JP7460314B2 - 表示装置の作製方法 - Google Patents

表示装置の作製方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7460314B2
JP7460314B2 JP2023004315A JP2023004315A JP7460314B2 JP 7460314 B2 JP7460314 B2 JP 7460314B2 JP 2023004315 A JP2023004315 A JP 2023004315A JP 2023004315 A JP2023004315 A JP 2023004315A JP 7460314 B2 JP7460314 B2 JP 7460314B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
display device
transistor
liquid crystal
conductive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2023004315A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2023029646A (ja
Inventor
舜平 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of JP2023029646A publication Critical patent/JP2023029646A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7460314B2 publication Critical patent/JP7460314B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/04166—Details of scanning methods, e.g. sampling time, grouping of sub areas or time sharing with display driving
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0445—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0448—Details of the electrode shape, e.g. for enhancing the detection of touches, for generating specific electric field shapes, for enhancing display quality
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04107—Shielding in digitiser, i.e. guard or shielding arrangements, mostly for capacitive touchscreens, e.g. driven shields, driven grounds
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO

Description

本発明の一態様は、液晶表示装置、表示モジュール、及び電子機器に関する。本発明の一
態様は、液晶表示装置の作製方法に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野と
しては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、
入力装置（例えば、タッチセンサなど）、入出力装置（例えば、タッチパネルなど）、そ
れらの駆動方法、又はそれらの製造方法を一例として挙げることができる。
液晶表示装置及び発光表示装置等のフラットパネルディスプレイの多くに用いられている
トランジスタは、ガラス基板上に形成されたアモルファスシリコン、単結晶シリコン、ま
たは多結晶シリコンなどのシリコン半導体によって構成されている。また、該シリコン半
導体を用いたトランジスタは、集積回路（ＩＣ）などにも利用されている。
近年、シリコン半導体に代わって、半導体特性を示す金属酸化物をトランジスタに用いる
技術が注目されている。なお、本明細書中では、半導体特性を示す金属酸化物を酸化物半
導体と記すこととする。例えば、特許文献１及び特許文献２には、酸化物半導体として、
酸化亜鉛、またはＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物を用いたトランジスタを作製し、該トランジ
スタを表示装置の画素のスイッチング素子などに用いる技術が開示されている。
特開２００７－１２３８６１号公報 特開２００７－９６０５５号公報
本発明の一態様は、開口率が高い液晶表示装置を提供することを目的の一とする。または
、本発明の一態様は、消費電力の低い液晶表示装置を提供することを目的の一とする。ま
たは、本発明の一態様は、高精細な液晶表示装置を提供することを目的の一とする。また
は、本発明の一態様は、信頼性の高い液晶表示装置を提供することを目的の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は
、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求
項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
［１］本発明の一態様は、液晶素子、トランジスタ、走査線、及び信号線を有する表示装
置である。液晶素子は、画素電極、液晶層、及び共通電極を有する。走査線及び信号線は
、それぞれ、トランジスタと電気的に接続される。走査線及び信号線は、それぞれ、金属
層を有する。トランジスタは、画素電極と電気的に接続される。トランジスタは、画素電
極と接続される第１の領域を有する。画素電極、共通電極、及び第１の領域は、可視光を
透過する機能を有する。可視光は、第１の領域及び液晶素子を透過して、表示装置の外部
に射出される。
［２］本発明の一態様は、液晶素子、トランジスタ、走査線、信号線、及びタッチセンサ
を有する表示装置である。液晶素子は、画素電極、液晶層、及び共通電極を有する。走査
線及び信号線は、それぞれ、トランジスタと電気的に接続される。走査線及び信号線は、
それぞれ、金属層を有する。トランジスタは、画素電極と電気的に接続される。トランジ
スタは、画素電極と接続される第１の領域を有する。タッチセンサは、液晶素子及びトラ
ンジスタよりも表示面側に位置する。画素電極、共通電極、及び第１の領域は、可視光を
透過する機能を有する。可視光は、第１の領域及び液晶素子を透過して、表示装置の外部
に射出される。タッチセンサは、一対の電極を有する。一対の電極の一方または双方は、
可視光を透過する第２の領域を有することが好ましい。このとき、第１の領域及び液晶素
子を透過した可視光は、第２の領域を透過して、表示装置の外部に射出される。
［３］本発明の一態様は、液晶素子、トランジスタ、走査線、信号線、及びタッチセンサ
を有する表示装置である。液晶素子は、画素電極、液晶層、及び共通電極を有する。走査
線及び信号線は、それぞれ、トランジスタと電気的に接続される。走査線及び信号線は、
それぞれ、金属層を有する。トランジスタは、画素電極と接続される第１の領域を有する
。タッチセンサは、可視光を透過する第２の領域を有する。画素電極、共通電極、及び第
１の領域は、可視光を透過する機能を有する。可視光は、液晶素子、第１の領域、第２の
領域の順に透過して、表示装置の外部に射出される。表示装置は、さらに、着色層を有す
ることが好ましい。このとき、可視光は、着色層、液晶素子、第１の領域、第２の領域の
順に透過して、表示装置の外部に射出されることが好ましい。トランジスタのチャネル領
域と、第１の領域と、は、それぞれ、金属酸化物を有することが好ましい。このとき、第
１の領域が有する金属酸化物は、チャネル領域が有する金属酸化物に含まれる金属元素を
１種類以上有することが好ましい。
［４］本発明の一態様は、液晶素子、第１の絶縁層、トランジスタ、走査線、及び信号線
を有する表示装置である。液晶素子は、画素電極、液晶層、及び共通電極を有する。第１
の絶縁層は、画素電極とトランジスタの間に位置する。第１の絶縁層は、開口部を有する
。走査線及び信号線は、それぞれ、トランジスタと電気的に接続される。走査線及び信号
線は、それぞれ、金属層を有する。トランジスタは、画素電極と電気的に接続される。ト
ランジスタは、画素電極と接続される第１の領域を有する。第１の領域は、画素電極と接
する第１の部分と、第１の絶縁層が有する開口部の側面と接する第２の部分と、を有する
。画素電極、共通電極、及び第１の領域は、可視光を透過する機能を有する。可視光は、
第１の領域及び液晶素子を透過して、表示装置の外部に射出される。
［５］本発明の一態様は、液晶素子、第１の絶縁層、トランジスタ、走査線、及び信号線
を有する表示装置である。液晶素子は、画素電極、液晶層、及び共通電極を有する。第１
の絶縁層は、画素電極とトランジスタの間に位置する。第１の絶縁層は、開口部を有する
。走査線及び信号線は、それぞれ、トランジスタと電気的に接続される。走査線及び信号
線は、それぞれ、金属層を有する。トランジスタは、画素電極と電気的に接続される。ト
ランジスタは、金属酸化物層、ゲート、及びゲート絶縁層を有する。金属酸化物層は、第
１の領域と第２の領域を有する。第１の領域は、画素電極と接する第１の部分と、第１の
絶縁層が有する開口部の側面と接する第２の部分と、を有する。第２の領域は、ゲート絶
縁層を介してゲートと重なる。第１の領域の抵抗率は、第２の領域の抵抗率よりも低い。
画素電極、共通電極、及び第１の領域は、可視光を透過する機能を有する。可視光は、第
１の領域及び液晶素子を透過して、表示装置の外部に射出される。
［４］または［５］において、表示装置は、さらに、着色層を有してもよい。着色層は、
トランジスタを挟んで、第１の絶縁層とは反対側に位置することが好ましい。
［６］本発明の一態様は、液晶素子、第１の絶縁層、トランジスタ、走査線、信号線、及
びタッチセンサを有する表示装置である。液晶素子は、画素電極、液晶層、及び共通電極
を有する。第１の絶縁層は、画素電極とトランジスタの間に位置する。第１の絶縁層は、
開口部を有する。走査線及び信号線は、それぞれ、トランジスタと電気的に接続される。
走査線及び信号線は、それぞれ、金属層を有する。トランジスタは、画素電極と電気的に
接続される。トランジスタは、画素電極と接続される第１の領域を有する。第１の領域は
、画素電極と接する第１の部分と、第１の絶縁層が有する開口部の側面と接する第２の部
分と、を有する。タッチセンサは、液晶素子及びトランジスタよりも表示面側に位置する
。画素電極、共通電極、及び第１の領域は、可視光を透過する機能を有する。可視光は、
第１の領域及び液晶素子を透過して、表示装置の外部に射出される。
［７］本発明の一態様は、液晶素子、第１の絶縁層、トランジスタ、走査線、信号線、及
びタッチセンサを有する表示装置である。液晶素子は、画素電極、液晶層、及び共通電極
を有する。第１の絶縁層は、画素電極とトランジスタの間に位置する。第１の絶縁層は、
開口部を有する。走査線及び信号線は、それぞれ、トランジスタと電気的に接続される。
走査線及び信号線は、それぞれ、金属層を有する。トランジスタは、画素電極と電気的に
接続される。トランジスタは、金属酸化物層、ゲート、及びゲート絶縁層を有する。金属
酸化物層は、第１の領域と第２の領域を有する。第１の領域は、画素電極と接する第１の
部分と、第１の絶縁層が有する開口部の側面と接する第２の部分と、を有する。第２の領
域は、ゲート絶縁層を介してゲートと重なる。第１の領域の抵抗率は、第２の領域の抵抗
率よりも低い。タッチセンサは、液晶素子及びトランジスタよりも表示面側に位置する。
画素電極、共通電極、及び第１の領域は、可視光を透過する機能を有する。可視光は、第
１の領域及び液晶素子を透過して、表示装置の外部に射出される。
［６］または［７］において、表示装置は、さらに、着色層を有してもよい。着色層は、
トランジスタを挟んで、第１の絶縁層とは反対側に位置することが好ましい。タッチセン
サは、着色層よりも表示面側に位置することが好ましい。
［６］または［７］において、表示装置が有するタッチセンサは、一対の電極を有する。
一対の電極の一方または双方は、可視光を透過する第３の領域を有することが好ましい。
第１の領域及び液晶素子を透過した可視光は、第３の領域を透過して、表示装置の外部に
射出されることが好ましい。
［４］乃至［７］の各構成において、画素電極の液晶層側の面は、第１の絶縁層の液晶層
側の面と同一面を形成することができると好ましい。
［４］乃至［７］の各構成において、画素電極は、液晶層と第１の絶縁層の間に位置する
ことが好ましい。
［４］乃至［７］の各構成において、画素電極と共通電極の間に位置する第２の絶縁層を
有することが好ましい。そして、共通電極の液晶側の面は、第２の絶縁層の液晶側の面と
同一面を形成することができると好ましい。
走査線は、トランジスタのチャネル領域と重なる部分を有することが好ましい。
可視光は、第１の領域、液晶素子の順に透過して、表示装置の外部に射出されてもよい。
または、可視光は、液晶素子、第１の領域の順に透過して、表示装置の外部に射出されて
もよい。
走査線が伸長する方向は、信号線が伸長する方向と交差することが好ましい。同一の色を
呈する複数の画素（副画素）が配設される方向は、信号線が伸長する方向と交差すること
が好ましい。
共通電極は、トランジスタと液晶層との間に位置することが好ましい。
画素電極、共通電極、及び金属酸化物層は、それぞれ、インジウムと、亜鉛と、アルミニ
ウム、ガリウム、イットリウム、及びスズのうち少なくとも一つと、を有することが好ま
しい。
トランジスタはバックゲートを有することが好ましい。バックゲートは、金属酸化物層を
介して、ゲートと重なる部分を有する。ゲート及びバックゲートは電気的に接続される。
ゲートまたはバックゲートは、インジウムと、亜鉛と、アルミニウム、ガリウム、イット
リウム、及びスズのうち少なくとも一つと、を有することが好ましい。
本発明の一態様は、上記いずれかの構成の表示装置を有し、フレキシブルプリント回路基
板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ、以下、ＦＰＣと記す）もしく
はＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクタが取り付けられた
表示モジュール、またはＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式もしくはＣＯＦ（Ｃ
ｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式等によりＩＣが実装された表示モジュール等の表示モジュ
ールである。
本発明の一態様は、上記の表示モジュールと、アンテナ、バッテリ、筐体、カメラ、スピ
ーカ、マイク、または操作ボタンの少なくともいずれか一と、を有する電子機器である。
本発明の一態様により、開口率が高い液晶表示装置を提供することができる。または、本
発明の一態様により、消費電力の低い液晶表示装置を提供することができる。または、本
発明の一態様により、高精細な液晶表示装置を提供することができる。または、本発明の
一態様により、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は
、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から
、これら以外の効果を抽出することが可能である。
表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す上面図及び断面図。 表示装置の一例を示す斜視図。 副画素の一例を示す上面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 副画素の一例を示す上面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 副画素の一例を示す上面図。 副画素の一例を示す上面図。 副画素の一例を示す上面図。 副画素の一例を示す上面図。 副画素の一例を示す上面図。 副画素の一例を示す上面図。 画素の配置例及び構成例を示す図。 表示装置の一例を示す斜視図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す斜視図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 入力装置の一例を示す上面図。 入力装置の一例を示す上面図。 表示装置の一例を示す断面図。 検知素子と画素の一例を示す図。 検知素子と画素の動作の一例を示す図。 検知素子と画素の一例を示す上面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す上面図及び断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 副画素の一例を示す上面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 画素回路の一例を示す回路図、及び動作モードの一例を示す図。 タッチセンサのブロック図及びタイミングチャート図。 表示装置のブロック図及びタイミングチャート図。 表示装置及びタッチセンサの動作を説明する図。 表示装置及びタッチセンサの動作を説明する図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際
の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ず
しも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、又は、状況に応じ
て、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」
という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「
絶縁層」という用語に変更することが可能である。
本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属の
酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）
、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）な
どに分類される。例えば、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当該金属
酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、ＯＳ ＦＥＴと記載する場合にお
いては、金属酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。
また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉ
ｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔ
ａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１～図３１を用いて説明する。
＜１．表示装置の構成例１＞
まず、図１～図３を用いて、本実施の形態の表示装置について説明する。
本実施の形態の表示装置は、液晶素子及びトランジスタを有する。液晶素子は、画素電極
、液晶層、及び共通電極を有する。トランジスタは、画素電極と電気的に接続される。ト
ランジスタは、第１の領域を有する。画素電極、共通電極、及び第１の領域は、可視光を
透過する機能を有する。可視光は、第１の領域及び液晶素子を透過して、表示装置の外部
に射出される。トランジスタが有する第１の領域は、例えば、画素電極と接続される領域
であってもよい。
本実施の形態の表示装置は、トランジスタが可視光を透過する領域を有する。例えば、ト
ランジスタと画素電極のコンタクト部が、可視光を透過するため、当該コンタクト部を表
示領域に設けることができる。これにより、画素の開口率を高め、表示装置の消費電力を
低減させることができる。また、表示装置の高精細化を実現できる。
本実施の形態の表示装置は、さらに、走査線及び信号線を有する。走査線及び信号線は、
それぞれ、トランジスタと電気的に接続される。走査線及び信号線は、それぞれ、金属層
を有する。走査線及び信号線に金属層を用いることで、走査線及び信号線の抵抗値を下げ
ることができる。
また、走査線は、トランジスタのチャネル領域と重なる部分を有することが好ましい。ト
ランジスタのチャネル領域に用いる材料によっては、光が照射されることでトランジスタ
の特性が変動することがある。走査線が、トランジスタのチャネル領域と重なる部分を有
することで、外光またはバックライトの光などが、チャネル領域に照射されることを抑制
できる。これにより、トランジスタの信頼性を高めることができる。
図１（Ａ）に示す表示装置１０Ａは、基板１１、基板１２、トランジスタ１４、及び液晶
素子１５等を有する。表示装置１０Ａの基板１２側に、バックライトユニット１３が配置
されている。
液晶素子１５は、画素電極２１、液晶層２２、及び共通電極２３を有する。画素電極２１
は、絶縁層２６に設けられた開口を介して、トランジスタ１４と電気的に接続されている
。絶縁層２６上には、画素電極２１と同一の工程及び同一の材料を用いて形成された導電
層２５が設けられている。導電層２５は、接続体２９を介して、共通電極２３と電気的に
接続されている。
バックライトユニット１３からの光４５ａは、基板１２、絶縁層２６、画素電極２１、液
晶層２２、共通電極２３、及び基板１１を介して、表示装置１０Ａの外部に射出される。
光４５ａが透過するこれらの層の材料には、可視光を透過する材料を用いる。
バックライトユニット１３からの光４５ｂは、基板１２、トランジスタ１４、絶縁層２６
、画素電極２１、液晶層２２、共通電極２３、及び基板１１を介して、表示装置１０Ａの
外部に射出される。本実施の形態において、液晶素子１５と電気的に接続されるトランジ
スタ１４は、可視光を透過する領域を有する構成である。したがって、トランジスタ１４
が設けられている領域も、表示領域として使用することができる。これにより、画素の開
口率を高めることができる。開口率が高いほど光取り出し効率を高めることができる。し
たがって、表示装置の消費電力を低減することができる。また、高精細な表示装置を実現
できる。
図１（Ｂ）に示す表示装置１０Ｂは、基板１１側に、バックライトユニット１３が配置さ
れている点で、表示装置１０Ａと異なる。その他の構成は、表示装置１０Ａと同様である
ため、説明を省略する。
表示装置１０Ａでは、光４５ｂは、まず、トランジスタ１４が有する可視光を透過する領
域に入射する。そして、当該領域を透過した光４５ｂは、液晶素子１５に入射する。一方
、表示装置１０Ｂでは、光４５ｂは、まず、液晶素子１５に入射する。そして、液晶素子
１５を透過した光４５ｂは、トランジスタ１４が有する可視光を透過する領域に入射する
。このように、バックライトユニット１３からの光は、トランジスタ１４と液晶素子１５
のどちらに先に入射してもよい。
また、表示装置１０Ｂでは、トランジスタ１４における画素電極２１と接続される部分が
、可視光を透過する例を示す。光４５ｂは、トランジスタ１４と画素電極２１とのコンタ
クト部を透過する。つまり、トランジスタ１４と画素電極２１とのコンタクト部を、表示
領域として使用することができる。これにより、画素の開口率を高めることができる。ま
た、表示装置の消費電力を低減することができる。
本発明の一態様の表示装置は、タッチセンサが搭載された表示装置（入出力装置またはタ
ッチパネルともいう）に適用することができる。タッチセンサは、液晶素子及びトランジ
スタよりも表示面側に位置する。
図２（Ａ）に示す表示装置１５Ａは、表示装置１０Ａの基板１１側に、タッチセンサユニ
ット３１が配置された構成である。
図２（Ｂ）に示す表示装置１５Ｂは、表示装置１０Ａの基板１１と共通電極２３との間に
、タッチセンサユニット３１及び絶縁層３２が設けられた構成である。さらに、表示装置
１５Ｂは、導電層２７及び導電層２８を有する。
絶縁層２６上に、画素電極２１と同一の工程及び同一の材料を用いて形成された導電層２
７が設けられている。絶縁層３２に接して、共通電極２３と同一の工程及び同一の材料を
用いて形成された導電層２８が設けられている。導電層２８は、タッチセンサユニット３
１と電気的に接続されている。導電層２８は、接続体２９を介して、導電層２７と電気的
に接続されている。これにより、基板１２側に接続された１つまたは複数のＦＰＣによっ
て、液晶素子１５を駆動する信号とタッチセンサユニット３１を駆動する信号の双方を表
示装置１５Ｂに供給することができる。基板１１側にＦＰＣ等を接続する必要がなく、表
示装置の構成をより簡略化できる。基板１１側と基板１２側の双方にＦＰＣを接続する場
合に比べて、電子機器に組み込みやすく、また、部品点数を削減できる。
表示装置１５Ｂでは、一対の基板間に、タッチセンサユニット３１を設けることができる
ため、基板枚数を削減し、表示装置の軽量化及び薄型化を実現できる。
図２（Ｃ）に示す表示装置１５Ｃは、表示装置１０Ｂの基板１２と絶縁層２６との間に、
タッチセンサユニット３１及び絶縁層３２が設けられた構成である。さらに、表示装置１
５Ｃは、導電層３３を有する。
絶縁層３２に接して、トランジスタ１４が有する導電層の一つまたは複数と同一の工程、
及び同一の材料で形成された導電層３３が設けられている。導電層３３は、タッチセンサ
ユニット３１と電気的に接続されている。表示装置１５Ｃでは、基板１１側に接続された
１つまたは複数のＦＰＣによって、液晶素子１５を駆動する信号とタッチセンサユニット
３１を駆動する信号の双方を表示装置１５Ｃに供給することができる。そのため、電子機
器に組み込みやすく、また、部品点数を削減できる。
表示装置１５Ｃでは、一対の基板間に、タッチセンサユニット３１を設けることができる
ため、基板枚数を削減し、表示装置の軽量化及び薄型化を実現できる。
［画素について］
次に、本実施の形態の表示装置が有する画素について、図３を用いて説明する。
図３（Ａ１）に、画素９００の上面概略図を示す。図３（Ａ１）に示す画素９００は、４
つの副画素を有する。図３（Ａ１）では、画素９００において、副画素が縦に２つ、横に
２つ配列している例を示している。各副画素には、透過型の液晶素子９３０ＬＣ（図３（
Ａ１）（Ａ２）には図示しない）及びトランジスタ９１４等が設けられている。図３（Ａ
１）では、画素９００に、配線９０２及び配線９０４が、それぞれ２本ずつ設けられてい
る。図３（Ａ１）に示す各副画素では、液晶素子の表示領域（表示領域９１８Ｒ、表示領
域９１８Ｇ、表示領域９１８Ｂ、及び表示領域９１８Ｗ）を示している。
画素９００は、配線９０２及び配線９０４等を有する。配線９０２は、例えば走査線とし
て機能する。配線９０４は、例えば信号線として機能する。配線９０２と配線９０４とは
、互いに交差する部分を有する。
トランジスタ９１４は、選択トランジスタとして機能する。トランジスタ９１４のゲート
は、配線９０２と電気的に接続されている。トランジスタ９１４のソースまたはドレイン
の一方は、配線９０４と電気的に接続されており、他方は、液晶素子９３０ＬＣと電気的
に接続されている。
ここで、配線９０２及び配線９０４は遮光性を有する。またこれ以外の層、すなわち、ト
ランジスタ９１４、トランジスタ９１４に接続する配線、コンタクト部、容量等を構成す
る各層には、透光性を有する膜を用いると好適である。図３（Ａ２）は、図３（Ａ１）に
示す画素９００を、可視光を透過する透過領域９００ｔと、可視光を遮る遮光領域９００
ｓと、に分けて明示した例である。このように、透光性を有する膜を用いてトランジスタ
を作製することで、配線９０２及び配線９０４が設けられる部分以外を透過領域９００ｔ
とすることができる。液晶素子の透過領域をトランジスタ、トランジスタに接続する配線
、コンタクト部、容量等と重ねることができるため、画素の開口率を高めることができる
。
なお、画素の面積に対する透過領域の面積の割合が高いほど、透過光の光量を増大させる
ことができる。例えば、画素の面積に対する、透過領域の面積の割合は、１％以上９５％
以下、好ましくは１０％以上９０％以下、より好ましくは２０％以上８０％以下とするこ
とができる。特に４０％以上または５０％以上とすることが好ましく、６０％以上８０％
以下であるとより好ましい。
また、図３（Ａ２）に示す一点鎖線Ａ－Ｂの切断面に相当する断面図を図３（Ｂ）、（Ｃ
）に示す。なお、図３（Ｂ）、（Ｃ）では、上面図において図示していない、液晶素子９
３０ＬＣ、着色膜９３２ＣＦ、遮光膜９３２ＢＭ、容量素子９１５、駆動回路部９０１等
の断面も合わせて図示している。駆動回路部９０１は、走査線駆動回路部または信号線駆
動回路部として用いることができる。また、駆動回路部９０１は、トランジスタ９１１を
有する。
図３（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、バックライトユニット１３からの光は、破線の矢印に
示す方向に射出される。バックライトユニット１３の光は、トランジスタ９１４と液晶素
子９３０ＬＣとのコンタクト部、トランジスタ９１４、及び容量素子９１５等を介して外
部に取り出される。したがって、トランジスタ９１４、及び容量素子９１５を構成する膜
などについても、透光性を有すると好ましい。トランジスタ９１４、容量素子９１５等が
有する透光性の領域の面積が広いほど、バックライトユニット１３の光を効率良く使用す
ることができる。
なお、図３（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、バックライトユニット１３からの光は、着色膜
９３２ＣＦを介して外部に取り出してもよい。着色膜９３２ＣＦを介して取り出すことで
、所望の色に着色することができる。着色膜９３２ＣＦとしては、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、
青（Ｂ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、黄色（Ｙ）等から選択することができる。
図３（Ｂ）では、バックライトユニット１３からの光は、まず、トランジスタ９１４、及
び容量素子９１５等に入射する。そして、トランジスタ９１４、及び容量素子９１５等を
透過した光は、液晶素子９３０ＬＣに入射する。そして、液晶素子９３０ＬＣを透過した
光は、着色膜９３２ＣＦを介して外部に取り出される。
図３（Ｃ）では、バックライトユニット１３からの光は、まず、着色膜９３２ＣＦに入射
する。そして、着色膜９３２ＣＦを透過した光は、液晶素子９３０ＬＣに入射する。そし
て、液晶素子９３０ＬＣを透過した光は、トランジスタ９１４、及び容量素子９１５等を
介して外部に取り出される。
図３に示すトランジスタ、配線、容量素子等には、以下に示す材料を用いることができる
。なお、これらの材料は、本実施の形態で示す各構成例における可視光を透過する半導体
層及び導電層にも適用することができる。
トランジスタが有する半導体膜は、透光性を有する半導体材料を用いて形成することがで
きる。透光性を有する半導体材料としては、金属酸化物、または酸化物半導体（Ｏｘｉｄ
ｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）等が挙げられる。酸化物半導体は、少なくともインジ
ウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それ
らに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホ
ウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ラ
ンタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウ
ムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
トランジスタが有する導電膜は、透光性を有する導電性材料を用いて形成することができ
る。透光性を有する導電性材料は、インジウム、亜鉛、錫の中から選ばれた一種、または
複数種を含むことが好ましい。具体的には、Ｉｎ酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ酸化物（ＩＴＯ：Ｉ
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅともいう）、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｗ酸化物、Ｉｎ
－Ｗ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｔｉ酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｔｉ酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｓｉ酸化
物、Ｚｎ酸化物、Ｇａ－Ｚｎ酸化物などが挙げられる。
また、トランジスタが有する導電膜に、不純物元素を含有させる等して低抵抗化させた酸
化物半導体を用いてもよい。当該低抵抗化させた酸化物半導体は、酸化物導電体（ＯＣ：
Ｏｘｉｄｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ということができる。
例えば、酸化物導電体は、酸化物半導体に酸素欠損を形成し、当該酸素欠損に水素を添加
することで、伝導帯近傍にドナー準位が形成される。酸化物半導体にドナー準位が形成さ
れることで、酸化物半導体は、導電性が高くなり導電体化する。
なお、酸化物半導体は、エネルギーギャップが大きい（例えば、エネルギーギャップが２
．５ｅＶ以上である）ため、可視光に対して透光性を有する。また、上述したように酸化
物導電体は、伝導帯近傍にドナー準位を有する酸化物半導体である。したがって、酸化物
導電体は、ドナー準位による吸収の影響は小さく、可視光に対して酸化物半導体と同程度
の透光性を有する。
また、酸化物導電体は、トランジスタが有する半導体膜に含まれる金属元素を一種類以上
有することが好ましい。同一の金属元素を有する酸化物半導体を、トランジスタを構成す
る層のうち２層以上に用いることで、製造装置（例えば、成膜装置、加工装置等）を２以
上の工程で共通で用いることが可能となるため、製造コストを抑制することができる。
本実施の形態に示す表示装置が有する画素の構成とすることで、バックライトユニットか
ら射出される光を効率よく使用することができる。したがって、消費電力が抑制された、
優れた表示装置を提供することができる。
＜２．表示装置の構成例２＞
次に、図４～図７を用いて、本実施の形態の表示装置について説明する。図４は、表示装
置１００Ａの斜視図である。図５は、表示装置１００Ａが有する副画素の上面図である。
図６は、表示装置１００Ａの断面図である。図７は、表示装置１００Ｂの断面図である。
図４では、明瞭化のため、偏光板１３０などの構成要素を省略して図示している。図４で
は、基板６１を破線で示す。
表示装置１００Ａは、表示部６２及び駆動回路部６４を有する。表示装置１００Ａには、
ＦＰＣ７２及びＩＣ７３が実装されている。
表示部６２は、複数の画素を有し、画像を表示する機能を有する。
画素は、複数の副画素を有する。例えば、赤色を呈する副画素、緑色を呈する副画素、及
び青色を呈する副画素によって１つの画素が構成されることで、表示部６２ではフルカラ
ーの表示を行うことができる。なお、副画素が呈する色は、赤、緑、及び青に限られない
。画素には、例えば、白、黄、マゼンタ、またはシアン等の色を呈する副画素を用いても
よい。なお、本明細書等において、副画素を単に画素と記す場合がある。
表示装置１００Ａは、走査線駆動回路及び信号線駆動回路のうち、一方または双方を有し
ていてもよい。または、走査線駆動回路及び信号線駆動回路の双方を有していなくてもよ
い。表示装置１００Ａが、タッチセンサ等のセンサを有する場合、表示装置１００Ａは、
センサ駆動回路を有していてもよい。本実施の形態では、駆動回路部６４として、走査線
駆動回路を有する例を示す。走査線駆動回路は、表示部６２が有する走査線に、走査信号
を出力する機能を有する。
表示装置１００Ａでは、ＩＣ７３が、ＣＯＧ方式などの実装方式により、基板５１に実装
されている。ＩＣ７３は、例えば、信号線駆動回路、走査線駆動回路、及びセンサ駆動回
路のうち、一つ又は複数を有する。
表示装置１００Ａには、ＦＰＣ７２が電気的に接続されている。ＦＰＣ７２を介して、Ｉ
Ｃ７３及び駆動回路部６４には外部から信号及び電力が供給される。また、ＦＰＣ７２を
介して、ＩＣ７３から外部に信号を出力することができる。
ＦＰＣ７２には、ＩＣが実装されていてもよい。例えば、ＦＰＣ７２には、信号線駆動回
路、走査線駆動回路、及びセンサ駆動回路のうち、一つ又は複数を有するＩＣが実装され
ていてもよい。
表示部６２及び駆動回路部６４には、配線６５から、信号及び電力が供給される。当該信
号及び電力は、ＩＣ７３から、またはＦＰＣ７２を介して外部から、配線６５に入力され
る。
図６は、表示部６２、駆動回路部６４、及び配線６５を含む断面図である。図６は、図５
（Ａ）における一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間の断面図を含む。図６以降に示す表示装置の断面図
では、表示部６２として、１つの副画素の表示領域６８とその周囲に位置する非表示領域
６６を示す。
図５（Ａ）は、副画素のうち、ゲート２２３から共通電極１１２までの積層構造（図６参
照）を、共通電極１１２側から見た上面図である。図５（Ａ）には、副画素の表示領域６
８を太い点線の枠で示す。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の積層構造から共通電極１１２を除
いた上面図である。
表示装置１００Ａは、横電界方式の液晶素子を用いた透過型の液晶表示装置の一例である
。
図６に示すように、表示装置１００Ａは、基板５１、トランジスタ２０１、トランジスタ
２０６、液晶素子４０、補助配線１３９、配向膜１３３ａ、配向膜１３３ｂ、接続部２０
４、接着層１４１、着色層１３１、遮光層１３２、オーバーコート１２１、基板６１、及
び偏光板１３０等を有する。
表示領域６８には、液晶素子４０が設けられている。液晶素子４０は、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎ
ｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが適用された液晶素子である。
液晶素子４０は、画素電極１１１、共通電極１１２、及び液晶層１１３を有する。画素電
極１１１と共通電極１１２との間に生じる電界により、液晶層１１３の配向を制御するこ
とができる。液晶層１１３は、配向膜１３３ａと配向膜１３３ｂの間に位置する。
図６において、画素電極１１１は、導電層２２２ｃを介して、低抵抗領域２３１ｂと電気
的に接続されている。
導電層２２２ｃ及び低抵抗領域２３１ｂは、可視光を透過する材料を用いて形成される。
これにより、画素電極１１１とトランジスタとの接続部を表示領域６８に設けることがで
きる。したがって、副画素の開口率を高めることができる。また、表示装置の消費電力を
低減することができる。
共通電極１１２は、櫛歯状の上面形状（平面形状ともいう）、またはスリットが設けられ
た上面形状を有していてもよい。図５（Ａ）、（Ｂ）及び図６では、１つの副画素の表示
領域６８に、共通電極１１２の開口が１つ設けられている例を示す。共通電極１１２には
、１つまたは複数の開口を設けることができる。表示装置の高精細化に伴い、１つの副画
素の表示領域６８の面積は小さくなる。そのため、共通電極１１２に設ける開口は複数に
限られず、１つとすることができる。すなわち、高精細な表示装置においては、画素（副
画素）の面積が小さいため、共通電極１１２の開口が１つであっても、副画素の表示領域
全体に亘って、液晶を配向させるために十分な電界を生成することができる。
画素電極１１１と共通電極１１２の間には、絶縁層２２０が設けられている。画素電極１
１１は、絶縁層２２０を介して共通電極１１２と重なる部分を有する。また、画素電極１
１１と着色層１３１とが重なる領域において、画素電極１１１上に共通電極１１２が配置
されていない部分を有する。共通電極１１２上には補助配線１３９が設けられている。補
助配線１３９の抵抗率は、共通電極１１２の抵抗率よりも低いことが好ましい。共通電極
と電気的に接続する補助配線を設けることで、共通電極の抵抗に起因する電圧降下を抑制
することができる。また、このとき、金属酸化物を含む導電層と、金属を含む導電層の積
層構造とする場合には、ハーフトーンマスクを用いたパターニング技術により形成すると
、工程を簡略化できるため好ましい。
補助配線１３９は、共通電極１１２よりも抵抗値の低い膜とすればよい。補助配線１３９
は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅
、銀、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらの元素を含む合金材料を用いて
、単層または積層で形成することができる。
表示装置の使用者から視認されないよう、補助配線１３９は、遮光層１３２等と重なる位
置に設けられることが好ましい。
液晶層１１３と接する配向膜を設けることが好ましい。配向膜は、液晶層１１３の配向を
制御することができる。表示装置１００Ａでは、共通電極１１２及び絶縁層２２０と液晶
層１１３との間に配向膜１３３ａが位置し、オーバーコート１２１と液晶層１１３との間
に配向膜１３３ｂが位置している。
液晶材料には、誘電率の異方性（Δε）が正であるポジ型の液晶材料と、負であるネガ型
の液晶材料がある。本発明の一態様では、どちらの材料を用いることもでき、適用するモ
ード及び設計に応じて最適な液晶材料を用いることができる。
本発明の一態様では、ネガ型の液晶材料を用いることが好ましい。ネガ型液晶では、液晶
分子の分極に由来するフレクソエレクトリック効果の影響を抑制でき、液晶層に印加され
る電圧の極性による透過率の差がほとんどない。したがって、表示装置の使用者からフリ
ッカーが視認されることを抑制できる。フレクソエレクトリック効果とは、主に分子形状
に起因し、配向歪みにより分極が発生する現象である。ネガ型の液晶材料は、広がり変形
や曲げ変形の配向歪みが生じにくい。
なお、ここでは液晶素子４０としてＦＦＳモードが適用された素子を用いたが、これに限
られず様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例えば、ＶＡ（Ｖｅｒ
ｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モ
ード、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌ
ｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ－ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏ
ｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、Ｆ
ＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ
（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＥＣ
Ｂ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）
モード、ＶＡ－ＩＰＳモード、ゲストホストモード等が適用された液晶素子を用いること
ができる。
また、表示装置１００Ａにノーマリーブラック型の液晶表示装置、例えば垂直配向（ＶＡ
）モードを採用した透過型の液晶表示装置を適用してもよい。垂直配向モードとしては、
ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、
ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ
（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｖｉｅｗ）モードなどを用いることができる。
なお、液晶素子は、液晶の光学変調作用によって光の透過または非透過を制御する素子で
ある。液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界または
斜め方向の電界を含む）によって制御される。液晶素子に用いる液晶としては、サーモト
ロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ
Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶、反強誘電性液
晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメ
クチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
また、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい
。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリッ
ク相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現
しないため、温度範囲を改善するために５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成
物を液晶層１１３に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応
答速度が短く、光学的等方性を示す。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液
晶組成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくても
よいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊
を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良または破損を軽減することがで
きる。
表示装置１００Ａは、透過型の液晶表示装置であるため、画素電極１１１及び共通電極１
１２の双方に、可視光を透過する導電性材料を用いる。また、トランジスタ２０６が有す
る導電層の一つまたは複数に、可視光を透過する導電性材料を用いる。これにより、表示
領域６８に、トランジスタ２０６の少なくとも一部を設けることができる。図６では、導
電層２２２ｃに、可視光を透過する導電性材料を用いる場合を例に挙げて説明する。
可視光を透過する導電性材料としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫
（Ｓｎ）の中から選ばれた一種以上を含む材料を用いるとよい。具体的には、酸化インジ
ウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化タングステンを含む
インジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むイ
ンジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、酸化シリコンを含むインジウム
錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などが挙げられる。なお、グ
ラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば酸化グラフェン
を含む膜を還元して形成することができる。
導電層２２２ｃ、画素電極１１１、及び共通電極１１２のうち、一つまたは複数に酸化物
導電層を用いることが好ましい。酸化物導電層は、トランジスタ２０６の半導体層に含ま
れる金属元素を一種類以上有することが好ましい。例えば、導電層２２２ｃは、インジウ
ムを含むことが好ましく、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆ）膜であることがさらに好ましい。同様に、画素
電極１１１及び共通電極１１２は、それぞれ、インジウムを含むことが好ましく、Ｉｎ－
Ｍ－Ｚｎ酸化物膜であることがさらに好ましい。
導電層２２２ｃ、画素電極１１１、及び共通電極１１２のうち、一つまたは複数を、酸化
物半導体を用いて形成してもよい。同一の金属元素を有する酸化物半導体を、表示装置を
構成する層のうち２層以上に用いることで、製造装置（例えば、成膜装置、加工装置等）
を２以上の工程で共通で用いることが可能となるため、製造コストを抑制することができ
る。
酸化物半導体は、膜中の酸素欠損、及び膜中の水素、水等の不純物濃度のうち少なくとも
一方によって、抵抗を制御することができる半導体材料である。そのため、酸化物半導体
層へ酸素欠損及び不純物濃度の少なくとも一方が増加する処理、または酸素欠損及び不純
物濃度の少なくとも一方が低減する処理を選択することによって、酸化物導電層の有する
抵抗率を制御することができる。
なお、このように、酸化物半導体層を用いて形成された酸化物導電層は、キャリア密度が
高く低抵抗な酸化物半導体層、導電性を有する酸化物半導体層、または導電性の高い酸化
物半導体層ということもできる。
また、酸化物半導体層と、酸化物導電層を同一の金属元素で形成することで、製造コスト
を低減させることができる。例えば、同一の金属組成の金属酸化物ターゲットを用いるこ
とで製造コストを低減させることができる。また、同一の金属組成の金属酸化物ターゲッ
トを用いることによって、酸化物半導体層を加工する際のエッチングガスまたはエッチン
グ液を共通して用いることができる。ただし、酸化物半導体層と、酸化物導電層は、同一
の金属元素を有していても、組成が異なる場合がある。例えば、表示装置の作製工程中に
、膜中の金属元素が脱離し、異なる金属組成となる場合がある。
例えば、絶縁層２１６に水素を含む窒化シリコン膜を用い、導電層２２２ｃに酸化物半導
体を用いると、絶縁層２１６から供給される水素によって、酸化物半導体の導電率を高め
ることができる。同様に、例えば、絶縁層２２０に水素を含む窒化シリコン膜を用い、画
素電極１１１に酸化物半導体を用いると、絶縁層２２０から供給される水素によって、酸
化物半導体の導電率を高めることができる。
非表示領域６６には、トランジスタ２０６が設けられている。
トランジスタ２０６は、ゲート２２１、ゲート２２３、絶縁層２１１、絶縁層２１３、及
び半導体層（チャネル領域２３１ａ及び一対の低抵抗領域２３１ｂ）を有する。低抵抗領
域２３１ｂの抵抗率は、チャネル領域２３１ａの抵抗率よりも低い。本実施の形態では、
半導体層として酸化物半導体層を用いる場合を例に説明する。酸化物半導体層は、インジ
ウムを含むことが好ましく、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、
Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆ）膜であることがさらに好ましい。酸化物半導
体層の詳細は、後述する。
ゲート２２１は、絶縁層２１３を介してチャネル領域２３１ａと重なる。ゲート２２３は
、絶縁層２１１を介してチャネル領域２３１ａと重なる。絶縁層２１１及び絶縁層２１３
は、それぞれゲート絶縁層として機能する。導電層２２２ａは低抵抗領域２３１ｂの一方
と、導電層２２２ｃは低抵抗領域２３１ｂの他方と、絶縁層２１２及び絶縁層２１４に設
けられた開口を通じて接続している。
図６に示すトランジスタ２０６は、チャネルの上下にゲートが設けられているトランジス
タである。
図５（Ｂ）に示すコンタクト部Ｑ１において、ゲート２２１及びゲート２２３は、電気的
に接続されている。このように２つのゲートが電気的に接続されている構成のトランジス
タは、他のトランジスタと比較して電界効果移動度を高めることが可能であり、オン電流
を増大させることができる。その結果、高速動作が可能な回路を作製することができる。
さらには回路部の占有面積を縮小することが可能となる。オン電流の大きなトランジスタ
を適用することで、表示装置を大型化、または高精細化して配線数が増大したとしても、
各配線における信号遅延を低減することが可能であり、表示ムラを抑制することが可能で
ある。また、このような構成を適用することで、信頼性の高いトランジスタを実現するこ
とができる。
図５（Ｂ）に示すコンタクト部Ｑ２において、導電層２２２ｃが、画素電極１１１と接続
している。上述の通り、導電層２２２ｃは、可視光を透過する材料を用いて形成される。
そのため、コンタクト部Ｑ２を表示領域６８に設けることができる。これにより、副画素
の開口率を高めることができる。また、表示装置の消費電力を低減することができる。
図５（Ａ）、（Ｂ）において、１つの導電層が、走査線２２８及びゲート２２３として機
能するともいえる。ゲート２２１及びゲート２２３のうち、抵抗の低い方が、走査線とし
ても機能する導電層であることが好ましい。走査線２２８として機能する導電層の抵抗は
十分に低いことが好ましい。そのため、走査線２２８として機能する導電層は、金属、合
金等を用いて形成されることが好ましい。走査線２２８として機能する導電層には、可視
光を遮る機能を有する材料を用いてもよい。
図５（Ａ）、（Ｂ）において、１つの導電層が、信号線２２９及び導電層２２２ａとして
機能するともいえる。信号線２２９として機能する導電層の抵抗は十分に低いことが好ま
しい。そのため、信号線２２９として機能する導電層は、金属、合金等を用いて形成され
ることが好ましい。信号線２２９として機能する導電層には、可視光を遮る機能を有する
材料を用いてもよい。つまり、本発明の一態様において、トランジスタ２０６は、導電層
２２２ａと導電層２２２ｃとに異なる材料を用いて形成されるという特徴を有する。
具体的には、導電層２２２ｃに用いることができる可視光を透過する導電性材料は、銅や
アルミニウムなどの可視光を遮る導電性材料と比較して抵抗率が大きいことがある。よっ
て、走査線及び信号線などのバスラインは、信号遅延を防ぐため、抵抗率が小さい可視光
を遮る導電性材料（金属材料）を用いて形成することが好ましい。ただし、画素の大きさ
や、バスラインの幅、バスラインの厚さなどによっては、バスラインに可視光を透過する
導電性材料を用いることができる。
ゲート２２１、２２３には、それぞれ、金属材料及び酸化物導電体の一方を単層で、また
は双方を積層して用いることができる。例えば、ゲート２２１及びゲート２２３のうち、
一方に酸化物導電体を用い、他方に金属材料を用いてもよい。
トランジスタ２０６は、半導体層として酸化物半導体層を用い、ゲート２２１及びゲート
２２３のうち、少なくとも一方に酸化物導電層を用いる構成とすることができる。このと
き、酸化物半導体層と酸化物導電層を、酸化物半導体を用いて形成することが好ましい。
ゲート２２３に可視光を遮る導電層を用いることで、バックライトの光がチャネル領域２
３１ａに照射されることを抑制できる。このように、チャネル領域２３１ａを、可視光を
遮る導電層と重ねると、光によるトランジスタの特性変動を抑制できる。これにより、ト
ランジスタの信頼性を高めることができる。
チャネル領域２３１ａの基板６１側に、遮光層１３２が設けられ、チャネル領域２３１ａ
の基板５１側に、可視光を遮るゲート２２３が設けられていることで、外光及びバックラ
イトの光がチャネル領域２３１ａに照射されることを抑制できる。
本発明の一態様において、可視光を遮る導電層は、半導体層の一部と重なり、半導体層の
他の一部とは重ならなくてもよい。例えば、可視光を遮る導電層は、少なくともチャネル
領域２３１ａと重なっていればよい。具体的には、図６等に示すように、チャネル領域２
３１ａと隣接する低抵抗領域２３１ｂは、ゲート２２３と重ならない領域を有する。なお
、低抵抗領域２３１ｂを、先の説明の酸化物導電体（ＯＣ）と読み替えてもよい。酸化物
導電体（ＯＣ）は、先の説明のように、可視光に対して透光性を有するため、低抵抗領域
２３１ｂを透過させて光を取り出すことができる。
また、トランジスタの半導体層にシリコン、代表的にはアモルファスシリコン、または低
温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）などを用いる場合、上述した低抵抗領域に相当する領域は、
シリコン中にリン、ボロンなどの不純物が含まれた領域ともいえる。なお、シリコンのバ
ンドギャップは、概ね１．１ｅＶである。また、シリコン中にリン、ボロンなどの不純物
が含まれると、バンドギャップはさらに低くなる場合がある。したがって、トランジスタ
の半導体層にシリコンを用いる場合、シリコン中に形成される低抵抗領域は、可視光に対
して透光性が低いため、当該低抵抗領域を透過させて光を取り出すことが難しい場合があ
る。しかしながら、本発明の一態様では、酸化物半導体（ＯＳ）、及び酸化物導電体（Ｏ
Ｃ）ともに、可視光に対して透光性を有するため、画素または副画素の開口率を向上させ
ることができる。
トランジスタ２０６は、絶縁層２１２、絶縁層２１４、絶縁層２１５、及び絶縁層２１６
に覆われている。なお、絶縁層２１２、絶縁層２１４、さらには絶縁層２１６を、トラン
ジスタ２０６の構成要素とみなすこともできる。トランジスタは、トランジスタを構成す
る半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏する絶縁層で覆われていることが好ましい
。絶縁層２１５は、平坦化層として機能することができる。
絶縁層２１１及び絶縁層２１３は、それぞれ、過剰酸素領域を有することが好ましい。ゲ
ート絶縁層が過剰酸素領域を有することで、チャネル領域２３１ａ中に過剰酸素を供給す
ることができる。チャネル領域２３１ａに形成されうる酸素欠損を過剰酸素により補填す
ることができるため、信頼性の高いトランジスタを提供することができる。
絶縁層２１２は、窒素または水素を有することが好ましい。絶縁層２１２と、低抵抗領域
２３１ｂと、が接することで、絶縁層２１２中の窒素または水素が低抵抗領域２３１ｂ中
に添加される。低抵抗領域２３１ｂは、窒素または水素が添加されることで、キャリア密
度が高くなる。または、絶縁層２１４が窒素または水素を有し、絶縁層２１２が窒素また
は水素を透過することで、窒素または水素が低抵抗領域２３１ｂ中に添加されてもよい。
表示装置１００Ａの、液晶層１１３よりも基板６１側には、着色層１３１及び遮光層１３
２が設けられている。着色層１３１は、少なくとも、副画素の表示領域６８と重なる部分
に位置する。画素（副画素）が有する非表示領域６６には、遮光層１３２が設けられてい
る。遮光層１３２は、トランジスタ２０６の少なくとも一部と重なる。
着色層１３１及び遮光層１３２と、液晶層１１３と、の間には、オーバーコート１２１を
設けることが好ましい。オーバーコート１２１は、着色層１３１及び遮光層１３２等に含
まれる不純物が液晶層１１３に拡散することを抑制できる。
基板５１及び基板６１は、接着層１４１によって貼り合わされている。基板５１、基板６
１、及び接着層１４１に囲まれた領域に、液晶層１１３が封止されている。
表示装置１００Ａを、透過型の液晶表示装置として機能させる場合、偏光板を、表示部６
２を挟むように２つ配置する。図６では、基板６１側の偏光板１３０を図示している。基
板５１側に設けられた偏光板よりも外側に配置されたバックライトからの光４５は偏光板
を介して入射する。このとき、画素電極１１１と共通電極１１２の間に与える電圧によっ
て液晶層１１３の配向を制御し、光の光学変調を制御することができる。すなわち、偏光
板１３０を介して射出される光の強度を制御することができる。また、入射光は着色層１
３１によって特定の波長領域以外の光が吸収されるため、射出される光は例えば赤色、青
色、または緑色を呈する光となる。
また、偏光板に加えて、例えば円偏光板を用いることができる。円偏光板としては、例え
ば直線偏光板と１／４波長位相差板を積層したものを用いることができる。円偏光板によ
り、表示装置の表示の視野角依存を低減することができる。
また、液晶素子４０は、ゲスト・ホスト液晶モードを用いて駆動されることが好ましい。
ゲスト・ホスト液晶モードを用いる場合、偏光板を用いなくてよい。偏光板による光の吸
収を低減できるため、光取り出し効率を高め、表示装置の表示を明るくすることができる
。
駆動回路部６４は、トランジスタ２０１を有する。
トランジスタ２０１は、ゲート２２１、ゲート２２３、絶縁層２１１、絶縁層２１３、半
導体層（チャネル領域２３１ａ及び一対の低抵抗領域２３１ｂ）、導電層２２２ａ、及び
導電層２２２ｂを有する。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとし
て機能し、他方はドレインとして機能する。導電層２２２ａは低抵抗領域２３１ｂの一方
と、導電層２２２ｂは低抵抗領域２３１ｂの他方と、それぞれ電気的に接続される。
駆動回路部６４に設けられるトランジスタは、可視光を透過する機能を有していなくてよ
い。そのため、導電層２２２ａと導電層２２２ｂとを、同一の工程で、同一の材料を用い
て形成することができる。
接続部２０４では、配線６５と導電層２５１が互いに接続し、導電層２５１と接続体２４
２は互いに接続している。つまり、接続部２０４では、配線６５が、導電層２５１と接続
体２４２を介して、ＦＰＣ７２と電気的に接続している。このような構成とすることで、
ＦＰＣ７２から、配線６５に、信号及び電力を供給することができる。
配線６５は、トランジスタ２０１が有する導電層２２２ａ、２２２ｂ、及びトランジスタ
２０６が有する導電層２２２ａと同一の材料、同一の工程で形成することができる。導電
層２５１は、液晶素子４０が有する画素電極１１１と同一の材料、同一の工程で形成する
ことができる。このように、接続部２０４を構成する導電層を、表示部６２や駆動回路部
６４に用いる導電層と同一の材料、同一の工程で作製すると、工程数の増加を防ぐことが
でき好ましい。
トランジスタ２０１、２０６は、同じ構造であっても、異なる構造であってもよい。つま
り、駆動回路部６４が有するトランジスタと、表示部６２が有するトランジスタが、同じ
構造であっても、異なる構造であってもよい。また、駆動回路部６４が、複数の構造のト
ランジスタを有していてもよいし、表示部６２が、複数の構造のトランジスタを有してい
てもよい。例えば、走査線駆動回路が有するシフトレジスタ回路、バッファ回路、及び保
護回路のうち、一以上の回路に、２つのゲートが電気的に接続されている構成のトランジ
スタを用いることが好ましい。
また、図７に、表示装置１００Ｂの断面図を示す。なお、表示装置１００Ｂの斜視図は、
図４に示す表示装置１００Ａと同様であるため、ここでの説明は省略する。
表示装置１００Ａでは、トランジスタが２つのゲートを有する例を示したが、表示装置１
００Ｂでは、トランジスタ２０１及びトランジスタ２０６が、ゲート２２１のみを有する
。また、表示装置１００Ｂは、スペーサ１１７を有する。表示装置１００Ｂにおいて、表
示装置１００Ａと同様の部分については、詳細な説明を省略する。
トランジスタ２０１及びトランジスタ２０６は、絶縁層２１１上に設けられる。絶縁層２
１１は下地膜として機能する。トランジスタ２０６は、ゲート２２１、絶縁層２１３、及
び半導体層（チャネル領域２３１ａ及び一対の低抵抗領域２３１ｂ）を有する。導電層２
２２ａは低抵抗領域２３１ｂの一方と、導電層２２２ｂまたは導電層２２２ｃは低抵抗領
域２３１ｂの他方と、絶縁層２１２及び絶縁層２１４に設けられた開口を通じて接続して
いる。絶縁層２１５は、平坦化層として機能することができる。
トランジスタ２０１が有する導電層２２２ｂは、導電層２２２ａと同一の材料、同一の工
程で形成することができる。トランジスタ２０１が有する導電層２２２ｃは、可視光を透
過する材料を用いて形成する。
スペーサ１１７は、基板５１と基板６１との距離が一定以上近づくことを防ぐ機能を有す
る。
図７では、スペーサ１１７の底面が、オーバーコート１２１と接している例を示すが、本
発明の一態様はこれに限られない。スペーサ１１７は、基板５１側に設けられていてもよ
いし、基板６１側に設けられていてもよい。
図７では、スペーサ１１７と重なる部分で、配向膜１３３ａと配向膜１３３ｂが接してい
ない例を示すが、配向膜どうしは接していてもよい。また、一方の基板上に設けられたス
ペーサ１１７は、他方の基板上に設けられた構造物と接していてもよいし、接していなく
てもよい。例えば、スペーサ１１７と当該構造物の間に液晶層１１３が位置していてもよ
い。
スペーサ１１７として粒状のスペーサを用いてもよい。粒状のスペーサとしては、シリカ
などの材料を用いることができる。スペーサに、樹脂またはゴムなどの弾性を有する材料
を用いることが好ましい。このとき、粒状のスペーサは上下方向に潰れた形状となる場合
がある。
次に、本実施の形態の表示装置の各構成要素に用いることができる材料等の詳細について
、説明を行う。なお、既に説明した構成要素については説明を省略する場合がある。また
、以降に示す表示装置及びタッチパネル、並びにそれらの構成要素にも、以下の材料を適
宜用いることができる。
≪基板５１、６１≫
本発明の一態様の表示装置が有する基板の材質などに大きな制限はなく、様々な基板を用
いることができる。例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、半導体基板、セラ
ミック基板、金属基板、またはプラスチック基板等を用いることができる。
厚さの薄い基板を用いることで、表示装置の軽量化及び薄型化を図ることができる。さら
に、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示装置を実現で
きる。
本発明の一態様の表示装置は、作製基板上にトランジスタ等を形成し、その後、別の基板
にトランジスタ等を転置することで、作製される。作製基板を用いることにより、特性の
よいトランジスタの形成、消費電力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい表示装置の
製造、表示装置への耐熱性の付与、表示装置の軽量化、または表示装置の薄型化を図るこ
とができる。トランジスタが転置される基板には、トランジスタを形成することが可能な
基板に限られず、紙基板、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹
、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）もしくは再生繊維（ア
セテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、またはゴ
ム基板などを用いることができる。
≪トランジスタ２０１、２０６≫
本発明の一態様の表示装置が有するトランジスタは、トップゲート型またはボトムゲート
型のいずれの構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていて
もよい。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、酸化物半導体、シ
リコン、ゲルマニウム等が挙げられる。
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結
晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領
域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
例えば、第１４族の元素、化合物半導体または酸化物半導体を半導体層に用いることがで
きる。代表的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体またはインジウム
を含む酸化物半導体などを半導体層に適用できる。
トランジスタのチャネルが形成される半導体に、酸化物半導体を適用することが好ましい
。特にシリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。
シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると
、トランジスタのオフ状態における電流（オフ電流）を低減できるため好ましい。
酸化物半導体については、上述の説明及び実施の形態５などを参照できる。
酸化物半導体を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼性の高いトランジスタを
実現できる。
また、その低いオフ電流により、トランジスタを介して容量に蓄積した電荷を長期間に亘
って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、表示
した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて
消費電力の低減された表示装置を実現できる。
トランジスタ２０１、２０６は、高純度化し、酸素欠損の形成を抑制した酸化物半導体層
を有することが好ましい。これにより、トランジスタのオフ電流を低くすることができる
。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書
き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができ
るため、消費電力を抑制する効果を奏する。
また、トランジスタ２０１、２０６は、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速
駆動が可能である。このような高速駆動が可能なトランジスタを表示装置に用いることで
、表示部のトランジスタと、駆動回路部のトランジスタを同一基板上に形成することがで
きる。すなわち、駆動回路として、別途、シリコンウェハ等により形成された半導体装置
を用いる必要がないため、表示装置の部品点数を削減することができる。また、表示部に
おいても、高速駆動が可能なトランジスタを用いることで、高画質な画像を提供すること
ができる。
≪絶縁層≫
表示装置が有する各絶縁層、オーバーコート、スペーサ等に用いることのできる絶縁材料
としては、有機絶縁材料または無機絶縁材料を用いることができる。有機絶縁材料として
は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミ
ドイミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、及びフェノール樹脂等が挙
げられる。無機絶縁層としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコ
ン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、
酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ラン
タン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等が挙げられる。
≪導電層≫
トランジスタのゲート、ソース、ドレインのほか、表示装置が有する各種配線及び電極等
の導電層には、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニ
ウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分
とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。例えば、アルミニウム
膜上にチタン膜を積層する二層構造、タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、
モリブデン膜上に銅膜を積層した二層構造、モリブデンとタングステンを含む合金膜上に
銅膜を積層した二層構造、銅－マグネシウム－アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二
層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてア
ルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成す
る三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリ
ブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜ま
たは窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。例えば、導電層を三層構造とする場
合、一層目及び三層目には、チタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、モリブデ
ンとタングステンを含む合金、モリブデンとジルコニウムを含む合金、または窒化モリブ
デンでなる膜を形成し、二層目には、銅、アルミニウム、金または銀、或いは銅とマンガ
ンの合金等の低抵抗材料でなる膜を形成することが好ましい。なお、ＩＴＯ、酸化タング
ステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チ
タンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸
化物、ＩＴＳＯ等の透光性を有する導電性材料を用いてもよい。
なお、酸化物半導体の抵抗率を制御することで、酸化物導電層を形成してもよい。
≪接着層１４１≫
接着層１４１としては、熱硬化樹脂、光硬化樹脂、または２液混合型の硬化性樹脂などの
硬化性樹脂を用いることができる。例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂
、またはシロキサン樹脂などを用いることができる。
≪接続体２４２≫
接続体２４２としては、例えば、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）、または異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏ
ｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
≪着色層１３１≫
着色層１３１は特定の波長域の光を透過する有色層である。着色層１３１に用いることの
できる材料としては、金属材料、樹脂材料、及び顔料または染料が含まれた樹脂材料など
が挙げられる。
≪遮光層１３２≫
遮光層１３２は、例えば、隣接する異なる色の着色層１３１の間に設けられる。例えば、
金属材料、または、顔料もしくは染料を含む樹脂材料を用いて形成されたブラックマトリ
クスを遮光層１３２として用いることができる。なお、遮光層１３２は、駆動回路部６４
など、表示部６２以外の領域にも設けると、導波光などによる光漏れを抑制できるため好
ましい。
表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、それぞれ、スパッタリング
法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法
、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法、原子層成膜（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法の例として、プラズマ化学気相堆積（Ｐ
ＥＣＶＤ）法及び熱ＣＶＤ法等が挙げられる。熱ＣＶＤ法の例として、有機金属化学気相
堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法が挙げられる。
表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、それぞれ、スピンコート、
ディップ、スプレー塗布、インクジェット印刷、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセ
ット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコ
ート等の方法により形成することができる。
表示装置を構成する薄膜は、フォトリソグラフィ法等を用いて加工することができる。ま
たは、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成してもよい。または、ナノ
インプリント法、サンドブラスト法、もしくはリフトオフ法などにより薄膜を加工しても
よい。フォトリソグラフィ法としては、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、
エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法と、感光性を有す
る薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法と、
がある。
フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光としては、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ
）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、及びこれらを混合させた光が挙
げられる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることも
できる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。露光に用いる光としては、極端
紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ－ｖｉｏｌｅｔ）及びＸ線等が挙げられる
。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線
または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子
ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要であ
る。
薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、サンドブラスト法
などを用いることができる。
＜３．表示装置の構成例３＞
図８～図１２に、表示装置の一例をそれぞれ示す。図８は、表示装置１００Ｃの断面図で
ある。図９（Ａ）は、表示装置１００Ｄの断面図である。図１０は、表示装置が有する副
画素の上面図である。図１１は、表示装置１００Ｅの断面図である。図１２は、表示装置
１００Ｆの断面図である。なお、表示装置１００Ｃ、表示装置１００Ｄ、表示装置１００
Ｅ、及び表示装置１００Ｆの斜視図は、図４に示す表示装置１００Ａと同様であるため、
ここでの説明は省略する。
図８に示す表示装置１００Ｃは、先に示した表示装置１００Ａと、画素電極１１１と共通
電極１１２の位置関係が異なる。
図６に示す表示装置１００Ａは、配向膜１３３ａと共通電極１１２とが接する構成である
。一方、図８に示す表示装置１００Ｃは、配向膜１３３ａと画素電極１１１とが接する構
成である。
図９に示す表示装置１００Ｄは、先に示した表示装置１００Ａと、画素電極１１１と共通
電極１１２の形状が異なる。
画素電極１１１及び共通電極１１２の双方が、櫛歯状の上面形状（平面形状ともいう）、
またはスリットが設けられた上面形状を有していてもよい。
図９に示す表示装置１００Ｄでは、画素電極１１１及び共通電極１１２が、同一平面上に
設けられている。
または、上面から見て、一方の電極のスリットの端部と、他方の電極のスリットの端部が
揃っている形状であってもよい。この場合の断面図を図９（Ｂ）に示す。
または、上面から見て、画素電極１１１及び共通電極１１２が互いに重なる部分を有して
いてもよい。この場合の断面図を図９（Ｃ）に示す。
または、表示部６２は、上面から見て、画素電極１１１及び共通電極１１２の双方が設け
られていない部分を有していてもよい。この場合の断面図を図９（Ｄ）に示す。
図１０（Ａ）、（Ｂ）は、液晶素子と電気的に接続されるトランジスタに、ボトムゲート
トップコンタクト（Ｂｏｔｔｏｍ Ｇａｔｅ Ｔｏｐ Ｃｏｎｔａｃｔ、ＢＧＴＣ）構造
のトランジスタを適用した場合の、副画素の上面図である。図１０（Ａ）では、トランジ
スタと、画素電極１１１と、共通電極１１２と、を示す。ＢＧＴＣ構造のトランジスタは
、ゲート２２１、半導体層２３１、並びに、ソース電極及びドレイン電極である導電層２
２２ａ、２２２ｃを有する。図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）の積層構造から共通電極１１
２を除いた上面図である。
図１０（Ａ）、（Ｂ）において、１つの導電層が、走査線２２８及びゲート２２１として
機能するともいえる。また、図１０（Ａ）、（Ｂ）において、１つの導電層が、信号線２
２９及び導電層２２２ａとして機能するともいえる。
導電層２２２ｃは、可視光を透過する材料を用いて形成される。これにより、画素電極１
１１とトランジスタとの接続部を表示領域６８に設けることができる。したがって、副画
素の開口率を高めることができる。また、表示装置の消費電力を低減することができる。
図１１に示す表示装置１００Ｅ及び図１２に示す表示装置１００Ｆは、それぞれ、先に示
す表示装置１００Ａと、トランジスタの形状が異なる。
図１１に示すトランジスタ２０１及びトランジスタ２０６は、それぞれ、ゲート２２１、
絶縁層２１３、導電層２２２ａ、及び半導体層２３１を有する。トランジスタ２０１は、
さらに導電層２２２ｂを有する。トランジスタ２０６は、さらに導電層２２２ｃを有する
。
ゲート２２１は、絶縁層２１３を介して半導体層２３１と重なる。絶縁層２１３はゲート
絶縁層として機能する。導電層２２２ａ、導電層２２２ｂ、及び導電層２２２ｃは、それ
ぞれ、半導体層２３１と接続する部分を有する。導電層２２２ａと、導電層２２２ｂまた
は導電層２２２ｃと、は、一方がソース電極として機能し、他方がドレイン電極として機
能する。トランジスタ２０１及びトランジスタ２０６は、絶縁層２１２及び絶縁層２１４
に覆われている。
図１２に示すトランジスタ２０１及びトランジスタ２０６は、それぞれ、ゲート２２１、
ゲート２２３、絶縁層２１２、絶縁層２１３、絶縁層２１４、導電層２２２ａ、及び半導
体層２３１を有する。トランジスタ２０１は、さらに導電層２２２ｂを有する。トランジ
スタ２０６は、さらに導電層２２２ｃを有する。
ゲート２２１は、絶縁層２１３を介して半導体層２３１と重なる。ゲート２２３は、絶縁
層２１２及び絶縁層２１４を介して半導体層２３１と重なる。絶縁層２１２、絶縁層２１
３、及び絶縁層２１４はそれぞれゲート絶縁層として機能する。導電層２２２ａ、導電層
２２２ｂ、及び導電層２２２ｃは、それぞれ、半導体層２３１と接続する部分を有する。
導電層２２２ａと、導電層２２２ｂまたは導電層２２２ｃと、は、一方がソース電極とし
て機能し、他方がドレイン電極として機能する。トランジスタ２０１及びトランジスタ２
０６は、絶縁層２１５に覆われている。
図１１及び図１２において、画素電極１１１は、導電層２２２ｃと電気的に接続されてい
る。
導電層２２２ｃは、可視光を透過する材料を用いて形成される。これにより、画素電極１
１１とトランジスタとの接続部を表示領域６８に設けることができる。したがって、副画
素の開口率を高めることができる。また、表示装置の消費電力を低減することができる。
以上のように、本発明の一態様の表示装置には、様々な形状のトランジスタ及び液晶素子
を適用することができる。
＜４．表示装置の構成例４＞
図１３～図１８は、それぞれ、図５とは異なる副画素の上面図である。
図５は、ＦＦＳモードの液晶素子を有する副画素の上面図である。図５は、トランジスタ
側から画素電極１１１、共通電極１１２の順で設けられている例である。
図１３及び図１４に、図５と同様、ＦＦＳモードの液晶素子を有する副画素の上面図を示
す。図１３及び図１４も、トランジスタ側から画素電極１１１、共通電極１１２の順で設
けられている例である。
図１３（Ａ）、図１４（Ａ）は、副画素のうち、ゲート２２３から共通電極１１２までの
積層構造を、共通電極１１２側から見た上面図である。図１３（Ａ）、図１４（Ａ）には
、副画素の表示領域６８を太い点線の枠で示す。図１３（Ｂ）、図１４（Ｂ）は、それぞ
れ、図１３（Ａ）または図１４（Ａ）の積層構造から共通電極１１２を除いた上面図であ
る。
図１３（Ａ）、図１４（Ａ）に示すように、１つの副画素の表示領域６８に、共通電極１
１２の開口を２つ以上設けることができる。
図１３（Ｂ）及び図１４（Ｂ）に示すコンタクト部Ｑ１において、ゲート２２１及びゲー
ト２２３は、電気的に接続されている。
図１３（Ｂ）に示すコンタクト部Ｑ２において、導電層２２２ｂが、画素電極１１１と接
続している。図１４（Ｂ）に示すコンタクト部Ｑ２において、導電層２２２ｃが、画素電
極１１１と接続している。
図１４に示す構成は、導電層２２２ｃが可視光を透過する。このため、コンタクト部Ｑ２
を表示領域６８に設けることができる。一方、図１３に示す導電層２２２ｂは可視光を遮
る。したがって、図１３に示す構成に比べて、図１４に示す構成は、副画素の開口率を高
めることができる。また、表示装置の消費電力を低減することができる。
本発明の一態様において、画素電極とトランジスタとのコンタクト部を、表示領域６８に
設けることで、開口率を、１０％以上、さらには２０％以上高めることができる。これに
より、バックライトの消費電力を、１０％以上、さらには２０％以上削減することができ
る。
図１３に示す構成は、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂを同一の材料、同一の工程で形
成することができるため、作製工程が簡略化され、コストを低減することができる。
図１５及び図１６に、ＴＮモードまたはＶＡモードなどの縦電界モードの液晶素子を有す
る副画素の上面図を示す。
図１５（Ａ）、図１６（Ａ）は、副画素のうち、ゲート２２３から画素電極１１１までの
積層構造を、画素電極１１１側から見た上面図である。図１５（Ａ）、図１６（Ａ）には
、副画素の表示領域６８を太い点線の枠で示す。図１５（Ｂ）、図１６（Ｂ）は、それぞ
れ、図１５（Ａ）または図１６（Ａ）の積層構造から画素電極１１１を除いた上面図であ
る。
横電界モードの液晶素子を用いる場合、画素電極１１１と共通電極１１２との間で容量を
形成することができる。一方、縦電界モードの液晶素子を用いる場合、容量素子を別途形
成する。
図１５及び図１６では、副画素に、容量線２４４が設けられている例を示す。容量線２４
４は、トランジスタが有する導電層（例えばゲート２２１）と同一の材料、同一の工程で
形成される導電層と電気的に接続される。図１５では、容量線２４４と重ねて可視光を遮
る導電層２２２ｂが設けられている。図１６では、容量線２４４と重ねて可視光を透過す
る導電層２２２ｃが設けられている。図１５では、導電層２２２ｂが、画素電極１１１と
接続している。図１６では、導電層２２２ｃが、画素電極１１１と接続している。
図１６に示す構成は、導電層２２２ｃが可視光を透過する。このため、容量素子の少なく
とも一部と、導電層２２２ｃと画素電極１１１のコンタクト部を表示領域６８に設けるこ
とができる。一方、図１５に示す導電層２２２ｂは可視光を遮る。したがって、図１５に
示す構成に比べて、図１６に示す構成は、副画素の開口率を高めることができる。また、
表示装置の消費電力を低減することができる。
図１５に示す構成は、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂを同一の材料、同一の工程で形
成することができるため、作製工程が簡略化され、コストを低減することができる。
図１７及び図１８に、縦電界モードの液晶素子を有する副画素の上面図を示す。
図１７（Ａ）、図１８（Ａ）は、副画素のうち、ゲート２２３から画素電極１１１までの
積層構造を、画素電極１１１側から見た上面図である。図１７（Ａ）、図１８（Ａ）には
、副画素の表示領域６８を太い点線の枠で示す。図１７（Ｂ）、図１８（Ｂ）は、それぞ
れ、図１７（Ａ）または図１８（Ａ）の積層構造から画素電極１１１を除いた上面図であ
る。
図１７及び図１８では、副画素に、容量線２４４が設けられている例を示す。容量線２４
４は、トランジスタが有する導電層（例えばゲート２２１）と同一の材料、同一の工程で
形成される導電層と電気的に接続される。図１７では、容量線２４４と重ねて可視光を遮
る導電層２２２ｂが設けられている。図１８では、容量線２４４と重ねて可視光を透過す
る導電層２２２ｃが設けられている。図１７では、導電層２２２ｂが、画素電極１１１と
接続している。図１８では、導電層２２２ｃが、画素電極１１１と接続している。
図１８に示す構成は、容量素子の少なくとも一部と、導電層２２２ｃと画素電極１１１の
コンタクト部を表示領域６８に設けることができる。したがって、図１７に示す構成に比
べて、図１８に示す構成は、副画素の開口率を高めることができる。また、表示装置の消
費電力を低減することができる。
図１７に示す構成は、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂを同一の材料、同一の工程で形
成することができるため、作製工程が簡略化され、コストを低減することができる。
＜５．画素の配置例＞
図１９（Ａ）、（Ｂ）に画素の配置例を示す。図１９（Ａ）、（Ｂ）では、赤色の副画素
Ｒ、緑色の副画素Ｇ、及び青色の副画素Ｂによって１つの画素が構成される例を示す。図
１９（Ａ）、（Ｂ）では、複数の走査線８１がｘ方向に伸長しており、複数の信号線８２
がｙ方向に伸長しており、走査線８１と信号線８２は交差している。
図１９（Ａ）の二点鎖線の枠内に示すように、副画素は、トランジスタ２０６、容量素子
３４、及び液晶素子４０を有する。トランジスタ２０６のゲートは、走査線８１と電気的
に接続される。トランジスタ２０６のソース及びドレインのうち、一方は、信号線８２と
電気的に接続され、他方は、容量素子３４の一方の電極及び液晶素子４０の一方の電極と
電気的に接続される。容量素子３４の他方の電極及び液晶素子４０の他方の電極には、そ
れぞれ、定電位が与えられる。
図１９（Ａ）、（Ｂ）では、ソースライン反転駆動を適用する例を示す。信号Ａ１と信号
Ａ２は極性が同じ信号である。信号Ｂ１と信号Ｂ２は極性が同じ信号である。信号Ａ１と
信号Ｂ１は互いに極性の異なる信号である。信号Ａ２と信号Ｂ２は互いに極性の異なる信
号である。
表示装置の高精細化に伴い、副画素間の距離は狭くなる。そのため、例えば図１９（Ａ）
の一点鎖線の枠内に示すように、信号Ａ１が入力される副画素における、信号Ｂ１が入力
される信号線８２近傍では、液晶が、信号Ａ１と信号Ｂ１の双方の電位の影響を受けやす
くなる。これにより、液晶の配向不良が生じやすくなる。
図１９（Ａ）では、同一の色を呈する複数の副画素が配設される方向は、ｙ方向であり、
信号線８２が伸長する方向と概略平行である。図１９（Ａ）の一点鎖線の枠内に示すよう
に、副画素の長辺側に、異なる色を呈する副画素が隣接する。
図１９（Ｂ）では、同一の色を呈する複数の副画素が配設される方向は、ｘ方向であり、
信号線８２が伸長する方向と交差する。図１９（Ｂ）の一点鎖線の枠内に示すように、副
画素の短辺側に、同じ色を呈する副画素が隣接する。
図１９（Ｂ）に示すように、副画素における、信号線８２が伸長する方向に概略平行な辺
が、短辺であると、長辺である場合（図１９（Ａ））に比べて、液晶の配向不良が生じや
すい領域を狭くすることができる。図１９（Ｂ）に示すように、液晶の配向不良が生じや
すい領域が同一の色を呈する副画素間に位置すると、異なる色を呈する副画素間に位置す
る場合（図１９（Ａ））に比べて、表示装置の使用者に、表示不良を視認されにくくなる
。本発明の一態様において、同一の色を呈する複数の副画素が配設される方向は、信号線
８２が伸長する方向と交差することが好ましい。
＜６．表示装置の構成例５＞
本発明の一態様は、タッチセンサが搭載された表示装置（入出力装置またはタッチパネル
ともいう）に適用することができる。上述の各表示装置の構成を、タッチパネルに適用す
ることができる。本実施の形態では、表示装置１００Ａにタッチセンサを搭載する例を主
に説明する。
本発明の一態様のタッチパネルが有する検知素子（センサ素子ともいう）に限定は無い。
指やスタイラスなどの被検知体の近接または接触を検知することのできる様々なセンサを
、検知素子として適用することができる。
センサの方式としては、例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、表面弾性波方式、赤外線方
式、光学方式、感圧方式など様々な方式を用いることができる。
本実施の形態では、静電容量方式の検知素子を有するタッチパネルを例に挙げて説明する
。
静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。また、投影
型静電容量方式としては、自己容量方式、相互容量方式等がある。相互容量方式を用いる
と、同時多点検知が可能となるため好ましい。
本発明の一態様のタッチパネルは、別々に作製された表示装置と検知素子とを貼り合わせ
る構成、表示素子を支持する基板及び対向基板の一方または双方に検知素子を構成する電
極等を設ける構成等、様々な構成を適用することができる。
図２０及び図２１に、タッチパネルの一例を示す。図２０（Ａ）は、タッチパネル３５０
Ａの斜視図である。図２０（Ｂ）は、図２０（Ａ）を展開した斜視概略図である。なお、
明瞭化のため、代表的な構成要素のみを示している。図２０（Ｂ）では、基板６１及び基
板１６２を破線で輪郭のみ明示している。図２１は、タッチパネル３５０Ａの断面図であ
る。
タッチパネル３５０Ａは、別々に作製された表示装置と検知素子とを貼り合わせた構成で
ある。
タッチパネル３５０Ａは、入力装置３７５と、表示装置３７０とを有し、これらが重ねて
設けられている。
入力装置３７５は、基板１６２、電極１２７、電極１２８、複数の配線１３７、及び複数
の配線１３８を有する。ＦＰＣ７２ｂは、複数の配線１３７及び複数の配線１３８の各々
と電気的に接続する。ＦＰＣ７２ｂにはＩＣ７３ｂが設けられている。
表示装置３７０は、対向して設けられた基板５１と基板６１とを有する。表示装置３７０
は、表示部６２及び駆動回路部６４を有する。基板５１上には、配線６５等が設けられて
いる。ＦＰＣ７２ａは、配線６５と電気的に接続される。ＦＰＣ７２ａにはＩＣ７３ａが
設けられている。
表示部６２及び駆動回路部６４には、配線６５から、信号及び電力が供給される。当該信
号及び電力は、外部またはＩＣ７３ａから、ＦＰＣ７２ａを介して配線６５に入力される
。
図２１は、表示部６２、駆動回路部６４、ＦＰＣ７２ａを含む領域、及びＦＰＣ７２ｂを
含む領域等の断面図である。
基板５１と基板６１とは、接着層１４１によって貼り合わされている。基板６１と基板１
６２とは、接着層１６９によって貼り合わされている。ここで、基板５１から基板６１ま
での各層が、表示装置３７０に相当する。また、基板１６２から電極１２４までの各層が
入力装置３７５に相当する。つまり、接着層１６９は、表示装置３７０と入力装置３７５
を貼り合わせているといえる。
図２１に示す表示装置３７０の構成は、図６に示す表示装置１００Ａと同様の構成である
ため、詳細な説明は省略する。
基板５１には、接着層１６７によって、偏光板１６５が貼り合わされている。偏光板１６
５には、接着層１６３によって、バックライト１６１が貼り合わされている。
バックライト１６１としては、直下型のバックライト、またはエッジライト型のバックラ
イト等が挙げられる。ＬＥＤを備える直下型のバックライトを用いると、複雑なローカル
ディミングが可能となり、コントラストを高めることができるため好ましい。また、エッ
ジライト型のバックライトを用いると、バックライトを含めたモジュールの厚さを低減で
きるため好ましい。
基板１６２には、接着層１６８によって、偏光板１６６が貼り合わされている。偏光板１
６６には、接着層１６４によって、保護基板１６０が貼り合わされている。電子機器にタ
ッチパネル３５０Ａを組み込む際、保護基板１６０を、指またはスタイラスなどの被検知
体が直接触れる基板として用いてもよい。保護基板１６０には、基板５１及び基板６１等
に用いることができる基板を適用することができる。保護基板１６０には、基板５１及び
基板６１等に用いることができる基板の表面に保護層を形成した構成、または強化ガラス
等を用いることが好ましい。当該保護層は、セラミックコートにより形成することができ
る。または、当該保護層は、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、イッ
トリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）などの無機絶縁材料を用いて形成することができる。
入力装置３７５と表示装置３７０の間に偏光板１６６を配置してもよい。その場合、図２
１に示す保護基板１６０、接着層１６４、及び接着層１６８を設けなくてよい。つまり、
タッチパネル３５０Ａの最表面に基板１６２が位置する構成とすることができる。基板１
６２には、上記の保護基板１６０に用いることができる材料を適用することが好ましい。
基板１６２の基板６１側には、電極１２７及び電極１２８が設けられている。電極１２７
及び電極１２８は同一平面上に形成されている。絶縁層１２５は、電極１２７及び電極１
２８を覆うように設けられている。電極１２４は、絶縁層１２５に設けられた開口を介し
て、電極１２７を挟むように設けられる２つの電極１２８と電気的に接続している。
入力装置３７５が有する導電層のうち、表示領域６８と重なる導電層（電極１２７、１２
８等）には、可視光を透過する材料を用いる。
電極１２７、１２８と同一の導電層を加工して得られた配線１３７が、電極１２４と同一
の導電層を加工して得られた導電層１２６と接続している。導電層１２６は、接続体２４
２ｂを介してＦＰＣ７２ｂと電気的に接続される。
＜７．表示装置の構成例６＞
図２２及び図２３に、タッチパネルの一例を示す。図２２（Ａ）は、タッチパネル３５０
Ｂの斜視図である。図２２（Ｂ）は、図２２（Ａ）を展開した斜視概略図である。なお、
明瞭化のため、代表的な構成要素のみを示している。図２２（Ｂ）では、基板６１を破線
で輪郭のみ明示している。図２３は、タッチパネル３５０Ｂの断面図である。
タッチパネル３５０Ｂは、画像を表示する機能と、タッチセンサとしての機能と、を有す
る、インセル型のタッチパネルである。
タッチパネル３５０Ｂは、対向基板のみに、検知素子を構成する電極等を設けた構成であ
る。このような構成は、別々に作製された表示装置と検知素子とを貼り合わせる構成に比
べて、タッチパネルを薄型化もしくは軽量化することができる、または、タッチパネルの
部品点数を少なくすることができる。
図２２（Ａ）、（Ｂ）において、入力装置３７６は、基板６１に設けられている。また、
入力装置３７６の配線１３７及び配線１３８等は、表示装置３７９に設けられたＦＰＣ７
２と電気的に接続する。
このような構成とすることで、タッチパネル３５０Ｂに接続するＦＰＣを１つの基板側（
ここでは基板５１側）にのみ配置することができる。また、タッチパネル３５０Ｂに２以
上のＦＰＣを取り付ける構成としてもよいが、図２２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、タッ
チパネル３５０Ｂには１つのＦＰＣ７２を設け、ＦＰＣ７２から、表示装置３７９と入力
装置３７６の両方に信号を供給する構成とすると、構成をより簡略化できるため好ましい
。
ＩＣ７３は入力装置３７６を駆動する機能を有していてもよい。入力装置３７６を駆動す
るＩＣをさらにＦＰＣ７２上に設けてもよい。または、入力装置３７６を駆動するＩＣを
基板５１上に実装してもよい。
図２３は、図２２（Ａ）におけるＦＰＣ７２を含む領域、接続部６３、駆動回路部６４、
及び表示部６２を含む断面図である。
接続部６３では、配線１３７（または配線１３８）の１つと、基板５１側に設けられた導
電層とが、接続体２４３を介して電気的に接続している。
接続体２４３としては、例えば導電性の粒子を用いることができる。導電性の粒子として
は、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いることがで
きる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。また
ニッケルをさらに金で被覆するなど、２種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を用
いることが好ましい。また接続体２４３として弾性変形もしくは塑性変形する材料を用い
ることが好ましい。このとき導電性の粒子は図２３等に示すように上下方向に潰れた形状
となる場合がある。こうすることで、接続体２４３と、これと電気的に接続する導電層と
の接触面積が増大し、接触抵抗が低減できるほか、接続不良などの不具合を抑制できる。
接続体２４３は接着層１４１に覆われるように配置することが好ましい。例えば硬化前の
接着層１４１に、接続体２４３を分散させておけばよい。
基板６１に接して遮光層１３２が設けられている。そのため、タッチセンサに用いる導電
層が使用者から視認されることを抑制できる。遮光層１３２は絶縁層１２２によって覆わ
れている。絶縁層１２２と絶縁層１２５の間には、電極１２７が設けられている。絶縁層
１２５と絶縁層１２３の間には電極１２８が設けられている。電極１２７及び電極１２８
には、金属や合金を用いることができる。絶縁層１２３に接して着色層１３１が設けられ
ている。なお、図２４に示すタッチパネル３５０Ｃのように、基板６１に接して設けられ
る遮光層１３２ｂとは別に、絶縁層１２３に接して遮光層１３２ａを配置してもよい。
電極１２７と同一の導電層を加工して得られた配線１３７が、電極１２８と同一の導電層
を加工して得られた導電層２８５と接続している。導電層２８５は、導電層２８６と接続
している。導電層２８６は、接続体２４３を介して導電層２８４と電気的に接続される。
なお、導電層２８６を設けず、導電層２８５と接続体２４３とを接続させてもよい。
タッチパネル３５０Ｂは、一つのＦＰＣにより、画素を駆動する信号と検知素子を駆動す
る信号が供給される。そのため、電子機器に組み込みやすく、また、部品点数を削減する
ことが可能となる。
＜８．表示装置の構成例７＞
図２５にタッチパネル３５０Ｄの断面図を示す。タッチパネル３５０Ｄは、基板５１上に
入力装置が設けられている構成である。
タッチパネル３５０Ｄは、トランジスタ等を形成する基板のみに、検知素子を構成する電
極等を設けた構成である。このような構成は、別々に作製された表示装置と検知素子とを
貼り合わせる構成に比べて、タッチパネルを薄型化もしくは軽量化することができる、ま
たは、タッチパネルの部品点数を少なくすることができる。また、基板６１側の構成要素
の数を減らすことができる。
また、基板５１側に接続された１つまたは複数のＦＰＣによって、液晶素子４０を駆動す
る信号と、検知素子を駆動する信号の双方を供給することができる。
まず、基板５１上に形成する各構成要素について説明する。
基板５１上には、電極１２７、電極１２８、及び配線１３７が設けられている。電極１２
７、電極１２８、及び配線１３７上に、絶縁層１２５が設けられている。絶縁層１２５上
に、電極１２４及び導電層１２６が設けられている。電極１２４は、絶縁層１２５に設け
られた開口を介して、電極１２７を挟むように設けられる２つの電極１２８と電気的に接
続している。導電層１２６は、絶縁層１２５に設けられた開口を介して、配線１３７と電
気的に接続されている。電極１２４及び導電層１２６上に、絶縁層１７０が設けられてい
る。絶縁層１７０上には、導電層２２７が設けられている。導電層２２７は、表示部６２
全体に設けられることが好ましい。導電層２２７には、定電位が供給される。導電層２２
７は、ノイズを遮蔽するためのシールドとして機能することができる。これによりトラン
ジスタや検知素子を安定に動作させることができる。導電層２２７上には絶縁層１７１が
設けられている。
入力装置が有する導電層のうち、表示領域６８と重なる導電層（電極１２７、１２８等）
には、可視光を透過する材料を用いる。なお、図２３及び図２４等のように、入力装置が
有する導電層を非表示領域６６にのみ配置してもよい。入力装置が有する導電層を表示領
域６８と重ねない構成とすることで、入力装置が有する導電層の材料の可視光の透過性が
限定されない。入力装置が有する導電層に、金属等の抵抗率の低い材料を用いることがで
きる。例えば、タッチセンサの配線及び電極として、メタルメッシュを用いることが好ま
しい。これにより、タッチセンサの配線及び電極の抵抗を下げることができる。また、大
型の表示装置のタッチセンサとして好適である。なお、一般的に金属は反射率が大きい材
料であるが、酸化処理などを施すことにより暗色にすることができる。したがって、表示
面側から視認した場合においても、外光の反射による視認性の低下を抑えることができる
。
また、当該配線及び当該電極を、金属層と反射率の小さい層（「暗色層」ともいう。）の
積層で形成してもよい。暗色層の一例としては、酸化銅を含む層、塩化銅または塩化テル
ルを含む層などがある。また、暗色層を、Ａｇ粒子、Ａｇファイバー、Ｃｕ粒子等の金属
微粒子、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、グラフェン等のナノ炭素粒子、並びに、ＰＥ
ＤＯＴ、ポリアニリン、ポリピロールなどの導電性高分子などを用いて形成してもよい。
導電層１２６は、複数の導電層と接続体２４２ｂを介してＦＰＣ７２ｂと電気的に接続さ
れる。当該複数の導電層は、導電層２２７と同一の材料、同一の工程で形成された導電層
、トランジスタが有する導電層と同一の材料、同一の工程で形成された導電層、及び、導
電層２５１等が挙げられる。
絶縁層１７１上に設けられる構成要素は、図６に示す表示装置１００Ａにおける基板５１
上に設けられる構成要素と同様である。
タッチパネル３５０Ｄの作製方法例を説明する。タッチパネル３５０Ｄの作製方法は、基
板５１上に、タッチセンサを形成する工程と、タッチセンサ上に、トランジスタ２０６、
第１の導電層、及び第２の導電層などを形成する工程と、トランジスタ２０６と電気的に
接続される液晶素子４０を形成する工程と、を有する。
タッチセンサは、まず、基板５１上に電極１２７、電極１２８、及び配線１３７を形成し
、電極１２７、電極１２８、及び配線１３７上に絶縁層１２５を形成し、絶縁層１２５に
、電極１２８に達する開口及び配線１３７に達する開口を形成し、絶縁層１２５に設けら
れた開口を介して電極１２８と接する電極１２４と、絶縁層１２５に設けられた開口を介
して配線１３７と接する導電層１２６と、を形成することで形成される。第１の導電層は
、タッチセンサと電気的に接続するように形成される。具体的には、第１の導電層は、配
線１３７及び導電層１２６を介して、電極１２７または電極１２８と電気的に接続される
。第２の導電層は、トランジスタ２０６と電気的に接続するように形成される。第１の導
電層及び第２の導電層は、それぞれ、トランジスタ２０６が有する導電層の一つまたは複
数と同一の工程、及び同一の材料で形成される。
基板６１には、接着層１６７によって、偏光板１６５が貼り合わされている。偏光板１６
５には、接着層１６３によって、バックライト１６１が貼り合わされている。
基板５１には、接着層１６８によって、偏光板１６６が貼り合わされている。偏光板１６
６には、接着層１６４によって、保護基板１６０が貼り合わされている。
バックライト１６１からの光は、基板６１、着色層１３１、液晶素子４０を透過した後、
トランジスタと画素電極のコンタクト部に入射する。本発明の一態様では、トランジスタ
と画素電極のコンタクト部が可視光を透過する構成であるため、当該コンタクト部を表示
領域６８に設けることができる。当該コンタクト部を透過した光は、基板５１等を透過し
て、タッチパネル３５０Ｄの外部に射出される。
＜９．タッチセンサの構成例＞
以下では、入力装置（タッチセンサ）の構成例について説明する。当該入力装置は、本実
施の形態で例示する各タッチパネルに適用することができる。
図２６（Ａ）に、入力装置４１５の上面図を示す。入力装置４１５は、基板４１６上に複
数の電極４７１、複数の電極４７２、複数の配線４７６、及び複数の配線４７７を有する
。基板４１６には、複数の配線４７６及び複数の配線４７７の各々と電気的に接続するＦ
ＰＣ４５０が設けられている。また、図２６（Ａ）では、ＦＰＣ４５０にＩＣ４４９が設
けられている例を示している。
図２６（Ｂ）に、図２６（Ａ）中の一点鎖線で囲った領域の拡大図を示す。電極４７１は
、複数の菱形の電極パターンが、横方向に連なった形状を有している。一列に並んだ菱形
の電極パターンは、それぞれ電気的に接続されている。電極４７２も同様に、複数の菱形
の電極パターンが、縦方向に連なった形状を有し、一列に並んだ菱形の電極パターンはそ
れぞれ電気的に接続されている。電極４７１と電極４７２とは、これらの一部が重畳し、
互いに交差している。この交差部分では電極４７１と電極４７２とが電気的に短絡（ショ
ート）しないように、絶縁体が挟持されている。
図２６（Ｃ）に示すように、電極４７２は、菱形の形状を有する複数の電極４７３と、ブ
リッジ電極４７４によって構成されていてもよい。島状の電極４７３は、縦方向に並べて
配置され、ブリッジ電極４７４により隣接する２つの電極４７３が電気的に接続されてい
る。このような構成とすることで、電極４７３と、電極４７１を同一の導電膜を加工する
ことで同時に形成することができる。そのためこれらの膜厚のばらつきを抑制することが
でき、それぞれの電極の抵抗値や光透過率が場所によってばらつくことを抑制できる。な
お、ここでは電極４７２がブリッジ電極４７４を有する構成としたが、電極４７１がこの
ような構成であってもよい。
図２６（Ｄ）に示すように、図２６（Ｂ）で示した電極４７１及び電極４７２の菱形の電
極パターンの内側をくりぬいて、輪郭部のみを残したような形状としてもよい。このとき
、電極４７１及び電極４７２の幅が、使用者から視認されない程度に細い場合には、後述
するように電極４７１及び電極４７２に金属や合金などの遮光性の材料を用いてもよい。
また、図２６（Ｄ）に示す電極４７１または電極４７２が、上記ブリッジ電極４７４を有
する構成としてもよい。
１つの電極４７１は、１つの配線４７６と電気的に接続している。１つの電極４７２は、
１つの配線４７７と電気的に接続している。ここで、電極４７１と電極４７２のいずれか
一方が、行配線に相当し、いずれか他方が列配線に相当する。
ＩＣ４４９は、タッチセンサを駆動する機能を有する。ＩＣ４４９から出力された信号は
配線４７６または配線４７７を介して、電極４７１または電極４７２のいずれかに供給さ
れる。電極４７１または電極４７２のいずれかに流れる電流（または電位）が、配線４７
６または配線４７７を介してＩＣ４４９に入力される。ここではＩＣ４４９をＦＰＣ４５
０上に実装した例を示したが、ＩＣ４４９を基板４１６上に実装してもよい。
入力装置４１５を表示パネルの表示面に重ねる場合には、電極４７１及び電極４７２に透
光性を有する導電性材料を用いることが好ましい。また、電極４７１及び電極４７２に透
光性の導電性材料を用い、表示パネルからの光を電極４７１または電極４７２を介して取
り出す場合には、隣り合う電極４７１と電極４７２との間に、同一の導電性材料を含む導
電膜をダミーパターンとして配置することが好ましい。このように、電極４７１と電極４
７２との間の隙間の一部をダミーパターンにより埋めることにより、光透過率のばらつき
を低減できる。その結果、入力装置４１５を透過する光の輝度ムラを低減することができ
る。
透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム
亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウム亜鉛酸化物などの導電性酸化物を用いることができる。
なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。
または、透光性を有する程度に薄い金属または合金を用いることができる。例えば、金、
銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト
、銅、パラジウム、またはチタンなどの金属や、該金属を含む合金を用いることができる
。または、該金属または合金の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。また
、上述した材料を含む導電膜のうち、２以上を積層した積層膜を用いてもよい。
また、電極４７１及び電極４７２には、使用者から視認されない程度に細く加工された導
電膜を用いてもよい。例えば、このような導電膜を格子状（メッシュ状）に加工すること
で、高い導電性と表示装置の高い視認性の両方を得ることができる。このとき、導電膜は
３０ｎｍ以上１００μｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは５
０ｎｍ以上２０μｍ以下の幅である部分を有することが好ましい。特に、１０μｍ以下の
パターン幅を有する導電膜は、使用者が視認することが極めて困難となるため好ましい。
一例として、図２７（Ａ）～（Ｄ）に、図２６（Ｂ）に示す領域４６０を拡大した概略図
を示す。
図２７（Ａ）は、格子状の導電膜４６１を用いた場合の例を示している。このとき、表示
装置が有する表示素子と重ならないように、導電膜４６１を配置することで、当該表示素
子からの光を遮ることがないため好ましい。その場合、格子の向きを表示素子の配列と同
じ向きとし、また格子の周期を表示素子の配列の周期の整数倍とすることが好ましい。
図２７（Ｂ）には、三角形の開口が形成されるように加工された格子状の導電膜４６２の
例を示している。このような構成とすることで、図２７（Ａ）に示した場合に比べて抵抗
をより低くすることが可能となる。
また、図２７（Ｃ）に示すように、周期性を有さないパターン形状を有する導電膜４６３
としてもよい。このような構成とすることで、表示装置の表示部と重ねたときにモアレが
生じることを抑制できる。
また、電極４７１及び電極４７２に、導電性のナノワイヤを用いてもよい。図２７（Ｄ）
には、ナノワイヤ４６４を用いた場合の例を示している。隣接するナノワイヤ４６４同士
が接触するように、適当な密度で分散することにより、２次元的なネットワークが形成さ
れ、極めて透光性の高い導電膜として機能させることができる。例えば直径の平均値が１
ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以
上２５ｎｍ以下のナノワイヤを用いることができる。ナノワイヤ４６４としては、Ａｇナ
ノワイヤ、Ｃｕナノワイヤ、Ａｌナノワイヤ等の金属ナノワイヤ、または、カーボンナノ
チューブなどを用いることができる。例えばＡｇナノワイヤの場合、光透過率は８９％以
上、シート抵抗値は４０Ω／□以上１００Ω／□以下を実現することができる。
また、図２６（Ｂ）における電極４７１及び電極４７２のより詳細な構成例を図２７（Ｅ
）に示す。図２７（Ｅ）は、電極４７１及び電極４７２のそれぞれに、格子状に加工され
た導電膜を用いた場合の一例である。
図２６（Ａ）等では、電極４７１及び電極４７２の上面形状として、複数の菱形が一方向
に連なった形状とした例を示したが、電極４７１及び電極４７２の形状としてはこれに限
られず、帯状（長方形状）、曲線を有する帯状、ジグザグ形状など、様々な上面形状とす
ることができる。また、上記では電極４７１と電極４７２とが直交するように配置されて
いるように示しているが、これらは必ずしも直交して配置される必要はなく、２つの電極
の成す角が９０度未満であってもよい。
＜１０．表示装置の構成例８＞
図２８に、タッチパネルの一例を示す。図２８は、タッチパネル３５０Ｅの断面図である
。
タッチパネル３５０Ｅは、画像を表示する機能と、タッチセンサとしての機能と、を有す
る、インセル型のタッチパネルである。
タッチパネル３５０Ｅは、表示素子を支持する基板のみに、検知素子を構成する電極等を
設けた構成である。このような構成は、別々に作製された表示装置と検知素子とを貼り合
わせる構成や、対向基板側に検知素子を作製する構成に比べて、タッチパネルを薄型化も
しくは軽量化することができる、または、タッチパネルの部品点数を少なくすることがで
きる。
図２８に示すタッチパネル３５０Ｅは、先に示す表示装置１００Ａとは、共通電極及び補
助配線１３９のレイアウトが異なる。
複数の補助配線１３９は、それぞれ、共通電極１１２ａまたは共通電極１１２ｂと電気的
に接続される。
図２８に示すタッチパネル３５０Ｅでは、共通電極１１２ａと、共通電極１１２ｂとの間
に形成される容量を利用して、被検知体の近接または接触等を検知することができる。す
なわちタッチパネル３５０Ｅにおいて、共通電極１１２ａ、１１２ｂは、液晶素子の共通
電極と、検知素子の電極と、の両方を兼ねる。
このように、本発明の一態様のタッチパネルでは、液晶素子を構成する電極が、検知素子
を構成する電極を兼ねるため、作製工程を簡略化でき、かつ作製コストを低減できる。ま
た、タッチパネルの薄型化、軽量化を図ることができる。
共通電極は、補助配線１３９と電気的に接続される。補助配線１３９を設けることで、検
知素子の電極の抵抗を低減させることができる。検知素子の電極の抵抗が低下することで
、検知素子の電極の時定数を小さくすることができる。検知素子の電極の時定数が小さい
ほど、検出感度を高めることができ、さらには、検出の精度を高めることができる。
検知素子の電極の時定数は、例えば、０秒より大きく１×１０－４秒以下、好ましくは０
秒より大きく５×１０－５秒以下、より好ましくは０秒より大きく５×１０－６秒以下、
より好ましくは０秒より大きく５×１０－７秒以下、より好ましくは０秒より大きく２×
１０－７秒以下であるとよい。特に、時定数を１×１０－６秒以下とすることで、ノイズ
の影響を抑制しつつ高い検出感度を実現することができる。
タッチパネル３５０Ｅは、一つのＦＰＣにより、画素を駆動する信号と検知素子を駆動す
る信号が供給される。そのため、電子機器に組み込みやすく、また、部品点数を削減する
ことが可能となる。
以下では、タッチパネル３５０Ｅの動作方法の例などを示す。
図２９（Ａ）は、タッチパネル３５０Ｅの表示部６２に設けられる画素回路の一部におけ
る等価回路図である。
一つの画素（副画素）は少なくともトランジスタ２０６と液晶素子４０を有する。トラン
ジスタ２０６のゲートには、配線３５０１が電気的に接続されている。また、トランジス
タ２０６のソースまたはドレインの一方には、配線３５０２が電気的に接続されている。
画素回路は、Ｘ方向に延在する複数の配線（例えば、配線３５１０＿１、配線３５１０＿
２）と、Ｙ方向に延在する複数の配線（例えば、配線３５１１＿１）を有し、これらは互
いに交差して設けられ、その間に容量が形成される。
また、画素回路に設けられる画素のうち、一部の隣接する複数の画素は、それぞれに設け
られる液晶素子の一方の電極が電気的に接続され、一つのブロックを形成する。当該ブロ
ックは、島状のブロック（例えば、ブロック３５１５＿１、ブロック３５１５＿２）と、
Ｘ方向またはＹ方向に延在するライン状のブロック（例えば、Ｙ方向に延在するブロック
３５１６）の、２種類に分類される。なお、図２９（Ａ）では、画素回路の一部のみを示
しているが、実際にはこれら２種類のブロックがＸ方向及びＹ方向に繰り返し配置される
。ここで、液晶素子の一方の電極としては、例えば共通電極などが挙げられる。一方、液
晶素子の他方の電極としては、例えば画素電極などが挙げられる。
Ｘ方向に延在する配線３５１０＿１（または３５１０＿２）は、島状のブロック３５１５
＿１（またはブロック３５１５＿２）と電気的に接続される。なお、図示しないが、Ｘ方
向に延在する配線３５１０＿１は、ライン状のブロックを介してＸ方向に沿って不連続に
配置される複数の島状のブロック３５１５＿１を電気的に接続する。また、Ｙ方向に延在
する配線３５１１＿１は、ライン状のブロック３５１６と電気的に接続される。
図２９（Ｂ）は、Ｘ方向に延在する複数の配線（配線３５１０＿１乃至配線３５１０＿６
、まとめて配線３５１０とも記す）と、Ｙ方向に延在する複数の配線（配線３５１１＿１
乃至配線３５１１＿６、まとめて配線３５１１とも記す）の接続構成を示した等価回路図
である。Ｘ方向に延在する配線３５１０の各々、及びＹ方向に延在する配線３５１１の各
々には、共通電位を入力することができる。また、Ｘ方向に延在する配線３５１０の各々
には、パルス電圧出力回路からパルス電圧を入力することができる。また、Ｙ方向に延在
する配線３５１１の各々は、検出回路と電気的に接続することができる。なお、配線３５
１０と配線３５１１とは入れ替えることができる。
図３０（Ａ）、（Ｂ）を用いて、タッチパネル３５０Ｅの動作方法の一例について説明す
る。
ここでは１フレーム期間を、書き込み期間と検知期間とに分ける。書き込み期間は画素へ
の画像データの書き込みを行う期間であり、配線３５０１（ゲート線、または走査線とも
いう）が順次選択される。一方、検知期間は、検知素子によるセンシングを行う期間であ
る。
図３０（Ａ）は、書き込み期間における等価回路図である。書き込み期間では、Ｘ方向に
延在する配線３５１０と、Ｙ方向に延在する配線３５１１の両方に、共通電位が入力され
る。
図３０（Ｂ）は、検知期間における等価回路図である。検知期間では、Ｙ方向に延在する
配線３５１１の各々は、検出回路と電気的に接続する。また、Ｘ方向に延在する配線３５
１０には、パルス電圧出力回路からパルス電圧が入力される。
図３０（Ｃ）は、相互容量方式の検知素子における入出力波形のタイミングチャートの一
例である。
図３０（Ｃ）では、１フレーム期間で各行列での被検知体の検知を行うものとする。また
、図３０（Ｃ）では、検知期間における、被検知体を検知しない場合（非タッチ）と被検
知体を検知する場合（タッチ）との２つの場合について示している。
配線３５１０＿１乃至配線３５１０＿６は、パルス電圧出力回路からパルス電圧が与えら
れる配線である。配線３５１０＿１乃至配線３５１０＿６にパルス電圧が印加されること
で、容量を形成する一対の電極間には電界が生じ、容量に電流が流れる。この電極間に生
じる電界が、指やペンなどのタッチによる遮蔽等により変化する。つまり、タッチなどに
より、容量の容量値に変化が生じる。このことを利用して、被検知体の近接または接触を
検知することができる。
配線３５１１＿１乃至配線３５１１＿６は、容量の容量値の変化による、配線３５１１＿
１乃至配線３５１１＿６での電流の変化を検出するための検出回路と接続されている。配
線３５１１＿１乃至配線３５１１＿６では、被検知体の近接または接触がないと検出され
る電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接または接触により容量値が減少する場
合には電流値が減少する。なお、電流の検出は、電流量の総和を検出してもよい。その場
合には、積分回路等を用いて検出を行えばよい。または、電流のピーク値を検出してもよ
い。その場合には、電流を電圧に変換して、電圧値のピーク値を検出してもよい。
なお、図３０（Ｃ）において、配線３５１１＿１乃至配線３５１１＿６については、検出
される電流値に対応する電圧値とした波形を示している。なお、図３０（Ｃ）のように、
表示動作のタイミングと、検知動作のタイミングとは、同期させて動作することが望まし
い。
配線３５１０＿１乃至配線３５１０＿６に与えられたパルス電圧にしたがって、配線３５
１１＿１乃至配線３５１１＿６での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場
合には、配線３５１０＿１乃至配線３５１０＿６の電圧の変化に応じて配線３５１１＿１
乃至配線３５１１＿６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接または接触する箇
所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化する。
このように、容量値の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知する
ことができる。なお、指やペンなどの被検知体は、タッチパネルに接触せず、近接した場
合でも、信号が検出される場合がある。
なお、図３０（Ｃ）では、配線３５１０において、書き込み期間に与えられる共通電位と
、検知期間に与えられる低電位が等しい例を示すが、本発明の一態様はこれに限られず、
共通電位と低電位は異なる電位であってよい。
またパルス電圧出力回路及び検出回路は、例えば１個のＩＣの中に形成されていることが
好ましい。当該ＩＣは、例えばタッチパネルに実装されること、もしくは電子機器の筐体
内の基板に実装されることが好ましい。また可撓性を有するタッチパネルとする場合には
、曲げた部分では寄生容量が増大し、ノイズの影響が大きくなってしまう恐れがあるため
、ノイズの影響を受けにくい駆動方法が適用されたＩＣを用いることが好ましい。例えば
シグナル－ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を高める駆動方法が適用されたＩＣを用いることが好ま
しい。
このように、画像の書き込み期間と検知素子によるセンシングを行う期間とを、独立して
設けることが好ましい。これにより、画素の書き込み時のノイズに起因する検知素子の感
度の低下を抑制することができる。
本発明の一態様では、図３０（Ｄ）に示すように、１フレーム期間に書き込み期間と検知
期間をそれぞれ１つ有する。または、図３０（Ｅ）に示すように、１フレーム期間に検知
期間を２つ有していてもよい。１フレーム期間に検知期間を複数設けることで、検出感度
をより高めることができる。例えば、１フレーム期間に検知期間を２つ以上４つ以下有し
ていてもよい。
次に、タッチパネル３５０Ｅが有する検知素子の上面構成例について、図３１を用いて説
明する。
図３１（Ａ）に、検知素子の上面図を示す。検知素子は、導電層５６ａ及び導電層５６ｂ
を有する。導電層５６ａは、検知素子の一方の電極として機能し、導電層５６ｂは、検知
素子の他方の電極として機能する。検知素子は、導電層５６ａと、導電層５６ｂとの間に
形成される容量を利用して、被検知体の近接または接触等を検知することができる。なお
、導電層５６ａ及び導電層５６ｂは、櫛歯状の上面形状、またはスリットが設けられた上
面形状を有している場合があるが、ここでは省略する。
本発明の一態様において、導電層５６ａ及び導電層５６ｂは、液晶素子の共通電極として
の機能も有する。
Ｙ方向に複数配設された導電層５６ａは、それぞれＸ方向に延在して設けられている。ま
た、Ｙ方向に複数配設された導電層５６ｂは、Ｙ方向に延在して設けられた導電層５８に
よって、電気的に接続されている。図３１（Ａ）では、ｍ本の導電層５６ａと、ｎ本の導
電層５８を有する例を示す。
なお、導電層５６ａは、Ｘ方向に複数配設されていてもよく、その場合、Ｙ方向に延在し
て設けられていてもよい。また、Ｘ方向に延在して設けられた導電層５８によって、Ｘ方
向に複数配設された導電層５６ｂが電気的に接続されていてもよい。
図３１（Ｂ）に示すように、検知素子の電極として機能する導電層５６は、複数の画素６
０にわたって設けられる。導電層５６は、図３１（Ａ）の導電層５６ａ、５６ｂのそれぞ
れに相当する。画素６０は、それぞれ異なる色を呈する複数の副画素からなる。図３１（
Ｂ）では、３つの副画素６０ａ、６０ｂ、６０ｃにより、画素６０が構成されている例を
示す。
また、検知素子が有する一対の電極は、それぞれ、補助配線と電気的に接続されているこ
とが好ましい。図３１（Ｃ）に示すように、導電層５６が補助配線５７と電気的に接続さ
れていてもよい。なお、図３１（Ｃ）では、導電層上に補助配線が重ねて設けられている
例を示すが、補助配線上に導電層が重ねて設けられていてもよい。Ｘ方向に複数配設され
た導電層５６は、補助配線５７を介して、導電層５８と電気的に接続されていてもよい。
可視光を透過する導電層の抵抗値は比較的高い場合がある。そのため、補助配線と電気的
に接続させることで、検知素子が有する一対の電極の抵抗をそれぞれ低減することが好ま
しい。
検知素子が有する一対の電極の抵抗を低減することで、一対の電極の時定数をそれぞれ小
さくすることができる。これにより、検知素子の検出感度を向上させ、さらには、検知素
子の検出精度を向上させることができる。
＜１１．表示装置の構成例９＞
図３２に、本実施の形態の表示装置が有する画素の一例である断面図を示す。
図３２は、透過型の液晶表示装置の一例である。図３２に示すように、バックライトユニ
ット１３からの光は、破線の矢印に示す方向に射出される。
図３２において、バックライトユニット１３の光は、トランジスタ９１４と液晶素子９３
０ＬＣとのコンタクト部、トランジスタ９１４、及び容量部９１６等を介して外部に取り
出される。
図３２では、トランジスタ９１４の半導体層と、ソース電極またはドレイン電極の一方と
、が可視光に対する透過性を有する例を示す。ソース電極またはドレイン電極の一方は、
液晶素子９３０ＬＣと電気的に接続されている。
図３２において、配線９０４は、トランジスタ９１４のソース電極またはドレイン電極の
他方として機能する。また、配線９０２は、トランジスタ９１４のゲートとして機能する
。これら配線は抵抗率の低い導電性材料を用いて形成されることが好ましい。配線９０２
及び配線９０４は遮光性を有していてもよい。図３２に示すトランジスタ９１４はバック
ゲートを有する。バックゲートの透光性は特に限定されない。
図３２では、容量部９１６において、それぞれ可視光に対する透過性を有する２つの導電
層の間に絶縁層が挟持されている。２つの導電層の一方である第１の導電層は、配線９０
２と接続されている。２つの導電層の他方である第２の導電層は、半導体層と同一の工程
、同一の材料で形成されており、かつ、可視光に対する透過性を有する第３の導電層と接
続されている。第３の導電層は、ソース電極またはドレイン電極の一方と同一の工程、同
一の材料で形成されている。
トランジスタ９１４、容量部９１６等が有する透光性の領域の面積が広いほど、バックラ
イトユニット１３の光を効率良く使用することができる。
本実施の形態の表示装置は、トランジスタが可視光を透過する領域を有するため、画素の
開口率を高めることができる。これにより、表示装置の消費電力を低減させることができ
る。また、表示装置の高精細化を実現できる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書にお
いて、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わ
せることが可能である。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図３３～図５０を用いて説明する
。
＜１．表示装置の構成例１＞
まず、図３３～図３５を用いて、本実施の形態の表示装置について説明する。
本実施の形態の表示装置は、液晶素子、第１の絶縁層、及びトランジスタを有する。液晶
素子は、画素電極、液晶層、及び共通電極を有する。第１の絶縁層は、画素電極とトラン
ジスタの間に位置する。第１の絶縁層は、開口部を有する。トランジスタは、画素電極と
電気的に接続される。
トランジスタは、第１の領域を有する。トランジスタは、画素電極と接する第１の部分と
、第１の絶縁層が有する開口部の側面と接する第２の部分と、を有する。画素電極、共通
電極、及び第１の領域は、可視光を透過する機能を有する。可視光は、第１の領域及び液
晶素子を透過して、表示装置の外部に射出される。トランジスタが有する第１の領域は、
画素電極と接続される領域であってもよい。
本実施の形態の表示装置は、トランジスタが可視光を透過する領域を有する。例えば、ト
ランジスタと画素電極のコンタクト部が、可視光を透過するため、当該コンタクト部を表
示領域に設けることができる。これにより、画素の開口率を高め、表示装置の消費電力を
低減させることができる。また、表示装置の高精細化を実現できる。
また、本実施の形態の表示装置では、液晶素子の電極が平坦に設けられる。具体的には、
画素電極ではなく、トランジスタの構成要素が、トランジスタと画素電極との間の絶縁層
に設けられた開口部を埋めるように設けられる。そのため、トランジスタと画素電極のコ
ンタクト部において、画素電極に凹凸が形成されることを抑制できる。液晶素子の電極を
平坦に形成することで、液晶素子のセルギャップのばらつきを低減することができる。ま
た、液晶の初期配向のばらつきを低減することができる。これにより、表示装置における
、表示不良の抑制が可能となる。また、液晶の配向不良に起因する開口率の縮小を抑制で
きる。
本実施の形態の表示装置は、さらに、走査線及び信号線を有する。走査線及び信号線は、
それぞれ、トランジスタと電気的に接続される。走査線及び信号線は、それぞれ、金属層
を有する。走査線及び信号線に金属層を用いることで、走査線及び信号線の抵抗値を下げ
ることができる。
また、走査線は、トランジスタのチャネル領域と重なる部分を有することが好ましい。ト
ランジスタのチャネル領域に用いる材料によっては、光が照射されることでトランジスタ
の特性が変動することがある。走査線が、トランジスタのチャネル領域と重なる部分を有
することで、外光またはバックライトの光などが、チャネル領域に照射されることを抑制
できる。これにより、トランジスタの信頼性を高めることができる。
図３３（Ａ）に示す表示装置２０Ａは、基板１１、基板１２、接着層１６、トランジスタ
１４、及び液晶素子１５等を有する。表示装置２０Ａの基板１２側に、バックライトユニ
ット１３が配置されている。
液晶素子１５は、画素電極２１、液晶層２２、及び共通電極２３を有する。トランジスタ
１４は、画素電極２１と接する部分と、絶縁層２６が有する開口部の側面と接する部分と
、を有する。このように、画素電極２１とトランジスタ１４とは、絶縁層２６に設けられ
た開口を介して、互いに電気的に接続されている。導電層２５は、接続体２９を介して、
共通電極２３と電気的に接続されている。導電層２５は、画素電極２１と同一の工程及び
同一の材料を用いて形成することができる。
バックライトユニット１３からの光４５ａは、基板１２、接着層１６、絶縁層２６、画素
電極２１、液晶層２２、共通電極２３、及び基板１１を介して、表示装置２０Ａの外部に
射出される。光４５ａが透過するこれらの層の材料には、可視光を透過する材料を用いる
。
バックライトユニット１３からの光４５ｂは、基板１２、接着層１６、トランジスタ１４
、絶縁層２６、画素電極２１、液晶層２２、共通電極２３、及び基板１１を介して、表示
装置２０Ａの外部に射出される。本実施の形態において、液晶素子１５と電気的に接続さ
れるトランジスタ１４は、可視光を透過する領域を有する構成である。したがって、トラ
ンジスタ１４が設けられている領域も、表示領域として使用することができる。これによ
り、画素の開口率を高めることができる。開口率が高いほど光取り出し効率を高めること
ができる。したがって、表示装置の消費電力を低減することができる。また、高精細な表
示装置を実現できる。
本発明の一態様の表示装置の作製方法では、第１の基板上に、液晶素子の電極を形成した
後に、トランジスタを形成する。次に、第１の基板と第２の基板を貼り合わせる。そして
、第１の基板と第２の基板を分離することで、液晶素子の電極及びトランジスタを第１の
基板から第２の基板に転置する。液晶素子の電極をトランジスタよりも先に形成すること
で、画素電極とトランジスタのコンタクト部、及びトランジスタ自体に起因する凹凸の影
響を受けず、液晶素子の電極を平坦に形成することができる。液晶素子の電極を平坦に形
成することで、液晶素子のセルギャップのばらつきを低減することができる。また、液晶
の初期配向のばらつきを低減することができる。これにより、表示装置における、表示不
良の抑制が可能となる。また、液晶の配向不良に起因する開口率の縮小を抑制できる。
さらに、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、トランジスタを形成する際に用いる
第１の基板が作製工程中で分離される。つまり、表示装置の構成要素に含まれる基板の材
質によって、トランジスタの作製条件が限定されない。例えば、第１の基板上で高い温度
をかけてトランジスタを作製することで、トランジスタの信頼性を高めることができる。
そして、トランジスタ等を転置する第２の基板、及び、第２の基板と共に液晶層を封止す
る対向基板に、第１の基板よりも、軽量、薄型、または可撓性の高い基板を用いることで
、表示装置の軽量化、薄型化、またはフレキシブル化が可能となる。
図３３（Ｂ）に示す表示装置２０Ｂは、基板１１側に、バックライトユニット１３が配置
されている点で、表示装置２０Ａと異なる。その他の構成は、表示装置２０Ａと同様であ
るため、説明を省略する。
表示装置２０Ａでは、光４５ｂは、まず、トランジスタ１４が有する可視光を透過する領
域に入射する。そして、当該領域を透過した光４５ｂは、液晶素子１５に入射する。一方
、表示装置２０Ｂでは、光４５ｂは、まず、液晶素子１５に入射する。そして、液晶素子
１５を透過した光４５ｂは、トランジスタ１４が有する可視光を透過する領域に入射する
。このように、バックライトユニット１３からの光は、トランジスタ１４と液晶素子１５
のどちらに先に入射してもよい。
また、表示装置２０Ｂでは、トランジスタ１４における画素電極２１と接続される部分が
、可視光を透過する例を示す。光４５ｂは、トランジスタ１４と画素電極２１とのコンタ
クト部を透過する。つまり、トランジスタ１４と画素電極２１とのコンタクト部を、表示
領域として使用することができる。これにより、画素の開口率を高めることができる。ま
た、表示装置の消費電力を低減することができる。
本発明の一態様の表示装置は、タッチセンサが搭載された表示装置（入出力装置またはタ
ッチパネルともいう）に適用することができる。タッチセンサは、液晶素子及びトランジ
スタよりも表示面側に位置する。
図３４（Ａ）に示す表示装置３５Ａは、表示装置２０Ａの基板１１側に、タッチセンサユ
ニット３１が配置された構成である。
図３４（Ｂ）に示す表示装置３５Ｂは、表示装置２０Ａの基板１１と共通電極２３との間
に、タッチセンサユニット３１及び絶縁層３２が設けられた構成である。さらに、表示装
置３５Ｂは、導電層２７及び導電層２８を有する。
導電層２８は、タッチセンサユニット３１と電気的に接続されている。導電層２８は、接
続体２９を介して、導電層２７と電気的に接続されている。これにより、一つの基板側に
のみＦＰＣを配置しても、液晶素子１５を駆動する信号とタッチセンサユニット３１を駆
動する信号の双方を表示装置３５Ｂに供給することができる。または、液晶素子１５を駆
動する信号を供給するＦＰＣとタッチセンサユニット３１を駆動する信号を供給するＦＰ
Ｃとを同一面上に接続させることができる。一対の基板のそれぞれにＦＰＣ等を接続する
必要がなく、表示装置の構成をより簡略化できる。基板１１側と基板１２側の双方にＦＰ
Ｃを接続する場合に比べて、電子機器に組み込みやすく、また、部品点数を削減できる。
なお、本発明の一態様の表示装置には、１つまたは複数のＦＰＣを接続させることができ
る。導電層２７は、画素電極２１と同一の工程及び同一の材料を用いて形成することがで
きる。導電層２８は、共通電極２３と同一の工程及び同一の材料を用いて形成することが
できる。
表示装置３５Ｂでは、一対の基板間に、タッチセンサユニット３１を設けることができる
ため、基板枚数を削減し、表示装置の軽量化及び薄型化を実現できる。
図３４（Ｃ）に示す表示装置３５Ｃは、表示装置２０Ｂの基板１２とトランジスタ１４と
の間に、タッチセンサユニット３１及び絶縁層３２が設けられた構成である。さらに、表
示装置３５Ｃは、導電層３３を有する。
絶縁層２６に接して、トランジスタ１４が有する導電層の一つまたは複数と同一の工程、
及び同一の材料で形成された導電層３３が設けられている。導電層３３は、タッチセンサ
ユニット３１と電気的に接続されている。表示装置３５Ｃでは、一つの基板側にのみＦＰ
Ｃを配置しても、液晶素子１５を駆動する信号とタッチセンサユニット３１を駆動する信
号の双方を表示装置３５Ｃに供給することができる。または、液晶素子１５を駆動する信
号を供給するＦＰＣとタッチセンサユニット３１を駆動する信号を供給するＦＰＣとを同
一面上に接続させることができる。そのため、電子機器に組み込みやすく、また、部品点
数を削減できる。
表示装置３５Ｃでは、一対の基板間に、タッチセンサユニット３１を設けることができる
ため、基板枚数を削減し、表示装置の軽量化及び薄型化を実現できる。
［画素について］
次に、本実施の形態の表示装置が有する画素について、図３５を用いて説明する。なお、
実施の形態１で図３を用いて説明した内容も参酌することができる。
図３５（Ａ１）に、画素９００の上面概略図を示す。図３５（Ａ１）に示す画素９００は
、４つの副画素を有する。図３５（Ａ１）では、画素９００において、副画素が縦に２つ
、横に２つ配列している例を示している。各副画素には、透過型の液晶素子９３０ＬＣ（
図３５（Ａ１）（Ａ２）には図示しない）及びトランジスタ９１４等が設けられている。
図３５（Ａ１）では、画素９００に、配線９０２及び配線９０４が、それぞれ２本ずつ設
けられている。図３５（Ａ１）に示す各副画素では、液晶素子の表示領域（表示領域９１
８Ｒ、表示領域９１８Ｇ、表示領域９１８Ｂ、及び表示領域９１８Ｗ）を示している。
画素９００は、配線９０２及び配線９０４等を有する。配線９０２は、例えば走査線とし
て機能する。配線９０４は、例えば信号線として機能する。配線９０２と配線９０４とは
、互いに交差する部分を有する。
トランジスタ９１４は、選択トランジスタとして機能する。トランジスタ９１４のゲート
は、配線９０２と電気的に接続されている。トランジスタ９１４のソースまたはドレイン
の一方は、配線９０４と電気的に接続されており、他方は、液晶素子９３０ＬＣと電気的
に接続されている。
ここで、配線９０２及び配線９０４は遮光性を有する。またこれ以外の層、すなわち、ト
ランジスタ９１４、トランジスタ９１４に接続する配線、コンタクト部、容量等を構成す
る各層には、透光性を有する膜を用いると好適である。図３５（Ａ２）は、図３５（Ａ１
）に示す画素９００を、可視光を透過する透過領域９００ｔと、可視光を遮る遮光領域９
００ｓと、に分けて明示した例である。このように、透光性を有する膜を用いてトランジ
スタを作製することで、配線９０２及び配線９０４が設けられる部分以外を透過領域９０
０ｔとすることができる。液晶素子の透過領域をトランジスタ、トランジスタに接続する
配線、コンタクト部、容量等と重ねることができるため、画素の開口率を高めることがで
きる。
また、図３５（Ａ２）に示す一点鎖線Ａ－Ｂの切断面に相当する断面図を図３５（Ｂ）、
（Ｃ）に示す。なお、図３５（Ｂ）、（Ｃ）では、上面図において図示していない、液晶
素子９３０ＬＣ、着色膜９３２ＣＦ、遮光膜９３２ＢＭ、容量素子９１５、駆動回路部９
０１等の断面も合わせて図示している。駆動回路部９０１は、走査線駆動回路部または信
号線駆動回路部として用いることができる。また、駆動回路部９０１は、トランジスタ９
１１を有する。
図３５（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、バックライトユニット１３からの光は、破線の矢印
に示す方向に射出される。バックライトユニット１３の光は、トランジスタ９１４と液晶
素子９３０ＬＣとのコンタクト部、トランジスタ９１４、及び容量素子９１５等を介して
外部に取り出される。したがって、トランジスタ９１４、及び容量素子９１５を構成する
膜などについても、透光性を有すると好ましい。トランジスタ９１４、容量素子９１５等
が有する透光性の領域の面積が広いほど、バックライトユニット１３の光を効率良く使用
することができる。
なお、図３５（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、バックライトユニット１３からの光は、着色
膜９３２ＣＦを介して外部に取り出してもよい。着色膜９３２ＣＦを介して取り出すこと
で、所望の色に着色することができる。
図３５（Ｂ）では、バックライトユニット１３からの光は、まず、着色膜９３２ＣＦに入
射する。そして、着色膜９３２ＣＦを透過した光は、液晶素子９３０ＬＣに入射する。そ
して、液晶素子９３０ＬＣを透過した光は、トランジスタ９１４、及び容量素子９１５等
を介して外部に取り出される。
図３５（Ｃ）では、バックライトユニット１３からの光は、まず、トランジスタ９１４、
及び容量素子９１５等に入射する。そして、トランジスタ９１４、及び容量素子９１５等
を透過した光は、液晶素子９３０ＬＣに入射する。そして、液晶素子９３０ＬＣを透過し
た光は、着色膜９３２ＣＦを介して外部に取り出される。
図３５に示すトランジスタ、配線、容量素子等は、実施の形態１で例示した材料を用いて
形成することができる。
本実施の形態に示す表示装置が有する画素の構成とすることで、バックライトユニットか
ら射出される光を効率よく使用することができる。したがって、消費電力が抑制された、
優れた表示装置を提供することができる。
＜２．表示装置の構成例２＞
次に、図３６～図３７を用いて、本実施の形態の表示装置について説明する。図３６（Ａ
）は、表示装置１１０の断面図である。表示装置１１０の斜視図は、表示装置１００Ａと
同様であるため、図４及び実施の形態１の記載を参照できる。図３７は、タッチパネル３
５５の断面図である。
表示装置１１０は、横電界方式の液晶素子を用いた透過型の液晶表示装置の一例である。
図３６（Ａ）に示すように、表示装置１１０は、基板５１、接着層１４２、トランジスタ
２０１、トランジスタ２０６、液晶素子４０、配向膜１３３ａ、配向膜１３３ｂ、接続部
２０４、接着層１４１、スペーサ１１７、着色層１３１、遮光層１３２、基板６１、及び
偏光板１３０等を有する。
表示部６２は、トランジスタ２０６及び液晶素子４０を有する。
トランジスタ２０６は、ゲート２２１、絶縁層２１３、及び半導体層（チャネル領域２３
１ａ及び低抵抗領域２３１ｂ）を有する。絶縁層２１３はゲート絶縁層として機能する。
低抵抗領域２３１ｂの抵抗率は、チャネル領域２３１ａの抵抗率よりも低い。半導体層は
、可視光を透過することができる。本実施の形態では、半導体層として酸化物半導体層を
用いる場合を例に説明する。酸化物半導体層は、インジウムを含むことが好ましく、Ｉｎ
－Ｍ－Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｎま
たはＨｆ）膜であることがさらに好ましい。酸化物半導体層の詳細は、後述する。
導電層２２２は、絶縁層２１２及び絶縁層２１４に設けられた開口を通じて、低抵抗領域
２３１ｂと接続している。
トランジスタ２０６は、絶縁層２１２及び絶縁層２１４に覆われている。なお、絶縁層２
１２、さらには絶縁層２１４を、トランジスタ２０６の構成要素とみなすこともできる。
トランジスタは、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏す
る絶縁層で覆われていることが好ましい。
絶縁層２１３は、過剰酸素領域を有することが好ましい。絶縁層２１３が過剰酸素領域を
有することで、チャネル領域２３１ａ中に過剰酸素を供給することができる。チャネル領
域２３１ａに形成されうる酸素欠損を過剰酸素により補填することができるため、信頼性
の高いトランジスタを提供することができる。
絶縁層２１２は、窒素または水素を有することが好ましい。絶縁層２１２と、低抵抗領域
２３１ｂと、が接することで、絶縁層２１２中の窒素または水素が低抵抗領域２３１ｂ中
に添加される。低抵抗領域２３１ｂは、窒素または水素が添加されることで、キャリア密
度が高くなる。
液晶素子４０は、ＦＦＳモードが適用された液晶素子である。液晶素子４０は、画素電極
１１１、共通電極１１２、及び液晶層１１３を有する。画素電極１１１と共通電極１１２
との間に生じる電界により、液晶層１１３の配向を制御することができる。液晶層１１３
は、配向膜１３３ａと配向膜１３３ｂの間に位置する。
画素電極１１１は、トランジスタ２０６が有する半導体層の低抵抗領域２３１ｂと電気的
に接続される。
接続部２０７では、半導体層の低抵抗領域２３１ｂが、画素電極１１１と接続している。
半導体層の低抵抗領域２３１ｂは、絶縁層２１１の開口部の側面と接する部分を有する。
半導体層の低抵抗領域２３１ｂは、絶縁層２１１の開口部の側面と接し、かつ、画素電極
１１１と接続する。これにより、画素電極１１１を平坦に設けることができる。
半導体層に、可視光を透過する材料を用いることで、接続部２０７を、画素の開口部６９
（副画素の開口部、表示領域ともいえる）に設けることができる。
接続部２０７は基板６１側に凹凸を有さない。そのため、接続部２０７と重なり、かつ接
続部２０７よりも基板６１側に位置する、画素電極１１１、絶縁層２２０、共通電極１１
２及び配向膜１３３ａの基板６１側の表面は、それぞれ、平坦である。したがって、液晶
層１１３の接続部２０７と重なる部分を、他の部分と同様に表示に用いることができる。
すなわち、接続部２０７が設けられている領域を画素の開口部として用いることができる
。これにより、副画素の開口率を高めることができる。また、表示装置の消費電力を低減
することができる。
なお、絶縁層２１２よりも基板５１側に設けられた導電層を用いて、低抵抗領域２３１ｂ
と画素電極１１１を電気的に接続してもよい。その場合には当該導電層と低抵抗領域２３
１ｂとの接続部と、当該導電層と画素電極１１１の接続部の２つの接続部を設ける必要が
生じる。一方、図３６（Ａ）等に示す構成では、接続部を減らすことが可能となる。その
ため、デザインルールを変更することなく、画素を縮小することが可能で、高精細な表示
装置を実現できる。このように、半導体層の低抵抗領域２３１ｂが直接、画素電極１１１
と接続することにより、画素のレイアウトの自由度を高めることができる。
図３６（Ａ）に示す共通電極１１２は、櫛歯状の上面形状、またはスリットが設けられた
上面形状を有する。画素電極１１１と共通電極１１２の間には、絶縁層２２０が設けられ
ている。画素電極１１１は、絶縁層２２０を介して共通電極１１２と重なる部分を有する
。また、画素電極１１１と着色層１３１とが重なる領域において、画素電極１１１上に共
通電極１１２が配置されていない部分を有する。
液晶層１１３と接する配向膜を設けることが好ましい。配向膜は、液晶層１１３の配向を
制御することができる。表示装置１１０では、共通電極１１２及び絶縁層２２０と液晶層
１１３との間に配向膜１３３ａが位置し、オーバーコート１２１と液晶層１１３との間に
配向膜１３３ｂが位置している。
画素電極１１１は、絶縁層２１１に埋め込まれている。画素電極１１１の液晶層１１３側
の面は、絶縁層２１１の液晶層１１３側の面と同一面（または同一平面）を形成すること
ができる。つまり、画素電極１１１の液晶層１１３側の面と、絶縁層２１１の液晶層１１
３側の面とは、同一面上に位置する、同一面に接する、境界に段差が（実質的に）ない、
または高さが一致する等ということができる。
表示装置１１０において、絶縁層２１１、絶縁層２１２、及び絶縁層２１４の厚さは、ト
ランジスタ２０１及びトランジスタ２０６の特性に直接的な影響を与えない。そのため、
絶縁層２１１、絶縁層２１２、及び絶縁層２１４を、それぞれ、厚く設けることができる
。これにより、画素電極１１１とゲート２２１との間の寄生容量、画素電極１１１と導電
層２２２との間の寄生容量、または画素電極１１１と半導体層との間の寄生容量等を低減
することができる。
図３６（Ｂ）に、表示装置１１０が有する画素の開口部６９における、液晶層１１３とそ
の周囲の断面図を示す。図３６（Ｂ）に示すように、共通電極１１２は絶縁層２２０に埋
め込まれている。共通電極１１２の液晶層１１３側の面と、絶縁層２２０の液晶層１１３
側の面とは、同一面（または同一平面）を形成することができる。つまり、共通電極１１
２の液晶層１１３側の面と、絶縁層２２０の液晶層１１３側の面とは、同一面上に位置す
る、同一面に接する、境界に段差が（実質的に）ない、または高さが一致する等というこ
とができる。そして、配向膜１３３ａは平坦に設けられる。
一方、図３６（Ｃ）では、絶縁層２２０の液晶層１１３側の面上に共通電極１１２が設け
られている。そして、配向膜１３３ａは、共通電極１１２の厚みに起因した凹凸を有する
（一点鎖線の枠内参照）。そのため、画素の開口部６９内で、液晶層１１３の厚さ（セル
ギャップともいえる）がばらつき、良好な表示が得られにくくなる場合がある。
また、共通電極１１２の端部付近では、配向膜１３３ａの表面の凹凸に起因して、液晶層
１１３の初期配向がばらつきやすくなる場合がある。液晶層１１３の初期配向が揃いにく
い領域を表示に用いると、コントラストが低下することがある。また、隣接する２つの副
画素間に、液晶層１１３の初期配向が揃いにくい領域が生じた場合は、当該領域を遮光層
１３２等で覆うことでコントラストの低下を抑制できるが、開口率が低下することがある
。
図３６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、共通電極１１２の液晶層１１３側の面と、絶縁層２
２０の液晶層１１３側の面とが、同一面を形成することができると、画素の開口部６９内
で、配向膜１３３ａと配向膜１３３ｂの間隔を均一にすることができる。つまり、共通電
極１１２の厚さが、液晶層１１３の厚さに影響を与えない。液晶層１１３の厚さは、画素
の開口部６９内で均一となる。これにより、表示装置１１０は、色再現性を高め、良好な
表示を行うことができる。
また、配向膜１３３ａが平坦に設けられることで、共通電極１１２の端部においても、初
期配向を揃えやすくなる。隣接する２つの副画素間に、液晶層１１３の初期配向が揃いに
くい領域が生じることを抑制できる。したがって、開口率を高めることができ、表示装置
の高精細化が容易となる。また、表示装置の消費電力を低減させることができる。
以上のように、本発明の一態様の表示装置では、共通電極１１２の端部に生じる段差を低
減し、段差に基づく配向欠陥を生じにくくすることができる。
表示装置１１０は、透過型の液晶表示装置であるため、画素電極１１１及び共通電極１１
２の双方に、可視光を透過する導電性材料を用いる。画素電極１１１及び共通電極１１２
のうち、少なくとも一方に酸化物導電層を用いることが好ましい。なお、画素電極１１１
及び共通電極１１２のうち、少なくとも一方を、酸化物半導体を用いて形成してもよい。
同一の金属元素を有する酸化物半導体を、表示装置を構成する層のうち２層以上に用いる
ことで、製造装置（例えば、成膜装置、加工装置等）を２以上の工程で共通で用いること
が可能となるため、製造コストを抑制することができる。
画素電極１１１と半導体層の双方に酸化物を用いることが好ましい。例えば、一方に酸化
物以外の材料（金属など）を用い、他方に酸化物を用いると、当該酸化物以外の材料が酸
化して画素電極１１１と半導体層の間に生じる接触抵抗が増大するなどの不具合が生じる
場合がある。画素電極１１１と半導体層の双方に酸化物を用いることで、接触抵抗が低減
され、表示装置１１０の信頼性を高めることができる。
画素電極１１１と半導体層の双方に、同一の金属元素を有する酸化物半導体を用いること
で、画素電極１１１と半導体層の低抵抗領域２３１ｂとの密着性を高められる場合がある
。
例えば、絶縁層２１１に水素を含む窒化シリコン膜を用い、画素電極１１１に酸化物半導
体を用いると、絶縁層２１１から供給される水素によって、酸化物半導体の導電率を高め
ることができる。
例えば、絶縁層２２０に水素を含む窒化シリコン膜を用い、共通電極１１２に酸化物半導
体を用いると、絶縁層２２０から供給される水素によって、酸化物半導体の導電率を高め
ることができる。
トランジスタ２０１及びトランジスタ２０６は、絶縁層２１５で覆われており、絶縁層２
１５上には、着色層１３１及び遮光層１３２が設けられている。着色層１３１は、少なく
とも、画素の開口部６９（副画素の開口部ともいえる）と重なる部分に位置する。画素（
副画素）が有する遮光領域６７には、遮光層１３２が設けられている。遮光層１３２は、
トランジスタ２０６の少なくとも一部と重なる。着色層１３１及び遮光層１３２上には、
接着層１４２を介して、基板５１が貼り合わされている。
スペーサ１１７は、基板５１と基板６１との距離が一定以上近づくことを防ぐ機能を有す
る。図３６（Ａ）では、スペーサ１１７の底面が、基板６１と接している例を示す。また
、図３６（Ａ）では、スペーサ１１７と重なる部分で、配向膜１３３ａと配向膜１３３ｂ
が接する例を示す。
基板５１及び基板６１は、接着層１４１によって貼り合わされている。基板５１、基板６
１、及び接着層１４１に囲まれた領域に、液晶層１１３が封止されている。
表示装置１１０を、透過型の液晶表示装置として機能させる場合、偏光板を、表示部６２
を挟むように２つ配置する。図３６（Ａ）では、基板５１側の偏光板１３０を図示してい
る。基板６１側に設けられた偏光板よりも外側に配置されたバックライトからの光４５は
偏光板を介して入射する。このとき、画素電極１１１と共通電極１１２の間に与える電圧
によって液晶層１１３の配向を制御し、光の光学変調を制御することができる。すなわち
、偏光板１３０を介して射出される光の強度を制御することができる。また、入射光は着
色層１３１によって特定の波長領域以外の光が吸収されるため、射出される光は例えば赤
色、青色、または緑色を呈する光となる。
駆動回路部６４は、トランジスタ２０１を有する。
トランジスタ２０１は、ゲート２２１、絶縁層２１３、半導体層（チャネル領域２３１ａ
及び低抵抗領域２３１ｂ）、導電層２２２ａ、及び導電層２２２ｂを有する。導電層２２
２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能
する。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、低抵抗領域２３１ｂと電気的に
接続される。
接続部２０４では、配線６５と導電層２５５が互いに接続し、導電層２５５と導電層２５
３が互いに接続し、導電層２５３と導電層２５１が互いに接続している。導電層２５１と
接続体２４２は互いに接続している。つまり、接続部２０４は接続体２４２を介してＦＰ
Ｃ７２と電気的に接続している。このような構成とすることで、ＦＰＣ７２から、配線６
５に、信号及び電力を供給することができる。
配線６５は、トランジスタ２０６が有する導電層２２２と同一の材料、同一の工程で形成
することができる。導電層２５５は、半導体層の低抵抗領域２３１ｂと同一の材料、同一
の工程で形成することができる。導電層２５３は、液晶素子４０が有する画素電極１１１
と同一の材料、同一の工程で形成することができる。導電層２５１は、液晶素子４０が有
する共通電極１１２と同一の材料、同一の工程で形成することができる。このように、接
続部２０４を構成する導電層を、表示部６２や駆動回路部６４に用いる導電層と同一の材
料、同一の工程で作製すると、工程数の増加を防ぐことができ好ましい。
図３７に示すタッチパネル３５５は、図３６（Ａ）に示す表示装置１１０の構成に加えて
、以下の構成を有する。表示装置１１０と共通する構成については、説明を省略する。
タッチパネル３５５は、着色層１３１と、接着層１４２との間に、オーバーコート１２１
及びタッチセンサを有する。
着色層１３１及び遮光層１３２上には、オーバーコート１２１を設けることが好ましい。
オーバーコート１２１は、着色層１３１及び遮光層１３２等に含まれる不純物がタッチセ
ンサに拡散することを抑制できる。
オーバーコート１２１上には、電極１２７、電極１２８、及び配線１３６が設けられてい
る。電極１２７、電極１２８、及び配線１３６上に、絶縁層１２５が設けられている。絶
縁層１２５上に、電極１２４及び導電層１２６が設けられている。電極１２４は、絶縁層
１２５に設けられた開口を介して、電極１２７を挟むように設けられる２つの電極１２８
と電気的に接続している。導電層１２６は、絶縁層１２５に設けられた開口を介して、配
線１３６と電気的に接続されている。電極１２４及び導電層１２６上に、接着層１４２を
介して基板５１が貼り合わされている。
本発明の一態様では、液晶素子の電極、トランジスタ、着色層、タッチセンサ等を同一の
基板上に形成することができる。そのため、基板６１側の構成要素の数を減らすことがで
きる。
また、トランジスタとタッチセンサの間に着色層を配置することで、トランジスタとタッ
チセンサの距離を離すことができる。これにより、トランジスタの駆動時のノイズがタッ
チセンサに伝搬することを抑制できる。これによりタッチセンサを安定に動作させること
ができる。なお、トランジスタとタッチセンサの間に、ノイズを遮蔽するためのシールド
として機能する層を設けてもよい。例えば、定電位が供給される導電層を、配置してもよ
い。
入力装置が有する導電層のうち、開口部６９と重なる導電層（電極１２７、１２８等）に
は、可視光を透過する材料を用いる。
なお、入力装置が有する導電層を遮光領域６７にのみ配置してもよい。入力装置が有する
導電層を開口部６９と重ねない構成とすることで、入力装置が有する導電層の材料の可視
光の透過性が限定されない。入力装置が有する導電層に、金属等の抵抗率の低い材料を用
いることができる。例えば、タッチセンサの配線及び電極として、メタルメッシュを用い
ることが好ましい。これにより、タッチセンサの配線及び電極の抵抗を下げることができ
る。また、大型の表示装置のタッチセンサとして好適である。なお、一般的に金属は反射
率が大きい材料であるが、酸化処理などを施すことにより暗色にすることができる。した
がって、表示面側から視認した場合においても、外光の反射による視認性の低下を抑える
ことができる。
また、当該配線及び当該電極を、金属層と反射率の小さい層（「暗色層」ともいう。）の
積層で形成してもよい。暗色層の一例としては、酸化銅を含む層、塩化銅または塩化テル
ルを含む層などがある。また、暗色層を、Ａｇ粒子、Ａｇファイバー、Ｃｕ粒子等の金属
微粒子、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、グラフェン等のナノ炭素粒子、並びに、ＰＥ
ＤＯＴ、ポリアニリン、ポリピロールなどの導電性高分子などを用いて形成してもよい。
導電層１２６は、配線６５、導電層２５５、導電層２５３、導電層２５１、及び接続体２
４２を介してＦＰＣ７２と電気的に接続される。これにより、一つの基板側にのみＦＰＣ
を配置しても、液晶素子４０を駆動する信号とタッチセンサを駆動する信号の双方を供給
することができる。または、液晶素子４０を駆動する信号を供給するＦＰＣとタッチセン
サを駆動する信号を供給するＦＰＣとを同一面上に接続させることができる。一対の基板
のそれぞれにＦＰＣ等を接続する必要がなく、表示装置の構成をより簡略化できる。基板
５１側と基板６１側の双方にＦＰＣを接続する場合に比べて、電子機器に組み込みやすく
、また、部品点数を削減できる。なお、表示装置には、１つまたは複数のＦＰＣを接続さ
せることができる。
バックライトからの光は、基板６１、液晶素子４０を透過した後、トランジスタと画素電
極１１１のコンタクト部に入射する。本発明の一態様では、トランジスタと画素電極１１
１のコンタクト部が可視光を透過する構成であるため、当該コンタクト部を開口部６９に
設けることができる。当該コンタクト部を透過した光は、着色層１３１、タッチセンサ、
基板５１等を透過して、タッチパネル３５５の外部に射出される。
本実施の形態の表示装置及びタッチパネルの各構成要素に用いることができる材料等の詳
細は、実施の形態１を参照できる。
＜３．表示装置の構成例３＞
図３８～図４１に、表示装置の一例をそれぞれ示す。図３８は、表示装置１１０Ａの断面
図であり、図３９は、本発明の一態様の表示装置が有する副画素の上面図であり、図４０
は、表示装置１１０Ｂの断面図であり、図４１は、タッチパネル３５５Ａの断面図である
。なお、表示装置１１０Ａ、表示装置１１０Ｂ、及びタッチパネル３５５Ａの斜視図は、
図４に示す表示装置１００Ａと同様であるため、ここでの説明は省略する。
図３８に示す表示装置１１０Ａは、先に示す表示装置１１０と、画素電極１１１と共通電
極１１２の位置関係が異なる。
図３６（Ａ）に示す表示装置１１０は、配向膜１３３ａと共通電極１１２とが接する構成
である。一方、図３８に示す表示装置１１０Ａは、配向膜１３３ａと画素電極１１１とが
接する構成である。
図３８に示すように、表示装置１１０Ａでは、半導体層の低抵抗領域２３１ｂが、絶縁層
２１１及び絶縁層２２０の開口部の側面と接し、かつ、画素電極１１１と接続する。これ
により、画素電極１１１を平坦に設けることができる。
表示装置１１０Ａにおいて、共通電極１１２は絶縁層２１１に埋め込まれている。共通電
極１１２の液晶層１１３側の面は、絶縁層２１１の液晶層１１３側の面と同一面を形成す
ることができる。
画素電極１１１は、絶縁層２２０に埋め込まれている。画素電極１１１の液晶層１１３側
の面は、絶縁層２２０の液晶層１１３側の面と同一面を形成することができる。そして、
配向膜１３３ａは平坦に設けられる。
図３８に示すように、画素電極１１１の液晶層１１３側の面と、絶縁層２２０の液晶層１
１３側の面とが、同一面を形成することができると、画素の開口部６９内で、配向膜１３
３ａと配向膜１３３ｂの間隔を均一にすることができる。つまり、画素電極１１１の厚さ
が、液晶層１１３の厚さに影響を与えない。液晶層１１３の厚さは、画素の開口部６９内
で均一となる。これにより、表示装置１１０Ａは、色再現性を高め、良好な表示を行うこ
とができる。
また、配向膜１３３ａが平坦に設けられることで、画素電極１１１の端部においても、初
期配向を揃えやすくなる。隣接する２つの副画素間に、液晶層１１３の初期配向が揃いに
くい領域が生じることを抑制できる。したがって、開口率を高めることができ、表示装置
の高精細化が容易となる。
図３９（Ａ）、（Ｂ）に、本発明の一態様の表示装置が有する副画素の上面図を示す。図
３９（Ａ）は、副画素のうち、共通電極１１２から導電層２２２までの積層構造（例えば
、図４０参照）を、共通電極１１２側から見た上面図である。図３９（Ａ）には、副画素
の開口部６９を一点鎖線の枠で示す。図３９（Ｂ）は、図３９（Ａ）の積層構造から共通
電極１１２を除いた上面図である。
図４０に、表示装置１１０Ｂの断面図を示す。図４０に示す表示装置１１０Ｂは、先に示
す表示装置１１０の構成に加え、絶縁層２１１ｂ及びゲート２２３を有する。
本発明の一態様の表示装置では、チャネルの上下にゲートが設けられているトランジスタ
を適用することができる。
図３９に示すコンタクト部Ｑ１において、ゲート２２１及びゲート２２３は、電気的に接
続されている。
図３９に示すコンタクト部Ｑ２において、半導体層の低抵抗領域２３１ｂが、画素電極１
１１と接続している。半導体層に可視光を透過する材料を用いることで、コンタクト部Ｑ
２を副画素の開口部６９に設けることができる。これにより、副画素の開口率を高めるこ
とができる。また、表示装置の消費電力を低減することができる。
図３９において、１つの導電層が、走査線２２８及びゲート２２３として機能するともい
える。図３９において、１つの導電層が、信号線２２９及び導電層２２２として機能する
ともいえる。
ゲート２２１、２２３には、それぞれ、金属材料及び酸化物導電体（ＯＣ）の一方を単層
で、または双方を積層して用いることができる。例えば、ゲート２２１及びゲート２２３
のうち、一方に、酸化物導電体を用い、他方に金属材料を用いてもよい。
トランジスタ２０６は、半導体層として酸化物半導体層を用い、ゲート２２１及びゲート
２２３のうち、少なくとも一方に酸化物導電層を用いる構成とすることができる。このと
き、酸化物半導体層と酸化物導電層を、酸化物半導体を用いて形成することが好ましい。
ゲート２２３に可視光を遮る導電層を用いることで、バックライトの光がチャネル領域２
３１ａに照射されることを抑制できる。このように、チャネル領域２３１ａを、可視光を
遮る導電層と重ねると、光によるトランジスタの特性変動を抑制できる。これにより、ト
ランジスタの信頼性を高めることができる。
チャネル領域２３１ａの基板５１側に、遮光層１３２が設けられ、チャネル領域２３１ａ
の基板６１側に、可視光を遮るゲート２２３が設けられていることで、バックライトの光
及び外光が、チャネル領域２３１ａに照射されることを抑制できる。
図３９（Ａ）及び図４０では、１つの副画素の開口部６９に、共通電極１１２の開口が１
つ設けられている例を示す。
＜４．表示装置の作製方法例＞
図４１に示すタッチパネル３５５Ａの作製方法の一例について、図４２～図４７を用いて
説明する。なお、本作製方法例において、作製するトランジスタや液晶素子の構成を変え
ることで、本実施の形態の他の表示装置及びタッチパネルも作製することができる。
作製基板上に機能素子を形成した後、機能素子を作製基板から分離して別の基板に転置す
ることができる。この方法によれば、例えば、耐熱性の高い作製基板上で形成した機能素
子を、耐熱性の低い基板に転置することができる。このため、機能素子の作製温度が、耐
熱性の低い基板によって制限されない。また、作製基板に比べて軽い、薄い、または可撓
性が高い基板等に機能素子を転置することが可能であり、半導体装置、表示装置等の各種
装置の軽量化、薄型化、フレキシブル化を実現できる。
具体的には、第１の基板上に分離層を形成し、分離層上に機能素子を形成し、第１の基板
と第２の基板とを、接着層を用いて貼り合わせた後、分離層を用いて第１の基板と第２の
基板を分離することで、第１の基板上で形成した機能素子を第２の基板に転置することが
できる。
分離層に用いることができる材料は、例えば無機材料または有機材料等が挙げられる。
無機材料としては、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、
コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリ
ジウム、シリコンから選択された元素を含む金属、該元素を含む合金または該元素を含む
化合物等を挙げることができる。
有機材料としては、ポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカー
ボネート若しくはアクリル樹脂等を挙げることができる。
分離層は、単層構造または積層構造等を有していてもよい。例えば、タングステンを含む
層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を適用できる。また、金属酸化物層と樹脂
層の積層構造を適用できる。
分離層の材料によって、分離界面は異なる。具体的には、第１の基板と分離層との界面、
分離層中、または分離層と分離層に接して設けられた被剥離層との界面で、分離が生じる
。
本実施の形態では、金属酸化物層と樹脂層の積層構造を分離層に用いて、金属酸化物層と
樹脂層の界面（分離層中ともいえる）で分離させる例を示す。
まず、図４２（Ａ）に示すように、作製基板３０１上に金属酸化物層３０３を形成し、金
属酸化物層３０３上に、樹脂層３０５を形成する。
作製基板３０１は、搬送が容易となる程度に剛性を有し、かつ作製工程にかかる温度に対
して耐熱性を有する。作製基板３０１に用いることができる材料としては、例えば、ガラ
ス、石英、セラミック、サファイア、樹脂、半導体、金属または合金などが挙げられる。
ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウ
ケイ酸ガラス等が挙げられる。
作製基板３０１の厚さは、例えば、０．５ｍｍ以上１ｍｍ以下であり、具体的には０．５
ｍｍや０．７ｍｍが挙げられる。
金属酸化物層３０３には、各種金属の酸化物を用いることができる。金属酸化物としては
、例えば、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、酸化モリブデン、酸化アルミニウム、酸化タングス
テン、シリコンを含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、インジウム亜鉛酸化物、Ｉｎ－
Ｇａ－Ｚｎ酸化物等が挙げられる。
そのほか、金属酸化物としては、酸化インジウム、チタンを含むインジウム酸化物、タン
グステンを含むインジウム酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、チタンを含むＩＴＯ
、タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ガリウムを含むＺｎ
Ｏ、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化タンタ
ル、酸化マグネシウム、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化ネオジム、酸化スズ、酸化ビ
スマス、チタン酸塩、タンタル酸塩、ニオブ酸塩等が挙げられる。
金属酸化物層３０３の形成方法に特に限定は無い。例えば、スパッタリング法、プラズマ
ＣＶＤ法、蒸着法、ゾルゲル法、電気泳動法、スプレー法等を用いて形成することができ
る。
金属層を成膜した後に、当該金属層に酸素を導入することで、金属酸化物層３０３を形成
することができる。このとき、金属層の表面のみ、または金属層全体を酸化させる。前者
の場合、金属層に酸素を導入することで、金属層と金属酸化物層３０３との積層構造が形
成される。分離層は、金属層、金属酸化物層３０３、及び樹脂層３０５の積層構造であっ
てもよい。
例えば、酸素を含む雰囲気下で金属層を加熱することで、金属層を酸化させることができ
る。酸素を含むガスを流しながら金属層を加熱することが好ましい。金属層を加熱する温
度は、１００℃以上５００℃以下が好ましく、１００℃以上４５０℃以下がより好ましく
、１００℃以上４００℃以下がより好ましく、１００℃以上３５０℃以下がさらに好まし
い。
金属層は、トランジスタの作製における最高温度以下で加熱されることが好ましい。これ
により、表示装置の作製における最高温度が高くなることを防止できる。トランジスタの
作製における最高温度以下とすることで、トランジスタの作製工程における製造装置など
を流用することが可能となるため、追加の設備投資などを抑制することができる。したが
って、生産コストが抑制された表示装置とすることができる。例えば、トランジスタの作
製温度が３５０℃までである場合、加熱処理の温度は３５０℃以下とすることが好ましい
。
または、金属層の表面にラジカル処理を行うことで金属層を酸化させることができる。ラ
ジカル処理では、酸素ラジカル及びヒドロキシラジカルのうち少なくとも一方を含む雰囲
気に、金属層の表面を曝すことが好ましい。例えば、酸素または水蒸気（Ｈ２Ｏ）のうち
一方または双方を含む雰囲気でプラズマ処理を行うことが好ましい。
金属酸化物層３０３の表面または内部に、水素、酸素、水素ラジカル（Ｈ＊）、酸素ラジ
カル（Ｏ＊）、ヒドロキシラジカル（ＯＨ＊）等を含ませることで、金属酸化物層３０３
と樹脂層３０５との分離に要する力を低減できる。このことからも、金属酸化物層３０３
の形成に、ラジカル処理もしくはプラズマ処理を行うことは好適である。
金属層の表面にラジカル処理もしくはプラズマ処理を行うことで金属層を酸化させる場合
、金属層を高温で加熱する工程が不要となる。そのため、表示装置の作製における最高温
度が高くなることを防止できる。
または、酸素雰囲気下で、金属酸化物層３０３を形成することができる。例えば、酸素を
含むガスを流しながら、スパッタリング法を用いて金属酸化物膜を成膜することで、金属
酸化物層３０３を形成できる。この場合も、金属酸化物層３０３の表面にラジカル処理を
行うことが好ましい。ラジカル処理では、酸素ラジカル、水素ラジカル、及びヒドロキシ
ラジカルのうち少なくとも１種を含む雰囲気に、金属酸化物層３０３の表面を曝すことが
好ましい。例えば、酸素、水素、または水蒸気（Ｈ２Ｏ）のうち一つまたは複数を含む雰
囲気でプラズマ処理を行うことが好ましい。
ラジカル処理は、プラズマ発生装置またはオゾン発生装置を用いて行うことができる。
例えば、酸素プラズマ処理、水素プラズマ処理、水プラズマ処理、オゾン処理等を行うこ
とができる。酸素プラズマ処理は、酸素を含む雰囲気下でプラズマを生成して行うことが
できる。水素プラズマ処理は、水素を含む雰囲気下でプラズマを生成して行うことができ
る。水プラズマ処理は、水蒸気（Ｈ２Ｏ）を含む雰囲気下でプラズマを生成して行うこと
ができる。特に水プラズマ処理を行うことで、金属酸化物層３０３の表面または内部に水
分を多く含ませることができ好ましい。
酸素、水素、水（水蒸気）、及び不活性ガス（代表的にはアルゴン）のうち２種以上を含
む雰囲気下でのプラズマ処理を行ってもよい。当該プラズマ処理としては、例えば、酸素
と水素とを含む雰囲気下でのプラズマ処理、酸素と水とを含む雰囲気下でのプラズマ処理
、水とアルゴンとを含む雰囲気下でのプラズマ処理、酸素とアルゴンとを含む雰囲気下で
のプラズマ処理、または酸素と水とアルゴンとを含む雰囲気下でのプラズマ処理などが挙
げられる。プラズマ処理のガスの一つとして、アルゴンガスを用いることで金属層または
金属酸化物層３０３にダメージを与えながら、プラズマ処理を行うことが可能となるため
好適である。
２種以上のプラズマ処理を大気に暴露することなく連続で行ってもよい。例えば、アルゴ
ンプラズマ処理を行った後に、水プラズマ処理を行ってもよい。
そのほか、酸素、水素、水等の導入方法としては、イオン注入法、イオンドーピング法、
プラズマイマージョンイオン注入法等を用いることができる。
金属酸化物層３０３の厚さは、例えば、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以
上１００ｎｍ以下がより好ましく、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下がより好ましい。なお、金属
層を用いて金属酸化物層３０３を形成する場合、最終的に形成される金属酸化物層３０３
の厚さは、成膜した金属層の厚さよりも厚くなることがある。
金属酸化物層３０３には、酸化チタン、酸化タングステン等が好適である。酸化チタンを
用いると、酸化タングステンよりもコストを低減でき、好ましい。
樹脂層３０５は、各種樹脂材料（樹脂前駆体を含む）を用いて形成することができる。
樹脂層３０５は、熱硬化性を有する材料を用いて形成することが好ましい。
樹脂層３０５は、感光性を有する材料を用いて形成してもよく、感光性を有さない材料（
非感光性の材料ともいう）を用いて形成してもよい。
感光性を有する材料を用いると、フォトリソグラフィ法により、所望の形状の樹脂層３０
５を形成することができる。具体的には、樹脂層３０５となる膜を成膜した後、溶媒を除
去するための熱処理（プリベーク処理）を行い、その後フォトマスクを用いて露光を行う
。続いて、現像処理を施すことで、不要な部分を除去することができる。
また、樹脂層３０５となる層または樹脂層３０５上にレジストマスク、ハードマスク等の
マスクを形成し、エッチングすることで、所望の形状の樹脂層３０５を形成することがで
きる。この方法は、非感光性の材料を用いる場合に特に好適である。
例えば、樹脂層３０５上に無機膜を形成し、無機膜上にレジストマスクを形成する。レジ
ストマスクを用いて、無機膜をエッチングした後、無機膜をハードマスクに用いて、樹脂
層３０５をエッチングすることができる。
ハードマスクとして用いることができる無機膜としては、各種無機絶縁膜や、導電層に用
いることができる金属膜及び合金膜などが挙げられる。
マスクを極めて薄い厚さで形成し、エッチングと同時にマスクを除去することができると
、マスクを除去する工程を削減でき、好ましい。
樹脂層３０５は、ポリイミド樹脂またはポリイミド樹脂前駆体を含む材料を用いて形成さ
れることが好ましい。樹脂層３０５は、例えば、ポリイミド樹脂と溶媒を含む材料、また
はポリアミック酸と溶媒を含む材料等を用いて形成できる。ポリイミドは、表示装置の平
坦化膜等に好適に用いられる材料であるため、成膜装置や材料を共有することができる。
そのため本発明の一態様の構成を実現するために新たな装置や材料を必要としない。
そのほか、樹脂層３０５の形成に用いることができる樹脂材料としては、例えば、アクリ
ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン樹脂、ベン
ゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。
樹脂層３０５は、スピンコータを用いて形成することが好ましい。スピンコート法を用い
ることで、大判基板に薄い膜を均一に形成することができる。
樹脂層３０５は、粘度が５ｃＰ以上５００ｃＰ未満、好ましくは５ｃＰ以上１００ｃＰ未
満、より好ましくは１０ｃＰ以上５０ｃＰ以下の溶液を用いて形成することが好ましい。
溶液の粘度が低いほど、塗布が容易となる。また、溶液の粘度が低いほど、気泡の混入を
抑制でき、良質な膜を形成できる。
そのほか、樹脂層３０５の形成方法としては、ディップ、スプレー塗布、インクジェット
、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、
ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等が挙げられる。
加熱処理は、例えば、加熱装置のチャンバーの内部に、酸素、窒素、及び希ガス（アルゴ
ンなど）のうち一つまたは複数を含むガスを流しながら行うことができる。または、加熱
処理は、大気雰囲気下で加熱装置のチャンバー、ホットプレート等を用いて行うことがで
きる。
大気雰囲気下や酸素を含むガスを流しながら加熱を行うと、樹脂層３０５が酸化により着
色し、可視光に対する透過性が低下することがある。
そのため、窒素ガスを流しながら、加熱を行うことが好ましい。これにより、樹脂層３０
５の可視光に対する透過性を高めることができる。
加熱処理により、樹脂層３０５中の脱ガス成分（例えば、水素、水等）を低減することが
できる。特に、樹脂層３０５上に形成する各層の作製温度以上の温度で加熱することが好
ましい。これにより、トランジスタの作製工程における、樹脂層３０５からの脱ガスを大
幅に抑制することができる。
例えば、トランジスタの作製温度が３５０℃までである場合、樹脂層３０５となる膜を３
５０℃以上４５０℃以下で加熱することが好ましく、４００℃以下がより好ましく、３７
５℃以下がさらに好ましい。これにより、トランジスタの作製工程における、樹脂層３０
５からの脱ガスを大幅に抑制することができる。
加熱処理の温度は、トランジスタの作製における最高温度以下とすることが好ましい。ト
ランジスタの作製における最高温度以下とすることで、トランジスタの作製工程における
製造装置などを流用することが可能となるため、追加の設備投資などを抑制することがで
きる。したがって、生産コストが抑制された表示装置とすることができる。例えば、トラ
ンジスタの作製温度が３５０℃までである場合、加熱処理の温度は３５０℃以下とするこ
とが好ましい。
トランジスタの作製における最高温度と、加熱処理の温度を等しくすると、加熱処理を行
うことで表示装置の作製における最高温度が高くなることを防止でき、かつ樹脂層３０５
の脱ガス成分を低減できるため、好ましい。
処理時間を長くすることで、加熱温度が比較的低い場合であっても、加熱温度がより高い
条件の場合と同等の剥離性を実現できる場合がある。そのため、加熱装置の構成により加
熱温度を高められない場合には、処理時間を長くすることが好ましい。
加熱処理の時間は、例えば、５分以上２４時間以下が好ましく、３０分以上１２時間以下
がより好ましく、１時間以上６時間以下がさらに好ましい。なお、加熱処理の時間はこれ
に限定されない。例えば、加熱処理を、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅ
ａｌｉｎｇ）法を用いて行う場合などは、５分未満としてもよい。
加熱装置としては、電気炉や、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によっ
て被処理物を加熱する装置等、様々な装置を用いることができる。例えば、ＧＲＴＡ（Ｇ
ａｓ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ Ｒａｐ
ｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置等のＲＴＡ装置を用いることができる。ＬＲ
ＴＡ装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボン
アークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光（電磁
波）の輻射により、被処理物を加熱する装置である。ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用い
て加熱処理を行う装置である。ＲＴＡ装置を用いることによって、処理時間を短縮するこ
とができるので、量産する上で好ましい。また、加熱処理はインライン型の加熱装置を用
いて行ってもよい。
加熱処理を行う前に、樹脂層３０５となる膜に含まれる溶媒を除去するための熱処理（プ
リベーク処理ともいう）を行ってもよい。プリベーク処理の温度は用いる材料に応じて適
宜決定することができる。例えば、５０℃以上１８０℃以下、８０℃以上１５０℃以下、
または９０℃以上１２０℃以下で行うことができる。または、加熱処理がプリベーク処理
を兼ねてもよく、加熱処理によって、樹脂層３０５となる膜に含まれる溶媒を除去しても
よい。
樹脂層３０５は、可撓性を有する。作製基板３０１は、樹脂層３０５よりも可撓性が低い
。
樹脂層３０５の厚さは、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μ
ｍ以上５μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上３μｍ以下であることがさ
らに好ましい。樹脂層を薄く形成することで、低コストで表示装置を作製できる。また、
表示装置の軽量化及び薄型化が可能となる。また、表示装置の可撓性を高めることができ
る。低粘度の溶液を用いることで、樹脂層３０５を薄く形成することが容易となる。ただ
し、これに限定されず、樹脂層３０５の厚さは、１０μｍ以上としてもよい。例えば、樹
脂層３０５の厚さを１０μｍ以上２００μｍ以下としてもよい。樹脂層３０５の厚さを１
０μｍ以上とすることで、表示装置の剛性を高めることができるため好適である。
樹脂層３０５の熱膨張係数は、０．１ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下であることが好
ましく、０．１ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましく、０．１ｐ
ｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であることがさらに好ましい。樹脂層３０５の熱膨張係
数が低いほど、加熱により、トランジスタ等を構成する層にクラックが生じることや、ト
ランジスタ等が破損することを抑制できる。
次に、樹脂層３０５上に、共通電極１１２及び導電層２５１を形成する。なお、共通電極
１１２を形成する前に、樹脂層３０５上に絶縁層（窒化物絶縁層、酸化物絶縁層等）を形
成してもよい。
本発明の一態様では、トランジスタを形成する前に共通電極１１２を形成するため、平坦
な面上に共通電極１１２を形成することができる。
次に、共通電極１１２及び導電層２５１を覆う絶縁層２２０を形成する。次に、絶縁層２
２０上に、画素電極１１１及び導電層２５３を形成する。次に、画素電極１１１及び導電
層２５３を覆う絶縁層２１１ａを形成する（図４２（Ｂ））。
次に、絶縁層２１１ａ上に、ゲート２２３を形成し、ゲート２２３を覆う絶縁層２１１ｂ
を形成する（図４２（Ｃ））。
次に、絶縁層２１１ａ及び絶縁層２１１ｂの一部をエッチングすることで、画素電極１１
１に達する開口部と導電層２５３に達する開口部を形成する（図４３（Ａ））。ここでは
、絶縁層２１１ａと絶縁層２１１ｂをまとめてエッチングする例を示すが、本発明の一態
様はこれに限られない。
次に、絶縁層に設けられた開口部を覆うように、島状の半導体層２３１を形成する（図４
３（Ｂ））。
次に、半導体層２３１を覆う絶縁層２１３＿０を形成し、絶縁層２１３＿０上に導電層２
２１＿０を形成する（図４４（Ａ））。
次に、絶縁層２１３＿０及び導電層２２１＿０を加工することで、島状の絶縁層２１３及
び島状のゲート２２１を形成する。そして、絶縁層２１３及びゲート２２１を覆う絶縁層
２１２を形成する（図４４（Ｂ））。
窒素または水素を含む絶縁層２１２を形成すること、さらには加熱処理を行うことで、半
導体層のうちゲート２２１及び絶縁層２１３と重ならない部分に窒素または水素を供給し
、低抵抗領域２３１ｂを形成することができる。
または、島状の絶縁層２１３及び島状のゲート２２１を形成後かつ絶縁層２１２を形成す
る前に、半導体層２３１に不純物を添加し、低抵抗領域２３１ｂを形成してもよい。また
は、絶縁層２１２を形成した後に、半導体層２３１に不純物を添加し、低抵抗領域２３１
ｂを形成してもよい。後述する絶縁層２１４、２１５の少なくとも一方を形成した後に半
導体層２３１に不純物を添加してもよい。
半導体層のうちゲート２２１及び絶縁層２１３と重なる部分は、重ならない部分に比べて
不純物の供給が妨げられるため、抵抗率の低下が抑制され、チャネル領域２３１ａとして
機能することができる。
次に、絶縁層２１４を形成する。絶縁層２１２及び絶縁層２１４の一部をエッチングする
ことで、低抵抗領域２３１ｂに達する開口部と導電層２５５に達する開口部を形成する。
なお、複数の絶縁層は、それぞれ別の工程で加工してもよいし、２層以上をまとめて加工
してもよい。次に、絶縁層に設けられた開口部を覆うように、低抵抗領域２３１ｂ上に導
電層を形成し、当該導電層を所望の形状に加工することで、導電層２２２及び配線６５を
形成する（図４５（Ａ））。
次に、図４５（Ｂ）に示すように、絶縁層２１５を形成し、絶縁層２１５上に、着色層１
３１及び遮光層１３２を形成する。
絶縁層２１５は平坦化機能を有していてもよい。
着色層１３１は、感光性の材料を用いて形成することで、フォトリソグラフィ法等により
島状に加工することができる。遮光層１３２は、金属または樹脂等を用いて形成すること
ができる。
次に、着色層１３１及び遮光層１３２を覆うオーバーコート１２１を形成する。そして、
オーバーコート１２１及び絶縁層２１５に、配線６５に達する開口部を設ける。
次に、オーバーコート１２１上に、検知素子を形成する。具体的には、オーバーコート１
２１上に、電極１２７、電極１２８、及び配線１３６を形成する。配線１３６は、オーバ
ーコート１２１及び絶縁層２１５に設けられた開口部を覆うように形成され、配線６５と
電気的に接続する。次に、電極１２７、電極１２８、及び配線１３６を覆う絶縁層１２５
を形成する。絶縁層１２５に電極１２８に達する開口部と配線１３６に達する開口部を設
ける。次に、絶縁層１２５上に、電極１２４及び導電層１２６を設ける。電極１２４は、
絶縁層１２５に設けられた開口部を覆うように形成され、電極１２８と電気的に接続する
。導電層１２６は、絶縁層１２５に設けられた開口部を覆うように形成され、配線１３６
と電気的に接続する。
その後、作製基板３０１と基板５１とを、接着層１４２を用いて貼り合わせる（図４５（
Ｂ））。
次に、図４６に示すように、金属酸化物層３０３と樹脂層３０５とを分離する。
本実施の形態では、光を照射することで、金属酸化物層３０３と樹脂層３０５とを分離す
る。なお、加熱処理等により、分離を行ってもよい。
光照射工程において、レーザ光を、作製基板３０１を介して金属酸化物層３０３と樹脂層
３０５との界面またはその近傍に照射することが好ましい。また、レーザ光は、金属酸化
物層３０３中に照射されてもよく、樹脂層３０５中に照射されてもよい。
金属酸化物層３０３は、レーザ光を吸収する。樹脂層３０５は、レーザ光を吸収してもよ
い。
作製基板３０１と金属酸化物層３０３の積層構造におけるレーザ光の吸収率は、５０％以
上１００％以下が好ましく、７５％以上１００％以下がより好ましく、８０％以上１００
％以下がさらに好ましい。当該積層構造が、レーザ光の大半を吸収することで、金属酸化
物層３０３と樹脂層３０５との界面で確実に剥離することが可能となる。また、樹脂層３
０５が光から受けるダメージを低減できる。
レーザ光の照射により、金属酸化物層３０３と樹脂層３０５の密着性もしくは接着性が低
下する。レーザ光の照射により、樹脂層３０５が脆弱化されることがある。
レーザ光としては、少なくともその一部が作製基板３０１を透過し、かつ金属酸化物層３
０３に吸収される波長の光を選択して用いる。レーザ光は、可視光線から紫外線の波長領
域の光であることが好ましい。例えば波長が１８０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の光、好まし
くは２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の光、より好ましくは波長が２５０ｎｍ以上３５０ｎ
ｍ以下の光を用いることができる。
レーザ光は、金属酸化物層３０３のエネルギーギャップよりも高いエネルギーを有するこ
とが好ましい。例えば、酸化チタンのエネルギーギャップは、約３．２ｅＶである。した
がって、金属酸化物層３０３に酸化チタンを用いる場合、光は、３．２ｅＶより高いエネ
ルギーを有することが好ましい。
特に、波長３０８ｎｍのエキシマレーザを用いると、生産性に優れるため好ましい。エキ
シマレーザは、ＬＴＰＳにおけるレーザ結晶化にも用いるため、既存のＬＴＰＳ製造ライ
ンの装置を流用することができ、新たな設備投資を必要としないため好ましい。波長３０
８ｎｍの光のエネルギーは、約４．０ｅＶである。つまり、金属酸化物層３０３に酸化チ
タンを用いる場合、波長３０８ｎｍのエキシマレーザは好適である。また、Ｎｄ：ＹＡＧ
レーザの第三高調波である波長３５５ｎｍのＵＶレーザなどの固体ＵＶレーザ（半導体Ｕ
Ｖレーザともいう）を用いてもよい。固体レーザはガスを用いないため、エキシマレーザ
に比べて、ランニングコストを低減でき、好ましい。また、ピコ秒レーザ等のパルスレー
ザを用いてもよい。
レーザ光として、線状のレーザ光を用いる場合には、作製基板３０１と光源とを相対的に
移動させることでレーザ光を走査し、剥離したい領域に亘ってレーザ光を照射する。
ここで、分離時に、分離界面に水や水溶液など、水を含む液体を添加し、該液体が分離界
面に浸透するように分離を行うことで、分離を容易に行うことができる。また、分離時に
生じる静電気が、トランジスタなどの機能素子に悪影響を及ぼすこと（半導体素子が静電
気により破壊されるなど）を抑制できる。
供給する液体としては、水（好ましくは純水）、中性、アルカリ性、もしくは酸性の水溶
液や、塩が溶けている水溶液が挙げられる。また、エタノール、アセトン等が挙げられる
。また、各種有機溶剤を用いてもよい。
また、作製基板３０１と樹脂層３０５とを分離する前に、レーザ光または鋭利な刃物等を
用いて、分離の起点を形成することが好ましい。樹脂層３０５の一部にクラックを入れる
（膜割れやひびを生じさせる）ことで、分離の起点を形成できる。例えば、レーザ光の照
射によって、樹脂層３０５の一部を溶解、蒸発、または熱的に破壊することができる。
そして、形成した分離の起点から、物理的な力（人間の手や治具で引き剥がす処理や、基
板に密着させたローラーを回転させることで分離する処理等）によって樹脂層３０５と作
製基板３０１とを分離する。図４６の下部に、樹脂層３０５から分離された金属酸化物層
３０３と作製基板３０１を示す。
次に、樹脂層３０５の一部または全部を除去してもよい。樹脂層３０５は、ウエットエッ
チング装置、ドライエッチング装置、アッシング装置等を用いて除去することができる。
特に、酸素プラズマを用いたアッシングを行って樹脂層３０５を除去することが好適であ
る。樹脂層３０５の厚さが薄いと、樹脂層３０５を除去する工程にかかる時間を短縮でき
好ましい。樹脂層３０５を除去することで、共通電極１１２及び導電層２５１を露出する
ことができる（図４７）。また、導電層２５１が露出するよう、樹脂層３０５の一部を除
去してもよい。なお、樹脂層３０５を配向膜１３３ａとして用いてもよい。
次に、共通電極１１２上に配向膜１３３ａを形成する。
その後、接着層１４１を用いて、配向膜１３３ｂが形成された基板６１と、基板５１と、
の間に、液晶層１１３を封止する。以上により、タッチパネル３５５Ａ（図４１）を作製
することができる。
以上のように、本発明の一態様では、表示装置を構成するトランジスタ及び液晶素子等の
機能素子を、作製基板上で形成する。したがって、機能素子の形成工程にかかる熱に対す
る制限がほとんど無い。高温プロセスにて作製した極めて信頼性の高い機能素子を、表示
装置を構成する基板上に歩留まりよく転置することができる。これにより、信頼性の高い
表示装置を実現できる。
本発明の一態様では、トランジスタを形成する前に、液晶素子の電極を形成するため、液
晶素子の電極を平坦な面上に形成できる。したがって、セルギャップのばらつき及び液晶
の初期配向のばらつきを抑制することができる。これにより、開口率を高くすること、さ
らには、表示装置の高精細化が可能となる。
＜５．表示装置の構成例４＞
図４８（Ａ）に、表示装置の一例をそれぞれ示す。図４８（Ａ）は、表示装置１１０Ｃの
断面図である。なお、表示装置１１０Ｃの斜視図は、図４に示す表示装置１００Ａと同様
であるため、ここでの説明は省略する。
図４８（Ａ）に示す表示装置１１０Ｃは、先に示す表示装置１１０Ｂと、画素電極１１１
と共通電極１１２の形状が異なる。
画素電極１１１及び共通電極１１２の双方が、櫛歯状の上面形状、またはスリットが設け
られた上面形状を有していてもよい。
図４８（Ａ）に示す表示装置１１０Ｃの表示部６２は、上面から見て、画素電極１１１及
び共通電極１１２の双方が設けられていない部分を有する。
または、上面から見て、一方の電極のスリットの端部と、他方の電極のスリットの端部が
重なる形状であってもよい。この場合の断面図を図４８（Ｂ）に示す。
または、上面から見て、画素電極１１１及び共通電極１１２が互いに重なる部分を有して
いてもよい。この場合の断面図を図４８（Ｃ）に示す。
または、上面から見て、一方の電極の一方の端部は、他方の電極と重なり、他方の端部は
、他方の電極と重ならなくてもよい。この場合の断面図を図４８（Ｄ）に示す。
または、図４８（Ｅ）に示すように、画素電極１１１及び共通電極１１２は、同一平面上
に設けられていてもよい。
＜６．表示装置の構成例５＞
図４９は、タッチパネル３５５Ｂの断面図である。タッチパネル３５５Ｂの斜視図は、図
２０に示すタッチパネル３５０Ａと同様であるため、実施の形態１の説明を参照できる。
タッチパネル３５５Ｂは、別々に作製された表示装置と検知素子とを貼り合わせた構成で
ある。
タッチパネル３５５Ｂは、入力装置３７５と、表示装置３７０とを有し、これらが重ねて
設けられている。
図４９は、表示部６２、駆動回路部６４、ＦＰＣ７２ａを含む領域、及びＦＰＣ７２ｂを
含む領域等の断面図である。
基板５１と基板６１とは、接着層１４１によって貼り合わされている。基板６１と基板１
６２とは、接着層１６９によって貼り合わされている。ここで、基板５１から基板６１ま
での各層が、表示装置３７０に相当する。また、基板１６２から電極１２４までの各層が
入力装置３７５に相当する。つまり、接着層１６９は、表示装置３７０と入力装置３７５
を貼り合わせているといえる。
図４９に示す表示装置３７０の構成は、図３８に示す表示装置１１０Ａと同様の構成であ
るため、詳細な説明は省略する。
基板５１には、接着層１６７によって、偏光板１６５が貼り合わされている。偏光板１６
５には、接着層１６３によって、バックライト１６１が貼り合わされている。
基板１６２には、接着層１６８によって、偏光板１６６が貼り合わされている。偏光板１
６６には、接着層１６４によって、保護基板１６０が貼り合わされている。
入力装置３７５と表示装置３７０の間に偏光板１６６を配置してもよい。その場合、図４
９に示す保護基板１６０、接着層１６４、及び接着層１６８を設けなくてよい。つまり、
タッチパネル３５５Ｂの最表面に基板１６２が位置する構成とすることができる。
基板１６２の基板６１側には、電極１２７及び電極１２８が設けられている。電極１２７
及び電極１２８は同一平面上に形成されている。絶縁層１２５は、電極１２７及び電極１
２８を覆うように設けられている。電極１２４は、絶縁層１２５に設けられた開口を介し
て、電極１２７を挟むように設けられる２つの電極１２８と電気的に接続している。
入力装置３７５が有する導電層のうち、画素の開口部と重なる導電層（電極１２７、１２
８等）には、可視光を透過する材料を用いる。
電極１２７、１２８と同一の導電層を加工して得られた配線１３６が、電極１２４と同一
の導電層を加工して得られた導電層１２６と接続している。導電層１２６は、接続体２４
２ｂを介してＦＰＣ７２ｂと電気的に接続される。
＜７．表示装置の構成例６＞
図５０に、タッチパネルの一例を示す。図５０は、タッチパネル３５５Ｃの断面図である
。
タッチパネル３５５Ｃは、画像を表示する機能と、タッチセンサとしての機能と、を有す
る、インセル型のタッチパネルである。
タッチパネル３５５Ｃは、表示素子を支持する基板のみに、検知素子を構成する電極等を
設けた構成である。このような構成は、別々に作製された表示装置と検知素子とを貼り合
わせる構成や、対向基板側に検知素子を作製する構成に比べて、タッチパネルを薄型化も
しくは軽量化することができる、または、タッチパネルの部品点数を少なくすることがで
きる。
図５０に示すタッチパネル３５５Ｃは、先に示す表示装置１１０Ｂの構成に加え、補助配
線１１９を有する。
補助配線１１９は、共通電極１１２と電気的に接続されている。共通電極と電気的に接続
する補助配線を設けることで、共通電極の抵抗に起因する電圧降下を抑制することができ
る。また、このとき、金属酸化物を含む導電層と、金属を含む導電層の積層構造とする場
合には、ハーフトーンマスクを用いたパターニング技術により形成すると、工程を簡略化
できるため好ましい。
タッチパネルの使用者から視認されないよう、補助配線１１９は、遮光層１３２等と重な
る位置に設けられることが好ましい。
図５０では、隣り合う２つの副画素を含む断面図を示す。図５０に示す２つの副画素はそ
れぞれ異なる画素が有する副画素である。
図５０に示すタッチパネル３５５Ｃでは、左の副画素が有する共通電極１１２と、右の副
画素が有する共通電極１１２との間に形成される容量を利用して、被検知体の近接または
接触等を検知することができる。すなわちタッチパネル３５５Ｃにおいて、共通電極１１
２は、液晶素子の共通電極と、検知素子の電極と、の両方を兼ねる。
このように、本発明の一態様のタッチパネルでは、液晶素子を構成する電極が、検知素子
を構成する電極を兼ねるため、作製工程を簡略化でき、かつ作製コストを低減できる。ま
た、タッチパネルの薄型化、軽量化を図ることができる。
共通電極１１２は、補助配線１１９と電気的に接続されている。補助配線１１９を設ける
ことで、検知素子の電極の抵抗を低減させることができる。検知素子の電極の抵抗が低下
することで、検知素子の電極の時定数を小さくすることができる。検知素子の電極の時定
数が小さいほど、検出感度を高めることができ、さらには、検出の精度を高めることがで
きる。
タッチパネル３５５Ｃは、一つのＦＰＣにより、画素を駆動する信号と検知素子を駆動す
る信号が供給される。そのため、電子機器に組み込みやすく、また、部品点数を削減する
ことが可能となる。
タッチパネル３５５Ｃには、実施の形態１のタッチパネル３５０Ｅの動作方法の例など（
図２９～図３１参照）を適用することができる。
本実施の形態の表示装置は、トランジスタが可視光を透過する領域を有するため、画素の
開口率を高めることができる。これにより、表示装置の消費電力を低減させることができ
る。また、表示装置の高精細化を実現できる。
本実施の形態の表示装置では、液晶素子の電極が平坦に設けられる。表示装置における、
表示不良の抑制が可能となる。また、液晶の配向不良に起因する開口率の縮小を抑制でき
る。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置で行うことができる動作モードについて図
５１を用いて説明する。
なお、以下では、通常のフレーム周波数（代表的には６０Ｈｚ以上２４０Ｈｚ以下）で動
作する通常動作モード（Ｎｏｒｍａｌ ｍｏｄｅ）と、低速のフレーム周波数で動作する
アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードと、を例示して説明する。
なお、ＩＤＳ駆動モードとは、画像データの書き込み処理を実行した後、画像データの書
き換えを停止する駆動方法のことをいう。一旦画像データの書き込みをして、その後、次
の画像データの書き込みまでの間隔を延ばすことで、その間の画像データの書き込みに要
する分の消費電力を削減することができる。ＩＤＳ駆動モードは、例えば、通常動作モー
ドの１／１００乃至１／１０程度のフレーム周波数とすることができる。静止画は、連続
するフレーム間でビデオ信号が同じである。よって、ＩＤＳ駆動モードは、静止画を表示
する場合に特に有効である。ＩＤＳ駆動を用いて画像を表示させることで、消費電力が低
減されるとともに、画面のちらつき（フリッカー）が抑制され、眼精疲労も低減できる。
図５１（Ａ）～図５１（Ｃ）は、画素回路、及び、通常駆動モードとＩＤＳ駆動モードを
説明するタイミングチャートである。なお、図５１（Ａ）では、第１の表示素子５０１（
ここでは反射型の液晶素子）と、第１の表示素子５０１に電気的に接続される画素回路５
０６と、を示している。また、図５１（Ａ）に示す画素回路５０６では、信号線ＳＬと、
ゲート線ＧＬと、信号線ＳＬ及びゲート線ＧＬに接続されたトランジスタＭ１と、トラン
ジスタＭ１に接続される容量素子ＣｓＬＣとを示している。
トランジスタＭ１は、データＤ１のリークパスと成り得る。よって、トランジスタＭ１の
オフ電流は小さいほど好ましい。トランジスタＭ１としては、チャネルが形成される半導
体層に金属酸化物を有するトランジスタを用いることが好ましい。金属酸化物が増幅作用
、整流作用、及びスイッチング作用の少なくとも１つを有する場合、当該金属酸化物を、
金属酸化物半導体（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）または酸化
物半導体（ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、略してＯＳと呼ぶことができる
。以下、トランジスタの代表例として、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を
用いたトランジスタ（「ＯＳトランジスタ」ともいう。）を用いて説明する。ＯＳトラン
ジスタは、多結晶シリコンなどを用いたトランジスタよりも非導通状態時のリーク電流（
オフ電流）が極めて低い特徴を有する。トランジスタＭ１にＯＳトランジスタを用いるこ
とでノードＮＤ１に供給された電荷を長期間保持することができる。
なお、図５１（Ａ）に示す回路図において、液晶素子ＬＣはデータＤ１のリークパスとな
る。したがって、適切にＩＤＳ駆動を行うには、液晶素子ＬＣの抵抗率を１．０×１０１
４Ω・ｃｍ以上とすることが好ましい。
なお、上記ＯＳトランジスタのチャネル領域には、例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物、Ｉ
ｎ－Ｚｎ酸化物などを好適に用いることができる。また、上記Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物と
しては、代表的には、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］近傍の組成を用い
ることができる。
図５１（Ｂ）は、通常駆動モードでの信号線ＳＬ及びゲート線ＧＬにそれぞれ与える信号
の波形を示すタイミングチャートである。通常駆動モードでは通常のフレーム周波数（例
えば６０Ｈｚ）で動作する。図５１（Ｂ）に期間Ｔ１からＴ３までを表す。各フレーム期
間でゲート線ＧＬに走査信号を与え、信号線ＳＬからデータＤ１をノードＮＤ１に書き込
む動作を行う。この動作は、期間Ｔ１からＴ３までで同じデータＤ１を書き込む場合、ま
たは異なるデータを書き込む場合でも同じである。
一方、図５１（Ｃ）は、ＩＤＳ駆動モードでの信号線ＳＬ及びゲート線ＧＬに、それぞれ
与える信号の波形を示すタイミングチャートである。ＩＤＳ駆動では低速のフレーム周波
数（例えば１Ｈｚ）で動作する。１フレーム期間を期間Ｔ１で表し、その中でデータの書
き込み期間を期間ＴＷ、データの保持期間を期間ＴＲＥＴで表す。ＩＤＳ駆動モードは、
期間ＴＷでゲート線ＧＬに走査信号を与え、信号線ＳＬのデータＤ１を書き込み、期間Ｔ
ＲＥＴでゲート線ＧＬをローレベルの電圧に固定し、トランジスタＭ１を非導通状態とし
て一旦書き込んだデータＤ１を保持させる動作を行う。なお、低速のフレーム周波数とし
ては、例えば、０．１Ｈｚ以上６０Ｈｚ未満とすればよい。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、タッチセンサの駆動方法の例について、図面を参照して説明する。
＜センサの検知方法の例＞
図５２（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図５２（
Ａ）では、パルス電圧出力回路５５１、電流検出回路５５２を示している。なお図５２（
Ａ）では、パルス電圧が与えられる電極５２１、電流の変化を検知する電極５２２をそれ
ぞれ、Ｘ１乃至Ｘ６、Ｙ１乃至Ｙ６のそれぞれ６本の配線として示している。また図５２
（Ａ）は、電極５２１及び電極５２２が重畳することで形成される容量５５３を図示して
いる。なお、電極５２１と電極５２２とはその機能を互いに置き換えてもよい。
パルス電圧出力回路５５１は、Ｘ１乃至Ｘ６の配線に順にパルス電圧を印加するための回
路である。Ｘ１乃至Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量５５３を形成する
電極５２１と電極５２２の間に電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等により容
量５５３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接または接触を検
出することができる。
電流検出回路５５２は、容量５５３での相互容量の変化による、Ｙ１乃至Ｙ６の配線での
電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１乃至Ｙ６の配線では、被検知体の近接また
は接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接または接触に
より相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出は、
積分回路等を用いて行えばよい。
なお、パルス電圧出力回路５５１及び電流検出回路５５２の一方または両方を、図４等に
示す基板５１上または基板６１上に形成してもよい。例えば、表示部６２や駆動回路部６
４などと同時に形成すると、工程を簡略化できることに加え、タッチセンサの駆動に用い
る部品数を削減することができるため好ましい。また、パルス電圧出力回路５５１及び電
流検出回路５５２の一方または両方を、ＩＣ７３に実装してもよい。
特に、基板５１に形成されるトランジスタとして、チャネルが形成される半導体層に多結
晶シリコンや単結晶シリコンなどの結晶性シリコンを用いると、パルス電圧出力回路５５
１や電流検出回路５５２等の回路の駆動能力が向上し、タッチセンサの感度を向上させる
ことができる。
図５２（Ｂ）には、図５２（Ａ）で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入出力波形
のタイミングチャートを示す。図５２（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での被検知体
の検出を行うものとする。また図５２（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（非タッチ
）と被検知体を検出する場合（タッチ）との２つの場合について示している。なおＹ１乃
至Ｙ６の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示している。
Ｘ１－Ｘ６の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってＹ１乃至
Ｙ６の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１乃至Ｘ
６の配線の電圧の変化に応じてＹ１乃至Ｙ６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が
近接または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変
化する。
このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知す
ることができる。
＜表示装置の駆動方法例＞
図５３（Ａ）は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図５３（Ａ）ではゲート駆
動回路ＧＤ（走査線駆動回路）、ソース駆動回路ＳＤ（信号線駆動回路）、複数の画素ｐ
ｉｘを有する表示部を示している。なお図５３（Ａ）では、ゲート駆動回路ＧＤに電気的
に接続されるゲート線ｘ＿１乃至ｘ＿ｍ（ｍは自然数）、ソース駆動回路ＳＤに電気的に
接続されるソース線ｙ＿１乃至ｙ＿ｎ（ｎは自然数）に対応して、画素ｐｉｘではそれぞ
れに（１，１）乃至（ｎ，ｍ）の符号を付している。
図５３（Ｂ）は、図５３（Ａ）で示す表示装置におけるゲート線及びソース線に与える信
号のタイミングチャート図である。図５３（Ｂ）では、１フレーム期間ごとにデータ信号
を書き換える場合と、データ信号を書き換えない場合と、に分けて示している。なお図５
３（Ｂ）では、帰線期間等の期間を考慮していない。
１フレーム期間ごとにデータ信号を書き換える場合、ｘ＿１乃至ｘ＿ｍのゲート線には、
順に走査信号が与えられる。走査信号がＨレベルの期間である水平走査期間１Ｈでは、各
列のソース線ｙ＿１乃至ｙ＿ｎにデータ信号Ｄが与えられる。
１フレーム期間ごとにデータ信号を書き換えない場合、ゲート線ｘ＿１乃至ｘ＿ｍに与え
る走査信号を停止する。また水平走査期間１Ｈでは、各列のソース線ｙ＿１乃至ｙ＿ｎに
与えるデータ信号を停止する。
１フレーム期間ごとにデータ信号を書き換えない駆動方法は、特に、画素ｐｉｘが有する
トランジスタとしてチャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を適用する場合に有効
である。酸化物半導体が適用されたトランジスタはシリコン等の半導体が適用されたトラ
ンジスタに比べて極めてオフ電流を小さくすることが可能である。そのため、１フレーム
期間ごとにデータ信号の書き換えを行わずに前の期間に書き込んだデータ信号を保持させ
ることができ、例えば１秒以上、好ましくは５秒以上に亘って画素の階調を保持すること
もできる。
また、画素ｐｉｘが有するトランジスタとしてチャネルが形成される半導体層に多結晶シ
リコンなどを適用する場合には、画素が有する保持容量の大きさをあらかじめ大きくして
おくことが好ましい。保持容量が大きいほど、画素の階調を長時間に亘って保持すること
ができる。保持容量の大きさは、保持容量に電気的に接続するトランジスタや表示素子の
リーク電流に応じて設定すればよいが、例えば、１画素あたりの保持容量を５ｆＦ以上５
ｐＦ以下、好ましくは１０ｆＦ以上５ｐＦ以下、より好ましくは２０ｆＦ以上１ｐＦ以下
とすると、１フレーム期間ごとにデータ信号の書き換えを行わずに前の期間に書き込んだ
データ信号を保持させることができ、例えば数フレームまたは数１０フレームの期間に亘
って画素の階調を保持することが可能となる。
＜表示部とタッチセンサの駆動方法の例＞
図５４（Ａ）乃至（Ｄ）は、一例として図５２（Ａ）、（Ｂ）で説明したタッチセンサと
、図５３（Ａ）、（Ｂ）で説明した表示部を１ｓｅｃ．（１秒間）駆動する場合に、連続
するフレーム期間の動作について説明する図である。なお図５４（Ａ）では、表示部の１
フレーム期間を１６．７ｍｓ（フレーム周波数：６０Ｈｚ）、タッチセンサの１フレーム
期間を１６．７ｍｓ（フレーム周波数：６０Ｈｚ）とした場合について示している。
本発明の一態様の表示装置は、表示部の動作とタッチセンサの動作は互いに独立しており
、表示期間と平行してタッチ検知期間を設けることができる。そのため図５４（Ａ）に示
すように、表示部及びタッチセンサの１フレーム期間を共に１６．７ｍｓ（フレーム周波
数：６０Ｈｚ）と設定することができる。また、タッチセンサと表示部のフレーム周波数
を異ならせてもよい。例えば図５４（Ｂ）に示すように、表示部の１フレーム期間を８．
３ｍｓ（フレーム周波数：１２０Ｈｚ）と設定し、タッチセンサの１フレーム期間を１６
．７ｍｓ（フレーム周波数：６０Ｈｚ）とすることもできる。また、図示しないが、表示
部のフレーム周波数を３３．３ｍｓ（フレーム周波数：３０Ｈｚ）としてもよい。
また表示部のフレーム周波数を切り替え可能な構成とし、動画像の表示の際にはフレーム
周波数を大きく（例えば６０Ｈｚ以上または１２０Ｈｚ以上）し、静止画像の表示の際に
はフレーム周波数を小さく（例えば６０Ｈｚ以下、３０Ｈｚ以下、または１Ｈｚ以下）す
ることで、表示装置の消費電力を低減することができる。またタッチセンサのフレーム周
波数を切り替え可能な構成とし、待機時と、タッチを感知した時とでフレーム周波数を異
ならせてもよい。
また本発明の一態様の表示装置は、表示部におけるデータ信号の書き換えを行わずに、前
の期間に書き換えたデータ信号を保持することで、表示部の１フレーム期間を１６．７ｍ
ｓよりも長い期間とすることができる。そのため、図５４（Ｃ）に示すように、表示部の
１フレーム期間を１ｓｅｃ．（フレーム周波数：１Ｈｚ）と設定し、タッチセンサの１フ
レーム期間を１６．７ｍｓ（フレーム周波数：６０Ｈｚ）とすることもできる。
なお、表示部におけるデータ信号の書き換えを行わずに、前の期間に書き換えたデータ信
号を保持する構成については、先に説明のＩＤＳ駆動モードを参照することができる。な
お、ＩＤＳ駆動モードについては、表示部におけるデータ信号の書き換えを特定の領域だ
け行う、部分ＩＤＳ駆動モードとしてもよい。部分ＩＤＳ駆動モードとは、表示部におけ
るデータ信号の書き換えを特定の領域だけ行い、それ以外の領域においては、前の期間に
書き換えたデータ信号を保持する構成である。
また、本実施の形態に開示するタッチセンサの駆動方法によれば、図５４（Ｃ）に示す駆
動を行う場合、継続してタッチセンサの駆動を行うことができる。そのため、図５４（Ｄ
）に示すようにタッチセンサにおける被検知体の近接または接触を検知したタイミングで
、表示部のデータ信号を書き換えることもできる。
ここで、タッチセンサのセンシング期間に表示部のデータ信号の書き換え動作を行うと、
データ信号の書き換え時に生じるノイズがタッチセンサに伝わることで、タッチセンサの
感度を低下させてしまう恐れがある。したがって、表示部のデータ信号の書き換え期間と
、タッチセンサのセンシング期間とをずらすように駆動することが好ましい。
図５５（Ａ）では、表示部のデータ信号の書き換えと、タッチセンサのセンシングとを交
互に行う例を示している。また、図５５（Ｂ）では、表示部のデータ信号の書き換え動作
を２回行うごとに、タッチセンサのセンシングを１回行う例を示している。なお、これに
限られず３回以上の書き換え動作を行うごとにタッチセンサのセンシングを１回行う構成
としてもよい。
また、画素ｐｉｘに適用されるトランジスタに、チャネルが形成される半導体層に酸化物
半導体を用いる場合、オフ電流を極めて低減することが可能なため、データ信号の書き換
えの頻度を十分に低減することができる。具体的には、データ信号の書き換えを行った後
、次にデータ信号を書き換えるまでの間に、十分に長い休止期間を設けることが可能とな
る。休止期間は、例えば０．５秒以上、１秒以上、または５秒以上とすることができる。
休止期間の上限は、トランジスタに接続される容量や表示素子等のリーク電流によって制
限されるが、例えば１分以下、１０分以下、１時間以下、または１日以下などとすること
ができる。
図５５（Ｃ）では、５秒間に１度の頻度で表示部のデータ信号の書き換えを行う例を示し
ている。図５５（Ｃ）では、表示部はデータ信号を書き換えたのち、次のデータ信号の書
き換え動作までの期間は、書き換え動作を停止する休止期間が設けられている。休止期間
では、タッチセンサがフレーム周波数ｉＨｚ（ｉは表示装置のフレーム周波数以上、ここ
では０．２Ｈｚ以上）で駆動することができる。また図５５（Ｃ）に示すように、タッチ
センサのセンシングを休止期間に行い、表示部のデータ信号の書き換え期間には行わない
ようにすると、タッチセンサの感度を向上させることができ好ましい。また、図５５（Ｄ
）に示すように、表示部のデータ信号の書き換えとタッチセンサのセンシングを同時に行
うと、駆動のための信号を簡略化することができる。
また、表示部のデータ信号の書き換え動作を行わない休止期間では、表示部へのデータ信
号の供給を停止するだけでなく、ゲート駆動回路ＧＤ及びソース駆動回路ＳＤの一方また
は双方の動作を停止してもよい。さらに、ゲート駆動回路ＧＤ及びソース駆動回路ＳＤの
一方または双方への電力供給を停止してもよい。このようにすることで、ノイズをより低
減し、タッチセンサの感度をさらに良好なものとすることができる。また、表示装置の消
費電力をさらに低減することができる。
本発明の一態様の表示装置は、２つの基板で表示部とタッチセンサが挟持された構成を有
する。よって、表示部とタッチセンサの距離を極めて近づけることができる。このとき、
表示部の駆動時のノイズがタッチセンサに伝搬しやすくなり、タッチセンサの感度が低下
してしまう恐れがある。本実施の形態で例示した駆動方法を適用することで、薄型化と高
い検出感度を両立した、タッチセンサを有する表示装置を実現できる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層に用いることが
できる金属酸化物について説明する。なお、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用い
る場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と読み替えてもよい。
酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単
結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ－ＯＳ（ｃ－ａｘｉｓ－ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓ
ｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、ｎ
ｃ－ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ－ｌｉｋｅ ｏ
ｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、及び非晶質酸化物半導体などがある。
また、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層には、ＣＡＣ－ＯＳ（Ｃｌｏ
ｕｄ－Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
）を用いてもよい。
なお、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層は、上述した非単結晶酸化物
半導体またはＣＡＣ－ＯＳを好適に用いることができる。また、非単結晶酸化物半導体と
しては、ｎｃ－ＯＳまたはＣＡＡＣ－ＯＳを好適に用いることができる。
なお、本発明の一態様では、トランジスタの半導体層として、ＣＡＣ－ＯＳを用いると好
ましい。ＣＡＣ－ＯＳを用いることで、トランジスタに高い電気特性または高い信頼性を
付与することができる。
以下では、ＣＡＣ－ＯＳの詳細について説明する。
ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、材料の一部では導電性の機能と
、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。
なお、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅを、トランジスタのチャネル
形成領域に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機
能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と
、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏ
ｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅに付与す
ることができる。ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、それぞ
れの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性
領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性
の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベ
ルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に
偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察され
る場合がある。
また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶
縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ
以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを
有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉ
ｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナ
ローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に
、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップ
を有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有す
る成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記Ｃ
ＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域に
用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、
及び高い電界効果移動度を得ることができる。
すなわち、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材
（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ ｍ
ａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
ＣＡＣ－ＯＳは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、
好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成であ
る。なお、以下では、金属酸化物において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、
該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎ
ｍ以下またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状またはパッチ状ともいう。
なお、金属酸化物は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び
亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリ
ウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマ
ニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タン
タル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種または複数種が含まれて
いてもよい。
例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ－ＯＳ（ＣＡＣ－ＯＳの中でもＩｎ－Ｇ
ａ－Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ－ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物
（以下、ＩｎＯＸ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸
化物（以下、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２（Ｘ２、Ｙ２、及びＺ２は０よりも大きい実数）と
する。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯＸ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。
）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、ＧａＸ４ＺｎＹ４ＯＺ４（Ｘ４、Ｙ４、及びＺ４
は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、
モザイク状のＩｎＯＸ１、またはＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２が、膜中に均一に分布した構成
（以下、クラウド状ともいう。）である。
つまり、ＣＡＣ－ＯＳは、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、
またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物で
ある。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が
、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２
の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。
なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯによる１つの化合物をいう場合
がある。代表例として、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ（１
＋ｘ０）Ｇａ（１－ｘ０）Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ０（－１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表さ
れる結晶性の化合物が挙げられる。
上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓ ａｌ
ｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯ
のナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ－ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造であ
る。
一方、ＣＡＣ－ＯＳは、金属酸化物の材料構成に関する。ＣＡＣ－ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ
、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察さ
れる領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザ
イク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ－ＯＳにおいて、結晶構造
は副次的な要素である。
なお、ＣＡＣ－ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。
例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含ま
ない。
なお、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が
主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。
なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム
、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン
、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネ
シウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ－ＯＳは、一部
に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とする
ナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成を
いう。
ＣＡＣ－ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成
することができる。また、ＣＡＣ－ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスと
して、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたい
ずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガ
スの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好まし
くは０％以上１０％以下とすることが好ましい。
ＣＡＣ－ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひ
とつであるＯｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに
、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域
のａ－ｂ面方向、及びｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。
またＣＡＣ－ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照
射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リ
ング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ－ＯＳの
結晶構造が、平面方向、及び断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ－ｃｒ
ｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。
また例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ－ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線
分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓ
ｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯＸ３が主成分である領域と
、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、偏在し、混合し
ている構造を有することが確認できる。
ＣＡＣ－ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧ
ＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ－ＯＳは、ＧａＯＸ３などが主成分で
ある領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と、に互い
に相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。
ここで、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域は、ＧａＯＸ３
などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、ＩｎＸ２ＺｎＹ
２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化
物半導体としての導電性が発現する。従って、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ
１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果
移動度（μ）が実現できる。
一方、ＧａＯＸ３などが主成分である領域は、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ
１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯＸ３などが
主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なス
イッチング動作を実現できる。
従って、ＣＡＣ－ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯＸ３などに起因する絶縁性と、
ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１に起因する導電性とが、相補的に作用するこ
とにより、高いオン電流（Ｉｏｎ）、及び高い電界効果移動度（μ）を実現することがで
きる。
また、ＣＡＣ－ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ－ＯＳは、デ
ィスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパー
ソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカ
メラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生
装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
図５６（Ａ）～（Ｃ）に、携帯情報端末を示す。本実施の形態の携帯情報端末は、例えば
、電話機、手帳、または情報閲覧装置等から選ばれた一つまたは複数の機能を有する。具
体的には、スマートフォンまたはスマートウォッチとして用いることができる。本実施の
形態の携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、
動画再生、インターネット通信、ゲームなどの種々のアプリケーションを実行することが
できる。
図５６（Ａ）～（Ｃ）に示す携帯情報端末は、様々な機能を有することができる。例えば
、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネ
ル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログ
ラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピ
ュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信または受
信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に
表示する機能、等を有することができる。なお、図５６（Ａ）～（Ｃ）に示す携帯情報端
末が有する機能はこれらに限定されず、その他の機能を有していてもよい。
図５６（Ａ）～（Ｃ）に示す携帯情報端末は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成
、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを
実行することができる。また、図５６（Ａ）～（Ｃ）に示す携帯情報端末は、通信規格さ
れた近距離無線通信を実行することが可能である。例えば、図５６（Ｃ）に示す腕時計型
の携帯情報端末８２０は、無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハ
ンズフリーで通話することもできる。
図５６（Ａ）に示す携帯情報端末８００は、筐体８１１、表示部８１２、操作ボタン８１
３、外部接続ポート８１４、スピーカ８１５、マイク８１６等を有する。携帯情報端末８
００の表示部８１２は平面を有する。
図５６（Ｂ）に示す携帯情報端末８１０は、筐体８１１、表示部８１２、操作ボタン８１
３、外部接続ポート８１４、スピーカ８１５、マイク８１６、カメラ８１７等を有する。
携帯情報端末８１０の表示部８１２は曲面を有する。
図５６（Ｃ）に、腕時計型の携帯情報端末８２０を示す。携帯情報端末８２０は、筐体８
１１、表示部８１２、スピーカ８１５、操作キー８１８（電源スイッチまたは操作スイッ
チを含む）等を有する。携帯情報端末８２０の表示部８１２の外形は円形状である。携帯
情報端末の表示部８１２は、平面を有する。
本発明の一態様の表示装置を、表示部８１２に用いることができる。これにより、開口率
が高い表示部を有する携帯情報端末を作製することができる。
本実施の形態の携帯情報端末は、表示部８１２にタッチセンサを備える。電話を掛ける、
或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部８１２に触れ
ることで行うことができる。
また、操作ボタン８１３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部８１２に表示
される画像の種類の切り替えを行うことができる。例えば、メール作成画面から、メイン
メニュー画面に切り替えることができる。
また、携帯情報端末の内部に、ジャイロセンサまたは加速度センサ等の検出装置を設ける
ことで、携帯情報端末の向き（縦か横か）を判断して、表示部８１２の画面表示の向きを
自動的に切り替えることができる。また、画面表示の向きの切り替えは、表示部８１２に
触れること、操作ボタン８１３の操作、またはマイク８１６を用いた音声入力等により行
うこともできる。
図５７（Ａ）に示すテレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７１０２が組み
込まれている。表示部７１０２では、映像を表示することが可能である。本発明の一態様
の表示装置を表示部７１０２に用いることができる。これにより、開口率が高い表示部を
有するテレビジョン装置を作製することができる。また、ここでは、スタンド７１０３に
より筐体７１０１を支持した構成を示している。
テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモ
コン操作機７１１１により行うことができる。リモコン操作機７１１１が備える操作キー
により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０２に表示される映像を
操作することができる。また、リモコン操作機７１１１に、当該リモコン操作機７１１１
から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機に
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線によ
る通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送
信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
図５７（Ｂ）に示すコンピュータ７２００は、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２
０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６
等を含む。なお、コンピュータは、本発明の一態様の表示装置をその表示部７２０３に用
いることにより作製される。これにより、開口率が高い表示部を有するコンピュータを作
製することができる。
図５７（Ｃ）に示すカメラ７３００は、筐体７３０１、表示部７３０２、操作ボタン７３
０３、シャッターボタン７３０４等を有する。またカメラ７３００には、着脱可能なレン
ズ７３０６が取り付けられている。
本発明の一態様の表示装置を、表示部７３０２に用いることができる。これにより、開口
率が高い表示部を有するカメラを作製することができる。
ここではカメラ７３００を、レンズ７３０６を筐体７３０１から取り外して交換すること
が可能な構成としたが、レンズ７３０６と筐体７３０１とが一体となっていてもよい。
カメラ７３００は、シャッターボタン７３０４を押すことにより、静止画または動画を撮
像することができる。また、表示部７３０２はタッチパネルとしての機能を有し、表示部
７３０２をタッチすることにより撮像することも可能である。
なお、カメラ７３００は、ストロボ装置や、ビューファインダーなどを別途装着すること
ができる。または、これらが筐体７３０１に組み込まれていてもよい。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
１０Ａ 表示装置
１０Ｂ 表示装置
１１ 基板
１２ 基板
１３ バックライトユニット
１４ トランジスタ
１５ 液晶素子
１５Ａ 表示装置
１５Ｂ 表示装置
１５Ｃ 表示装置
１６ 接着層
２０Ａ 表示装置
２０Ｂ 表示装置
２１ 画素電極
２２ 液晶層
２３ 共通電極
２５ 導電層
２６ 絶縁層
２７ 導電層
２８ 導電層
２９ 接続体
３１ タッチセンサユニット
３２ 絶縁層
３３ 導電層
３４ 容量素子
３５Ａ 表示装置
３５Ｂ 表示装置
３５Ｃ 表示装置
４０ 液晶素子
４５ 光
４５ａ 光
４５ｂ 光
５１ 基板
５６ 導電層
５６ａ 導電層
５６ｂ 導電層
５７ 補助配線
５８ 導電層
６０ 画素
６０ａ 副画素
６０ｂ 副画素
６０ｃ 副画素
６１ 基板
６２ 表示部
６３ 接続部
６４ 駆動回路部
６５ 配線
６６ 非表示領域
６７ 遮光領域
６８ 表示領域
６９ 開口部
７２ ＦＰＣ
７２ａ ＦＰＣ
７２ｂ ＦＰＣ
７３ ＩＣ
７３ａ ＩＣ
７３ｂ ＩＣ
８１ 走査線
８２ 信号線
１００Ａ 表示装置
１００Ｂ 表示装置
１００Ｃ 表示装置
１００Ｄ 表示装置
１００Ｅ 表示装置
１００Ｆ 表示装置
１１０ 表示装置
１１０Ａ 表示装置
１１０Ｂ 表示装置
１１０Ｃ 表示装置
１１１ 画素電極
１１２ 共通電極
１１２ａ 共通電極
１１２ｂ 共通電極
１１３ 液晶層
１１７ スペーサ
１１９ 補助配線
１２１ オーバーコート
１２２ 絶縁層
１２３ 絶縁層
１２４ 電極
１２５ 絶縁層
１２６ 導電層
１２７ 電極
１２８ 電極
１３０ 偏光板
１３１ 着色層
１３２ 遮光層
１３２ａ 遮光層
１３２ｂ 遮光層
１３３ａ 配向膜
１３３ｂ 配向膜
１３６ 配線
１３７ 配線
１３８ 配線
１３９ 補助配線
１４１ 接着層
１４２ 接着層
２０１ トランジスタ
２０４ 接続部
２０６ トランジスタ
２０７ 接続部
２１１ 絶縁層
２１１ａ 絶縁層
２１１ｂ 絶縁層
２１２ 絶縁層
２１３ 絶縁層
２１４ 絶縁層
２１５ 絶縁層
２１６ 絶縁層
２２０ 絶縁層
２２１ ゲート
２２２ 導電層
２２２ａ 導電層
２２２ｂ 導電層
２２２ｃ 導電層
２２３ ゲート
２２７ 導電層
２２８ 走査線
２２９ 信号線
２３１ 半導体層
２３１ａ チャネル領域
２３１ｂ 低抵抗領域
２４２ 接続体
２４２ｂ 接続体
２４３ 接続体
２４４ 容量線
２５１ 導電層
２５３ 導電層
２５５ 導電層
２８４ 導電層
２８５ 導電層
２８６ 導電層
９００ 画素
９００ｓ 遮光領域
９００ｔ 透過領域
９０１ 駆動回路部
９０２ 配線
９０４ 配線
９１１ トランジスタ
９１４ トランジスタ
９１５ 容量素子
９１６ 容量部
９１８Ｂ 表示領域
９１８Ｇ 表示領域
９１８Ｒ 表示領域
９１８Ｗ 表示領域
９３０ＬＣ 液晶素子
９３２ＢＭ 遮光膜
９３２ＣＦ 着色膜

Claims (2)

  1. 基板上に、液晶素子、第１の絶縁層、トランジスタ、走査線、信号線、タッチセンサ及び接続部を有し、
    前記液晶素子は、画素電極、液晶層及び共通電極を有し、
    前記第１の絶縁層は、前記画素電極と前記トランジスタの間に位置し、
    前記第１の絶縁層は、第１の開口及び第２の開口を有し、
    前記走査線及び前記信号線は、それぞれ、前記トランジスタと電気的に接続され、
    前記走査線及び前記信号線は、それぞれ、金属層を有し、
    前記トランジスタは、前記画素電極と接続される第１の領域を有し、
    前記タッチセンサは、可視光を透過する機能を有する第２の領域を有し、
    前記画素電極、前記共通電極及び前記第１の領域は、それぞれ、前記可視光を透過する機能を有し、
    前記可視光は、前記液晶素子、前記第１の領域、前記第２の領域、前記基板の順に透過して、表示装置の外部に射出される機能を有し、
    前記接続部は、第１乃至第３の導電層を有し、且つＦＰＣと電気的に接続される、表示装置の作製方法であって、
    前記基板上に、前記タッチセンサと、前記タッチセンサと電気的に接続する前記第１の導電層を形成する工程と、
    前記タッチセンサ上に、前記トランジスタ、前記走査線及び前記信号線を形成し、且つ前記第１の導電層上に、前記第２の導電層を形成する工程と、
    前記トランジスタ上、前記走査線上、前記信号線上及び前記第２の導電層上に、前記第１の絶縁層を形成する工程と、
    前記第１の絶縁層に、前記第１の開口及び前記第２の開口を形成する工程と、
    前記第１の開口を介して前記トランジスタと電気的に接続される前記画素電極を形成し、且つ前記第２の開口を介して前記第２の導電層と電気的に接続される前記第３の導電層を形成する工程と、を有する、表示装置の作製方法。
  2. 基板上に、液晶素子、第１の絶縁層、トランジスタ、走査線、信号線、タッチセンサ、接続部及び第５の導電層を有し、
    前記液晶素子は、画素電極、液晶層及び共通電極を有し、
    前記第１の絶縁層は、前記画素電極と前記トランジスタの間に位置し、
    前記第１の絶縁層は、第１の開口及び第２の開口を有し、
    前記走査線及び前記信号線は、それぞれ、前記トランジスタと電気的に接続され、
    前記走査線及び前記信号線は、それぞれ、金属層を有し、
    前記トランジスタは、前記画素電極と接続される第１の領域を有し、
    前記タッチセンサは、可視光を透過する機能を有する第２の領域を有し、
    前記画素電極、前記共通電極及び前記第１の領域は、それぞれ、前記可視光を透過する機能を有し、
    前記第５の導電層は、前記タッチセンサと前記トランジスタの間に位置し、且つ前記液晶素子を有する表示領域全体と重なっており、
    前記可視光は、前記液晶素子、前記第１の領域、前記第５の導電層、前記第２の領域、前記基板の順に透過して、表示装置の外部に射出される機能を有し、
    前記接続部は、第１乃至第４の導電層を有し、且つＦＰＣと電気的に接続される、表示装置の作製方法であって、
    前記基板上に、前記タッチセンサと、前記タッチセンサと電気的に接続する前記第１の導電層を形成する工程と、
    前記タッチセンサ上に、前記第５の導電層を形成し、且つ前記第１の導電層上に、前記第４の導電層を形成する工程と、
    前記タッチセンサ上に、前記第５の導電層を介して前記トランジスタ、前記走査線及び前記信号線を形成し、且つ前記第４の導電層上に、前記第２の導電層を形成する工程と、
    前記トランジスタ上、前記走査線上、前記信号線上及び前記第２の導電層上に、前記第１の絶縁層を形成する工程と、
    前記第１の絶縁層に、前記第１の開口及び前記第２の開口を形成する工程と、
    前記第１の開口を介して前記トランジスタと電気的に接続される前記画素電極を形成し、且つ前記第２の開口を介して前記第２の導電層と電気的に接続される前記第３の導電層を形成する工程と、を有する、表示装置の作製方法。
JP2023004315A 2016-11-09 2023-01-16 表示装置の作製方法 Active JP7460314B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016219157 2016-11-09
JP2016219160 2016-11-09
JP2016219160 2016-11-09
JP2016219157 2016-11-09
JP2017214384A JP2018081309A (ja) 2016-11-09 2017-11-07 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び表示装置の作製方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017214384A Division JP2018081309A (ja) 2016-11-09 2017-11-07 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び表示装置の作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023029646A JP2023029646A (ja) 2023-03-03
JP7460314B2 true JP7460314B2 (ja) 2024-04-02

Family

ID=62109590

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017214384A Withdrawn JP2018081309A (ja) 2016-11-09 2017-11-07 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び表示装置の作製方法
JP2023004315A Active JP7460314B2 (ja) 2016-11-09 2023-01-16 表示装置の作製方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017214384A Withdrawn JP2018081309A (ja) 2016-11-09 2017-11-07 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び表示装置の作製方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10955950B2 (ja)
JP (2) JP2018081309A (ja)
KR (1) KR102490188B1 (ja)
CN (1) CN109906405B (ja)
WO (1) WO2018087631A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107507513A (zh) * 2017-08-25 2017-12-22 武汉华星光电技术有限公司 一种显示面板和显示器
JP6869594B2 (ja) * 2017-09-26 2021-05-12 エルジー・ケム・リミテッド 透明発光素子ディスプレイ用電極基板およびその製造方法
CN111771283A (zh) * 2018-01-11 2020-10-13 应用材料公司 具有金属氧化物开关的小型存储电容器的薄膜晶体管
JP2019132987A (ja) * 2018-01-31 2019-08-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102521879B1 (ko) * 2018-04-12 2023-04-18 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
US11961871B2 (en) * 2018-05-18 2024-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and method for fabricating display device
US11139562B2 (en) * 2018-09-14 2021-10-05 Innolux Corporation Antenna device
CN110911382B (zh) * 2018-09-14 2021-06-25 群创光电股份有限公司 天线装置
JP2020095075A (ja) * 2018-12-10 2020-06-18 株式会社ピクトリープ センシング機能付き表示装置および電子機器
CN109786585B (zh) * 2019-01-18 2020-12-15 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制作方法、显示装置
TWI703370B (zh) * 2019-02-22 2020-09-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板
KR102612405B1 (ko) * 2019-07-09 2023-12-12 엘지디스플레이 주식회사 전자장치
CN114823835B (zh) * 2021-09-16 2023-12-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010156963A (ja) 2008-12-05 2010-07-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2011053261A (ja) 2009-08-31 2011-03-17 Sony Corp 電気光学装置

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0858110B1 (en) 1996-08-27 2006-12-13 Seiko Epson Corporation Separating method, method for transferring thin film device, and liquid crystal display device manufactured by using the transferring method
US6127199A (en) 1996-11-12 2000-10-03 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
JP4229107B2 (ja) 1996-11-22 2009-02-25 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法，アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
JP3738799B2 (ja) * 1996-11-22 2006-01-25 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法，アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
TW575775B (en) * 2001-01-29 2004-02-11 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
JP3841198B2 (ja) * 2001-03-13 2006-11-01 日本電気株式会社 アクティブマトリクス基板及びその製造方法
KR100892945B1 (ko) 2002-02-22 2009-04-09 삼성전자주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR20060097381A (ko) 2005-03-09 2006-09-14 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
JP5064747B2 (ja) 2005-09-29 2012-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
JP5078246B2 (ja) 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
EP1770788A3 (en) 2005-09-29 2011-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
CN100517075C (zh) * 2006-03-09 2009-07-22 北京京东方光电科技有限公司 一种薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板的制作方法
JP5110803B2 (ja) 2006-03-17 2012-12-26 キヤノン株式会社 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2009099887A (ja) 2007-10-19 2009-05-07 Hitachi Displays Ltd 表示装置
KR101375831B1 (ko) 2007-12-03 2014-04-02 삼성전자주식회사 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 이용한 디스플레이 장치
US9041202B2 (en) * 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
EP2202802B1 (en) 2008-12-24 2012-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
US8461582B2 (en) 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011027676A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101835748B1 (ko) 2009-10-09 2018-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치 및 이를 포함한 전자 기기
WO2011043217A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
CN102598280B (zh) 2009-10-21 2016-05-18 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器件及包括该液晶显示器件的电子设备
WO2011096276A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9244573B2 (en) 2010-03-03 2016-01-26 Miraenanotech Co., Ltd. Capacitive touch panel including embedded sensing electrodes
TWI441119B (zh) 2010-04-02 2014-06-11 Arolltech Co Ltd 具內嵌觸控裝置之顯示器
KR101843337B1 (ko) 2010-10-28 2018-03-30 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 디스플레이 시스템
US10002968B2 (en) 2011-12-14 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
KR101367576B1 (ko) * 2011-12-27 2014-03-12 하이디스 테크놀로지 주식회사 정전식 터치센서 내장형 액정표시장치
KR101258903B1 (ko) * 2012-02-24 2013-04-29 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 액정표시장치 제조방법
KR20130115621A (ko) 2012-04-12 2013-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN103268036B (zh) * 2012-08-17 2016-03-30 上海天马微电子有限公司 一种内嵌式触摸屏彩膜基板及内嵌式触摸屏
CN111477634B (zh) 2012-09-13 2023-11-14 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
CN102854683B (zh) * 2012-09-26 2014-11-12 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板及其制造方法
JP5909198B2 (ja) * 2013-01-21 2016-04-26 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示パネル及び電子機器
US9640669B2 (en) * 2014-03-13 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
JP2016029464A (ja) 2014-07-18 2016-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
WO2016108122A1 (en) 2014-12-29 2016-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device having semiconductor device
JP6662665B2 (ja) 2015-03-19 2020-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器
TWI765634B (zh) * 2015-03-27 2022-05-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 觸控面板
KR102494418B1 (ko) 2015-04-13 2023-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 패널, 데이터 처리 장치, 및 표시 패널의 제조방법
KR20180010205A (ko) 2015-05-22 2018-01-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
WO2017098376A1 (en) 2015-12-11 2017-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and separation method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010156963A (ja) 2008-12-05 2010-07-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2011053261A (ja) 2009-08-31 2011-03-17 Sony Corp 電気光学装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR102490188B1 (ko) 2023-01-18
JP2018081309A (ja) 2018-05-24
CN109906405A (zh) 2019-06-18
WO2018087631A1 (en) 2018-05-17
JP2023029646A (ja) 2023-03-03
US20190265532A1 (en) 2019-08-29
KR20190075954A (ko) 2019-07-01
CN109906405B (zh) 2022-04-26
US10955950B2 (en) 2021-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7460314B2 (ja) 表示装置の作製方法
KR102643613B1 (ko) 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
US11177373B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP5748976B2 (ja) 半導体装置
US20180149920A1 (en) Display device, display module, and electronic device
JP7089478B2 (ja) 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
TW201807817A (zh) 半導體裝置及包括該半導體裝置的顯示裝置
TW201813147A (zh) 顯示裝置、顯示模組、電子裝置及顯示裝置的製造方法
KR20190032589A (ko) 표시 장치의 제작 방법, 표시 장치, 표시 모듈 및 전자 기기
JP2022103303A (ja) 表示装置、電子機器
JP6999315B2 (ja) 表示装置の作製方法
TW201824216A (zh) 顯示裝置、顯示模組、電子裝置及顯示裝置的製造方法
JP2018066944A (ja) 表示装置の作製方法
JP2018013725A (ja) 表示装置の作製方法、表示装置、表示モジュールおよび電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230215

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230215

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230823

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230905

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20231102

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231222

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240227

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240320

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7460314

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150