JP2018189796A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】狭額縁化を可能とする表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１基体１０と、第１基体と対向し、接続用孔Ｖ１を有する第２基体２０と、第１基体と第２基体との間に位置し、接続用孔と対向する第１導電層Ｌ１と、第１導電層と第２基体との間に位置し、接続用孔と繋がる孔ＶＣ１を有するシールＳＥと、第１導電層とシールとの間に位置し、孔ＶＣ１に繋がる孔ＶＣ２を有する第２絶縁層１２と、第２基体の第１基体と対向する面と反対側に位置する第２導電層Ｌ２と、接続用孔Ｖ１，孔ＶＣ１，孔ＶＣ２を通って第１導電層と第２導電層とを電気的に接続する接続材Ｃと、を備える。
【選択図】図８

Description

本実施形態は、表示装置に関する。

近年、表示装置を狭額縁化するための技術が種々検討されている。一例では、樹脂製の第１基板の内面と外面とを貫通する孔の内部に孔内接続部を有する配線部と、樹脂製の第２基板の内面に設けられた配線部とが基板間接続部によって電気的に接続される技術が開示されている。

特開２００７−１１０３０号公報 特開２００２−４０４６５号公報

本実施形態の目的は、狭額縁化が可能な表示装置を提供することである。

一実施形態によれば、
第１基体と、前記第１基体と対向し、第１孔を有する第２基体と、前記第１基体と前記第２基体との間に位置し、前記第１孔と対向する第１導電層と、前記第１導電層と前記第２基体との間に位置し、前記第１孔と繋がる第２孔を有するシールと、前記第１導電層と前記シールとの間に位置し、前記第２孔に繋がる第３孔を有する有機絶縁層と、前記第２基体の前記第１基体と対向する面と反対側に位置する第２導電層と、前記第１乃至前記第３孔を通って前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続材と、を備える表示装置が提供される。

一実施形態によれば、
第１基体と、前記第１基体と対向し、第１孔を有する第２基体と、前記第１基体と前記第２基体との間に位置し、前記第１孔と対向する第１導電層と、前記第１導電層と前記第２基体との間に位置し、前記第１孔と繋がる第２孔を有するシールと、前記第２基体の前記第１基体と対向する面と反対側に位置する第２導電層と、前記第１及び前記第２孔を通って前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続材と、を備え、前記第１導電層は、透明導電層である、表示装置が提供される。

図１は、本実施形態に係る表示装置を概略的に示す平面図である。 図２は、図１に示す表示装置の等価回路である。 図３は、図１に示す表示装置の表示領域を概略的に示す断面図である。 図４は、スイッチング素子ＳＷと画素電極ＰＥとの接続関係を説明するための断面図である。 図５は、図１に示す表示装置に搭載されるセンサを概略的に示す平面図である。 図６は、図１に示す表示装置の検出電極を拡大して示す図である。 図７は、図１に示すパッドを拡大して示す平面図である。 図８は、図１に示す表示装置の非表示領域を概略的に示す断面図である。 図９は、本実施形態の表示装置の第１変形例を示す断面図である。 図１０は、本実施形態の表示装置の第２変形例を示す断面図である。 図１１は、本実施形態の表示装置の第３変形例を示す断面図である。 図１２は、本実施形態の表示装置の第４変形例を示す断面図である。 図１３は、本実施形態の表示装置の第５変形例を示す断面図である。 図１４は、本実施形態の表示装置の第６変形例を示す断面図である。 図１５は、図１４に示す溝１２ｃと、パッドＰ１及び透明導電層ＴＣ１と位置関係を示す平面図である。 図１６は、本実施形態の表示装置の第７変形例を示す断面図である。 図１７は、本実施形態の表示装置の第８変形例を示す断面図である。 図１８は、図１７に示す溝１３ｄと、透明導電層ＴＣ１及びＴＣ２との位置関係を示す平面図である。 図１９は、本実施形態の表示装置の第９変形例を示す断面図である。 図２０は、図１９に示す溝１２ｄと、パッドＰ１、透明導電層ＴＣ１、及び透明導電層ＴＣ２との位置関係を示す平面図である。 図２１は、本実施形態の表示装置の第１０変形例を示す断面図である。 図２２は、本実施形態の表示装置の第１１変形例を示す断面図である。 図２３は、本実施形態の表示装置の第１２変形例を示す断面図である。 図２４は、本実施形態の表示装置の第１３変形例を示す平面図である。 図２５は、本実施形態の表示装置の第１４変形例を示す平面図である。 図２６は、図２５に示すＣ−Ｄ線に沿った断面図である。 図２７は、本実施形態の表示装置の第１５変形例を示す平面図である。 図２８は、図２７に示すＥ−Ｆ線に沿った断面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

本実施形態の表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。本実施形態にて開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などに適用可能である。

図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰの一例として、センサＳＳを搭載した液晶表示装置について説明する。

図に示す第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、第１方向Ｘと第２方向Ｙとは、９０度以外の角度で交差していても良い。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、例えば、第１方向Ｘは表示装置１の短辺と平行であり、第２方向Ｙは表示装置１の長辺と平行である。第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。

以下の説明において、第３方向Ｚを上方（あるいは、単に上）と称し、第３方向Ｚと反対方向を下方（あるいは、単に下）と称する。「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、又は第１部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第１部材と第２部材との間に、第３の部材が介在していてもよい。また、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面を第３方向Ｚと反対方向に見ることを平面視という。第１方向Ｘ及び第３方向Ｚによって規定されるＸ−Ｚ平面、あるいは第２方向Ｙ及び第３方向Ｚによって規定されるＹ−Ｚ平面における表示装置ＤＳＰの断面を見ることを断面視という。

図１は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面における表示装置ＤＳＰの一部の平面を示している。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、ＩＣチップＩ１、配線基板ＳＵＢ３、などを備えている。

表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥと、表示機能層（後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、第３方向に対向している。図示した例では、第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１の上方に設けられている。シールＳＥは、図１において右上がりの斜線で示した部分に設けられ、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着している。表示機能層は、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持されている。

表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡと非表示領域（周辺領域）ＮＤＡとを有している。表示領域ＤＡは、画像を表示する領域であり、シールＳＥによって囲まれた内側に位置している。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの外側に位置し、表示領域ＤＡを囲んでいる。シールＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置している。

配線基板ＳＵＢ３は、第１基板ＳＵＢ１に実装されている。このような配線基板ＳＵＢ３は、例えば可撓性を有するフレキシブル基板である。なお、本実施形態で適用可能なフレキシブル基板とは、その少なくとも一部分に、屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えていれば良い。例えば、本実施形態の配線基板ＳＵＢ３は、その全体がフレキシブル部として構成されたフレキシブル基板であっても良いし、ガラスエポキシなどの硬質材料によって形成されたリジッド部及びポリイミドなどの屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えたリジッドフレキシブル基板であっても良い。

ＩＣチップＩ１は、配線基板ＳＵＢ３に実装されている。なお、図示した例に限らず、ＩＣチップＩ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１に実装されていてもよいし、配線基板ＳＵＢ３に接続される外部回路基板に実装されていてもよい。ＩＣチップＩ１は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。ここでのディスプレイドライバＤＤは、後述する信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含むものである。また、図示した例では、ＩＣチップＩ１は、タッチパネルコントローラなどとして機能する検出回路ＲＣを内蔵している。なお、検出回路ＲＣは、ＩＣチップＩ１とは異なる他のＩＣチップに内蔵されていてもよい。

表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１の下方（表示面と反対側）からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の上方（表示面側）からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであってもよい。

表示装置ＤＳＰに搭載されるセンサＳＳは、表示装置ＤＳＰへの被検出物の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサＳＳは、複数の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ１、Ｒｘ２…）を備えている。検出電極Ｒｘは、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。これらの検出電極Ｒｘは、それぞれ第１方向Ｘに沿って延伸し、第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。図１では、検出電極Ｒｘとして、検出電極Ｒｘ１乃至Ｒｘ４が図示されているが、ここでは、検出電極Ｒｘ１に着目してその構造例について説明する。

すなわち、検出電極Ｒｘ１は、検出部ＲＳと、端子部ＲＴ１と、接続部ＣＮとを備えている。

検出部ＲＳは、表示領域ＤＡに位置し、第１方向Ｘに沿って延伸している。検出電極Ｒｘ１においては、主として検出部ＲＳがセンシングに利用される。図示した例では、検出部ＲＳは、帯状に形成されているが、より具体的には、後述の図６を参照して説明するように微細な金属細線の集合体によって形成されている。また、１つの検出電極Ｒｘ１は、２本の検出部ＲＳを備えているが、３本以上の検出部ＲＳを備えていてもよいし、１本の検出部ＲＳを備えていてもよい。

端子部ＲＴ１は、非表示領域ＮＤＡの第１方向Ｘの一端側、すなわち非表示領域ＮＤＡの第２方向Ｙに沿って延伸した領域に位置し、検出部ＲＳに繋がっている。端子部ＲＴ１の一部は、シールＳＥと重なっている。

接続部ＣＮは、非表示領域ＮＤＡの第１方向Ｘの他端側、すなわち端子部ＲＴ１と反対側で、非表示領域ＮＤＡの第２方向Ｙに沿って延伸した領域に位置している。接続部ＣＮは、端子部ＲＴ１、複数の検出部ＲＳを互いに接続している。図１において、一端側とは表示領域ＤＡよりも左側に相当し、他端側とは表示領域ＤＡよりも右側に相当する。

一方で、第１基板ＳＵＢ１は、パッドＰ１及び配線Ｗ１を備えている。パッドＰ１及び配線Ｗ１は、非表示領域ＮＤＡの一端側に位置し、平面視でシールＳＥと重なっている。パッドＰ１は、平面視で端子部ＲＴ１と重なる位置に形成されている。配線Ｗ１は、パッドＰ１に接続され、第２方向Ｙに沿って延伸し、配線基板ＳＵＢ３を介してＩＣチップＩ１の検出回路ＲＣと電気的に接続されている。

表示パネルＰＮＬは、非表示領域ＮＤＡにおいて、パッドＰ１と検出電極Ｒｘとを電気的に接続するための接続用孔Ｖ１を有している。本実施形態において、パッドＰ１は、第１導電層Ｌ１に相当し、検出電極Ｒｘは、第２導電層Ｌ２に相当する。

接続用孔Ｖ１は、端子部ＲＴ１とパッドＰ１とが対向する位置に形成されている。また、接続用孔Ｖ１は、端子部ＲＴ１を含む第２基板ＳＵＢ２及びシールＳＥを貫通するとともに、パッドＰ１を貫通する場合もあり得る。図示した例では、接続用孔Ｖ１は、平面視で円形であるが、その形状は図示した例に限らず、楕円形などの他の形状であってもよい。

接続用孔Ｖ１には、端子部ＲＴ１（すなわち第２導電層Ｌ２）とパッドＰ１（すなわち第１導電層Ｌ１）とを電気的に接続する接続材が設けられている。これにより、第２基板ＳＵＢ２に設けられた検出電極Ｒｘ１は、第１基板ＳＵＢ１に接続された配線基板ＳＵＢ３を介して検出回路ＲＣと電気的に接続される。検出回路ＲＣは、検出電極Ｒｘから出力されたセンサ信号を読み取り、被検出物の接触あるいは接近の有無や、被検出物の位置座標などを検出する。

図示した例では、奇数番目の検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ３…の各々の端子部ＲＴ１、ＲＴ３…、パッドＰ１、Ｐ３…、配線Ｗ１、Ｗ３…、及び接続用孔Ｖ１、Ｖ３…は、いずれも非表示領域ＮＤＡの一端側に位置している。また、偶数番目の検出電極Ｒｘ２、Ｒｘ４…の各々の端子部ＲＴ２、ＲＴ４…、パッドＰ２、Ｐ４…、配線Ｗ２、Ｗ４…、及び接続用孔Ｖ２、Ｖ４…は、いずれも非表示領域ＮＤＡの他端側に位置している。このようなレイアウトによれば、非表示領域ＮＤＡにおける一端側の幅と他端側の幅とを均一化することができ、狭額縁化に好適である。

図示したように、パッドＰ３がパッドＰ１よりも配線基板ＳＵＢ３に近接するレイアウトでは、配線Ｗ１は、パッドＰ３の内側（つまり、表示領域ＤＡに近接する側）を迂回し、パッドＰ３と配線基板ＳＵＢ３との間で配線Ｗ３の内側に並んで配置されている。同様に、配線Ｗ２は、パッドＰ４の内側を迂回し、パッドＰ４と配線基板ＳＵＢ３との間で配線Ｗ４の内側に並んで配置されている。

図２は、図１に示す表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を示す図である。

表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。

また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。走査線Ｇは、各々第１方向Ｘに沿って延伸し、第２方向Ｙに並んでいる。信号線Ｓは、各々第２方向Ｙに沿って延伸し、第１方向Ｘに並んでいる。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延伸していなくても良く、それらの一部が屈曲していても良い。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。

走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、共通電極ＣＥは、それぞれ非表示領域ＮＤＡに引き出されている。非表示領域ＮＤＡにおいて、走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤに接続され、信号線Ｓは信号線駆動回路ＳＤに接続され、共通電極ＣＥは共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤは、第１基板ＳＵＢ１上に形成されても良いし、これらの一部或いは全部が図１に示すＩＣチップＩ１に内蔵されていても良い。

各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子ＳＷは、ゲート電極ＷＧ、ソース電極ＷＳ、及び、ドレイン電極ＷＤを備えている。ゲート電極ＷＧは、走査線Ｇと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Ｓと電気的に接続された電極をソース電極ＷＳと称し、画素電極ＰＥと電気的に接続された電極をドレイン電極ＷＤと称する。

走査線Ｇは、第１方向Ｘに沿って並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに沿って並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。

図３は、図１に示す表示パネルＰＮＬの表示領域ＤＡの構造を示す断面図である。ここでは、第１方向Ｘ及び第３方向Ｚによって規定されるＸ−Ｚ平面で切断した断面図を示す。第３方向Ｚは、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向に相当する。

図示した表示パネルＰＮＬは、主として基板主面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルＰＮＬは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していても良い。横電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のいずれか一方に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が備えられた構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか一方が備えられ、第２基板ＳＵＢ２に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか他方が備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、Ｘ−Ｙ平面と平行な面である。

第１基板ＳＵＢ１は、第１基体１０を用いて構成されている。第１基体１０は、ガラス又は樹脂等の絶縁材料から形成されている。第１基体１０は、第２基板ＳＵＢ２と対向する主面１０Ａと、主面１０Ａとは反対側の主面１０Ｂとを有している。第１基板ＳＵＢ１は、第１基体１０の主面１０Ａの側に、信号線Ｓ、共通電極ＣＥ、金属層Ｍ、画素電極ＰＥ、第１絶縁層１１、第２絶縁層１２、第３絶縁層１３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。なお、ここでは、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁層等の図示を省略している。

第１絶縁層１１は、第１基体１０の上に位置している。図示しない走査線やスイッチング素子の半導体層は、第１基体１０と第１絶縁層１１の間に位置している。信号線Ｓは、第１絶縁層１１の上に位置している。第２絶縁層１２は、信号線Ｓ、及び、第１絶縁層１１の上に位置している。共通電極ＣＥは、第２絶縁層１２の上に位置している。金属層Ｍは、信号線Ｓの直上において共通電極ＣＥに接している。図示した例では、金属層Ｍは、共通電極ＣＥの上に位置しているが、共通電極ＣＥと第２絶縁層１２との間に位置していても良い。第３絶縁層１３は、共通電極ＣＥ、及び、金属層Ｍの上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁層１３の上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁層１３を介して共通電極ＣＥと対向している。また、画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁層１３を覆っている。

走査線、信号線Ｓ、及び、金属層Ｍは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。第１絶縁層１１及び第３絶縁層１３は無機絶縁層であり、第２絶縁層１２は有機絶縁層である。一例では、走査線はタングステンを含む金属材料で形成されており、信号線Ｓはアルミニウムを含む金属材料により形成されている。

なお、第１基板ＳＵＢ１の構成は、図示した例に限らず、画素電極ＰＥが第２絶縁層１２と第３絶縁層１３との間に位置し、共通電極ＣＥが第３絶縁層１３と第１配向膜ＡＬ１との間に位置していても良い。このような場合、画素電極ＰＥはスリットを有していない平板状に形成され、共通電極ＣＥは画素電極ＰＥと対向するスリットを有する。また、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように配置されていても良い。

第２基板ＳＵＢ２は、第２基体２０を用いて構成されている。第２基体２０は、ガラス又は樹脂等の絶縁材料から形成されている。第２基体２０は、第１基板ＳＵＢ１と対向する主面２０Ａと、主面２０Ａとは反対側の主面２０Ｂとを有している。第２基板ＳＵＢ２は、第２基体２０の主面２０Ａの側に、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。

遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦは、第２基体２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。遮光層ＢＭは、各画素を区画し、信号線Ｓの直上に位置している。カラーフィルタＣＦは、画素電極ＰＥと対向し、その一部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタなどを含む。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。

なお、カラーフィルタＣＦは、第１基板ＳＵＢ１に配置されても良い。カラーフィルタＣＦは、４色以上のカラーフィルタを含んでいても良い。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されても良いし、無着色の樹脂材料が配置されても良いし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層ＯＣを配置しても良い。

検出電極Ｒｘは、第２基体２０の主面２０Ｂに位置している。検出電極Ｒｘは、金属を含む導電層、又はＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されていても良いし、金属を含む導電層の上に透明導電層が積層されていても良いし、導電性の有機材料や、微細な導電性物質の分散体などによって形成されていても良い。

第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１は、第１基体１０と照明装置ＢＬとの間に位置している。第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２は、検出電極Ｒｘの上に位置している。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、必要に応じて位相差板を含んでいても良い。

図４は、第１基板ＳＵＢ１におけるスイッチング素子ＳＷと画素電極ＰＥとの接続関係を説明するための断面図である。ここではスイッチング素子ＳＷとしてダブルゲート型の薄膜トランジスタを示しているが、スイッチング素子ＳＷは、シングルゲート型の薄膜トランジスタであってもよい。

スイッチング素子ＳＷを構成する半導体層ＳＣは、アンダーコート層としての無機絶縁層１１１の上に形成され、無機絶縁層１１２により覆われている。ゲート電極ＷＧ１，ＷＧ２は、無機絶縁層１１２の上に形成され、無機絶縁層１１３により覆われている。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、無機絶縁層１１３の上に形成されている。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、無機絶縁層１１１及び無機絶縁層１１２に設けられたコンタクトホールＣＨ１及びコンタクトホールＣＨ２をそれぞれ通って、半導体層ＳＣに接続されている。無機絶縁層１１１、無機絶縁層１１２、無機絶縁層１１３は、図３に示す第１絶縁層１１に相当する。

第２絶縁層１２は、ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤを覆うとともに、無機絶縁層１１３の上にも形成されている。図示した例では、第２絶縁層１２のうちコンタクトホールＣＨ２と重なる領域に、ドレイン電極ＷＤまで貫通したコンタクトホールＣＨ３が形成されている。共通電極ＣＥは、第２絶縁層１２の上に形成されているが、コンタクトホールＣＨ３内には形成されていない。第３絶縁層１３は、共通電極ＣＥを覆うとともに、第２絶縁層１２の上にも形成されている。図示した例では、第３絶縁層１３は、コンタクトホールＣＨ３の側面も覆っているが、ドレイン電極ＷＤの少なくとも一部を露出している。画素電極ＰＥは、第３絶縁層１３の上に形成され、コンタクトホールＣＨ３を通って、ドレイン電極ＷＤと接している。

次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰに搭載されるセンサＳＳの一構成例について説明する。以下に説明するセンサＳＳは、例えば相互容量方式の静電容量型であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触あるいは接近を検出するものである。

図５は、センサＳＳの一構成例を示す平面図である。

図示した構成例では、センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘ、及び、検出電極Ｒｘを備えている。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１に設けられている。また、検出電極Ｒｘは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、Ｘ−Ｙ平面において、互いに交差している。検出電極Ｒｘは、第３方向Ｚにおいて、センサ駆動電極Ｔｘと対向している。

センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに位置し、それらの一部が非表示領域ＮＤＡに延在している。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに沿って延伸した帯状の形状を有し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、それぞれ第１方向Ｘに沿って延伸し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、図１を参照して説明したように、第１基板ＳＵＢ１に設けられたパッドに接続され、配線を介して検出回路ＲＣと電気的に接続されている。センサ駆動電極Ｔｘの各々は、配線ＷＲを介して共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。なお、センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。

センサ駆動電極Ｔｘは、上記の共通電極ＣＥを含み、画素電極ＰＥとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極Ｒｘとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。

共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに画像を表示する表示駆動時に、共通電極ＣＥを含むセンサ駆動電極Ｔｘに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路ＣＤは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Ｔｘに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Ｒｘは、センサ駆動電極Ｔｘへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センシングに必要なセンサ信号（つまり、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の電極間容量の変化に基づいた信号）を出力する。検出電極Ｒｘから出力された検出信号は、図１に示す検出回路ＲＣに入力される。

なお、上記した各構成例におけるセンサＳＳは、一対の電極間の静電容量（上記の例ではセンサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の静電容量）の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式に限らず、検出電極Ｒｘの静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式であっても良い。

図６は、図１に示す検出電極Ｒｘ１の端子部ＲＴ１近傍の構成例を示す平面図である。

検出電極Ｒｘ１は、端子部ＲＴ１と、検出部ＲＳと、接続配線ＣＷとを備えている。図示した例では、端子部ＲＴ１は、円環状に形成されている。端子部ＲＴ１は、接続配線ＣＷを介して検出部ＲＳと接続されている。検出部ＲＳは、メッシュ状の金属細線ＭＳによって形成されている。図示した例では、接続用孔Ｖ１は、端子部ＲＴ１の内側に位置している。なお、接続用孔Ｖ１は、少なくとも一部が端子部ＲＴ１と重なっていればよい。また、金属細線ＭＳの形状は、図示した例に限らず、例えば、波状でもよく、鋸歯状や、正弦波状などの他の形状であってもよい。

図７は、図１に示すパッドＰ１を拡大して示している。

一例では、パッドＰ１は、八角形である。なお、八角形以外の多角形でもよく、円形又は楕円形でもよく、直線と曲線とからなる形状でもよい。図示した例では、パッドＰ１と配線Ｗ１とは、単一部材で形成されているが、複数の部材で形成されていてもよい。

パッドＰ１は、孔ＶＢを有している。図示した例では、パッドＰ１は、孔ＶＢを挟む２本のスリットＳＴを有している。これにより、例えばシールＳＥとパッドＰ１とが重畳する場合であっても、紫外線の照射によりシールＳＥを硬化する際に、スリットＳＴを通って紫外線がシールＳＥに到達するため、確実にシールを硬化することが可能となる。図７（Ａ）に示す例では、スリットＳＴは、孔ＶＢから離間している。図７（Ｂ）に示す例では、スリットＳＴは、孔ＶＢと繋がっている。なお、スリットＳＴは、１本でもよく、３本以上設けられていてもよく、省略されてもよい。また、スリットＳＴの形状は、図示した例に限らず、他の形状であっても良い。

図８は、図１に示すＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの断面図である。ここでは、説明に必要な主要部のみを図示している。

第１基板ＳＵＢ１は、第１基体１０の主面１０Ａ側に、パッドＰ１（第１導電層Ｌ１）、第１絶縁層１１、第２絶縁層１２、第３絶縁層１３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。

第１絶縁層１１は、無機絶縁層１１１、無機絶縁層１１２、無機絶縁層１１３がこの順で第３方向Ｚに積層された層構造を有している。図示した例では、第１絶縁層１１は、主面１０Ａの全面と接している。上述したように、無機絶縁層１１１は、表示領域ＤＡにおいて、スイッチング素子ＳＷの半導体層ＳＣの下に位置している。無機絶縁層１１２は、表示領域ＤＡにおいて、スイッチング素子ＳＷの半導体層ＳＣの上に位置し、半導体層ＳＣと接している。無機絶縁層１１３は、表示領域ＤＡにおいて、スイッチング素子ＳＷのゲート電極ＷＧ、及びゲート電極ＷＧが接続される走査線Ｇの上に位置し、これらと接している。

パッドＰ１は、第１絶縁層１１の上に形成され、第２絶縁層１２により覆われている。図示した例では、第１絶縁層１１の無機絶縁層１１３は、第２絶縁層１２に接している。パッドＰ１は、一例では、図３に示す信号線Ｓと同一材料によって形成されている。より具体的には、パッドＰ１は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）がこの順で積層された積層構造を有している。

なお、パッドＰ１は、図１に示す走査線Ｇと同一材料によって形成することもできる。しかしながら、上述したように走査線Ｇがタングステンを含む材料によって形成されている場合は、パッドＰ１は、走査線Ｇとは異なる材料によって形成されることが望ましい。タングステンは、アルミニウムより高い融点を有するため、例えばレーザー光を照射して孔ＶＢを形成する際に、孔ＶＢの形状が接続材ＣとパッドＰ１とを導通させるのに適さない形状となる場合がある。したがって、走査線Ｇがタングステンを含む材料により形成され、信号線Ｓがタングステンを含まず例えばアルミニウム等の比較的融点が低い金属材料により形成されている場合は、パッドＰ１は、信号線Ｓと同一材料により形成されることが望ましい。

第２絶縁層１２は、パッドＰ１を覆うとともに、無機絶縁層１１３の上にも設けられている。上述したように、第２絶縁層１２は、表示領域ＤＡにおいて、スイッチング素子ＳＷのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤと、ソース電極ＷＳが接続される信号線Ｓとの上に位置し、これらと接している。図示した例では、第２絶縁層１２は、表示領域ＤＡから第１基体１０の端部Ｅ１０に亘って設けられている。第２絶縁層１２は、一例では、表示領域ＤＡとパッドＰ１との間に無機絶縁層１１３の一部を露出する溝ＴＲＣを有している。溝ＴＲＣは、第２絶縁層１２を、表示領域ＤＡ側に位置する第２絶縁層１２ａと、非表示領域ＮＤＡ側に位置する第２絶縁層１２ｂとに分離している。このような溝ＴＲＣが設けられていることにより、非表示領域ＮＤＡ側から表示領域ＤＡ側への水分の侵入が抑制される。

第３絶縁層１３は、第２絶縁層１２の上に位置している。図示した例では、第３絶縁層１３は、第２絶縁層１２ａの上に設けられているが、第２絶縁層１２ｂの上には設けられていない。上述したように、第３絶縁層１３は、表示領域ＤＡにおいて、共通電極ＣＥの上に位置し、共通電極ＣＥと接している。第２絶縁層１２及び第３絶縁層１３は、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。図示した例では、第１配向膜ＡＬ１は、溝ＴＲＣにおいて、無機絶縁層１１３と接している。

第２基板ＳＵＢ２は、第２基体２０の主面２０Ａ側に、有機材料からなる遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。また、第２基板ＳＵＢ２は、第２基体２０の主面２０Ｂに、検出電極Ｒｘ１（第２導電層Ｌ２）を備えている。検出電極Ｒｘ１は、保護部材ＰＦにより覆われている。保護部材ＰＦは、例えばアクリル系樹脂などの有機絶縁材料によって形成されている。

シールＳＥは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に位置し、これらを接着している。すなわち、シールＳＥは、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２とに接している。図示した例では、シールＳＥは、第１方向Ｘにおいて液晶層ＬＣよりも端部Ｅ１０側の領域全体に亘って設けられている。シールＳＥは、有機材料によって形成されている。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間で、シールＳＥの内側、すなわち表示領域ＤＡ側に位置している。

接続用孔Ｖ１は、パッドＰ１と検出電極Ｒｘ１とが重なる領域に形成されている。接続用孔Ｖ１は、第２基体２０を貫通する孔ＶＡ、パッドＰ１を貫通する孔ＶＢ、シールＳＥを貫通する孔ＶＣ１、第２絶縁層１２を貫通する孔ＶＣ２、第１絶縁層１１を貫通する孔ＶＤ、及び、第１基体１０に形成された凹部ＣＣを含んでいる。図示した例では、接続用孔Ｖ１は、検出電極Ｒｘの端子部ＲＴも貫通している。凹部ＣＣ、孔ＶＤ、孔ＶＢ、孔ＶＣ２、孔ＶＣ１、及び孔ＶＡは、この順に第３方向Ｚに並び、且つ、第３方向Ｚに沿った同一直線上に位置している。換言すると、パッドＰ１は、孔ＶＡ、ＶＣ１、及びＶＣ２と対向している。

孔ＶＡは、一例では、テーパー形状の断面を有している。すなわち、主面２０Ｂにおける孔ＶＡの幅は、主面２０Ａにおける孔ＶＡの幅より大きい。ここで、図８の説明における幅とは、第１方向Ｘに沿った長さである。

孔ＶＣ１は、図示した例では、シールＳＥを貫通するとともに、遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２、及び第１配向膜ＡＬ１も貫通している。図示した例では、主面２０Ａにおいて、孔ＶＣ１の幅は、孔ＶＡの幅より大きい。

孔ＶＣ２は、パッドＰ１の上面Ｐ１Ａの一部を露出している。図示した例では、孔ＶＣ２は、第１方向Ｘにおいて、２つのスリットＳＴの間に位置している。上面Ｐ１Ａにおける孔ＶＣ２の幅ＷＣは、孔ＶＢの幅ＷＢの幅より大きい。

孔ＶＤは、無機絶縁層１１１を貫通する孔ＶＤ１と、無機絶縁層１１２を貫通する孔ＶＤ２と、無機絶縁層１１３を貫通する孔ＶＤ３とを含んでいる。図示した例では、孔ＶＤは、孔ＶＢとほぼ同じ幅を有している。

接続材Ｃは、接続用孔Ｖ１に設けられ、検出電極Ｒｘ１とパッドＰ１とを電気的に接続している。接続材Ｃは、例えば銀などの金属材料を含む導電性材料により形成されている。接続材Ｃは、粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの金属材料の微粒子を含むものであることが望ましい。図示した例では、接続材Ｃは中空部分を有し、中空部分に絶縁性の充填材ＦＩが充填されている。充填材ＦＩは、第２基板ＳＵＢ２において、端子部ＲＴ１の一部を覆っている。なお、中空部分には、導電性の充填材が充填されてもよい。あるいは、接続材Ｃが接続用孔Ｖ１を充填していてもよい。

接続材Ｃは、少なくとも検出電極Ｒｘ１とパッドＰ１とに接している。具体的には、接続材Ｃは、第２基体２０の主面２０Ｂにおいて、端子部ＲＴ１と接している。図示した例では、接続材Ｃは、端子部ＲＴ１と第３方向Ｚに重なっている。孔ＶＡにおいて、接続材Ｃは、第２基体２０に接している。孔ＶＣ１において、接続材Ｃは、シールＳＥに接するとともに、第２基体２０、遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２、及び第１配向膜ＡＬ１とも接している。孔ＶＣ２において、接続材Ｃは、第２絶縁層１２とパッドＰ１の上面Ｐ１Ａとに接している。孔ＶＢにおいて、接続材Ｃは、パッドＰ１の側面に接している。孔ＶＤにおいて、接続材Ｃは、無機絶縁層１１１、１１２、及び１１３にそれぞれ接している。凹部ＣＣにおいて、接続材Ｃは、第１基体１０に接している。

なお、接続材Ｃは、接続用孔Ｖ１においてパッドＰ１の一部と接していれば良い。また、パッドＰ１は、孔ＶＢを有していなくても良い。この場合、接続材Ｃは、パッドＰ１の上面Ｐ１Ａと接する。

上述したセンサＳＳを備える表示装置ＤＳＰによれば、第２基板ＳＵＢ２に設けられた検出電極Ｒｘは、接続用孔Ｖに設けられた接続材Ｃにより、第１基板ＳＵＢ１に設けられたパッドＰと接続されている。このため、検出電極Ｒｘと検出回路ＲＣとを接続するための配線基板を第２基板ＳＵＢ２に実装する必要がなくなる。つまり、第１基板ＳＵＢ１に実装された配線基板ＳＵＢ３は、表示パネルＰＮＬに画像を表示するのに必要な信号を伝送するための伝送路を形成するとともに、検出電極Ｒｘと検出回路ＲＣとの間で信号を伝送するための伝送路を形成する。したがって、配線基板ＳＵＢ３の他に別個の配線基板を必要とする構成例と比較して、配線基板の個数を削減することができる。また、第２基板ＳＵＢ２に配線基板を接続するためのスペースが不要となるため、表示パネルＰＮＬの非表示領域、特に、配線基板ＳＵＢ３が実装される端辺の幅を縮小することができる。これにより、狭額縁化が可能となる。

以下では、図９乃至図２８を参照して、本実施形態の変形例について説明する。

（第１変形例）
図９は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの第１変形例を示している。第１変形例は、第２絶縁層１２が溝ＴＲＣを有していない点で、図８に示す例と相違している。すなわち、第２絶縁層１２は、表示領域ＤＡから端部Ｅ１０に亘って連続的に設けられている。第１変形例においても、図８に示す例と同様の効果を得ることができる。

（第２変形例）
図１０は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの第２変形例を示している。第２変形例は、パッドＰ１が主面１０Ａに設けられている点で、図８に示す例と相違している。

第１絶縁層１１は、無機絶縁層１１３、１１２、及び１１１を主面１０Ａまで貫通した凹部ＧＲを有している。パッドＰ１は、凹部ＧＲにおいて主面１０Ａに接している。図示した例では、パッドＰ１は、凹部ＧＲにおいて無機絶縁層１１１、１１２、及び１１３に接するとともに、無機絶縁層１１３の上にも形成されている。第２絶縁層１２は、凹部ＧＲに設けられ、パッドＰ１と接している。接続用孔Ｖ１は、孔ＶＤを含んでいないが、孔ＶＡ、ＶＣ１、ＶＣ２、ＶＢ、及び凹部ＣＣを含んでいる。本変形例においても、図８に示す例と同様の効果を得ることができる。

（第３変形例）
図１１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの第３形例を示している。第３変形例は、パッドＰ１が無機絶縁層１１１の上に設けられている点で、図８に示す例と相違している。

第１絶縁層１１は、無機絶縁層１１３及び１１２を無機絶縁層１１１まで貫通した凹部ＧＲを有している。パッドＰ１は、凹部ＧＲにおいて、無機絶縁層１１１に接している。図示した例では、第１絶縁層１１は、凹部ＧＲにおいて無機絶縁層１１２及び１１３に接するとともに、無機絶縁層１１３の上にも形成されている。接続用孔Ｖ１は、孔ＶＡ、ＶＣ１、ＶＣ２、ＶＢ、ＶＤ１、及び凹部ＣＣを含んでいる。本変形例においても、図８に示す例と同様の効果を得ることができる。なお、図示した例では、第１基体１０とパッドＰ１との間に、第１絶縁層１１のうちの無機絶縁層１１１のみが設けられているが、無機絶縁層１１１に代えて、無機絶縁層１１２のみが設けられてもよいし、無機絶縁層１１３のみが設けられてもよい。

（第４変形例）
図１２は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの第４変形例を示している。第４変形例は、パッドＰ１が無機絶縁層１１２の上に設けられている点で、図８に示す例と相違している。

第１絶縁層１１は、無機絶縁層１１３を無機絶縁層１１２まで貫通した凹部ＧＲを有している。パッドＰ１は、凹部ＧＲにおいて、無機絶縁層１１２に接している。図示した例では、パッドＰ１は、凹部ＧＲにおいて無機絶縁層１１３に接するとともに、無機絶縁層１１３の上にも形成されている。接続用孔Ｖ１は、孔ＶＡ、ＶＣ１、ＶＣ２、ＶＢ、ＶＤ２、ＶＤ１、及び凹部ＣＣを含んでいる。本変形例においても、図８に示す例と同様の効果を得ることができる。なお、図示した例では、第１基体１０とパッドＰ１との間に、第１絶縁層１１のうちの無機絶縁層１１１及び１１２の２層が設けられているが、これらの組み合わせに限らず、第１絶縁層１１に含まれる無機絶縁層１１１乃至１１３のうちのいずれか２層が設けられてもよい。

（第５変形例）
図１３は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの第５変形例を示している。第５変形例は、パッドＰ１が半導体層ＳＣ２の上に設けられている点で、図８に示す構成例と相違している。

半導体層ＳＣ２は、パッドＰ１の直下で、無機絶縁層１１１と無機絶縁層１１２との間に位置している。一例では、半導体層ＳＣ２は、平面視でパッドＰ１と同様の形状を有している。第１絶縁層１１は、無機絶縁層１１３及び１１２を半導体層ＳＣ２まで貫通する凹部ＧＲを有している。パッドＰ１は、凹部ＧＲにおいて、半導体層ＳＣ２と接している。図示した例では、パッドＰ１は、凹部ＧＲにおいて無機絶縁層１１２及び１１３と接するとともに、無機絶縁層１１３の上にも形成されている。なお、半導体層ＳＣ２は、表示領域ＤＡに配置されたスイッチング素子ＳＷの半導体層ＳＣと同一の工程及び同一の材料で形成することができる。スリットＳＴは、パッドＰ１及び半導体層ＳＣ２を貫通している。

接続用孔Ｖ１は、孔ＶＡ、ＶＣ１、ＶＣ２、ＶＢ、ＶＤ１、及び凹部ＣＣに加え、半導体層ＳＣ２を貫通する孔ＶＤ４を含んでいる。孔ＶＤ４は、孔ＶＢと孔ＶＤ１とに繋がっている。図示した例では、接続材Ｃは、孔ＶＤ４において、半導体層ＳＣ２と接している。

本変形例においても、図８に示す例と同様の効果を得ることができる。さらに、パッドＰ１が半導体層ＳＣ２に接触し、両者が電気的に接続されているため、接続用孔Ｖ１において半導体層ＳＣ２と接続材Ｃとが接触することで、実質的にパッドＰ１と接続材Ｃとの接触面積を拡大することができる。

（第６変形例）
図１４は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの第６変形例を示している。第６変形例は、第２絶縁層１２の上に透明導電層ＴＣ１が設けられている点で、図８に示す例と相違している。

透明導電層ＴＣ１は、第２絶縁層１２を間に挟み、パッドＰ１の直上に位置している。図示した例では、透明導電層ＴＣ１は、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。透明導電層ＴＣ１は、例えばＩＴＯやＩＺＯによって形成されている。このような透明導電層ＴＣ１は、例えば表示領域ＤＡにおける共通電極ＣＥ又は画素電極ＰＥと同時に形成することができる。第２絶縁層１２は、パッドＰ１の一部を露出する溝１２ｃを有している。透明導電層ＴＣ１は、溝１２ｃにおいてパッドＰ１と接している。これにより、透明導電層ＴＣ１とパッドＰ１とは、電気的に接続される。

接続用孔Ｖ１は、孔ＶＡ、ＶＣ１、ＶＣ２、ＶＢ、ＶＤ、及び凹部ＣＣに加え、透明導電層ＴＣ１を貫通する孔ＶＥ１を含んでいる。孔ＶＥ１は、孔ＶＣ１と孔ＶＣ２とに繋がっている。図示した例では、孔ＶＥ１は、孔ＶＣ１及びＶＣ２よりも小さい幅を有している。ここで、幅とは第１方向Ｘに沿った長さである。接続材Ｃは、孔ＶＣ１において、遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２、シールＳＥ、及び第１配向膜ＡＬ１に接するとともに、透明導電層ＴＣ１にも接している。また、接続材Ｃは、孔ＶＣ２において、第２絶縁層１２及びパッドＰ１と接するとともに、透明導電層ＴＣ１にも接している。図示した例では、接続材Ｃは、孔ＶＥ１においても、透明導電層ＴＣ１と接している。

図１５は、図１４に示す溝１２ｃと、パッドＰ１及び透明導電層ＴＣ１との位置関係を示す平面図である。一例では、透明導電層ＴＣ１は、パッドＰ１とほぼ同じ大きさで、且つ同一の形状である。図示した例では、溝１２ｃは、図中に斜線で示したように、パッドＰ１の外縁に沿った略八角形の環状であり、孔ＶＢ、及びスリットＳＴを囲んでいる。溝１２ｃは、そのすべてがパッドＰ１及び透明導電層ＴＣ１と重なっている。なお、溝１２ｃは、円環状に設けられていても良い。また、後述するように、溝１２ｃは、環状でなくても良い。

本変形例においても、図８に示す例と同様の効果を得ることができる。さらに、透明導電層ＴＣ１が溝１２ｃにおいてパッドＰ１と接触し、両者が電気的に接続されているため、接続用孔Ｖ１において透明導電層ＴＣ１と接続材Ｃとが接触することで、実質的にパッドＰ１と接続材Ｃとの接触面積を拡大することができる。

（第７変形例）
図１６は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの第７変形例を示している。第７変形例は、透明導電層ＴＣ１の直上に透明導電層ＴＣ２が設けられている点で、第６変形例と相違している。

透明導電層ＴＣ２は、一例では、図１５に示す透明導電層ＴＣ１と同様の形状であり、透明導電層ＴＣ２の下面全体は、透明導電層ＴＣ１と接している。図示した例では、透明導電層ＴＣ２は、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。透明導電層ＴＣ２は、例えばＩＴＯやＩＺＯによって形成されている。透明導電層ＴＣ１は、例えば共通電極ＣＥと同時に形成することができ、透明導電層ＴＣ２は、例えば画素電極ＰＥと同時に形成することができる。なお、図示した例では、透明導電層ＴＣ２は、パッドＰ１と接していないが、パッドＰ１と接していても良い。すなわち、透明導電層ＴＣ１及びＴＣ２のうち、少なくとも一方がパッドＰ１と接し、電気的に接続されていれば良い。透明導電層ＴＣ１及び透明導電層ＴＣ２は、図示したような境界面が存在しない場合、画素電極ＰＥまたは共通電極ＣＥと比較して厚い膜厚を有する単一の透明導電層とみなすことができる。

接続用孔Ｖ１は、透明導電層ＴＣ２を貫通する孔ＶＥ２を含んでいる。孔ＶＥ２は、孔ＶＥ１と孔ＶＣ２とに繋がっている。図示した例では、孔ＶＥ２は、孔ＶＥ１とほぼ等しい幅を有している。接続材Ｃは、孔ＶＣ１において透明導電層ＴＣ２と接し、孔ＶＣ２において透明導電層ＴＣ１と接している。図示した例では、接続材Ｃは、孔ＶＥ２において透明導電層ＴＣ２と接し、孔ＶＥ１において透明導電層ＴＣ１と接している。本変形例においても、第７変形例と同様の効果を得ることができる。

（第８変形例）
図１７は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの第８変形例を示している。第８変形例は、透明導電層ＴＣ１と透明導電層ＴＣ２との間に無機絶縁層１３ａが設けられている点で、第７変形例と相違している。

無機絶縁層１３ａは、一例では、窒化シリコンにより形成されている。無機絶縁層１３ａは、一例では、図１５に示す透明導電層ＴＣ１と同様の形状である。このような無機絶縁層１３ａは、第３絶縁層１３と同時に形成することができる。なお、無機絶縁層１３ａは、少なくとも接続用孔Ｖ１の周囲に設けられていればよく、その形状は図示した例に限定されない。例えば、無機絶縁層１３ａは、透明導電層ＴＣ１及びＴＣ２より小さい面積を有していても良い。あるいは、無機絶縁層１３ａは、透明導電層ＴＣ１及びＴＣ２より大きい面積を有し、第２絶縁層１２ａの上に延出していても良い。

図示した例では、無機絶縁層１３ａは、透明導電層ＴＣ１の一部を露出する溝１３ｂを有している。透明導電層ＴＣ１と透明導電層ＴＣ２とは、溝１３ｂにおいて、互いに接している。これにより、透明導電層ＴＣ１と透明導電層ＴＣ２とは、電気的に接続される。

接続用孔Ｖ１は、無機絶縁層１３ａを貫通する孔ＶＦを含んでいる。孔ＶＦは、孔ＶＥ１と孔ＶＥ２とに繋がっている。図示した例では、孔ＶＦは、孔ＶＥ１及びＶＥ２とほぼ等しい幅を有している。接続材Ｃは、孔ＶＣ１及びＶＥ２において透明導電層ＴＣ２に接し、孔ＶＥ１及びＶＣ２において透明導電層ＴＣ１に接している。図示した例では、接続材Ｃは、孔ＶＦにおいて無機絶縁層１３ａと接している。

図１８は、図１７に示す溝１３ｂと、透明導電層ＴＣ１及びＴＣ２との位置関係を示す平面図である。

溝１３ｂは、一例では、図中に斜線で示したように、透明導電層ＴＣ１の外縁に沿った略八角形の環状であり、そのすべてが第１透明導電層ＴＣ１と第２透明導電層ＴＣ２とに重なっている。図示した例では、溝１３ｂは、溝１２ｃを囲んでいるが、溝１２ｃと重なっていても良く、溝１２ｃの内側に位置していても良い。なお、溝１３ｂは、円環状に設けられていても良い。あるいは、溝１３ｂは、環状でなくても良い。

本変形例においても、第７変形例と同様の効果を得ることができる。さらに、窒化シリコンからなる無機絶縁層１３ａは、例えばシールＳＥ等の有機材料よりもレーザー光を吸収する。したがって、本変形例によれば、例えば第２基体２０から第１基体１０へ向かう方向にレーザー光を照射して接続用孔Ｖ１を形成する場合に、レーザー光が無機絶縁層１３ａに吸収されるため、パッドＰ１に照射されるレーザー光の強度が減少する。したがって、レーザー光の照射によるパッドＰ１の溶融が抑制される。このため、パッドＰ１の溶融によって生じる塊状の溶融物の生成を抑制することができる。このような溶融物が生成されると、接続材ＣのパッドＰ１への接触が阻害される場合がある。したがって、溶融物の生成を抑制することで、接続材ＣとパッドＰ１との接触性を向上することができる。

（第９変形例）
図１９は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの第９変形例を示している。第９変形例は、透明導電層ＴＣ１とパッドＰ１との間に第２絶縁層１２が介在していない点で、第８変形例と相違している。

第２絶縁層１２は、パッドＰ１を露出する溝１２ｄを有している。図示した例では、パッドＰ１の外縁（図示した例では、第１方向Ｘの両端）は、第２絶縁層１２に覆われている。透明導電層ＴＣ１、無機絶縁層１３ａ、及び透明導電層ＴＣ２は、溝１２ｄ内に形成されている。透明導電層ＴＣ１は、上面Ｐ１Ａのほぼ全面と接している。図示した例では、透明導電層ＴＣ１は、スリットＳＴ内にも設けられ、無機絶縁層１１３と接している。なお、透明導電層ＴＣ１、無機絶縁層１３ａ、及び透明導電層ＴＣ２の一部は、第２絶縁層１２の上に位置していてもよい。

接続用孔Ｖ１は、孔ＶＣ２を含んでいない。すなわち、孔ＶＥ１は、孔ＶＦと孔ＶＢとに繋がっている。図示した例では、孔ＶＣ１の幅は、孔ＶＥ２、ＶＦ、ＶＥ１、ＶＢ、ＶＤ、及び凹部ＣＣの幅より大きい。ここで、幅とは第１方向Ｘに沿った長さに相当する。図示した例では、接続材Ｃは、孔ＶＣ１及びＶＥ２において透明導電層ＴＣ２に接し、孔ＶＦにおいて無機絶縁層１３ａに接し、孔ＶＥ１において透明導電層ＴＣ１に接し、孔ＶＢにおいてパッドＰ１に接している。

図２０は、図１９に示す溝１２ｄと、パッドＰ１、透明導電層ＴＣ１及びＴＣ２との位置関係を示す平面図である。

透明導電層ＴＣ１及びＴＣ２は、パッドＰ１と同形状であり、図示した例では、そのすべてがパッドＰ１と重なっている。溝１２ｄは、図中に斜線で示したように、パッドＰ１とほぼ重なる領域に形成されている。一例では、溝１２ｄは、透明導電層ＴＣ１及びＴＣ２よりも若干大きい略八角形状である。透明導電層ＴＣ１及びＴＣ２は、溝１２ｄ内に位置している。

本変形例においても、第８変形例と同様の効果を得ることができる。なお、本変形例は、後述するように、透明導電層ＴＣ１及びＴＣ２をパッドとみなすことができる。すなわち、本変形例は、透明導電層ＴＣ１及びＴＣ２からなるパッドと、透明導電層ＴＣ１と透明導電層ＴＣ２との間に位置する無機絶縁層１３ａと、パッドと第１基体１０との間に位置する金属層を備え、パッドと金属層とが接している、とみなすことができる。

（第１０変形例）
図２１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの第１０変形例を示している。第１０変形例は、パッドＰ１が第２絶縁層１２の上に位置している点で、図８に示す例と相違している。すなわち、第２絶縁層１２と第１基体１０との間には、導電層は介在していない。

一例では、パッドＰ１は、透明導電層ＴＣ１と透明導電層ＴＣ２とによって形成されている。透明導電層ＴＣ１の下面全体は、第２絶縁層１２と接している。透明導電層ＴＣ２の下面全体は、透明導電層ＴＣ１と接している。パッドＰ１は、図７に示す例と同様の形状を有しているが、スリットＳＴを有していない。透明導電層ＴＣ１は、例えば共通電極ＣＥと同時に形成し、透明導電層ＴＣ２は、例えば画素電極ＰＥと同時に形成することができる。なお、パッドＰ１は、透明導電層ＴＣ１及びＴＣ２のいずれか一方によって形成されても良い。

本変形例においても、図８に示す例と同様の効果を得ることができる。さらに、本変形例によれば、パッドＰ１は、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。パッドＰ１がこのような導電材料から形成されている場合、例えばレーザー光を照射して接続用孔Ｖ１を形成する際に、パッドＰ１の溶融によって生じる塊状の溶融物の生成を抑制することができる。このような溶融物が生成されると、接続材ＣのパッドＰ１への接触が阻害される場合がある。したがって、溶融物の生成を抑制することで、接続材ＣとパッドＰ１との接触性を向上することができる。また、紫外線の照射によりシールＳＥを硬化させる際に、パッドＰ１が紫外線を透過するため、パッドＰ１と重なるシールＳＥを確実に硬化させることができる。

（第１１変形例）
図２２は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの第１１変形例を示している。第１１変形例は、パッドＰ１と第１絶縁層１１との間に第２絶縁層１２が介在していない点で、第１０変形例と相違している。

第２絶縁層１２は、第１絶縁層１１を露出する溝１２ｄを有している。溝１２ｄは、図２０に示す例と同様の形状である。パッドＰ１は、溝１２ｄ内に形成されている。図示した例では、パッドＰ１は、無機絶縁層１１１の上に形成されている。すなわち、第１絶縁層１１は、無機絶縁層１１３及び１１２を無機絶縁層１１１まで貫通する凹部ＧＲを有している。凹部ＧＲにおいて、パッドＰ１は、無機絶縁層１１１と接している。図示した例では、パッドＰ１は、凹部ＧＲにおいて無機絶縁層１１２及び１１３と接するとともに、無機絶縁層１１３の上にも形成されている。パッドＰ１の端部は、第２絶縁層１２と接している。なお、パッドＰ１は、一部が第２絶縁層１２の上に位置していてもよい。

接続用孔Ｖ１は、孔ＶＣ２を含んでいない。すなわち、孔ＶＥ１は、孔ＶＥ２と孔ＶＤ１とに繋がっている。図示した例では、接続材Ｃは、孔ＶＣ１及びＶＥ２において透明導電層ＴＣ２に接し、孔ＶＥ１において透明導電層ＴＣ１に接している。本変形例においても、第１０変形例と同様の効果を得ることができる。

（第１２変形例）
図２３は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの第１２変形例を示している。第１２変形例は、透明導電層ＴＣ１と透明導電層ＴＣ２との間に無機絶縁層１３ａが設けられている点で、第１１変形例と相違している。

無機絶縁層１３ａは、一例では、窒化シリコンにより形成されている。無機絶縁層１３ａは、一例では、図１５に示す透明導電層ＴＣ１と同様の形状である。なお、無機絶縁層１３ａは、少なくとも接続用孔Ｖ１の周囲に設けられていればよく、その形状は図示した例に限定されない。無機絶縁層１３ａは、例えば第３絶縁層１３と同時に形成することができる。

無機絶縁層１３ａは、透明導電層ＴＣ１の一部を露出する溝１３ｂを有している。透明導電層ＴＣ１と透明導電層ＴＣ２とは、溝１３ｂにおいて、互いに接している。これにより、透明導電層ＴＣ１と透明導電層ＴＣ２とは、電気的に接続される。溝１３ｂは、一例では、図１８に示す例と同様の形状である。

接続用孔Ｖ１は、孔ＶＣ２を含んでいないが、孔ＶＦを含んでいる。孔ＶＦは、孔ＶＥ１と孔ＶＥ２とに繋がっている。図示した例では、接続材Ｃは、孔ＶＣ１及びＶＥ２において透明導電層ＴＣ２に接し、孔ＶＦにおいて無機絶縁層１３ａに接し、孔ＶＥ１において透明導電層ＴＣ１に接している。

本変形例においても、第１０変形例と同様の効果を得ることができる。さらに、透明導電層ＴＣ１の上に窒化シリコンからなる無機絶縁層１３ａが設けられているため、第８変形例と同様の効果を得ることができる。

（第１３変形例）
図２４は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの第１３変形例を示す平面図である。第１３変形例は、パッドＰ１に設けられるスリットが孔ＶＢと交差している点で、図７に示す例と相違している。なお、ここでは、配線を省略している。

図示した例では、パッドＰ１は、交差する２つのスリットＳＴ１及びＳＴ２を有している。一例では、スリットＳＴ１は、第１方向Ｘに沿って延伸し、第１方向Ｘに沿った長さＬＳＴ１を有している。スリットＳＴ２は、第２方向Ｙに沿って延伸し、第２方向Ｙに沿った長さＬＳＴ２を有している。図示した例では、長さＬＳＴ１と長さＬＳＴ２とは、等しいが、異なっていても良い。

孔ＶＢは、スリットＳＴ１とスリットＳＴ２との交点近傍に設けられている。図示した例では、孔ＶＢは、長さＬＳＴ１及びＬＳＴ２より小さい直径を有し、そのすべてがスリットＳＴ１及びＳＴ２と重なっている。換言すると、パッドＰ１は、孔ＶＢに繋がり、且つ孔ＶＢより外側に延出した４つの切り欠き部ＮＴ１乃至ＮＴ４を有している。一例では、切り欠き部ＮＴ１と切り欠き部ＮＴ２とは、第１方向Ｘに沿った同一直線上に位置している。切り欠き部ＮＴ３と切り欠き部ＮＴ４とは、第２方向Ｙに沿った同一直線上に位置している。

なお、スリットＳＴ１とスリットＳＴ２とは、互いに交差していれば良く、その延伸方向は特に限定されない。例えばスリットＳＴ１は、第１方向Ｘと交差する方向に延伸していても良く、スリットＳＴ２は、第２方向Ｙと交差する方向に延伸していても良い。また、３本以上のスリットが交差していても良い。

本変形例によれば、スリットＳＴ１とスリットＳＴ２との交点近傍では、パッドＰ１を構成する導電材料の量は少なくなる。したがって、例えばスリットＳＴ１とスリットＳＴ２との交点近傍にレーザー光を照射して孔ＶＢを形成する場合、パッドＰ１の溶融物の生成が抑制される。したがって、パッドＰ１と接続材Ｃとの接触性を向上することができる。

（第１４変形例）
図２５は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの第１４変形例を示している。第１４変形例は、パッドＰ１と重なる領域にスペーサＰＳとカラーフィルタＣＦとが設けられている点で、図１に示す例と相違している。なお、ここでは、パッドＰ１は、図２４に示す例と同様の形状である。

一例では、スペーサＰＳ及びカラーフィルタＣＦは、第２方向Ｙに沿って延伸し、ほぼ一定の幅を有する帯状に設けられている。カラーフィルタの幅ＷＣＦは、スペーサＰＳの幅ＷＰＳより大きい。ここで、幅ＷＣＦ及びＷＰＳは、第１方向Ｘに沿った長さである。スペーサＰＳは、そのすべてがカラーフィルタＣＦと重なっている。図示した例では、スペーサＰＳは、第１方向Ｘにおいて、カラーフィルタＣＦの略中央に位置している。

図示した例では、カラーフィルタＣＦは、スリットＳＴ２及び孔ＶＢのすべてと重なるとともに、スリットＳＴ１と部分的に重なっている。一方、スペーサＰＳは、孔ＶＢ及びスリットＳＴ２とは重なっていないが、スリットＳＴ１の第１方向Ｘの一端と重なっている。

第２絶縁層１２は、図中に斜線で示したように、パッドＰ１のほぼ半分と重なる領域に溝１２ｅを有している。溝１２ｅは、一部がカラーフィルタＣＦと重なっているが、スペーサＰＳと重なっていない。換言すると、少なくともスペーサＰＳと重なる領域には、第２絶縁層１２が設けられている。図示した例では、溝１２ｅは、スリットＳＴ１及びＳＴ２と孔ＶＢともほとんど重なっていない。

図２６は、図２５に示すＣ−Ｄ線に沿った断面図である。カラーフィルタＣＦは、第２基板ＳＵＢ２において、遮光層ＢＭとオーバーコート層ＯＣとの間に位置している。スペーサＰＳは、オーバーコート層ＯＣと第１配向膜ＡＬ１との間に位置している。図示した例では、第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆うとともに、スペーサＰＳの側面も覆っている。なお、スペーサＰＳは、第２配向膜ＡＬ２によって覆われていなくても良い。

カラーフィルタＣＦが設けられた領域のシールＳＥの厚さＴ１は、カラーフィルタＣＦが設けられていない領域のシールＳＥの厚さＴ２より小さい。ここで、厚さＴ１及びＴ２は、第２絶縁層１２が設けられた領域において定義され、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との第２方向Ｙに沿った間隔に相当する。図示した例では、スペーサＰＳは、第１配向膜ＡＬ１と接しているが、接していなくても良い。このようなスペーサＰＳを配置することで、シールＳＥが液晶層ＬＣ側へ侵入することが抑制される。

図示した例では、孔ＶＣ１は、遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣ、第１配向膜ＡＬ１、第２配向膜ＡＬ２、及びシールＳＥに加え、カラーフィルタＣＦも貫通している。すなわち、接続材Ｃは、孔ＶＣ１において、カラーフィルタＣＦと接している。

パッドＰ１は、無機絶縁層１１３の上に位置している。パッドＰ１は、第２絶縁層１２によって覆われているが、一部が溝１２ｅによって露出されている。溝１２ｅにおいて、第１配向膜ＡＬ１は、パッドＰ１と接している。なお、上述したように、平面視で孔ＶＢとスリットＳＴ１とが繋がっているため、図示した断面において、孔ＶＢは表れない。図示した例では、接続材Ｃは、孔ＶＣ２において、無機絶縁層１１３と接している。本変形例においても、第１３変形例と同様の効果を得ることができる。

（第１５変形例）
図２７は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの第１５変形例を示している。第１５変形例は、パッドＰ１と重なる透明導電層ＴＣ１が設けられている点で、第１４変形例と相違している。

透明導電層ＴＣ１は、一例では、パッドＰ１とほぼ同じ大きさであり、同形状である。第２絶縁層１２は、図中に斜線で示したように、溝１２ｆを有している。溝１２ｆは、そのすべてがパッドＰ１及び透明導電層ＴＣ１と重なっている。溝１２ｆは、パッドＰ１のほぼ半分の領域において、パッドＰ１の外縁に沿って設けられている。図示した例は、溝１２ｆの両端部、すなわち、第１方向Ｘに沿って延伸した部分は、カラーフィルタＣＦと重なっている。

図２８は、図２７に示すＥ−Ｆ線に沿った断面を示している。透明導電層ＴＣ１は、第２絶縁層１２の上に位置し、溝１２ｆにおいて、パッドＰ１と接している。接続用孔Ｖ１は、孔ＶＡ、ＶＣ１、ＶＣ２、ＶＤ、及び凹部ＣＣに加え、透明導電層ＴＣ１を貫通する孔ＶＥ１を有している。接続材Ｃは、孔ＶＣ１及びＶＣ２において、透明導電層ＴＣ１と接している。図示した例では、接続材Ｃは、孔ＶＥ１においても透明導電層ＴＣ１と接している。

本変形例においても、第１３変形例と同様の効果を得ることができる。さらに、透明導電層ＴＣ１が溝１２ｆにおいてパッドＰ１と接触し、両者が電気的に接続されているため、接続用孔Ｖ１において透明導電層ＴＣ１と接続材Ｃとが接触することで、実質的にパッドＰ１と接続材Ｃとの接触面積を拡大することができる。

なお、上記の各実施例において、非表示領域ＮＤＡに配置されパッドＰ１と電気的に接続される配線Ｗ１は、パッドＰ１が第１基体１０、無機絶縁層１１１、無機絶縁層１１２、無機絶縁層１１３、半導体層ＳＣのいずれの上に形成される場合であっても、無機絶縁層１１３の上に形成されてもよい。あるいは、配線Ｗ１とパッドＰ１とは、同一の絶縁材料の上に形成されてもよい。すなわち、配線Ｗ１は、パッドＰ１が第１基体１０の上に形成される場合、第１基体１０の上に形成され、パッドＰ１が無機絶縁層１１１の上に形成される場、無機絶縁層１１１の上に形成され、パッドＰ１が無機絶縁層１１２の上に形成される場合、無機絶縁層１１２の上に形成されてもよい。また、配線Ｗ１は、信号線Ｓと同一材料によって形成されてもよく、走査線Ｇと同一材料によって形成されてもよく、例えば図３に示す金属層Ｍと同一材料によって形成されてもよい。

本実施形態において、パッドＰ１は、第１導電層Ｌ１に相当し、検出電極Ｒｘ１は、第２導電層Ｌ２に相当する。第２絶縁層１２は、有機絶縁層に相当し、第１絶縁層１１は、第１無機絶縁層に相当し、無機絶縁層１３ａは、第２無機絶縁層に相当する。孔ＶＡは、第１孔に相当し、孔ＶＣ１は、第２孔に相当し、孔ＶＣ２は、第３孔に相当する。また、溝１３ｂは、第１溝に相当し、溝１２ｃ及び１２ｆは、第２溝に相当する。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＤＳＰ…表示装置 ＰＮＬ…表示パネル ＳＳ…センサ
ＳＵＢ１…第１基板 ＳＵＢ２…第２基板 ＳＵＢ３…配線基板
１０…第１基体 １０Ａ，１０Ｂ…主面
２０…第２基体 ２０Ａ，２０Ｂ…主面
Ｌ１…第１導電層 Ｌ２…第２導電層 Ｃ…接続材
ＶＡ，ＶＢ，ＶＣ１，ＶＣ２，ＶＤ，ＶＥ１，ＶＥ２，ＶＦ…孔 ＣＣ…凹部
Ｖ…接続用孔
Ｒｘ…検出電極 ＲＳ…検出部 ＲＴ…端子部
Ｐ…パッド Ｗ…配線
１１…第１絶縁層（第１無機絶縁層） １２…第２絶縁層（有機絶縁層）
ＴＣ１，ＴＣ２…透明導電層 １３ａ…無機絶縁層（第２無機絶縁層）
１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１３ｂ…溝
ＦＩ…充填材 ＳＥ…シール
ＤＡ…表示領域 ＮＤＡ…非表示領域
ＲＣ…検出回路

Claims (12)

1. 第１基体と、
   前記第１基体と対向し、第１孔を有する第２基体と、
   前記第１基体と前記第２基体との間に位置し、前記第１孔と対向する第１導電層と、
   前記第１導電層と前記第２基体との間に位置し、前記第１孔と繋がる第２孔を有するシールと、
   前記第１導電層と前記シールとの間に位置し、前記第２孔に繋がる第３孔を有する有機絶縁層と、
   前記第２基体の前記第１基体と対向する面と反対側に位置する第２導電層と、
   前記第１乃至前記第３孔を通って前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続材と、
   を備える表示装置。
2. 前記第１導電層は、前記第１基体の前記第２基体と対向する面と接している、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１導電層と前記第１基体との間に位置する第１無機絶縁層をさらに備え、
   前記第１導電層は、前記第１無機絶縁層と接している、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１導電層と前記第１基体との間に位置する半導体層をさらに備え、
   前記第１導電層は、前記半導体層と接している、請求項１に記載の表示装置。
5. 前記有機絶縁層と前記シールとの間に位置する透明導電層をさらに備え、
   前記透明導電層は、前記有機絶縁層に設けられた溝において前記第１導電層と接し、
   前記接続材は、前記透明導電層と接している、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記有機絶縁層と前記シールとの間に位置する第１透明導電層及び第２透明導電層と、
   前記第１透明導電層と前記第２透明導電層との間に位置する第２無機絶縁層と、
   をさらに備え、
   前記第１透明導電層は、前記第２無機絶縁層に設けられた第１溝において前記第２透明導電層と接し、
   前記第１及び第２透明導電層の少なくとも一方は、前記有機絶縁層に設けられた第２溝において前記第１導電層と接し、
   前記接続材は、前記第１及び第２透明導電層と接している、請求項１乃至４の何れか１項に記載の表示装置。
7. 前記有機絶縁層と前記第２基体との間に位置し、平面視で前記第１導電層と重なるスペーサをさらに備える、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 第１基体と、
   前記第１基体と対向し、第１孔を有する第２基体と、
   前記第１基体と前記第２基体との間に位置し、前記第１孔と対向する第１導電層と、
   前記第１導電層と前記第２基体との間に位置し、前記第１孔と繋がる第２孔を有するシールと、
   前記第２基体の前記第１基体と対向する面と反対側に位置する第２導電層と、
   前記第１及び前記第２孔を通って前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続材と、
   を備え、
   前記第１導電層は、透明導電層である、表示装置。
9. 前記第１導電層と前記第１基体との間に位置する有機絶縁層をさらに備え、
   前記第１導電層は、前記有機絶縁層と接している、請求項８に記載の表示装置。
10. 前記第１導電層と前記第１基体との間に位置する第１無機絶縁層をさらに備え、
    前記第１導電層は、前記第１無機絶縁層と接している、請求項８に記載の表示装置。
11. 前記第１導電層と前記第１基体との間に位置する金属層をさらに備え、
    前記第１導電層は、前記金属層と接している、請求項８に記載の表示装置。
12. 前記第１導電層は、第１透明導電層及び第２透明導電層を備え、
    前記第１透明導電層と前記第２透明導電層との間に位置する第２無機絶縁層をさらに備え、
    前記第１透明導電層は、前記第２無機絶縁層に設けられた溝において前記第２透明導電層と接している、請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の表示装置。

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