JP2019132987A - 表示装置 - Google Patents

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佳克 今関
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Abstract

【課題】 表示品位の向上が可能な表示装置を提供する。【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、第1導電層を含む第1基板と、前記第1基板と対向する第1下面と、前記第1下面の反対側の第1上面とを有する基体を含む第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置された表示機能層と、前記第1上面に設けられた第2導電層と、前記第1上面に設けられ、前記第2導電層に電気的に接続された第3導電層と、前記第3導電層を覆い、遮光性を有する第4導電層と、前記基体に設けられた、第1貫通孔と、前記第1導電層及び前記第2導電層を電気的に接続する接続材と、前記第1貫通孔及び前記接続材と重畳し、遮光性を有する絶縁材料と、を備え、前記接続材は、前記第1貫通孔を通って前記第1導電層及び前記第2導電層に接触している。【選択図】 図1

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。
表示装置の一例として、液晶表示装置が知られている。液晶表示装置は、画素電極やスイッチング素子が形成されたアレイ基板と、アレイ基板に対向する対向基板と、これらアレイ基板及び対向基板の間に配置された液晶層とを備えている。
液晶表示装置が対向基板の側から触れられると、対向基板に静電気が蓄積することがある。このような静電気による電界や、液晶表示装置の外部からの電界が液晶層に作用すると、液晶分子の配向が乱れて表示品位が低下し得る。また、液晶表示装置の製造工程においても、対向基板に静電気が蓄積し得る。この静電気が放電すると、各種配線や回路等が損傷し、製造歩留りの低下を招き得る。
上記のような表示品位の低下や製造歩留りの低下を抑制するために、例えば、対向基板の外面に導電層を設け、この導電層と、アレイ基板の接地された配線とを導電性のテープで接続する技術が提案されている。この構成においては、導電層により対向基板の帯電を防ぎ、外部からの電界も遮蔽することができる。
特開2015−161753号公報
本開示の一態様における目的は、表示品位の向上が可能な表示装置を提供することにある。
一実施形態に係る表示装置は、第1導電層を含む第1基板と、前記第1基板と対向する第1下面と、前記第1下面の反対側の第1上面とを有する基体を含む第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置された表示機能層と、前記第1上面に設けられた第2導電層と、前記第1上面に設けられ、前記第2導電層に電気的に接続された第3導電層と、前記第3導電層を覆い、遮光性を有する第4導電層と、前記基体に設けられた、第1貫通孔と、前記第1導電層及び前記第2導電層を電気的に接続する接続材と、前記第1貫通孔及び前記接続材と重畳し、遮光性を有する絶縁材料と、を備え、前記接続材は、前記第1貫通孔を通って前記第1導電層及び前記第2導電層に接触している。
図1は、第1実施形態の表示装置の一構成例を示す平面図である。 図2は、導電層、オーバーコート層、及び保護材の一例を示す平面図である。 図3は、図1に示した表示パネルの基本構成及び等価回路を示す図である。 図4は、表示領域における表示装置の一部を概略的に示す断面図である。 図5は、センサの一構成例を示す平面図である。 図6は、図1に示したA1−B1線に沿って切断した表示装置の一部の概略的な断面図である。 図7は、図2に示したA2−B2線に沿って切断した表示装置の一部の概略的な断面図である。 図8は、第1実施形態の他の構成例に係る表示装置の一部の概略的な断面図である。 図9は、第2実施形態に係る表示装置の一例を示す平面図である。 図10は、第2実施形態に係る表示装置の導電層、オーバーコート層、及び保護材の一例を示す平面図である。 図11は、第2実施形態に係る表示装置の概略的な平面図である。 図12は、第2実施形態に係る表示装置の一部の概略的な断面図である。
以下、いくつかの実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
各実施形態においては、表示装置の一例として液晶表示装置を開示する。この液晶表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、車載機器、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。各実施形態にて開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置など、他種の表示装置にも適用可能である。
<第1実施形態>
図1は、第1実施形態の表示装置DSPの一構成例を示す平面図である。ここでは、表示装置DSPの一例として、センサSSを搭載した液晶表示装置について説明する。第1方向X、第2方向Y、及び、第3方向Zは、互いに直交しているが、90度以外の角度で交差していてもよい。第1方向X及び第2方向Yは、表示装置DSPを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第3方向Zは、表示装置DSPの厚さ方向に相当する。以下、第3方向Zの長さを厚さと称する。ここでは、第1方向X及び第2方向Yによって規定されるX−Y平面における表示装置DSPの平面図を示している。以下の説明において、第3方向ZからX−Y平面を見ることを平面視という。
表示装置DSPは、表示パネルPNL、ICチップI1、配線基板SUB3などを備えている。表示パネルPNLは、液晶表示パネルであり、第1基板SUB1と、第2基板SUB2と、シールSEと、表示機能層(後述する液晶層LC)と、を備えている。第2基板SUB2は、第1基板SUB1に対向している。シールSEは、図1において右上がりの斜線で示した部分に相当し、第1基板SUB1と第2基板SUB2とを接着している。以下の説明で、X−Y平面に対して垂直な方向、例えば、第3方向Zにおいて、第1基板SUB1から第2基板SUB2に向かう方向を上方(あるいは、単に上)と称し、第2基板SUB2から第1基板SUB1に向かう方向を下方(あるいは、単に下)と称する。
表示パネルPNLは、画像を表示する表示領域DA、及び、表示領域DAを囲む額縁状の非表示領域NDAを備えている。表示領域DAは、例えば、シールSEによって囲まれた内側に位置している。シールSEは、非表示領域NDAに位置している。
ICチップI1は、配線基板SUB3に実装されている。なお、図示した例に限らず、ICチップI1は、第2基板SUB2よりも外側に延出した第1基板SUB1に実装されていてもよいし、配線基板SUB3に接続される外部回路基板に実装されていてもよい。ICチップI1は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバDDを内蔵している。ここでのディスプレイドライバDDは、後述する信号線駆動回路SD、走査線駆動回路GD、及び、共通電極駆動回路CDの少なくとも一部を含むものである。また、図示した例では、ICチップI1は、タッチパネルコントローラなどとして機能する検出回路RCを内蔵している。なお、検出回路RCは、ICチップI1とは異なる他のICチップに内蔵されていてもよい。
センサSSは、表示装置DSPへの被検出物の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサSSは、複数の検出電極Rx(Rx1、Rx2、Rx3、Rx4…)を備えている。複数の検出電極Rxは、それぞれ、第2基板SUB2に設けられている。これらの検出電極Rxは、それぞれ、第1方向Xに延出し、第2方向Yに間隔をおいて並んでいる。
複数の検出電極Rx(Rx1、Rx2、Rx3、Rx4…)は、それぞれ、検出部RS(RS1、RS2、RS3、RS4…)と、端子部RT(RT1、RT2、RT3、RT4…)と、パッドDP(DP1、DP2、DP3、DP4…)と、接続部CN(CN1、CN2、CN3、CN4…)とを備えている。
検出部RSは、それぞれ、表示領域DAに位置し、第1方向Xに延出している。検出電極Rxにおいては、主として検出部RSがセンシングに利用される。図示した例では、検出部RSは、それぞれ、帯上に示されているが、より具体的には、微細な金属細線の集合体によって形成されている。なお、図示した例では、検出電極Rxは、それぞれ、2本の検出部RSを備えているが、3本以上の検出部RSを備えていても良いし、1本の検出部RSを備えていてもよい。
端子部RTは、それぞれ、検出部RSに電気的に繋がっている。図示した例では、奇数番目の検出電極Rx1、Rx3…の各々の端子部RT1、RT3…は、非表示領域NDAの第1方向Xで一端側部(以下、第1側部と称する)に位置している。また、偶数番目の検出電極Rx2、Rx4…の各々の端子部RT2、RT4…は、いずれも非表示領域NDAの第1側部と第1方向Xで反対側の他端側部(以下、第2側部と称する)に位置している。端子部RTは、平面視でシールSEと重なる位置に形成されている。
パッドDPは、それぞれ、端子部RTに電気的に接続されている。図示した例では、パッドDPは、接続配線CW(CW1、CW2、CW3、CW4…)を介して検出部RS及び端子部RTに電気的に接続されている。奇数番目の検出電極Rx1、Rx3…の各々のパッドDP1、DP3…は、第1側部に位置している。また、偶数番目の検出電極Rx2、Rx4…の各々のパッドDP2、DP4…は、第2側部に位置している。なお、パッドDPは、検出電極Rxとは別体で形成されていてもよい。また、パッドDPは、検出部RSに直接接続されていてもよい。また、パッドDPは、それぞれ、平面視した場合に、四角形状以外の形状、例えば、円形状、楕円形状、及び多角形状等に形成されていてもよい。パッドDPは、例えば、検出電極Rxと後述するパッドPとの導通を検査するための検査パッドである。
一方で、第1基板SUB1は、複数のパッドP(P1、P2、P3、P4…)及び複数の配線W(W1、W2、W3、W4…)を備えている。図示した例では、奇数番目のパッドP1、P3…及び配線W1、W3…は、いずれも非表示領域NDAの第1側部に位置している。また、偶数番目のパッドP2、P4…及び配線W2、W4…は、いずれも非表示領域NDAの第2側部に位置している。パッドP及び配線Wは、それぞれ、平面視でシールSEと重なっている。パッドPは、それぞれ、平面視で、対応する端子部RTと重なる位置に形成されている。図示した例では、パッドPは、それぞれ、平面視した場合に台形状に形成されている。なお、パッドPは、それぞれ、平面視した場合に台形状以外の形状、例えば、多角形状、円形状、及び、楕円形状等に形成されていてもよい。配線Wは、それぞれ、パッドPに接続され、第2方向Yに沿って延出し、配線基板SUB3を介してICチップI1の検出回路RCと電気的に接続されている。なお、パッドP、配線W、及び配線基板SUB3は、静電気対策の構成、例えば、接地電位(GND)が印加された構成を有していてもよい。
図示したように、パッドP3が第2方向YにおいてパッドP1よりも配線基板SUB3に近い位置に配置されたレイアウトでは、配線W1は、第1方向XにおいてパッドP3の内側(つまり、表示領域DAが設けられた方向)を迂回し、パッドP3と配線基板SUB3との間で、配線W3の内側で配線W3に並んで配置されている。同様に、配線W2は、第1方向XにおいてパッドP4の内側を迂回し、パッドP4と配線基板SUB3との間で、配線W4の内側で配線W4に並んで配置されている。
複数の接続用孔(接続孔)V(V1、V2、V3、V4…)は、それぞれ、端子部RT(RT1、RT2、RT3、RT4…)とパッドP(P1、P2、P3、P4…)とが対向する位置に形成されている。また、複数の接続用孔Vは、それぞれ、端子部RTを含む第2基板SUB2及びシールSEを貫通するとともに、パッドPまで貫通するように形成され得る。図示した例では、複数の接続用孔Vは、それぞれ、平面視で円形であるが、その形状は図示した例に限らず、楕円形などの他の形状であっても良い。複数の接続用孔Vには、接続材C(C1、C2、C3、C4…)がそれぞれ設けられている。接続材Cは、それぞれ、端子部RTとパッドPとを電気的に接続している。つまり、第2基板SUB2に設けられた複数の検出電極Rxは、それぞれ、接続材Cを介して、第1基板SUB1のパッドPに接続された配線基板SUB3の検出回路RCと電気的に接続している。検出回路RCは、複数の検出電極Rxの各々から出力されたセンサ信号を読み取り、被検出物の接触あるいは接近の有無や、被検出物の位置座標などを検出する。以下、パッドPを第1導電層と称し、検出電極Rxを第2導電層と称する場合もある。なお、第1基板SUB1は、第2基板SUB2から接続用孔Vを介して流れる静電気対策の構成を有していてもよい。例えば、第1基板SUB1は、第2基板SUB2から接続用孔Vを介して流れる静電気対策として接地電位が印加された構成を有していてもよい。
以上で説明したような表示装置DSPのレイアウトによれば、非表示領域NDAにおける第1側部の幅と第2側部の幅とを均一化することができ、狭額縁化に好適である。
図2は、導電層CB、オーバーコート層30、及び保護材PTの一例を示す平面図である。ここでは、図1に示した検出電極Rx1のパッドDP1及び端子部RT1を用いて説明するが他のパッドDP及び端子部RTにもパッドDP1及び端子部RT1と同様の構成が適用できる。
表示装置DSPは、検出電極Rxを保護するオーバーコート層30と、パッドDPを保護する導電層CBと、接続材Cを保護する保護材PTとをさらに備えている。図示した例では、オーバーコート層30は、平面視した場合に検出電極Rx1のほとんどに重なっている。オーバーコート層30は、パッドDP1、接続用孔V1、及び接続材C1には重なっていない。導電層CBは、パッドDP1と接続配線CWの一部とに重なっている。導電層CBは、平面視した場合、非表示領域NDAに位置し、パッドDP1よりも大きい。また、第1方向Xにおいて、導電層CBの幅は、第2基板SUB2の端部SUB2Eから表示領域DAまでの距離よりも小さくなるように形成され得る。導電層CBは、遮光性を有する導電材料、例えば、黒色の導電材料で形成されている。導電層CBは、カーボンを主成分とする材料、例えば、カーボンブラックで形成されている。なお、図示した例では、導電層CBは、四角形状に形成されているが、四角形状でなくともよい。例えば、導電層CBは、円形状、楕円形状、又は多角形状に形成されていてもよい。また、導電層CBは、平面視した場合、パッドDP1と同じ大きさであってもよい。導電層CBは、平面視した場合に、少なくともパッドDP1に重なっていればよい。例えば、導電層CBは、パッドDP1の全体に重なっている。保護材PTは、接続用孔V1及び接続材C1に重畳している。図示した例では、保護材PTは、平面視した場合、円形状に形成されているが、円形状でなくともよい。例えば、保護材PTは、四角形状、多角形状、又は多角形状に形成されていてもよい。保護材PTは、遮光性を有する絶縁材料、例えば、黒色の有機絶縁材料で形成されている。保護材PTは、例えば、酸窒化チタン(チタンブラック)で形成されている。オーバーコート層30、導電層CB、及び保護材PTについて後述する。
図3は、図1に示した表示パネルPNLの基本構成及び等価回路を示す図である。
表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数の画素PXを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素PXは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数本の走査線G(G1〜Gn)、複数本の信号線S(S1〜Sm)、共通電極CEなどを備えている。複数の走査線Gは、第1方向Xに延出し、第2方向Yに並んでいる。複数の信号線Sは、第2方向Yに延出し、第1方向Xに並んでいる。走査線G及び信号線Sは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料又はこれらの合金材料によって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。なお、走査線G及び信号線Sは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極CEは、複数の画素PXに亘って配置されている。走査線G、信号線S、及び、共通電極CEは、それぞれ非表示領域NDAに引き出されている。非表示領域NDAにおいて、走査線Gは走査線駆動回路GDに接続され、信号線Sは信号線駆動回路SDに接続され、共通電極CEは共通電極駆動回路CDに接続されている。信号線駆動回路SD、走査線駆動回路GD、及び、共通電極駆動回路CDは、第1基板SUB1上に形成されてもよいし、これらの一部或いは全部が図1に示したICチップI1に内蔵されていてもよい。
各画素PXは、スイッチング素子SW、画素電極PE、共通電極CE、及び液晶層LC等を備えている。スイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタ(TFT)によって構成され、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子SWは、ゲート電極WG、ソース電極WS、及び、ドレイン電極WDを備えている。ゲート電極WGは、走査線Gと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Sと電気的に接続された電極をソース電極WSと称し、画素電極PEと電気的に接続された電極をドレイン電極WDと称する。共通電極CE及び画素電極PEは、例えばインジウム錫酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)などの透明な導電材料によって形成されている。
走査線Gは、第1方向Xに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと接続されている。信号線Sは、第2方向Yに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと接続されている。画素電極PEの各々は、例えば、共通電極CEと対向し、画素電極PEと共通電極CEとの間に生じる電界によって液晶層LCを駆動している。保持容量CSは、例えば、共通電極CEと画素電極PEとの間に形成される。
図4は、表示領域DAにおける表示装置DSPの一部を概略的に示す断面図である。ここでは、表示装置DSPを第1方向Xに沿って切断した断面図を示す。図示した表示装置DSPは、主に基板主面と略平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示装置DSPは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有してもよい。横電界を利用する表示モードでは、例えば第1基板SUB1及び第2基板SUB2のいずれか一方が画素電極PE及び共通電極CEの双方を備える構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第1基板SUB1が画素電極PE及び共通電極CEの一方を備え、第2基板SUB2が画素電極PE及び共通電極CEの他方を備える構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、X−Y平面と平行な面である。
第1基板SUB1は、第1基体10(第1絶縁基板)、信号線S、共通電極CE、画素電極PE、第1絶縁層11、第2絶縁層12、第3絶縁層13、及び第1配向層14などを備えている。なお、ここでは、上述のスイッチング素子SWや走査線G、これらの間に介在する各種絶縁層等の図示を省略している。
第1基体10は、例えば、無アルカリガラスによって形成され、第2基板SUB2と対向する上面10A(第1面10A)と、上面10Aの反対側の下面10B(第2面10B)とを有している。第1絶縁層11は、上面10Aの上に配置されている。信号線Sは、第1絶縁層11の上に配置されている。第2絶縁層12は、信号線S及び第1絶縁層11の上に配置されている。共通電極CEは、第2絶縁層12の上に配置されている。第3絶縁層13は、共通電極CEの上に配置されている。画素電極PEは、第3絶縁層13の上に配置されている。画素電極PEは、第3絶縁層13を介して共通電極CEと対向している。図4の例において、画素電極PEは、1つのスリットSLを有している。但し、画素電極PEは、より多くのスリットSLを有してもよいし、スリットSLを有さなくてもよい。第1配向層14は、画素電極PE及び第3絶縁層13を覆っている。例えば、第1絶縁層11及び第3絶縁層13は無機絶縁層であり、第2絶縁層12は有機絶縁層である。
なお、第1基板SUB1の構成は、図示した例に限らず、画素電極PEが第2絶縁層12と第3絶縁層13との間に位置し、共通電極CEが第3絶縁層13と第1配向層14との間に位置してもよい。また、画素電極PE及び共通電極CEの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように同層に配置されてもよい。
第2基板SUB2は、第2基体20(第2絶縁基板)、遮光層21、カラーフィルタ22、オーバーコート層23、第2配向層24などを備えている。
第2基体20は、例えば無アルカリガラスによって形成され、第1基板SUB1と対向する下面20A(第1面20A)と、下面20Aの反対側の上面20B(第2面20B)とを有している。遮光層21及びカラーフィルタ22は、下面20Aの下に配置されている。遮光層21は、各画素を区画し、信号線Sの直上に位置している。
カラーフィルタ22は、画素電極PEと対向し、その一部が遮光層21と重なっている。カラーフィルタ22は、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタなどを含む。オーバーコート層23は、カラーフィルタ22を覆っている。第2配向層24は、オーバーコート層23を覆っている。液晶層LCは、第1配向層14と第2配向層24との間に配置されている。なお、カラーフィルタ22は、第1基板SUB1に配置されてもよい。カラーフィルタ22は、4色以上のカラーフィルタを含んでいてもよい。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されていてもよいし、無着色の樹脂材料が配置されていてもよいし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層を配置してもよい。
検出電極Rxは、第2基体20の主面20Bの側に位置している。図示した例では、検出電極Rxは、第2基体20の上面20Bに接触している。検出電極Rxは、金属を含む導電層、例えば、ITOやIZO等の透明な導電材料によって形成されていてもよいし、金属を含む導電層の上に透明導電層が積層されていてもよいし、導電性の有機材料や、微細な導電性物質の分散体などによって形成されていてもよい。オーバーコート層(保護層)30は、検出電極Rxの上に接触し、検出電極Rxの上のほとんどを覆っている。オーバーコート層30は、例えば、有機絶縁材料で形成されている。
表示装置DSPは、カバー部材CGと、照明装置BLと、第1偏光板PL1と、第2偏光板PL2と、をさらに備えている。
第1偏光板PL1は、上面20Bの側に位置している。図示した例では、第1偏光板PL1は、カバー部材CGと検出電極Rxとの間に位置している。第1偏光板PL1は、オーバーコート層30に接着されている。カバー部材CGは、接着層50を介して第1偏光板PL1に貼り付けられている。カバー部材CGは、例えば、ガラスを用いて形成されているが、ガラス以外の材料を用いて形成されていてもよい。第2偏光板PL2は、下面10B側に位置している。図示した例では、第2偏光板PL2は、第1基板SUB1と照明装置BLとの間に位置している。第2偏光板PL2は、下面10Bに接触している。各偏光板PL1、PL2は、少なくとも表示領域DAの全域と対向している。なお、表示装置DSPは、カバー部材CGと第2基板SUB2との間、及び、第1基板SUB1と照明装置BLとの間に位相差板などの光学素子をさらに備えてもよい。また、第2偏光板PL2と検出電極Rxとの間には、各種絶縁層や各種導電層が配置されていてもよい。
なお、図4に示す表示装置DSPは、照明装置BLからの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過型の構造の適用例である。この例に限らず、表示装置DSPは、第2基板SUB2の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射型であってもよいし、透過型及び反射型の双方の機能を備えた半透過型であってもよい。
図5は、センサSSの一構成例を示す平面図である。
図5に示した例では、センサSSは、センサ駆動電極Tx、及び、検出電極Rxを備えている。図5において、センサ駆動電極Txは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第1基板SUB1に設けられている。また、検出電極Rxは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第2基板SUB2に設けられている。センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxは、X−Y平面において、互いに交差している。検出電極Rxは、第3方向Zにおいて、センサ駆動電極Txと対向している。
センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxは、表示領域DAに位置し、それらの一部が非表示領域NDAに延在している。図示した例では、センサ駆動電極Txは、それぞれ第2方向Yに延出した帯状の形状を有し、第1方向Xに間隔を置いて並んでいる。検出電極Rxは、それぞれ第1方向Xに延出し、第2方向Yに間隔を置いて並んでいる。検出電極Rxは、図1を参照して説明したように、第1基板SUB1に設けられたパッドPに接続され、配線を介して検出回路RCと電気的に接続されている。センサ駆動電極Txの各々は、配線WRを介して共通電極駆動回路CDと電気的に接続されている。なお、センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。
センサ駆動電極Txは、上記の共通電極CEを含み、画素電極PEとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極Rxとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。
共通電極駆動回路CDは、表示領域DAに画像を表示する表示駆動時に、共通電極CEを含むセンサ駆動電極Txに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路CDは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Txに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Rxは、センサ駆動電極Txへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センシングに必要なセンサ信号(つまり、センサ駆動電極Txと検出電極Rxとの間の電極間容量の変化に基づいた信号)を出力する。検出電極Rxから出力された検出信号は、図1に示した検出回路RCに入力される。
なお、上記した構成例におけるセンサSSは、一対の電極間の静電容量(上記の例ではセンサ駆動電極Txと検出電極Rxとの間の静電容量)の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式に限らず、検出電極Rxの静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式であっても良い。
図6は、図1に示したA1−B1線に沿って切断した表示装置DSPの一部の概略的な断面図である。ここでは、図4に示した第1基板SUB1及び第2基板SUB2が備える各要素、照明装置BL、及び第2偏光板PL2の図示を適宜省略している。以下、接続用孔V1を用いて説明するが他の接続用孔Vにも接続用孔V1と同様の構成が適用できる。
第1基板SUB1と第2基板SUB2とは、シールSEによって貼り合わされている。シールSEは、例えば、図1に示したように表示領域DAを囲う環状に形成されている。図6に示した例において、シールSEと第1基体10との間に第2絶縁層12が配置され、シールSEと第2基体20との間に遮光層21及びオーバーコート層23が配置されている。シールSE、第2絶縁層12、遮光層21、及びオーバーコート層23は、例えば有機絶縁層である絶縁層ILを構成する。なお、絶縁層ILは、無機絶縁層を含んでいてもよい。以下、絶縁層ILを層間絶縁層ILと称する場合もある。
なお、絶縁層ILは、図4に示した第1配向層14や第2配向層24などをさらに含んでもよい。また、絶縁層ILは、第2絶縁層12、オーバーコート層23、及び遮光層21の少なくとも1つを含まなくてもよい。絶縁層ILは、他の層を含んでいてもよい。
第1基板SUB1は、第1導電層L1を備えている。図6に示した例において、第1導電層L1は、第1基体10の上面10Aに形成されるとともに、第2絶縁層12で覆われている。この例に限らず、第1導電層L1と第1基体10との間や第1導電層L1と第2絶縁層12との間に、各種絶縁層や各種導電層が配置されてもよい。第1導電層L1は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金や、ITO及びIZOなどの透明な導電材料によって形成することができる。第1導電層L1は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。
第2導電層L2は、第2基体20の上面20Bの側に位置している。図示した例では、第2導電層L2は、オーバーコート層30で覆われている。また、第2導電層L2は、第2基体20の上面20Bに接触している。図示した例では、第2導電層L2は、図1に示した検出電極Rx1に相当する。第2導電層L2は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金や、ITO及びIZOなどの透明な導電材料によって形成することができる。第2導電層L2は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。なお、第2導電層L2と上面20Bとの間には、各種絶縁層や各種導電層が配置されていてもよい。また、オーバーコート層30と第2導電層L2との間にも、各種絶縁層や各種導電層が配置されていてもよい。オーバーコート層30は、第1偏光板と第2導電層L2との間に位置している。
第1偏光板PL1は、第2基体20の上面20Bの側から順に、接着層40と、保護層41と、偏光層42と、保護層43と、コート層44とを備えている。図6に示した例では、第1偏光板PL1は、接着層40によりオーバーコート層30に接着している。なお、接着層40とオーバーコート層30との間には各種絶縁層や各種導電層が配置されていてもよい。
偏光層42は、例えばポリビニルアルコール(PVA)を主体として形成されており、光の特定の偏光成分を吸収し、他の偏光成分を通過させる。保護層41及び保護層43は、例えばトリアセチルセルロース(TAC)により形成されている。保護層41及び保護層43は、偏光層42を挟み込んで、偏光層42を両面から保護している。コート層44は、目的に応じた適宜の機能を有した層である。一例として、コート層44としては、ハードコート層(HC)、アンチグレア層(AG)、反射防止層(AR)、或いは低反射層(LR)などを適用できる。第2偏光板PL2も、以上述べた第1偏光板PL1と同様の構成を有している。
本実施形態において、接着層40は、導電性を有した導電接着層である。例えば、接着層40に有機導電体を混ぜることにより、接着層40に導電性を与えることができる。接着層40は、第1偏光板PL1とオーバーコート層30との間の全域に亘って形成されている。したがって、接着層40は、表示領域DAの全域と対向する。
オーバーコート層30は、貫通孔VA1を有している。第2導電層L2は、貫通孔VA1に繋がる貫通孔VA2を有している。第2基体20は、下面20Aと上面20Bとを貫通し、貫通孔VA1及びVA2に繋がる貫通孔VA3を有している。絶縁層ILは、下面20Aと上面10Aとの間を貫通し、各貫通孔VA1、VA2、及びVA3に繋がる貫通孔VA4を有している。第1導電層L1は、各貫通孔VA1〜VA4に繋がる貫通孔VA5を有している。また、第1基体10は、各貫通孔VA1〜VA5に繋がる凹部R1を上面10Aに有している。図示した例では、各貫通孔VA1〜VA5及び凹部R1は、非表示領域NDAに位置している。なお、貫通孔VA4は、絶縁層ILを構成する各層、すなわち図6に示した例ではシールSE、第2絶縁層12、遮光層21、及びオーバーコート層23をそれぞれ貫通している。
凹部R1は、上面10Aから下面10Bに向かって形成されているが、図示した例では、下面10Bまで貫通していない。一例では、凹部R1の第3方向Zに沿った深さは、第1基体10の第3方向Zに沿った厚さの約1/5〜約1/2程度である。なお、第1基体10は、凹部R1の代わりに、上面10Aと下面10Bとの間を貫通する貫通孔を有してもよい。
各貫通孔VA1〜VA5及び凹部R1は、それぞれの孔の中心位置が平面視で見て一致しており、第3方向Zに沿った同一直線状に位置し、接続用孔V1を構成している。各貫通孔VA1〜VA5及び凹部R1は、例えば平面視における形状が正円形であるが、楕円形などの他の形状であってもよい。なお、接続用孔V1は、第3方向に沿った同一直線状に位置する各貫通孔VA1〜VA5及び凹部R1の少なくとも1つによって構成されていてもよい。
図6に示した例において、各貫通孔VA1〜VA5は、いずれも下方に向かうに連れて幅(内径)が小さくなる。すなわち、貫通孔VA1の内面F1、貫通孔VA2の内面F2、貫通孔VA3の内面F3、貫通孔VA4の内面F4、及び貫通孔VA5の内面F5は、第3方向Zに対して傾いたテーパ状である。図6に示した例では、各内面F1〜F5が断面視で直線状であるが、曲線状であってもよい。また、各貫通孔VA1〜VA5は、上方に向かうに連れて幅(内径)が小さくなる形状を有してもよいし、幅が一定(各内面F1〜F5が第3方向Zと平行)であってもよい。
貫通孔VA1と貫通孔VA2との境界近傍においては、貫通孔VA2の幅よりも貫通孔VA1の幅の方が大きい。これにより、第2導電層L2は、貫通孔VA2の周囲において、オーバーコート層30から露出している第1領域A1を有している。例えば、第1領域A1の平面視における形状は、貫通孔VA2を全周に亘って囲う環状である。但し、第1領域A1は、貫通孔VA2の周囲の一部に設けられてもよいし、断続的に複数設けられてもよい。
貫通孔VA4と貫通孔VA5との境界近傍においては、貫通孔VA5の幅よりも貫通孔VA4の幅の方が大きい。これにより、第1導電層L1は、貫通孔VA5の周囲において、絶縁層ILから露出した第2領域A2を有している。例えば、第2領域A2の平面視における形状は、貫通孔VA5を全周に亘って囲う環状である。但し、第2領域A2は、貫通孔VA5の周囲の一部に設けられてもよいし、断続的に複数設けられてもよい。
表示装置DSPは、各貫通孔VA2〜VA5を通じて第1導電層L1と第2導電層L2とを電気的に接続する接続材Cをさらに備えている。図6に示した例では、接続材Cは、図1に示した接続材C1に相当する。接続材Cは、各貫通孔VA1〜VA5の内面F1〜F5、凹部R1の内面、第1領域A1、及び第2領域A2を途切れることなく連続的に覆っている。一例として、接続材Cは、銀などの金属材料を含み、その粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの微粒子を含むものであることが望ましい。
接続材Cは、貫通孔VA5の内面F5だけでなく、第2領域A2においても第1導電層L1に接触している。これにより、内面F5にのみ接触する場合に比べて接触面積を大きくでき、導通の信頼性が向上する。また、接続材Cは、貫通孔VA2の内面F2だけでなく第1領域A1においても第2導電層L2に接触している。これにより、内面F2にのみ接触する場合に比べて接触面積を大きくでき、導通の信頼性が向上する。
接続材Cの内側には、遮光性を有する絶縁材料である保護材PTが充填されている。図示した例では、保護材PTは、第1領域A1に位置する接続材Cの端部も覆っている。保護材PTの一部は、貫通孔VA1を覆い、貫通孔VA1の上に突出している。なお、保護材PTは、貫通孔VA1から突出していなくともよい。この保護材PTにより、接続用孔V1に露出する各部や接続材Cが外部から浸入する水分などにより腐食することが防がれる。さらに、保護材PTにより、接続用孔V1に起因した凹凸の発生が防がれる。
保護材PTの上面は、第1偏光板PL1の接着層40で覆われている。この接着層40を介して、第1偏光板PL1の下面は、オーバーコート層30及び保護材PTに接着している。第1偏光板PL1の上面は、接着層50を介してカバー部材CGに接着している。このようにカバー部材CGが設けられるために、接続用孔V1の形成により第2基板SUB2などの強度が低下したとしても、接続用孔V1の近傍が十分に保護される。
カバー部材CGは、例えば、第2偏光板PL2と対向する側の面に、加飾層51(遮光層)を備えている。加飾層51は、非表示領域NDAと対向し、上述した表示領域DAの形状に応じて開口している。この加飾層51により、接続用孔V1が外部から視認できなくなっている。
図7は、図2に示したA2−B2線に沿って切断した表示装置DSPの一部の概略的な断面図である。ここでは、図4に示した第1基板SUB1及び第2基板SUB2が備える各要素、照明装置BL、及び第2偏光板PL2の図示を適宜省略している。
パッドDP1は、第2基体20の上面20Bの側に位置している。図示した例では、パッドDP1は、第2基体20の上面20Bに接触し、接続配線CW1を介して端子部RT1に接続されている。
導電層CBは、第2導電層L2の一部と第1偏光板PL1とに電気的に接続されている。図示した例では、導電層CBは、第2導電層L2のパッドDP1と、接続配線CWの一部とに接触している。導電層CBの一部は、第2方向Yにおいて、パッドDP1の端部も覆い、第2基体20の上面20Bに接触している。導電層CBの上面は、第1偏光板PL1の接着層40に接着している。第2導電層L2の上に位置する導電層CBの一部の厚さは、例えば、オーバーコート層30の厚さ以下である。図示した例では、導電層CBは、オーバーコート層30に接触している。以下で、パッドDP(DP1)を第3導電層L3と称し、導電層CBを第4導電層L4と称し、第1偏光板PL1の接着層40を第5導電層L5と称する場合もある。例えば、第5導電層L5(接着層40)、第4導電層L4(導電層CB)、第3導電層L3(パッドDP)、第2導電層L2、接続材C、及び第1導電層L1等を通って接地電位となる電流の経路を形成することで、静電気や外部からの電界等が表示領域DAに作用することを防止できる。なお、第5導電層L5は、導電性を有していれば、導電接着層でなくともよい。例えば、第5導電層L5は、金属材料で形成されていてもよい。導電層CBと第5導電層L5とが電気的に接続されていれば、導電層CBと第5導電層L5との間には、各種絶縁層や各種導電層等が配置されていてもよい。また、導電層CBの一部の厚さは、オーバーコート層30の厚さよりも大きくてもよい。
以上の第1実施形態の構造によれば、パッドDPを導電層CBで覆うことで、例えば、浸入した水分や接着層40に含まれる成分等によるパッドDPの腐食を防止できる。第5導電層L5、第4導電層L4、第3導電層L3、第2導電層、接続材C、及び第1導電層L1等を介して第1偏光板PL1の接着層40を接地電位とすることが可能であるため、第1偏光板PL1や第2基板SUB2の静電気に起因した帯電を防ぐことができる。これにより、静電気の放電に起因した各種配線や回路の損傷を防いで製造歩留りを改善することができる。加えて、表示装置DSPの使用時においては静電気などによる電界が液晶層LCに作用することを防ぎ、表示品位を向上させることができる。
また、導電層CBが遮光性を有しているため、パッドDPで反射した光が視認されることを防止できる。
さらに、接続用孔V1を通じて第1導電層L1と第2導電層L2とを接続している。したがって、極めて少ないスペースで第1導電層L1と第2導電層L2とを接続できる。これにより、表示装置DSPを狭額縁化が可能となる。
次に、本実施形態に係る表示装置DSPの変形例及び他の実施形態について説明する。以下に説明する本実施形態に係る表示装置DSPの変形例や他の実施形態において、前述した実施形態と同一の部分には、同一の参照符号を付しその詳細な説明を省略し、前述の実施形態と異なる部分を中心に詳細に説明する。なお、他の構成例や他の実施形態においても、前述の実施形態と同様の効果を得ることができる。
<第1実施形態の変形例>
図8は、本実施形態の他の構成例に係る表示装置DSPの一部の概略的な断面図である。ここでは、図4に示した第1基板SUB1及び第2基板SUB2が備える各要素、照明装置BL、及び第2偏光板PL2の図示を適宜省略している。
図8に示した例では、導電層CBの一部がオーバーコート層30の上面に接触している点が前述の実施形態の表示装置DSPと相違している。このような構成においても、上記同様の効果が得られる。
<第2実施形態>
次に図9乃至図12を参照して第2実施形態に係る表示装置DSPについて説明する。第2実施形態の表示装置DSPは、第6導電層L6と第7導電層L7とを備えている点が第1実施形態の表示装置DSPと相違している。
図9は、第2実施形態に係る表示装置DSPの一例を示す平面図である。
第2実施形態に係る表示装置DSPにおいて、第6導電層L6は、パッドDPと、端子部RTと、接続配線CWとを備えている。図示した例では、第6導電層L6は、パッドDP5と、端子部RT5と、接続配線CW5とを備えている。第6導電層L6は、非表示領域NDAに位置している。図示した例では、第6導電層L6は、平面視でシールSEと重なる位置に形成されている。第6導電層L6は、前述した第2導電層L2と同じ材料で形成されていてもよい。第6導電層L6は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。パッドDP5は、接続配線CW5を介して端子部RT5に電気的に接続されている。なお、図示した例では、パッドDP5と端子部RT5とは、第2方向Yに沿って設けられているが、第2方向Yに沿って設けられていなくともよい。また、図示した例では、接続用孔V5が、端子部RT5に形成されている。接続用孔V5には、接続材C5が設けられている。
図10は、第2実施形態に係る表示装置DSPの導電層CB、オーバーコート層30、及び保護材PTの一例を示す平面図である。
図示した例では、オーバーコート層30は、平面視した場合に第6導電層L6のほとんどに重なっている。オーバーコート層30は、パッドDP5、接続用孔V5、及び接続材C5には重なっていない。導電層CBは、パッドDP5と接続配線CW5の一部とに重なっている。導電層CBは、非表示領域NDAに位置し、パッドDP5よりも大きい。
図11は、第2実施形態に係る表示装置DSPの概略的な平面図である。図11は、主に、接続用孔V5に関連する要素の構成例を示している。
表示装置DSPは、第7導電層L7を備えている。図示した例では、第7導電層L7は、表示領域DAを囲っている。非表示領域NDAにおいて、第7導電層L7は、シールSE及び第1偏光板PL1と平面視で重なっている。第7導電層L7の両端は、配線基板SUB3に接続されている。第7導電層L7には、配線基板SUB3を介して接地電位(GND)が印加されている。接地電位は、固定的な電位であって、例えば0Vである。このような第7導電層L7は、静電気や外部からの電界が表示領域DAに作用することを防ぐガードリングとして機能する。なお、第7導電層L7の形状は図11に示した例に限られず、種々の態様を採用し得る。例えば、第7導電層L7は、表示領域DAを囲っていなくてもよい。また、第7導電層L7は、ガードリングとしての機能を有さずに、単に第6導電層L6と配線基板SUB3とを接続するための配線であってもよい。また、ガードリングは、外部電界から各回路等に向けての電界の作用を防護するとの観点に鑑み、第1基板SUB1上に形成される各種回路に対して最も外側となる位置に設けられることが好ましく、当該第1基板SUB1の辺縁部に沿って形成される構成を採用することも可能である。なお、前述した第1導電層L1は、第7導電層L7と同じ構成であってもよい。
第7導電層L7は、シールSEと重畳する位置において、パッドP5を有している。例えば、パッドP5は、第7導電層L7の線幅が拡大した領域に相当する。接続用孔V5は、このパッドPと平面視で重なる位置に設けられている。図11に示した例では、非表示領域NDAの(右側の)第2側部にパッドP5及び接続用孔V5が設けられている。但し、パッドP5及び接続用孔V5は、他の位置に設けられもよいし、1つだけでなく複数設けられてもよい。また、パッドP5を設けずに、線幅が一定の第7導電層L7と重なる位置に接続用孔V5を設けてもよい。
図12は、第2実施形態に係る表示装置DSPの一部の概略的な断面図である。ここでは、図4に示した第1基板SUB1及び第2基板SUB2が備える各要素、照明装置BL、及び第2偏光板PL2の図示を適宜省略している。
第1基板SUB1は、第7導電層L7を備えている。図示した例では、第7導電層L7は、第1基体10の上面10Aに形成されるとともに、第2絶縁層12で覆われている。この例に限らず、第7導電層L7と第1基体10との間や第7導電層L7と第2絶縁層12との間に、各種絶縁層や各種導電層が配置されてもよい。第7導電層L7は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金や、ITO及びIZOなどの透明な導電材料によって形成することができる。第7導電層L7は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。
第6導電層L6は、第2基体20の上面20Bの側に位置している。図示した例では、第6導電層L6は、オーバーコート層30で覆われている。また、第6導電層L6は、第2基体20の上面20Bに接触している。パッドDP5(第3導電層L3)は、第2基体20の上面20Bの側に位置している。図示した例では、パッドDP5は、第2基体20の上面20Bに接触し、接続配線CW5を介して端子部RT5に接続されている。
導電層CBは、第6導電層L6の一部と第1偏光板PL1とに電気的に接続されている。図示した例では、導電層CBは、第6導電層L6のパッドDP5と、接続配線CW5の一部とに接触している。導電層CBの一部は、第2方向Yにおいて、パッドDP5の端部も覆い、第2基体20の上面20Bに接触している。導電層CBの上面は、第1偏光板PL1の接着層40に接触している。第6導電層L6の上に位置する導電層CBの一部の厚さは、例えば、オーバーコート層30の厚さ以下である。なお、導電層CBの一部の厚さは、オーバーコート層30の厚さよりも大きくてもよい。また、第6導電層L6と上面20Bとの間には、各種絶縁層や各種導電層が配置されていてもよい。また、オーバーコート層30と第6導電層L6との間にも各種絶縁層や各種導電層が配置されていてもよい。
オーバーコート層30は、貫通孔VA6を有している。第6導電層L6は、貫通孔VA6に繋がる貫通孔VA7を有している。第2基体20は、下面20Aと上面20Bとを貫通し、貫通孔VA6及びVA7に繋がる貫通孔VA8を有している。絶縁層ILは、下面20Aと上面10Aとの間を貫通し、各貫通孔VA6、VA7、及びVA8に繋がる貫通孔VA9を有している。第7導電層L7は、各貫通孔VA6〜VA9に繋がる貫通孔VA10を有している。また、第1基体10は、各貫通孔VA6〜VA10に繋がる凹部R2を上面10Aに有している。図示した例では、各貫通孔VA6〜VA10及び凹部R2は、非表示領域NDAに位置している。なお、貫通孔VA9は、絶縁層ILを構成する各層、すなわち図12に示した例ではシールSE、第2絶縁層12、遮光層21、及びオーバーコート層23をそれぞれ貫通している。凹部R2は、前述した凹部R1とほぼ同等の構成が適用できる。そのため、凹部R2の詳細な説明は省略する。
各貫通孔VA6〜VA10及び凹部R2は、それぞれの孔の中心位置が平面視で見て一致しており、第3方向Zに沿った同一直線状に位置し、接続用孔V5を構成している。各貫通孔VA6〜VA10及び凹部R2は、例えば平面視における形状が正円形であるが、楕円形などの他の形状であってもよい。なお、接続用孔V5は、第3方向に沿った同一直線状に位置する各貫通孔VA6〜VA10及び凹部R2の少なくとも1つによって構成されていてもよい。
図12に示した例において、各貫通孔VA6〜VA10は、いずれも下方に向かうに連れて幅(内径)が小さくなる。すなわち、貫通孔VA6の内面F6、貫通孔VA7の内面F7、貫通孔VA8の内面F8、貫通孔VA9の内面F9、及び貫通孔VA10の内面F10は、第3方向Zに対して傾いたテーパ状である。図12に示した例では、各内面F6〜F10が断面視で直線状であるが、曲線状であってもよい。また、各貫通孔VA6〜VA10は、上方に向かうに連れて幅(内径)が小さくなる形状を有してもよいし、幅が一定(各内面F6〜F10が第3方向Zと平行)であってもよい。
貫通孔VA6と貫通孔VA7との境界近傍においては、貫通孔VA7の幅よりも貫通孔VA6の幅の方が大きい。これにより、第6導電層L6は、貫通孔VA7の周囲において、オーバーコート層30から露出している第3領域A3を有している。例えば、第3領域A3の平面視における形状は、貫通孔VA7を全周に亘って囲う環状である。但し、第3領域A3は、貫通孔VA7の周囲の一部に設けられてもよいし、断続的に複数設けられてもよい。
貫通孔VA9と貫通孔VA10との境界近傍においては、貫通孔VA10の幅よりも貫通孔VA9の幅の方が大きい。これにより、第7導電層L7は、貫通孔VA10の周囲において、絶縁層ILから露出した第4領域A4を有している。例えば、第4領域A4の平面視における形状は、貫通孔VA10を全周に亘って囲う環状である。但し、第4領域A4は、貫通孔VA10の周囲の一部に設けられてもよいし、断続的に複数設けられてもよい。
表示装置DSPは、各貫通孔VA7〜VA10を通じて第6導電層L6と第7導電層L7とを電気的に接続する接続材C5をさらに備えている。接続材C5は、各貫通孔VA6〜VA10の内面F6〜F10、凹部R2の内面、第3領域A3、及び第4領域A4を途切れることなく連続的に覆っている。
接続材C5は、貫通孔VA10の内面F10だけでなく、第4領域A4においても第7導電層L7に接触している。これにより、内面F10にのみ接触する場合に比べて接触面積を大きくでき、導通の信頼性が向上する。また、接続材C5は、貫通孔VA7の内面F7だけでなく第3領域A3においても第6導電層L6に接触している。これにより、内面F7に接触する場合にくらべて接触面積を大きくでき、導通の信頼性が向上する。
接続材C5の内側には、保護材PTが充填されている。図示した例では、保護材PTは、第3領域A3に位置する接続材Cの端部も覆っている。保護材PTの一部が、貫通孔VA6の上に突出している。なお、保護材PTは、貫通孔VA6から突出していなくともよい。
このような構成によれば、例えば、第5導電層L5、第4導電層L4、第3導電層L3、第6導電層L6、接続材C、及び第7導電層L7等を通って接地電位とする電流の経路を形成することで、静電気や外部からの電解等が表示領域DAに作用することを防止できる。
第2実施形態によれば、前述の実施形態と同様の効果が得られる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
各実施形態では、接続用孔V1及びV5がそれぞれ第1基体10の凹部R1及びR2を有するとしたが、接続用孔V1及びV5は、それぞれ凹部R1及び凹部R2を有さなくてもよい。また、接続用孔V1及びV5は、それぞれ第1導電層L1を貫通する貫通孔VA5及びVA10を有さなくてもよい。
本明細書にて開示した構成から得られる表示装置の一例を以下に付記する。
(1)
第1導電層を含む第1基板と、
前記第1基板と対向する第1下面と、前記第1下面の反対側の第1上面とを有する基体を含む第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置された表示機能層と、
前記第1上面に設けられた第2導電層と、
前記第1上面に設けられ、前記第2導電層に電気的に接続された第3導電層と、
前記第3導電層を覆い、遮光性を有する第4導電層と、
前記基体に設けられた、第1貫通孔と、
前記第1導電層及び前記第2導電層を電気的に接続する接続材と、
前記第1貫通孔及び前記接続材と重畳し、遮光性を有する絶縁材料と、
を備え、
前記接続材は、前記第1貫通孔を通って前記第1導電層及び前記第2導電層に接触している、表示装置。
(2)
画像を表示する表示領域と、前記表示領域を囲む非表示領域とを有し、
前記第3導電層及び前記第4導電層は、前記非表示領域に位置する、(1)に記載の表示装置。
(3)
前記第4導電層の第2上面に設けられた偏光板をさらに備え、
前記偏光板は、前記第2上面に電気的に接続している第5導電層を有し、
前記第5導電層は、前記偏光板を前記第4導電層に接着するとともに導電材を含有した導電接着層である、(1)又は(2)に記載の表示装置。
(4)
前記偏光板と前記第2導電層との間に位置しているオーバーコート層をさらに有し、
前記第4導電層は、前記オーバーコート層に接触している、(3)に記載の表示装置。
(5)
前記第4導電層は、平面視で前記第3導電層に重なる、(1)乃至(4)のいずれか1に記載の表示装置。
(6)
前記第1導電層は、接地電位となる、(1)乃至(5)のいずれか1に記載の表示装置。
(7)
前記第1導電層と前記基体との間に配置された絶縁層をさらに備え、
前記絶縁層は、前記第1貫通孔に繋がる第2貫通孔を有し、
前記接続材は、前記第1貫通孔及び前記第2貫通孔を通って前記第1導電層及び前記第3導電層に接触している、(1)乃至(6)のいずれか1に記載の表示装置。
DSP…表示装置、SUB1…第1基板、SUB2…第2基板、10…第1基体、20…第2基体、PL1…第1偏光板、PL2…第2偏光板、30…オーバーコート層、40…接着層、41…保護層、42…偏光層、43…保護層、44…コート層、DA…表示領域、NDA…非表示領域、LC…液晶層、CG…カバー部材、BL…照明装置、L1…第1導電層、L2…第2導電層、L3…第3導電層、L4…第4導電層、L5…第5導電層、L6…第6導電層、L7…第7導電層、V1、V5…接続用孔、VA1〜VA10…貫通孔、R1、R2…凹部、A1…第1領域、A2…第2領域、A3…第3領域、A4…第4領域、C…接続材、PT…保護材。

Claims (7)

  1. 第1導電層を含む第1基板と、
    前記第1基板と対向する第1下面と、前記第1下面の反対側の第1上面とを有する基体を含む第2基板と、
    前記第1基板と前記第2基板との間に配置された表示機能層と、
    前記第1上面に設けられた第2導電層と、
    前記第1上面に設けられ、前記第2導電層に電気的に接続された第3導電層と、
    前記第3導電層を覆い、遮光性を有する第4導電層と、
    前記基体に設けられた、第1貫通孔と、
    前記第1導電層及び前記第2導電層を電気的に接続する接続材と、
    前記第1貫通孔及び前記接続材と重畳し、遮光性を有する絶縁材料と、
    を備え、
    前記接続材は、前記第1貫通孔を通って前記第1導電層及び前記第2導電層に接触している、
    表示装置。
  2. 画像を表示する表示領域と、前記表示領域を囲む非表示領域とを有し、
    前記第3導電層及び前記第4導電層は、前記非表示領域に位置する、請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記第4導電層の第2上面に設けられた偏光板をさらに備え、
    前記偏光板は、前記第2上面に電気的に接続している第5導電層を有し、
    前記第5導電層は、前記偏光板を前記第4導電層に接着するとともに導電材を含有した導電接着層である、請求項1又は2に記載の表示装置。
  4. 前記偏光板と前記第2導電層との間に位置しているオーバーコート層をさらに有し、
    前記第4導電層は、前記オーバーコート層に接触している、請求項3に記載の表示装置。
  5. 前記第4導電層は、平面視で前記第3導電層に重なる、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の表示装置。
  6. 前記第1導電層は、接地電位となる、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の表示装置。
  7. 前記第1導電層と前記基体との間に配置された絶縁層をさらに備え、
    前記絶縁層は、前記第1貫通孔に繋がる第2貫通孔を有し、
    前記接続材は、前記第1貫通孔及び前記第2貫通孔を通って前記第1導電層及び前記第2導電層に接触している、
    請求項1乃至6のいずれか1項に記載の表示装置。
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