開口部１３４と開口部１３６が設けられている。別言すると、有色層１１４上の絶縁層１１６が、開口部１３４を介して絶縁層１１２と接する。なお、絶縁層１１６は、有色層１１４よりも絶縁層１１２に対する密着性が高い。したがって、有色層１１４と絶縁層１１２の密着性が十分でない場合においても、絶縁層１１６と絶縁層１１２が接触する領域を有することで、有色層１１４の膜剥がれを抑制することができる。

また、有色層１１４に設けられた開口部１３６によって、有色層１１４の色純度を調整することができる。例えば、開口部１３６の形状や開口部１３６の面積を調整することによって、有色層１１４の色純度を調整できる。

このように、有色層１１４が開口部１３６を有する構造とすることで、色純度の調整を可能とした、新規な表示装置を提供することができる。また、カラーフィルタとして用いる有色層１１４の密着性が向上した新規な表示装置を提供することができる。

なお、図７（Ａ）に示す表示装置は、図３（Ａ）に示す表示装置と以下の点が異なる。図７（Ａ）に示す表示装置は、第１の基板１０２の代わりに第１の基板２０２が設けられ、第２の基板１６２の代わりに第２の基板２６２が設けられる。また、図７（Ａ）に示す表示装置は、第１の基板２０２と導電層１０４ａ、１０４ｂの間に接着層２０３及び絶縁層２０５が設けられる。また、図７（Ａ）に示す表示装置は、第２の基板２６２と導電層１６４の間に接着層２０７及び絶縁層２０９が設けられる。

第１の基板２０２及び第２の基板２６２としては、可撓性を有する材料を用いることができる。また、第１の基板２０２及び第２の基板２６２としては、可撓性を有し、且つ靱性が高い材料を用いることが好ましい。該可撓性を有する材料としては、例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いることができる。

第１の基板２０２及び第２の基板２６２として有機樹脂を用いると、ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、ガラスを用いる場合に比べて表示装置を軽量化できるため好ましい。

可撓性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂等が挙げられる。とくに、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。

可撓性を有する材料として、材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物、または無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のことをいい、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布または不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構造物を用いてもよい。繊維体と樹脂からなる構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破壊に対する信頼性が向上するため、好ましい。

また、光の取り出し効率向上のためには、可撓性を有する材料の屈折率は高い方が好ましい。例えば、有機樹脂に屈折率の高い無機フィラーを分散させることで、該有機樹脂のみからなる基板よりも屈折率の高い基板を実現できる。とくに粒子径４０ｎｍ以下の無機フィラーを使用すると、光学的な透明性を失わないため、好ましい。

第１の基板２０２及び第２の基板２６２として、上記可撓性を有する材料の表面に、表示装置の表面を傷などから保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。

接着層２０３、２０７としては、例えば、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

接着層２０３、２０７としては、樹脂材料中に乾燥剤を含んでいてもよい。該乾燥剤としては、例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が表示装置内部に入り込むことを抑制できる。

絶縁層２０５、２０９としては、例えば、無機絶縁材料を用いることができる。該無機絶縁材料としては、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム等を単層または多層で形成することができる。絶縁層２０５、２０９としては、バッファ層としての機能を有する。

絶縁層２０５、２０９の形成方法は、特に限定されないが、スパッタリング法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）等を用いればよい。

ここで、図７（Ａ）に示す表示装置の作製方法の一例について、図７（Ｂ）を用いて説明を行う。

図７（Ｂ）に示すように、第１の基板１０２上に剥離層２１１を形成する。次に、剥離層２１１上に絶縁層２０５を形成する。

第１の基板１０２としては、実施の形態１に記載の材料を援用して用いることができる。

剥離層２１１としては、例えば、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、または該元素を含む化合物材料を含み、単層または積層された構造を用いることができる。また、シリコンを含む層の場合、該シリコンを含む層の結晶構造としては、非晶質、微結晶、多結晶、単結晶のいずれでもよい。

なお、第１の基板１０２と剥離層２１１の間に、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成しても良い。該絶縁膜を形成すると第１の基板１０２に含まれうる不純物が剥離層２１１側へ入り込むのを抑制することができるため、好適である。

剥離層２１１としては、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる。なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。

剥離層２１１が単層構造の場合、タングステン、モリブデン、またはタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、またはタングステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。

また、剥離層２１１として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層２１１の表面状態を変えることにより、剥離層２１１と後に形成される絶縁層２０５との密着性を制御することが可能である。

本実施の形態において、剥離層２１１として、スパッタリング法により、厚さ３０ｎｍのタングステン膜を形成する。

絶縁層２０５としては、上記列挙した材料を用いることで形成することができる。例えば、本実施の形態において、絶縁層２０５として、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃以下として形成することで、緻密で透水性の低い膜とすることができる。なお、絶縁層２０５の厚さは１０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下、さらには２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下が好ましい。本実施の形態においては、プラズマＣＶＤ法によって、厚さ６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成し、その後該酸化窒化シリコン膜上に厚さ２００ｎｍの窒化シリコン膜を形成する。

次に、絶縁層２０５上に導電層１０４ａ、１０４ｂを形成する。これ以降の工程については、実施の形態１に示す構成と同様であるため、実施の形態１の記載を参酌することで形成することができる。

次に、トランジスタ１５０、容量素子１５２等が形成された素子基板上（図７（Ｂ）においては、絶縁層１１６及び画素電極層１１８）に接着層となる材料を塗布し、該接着層を介して支持基板と貼り合わせる。そして、第１の基板１０２上の剥離層２１１と絶縁層２０５の間で剥離し、露出した絶縁層２０５と第１の基板２０２を、接着層２０３を用いて貼り合わせる。

なお、上記剥離層２１１と絶縁層２０５の間で剥離する工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離層２１１として、被剥離層（図７（Ｂ）では絶縁層２０５、以下、被剥離層と記載する場合もある。）と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して、被剥離層を第１の基板１０２から剥離することができる。

また、第１の基板１０２として、耐熱性の高い基板を用いる場合、該耐熱性の高い基板と被剥離層の間に、剥離層２１１として水素を含む非晶質シリコン膜を形成した場合はレーザ光の照射またはエッチングにより該非晶質シリコン膜を除去することで、被剥離層を第１の基板１０２から剥離することができる。

また、剥離層２１１として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成し、該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された金属酸化膜において剥離することができる。

また、剥離層２１１として窒素、酸素や水素等を含む膜（例えば、水素を含む非晶質シリコン膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を用い、剥離層２１１にレーザ光を照射して剥離層２１１内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放出させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。

また、上記剥離する工程を複数組み合わせることでより容易に剥離を行うことができる。例えば、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメスなどによる機械的な削除を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、物理的な力（機械等による）によって剥離を行うこともできる。

また、剥離層２１１と被剥離層との界面に液体を浸透させて第１の基板１０２から被剥離層を剥離してもよい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。また、剥離層２１１をタングステン膜で形成した場合は、アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液によりタングステン膜をエッチングしながら剥離を行うとよい。

なお、第１の基板１０２と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層２１１を設けなくてもよい。例えば、第１の基板１０２としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド等の有機樹脂を形成し、該有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱することにより、第１の基板１０２と有機樹脂の界面で剥離することができる。または、第１の基板１０２と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。

以上の工程によって、第１の基板１０２上に形成されるトランジスタ１５０、容量素子１５２等を、可撓性を有する第１の基板２０２に転置することができる。

なお、第２の基板１６２から第２の基板２６２に転置する場合においても、同様の手法により行うことができる。なお、第２の基板２６２としては、トランジスタ１５０、容量素子１５２等の素子が形成されていないため、第２の基板２６２上に導電層１６４を直接形成してもよい。この場合、接着層２０７及び絶縁層２０９が設けられない構成となる。

次に、第１の基板２０２と第２の基板２６２を貼り合わせ、第１の基板２０２と第２の基板２６２の間に液晶層１６６を注入することで、図７（Ａ）に示す表示装置を形成することができる。

本実施の形態に示す表示装置には、可撓性を有する材料による第１の基板２０２及び第２の基板２６２が用いられることにより、所謂フレキシブル性を有する表示装置とすることができる。また、第１の基板２０２及び第２の基板２６２に、それぞれ、可撓性を有し、且つ靱性が高い材料を用いる場合においては、耐衝撃性に優れ、破損しにくい表示装置を実現できる。

また、図７（Ａ）に示す表示装置としては、開口部１３４および開口部１３６を介して絶縁層１１６と絶縁層１１２が接する。したがって、有色層１１４の密着性が向上しているため、フレキシブル性を有する構成においても、有色層１１４の膜剥がれを抑制することができる。これは本発明の一態様で得られる優れた効果である。このように、本発明の一態様の表示装置は、有色層１１４の密着性が向上することによって、可撓性を有する構造において、とくに優れた効果を奏する。

なお、他の図面、例えば、図１６、図１７、図１８、図１９、図２０などにおいても、同様に、可撓性を有する材料を用いて構成された基板を用いてもよい。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図８を用いて説明を行う。なお、実施の形態１及び実施の形態２に示す機能と同様の箇所については、同様の符号を用い、その詳細な説明は省略する。

図８（Ａ）に示す表示装置は、表示素子の画素領域を有する画素部（以下、画素部３０２という）と、画素部３０２の外側に配置され、画素部３０２を駆動するための回路を有する回路部（以下、駆動回路部３０４という）と、素子の保護機能を有する回路（以下、保護回路部３０６という）と、端子部３０７と、を有する。なお、保護回路部３０６は、設けない構成としてもよい。

駆動回路部３０４の一部、または全部は、画素部３０２と同一基板上に形成されていることが望ましい。これにより、部品数や端子数を減らすことが出来る。駆動回路部３０４の一部、または全部が、画素部３０２と同一基板上に形成されていない場合には、駆動回路部３０４の一部、または全部は、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）やＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）によって、実装することができる。

画素部３０２は、Ｘ行（Ｘは２以上の自然数）Ｙ列（Ｙは２以上の自然数）に配置された複数の表示素子を駆動するための回路（以下、画素回路３０８という）を有し、駆動回路部３０４は、画素を選択する信号（走査信号）を出力する回路（以下、ゲートドライバ３０４ａという）、画素の表示素子を駆動するための信号（データ信号）を供給するための回路（以下、ソースドライバ３０４ｂ）などの駆動回路を有する。

ゲートドライバ３０４ａは、シフトレジスタ等を有する。ゲートドライバ３０４ａは、端子部３０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号が入力され、信号を出力する。例えば、ゲートドライバ３０４ａは、スタートパルス信号、クロック信号等が入力され、パルス信号を出力する。ゲートドライバ３０４ａは、走査信号が与えられる配線（以下、ゲート線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘという。また、ゲート線を走査線ともいう場合もある。）の電位を制御する機能を有する。なお、ゲートドライバ３０４ａを複数設け、複数のゲートドライバ３０４ａにより、ゲート線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘを分割して制御してもよい。または、ゲートドライバ３０４ａは、初期化信号を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、ゲートドライバ３０４ａは、別の信号を供給することも可能である。

ソースドライバ３０４ｂは、シフトレジスタ等を有する。ソースドライバ３０４ｂは、端子部３０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号の他、データ信号の元となる信号（画像信号）が入力される。ソースドライバ３０４ｂは、画像信号を元に画素回路３０８に書き込むデータ信号を生成する機能を有する。また、ソースドライバ３０４ｂは、スタートパルス、クロック信号等が入力されて得られるパルス信号に従って、データ信号の出力を制御する機能を有する。また、ソースドライバ３０４ｂは、データ信号が与えられる配線（以下、ソース線ＤＬ＿１乃至ＤＬ＿Ｙという。また、ソース線をデータ線ともいう場合もある。）の電位を制御する機能を有する。または、ソースドライバ３０４ｂは、初期化信号を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、ソースドライバ３０４ｂは、別の信号を供給することも可能である。

ソースドライバ３０４ｂは、例えば複数のアナログスイッチなどを用いて構成される。ソースドライバ３０４ｂは、複数のアナログスイッチを順次オン状態にすることにより、画像信号を時分割した信号をデータ信号として出力できる。また、シフトレジスタなどを用いてソースドライバ３０４ｂを構成してもよい。

複数の画素回路３０８のそれぞれは、走査信号が与えられる複数のゲート線ＧＬの一つを介してパルス信号が入力され、データ信号が与えられる複数のソース線ＤＬの一つを介してデータ信号が入力される。また。複数の画素回路３０８のそれぞれは、ゲートドライバ３０４ａによりデータ信号のデータの書き込み及び保持が制御される。例えば、ｍ行ｎ列目の画素回路３０８は、ゲート線ＧＬ＿ｍ（ｍはＸ以下の自然数）を介してゲートドライバ３０４ａからパルス信号が入力され、ゲート線ＧＬ＿ｍの電位に応じてソース線ＤＬ＿ｎ（ｎはＹ以下の自然数）を介してソースドライバ３０４ｂからデータ信号が入力される。

図８（Ａ）に示す保護回路部３０６は、例えば、ゲートドライバ３０４ａと画素回路３０８の間の配線であるゲート線ＧＬに接続される。または、保護回路部３０６は、ソースドライバ３０４ｂと画素回路３０８の間の配線であるソース線ＤＬに接続される。または、保護回路部３０６は、ゲートドライバ３０４ａと端子部３０７との間の配線に接続することができる。または、保護回路部３０６は、ソースドライバ３０４ｂと端子部３０７との間の配線に接続することができる。なお、端子部３０７は、外部の回路から表示装置に電源及び制御信号、及び画像信号を入力するための端子が設けられた部分をいう。

保護回路部３０６は、自身が接続する配線に一定の範囲外の電位が与えられたときに、該配線と別の配線とを導通状態にする回路である。

図８（Ａ）に示すように、画素部３０２と駆動回路部３０４にそれぞれ保護回路部３０６を設けることにより、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：静電気放電）などにより発生する過電流に対する表示装置の耐性を高めることができる。ただし、保護回路部３０６の構成はこれに限定されず、例えば、ゲートドライバ３０４ａに保護回路部３０６を接続する構成、またはソースドライバ３０４ｂに保護回路部３０６を接続する構成とすることもできる。あるいは、端子部３０７に保護回路部３０６を接続する構成とすることもできる。

また、図８（Ａ）においては、ゲートドライバ３０４ａとソースドライバ３０４ｂによって駆動回路部３０４を形成している例を示しているが、この構成に限定されない。例えば、ゲートドライバ３０４ａのみを形成し、別途用意されたソースドライバが形成された基板（例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を実装する構成としても良い。

また、図８（Ａ）に示す複数の画素回路３０８は、例えば、図８（Ｂ）に示す構成とすることができる。

図８（Ｂ）に示す画素回路３０８は、液晶素子１７０と、トランジスタ１５０と、容量素子１５２と、を有する。なお、液晶素子１７０、トランジスタ１５０、及び容量素子１５２は、実施の形態１に示す図３の構成の表示装置を用いることができる。

液晶素子１７０の一対の電極の一方の電位は、画素回路３０８の仕様に応じて適宜設定される。液晶素子１７０は、書き込まれるデータにより配向状態が設定される。なお、複数の画素回路３０８のそれぞれが有する液晶素子１７０の一対の電極の一方に共通の電位（コモン電位）を与えてもよい。また、各行の画素回路３０８の液晶素子１７０の一対の電極の一方に異なる電位を与えてもよい。

例えば、液晶素子１７０を備える表示装置の駆動方法としては、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＶＡモード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＭＶＡモード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード、又はＴＢＡ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ Ｂｅｎｄ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードなどを用いてもよい。また、表示装置の駆動方法としては、上述した駆動方法の他、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＮＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホストモードなどがある。ただし、これに限定されず、液晶素子及びその駆動方式として様々なものを用いることができる。

また、ブルー相（Ｂｌｕｅ Ｐｈａｓｅ）を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物により液晶素子を構成してもよい。ブルー相を示す液晶は、応答速度が１ｍｓｅｃ以下と短い。また、ブルー相を示す液晶は、光学的等方性であるため、配向処理が不要であり、且つ視野角依存性が小さい。

ｍ行ｎ列目の画素回路３０８において、トランジスタ１５０のソース及びドレインの一方は、ソース線ＤＬ＿ｎに電気的に接続され、他方は液晶素子１７０の一対の電極の他方に電気的に接続される。また、トランジスタ１５０のゲートは、ゲート線ＧＬ＿ｍに電気的に接続される。トランジスタ１５０は、オン状態又はオフ状態になることにより、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。

容量素子１５２の一対の電極の一方は、電位が供給される配線（以下、電位供給線ＶＬ）に電気的に接続され、他方は、液晶素子１７０の一対の電極の他方に電気的に接続される。なお、電位供給線ＶＬの電位の値は、画素回路３０８の仕様に応じて適宜設定される。容量素子１５２は、書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。

例えば、図８（Ａ）の画素回路３０８を有する表示装置では、ゲートドライバ３０４ａにより各行の画素回路３０８を順次選択し、トランジスタ１５０をオン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。

データが書き込まれた画素回路３０８は、トランジスタ１５０がオフ状態になることで保持状態になる。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を用いることのできる表示モジュール及び電子機器について、図９及び図１０を用いて説明を行う。

図９に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続された表示パネル８００６、バックライトユニット８００７、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリー８０１１を有する。

本発明の一態様の表示装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。

上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。

タッチパネル８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル８００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８００６の対向基板（封止基板）に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル８００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。

バックライトユニット８００７は、光源８００８を有する。なお、図９において、バックライトユニット８００７上に光源８００８を配置する構成について例示したが、これに限定されない。例えば、バックライトユニット８００７の端部に光源８００８を配置し、さらに光拡散板を用いる構成としてもよい。

なお、バックライトユニット８００７は、反射型の液晶表示装置の場合、設けない構成としてもよい。バックライトユニット８００７は、例えば、透過型の液晶表示装置、または半透過型の液晶表示装置の場合、設けられる。

フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。

プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリー８０１１による電源であってもよい。バッテリー８０１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。

また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。

図１０（Ａ）乃至図１０（Ｈ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー５００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、等を有することができる。

図１０（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９、赤外線ポート５０１０、等を有することができる。図１０（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１０（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３、等を有することができる。図１０（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１０（Ｅ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ５０１４、シャッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。図１０（Ｆ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１０（Ｇ）はテレビ受像器であり、上述したものの他に、チューナ、画像処理部、等を有することができる。図１０（Ｈ）は持ち運び型テレビ受像器であり、上述したものの他に、信号の送受信が可能な充電器５０１７、等を有することができる。

図１０（Ａ）乃至図１０（Ｈ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図１０（Ａ）乃至図１０（Ｈ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。

本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有することを特徴とする。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態においては、実施の形態１に示す表示装置の変形例について、図２１乃至２３を用いて以下説明を行う。なお、実施の形態１に示す機能と同様の箇所については、同様の符号を用い、その詳細な説明は省略する。

図２１は、本発明の一態様の表示装置の一例の上面図を表している。なお、図２１に示す上面図としては、表示装置の画素領域の一部分（３画素分）を表しており、図面の煩雑を避けるため、ゲート絶縁層等の一部の構成要素を省略して図示している。また、図２３（Ａ）は、図２１に示す一点鎖線Ｘ６−Ｙ６の切断面に相当する断面図である。また、図２３（Ｂ）は、図２１に示す一点鎖線Ｘ７−Ｙ７の切断面に相当する断面図である。

本実施の形態においては、画素電極層を反射電極として用い、対向基板である基板１６２に有色層とＢＭ１８０とスペーサ１８１を形成する例であり、有色層の開口と重なる位置やスペーサ１８１と重なる位置を点線で示している。

トランジスタ１５０は、導電層として膜厚４００ｎｍのタングステンを用いる以外は、実施の形態１と同じ構成であるため、ここでは詳細な説明は省略する。なお、トランジスタ１５０のチャネル長Ｌは３μｍ、チャネル幅Ｗは３μｍとする。また、トランジスタ１５０の半導体層は、スパッタリング装置を用い、厚さ５０ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１（原子％））を形成する。

また、トランジスタ１５０と開口部１３８を介して電気的に接続する画素電極層１１８は、ゲート線１０４の一部と重なっており、広い反射面積を確保している。なお、トランジスタ１５０は、ＢＭ１８０と重なる位置となるよう位置合わせされている。ＢＭ１８０としては、スパッタリング装置を用い、厚さ２００ｎｍのチタン膜を用いる。

また、本実施の形態においては、図２２に示すように、画素の色によって、有色層１１４の開口部の形状が異なる例である。

図２２（Ａ）には、Ｂの画素の対向基板側の構成を示している。図２２（Ａ）において、画素領域１２０の面積に対する有色層１１４の面積の比率は、７４．６％である。なお、有色層１１４の面積は、画素領域１２０の面積からＢＭ１８０の面積を引いたものとして算出している。また、図２２（Ｂ）には、Ｒの画素及びＧの画素の対向基板側の構成を示している。図２２（Ｂ）において、画素領域１２０の面積に対する有色層１１４の面積の比率は、４４．４％である。このように、Ｒの画素及びＧの画素の有色層１１４の上面形状をＢの画素の有色層１１４の上面形状と異ならせ、Ｂの画素の有色層１１４の面積をＲの画素の有色層１１４またはＧの画素の有色層１１４よりも大きくすることでＮＴＳＣ比を維持しつつ、反射率を改善することができる。

また、図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）においては、位置関係を分かりやすくするために、図中鎖線で開口部１３８と重なる領域を示しており、実際に対向基板側の構成に開口部１３８があるのではない。また、図２１においても、位置関係を分かりやすくするために、点線で開口部１３６、スペーサ１８１を図示しているが位置を示しているのみであり、トランジスタが形成される基板側の構成に開口部１３６やスペーサ１８１があるのではない。

また、図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）に示した開口部の上面形状は一例であって、特に限定されず、例えば三角形や、円形や、楕円形や、多角形などにしてもよく、それらを複数種組み合わせてもよい。また、少なくともＢの画素の有色層１１４の開口部のトータル面積をＲの画素の有色層１１４の開口部及びＧの画素の有色層１１４の開口部よりも小さくする。

また、図２３（Ａ）に示す表示装置は、第１の基板１０２と、第１の基板１０２上のゲート電極層として機能する導電層１０４ａと、導電層１０４ａと同一工程で形成された導電層１０４ｂと、第１の基板１０２及び導電層１０４ａ、１０４ｂ上の絶縁層１０６ａ、１０６ｂと、導電層１０４ａと重畳し、絶縁層１０６ｂ上の半導体層１０８と、半導体層１０８及び絶縁層１０６ｂ上のソース電極層として機能する導電層１１０ａ＿１と、半導体層１０８及び絶縁層１０６ｂ上のドレイン電極層として機能する導電層１１０ａ＿２と、半導体層１０８、及び導電層１１０ａ＿１、１１０ａ＿２上の保護絶縁膜として機能する絶縁層１１２と、絶縁層１１２上に感光性樹脂を用いる絶縁層１１６と、絶縁層１１６上の画素電極層１１８と、画素電極層１１８上の液晶層１６６と、液晶層１６６上の対向電極としての機能を有する導電層１６４と、スペーサ１８１と、ＢＭ１８０と、カラーフィルタとしての機能を有する有色層１１４と、有色層１１４を覆うオーバーコート層１８２と、導電層１６４上の対向基板である第２の基板１６２と、を有する。このとき、オーバーコート層１８２は、開口部１３６を介して対向基板である第２の基板１６２と接する。

オーバーコート層１８２は、アクリル系樹脂材料をスピンコーター装置により塗布し、その後オーブン装置にて乾燥しアクリル系樹脂膜を用いる。また、有色層１１４は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色を用い、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）の順に所望の位置に露光、及び現像を行うことで形成する。また、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルタは、それぞれ膜厚が０．８μｍとなるように形成する。

なお、導電層１０４ａ、絶縁層１０６ａ、１０６ｂ、半導体層１０８、及び導電層１１０ａ＿１、１１０ａ＿２、によって、トランジスタ１５０が構成されている。また、導電層１０４ｂ、絶縁層１０６ａ、１０６ｂ、及び導電層１１０ａ＿２によって、容量素子１５２が構成されている。容量素子１５２は、面積が大きく、容量素子の容量が大きい。このため、画素電極の電位を保持する時間を長くすることが可能であり、リフレッシュレートを低減する駆動モードを適用できる。さらに、液晶表示装置においてリフレッシュレートを低減する駆動モードを適用した場合であっても、液晶層に印加された電圧の変化を長期間抑制することが可能であるため、使用者による画像のちらつきの知覚をより防止することができる。したがって、低消費電力化と表示品質の向上を図ることができる。

ここで、リフレッシュレートを低減する効果に関して説明する。なお、リフレッシュレートとは、１秒間あたりの画像の切り換え回数であり、駆動周波数と呼ぶこともある。このような人の目で知覚することが難しいような高速の画面の切り換えが、目の疲労の原因として考えられている。

目の疲労には、神経系の疲労と、筋肉系の疲労の２種類がある。神経系の疲労は、長時間液晶表示装置の発光、点滅画面を見続けることで、その明るさが眼の網膜や神経、脳を刺激して疲れさせるものである。筋肉系の疲労は、ピント調節のときに使用する毛様体の筋肉を酷使することにより疲れさせるものである。

図２７（Ａ）に、従来の液晶表示装置の表示を表す模式図を示す。図２７（Ａ）に示すように、従来の液晶表示装置の表示では、１秒間に６０回の画像の書き換えが行われている。このような画面を長時間見続けることにより、使用者の眼の網膜や神経、脳を刺激して眼の疲労が引き起こされるおそれがあった。

本実施の形態では、液晶表示装置の画素部のトランジスタ１５０に、オフ電流の極めて低いトランジスタ、例えば酸化物半導体を用いたトランジスタを適用する。また、液晶素子は、面積の大きい容量素子を有する。これらによって、容量素子に蓄積された電荷のリークを抑制することが可能となるため、フレーム周波数を下げても、液晶表示装置の輝度の維持が可能となる。

つまり、図２７（Ｂ）に示すように、例えば、５秒間に１回の画像の書き換えが可能となるため、極力同じ映像を見ることが可能となり、使用者に視認される画面のちらつきが低減される。これにより、使用者の眼の網膜や神経、脳の刺激が低減され、神経系の疲労が軽減される。

本実施の形態は、目に優しい液晶表示装置を実現できる。

また、リフレッシュ動作の前後に生じる画像の変化が、使用する者に弁別されないように、リフレッシュを行う必要がある。本実施の形態で得られる表示装置は、リフレッシュ動作の前後に生じる画像の変化がほとんどなく、良好な表示を得ることができる。

また、第２の基板１６２に形成されている有色層１１４には、複数の開口部１３６が設けられている。有色層１１４に設けられた開口部１３６の形状や面積を適宜設計することによって、有色層１１４の色純度を調整することができる。このように、有色層１１４が開口部１３６を有する構造とすることで、色純度の調整を可能とした、新規な表示装置を提供することができる。

また、絶縁層１１２には、開口部１３８が設けられている。また、画素電極層１１８は、開口部１３８を介してトランジスタ１５０のドレイン電極層として機能する導電層１１０ａ＿２と接続されている。絶縁層１１６は、ランダムな凹凸が形成されるように感光性樹脂を用いてもよい。また、ランダムな凹凸を形成する場合、絶縁層１１６の表面のランダムな凹凸に沿って画素電極層１１８がランダムな凹凸を有する反射電極となり、視野角依存性を改善させることができる。

本実施の形態では、画素電極層１１８を反射電極層としての機能させるため、反射率の高い導電層を用いる。該反射率の高い導電層としては、例えば、アルミニウム、銀、パラジウム、銅からなる単体金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いる。

図２３（Ｂ）は、ゲート線１０４と、ソース線１１０として機能する導電層１１０ａ＿２との交差する領域の断面図である。

また、図２３（Ｂ）に示す表示装置は、第１の基板１０２と、第１の基板１０２と対向する第２の基板１６２との間に設けられたスペーサ１８１によって間隔が保持されている。配向膜を形成する場合には、有機樹脂膜を用いてパターニングする、或いは感光性樹脂を用いて柱状構造を形成してスペーサとした後、配向膜を形成すればよい。

図２３（Ｂ）に示すように、ＢＭ１８０を形成することで、ゲート線１０４または導電層１１０ａ＿２に起因する表面反射を抑制することができる。

このように、少なくとも反射領域以外の箇所はＢＭ１８０を形成すると好ましい。

本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

本実施例においては、本発明の一態様である表示装置を作製し、光学顕微鏡による観察、及び断面観察を行った。以下に本実施例で作製した試料の詳細について説明を行う。

なお、本実施例においては、図１乃至図３に示す表示装置と同様の構造の表示装置を作製した。したがって、図１乃至図３で用いた符号と同様の機能を有する場合、同様の符号を用いる。

本実施例で観察した試料の作製方法について、以下説明を行う。

第１の基板１０２としては、ガラス基板を用いた。その後、第１の基板１０２上に導電層１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃを形成した。導電層１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃとしては、スパッタリング法によりタングステン膜（Ｗ）を２００ｎｍ形成した。

その後、第１の基板１０２及び導電層１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ上にゲート絶縁層として機能する絶縁層１０６ａ、１０６ｂを形成した。絶縁層１０６ａとしては、厚さ４００ｎｍの窒化シリコン膜を、絶縁層１０６ｂとしては、厚さ５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を、それぞれ形成した。

なお、絶縁層１０６ａの窒化シリコン膜は、第１の窒化シリコン膜、第２の窒化シリコン膜、及び第３の窒化シリコン膜の３層積層構造とした。

第１の窒化シリコン膜としては、流量２００ｓｃｃｍのシラン、流量２０００ｓｃｃｍの窒素、及び流量１００ｓｃｃｍのアンモニアガスを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ装置の反応室に供給し、反応室内の圧力を１００Ｐａに制御し、２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用いて２０００Ｗの電力を供給して、厚さが５０ｎｍとなるように形成した。第２の窒化シリコン膜としては、流量２００ｓｃｃｍのシラン、流量２０００ｓｃｃｍの窒素、及び流量２０００ｓｃｃｍのアンモニアガスを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ装置の反応室に供給し、反応室内の圧力を１００Ｐａに制御し、２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用いて２０００Ｗの電力を供給して、厚さが３００ｎｍとなるように形成した。第３の窒化シリコン膜としては、流量２００ｓｃｃｍのシラン、及び流量５０００ｓｃｃｍの窒素を原料ガスとしてプラズマＣＶＤ装置の反応室に供給し、反応室内の圧力を１００Ｐａに制御し、２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用いて２０００Ｗの電力を供給して、厚さが５０ｎｍとなるように形成した。なお、第１の窒化シリコン膜、第２の窒化シリコン膜、及び第３の窒化シリコン膜形成時の基板温度は３５０℃とした。

絶縁層１０６ｂとして形成した酸化窒化シリコン膜としては、流量２０ｓｃｃｍのシラン、流量３０００ｓｃｃｍの一酸化二窒素を原料ガスとしてプラズマＣＶＤ装置の反応室に供給し、反応室内の圧力を４０Ｐａに制御し、２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用いて１００Ｗの電力を供給して、酸化窒化シリコン膜を形成した。なお、酸化窒化シリコン膜形成時の基板温度は３５０℃とした。

次に、絶縁層１０６ａ、１０６ｂを介して導電層１０４ａと重なる位置に半導体層１０８を形成した。半導体層１０８としては、厚さ３５ｎｍの酸化物半導体膜をスパッタリング法で形成した。

酸化物半導体膜は、スパッタリングターゲットをＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１（原子数比）の金属酸化物ターゲットとし、流量１００ｓｃｃｍの酸素及び流量１００ｓｃｃｍのアルゴンをスパッタリングガスとしてスパッタリング装置の反応室内に供給し、反応室内の圧力を０．６Ｐａに制御し、２．５ｋＷの交流電力を供給して形成した。なお、酸化物半導体膜を形成する際の基板温度を１７０℃とした。

次に、絶縁層１０６ａ、１０６ｂの所望の位置に開口部１３２を形成した。なお、開口部１３２は、導電層１０４ｂに達する。

開口部１３２は、ドライエッチング装置を用いて形成した。

次に、半導体層１０８及び絶縁層１０６ａ、１０６ｂ上に導電層を形成した。該導電層として、厚さ５０ｎｍのタングステン膜上に厚さ４００ｎｍのアルミニウム膜を形成し、該アルミニウム膜上に厚さ１００ｎｍのチタン膜を形成した。

次に、上記厚さ１００ｎｍのチタン膜を所望の領域以外をドライエッチング装置にて除去し、導電層１１０＿１を形成した。なお、導電層１１０＿１としては、厚さ１００ｎｍのチタン膜となる。

次に、上記厚さ５０ｎｍのタングステン膜と厚さ４００ｎｍのアルミニウム膜を所望の形状にドライエッチング装置にて加工し、導電層１１０ａ＿１、１１０ａ＿２、１１０ａ＿３、１１０ａ＿４、１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２、１１０ｂ＿３、１１０ｂ＿４を形成した。なお、導電層１１０ａ＿１、１１０ａ＿２、１１０ａ＿３、１１０ａ＿４としては、厚さ５０ｎｍのタングステン膜となる。また、導電層１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２、１１０ｂ＿３、１１０ｂ＿４としては、厚さ４００ｎｍのアルミニウム膜となる。

また、導電層１１０ａ＿１、１１０ｂ＿１は、トランジスタのソース電極層として機能し、導電層１１０ａ＿２、１１０ｂ＿２は、トランジスタのドレイン電極層として機能し、導電層１１０ａ＿３、１１０ｂ＿３は、反射電極層として機能し、導電層１１０ａ＿４、１１０ｂ＿４は、ソース線の一部として機能する。

次に、半導体層１０８、導電層１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２、１１０ｂ＿３、１１０ｃ＿１を覆うように絶縁層１１２を形成した。

絶縁層１１２としては、第１の酸化物絶縁膜、第２の酸化物絶縁膜、及び窒化物絶縁膜の３層の積層構造を形成した。

第１の酸化物絶縁膜としては、厚さ５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成した。第２の酸化物絶縁膜としては、厚さ４００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成した。なお、第１の酸化物絶縁膜と、第２の酸化物絶縁膜は、大気に曝すことなく、真空中で連続的にプラズマＣＶＤ装置により形成した。また、第１の酸化物絶縁膜と第２の酸化物絶縁膜は同種の材料により形成したため、その界面が明確にわからない場合がある。

第１の酸化物絶縁膜は、流量３０ｓｃｃｍのシラン及び流量４０００ｓｃｃｍの一酸化二窒素を原料ガスとし、反応室の圧力を４０Ｐａ、基板温度を２２０℃とし、１５０Ｗの高周波電力を平行平板電極に供給したプラズマＣＶＤ法により形成した。

第２の酸化物絶縁膜は、流量１６０ｓｃｃｍのシラン及び流量４０００ｓｃｃｍの一酸化二窒素を原料ガスとし、反応室の圧力を２００Ｐａ、基板温度を２２０℃とし、１５００Ｗの高周波電力を平行平板電極に供給したプラズマＣＶＤ法により形成した。当該条件により、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離する酸化窒化シリコン膜を形成することができる。

次に、加熱処理を行い、第１の酸化物絶縁膜及び第２の酸化物絶縁膜から水、窒素、水素等を脱離させると共に、第２の酸化物絶縁膜に含まれる酸素の一部を半導体層１０８として用いた酸化物半導体膜へ供給した。ここでは、窒素及び酸素雰囲気で、３５０℃、１時間の加熱処理を行った。

次に、第２の酸化物絶縁膜上に厚さ１００ｎｍの窒化物絶縁膜を形成した。窒化物絶縁膜としては、厚さ１００ｎｍの窒化シリコン膜を形成した。また、窒化物絶縁膜は、流量５０ｓｃｃｍのシラン、流量５０００ｓｃｃｍの窒素、及び流量１００ｓｃｃｍのアンモニアガスを原料ガスとし、反応室の圧力を１００Ｐａ、基板温度を３５０℃とし、１０００Ｗの高周波電力を平行平板電極に供給したプラズマＣＶＤ法により形成した。

次に、絶縁層１１２上の所望の領域に有色層１１４を形成した。

有色層１１４としては、着色材料が分散された感光性樹脂溶液を用い、該感光性樹脂溶液をスピンコーター装置により塗布し、その後オーブン装置にて乾燥して感光性樹脂膜を形成した。該感光性樹脂膜は、所謂カラーフィルタとして機能する。なお、本実施例においては、カラーフィルタは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色を用い、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）の順に所望の位置に露光、及び現像を行うことで形成した。また、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルタは、それぞれ膜厚が０．８μｍとなるように形成した。また、有色層１１４としては、上記各色とも開口部１３４と開口部１３６が設けられるように形成した。

次に、絶縁層１１２及び有色層１１４上にオーバーコートとしての機能を有する絶縁層１１６を形成した。なお、絶縁層１１６としては、アクリル系樹脂材料をスピンコーター装置により塗布し、その後オーブン装置にて乾燥しアクリル系樹脂膜を形成した。また、絶縁層１１６は、膜厚が２．５μｍとなるように形成した。また、絶縁層１１６は、有色層１１４の開口部１３４の内側に開口部が設けられるように形成した。

次に、絶縁層１１２の開口部１３４と重畳する位置に開口部１３８を形成した。開口部１３８は、導電層１１０ｃ＿１に達するように形成した。なお、開口部１３８の形成は、ドライエッチング装置を用いた。

次に、開口部１３８を覆うように、絶縁層１１６上に画素電極層１１８を形成した。画素電極層１１８としては、スパッタリング法により厚さ１００ｎｍの酸化インジウム−酸化スズ−酸化シリコン化合物（ＩＴＯ−ＳｉＯ_２、以下ＩＴＳＯ）の導電膜を形成した。なお、該導電膜に用いたターゲットの組成は、Ｉｎ_２Ｏ_３：ＳｎＯ_２：ＳｉＯ_２＝８５：１０：５［重量％］とした。

以上の工程により、第１の基板１０２上に素子を作製した。これを試料とし、光学顕微鏡観察を行った。

なお、本実施例においては、第１の基板１０２上に形成された素子の観察を行うため、絶縁層１１６及び画素電極層１１８の上方に形成される液晶層１６６、導電層１６４、第２の基板１６２を形成しない構造とした。

本実施例で作製した試料の光学顕微鏡写真を図１１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示す。なお、図１１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示す光学顕微鏡写真は、反射の明視野像である。

また、図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、実施の形態１の図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、有色層１１４の開口部１３４と、開口部１３６の形状及び配置を異ならせた試料の光学顕微鏡写真である。なお、有色層１１４の開口部１３４と開口部１３６の形状及び配置の変更方法としては、露光マスクの形状を変えることで行った。

図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、有色層１１４の開口部１３４、１３６がいずれの形状においても、有色層１１４の膜剥がれがみられず、良好な形状であることが確認された。また、目視による観察においては、図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）ともに、良好な色純度であることが確認された。

また、図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、概略画素３つ分の上面を観察している。図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）において、それぞれ、上段が有色層１１４として赤色（Ｒ）のカラーフィルタを用いた画素領域、中段が有色層１１４として緑色（Ｇ）のカラーフィルタを用いた画素領域、下段が有色層１１４として青色（Ｂ）のカラーフィルタを用いた画素領域を、それぞれ観察した。

なお、図１１（Ａ）に示す有色層１１４の面積率としては、反射電極層として用いた導電層１１０ｂ＿３の１画素あたりに占める面積に対して７６％であった。また、図１１（Ｂ）に示す有色層１１４の面積率としては、反射電極層として用いた導電層１１０ｂ＿３の１画素あたりに占める面積に対して６３％であった。また、図１１（Ｃ）に示す有色層１１４の面積率としては、反射電極層として用いた導電層１１０ｂ＿３の１画素あたりに占める面積に対して４１％であった。このように、有色層１１４の開口部１３６の形状及び配置を変えることで、簡便に有色層１１４の面積率を変更することができた。

次に、本実施例で作製した試料の断面観察結果を図１２、及び図１３（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、断面観察としては、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いた。また、図１２は、２枚のＴＥＭ像を一部重ねあわせて表示させている。また、図１２、及び図１３（Ａ）、（Ｂ）において、界面等を明確に表すために、明るさ、及びコントラスト等を調整している。

なお、図１２は、図１１（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ３−Ｙ３の断面結果である。また、図１３（Ａ）は、図１１（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ４−Ｙ４の断面結果である。また、図１３（Ｂ）は、図１１（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ５−Ｙ５の断面結果である。

なお、図１２、及び図１３（Ａ）、（Ｂ）において、Ｓｕｂ．は、第１の基板１０２を表す。また、ＧＩは、ゲート絶縁層として機能する絶縁層１０６ａ、１０６ｂを表す。また、ＳｉＯＮは、絶縁層１１２として用いた酸化窒化シリコン膜を表し、ＳｉＮは、絶縁層１１２として用いた窒化シリコン膜を表す。また、Ｗは、導電層１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１１０ａ＿１、１１０ａ＿２、１１０ａ＿３、１１０ａ＿４として用いたタングステン膜を表し、Ａｌは、導電層１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２、１１０ｂ＿３、１１０ｂ＿４として用いたアルミニウム膜を表し、Ｔｉは導電層１１０ｃ＿１として用いたチタン膜を表す。また、ＩＧＺＯは、半導体層１０８として用いた酸化物半導体膜を表す。また、ＣＦ（Ｒ）は、赤色の有色層１１４を表し、ＣＦ（Ｇ）は、緑色の有色層１１４を表し、ＣＦ（Ｂ）は、青色の有色層１１４を表す。また、ＯＣは、オーバーコートとしての機能を有する絶縁層１１６として用いたアクリル系樹脂膜を表す。また、ＩＴＳＯは、画素電極層１１８として用いた酸化インジウム−酸化スズ−酸化シリコン化合物膜を表す。また、Ｐｔは、断面観察用の導電膜として用いたプラチナコーティングを表し、Ｃは、断面観察用の導電膜として用いたカーボンコーティングを表す。

図１２、及び図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すＴＥＭ像の結果より、本実施例の表示装置は、良好な断面形状が得られることが確認された。

また、図１３（Ａ）に示すＴＥＭ像の結果より、本実施例の表示装置は、反射領域以外の箇所であるゲート線、ソース線、またはゲート線とソース線が交差する領域において、有色層１１４として用いたカラーフィルタＣＦ（Ｇ）とカラーフィルタＣＦ（Ｒ）が積層して設けられている。また、本実施例の表示装置は、反射領域以外の箇所であるゲート線、ソース線、またはゲート線とソース線が交差する領域において、有色層１１４として用いたカラーフィルタＣＦ（Ｒ）とカラーフィルタＣＦ（Ｂ）が積層して設けられている。

また、図１３（Ｂ）に示すＴＥＭ像の結果より、本実施例の表示装置は、有色層１１４として用いたカラーフィルタＣＦ（Ｇ）が開口部を有し、該開口部を介して、絶縁層１１２として用いた窒化シリコン膜（ＳｉＮ）と、オーバーコート（ＯＣ）として機能する絶縁層１１６として用いたアクリル系樹脂膜が接している構造であった。したがって、有色層１１４の密着性が向上し、膜剥がれ等がなく良好な断面形状であることが確認できた。

以上、本実施例に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

本実施例においては、本発明の一態様である表示装置を作製し、映像表示されている画素領域の写真撮影や、反射率の測定を行った。以下に本実施例で作製した試料の詳細について説明を行う。

なお、本実施例においては、実施の形態５に示した図２１乃至図２３に示す表示装置を実際に作製した。また、有色層の形状がＲ、Ｇ、Ｂの画素で全て同じ表示装置も作製した。本実施例においては、色の異なる有色層で開口の形状を一部変更したレイアウトとし、有色層の形成を対向基板上に形成し、画素電極を反射電極として用いる、などの画素構成のレイアウトが一部異なる以外は、図１乃至図３に示す表示装置と同一であるため、図１乃至図３で用いた符号と同様の機能を有する場合、同様の符号を用いる。

作製した２種類の試料である表示パネルを図２４（Ａ）に示すように、測定装置（ＬＣＤ評価装置：製品名ＬＣＤ−７２００）を用いてデテクターを表示パネルの中央に重なる位置として、表示パネル面に対して垂直に設置し、パネルの中央に光源からの光が１５度以上７０度以下の範囲で照射されるように変化させて反射率を測定した。その結果を図２４（Ｂ）に示す。

図２４（Ｂ）において上の曲線データが実施の形態５に示した表示装置であり、下の曲線データは、Ｒ、Ｇ、Ｂの画素で有色層の形状が同一であり、図２２（Ａ）に示す有色層の形状とした表示装置である。

また、実施の形態５に示した表示装置の表示を撮影した写真図が、図２５（Ａ）である。

また、２種類の表示装置の特性値を表にして示した図が図２５（Ｂ）である。図２５（Ｂ）において、実施の形態５に示した表示装置は高い反射率を有しているため、高反射ＬＣＤ（Ｈｉｇｈ ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ＬＣＤ）と表記し、もう一方の表示装置を高色域ＬＣＤ（Ｈｉｇｈ ｃｏｌｏｒ ｇａｍｕｔ ＬＣＤ）と表記している。

さらに、これらのパネルにタッチパネルを搭載し、タッチ入力可能な表示装置にすることもできる。図２６にタッチパネルとした場合の構成例の模式図を示す。図２６に示すように、表示装置は、基板１０２上に画素電極層１１８と、画素電極層１１８上に重なる有色層１１４、異なる色の有色層１１４の間にＢＭ１８０と、基板１６２と、基板１０２と基板１６２の間に液晶と、基板１６２上に光学フィルム１８３と、タッチパネル１８４と、偏光フィルム１８５とを有する構造となっている。なお、図２６において基板１０２上に形成されている画素電極層１１８と電気的に接続するトランジスタは図示していない。

なお、図２４、及び図２５のデータは、タッチパネルを搭載する前に測定したデータである。

これらのデータからわかるように高精細な表示ができる反射型の液晶表示装置を実現することができる。

さらに、これらの表示パネルは、容量が大きい容量素子を有しているため、画素電極の電位を保持する時間を長くすることが可能であり、リフレッシュレートを低減する駆動モードを適用できる。さらに、液晶表示装置においてリフレッシュレートを低減する駆動モードを適用した場合であっても、液晶層に印加された電圧の変化を長期間抑制することが可能であるため、使用者による画像のちらつきの知覚をより防止することができる。したがって、低消費電力化と表示品質の向上を図ることができる。

本実施例の表示装置において、リフレッシュ動作の前後に生じる画像の変化を確認した結果を図２８に示す。図２８に示すように、リフレッシュ動作の前後に生じる画像の変化は、白表示、グレー表示、黒表示のいずれにおいてもほとんどない。

本実施例の表示装置は、リフレッシュレートを１Ｈｚ以下に低減する駆動モードを適用でき、目に優しい反射型の液晶表示装置とすることができる。また、本実施例の表示装置は、低消費電力をも実現した反射型の液晶表示装置ということもできる。

１０２ 基板
１０４ ゲート線
１０４ａ 導電層
１０４ｂ 導電層
１０４ｃ 導電層
１０６ａ 絶縁層
１０６ｂ 絶縁層
１０８ 半導体層
１０９ａ 導電層
１０９ｂ 導電層
１０９ｃ 導電層
１１０ ソース線
１１０＿１ 導電層
１１０ａ＿１ 導電層
１１０ａ＿２ 導電層
１１０ａ＿３ 導電層
１１０ａ＿４ 導電層
１１０ｂ＿１ 導電層
１１０ｂ＿２ 導電層
１１０ｂ＿３ 導電層
１１０ｂ＿４ 導電層
１１０ｃ＿１ 導電層
１１２ 絶縁層
１１４ 有色層
１１４ａ 有色層
１１４ｂ 有色層
１１６ 絶縁層
１１８ 画素電極層
１１８ａ 導電層
１２０ 画素領域
１３２ 開口部
１３４ 開口部
１３６ 開口部
１３８ 開口部
１４１ 領域
１４２ 領域
１５０ トランジスタ
１５２ 容量素子
１６２ 基板
１６４ 導電層
１６６ 液晶層
１７０ 液晶素子
１８０ ＢＭ
１８１ スペーサ
１８２ オーバーコート層
１８３ 光学フィルム
１８４ タッチパネル
１８５ 偏光フィルム
１９９ 導電層
１９９ａ 導電層
１９９ｂ 導電層
１９９ｃ 導電層
２０２ 基板
２０３ 接着層
２０５ 絶縁層
２０７ 接着層
２０９ 絶縁層
２１１ 剥離層
２６２ 基板
３０２ 画素部
３０４ 駆動回路部
３０４ａ ゲートドライバ
３０４ｂ ソースドライバ
３０６ 保護回路部
３０７ 端子部
３０８ 画素回路
４００ 反射領域
４０１ 透過領域
５０００ 筐体
５００１ 表示部
５００２ 表示部
５００３ スピーカ
５００４ ＬＥＤランプ
５００５ 操作キー
５００６ 接続端子
５００７ センサ
５００８ マイクロフォン
５００９ スイッチ
５０１０ 赤外線ポート
５０１１ 記録媒体読込部
５０１２ 支持部
５０１３ イヤホン
５０１４ アンテナ
５０１５ シャッターボタン
５０１６ 受像部
５０１７ 充電器
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチパネル
８００５ ＦＰＣ
８００６ 表示パネル
８００７ バックライトユニット
８００８ 光源
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリー

Claims (9)

1. 画素領域と、
   前記画素領域に形成されたトランジスタと、
   前記トランジスタのソース電極層またはドレイン電極層と同一平面上に形成された反射電極層と、
   前記反射電極層上の第１の絶縁層と、
   前記反射電極層と重畳し、前記第１の絶縁層上の有色層と、
   前記有色層上の第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上の画素電極層と、を有し、
   前記有色層は、少なくとも第１の開口部及び第２の開口部を有し、
   前記画素電極層は、前記第１の開口部を介して前記トランジスタと電気的に接続され、
   前記第２の絶縁層が、前記第２の開口部を介して前記第１の絶縁層と接する、
   ことを特徴とする表示装置。
2. 画素領域と、
   前記画素領域に形成されたトランジスタと、
   前記トランジスタのソース電極層またはドレイン電極層と同一平面上に形成された反射電極層と、
   前記反射電極層上の無機絶縁材料によって形成された第１の絶縁層と、
   前記反射電極層と重畳し、前記第１の絶縁層上の有色層と、
   前記有色層上の有機絶縁材料によって形成された第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上の画素電極層と、を有し、
   前記有色層は、少なくとも第１の開口部及び第２の開口部を有し、
   前記画素電極層は、前記第１の開口部を介して前記トランジスタと電気的に接続され、
   前記第２の絶縁層が、前記第２の開口部を介して前記第１の絶縁層と接する、
   ことを特徴とする表示装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記トランジスタは、
   ゲート電極層と、前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の半導体層と、前記ゲート絶縁層、及び前記半導体層と接する前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と、を有する、
   ことを特徴とする表示装置。
4. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の絶縁層は、
   前記第１の開口部と重畳する位置に第３の開口部を有し、
   前記画素電極層は、
   前記第１の開口部及び前記第３の開口部を介して前記トランジスタの前記ドレイン電極層と電気的に接続される、
   ことを特徴とする表示装置。
5. 請求項３において、
   前記半導体層は、酸化物半導体膜である、
   ことを特徴とする表示装置。
6. 請求項５において、
   前記酸化物半導体膜は、
   少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆを表す。）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される酸化物であることを特徴とする表示装置。
7. 画素領域と、
   前記画素領域に形成されたトランジスタと、
   前記トランジスタのソース電極層またはドレイン電極層と、
   前記ソース電極層または前記ドレイン電極層上の絶縁層と、
   前記絶縁層上の画素電極層と、
   前記ドレイン電極層及び前記画素電極層と重畳する有色層と、
   を有し、
   前記画素電極層は、前記トランジスタと電気的に接続され、
   前記有色層は、少なくとも第１の開口部及び第２の開口部を有することを特徴とする表示装置。
8. 請求項７において、さらに第２の有色層と、第３の有色層とを有し、
   前記第２の有色層は、少なくとも第３の開口部及び第４の開口部を有し、
   前記第３の開口部及び前記第４の開口部の上面形状は、前記第１の開口部及び前記第２ の開口部と異なることを特徴とする表示装置。
9. 請求項７または請求項８において、前記画素電極層は反射電極層であることを特徴とする表示装置。