JP6999315B2 - 表示装置の作製方法 - Google Patents
表示装置の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6999315B2 JP6999315B2 JP2017141202A JP2017141202A JP6999315B2 JP 6999315 B2 JP6999315 B2 JP 6999315B2 JP 2017141202 A JP2017141202 A JP 2017141202A JP 2017141202 A JP2017141202 A JP 2017141202A JP 6999315 B2 JP6999315 B2 JP 6999315B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- transistor
- insulating layer
- conductive layer
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 176
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 176
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 133
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 104
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 100
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 67
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 22
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 18
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 7
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 740
- 239000010408 film Substances 0.000 description 173
- 230000006870 function Effects 0.000 description 125
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 106
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 22
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 17
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 14
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- -1 arsenide Chemical compound 0.000 description 7
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 3
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 3
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 244000228957 Ferula foetida Species 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 1
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 1
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000009885 systemic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図1~図23を用いて説明する。
図2は、表示装置300の斜視概略図である。表示装置300は、基板351と基板361とが貼り合わされた構成を有する。図2では、基板361を破線で明示している。
図4に示す表示装置300Aは、トランジスタ201、トランジスタ203、トランジスタ205、及びトランジスタ206を有さず、トランジスタ281、トランジスタ284、トランジスタ285、及びトランジスタ286を有する点で、主に表示装置300と異なる。
図5(A)に表示装置300Bの表示部の断面図を示す。
図5(B)に示す表示装置300Cは、EL層192が塗り分けられており、かつ着色層134を有さない点で、表示装置300Bと異なる。その他の構成については、表示装置300Bと同様のため、詳細な説明を省略する。
以下では、図3に示す表示装置300の作製方法の一例について説明する。図7~図23では特に表示装置300の表示部362及び外部接続部に着目して、作製方法を説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様により作製することができる表示装置について図24~図27を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態1で説明した表示装置の、より具体的な構成例について図28~図30を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるCAC(Cloud-Aligned Composite)-OSの構成について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示モジュール及び電子機器について説明する。
C1 容量素子
C2 容量素子
CSCOM 配線
G1 配線
G2 配線
G3 配線
GD 回路
S1 配線
S2 配線
S3 配線
SD 回路
SW1 スイッチ
SW2 スイッチ
VCOM1 配線
VCOM2 配線
X1 距離
X2 距離
10 表示装置
14 表示部
21 発光
22 反射光
30 画素ユニット
31B 第1の表示素子
31G 第1の表示素子
31p 画素
31R 第1の表示素子
31W 第1の表示素子
32B 第2の表示素子
32G 第2の表示素子
32p 画素
32R 第2の表示素子
32W 第2の表示素子
32Y 第2の表示素子
35r 光
35t 光
35tr 光
41 トランジスタ
42 トランジスタ
61 作製基板
62 樹脂層
63 絶縁層
100 表示装置
110a トランジスタ
110b トランジスタ
110c トランジスタ
110d トランジスタ
110e トランジスタ
110f トランジスタ
110g トランジスタ
110h トランジスタ
112 液晶
113 電極
117 絶縁層
121 絶縁層
131 着色層
132 遮光層
133a 配向膜
133b 配向膜
134 着色層
135 偏光板
141 接着層
142 接着層
151 絶縁層
170 発光素子
180 液晶素子
191 電極
192 EL層
193 電極
194 絶縁層
201 トランジスタ
203 トランジスタ
204 接続部
205 トランジスタ
206 トランジスタ
207 接続部
211 絶縁層
212 絶縁層
213 絶縁層
214 絶縁層
216 絶縁層
217 絶縁層
218 絶縁層
220 絶縁層
221 導電層
221a 導電層
221b 導電層
222a 導電層
222b 導電層
223 導電層
231 半導体層
235 導電層
242 接続層
243 接続体
252 接続部
261 半導体層
263a 導電層
263b 導電層
281 トランジスタ
284 トランジスタ
285 トランジスタ
286 トランジスタ
300 表示装置
300A 表示装置
300B 表示装置
300C 表示装置
311 電極
311a 電極
311b 電極
311c 導電層
311d 導電層
311e 導電層
311f 導電層
340 液晶素子
351 基板
360 発光素子
360b 発光素子
360g 発光素子
360r 発光素子
360w 発光素子
361 基板
362 表示部
364 回路
365 配線
372 FPC
373 IC
400 表示装置
410 画素
451 開口
800 携帯情報端末
801 筐体
802 筐体
803 表示部
804 表示部
805 ヒンジ部
810 携帯情報端末
811 筐体
812 表示部
813 操作ボタン
814 外部接続ポート
815 スピーカ
816 マイク
817 カメラ
820 カメラ
821 筐体
822 表示部
823 操作ボタン
824 シャッターボタン
826 レンズ
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8005 FPC
8006 表示パネル
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
9000 筐体
9001 表示部
9003 スピーカ
9005 操作キー
9006 接続端子
9007 センサ
9008 マイクロフォン
9055 ヒンジ
9200 携帯情報端末
9201 携帯情報端末
9202 携帯情報端末
Claims (7)
- 第1の表示素子、第2の表示素子、第1の絶縁層および導電層を有する表示装置の作製方法であり、
前記第1の表示素子は、可視光を反射する機能を有する第1の画素電極、液晶、及び可視光を透過する機能を有する第1の共通電極を有し、
前記第2の表示素子は、可視光を透過する機能を有する第2の画素電極、発光層、及び可視光を反射する機能を有する第2の共通電極を有し、
第1の基板上に、前記第1の共通電極を形成する工程と、
熱硬化性を有する材料を用いて、厚さが0.1μm以上3μm以下である第1の領域と、前記第1の領域よりも厚さの薄い第2の領域を有する樹脂層を作製基板上に形成する工程と、
前記樹脂層上に前記第1の画素電極を形成する工程と、
前記第1の画素電極を形成する工程と同時に、前記第2の領域を覆って前記導電層を形成する工程と、
前記第1の画素電極上に、前記第1の絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記第2の画素電極、前記発光層、及び前記第2の共通電極をこの順で形成することで、前記第2の表示素子を形成する工程と、
前記作製基板と第2の基板とを接着剤を用いて貼り合わせる工程と、
レーザ光を前記樹脂層に照射する工程と、
前記作製基板と前記第1の画素電極とを分離する工程と、
前記第1の共通電極と前記第1の画素電極との間に前記液晶を配置し、接着剤を用いて、前記第1の基板と前記第2の基板とを貼り合わせることで、前記第1の表示素子を形成する、表示装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記作製基板と前記第1の画素電極とを分離する工程において、分離は前記樹脂層と前記作製基板との界面でなされ、前記分離する工程の後に、前記導電層を露出させる工程をさらに含む表示装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記作製基板と前記第1の画素電極とを分離する工程において、分離が前記樹脂層内における前記作製基板と前記第1の画素電極および前記導電層の間でなされ、前記分離する工程の後に、前記導電層を露出させる工程をさらに含む表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項3において、
前記樹脂層に前記第2の領域を形成した後、前記樹脂層上に絶縁層を形成する工程をさらに含む表示装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記樹脂層に第2の領域を形成した後に前記樹脂層上に絶縁層を形成する工程と、前記作製基板と前記第1の画素電極とを分離する工程において、分離は前記樹脂層の内部および前記樹脂層と前記絶縁層との界面でなされ、前記分離する工程の後に、前記導電層を露出させる工程とをさらに含む表示装置の作製方法。 - 請求項4又は請求項5において、
前記絶縁層の材料が無機絶縁材料である表示装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記作製基板と前記第1の画素電極とを分離する工程において、分離は前記樹脂層の内部および前記樹脂層と前記導電層との界面でなされる表示装置の作製方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016144897 | 2016-07-22 | ||
JP2016144897 | 2016-07-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018022149A JP2018022149A (ja) | 2018-02-08 |
JP6999315B2 true JP6999315B2 (ja) | 2022-01-18 |
Family
ID=61164459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017141202A Active JP6999315B2 (ja) | 2016-07-22 | 2017-07-20 | 表示装置の作製方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6999315B2 (ja) |
TW (1) | TW201824222A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3751331A4 (en) | 2018-02-09 | 2022-03-23 | Mitsui Chemicals, Inc. | GOAL ELEMENT |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001290439A (ja) | 2000-02-01 | 2001-10-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2003076302A (ja) | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Sharp Corp | 表示装置 |
WO2004053819A1 (ja) | 2002-12-06 | 2004-06-24 | Citizen Watch Co., Ltd. | 液晶表示装置 |
JP2008159934A (ja) | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Kyodo Printing Co Ltd | フレキシブルtft基板及びその製造方法とフレキシブルディスプレイ |
US20090195150A1 (en) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Industrial Technology Research Institute | Reflective liquid crystal display, top-emitting oled display and fabrication method thereof |
JP2010206040A (ja) | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Casio Computer Co Ltd | 薄膜素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3482856B2 (ja) * | 1998-01-26 | 2004-01-06 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
-
2016
- 2016-11-21 TW TW105138114A patent/TW201824222A/zh unknown
-
2017
- 2017-07-20 JP JP2017141202A patent/JP6999315B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001290439A (ja) | 2000-02-01 | 2001-10-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2003076302A (ja) | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Sharp Corp | 表示装置 |
WO2004053819A1 (ja) | 2002-12-06 | 2004-06-24 | Citizen Watch Co., Ltd. | 液晶表示装置 |
JP2008159934A (ja) | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Kyodo Printing Co Ltd | フレキシブルtft基板及びその製造方法とフレキシブルディスプレイ |
US20090195150A1 (en) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Industrial Technology Research Institute | Reflective liquid crystal display, top-emitting oled display and fabrication method thereof |
JP2010206040A (ja) | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Casio Computer Co Ltd | 薄膜素子およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201824222A (zh) | 2018-07-01 |
JP2018022149A (ja) | 2018-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7049784B2 (ja) | 表示装置 | |
JP7076959B2 (ja) | 剥離方法 | |
JP6983569B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP6975562B2 (ja) | 表示装置 | |
JP6961419B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
CN109891551B (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
JP6871253B2 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
JP2017191317A (ja) | 表示装置 | |
US10693097B2 (en) | Display device including two display elements, display module, electronic device, and method for manufacturing display device | |
JP2018025795A (ja) | 表示装置 | |
JP7277636B2 (ja) | 表示装置、表示モジュール及び電子機器 | |
JP2017194520A (ja) | 表示装置 | |
JP6999315B2 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
JP6822796B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2017227889A (ja) | 表示装置 | |
JP6799405B2 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
JP6931985B2 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
WO2017208161A1 (ja) | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 | |
JP6865013B2 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
JP2018013725A (ja) | 表示装置の作製方法、表示装置、表示モジュールおよび電子機器 | |
JP2018036487A (ja) | 表示装置、および電子機器 | |
JP2018013779A (ja) | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 | |
JP2017227794A (ja) | 表示装置およびその動作方法、ならびに電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200615 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210518 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210618 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211222 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6999315 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |