CN107665880B - 电子设备及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了电子设备及其制造方法，该电子设备具备：第一基板，具备第一基体和第一导电层；第二基板，具备与所述第一导电层相对且从所述第一导电层分离的第二基体和第二导电层，所述第二基板具有贯通所述第二基体的第一孔；以及连接材料，通过所述第一孔将所述第一导电层与所述第二导电层电连接。

Description

电子设备及其制造方法
本申请基于2016年7月29日提出的No.2016-149571、2016年7月 29日提出的No.2016-149572、2016年7月29日提出的No.2016-149605、 2017年6月21日提出的No.2017-121427等先前的日本专利申请，并主张其优先权，在此引用其全部内容作为参考。
技术领域
本发明的实施方式涉及电子设备及其制造方法。
背景技术
近年来，用于实现显示装置的窄边框化的各种技术被探讨。作为一例，已知将两个布线部通过基板间连接部电连接的技术，所述一个布线部在贯通树脂制的第一基板的内表面和外表面的孔的内部具有孔内连接部，所述另一个布线部设置在树脂制的第二基板的内表面。
发明内容
根据一实施方式，提供了电子设备，具备：第一基板，具备第一基体和第一导电层；第二基板，具备与所述第一导电层相对且从所述第一导电层分离的第二基体、和第二导电层，所述第二基板具有贯通所述第二基体的第一孔；以及连接材料，通过所述第一孔将所述第一导电层与所述第二导电层电连接。
根据一实施方式，提供了电子设备，具备：第一基板，具备第一基体和第一导电层；第二基板，具备与所述第一导电层相对且从所述第一导电层分离的第二基体、和第二导电层，所述第二基板具有贯通所述第二基体的第一孔；以及连接材料，通过所述第一孔将所述第一导电层与所述第二导电层电连接，所述第二导电层具备：检测部，在第一区域检测被检测物的接触或接近；以及端子部，在与所述第一区域相邻的第二区域与所述检测部连接，所述第一孔形成于所述端子部。
根据一实施方式，提供了电子设备的制造方法，准备第一基板和第二基板，所述第一基板具备第一基体及第一导电层，所述第二基板具备第二基体及第二导电层，所述第二基板与所述第一导电层相对且从所述第一导电层分离，对所述第二基板照射激光并形成贯通所述第二基体的第一孔，形成通过所述第一孔将所述第一导电层与所述第二导电层电连接的连接材料。
根据本实施方式，能够提供能够实现窄边框化及低成本化的显示装置及其制造方法。
附图说明
图1是示出本实施方式的显示装置DSP的构成例的截面图。
图2是示出本实施方式的显示装置DSP的其他构成例的截面图。
图3是示出本实施方式的显示装置DSP的其他构成例的截面图。
图4是示出本实施方式的显示装置DSP的其他构成例的截面图。
图5是示出本实施方式的显示装置DSP的其他构成例的截面图。
图6是示出本实施方式的显示装置DSP的其他构成例的截面图。
图7是示出本实施方式的显示装置DSP的其他构成例的截面图。
图8是示出本实施方式的显示装置DSP的其他构成例的截面图。
图9A是示出本实施方式的显示装置DSP的其他构成例的截面图。
图9B是示出本实施方式的显示装置DSP的其他构成例的截面图。
图9C是示出本实施方式的显示装置DSP的其他构成例的截面图。
图10是示出本实施方式的显示装置DSP的一构成例的俯视图。
图11是示出图10所示的显示面板PNL的基本结构及等效电路的图。
图12是示出图10所示的显示面板PNL的一部分的结构的截面图。
图13是示出传感器SS的一构成例的俯视图。
图14是示出本实施方式的显示装置DSP的其他构成例的俯视图。
图15的(A)、(B)是示出图10及图14所示的检测电极Rx1的检测部RS的构成例的图。
图16A是包括图10所示的连接用孔V1的沿A-B线切断的显示面板 PNL的截面图。
图16B是示出图16A所示的焊盘P1及第二绝缘层12的俯视图。
图17的(A)～(C)是用于说明本实施方式的显示装置DSP的制造方法的图。
图18的(A)～(C)是用于说明本实施方式的显示装置DSP的制造方法的图。
图19的(A)、(B)是用于说明本实施方式的显示装置DSP的制造方法的图。
图20A是示出比较例1的截面图。
图20B是示出比较例2的截面图。
图21是示出本实施方式的第一变形例的俯视图。
图22是示出本实施方式的第二变形例的俯视图。
图23是包括图22所示的端子部RT32的沿C-D线切断的显示装置 DSP的截面图。
图24是示出本实施方式的第三变形例的截面图。
图25是示出图24所示的密封件SE及第三导电层L3的截面图。
图26是示出本实施方式的显示装置DSP的构成例的截面图。
图27是示出第二基体20中形成的第一孔VA的构成例的立体图。
图28A是示出第一孔VA的其他构成例的截面图。
图28B是示出第一孔VA的其他构成例的截面图。
图28C是示出第一孔VA的其他构成例的截面图。
图29A是示出第一孔VA的其他构成例的截面图。
图29B是示出第一孔VA的其他构成例的截面图。
图29C是示出第一孔VA的其他构成例的截面图。
图30是放大图10所示的焊盘P1的俯视图。
图31是包括图10所示的连接用孔V1的沿A-B线切断的显示面板 PNL的一构成例的截面图。
图32是示出显示面板PNL的其他构成例的截面图。
图33是示出显示面板PNL的其他构成例的截面图。
具体实施方式
下面，参照附图对本实施方式进行说明。此外，公开只是一例而已，本领域技术人员在保持发明主旨的前提下所做的容易想到的适当变更，当然都包含在本发明的范围内。此外，为了更明确地进行说明，附图与实际的实施方式相比，存在示意性地示出各部分的宽度、厚度、形状等的情况，但只是一例而已，并不限定本发明的解释。此外，在本说明书和各附图中，对于与已出现的图相关的之前已经描述过的要素发挥相同或相似功能的构成要素赋予相同的参考符号，并适当省略重复的详细说明。
在本实施方式中，作为电子设备的一例，公开一种显示装置。该显示装置，例如能够用于智能手机、平板终端、移动电话终端、笔记本型个人计算机、游戏机等各种装置。本实施方式中公开的主要结构能够适用于液晶显示装置、有机电致发光显示装置等自发光型的显示装置、具有电泳元件等的电子纸型的显示装置、应用了MEMS(Micro ElectroMechanical Systems，微机电系统)的显示装置、或者应用了电致变色的显示装置等。
<<第一实施方式：第一构成例>>
图1是示出本实施方式的显示装置DSP的第一构成例的截面图。第一方向X、第二方向Y以及第三方向Z相互正交，但也可以90度以外的角度交叉。第一方向X及第二方向Y相当于与构成显示装置DSP的基板的主面平行的方向，第三方向Z相当于显示装置DSP的厚度方向。这里示出了由第二方向Y及第三方向Z规定的Y-Z平面中的显示装置DSP的一部分的截面。
显示装置DSP具备：第一基板SUB1、第二基板SUB2、连接材料C 和布线基板SUB3。第一基板SUB1及第二基板SUB2在第三方向Z上相对。在以下的说明中，将从第一基板SUB1向第二基板SUB2的方向称为上方(或者简称为“上”)，将从第二基板SUB2向第一基板SUB1的方向称为下方(或者简称为“下”)。此外，将从第二基板SUB2向第一基板SUB1 的方向观察称为俯视观察。此外，将观察图1的Y-Z平面(或者由图中没有示出的第一方向X及第三方向Z规定的X-Z平面)中的显示装置DSP 的截面称为截面观察。
第一基板SUB1具备：第一基体10；第一导电层L1，位于第一基体 10的与第二基板SUB2相对的一侧。第一基体10具有：主面10A，与第二基板SUB2相对；主面10B，位于主面10A的相反侧。在图中示出的例子中，第一导电层L1位于主面10A。此外，虽然图中没有示出，但也可在第一基体10和第一导电层L1之间或者第一导电层L1之上配置各种绝缘层或各种导电层。
第二基板SUB2具备：第二基体20、第二导电层L2。第二基体20具有：主面20A，与第一基板SUB1相对；主面20B，位于主面20A的相反侧。第二基体20的主面20A与第一导电层L1相对，且从第一导电层L1 向第三方向Z分离。在图中示出的例子中，第二导电层L2位于主面20B。第一基体10、第一导电层L1、第二基体20以及第二导电层L2依次在第三方向Z上排列。在第一导电层L1和第二基体20之间，有空气层位于此，但如后文所述，有时也可以有绝缘层位于此，除了绝缘层之外也可以有导电层位于此。此外，虽然图中没有示出，但也可在第二基体20和第二导电层L2之间或者第二导电层L2之上配置各种绝缘层或各种导电层。在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间也可配置各种绝缘层或各种导电层。
第一基体10及第二基体20例如由玻璃形成，更具体地，由无碱玻璃形成。此外，第一基体10及第二基体20也可以是树脂基板。第一导电层 L1及第二导电层L2，例如由钼、钨、钛、铝、银、铜、铬等金属材料或这些金属材料组合而成的合金、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等的透明导电材料等形成，既可以是单层结构，也可以是多层结构。连接材料C包括银等金属材料，优选其粒径包括几纳米至几十纳米程度的微粒。
布线基板SUB3安装在第一基板SUB1上，与第一导电层L1电连接。该布线基板SUB3，例如是具有挠性的柔性基板。此外，能够适用于本实施方式的柔性基板，只要其中至少一部分具备由能够弯曲的材料形成的柔性部即可。例如，本实施方式的布线基板SUB3，既可以是柔性基板，其整体被构成为柔性部；也可以是刚柔性基板，具备由玻璃环氧等硬质材料形成的刚性部以及由聚酰亚胺等能够弯曲的材料形成的柔性部。
这里，对本实施方式中的第一导电层L1和第二导电层L2的连接结构进行详细说明。在第二基板SUB2中，第二基体20具有贯通主面20A和主面20B的第一孔VA。在图中示出的例子中，第一孔VA也贯通第二导电层L2。另一方面，在第一基板SUB1中，第一导电层L1具有与第一孔 VA在第三方向Z上相对的第二孔VB。此外，第一基体10具有与第二孔 VB在第三方向Z上相对的凹部CC。凹部CC、第二孔VB及第一孔VA 依次在第三方向Z上排列。凹部CC以从主面10A朝向主面10B的方式被形成，但在图中示出的例子中，没有贯通至主面10B。作为一例，凹部 CC沿第三方向Z的深度是第一基体10沿第三方向Z的厚度的约1/5～约 1/2。此外，第一基体10也可具有贯通主面10A和主面10B的孔，以取代凹部CC。第二孔VB及凹部CC均位于第一孔VA的正下方。第一孔VA、第二孔VB及凹部CC位于沿第三方向Z的同一条直线上，形成连接用孔 V。该连接用孔V通过从第二基板SUB2的上方照射激光或者进行蚀刻而形成。
连接材料C通过第一孔VA将第一导电层L1与第二导电层L2电连接。在图中示出的例子中，连接材料C在第二基板SUB2中分别与第二导电层 L2的上表面LT2、第一孔VA中的第二导电层L2的内表面LS2、以及第一孔VA中的第二基体20的内表面20S接触。这些内表面LS2及20S形成第一孔VA的内表面。此外，连接材料C在第一基板SUB1中也分别与第二孔VB中的第一导电层L1的内表面LS1以及凹部CC接触。内表面 LS1形成第二孔VB的内表面。此外，在图中示出的例子中，连接材料C 以填埋第一孔VA、第二孔VB以及凹部CC的方式进行填充，但至少被设置在它们的内表面即可。该连接材料C在第一导电层L1和第二导电层L2 之间不中断地被连续形成。
由此，第二导电层L2通过连接材料C及第一导电层L1与布线基板 SUB3电连接。因此，用于向第二导电层L2写入信号，或者读取从第二导电层L2输出的信号的控制电路，能够通过布线基板SUB3与第二导电层L2连接。
图20A是示出比较例1的截面图。在该比较例1中，第二导电层L2 与第一导电层L1没有连接。因此，为了向第二导电层L2写入信号，或者读取从第二导电层L2输出的信号，需要与第二导电层L2连接的布线基板 SUB4。即，在比较例1中，除了在第一基板SUB1中安装的布线基板SUB3 之外，还需要在第二基板SUB2中安装的布线基板SUB4。
图20B是示出比较例2的截面图。和比较例1相比较，比较例2的不同点在于在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间具有有机绝缘层OI。
根据本实施方式，与除了在第一基板SUB1中安装的布线基板SUB3 之外，还在第二基板SUB2中安装了布线基板SUB4的比较例1(参照图 20A)及比较例2(参照图20B)相比较，为了连接第二导电层L2与控制电路，没有必要在第二基板SUB2中安装图20A及图20B中所示的布线基板SUB4。此外，用于安装布线基板SUB4的端子部、用于连接第二导电层L2与布线基板SUB4的布线也不需要。因此，在由第一方向X及第二方向Y规定的X-Y平面中，能够缩小第二基板SUB2的基板尺寸，同时能够缩小显示装置DSP的边缘部的边框宽度。此外，能够削减不需要的布线基板SUB4的成本。由此，能够实现窄边框化及低成本化。
下面，分别参照图2至图9C对本实施方式的其他构成例进行说明。
<<第二构成例>>
图2所示的第二构成例，与图1所示的第一构成例相比较，不同点在于连接材料C与第一导电层L1的上表面LT1接触。即，连接材料C具有位于第一基板SUB1和第二基板SUB2之间的侧面CA。相比第一孔VA 及第二孔VB重叠的位置，侧面CA位于更外侧，在图中示出的例子中，位于第一导电层L1和第二基体20之间。
在该第二构成例中，也能够获得与上述第一构成例相同的效果。此外，由于连接材料C不仅与第二孔VB中的第一导电层L1的内表面LS1接触，也与第一导电层L1的上表面LT1接触，因此能够扩大连接材料C与第一导电层L1的接触面积，从而能够抑制连接材料C与第一导电层L1连接不良。
<<第三构成例>>
图3所示的第三构成例，与图2所示的第二构成例相比较，不同点在于显示装置DSP具备位于第一导电层L1和第二基体20之间的有机绝缘层OI，有机绝缘层OI具有与第一孔VA及第二孔VB连接的第三孔VC。这里的有机绝缘层OI，例如包括后文所述的第二绝缘层、遮光层、滤色器、外涂层、取向膜、粘接第一基板SUB1及第二基板SUB2的密封件等。后文中将参照图12进行说明，第一基板SUB1中具备第二绝缘层12或第一取向膜AL1等，第二基板SUB2中具备遮光层BM、滤色器CF、外涂层OC、第二取向膜AL2等。其中，本实施方式中的有机绝缘层OI既可以整体全部由有机绝缘层形成，也可以在其中一部分中包括无机绝缘层。
与第一孔VA及第二孔VB相比较，第三孔VC在第二方向Y上扩展。此外，比起第一孔VA及第二孔VB，第三孔VC不仅在第二方向Y上，在X-Y平面内也全方位地进行了扩展。凹部CC、第二孔VB、第三孔VC 以及第一孔VA依次在第三方向Z上排列。虽然有机绝缘层OI与第一导电层L1的上表面LT1接触，但在第三孔VC中，露出了一部分的上表面 LT1。
连接材料C在第一孔VA、第二孔VB以及第三孔VC中不中断地设置，将第一导电层L1与第二导电层L2电连接。连接材料C与有机绝缘层OI的内表面OIS接触，在第一基板SUB1中也分别与第一导电层L1 的内表面LS1及第一导电层L1的上表面LT1接触。
在该第三构成例中，也能够获得与上述相同的效果。此外，由于在有机绝缘层OI的第三孔VC中连接材料C与第一导电层L1的内表面LS1 及上表面LT1也接触，因此能够扩大连接材料C与第一导电层L1的接触面积，能够抑制连接材料C与第一导电层L1连接不良。
此外，虽然这里示出了第三孔VC相比第一孔VA及第二孔VB进行了扩展的例子，但在能够获得连接材料C与第一导电层L1的充分的导电性的情况下，第三孔VC的直径也可小于或等于X-Y平面中的第一孔VA 及第二孔VB各自的直径。
<<第四构成例>>
图4所示的第四构成例，与图3所示的第三构成例相比较，不同点在于第二基板SUB2具备覆盖第二导电层L2及连接材料C的保护材料PF。在图中示出的例子中，保护材料PF也覆盖第二基体20的主面20B。此外，在连接材料C被设置在第一孔VA、第二孔VB以及第三孔VC的内表面且在各孔的中心部附近没有被填充的情况下，连接材料C具有中空部分。在这种情况下，保护材料PF也可填充在连接材料C的中空部分。保护材料PF，例如由丙烯酸类树脂等有机绝缘材料形成。
在该第四构成例中，也能够获得与上述相同的效果。此外，能够保护第二导电层L2及连接材料C。
<<第五构成例>>
图5所示的第五构成例与图3所示的第三构成例相比较，不同点在于第二基板SUB2具备覆盖第二导电层L2的保护材料PF1。在图中示出的例子中，第二导电层L2及第二基体20的主面20B被保护材料PF1覆盖，但第二导电层L2中第一孔VA的周围没有被保护材料PF1覆盖。连接材料C在第一孔VA的周围与第二导电层L2的上表面LT2接触，同时在其周围与保护材料PF1的上表面T3接触。
在该第五构成例中，除了能获得与上述相同的效果之外，还能够保护第二导电层L2。
下面，对能够适用于第五构成例的制造方法的一例进行说明。
在第一制造方法中，在第二基板SUB2的整个表面上形成保护材料 PF1，然后在比形成第一孔VA的区域大一圈的区域内除去保护材料PF1。此外，作为一例，保护材料PF1由有机绝缘材料形成，但也可由无机绝缘材料形成。作为除去这种保护材料PF1的方法，能够应用照射激光的方法、利用光刻技术的图案形成方法等。在除去由有机绝缘材料形成的保护材料 PF1时，在应用照射激光的方法的情况下，比照射激光的区域大的区域中的保护材料PF1被除去。然后，形成第一孔VA、形成连接材料C。关于第一孔VA及连接材料C的形成例，后文中将进行说明。
在第二制造方法中，除了比形成第一孔VA的区域大一圈的区域，有选择地形成保护材料PF1。然后，形成第一孔VA，形成连接材料C。
通过应用这种制造方法，在第一孔VA的周边，在第二导电层L2和保护材料PF1之间形成了落差。因此，在第一孔VA中形成连接材料C时，连接材料C难以越过保护层PF1，能够抑制连接材料C的过度扩展。
<<第六构成例>>
图6所示的第六构成例与图5所示的第五构成例相比较，不同点在于第二基板SUB2具备覆盖连接材料C的保护材料PF2。在图中示出的例子中，保护材料PF2在连接材料C的周围与保护材料PF1接触。此外，在连接材料C具有中空部分的情况下，保护材料PF2也可填充在中空部分。此外，不仅在连接材料C的周围，保护材料PF2也能够以覆盖保护材料 PF1的方式进行配置。在该第六构成例中，除了能获得与上述相同的效果，还能够保护第二导电层L2及连接材料C。
<<第七构成例>>
图7所示的第七构成例与图3所示的第三构成例相比较，不同点在于有机绝缘层OI在内部包括导电性粒子CP。在该第七构成例中，也能够获得与上述相同的效果。此外，通过导电性粒子CP与位于第三孔VC的连接材料C接触，即使连接材料C在第三孔VC处中断，中断的连接材料C 也能够由导电性粒子CP导通，从而能够提高可靠性。
<<第八构成例>>
图8所示的第八构成例与图3所示的第三构成例相比较，不同点在于连接材料C设置在第一孔VA、第二孔VB、第三孔VC以及凹部CC各自的内表面，连接材料C的中空部分被导电性的填充材料FM填充。填充材料FM，例如由包括银等导电性粒子的糊剂固化而成。在该第八构成例中，也能够获得与上述相同的效果。此外，即使连接材料C中断，填充材料 FM也能够将第一导电层L1与第二导电层L2电连接，从而能够提高可靠性。此外，能够缓和因连接材料C中形成有中空部分而引起的第三方向Z 上的落差。
<<第九构成例>>
图9A所示的第九构成例与图8所示的第八构成例相比较，不同点在于连接材料C的中空部分被绝缘性的填充材料FI填充。填充材料FI，例如由有机绝缘材料形成。在该第九构成例中，除了能获得与上述相同的效果之外，还能够保护连接材料C。
<<第十构成例>>
图9B所示的第十构成例与图3所示的第三构成例相比较，不同点在于连接用孔V被形成在与有机绝缘层OI不同的位置。在图中示出的例子中，连接用孔V位于比有机绝缘层OI更接近布线基板SUB3的位置。或者，连接用孔V位于有机绝缘层OI和第二基体20的端部20E之间。有机绝缘层OI例如包括粘接第一基板SUB1和第二基板SUB2的密封件。在该第十构成例中，也能够获得与上述相同的效果。
<<第十一构成例>>
图9C所示的第十一构成例与图3所示的第三构成例相比较，不同点在于除了设置有连接用孔V的有机绝缘层OIA之外，在第一基体10和第二基体20之间还设置有有机绝缘层OIB。有机绝缘层OIA位于有机绝缘层OIB和第二基体20的端部20E之间。有机绝缘层OIB例如包括粘接第一基板SUB1和第二基板SUB2的密封件。有机绝缘层OIA例如包括第一基板SUB1中具备的各种有机绝缘层和第二基板SUB2中具备的各种有机绝缘层。在该第十一构成例中，也能够获得与上述相同的效果。
<<带传感器的显示装置>>
图10是示出本实施方式的显示装置DSP的一构成例的俯视图。这里，作为显示装置DSP的一例，对搭载了传感器SS的液晶显示装置进行说明。
显示装置DSP具备显示面板PNL、IC芯片I1、布线基板SUB3等。显示面板PNL是液晶显示面板，具备第一基板SUB1、第二基板SUB2、密封件SE和显示功能层(后述的液晶层LC)。第二基板SUB2与第一基板SUB1相对。密封件SE在图10中相当于右上倾斜的斜线示出的部分，将第一基板SUB1和第二基板SUB2粘接。
显示面板PNL具备显示图像的显示区域DA以及包围显示区域DA的边框状的非显示区域NDA。显示区域DA例如相当于第一区域，位于由密封件SE围起来的内侧。非显示区域NDA例如相当于和显示区域(第一区域)DA相邻的第二区域。密封件SE位于非显示区域NDA。
IC芯片I1安装在布线基板SUB3中。此外，不仅限于图中示出的例子，IC芯片I1也可安装在比第二基板SUB2更向外侧延伸的第一基板 SUB1中，也可安装在与布线基板SUB3连接的外部电路基板中。IC芯片 I1，例如内置有用于输出显示图像所需的信号的显示驱动器DD。这里的显示驱动器DD包括后述的信号线驱动电路SD、扫描线驱动电路GD以及公共电极驱动电路CD的至少一部分。此外，在图中示出的例子中，IC 芯片I1内置有作为触摸面板控制器等发挥功能的检测电路RC。此外，检测电路RC也可内置在不同于IC芯片I1的其他IC芯片中。
例如，显示面板PNL也可以是透射型、反射型、半透射型中的任一种，所述透射型具备透射显示功能，通过使来自第一基板SUB1下方的光有选择性地透射来显示图像；所述反射型具备反射显示功能，通过使来自第二基板SUB2上方的光有选择性地反射来显示图像；所述半透射型具备透射显示功能及反射显示功能。
传感器SS进行传感以检测被检测物对显示装置DSP的接触或接近。传感器SS具备多个检测电极Rx(Rx1、Rx2…)。检测电极Rx设置在第二基板SUB2中，相当于所述第二导电层L2。这些检测电极Rx分别在第一方向X上延伸，在第二方向Y上有间隔地排列。在图10中，作为检测电极Rx，示出了检测电极Rx1至Rx4，这里着眼于检测电极Rx1，对其结构例进行说明。
即，检测电极Rx1具备检测部RS、端子部RT1、连接部CN。
检测部RS位于显示区域DA，在第一方向X上延伸。在检测电极Rx1 中，用于传感的主要是检测部RS。在图中示出的例子中，检测部RS被形成为带状，更具体地，如参照图15进行说明的那样，由细微的金属细线的集合体形成。此外，一个检测电极Rx1具备两个检测部RS，但既可具备三个以上的检测部RS，也可具备一个检测部RS。
端子部RT1位于非显示区域NDA的沿第一方向X的一端，与检测部 RS连接。连接部CN位于非显示区域NDA的沿第一方向X的另一端，与多个检测部RS相互连接。在图10中，所谓一端相当于显示区域DA的左侧，所谓另一端相当于显示区域DA的右侧。在俯视观察时，端子部RT1 的一部分被形成在与密封件SE重叠的位置。
另一方面，第一基板SUB1具备相当于上述第一导电层L1的焊盘P1 及布线W1。焊盘(pad)P1及布线W1位于非显示区域NDA的一端，在俯视观察时与密封件SE重叠。焊盘P1被形成在俯视观察时与端子部RT1 重叠的位置。此外，作为一例，焊盘P1被形成为梯形，但也可被形成为其他多边形或者圆形、椭圆形。布线W1与焊盘P1连接，沿第二方向Y 延伸，通过布线基板SUB3与IC芯片I1的检测电路RC电连接。
连接用孔V1被形成在端子部RT1和焊盘P1相对的位置。此外，连接用孔V1有时会贯通包括端子部RT1的第二基板SUB2及密封件SE，同时贯通焊盘P1。在图中示出的例子中，连接用孔V1在俯视观察时是圆形，但其形状并不限于图中示出的例子，也可以是椭圆形等其他形状。如参照图1进行说明的那样，在连接用孔V1设置有连接材料C。由此，端子部RT1与焊盘P1电连接。即，在第二基板SUB2设置的检测电极Rx1 通过与第一基板SUB1连接的布线基板SUB3与检测电路RC电连接。检测电路RC读取从检测电极Rx输出的传感器信号，从而检测出是否有被检测物的接触或接近，或者被检测物的位置坐标等。
在图中示出的例子中，奇数编号的检测电极Rx1、Rx3…的各端子部 RT1、RT3…、焊盘P1、P3…、布线W1、W3…、连接用孔V1、V3…均位于非显示区域NDA的一端。此外，偶数编号的检测电极Rx2、Rx4…的各端子部RT2、RT4…、焊盘P2、P4…、布线W2、W4…、连接用孔V2、V4…均位于非显示区域NDA的另一端。通过这样的布局，能够使非显示区域NDA中一端的宽度与另一端的宽度均匀化，适合于窄边框化。
如图中所示，在焊盘P3比焊盘P1更接近布线基板SUB3的布局中，布线W1绕过焊盘P3的内侧(即接近显示区域DA一侧)，在焊盘P3和布线基板SUB3之间，在布线W3的内侧排列配置。同样地，布线W2绕过焊盘P4的内侧，在焊盘P4和布线基板SUB3之间，在布线W4的内侧排列配置。
图11是示出图10所示的显示面板PNL的基本结构及等效电路的图。显示面板PNL在显示区域DA中具备多个像素PX。这里，所谓的像素表示能够根据图像信号单独控制的最小单位，例如存在于后述的包括开关元件的区域，所述开关元件在扫描线与信号线交叉的位置配置。多个像素 PX在第一方向X及第二方向Y上被配置成矩阵状。此外，显示面板PNL 在显示区域DA中具备多条扫描线G(G1～Gn)、多条信号线S(S1～Sm)、公共电极CE等。扫描线G分别在第一方向X上延伸，在第二方向Y上排列。信号线S分别在第二方向Y上延伸，在第一方向X上排列。此外，扫描线G及信号线S并非一定是直线延伸，其中的一部分也可弯曲。公共电极CE在多个像素PX中配置。扫描线G、信号线S以及公共电极CE 分别被导出至非显示区域NDA。在非显示区域NDA中，扫描线G与扫描线驱动电路GD连接，信号线S与信号线驱动电路SD连接，公共电极 CE与公共电极驱动电路CD连接。信号线驱动电路SD、扫描线驱动电路 GD以及公共电极驱动电路CD既可形成在第一基板SUB1上，其中的一部分或全部也可内置在图10所示的IC芯片I1中。
各像素PX具备开关元件SW、像素电极PE、公共电极CE、液晶层 LC等。开关元件SW，例如由薄膜晶体管(TFT)构成，与扫描线G及信号线S电连接。更具体地，开关元件SW具备栅极电极WG、源极电极 WS以及漏极电极WD。栅极电极WG与扫描线G电连接。在图中示出的例子中，将与信号线S电连接的电极称为源极电极WS，将与像素电极PE 电连接的电极称为漏极电极WD。
扫描线G与在第一方向X上排列的各像素PX中的开关元件SW连接。信号线S与在第二方向Y上排列的各像素PX中的开关元件SW连接。各像素电极PE与公共电极CE相对，通过像素电极PE和公共电极CE之间产生的电场驱动液晶层LC。保持电容CS，例如在公共电极CE和像素电极PE之间形成。
图12是示出图10所示的显示面板PNL的一部分的结构的截面图。这里示出将显示装置DSP沿第一方向X切断的截面图。图中示出的显示面板PNL主要具有与利用几乎平行于基板主面的横向电场的显示模式对应的结构。此外，显示面板PNL也可具有与利用垂直于基板主面的纵向电场、相对于基板主面倾斜的方向的电场或它们的组合的显示模式对应的结构。在利用横向电场的显示模式中，例如能够应用第一基板SUB1及第二基板SUB2中的任一方中具备像素电极PE及公共电极CE两者的结构。在利用纵向电场或倾斜电场的显示模式中，例如能够应用第一基板SUB1 中具备像素电极PE及公共电极CE中的任一方、第二基板SUB2中具备像素电极PE及公共电极CE中的任意另一方的结构。此外，这里的基板主面是与X-Y平面平行的面。
第一基板SUB1具备第一基体10、信号线S、公共电极CE、金属层 M、像素电极PE、第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13、第一取向膜AL1等。此外，这里省略了开关元件、扫描线以及介于它们之间的各种绝缘层等的图示。
第一绝缘层11位于第一基体10之上。图中没有示出的扫描线和开关元件的半导体层位于第一基体10和第一绝缘层11之间。信号线S位于第一绝缘层11之上。第二绝缘层12位于信号线S以及第一绝缘层11之上。公共电极CE位于第二绝缘层12之上。金属层M在扫描线S的正上方与公共电极CE接触。在图中示出的例子中，金属层M位于公共电极CE之上，但也可位于公共电极CE和第二绝缘层12之间。第三绝缘层13位于公共电极CE及金属层M之上。像素电极PE位于第三绝缘层13之上。像素电极PE隔着第三绝缘层13与公共电极CE相对。此外，像素电极PE 在与公共电极CE相对的位置具有缝隙SL。第一取向膜AL1覆盖像素电极PE及第三绝缘层13。
扫描线G、信号线S以及金属层M由钼、钨、钛、铝等金属材料形成，既可以是单层结构，也可以是多层结构。公共电极CE及像素电极PE 由ITO或IZO等透明导电材料形成。第一绝缘层11及第三绝缘层13是无机绝缘层，第二绝缘层12是有机绝缘层。
此外，第一基板SUB1的结构，并不限于图中示出的例子，也可以是像素电极PE位于第二绝缘层12和第三绝缘层13之间，公共电极CE位于第三绝缘层13和第一取向膜AL1之间。在这种情况下，像素电极PE 被形成为没有缝隙的平板状，公共电极CE具有与像素电极PE相对的缝隙。此外，像素电极PE及公共电极CE双方也可被形成为梳齿状，以互相啮合的方式进行配置。
第二基板SUB2具备第二基体20、遮光层BM、滤色器CF、外涂层 OC、第二取向膜AL2等。
遮光层BM及滤色器CF位于与第二基体20的第一基板SUB1相对的一侧。遮光层BM对各像素进行划分，位于信号线S的正上方。滤色器 CF与像素电极PE相对，其中一部分与遮光层BM重叠。滤色器CF包括红色滤色器、绿色滤色器、蓝色滤色器等。外涂层OC覆盖滤色器CF。第二取向膜AL2覆盖外涂层OC。
此外，滤色器CF也可配置在第一基板SUB1中。滤色器CF也可包括四色以上的滤色器。在显示白色的像素中，既可配置白色的滤色器，也可配置无色的树脂材料，也可不配置滤色器而配置外涂层OC。
检测电极Rx位于第二基体20的主面20B。如上所述，检测电极Rx 相当于第二导电层L2，既可由包括金属的导电层、ITO或IZO等透明导电材料形成，也可在包括金属的导电层之上层叠透明导电层，也可由导电性的有机材料或细微的导电性物质的分散体等形成。
包括第一偏光板PL1的第一光学元件OD1位于第一基体10和照明装置BL之间。包括第二偏光板PL2的第二光学元件OD2位于检测电极Rx 之上。第一光学元件OD1及第二光学元件OD2也可根据需要包括相位差板。
下面，对本实施方式的显示装置DSP中搭载的传感器SS的一构成例进行说明。以下说明的传感器SS，例如是互电容式的静电电容型，基于隔着电介质相对的一对电极间的静电电容的变化，来检测被检测物的接触或接近。
图13是示出传感器SS的一构成例的俯视图。
在图中示出的构成例中，传感器SS具备传感器驱动电极Tx以及检测电极Rx。在图中示出的例子中，传感器驱动电极Tx相当于右下倾斜的斜线示出的部分，设置于第一基板SUB1。此外，检测电极Rx相当于右上倾斜的斜线示出的部分，设置于第二基板SUB2。传感器驱动电极Tx及检测电极Rx在X-Y平面中相互交叉。检测电极Rx在第三方向Z上与传感器驱动电极Tx相对。
传感器驱动电极Tx及检测电极Rx位于显示区域DA，其中一部分延伸至非显示区域NDA。在图中示出的例子中，传感器驱动电极Tx分别具有在第二方向Y上延伸的带状形状，在第一方向X上设置有间隔地排列。检测电极Rx分别在第一方向X上延伸，在第二方向Y上设置有间隔地排列。如参照图10说明的那样，检测电极Rx与在第一基板SUB1设置的焊盘连接，通过布线与检测电路RC电连接。各传感器驱动电极Tx通过布线WR与公共电极驱动电路CD电连接。此外，传感器驱动电极Tx及检测电极Rx的个数、尺寸、形状并不特别限定，能够进行各种变更。
传感器驱动电极Tx包括上述公共电极CE，具有在其和像素电极PE 之间产生电场的功能，同时还具有通过在其和检测电极Rx之间产生电容来检测被检测物的位置的功能。
公共电极驱动电路CD在进行在显示区域DA中显示图像的显示驱动时，为包括公共电极CE的传感器驱动电极Tx提供公共驱动信号。此外，公共电极驱动电路CD在进行传感的传感驱动时，为传感器驱动电极Tx 提供传感器驱动信号。随着传感器驱动信号被提供给传感器驱动电极Tx，检测电极Rx输出进行传感所需的信号(即基于传感器驱动电极Tx和检测电极Rx之间的电极间电容的变化的信号)。从检测电极Rx输出的检测信号被输入图10所示的检测电路RC中。
此外，上述各构成例中的传感器SS并不限于基于一对电极间的静电电容(上述例子中是传感器驱动电极Tx和检测电极Rx之间的静电电容) 的变化来检测被检测物的互电容式，也可以是基于检测电极Rx的静电电容的变化来检测被检测物的自电容式。
图14是示出本实施方式的显示装置DSP的其他构成例的俯视图。图 14所示的构成例，与图10所示的构成例相比较，不同点在于检测电极Rx1、 Rx2、Rx3…分别在第二方向Y上延伸，在第一方向X上有间隔地排列。在图中示出的例子中，检测部RS在显示区域DA中在第二方向Y上延伸。此外，端子部RT1、RT2、RT3…在显示区域DA和布线基板SUB3之间在第一方向X上有间隔地排列。连接用孔V1、V2、V3…在第一方向X 上有间隔地排列。此外，虽然图中没有示出，但显示装置DSP也可具备在第一方向X上延伸并在第二方向Y上有间隔地排列的传感器驱动电极。
图14所示的构成例能够适用于利用了检测电极Rx的自电容式的传感器SS，此外，也能够适用于利用了图中没有示出的传感器驱动电极及检测电极Rx的互电容式的传感器SS。
图15是示出图10及图14所示的检测电极Rx1的检测部RS的构成例的图。
在图15的(A)所示的例子中，检测部RS由网状的金属细线MS形成。金属细线MS与端子部RT1连接。在图15的(B)所示的例子中，检测部RS由波状的金属细线MW形成。在图中示出的例子中，金属细线 MW是锯齿状，但也可以是正弦波状等其他形状。金属细线MW与端子部RT1连接。
端子部RT1，例如由和检测部RS相同的材料形成。在端子部RT1中形成有圆形的连接用孔V1。
图16A是包括图10所示的连接用孔V1的沿A-B线切断的显示面板 PNL的截面图。这里仅在图中示出了说明所需的主要部分。
第一基板SUB1具备第一基体10、相当于第一导电层L1的焊盘P1、相当于有机绝缘层的第二绝缘层12等。第一导电层L1，例如由和图12 所示的信号线S相同的材料形成。在第一基体10和焊盘P1之间、以及第一基体10和第二绝缘层12之间，也可配置图12所示的第一绝缘层11或其他绝缘层或其他导电层。
第二基板SUB2具备第二基体20、相当于第二导电层L2的检测电极 Rx1、相当于有机绝缘层的遮光层BM以及外涂层OC等。
密封件SE相当于有机绝缘层，位于第二绝缘层12和外涂层OC之间。液晶层LC位于第一基板SUB1和第二基板SUB2之间的间隙。此外，虽然图中没有示出，但是在第二绝缘层12和密封件SE之间，也可存在图 12所示的金属层M、第三绝缘层13、第一取向膜AL1。此外，在外涂层 OC和密封件SE之间，也可存在图12所示的第二取向膜AL2。
连接用孔V1包括贯通第二基体20及检测电极Rx的端子部RT的第一孔VA、贯通焊盘P1的第二孔VB、贯通各种有机绝缘层的第三孔VC 以及在第一基体10中形成的凹部CC。第三孔VC具有贯通第二绝缘层12 的第一部分VC1、贯通密封件SE的第二部分VC2以及贯通遮光层BM及外涂层OC的第三部分VC3。连接材料C设置在连接用孔V1中，将焊盘 P1与检测电极Rx电连接。
第二绝缘层12位于焊盘P1和第二基体20之间，与焊盘P1的上表面 LT1接触。连接材料C与焊盘P1的上表面LT1、第二孔VB中的焊盘P1 的内表面LS1接触。
图16B是示出图16A所示的焊盘P1及第二绝缘层12的俯视图。
在俯视观察时，第一部分VC1的大小大于第二孔VB的大小。焊盘 P1的上表面LT1中与连接材料C接触的区域RA是第一部分VC1没有覆盖第二绝缘层12的区域。在本实施方式中，在俯视观察时，区域RA被形成为环状。在区域RA中附加有斜线。在俯视观察(X-Y平面)时，第二孔VB及第一部分VC1的形状被形成为圆形。第一部分VC1沿第一方向X的宽度W21大于第二孔VB沿第一方向X的宽度W22。此外，在俯视观察时，在第二孔VB及第一部分VC1的形状是圆形的情况下，第一部分VC1沿第二方向Y的宽度大于第二孔VB沿第二方向Y的宽度。此外，第二孔VB及第一部分VC1并不限于正圆形，也可以是椭圆形等其他圆形，也可以是圆形以外的形状。例如在第二孔VB及第一部分VC1被形成为椭圆形的情况下，其宽度既可以是相当于长轴的长度(长径)的宽度，也可以是相当于短轴的长度(短径)的宽度。此外，第二孔VB及第一部分 VC1的轮廓也可以曲折形状。此外，上述区域RA的形状并不限定于环状，而是能够进行各种变形。
根据具备上述传感器SS的显示装置DSP，通过在连接用孔V设置的连接材料C，在第二基板SUB2设置的检测电极Rx与在第一基板SUB1 设置的焊盘P连接。因此，没有必要在第二基板SUB2中安装用于连接检测电极Rx与检测电路RC的布线基板。即，第一基板SUB1中安装的布线基板SUB3，在形成用于传输在显示面板PNL中显示图像所需的信号的传输路径的同时，还形成用于在检测电极Rx和检测电路RC之间传输信号的传输路径。因此，与除了布线基板SUB3之外还需要其他布线基板的构成例相比较，能够削减布线基板的个数，从而能够削减成本。此外，由于不再需要用于连接第二基板SUB2和布线基板的空间，因此能够缩小显示面板PNL的非显示区域，特别是安装有布线基板SUB3的端边的宽度。由此，能够实现窄边框化及低成本化。
<<显示装置的制造方法>>
下面，参照图17至图19对上述显示装置DSP的制造方法的一例进行说明。
首先，如图17的(A)所示，准备显示面板PNL。图中示出的显示面板PNL具备第一基板SUB1和第二基板SUB2，所述第一基板SUB1至少具备第一基体10及第一导电层L1；所述第二基板SUB2至少具备第二基体20及第二导电层L2。在该显示面板PNL中，在第二基体20与第一导电层L1相对，且第二基体20从第一导电层L1分离的状态下，第一基板SUB1和第二基板SUB2由密封件SE粘接。此外，这里的第一导电层 L1，例如相当于图16A所示的焊盘P1等，第二导电层L2，例如相当于图 16A所示的检测电极Rx1等。
下面对该显示面板PNL的制造方法的一例进行说明。即，准备第一基板SUB1，在第一基体10的主面10A上形成第一导电层L1、第二绝缘层12等。另一方面，准备第二基板SUB2，在第二基体20的主面20A上形成遮光层BM、外涂层OC等。这时，第二基板SUB2的主面20B上没有形成第二导电层。在这些第一基板SUB1及第二基板SUB2的任一方中形成环状的密封件SE，向密封件SE的内侧滴下液晶材料。然后，将第一基板SUB1和第二基板SUB2贴合，使密封件SE固化，将第一基板SUB1 及第二基板SUB2粘接。然后，通过氢氟酸(HF)等蚀刻液分别对第一基体10及第二基体20进行蚀刻，使第一基体10及第二基体20薄板化。然后，在第二基体20的主面20B上形成第二导电层L2。由此，图17的(A) 所示的显示面板PNL被制造出来。
此外，下面对显示面板PNL的制造方法的其他例子进行说明。即，与上述例子一样准备第一基板SUB1，另一方面，准备第二基板SUB2，在第二基体20的主面20A上形成遮光层BM、外涂层OC等，且在第二基体20的主面20B上形成第二导电层L2。然后，形成密封件SE，在滴下液晶材料后，将第一基板SUB1及第二基板SUB2粘接。由此，图17的(A)所示的显示面板PNL被制造出来。
接着，如图17的(B)所示，对第二基板SUB2照射激光L。在图中示出的例子中，激光L被从第二导电层L2的上方照射。作为激光光源，例如能够应用二氧化碳气体激光装置等，但只要能在玻璃材料及有机材料上进行开孔加工即可，也能够应用准分子激光装置等。
通过照射这种激光L，如图17的(C)所示，贯通第二基体20及第二导电层L2的第一孔VA被形成。此外，在图中示出的例子中，在照射激光L时，贯通位于第一孔VA的正下方的遮光层BM及外涂层OC的第三部分VC3、贯通位于第三部分VC3的正下方的密封件SE的第二部分VC2、贯通位于第二部分VC2的正下方的第二绝缘层12的第一部分VC1、贯通位于第一部分VC1的正下方的第一导电层L1的第二孔VB、位于第二孔VB的正下方的第一基体10的凹部CC也同时被形成。由此，用于连接第一导电层L1和第二导电层L2的连接用孔V1被形成。
通过激光L的照射，显示面板PNL被供给热能之后，比起形成焊盘 P1的金属材料，形成第二绝缘层12的有机绝缘材料更容易升华。因此，如上所述，第三孔VC以比第一孔VA及第二孔VB更加扩展的方式被形成。
接着，如图18所示，形成连接材料C，将第一导电层L1与第二导电层L2电连接。
更具体地，首先如图18的(A)所示，在腔室CB内设置显示面板 PNL之后，排出腔室CB内的空气，在真空中(低于大气压的气压环境下) 向第一孔VA注入连接材料C。这时，连接材料C有时不会流入至第一导电层L1，而是在连接材料C和第一导电层L1之间形成空间SP。但是空间SP是真空的。
然后，如图18的(B)所示，通过向腔室CB内导入空气、惰性气体等气体，使真空度降低，通过空间SP和显示面板PNL的周围的气压差，使连接材料C从第一孔VA流入第三孔VC、第二孔VB以及凹部CC，使连接材料C与第一导电层L1接触。连接材料C与第一导电层L1的内表面LS1及上表面LT1接触。
然后，如图18的(C)所示，通过除去连接材料C中包括的溶剂，连接材料C的体积减小，中空部分HL被形成。这样形成的连接材料C在第一孔VA中分别与第二导电层L2及第二基体20接触，在第三孔VC中分别与遮光层BM、外涂层OC、密封件SE及第二绝缘层12接触，在第二孔VB中与第一导电层L1接触，在凹部CC中与第一基体10接触。
此外，参照图18说明的连接材料C的形成方法只是一例而已，并不限定于此。例如，在大气压下向第一孔VA注入连接材料C后，除去连接材料C中包括的溶剂，即使是这样的方法，也能够形成与上述相同的连接材料C。
接着，如图19的(A)所示，形成保护材料PF。在图中示出的例子中，保护材料PF在填充连接材料C的中空部分HL的同时，覆盖第二导电层L2及连接材料C。由此，第二基板SUB2的表面SUB2A几乎被平坦化，能够缓和与连接用孔V1重叠的部分的落差。
接着，如图19的(B)所示，将第二光学元件OD2和保护材料PF 粘接。在图中示出的例子中，第二光学元件OD2也延伸至与连接用孔V1 重叠的部分。由于连接用孔V1引起的落差被保护材料PF缓和，因此在粘接第二光学元件OD2时，能够抑制第二光学元件OD2的底部的落差导致的第二光学元件OD2的剥离。
<<第一变形例>>
图21是示出本实施方式的第一变形例的俯视图。第一变形例相当于显示装置DSP的变形例。图21所示的第一变形例，与图10所示的构成例相比较，不同点在于在第二基板SUB2设置的各检测电极Rx具备多个端子部RT。图21中示出了检测电极Rx1至Rx4，这里着眼于检测电极 Rx1，对其结构例进行说明。
即，检测电极Rx1具备检测部RS11及RS12、端子部RT11及RT12、连接部CN11及CN12。
检测部RS11及RS12分别位于显示区域DA，在第一方向X上延伸。在图中示出的例子中，一个检测电极Rx1具备两个检测部RS11及RS12，但也可具备三个以上的检测部RS，也可具备一个检测部RS。
连接部CN11及CN12均位于非显示区域NDA，夹着显示区域DA位于相反侧。连接部CN11及CN12分别在第二方向Y上延伸，将在第二方向Y上排列的检测部RS11与RS12互相连接。
端子部RT11及RT12位于非显示区域NDA，与连接部CN11连接。
另一方面，第一基板SUB1具备与一个检测电极Rx1相对应的多个焊盘P11及P12。焊盘P11及P12与布线W1连接。在俯视观察时，焊盘P11 及P12分别被形成在与端子部RT11及RT12重叠的位置。
连接用孔V11被形成在端子部RT11与焊盘P11相对的位置。如参照图1等进行说明的那样，在连接用孔V11设置有连接材料C。由此，端子部RT11与焊盘P11被电连接。同样地，连接用孔V12被形成在端子部RT12 和焊盘P12相对的位置，通过图中没有示出的连接材料C，端子部RT12 与焊盘P12被电连接。
根据这种第一变形例，一个检测电极Rx具有多个端子部RT，且设置有与各端子部RT相对的焊盘P，通过使各端子部RT与焊盘P通过连接材料C电连接，即使在一个端子部RT和焊盘P之间发生连接不良，其他端子部RT和焊盘P之间也能够电连接，因此能够提高可靠性。
<<第二变形例>>
图22是示出本实施方式的第二变形例的俯视图。第二变形例相当于检测电极Rx中的端子部RT的变形例。虽然这里着眼于对包括图21中用虚线围起来的端子部RT32的检测电极Rx3进行说明，但图22所示的第二变形例当然也适用于上述其他构成例中的端子部。图23是包括图22所示的端子部RT32的沿C-D线切断的显示装置DSP的截面图。
检测电极Rx3几乎整体由具备第一层L31及第二层L32的层叠体构成。即，在检测电极Rx3中，检测部、连接部以及端子部均由层叠体构成。此外，检测电极Rx3并不限定于二层结构，也可以是三层以上的层叠体。
第一层L31是低电阻的导电层，构成检测电极Rx3的主要部分。作为一例，第一层L31是由铝(Al)、钛(Ti)、银(Ag)、钼(Mo)、钨(W)、铜(Cu)、铬(Cr)等金属材料或这些金属材料组合而成的合金形成的金属层。
第二层L32是抑制第一层L31的反射的反射抑制层，具有低于第一层 L31的反射率，实质上是其表面的颜色被目测识别为黑色的暗化层。作为一例，第二层L32具有比第一层L31的电阻更高的电阻。第二层L32既可以由导电材料形成，也可以由绝缘材料形成。第二层32本身既可以是多层体，也可以是单层体。此外，第二层L32既可以由黑色树脂等有机材料形成，也可以由金属氧化物等无机材料形成，也可以由有机材料及无机材料两者形成。
例如，第二层L32由折射率互不相同的多个电介质层层叠而成的电介质多层体构成。作为一例，高折射率的电介质层由TiO2、Nb2O5或Ta2O5形成，低折射率的电介质由SiO2或MgF2形成。
在其他例子中，第二层L32由黑色树脂等光吸收材料构成。
如图22所示，端子部RT32具有第二层L32被除去的开口部AP。开口部AP贯通至第一层L31。在图22中，右上倾斜的斜线示出的区域相当于第一层L31及第二层L32层叠的区域，右下倾斜的斜线示出的区域相当于第二层L32被除去、第一层L31存在的区域。这种开口部AP沿端子部 RT32的轮廓形成，在图中示出的例子中，具有由微小的圆形的开口APA 连接而成的环状的形状。此外，开口部AP的形状并不限于图中示出的例子，此外，也可由微小的开口APA以不连续的方式形成。开口APA，例如能够通过照射激光形成。
在端子部RT32的中央部形成有连接用孔V32。连接材料C与端子部 RT32接触，同时通过连接用孔V32与焊盘P32接触。连接材料C在端子部RT32的开口部AP中与作为导电层的第一层L31接触。连接材料C的中空部分被填充材料FI填充。除了连接材料C之外，填充材料FI也覆盖检测电极Rx3的第二层L32和开口部AP中的第一层L31等。此外，检测电极Rx3整体也可被保护材料覆盖。
根据这种第二变形例，在向连接用孔V32注入糊剂状的连接材料C 时，在连接材料C对第二层L32的润湿性低于连接材料C对第一层L31 的润湿性的情况下，在开口部AP中连接材料C在第一层L31的表面扩散，能够提供检测电极Rx3和连接材料C的导电性。此外，除了第一层L31 之外，在第二层L32也具有导电性的情况下，由于连接材料C与开口部 AP的第一层L31及非开口部的第二层L32两者接触，因此能够扩大连接材料C与检测电极Rx3的接触面积。
<<第三变形例>>
图24是示出本实施方式的第三变形例的截面图。第三变形例相当于显示装置DSP的变形例。图24所示的第三变形例，与图16A所示的构成例相比较，不同点在于连接材料C不仅与焊盘P1(第一导电层L1)接触，也与第三导电层L3接触。
第一基板SUB1还具有第三导电层L3。第三导电层L3位于第二绝缘层12和密封件SE之间。第三导电层L3，例如由钼、钨、钛、铝、银、铜、铬等金属材料或这些金属材料组合而成的合金等形成，既可以是单层结构，也可以是多层结构。例如，第三导电层L3能够和图12所示的金属层M一起，利用相同材料同时形成。第三导电层L3与焊盘P1电连接。在本变形例中，第三导电层L3通过第二绝缘层12上形成的接触孔CH与焊盘P1接触。连接用孔V1具有贯通第三导电层L3的第四孔VD。第四孔VD与第一部分VC1和第二部分VC2连接。
图25是示出图24所示的密封件SE及第三导电层L3的截面图。在俯视观察时，第四孔VD被形成为圆形。第二部分VC2在X-Y平面内比第四孔VD全方位地进行了扩展。在俯视观察时，第二部分VC2的大小大于第四孔VD的大小。第二部分VC2沿第一方向X的宽度W23大于第四孔VD沿第一方向X的宽度W24。
在本变形例中，通过激光的照射，显示面板PNL被供给热能之后，比起形成第三导电层L3的金属材料，形成第二绝缘层12的有机绝缘材料以及形成密封件SE的有机绝缘材料更容易升华。因此，如上所述，第一部分VC1及第二部分VC2的大小大于第四孔VD的大小。
第三导电层L3具有没有被第二绝缘层12及密封件SE覆盖的环状部分RI。连接材料C与第三导电层L3的环状部分RI接触。在图25中，在环状部分RI中附加了斜线。
此外，在对显示面板PNL照射激光以形成连接用孔V1后，也可以进行灰化。由此，能够除去连接用孔V1的内部可能存在的有机绝缘材料的残渣，因此能够使上述环状部分RI进一步地露出。
根据第三变形例，连接材料C不仅与焊盘P1接触，也与第三导电层 L3接触。因此，能够扩大接触面积，即连接材料C与第三导电层L3的接触面积。
<<第二实施方式：第一构成例>>
下面，对第二实施方式进行说明。在第二实施方式中，主要着眼于连接用孔V中的第一孔VA进行说明。
图26是示出本实施方式的显示装置DSP的第一构成例的截面图。
第二基体20具有：主面20A，与第一基板SUB1相对；主面20B，位于主面20A的相反侧。主面20A相当于第一主面，主面20B相当于第二主面。主面20A与第一导电层L1相对，且从第一导电层L1向第三方向Z分离。在图中示出的例子中，第二导电层L2位于主面20B。第一基体10、第一导电层L1、第二基体20以及第二导电层L2依次在第三方向 Z上排列。在第一导电层L1和第二基体20之间，有有机绝缘层OI位于此，有时也会有无机绝缘层或其他导电层位于此，也可以有空气层位于此。
连接材料C在第二基板SUB2中分别与第二导电层L2的上表面LT2 及内表面LS2、以及第二基体20的内表面20S接触。此外，连接材料C 与有机绝缘层OI的内表面OIS接触。此外，连接材料C在第一基板SUB1 中分别与第一导电层L1的上表面LT1及内表面LS1、以及凹部CC接触。在图中示出的例子中，连接材料C分别设置在第一孔VA的内表面(即内表面LS2及内表面20S)、第三孔VC的内表面(即内表面OIS)、第二孔 VB的内表面(即内表面LS1)以及凹部CC中，但在各孔的中心部附近，连接材料C没有被填充。因此，连接材料C具有中空部分。这种形状的连接材料C通过在大气压下或者低于大气压的气压环境下从第一孔VA注入，并除去连接材料C中包括的溶剂而形成。
连接材料C的中空部分被填充了绝缘性的填充材料FI。在图中示出的例子中，填充材料FI在主面20B上覆盖与第二导电层L2重叠的连接材料C，同时覆盖与连接材料C不重叠的第二导电层L2，与第二基体20的主面20B接触。填充材料FI，例如由丙烯酸类树脂等有机绝缘材料形成。此外，连接材料C也可以以填埋第一孔VA、第三孔VC、第二孔VB以及凹部CC的方式被填充。这种连接材料C在第一导电层L1和第二导电层 L2之间不中断地被连续形成。由此，第二导电层L2通过连接材料C及第一导电层L1与布线基板SUB3电连接。
在这种第二实施方式中，也能够获得与第一实施方式相同的效果。此外，连接材料C不仅与第二导电层L2的内表面LS2接触，也与上表面LT2 接触，因此能够扩大连接材料C与第二导电层L2的接触面积，能够抑制连接材料C与第二导电层L2的连接不良。此外，由于连接材料C不仅与第一导电层L1的内表面LS1接触，也与上表面LT1接触，因此能够扩大连接材料C与第一导电层L1的接触面积，能够抑制连接材料C与第一导电层L1的连接不良。此外，通过在连接材料C的中空部分填充填充材料 FI，能够缓和因连接材料C中形成有中空部分而引起的第三方向Z上的落差。此外，由于填充材料FI覆盖连接材料C及第二导电层L2，因此能够保护第二导电层L2及连接材料C。
此外，根据本实施方式，第一孔VA具备沿主面20A的第一部分VA1、沿主面20B的第二部分VA2，第一部分VA1小于第二部分VA2。换言之，第一孔VA的第一部分VA1在主面20A内设置，第二部分VA2在主面20B 内设置。再换言之，第一部分VA1是第一主面20A中第一孔VA的界面，第二部分VA2是第二主面20B中第一孔VA的界面。在截面观察时，第一孔VA被形成为第二方向Y上的宽度随着沿第三方向Z向上方(即随着从主面10A向主面20B)而扩大的正锥形。此外，在截面观察时，内表面 20S被形成为直线状。内表面20S和主面20B所成的角度θ是大于90°的钝角。此外，内表面20S并不限于图中示出的例子，在截面观察时是包括直线及曲线中的至少一方的形状。
在这种形状的第一孔VA中，在后文所述的连接材料C的形成过程中，更多的连接材料C被配置在内表面20S。作为一例，在第二部分VA2附近的内表面20S上配置的连接材料C在第二方向Y上的宽度W11大于在凹部CC中配置的连接材料C在第二方向Y上宽度W12。此外，由于所成的角度θ是钝角，因此能够抑制与第二导电层L2接触的连接材料C、与内表面20S接触的连接材料C中断。
此外，虽然没有详细叙述，但第二孔VB和凹部CC在第二方向Y上的宽度等于或小于第一部分VA1在第二方向Y上的宽度，小于第二部分 VA2在第二方向Y上的宽度。
图27是示出第二基体20中形成的第一孔VA的第一构成例的立体图。
在图中示出的例子中，第一部分VA1及第二部分VA2均被形成为圆形。第一孔VA被形成为圆锥台状。第一部分VA1相当于图27中右上倾斜的斜线示出的区域，第二部分VA2相当于图27中右下倾斜的斜线示出的区域。第一部分VA1的面积小于第二部分VA2的面积。此外，第一部分VA1的直径D1小于第二部分VA2的直径D2。这里的直径D1及D2 相当于沿第一方向X的长度。作为一例，直径D2是直径D1的2～4倍。此外，第一部分VA1的中心O1以及第二部分VA2的中心O2位于与第二基体20的法线(第三方向Z)平行的同一条直线LA上。
<<第二构成例>>
图28A是示出第一孔VA的第二构成例的截面图。图28A所示的第二构成例，与图26所示的第一构成例相比较，不同点在于在截面观察时内表面20S被形成为包括曲线20C的形状。此外，内表面20S也可被形成为由多条曲线20C组合而成的形状。
<<第三构成例>>
图28B是示出第一孔VA的第三构成例的截面图。图28B所示的第三构成例，与图26所示的第一构成例相比较，不同点在于在截面观察时内表面20S被形成为包括直线20L及曲线20C的形状。在图中示出的例子中，直线20L位于第一部分VA1侧，曲线20C位于第二部分VA2侧。此外，直线20L也可位于第二部分VA2侧，曲线20C也可位于第一部分VA1 侧。此外，以第二基体20沿第三方向Z的厚度的1/2的中间位置20M作为基准时，相比中间位置20M，曲线20C位于第二部分VA2侧，但也可超过中间位置20M向第一部分VA1侧延伸。
<<第四构成例>>
图28C是示出第一孔VA的第四构成例的截面图。图28C所示的第四构成例，与图26所示的第一构成例相比较，不同点在于在截面观察时内表面20S被形成为包括直线20L、曲线20C1及20C2的形状。在图中示出的例子中，曲线20C1位于第一部分VA1侧，曲线20C2位于第二部分VA2 侧，直线20L位于曲线20C1和曲线20C2之间。此外，内表面20S也可被形成为由多条直线20L和多条曲线20C组合而成的形状。
<<第五构成例>>
图29A是示出第一孔VA的第五构成例的截面图。在图29A所示的第五构成例中，第一孔VA在第一部分VA1和第二部分VA2之间具有第三部分VA3。第三部分VA3与X-Y平面平行，相比中间位置20M，位于第一部分VA1侧。
在第一部分VA1和第三部分VA3之间、以及在第三部分VA3及第二部分VA2之间，第一孔VA分别被形成为第二方向Y上的宽度随着沿第三方向Z向上方而扩大的正锥形。在图中示出的例子中，内表面20S中的第三部分VA3和第二部分VA2之间的内表面S23是比第一部分VA1和第三部分VA3之间的内表面S13平缓的緩斜面。即，第三部分VA3和内表面S23所成的角度θ3大于第一部分VA1和内表面S13所成的角度θ1。此外，θ1及θ3均是钝角。此外，在图29A至图29C中，在截面观察时内表面S13及S23均既可以是直线，也可以是曲线，也可以是直线和曲线组合而成的形状。
<<第六构成例>>
图29B是示出第一孔VA的第六构成例的截面图。图29B所示的第六构成例，与图29A所示的第五构成例相比较，不同点在于第一孔VA在第一部分VA1和第三部分VA3之间在第二方向Y上具有大致规定的宽度。在图中示出的例子中，所成的角度θ1大致为90°。
<<第七构成例>>
图29C是示出第一孔VA的第七构成例的截面图。图29C所示的第七构成例，与图29A所示的第五构成例相比较，不同点在于第一孔VA在第一部分VA1和第三部分VA3之间被形成为第二方向Y上的宽度随着沿第三方向Z向上方而缩小的倒锥形。在图中示出的例子中，所成的角度θ1 是锐角。
<<焊盘的变形例>>
图30是放大图10所示的焊盘P1的俯视图。这里在图中示出了位于沿第二方向Y的面板端部PNLE的焊盘P1，而省略了与焊盘P1连接的布线和焊盘P1周围的布线等的图示。在图中示出的例子中，焊盘P1被形成为八边形。此外，焊盘P1与密封件SE重叠，例如由和图12所示的信号线S相同的材料形成。在焊盘P1中形成有贯通焊盘P1的缝隙ST。在图中示出的例子中，缝隙ST分别在第二方向Y上延伸，在第一方向X上排列。由此，在使用感光性树脂材料形成密封件SE的情况下，由于感光性树脂材料中与焊盘P1重叠的区域会通过缝隙ST被曝光，因此能够防止密封件SE未固化。此外，焊盘P1中形成的缝隙ST的个数、缝隙ST的形状并不限于图中示出的例子。
这里，着眼于焊盘P1和第一孔VA、第二孔VB以及第三孔VC的位置关系。在俯视观察时，贯通焊盘P1的第二孔VB被形成在和第一孔VA 的第一部分VA1大致相同的位置，且被形成为和第一部分VA1大致相同的大小。第一部分VA1及第二孔VB被形成为小于焊盘P1在第一方向X 及第二方向Y上的宽度的圆形，位于焊盘P1的大致中央。缝隙ST位于第二孔VB的周围。第一孔VA的第二部分VA2大于第一部分VA1，在图中示出的例子中，也大于焊盘P1。如此，如上所述，由于第一孔VA被形成为正锥形，因此只要第一孔VA中的至少第一部分VA1或第二孔VB被形成为小于焊盘P1即可，第二部分VA2也可被形成为大于焊盘P1。
密封件SE被包括在图26所示的有机绝缘层OI中。图中示出的第三孔VC将包括密封件SE的有机绝缘层OI贯通至焊盘P1。如图30中右上倾斜的斜线所示，第二孔VB和第三孔VC之间的区域BC相当于焊盘P1 (包括缝隙ST)中与有机绝缘层OI重叠的区域。区域BC被形成为环状。图26所示的连接材料C与位于区域BC的焊盘P1接触。
在图中示出的例子中，如图30中的实线所示，第一部分VA1及第二孔VB以跨相邻的两个缝隙ST的方式被形成。此外，如图30中的虚线所示，第一部分VA1及第二孔VB被形成在两个缝隙ST之间，也可被形成为与任何一个缝隙ST都不重叠。
<<显示面板：第一构成例>>
图31是包括图10所示的连接用孔V1的沿A-B线切断的显示面板 PNL的第一构成例的截面图。这里仅在图中示出说明所需的主要部分。
第一基板SUB1具备第一基体10、相当于第一导电层L1的焊盘P1、相当于有机绝缘层OI的第二绝缘层12等。在第一基体10和焊盘P1之间、以及在第一基体10和第二绝缘层12之间，也可配置图12所示的第一绝缘层11或其他绝缘层或其他导电层。
第二基板SUB2具备第二基体20、相当于第二导电层L2的检测电极 Rx1、相当于有机绝缘层OI的遮光层BM以及外涂层OC等。检测电极 Rx1中至少检测部RS及端子部RT1的一部分被保护材料PF覆盖。保护材料PF，例如由丙烯酸类树脂等有机绝缘材料形成。
密封件SE相当于有机绝缘层OI，位于第二绝缘层12和外涂层OC 之间。液晶层LC位于第一基板SUB1和第二基板SUB2之间。此外，虽然图中没有示出，但在第二绝缘层12和密封件SE之间，也可存在图12 所示的金属层M、第三绝缘层13、第一取向膜AL1。此外，在外涂层OC 和密封件SE之间，也可存在图12所示的第二取向膜AL2。
连接用孔V1包括贯通第二基体20及检测电极Rx的端子部RT的第一孔VA、贯通焊盘P1的第二孔VB、贯通各种有机绝缘层OI的第三孔 VC、以及在第一基体10中形成的凹部CC。第三孔VC具有贯通第二绝缘层12的第一部分VC1、贯通密封件SE的第二部分VC2、以及贯通遮光层BM及外涂层OC的第三部分VC3。在密封件SE和第二绝缘层12 之间存在第一取向膜AL1的情况下，第一部分VC1也贯通第一取向膜AL1。在密封件SE和外涂层OC之间存在第二取向膜AL2的情况下，第三部分 VC3也贯通第二取向膜AL2(参照图12)。第一部分VC1、第二部分VC2 以及第三部分VC3依次在第三方向Z上排列。第二部分VC2与第一部分 VC1及第三部分VC3连接。
连接材料C设置于连接用孔V1，将焊盘P1与检测电极Rx电连接。连接材料C的中空部分被绝缘性的填充材料FI填充。这里对连接用孔V1 中与连接材料C接触的部件进行更具体的说明。即，连接材料C在第一孔VA中分别与端子部RT1及第二基体20接触。此外，连接材料C在第三部分VC3中分别与遮光层BM及外涂层OC接触，在第二部分VC2中与密封件SE接触，此外，在第一部分VC1中与第二绝缘层12接触。此外，连接材料C在第二孔VB中与焊盘P1接触，在凹部CC中与第一基体10接触。在图中示出的例子中，由于在焊盘P1设置有缝隙ST，因此连接材料C在缝隙ST中与焊盘P1的侧面PS也接触。因此，与焊盘P1 中没有设置缝隙ST的情况相比较，能够扩大焊盘P1与连接材料C的接触面积。
<<显示面板：第二构成例>>
图32是示出包括图10所示的连接用孔V1的沿A-B线切断的显示面板PNL的第二构成例的截面图。此外，这里省略了焊盘P1的缝隙的图示。
图32所示的第二构成例与图31所示的第一构成例相比较，不同点在于第二绝缘层12在比焊盘P1更接近显示区域DA的一侧具有端部12E。即，第二绝缘层12没有被设置在焊盘P1和密封件SE之间。此外，在焊盘P1及第二绝缘层12和密封件SE之间，有时也可能存在第一取向膜AL1。
在这种第二构成例中，也能够获得与第一构成例相同的效果。
<<显示装置：第三构成例>>
图33是示出包括图10所示的连接用孔V1的沿A-B线切断的显示面板PNL的第三构成例的截面图。
图33所示的第三构成例与图31所示的第一构成例相比较，不同点在于具备相当于第三导电层的上部焊盘MP。上部焊盘MP位于第二绝缘层 12和密封件SE之间。这种上部焊盘MP由和图12所示的金属层M相同的材料形成。此外，上部焊盘MP也可和金属层M形成在同一层。上部焊盘MP位于焊盘P1的上方。第二绝缘层12位于焊盘P1和上部焊盘MP 之间。此外，第二绝缘层12具有贯通至焊盘P1的贯通部VP。上部焊盘 MP通过贯通部VP与焊盘P1电连接。上部焊盘MP具有与第三孔VC连接的第四孔VD。在图中示出的例子中，第四孔VD与第三孔VC的第一部分VC1及第二部分VC2连接。连接材料C除了与焊盘P1接触之外，也与上部焊盘MP接触。
根据这种第三构成例，也能够获得与第一构成例相同的效果。此外，与第一构成例相比较，由于存在与连接材料C接触的上部焊盘MP，因此能够扩大接触面积。
如上所述，根据本实施方式，能够提供能够实现窄边框化及低成本化的显示装置及其制造方法。
此外，虽然对本发明的若干实施方式进行了说明，但这些实施方式均作为例子提出，并不意味着限定了发明的范围。这些新的实施方式也能够以其他各种方式实施，在不脱离发明主旨的范围内，能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围及主旨中，同时也包含在本发明的保护范围中记载的发明及其等同的范围中。
以下附记能够从本说明书中公开的结构获得的显示装置的一例。
(1)一种电子设备，具备：第一基板，具备第一基体和第一导电层；第二基板，具备与所述第一导电层相对且从所述第一导电层分离的第二基体和第二导电层，所述第二基板具有贯通所述第二基体的第一孔；以及连接材料，通过所述第一孔将所述第一导电层与所述第二导电层电连接。
(2)根据(1)所述的电子设备，所述第一导电层具有与所述第一孔相对的第二孔。
(3)根据(2)所述的电子设备，所述第一导电层具有第一上表面和面向所述第二孔的第一内表面，所述连接材料与所述第一上表面及所述第一内表面接触。
(4)根据(2)所述的电子设备，所述第一基体具有与所述第二孔相对的凹部。
(5)根据(4)所述的电子设备，所述连接材料与所述凹部接触。
(6)根据(1)所述的电子设备，所述第二导电层位于与所述第二基体的所述第一导电层相对的一侧的相反侧。
(7)根据(2)所述的电子设备，具备有机绝缘层，该有机绝缘层位于所述第一导电层和所述第二基体之间，所述有机绝缘层具有与所述第一孔及所述第二孔连接的第三孔。
(8)根据(7)所述的电子设备，所述有机绝缘层具备：第一有机绝缘层，设置于所述第一基板；密封件，贴合所述第一基板和所述第二基板；以及第二有机绝缘层，设置于所述第二基板，所述第三孔具有：第一部分，贯通所述第一有机绝缘层；第二部分，贯通所述密封件；以及第三部分，贯通所述第二有机绝缘层。
(9)根据(1)所述的电子设备，所述第二导电层具有第二上表面和面向所述第一孔的第二内表面，所述连接材料与所述第二上表面及所述第二内表面接触。
(10)根据(1)所述的电子设备，所述第二导电层具有：第一层；第二层，与所述第一层重叠且具有低于所述第一层的反射率；以及开口部，所述第二层被除去，露出所述第一层，所述连接材料与所述第二层接触，且在所述开口部与所述第一层接触。
(11)根据(1)所述的电子设备，所述第一导电层具有第一上表面，电子设备具备有机绝缘层，该有机绝缘层位于所述第一导电层和所述第二基体之间且与所述第一上表面接触，所述有机绝缘层具有与所述第一孔连接的第三孔，所述连接材料通过所述第三孔与所述第一上表面接触。
(12)根据(11)所述的电子设备，所述第一导电层具有与所述第一孔相对的第二孔和面向所述第二孔的第一内表面，所述连接材料与所述第一内表面接触。
(13)根据(12)所述的电子设备，在俯视观察时，所述第三孔大于所述第二孔。
(14)根据(11)所述的电子设备，所述第一上表面中与所述连接材料接触的部分被形成为环状。
(15)根据(11)所述的电子设备，所述有机绝缘层具备：第一有机绝缘层，设置于所述第一基板，与所述第一上表面接触；以及密封件，贴合所述第一基板和所述第二基板，所述第三孔具有：第一部分，贯通所述第一有机绝缘层；以及第二部分，贯通所述密封件，所述第一基板具备第三导电层，所述第三导电层位于所述第一有机绝缘层和所述密封件之间且与所述第一导电层电连接，所述第三导电层具有：未被所述第一有机绝缘层及所述密封件覆盖的环状部分，所述连接材料与所述环状部分接触。
(16)根据(2)所述的电子设备，所述第一导电层在所述第二孔的周围具有缝隙。
(17)根据(8)所述的电子设备，所述有机绝缘层具备：第一有机绝缘层，设置于所述第一基板；以及第二有机绝缘层，设置于所述第二基板；以及密封件，贴合所述第一基板和所述第二基板，所述第一基板具备第三导电层，所述第三导电层位于所述第一有机绝缘层和所述密封件之间，与所述第一导电层电连接，所述第三导电层具有与所述第三孔连接的第四孔。
(18)根据(1)所述的电子设备，所述第二基体具有：第一主面，与所述第一导电层相对；以及第二主面，位于所述第一主面的相反侧，所述第一孔贯通所述第一主面和所述第二主面，所述第一孔具备：第一部分，设置于所述第一主面内；以及第二部分，设置于所述第二主面内，所述第一部分小于所述第二部分。
(19)根据(18)所述的电子设备，在截面观察时，所述第一孔的宽度随着从所述第一主面向所述第二主面而增加。
(20)根据(18)所述的电子设备，所述第一部分及所述第二部分是圆形，所述第一孔被形成为圆锥台状。
(21)根据(20)所述的电子设备，所述第一部分及所述第二部分各自的中心位于与所述第二基体的法线平行的同一直线上。
(22)根据(18)所述的电子设备，在截面观察时，所述第一孔在所述第一部分和所述第二部分之间包括直线及曲线中的至少一方。
(23)一种电子设备，具备：第一基板，具备第一基体和第一导电层；第二基板，具备与所述第一导电层相对且从所述第一导电层分离的第二基体和第二导电层，所述第二基板具有贯通所述第二基体的第一孔；以及连接材料，通过所述第一孔将所述第一导电层及所述第二导电层电连接，所述第二导电层具备：检测部，在第一区域检测被检测物的接触或接近；以及端子部，在与所述第一区域相邻的第二区域与所述检测部连接，所述第一孔在所述端子部中形成。
(24)根据(23)所述的电子设备，所述电子设备具备检测电路，所述检测电路与所述第一导电层电连接，读取从所述第二导电层输出的传感器信号。
(25)根据(24)所述的电子设备，所述第一基板具备与所述检测部交叉的传感器驱动电极。
(26)一种电子设备的制造方法，准备第一基板和第二基板，所述第一基板具备第一基体及第一导电层，所述第二基板具备第二基体及第二导电层，所述第二基体与所述第一导电层相对且从所述第一导电层分离，对所述第二基板照射激光并形成贯通所述第二基体的第一孔，形成通过所述第一孔将所述第一导电层与所述第二导电层电连接的连接材料。
(27)根据(26)所述的电子设备的制造方法，在照射所述激光时，形成贯通与所述第一孔相对的位置的所述第一导电层的第二孔。
(28)根据(27)所述的电子设备的制造方法，在照射所述激光时，在与所述第二孔相对的位置的所述第一基体形成凹部。
(a1)一种电子设备，具备：第一基板，具备第一玻璃基体和第一导电层；第二基板，具备与所述第一导电层相对且从所述第一导电层分离的第二玻璃基体、和第二导电层，所述第二基板具有贯通所述第二玻璃基体的第一孔；以及连接材料，通过所述第一孔将所述第一导电层与所述第二导电层电连接。
(a2)根据(a1)所述的电子设备，所述第一导电层具有与所述第一孔相对的第二孔。
(a3)根据(a2)所述的电子设备，所述连接材料与所述第一导电层的上表面及所述第二孔中的所述第一导电层的内表面接触。
(a4)根据(a2)或(a3)所述的电子设备，所述第一玻璃基体具有与所述第二孔相对的凹部。
(a5)根据(a4)所述的电子设备，所述连接材料与所述凹部接触。
(a6)根据(a1)至(a5)中任一项所述的电子设备，所述第二导电层位于与所述第二玻璃基体的所述第一导电层相对的一侧的相反侧。
(a7)一种电子设备，具备：第一基板，具备第一玻璃基体和第一导电层；第二基板，具备与所述第一导电层相对且从所述第一导电层分离的第二玻璃基体、和第二导电层，所述第二基板具有贯通所述第二玻璃基体的第一孔；以及连接材料，通过所述第一孔将所述第一导电层与所述第二导电层电连接，所述第二导电层具备：检测部，在第一区域检测被检测物的接触或接近；以及端子部，在与所述第一区域相邻的第二区域与所述检测部连接，所述第一孔在所述端子部中形成。
(a8)根据(a7)所述的电子设备，所述电子设备具备检测电路，所述检测电路与所述第一导电层电连接，读取从所述第二导电层输出的传感器信号。
(a9)根据(a7)或(a8)所述的电子设备，所述第一基板具备与所述第二导电层交叉的传感器驱动电极。
(a10)根据(a2)所述的电子设备，所述电子设备具备有机绝缘层，所述有机绝缘层位于所述第一导电层和所述第二玻璃基体之间，所述有机绝缘层具有与所述第一孔及所述第二孔连接的第三孔。
(a11)根据(a10)所述的电子设备，所述有机绝缘层具备：第一有机绝缘层，设置于所述第一基板；密封件，贴合所述第一基板和所述第二基板；以及第二有机绝缘层，设置于所述第二基板，所述第三孔具有：第一部分，贯通所述第一有机绝缘层；第二部分，贯通所述密封件；以及第三部分，贯通所述第二有机绝缘层。
(a12)根据(a1)至(a11)中任一项所述的电子设备，所述连接材料与所述第二导电层的上表面及内表面接触。
(a13)根据(a1)至(a11)中任一项所述的电子设备，所述第二导电层具有第一层和第二层的层叠体，所述第二层具有低于第一层的反射率，在所述第二导电层与所述连接材料接触的区域，具有所述第二层被除去的开口部，所述连接材料在所述开口部与所述第一层接触。
(a14)一种电子设备的制造方法，准备第一基板和第二基板，所述第一基板具备第一玻璃基体及第一导电层，所述第二基板具备第二玻璃基体及第二导电层，所述第二玻璃基体与所述第一导电层相对且从所述第一导电层分离，对所述第二基板照射激光并形成贯通所述第二玻璃基体的第一孔，形成通过所述第一孔将所述第一导电层与所述第二导电层电连接的连接材料。
(a15)根据(a14)所述的电子设备的制造方法，在照射所述激光时，形成贯通与所述第一孔相对的位置的所述第一导电层的第二孔。
(a16)根据(a15)所述的电子设备的制造方法，在照射所述激光时，在与所述第二孔相对的位置的所述第一玻璃基体形成凹部。
(b1)一种电子设备，具备：第一基板，具有第一玻璃基体和第一导电层；第二基板，具有与所述第一玻璃基体及所述第一导电层相对的第二玻璃基体、和第二导电层；有机绝缘层，位于所述第一导电层和所述第二玻璃基体之间，与所述第一导电层的上表面相接；连接用孔，具有贯通所述第二玻璃基体的第一孔、贯通所述第一导电层且与所述第一孔相对的第二孔、贯通所述有机绝缘层且与所述第一孔和所述第二孔连接的第三孔；以及连接材料，通过所述连接用孔将所述第一导电层与所述第二导电层电连接，所述连接材料与所述第一导电层的所述上表面和所述第二孔中的所述第一导电层的内表面接触。
(b2)根据(b1)所述的电子设备，在俯视观察时，所述第三孔的大小大于所述第二孔的大小。
(b3)根据(b1)所述的电子设备，所述第一导电层的所述上表面中与所述连接材料接触的区域未被所述有机绝缘层覆盖。
(b4)根据(b3)所述的电子设备，所述区域被形成为环状。
(b5)根据(b1)所述的电子设备，所述第二导电层位于与所述第二玻璃基体的所述第一导电层相对的一侧的相反侧。
(b6)根据(b1)所述的电子设备，所述有机绝缘层包括：第一有机绝缘层，设置于所述第一基板，与所述第一导电层的所述上表面接触；第二有机绝缘层，设置于所述第二基板；以及密封件，贴合所述第一基板和所述第二基板，所述第三孔具有：第一部分，贯通所述第一有机绝缘层；第二部分，贯通所述密封件；以及第三部分，贯通所述第二有机绝缘层。
(b7)根据(b1)所述的电子设备，所述有机绝缘层包括：第一有机绝缘层，设置于所述第一基板，与所述第一导电层的所述上表面接触；以及密封件，贴合所述第一基板和所述第二基板，所述第三孔具有：第一部分，贯通所述第一有机绝缘层；以及第二部分，贯通所述密封件，所述第一基板具有第三导电层，所述第三导电层位于所述第一有机绝缘层和所述密封件之间，包括未被所述第一有机绝缘层及所述密封件覆盖的环状部分，且与所述第一导电层电连接，所述连接用孔具有第四孔，所述第四孔贯通所述第三导电层且与所述第一部分和所述第二部分连接，所述连接材料与所述环状部分接触。
(b8)一种电子设备，具备：第一基板，具有第一玻璃基体和第一导电层；第二基板，具有与所述第一玻璃基体及所述第一导电层相对的第二玻璃基体、和第二导电层；有机绝缘层，位于所述第一导电层和所述第二玻璃基体之间，与所述第一导电层的上表面相接；连接用孔，具有贯通所述第二玻璃基体的第一孔、贯通所述第一导电层且与所述第一孔相对的第二孔、贯通所述有机绝缘层且与所述第一孔和所述第二孔连接的第三孔；以及连接材料，通过所述连接用孔将所述第一导电层与所述第二导电层电连接，所述连接材料与所述第一导电层的所述上表面和所述第二孔中所述第一导电层的内表面接触，所述第二导电层具有：检测部，位于第一区域；以及端子部，位于与所述第一区域相邻的第二区域，与所述检测部连接，所述第一孔设置于所述第二区域，所述连接材料在所述第二区域中与所述端子部电连接。
(b9)根据(b8)所述的电子设备，所述电子设备具备检测电路，所述检测电路与所述第一导电层电连接，读取从所述第二导电层输出的传感器信号。
(b10)根据(b8)所述的电子设备，所述第一基板具有与所述检测部交叉的传感器驱动电极。
(c1)一种电子设备，具备：第一基板，具备第一玻璃基体和第一导电层；第二基板，具备：第二玻璃基体，具有与所述第一导电层相对且从所述第一导电层分离的第一主面以及位于所述第一主面的相反侧的第二主面；第二导电层，位于所述第二主面，所述第二基板具有第一孔，所述第一孔贯通所述第一主面和所述第二主面；以及连接材料，通过所述第一孔将所述第一导电层与所述第二导电层电连接，所述第一孔具备：第一部分，设置于所述第一主面内；以及第二部分，设置于所述第二主面内，所述第一部分小于所述第二部分。
(c2)根据(c1)所述的电子设备，在截面观察时，所述第一孔的宽度随着从所述第一主面向所述第二主面而增加。
(c3)根据(c1)或(c2)所述的电子设备，所述第一部分及所述第二部分是圆形，所述第一孔被形成为圆锥台状。
(c4)根据(c3)所述的电子设备，所述第一部分及所述第二部分各自的中心位于与所述第二玻璃基体的法线平行的同一直线上。
(c5)根据(c1)或(c2)所述的电子设备，在截面观察时，所述第一孔的内表面包括直线及曲线中的至少一方。
(c6)根据(c1)至(c5)中任一项所述的电子设备，所述连接材料与所述第二导电层的上表面及所述第一孔中的所述第二导电层的内表面接触。
(c7)根据(c1)至(c6)中任一项所述的电子设备，所述第一导电层具有与所述第一孔相对的第二孔。
(c8)根据(c7)所述的电子设备，所述连接材料与所述第一导电层的上表面及所述第二孔中的所述第一导电层的内表面接触。
(c9)根据(c7)或(c8)所述的电子设备，所述第一玻璃基体具有与所述第二孔相对的凹部，所述连接材料与所述凹部接触。
(c10)根据(c7)至(c9)中任一项所述的电子设备，所述第一导电层在所述第二孔的周围具有缝隙。
(c11)一种电子设备，具备：第一基板，具备第一玻璃基体和第一导电层；第二基板，具备：第二玻璃基体，具有与所述第一导电层相对且从所述第一导电层分离的第一主面以及位于所述第一主面的相反侧的第二主面；第二导电层，位于所述第二主面，所述第二基板具有第一孔，所述第一孔贯通所述第一主面和所述第二主面；以及连接材料，通过所述第一孔将所述第一导电层与所述第二导电层电连接，所述第一孔具备：第一部分，设置于所述第一主面内；以及第二部分，设置于所述第二主面内，所述第一部分小于所述第二部分，所述第二导电层具备：检测部，在第一区域检测被检测物的接触或接近；以及端子部，在与所述第一区域相邻的第二区域与所述检测部连接，所述第一孔在所述端子部中形成。
(c12)根据(c11)所述的电子设备，所述电子设备具备检测电路，所述检测电路与所述第一导电层电连接，读取从所述第二导电层输出的传感器信号。
(c13)根据(c11)或(c12)所述的电子设备，所述第一基板具备与所述第二导电层交叉的传感器驱动电极。
(c14)根据(c11)至(c13)中任一项所述的电子设备，所述第一区域是配置有多个像素的显示区域，所述第二区域是包围所述显示区域的非显示区域。
(c15)一种电子设备，具备：第一基板，具备第一玻璃基体和第一导电层；第二基板，具备：第二玻璃基体，具有与所述第一导电层相对且从所述第一导电层分离的第一主面以及位于所述第一主面的相反侧的第二主面；第二导电层，位于所述第二主面，所述第二基板具有第一孔，所述第一孔贯通所述第一主面和所述第二主面；有机绝缘层，位于所述第一导电层和所述第二玻璃基体之间，具有与所述第一孔连接的第三孔；以及连接材料，通过所述第一孔及所述第三孔将所述第一导电层与所述第二导电层电连接，所述第一孔具备：第一部分，设置于所述第一主面内；以及第二部分，设置于所述第二主面内，所述第一部分小于所述第二部分。
(c16)根据(c15)所述的电子设备，所述有机绝缘层具备：第一有机绝缘层，设置于所述第一基板；密封件，贴合所述第一基板和所述第二基板；以及第二有机绝缘层，设置于所述第二基板，所述第三孔具有：第一部分，贯通所述第一有机绝缘层；第二部分，贯通所述密封件；以及第三部分，贯通所述第二有机绝缘层。
(c17)根据(c16)所述的电子设备，所述有机绝缘层具备：第一有机绝缘层，设置于所述第一基板；第二有机绝缘层，设置于所述第二基板；以及密封件，贴合所述第一基板和所述第二基板，所述电子设备具备第三导电层，所述第三导电层位于所述第一有机绝缘层和所述密封件之间且与所述第一导电层电连接，所述第三导电层具有与所述第三孔连接的第四孔。

Claims (23)

1.一种电子设备，其特征在于，具备：
第一基板，具备第一基体和第一导电层；
第二基板，具备与所述第一导电层相对且从所述第一导电层分离的第二基体、和第二导电层，所述第二基板具有贯通所述第二基体的第一孔；以及
连接材料，通过所述第一孔将所述第一导电层与所述第二导电层电连接，
所述第一导电层具有与所述第一孔相对的第二孔，
所述第一导电层具有第一上表面、和面向所述第二孔的第一内表面，
所述连接材料与所述第一上表面及所述第一内表面接触，
所述电子设备具备有机绝缘层，所述有机绝缘层位于所述第一导电层和所述第二基体之间且与所述第一上表面接触，
所述有机绝缘层具有与所述第一孔连接的第三孔，
所述连接材料通过所述第三孔与所述第一上表面接触，
所述有机绝缘层具备：第一有机绝缘层，设置于所述第一基板且与所述第一上表面接触；以及密封件，贴合所述第一基板和所述第二基板，
所述第三孔具有：第一部分，贯通所述第一有机绝缘层；以及第二部分，贯通所述密封件，
所述第一基板具备第三导电层，所述第三导电层位于所述第一有机绝缘层和所述密封件之间且与所述第一导电层电连接，
所述第三导电层具有：未被所述第一有机绝缘层及所述密封件覆盖的环状部分，
所述连接材料与所述环状部分接触。
2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，
所述第一基体具有与所述第二孔相对的凹部。
3.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，
所述连接材料与所述凹部接触。
4.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，
所述第二导电层位于与所述第二基体的所述第一导电层相对的一侧的相反侧。
5.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，
所述电子设备具备有机绝缘层，所述有机绝缘层位于所述第一导电层和所述第二基体之间，
所述有机绝缘层具有与所述第一孔及所述第二孔连接的第三孔。
6.根据权利要求5所述的电子设备，其特征在于，
所述有机绝缘层具备：第一有机绝缘层，设置于所述第一基板；密封件，贴合所述第一基板和所述第二基板；以及第二有机绝缘层，设置于所述第二基板，
所述第三孔具有：第一部分，贯通所述第一有机绝缘层；第二部分，贯通所述密封件；以及第三部分，贯通所述第二有机绝缘层。
7.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，
所述第二导电层具有第二上表面、和面向所述第一孔的第二内表面，
所述连接材料与所述第二上表面及所述第二内表面接触。
8.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，
所述第二导电层具有：第一层；第二层，与所述第一层重叠且具有低于所述第一层的反射率；以及开口部，所述第二层被除去，露出所述第一层，
所述连接材料与所述第二层接触，且在所述开口部与所述第一层接触。
9.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，
在俯视观察时，所述第三孔大于所述第二孔。
10.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，
所述第一上表面中与所述连接材料接触的部分被形成为环状。
11.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，
所述第一导电层在所述第二孔的周围具有缝隙。
12.根据权利要求6所述的电子设备，其特征在于，
所述有机绝缘层具备：第一有机绝缘层，设置于所述第一基板；第二有机绝缘层，设置于所述第二基板；以及密封件，贴合所述第一基板和所述第二基板，
所述第一基板具备第三导电层，所述第三导电层位于所述第一有机绝缘层和所述密封件之间且与所述第一导电层电连接，
所述第三导电层具有与所述第三孔连接的第四孔。
13.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，
所述第二基体具有：第一主面，与所述第一导电层相对；以及第二主面，位于所述第一主面的相反侧，
所述第一孔贯通所述第一主面和所述第二主面，
所述第一孔具备：第一部分，设置于所述第一主面内；以及第二部分，设置于所述第二主面内，所述第一部分小于所述第二部分。
14.根据权利要求13所述的电子设备，其特征在于，
在截面观察时，所述第一孔的宽度随着从所述第一主面向所述第二主面而增加。
15.根据权利要求13所述的电子设备，其特征在于，
所述第一部分及所述第二部分是圆形，所述第一孔被形成为圆锥台状。
16.根据权利要求15所述的电子设备，其特征在于，
所述第一部分及所述第二部分各自的中心位于与所述第二基体的法线平行的同一直线上。
17.根据权利要求13所述的电子设备，其特征在于，
在截面观察时，所述第一孔在所述第一部分和所述第二部分之间包括直线及曲线中的至少一方。
18.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，
所述第二导电层具备：
检测部，在第一区域检测被检测物的接触或接近；以及
端子部，在与所述第一区域相邻的第二区域与所述检测部连接，
所述第一孔形成于所述端子部。
19.根据权利要求18所述的电子设备，其特征在于，
所述电子设备具备检测电路，所述检测电路与所述第一导电层电连接，读取从所述第二导电层输出的传感器信号。
20.根据权利要求19所述的电子设备，其特征在于，
所述第一基板具备与所述检测部交叉的传感器驱动电极。
21.一种电子设备的制造方法，其特征在于，
准备第一基板和第二基板，所述第一基板具备第一基体及第一导电层，所述第二基板具备第二基体及第二导电层，所述第二基板与所述第一导电层相对且从所述第一导电层分离，
对所述第二基板照射激光并形成贯通所述第二基体的第一孔，
在所述第一导电层形成与所述第一孔相对的第二孔，
形成通过所述第一孔与所述第二孔将所述第一导电层与所述第二导电层电连接的连接材料，
所述第一导电层具有第一上表面、和面向所述第二孔的第一内表面，
所述连接材料与所述第一上表面及所述第一内表面接触，
准备有机绝缘层，所述有机绝缘层位于所述第一导电层和所述第二基体之间且与所述第一上表面接触，
在所述有机绝缘层形成与所述第一孔连接的第三孔，
所述连接材料通过所述第三孔与所述第一上表面接触，
所述有机绝缘层具备：第一有机绝缘层，设置于所述第一基板且与所述第一上表面接触；以及密封件，贴合所述第一基板和所述第二基板，
所述第三孔具有：第一部分，贯通所述第一有机绝缘层；以及第二部分，贯通所述密封件，
所述第一基板具备第三导电层，所述第三导电层位于所述第一有机绝缘层和所述密封件之间且与所述第一导电层电连接，
所述第三导电层具有：未被所述第一有机绝缘层及所述密封件覆盖的环状部分，
所述连接材料与所述环状部分接触。
22.根据权利要求21所述的电子设备的制造方法，其特征在于，
在照射所述激光时，形成贯通与所述第一孔相对的位置的所述第一导电层的第二孔。
23.根据权利要求22所述的电子设备的制造方法，其特征在于，
在照射所述激光时，在与所述第二孔相对的位置的所述第一基体形成凹部。
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