TWI662344B - 電子機器及顯示裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之一實施形態之電子機器具備第1基板、第2基板、絕緣層、及連接材。第1基板包含第1導電層。第2基板包含：基體，其具有與第1導電層對向且與第1導電層隔開之第1面、及與第1面為相反側之第2面；第2導電層，其配置於第2面之側；且該第2基板具有貫通第1面與上述第2面之間之第1孔。絕緣層配置於第1導電層與基體之間，具有與第1孔相連之第2孔。連接材通過第1孔及第2孔將第1導電層與第2導電層電性連接。第1孔具有第1面之側之第1開口、及第2面之側之第2開口。第2孔具有第1導電層之側之第3開口、及基體之側之第4開口。再者，第3開口大於第1開口。

Description

電子機器及顯示裝置之製造方法
本發明之實施形態係關於一種電子機器。
近年，研究有各種用以將顯示裝置窄邊框化之技術。一例中揭示有如下技術，即，於貫通樹脂製之第1基板之內表面與外表面的孔之內部具有連接部之配線部，與設置於樹脂製之第2基板之內表面之配線部藉由基板間連接部電性連接。
一實施形態之電子機器具備第1基板、第2基板、絕緣層、及連接材。上述第1基板具備第1導電層。上述第2基板包含：基體，其與上述第1導電層對向且具有與上述第1導電層隔開之第1面及與上述第1面為相反側之第2面；及第2導電層，其配置於上述第2面之側；且上述第2基板具有貫通上述第1面與上述第2面之間之第1孔。上述絕緣層配置於上述第1導電層與上述基體之間，具有與上述第1孔相連之第2孔。上述連接材通過上述第1孔及上述第2孔將上述第1導電層與上述第2導電層電性連接。上述第1孔具有上述第1面之側之第1開口、及上述第2面之側之第2開口。上述第2孔具有上述第1導電層之側之第3開口、及上述基體之側之第4開口。再者，上述第3開口大於上述第1開口。 根據此種構成，可提供一種能夠窄邊框化及低成本化之電子機器。
以下，對一實施形態一面參考圖式一面進行說明。再者，揭示僅為一例，業者中能夠容易想到的確保發明主旨之適當變更當然包含於本發明之範圍內。又，圖式為了使說明更加明確，而與實際之態樣相比，有時模式性地表示各部之寬度、厚度、形狀等，但僅為一例，並非限定本發明之解釋。又，於本說明書與各圖中，關於與已敘圖中所述者發揮同一或類似功能之構成要素標註同一參考符號，有時適當省略重複之詳細說明。 於本實施形態中，揭示顯示裝置作為電子機器之一例。該顯示裝置例如可用於智慧型手機、平板終端、行動電話終端、筆記型個人電腦、車載機器、遊戲機器等各種裝置。本實施形態中所揭示之主要構成可應用於液晶顯示裝置、有機電致發光顯示裝置等自發光型之顯示裝置、具有電泳元件等之電子紙型之顯示裝置、應用MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)之顯示裝置、或者應用電致變色之顯示裝置等。 圖1係表示本實施形態之顯示裝置DSP之構成例的剖面圖。第1方向X、第2方向Y、及第3方向Z相互正交，但亦可以90度以外之角度交叉。第1方向X及第2方向Y相當於與構成顯示裝置DSP之基板之主面平行的方向，第3方向Z相當於顯示裝置DSP之厚度方向。此處，示出由第2方向Y及第3方向Z規定之Y-Z平面中之顯示裝置DSP之一部分之剖面。 顯示裝置DSP具備第1基板SUB1、第2基板SUB2、絕緣層IL、連接材(connecting material)C、及配線基板SUB3。第1基板SUB1及第2基板SUB2於第3方向Z對向。於以下之說明中，將自第1基板SUB1朝向第2基板SUB2之方向稱為上方(或者僅稱為上)，將自第2基板SUB2朝向第1基板SUB1之方向稱為下方(或者僅稱為下)。又，將於自第2基板SUB2朝向第1基板SUB1之方向觀察稱為俯視。又，將觀察圖1之Y-Z平面(或者，由第1方向X及第3方向Z規定之X-Z平面)中之顯示裝置DSP之剖面稱為剖視。 第1基板SUB1具備第1基體(basement)10、及位於第1基體10之與第2基板SUB2對向之側之第1導電層(conductive layer)L1。第1基體10具有與第2基板SUB2對向之第1面10A、及與第1面10A為相反側之第2面10B。於圖示之例中，第1導電層L1位於第1面10A。再者，亦可於第1基體10與第1導電層L1之間、或於第1導電層L1之上配置各種絕緣層或各種導電層。 第2基板SUB2具備第2基體20及第2導電層L2。第2基體20具有與第1基板SUB1對向之第1面20A、及與第1面20A為相反側之第2面20B。關於第2基體20，其第1面20A與第1導電層L1對向，且與第1導電層L1於第3方向Z隔開。於圖示之例中，第2導電層L2位於第2面20B。第1基體10、第1導電層L1、第2基體20、及第2導電層L2按此順序沿第3方向Z排列。絕緣層IL位於第1導電層L1與第2基體20之間。絕緣層IL由例如1個或複數個有機絕緣層(organic insulating layer)構成。但絕緣層IL亦可包含無機絕緣層或其他導電層。又，亦可設置空氣層代替絕緣層IL。再者，亦可於第2基體20與第2導電層L2之間、或第2導電層L2之上配置各種絕緣層或各種導電層。 於本實施形態中，第1基體10及第2基體20係例如由無鹼玻璃等形成之玻璃基板。第1基體10及第2基體20亦可為由聚醯亞胺等形成之樹脂基板。第1導電層L1及第2導電層L2由例如鉬、鎢、鈦、鋁、銀、銅、鉻等金屬材料、組合該等金屬材料而成之合金、或銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)等透明之導電材料等而形成，可為單層結構，亦可為多層結構。連接材C具備銀等金屬材料，較理想的是包含其粒徑為幾奈米至幾十奈米級之微粒子者。絕緣層IL例如具備下述之遮光層、彩色濾光片、保護塗層、配向膜、密封件等之一部分或全部。 配線基板SUB3安裝於第1基板SUB1，與第1導電層L1電性連接。此種配線基板SUB3係例如具有可撓性之撓性基板。再者，所謂本實施形態中可使用之撓性基板，於其至少一部分包含由可彎曲之材料所形成之撓性部即可。例如，關於本實施形態之配線基板SUB3，可為其整體構成為撓性部之撓性基板，亦可為具有由環氧玻璃等硬質材料形成之剛性部及由聚醯亞胺等可彎曲之材料形成之撓性部之剛性撓性基板。 此處，對本實施形態中之第1導電層L1與第2導電層L2之連接結構進行詳細描述。 於第2基板SUB2中，第2基體20具有貫通第1面20A與第2面20B之間之孔VA(第1孔)。孔VA具有第1面20A之側之第1開口O1、及第2面20B之側之第2開口O2。絕緣層IL具有與孔VA相連之孔VB(第2孔)。孔VB具有第1導電層L1之側之第3開口O3、及第2基體20之側之第4開口O4。孔VB與孔VA相比沿第2方向Y擴張。再者，孔VB不僅於第2方向Y， 亦跨及X-Y平面內之全方位較孔VA擴張。於圖示之例中，第2導電層L2亦具有孔VC。孔VA、孔VB、及孔VC沿第3方向Z排列，且位於沿第3方向Z之同一直線上，形成連接用孔V。 連接材C通過孔VA及孔VB與第1導電層L1及第2導電層L2電性連接。於圖示之例中，連接材C與孔VA之內表面F1、孔VB之內表面F2、孔VC之內表面F3、第1導電層L1之上表面LT1、第2導電層L2之上表面LT2接觸。 於圖1之例中，第1開口O1大於第2開口O2，第3開口O3大於第4開口O4，第4開口O4大於第1開口O1。孔VA於剖視下，具有伴隨自第2開口O2向第1開口O1而寬度擴大之形狀。孔VB於剖視下，具有伴隨自第4開口O4向第3開口O3而寬度擴大之形狀。換言之，孔VA、VB之內表面F1、F2為相對於第3方向Z傾斜之錐形。 於圖1之例中，孔VA之內表面F1形成為直線狀，孔VB之內表面F2形成為曲線狀。但，即可內表面F1與內表面F2相同為曲線狀，亦可內表面F2與內表面F1相同為直線狀。 第1導電層L1將孔VB之第3開口O3封閉且具有平坦之區域A。區域A相當於俯視下與第3開口O3重疊之部分。於圖1之例中，第1導電層L1即便於區域A以外之部分亦平坦。關於第1基體10之第1面10A，亦包含俯視下與區域A重疊之區域且平坦。如此，關於第1基體10，未設置有孔或凹部。因而，可提高連接用孔V附近之第1基體10之強度，進而提高顯示裝置DSP之強度。 於圖示之例中，連接材C未填充於各孔VA、VB、VC之中心部附近。因此，連接材C具有中空部分。此種形狀之連接材C可藉由於大氣壓下、或者低於大氣壓之氣壓環境下自孔VA注入，並去除連接材C中所含之溶劑而形成。再者，連接材C亦可以填埋各孔VA～VC之方式填充。 第2導電層L2及連接材C由絕緣性之保護層PT覆蓋。於圖1之例中，保護層PT包含第1保護層PT1、及第2保護層PT2。第1保護層PT1覆蓋第2導電層L2之上表面LT2。第2保護層PT2覆蓋連接材C及上表面LT2之一部分。第2保護層PT2填滿連接材C之內部(上述中空部分)。第1保護層PT1及第2保護層PT2例如由丙烯酸系樹脂等有機絕緣材料形成。 於以上之構成中，第2導電層L2經由連接材C及第1導電層L1與配線基板SUB3電性連接。因此，用以對第2導電層L2寫入信號、或讀取自第2導電層L2輸出之信號之控制電路，可經由配線基板SUB3與第2導電層L2連接。即，不必為了連接第2導電層L2與控制電路，而將其他配線基板安裝於第2基板SUB2。 根據本實施形態，與除安裝於第1基板SUB1之配線基板SUB3之外還於第2基板SUB2安裝其他配線基板之例相比，不需要用於安裝該其他配線基板之端子部(terminal)、或用以連接第2導電層L2與該其他配線基板之牽引配線。因此，於由第1方向X與第2方向Y所規定之X-Y平面中，可縮小第2基板SUB2之基板尺寸，且可縮小顯示裝置DSP之周緣部之邊框寬度。又，可削減不需要之配線基板部分之成本。藉此，可實現窄邊框化及低成本化。 又，由於連接材C不僅與孔VC中之第2導電層L2之內表面F3接觸，亦與第2導電層L2之上表面LT2接觸，故而可擴大連接材C與第2導電層L2之接觸面積。藉此，可抑制連接材C與第2導電層L2之連接不良。 又，由於第1導電層L1之區域A不具有孔而平坦，故而可擴大孔VB之內部之連接材C與第1導電層L1之接觸面積。藉此，可抑制連接材C與第1導電層L1之連接不良。 而且，孔VB之第3開口O3大於孔VA之第1開口O1。如此若第3開口O3較大，則可擴大連接材C與第1導電層L1之接觸面積。另一方面，孔VA之第2開口O2小於第1開口O1。藉此，可縮小可能因連接用孔V而產生之第2基板SUB2之凹凸的範圍。此種凹凸可藉由於連接材C之中空部分填充第2保護層PT2而加以抑制。 圖2係表示孔VA及孔VB之構成例之立體圖。於圖示之例中，第1開口O1、第2開口O2、第3開口O3、及第4開口O4皆形成為正圓形狀。孔VA形成為圓錐台狀。孔VB亦為類似於圓錐台狀之形狀，如圖1所示，內表面F2於剖視下為曲線狀。第1開口O1、第2開口O2、及第3開口O3分別相當於標註斜線之區域。第4開口O4相當於包圍第1開口O1之區域。 第1開口O1之寬度為W1，第2開口O2之寬度為W2，第3開口O3之寬度為W3，第4開口O4之寬度為W4。各開口O1～O4之中心通過與第3方向Z平行之直線AX。於各開口O1～O4為正圓形狀之情形時，寬度W1～W4相當於各開口O1～O4之直徑。 寬度W1大於寬度W2，寬度W3大於寬度W4。進而，於圖2之例中，寬度W4大於寬度W1。即，W2＜W1＜W4＜W3成立。就其他觀點而言，第1開口O1之面積大於第2開口O2之面積，第3開口O3之面積大於第4開口O4之面積，第4開口O4之面積大於第1開口O1之面積。該等面積相當於X-Y平面中之面積。 再者，各開口O1～O4不限於正圓形狀，亦可為橢圓形等其他形狀。例如於橢圓形之情形時，各寬度W1～W4可為相當於長軸之長度(長徑)之寬度，亦可為相當於短軸之長度(短徑)之寬度。又，各開口O1～O4之輪廓亦可為蜿蜒。於該情形時，例如可將各開口O1～O4近似於正圓形狀或橢圓形狀時之直徑、長徑、或者短徑定義為寬度W1～W4，亦可將各開口O1～O4之最大徑或平均徑定義為寬度W1～W4。 圖3係表示連接用孔V之另一構成例之剖面圖。該構成例於孔VA之形狀上與圖1所示之構成例不同。即，圖3所示之孔VA之第1開口O1小於第2開口O2。又，第2開口O2大於第3開口O3及第4開口O4。因而，例如就各開口O1～O4之寬度W1～W4而言，W1＜W4＜W3＜W2成立。各開口O1～O4之面積亦為相同順序。再者，第2開口O2亦可為小於第3開口O3或者第4開口O4。 孔VA具有伴隨自第1開口O1向第2開口O2而寬度擴大之形狀。進而，於圖3所示之孔VA中，內表面F1為曲線狀。孔VA整體上為底部連接有孔VB之碗狀。再者，內表面F1亦可為直線狀。 第2導電層L2可覆蓋孔VA之內表面F1之整面，亦可覆蓋內表面F1之一部分。於圖3中，示出第2導電層L2覆蓋孔VA之內表面F1之整面之例。進而，連接材C於孔VA中覆蓋第2導電層L2。又，於第2導電層L2覆蓋孔VA之內表面F1之一部分之情形時，連接材C覆蓋第2導電層L2及孔VA之內表面F1之其他部分。即，於孔VA之內部中，第2導電層L2形成於連接材C與內表面F1之間。連接材C不覆蓋第2導電層L2之上表面LT2，但亦可與圖1之例相同而覆蓋。 圖4係表示連接用孔V之另一構成例之剖面圖。該構成例於孔VA之形狀上與圖1所示之構成例不同。即，圖4所示之孔VA具有位於第1開口O1與第2開口O2之間之中間部分MO。圖4所示之孔VA之第1開口O1小於第2開口O2。中間部分MO小於第1開口O1及第2開口O2。第2開口O2大於第3開口O3及第4開口O4。因而，若將中間部分MO之寬度設為WM，則WM＜W1＜W4＜W3＜W2成立。各開口O1～O4，WM之面積亦為相同順序。再者，第2開口O2亦可小於第3開口O3或者第4開口O4。又，中間部分MO亦可與第1開口O1相同、或者大於其。 孔VA具有自第1開口O1至中間部分MO之第1部分VA1、及自中間部分MO至第2開口O2之第2部分VA2。第1部分VA1具有伴隨自中間部分MO向第1開口O1而寬度擴大之形狀。第2部分VA2具有伴隨自中間部分MO向第2開口O2而寬度擴大之形狀。第1部分VA1於剖視下內表面F1為直線狀且為相對於第3方向Z傾斜之錐形。另一方面，第2部分VA2於剖視下內表面F1為曲線狀，整體上為於底部連接有第1部分VA1之碗狀。再者，於第1部分VA1，內表面F1亦可為曲線狀。又，於第2部分VA2，內表面F1亦可為直線狀。 第2導電層L2於第2部分VA2覆蓋內表面F1。進而，連接材C於第1部分VA1覆蓋內表面F1，於第2部分VA2覆蓋第2導電層L2。連接材C未覆蓋第2導電層L2之上表面LT2，但亦可為與圖1之例相同地覆蓋。 圖5至圖7係表示連接用孔V之另一構成例之剖面圖。就於孔VA之周圍，連接材C覆蓋第2基體20之第2面20B，且第2導電層L2覆蓋連接材C之上之方面而言，圖5之構成例與圖1所示之構成例不同。就於孔VA中，連接材C覆蓋內表面F1，第2導電層L2覆蓋連接材C之上之方面而言，圖6及圖7之構成例分別與圖3及圖4所示之構成例不同。即，圖6及圖7之構成例中，於孔VA之內部，連接材C形成於第2導電層L2與內表面F1之間。 圖5至圖7之構成例中，保護層PT不分成第1保護層PT1與第2保護層PT2而連續地覆蓋第2導電層L2及連接材C。又，於該等構成例中，保護層PT凹陷於孔VA之內部，但保護層PT亦可為平坦。 圖8係表示本實施形態之顯示裝置DSP之一構成例的俯視圖。此處，作為顯示裝置DSP之一例，對搭載感測器SS之液晶顯示裝置進行說明。 顯示裝置DSP具備顯示面板PNL、IC晶片I1、配線基板SUB3等。顯示面板PNL為液晶顯示面板，具備第1基板SUB1、第2基板SUB2、密封件SE、及顯示功能層(下述液晶層LC)。第2基板SUB2與第1基板SUB1對向。密封件SE相當於圖8中由向右上升斜線所表示之部分，將第1基板SUB1與第2基板SUB2貼合。 顯示面板PNL具備顯示圖像之顯示區域DA、及包圍顯示區域DA之邊框狀之非顯示區域(non-display area)NDA。顯示區域DA例如相當於第1區域，位於由密封件SE包圍之內側。非顯示區域NDA例如相當於與顯示區域DA(第1區域)相鄰之第2區域。密封件SE位於非顯示區域NDA。 IC晶片I1安裝於配線基板SUB3。再者，並未受限於圖示之例，IC晶片I1可安裝於向較第2基板SUB2更外側延伸之第1基板SUB1，亦可安裝於與配線基板SUB3連接之外部電路基板。IC晶片I1例如內置有輸出圖像顯示所必需之信號之顯示驅動器DD。例如，顯示驅動器DD具備下述信號線驅動電路SD、掃描線驅動電路GD、及共通電極驅動電路CD之至少一部分。又，於圖示之例中，IC晶片I1內置有作為觸控面板控制器發揮功能之檢測電路RC。再者，檢測電路RC亦可內置於與IC晶片I1不同之其他IC晶片內。 顯示面板PNL例如可為以下任一者，即為：具備透過顯示功能之透過型，其藉由選擇性地使來自第1基板SUB1之下方之光透過而顯示圖像；具備反射顯示功能之反射型，其藉由選擇性地使來自第2基板SUB2之上方之光反射而顯示圖像；或者具備透過顯示功能及反射顯示功能之半透過型。 感測器SS係進行用以檢測被檢測物向顯示裝置DSP之接觸或者接近之感測者。感測器SS具備複數個檢測電極Rx(Rx1、Rx2、Rx3、Rx4…)。檢測電極Rx設置於第2基板SUB2上，相當於上述第2導電層L2。該等檢測電極Rx分別沿第1方向X延伸，於第2方向Y隔開間隔排列。圖8中，示出檢測電極Rx1至Rx4作為檢測電極Rx，此處，著眼於檢測電極Rx1對其結構例進行說明。 即，檢測電極Rx1具備檢測部(detector)RS、端子部(terminal)RT1、及連接部(connector)CN。 檢測部RS位於顯示區域DA，沿第1方向X延伸。於檢測電極Rx1中，主要是檢測部RS用於感測。於圖示之例中，檢測部RS形成為帶狀，更具體而言，如參考圖12進行說明般由微細之金屬細線之集合體而形成。又，1個檢測電極Rx1具備2根檢測部RS，但亦可具備3根以上之檢測部RS，亦可具備1根檢測部RS。 端子部RT1位於非顯示區域NDA之沿第1方向X之一端側，與檢測部RS相連。連接部CN位於非顯示區域NDA之沿第1方向X之另一端側，將複數個檢測部RS相互連接。於圖8中，所謂一端側相當於顯示區域DA之左側，所謂另一端側相當於顯示區域DA之右側。端子部RT1之一部分形成於俯視下與密封件SE重疊之位置。 第1基板SUB1具備相當於上述之第1導電層L1之焊墊P1及配線WL1。焊墊P1及配線WL1位於非顯示區域NDA之一端側，於俯視下與密封件SE重疊。焊墊P1形成於俯視下與端子部RT1重疊之位置。又，焊墊P1於一例中形成為梯形狀，但亦可形成為其他多邊形狀、或圓形狀或橢圓形狀。配線WL1連接於焊墊P1，沿第2方向Y延伸，經由配線基板SUB3與IC晶片I1之檢測電路RC電性連接。 連接用孔V1(孔VA、VB)形成於俯視下與端子部RT1及焊墊P1重疊之位置。於圖示之例中，連接用孔V1於俯視下為圓形，但亦可不限於此而為橢圓形等其他形狀。如參考圖1等進行說明般，於連接用孔V1設置有連接材C。藉此，端子部RT1與焊墊P1電性連接。即，設置於第2基板SUB2之檢測電極Rx1經由連接於第1基板SUB1之配線基板SUB3與檢測電路RC電性連接。檢測電路RC讀取自檢測電極Rx輸出之感測器信號，檢測被檢測物之接觸或者接近之有無、或被檢測物之位置座標等。 於圖示之例中，奇數號之檢測電極Rx1、Rx3…之各端子部RT1、RT3…、焊墊P1、P3…、配線WL1、WL3…、連接用孔V1、V3…均位於非顯示區域NDA之一端側。又，偶數號之檢測電極Rx2、Rx4…之各端子部RT2、RT4…、焊墊P2、P4…、配線WL2、WL4…、連接用孔V2、V4…均位於非顯示區域NDA之另一端側。根據此種佈局，可使非顯示區域NDA之一端側之寬度與另一端側之寬度均勻化，較佳地適合窄邊框化。 如圖所示，於焊墊P3較焊墊P1更接近配線基板SUB3之佈局中，配線WL1於焊墊P3之內側(即，接近顯示區域DA之側)迂迴，於焊墊P3與配線基板SUB3之間沿配線WL3之內側排列配置。同樣，配線WL2於焊墊P4之內側迂迴，於焊墊P4與配線基板SUB3之間沿配線WL4之內側排列配置。 圖9係表示圖8所示之顯示面板PNL之基本構成及等效電路的圖。 顯示面板PNL於顯示區域DA中具備複數個像素PX。此處，所謂像素係表示可根據像素信號而個別地控制之最小單位，例如，存在於包含配置於下述掃描線與信號線交叉之位置之開關元件的區域。複數個像素PX於第1方向X及第2方向Y配置為矩陣狀。又，顯示面板PNL於顯示區域DA中具備複數條掃描線G(G1～Gn)、複數條信號線S(S1～Sm)、共通電極CE等。掃描線G分別沿第1方向X延伸，且沿第2方向Y排列。信號線S分別沿第2方向Y延伸，且沿第1方向X排列。再者，掃描線G及信號線S亦可不必以直線延伸，亦可為該等之一部分彎曲。共通電極CE跨及複數個像素PX而配置。掃描線G、信號線S、及共通電極CE分別被引出至非顯示區域NDA。於非顯示區域NDA中，掃描線G與掃描線驅動電路GD連接，信號線S與信號線驅動電路SD連接，共通電極CE與共通電極驅動電路CD連接。信號線驅動電路SD、掃描線驅動電路GD、及共通電極驅動電路CD亦可形成於第1基板SUB1上，亦可為該等之一部分或者全部內置於圖8所示之IC晶片I1內。 各像素PX具備開關元件SW、像素電極PE、共通電極CE、液晶層LC等。開關元件SW例如由薄膜電晶體(TFT)構成，與掃描線G及信號線S電性連接。更具體而言，開關元件SW具備閘極電極WG、源極電極WS、及汲極電極WD。閘極電極WG與掃描線G電性連接。於圖示之例中，將與信號線S電性連接之電極稱為源極電極WS，將與像素電極PE電性連接之電極稱為汲極電極WD。 掃描線G與沿第1方向X排列之像素PX各者中之開關元件SW連接。信號線S與沿第2方向Y排列之像素PX各者中之開關元件SW連接。像素電極PE之各者與共通電極CE對向，藉由像素電極PE與共通電極CE之間所產生之電場而驅動液晶層LC。保持電容CS例如形成於共通電極CE與像素電極PE之間。 圖10係表示圖8所示之顯示面板PNL之一部分結構的剖面圖。此處，表示將顯示裝置DSP沿第1方向X切斷而得之剖面圖。 圖示之顯示面板PNL具有與主要利用與基板主面大致平行之橫向電場之顯示模式對應的構成。再者，顯示面板PNL亦可具有相對於基板主面垂直之縱向電場、或相對於基板主面為斜向之電場，或者與將該等組合而使用之顯示模式對應之構成。利用橫向電場之顯示模式中，例如可應用於第1基板SUB1及第2基板SUB2之任一者具備像素電極PE及共通電極CE雙方之構成。於利用縱向電場或斜向電場之顯示模式中，例如可使用如下構成，即，於第1基板SUB1具有像素電極PE及共通電極CE之任一者，於第2基板SUB2上具備像素電極PE及共通電極CE之另一者。再者，此處所謂基板主面係與X-Y平面平行之面。 第1基板SUB1具備第1基體10、信號線S、共通電極CE、金屬層M、像素電極PE、第1絕緣層11、第2絕緣層12、第3絕緣層13、第1配向膜AL1等。再者，此處省略開關元件或掃描線、介存於該等之間之各種絕緣層等的圖示。 第1絕緣層11位於第1基體10之上。未圖示之掃描線或開關元件之半導體層位於第1基體10與第1絕緣層11之間。信號線S位於第1絕緣層11之上。第2絕緣層12位於信號線S、及第1絕緣層11之上。共通電極CE位於第2絕緣層12之上。金屬層M於信號線S之正上方與共通電極CE接觸。於圖示之例中，金屬層M位於共通電極CE之上，但亦可位於共通電極CE與第2絕緣層12之間。第3絕緣層13位於共通電極CE、及金屬層M之上。像素電極PE位於第3絕緣層13之上。像素電極PE經由第3絕緣層13與共通電極CE對向。又，像素電極PE於與共通電極CE對向之位置具有狹縫SL。第1配向膜AL1覆蓋像素電極PE及第3絕緣層13。 掃描線、信號線S、及金屬層M由鉬、鎢、鈦、鋁等金屬材料形成，可為單層結構，亦可為多層結構。共通電極CE及像素電極PE由ITO或IZO等透明之導電材料而形成。第1絕緣層11及第3絕緣層13為無機絕緣層，第2絕緣層12為有機絕緣層。 再者，第1基板SUB1之構成並非受限於圖示之例，亦可為像素電極PE位於第2絕緣層12與第3絕緣層13之間，共通電極CE位於第3絕緣層13與第1配向膜AL1之間。此種情形時，像素電極PE形成為不具有狹縫之平板狀，共通電極CE具有與像素電極PE對向之狹縫。又，亦可像素電極PE及共通電極CE雙方形成為梳齒狀，以相互咬合之方式而配置。 第2基板SUB2具備第2基體20、遮光層BM、彩色濾光片CF、保護塗層OC、第2配向膜AL2等。 遮光層BM及彩色濾光片CF位於第2基體20之與第1基板SUB1對向之側。遮光層BM劃分各像素，位於信號線S之正上方。彩色濾光片CF與像素電極PE對向，其一部分與遮光層BM重疊。彩色濾光片CF具備紅色彩色濾光片、綠色彩色濾光片、藍色彩色濾光片等。保護塗層OC覆蓋彩色濾光片CF。第2配向膜AL2覆蓋保護塗層OC。 再者，彩色濾光片CF亦可配置於第1基板SUB1。彩色濾光片CF亦可包含4色以上之彩色濾光片。於顯示白色之像素亦可配置白色之彩色濾光片，亦可配置無色之樹脂材料，亦可不配置彩色濾光片而配置保護塗層OC。 檢測電極Rx位於第2基體20之第2面20B。檢測電極Rx如上所述相當於第2導電層L2，可由包含金屬之導電層、ITO或IZO等透明之導電材料而形成，亦可於包含金屬之導電層之上積層透明導電層，亦可由導電性之有機材料、或微細之導電性物質之分散體等而形成。 包含第1偏光板PL1之第1光學元件OD1位於第1基體10與照明裝置BL之間。包含第2偏光板PL2之第2光學元件OD2位於檢測電極Rx之上。第1光學元件OD1及第2光學元件OD2視需要亦可包含相位差板。 其次，對搭載於本實施形態之顯示裝置DSP之感測器SS之一構成例進行說明。以下所說明之感測器SS例如為相互電容方式之靜電電容型，且係基於隔著介電體對向之一對電極間之靜電電容的變化而檢測被檢測物之接觸或者接近。 圖11係表示感測器SS之構成例之俯視圖。 圖示之構成例中，感測器SS具備感測器驅動電極Tx、及檢測電極Rx。感測器驅動電極Tx相當於由向右下降斜線所表示之部分，設置於第1基板SUB1。又，檢測電極Rx相當於由向右上升斜線所表示之部分，設置於第2基板SUB2。感測器驅動電極Tx及檢測電極Rx於X-Y平面中相互交叉。檢測電極Rx於第3方向Z與感測器驅動電極Tx對向。 感測器驅動電極Tx及檢測電極Rx位於顯示區域DA，該等之一部分延伸至非顯示區域NDA。於圖示之例中，感測器驅動電極Tx分別具有沿第2方向Y延伸之帶狀之形狀，沿第1方向X隔開間隔排列。檢測電極Rx分別沿第1方向X延伸，沿第2方向Y隔開間隔排列。檢測電極Rx如參考圖8進行說明般，與設置於第1基板SUB1之焊墊連接，經由配線與檢測電路RC電性連接。感測器驅動電極Tx之各者經由配線WR與共通電極驅動電路CD電性連接。再者，感測器驅動電極Tx及檢測電極Rx之個數或尺寸、形狀並無特別限定，可進行各種變更。 感測器驅動電極Tx包含上述共通電極CE，具有於與像素電極PE之間產生電場之功能，且具有用以藉由於與檢測電極Rx之間產生電容而檢測被檢測物之位置的功能。 共通電極驅動電路CD於在顯示區域DA顯示圖像之顯示驅動時，對包含共通電極CE之感測器驅動電極Tx供給共用驅動信號。又，共通電極驅動電路CD於進行感測之感測驅動時，對感測器驅動電極Tx供給感測器驅動信號。檢測電極Rx伴隨向感測器驅動電極Tx供給感測器驅動信號，而輸出感測所必需之感測器信號(即，基於感測器驅動電極Tx與檢測電極Rx之間之電極間電容的變化之信號)。自檢測電極Rx輸出之檢測信號被輸入至圖8所示之檢測電路RC。 再者，上述各構成例中之感測器SS並非限定於基於一對電極間之靜電電容(上述例中感測器驅動電極Tx與檢測電極Rx之間之靜電電容)之變化而檢測被檢測物之相互電容方式，亦可為基於檢測電極Rx本身電容之變化而檢測被檢測物之自己電容方式。 圖12係表示圖8所示之檢測電極Rx1之檢測部RS之構成例的圖。 圖12(A)所示之例中，檢測部RS由網狀之金屬細線MS形成。金屬細線MS與端子部RT1相連。圖12(B)所示之例中，檢測部RS由波狀之金屬細線MW形成。於圖示之例中，金屬細線MW為鋸齒狀，亦可為正弦波狀等其他形狀。金屬細線MW與端子部RT1相連。 端子部RT1例如由與檢測部RS相同之材料形成。於端子部RT1上形成有正圓形之連接用孔V1。 圖13係表示包含圖8所示之連接用孔V1之於A-B線切斷之顯示裝置DSP的一構成例之剖面圖。此處僅圖示說明所必需之主要部分。又，於連接用孔V1應用圖3所示之構成，亦可應用圖1、圖4至圖7所示之各構成。 第1基板SUB1具備第1基體10、相當於第1導電層L1之焊墊P1、第2絕緣層12等。第1基體10與焊墊P1之間、及第1基體10與第2絕緣層12之間亦可配置圖10所示之第1絕緣層11、或其他絕緣層或其他導電層。第2基板SUB2具備第2基體20、相當於第2導電層L2之檢測電極Rx1、遮光層BM、保護塗層OC等。 密封件SE位於第2絕緣層12與保護塗層OC之間。液晶層LC位於第1基板SUB1與第2基板SUB2之間。再者，雖未圖示，第2絕緣層12與密封件SE之間亦可介存圖10所示之金屬層M、第3絕緣層13、第1配向膜AL1。又，保護塗層OC與密封件SE之間亦可介存圖10所示之第2配向膜AL2。 密封件SE、第2絕緣層12、遮光層BM、及保護塗層OC構成上述絕緣層IL(有機絕緣層)。絕緣層IL亦可進而包含第1配向膜AL1或第2配向膜AL2等其他層。又，絕緣層IL亦可不包含密封件SE、第2絕緣層12、遮光層BM、及保護塗層OC之任一者。作為一例，絕緣層IL亦可僅由密封件SE構成。 連接用孔V1具備貫通第2基體20之孔VA、及貫通絕緣層IL之孔VB。孔VB貫通構成絕緣層IL之密封件SE、第2絕緣層12、遮光層BM、及保護塗層OC。連接材C將焊墊P1與檢測電極Rx電性連接。檢測電極Rx1之至少檢測部RS及端子部RT1之一部分由第1保護層PT1覆蓋。連接材C由第2保護層PT2覆蓋。 於包含第1保護層PT1及第2保護層PT2之保護層PT之上配置有第2光學元件OD2。進而，於第2光學元件OD2之上，隔著接著層AD貼附有蓋玻璃30(罩蓋構件)。於非顯示區域NDA中，於蓋玻璃30之顯示面板PNL側之面形成有裝飾層31(遮光層)。裝飾層31未形成於顯示區域DA。藉由設置蓋玻璃30，而於顯示裝置DSP之外表面不產生由連接用孔V1所致之凹凸。又，藉由裝飾層31，不會自外部視認到連接用孔V1。 根據具備如上般之感測器SS之顯示裝置DSP，設置於第2基板SUB2之檢測電極Rx藉由設置於連接用孔V之連接材C而與設置於第1基板SUB1之焊墊P連接。因此，不必將用以連接檢測電極Rx與檢測電路RC之配線基板安裝於第2基板SUB2。即，安裝於第1基板SUB1之配線基板SUB3係形成用以傳輸於顯示面板PNL顯示圖像所需之信號之傳輸路徑，且形成用以於檢測電極Rx與檢測電路RC之間傳輸信號之傳輸路徑。因而，與除配線基板SUB3以外還需要其他配線基板之構成例相比，可削減配線基板之個數，從而可削減成本。又，於第2基板SUB2不需要用以連接配線基板之空間，故而可縮小顯示面板PNL之非顯示區域，尤其是安裝配線基板SUB3之端邊之寬度。藉此能夠窄邊框化及低成本化。 其次，利用圖14至圖23對圖13所示之顯示裝置DSP之製造方法之一例進行說明。 首先，準備形成有圖10所示之各要素等之第1基板SUB1與第2基板SUB2。然後，如圖14所示，於第2基板SUB2在形成連接用孔V1之位置形成凹部TR。凹部TR貫通保護塗層OC與遮光層BM，亦波及至第2基體20，但未貫通第2基體20。例如，凹部TR係伴隨自保護塗層OC之開口向第2基體20之前端而前部變細之圓錐形狀。 此種凹部TR例如可藉由自保護塗層OC之側照射雷射光LZ1而形成。作為雷射光源，例如可使用二氧化碳雷射裝置等，但只要是能夠對玻璃材料及有機系材料進行開孔加工者即可，亦可使用準分子雷射裝置等。雷射光LZ1之X-Y平面中之強度分佈如圖23(A)所示，具有越接近中心之位置變得越高之形狀(高斯型)。 繼而，於第1基板SUB1或第2基板SUB2沿基板之端邊形成密封件SE，向該密封件SE之內側滴加液晶材料，將第1基板SUB1與第2基板SUB2貼合。藉此，如圖15所示，可獲得於第1基板SUB1與第2基板SUB2之間形成液晶層LC之顯示面板PNL。再者，密封件SE之一部分進入至凹部TR。 繼而，利用氫氟酸(HF)等蝕刻液將第1基體10及第2基體20薄板化。圖16至圖18示出該薄板化之過程。於圖16之狀態下，直至凹部TR之前端到達第2面20B為止對第2基體20進行薄板化。圖17之狀態下，凹部TR於第2面20B開口而形成孔VA。於凹部TR之附近，由於蝕刻液與第2基體20之接觸面積變多，故而侵蝕容易進展。藉此，孔VA成為包含第1面20A之側之第1部分VA1、及第2面20B之側之碗狀的第2部分VA2之形狀。若進一步進行薄板化，則如圖18所示，第1部分VA1消失，形成整體上為碗狀之孔VA。 再者，於利用雷射光LZ1形成凹部TR時等，即便於第2基體20之第2面20B附近產生微細之龜裂，亦可藉由薄板化去除該龜裂。因而，藉由薄板化可減少顯示面板PNL之厚度，並且可防止起因於上述龜裂之強度降低。 薄板化後，如圖19所示形成貫通遮光層BM、保護塗層OC、密封件SE、及第2絕緣層12之孔VB。該孔VB例如可通過孔VA照射雷射光LZ2而形成。雷射光LZ2之X-Y平面中之強度分佈如圖23(B)所示，具有強度大致平坦之形狀(頂帽型)。雷射光LZ2之強度整體而言較雷射光LZ1之中心部分之強度更低，至少為焊墊P1(第1導電層L1)之溫度不上升至熔點之程度。因此，藉由雷射光LZ2無法於焊墊P1上形成孔。 於如此利用雷射光LZ2形成孔VB時，可能伴隨遮光層BM、保護塗層OC、密封件SE、第2絕緣層12、或者第2基體20之熔融而產生殘渣。為了去除此種殘渣，例如較佳為實施利用微波電漿等之除膠渣處理。經雷射光LZ2之照射或除膠渣處理而形成之孔VB中，如圖19所示，第1導電層L1之側之第3開口O3較第2基體20之側之第4開口O4更大。 繼而，如圖20所示，於第2基體20之第2面20B之上形成檢測電極Rx1(第2導電層L2)。進而，自該檢測電極Rx1之上形成第1保護層PT1。第1保護層PT1亦可能形成於孔VA及孔VB之內部，可於圖20之狀態下經蝕刻等製程去除。因而，於孔VA之內部中，檢測電極Rx1露出。再者，檢測電極Rx1亦可以覆蓋孔VA之內部之全部之方式而形成，亦可以覆蓋內部之一部分之方式而形成。 繼而，如圖21所示，形成連接材C。該製程中，例如於真空環境下，將包含溶劑之連接材C注入至連接用孔V1，並填滿連接用孔V1之內部。其後，藉由去除溶劑而連接材C之體積減少，從而形成覆蓋焊墊P1、檢測電極Rx1、及孔VB之內表面F2等，且具有中空部分之連接材C。 繼而，如圖22所示，形成覆蓋連接材C之第2保護層PT2。藉此，完成圖13所示之顯示面板PNL。進而，藉由於顯示面板PNL上固定第1光學元件OD1、第2光學元件OD2、蓋玻璃30、及照明裝置BL等而完成顯示裝置DSP。 以上著眼於連接用孔V1對製造方法進行了說明，關於其他連接用孔V亦藉由相同製程形成。一般而言，顯示面板PNL例如藉由以下而製造：於大尺寸之母玻璃(第1基體10)形成複數個第1基板SUB1，於相同大尺寸之母玻璃(第2基體20)上形成複數個第2基板SUB2，將該等貼合後切斷成各個顯示面板PNL之形狀。上述製造方法可應用於此種顯示面板PNL之製造步驟。 再者，於以如圖17之狀態停止第2基體20之薄板化之情形時，如圖4所示，可製造具有孔VA包含第1部分VA1與第2部分VA2之連接用孔V的顯示裝置DSP。又，於較圖17之狀態提前停止第2基體20之薄板化之情形時，如圖1所示，可製造具有包含第1開口O1大於第2開口O2之孔VA之連接用孔V之顯示裝置DSP。 其次，假定圖13所示之連接用孔V1具備圖6所示之構成之情形，對顯示裝置DSP之製造方法之其他例進行說明。 形成連接用孔V1之製程與前例之圖14至圖19相同。於本例中，形成與圖19相同之連接用孔V1後，如圖24所示於連接用孔V1之內部形成連接材C。 其後，如圖25所示，於第2基體20之第2面20B形成檢測電極Rx1(第2導電層L2)。孔VA之內部亦形成檢測電極Rx1，覆蓋連接材C之一部分。繼而，如圖26所示，形成覆蓋檢測電極Rx1及連接材C之保護層PT。 於上述製造方法中，必須將第1保護層PT1於各連接用孔V之位置去除，或相對於各連接用孔V分別形成第2保護層PT2。然而，於圖24至圖26之製造方法中，將覆蓋各連接用孔V之保護層PT一次性形成即可，故而可減少製程數。進而，如上所述利用母玻璃之製造步驟中使用1個製程可容易地形成複數個顯示面板PNL之保護層，故而尤其有利，亦可有助於母玻璃之大型化。 再者，於利用圖24至圖26之製造方法之情形時，例如於以圖17之狀態停止第2基體20之薄板化之情形時，如圖7所示，可製造具有孔VA包含第1部分VA1與第2部分VA2之連接用孔V之顯示裝置DSP。又，於較圖17之狀態提前停止第2基體20之薄板化之情形時，如圖5所示，可製造具有包含第1開口O1大於第2開口O2之孔VA之連接用孔V之顯示裝置DSP。 如以上所說明般，根據本實施形態，可提供一種能夠窄邊框化及低成本化之顯示裝置及其製造方法。 再者，對本發明之若干實施形態進行了說明，但該等實施形態係作為例而提示者，並非意味限定發明之範圍。該等新型實施形態可以其他各種形態進行實施，於不脫離發明之主旨之範圍，可進行各種省略、替換、變更。該等實施形態或其變形包含於發明之範圍或主旨，且包含於權利要求之範圍所記載之發明及其等同範圍內。 於以下附記由本說明書所揭示之構成所得之顯示裝置之一例。 (1) 一種電子機器，其具備： 第1基板，其包含第1導電層； 第2基板，其包含：基體，其具有與上述第1導電層對向且與上述第1導電層隔開之第1面及與上述第1面為相反側之第2面；第2導電層，其配置於上述第2面之側，具有貫通上述第1面與上述第2面之間之第1孔； 絕緣層，其配置於上述第1導電層與上述基體之間，具有與上述第1孔相連之第2孔； 連接材，其通過上述第1孔及上述第2孔而將上述第1導電層與上述第2導電層電性連接； 上述第1孔具有上述第1面之側之第1開口、及上述第2面之側之第2開口， 上述第2孔具有上述第1導電層之側之第3開口、及上述基體之側之第4開口， 上述第3開口大於上述第1開口。 (2) 如上述(1)所記載之電子機器，其中上述第2孔於剖視下具有寬度隨著自上述第4開口朝向上述第3開口而擴大之形狀。 (3) 如上述(1)所記載之電子機器，其中上述第1導電層具有封閉上述第3開口之平坦之區域， 上述連接材與上述區域接觸。 (4) 如上述(1)所記載之電子機器，其中上述絕緣層包含將上述第1基板與上述第2基板貼合之密封件。 (5) 如上述(1)所記載之電子機器，其中上述第4開口大於上述第1開口。 (6) 如上述(1)所記載之電子機器，其中上述第1開口大於上述第2開口。 (7) 如上述(1)所記載之電子機器，其中上述第1開口小於上述第2開口。 (8) 如上述(1)所記載之電子機器，其中上述第1孔於剖視下具有伴隨自上述第1開口向上述第2開口而寬度擴大之形狀。 (9) 如上述(1)所記載之電子機器，其中上述第1孔具有位於上述第1開口與上述第2開口之間之中間部分，於剖視下，具有寬度隨著自上述第1開口朝向上述中間部分而縮小、且寬度隨著自上述中間部分朝向上述第2開口而擴大之形狀。 (10) 如上述(9)所記載之電子機器，其中上述第1開口小於上述第2開口。 (11) 如上述(1)所記載之電子機器，其中上述連接材覆蓋上述第1孔及上述第2孔之內表面。 (12) 如上述(1)所記載之電子機器，其中於上述第1孔之周圍，上述連接材覆蓋上述第2面，上述第2導電層覆蓋上述連接材。 (13) 如上述(1)所記載之電子機器，其中上述連接材於上述第1孔之內部，形成於上述第2導電層與上述第1孔之內表面之間。 (14) 如上述(1)所記載之電子機器，其中上述第2導電層於上述第1孔之內部，形成於上述連接材與上述第1孔之內表面之間。 (15) 如上述(1)所記載之電子機器，其進而包含覆蓋上述第2導電層及上述連接材之保護層。 (16) 如上述(15)所記載之電子機器，其中上述保護層包含覆蓋上述第2導電層之第1保護層、及覆蓋上述連接材之第2保護層。 (17) 如上述(16)所記載之電子機器，其中上述第2保護層填滿上述第2孔之內部。 (18) 如上述(1)至(17)中任一項所記載之電子機器，其中上述第2導電層具備：檢測部，其檢測與第1區域接觸或者接近之物體；端子部，其配置於與上述第1區域相鄰之第2區域且與上述檢測部相連； 上述第1孔及上述第2孔設置於俯視下與上述端子部重疊之位置。 (19) 如上述(18)所記載之電子機器，其具備檢測電路， 該檢測電路與上述第1導電層電性連接，且讀取自上述第2導電層輸出之感測器信號。 (20) 如上述(18)所記載之電子機器，其中上述第1基板具備與上述第2導電層對向之驅動電極。 (21) 一種顯示裝置之製造方法，其包含： 準備包含第1導電層之第1基板、及包含具有第1面及與上述第1面為相反側之第2面之基體之第2基板； 於上述基體之上述第1面形成凹部； 使上述第1導電層與上述第1面對向，藉由配置於上述第1基板與上述第2基板之間之絕緣層而貼合上述第1基板與上述第2基板； 藉由將上述基體薄板化而使上述凹部於上述第2面開口，形成貫通上述第1面與上述第2面之間之第1孔； 於上述絕緣層形成與上述第1孔相連之第2孔； 於上述第2面形成第2導電層； 形成通過上述第1孔及上述第2孔而將上述第1導電層與上述第2導電層電性連接之連接材。 (22) 如上述(21)所記載之製造方法，其中上述第1孔具有上述第1面之側之第1開口、及上述第2面之側之第2開口， 上述第2孔具有上述第1導電層之側之第3開口、及上述基體之側之第4開口， 上述第3開口大於上述第1開口。 (23) 如上述(21)所記載之製造方法，其包含形成覆蓋上述第2導電層之第1保護層。 (24) 如上述(21)所記載之製造方法，其包含形成覆蓋上述連接材之第2保護層。 (25) 如上述(21)至(24)所記載之製造方法，其中藉由對上述第1面照射第1雷射光而形成上述凹部。 (26) 如上述(21)至(24)所記載之製造方法，其中藉由通過上述第1孔對上述絕緣層照射第2雷射光而形成上述第2孔。 [相互參照關聯申請案] 本申請案請求以2016年7月29日申請之日本專利申請案第2016-149968號為基礎之優先權，且將其全部內容作為參考引用於此。
10‧‧‧第1基體
10A‧‧‧第1面
10B‧‧‧第2面
11‧‧‧第1絕緣層
12‧‧‧第2絕緣層
13‧‧‧第3絕緣層
20‧‧‧第2基體
20A‧‧‧第1面
20B‧‧‧第2面
30‧‧‧蓋玻璃
31‧‧‧裝飾層
A‧‧‧區域
AD‧‧‧接著層
AL1‧‧‧第1配向膜
AL2‧‧‧第2配向膜
AX‧‧‧直線
BL‧‧‧照明裝置
BM‧‧‧遮光層
C‧‧‧連接材
CD‧‧‧共通電極驅動電路
CE‧‧‧共通電極
CF‧‧‧彩色濾光片
CN‧‧‧連接部
CS‧‧‧保持電容
DA‧‧‧顯示區域
DD‧‧‧顯示驅動器
DSP‧‧‧顯示裝置
F1‧‧‧內表面
F2‧‧‧內表面
F3‧‧‧內表面
G(G1～Gn)‧‧‧掃描線
GD‧‧‧掃描線驅動電路
I1‧‧‧IC晶片
IL‧‧‧絕緣層
L1‧‧‧第1導電層
L2‧‧‧第2導電層
LC‧‧‧液晶層
LT1‧‧‧上表面
LT2‧‧‧上表面
LZ1‧‧‧雷射光
LZ2‧‧‧雷射光
M‧‧‧金屬層
MO‧‧‧中間部分
MS‧‧‧金屬細線
MW‧‧‧金屬細線
NDA‧‧‧非顯示區域
O1‧‧‧第1開口
O2‧‧‧第2開口
O3‧‧‧第3開口
O4‧‧‧第4開口
OC‧‧‧保護塗層
OD1(PL1)‧‧‧第1光學元件
OD2(PL2)‧‧‧第2光學元件
P1‧‧‧焊墊
P2‧‧‧焊墊
P3‧‧‧焊墊
P4‧‧‧焊墊
PE‧‧‧畫素電極
PNL‧‧‧顯示面板
PT‧‧‧保護層
PT1‧‧‧第1保護層
PT2‧‧‧第2保護層
PX‧‧‧畫素
RC‧‧‧檢測電路
RS‧‧‧檢測部
RT1‧‧‧端子部
RT2‧‧‧端子部
RT3‧‧‧端子部
RT4‧‧‧端子部
Rx(Rx1、Rx2、Rx3、Rx4)‧‧‧檢測電極
S(S1～Sm)‧‧‧信號線
SD‧‧‧信號線驅動電路
SE‧‧‧密封件
SL‧‧‧狹縫
SS‧‧‧感測器
SUB1‧‧‧第1基板
SUB2‧‧‧第2基板
SUB3‧‧‧配線基板
SW‧‧‧開關元件
TR‧‧‧凹部
Tx‧‧‧感測器驅動電極
V‧‧‧連接用孔
V1‧‧‧連接用孔
V2‧‧‧連接用孔
V3‧‧‧連接用孔
V4‧‧‧連接用孔
VA‧‧‧孔
VA1‧‧‧第1部分
VA2‧‧‧第2部分
VB‧‧‧孔
VC‧‧‧孔
W1‧‧‧寬度
W2‧‧‧寬度
W3‧‧‧寬度
W4‧‧‧寬度
WD‧‧‧汲極電極
WG‧‧‧閘極電極
WL1‧‧‧配線
WL2‧‧‧配線
WL3‧‧‧配線
WL4‧‧‧配線
WM‧‧‧寬度
WR‧‧‧配線
WS‧‧‧源極電極
圖1係表示一實施形態之顯示裝置之構成例的剖面圖。 圖2係表示一實施形態之孔之構成例的立體圖。 圖3係表示連接用孔(contact hole)之另一構成例的剖面圖。 圖4係表示連接用孔之另一構成例之剖面圖。 圖5係表示連接用孔之另一構成例之剖面圖。 圖6係表示連接用孔之另一構成例之剖面圖。 圖7係表示連接用孔之另一構成例之剖面圖。 圖8係表示一實施形態之顯示裝置之構成例的俯視圖。 圖9係表示圖8所示之顯示面板之基本構成及等效電路的圖。 圖10係表示圖8所示之顯示面板之一部分結構的剖面圖。 圖11係表示一實施形態之感測器之構成例的俯視圖。 圖12係表示圖8所示之檢測電極之檢測部(detector)之構成例的圖。 圖13係圖8之A-B線上之顯示裝置之剖面圖。 圖14係表示一實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。 圖15係表示一實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。 圖16係表示一實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。 圖17係表示一實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。 圖18係表示一實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。 圖19係表示一實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。 圖20係表示一實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。 圖21係表示一實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。 圖22係表示一實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。 圖23係表示一實施形態之雷射光之強度分佈的圖。 圖24係表示一實施形態之顯示裝置之另一製造方法的圖。 圖25係表示一實施形態之顯示裝置之另一製造方法的圖。 圖26係表示一實施形態之顯示裝置之另一製造方法的圖。

Claims (27)

  1. 一種電子機器，其具備：第1基板，其包含第1導電層；第2基板，其包含：基體，其具有與上述第1導電層對向且與上述第1導電層隔開之第1面、及與上述第1面為相反側之第2面；第2導電層，其配置於上述第2面之側；且具有貫通上述第1面與上述第2面之間之第1孔；絕緣層，其配置於上述第1導電層與上述基體之間，具有與上述第1孔相連之第2孔；連接材，其通過上述第1孔及上述第2孔而將上述第1導電層與上述第2導電層電性連接；上述第1孔具有上述第1面之側之第1開口、及上述第2面之側之第2開口，上述第2孔具有上述第1導電層之側之第3開口、及上述基體之側之第4開口，上述第3開口大於上述第1開口；上述第2導電層具備：檢測部，其檢測與第1區域接觸或者接近之物體；端子部，其配置於與上述第1區域相鄰之第2區域且與上述檢測部相連；上述第1孔及上述第2孔設置於俯視下與上述端子部重疊之位置。
  2. 如請求項1之電子機器，其具備檢測電路，該檢測電路與上述第1導電層電性連接，且讀取自上述第2導電層輸出之感測器信號。
  3. 如請求項1之電子機器，其中上述第1基板具備與上述第2導電層對向之驅動電極。
  4. 一種電子機器，其具備：第1基板，其包含第1導電層；第2基板，其包含：基體，其具有與上述第1導電層對向且與上述第1導電層隔開之第1面、及與上述第1面為相反側之第2面；第2導電層，其配置於上述第2面之側；且具有貫通上述第1面與上述第2面之間之第1孔；絕緣層，其配置於上述第1導電層與上述基體之間，具有與上述第1孔相連之第2孔；連接材，其通過上述第1孔及上述第2孔而將上述第1導電層與上述第2導電層電性連接；上述第1孔具有上述第1面之側之第1開口、及上述第2面之側之第2開口，上述第2孔具有上述第1導電層之側之第3開口、及上述基體之側之第4開口，上述第3開口大於上述第1開口；其中上述第2孔於剖視下具有寬度隨著自上述第4開口朝向上述第3開口而擴大之形狀。
  5. 一種電子機器，其具備：第1基板，其包含第1導電層；第2基板，其包含：基體，其具有與上述第1導電層對向且與上述第1導電層隔開之第1面、及與上述第1面為相反側之第2面；第2導電層，其配置於上述第2面之側；且具有貫通上述第1面與上述第2面之間之第1孔；絕緣層，其配置於上述第1導電層與上述基體之間，具有與上述第1孔相連之第2孔；連接材，其通過上述第1孔及上述第2孔而將上述第1導電層與上述第2導電層電性連接；上述第1孔具有上述第1面之側之第1開口、及上述第2面之側之第2開口，上述第2孔具有上述第1導電層之側之第3開口、及上述基體之側之第4開口，上述第3開口大於上述第1開口；其中上述第1開口大於上述第2開口。
  6. 一種電子機器，其具備：第1基板，其包含第1導電層；第2基板，其包含：基體，其具有與上述第1導電層對向且與上述第1導電層隔開之第1面、及與上述第1面為相反側之第2面；第2導電層，其配置於上述第2面之側；且具有貫通上述第1面與上述第2面之間之第1孔；絕緣層，其配置於上述第1導電層與上述基體之間，具有與上述第1孔相連之第2孔；連接材，其通過上述第1孔及上述第2孔而將上述第1導電層與上述第2導電層電性連接；上述第1孔具有上述第1面之側之第1開口、及上述第2面之側之第2開口，上述第2孔具有上述第1導電層之側之第3開口、及上述基體之側之第4開口，上述第3開口大於上述第1開口；其中上述第1開口小於上述第2開口。
  7. 一種電子機器，其具備：第1基板，其包含第1導電層；第2基板，其包含：基體，其具有與上述第1導電層對向且與上述第1導電層隔開之第1面、及與上述第1面為相反側之第2面；第2導電層，其配置於上述第2面之側；且具有貫通上述第1面與上述第2面之間之第1孔；絕緣層，其配置於上述第1導電層與上述基體之間，具有與上述第1孔相連之第2孔；連接材，其通過上述第1孔及上述第2孔而將上述第1導電層與上述第2導電層電性連接；上述第1孔具有上述第1面之側之第1開口、及上述第2面之側之第2開口，上述第2孔具有上述第1導電層之側之第3開口、及上述基體之側之第4開口，上述第3開口大於上述第1開口；其中上述第1孔於剖視下具有伴隨自上述第1開口向上述第2開口而寬度擴大之形狀。
  8. 一種電子機器，其具備：第1基板，其包含第1導電層；第2基板，其包含：基體，其具有與上述第1導電層對向且與上述第1導電層隔開之第1面、及與上述第1面為相反側之第2面；第2導電層，其配置於上述第2面之側；且具有貫通上述第1面與上述第2面之間之第1孔；絕緣層，其配置於上述第1導電層與上述基體之間，具有與上述第1孔相連之第2孔；連接材，其通過上述第1孔及上述第2孔而將上述第1導電層與上述第2導電層電性連接；上述第1孔具有上述第1面之側之第1開口、及上述第2面之側之第2開口，上述第2孔具有上述第1導電層之側之第3開口、及上述基體之側之第4開口，上述第3開口大於上述第1開口；其中上述第1孔具有位於上述第1開口與上述第2開口之間之中間部分，於剖視下，具有寬度隨著自上述第1開口朝向上述中間部分而縮小、且寬度隨著自上述中間部分朝向上述第2開口而擴大之形狀。
  9. 如請求項8之電子機器，其中上述第1開口小於上述第2開口。
  10. 一種電子機器，其具備：第1基板，其包含第1導電層；第2基板，其包含：基體，其具有與上述第1導電層對向且與上述第1導電層隔開之第1面、及與上述第1面為相反側之第2面；第2導電層，其配置於上述第2面之側；且具有貫通上述第1面與上述第2面之間之第1孔；絕緣層，其配置於上述第1導電層與上述基體之間，具有與上述第1孔相連之第2孔；連接材，其通過上述第1孔及上述第2孔而將上述第1導電層與上述第2導電層電性連接；上述第1孔具有上述第1面之側之第1開口、及上述第2面之側之第2開口，上述第2孔具有上述第1導電層之側之第3開口、及上述基體之側之第4開口，上述第3開口大於上述第1開口；其中上述連接材於上述第1孔之內部，形成於上述第2導電層與上述第1孔之內表面之間。
  11. 一種電子機器，其具備：第1基板，其包含第1導電層；第2基板，其包含：基體，其具有與上述第1導電層對向且與上述第1導電層隔開之第1面、及與上述第1面為相反側之第2面；第2導電層，其配置於上述第2面之側；且具有貫通上述第1面與上述第2面之間之第1孔；絕緣層，其配置於上述第1導電層與上述基體之間，具有與上述第1孔相連之第2孔；連接材，其通過上述第1孔及上述第2孔而將上述第1導電層與上述第2導電層電性連接；上述第1孔具有上述第1面之側之第1開口、及上述第2面之側之第2開口，上述第2孔具有上述第1導電層之側之第3開口、及上述基體之側之第4開口，上述第3開口大於上述第1開口；其中上述第2導電層於上述第1孔之內部，形成於上述連接材與上述第1孔之內表面之間。
  12. 一種電子機器，其具備：第1基板，其包含第1導電層；第2基板，其包含：基體，其具有與上述第1導電層對向且與上述第1導電層隔開之第1面、及與上述第1面為相反側之第2面；第2導電層，其配置於上述第2面之側；且具有貫通上述第1面與上述第2面之間之第1孔；絕緣層，其配置於上述第1導電層與上述基體之間，具有與上述第1孔相連之第2孔；連接材，其通過上述第1孔及上述第2孔而將上述第1導電層與上述第2導電層電性連接；上述第1孔具有上述第1面之側之第1開口、及上述第2面之側之第2開口，上述第2孔具有上述第1導電層之側之第3開口、及上述基體之側之第4開口，上述第3開口大於上述第1開口；該電子機器進而具備覆蓋上述第2導電層及上述連接材之保護層；上述保護層包含覆蓋上述第2導電層之第1保護層、及覆蓋上述連接材之第2保護層。
  13. 如請求項12之電子機器，其中上述第2保護層填滿上述第2孔之內部。
  14. 如請求項1、4至13中任一項之電子機器，其中上述第1導電層具有封閉上述第3開口之平坦之區域，上述連接材與上述區域接觸。
  15. 如請求項1、4至13中任一項之電子機器，其中上述絕緣層包含將上述第1基板與上述第2基板貼合之密封件。
  16. 如請求項1、4至13中任一項之電子機器，其中上述第4開口大於上述第1開口。
  17. 如請求項1、4至13中任一項之電子機器，其中上述連接材覆蓋上述第1孔及上述第2孔之內表面。
  18. 如請求項1、4至13中任一項之電子機器，其中於上述第1孔之周圍，上述連接材覆蓋上述第2面，上述第2導電層覆蓋上述連接材。
  19. 如請求項4至13中任一項之電子機器，其中上述第2導電層具備：檢測部，其檢測與第1區域接觸或者接近之物體；端子部，其配置於與上述第1區域相鄰之第2區域且與上述檢測部相連；上述第1孔及上述第2孔設置於俯視下與上述端子部重疊之位置。
  20. 如請求項19之電子機器，其具備檢測電路，該檢測電路與上述第1導電層電性連接，且讀取自上述第2導電層輸出之感測器信號。
  21. 如請求項19之電子機器，其中上述第1基板具備與上述第2導電層對向之驅動電極。
  22. 一種顯示裝置之製造方法，其包含：準備包含第1導電層之第1基板、及包含具有第1面及與上述第1面為相反側之第2面之基體之第2基板；於上述基體之上述第1面形成凹部；使上述第1導電層與上述第1面對向，藉由配置於上述第1基板與上述第2基板之間之絕緣層而貼合上述第1基板與上述第2基板；藉由將上述基體薄板化而使上述凹部於上述第2面開口，形成貫通上述第1面與上述第2面之間之第1孔；於上述絕緣層形成與上述第1孔相連之第2孔；於上述第2面形成第2導電層；及形成通過上述第1孔及上述第2孔而將上述第1導電層與上述第2導電層電性連接之連接材。
  23. 如請求項22之製造方法，其中上述第1孔具有上述第1面之側之第1開口、及上述第2面之側之第2開口，上述第2孔具有上述第1導電層之側之第3開口、及上述基體之側之第4開口，上述第3開口大於上述第1開口。
  24. 如請求項22之製造方法，其包含形成覆蓋上述第2導電層之第1保護層。
  25. 如請求項22之製造方法，其包含形成覆蓋上述連接材之第2保護層。
  26. 如請求項22至25中任一項之製造方法，其中藉由對上述第1面照射第1雷射光而形成上述凹部。
  27. 如請求項22至25中任一項之製造方法，其中藉由通過上述第1孔對上述絕緣層照射第2雷射光而形成上述第2孔。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10290495B2 (en) * 2016-07-29 2019-05-14 Japan Display Inc. Electronic apparatus and manufacturing method of the same
JP6779697B2 (ja) 2016-07-29 2020-11-04 株式会社ジャパンディスプレイ 電子機器及びその製造方法
JP6762793B2 (ja) * 2016-07-29 2020-09-30 株式会社ジャパンディスプレイ 電子機器及びその製造方法
JP6815781B2 (ja) * 2016-07-29 2021-01-20 株式会社ジャパンディスプレイ 電子機器
JP2018017984A (ja) 2016-07-29 2018-02-01 株式会社ジャパンディスプレイ 電子機器
CN108062187A (zh) * 2016-11-07 2018-05-22 京东方科技集团股份有限公司 触控结构及其制作方法和触控装置
KR101969831B1 (ko) * 2017-08-28 2019-04-17 주식회사 하이딥 터치 센서 패널
US10630824B2 (en) 2018-03-22 2020-04-21 Apple Inc. Electronic devices with adjustable decoration
JP7202202B2 (ja) * 2019-02-01 2023-01-11 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びプリント回路基板
CN109979316A (zh) * 2019-03-22 2019-07-05 维沃移动通信有限公司 终端设备的显示屏、显示屏的制备方法及终端设备
CN110599955B (zh) * 2019-09-19 2021-02-09 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种显示面板和显示装置
JPWO2021157496A1 (zh) * 2020-02-07 2021-08-12
JP7028418B2 (ja) * 2020-04-27 2022-03-02 株式会社Nsc 貫通孔を有するガラス基板製造方法および表示装置製造方法
JP7517012B2 (ja) * 2020-09-16 2024-07-17 セイコーエプソン株式会社 超音波デバイス
US20240105892A1 (en) * 2021-04-16 2024-03-28 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. Driving backplane, manufacturing method thereof, and light-emitting substrate
CN114442858B (zh) * 2022-02-25 2024-04-05 武汉天马微电子有限公司 一种触控显示面板和触控显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101387800A (zh) * 2007-09-13 2009-03-18 北京京东方光电科技有限公司 一种tft lcd结构及其制造方法
TW201031295A (en) * 2008-10-31 2010-08-16 Nissha Printing Fpc connection method for protective panels with touch input function
TW201447718A (zh) * 2013-04-15 2014-12-16 Fujifilm Corp 觸控面板之導電片及其製造方法

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1049072A (ja) * 1996-08-06 1998-02-20 Hitachi Ltd ガス放電型表示装置とその製造方法
EP1031873A3 (en) * 1999-02-23 2005-02-23 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US6366025B1 (en) * 1999-02-26 2002-04-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display apparatus
JP2000332419A (ja) * 1999-05-24 2000-11-30 Hitachi Ltd 多層プリント基板および液晶表示装置
JP3915379B2 (ja) 2000-07-31 2007-05-16 セイコーエプソン株式会社 液晶装置および電子機器
KR100515861B1 (ko) * 2001-09-19 2005-09-21 가부시끼가이샤 도시바 자기 발광형 표시 장치
JP3989761B2 (ja) * 2002-04-09 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
US7038239B2 (en) * 2002-04-09 2006-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element and display device using the same
JP2005222928A (ja) * 2004-01-07 2005-08-18 Seiko Epson Corp 電気光学装置
JP4301227B2 (ja) * 2005-09-15 2009-07-22 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、電子機器並びにコンデンサー
JP2009008971A (ja) * 2007-06-29 2009-01-15 Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
WO2009113239A1 (ja) * 2008-03-13 2009-09-17 パナソニック株式会社 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法
JP2010023055A (ja) * 2008-07-16 2010-02-04 Seiko Epson Corp 表示パネルの製造方法
JP2010126398A (ja) * 2008-11-27 2010-06-10 Seiko Epson Corp 表示パネルの製造方法
US8183663B2 (en) * 2008-12-18 2012-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Crack resistant circuit under pad structure and method of manufacturing the same
WO2010095189A1 (ja) * 2009-02-20 2010-08-26 シャープ株式会社 タッチパネル付き表示装置
KR101023133B1 (ko) * 2009-03-19 2011-03-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP5195593B2 (ja) * 2009-04-01 2013-05-08 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置および有機ｅｌ装置の製造方法、ならびに電子機器
US20130020573A1 (en) * 2010-03-29 2013-01-24 Keiichi Fukuyama Pressure detecting device and method for manufacturing the same, display device and method for manufacturing the same, and tft substrate with pressure detecting device
US20140238952A1 (en) * 2011-10-20 2014-08-28 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing thin substrate
JP5923326B2 (ja) * 2012-02-08 2016-05-24 株式会社ジャパンディスプレイ 回路基板およびその製造方法、ならびに電気光学装置
JP6065448B2 (ja) * 2012-08-03 2017-01-25 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器
KR102154813B1 (ko) * 2013-01-17 2020-09-11 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 일체형 표시장치
US20140354901A1 (en) * 2013-05-30 2014-12-04 Nanchang O-Film Tech Co., Ltd. Touch panel
KR20140147709A (ko) * 2013-06-20 2014-12-30 지오 옵토일렉트로닉스 코퍼레이션 터치 디스플레이 패널 및 터치 디스플레이 장치
TWI662670B (zh) * 2013-08-30 2019-06-11 精材科技股份有限公司 電子元件封裝體及其製造方法
CN203630748U (zh) * 2013-09-25 2014-06-04 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控面板
KR102124906B1 (ko) * 2013-12-26 2020-07-07 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린을 구비한 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
US9502365B2 (en) * 2013-12-31 2016-11-22 Texas Instruments Incorporated Opening in a multilayer polymeric dielectric layer without delamination
KR102141208B1 (ko) * 2014-06-30 2020-08-05 삼성디스플레이 주식회사 휴대용 전자장치
CN104637967A (zh) * 2015-02-13 2015-05-20 苏州晶方半导体科技股份有限公司 封装方法及封装结构
TWI600946B (zh) * 2015-04-07 2017-10-01 群創光電股份有限公司 顯示面板
US10591764B2 (en) * 2015-09-15 2020-03-17 Boe Technology Group Co., Ltd. Display device having a touch electrode in the peripheral area
WO2017158477A1 (en) * 2016-03-18 2017-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10290495B2 (en) * 2016-07-29 2019-05-14 Japan Display Inc. Electronic apparatus and manufacturing method of the same
JP2018017987A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6815781B2 (ja) * 2016-07-29 2021-01-20 株式会社ジャパンディスプレイ 電子機器
JP2018017984A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 株式会社ジャパンディスプレイ 電子機器
JP2018017985A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び基板間導通構造
JP6779697B2 (ja) * 2016-07-29 2020-11-04 株式会社ジャパンディスプレイ 電子機器及びその製造方法
JP2018017978A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2018018008A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2018017981A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 株式会社ジャパンディスプレイ 電子機器
JP6762793B2 (ja) * 2016-07-29 2020-09-30 株式会社ジャパンディスプレイ 電子機器及びその製造方法
JP2018017986A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101387800A (zh) * 2007-09-13 2009-03-18 北京京东方光电科技有限公司 一种tft lcd结构及其制造方法
TW201031295A (en) * 2008-10-31 2010-08-16 Nissha Printing Fpc connection method for protective panels with touch input function
TW201447718A (zh) * 2013-04-15 2014-12-16 Fujifilm Corp 觸控面板之導電片及其製造方法

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