JPH1049072A

JPH1049072A - ガス放電型表示装置とその製造方法

Info

Publication number: JPH1049072A
Application number: JP8206855A
Authority: JP
Inventors: Eiji Matsuzaki; 永二松崎; Nobuyuki Ushifusa; 信之牛房; Seiichi Tsuchida; 誠一槌田; Kazuo Suzuki; 和雄鈴木; Teruo Takai; 輝男高井; Kyoko Amamiya; 恭子雨宮; Muneyuki Sakagami; 志之坂上; Fusaji Shoji; 房次庄子
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1996-08-06
Filing date: 1996-08-06
Publication date: 1998-02-20
Also published as: EP0823722A2; EP0823722A3; KR19980018370A; US5939828A

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】アドレス電圧を低くできるとともに、蛍光体に
対するイオンダメージを抑制しながらコントラストを高
くできるガス放電型表示装置の構造と、バリアリブとア
ドレス電極を設けた背面基板の製造工程の短縮と製造歩
留まり向上を達成できる製造方法を提供する。【解決手段】表示セル選択のためのアドレス放電を行う
空間と表示のための主放電を行う主放電空間からなる放
電空間を前面基板側に、蛍光体層が存在する内壁に囲ま
れた放電空間を背面基板２側に設けた。これにより、ア
ドレス放電を蛍光体が存在しない空間で行い、蛍光体に
放電電場が直接印加されないようにした。また、バリア
リブ材料からなる下地上に導体層を形成してから、アド
レス電極１０とバリアリブを形成することにより、背面
基板の製造工程を短縮した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
イなどのガス放電型表示装置とその製造方法に係わり、
特に、表示セルの選択が容易で、寿命が改善された、製
造工程の短縮を可能にするガス放電型表示装置の構造と
その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマディスプレイなどのガス放電型
表示装置は自己発光により表示を行うため、視野角が広
く、表示が見やすい。また、薄型のものが作製できるこ
とや大画面を実現できるなどの特長を持っており、情報
端末機器の表示装置や高品位テレビジョン受像機への応
用が始まっている。プラズマディスプレイは直流駆動型
と交流駆動型に大別される。このうち、交流駆動型のプ
ラズマディスプレイは、電極を覆っている誘電体層のメ
モリー作用によって輝度が高く、保護層の形成などによ
り実用に耐える寿命が得られるようになった。その結
果、プラズマディスプレイは多用途のビデオ・モニタと
して実用化されている。この例を図２２と図２３に示
す。図２２は実用化されたプラズマディスプレイパネル
の構造を示す斜視図である。この図では、見易くするた
め、前面基板１を背面基板２と放電空間領域３より離し
て図示した。前面基板１は、前面ガラス基板４上にＩＴ
Ｏ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）や酸化スズ
（ＳｎＯ２）などの透明導電材料からなる表示電極６と
低抵抗材料からなるバス電極７、透明な絶縁材料からな
る誘電体層８、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などの材料
からなる保護層９が形成された構造となっている。背面
基板２は、背面ガラス基板５上にアドレス電極１０とバ
リアリブ１１、蛍光体層１２が形成された構造となって
いる。そして、前面基板１と背面基板２を表示電極６と
アドレス電極１０がほぼ直交するように張合わせること
により、放電空間領域３が前面基板１と背面基板２の間
に形成されている。図２３は図２２に示したガス放電型
表示装置の断面図である。図２３において、（ａ）はア
ドレス電極１０に平行な断面を、（ｂ）はアドレス電極
１０に垂直な（ａ）に示した図のＡ−Ｂ断面を、（ｃ）
はアドレス電極１０に垂直な（ａ）に示した図のＣ−Ｄ
断面を示している。ここで示したガス放電型表示装置で
は、前面基板１に設けた１対の表示電極６の間に交流電
圧を印加し、背面基板２に設けたアドレス電極１０と表
示電極６の間に電圧を印加することによってアドレス放
電を発生させ、所定の放電セルに主放電を発生させる。
この主放電で発生する紫外線により蛍光体１２を発光さ
せ、表示を行っている。

【０００３】製造工程フローの一例を示した図２４によ
り、図２２と図２３に示した従来のガス放電型表示装置
の製造工程を簡単に説明する。まず、前面基板１の製造
工程について説明する。ソーダライムガラス等からなる
前面ガラス基板４を洗浄し、その一方の主表面上に透明
電極パターン６を形成する。ＩＴＯを透明電極材料とし
て用いた場合、透明電極パターン６の形成は、スパタッ
タリング法等を用いてＩＴＯを成膜した後に周知のフォ
トエッチング法によって行われることが多い。それに対
し、ＳｎＯ２を用いた場合には、リフトオフ法を用いた
化学蒸着法（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏ
ｓｉｔｏｉｎ，ＣＶＤ）によって形成されることが多
く、前面ガラス基板に用いるソーダライムガラスもシリ
カ等により被覆されることが多い。バス電極７には銅
（Ｃｕ）膜をクロム（Ｃｒ）膜でサンドイッチしたＣｒ
／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜が用いられることが多く、成膜後に
周知のフォトエッチングを行うことによって形成され
る。透明電極６とバス電極７を形成した前面ガラス基板
４上に、誘電体ペーストを印刷し、乾燥、焼結を行うこ
とによって透明な誘電体層８が形成される。誘電体層８
が形成された前面ガラス基板４上に印刷法によって真空
封止を行うためのシール層１７が形成され、さらに、真
空蒸着法等によっててＭｇＯ層が形成される。これで前
面基板１が完成する。次に、背面基板２の製造工程につ
いて説明する。ソーダライムガラス等からなる背面ガラ
ス基板５を洗浄し、その一方の主表面上に銀（Ａｇ）ペ
ーストを用いた厚膜印刷法により、アドレス電極パター
ン１０を形成する。アドレス電極１０を形成した背面ガ
ラス基板５上に、厚膜印刷と乾燥を繰り返すことによ
り、バリアリブ１１を形成する。次いで、厚膜印刷法に
よって蛍光体層１２を形成することによって背面基板２
が完成する。

【０００４】完成した前面基板１と背面基板２を、位置
合わせをしながら組み立てる。排気や封入ガス導入を行
う排気管（図示せず）を取り付け、その後、封着炉で基
板同士のシールと排気管の固定を行う。基板同士のシー
ルは、基板工程で形成したシール層１７（低融点ガラ
ス、フリット）により溶融固着させる。次に、排気装置
にパネルを取り付け、バネルをベーキングしながら排気
管で真空排気する。この後、例えばネオン（Ｎｅ）とキ
セノン（Ｘｅ）の混合ガスを封入し、排気管のチップオ
フとエージングを行うことにより、図２２と図２３に示
した従来のガス放電型表示装置が完成する。

【０００５】ここで示したガス放電型表示装置の従来例
は、例えば、フラットパネルディスプレ１９９６（日経
マイクロデバイス編、１９９５年）の第２０８頁から２
１５頁に記載されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、表
示セルを選択するためのアドレス放電を前面基板１に設
けられた表示電極６と背面基板２に設けられたアドレス
電極１０の間で行う。この場合、上記表示電極６と上記
アドレス電極１０の距離が約０．２ｍｍと大きいため、
アドレス放電を発生させるために必要な印加電圧（アド
レス電圧と呼ぶことにする）は、２００Ｖ以上の高い値
となる。このアドレス電圧を下げるため、表示電極６の
共通電極側の電極６２に３００Ｖ程度の高い電圧を与え
て、すべての表示セルに補助放電を発生させ、表示電極
６を覆っている保護層９とアドレス電極１０を覆ってい
る蛍光体層１２の表面に壁電荷を形成している。このた
め、図２２と図２３に示した従来のガス放電表示装置で
は、以下に示す特性上の問題点が発生している。

【０００７】（１）壁電荷を形成するための時間が必
要になるため、表示時間が時間が短くなり、階調をつけ
るのが難しくなる。（２）壁電荷形成のための補助放電が、蛍光体層１２
によって囲まれている放電空間１００で行われるため、
補助放電により蛍光体層１２が発光する。このため、表
示画面のコントラストが低くなってしまう。（３）アドレス電極１０の上に蛍光体層１２が存在す
るため、壁電荷形成のための補助放電や表示のための主
放電において、プラズマ（イオン）ダメージを受け、蛍
光体が劣化する。これは、ガス放電型表示装置の寿命を
短くする原因となっている。

【０００８】また、上記従来技術では、背面基板２に設
けるバリアリブ１１の形成が最も難しい。図２４で説明
した厚膜印刷法によるバリアリブ形成では、厚膜印刷と
乾燥を何度も繰り返すため、厚膜パターンの寸法精度や
欠陥の発生、厚膜パターン相互の位置合わせ不良、大型
スクリーン版の変形などが発生しやすい。そのため、製
造工程が長くなり、製造歩留りも低くなる。また、厚膜
印刷法による０．０５ｍｍ程度の微細化は困難であり、
大型スクリーン版ほど変形が発生しやすい。これは、表
示画面の高精細化や大形化を困難なものとしている。こ
れらの問題に対応するため、フォト埋め込み法やサンド
ブラスト法、感光性ペースト法が提案され、その検討が
始まっている。

【０００９】フォト埋め込み法は、感光性フィルムを用
いてアドレス電極１０を形成した背面基板４上にバリア
リブ状の溝パターンを形成し、この溝パターンの中にバ
リアリブ層を埋め込む方法である。かかる方法では、深
さが０．１ｍｍ以上の溝パターンを０．０５ｍｍ程度の
幅で形成することは困難であり、また、埋め込むバリア
リブ層と感光性フィルムの間の化学的安定性（溶解や反
応など）やバリアリブ材料の埋め込む方法の開発も重要
な問題となっている。

【００１０】サンドブラスト法は、アドレス電極１０を
形成した背面ガラス基板５上に設けたバリアリブ層上に
感光性フィルムによるバリアリブパターンを形成し、サ
ンドブラストを用いて感光性フィルムが存在しない領域
のバリアリブ層を除去する方法である。かかる方法にお
いても、１回で印刷できるバリアリブ層の厚みが小さい
ので、厚いバリアリブ層を得るためには印刷と乾燥を繰
り返す必要がある。また、サンドブラスト工程における
アドレス電極１０の損傷を防止するため、アドレス電極
を他の材料で被覆する必要もでてくる。すなわち、サン
ドブラスト法の場合にも工程が長くなり、アドレス電極
に対して損傷を与える可能性があるなどの問題があり、
また、ガス放電型表示装置の製造原価を下げるために
は、安価な耐ブラスト性に優れた感光性フィルムの開発
も重要になっている。

【００１１】感光性ペースト法は、感光性を有するバリ
アリブ材料を用いてバリアリブ層を形成し、露光、現像
など周知のフォトリソグラフィー法によってバリアリブ
を形成する方法である。この方法は最も簡単なプロセス
となるが、材料開発が不完全である。そのため、厚くし
た場合の加工限界や積層限界が不明であり、膜形成法に
おいても厚膜形成法などが確立しておらず、これからの
技術といえる。このように、上述した従来技術では、製
造工程が長くなり、高い製造歩留まりを得ることが難し
くなっている。

【００１２】バリアリブの上記形成方法では、アドレス
電極を形成した背面基板上にバリアリブ層を形成して、
それを焼結することによってバリアリブを得ている。バ
リアリブの焼結温度は背面ガラス基板５に用いるソーダ
ライムガラスの歪み点より高くなるため、ガラスが変形
する問題も発生する。更に、表示画面の面積が大きくな
った場合には、焼結によるバリアリブの収縮が問題にな
ることもありうる。これらの問題は、ガス放電型表示装
置の製造歩留まりを低下させる要因となる。

【００１３】本発明の第１の目的は、表示セルを選択す
るためのアドレス放電を発生させるために、表示電極と
アドレス電極の間に印加するアドレス電圧を低くするこ
とにある。すなわち、商用ＬＳＩによって容易に走査で
きる電圧までアドレス電圧を下げ、従来技術で行われて
いた、壁電荷形成のための補助放電をなくすことにあ
る。本発明の第２の目的は、コントラストの高い表示画
面を達成できるガス放電型表示装置の構造を提供するこ
とにある。本発明の第３の目的は、放電による蛍光体に
対するイオンダメージを抑制できるガス放電型表示装置
の構造を提供することにある。本発明の第４の目的は、
従来技術に比べて製造工程が簡略化され、また、製造歩
留まりの向上が見込まれる、ガス放電型表示装置の構造
と製造方法を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的は、上記前面基
板と上記背面基板の間に形成される放電空間を前面基板
側の放電空間と背面基板側の放電空間より構成し、上記
前面基板側の放電空間の中に表示のための主放電を行う
主放電空間と表示セルを選択するためのアドレス放電を
行うアドレス空間を設け、上記背面基板側の放電空間を
形成するバリアリブの内壁に蛍光体層を形成することに
よって達成される。すなわち、上記第１の目的は、上記
アドレス電極を上記背面基板側の放電空間を形成するバ
リアリブ上に形成し、上記表示電極と上記アドレス電極
のアドレス放電空間を挟んでの距離を短くすることによ
って達成される。上記第２、第３の目的は、アドレス放
電を、蛍光体の存在しない空間で行い、また、上記第１
の目的の達成により、壁電荷形成のための補助放電なし
で発生させることによって達成される。上記第４の目的
は、アドレス電極に用いる導体層あるいはアドレス電極
パターンを絶縁性下地上に形成した後に、絶縁性の下地
を掘り込むことによって背面基板側の放電空間を仕切る
バリアリブを形成することによって達成される。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面に示した実施例によっ
て本発明を詳細に説明する。（実施の形態１）本発明の第１の実施の形態を図１と図
２により説明する。図１は本発明を適用したガス放電型
表示装置の一部を断面図で示したものである。図１の
（ａ）はアドレス電極に平行な断面を、同図（ｂ）はア
ドレス電極に垂直である同図（ａ）に示したＡ−Ｂ断面
を、同図（ｃ）はアドレス電極に垂直である同図（ａ）
に示したＣ−Ｄ断面を示している。なお、同図（ａ）
は、同図（ｂ）と同図（ｃ）に示したＥ−Ｆ断面を示し
ている。

【００１６】図において、１は前面基板を、２は背面基
板を、３は放電空間領域を、４は前面ガラス基板を、５
は背面ガラス基板を、６１と６２は透明導電材料からな
る表示電極を、７１と７２は表示電極の一部と重なるよ
うに設けられたバス電極を、６は６１と６２を区別しな
いで呼ぶ場合の表示電極を、７は７１と７２を区別しな
いで呼ぶ場合のバス電極を、８は誘電体層を、９はＭｇ
Ｏからなる保護層を、１１は背面基板側に設けられたバ
リアリブを、１１０は前面基板側に設けられたバリアリ
ブを、１２は蛍光体層を、１００は表示のための主放電
が発生する前面基板側のバリアリブによって仕切られた
主放電空間を、３００は表示セルを選択するためのアド
レス放電が発生するアドレス放電空間を、２００は背面
基板側の放電空間、を示す。

【００１７】図２は、第１の実施の形態を図１に示した
Ｘ方向から見た場合のアドレス電極と前面基板側のバリ
アリブ、前面基板に設けられた表示電極とバス電極の位
置関係を示した図である。太い実線で囲まれた部分は、
背面基板２上に形成したアドレス電極１０の真下から前
面基板側を見た図であり、破線で囲まれた部分は、前面
基板側のバリアリブ１１０の真下から前面基板側を見た
図であり、それ以外は、前面基板１に設けられている表
面電極６とバス電極７を示したものである。この図は断
面図ではないが、わかりやすくするため、表示電極６と
バス電極７、前面基板側のバリアリブ１１０、アドレス
電極１０にはハッチングを施し、前面基板に形成されて
いる誘電体層８と保護層９は省略した。図において、１
０００は表示電極が伸延する方向に配列した表示セル列
を表す表示電極セル列を、２０００はアドレス電極が伸
延する方向に配列した表示セル列を表すアドレス電極セ
ル列示す。

【００１８】以下、第１の実施の形態の製造方法の一例
を図２５により説明する。まず、前面基板１の製造方法
について説明する。（１）前面ガラス基板４とするソーダライムガラス等
のガラス板を中性洗剤等により洗浄する。（２）洗浄した前面ガラス基板４上にスパッタリング
法や電子線蒸着法などの成膜手法により酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ２）膜やＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）
膜などの透明導電膜を形成する。次いで周知のフォトエ
ッチング法によって透明導電膜の加工を行い、表示電極
６１、６２として働く電極パターンを形成する。表示電
極のパターン寸法は製造する放電セルの大きさに合わせ
て定めれば良い。（３）表示電極６１、６２を形成した前面ガラス基板
４上に、スパッタリング法や電子線蒸着法等の成膜手法
を用いてクロム（Ｃｒ）膜で銅（Ｃｕ）膜をサンドイッ
チしたＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜を形成する。次いで、周
知のフォトエッチング法を用いてＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層
膜の加工を行い、表示電極６１、６２の一部と重なるよ
うにパターンの形成し、バス電極７１、７２とする。Ｃ
ｕ層の膜厚とバス電極のパターン寸法はバス電極に要求
される抵抗値によって定めれば良い。（４）表示電極６とバス電極７を形成した前面ガラス
基板４の所定の場所にアルミニウム（Ａｌ）、シリコン
（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）を主成分とする加水分解型コーテ
ィング剤（アルコキシドなど）をブレード法やスプレー
法等の手法を用いて塗布し、１００〜４００℃の温度で
１〜６０分間加熱することにより膜厚が０．００２〜
０．０５ｍｍの誘電体層８を形成する。（５）誘電体層８が形成された背面ガラス基板４上に
印刷法等の手法を用いて真空封止を行うためのシール層
１７を形成する。（６）スパッタリング法や電子線蒸着法等の成膜手法
を用いてＭｇＯ膜を所定の場所に成膜し、保護層９とす
る。ＭｇＯ膜の膜厚はガス放電型表示装置に要求される
寿命によって定める必要があるが、その代表値は０．０
００１〜０．００２ｍｍである。以上の工程により、表示電極６を設けた前面基板１が完
成する。

【００１９】次に背面基板２の製造方法について説明す
る。（１）背面ガラス基板５とするソーダライムガラス等
のガラス板を中性洗剤等を用いて洗浄する。（２）洗浄した背面ガラス基板５上に、スパッタリン
グ法や電子線蒸着法等の成膜手法を用いてＣｒ／Ｃｕ／
Ｃｒ積層膜（導体層）１１４０を形成する。Ｃｕ層の膜
厚は、アドレス電極１０に要求される抵抗値によって定
めれば良い。（３）Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜１１４０が形成された
背面ガラス基板５上に感光性フィルム１１２０をラミネ
ートし，周知の露光、現像、水洗、乾燥を行うことによ
り、所定の感光性フィルムパターンを形成する。（４）サンドブラスト処理を行うことにより、背面ガ
ラス基板５の感光性フィルム１１２０によって被覆され
ていない部分を除去し、アドレス電極パターン１０と背
面基板側の放電空間２００を仕切るバリアリブ１１を形
成する。次いで、周知の方法を用いて感光性フィルム１
１２０を除去する。（５）アドレス電極１０とバリアリブ１１を形成した
背面ガラス基板５の所定の場所にＡｌ、Ｓｉ、Ｏを主成
分とする加水分解型コーティング剤（アルコキシドな
ど）をブレード法やスプレー法等の手法を用いて塗布
し、１００〜４００℃の温度で１〜６０分間加熱するこ
とにより、絶縁体層８０を形成する。絶縁体層８０の膜
厚は、アドレス放電で消耗する量から定めれば差支えな
いが、代表的な値は０．００２〜０．０５ｍｍである。（６）背面基板側の放電空間２００を形成するバリア
リブ１１の内壁に、スプレー法やブレード法等の手法を
用いて蛍光体層１２を塗布する。カラー表示のガス放電
型表示装置の場合には、緑、青、赤の所定のパターンの
マスクを位置合せし、緑、青、赤の色を発色する蛍光体
層１２を塗布する。次いで、１５０〜３００℃の温度で
５〜６０分の熱処理を行う。さらに、厚膜印刷法等の手
法を用いてフリットガラスのパターン形成を行い、乾燥
を行うことにより、真空封止を行うためのシール層１７
を形成する。以上の工程で、背面基板側の放電空間２００を形成する
バリアリブ１１と蛍光体層１２、アドレス電極１０を有
する背面基板２が完成する。この背面基板２には、パネ
ル組み立て後に行う排気とガス導入のためにチップ管
（図示せず）を取り付ける。

【００２０】各表示セルに対応して開口部を設けた金属
板を被覆することにより形成した隔壁基板９０と、上記
工程で作製した前面基板１および背面基板２の位置合わ
せを行いながら組み立て、３００〜４５０℃の熱処理を
施すことによってこれらの基板を固定する。この場合、
前面基板１に設けた表示電極６およびバス電極７と背面
基板５に設けたアドレス電極１０をほぼ直交させ、前面
基板１と背面基板２によって隔壁基板９０を挟むように
する。次に、背面基板に設けたチップ管（図示せず）を
通して前面基板１と背面基板２の間に形成される放電空
間の真空排気を行い、例えば３％のＸｅを含むＮｅを主
放電空間１００に導入し、放電空間内の圧力を３５〜７
０ｋＰａに調節する。次いで、チップ管（図示せず）の
局部加熱によってチップオフを行うことにより図１に示
したガス放電型表示装置が完成する。なお、前面基板側
の放電空間を形成するバリアリブ１１０は、上記隔壁基
板９０によって形成されることになる。

【００２１】本実施の形態では、バス電極７とアドレス
電極１０の材料としてＣｕとＣｒを用いているが、Ａｌ
やＡｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏの金属やこれらの合金を
用いてもさしつかえない。また、バス電極７とアドレス
電極１０を構成する材料の形成方法としてスパッタリン
グ法や電子線蒸着法を用いているが、形成方法に制限は
なく、めっき法や抵抗加熱蒸着法、厚膜印刷法などを用
いても良い。表示電極６に用いる透明導電材料も酸化す
ずやＩＴＯに限定されるものではない。また、その形成
方法としてもスパッタリング法や電子線蒸着法に限定さ
れるものではなく、化学気相反応法やソル−ゲル法など
を用いてもさしつかえない。誘電体層８と絶縁体層８０
の形成にはアルコキシドを用いているが、この材料に限
定されるものではない。また、誘電体層８と絶縁体層８
０の形成方法としてブレード法やスプレー法と熱硬化法
を組み合わせた方法を用いているが、形成方法にも制限
はなく、スパッタリング法や化学気相反応法、厚膜印刷
法などを用いてもさしつかえない。保護層９としてＭｇ
Ｏを用いているが、放電ガスに対するスパッタリング率
が低く、２次電子放出係数が高ければ良く、ＭｇＯの
他、ＣａＯやＳｒＯ、これらの混合物を用いても差支え
ない。また、絶縁体層８０はアドレス放電などにおいて
プラズマ（イオン）ダメージを受けるが、消耗が激しい
場合には、放電ガスに対する耐スパッタ性に優れた保護
層９と同じ材料、すなわち、ＭｇＯなどによって形成す
るのが望ましい。

【００２２】本実施の形態では、前面基板側の放電空間
を形成するバリアリブ１１０を開口部を設けた金属板を
絶縁膜によって被覆した隔壁基板９０によって形成して
いるが、絶縁膜によって被覆された金属板に限定される
ものでなく、セラミックスやガラス等の絶縁性材料から
なる板材に開口部を設けて隔壁基板９０としても差支え
ない。また、放電ガスとしてＮｅとＸｅの混合気体を用
いているが、これらに限定されるものではない。

【００２３】本発明を適用した本実施の形態のガス放電
型表示装置は４５０℃以下の低温プロセスで製造できる
ため、歪点が低いが安価なソーダライムガラス等のガラ
スを基板とし使用できる。しかし、製造プロセスの温度
を４５０℃以下にすることを要求している訳ではなく、
製造プロセスの温度を４５０℃以上にした場合にも本実
施の形態のガス放電型表示装置は製造できる。

【００２４】本実施の形態で示したガス放電型表示装置
では、例えば３％のＸｅを含むＮｅガスを封入すること
により前面基板１と背面基板２の間に放電空間を形成し
ている。前面基板側のバリアリブ１１０は前面基板１の
表面にに接触することによって表示のための主放電を発
生させる主放電空間１００を形成し、さらに、背面基板
２のバリアリブ１１と接触することによってアドレス放
電空間３００を形成している。図１と図２からわかるよ
うに、上記主放電空間１００と上記アドレス放電空間３
００からなる前面基板側の放電空間は、前面基板側のバ
リアリブ１１０により、表示セルごとに分離されてい
る。それに対し、背面基板側のバリアリブ１１によって
仕切られた背面基板側の空間２００は、表示電極６が伸
延する方向に配列した表示セル列１０００（表示電極セ
ル列と呼ぶことにする）では表示セルごとに分離されて
いるが、アドレス電極１０が伸延する方向に配列した表
示セル列２０００（アドレス電極セル列と呼ぶことにす
る）では共有されている。蛍光体層１２は、背面基板側
の放電空間を形成する内壁に形成されている。

【００２５】図１と図２からわかるように、本実施の形
態におけるアドレス電極１０は背面基板側の放電空間２
００を仕切るバリアリブ１１上に設けられ、上記アドレ
ス電極１０が伸延する方向に延びた前面基板側のバリア
リブ１１０の幅を、上記アドレス電極１０（すなわち、
背面基板側のバリアリブ１１）の幅より小さくすること
によって、表示電極６あるいはバス電極７とアドレス電
極１０をアドレス放電空間３００を挟んで対向させてい
る。これにより、表示電極６あるいはバス電極７とアド
レス電極１０の間に放電を発生させることができる。こ
の放電は、バリアリブ１１０から０．０１ｍｍ以上広が
るようにすることによって安定になる。この理由は、バ
リアリブ１１０の表面での荷電粒子の損失を少なくでき
るからである。本実施の形態の場合にも、表示のための
主放電は、図２２と図２３に示した従来のガス放電型表
示装置と同じく、表示電極６１と６２の間に電圧を印加
することによって発生する。

【００２６】この実施の形態で示したガス放電型表示装
置の場合、アドレス電極１０と表示電極６（あるいはバ
ス電極７）の一方の電極６１（あるいは７１）あるいは
６２（あるいは７２）の間に電圧を印加することによっ
てアドレス放電を発生させ、この状態で表示電極６１と
６２の間に電圧を印加することにより、上記アドレス放
電を種火として主放電を発生させる。表示電極６１と６
２のどちらか一方の電極（ここでは６２とする）をすべ
ての表示セルに共通な共通電極とし、他方の電極（ここ
では６１とする）を表示電極セル列１０００に共通電極
とすることが多い。表示電極６１とアドレス電極１０の
間でアドレス放電を発生させた場合、アドレス放電によ
り１つの表示セルを選択する。それに対し、表示電極６
２とアドレス電極１０の間でアドレス放電を発生させた
場合、アドレス放電によってアドレス電極セル列２００
０を選択し、表示電極６１と６２の間に電圧を印加する
ことによって主放電を発生させる表示電極セル列２００
０を選択することによって１つの表示セルを選択するこ
とになる。すなわち、表示電極６１とアドレス電極１０
の間にアドレス電圧を印加した場合には１つの表示セル
においてのみアドレス放電が発生するが、表示電極６２
とアドレス電極１０の間にアドレス電圧を印加した場合
には、１つのアドレス電極セル列の表示セルすべてにお
いてアドレス放電が発生する。

【００２７】本発明の実施の形態において本発明を適用
した主な点は次のようになる。本発明を適用した第１点
は、前面基板１と背面基板２の間に形成される放電空間
が、表示のための主放電を発生させる主放電空間１００
と表示セルを選択するためのアドレス放電を発生させる
アドレス放電空間３００からなる前面基板側の放電空間
と、内壁に蛍光体層１２が形成されたバリアリブ１１に
よって仕切られた背面基板側の放電空間２００と、から
構成されている点にある。第２に本発明を適用したは、
背面基板側の放電空間２００を形成するバリアリブ１１
上にアドレス電極１０を設け、前面基板側のバリアリブ
１１０によって前面基板１とアドレス電極１０の間に空
間を設けることによりアドレス放電空間３００を形成し
ている点にある。これにより、アドレス放電を発生させ
るためのアドレス電圧を前面基板側のバリアリブの高さ
によって調整できるようになり、蛍光体層１２に対する
アドレス放電の影響を抑制できるようになる。第３の本
発明を適用した点は、背面基板側の放電空間２００を形
成するバリアリブ１１の内壁に蛍光体層１２のみを形成
した点にある。（従来のガス放電型表示装置では、アド
レス電極１０と蛍光体層１２が形成されている）第４の
本発明を適用した点は、背面基板側の放電空間２００を
形成するバリアリブ１１が、背面ガラス基板５の一部に
より形成されている点にある。これにより、アドレス電
極１０を背面基板側の放電空間２００を形成するバリア
リブ１１上に容易に形成できるようになる。第５の本発
明を適用した点は、背面基板２の製造方法として、アド
レス電極を構成する導体層を形成してからアドレス電極
パターン１０と背面基板側の放電空間２００を形成する
ためのバリアリブ１１を形成することを特徴とする、図
２５に示した工程を用いた点にある。これにより、背面
基板の製造工程が従来技術に比べて簡略化されたものと
なっている。

【００２８】本発明を適用したこの実施の形態で得られ
た効果を、従来のガス放電型表示装置との比較でまとめ
ると、次のようになる。１）アドレス電極１０と表示電極６（あるいはバス電
極７）の距離が小さくなるため、アドレス電極１０と表
示電極６（あるいはバス電極７）の間でアドレス放電を
発生させるためのアドレス電圧を低くできる。このアド
レス電圧は、前面基板側のバリアリブ１１０の高さによ
って制御できる。例えば、表示電極６とアドレス電極１
０の間の距離を０．０８ｍｍにすることにより、アドレ
ス電圧を、従来のガス放電型表示装置（表示電極６とア
ドレス電極１０の間の距離は約０．２ｍｍ）の２／５ま
で低下させることができる。これにより、アドレス電圧
を低下させるための壁電荷を形成する補助放電は不要と
なり、表示画面に階調を付けやすくなる。２）１）で述べたように、アドレス電圧を低下させる
ための壁電荷を形成する補助放電が不要となり、アドレ
ス放電が蛍光体層１２が存在しないアドレス放電空間で
行われるので、黒表示状態の輝度を下げることができ、
コントラストを高くできる。３）１）で述べたように、アドレス電圧を低下させる
ための壁電荷を形成する補助放電が不要となり、アドレ
ス電極１０と表示電極６（或いはバス電極７）の間に、
蛍光体層１２が存在していないことから、放電による蛍
光体層１２のイオンダメージを抑制できる。これによ
り、蛍光体層１２の長寿命化が達成される。４）アドレス電極パターン１０と背面基板側の放電空
間２００を形成するバリアリブ１１を１つのプロセスで
形成でき、前面基板側のバリアリブ１１０も簡単な工程
で作製できる隔壁基板９として用いることができるの
で、従来のガス放電型表示装置の製造方法に比べて、製
造工程が簡略化され、製造歩留まりの向上が見込まれ
る。５）バリアリブ１１をソーダライムガラスの歪み点よ
り低い温度で形成できるので、ガラス基板の変形を抑制
でき、製造歩留まりの向上が見込まれる。以上述べたよ
うに、本発明の第１の実施の形態によれば、壁電荷を形
成しなくともアドレス電圧が低く、表示画面のコントラ
ストが高く、蛍光体層に対するイオンダメージを抑制で
きるガス放電型表示装置を提供できるとともに、該ガス
放電型表示装置の製造工程の工程短縮と歩留り向上が達
成できる効果が得られる。

【００２９】（実施の形態２）本発明の第２の実施の形
態を図３と図４により説明する。図３は本発明を適用し
たガス放電型表示装置の一部を断面図で示したものであ
る。図３の（ａ）はアドレス電極に平行な断面を、同図
（ｂ）はアドレス電極に垂直である同図（ａ）に示した
Ａ−Ｂ断面を、同図（ｃ）はアドレス電極に垂直である
同図（ａ）に示したＣ−Ｄ断面を示している。なお、同
図（ａ）は、同図（ｂ）と同図（ｃ）に示したＥ−Ｆ断
面を示している。図３において、７３はバス電極７の一
部が主放電を行う対向電極に向かって伸延したバス電極
の枝状部分を示す。

【００３０】図４は、第１の実施の形態を図３に示した
Ｘ方向から見た場合のアドレス電極と前面基板側のバリ
アリブ、前面基板に設けられた表示電極とバス電極の位
置関係を示した図である。太い実線で囲まれた部分は、
背面基板２上に形成したアドレス電極１０の真下から前
面基板側を見た図であり、破線で囲まれた部分は、前面
基板側のバリアリブ１１０の真下から前面基板側を見た
図であり、それ以外は、前面基板１に設けられている表
面電極６とバス電極７を示したものである。この図は断
面図ではないが、わかりやすくするため、表示電極６と
バス電極７、前面基板側のバリアリブ１１０、アドレス
電極１０にはハッチングを施し、前面基板に形成されて
いる誘電体層８と保護層９は省略した。

【００３１】図３（ｃ）と図４からわかるように、この
実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、アドレス
電極１０と表示電極６が交差してアドレス放電空間３０
０を形成する場所において、表示電極６１に対するバス
電極７１が主放電を発生させる対向電極（表示電極）６
２に向かって伸延し、表示電極６２に対するバス電極７
２が主放電を発生させる対向電極（表示電極）６１に向
かって伸延している点である。すなわち、アドレス電極
１０と表示電極６が交差する場所に、バス電極７の一部
が主放電を行う対向電極に向かって伸延したバス電極の
枝状部分７３が存在しているところである。これ以外の
構成や製造方法、本発明を適用した点は、第１の実施の
形態の場合と同じである。従って、本実施の形態の場合
にも、第１の実施の形態と同じ効果を得ることができ
る。

【００３２】本実施の形態の場合、アドレス電極１０と
表示電極６が交差する場所に不透明なバス電極の枝状部
分７３を設けることにより、アドレス電極１０と表示電
極６の間で発生するアドレス放電で発生する光を前面基
板１側から見て遮蔽できる。すなわち、表示画面に対す
るアドレス放電による発光の影響を抑制できるため、黒
表示状態の品位を上げることができ、コントラストが改
善される。また、抵抗の低いバス電極７の枝状部分の存
在は枝状部分での電極幅が大きくなることを意味してお
り、バス電極７の抵抗がさらに低くなる効果も得られ
る。

【００３３】なお、本実施の形態の場合、アドレス放電
を表示電極６１（バス電極７１）とアドレス電極１０の
間で発生させているが、表示電極６２（バス電極７２）
とアドレス電極１０の間で発生させても差支えない。

【００３４】（実施の形態３）本発明の第３の実施の形
態を図５と図６により説明する。図５は本発明を適用し
たガス放電型表示装置の一部を断面図で示したものであ
る。図５の（ａ）はアドレス電極に平行な断面を、同図
（ｂ）はアドレス電極に垂直である同図（ａ）に示した
Ａ−Ｂ断面を、同図（ｃ）はアドレス電極に垂直である
同図（ａ）に示したＣ−Ｄ断面を示している。なお、同
図（ａ）は、同図（ｂ）と同図（ｃ）に示したＥ−Ｆ断
面を示している。

【００３５】図６の（ａ）は、第３の実施の形態を図５
に示したＸ方向から見た場合のアドレス電極と前面基板
側のバリアリブ、前面基板に設けられた表示電極とバス
電極の位置関係を示した図である。太い実線で囲まれた
部分は、背面基板２上に形成したアドレス電極１０の真
下から前面基板側を見た図であり、破線で囲まれた部分
は、前面基板側のバリアリブ１１０の真下から前面基板
側を見た図であり、それ以外は、前面基板１に設けられ
ている表面電極６とバス電極７を示したものである。こ
の図は断面図ではないが、わかりやすくするため、表示
電極６とバス電極７、前面基板側のバリアリブ１１０、
アドレス電極１０にはハッチングを施し、前面基板に形
成されている誘電体層８と保護層９は省略した。

【００３６】図５からわかるように、本実施の形態が第
１の実施の形態と異なる点は、表示電極６１、６２が、
表示電極セル列２本ごとに３本備えられ、この３本の表
示電極６１、６２のうち、中央の１本６２が、２列の表
示電極セル列にまたがって備えられている点である。そ
の他の構成や製造方法、本発明を適用した点は第１の実
施の形態の場合と同じである。２列の表示電極セル列に
またがって存在する、上記表示電極６２は表示のための
主放電を発生させる共通電極として働く。表示電極６２
に対するバス電極７２は、表示セルの開口率低下を防止
するため、前面基板側の放電空間を形成するバリアリブ
１１０と重なるように配置することが望ましい。また、
本実施の形態では、表示電極６２は、表示電極セル列に
またがった共通電極となっているが、必ずしもまたがっ
ている必要はなく、バス電極７２がまたがっていれば差
支えない。

【００３７】この実施の形態は、表示電極以外の構成や
製造方法、本発明を適用した点が第１の実施の形態の場
合と同じであり、第１の実施の形態の場合と同じ効果が
得られる。さらにこの実施の形態では、第１の実施の形
態の場合と比較すると、表示電極６とバス電極７の構造
の違いにより開口率が広くなっており、第１の実施の形
態の場合より高い輝度が得られる。これにより、表示画
面のコントラストが、第１の実施の形態の場合より高く
なることは明白である。

【００３８】また、本実施の形態の場合、図６（ｂ）に
示すように、アドレス電極１０と表示電極６が交差する
場所に低抵抗で不透明なバス電極の枝状部分７３を設け
ることが望ましい。この場合には、第２の実施の形態と
同様に、表示画面のコントラスト向上とバス電極７の低
抵抗化の効果を得ることができる。

【００３９】なお、本実施の形態の場合、アドレス放電
を表示電極セル列に固有な表示電極６１（バス電極７
１）とアドレス電極１０の間で発生させているが、主放
電における共通電極として働く表示電極６２（バス電極
７２）とアドレス電極１０の間で発生させても差支えな
い。

【００４０】（実施の形態４）本発明の第４の実施の形
態を図７と図８により説明する。図７は本発明を適用し
たガス放電型表示装置の一部を断面図で示したものであ
る。図７の（ａ）はアドレス電極に平行な断面を、同図
（ｂ）はアドレス電極に垂直である同図（ａ）に示した
Ａ−Ｂ断面を、同図（ｃ）はアドレス電極に垂直である
同図（ａ）に示したＣ−Ｄ断面を示している。なお、同
図（ａ）は、同図（ｂ）と同図（ｃ）に示したＥ−Ｆ断
面を示している。

【００４１】図８の（ａ）は、第４の実施の形態を図７
に示したＸ方向から見た場合のアドレス電極と前面基板
側のバリアリブ、前面基板に設けられた表示電極とバス
電極の位置関係を示した図である。太い実線で囲まれた
部分は、背面基板２上に形成したアドレス電極１０の真
下から前面基板側を見た図であり、破線で囲まれた部分
は、前面基板側のバリアリブ１１０の真下から前面基板
側を見た図であり、それ以外は、前面基板１に設けられ
ている表面電極６とバス電極７を示したものである。こ
の図は断面図ではないが、わかりやすくするため、表示
電極６とバス電極７、前面基板側のバリアリブ１１０、
アドレス電極１０にはハッチングを施し、前面基板に形
成されている誘電体層８と保護層９は省略した。

【００４２】図７と図８からわかるように、本実施例が
第１の実施例、第３実施例と異なる点は、表示を行うた
めの主放電において、表示電極セル列に固有な電極とし
て働く１つの表示電極６１と共通電極として働く２つの
表示電極６２を各表示セルの主放電空間１００に対応し
て設け、両側の表示電極セル列と共通電極として働く表
示電極６２を共有している点にある。表示電極６２に対
するバス電極７２は、表示セルの開口率低下を防止する
ため、前面基板側の放電空間を形成するバリアリブ１１
０と重なるように配置することが望ましい。また、この
実施の形態の場合、表示電極６２は、隣り合う表示電極
セル列にまたがった共通電極となっているが、必ずしも
またがっている必要はなく、バス電極７２がまたがって
いれば差支えない。バス電極７１の両側の表示電極６１
もバス電極７１の下でつながっている必要はなく、バス
電極７１とつながっていれば差支えない。

【００４３】この実施の形態の場合、表示電極以外の構
成や製造方法、本発明を適用した点は、第１の実施の形
態や第３の実施の形態の場合と同じであり、第１の実施
の形態や第３の実施の形態の場合と同じ効果が得られ
る。さらに、この実施の形態では、第１、第３の実施の
形態の場合と比較すると、表示電極６とバス電極７の構
造の違いにより開口率が広くなっており、第１、第３の
実施の形態の場合より高い輝度が得られる。これによ
り、表示画面のコントラストが、第１、第３の実施の形
態の場合より高くなることは明白である。

【００４４】また本実施の形態では、表示電極セル列１
０００に固有な表示電極６１が表示セルの中央に配置さ
れ、その両側の２つの共通電極６２との間で、表示のた
めの主放電を発生させている。すなわち、各表示セルの
主放電空間１００内で、２組の電極によって２つの主放
電を発生させるため、主放電で発生する紫外線強度が大
きくなるため、蛍光体層１２からの発光量が多くなり、
第１の実施の形態や第３の実施の形態に比べて輝度やコ
ントラストを上げることができる。

【００４５】また、本実施の形態の場合にも、図８
（ｂ）に示すように、アドレス電極１０と表示電極６が
交差する場所に低抵抗で不透明なバス電極の枝状部分７
３を設けることが望ましい。この場合には、第２の実施
の形態と同様に、表示画面のコントラスト向上とバス電
極７の低抵抗化の効果を得ることができる。

【００４６】なお、本実施の形態の場合、アドレス放電
を表示電極セル列に固有な表示電極６１（バス電極７
１）とアドレス電極１０の間で発生させているが、主放
電における共通電極として働く表示電極６２（バス電極
７２）とアドレス電極１０の間で発生させても差支えな
い。

【００４７】（実施の形態５）本発明の第５の実施の形
態を図９により説明する。図９は本発明を適用したガス
放電型表示装置の一部を断面図で示したものである。図
９の（ａ）はアドレス電極に平行な断面を、同図（ｂ）
はアドレス電極に垂直である同図（ａ）に示したＡ−Ｂ
断面を、同図（ｃ）はアドレス電極に垂直である同図
（ａ）に示したＣ−Ｄ断面を示している。なお、同図
（ａ）は、同図（ｂ）と同図（ｃ）に示したＥ−Ｆ断面
を示している。

【００４８】図９からわかるように、本実施の形態が第
１の実施の形態と異なる点は、主放電空間１００とアド
レス放電空間３００からなる前面基板側の放電空間を形
成するバリアリブ１１０がアドレス電極１０が伸延する
方向に伸延させ、前面基板側の放電空間を背面基板側の
放電空間２００と同じようにストライプ状の空間とした
点にある。これ以外の構成や製造方法、本発明を適用し
た点は、第１の実施の形態の場合と同じである。

【００４９】上述したことから明白なように、本実施の
形態の場合にも、第１の実施の形態の場合と同じ効果が
得られる。また、前面基板側の放電空間がストライプ状
で、同じストライプ状の背面基板側の放電空間２００と
ともに同じ方向に伸延した放電空間を形成しているた
め、ガス放電型表示装置を組み立てた後の真空排気や放
電ガスの封入が容易になる効果が得られる。しかし、第
３、第４の実施の形態に比べると、表示電極６とバス電
極の７のパターン形状から開口率が低く、輝度とコント
ラストの点で劣る。また、アドレス電極セル列の間の分
離を表示電極の間隔のみで行っているため、隣り合うア
ドレス電極セル列の間隔縮小には限界があり、第１〜第
４の実施の形態に比べると、高精細化の点で不利になっ
ている。

【００５０】本実施の形態では、第２の実施の形態の場
合と同じように、アドレス電極１０と表示電極６が交差
する場所に低抵抗で不透明なバス電極の枝状部分７３を
設けることが望ましい。この場合には、第２の実施の形
態と同様に、表示画面のコントラスト向上とバス電極７
の低抵抗化の効果を得ることができる。

【００５１】なお、本実施の形態の場合、アドレス放電
を表示電極セル列に固有な表示電極６１（バス電極７
１）とアドレス電極１０の間で発生させているが、主放
電における共通電極として働く表示電極６２（バス電極
７２）とアドレス電極１０の間で発生させても差支えな
い。

【００５２】（実施の形態６）本発明の第６の実施の形
態を図１０により説明する。図１０は本発明を適用した
ガス放電型表示装置の一部を断面図で示したものであ
る。図１０の（ａ）はアドレス電極に平行な断面を、同
図（ｂ）はアドレス電極に垂直である同図（ａ）に示し
たＡ−Ｂ断面を、同図（ｃ）はアドレス電極に垂直であ
る同図（ａ）に示したＣ−Ｄ断面を示している。なお、
同図（ａ）は、同図（ｂ）と同図（ｃ）に示したＥ−Ｆ
断面を示している。

【００５３】図１０よりわかるように、本実施の形態が
第４の実施の形態と異なる点は、表示のための主放電を
発生させる主放電空間１００と表示セルを選択するため
のアドレス放電を発生させるアドレス放電空間３００よ
りなる前面基板側の放電空間を形成するための格子状の
バリアリブ１１０を前面基板１上に直接形成している点
である。これ以外の構成や製造方法、本発明を適用した
点は、第４の実施の形態の場合と同じである。

【００５４】第４の実施の形態と異なる、格子状のバリ
アリブ１１０を備えた前面基板１の製造方法の４例を図
２６に従って説明する。（Ａ）印刷法：まず、表示電極６とバス電極７、誘電
体層８を形成した前面ガラス基板４上に、スクリーン印
刷によってバリアリブ材１１１０を印刷し、乾燥と焼成
を行うことによってバリアリブ１１０を形成する。次い
で、シール層（図示せず）を厚膜印刷法で形成して乾燥
する。その後、電子線蒸着法などの手法を用いて保護層
９となるＭｇＯを形成する。これで、厚膜印刷法を用い
て形成したバリアリブ１１０を有する前面基板１が完成
する。（Ｂ）フォト埋め込み法：表示電極６とバス電極７、
誘電体層８を形成した前面ガラス基板４上に所定の感光
性フィルムパターン１１２０を形成する。次いで、バリ
アリブ材を厚膜印刷法などの手法によって埋め込み、乾
燥させ、感光性フィルム１１２０を除去する。その後、
焼成を行うことによってバリアリブ１１０を形成する。
次いで、シール層（図示せず）を厚膜印刷法で形成し、
乾燥する。その後、電子線蒸着法などの手法を用いて保
護層９となるＭｇＯを形成する。これで、フォト埋め込
み法によって形成したバリアリブ１１０を有する前面基
板１が完成する。（Ｃ）サンドブラスト法：まず、表示電極６とバス電
極７、誘電体層８を形成した前面ガラス基板４上にバリ
アリブ材１１１０を形成する。感光性フィルム１１２０
を用いて所定のパターンを形成した後、サンドブラス法
を用いて感光性フィルムに１１２０覆われていない部分
のバリアリブ材１１１０を除去する。その後、感光性フ
ィルム１１２０を除去し、焼成を行うことによってバリ
アリブ１１０を形成する。次いで、シール層（図示せ
ず）を厚膜印刷法で形成し、乾燥する。その後、電子線
蒸着法などの手法を用いて保護層９となるＭｇＯを形成
する。これで、サンドブラスト法を用いて形成したバリ
アリブ１１０を有する前面基板１が完成する。（Ｄ）感光性ペースト法：まず、表示電極６とバス電
極７、誘電体層８を形成した前面ガラス基板４上に感光
性を付与したバリアリブ材１１１０を形成する。次い
で、周知の露光、現像、乾燥の各工程により所定のバリ
アリブパターンを形成した後に焼成を行い、バリアリブ
１１０を形成する。次いで、シール層（図示せず）を厚
膜印刷法で形成し、乾燥する。その後、電子線蒸着法な
どの手法を用いて保護層９となるＭｇＯを形成する。こ
れで、感光性ペーストを用いて形成したバリアリブ１１
０を有する前面基板１が完成する。

【００５５】前面基板側の放電空間を形成するバリアリ
ブ１１０の上記した製造方法は、図２２と図２３に示し
た従来のガス放電型表示装置のバリアリブ１１の製造方
法と同じである。しかし、従来のガス放電型表示装置の
場合、安定放電に必要な放電空間を確保し、必要量の蛍
光体層を形成するための空間を必要であるため、バリア
リブ１１の高さを大きくする必要があり、製造プロセス
を困難なものとしている。それに対し、本発明を適用し
た本実施例の場合、アドレス放電を発生させるためにア
ドレス電圧１０と表示電極６（あるいはバス電極）に印
加する電圧を低くするため、バリアリブ１１０の高さは
大きくならない。例えば、従来のガス放電型表示装置で
は、バリアリブの高さは０．１５〜０．２ｍｍとなる
が、本実施の形態の場合、０．０５〜０．１ｍｍと従来
の１／２以下となる。このことは、本実施の形態の製造
方法が、従来の技術に比べて容易になっていることを示
している。

【００５６】本実施の形態は、前面基板側の放電空間を
形成するバリアリブ１１０以外の鋼製や製造方法、本発
明を適用したところは、第４の実施の形態の場合と同じ
であり、第４の実施の形態と同じ効果を得ることができ
る。

【００５７】また、本実施の形態の場合にも、第２の実
施の形態と同じように、アドレス電極１０と表示電極６
が交差する場所に低抵抗で不透明なバス電極の枝状部分
７３を設けることが望ましい。この場合には、第２の実
施の形態と同様に、表示画面のコントラスト向上とバス
電極７の低抵抗化の効果を得ることができる。

【００５８】なお、本実施の形態の場合、アドレス放電
を表示電極セル列に固有な表示電極６１（バス電極７
１）とアドレス電極１０の間で発生させているが、主放
電における共通電極として働く表示電極６２（バス電極
７２）とアドレス電極１０の間で発生させても差支えな
い。

【００５９】また、表示電極６とバス電極７の構造が第
４の実施例と同じになっているが、この構造に限定され
るわけではなく、第１、第３の実施の形態の場合と同じ
にしても差支えない。その場合には、それぞれ、第１、
第３の実施の形態で得られた効果を得ることができる。

【００６０】さらに、本実施の形態では、主放電空間１
００を各表示セルごとに区画するため、バリアリブ１１
０を格子状に形成している。しかし、バリアリブ１１０
の形状もこれに限定されるものではなく、第５の実施の
形態の場合と同じように、アドレス電極１０が伸延する
方向に伸延するストライプ状のバリアリブとしても差支
えない。この場合には、第５の実施の形態で得られた効
果が得られる。

【００６１】（実施の形態７）本発明の第７の実施の形
態を図１１と図２７により説明する。図１１は本発明を
適用したガス放電型表示装置の一部を断面図で示したも
のである。図１１の（ａ）はアドレス電極に平行な断面
を、同図（ｂ）はアドレス電極に垂直である同図（ａ）
に示したＡ−Ｂ断面を、同図（ｃ）はアドレス電極に垂
直である同図（ａ）に示したＣ−Ｄ断面を示している。
なお、同図（ａ）は、同図（ｂ）と同図（ｃ）に示した
Ｅ−Ｆ断面を示している。図２７は第７の実施の形態の
製造方法の一例を示す工程フロー図である。

【００６２】図１１と図７を比較すると、本実施の形態
が第４の実施の形態と異なっている点は、背面基板側の
放電空間２００を形成するバリアリブ１１上に形成され
たアドレス電極１０のパターン幅が、バリアリブ１１の
幅より狭くなっている点にあることになる。しかし、本
実施の形態の特徴はこの背面基板２の構造にあるのでは
なく、背面基板の製造方法にある。すなわち、本実施の
形態の構成や本発明を適用した点は第４の実施の形態と
ほぼ同じである。

【００６３】以下、第７の実施の形態の製造方法の一例
を図２７に従って説明する。（１）ソーダライムガラス等からなる背面ガラス基板
５を中性洗剤等を用いて洗浄する。（２）洗浄した背面ガラス基板５上にスパッタリング
法や電子線蒸着法等の成膜手法を用いてＣｒ／Ｃｕ／Ｃ
ｒ積層膜１１４０を形成する。（３）周知のフォトエッチング法を用いてＣｒ／Ｃｕ
／Ｃｒ積層膜を加工し、アドレス電極１０となる電極パ
ターンを形成する。Ｃｕ膜の膜厚とアドレス電極１０の
パターン寸法はアドレス電極に要求される抵抗値によっ
て定めれば良い。（４）アドレス電極１０を設けた背面ガラス基板５上
に、感光性フィルムを用いて所定のパターンを形成す
る。次いで、サンドブラスト処理を行い、背面ガラス基
板５の感光性フィルムによって被覆されていない部分を
掘り込み、背面基板側の放電空間２００を仕切るバリア
リブ１１を形成する。その後、上記感光性フィルムを周
知の方法で除去する。（５）アドレス電極１０とバリアリブ１１を設けた背
面ガラス基板５の所定の場所に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｏを主成
分とする加水分解型コーティング剤（アルコキシドな
ど）をブレード法やスプレー法等の手法を用いて塗布
し、１００〜４００℃の温度で１〜６０分間の加熱を行
い、０．００２〜０．０５ｍｍの絶縁体層８０を形成す
る。（６）背面基板側の放電空間２００を形成するバリア
リブ１１の内壁に、スプレー法やブレード法等の手法を
用いて蛍光体層１２を塗布する。カラー表示のガス放電
型表示装置の場合には、緑、青、赤の所定のパターンの
マスクを位置合せし、緑、青、赤の色を発色する蛍光体
層１２を塗布する。次いで、１５０〜３００℃の温度で
５〜６０分の熱処理を行う。さらに、厚膜印刷法等の手
法を用いてフリットガラスのパターン形成を行い、乾燥
を行うことにより、真空封止を行うためのシール層１７
を形成する。以上の工程により、背面基板側の放電空間２００を仕切
るバリアリブ１１を備えた背面基板２が完成する。な
お、背面基板２には、パネル組み立て後に行う排気とガ
ス導入のためにチップ管（図示せず）を取り付ける。

【００６４】以上の工程で作製した背面基板２と第１の
実施の形態と同じ方法で作製した前面基板１と隔壁基板
の位置合せを行い、３００〜４５０℃の熱処理によって
これらの基板を固定する。次いで、背面基板に設けたチ
ップ管（図示せず）を通して前面基板１と背面基板２の
間に形成される放電空間３の真空排気を行った後、例え
ば３％のＸｅを含むＮｅを前面基板１と背面基板２に挟
まれた放電空間に導入し、放電空間３内の圧力を３５〜
７０ｋＰａに調節する。その後、チップ管（図示せず）
の局部加熱によってチップオフを行うことにより図１１
に示したガス放電型表示装置が完成する。

【００６５】この実施の形態の場合、背面基板２の製造
方法以外の構成や本発明を適用したところは、第４の実
施の形態の場合と同じであり、第４の実施の形態と同じ
効果を得ることができる。

【００６６】また、本実施の形態の場合にも、第２の実
施の形態と同じように、アドレス電極１０と表示電極６
が交差する場所に低抵抗で不透明なバス電極の枝状部分
７３を設けることが望ましい。この場合には、第２の実
施の形態と同様に、表示画面のコントラスト向上とバス
電極７の低抵抗化の効果を得ることができる。

【００６７】なお、本実施の形態の場合、アドレス放電
を表示電極セル列に固有な表示電極６１（バス電極７
１）とアドレス電極１０の間で発生させているが、主放
電における共通電極として働く表示電極６２（バス電極
７２）とアドレス電極１０の間で発生させても差支えな
い。

【００６８】また、表示電極６とバス電極７の構造が第
４の実施例と同じになっているが、この構造に限定され
るわけではなく、第１、第３の実施の形態の場合と同じ
にしても差支えない。その場合には、それぞれ、第１、
第３の実施の形態で得られた効果を得ることができる。

【００６９】本実施の形態の場合、主放電空間１００を
各表示セルごとに区画するバリアリブ１１０を隔壁基板
９０によって形成している。しかし、バリアリブ１１０
の形成方法はこれに限定されるものではなく、第６の実
施の形態の場合のように、前面基板２上に直接形成して
も差支えない。

【００７０】また、本実施の形態では、アドレス電極１
０上の絶縁体層８０を加水分解型のコーティング剤を用
いて形成しているが、絶縁体層８０の材料としては、こ
れらに限定されるものではない。絶縁体層８０の形成方
法についても、本実施の形態で用いたブレード法やスプ
レー塗布法と熱硬化法の組み合わせに限定されるもので
はなく、スパッタリング法や電子線蒸着法等の真空蒸着
法、化学気相蒸着法、厚膜印刷法などの手法を用いても
良い。また、放電による絶縁体層８０の消耗が激しい場
合には、放電ガスに対する耐スパッタ性に優れた材料、
例えばＭｇＯ等により絶縁体層８０を形成することが望
ましい。

【００７１】（実施の形態８）本発明の第８の実施の形
態を図１２により説明する。図１２は本発明を適用した
ガス放電型表示装置の一部を断面図で示したものであ
る。図１２の（ａ）はアドレス電極に平行な断面を、同
図（ｂ）はアドレス電極に垂直である同図（ａ）に示し
たＡ−Ｂ断面を、同図（ｃ）はアドレス電極に平行であ
る同図（ｂ）に示したＣ−Ｄ断面を示している。なお、
同図（ａ）は、同図（ｂ）に示したＥ−Ｆ断面を示して
いる。

【００７２】図１２と図１の比較からわかるように、こ
の実施の形態が第１の実施の形態と異なっている点は、
主放電空間１００とアドレス放電空間３００からなる前
面基板側の放電空間がアドレス電極１０が伸延する方向
に伸延したストライプ上の空間となっており、格子状の
バリアリブ１１によって背面基板側の放電空間２００が
それぞれの表示セルに対応した空間として形成されてい
るところである。蛍光体層１２は背面基板側のバリアリ
ブ１１の内壁に形成される。この実施の形態では、背面
基板側の放電空間２００が各表示セルごとに分離されて
おり、アドレス電極１０とバリアリブ１１を同一プロセ
スによって形成することはできない。すなわち、第１の
実施の形態で示した製造方法では本実施の形態を形成す
ることはできず、図２７に示した第７の実施の形態の製
造方法を用いる必要がある。

【００７３】本発明を適用した第１点は、前面基板１と
背面基板２の間に形成される放電空間が、表示のための
主放電を発生させる主放電空間１００と表示セルを選択
するためのアドレス放電を発生させるアドレス放電空間
３００からなる前面基板側の放電空間と、内壁に蛍光体
層１２が形成されたバリアリブによって仕切られた背面
基板側の放電空間２００と、から構成されている点にあ
る。第２の本発明を適用した点は、背面基板側の放電空
間２００を形成するバリアリブ上にアドレス電極１０を
設け、前面基板側のバリアリブ１１０によって前面基板
１とアドレス電極１０の間に空間を設けることによりア
ドレス放電空間３００を形成している点にある。これに
より、アドレス放電を発生させるためのアドレス電圧を
前面基板側のバリアリブの高さによって調整できるよう
になり、蛍光体層１２に対するアドレス放電の影響を抑
制できるようになる。第３の本発明を適用した点は、背
面基板側の放電空間２００を形成するバリアリブ１１の
内壁に蛍光体層１２のみを形成した点にある。（従来の
ガス放電型表示装置では、アドレス電極１０と蛍光体層
１２が形成されている）第４の本発明を適用した点は、
背面基板側の放電空間２００を形成するバリアリブ１１
が、背面ガラス基板５の一部によって形成されている点
にある。これにより、アドレス電極１０を背面基板側の
放電空間２００を形成するバリアリブ１１上に容易に形
成できるようになった。本発明を適用した第５点は、背
面基板２の製造方法として、アドレス電極パターン１０
を形成してから背面基板側の放電空間２００を形成する
ためのバリアリブ１１を形成することを特徴とする、図
２７に示した工程を用いた点にある。これにより、背面
基板の製造工程が従来技術に比べて簡略化されたものと
なっている。

【００７４】本発明を適用したこの実施の形態で得られ
た効果を、従来のガス放電型表示装置との比較でまとめ
ると、次のようになる。１）アドレス電極１０と表示電極６（あるいはバス電
極７）の距離が小さくなるため、アドレス電極１０と表
示電極６（あるいはバス電極７）の間でアドレス放電を
発生させるためのアドレス電圧を低くできる。このアド
レス電圧は、前面基板側のバリアリブ１１０の高さによ
って制御できる。例えば、表示電極６とアドレス電極１
０の間の距離を０．０８ｍｍにすることにより、アドレ
ス電圧を、従来のガス放電型表示装置（表示電極６とア
ドレス電極１０の間の距離は約０．２ｍｍ）の２／５ま
で低下させることができる。これにより、アドレス電圧
を低下させるための壁電荷を形成する補助放電は不要と
なり、表示画面に階調を付けやすくなる。２）１）で述べたように、アドレス電圧を低下させる
ための壁電荷を形成する補助放電が不要となり、アドレ
ス放電が蛍光体層１２が存在しないアドレス放電空間で
行われるので、黒表示状態の輝度を下げることができ、
コントラストを高くできる。３）１）で述べたように、アドレス電圧を低下させる
ための壁電荷を形成する補助放電が不要となり、アドレ
ス電極１０と表示電極６（あるいはバス電極７）の間
に、蛍光体層１２が存在していないことから、放電によ
る蛍光体層１２のイオンダメージを抑制できる。これ
により、蛍光体層１２の長寿命化が達成される。４）背面基板側の放電空間２００を形成するバリアリ
ブ１１が格子状に設けられているため、蛍光体層１２の
塗布量が大きくなり、輝度を大きくできる。

【００７５】これはまた、コントラストの向上にもつな
がる。５）バリアリブ１１をソーダライムガラスの歪み点よ
り低い温度で形成できるので、ガラス基板の変形を抑制
でき、製造歩留まりの向上が見込まれる。６）背面基板側の放電空間を仕切るバリアリブ１１を
下地基板の掘り込みのみで形成できることから、前述し
たような従来技術に比べて工程短縮と歩留り向上が見込
まれる製造方法によって背面基板２を形成できる。

【００７６】以上述べたように、本発明の第８の実施の
形態によれば、壁電荷を形成しなくともアドレス電圧が
低く、表示画面のコントラストが高く、蛍光体層に対す
るイオンダメージを抑制できるガス放電型表示装置を提
供できるとともに、該ガス放電型表示装置の製造工程の
工程短縮と歩留り向上が達成できる効果が得られる。ま
た、本実施の形態の場合にも、第２の実施の形態と同じ
ように、アドレス電極１０と表示電極６が交差する場所
に低抵抗で不透明なバス電極の枝状部分７３を設けるこ
とが望ましい。この場合には、第２の実施の形態と同様
に、表示画面のコントラスト向上とバス電極７の低抵抗
化の効果を得ることができる。

【００７７】なお、本実施の形態の場合、アドレス放電
を表示電極セル列に固有な表示電極６１（バス電極７
１）とアドレス電極１０の間で発生させているが、主放
電における共通電極として働く表示電極６２（バス電極
７２）とアドレス電極１０の間で発生させても差支えな
い。

【００７８】本実施の形態の場合、主放電空間１００を
各表示セルごとに区画するバリアリブ１１０を隔壁基板
９０によって形成している。しかし、バリアリブ１１０
の形成方法はこれに限定されるものではなく、第６の実
施の形態の場合のように、前面基板２上に直接形成して
も差支えない。

【００７９】（実施の形態９）本発明の第９の実施の形
態を図１３により説明する。図１３の中で（ａ）と
（ｂ）は本発明を適用したガス放電型表示装置の一部を
断面図で示したものである。図１３の（ａ）はアドレス
電極に平行な断面を、同図（ｂ）はアドレス電極に垂直
である同図（ａ）に示したＡ−Ｂ断面を示している。同
図（ａ）は、同図（ｂ）に示したＥ−Ｆ断面を示してい
る。図１３の（ｃ）は、同図（ａ）と同図（ｂ）に示し
たＸ方向から見た場合のアドレス電極と前面基板側のバ
リアリブ、前面基板に設けられた表示電極とバス電極の
位置関係を示した図である。太い実線で囲まれた部分
は、背面基板２上に形成されたアドレス電極１０の真下
から前面基板側を見た図であり、破線で囲まれた部分
は、前面基板側の放電空間１００を形成するバリアリブ
１１０の真下から前面基板側を見た図である。それ以外
の部分は、前面基板１に設けられた表面電極６とバス電
極７を示したものである。図１３（ｂ）は断面図ではな
いが、わかりやすくするため、前面基板側のバリアリブ
１１０と表示電極６、バス電極７、アドレス電極１０に
対してハッチングを施し、前面基板１に形成されている
誘電体層８と保護層９は省略した。

【００８０】図１３からわかるように、この実施の形態
が第４の実施の形態と異なる点は、バス電極７１とアド
レス電極１０の間で発生させるアドレス放電を前面基板
側の放電空間を形成するバリアリブ１１０に設けた開口
部３１０を介して行うようにしている点である。この実
施の形態では、アドレス放電をバス電極７１とアドレス
電極１０の間で行っているが、表示電極６１とアドレス
電極１０の間で行っても差支えない。このように、アド
レス放電を前面基板側の放電空間を形成するバリアリブ
１１０に設けた開口部３１０を介して行うこと以外の構
成や製造方法、本発明を適用したところは、第４の実施
の形態の場合と同じである。従って、本実施の形態の場
合にも、第４の実施の形態の場合と同じ効果が得られ
る。また、前面基板側のバリアリブ１１０は、各表示セ
ルの周辺の表示の制御ができない部分を遮蔽してブラッ
クマスクとしての働きを有することができ、本実施の形
態の場合には、この効果が強く表れ、黒表示状態の品質
が向上する。

【００８１】この実施の形態の場合においても、第２の
実施の形態のように、アドレス電極１０と表示電極６が
交差する場所に低抵抗で不透明なバス電極の枝状部分を
設けることが望ましい。この場合には、第２の実施の形
態と同様に、アドレス放電による放電ガスからの発光が
遮蔽されることから表示画面のコントラストの向上につ
ながり、また、バス電極７が低抵抗化する効果を得るこ
とができる。

【００８２】なお、本実施の形態の場合、アドレス放電
を表示電極セル列に固有な表示電極６１（バス電極７
１）とアドレス電極１０の間で発生させているが、主放
電における共通電極として働く表示電極６２（バス電極
７２）とアドレス電極１０の間で発生させても差支えな
い。また、本実施の形態では、表示電極６とバス電極７
の構造を第４の実施の形態の場合と同じにしているが、
これに限定されるものではなく、第１、第３の実施の形
態の場合と同じにしても差支えない。前面基板側の放電
空間を形成するバリアリブ１１０を隔壁基板によって形
成しているが、第６の実施の形態のように、前面基板１
上に直接形成しても差支えない。

【００８３】（実施の形態１０）本発明の第１０の実施
の形態を図１４により説明する。図１４の中で（ａ）と
（ｂ）は本発明を適用したガス放電型表示装置の一部を
断面図で示したものである。図１４の（ａ）はアドレス
電極に平行な断面を、同図（ｂ）はアドレス電極に垂直
である同図（ａ）に示したＡ−Ｂ断面を示している。同
図（ａ）は、同図（ｂ）に示したＥ−Ｆ断面を示してい
る。図１４の（ｃ）は、同図（ａ）と同図（ｂ）に示し
たＸ方向から見た場合のアドレス電極と前面基板側のバ
リアリブ、前面基板に設けられた表示電極とバス電極の
位置関係を示した図である。太い実線で囲まれた部分
は、背面基板２上に形成されたアドレス電極１０の真下
から前面基板側を見た図であり、破線で囲まれた部分
は、前面基板側の放電空間１００を形成するバリアリブ
１１０の真下から前面基板側を見た図である。それ以外
の部分は、前面基板１に設けられた表面電極６とバス電
極７を示したものである。図１３（ｂ）は断面図ではな
いが、わかりやすくするため、前面基板側のバリアリブ
１１０と表示電極６、バス電極７、アドレス電極１０に
対してハッチングを施し、前面基板１に形成されている
誘電体層８と保護層９は省略した。

【００８４】図１４からわかるように、この実施の形態
が第４の実施の形態と異なる点は、バス電極７１とアド
レス電極１０の間で発生させるアドレス放電を前面基板
側の放電空間を形成するバリアリブ１１０が背面基板側
の放電空間２００を形成するバリアリブ１１上を迂回し
てできた空間を介して行うようにしたところである。本
実施の形態の特徴を示している部分を、図１４（ｃ）の
中で３２０により示した。この実施の形態では、アドレ
ス放電をバス電極７１とアドレス電極１０の間で行って
いるが、表示電極６１とアドレス電極１０の間で行って
も差支えない。このように、アドレス放電を前面基板側
の放電空間を形成するバリアリブ１１０をバリアリブ１
１上から迂回させることによって生じた空間を介して行
うこと以外の構成や製造方法、本発明を適用したところ
は、第４の実施の形態の場合と同じである。従って、本
実施の形態の場合にも、第４の実施の形態の場合と同じ
効果が得られる。また、この実施の形態の場合、バリア
リブ１１０とバリアリブ１１の幅を小さくできるため、
開口率を高くできる効果を得ることができる。この結
果、本実施の形態におけるガス放電型表示装置では、表
示画面の輝度が高くなり、また、高精細化に対応できる
ようになる。

【００８５】この実施の形態の場合においても、第２の
実施の形態のように、アドレス電極１０と表示電極６が
交差する場所に低抵抗で不透明なバス電極の枝状部分を
設けることが望ましい。この場合には、第２の実施の形
態と同様に、アドレス放電による放電ガスからの発光が
遮蔽されることから表示画面のコントラストの向上につ
ながり、また、バス電極７が低抵抗化する効果を得るこ
とができる。

【００８６】なお、本実施の形態の場合、アドレス放電
を表示電極セル列に固有な表示電極６１（バス電極７
１）とアドレス電極１０の間で発生させているが、主放
電における共通電極として働く表示電極６２（バス電極
７２）とアドレス電極１０の間で発生させても差支えな
い。また、本実施の形態では、表示電極６とバス電極７
の構造を第４の実施の形態の場合と同じにしているが、
これに限定されるものではなく、第１、第３の実施の形
態の場合と同じにしても差支えない。前面基板側の放電
空間を形成するバリアリブ１１０を隔壁基板によって形
成しているが、第６の実施の形態のように、前面基板１
上に直接形成しても差支えない。

【００８７】（実施の形態１１）本発明の第１１の実施
の形態を図１５と図１６により説明する。図１５は本発
明を適用したガス放電型表示装置の一部を断面図で示し
たものである。図１５の（ａ）はアドレス電極に平行な
断面を、同図（ｂ）はアドレス電極に垂直である同図
（ａ）に示したＡ−Ｂ断面を、同図（ｃ）はアドレス電
極に垂直である同図（ａ）に示したＣ−Ｄ断面を示して
いる。なお、同図（ａ）は、同図（ｂ）と同図（ｃ）に
示したＥ−Ｆ断面を示している。

【００８８】図１６は、図１５に示したＸ方向から見た
場合のアドレス電極と前面基板側のバリアリブ、前面基
板に設けられた表示電極とバス電極の位置関係を示す図
である。太い実線で囲まれた部分は、背面基板２上に形
成されたアドレス電極１０の真下から前面基板側を見た
図であり、破線で囲まれた部分は、前面基板側の放電空
間１００を形成するバリアリブ１１０の真下から前面基
板側を見た図である。それ以外の部分は、前面基板１に
設けられた表面電極６とバス電極７を示したものであ
る。図１６は断面図ではないが、わかりやすくするた
め、前面基板側のバリアリブ１１０と表示電極６、バス
電極７、アドレス電極１０に対してハッチングを施し、
前面基板１に形成されている誘電体層８と保護層９は省
略した。

【００８９】図１５と図１６からわかるように、この実
施の形態が第４の実施の形態と異なる点は、主放電にお
いて表示電極セル列に固有な電極として働く表示電極６
１に対するバス電極７１とアドレス電極１０が交差する
場所で、アドレス電極１０の一方の側に枝状部分を設
け、主放電空間１００に向かって突き出させたところに
ある。この場合には、アドレス電極１０はバリアリブ１
１状に形成されているので、バリアリブ１１も背面基板
側の放電空間２００の中に突き出していることになる。
本実施の形態の特徴を示している部分を、図１６の中で
３３０により示した。この実施の形態では、アドレス放
電をバス電極７１とアドレス電極１０の間で行っている
が、表示電極６１とアドレス電極１０の間で行っても良
い。この実施の形態は、開口率を上げて輝度を高くした
り、高精細化に対応することを目的に、バリアリブ１１
とバリアリブ１１０の幅を狭くする場合に有効なガス放
電型表示装置の構造を与える。この実施の形態では、主
放電空間１００の中に突き出したアドレス電極１０の枝
状部分とバス電極７１の間で、アドレス放電が発生する
ことになる。ここで述べた、アドレス電極１０を主放電
空間１００の中に突き出させた以外の構成や製造方法、
本発明を適用したところは、第４の実施の形態の場合と
同じである。従って、本実施の形態の場合には、上記し
た効果の他、第４の実施の形態の場合と同じ効果が得ら
れる。

【００９０】この実施の形態の場合においても、第２の
実施の形態のように、アドレス電極１０と表示電極６が
交差する場所に低抵抗で不透明なバス電極の枝状部分を
設けることが望ましい。この場合には、第２の実施の形
態と同様に、アドレス放電による放電ガスからの発光が
遮蔽されることから表示画面のコントラストの向上につ
ながり、また、バス電極７が低抵抗化する効果を得るこ
とができる。

【００９１】なお、本実施の形態では、表示電極６とバ
ス電極７の構造を第４の実施の形態の場合と同じにして
いるが、これに限定されるものではなく、第１、第３の
実施の形態の場合と同じにしても差支えない。また、前
面基板側の放電空間を形成するバリアリブ１１０を隔壁
基板によって形成しているが、第６の実施の形態のよう
に、前面基板１上に直接形成しても差支えない。

【００９２】（実施の形態１２）本発明の第１１の実施
の形態を図１７と図１８により説明する。図１７は本発
明を適用したガス放電型表示装置の一部を断面図で示し
たものである。図１５の（ａ）はアドレス電極に平行な
断面を、同図（ｂ）はアドレス電極に垂直である同図
（ａ）に示したＡ−Ｂ断面を、同図（ｃ）はアドレス電
極に垂直である同図（ａ）に示したＣ−Ｄ断面を示して
いる。なお、同図（ａ）は、同図（ｂ）と同図（ｃ）に
示したＥ−Ｆ断面を示している。

【００９３】図１８の（ａ）は、図１７に示したＸ方向
から見た場合のアドレス電極と前面基板側のバリアリ
ブ、前面基板に設けられた表示電極とバス電極の位置関
係を示す図である。太い実線で囲まれた部分は、背面基
板２上に形成されたアドレス電極１０の真下から前面基
板側を見た図であり、破線で囲まれた部分は、前面基板
側の放電空間１００を形成するバリアリブ１１０の真下
から前面基板側を見た図である。それ以外の部分は、前
面基板１に設けられた表面電極６とバス電極７を示した
ものである。図１６は断面図ではないが、わかりやすく
するため、前面基板側のバリアリブ１１０と表示電極
６、バス電極７、アドレス電極１０に対してハッチング
を施し、前面基板１に形成されている誘電体層８と保護
層９は省略した。

【００９４】図１７と図１８からわかるように、この実
施の形態が第４の実施の形態と異なる点は、表示を行う
主放電において共通電極として働く表示電極６２とアド
レス電極１０が交差する場所で、アドレス電極１０の一
方の側に枝状部分を設け、主放電空間１００に向かって
突き出させたところにある。この場合、アドレス電極１
０はバリアリブ１１状に形成されているので、バリアリ
ブ１１も背面基板側の放電空間２００の中に突き出して
いることになる。本実施の形態の特徴を示している部分
を、図１８の中で３４０により示した。この実施の形態
は、開口率を上げて輝度を高くしたり、高精細化に対応
することを目的に、バリアリブ１１とバリアリブ１１０
の幅を狭くする場合に有効なガス放電型表示装置の構造
を与えることができる。アドレス電極１０を形成するバ
リアリブ１１の幅を狭くしても、アドレス放電空間を確
保できるからである。この実施の形態では、アドレス放
電は、主放電空間１００の中に突き出したアドレス電極
１０の枝状部分と表示電極６２の間で発生し、アドレス
電極セル列を選択することになる。この実施の形態で
は、ここで述べた、アドレス電極１０を主放電空間１０
０の中に突き出させる以外の構成や製造方法、本発明を
適用したところは、第４の実施の形態の場合と同じであ
る。従って、本実施の形態の場合にも、上記した効果の
他、第４の実施の形態の場合と同じ効果が得られる。

【００９５】この実施の形態の場合には、図１８の
（ｂ）に示したように、表示電極６２とアドレス電極１
０が交差する場所に、低抵抗で不透明なバス電極７２の
枝状部分を設けることが望ましい。この場合には、第２
の実施の形態の場合と同様に、アドレス放電による放電
ガスからの発光が遮蔽されることになり、表示画面のコ
ントラストの向上やバス電極７が低抵抗化などの効果を
得ることができる。

【００９６】なお、本実施の形態では、表示電極６とバ
ス電極７の構造を第４の実施の形態の場合と同じにして
いるが、これに限定されるものではなく、第１、第３の
実施の形態の場合と同じにしても差支えない。また、前
面基板側の放電空間を形成するバリアリブ１１０を隔壁
基板によって形成しているが、第６の実施の形態のよう
に、前面基板１上に直接形成しても差支えない。

【００９７】（実施の形態１３）本発明の第１３の実施
の形態を図１９により説明する。図１９は本発明を適用
したガス放電型表示装置の一部を断面図で示したもので
ある。同図（ａ）はアドレス電極に平行な断面を、同図
（ｂ）はアドレス電極に垂直である同図（ａ）に示した
Ａ−Ｂ断面を、同図（ｃ）はアドレス電極に垂直である
同図（ａ）に示したＣ−Ｄ断面を示している。なお、同
図（ａ）は、同図（ｂ）と同図（ｃ）に示したＥ−Ｆ断
面を示している。

【００９８】図１９からわかるように、本実施の形態が
第４の実施の形態と異なっている点は、背面基板側の放
電空間２００を形成するバリアリブ１１上に形成された
アドレス電極１０の上面のみに絶縁体層８０が形成され
ている点と、導体層上に絶縁体層８０を形成した後に、
アドレス電極１０とバリアリブ１１を形成している点で
ある。この実施の形態は、アドレス電極１０を被覆する
絶縁体層８０のピンホール等の欠陥をなくすなどして品
質を上げ、アドレス放電における電流制限能力を高めよ
うとしたものである。これ以外の構成や本発明を適用し
た点は第４の実施の形態と同じである。

【００９９】本実施の形態では、製造方法が第１の実施
の形態とは異なっているので、本実施の形態における背
面基板２の製造方法の一例を図１９を参照にして説明す
る。（１）ソーダライムガラス等からなる背面ガラス基板
５を中性洗剤等を用いて洗浄する。（２）洗浄した背面ガラス基板５上にスパッタリング
法や電子線蒸着法等の成膜手法を用いてＣｒ／Ｃｕ／Ｃ
ｒ積層膜を導体層として形成する。（３）導体層を形成した背面ガラス基板５の所定の場
所に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｏを主成分とする加水分解型コーテ
ィング剤（アルコキシドなど）をブレード法やスプレー
法等の手法を用いて塗布し、１００〜４００℃の温度で
１〜６０分間の加熱を行い、０．００２〜０．０５ｍｍ
の絶縁体層８０を形成する。（４）絶縁体層８０を形成した背面ガラス基板５上
に、感光性フィルムを用いて所定のパターンを形成す
る。次いで、サンドブラスト処理を行い、背面ガラス基
板５の感光性フィルムによって被覆されていない部分を
掘り込み、背面基板側の放電空間２００を仕切るバリア
リブ１１を形成する。その後、上記感光性フィルムを水
酸化ナトリウムなどを用いた周知の方法で除去する。場
所に、（５）背面基板側の放電空間２００を形成するバリア
リブ１１の内壁に、スプレー法やブレード法等の手法を
用いて蛍光体層１２を塗布する。カラー表示のガス放電
型表示装置の場合には、緑、青、赤の所定のパターンの
マスクを位置合せし、緑、青、赤の色を発色する蛍光体
層１２を塗布する。次いで、１５０〜３００℃の温度で
５〜６０分の熱処理を行う。（６）厚膜印刷法等の手法を用いてフリットガラスの
パターン形成を行い、乾燥を行うことにより、真空封止
を行うためのシール層（図示せず）を形成する。以上の工程により、背面基板側の放電空間２００を仕切
るバリアリブ１１を備えた背面基板２が完成する。な
お、背面基板２には、パネル組み立て後に行う排気とガ
ス導入のためにチップ管（図示せず）を取り付ける。

【０１００】以上の工程で作製した背面基板２と第１の
実施の形態と同じ方法で作製した前面基板１と隔壁基板
の位置合せを行い、３００〜４５０℃の熱処理によって
これらの基板を固定する。次いで、背面基板に設けたチ
ップ管（図示せず）を通して前面基板１と背面基板２の
間に形成される放電空間３の真空排気を行った後、例え
ば３％のＸｅを含むＮｅを前面基板１と背面基板２に挟
まれた放電空間に導入し、放電空間３内の圧力を３５〜
７０ｋＰａに調節する。その後、チップ管（図示せず）
の局部加熱によってチップオフを行うことにより図１９
に示したガス放電型表示装置が完成する。

【０１０１】この実施の形態の場合、上述したように、
アドレス電極１０の上面のみに絶縁体層８０が形成され
ている点と背面基板２の製造方法が第４の実施の形態と
異なり、そり以外の構成や本発明を適用したところは、
第４の実施の形態の場合と同じである。そのため、本実
施の形態の場合にも、第４の実施の形態と同じ効果を得
ることができる。

【０１０２】また、本実施の形態の場合にも、第２の実
施の形態と同じように、アドレス電極１０と表示電極６
が交差する場所に低抵抗で不透明なバス電極の枝状部分
７３を設けることが望ましい。この場合には、第２の実
施の形態と同様に、表示画面のコントラスト向上とバス
電極７の低抵抗化の効果を得ることができる。

【０１０３】なお、本実施の形態の場合、アドレス放電
を表示電極セル列に固有な表示電極６１（バス電極７
１）とアドレス電極１０の間で発生させているが、主放
電における共通電極として働く表示電極６２（バス電極
７２）とアドレス電極１０の間で発生させても差支えな
い。

【０１０４】また、表示電極６とバス電極７の構造が第
４の実施例と同じになっているが、この構造に限定され
るわけではなく、第１、第３の実施の形態の場合と同じ
にしても差支えない。その場合には、それぞれ、第１、
第３の実施の形態で得られた効果を得ることができる。

【０１０５】本実施の形態の場合、主放電空間１００を
各表示セルごとに区画するバリアリブ１１０を隔壁基板
９０によって形成している。しかし、バリアリブ１１０
の形成方法はこれに限定されるものではなく、第６の実
施の形態の場合のように、前面基板２上に直接形成して
も差支えない。

【０１０６】また、本実施の形態では、アドレス電極１
０上の絶縁体層８０を加水分解型のコーティング剤を用
いて形成しているが、絶縁体層８０の材料としては、こ
れらに限定されるものではない。絶縁体層８０の形成方
法についても、本実施の形態で用いたブレード法やスプ
レー塗布法と熱硬化法の組み合わせに限定されるもので
はなく、スパッタリング法や電子線蒸着法等の真空蒸着
法、化学気相蒸着法、厚膜印刷法などの手法を用いても
良い。また、放電による絶縁体層８０の消耗が激しい場
合には、放電ガスに対する耐スパッタ性に優れた材料、
例えばＭｇＯ等の材料により絶縁体層８０を形成するこ
とが望ましい。また、バリアリブ１１の形成した後に絶
縁体層をさらに形成し、絶縁体層８０の欠陥を補償する
こともアドレス電極１０の信頼性を上げる上で有効であ
る。

【０１０７】（実施の形態１４）本発明の第１４の実施
の形態を図２０により説明する。図２０は本発明を適用
したガス放電型表示装置の一部を断面図で示したもので
ある。同図（ａ）はアドレス電極に平行な断面を、同図
（ｂ）はアドレス電極に垂直である同図（ａ）に示した
Ａ−Ｂ断面を、同図（ｃ）はアドレス電極に垂直である
同図（ａ）に示したＣ−Ｄ断面を示している。なお、同
図（ａ）は、同図（ｂ）と同図（ｃ）に示したＥ−Ｆ断
面を示している。

【０１０８】図２０からわかるように、本実施の形態が
第４の実施の形態と異なっている点は、背面基板側の放
電空間２００を形成するバリアリブ１１が背面ガラス基
板５とは異なる材料によって形成されているところであ
る。これ以外の構成や本発明を適用した点は第４の実施
の形態と同じである。

【０１０９】本実施の形態では、背面基板２の構造が第
４の実施の形態と異なっているので、本実施の形態にお
ける背面基板２の製造方法の一例を図２０を参照にしな
がら、以下、説明する。（１）ソーダライムガラス等からなる背面ガラス基板
５を中性洗剤等を用いて洗浄する。（２）洗浄した背面ガラス基板５上に厚膜印刷法等の
手法を用いてバリアリブ材を成膜し、乾燥、焼成を行う
ことによりバリアリブ層を形成する。（３）バリアリブ層を形成した背面ガラス基板５上に
スパッタリング法や電子線蒸着法等の成膜手法を用いて
Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜を導体層として形成する。（４）導体層を形成した背面ガラス基板５上に、感光
性フィルムを用いて所定のパターンを形成する。次い
で、サンドブラスト処理を行い、背面ガラス基板５の感
光性フィルムによって被覆されていない部分を掘り込
み、アドレス電極１０と背面基板側の放電空間２００を
形成するバリアリブ１１を形成する。その後、上記感光
性フィルムを水酸化ナトリウムなどを用いた周知の方法
で除去する。（５）バリアリブ１１とアドレス電極１０を形成した
背面ガラス基板５の所定の場所に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｏを主
成分とする加水分解型コーティング剤（アルコキシドな
ど）をブレード法やスプレー法等の手法を用いて塗布
し、１００〜４００℃の温度で１〜６０分間の加熱を行
い、０．００２〜０．０５ｍｍの絶縁体層８０を形成す
る。（６）背面基板側の放電空間２００を形成するバリア
リブ１１の内壁に、スプレー法やブレード法等の手法を
用いて蛍光体層１２を塗布する。カラー表示のガス放電
型表示装置の場合には、緑、青、赤の所定のパターンの
マスクを位置合せし、緑、青、赤の色を発色する蛍光体
層１２を塗布する。次いで、１５０〜３００℃の温度で
５〜６０分の熱処理を行う。（７）厚膜印刷法等の手法を用いてフリットガラスの
パターン形成を行い、乾燥を行うことにより、真空封止
を行うためのシール層（図示せず）を形成する。以上の工程により、背面基板側の放電空間２００を仕切
るバリアリブ１１を備えた背面基板２が完成する。な
お、背面基板２には、パネル組み立て後に行う排気とガ
ス導入のためにチップ管（図示せず）を取り付ける。

【０１１０】以上の工程で作製した背面基板２と第１の
実施の形態と同じ方法で作製した前面基板１と隔壁基板
の位置合せを行い、３００〜４５０℃の熱処理によって
これらの基板を固定する。次いで、背面基板に設けたチ
ップ管（図示せず）を通して前面基板１と背面基板２の
間に形成される放電空間３の真空排気を行った後、例え
ば３％のＸｅを含むＮｅを前面基板１と背面基板２に挟
まれた放電空間に導入し、放電空間３内の圧力を３５〜
７０ｋＰａに調節する。その後、チップ管（図示せず）
の局部加熱によってチップオフを行うことにより図１９
に示したガス放電型表示装置が完成する。

【０１１１】この実施の形態の場合、上述したように、
バリアリブ１１が背面ガラス基板５以外の材料によって
構成されているところが第４の実施の形態と異なるのみ
で、バリアリブ材を形成した後の製造工程や本発明を適
用した場所も第４の実施の形態の場合と同じである。従
って、本実施の形態の場合にも、第４の実施の形態の場
合と同じ効果が得られる。また、この実施の形態の場合
には、背面ガラス基板５に対する損傷がほとんどないの
で、背面基板２の機械的強度が増す効果が得られる。さ
らに、通常はバリアリブ材の密度が背面ガラス基板５よ
り低いので、サンドブラスト条件が緩くなるなどの効果
も得られる。

【０１１２】本実施の形態の場合にも、第２の実施の形
態と同じように、アドレス電極１０と表示電極６が交差
する場所に低抵抗で不透明なバス電極の枝状部分７３を
設けることが望ましい。この場合には、第２の実施の形
態と同様に、表示画面のコントラスト向上とバス電極７
の低抵抗化の効果を得ることができる。

【０１１３】なお、本実施の形態の場合、アドレス放電
を表示電極セル列に固有な表示電極６１（バス電極７
１）とアドレス電極１０の間で発生させているが、主放
電における共通電極として働く表示電極６２（バス電極
７２）とアドレス電極１０の間で発生させても差支えな
い。

【０１１４】また、表示電極６とバス電極７の構造が第
４の実施例と同じになっているが、この構造に限定され
るわけではなく、第１、第３の実施の形態の場合と同じ
にしても差支えない。その場合には、それぞれ、第１、
第３の実施の形態で得られた効果を得ることができる。

【０１１５】本実施の形態の場合、主放電空間１００を
各表示セルごとに区画するバリアリブ１１０を隔壁基板
９０によって形成している。しかし、バリアリブ１１０
の形成方法はこれに限定されるものではなく、第６の実
施の形態の場合のように、前面基板２上に直接形成して
も差支えない。

【０１１６】また、本実施の形態では、アドレス電極１
０上の絶縁体層８０を加水分解型のコーティング剤を用
いて形成しているが、絶縁体層８０の材料としては、こ
れらに限定されるものではない。絶縁体層８０の形成方
法についても、本実施の形態で用いたブレード法やスプ
レー塗布法と熱硬化法の組み合わせに限定されるもので
はなく、スパッタリング法や電子線蒸着法等の真空蒸着
法、化学気相蒸着法、厚膜印刷法などの手法を用いても
良い。また、放電による絶縁体層８０の消耗が激しい場
合には、放電ガスに対する耐スパッタ性に優れた材料、
例えばＭｇＯ等の材料により絶縁体層８０を形成するこ
とが望ましい。

【０１１７】（実施の形態１５）本発明の第１５の実施
の形態を図２１により説明する。図２１は本発明を適用
したガス放電型表示装置の一部を断面図で示したもので
ある。同図（ａ）はアドレス電極に平行な断面を、同図
（ｂ）はアドレス電極に垂直である同図（ａ）に示した
Ａ−Ｂ断面を、同図（ｃ）はアドレス電極に垂直である
同図（ａ）に示したＣ−Ｄ断面を示している。なお、同
図（ａ）は、同図（ｂ）と同図（ｃ）に示したＥ−Ｆ断
面を示している。

【０１１８】図２１からわかるように、本実施の形態が
第４の実施の形態と異なっている点は、背面基板側の放
電空間２００を形成するバリアリブ１１上に形成された
アドレス電極１０を被覆している絶縁体層８０が誘電体
層８とＭｇＯなどからなる保護層９の重ね膜によって構
成されている点である。これ以外の構成や製造方法、本
発明を適用した点は、第４の実施の形態と同じである。
従って、この実施の形態の場合にも、第４の実施の形態
と同じ効果を得ることができる。さらに、本実施の形態
では、アドレス電極１０が誘電体層８と保護層９によっ
て被覆されているため、アドレス電極１０の寿命が長
く、アドレス放電も安定に持続する効果を得ることがで
きる。この効果は、第１〜第３、第５〜第１４の実施の
形態の場合においても、絶縁層８０を誘電体層８と保護
層９の重ね膜に変えることによって得られる。

【０１１９】本実施の形態の場合にも、第２の実施の形
態と同じように、アドレス電極１０と表示電極６が交差
する場所に低抵抗で不透明なバス電極の枝状部分７３を
設けることが望ましい。この場合には、第２の実施の形
態と同様に、表示画面のコントラスト向上とバス電極７
の低抵抗化の効果を得ることができる。

【０１２０】なお、本実施の形態の場合、アドレス放電
を表示電極セル列に固有な表示電極６１（バス電極７
１）とアドレス電極１０の間で発生させているが、主放
電における共通電極として働く表示電極６２（バス電極
７２）とアドレス電極１０の間で発生させても差支えな
い。

【０１２１】

【発明の効果】本発明によれば、壁電荷形成なしでもア
ドレス電圧を低くでき、表示画面のコントラストが高
く、蛍光体のイオンダメージを抑制できるガス放電型表
示装置の構造と、バリアリブとアドレス電極を設けた背
面基板の製造工程の短縮と歩留り向上が達成できる製造
工程を提供できる効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態を示す断面図であ
る。

【図２】第１の実施の形態をＸ方向から見た場合のアド
レス電極と前面基板側バリアリブ、表示電極、バス電極
の位置関係を示す図である。

【図３】本発明の第２の実施の形態を示す断面図であ
る。

【図４】第２の実施の形態をＸ方向から見た場合のアド
レス電極と前面基板側バリアリブ、表示電極、バス電極
の位置関係を示す図である。

【図５】本発明の第３の実施の形態を示す断面図であ
る。

【図６】第３の実施の形態をＸ方向から見た場合のアド
レス電極と前面基板側バリアリブ、表示電極、バス電極
の位置関係を示す図である。

【図７】本発明の第４の実施の形態を示す断面図であ
る。

【図８】第４の実施の形態をＸ方向から見た場合のアド
レス電極と前面基板側バリアリブ、表示電極、バス電極
の位置関係を示す図である。

【図９】本発明の第５の実施の形態を示す断面図であ
る。

【図１０】本発明の第６の実施の形態を示す断面図であ
る。

【図１１】本発明の第７の実施の形態を示す断面図であ
る。

【図１２】本発明の第８の実施の形態を示す断面図であ
る。

【図１３】本発明の第９の実施の形態を示す図である。

【図１４】本発明の第１０の実施の形態を示す図であ
る。

【図１５】本発明の第１１の実施の形態を示す断面図で
ある。

【図１６】第１１の実施の形態をＸ方向から見た場合の
アドレス電極と前面基板側バリアリブ、表示電極、バス
電極の位置関係を示す図である。

【図１７】本発明の第１２の実施の形態を示す断面図で
ある。

【図１８】第１２の実施の形態をＸ方向から見た場合の
アドレス電極と前面基板側バリアリブ、表示電極、バス
電極の位置関係を示す図である。

【図１９】本発明の第１３の実施の形態を示す断面図で
ある。

【図２０】本発明の第１４の実施の形態を示す断面図で
ある。

【図２１】本発明の第１５の実施の形態を示す断面図で
ある。

【図２２】ガス放電型表示パネルの従来例を示す斜視図
である。

【図２３】ガス放電型表示パネルの従来例を示す断面図
である。

【図２４】従来のガス放電型表示装置の製造方法の一例
を示す工程フロー図である。

【図２５】本発明の第１の実施の形態の製造方法の一例
を示す工程フロー図である。

【図２６】本発明の第６の実施の形態における前面基板
の製造方法の例を示す工程フロー図である。

【図２７】本発明の第７の実施の形態の製造方法の一例
を示す工程フロー図である。

【符号の説明】

１…前面基板，２…背面基板，３…放電空間領域，４…前面ガラス基板，５…背面ガラス基板，６・６１・６２…表示電極（透明電極），７・７１・７２…バス電極，８…誘電体層，９…保護層（ＭｇＯ），１０…アドレス電極，１１…背面基板側のバリアリブ，１２…蛍光体層，１７…シール層，７３…バス電極の枝状部分，８０…絶縁体層，９０…隔壁基板，１１０…前面基板側のバリアリブ，１００…主放電空間，２００…背面基板側の放電空間，３００…アドレス放電空間，３１０…バリアリブ１１０中に設けた開口部，３２０…本発明の第１０の実施の形態の特徴を示す部
分，３３０…本発明の第１１の実施の形態の特徴を示す部
分，３４０…本発明の第１２の実施の形態の特徴を示す部
分，１０００…表示電極セル列，１１１０…バリアリブ材料，１１２０…感光性フィルム，１１４０…導体層（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ），２０００…アドレス電極セル列

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鈴木和雄神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者高井輝男神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所映像情報メディア事業部内 (72)発明者雨宮恭子神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者坂上志之神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者庄子房次神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表示を行うための主放電を発生させる表示
電極が前面基板用絶縁性基板上に形成されてなる前面基
板と、該前面基板に並行に対向して配設されかつ発光す
る表示セルを選択するためのアドレス放電を上記表示電
極との間で発生させるアドレス電極が形成されてなる背
面基板と、表示セルに対応してバリアリブよって分割さ
れた放電空間と、該放電空間の内壁の少なくとも一部に
形成された蛍光体層とを備え、上記放電空間は、上記前
面基板と上記背面基板とをはりあわせることによって形
成され、上記アドレス電極と上記前面基板は前面基板の
上記放電空間側に設けられたバリアリブによって隔てら
れ、かつ、上記アドレス電極と上記前面基板の間の距離
が上記蛍光体層と上記前面基板の間の距離に比べて同等
あるいは短いことを特徴とするガス放電型表示装置。
【請求項２】表示を行うための主放電を発生させる表示
電極が前面基板用絶縁性基板上に形成されてなる前面基
板と、該前面基板に並行に対向して配設されかつ発光す
る表示セルを選択するためのアドレス放電を上記表示電
極との間で発生させるアドレス電極が形成されてなる背
面基板と、表示セルに対応してバリアリブよって分割さ
れた放電空間と、上記放電空間の内壁の少なくとも一部
に形成された蛍光体層とを備え、上記放電空間は、前面
基板側に設けられたバリアリブによって分割された前面
基板側の放電空間と、背面基板側のバリアリブによって
分割された背面基板側の放電空間とからなり、上記前面
基板側の放電空間は、表示のための放電を発生させる主
放電空間と表示セルを選択するためのアドレス放電を発
生させるアドレス放電空間からなり、上記背面基板側の
放電空間を分割するバリアリブの内壁には上記蛍光体層
が形成されていることを特徴とするガス放電型表示装
置。
【請求項３】請求項１又は請求項２に記載のガス放電型
表示装置において、上記前面基板側の放電空間は格子状
のバリアリブによって各表示セルごとに分離された放電
空間であり、上記背面基板側の放電空間はある表示セル
の並びの方向に伸延したストライプ状の放電空間である
ことを特徴とするガス放電型表示装置。
【請求項４】請求項１又は請求項２に記載のガス放電型
表示装置において、上記前面基板側の放電空間と上記背
面基板側の放電空間はある表示セルの並びの方向に伸延
したストライプ状の放電空間であり、上記前面基板側の
放電空間と上記背面基板側の放電空間は同じ方向に伸延
していることを特徴とするガス放電型表示装置。
【請求項５】請求項１乃至請求項４いずれかに記載のガ
ス放電型表示装置において、上記アドレス電極が上記背
面基板側の放電空間を分離するバリアリブ上に設けら
れ、上記アドレス電極と上記前面基板は、上記前面基板
側の放電空間を分離するバリアリブによって隔てられて
いることを特徴とするガス放電型表示装置。
【請求項６】請求項５に記載のガス放電型表示装置にお
いて、上記前面基板側の放電空間を分離するバリアリブ
の幅を上記背面基板側の放電空間を分離するバリアリブ
の幅より小さくし、上記背面基板側の放電空間を分離す
るバリア上に形成された上記アドレス電極を上記前面基
板側の放電空間に露出させることによって、上記表示電
極と上記アドレス電極の間に表示セルを選択するための
放電を発生させるアドレス放電空間を形成することを特
徴とするガス放電型表示装置。
【請求項７】請求項５に記載のガス放電型表示装置にお
いて、上記前面基板側の放電空間を分離するバリアリブ
は、表示セルを選択するための放電を発生させるための
上記表示電極と上記アドレス電極が交差する場所におい
て、上記背面基板側の放電空間を分離するバリアリブ上
を迂回して、上記アドレス電極を上記前面基板側の放電
空間に露出させることにより、上記表示電極と上記アド
レス電極の間に表示セルを選択するための放電を発生さ
せるアドレス放電空間を形成することを特徴とするガス
放電型表示装置。
【請求項８】請求項５に記載のガス放電型表示装置にお
いて、上記前面基板側の放電空間を分離するバリアリブ
は、表示セルを選択するための放電を発生させるための
上記表示電極と上記アドレス電極が交差する場所におい
て開口部を有し、該開口部を通して表示セルの選択に関
与する上記表示電極と上記アドレス電極を対向させるこ
とによって表示セルを選択するための放電を発生させる
アドレス放電空間を形成することを特徴とするガス放電
型表示装置。
【請求項９】請求項５に記載のガス放電型表示装置にお
いて、上記アドレス電極は、表示セルを選択するための
放電を発生させるための上記表示電極と上記アドレス電
極が交差する場所において、上記前面基板側の放電空間
の中に突出することによって表示セルの選択に関与する
上記表示電極と対向し、表示セルを選択するための放電
を発生させるアドレス放電空間を形成することを特徴と
するガス放電型表示装置。
【請求項１０】請求項５乃至請求項９いずれかに記載の
ガス放電型表示装置において、上記アドレス放電空間
は、上記前面基板側の放電空間を形成するバリアリブよ
り０．０１ｍｍ以上の距離まで広がることを特徴とする
ガス放電型表示装置。
【請求項１１】請求項１乃至請求項１０いずれかに記載
のガス放電型表示装置において、上記前面基板側の放電
空間を分離するバリアリブの高さによって、表示セルを
選択するための放電を発生させるためのアドレス電圧を
調整するように構成したことを特徴とするガス放電型表
示装置。
【請求項１２】請求項１乃至請求項１１いずれかに記載
のガス放電型表示装置において、上記背面基板側の放電
空間を分離するバリアリブを、上記背面基板を構成する
絶縁性基板の一部によって形成することを特徴とするガ
ス放電型表示装置。
【請求項１３】請求項１乃至請求項１２いずれかに記載
のガス放電型表示装置において、上記前面基板側の放電
空間を分離するバリアリブを、所望の開口部を設けた隔
壁基板によって形成することを特徴とするガス放電型表
示装置。
【請求項１４】請求項１３に記載のガス放電型表示装置
において、上記隔壁基板を電気的絶縁材料によって被覆
した金属材料で形成することを特徴とするガス放電型表
示装置。
【請求項１５】請求項１乃至請求項１４いずれかに記載
のガス放電型表示装置において、上記表示電極の少なく
とも一部と重なるように表示電極よりも抵抗が低い材料
によって構成されたバス電極が設けられ、該バス電極と
上記アドレス電極の間で表示セルを選択するためのアド
レス放電を発生させることを特徴とするガス放電型表示
装置。
【請求項１６】請求項１５に記載のガス放電型表示装置
において、上記バス電極は、表示セルを選択するための
放電を発生させるための上記表示電極と上記アドレス電
極が交差する場所において、枝状部分を有し、該枝状部
分と上記アドレス電極の間で表示セルを選択するための
アドレス放電を発生させることを特徴とするガス放電型
表示装置。
【請求項１７】請求項１５又は請求項１６に記載のガス
放電型表示装置において、上記バス電極は、Ｃｕ、Ａ
ｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、の中から選ん
だ少なくとも１つの材料によって構成されることを特徴
とするガス放電型表示装置。
【請求項１８】請求項１乃至請求項１７いずれかに記載
のガス放電型表示装置において、上記アドレス電極上に
は、電気的絶縁材料からなる絶縁層が形成されているこ
とを特徴とするガス放電型表示装置。
【請求項１９】請求項１乃至請求項１８いずれかに記載
のガス放電型表示装置において、上記アドレス電極上に
は、誘電体層と保護層が形成され、該保護層が上記放電
空間に接していることを特徴とするガス放電型表示装
置。
【請求項２０】請求項１８に記載のガス放電型表示装置
において、上記絶縁層が、放電ガスに対するスパッタ率
が低く、２次電子放出係数の高い電気的絶縁材料によっ
て形成されることを特徴とするガス放電型表示装置。
【請求項２１】請求項１９に記載のガス放電型表示装置
において、上記保護層が、放電ガスに対するスパッタ率
が低く、２次電子放出係数の高い電気的絶縁材料によっ
て形成されることを特徴とするガス放電型表示装置。
【請求項２２】請求項２０又は請求項２１に記載のガス
放電型表示装置において、放電ガスに対するスパッタ率
が低く２次電子放出係数の高い上記電気的絶縁材料が、
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯの中から選んだ少なくとも１種
類以上の材料から構成されることを特徴とするガス放電
型表示装置。
【請求項２３】請求項１又は請求項２に記載のガス放電
型表示装置において、上記前面基板側の放電空間はある
表示セルの並びの方向に伸延したストライプ状の放電空
間であり、上記背面基板側の放電空間は格子状のバリア
リブによって各表示セルごとに分離された放電空間であ
ることを特徴とするガス放電型表示装置。
【請求項２４】請求項２３に記載のガス放電型表示装置
において、上記アドレス電極が上記背面基板側の放電空
間を分離するバリアリブ上に設けられ、上記アドレス電
極と上記前面基板は、上記前面基板側の放電空間を分離
するバリアリブによって隔てられていることを特徴とす
るガス放電型表示装置。
【請求項２５】請求項２４に記載のガス放電型表示装置
において、上記前面基板側の放電空間を分離するバリア
リブの幅を上記背面基板側の放電空間を分離するバリア
リブの幅より小さくし、上記背面基板側の放電空間を分
離するバリア上に形成された上記アドレス電極を上記前
面基板側の放電空間に露出させることによって、上記表
示電極と上記アドレス電極の間に表示セルを選択するた
めの放電を発生させるアドレス放電空間を形成すること
を特徴とするガス放電型表示装置。
【請求項２６】請求項２４に記載のガス放電型表示装置
において、上記前面基板側の放電空間を分離するバリア
リブは、表示セルを選択するための放電を発生させるた
めの上記表示電極と上記アドレス電極が交差する場所に
おいて、上記背面基板側の放電空間を分離するバリアリ
ブ上を迂回して、上記アドレス電極を上記前面基板側の
放電空間に露出させることにより、上記表示電極と上記
アドレス電極の間に表示セルを選択するための放電を発
生させるアドレス放電空間を形成することを特徴とする
ガス放電型表示装置。
【請求項２７】請求項２４に記載のガス放電型表示装置
において、上記前面基板側の放電空間を分離するバリア
リブは、表示セルを選択するための放電を発生させるた
めの上記表示電極と上記アドレス電極が交差する場所に
おいて開口部を有し、該開口部を通して、表示セルの選
択に関与する上記表示電極と上記アドレス電極を対向さ
せることによって表示セルを選択するための放電を発生
させるアドレス放電空間を形成することを特徴とするガ
ス放電型表示装置。
【請求項２８】請求項２４に記載のガス放電型表示装置
において、上記アドレス電極は、表示セルを選択するた
めの放電を発生させるための上記表示電極と上記アドレ
ス電極が交差する場所において、上記前面基板側の放電
空間の中に突出することによって表示セルの選択に関与
する上記表示電極と対向し、表示セルを選択するための
放電を発生させるアドレス放電空間を形成することを特
徴とするガス放電型表示装置。
【請求項２９】請求項２４乃至請求項２８いずれかに記
載のガス放電型表示装置において、上記アドレス放電空
間は、上記前面基板側の放電空間を形成するバリアリブ
より０．０１ミリメートル以上の距離まで広がることを
特徴とするガス放電型表示装置。
【請求項３０】請求項２３乃至請求項２９いずれかに記
載のガス放電型表示装置において、上記前面基板側の放
電空間を分離するバリアリブの高さによって、表示セル
を選択するための放電を発生させるためのアドレス電圧
を調整するように構成したことを特徴とするガス放電型
表示装置。
【請求項３１】請求項２３乃至請求項３０いずれかに記
載のガス放電型表示装置において、上記背面基板側の放
電空間を分離するバリアリブを、上記背面基板を構成す
る絶縁性基板の一部によって形成することを特徴とする
ガス放電型表示装置。
【請求項３２】請求項２３乃至請求項３１いずれかに記
載のガス放電型表示装置において、上記前面基板側の放
電空間を分離するバリアリブを、所望の開口部を設けた
隔壁基板によって形成することを特徴とするガス放電型
表示装置。
【請求項３３】請求項３２に記載のガス放電型表示装置
において、上記隔壁基板を電気的絶縁材料によって被覆
した金属材料で形成したことを特徴とするガス放電型表
示装置。
【請求項３４】請求項２３乃至請求項３３いずれかに記
載のガス放電型表示装置において、抵抗が上記表示電極
を構成する材料より低い材料によって構成されたバス電
極が、上記表示電極の少なくとも一部と重なるように設
けられ、上記バス電極と上記アドレス電極の間で表示セ
ルを選択するためのアドレス放電を発生することを特徴
とするガス放電型表示装置。
【請求項３５】請求項３４に記載のガス放電型表示装置
において、上記バス電極は、表示セルを選択するための
放電を発生させるための上記表示電極と上記アドレス電
極が交差する場所において、枝状部分を有し、当該枝状
部分と上記アドレス電極の間で表示セルを選択するため
のアドレス放電を発生させることを特徴とするガス放電
型表示装置。
【請求項３６】請求項３４又は請求項３５に記載のガス
放電型表示装置において、上記バス電極は、Ｃｕ、Ａ
ｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、の中から選んだ少な
くとも１つの材料によって構成されることを特徴とする
ガス放電型表示装置。
【請求項３７】請求項２３乃至請求項３６いずれかに記
載のガス放電型表示装置において、上記アドレス電極上
には、電気的絶縁材料からなる絶縁層が形成されている
ことを特徴とするガス放電型表示装置。
【請求項３８】請求項２３乃至請求項３７いずれかに記
載のガス放電型表示装置において、上記アドレス電極上
には、誘電体層と保護層が形成され、該保護層が上記放
電空間に接していることを特徴とするガス放電型表示装
置。
【請求項３９】請求項３７に記載のガス放電型表示装置
において、上記絶縁層が、放電ガスに対するスパッタ率
が低く２次電子放出係数の高い電気的絶縁材料によって
形成されることを特徴とするガス放電型表示装置。
【請求項４０】請求項３８に記載のガス放電型表示装置
において、上記保護層が、放電ガスに対するスパッタ率
が低く２次電子放出係数の高い電気的絶縁材料によって
形成されることを特徴とするガス放電型表示装置。
【請求項４１】請求項３９又は請求項４０に記載のガス
放電型表示装置において、放電ガスに対するスパッタ率
が低く２次電子放出係数の高い上記電気的絶縁材料が、
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯの中から選んだ少なくとも１種
類以上の材料から構成されることを特徴とするガス放電
型表示装置。
【請求項４２】請求項１乃至請求項２２に記載のガス放
電型表示装置の製造方法において、上記背面基板の製造
工程は、少なくとも工程Ａと工程Ｂ、工程Ｃ、工程Ｄを
含み、上記工程Ａは、アドレス電極を構成する材料から
なる導体層を形成する工程であり、上記工程Ｂは、感光
性樹脂組成物を用いて上記背面基板用絶縁性基板上に所
定の有機膜パターンを形成する工程であり、上記工程Ｃ
は、上記工程Ａによってアドレス電極を構成する材料か
らなる導体層が形成された上記背面基板用絶縁性基板を
掘り込んで背面基板側の放電空間を分離するためのバリ
アリブと上記アドレス電極パターンを形成する工程であ
り、上記工程Ｄは、上記有機膜パターンを除去する工程
であり、上記背面基板の製造工程が上記工程Ａから上記
工程Ｂ、上記工程Ｃ、上記工程Ｄの順に進むことを特徴
とするガス放電型表示装置の製造方法。
【請求項４３】請求項１乃至請求項２２に記載のガス放
電型表示装置の製造方法において、上記背面基板の製造
工程は少なくとも工程Ａと工程Ｂ、工程Ｃ、工程Ｄ、工
程Ｅを含み、上記工程Ｅは、上記背面基板用基材上に背
面基板側の放電空間を分離するためのバリアリブに用い
る絶縁性材料を形成する工程であり、上記工程Ａは、ア
ドレス電極を構成する材料からなる導体層を形成する工
程であり、上記工程Ｂは、感光性樹脂組成物を用いて上
記背面基板用絶縁性基板上に所定の有機膜パターンを形
成する工程であり、上記工程Ｃは、上記工程Ｅによって
背面基板側の放電空間を分離するためのバリアリブを構
成する絶縁性材料が、上記工程Ａによってアドレス電極
を構成する材料からなる導体層が形成された上記背面基
板用絶縁性基板を掘り込んで背面基板側の放電空間を分
離するためのバリアリブとアドレス電極パターンを形成
する工程であり、上記工程Ｄは、上記有機膜パターンを
除去する工程であり、上記背面基板の製造工程が上記工
程Ｅから上記工程Ａ、上記工程Ｂ、上記工程Ｃ、上記工
程Ｄの順に進むことを特徴とするガス放電型表示装置の
製造方法。
【請求項４４】請求項１乃至請求項４１に記載のガス放
電型表示装置の製造方法において、上記背面基板の製造
工程は、少なくとも工程Ａと工程Ｂ、工程Ｄ、工程Ｆ、
工程Ｇを含み、上記工程Ａは、アドレス電極を構成する
材料からなる導体層を形成する工程であり、上記工程Ｆ
は、上記工程Ａで形成した導体層を加工してアドレス電
極パターンを形成する工程であり、上記工程Ｂは、感光
性樹脂組成物を用いて上記アドレス電極パターンが形成
された上記背面基板用絶縁性基板上に所定の有機膜パタ
ーンを形成する工程であり、上記工程Ｇは、アドレス電
極パターンが形成された上記背面基板用絶縁性基板を掘
り込んで背面基板側の放電空間を分離するためのバリア
リブを形成する工程であり、上記工程Ｄは、上記有機膜
パターンを除去する工程であり、上記背面基板の製造工
程が上記工程Ａから上記工程Ｆ、上記工程Ｂ、上記工程
Ｇ、上記工程Ｄの順に進むことを特徴とするガス放電型
表示装置の製造方法。
【請求項４５】請求項１乃至請求項４１に記載のガス放
電型表示装置の製造方法において、上記背面基板の製造
工程は少なくとも工程Ａと工程Ｂ、工程Ｄ、工程Ｅ、工
程Ｆ、工程Ｇを含み、上記工程Ｅは、上記背面基板用基
材上に背面基板側の放電空間を分離するためのバリアリ
ブに用いられる絶縁性材料を形成する工程であり、上記
工程Ａは、アドレス電極を形成するための導体層を形成
する工程であり、上記工程Ｆは、上記工程Ａで形成した
導体層を加工してアドレス電極パターンを形成する工程
であり、上記工程Ｂは、感光性樹脂組成物を用いて上記
アドレス電極パターンが設けられた上記背面基板用絶縁
性基板上に所定の有機膜パターンを形成する工程であ
り、上記工程Ｇは、上記背面基板用絶縁性基板を掘り込
むことにより背面基板側の放電空間を分離するためのバ
リアリブを形成する工程であり、上記工程Ｄは、上記有
機膜パターンを除去する工程であり、上記背面基板の製
造工程が上記工程Ｅから上記工程Ａ、上記工程Ｆ、上記
工程Ｂ、上記工程Ｇ、上記工程Ｄの順に進むことを特徴
とするガス放電型表示装置の製造方法。
【請求項４６】請求項４２又は請求項４３に記載のガス
放電型表示装置の製造方法において、上記工程Ｃの背面
基板側の放電空間を分離するためのバリアリブとアドレ
ス電極パターンを形成するための、アドレス電極を構成
する導体層を形成した背面基板用絶縁性基板を掘り込む
手段としてサンドブラスト法を用いることを特徴とする
ガス放電型表示装置の製造方法。
【請求項４７】請求項４４又は請求項４５に記載のガス
放電型表示装置の製造方法において、上記工程Ｄの背面
基板側の放電空間を分離するバリアリブを形成するため
の、アドレス電極パターンが形成された背面基板用絶縁
性基板を掘り込む手段としてサンドブラスト法を用いる
ことを特徴とするガス放電型表示装置の製造方法。
【請求項４８】請求項１８、請求項２０、請求項３７、
請求項３９に記載のガス放電型表示装置の製造方法にお
いて、上記蛍光体層を形成する工程より前の工程におい
て、上記絶縁層を形成することを特徴とするガス放電型
表示装置の製造方法。
【請求項４９】請求項１９、請求項２１、請求項３８、
請求項４０に記載のガス放電型表示装置の製造方法にお
いて、上記蛍光体層を形成する工程より前の工程におい
て、上記誘電体層と上記保護層を形成することを特徴と
するガス放電型表示装置の製造方法。