JP2018120123A - 表示装置及び基板間導通構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】狭額縁化が可能な表示装置を提供する。【解決手段】第1絶縁基板と、第1端子部と、を備えた第1基板と、前記第1端子部と対向し且つ前記第1端子部から離間した第1主面及び前記第1主面とは反対側の第2主面を有する第2絶縁基板と、前記第2主面側に位置する第2端子部と、を備え、前記第1主面と前記第2主面との間を貫通する第1貫通孔を有する第2基板と、前記第1端子部と前記第2絶縁基板との間に位置し、前記第1貫通孔に繋がった第2貫通孔を有する有機絶縁膜と、前記第1貫通孔を通って前記第1端子部及び前記第2端子部を電気的に接続する接続材と、を備え、前記第1端子部及び前記第2端子部のうち少なくとも一方は前記接続材に接する酸化物電極を含む、表示装置。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、表示装置及び基板間導通構造に関する。
近年、表示装置を狭額縁化するための技術が種々検討されている。一例では、樹脂製の第1基板の内面と外面とを貫通する孔の内部に孔内接続部を有する配線部と、樹脂製の第2基板の内面に設けられた配線部とが基板間接続部によって電気的に接続される技術が開示されている。
本実施形態の目的は、狭額縁化が可能な表示装置を提供することにある。
本実施形態によれば、第1ガラス基板と、第1端子部と、を備えた第1基板と、前記第1端子部と対向し且つ前記第1端子部から離間した第1主面及び前記第1主面とは反対側の第2主面を有する第2ガラス基板と、前記第2主面側に位置する第2端子部と、を備え、前記第1主面と前記第2主面との間を貫通する第1貫通孔を有する第2基板と、前記第1端子部と前記第2ガラス基板との間に位置し、前記第1貫通孔に繋がった第2貫通孔を有する有機絶縁膜と、前記第1貫通孔を通って前記第1端子部及び前記第2端子部を電気的に接続する接続材と、を備え、前記第1端子部及び前記第2端子部のうち少なくとも一方は前記接続材に接する酸化物電極を含む、表示装置が提供される。
本実施絵形態によれば、第1絶縁基板と、第1端子部と、前記第1絶縁基板と前記第1端子部との間に位置する第1層間絶縁膜と、を備えた第1基板と、前記第1端子部と対向し且つ前記第1端子部から離間した第1主面及び前記第1主面とは反対側の第2主面を有する第2絶縁基板と、前記第2主面側に位置する第2端子部と、を備え、前記第1主面と前記第2主面との間を貫通する第1貫通孔を有する第2基板と、前記第1端子部と前記第2絶縁基板との間に位置し、前記第1貫通孔に繋がった第2貫通孔を有する有機絶縁膜と、前記第1貫通孔を通って前記第1端子部及び前記第2端子部を電気的に接続する接続材と、を備え、前記第1端子部は、前記第1層間絶縁膜の上に位置する第1酸化物電極と、前記第1酸化物電極の上方に位置する第2酸化物電極と、前記第1酸化物電極と前記第2酸化物電極との間に位置する第2層間絶縁膜と、を備え、前記第2端子部は、前記第2主面に接する金属層と、前記金属層に接する第3酸化物電極と、を備え、前記第1酸化物電極、前記第2酸化物電極、前記第3酸化物電極は、前記接続材と接する、表示装置が提供される。
本実施絵形態によれば、第1絶縁基板と、第1端子部と、を備えた第1基板と、前記第1端子部と対向し且つ前記第1端子部から離間した第1主面及び前記第1主面とは反対側の第2主面を有する第2絶縁基板と、前記第2主面側に位置する第2端子部と、を備え、前記第1主面と前記第2主面との間を貫通する第1貫通孔を有する第2基板と、前記第1端子部と前記第2絶縁基板との間に位置し、前記第1貫通孔に繋がった第2貫通孔を有する有機絶縁膜と、前記第1貫通孔を通って前記第1端子部及び前記第2端子部を電気的に接続する接続材と、を備え、前記第1端子部及び前記第2端子部のうち少なくとも一方は前記接続材に接する酸化物電極を含む、基板間導通構造が提供される。
本実施絵形態によれば、第1絶縁基板と、第1端子部と、前記第1絶縁基板と前記第1端子部との間に位置する第1層間絶縁膜と、を備えた第1基板と、前記第1端子部と対向し且つ前記第1端子部から離間した第1主面及び前記第1主面とは反対側の第2主面を有する第2絶縁基板と、前記第2主面側に位置する第2端子部と、を備え、前記第1主面と前記第2主面との間を貫通する第1貫通孔を有する第2基板と、前記第1端子部と前記第2絶縁基板との間に位置し、前記第1貫通孔に繋がった第2貫通孔を有する有機絶縁膜と、前記第1貫通孔を通って前記第1端子部及び前記第2端子部を電気的に接続する接続材と、を備え、前記第1端子部は、前記第1層間絶縁膜の上に位置する第1酸化物電極と、前記第1酸化物電極の上方に位置する第2酸化物電極と、前記第1酸化物電極と前記第2酸化物電極との間に位置する第2層間絶縁膜と、を備え、前記第2端子部は、前記第2主面に接する金属層と、前記金属層に接する第3酸化物電極と、を備え、前記第1酸化物電極、前記第2酸化物電極、前記第3酸化物電極は、前記接続材と接する、表示装置が提供される。
本実施絵形態によれば、第1絶縁基板と、第1端子部と、を備えた第1基板と、前記第1端子部と対向し且つ前記第1端子部から離間した第1主面及び前記第1主面とは反対側の第2主面を有する第2絶縁基板と、前記第2主面側に位置する第2端子部と、を備え、前記第1主面と前記第2主面との間を貫通する第1貫通孔を有する第2基板と、前記第1端子部と前記第2絶縁基板との間に位置し、前記第1貫通孔に繋がった第2貫通孔を有する有機絶縁膜と、前記第1貫通孔を通って前記第1端子部及び前記第2端子部を電気的に接続する接続材と、を備え、前記第1端子部及び前記第2端子部のうち少なくとも一方は前記接続材に接する酸化物電極を含む、基板間導通構造が提供される。
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
本実施形態においては、電子機器の一例として表示装置を開示する。この表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。本実施形態にて開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などに適用可能である。
図1は、本実施形態の表示装置DSPの構成例を示す断面図である。第1方向X、第2方向Y、及び、第3方向Zは、互いに直交しているが、90度以外の角度で交差していても良い。第1方向X及び第2方向Yは、表示装置DSPを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第3方向Zは、表示装置DSPの厚さ方向に相当する。ここでは、第2方向Y及び第3方向Zによって規定されるY−Z平面における表示装置DSPの一部の断面を示している。
表示装置DSPは、第1基板SUB1と、第2基板SUB2と、有機絶縁膜OIと、液晶層LCと、配線基板SUB3と、接続材Cと、充填部材FIと、を備えている。第1基板SUB1及び第2基板SUB2は、第3方向Zに対向している。以下の説明において、第1基板SUB1から第2基板SUB2に向かう方向を上方(あるいは、単に上)と称し、第2基板SUB2から第1基板SUB1に向かう方向を下方(あるいは、単に下)と称する。また、第2基板SUB2から第1基板SUB1に向かって見ることを平面視という。
第1基板SUB1は、第1ガラス基板10と、第1端子部TM1と、配線WRと、パッド電極PDと、を備えている。第1ガラス基板10は、第2基板SUB2と対向する主面10Aと、主面10Aとは反対側の主面10Bとを有している。図示した例では、第1端子部TM1、配線WR、パッド電極PDは、主面10A側に位置している。配線WRは、第1端子部TM1とパッド電極PDとの間に配置されている。第1端子部TM1及びパッド電極PDは、配線WRを介して電気的に接続されている。なお、図示しないが、第1端子部TM1、配線WR、パッド電極PDと、第1ガラス基板10との間や、第1端子部TM1、配線WR、パッド電極PDの上には、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されていても良い。また、第1端子部TM1、配線WR、パッド電極PDは、絶縁膜等を介して互いに別の層に形成されていても良い。なお、第1ガラス基板10は、第1絶縁基板に相当し、第2ガラス基板20は、第2絶縁基板に相当する。また、第1絶縁基板及び第2絶縁基板としては、樹脂基板を採用することも可能である。
第2基板SUB2は、第2ガラス基板20と、第2端子部TM2と、検出電極Rxと、保護部材PTと、を備えている。第2ガラス基板20は、第1基板SUB1と対向する主面20Aと、主面20Aとは反対側の主面20Bとを有している。主面20Aは、第1端子部TM1と対向し、且つ、第1端子部TM1から第3方向Zに離間している。上記したような第1ガラス基板10及び第2ガラス基板20は、例えば、無アルカリガラスによって形成されている。図示した例では、第2端子部TM2及び検出電極Rxは、主面20B側に位置している。第2端子部TM2及び検出電極Rxは電気的に接続されている。保護部材PTは、検出電極Rxの上に配置されている。なお、保護部材PTは、第2端子部TM2の上にも配置されていても良い。また、図示しないが、第2端子部TM2、検出電極Rxと、第2ガラス基板20との間に、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されていても良い。
有機絶縁膜OIは、第1端子部TM1と第2ガラス基板20との間に位置している。図示した例では、有機絶縁膜OIは、第1ガラス基板10と配線WRにも接している。ここで、有機絶縁膜OIは、例えば、後述する遮光層、カラーフィルタ、オーバーコート層、配向膜や、第1基板SUB1及び第2基板SUB2を接着するシールなどを含んでいる。液晶層LCは、第1基板SUB1、第2基板SUB2、及び、有機絶縁膜OIに囲まれた領域に位置している。
配線基板SUB3は、第1基板SUB1に実装され、パッド電極PDと電気的に接続されている。このような配線基板SUB3は、例えば可撓性を有するフレキシブル基板である。なお、本実施形態に適用可能なフレキシブル基板とは、その少なくとも一部分に、屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えている基板であれば良い。例えば、本実施形態の配線基板SUB3は、その全体がフレキシブル部として構成されたフレキシブル基板であっても良いし、ガラスエポキシなどの硬質材料によって形成されたリジッド部及びポリイミドなどの屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えたリジッドフレキシブル基板であっても良い。
ここで、本実施形態における第1端子部TM1と第2端子部TM2との接続構造について詳述する。
第2基板SUB2において、第2ガラス基板20は、主面20Aと主面20Bとの間を貫通する貫通孔(第1貫通孔)VAを有している。図示した例では、貫通孔VAは、第2端子部TM2も貫通している。
第1基板SUB1及び第2基板SUB2の間においては、有機絶縁膜OIは、貫通孔VAに繋がった貫通孔(第2貫通孔)VBを有している。
一方、第1基板SUB1においては、第1端子部TM1は、貫通孔VBに繋がった貫通孔VCを有している。また、第1ガラス基板10は、貫通孔VCと第3方向Zで対向する凹部CCを有している。凹部CCは、主面10Aから主面10Bに向かって形成されているが、図示した例では、主面10Bまで貫通していない。一例では、凹部CCの第3方向Zに沿った深さは、第1ガラス基板10の第3方向Zに沿った厚さの約1/5〜約1/2程度である。なお、第1ガラス基板10は、凹部CCの代わりに、主面10Aと主面10Bとの間を貫通する貫通孔を有していても良い。貫通孔VC及び凹部CCは、いずれも貫通孔VAの直下に位置している。貫通孔VA、VB、VC、及び、凹部CCは、第3方向Zに沿って同一直線上に並んでおり、接続用孔Vを形成している。
なお、図示した例では、貫通孔VBは、貫通孔VA及びVCと比較して、第2方向Yに拡張されている。なお、貫通孔VBは、第2方向Yのみならず、X−Y平面内における全方位に亘って貫通孔VA及びVCよりも拡張されている。
接続材Cは、貫通孔VA及びVBを通って第1端子部TM1及び第2端子部TM2を電気的に接続している。より具体的には、接続材Cは、貫通孔VA、VB、VC、及び、凹部CCのそれぞれの内面に設けられている。図示した例では、接続材Cは、貫通孔VA、VB、VC、及び、凹部CCにおいて途切れることなく設けられている。接続材Cは、銀などの金属材料を含み、粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの微粒子を溶剤に混ぜ込んだものであることが望ましい。
図示した例では、接続材Cは、第2基板SUB2において、第2端子部TM2の上面LT2、第2端子部TM2の内面LS2、及び、第2ガラス基板20の内面20Sにそれぞれ接触している。これらの内面LS2及び20Sは、貫通孔VAの内面を形成している。接続材Cは、第1基板SUB1及び第2基板SUB2の間において、有機絶縁膜OIの内面OISに接している。内面OISは、貫通孔VBの内面を形成している。また、接続材Cは、第1基板SUB1において、第1端子部TM1の内面LS1、及び、凹部CCにもそれぞれ接触している。内面LS1は、貫通孔VCの内面を形成している。
なお、図示した例では、接続材Cは、貫通孔VA、VB、VC、及び、凹部CCの内面に設けられているが、貫通孔VA、VB、VC、及び、凹部CCを埋めるように充填されていても良い。この場合にも、接続材Cは、第1端子部TM1と第2端子部TM2との間において途切れることなく連続的に形成されている。
充填部材FIは、接続用孔Vの中空部分に充填されている。また、充填部材FIは、第2端子部TM2の上方にも配置され、接続材C及び第2端子部TM2を覆っている。充填部材FIは、例えば絶縁性を有し、有機絶縁材料によって形成されている。このように、充填部材FIが配置されることにより、接続用孔Vに中空部分が形成されたことに起因する第3方向Zの段差を緩和することができる。また、接続材Cを保護することができる。また、充填部材FIは、導電性を有していても良く、例えば銀等の導電性粒子を含むペーストを硬化させたものであっても良い。充填部材FIが導電性を有している場合には、接続材Cが途切れたとしても、充填部材FIが第1端子部TM1及び第2端子部TM2を電気的に接続させることができ、信頼性を向上することができる。
上記した構成により、第2端子部TM2は、接続材C及び第1端子部TM1などを介して配線基板SUB3と電気的に接続される。このため、検出電極Rxに対して信号を書き込んだり、検出電極Rxから出力された信号を読み取ったりするための制御回路は、配線基板SUB3を介して検出電極Rxと接続可能となる。つまり、検出電極Rxと制御回路とを接続するために、図1中に点線で示した配線基板SUB4を第2基板SUB2に実装する必要がなくなる。
また、本実施形態においては、第1端子部TM1及び第2端子部TM2のうち、少なくとも一方は、接続材Cに接する酸化物電極を含んでいる。後述するが、例えば、第1端子部TM1は、全体が酸化物電極で形成されていても良いし、内面LS1側に接続材Cと接する酸化物電極を有していても良い。このとき、例えば、第2端子部TM2は、全体が、金属材料等で形成されていても良いし、酸化物電極を含んでいても良い。また、例えば、第2端子部TM2は、全体が酸化物電極で形成されていても良いし、内面LS2側に接続材Cと接する酸化物電極を有していても良い。このとき、例えば、第1端子部TM1は、全体が、金属材料等で形成されていても良いし、酸化物電極を含んでいても良い。また、後述するが、第1端子部TM1及び第2端子部TM2は、多層構造であっても良く、この場合、最上層が酸化物電極で形成されていても良い。
なお、第1端子部TM1及び第2端子部TM2が酸化物電極を含んでいる場合、第1端子部TM1及び第2端子部TM2の酸化物電極以外の部分は、例えば、金属材料等によって形成されている。
なお、第1端子部TM1及び第2端子部TM2が酸化物電極を含んでいる場合、第1端子部TM1及び第2端子部TM2の酸化物電極以外の部分は、例えば、金属材料等によって形成されている。
例えば、図示した例では、第1端子部TM1及び第2端子部TM2は、インジウム錫酸化物(ITO)、インジウムガリウム酸化物(IGO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)などの透明な導電材料などによって形成された酸化物電極である。
本実施形態によれば、第1端子部TM1及び第2端子部TM2のうち、少なくとも一方は、接続材Cに接する酸化物電極を含んでいる。そのため、第1端子部TM1及び第2端子部TM2が金属材料で形成されている場合と比較して、第1端子部TM1及び第2端子部TM2が酸化するのを抑制することができる。よって、第1端子部TM1及び第2端子部TM2の抵抗値が経時的に上昇するのを抑制することができる。
また、本実施形態によれば、第1基板SUB1に実装される配線基板SUB3の他に、第2基板SUB2に配線基板SUB4が実装される例と比較して、配線基板SUB4を実装するための端子部や、第2端子部TM2と配線基板SUB4とを接続するための引き回し配線が不要となる。このため、第1方向X及び第2方向Yで規定されるX-Y平面において、第2基板SUB2の基板サイズを縮小することができるとともに、表示装置DSPの周縁部の額縁幅を縮小することができる。また、不要となる配線基板SUB4のコストを削減することができる。これにより、狭額縁化及び低コスト化が可能となる。
図2は、図1に示した第2基板SUB2の実施例を示す断面図である。
後述するが、表示装置DSPは、画像を表示する表示領域DAと、表示領域DAの周辺の非表示領域NDAを有している。図示した例では、検出電極Rxは、表示領域DAに位置している。また、第2端子部TM2及び接続用孔Vは、非表示領域NDAに位置している。
後述するが、表示装置DSPは、画像を表示する表示領域DAと、表示領域DAの周辺の非表示領域NDAを有している。図示した例では、検出電極Rxは、表示領域DAに位置している。また、第2端子部TM2及び接続用孔Vは、非表示領域NDAに位置している。
第2端子部TM2は、主面20Bに接する金属層MTと、金属層MTの上に配置された酸化物電極OXと、を備えている。金属層MTは、例えば、モリブデンやアルミニウムを含んだ金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。また、金属層MTは、検出電極Rxと同一材料で同一工程で形成されていてもよい。酸化物電極OXは、金属層MTに接している。また、酸化物電極OXは、内面LS2において接続材Cと接している。保護部材PTは、表示領域DA及び非表示領域NDAにおいて連続して形成されている。保護部材PTは、表示領域DAにおいては検出電極Rxの上に配置され、非表示領域NDAにおいては第2端子部TM2の上に配置されている。すなわち、保護部材PTは、酸化物電極OXに接している。
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
図3は、図1に示した第2基板SUB2の実施例を示す断面図である。
図3は、図2に示した構成と比較して、非表示領域NDAにおいて保護部材PTが第2端子部TM2の上に配置されていない点で相違している。この場合にも、第2端子部TM2は、金属層MTを覆う酸化物電極OXを備えているため、第2端子部TM2が酸化されるのを抑制することができる。
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
図3は、図2に示した構成と比較して、非表示領域NDAにおいて保護部材PTが第2端子部TM2の上に配置されていない点で相違している。この場合にも、第2端子部TM2は、金属層MTを覆う酸化物電極OXを備えているため、第2端子部TM2が酸化されるのを抑制することができる。
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
図4は、図1に示した第2基板SUB2の実施例を示す断面図である。
図4は、図2に示した構成と比較して、第2端子部TM2の全体が酸化物電極OXである点で相違している。酸化物電極OXは、主面20Bに接している。ここで、第2端子部TM2は、第3方向Zに沿った厚さW1を有し、検出電極Rxは、第3方向Zに沿った厚さW2を有している。厚さW1は、厚さW2以上である。厚さW1は、例えば、図2に示した第2端子部TM2の第3方向Zに沿った厚さと略同等である。
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
図4は、図2に示した構成と比較して、第2端子部TM2の全体が酸化物電極OXである点で相違している。酸化物電極OXは、主面20Bに接している。ここで、第2端子部TM2は、第3方向Zに沿った厚さW1を有し、検出電極Rxは、第3方向Zに沿った厚さW2を有している。厚さW1は、厚さW2以上である。厚さW1は、例えば、図2に示した第2端子部TM2の第3方向Zに沿った厚さと略同等である。
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
図5は、図1に示した第2基板SUB2の実施例を示す断面図である。
図5は、図4に示した構成と比較して、非表示領域NDAにおいて保護部材PTが第2端子部TM2の上に配置されていない点で相違している。この場合にも、第2端子部TM2は、酸化物電極OXであるため、酸化されるのを抑制することができる。
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
図5は、図4に示した構成と比較して、非表示領域NDAにおいて保護部材PTが第2端子部TM2の上に配置されていない点で相違している。この場合にも、第2端子部TM2は、酸化物電極OXであるため、酸化されるのを抑制することができる。
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
図6は、図1に示した表示装置DSPの実施例を示す断面図である。図示した例では、表示装置DSPは、第1基板SUB1と、第2基板SUB2と、シールSEと、を備えている。
図示した例では、第1基板SUB1は、第1ガラス基板10と、第1層間絶縁膜IT1と、第2層間絶縁膜IT2と、第1端子部TM1と、を備えている。第1層間絶縁膜IT1は、第1ガラス基板10と第1端子部TM1との間に位置している。第1端子部TM1は、第1層間絶縁膜IT1の上に位置する第1酸化物電極OX1と、第1酸化物電極OX1の上方に位置する第2酸化物電極OX2と、を備えている。第1酸化物電極OX1及び第2酸化物電極OX2は、接続材Cに接している。第2層間絶縁膜IT2は、第1酸化物電極OX1と第2酸化物電極OX2との間に位置している。
なお、第1層間絶縁膜IT1は、例えば、有機材料によって形成された有機絶縁膜であり、第2層間絶縁膜IT2は、例えば、無機材料によって形成された無機絶縁膜である。また、第1酸化物電極OX1及び第2酸化物電極OX2は、例えば、それぞれ後述する共通電極及び画素電極と同一材料で同一工程にて形成されている。このとき、第2層間絶縁膜IT2は、例えば、共通電極と画素電極との間の層間絶縁膜と同一工程で同一材料にて形成されている。
図示した例では、第2基板SUB2は、第2ガラス基板20と、遮光層BMと、オーバーコート層OCと、を備えている。遮光層BMは、主面20Aに位置している。オーバーコート層OCは、遮光層BMを覆っている。
シールSEは、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に配置され、第1基板SUB1及び第2基板SUB2を貼り合わせている。ここで、有機絶縁膜OIは、遮光層BM、オーバーコート層OC、シールSEに相当する。なお、図示した例では、接続用孔Vは、第1ガラス基板10まで貫通している。
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
図7は、図1に示した表示装置DSPの実施例を示す断面図である。図7は、図6に示した構成と比較して、第1酸化物電極OX1と第2酸化物電極OX2との間に第1層間絶縁膜IT1が配置されていない点で相違している。すなわち、第2酸化物電極OX2は、第1酸化物電極OX1に接している。
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
図8は、図1に示した表示装置DSPの実施例を示す断面図である。図8は、図6に示した構成と比較して、第1基板SUB1が第1端子部TM1に接続された金属配線MW1及びMW2を備えている点で相違している。
第1酸化物電極OX1及び第2酸化物電極OX2は、接続用孔Vの周辺に配置され、接続材Cに接している。金属配線MW1は、第1層間絶縁膜IT1の上に配置され、第1酸化物電極OX1と電気的に接続されている。また、金属配線MW2は、第2層間絶縁膜IT2の上に配置され、第2酸化物電極OX2と電気的に接続されている。なお、第1酸化物電極OX1及び第2酸化物電極OX2の端部は、それぞれ金属配線MW1及びMW2の端部上に位置している。すなわち、例えば、第1酸化物電極OX1及び第2酸化物電極OX2は、金属配線MW1及びMW2が形成された後に形成されている。
図8に示した構成によれば、第1酸化物電極OX1及び第2酸化物電極OX2の周辺に酸化物電極よりも抵抗値の低い金属によって形成された金属配線MW1及びMW2が配置されている。そのため、図6に示した構成と比較して、第1酸化物電極OX1及び金属配線MW1が配置された層の抵抗値、及び、第2酸化物電極OX2及び金属配線MW2が配置された層の抵抗値を下げることが可能である。
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
図9は、図1に示した表示装置DSPの実施例を示す断面図である。図9は、図7に示した構成と比較して、第1基板SUB1が第1端子部TM1に接続された金属配線MW1を備えている点で相違している。
第1端子部TM1は、接続用孔Vの周辺に配置され、接続材Cに接している。金属配線MW1は、第1層間絶縁膜IT1の上に配置され、第1端子部TM1と電気的に接続されている。このため、図7に示した構成と比較して、第1端子部TM1及び金属配線MW1が配置された層の抵抗値を下げることが可能である。
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
図10は、図1に示した表示装置DSPの実施例を示す断面図である。図10は、図7に示した構成と比較して、接続用孔Vが第1ガラス基板10まで貫通していない点で相違している。
図示した例では、接続用孔Vは、第1端子部TM1まで貫通している。接続材Cは、第1端子部TM1の上面に接している。
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
図示した例では、接続用孔Vは、第1端子部TM1まで貫通している。接続材Cは、第1端子部TM1の上面に接している。
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
なお、図6乃至図10に示した構成は、図2乃至図5に示したいずれの構成と組み合わされても良い。また、酸化物電極OX、第1酸化物電極OX1、及び、第2酸化物電極OX2は、その抵抗値を下げるために、多結晶化などの処理を施されても良い。
図11は、本実施形態の表示装置DSPの一構成例を示す平面図である。ここでは、第1方向X及び第2方向Yによって規定されるX−Y平面における表示装置DSPの平面を示している。
表示装置DSPは、表示パネルPNL、ICチップI1、配線基板SUB3などを備えている。表示パネルPNLは、液晶表示パネルであり、第1基板SUB1と、第2基板SUB2と、シールSEと、液晶層に相当する表示機能層と、を備えている。第2基板SUB2は、第1基板SUB1に対向している。シールSEは、図1において右上がりの斜線で示した部分に相当し、第1基板SUB1と第2基板SUB2とを貼り合わせている。
表示パネルPNLは、画像を表示する表示領域DA、及び、表示領域DAを囲む額縁状の非表示領域NDAを備えている。シールSEは、非表示領域NDAに位置しており、表示領域DAは、シールSEによって囲まれた内側に位置している。
配線基板SUB3は、第1基板SUB1に実装されている。ICチップI1は、配線基板SUB3に実装されている。なお、図示した例に限らず、ICチップI1は、第2基板SUB2よりも外側に延出した第1基板SUB1に実装されていても良いし、配線基板SUB3に接続される外部回路基板に実装されていても良い。ICチップI1は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバDDを内蔵している。ここでのディスプレイドライバDDは、後述する信号線駆動回路SD、走査線駆動回路GD、及び、共通電極駆動回路CDの少なくとも一部を含むものである。また、図示した例では、ICチップI1は、タッチパネルコントローラなどとして機能する検出回路RCを内蔵している。なお、検出回路RCは、ICチップI1とは異なる他のICチップに内蔵されていても良い。
表示パネルPNLは、例えば、第1基板SUB1の下方からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第2基板SUB2の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであっても良い。
センサSSは、表示装置DSPへの被検出物の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサSSは、複数の検出電極Rx(Rx1、Rx2…)を備えている。検出電極Rxは、第2基板SUB2に設けられている。これらの検出電極Rxは、それぞれ第1方向Xに延出し、第2方向Yに間隔をおいて並んでいる。
図11では、検出電極Rxとして、検出電極Rx1乃至Rx4が図示されているが、ここでは、検出電極Rx1に着目してその構造例について説明する。なお、図11において、一端側とは表示領域DAよりも左側の領域に相当し、他端側とは表示領域DAよりも右側の領域に相当する。
検出電極Rx1は、検出部RSと、接続部CNとを備えている。検出部RSは、表示領域DAに位置し、第1方向Xに延出している。検出電極Rx1においては、主として検出部RSがセンシングに利用される。図示した例では、検出部RSは、帯状に形成されているが、より具体的には、図15を参照して説明するように微細な金属細線の集合体によって形成されている。また、1つの検出電極Rx1は、2本の検出部RSを備えているが、3本以上の検出部RSを備えていても良いし、1本の検出部RSを備えていても良い。接続部CNは、非表示領域NDAの第1方向Xに沿った他端側に位置し、複数の検出部RSを互いに接続している。
検出電極Rx1は、第2端子部TM21と接続されている。第2端子部TM21は、平面視でシールSEと重なる位置に形成されている。第2端子部TM21は、非表示領域NDAの第1方向Xに沿った一端側に位置し、検出部RSに繋がっている。
一方で、第1基板SUB1は、配線基板SUB3と電気的に接続された第1端子部TM11及び配線W1を備えている。第1端子部TM11及び配線W1は、非表示領域NDAの一端側に配置され、平面視でシールSEと重なっている。第1端子部TM11は、平面視で第2端子部TM21と重なる位置に形成されている。配線W1は、第1端子部TM11に接続され、第2方向Yに沿って延出し、配線基板SUB3を介してICチップI1の検出回路RCと電気的に接続されている。
接続用孔V1は、第2端子部TM21と第1端子部TM11とが対向する位置に形成されている。接続用孔V1は、第2端子部TM21を含む第2基板SUB2と、シールSEを貫通している。また、接続用孔V1は、第1端子部TM11を貫通していてもよい。後述するが、接続用孔V1には、導電性を有する接続材Cが設けられている。これにより、第2端子部TM21と第1端子部TM11とが電気的に接続される。つまり、第2基板SUB2に設けられた検出電極Rx1は、第1基板SUB1に接続された配線基板SUB3を介して検出回路RCと電気的に接続される。検出回路RCは、検出電極Rxから出力されたセンサ信号を読み取り、被検出物の接触あるいは接近の有無や、被検出物の位置座標などを検出する。
なお、図示した例では、接続用孔V1は、平面視で円形であるが、その形状は図示した例に限らず、楕円形などの他の形状であっても良い。
図示した例では、奇数番目の検出電極Rx1、Rx3…に接続された第2端子部TM21、TM23…、第1端子部TM11、TM13…、配線W1、W3…、及び、接続用孔V1、V3…は、いずれも非表示領域NDAの一端側に位置している。また、偶数番目の検出電極Rx2、Rx4…に接続された第2端子部TM22、TM24…、第1端子部TM12、TM14…、配線W2、W4…、及び、接続用孔V2、V4…は、いずれも非表示領域NDAの他端側に位置している。このようなレイアウトによれば、非表示領域NDAにおける一端側の幅と他端側の幅とを均一化することができ、狭額縁化に好適である。また、配線Wは、第1端子部を介して検出電極Rxに接続されており、検出電極Rxに接続された配線Wが第1基板SUB1側に形成されることで第2基板SUB2に配線Wを形成するための領域が不要であり、他の部材を配置するための領域を拡大できるほか、第2基板SUB2の形状のレイアウトの自由度を向上することができる。
図示したように、第1端子部TM13が第1端子部TM11よりも配線基板SUB3に近接するレイアウトでは、配線W1は、第1端子部TM13の内側(つまり、表示領域DAに近接する側)を迂回し、第1端子部TM13と配線基板SUB3との間で配線W3の内側に並んで配置されている。同様に、配線W2は、第1端子部TM14の内側を迂回し、第1端子部TM14と配線基板SUB3との間で配線W4の内側に並んで配置されている。
図12は、図11に示した表示パネルPNLの基本構成及び等価回路を示す図である。
表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数の画素PXを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素PXは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数本の走査線G(G1〜Gn)、複数本の信号線S(S1〜Sm)、共通電極CEなどを備えている。走査線Gは、各々第1方向Xに延出し、第2方向Yに並んでいる。信号線Sは、各々第2方向Yに延出し、第1方向Xに並んでいる。なお、走査線G及び信号線Sは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極CEは、複数の画素PXに亘って配置されている。走査線G、信号線S、及び、共通電極CEは、それぞれ非表示領域NDAに引き出されている。非表示領域NDAにおいて、走査線Gは走査線駆動回路GDに接続され、信号線Sは信号線駆動回路SDに接続され、共通電極CEは共通電極駆動回路CDに接続されている。信号線駆動回路SD、走査線駆動回路GD、及び、共通電極駆動回路CDは、第1基板SUB1上に形成されても良いし、これらの一部或いは全部が図11に示したICチップI1に内蔵されていても良い。
表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数の画素PXを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素PXは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数本の走査線G(G1〜Gn)、複数本の信号線S(S1〜Sm)、共通電極CEなどを備えている。走査線Gは、各々第1方向Xに延出し、第2方向Yに並んでいる。信号線Sは、各々第2方向Yに延出し、第1方向Xに並んでいる。なお、走査線G及び信号線Sは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極CEは、複数の画素PXに亘って配置されている。走査線G、信号線S、及び、共通電極CEは、それぞれ非表示領域NDAに引き出されている。非表示領域NDAにおいて、走査線Gは走査線駆動回路GDに接続され、信号線Sは信号線駆動回路SDに接続され、共通電極CEは共通電極駆動回路CDに接続されている。信号線駆動回路SD、走査線駆動回路GD、及び、共通電極駆動回路CDは、第1基板SUB1上に形成されても良いし、これらの一部或いは全部が図11に示したICチップI1に内蔵されていても良い。
各画素PXは、スイッチング素子SW、画素電極PE、共通電極CE、液晶層LC等を備えている。スイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタ(TFT)によって構成され、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子SWは、ゲート電極WG、ソース電極WS、及び、ドレイン電極WDを備えている。ゲート電極WGは、走査線Gと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Sと電気的に接続された電極をソース電極WSと称し、画素電極PEと電気的に接続された電極をドレイン電極WDと称する。
走査線Gは、第1方向Xに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと接続されている。信号線Sは、第2方向Yに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと接続されている。画素電極PEの各々は、共通電極CEと対向し、画素電極PEと共通電極CEとの間に生じる電界によって液晶層LCを駆動している。保持容量CSは、例えば、共通電極CEと画素電極PEとの間に形成される。
図13は、図11に示した表示パネルPNLの一部の構造を示す断面図である。
図示した表示パネルPNLは、主として基板主面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルPNLは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していても良い。横電界を利用する表示モードでは、例えば第1基板SUB1及び第2基板SUB2のいずれか一方に画素電極PE及び共通電極CEの双方が備えられた構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第1基板SUB1に画素電極PE及び共通電極CEのいずれか一方が備えられ、第2基板SUB2に画素電極PE及び共通電極CEのいずれか他方が備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、X−Y平面と平行な面である。
図示した表示パネルPNLは、主として基板主面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルPNLは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していても良い。横電界を利用する表示モードでは、例えば第1基板SUB1及び第2基板SUB2のいずれか一方に画素電極PE及び共通電極CEの双方が備えられた構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第1基板SUB1に画素電極PE及び共通電極CEのいずれか一方が備えられ、第2基板SUB2に画素電極PE及び共通電極CEのいずれか他方が備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、X−Y平面と平行な面である。
第1基板SUB1は、第1ガラス基板10、信号線S、共通電極CE、金属層M、画素電極PE、第1絶縁膜11、第2絶縁膜12、第3絶縁膜13、第1配向膜AL1などを備えている。なお、ここでは、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁膜等の図示を省略している。
第1絶縁膜11は、第1ガラス基板10の主面10Aに位置している。信号線Sは、第1絶縁膜11の上に位置している。第2絶縁膜12は、信号線S、及び、第1絶縁膜11の上に位置している。共通電極CEは、第2絶縁膜12の上に位置している。金属層Mは、信号線Sの直上において共通電極CEに接触している。図示した例では、金属層Mは、共通電極CEの上に位置しているが、共通電極CEと第2絶縁膜12との間に位置していても良い。第3絶縁膜13は、共通電極CE、及び、金属層Mの上に位置している。画素電極PEは、第3絶縁膜13の上に位置している。画素電極PEは、第3絶縁膜13を介して共通電極CEと対向している。また、画素電極PEは、共通電極CEと対向する位置にスリットSLを有している。第1配向膜AL1は、画素電極PE及び第3絶縁膜13を覆っている。
なお、第1基板SUB1の構成は、図示した例に限らず、画素電極PEが第2絶縁膜12と第3絶縁膜13との間に位置し、共通電極CEが第3絶縁膜13と第1配向膜AL1との間に位置していても良い。このような場合、画素電極PEはスリットを有していない平板状に形成され、共通電極CEは画素電極PEと対向するスリットを有する。また、画素電極PE及び共通電極CEの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように配置されていても良い。
第2基板SUB2は、第2ガラス基板20、遮光層BM、カラーフィルタCF、オーバーコート層OC、第2配向膜AL2などを備えている。
遮光層BM及びカラーフィルタCFは、第2ガラス基板20の主面20Aに位置している。遮光層BMは、各画素を区画し、信号線Sの直上に位置している。カラーフィルタCFは、画素電極PEと対向し、その一部が遮光層BMに重なっている。カラーフィルタCFは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタなどを含む。オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFを覆っている。第2配向膜AL2は、オーバーコート層OCを覆っている。
なお、カラーフィルタCFは、第1基板SUB1に配置されても良い。また、カラーフィルタCFは、4色以上のカラーフィルタを含んでいても良い。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されても良いし、無着色の樹脂材料が配置されても良いし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層OCを配置しても良い。
検出電極Rxは、主面20Bに位置している。検出電極Rxは、金属を含む導電層、ITOやIZO等の透明な導電材料によって形成されていても良いし、金属を含む導電層の上に透明導電層が積層されていても良いし、導電性の有機材料や、微細な導電性物質の分散体などによって形成されていても良い。
第1偏光板PL1を含む第1光学素子OD1は、第1ガラス基板10と照明装置BLとの間に位置している。第2偏光板PL2を含む第2光学素子OD2は、検出電極Rxの上に位置している。第1光学素子OD1及び第2光学素子OD2は、必要に応じて位相差板を含んでいても良い。
走査線、信号線S、及び、金属層Mは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。例えば、走査線Gはモリブデンやタングステンを有する金属材料によって形成され、信号線Sはアルミニウムやチタンを有する金属材料によって形成され、金属層Mはアルミニウムやモリブデンを有する金属材料によって形成される。共通電極CE及び画素電極PEは、ITOやIZOなどの透明な導電材料によって形成されている。第1絶縁膜11及び第3絶縁膜13は無機絶縁膜であり、第2絶縁膜12は有機絶縁膜である。
次に、本実施形態の表示装置DSPに搭載されるセンサSSの一構成例について説明する。以下に説明するセンサSSは、例えば相互容量方式の静電容量型であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触あるいは接近を検出するものである。
図14は、センサSSの一構成例を示す平面図である。
図示した構成例では、センサSSは、センサ駆動電極Tx、及び、検出電極Rxを備えている。図示した例では、センサ駆動電極Txは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第1基板SUB1に設けられている。また、検出電極Rxは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第2基板SUB2に設けられている。センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxは、X−Y平面において、互いに交差している。検出電極Rxは、第3方向Zにおいて、センサ駆動電極Txと対向している。
図示した構成例では、センサSSは、センサ駆動電極Tx、及び、検出電極Rxを備えている。図示した例では、センサ駆動電極Txは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第1基板SUB1に設けられている。また、検出電極Rxは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第2基板SUB2に設けられている。センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxは、X−Y平面において、互いに交差している。検出電極Rxは、第3方向Zにおいて、センサ駆動電極Txと対向している。
センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxは、表示領域DAに位置し、それらの一部が非表示領域NDAに延在している。図示した例では、センサ駆動電極Txは、それぞれ第2方向Yに延出した帯状の形状を有し、第1方向Xに間隔を置いて並んでいる。検出電極Rxは、それぞれ第1方向Xに延出し、第2方向Yに間隔を置いて並んでいる。検出電極Rxは、図11を参照して説明したように、第1基板SUB1に設けられた第1端子部に接続され、配線を介して検出回路RCと電気的に接続されている。センサ駆動電極Txの各々は、配線WRを介して共通電極駆動回路CDと電気的に接続されている。なお、センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。
センサ駆動電極Txは、上記の共通電極CEを兼ねる。すなわち、センサ駆動電極Txは、画素電極PEとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極Rxとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。
共通電極駆動回路CDは、表示領域DAに画像を表示する表示駆動時に、共通電極CEを含むセンサ駆動電極Txに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路CDは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Txに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Rxは、センサ駆動電極Txへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センサ駆動電極Txとの間で静電容量を発生させる。この静電容量は指等の被検出物の近接によって変化する。検出電極からは、かかる静電容量に基づく検出信号が出力される。検出電極Rxから出力された検出信号は、図11に示した検出回路RCに入力される。
なお、上記した各構成例におけるセンサSSは、一対の電極間の静電容量(上記の例ではセンサ駆動電極Txと検出電極Rxとの間の静電容量)の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式に限らず、検出電極Rxの静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式であっても良い。
また、図示した例では、センサ駆動電極Txは、それぞれ第2方向Yに延出し、第1方向Xに間隔を置いて並んでいたが、センサ駆動電極Txがそれぞれ第1方向Xに延出し、第2方向Yに間隔を置いて並んでいても良い。また、このとき、検出電極Rxは、それぞれ第2方向Yに延出し、第1方向Xに間隔を置いて並んでいる。
図15は、図11に示した接続用孔V1を含むA−B線で切断した表示パネルPNLを示す断面図である。ここでは、説明に必要な主要部のみを図示し、第1配向膜及び第2配向膜等の図示を省略している。また、図16に示す構成は、図1に示した構成の具体例であり、図1と重複する部材の説明を省略する。
第1絶縁膜11は、絶縁膜111、絶縁膜112、及び、絶縁膜113を備えている。絶縁膜111、絶縁膜112、及び、絶縁膜113は、この順に、第1ガラス基板10上に積層されている。第1絶縁膜11は、凹部GRを有している。図示した例では、凹部GRは、絶縁膜112及び113を絶縁膜111まで貫通している。また、詳述しないが、表示領域において、絶縁膜111と絶縁膜112との間には、スイッチング素子の半導体層が配置され、絶縁膜112と絶縁膜113との間には、図12に示した走査線Gが配置されている。
図示した例では、配線W1は、凹部GRの内部に配置されている。すなわち、配線W1は、絶縁膜111に接している。また、信号線Sは、絶縁膜113の上に配置されている。ここで、配線W1は、絶縁膜113の上に配置されていても良く、例えば、信号線Sと同一層に位置している。配線W1は、例えば、信号線Sと同一材料によって一括して形成されている。第2絶縁膜12は、配線W1及び信号線Sを覆い、絶縁膜113の上にも配置されている。第1端子部TM11は、第2絶縁膜12とシールSEとの間に位置している。第1端子部TM11は、第2絶縁膜12を配線W1まで貫通するコンタクトホールCHを介して、配線W1と電気的に接続されている。本実施形態においては、第1端子部TM1は、図13に示した共通電極CEもしくは画素電極PEと同一材料によって一括して形成されている。又は、第1端子部TM1は、共通電極CEと同一材料によって一括して形成された層と、画素電極PEと同一材料によって一括して形成された層とが積層されて形成されていても良い。第3絶縁膜13は、第2絶縁膜12の上に配置されている。
なお、凹部GRと重なる位置において、絶縁膜111が第1ガラス基板10まで貫通していても良く、凹部GRの内部に配置された配線W1が、第1ガラス基板10に接していても良い。
遮光層BMは、主面20Aに位置している。オーバーコート層OCは、遮光層BMを覆っている。シールSEは、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に位置している。液晶層LCは、第1基板SUB1、第2基板SUB2、及び、シールSEに囲まれた領域に位置している。
なお、図示しないが、第1基板SUB1のシールSE側に第1配向膜が配置されていても良い。また、第2基板SUB2のシールSE側に第2配向膜が配置されていても良い。
ここで、貫通孔VAは、第2端子部TM21及び第2ガラス基板20を貫通している。貫通孔VBは、遮光層BM、オーバーコート層OC、及び、シールSEを貫通している。貫通孔VCは、第1端子部TM11、第2絶縁膜12、配線W1、及び、第1絶縁膜11を貫通している。また、第1ガラス基板10は、凹部CCを有している。接続材Cは、貫通孔VA、VB、VC、及び、凹部CCのそれぞれの内面に設けられている。
充填部材FIは、接続用孔V1の中空部分に充填されている。また、充填部材FIは、第2端子部TM2の上にも配置されている。
なお、図示した例では、第1端子部TM11は、接続用孔V1内に突出している。そのため、接続用孔V1内で、第1端子部TM11と接続材Cとの間の接触面積を増やすことができる。したがって、第1端子部TM11を介して接続材Cと配線W1との間の導通の信頼性を向上することができる。
次に、上述した表示装置DSPの製造方法の一例について図16乃至図20を参照しながら説明する。
図16乃至図20は、本実施形態の表示装置DSPの製造方法を示す図である。
まず、図16及び図17に示すように、表示パネルPNLを用意する。図16は、検出電極Rx及び第2端子部TM2の平面図の一例を示している。図16に示す例では、検出電極Rxは、メッシュ状の金属細線MSによって形成されている。検査パッドTPDは、接続配線CW1を介して検出電極Rxと接続されている。第2端子部TM2は、接続配線CW2を介して検出電極Rxと接続されている。第2端子部TM2は、図2に示したように、金属層及び酸化物電極が積層されることによって形成されている。このとき、金属層は、例えば検出電極Rxと同一材料によって形成されている。また、第2端子部TM2は、図4に示したように、全体が酸化物電極であっても良い。第2端子部TM2には、円形の孔部HLが形成されている。
なお、検出電極Rxの形状は、図示した例に限らず、例えば、波状に形成されていても良く、鋸歯状や、正弦波状などの他の形状であっても良い。
まず、図16及び図17に示すように、表示パネルPNLを用意する。図16は、検出電極Rx及び第2端子部TM2の平面図の一例を示している。図16に示す例では、検出電極Rxは、メッシュ状の金属細線MSによって形成されている。検査パッドTPDは、接続配線CW1を介して検出電極Rxと接続されている。第2端子部TM2は、接続配線CW2を介して検出電極Rxと接続されている。第2端子部TM2は、図2に示したように、金属層及び酸化物電極が積層されることによって形成されている。このとき、金属層は、例えば検出電極Rxと同一材料によって形成されている。また、第2端子部TM2は、図4に示したように、全体が酸化物電極であっても良い。第2端子部TM2には、円形の孔部HLが形成されている。
なお、検出電極Rxの形状は、図示した例に限らず、例えば、波状に形成されていても良く、鋸歯状や、正弦波状などの他の形状であっても良い。
図17は、図16に示した表示パネルPNLの断面図を示している。図示した表示パネルPNLにおいては、第1基板SUB1は、主面10A側に配置された第1端子部TM1を備え、第2基板SUB2は、主面20B側に配置された第2端子部TM2を備えている。第1端子部TM1は、図6に示した例と同様に、第1酸化物電極OX1及び第2酸化物電極OX2を備えている。第2端子部TM2は、図2に示した例と同様に、金属層MTと、酸化物電極OXと、を備えている。また、第2端子部TM2は、孔部HLを有している。保護部材PTは、第2端子部TM2を覆い、孔部HL内において主面20Bも接している。
続いて、図18に示すように、第2基板SUB2の上方からレーザー光LL1を照射する。レーザー光LL1が照射されることによって、孔部HL内の保護部材PTが除去される。また、同時に、孔部HL周辺で第2端子部TM2の上に配置された保護部材PTも除去される。すなわち、第2端子部TM2の上面の一部が露出する。
続いて、図19に示すように、第2基板SUB2の上方からレーザー光LL2を照射する。レーザー光源としては、例えば炭酸ガスレーザー装置などが適用可能であるが、ガラス材料及び有機系材料に穴あけ加工ができるものであれば良く、エキシマレーザー装置なども適用可能である。このようなレーザー光LL2が照射されることにより、第1端子部TM1と第2端子部TM2とを接続するための接続用孔Vが形成される。
なお、図19に示した工程において、第2端子部TM2の上面の一部は露出してるが、第2端子部TM2は最上層に酸化物電極OXを備えているため酸化されにくく、第2端子部TM2の抵抗値の増大を抑制することができる。
続いて、図20に示すように、第1端子部TM1及び第2端子部TM2を電気的に接続する接続材Cを形成する。より具体的には、まず、チャンバー内に表示パネルPNLを設置した後に、チャンバー内の空気を排出し、真空中(大気圧より低い気圧の環境下)で接続用孔Vに導電材料CMを注入する。その後、チャンバー内に空気、不活性ガス等の気体を導入することで真空度を低下させ、導電材料CMが貫通孔VAから貫通孔VB、VC、及び、凹部CCに流れ込み、導電材料CMを第1端子部TM1に接触させる。その後、導電材料CMに含まれる溶剤が気化することにより、導電材料CMの体積が減少していく。この結果、導電部材CM中の金属材料からなる微粒子が接続用孔Vの内面に被膜状に残存すると共に、接続用孔V中に中空部分が形成される。このように形成された接続材Cは、貫通孔VAにおいて第2端子部TM2及び第2ガラス基板20にそれぞれ接触し、貫通孔VBにおいて遮光層BM、オーバーコート層OC、及び、シールSEにそれぞれ接触し、貫通孔VCにおいて第1端子部TM1、第1層間絶縁膜IT1、第2層間絶縁膜IT2にそれぞれ接触し、凹部CCにおいて第1ガラス基板10に接触している。
なお、図20を参照して説明した接続材Cの形成方法は一例にすぎず、これに限定されるものではない。例えば、大気圧下で貫通孔VAに接続材Cを注入した後に、接続材Cに含まれる溶剤を除去する手法であっても、上記と同様の接続材Cを形成することができる。
次に、上述した表示装置DSPの製造方法の他の例について図21乃至図23を参照しながら説明する。
図21乃至図23は、本実施形態の表示装置DSPの他の製造方法を示す図である。
まず、図21に示すように、表示パネルPNLを用意する。図21は、図17に示した構成と比較して、保護部材PTが非表示領域NDAに形成されていない点で相違している。
まず、図21に示すように、表示パネルPNLを用意する。図21は、図17に示した構成と比較して、保護部材PTが非表示領域NDAに形成されていない点で相違している。
続いて、図22に示すように、第2基板SUB2の上方からレーザー光LL2を照射し、接続用孔Vを形成する。
続いて、図23に示すように、接続材Cを形成する。ここで、接続材Cは、図20に示した製造方法と同様に形成される。
なお、図21乃至23に示した工程において、非表示領域NDAにおける第2端子部TM2の上面は露出しているが、第2端子部TM2は最上層に酸化物電極OXを備えているため酸化されにくく、第2端子部TM2の抵抗値の増大を抑制することができる。
なお、図21乃至23に示した工程において、非表示領域NDAにおける第2端子部TM2の上面は露出しているが、第2端子部TM2は最上層に酸化物電極OXを備えているため酸化されにくく、第2端子部TM2の抵抗値の増大を抑制することができる。
また、図21乃至23に示した工程においては、保護部材PTが、非表示領域NDAに配置されていないため、図18に示したような保護部材PTをレーザー光によって除去する工程を削減することができる。
図24は、本実施形態の表示装置DSPの他の構成例を示す平面図である。図24に示した構成例は、図11に示した構成例と比較して、検出電極Rx1、Rx2、Rx3…がそれぞれ第2方向Yに延出し、第1方向Xに間隔をおいて並んでいる点で相違している。
図示した例では、検出部RSは、表示領域DAにおいて第2方向Yに延出している。第2端子部TM21、TM22、TM23…は、表示領域DAと配線基板SUB3との間で第1方向Xに間隔をおいて並んでいる。接続用孔V1、V2、V3…は、第1方向Xに間隔をおいて並んでいる。なお、図示しないが、表示装置DSPは、第1方向Xに延出し第2方向Yに間隔をおいて並んだセンサ駆動電極を備えていても良い。
図24に示した構成例は、検出電極Rxを利用した自己容量方式のセンサSSに適用可能であり、また、図示しないセンサ駆動電極及び検出電極Rxを利用した相互容量方式のセンサSSにも適用可能である。
図24に示した構成例は、検出電極Rxを利用した自己容量方式のセンサSSに適用可能であり、また、図示しないセンサ駆動電極及び検出電極Rxを利用した相互容量方式のセンサSSにも適用可能である。
以上説明したように、本実施形態によれば、狭額縁化が可能な表示装置を得ることができる。
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
DSP…表示装置、10…第1ガラス基板、20…第2ガラス基板、
TM1…第1端子部、TM2…第2端子部、SUB1…第1基板、SUB2…第2基板、
10A、10B、20A、20B…主面、VA、VB、VC…貫通孔
OI…有機絶縁膜、C…接続材、Rx…検出電極、MT…金属層、OX…酸化物電極、PT…保護部材、IT1…第1層間絶縁膜、IT2…第2層間絶縁膜、
OX1…第1酸化物電極、OX2…第2酸化物電極、MW、MW1、MW2…金属配線。
TM1…第1端子部、TM2…第2端子部、SUB1…第1基板、SUB2…第2基板、
10A、10B、20A、20B…主面、VA、VB、VC…貫通孔
OI…有機絶縁膜、C…接続材、Rx…検出電極、MT…金属層、OX…酸化物電極、PT…保護部材、IT1…第1層間絶縁膜、IT2…第2層間絶縁膜、
OX1…第1酸化物電極、OX2…第2酸化物電極、MW、MW1、MW2…金属配線。
Claims (12)
- 第1絶縁基板と、第1端子部と、を備えた第1基板と、
前記第1端子部と対向し且つ前記第1端子部から離間した第1主面及び前記第1主面とは反対側の第2主面を有する第2絶縁基板と、前記第2主面側に位置する第2端子部と、を備え、前記第1主面と前記第2主面との間を貫通する第1貫通孔を有する第2基板と、
前記第1端子部と前記第2絶縁基板との間に位置し、前記第1貫通孔に繋がった第2貫通孔を有する有機絶縁膜と、
前記第1貫通孔を通って前記第1端子部及び前記第2端子部を電気的に接続する接続材と、を備え、
前記第1端子部及び前記第2端子部のうち少なくとも一方は前記接続材に接する酸化物電極を含む、表示装置。 - 前記第2端子部は、前記第2主面に接する酸化物電極である、請求項1に記載の表示装置。
- さらに、前記第2主面に位置し前記第2端子部に接続された検出電極を備え、
前記第2端子部の厚さは、前記検出電極の厚さ以上である、請求項2に記載の表示装置。 - 前記第2端子部は、前記第2主面に接する金属層と、前記金属層に接する酸化物電極と、を備える、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第2端子部を覆う保護部材を備える、請求項1乃至4の何れか1項に記載の表示装置。
- さらに、前記第1絶縁基板と前記第1端子部との間に位置する第1層間絶縁膜を備え、
前記第1端子部は、前記第1層間絶縁膜の上に位置する第1酸化物電極を備える、請求項1乃至5の何れか1項に記載の表示装置。 - 前記第1端子部は、前記第1酸化物電極の上方に第2酸化物電極を備える、請求項6に記載の表示装置。
- 前記第1酸化物電極と前記第2酸化物電極との間に第2層間絶縁膜を備える、請求項7に記載の表示装置。
- 前記第2酸化物電極は、前記第1酸化物電極に接する、請求項7に記載の表示装置。
- 前記第1層間絶縁膜の上に金属配線を備え、前記金属配線は、前記第1酸化物電極と接続されている、請求項7乃至9の何れか1項に記載の表示装置。
- 第1絶縁基板と、第1端子部と、前記第1絶縁基板と前記第1端子部との間に位置する第1層間絶縁膜と、を備えた第1基板と、
前記第1端子部と対向し且つ前記第1端子部から離間した第1主面及び前記第1主面とは反対側の第2主面を有する第2絶縁基板と、前記第2主面側に位置する第2端子部と、を備え、前記第1主面と前記第2主面との間を貫通する第1貫通孔を有する第2基板と、
前記第1端子部と前記第2絶縁基板との間に位置し、前記第1貫通孔に繋がった第2貫通孔を有する有機絶縁膜と、
前記第1貫通孔を通って前記第1端子部及び前記第2端子部を電気的に接続する接続材と、を備え、
前記第1端子部は、前記第1層間絶縁膜の上に位置する第1酸化物電極と、前記第1酸化物電極の上方に位置する第2酸化物電極と、前記第1酸化物電極と前記第2酸化物電極との間に位置する第2層間絶縁膜と、を備え、
前記第2端子部は、前記第2主面に接する金属層と、前記金属層に接する第3酸化物電極と、を備え、
前記第1酸化物電極、前記第2酸化物電極、前記第3酸化物電極は、前記接続材と接する、表示装置。 - 第1絶縁基板と、第1端子部と、を備えた第1基板と、
前記第1端子部と対向し且つ前記第1端子部から離間した第1主面及び前記第1主面とは反対側の第2主面を有する第2絶縁基板と、前記第2主面側に位置する第2端子部と、を備え、前記第1主面と前記第2主面との間を貫通する第1貫通孔を有する第2基板と、
前記第1端子部と前記第2絶縁基板との間に位置し、前記第1貫通孔に繋がった第2貫通孔を有する有機絶縁膜と、
前記第1貫通孔を通って前記第1端子部及び前記第2端子部を電気的に接続する接続材と、を備え、
前記第1端子部及び前記第2端子部のうち少なくとも一方は前記接続材に接する酸化物電極を含む、基板間導通構造。
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Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6927826B2 (en) * | 1997-03-26 | 2005-08-09 | Semiconductor Energy Labaratory Co., Ltd. | Display device |
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JP3915379B2 (ja) | 2000-07-31 | 2007-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置および電子機器 |
KR100544128B1 (ko) * | 2003-08-28 | 2006-01-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 다공성 물질층을 구비한 유기 전계 발광 표시 장치 |
JP4487318B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2010-06-23 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
KR101059970B1 (ko) * | 2008-03-26 | 2011-08-26 | 가부시키가이샤후지쿠라 | 전자부품 실장용 기판 및 그 제조방법과 전자 회로 부품 |
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JP5615647B2 (ja) * | 2010-09-24 | 2014-10-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチ検出機能付き表示装置および電子機器 |
JP5897984B2 (ja) * | 2011-07-08 | 2016-04-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN104220926B (zh) * | 2012-03-27 | 2016-10-05 | 夏普株式会社 | 半导体装置、半导体装置的制造方法和显示装置 |
US9536905B2 (en) * | 2012-11-08 | 2017-01-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and display device using same |
WO2014181494A1 (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-13 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
KR102090703B1 (ko) * | 2013-05-21 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR102124906B1 (ko) * | 2013-12-26 | 2020-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치스크린을 구비한 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 |
KR102292148B1 (ko) * | 2014-03-13 | 2021-08-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기의 제작 방법 |
KR20160013433A (ko) * | 2014-07-25 | 2016-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP6583014B2 (ja) * | 2016-01-22 | 2019-10-02 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
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