JP2018017985A - 表示装置及び基板間導通構造 - Google Patents

Abstract

【課題】狭額縁化及び低コスト化を可能とする。
【解決手段】表示装置は、第１基板と、第２基板と、接続部材と、を具備している。第１基板は、第１ガラス基板と、第１導電層と、を備えている。第２基板は、第２ガラス基板と、第２導電層と、を備えている。第２ガラス基板は、第１主面と、第２主面と、を有している。第２基板には、貫通孔が形成されている。第１主面は、第１導電層と対向し且つ１導電層から離間している。第２主面に設けられた第２導電層は、第１凸条部を備えている。接続部材は、第１凸条部及び第１導電層に接触している。第１凸条部は、貫通孔の周囲に配置され、接続部材が充填された貫通孔を包囲している。
【選択図】図６

Description

本発明の実施形態は、表示装置及び基板間導通構造に関する。

表示装置等の電子機器において、配線実装のさらなる効率化及び低コスト化が要望されている。例えば特許文献１には、ＣＦ側基板に貫通穴を設けてこの貫通穴に接続導電体を充填することにより、ＣＦ側基板の表裏に形成されたＣＦ表面側パターンとＣＦ側裏面導電膜とを接続するＣＦ側貫通電極を形成する技術が開示されている。しかしながら、特許文献１に記載の液晶表示装置では、貫通穴に充填された接続導電体が所望の範囲を超えてＣＦ側基板の表面上に広がってしまうおそれがある。

特開２００９−２３７４１０号公報

本実施形態の目的は、所望の範囲に形成された基板間導通構造により、狭額縁化及び低コスト化が可能な表示装置を提供することにある。

一実施形態によれば、表示装置は、第１基板と、第２基板と、接続部材と、を具備している。第１基板は、第１ガラス基板と、第１導電層と、を備えている。第２基板は、第２ガラス基板と、第２導電層と、を備えている。第２ガラス基板は、第１主面と、第２主面と、を有している。第２基板には、貫通孔が形成されている。第１主面は、第１導電層と対向し且つ１導電層から離間している。第２主面に設けられた第２導電層は、第１凸条部を備えている。接続部材は、第１凸条部及び第１導電層に接触している。第１凸条部は、貫通孔の周囲に配置され、接続部材が充填された貫通孔を包囲している。

また、一実施形態によれば、基板間導通構造は、異なる基板間に設けられた第１及び第２導電層を接続部材によって電気的に接続する。第１基板は、第１ガラス基板と、第１導電層と、を備えている。第２基板は、第２ガラス基板と、第２導電層と、を備えている。第２ガラス基板は、第１主面と、第２主面と、を有している。第２基板には、貫通孔が形成されている。第１主面は、第１導電層と対向し且つ１導電層から離間している。第２主面に設けられた第２導電層は、第１凸条部を備えている。接続部材は、第１凸条部及び第１導電層に接触している。第１凸条部は、貫通孔の周囲に配置され、接続部材が充填された貫通孔を包囲している。

図１は、第１実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。 図２は、図１に示された表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を模式的に示す平面図である。 図３は、図１に示された表示パネルＰＮＬの表示領域ＤＡの構造を示す断面図である。 図４は、第１実施形態に係るセンサＳＳの一構成例を示す平面図である。 図５は、図１中のＦ５−Ｆ５線に沿う断面図である。 図６は、図５に示された第２導電層Ｌ２の平面図である。 図７は、図５に示された第１凸条部Ｒ１を拡大して示す断面図である。 図８は、第１実施形態に係る第１及び第２凸条部Ｒ１，Ｒ２の他の構成例を示す平面図である。 図９は、第１実施形態に係る第１及び第２凸条部Ｒ１，Ｒ２の他の構成例を示す平面図である。 図１０は、第１実施形態に係る第２導電層Ｌ２の他の構成例を示す平面図である。 図１１Ａは、第１実施形態の表示装置ＤＳＰの製造方法を説明する平面図である。 図１１Ｂは、図１１Ａ中のＦ１１Ｂ−Ｆ１１Ｂ線に沿う断面図である。 図１２Ａは、図１１Ａに続いて、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明する平面図である。 図１２Ｂは、図１２Ａ中のＦ１２Ｂ−Ｆ１２Ｂ線に沿う断面図である。 図１３Ａは、図１２Ａに続いて、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明する平面図である。 図１３Ｂは、図１３Ａ中のＦ１３Ｂ−Ｆ１３Ｂ線に沿う断面図である。 図１４Ａは、図１３Ａに続いて、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明する平面図である。 図１４Ｂは、図１４Ａ中のＦ１４Ｂ−Ｆ１４Ｂ線に沿う断面図である。 図１５Ａは、図１４Ａに続いて、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明する平面図である。 図１５Ｂは、図１５Ａ中のＦ１５Ｂ−Ｆ１５Ｂ線に沿う断面図である。 図１６は、第２実施形態に係る第２導電層Ｌ２の構成例を示す平面図である。 図１７は、第３実施形態に係る第２導電層Ｌ２の構成例を示す平面図である。 図１８は、第４実施形態に係る第２導電層Ｌ２の構成例を示す平面図である。

いくつかの実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者が発明の主旨を保って適宜変更について容易に想到し得るものは、当然に本発明の範囲に含まれる。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素について符号を省略することがある。また、本明細書及び各図において、既に説明した図と同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。

各実施形態において、電子機器の一例として表示装置を開示する。この表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブック型のパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。各実施形態で開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置等に適用可能である。

なお、電子機器は、表示装置に限られず、例えば表示装置に重ねて貼着される外付け型のタッチパネル基板であってもよい。本発明は、第１ガラス基板と第２ガラス基板とが間隔をあけて配置され、第２ガラス基板が貫通孔を有し、第１ガラス基板に位置する第１導電層と第２ガラス基板に位置する第２導電層とが当該貫通孔を通じて電気的に接続されている基板間導通構造を備えた種々の電子機器に適用できる。

図１は、第１実施形態の表示装置ＤＳＰの一例を示す平面図である。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。ここでは、表示装置ＤＳＰの一例として、センサＳＳを搭載した液晶表示装置について説明する。

表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、ＩＣチップＩ１、配線基板ＳＵＢ３、バックライトＢＬ（図３に示す）等を備えている。表示パネルＰＮＬは、液晶パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥと、液晶層ＬＣと、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第３方向Ｚにおいて第１基板ＳＵＢ１に対向している。シールＳＥは、図１において右上がりの斜線で示す部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着している。液晶層ＬＣは、シールＳＥの内側において第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に配置されている。

以下の説明において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方と称する。また、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かって見ることを平面視と称する。

表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡと、を備えている。表示領域ＤＡは、第１領域の一例であり、シールＳＥに囲まれた内側に位置している。非表示領域ＮＤＡは、第２領域の一例であり、表示領域ＤＡと隣接している。シールＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置している。

配線基板ＳＵＢ３は、第１基板ＳＵＢ１に実装されている。配線基板ＳＵＢ３は、例えば可撓性を有するフレキシブル基板である。なお、本実施形態で適用可能なフレキシブル基板とは、その少なくとも一部に、屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えていればよい。つまり、配線基板ＳＵＢ３は、その全体がフレキシブル部として構成されたフレキシブル基板であってもよいし、ガラスエポキシ等の硬質材料によって形成されたリジッド部及びポリイミド等の屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えたリジッドフレキシブル基板であってもよい。

ＩＣチップＩ１は、配線基板ＳＵＢ３に実装されている。なお、図１に示す例に限らず、ＩＣチップＩ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１に実装されていてもよいし、配線基板ＳＵＢ３に接続される外部回路基板に実装されていてもよい。ＩＣチップＩ１は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。ディスプレイドライバＤＤは、例えば、後述する信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含んでいる。また、図１に示す例では、ＩＣチップＩ１は、タッチパネルコントローラ等として機能する検出回路ＲＣを内蔵している。なお、検出回路ＲＣは、ＩＣチップＩ１とは異なる他のＩＣチップに内蔵されていてもよい。

表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１の下方からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型であってもよいし、第２基板ＳＵＢ２の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型であってもよい。或いは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型であってもよい。

センサＳＳは、表示装置ＤＳＰへの被検出物の接触或いは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサＳＳは、複数の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３，Ｒｘ４…）を備えている。検出電極Ｒｘは、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。各検出電極Ｒｘは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔をあけて並んでいる。検出電極Ｒｘは、本体部ＲＳと、接続部ＣＮと、を備えている。また、各検出電極Ｒｘは、端子部ＲＴ（ＲＴ１，ＲＴ２，ＲＴ３，ＲＴ４…）を備えている。

本体部ＲＳは、表示領域ＤＡに位置し、第１方向Ｘに延出している。検出電極Ｒｘにおいて、主として本体部ＲＳがセンシングに利用される。一例として、本体部ＲＳは、微細な金属細線の集合体によって帯状に形成できる。また、図１に示す例では、１つの検出電極Ｒｘが２本の本体部ＲＳを備えているが、３本以上の本体部ＲＳを備えていてもよいし、１本の本体部ＲＳを備えていてもよい。
また、隣り合う本体部ＲＳの間には、本体部ＲＳとほぼ同じ並びで金属細線を並べたダミー領域が存在する。当該ダミー領域の金属細線は、いずれの配線にも接続されないフローティング状態とされている。

端子部ＲＴは、非表示領域ＮＤＡの第１方向Ｘに沿う一端側に位置し、本体部ＲＳと繋がっている。接続部ＣＮは、非表示領域ＮＤＡの第１方向Ｘに沿う一端側及び他端側に位置し、複数の本体部ＲＳを互いに接続するとともに端子部ＲＴと繋がっている。図１において、一端側は表示領域ＤＡよりも左側に相当し、他端側は表示領域ＤＡよりも右側に相当する。端子部ＲＴの一部は、平面視でシールＳＥと重なる位置に形成されている。

第１基板ＳＵＢ１は、パッドＰ（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４…）及び配線Ｗ（Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…）を備えている。パッドＰ及び配線Ｗは、非表示領域ＮＤＡの一端側や他端側に位置し、平面視でシールＳＥと重なっている。パッドＰは、平面視で端子部ＲＴと重なる位置に形成されている。配線Ｗは、パッドＰに接続され、第２方向Ｙに沿って延出し、配線基板ＳＵＢ３を介してＩＣチップＩ１の検出回路ＲＣと電気的に接続されている。

接続用孔Ｖ（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４…）は、端子部ＲＴとパッドＰとが対向する位置に形成されている。また、接続用孔Ｖは、端子部ＲＴを含む第２基板ＳＵＢ２及びシールＳＥを貫通するとともに、パッドＰを貫通する場合もあり得る。図１に示す例では、接続用孔Ｖが平面視で円形であるが、これに限らず楕円形等の他の形状であってもよい。端子部ＲＴは、接続用孔Ｖよりも一回り大きく形成されている。本実施形態に係る端子部ＲＴの形状については、後で詳しく説明する。

接続用孔Ｖには、後述する接続部材Ｃが設けられており、この接続部材Ｃを介して検出電極Ｒｘの端子部ＲＴとパッドＰとが電気的に接続される。パッドＰ及び配線Ｗは、第１基板ＳＵＢ１に設けられている第１導電層Ｌ１の一例であり、検出電極Ｒｘは、第１基板ＳＵＢ１から離間した第２基板ＳＵＢ２に設けられている第２導電層Ｌ２の一例である。

パッドＰと接続された検出電極Ｒｘは、第１基板ＳＵＢ１に接続された配線基板ＳＵＢ３を介して検出回路ＲＣと電気的に接続される。検出回路ＲＣは、検出電極Ｒｘから出力されたセンサ信号を読み取り、被検出物の接触或いは接近の有無や、被検出物の位置座標等を検出する。

図１に示す例では、奇数番目の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ１，Ｒｘ３…）の各々の端子部ＲＴ（ＲＴ１，ＲＴ３…）、パッドＰ（Ｐ１，Ｐ３…）、配線Ｗ（Ｗ１，Ｗ３…）、接続用孔Ｖ（Ｖ１，Ｖ３…）は、いずれも非表示領域ＮＤＡの一端側に位置している。一方、偶数番目の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ２，Ｒｘ４…）の各々の端子部ＲＴ（ＲＴ２，ＲＴ４…）、パッドＰ（Ｐ２，Ｐ４…）、配線Ｗ（Ｗ２，Ｗ４…）、接続用孔Ｖ（Ｖ２，Ｖ４…）は、いずれも非表示領域ＮＤＡの前記一端側とは反対側の他端側に位置している。このようなレイアウトによれば、非表示領域ＮＤＡにおける一端側の幅と他端側の幅とを均一化でき、狭額縁化に好適である。

図１に示すように、パッドＰ３がパッドＰ１よりも配線基板ＳＵＢ３に近接するレイアウトでは、配線Ｗ１は、パッドＰ３の内側すなわち表示領域ＤＡに近接する側を迂回し、パッドＰ３と配線基板ＳＵＢ３との間で配線Ｗ３の内側に並んで配置されている。同様に、配線Ｗ２は、パッドＰ４の内側を迂回し、パッドＰ４と配線基板ＳＵＢ３との間で配線Ｗ４の内側に並んで配置されている。

図２は、図１に示す表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を模式的に示す平面図である。
表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて複数の画素ＰＸを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御できる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥ等を備えている。

走査線Ｇは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに並んでいる。信号線Ｓは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。

走査線Ｇ、信号線Ｓ及び共通電極ＣＥは、それぞれ非表示領域ＮＤＡに引き出されている。非表示領域ＮＤＡにおいて、走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤに接続され、信号線Ｓは信号線駆動回路ＳＤに接続され、共通電極ＣＥは共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ及び共通電極駆動回路ＣＤは、第１基板ＳＵＢ１上に形成されてもよいし、これらの一部或いは全部が図１に示すＩＣチップＩ１に内蔵されていてもよい。

各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子ＳＷは、ゲート電極ＷＧと、ソース電極ＷＳと、ドレイン電極ＷＤと、を備えている。ゲート電極ＷＧは、走査線Ｇと電気的に接続されている。図２に示す例では、信号線Ｓと電気的に接続された電極がソース電極ＷＳであり、画素電極ＰＥと電気的に接続された電極がドレイン電極ＷＤである。

走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。

図３は、表示領域ＤＡにおいて表示装置ＤＳＰを第１方向Ｘに沿って切断した断面図である。図３に示す例では、表示パネルＰＮＬは、主としてＸ−Ｙ平面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルＰＮＬは、Ｘ−Ｙ平面に対して垂直な縦電界や、Ｘ−Ｙ平面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していてもよい。

横電界を利用する表示モードでは、例えば、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のいずれか一方に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が備えられた構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか一方が備えられ、第２基板ＳＵＢ２に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか他方が備えられた構成が適用可能である。

第１基板ＳＵＢ１は、第１ガラス基板１０、信号線Ｓ、共通電極ＣＥ、金属層Ｍ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１等を備えている。第１ガラス基板１０は、第２基板ＳＵＢ２に対向する第３主面１０Ａと、第３主面１０Ａとは反対側の第４主面１０Ｂと、を有している。なお、図３において、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁膜等を省略して図示している。

第１絶縁膜１１は、第１ガラス基板１０の第３主面１０Ａに位置している。図示しない走査線やスイッチング素子の半導体層は、第１ガラス基板１０と第１絶縁膜１１の間に位置している。信号線Ｓは、第１絶縁膜１１の上に位置している。第２絶縁膜１２は、信号線Ｓ及び第１絶縁膜１１の上に位置している。共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２の上に位置している。

金属層Ｍは、信号線Ｓの直上において共通電極ＣＥに接触している。図３に示す例では、金属層Ｍは、共通電極ＣＥの上に位置しているが、共通電極ＣＥと第２絶縁膜１２との間に位置していてもよい。第３絶縁膜１３は、共通電極ＣＥ及び金属層Ｍの上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３を介して共通電極ＣＥと対向している。また、画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３を覆っている。

走査線Ｇ、信号線Ｓ及び金属層Ｍは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム等の金属材料によって形成されている。なお、走査線Ｇ、信号線Ｓ及び金属層Ｍは、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されている。第１絶縁膜１１及び第３絶縁膜１３は無機絶縁膜であり、第２絶縁膜１２は有機絶縁膜である。

なお、第１基板ＳＵＢ１の構成は、図３に示す例に限らず、画素電極ＰＥが第２絶縁膜１２と第３絶縁膜１３との間に位置し、共通電極ＣＥが第３絶縁膜１３と第１配向膜ＡＬ１との間に位置していてもよい。このような場合、画素電極ＰＥはスリットを有していない平板状に形成され、共通電極ＣＥは画素電極ＰＥと対向するスリットを有する。また、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように配置されていてもよい。

第２基板ＳＵＢ２は、第２ガラス基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２等を備えている。第２ガラス基板２０は、第１基板ＳＵＢ１に対向する第１主面２０Ａと、第１主面２０Ａとは反対側の第２主面２０Ｂと、を有している。

遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦは、第２ガラス基板２０の第１主面２０Ａに位置している。遮光層ＢＭは、各画素を区画し、信号線Ｓの直上に位置している。カラーフィルタＣＦは、画素電極ＰＥと対向し、その一部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタ等を含む。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。

なお、カラーフィルタＣＦは、第１基板ＳＵＢ１に配置されてもよい。カラーフィルタＣＦは、４色以上のカラーフィルタを含んでいてもよい。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されてもよいし、無着色の樹脂材料が配置されてもよいし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層ＯＣを配置してもよい。

第１偏光板ＰＬ１は、第１ガラス基板１０とバックライトＢＬとの間に位置している。第２偏光板ＰＬ２は、第２ガラス基板２０の第２主面２０Ｂに設けられた検出電極Ｒｘの上に位置している。なお、第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２には、必要に応じて位相差板等を付設してもよい。

図４を参照し、本実施形態の表示装置ＤＳＰに搭載されるセンサＳＳの一構成例について説明する。図４に示すセンサＳＳは、例えば相互容量方式の静電容量型であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触或いは接近を検出できる。センサＳＳは、例えばインセル型のタッチパネルである。

センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘを備えている。図４に示す例では、センサ駆動電極Ｔｘは、右下がりの斜線で示す部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１に設けられている。また、検出電極Ｒｘは、右上がりの斜線で示す部分に相当し、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、Ｘ−Ｙ平面において、互いに交差している。検出電極Ｒｘは、第３方向Ｚにおいて、センサ駆動電極Ｔｘと対向している。

センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに位置し、センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘの一部が非表示領域ＮＤＡに延在している。図４に示す例では、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出した帯状の形状を有し、第１方向Ｘに間隔をあけて並んでいる。検出電極Ｒｘの本体部ＲＳは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔をあけて並んでいる。検出電極Ｒｘの端子部ＲＴは、後述する基板間導通構造によってパッドＰと電気的に接続され、配線Ｗを介して検出回路ＲＣに繋がっている。

センサ駆動電極Ｔｘの各々は、配線ＷＲを介して共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。なお、センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。センサ駆動電極Ｔｘは、前述の共通電極ＣＥを含み、画素電極ＰＥとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極Ｒｘとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。

共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに画像を表示する表示駆動時に、共通電極ＣＥを含むセンサ駆動電極Ｔｘに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路ＣＤは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Ｔｘに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Ｒｘは、センサ駆動電極Ｔｘへのセンサ駆動信号の供給にともなって、センシングに必要なセンサ信号、つまり、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の電極間容量の変化に基づいた信号を出力する。検出電極Ｒｘから出力された検出信号は、図１に示す検出回路ＲＣに入力される。

なお、センサＳＳは、一対の電極間の静電容量、すなわちセンサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式に限らず、検出電極Ｒｘ自体の容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式であってもよい。

次に、前述の接続用孔Ｖ（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４…）について説明する。図５は、図１中のＦ５−Ｆ５線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図５に示す例では、表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、有機絶縁膜ＯＩと、接続部材Ｃと、第１偏光板ＰＬ１と、第２偏光板ＰＬ２と、を備えている。第１偏光板ＰＬ１は、接着層ＡＤ１によって第１基板ＳＵＢ１に貼着されている。第２偏光板ＰＬ２は、接着層ＡＤ２によって第２基板ＳＵＢ２に貼着されている。

第１基板ＳＵＢ１は、前述の第１ガラス基板１０と、第１導電層Ｌ１と、を備えている。第１導電層Ｌ１は、前述のパッドＰ（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４…）や配線Ｗ（Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…）を含み、第２基板ＳＵＢ２に対向する第３主面１０Ａ側に位置している。第１ガラス基板１０とパッドＰとの間や、第１ガラス基板１０と第２絶縁膜１２との間には、図３に示す第１絶縁膜１１や、他の絶縁膜や他の導電層が配置されていてもよい。

第２基板ＳＵＢ２は、前述の第２ガラス基板２０と、第２導電層Ｌ２と、を備えている。第２ガラス基板２０の第１主面２０Ａは、第１導電層Ｌ１と対向し、且つ、第１導電層Ｌ１から第３方向Ｚに離間している。第２導電層Ｌ２は、前述の検出電極Ｒｘすなわち端子部ＲＴ（ＲＴ１，ＲＴ２，ＲＴ３，ＲＴ４…）、接続部ＣＮ、本体部ＲＳを含んでいる。第２導電層Ｌ２は、第２主面２０Ｂ側に位置し、保護膜ＰＦに覆われている。換言すると、第１ガラス基板１０、第１導電層Ｌ１、第２ガラス基板２０、第２導電層Ｌ２及び保護膜ＰＦは、この順に第３方向Ｚに並んでいる。

第１導電層Ｌ１と第２ガラス基板２０との間には、有機絶縁膜ＯＩが位置している。有機絶縁膜ＯＩに代えて、無機絶縁膜や他の導電層が位置していてもよいし、空気層が位置していてもよい。なお、第２ガラス基板２０と第２導電層Ｌ２との間や、第２導電層Ｌ２の上に各種絶縁膜や各種導電層が配置されてもよい。

例えば、有機絶縁膜ＯＩは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を貼り合わせるシールＳＥ、第１基板ＳＵＢ１の第２絶縁膜１２、第２基板ＳＵＢ２の遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣ等を含む。シールＳＥは、第２絶縁膜１２とオーバーコート層ＯＣとの間に位置している。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間隙に位置し、シールＳＥに囲まれている。

なお、第２絶縁膜１２とシールＳＥとの間には、図３に示す金属層Ｍ、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１が介在していてもよい。オーバーコート層ＯＣとシールＳＥとの間には、図３に示す第２配向膜ＡＬ２が介在していてもよい。

第１及び第２ガラス基板１０，２０は、例えば無アルカリガラスによって形成されている。保護膜ＰＦは、例えば、アクリル系樹脂等の有機絶縁材料によって形成されている。第１及び第２導電層Ｌ１，Ｌ２は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロム等の金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明な導電材料等によって形成されている。第１及び第２導電層Ｌ１，Ｌ２は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。

図５に示すように、第２基板ＳＵＢ２には、非表示領域ＮＤＡに位置する端子部ＲＴにおいて第２導電層Ｌ２（検出電極Ｒｘ）及び第２ガラス基板２０を貫通する第１貫通孔ＶＡが形成されている。図５に示す例では、第１貫通孔ＶＡと重なる位置に第２導電層Ｌ２が存在しないため、第１貫通孔ＶＡは、第２ガラス基板２０を第２主面２０Ｂから第１主面２０Ａに貫通するように形成されている。

表示装置ＤＳＰは、第１貫通孔ＶＡに加え、第１導電層Ｌ１を貫通する第２貫通孔ＶＢと、各有機絶縁膜ＯＩを貫通する第３貫通孔ＶＣと、第１ガラス基板１０に形成された凹部ＣＣと、を有している。第１乃至第３貫通孔ＶＡ，ＶＢ，ＶＣ及び凹部ＣＣは、互いに連通しており、前述の接続用孔Ｖを構成する。第２貫通孔ＶＢは、パッドＰにおいて第１導電層Ｌ１を貫通し、第１貫通孔ＶＡと第３方向Ｚに対向している。第３貫通孔ＶＣは、第２絶縁膜１２を貫通する貫通孔、シールＳＥを貫通する貫通孔、遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣを貫通する貫通孔等を含んでいる。

有機絶縁膜ＯＩに形成された第３貫通孔ＶＣは、第１及び第２貫通孔ＶＡ，ＶＢと比較して第１方向Ｘに拡張されている。なお、第３貫通孔ＶＣは、第１方向ＸのみならずＸ−Ｙ平面上の全方位に亘って第１及び第２貫通孔ＶＡ，ＶＢよりも拡張されている。そのため、第１導電層Ｌ１は、第２貫通孔ＶＢの近傍において、有機絶縁膜ＯＩに覆われていない上面ＬＴ１を有している。

凹部ＣＣは、第１ガラス基板１０の第３主面１０Ａから第４主面１０Ｂに向かって形成され、第４主面１０Ｂまで貫通していない。凹部ＣＣは、第３貫通孔ＶＣと第３方向Ｚで対向している。一例では、凹部ＣＣの第３方向Ｚに沿う深さは、第１ガラス基板１０の第３方向Ｚの厚さの約１／５〜約１／２である。

第２及び第３貫通孔ＶＢ，ＶＣ並びに凹部ＣＣは、いずれも第１貫通孔ＶＡの直下に位置し、第１貫通孔ＶＡ、第３貫通孔ＶＣ、第２貫通孔ＶＢ、凹部ＣＣの順に第３方向Ｚに並んでいる。このような接続用孔Ｖは、第２基板ＳＵＢ２の上方からレーザー光を照射したり、エッチングしたりすることによって形成できる。第２貫通孔ＶＢが設けられた各種有機絶縁膜ＯＩは、第１貫通孔ＶＡが設けられた第２ガラス基板２０や第３貫通孔ＶＣが設けられた第１導電層Ｌ１と比較して、例えば、融点が低い材料から形成されている。或いは、エッチングされやすい材料から形成されている。

図５に示すように、接続用孔Ｖには、接続部材Ｃが配置されている。接続部材Ｃと、接続用孔Ｖが形成された各層、すなわち第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２及び有機絶縁膜ＯＩとは、本実施形態に係る基板間導通構造を構成する。接続部材Ｃは、例えば銀等の金属材料を含み、金属材料の粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの微粒子を含むものであることが望ましい。

接続部材Ｃは、接続用孔Ｖを通じて異なる基板にそれぞれ設けられた第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを電気的に接続している。図５に示す例では、接続部材Ｃは、第２導電層Ｌ２において、後述の第１凸条部Ｒ１の内周面Ｒ１１と、上面Ｒ１２と、外周面Ｒ１３とにそれぞれ接触するとともに、第１導電層Ｌ１において、パッドＰの内面ＬＳ１と、上面ＬＴ１とにそれぞれ接触している。

図５に示す例では、接続部材Ｃは、第１乃至第３貫通孔ＶＡ，ＶＢ，ＶＣ及び凹部ＣＣの内面にそれぞれ接触しているが、それらの中心付近には接続部材Ｃが充填されていない。そのため、接続部材Ｃは、中空部分を有する。そのような形状の接続部材Ｃは、大気圧下、或いは大気圧よりも低い気圧の環境下で接続用孔Ｖに接続部材Ｃを注入し、接続部材Ｃに含まれる溶剤を除去することによって形成できる。
接続部材Ｃの中空部分は、充填部材ＦＩで満たされている。充填部材ＦＩは、例えば保護膜ＰＦと同様の材料によって形成されている。なお、接続部材Ｃは、中空部分を有さないように形成されてもよい。

接続部材Ｃは、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２との間において途切れることなく連続的に形成されている。これにより、第２導電層Ｌ２は、接続部材Ｃ及び第１導電層Ｌ１を介して前述の配線基板ＳＵＢ３と電気的に接続される。そのため、第２導電層Ｌ２に対して信号を書き込んだり、第２導電層Ｌ２から出力された信号を読み取ったりする制御回路は、配線基板ＳＵＢ３を介して第２導電層Ｌ２と接続可能になる。したがって、第２導電層Ｌ２と制御回路とを接続するために、第２基板ＳＵＢ２用の配線基板を別途に設ける必要がなくなる。

次に、接続部材Ｃと接続される第２導電層Ｌ２（端子部ＲＴ）について、図６乃至図８を参照しながら説明する。図６は、本実施形態に係る端子部ＲＴ（ＲＴ１，ＲＴ２，ＲＴ３，ＲＴ４…）を第２基板ＳＵＢ２側から見た平面図である。図６に示す例では、端子部ＲＴは、第１凸条部Ｒ１と、第２凸条部Ｒ２と、第１連結部ＣＲ１と、延出部ＥＲと、壁部ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３と、を備えている。

第１凸条部Ｒ１は、第１貫通孔ＶＡの周方向に延びる細長い円環状（凸条）に形成されている。第１凸条部Ｒ１の幅ＲＷ１は、第２凸条部Ｒ２の幅ＲＷ２よりも幅広に形成されている。第１凸条部Ｒ１が幅広であると、接続部材Ｃとの接触面積が大きくなり、接続部材Ｃとの接続信頼性を向上させることができる。
なお、第２凸条部Ｒ２の幅ＲＷ２は、前述の本体部ＲＳを形成する金属細線と同様の数μｍ〜十数μｍ程度に形成されており、第１凸条部Ｒ１の幅ＲＷ１は、第２凸条部Ｒ２の幅ＲＷ２と同じかそれよりも大きく形成されている。

第１凸条部Ｒ１は、第１貫通孔ＶＡの周縁部から間隔をあけた状態で第１貫通孔ＶＡを包囲して設けられている。図６に示す例では、第１貫通孔ＶＡと第１凸条部Ｒ１の内周面Ｒ１１との間隔が一定である。第１貫通孔ＶＡと第１凸条部Ｒ１との間には、第２ガラス基板２０の第２主面２０Ｂが第２導電層Ｌ２から露出している。

第２凸条部Ｒ２は、第１凸条部Ｒ１と同様に、第１貫通孔ＶＡの周方向に延びる細長い円環状（凸条）に形成されている。第２凸条部Ｒ２の直径は、同じく円環状に形成されている第１凸条部Ｒ１の直径よりも大きく形成され、第１凸条部Ｒ１を囲うように配置されている。換言すると、第２凸条部Ｒ２は、第１貫通孔ＶＡからみて第１凸条部Ｒ１よりも外側に配置されている。
図６に示す例では、第１及び第２凸条部Ｒ１，Ｒ２は、その中心軸が一致するように配置され、第１凸条部Ｒ１の外周面Ｒ１３と、第２凸条部Ｒ２の内周面Ｒ２１との間隔が一定である。換言すると、第１凸条部Ｒ１と第２凸条部Ｒ２との間には、第２主面２０Ｂを第２導電層Ｌ２から露出させるスリットＲＳＬ１が形成されている。スリットＲＳＬ１の幅は全周に亘って一定である必要はなく、部分的に異なっていてもよい。

第１連結部ＣＲ１は、スリットＲＳＬ１を横切るように配置され、第１凸条部Ｒ１及び第２凸条部Ｒ２を互いに連結する。第１連結部ＣＲ１は、一つでもよいし、複数でもよい。第１連結部ＣＲ１が複数であれば、第１凸条部Ｒ１と第２凸条部Ｒ２との接続信頼性が向上する。図６に示す例では、第１連結部ＣＲ１が等間隔に八つ配置されている。
第１凸条部Ｒ１は、第１連結部ＣＲ１、第２凸条部Ｒ２、検出電極Ｒｘの接続部ＣＮを介して検出電極Ｒｘの本体部ＲＳ（図１に示す）と電気的に接続されている。本体部ＲＳは、電極部の一例である。

延出部ＥＲは、第１凸条部Ｒ１の内周面Ｒ１１から第１貫通孔ＶＡに向かって延出している。延出部ＥＲは、第１貫通孔ＶＡと第１凸条部Ｒ１との間に延在し、第１貫通孔ＶＡに充填される接続部材Ｃと第１凸条部Ｒ１との接続信頼性を向上させる。延出部ＥＲは、一つでもよいし、複数でもよい。延出部ＥＲが複数であれば、接続信頼性をより向上させることができる。図６に示す例では、延出部ＥＲが等間隔に八つ配置されている。また、図６に示す例では、延出部ＥＲと第１連結部ＣＲ１とが同一直線上に並んでいる。他の例として、延出部ＥＲと第１連結部ＣＲ１とが第１貫通孔ＶＡの周方向において互いに離間していてもよい。

壁部ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３は、第１貫通孔ＶＡからみて、第２凸条部Ｒ２よりもさらに外側に配置されている。第１貫通孔ＶＡの径方向において、壁部ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３が第２凸条部Ｒ２よりもさらに外側に配置されているともいえる。図６に示す例では、壁部ＷＬ１，ＷＬ２は、第１及び第２凸条部Ｒ１，Ｒ２と同様に、細長い凸条に形成されている。壁部ＷＬ３は、平板状に形成されている。なお、壁部ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３はこれらの形状に限られず、種々の形状に変更できる。

また、壁部ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３は、第１凸条部Ｒ１との接続を必要としない。なお、壁部ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３と第１凸条部Ｒ１とが接続されてもよい。図６に示す例では、壁部ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３は、第２導電層Ｌ２の他の部位から電気的に孤立している。図示しないが他の構成例として、検出電極Ｒｘ１の端子部ＲＴ１において接続用孔Ｖ１を囲う壁部ＷＬ３を、検出電極Ｒｘ１に隣接した検出電極Ｒｘ２の接続部ＣＮによって構成してもよい。

壁部ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３は、第１貫通孔ＶＡと対向する内面ＷＬＳをそれぞれ有している。図６に示す例では、第１貫通孔ＶＡと内面ＷＬＳとの間隔が一定である。なお、両者の間隔は全周に亘って一定である必要はなく、部分的に異なっていてもよい。

後述する表示装置ＤＳＰの製造方法において、壁部ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３は、接続部材Ｃを覆う充填部材ＦＩが内面ＷＬＳよりも外側に広がることを防止している。また、壁部ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３は、第２導電層Ｌ２の本体部ＲＳや接続部ＣＮを覆う保護膜ＰＦが内面ＷＬＳよりも内側に広がることを防止している。

図７は、第１凸条部Ｒ１を拡大して示す断面図である。図７に示すように、第１凸条部Ｒ１は、第２ガラス基板２０の第２主面２０Ｂに設けられた導電層Ｍ１と、導電層Ｍ１の上に積層された黒化層Ｍ２と、を有している。なお、第２導電層Ｌ２の他の部位、すなわち第２凸条部Ｒ２、第１連結部ＣＲ１、延出部ＥＲ、壁部ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３等も、第１凸条部Ｒ１と同様に、導電層Ｍ１及び黒化層Ｍ２を有している。

黒化層Ｍ２は、導電層Ｍ１よりも幅広のオーバーハング形状に形成されている。このような断面は、例えばエッチング速度の異なる材料を積層させることにより形成できる。図７に示す例では、導電層Ｍ１が例えば金属であり、黒化層Ｍ２が例えば金属酸化物である。

導電層Ｍ１よりも幅広の黒化層Ｍ２は、Ｘ−Ｙ平面に垂直な方向だけでなく、Ｘ−Ｙ平面に対して斜めの方向からも視認できないように、導電層Ｍ１を覆っている。第１凸条部Ｒ１が図７に示す断面を有していれば、導電層Ｍ１に接触した接続部材Ｃが黒化層Ｍ２へ移動しづらくなるため、第１凸条部Ｒ１の内周面Ｒ１１に沿うように接続部材Ｃをコントロールしやすくなる。

図８は、本実施形態に係る第１凸条部Ｒ１の他の構成例を示す平面図である。図８に示す構成例は、第１凸条部Ｒ１や第２凸条部Ｒ２が全周に亘って連続した円環状ではなく、その一部に円環が途切れた不連続部ＮＲ１，ＮＲ２を有している点が図６に示す構成例と相違している。図８に示す例では、第１凸条部Ｒ１に含まれる不連続部ＮＲ１と、第２凸条部Ｒ２に含まれる不連続部ＮＲ２とが第１貫通孔ＶＡからみて同じ方向に並んでいる。なお、第１貫通孔ＶＡからみて異なる方向に位置してもよい。

不連続部ＮＲ１を含む第１凸条部Ｒ１は、第１貫通孔ＶＡを包囲している。不連続部ＮＲ２を含む第２凸条部Ｒ２は、第１凸条部Ｒ２を包囲している。なお、本明細書において「包囲する」とは、全周に亘って途切れなく形成された第１凸条部Ｒ１によって第１貫通孔ＶＡを包囲する構成に限らず、一部が僅かに欠落した状態の第１凸条部Ｒ１によって第１貫通孔ＶＡを包囲する構成も含む。同様に、一部が僅かに欠落した状態の第２凸条部Ｒ２によって第１凸条部Ｒ１を包囲する構成も含む。

図８に示す構成例であっても図６に示す構成例と同様に、第１凸条部Ｒ１と、図１に示す検出電極Ｒｘの本体部ＲＳとを電気的に接続できる。また、第１貫通孔ＶＡに注入された接続部材Ｃは、表面張力によって第１凸条部Ｒ１の内周面Ｒ１１に沿って広がる。図８に示す構成例では、さらに、不連続部ＮＲ１から漏れ出た接続材料Ｃが、表面張力によって第１凸条部Ｒ１の外周面Ｒ１３に沿って広がる。図８に示す構成例によれば、接続部材Ｃを第１凸条部Ｒ１の近傍に留めることにより、接続部材Ｃが端子部ＲＴを超えて広がることを抑制できる。

図９は、本実施形態に係る第１凸条部Ｒ１の他の構成例を示す平面図である。図９に示す構成例は、第１凸条部Ｒ１に不連続部ＮＲ１が複数含まれ、第２凸条部Ｒ２にＮＲ２が複数含まれる点が図８に示す構成例と相違している。
図９に示す第１及び第２凸条部Ｒ１，Ｒ２において、隣り合う一対の第１連結部ＣＲ１に挟まれた部位に着目すると、第１凸条部Ｒ１に不連続部ＮＲ１が含まれる場合、並走する第２凸条部Ｒ２には不連続部ＮＲ２が含まれていない。同様に、第２凸条部Ｒ２に不連続部ＮＲ２が含まれる場合、並走する第１凸条部Ｒ１には不連続部ＮＲ１が含まれていない。そのため、一対の第１連結部ＣＲ１に挟まれた部位では、第１及び第２凸条部Ｒ１，Ｒ２のいずれか一方が途切れていても、他方によって電気的な接続が確保されている。

図９に示す構成例であっても図８に示す構成例と同様に、第１凸条部Ｒ１と、図１に示す検出電極Ｒｘの本体部ＲＳとを電気的に接続できる。また、第１貫通孔ＶＡに注入された接続部材Ｃを第１凸条部Ｒ１の近傍に留めることにより、接続部材Ｃが端子部ＲＴを超えて広がることを抑制できる。

図１０は、本実施形態に係る第２導電層Ｌ２の他の構成例を示す平面図である。図１０に示す構成例は、検出電極Ｒｘの接続部ＣＮと、壁部ＷＬ３とに第２導電層Ｌ２を貫通するスリットＣＳＬ，ＷＳＬがそれぞれ形成されている点が図６に示す構成例と相違している。
図１０に示す例では、スリットＣＳＬ，ＷＳＬは、第２方向Ｙに複数並んで列をなしている。それらの列が第１方向Ｘに複数並んでいる。第１方向Ｘに隣り合うスリットＣＳＬ，ＷＳＬは、互いにずれて配置されている。図１０に示す例では、スリットＣＳＬ，ＷＳＬが矩形であるが、他の形状であってもよい。
図１０に示す構成例であっても図６に示す構成例と同様に、第１凸条部Ｒ１と、図１に示す検出電極Ｒｘの本体部ＲＳとを電気的に接続できる。

次に、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について図１１Ａ乃至図１１５Ｂを参照しながら説明する。
まず、図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、表示パネルＰＮＬを用意する。図１１Ａ及び図１１Ｂに示す表示パネルＰＮＬは、少なくとも第１ガラス基板１０及び第１導電層Ｌ１を備えた第１基板ＳＵＢ１と、少なくとも第２ガラス基板２０及び第２導電層Ｌ２を備えた第２基板ＳＵＢ２と、を備えている。

この表示パネルＰＮＬは、第２ガラス基板２０が第１導電層Ｌ１と対向し、且つ、第２ガラス基板２０が第１導電層Ｌ１から離間した状態で、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とがシールＳＥによって接着されている。第２導電層Ｌ２は、端子部ＲＴに第１凸条部Ｒ１等があらかじめパターン形成されており、接続部ＣＮ及び図１に示す本体部ＲＳが保護膜ＰＦに覆われている。

このような表示パネルＰＮＬの製造方法の一例について説明すると、第２ガラス基板２０の第２主面２０Ｂに第２導電層Ｌ２（検出電極Ｒｘ）をパターン形成する。検出電極Ｒｘのうちの本体部ＲＳと接続部ＣＮとを保護膜ＰＦで覆う。

このとき、インクジェット等で塗布された保護膜ＰＦは、表面張力によってパターン形成された壁部ＷＬ３の内面ＷＬＳに沿って広がる。検出電極Ｒｘの端子部ＲＴは、保護膜ＰＦから露出している。これにより、図１１Ａ及び図１１Ｂに示す表示パネルＰＮＬが製造される。なお、端子部ＲＴも含めて検出電極Ｒｘをすべて覆うように保護膜ＰＦを塗布してもよい。その場合、レーザー光を照射して保護膜ＰＦを除去し、端子部ＲＴを露出させることにより、図１１Ａ及び図１１Ｂに示す表示パネルＰＮＬを製造できる。

続いて、図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、第２基板ＳＵＢ２に第１レーザー光ＬＳＲを照射する。図１２Ｂに示す例では、レーザー光ＬＳＲは、第２導電層Ｌ２の上方から照射される。レーザー光源としては、例えば炭酸ガスレーザー装置などが適用可能であるが、ガラス材料及び有機系材料に穴あけ加工ができるものであればよく、エキシマレーザー装置なども適用可能である。

レーザー光ＬＳＲにより、図１２Ｂに示すように、第２ガラス基板２０を貫通する第１貫通孔ＶＡが形成される。また、図１２Ｂに示す例では、レーザー光が照射された際に、有機絶縁膜ＯＩ（遮光層ＢＭ、オーバーコート層、ＯＣシールＳＥ、第２絶縁膜１２等）を貫通する第３貫通孔ＶＣ、第１導電層Ｌ１を貫通する第２貫通孔ＶＢ、第１ガラス基板１０の凹部ＣＣも同時に形成される。これにより、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを接続するための接続用孔Ｖが形成される。

さらに、図１２Ａに示すように、図１１Ａに示す延出部ＥＲの余剰部分ＥＲ０がレーザー光ＬＳＲにトリミングされ、延出部ＥＲの先端ＥＲ１が第１貫通孔ＶＡと面一に形成される。レーザー光ＬＳＲは、第１凸条部Ｒ１が形成されていない領域に照射されるため、第１凸条部Ｒ１を損傷させない。

続いて、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを電気的に接続する接続部材Ｃを形成する。まず、チャンバＣＢの内部に表示パネルＰＮＬを設置したのち、チャンバＣＢの内部を減圧して接続用孔Ｖから空気を排除する。減圧後、図１３Ａ及び図１３Ｂに示すように、接続用孔Ｖに接続部材Ｃを注入する。注入装置は、インクジェットであってもよいし、ディスペンサーであってもよい。接続用孔Ｖの第１貫通孔ＶＡに接続部材Ｃが注入された状態でチャンバＣＢの内部に空気や不活性ガス等を導入すると、気圧差によって接続部材Ｃが接続用孔Ｖの第３貫通孔ＶＣ、第２貫通孔ＶＢ及び凹部ＣＣに押し込まれる。これにより、接続部材Ｃが第１導電層Ｌ１に接触する。

第１貫通孔ＶＡの周囲には第１凸条部Ｒ１が形成されている。注入された接続部材Ｃは、第２導電層Ｌ２との接触角が大きく、第２ガラス基板２０の第２主面２０Ｂとの接触角が小さい。この濡れ性の差により、第１貫通孔ＶＡに注入された接続部材Ｃは、第１凸条部Ｒ１の内周面Ｒ１１に沿って広がる。これにより、接続部材Ｃが第１凸条部Ｒ１よりも外側に広がることを抑制できる。

さらに、第２導電層Ｌ２には、第１凸条部Ｒ１を囲う第２凸条部Ｒ２が形成されている。例えば、接続部材Ｃを過剰に注入した場合、第１凸条部Ｒ１からあふれた接続部材Ｃは、第２凸条部Ｒ２の内周面Ｒ２１に沿って広がる。第２凸条部Ｒ２が堤防として機能することにより、第２凸条部Ｒ２よりも外に接続部材Ｃが広がることを防止できる。これにより、注入された接続部材Ｃを、第１凸条部Ｒ１の内周面Ｒ１１及び上面Ｒ１２のみならず外周面Ｒ１３にも回り込むように接触させることができる。

また、第１凸条部Ｒ１には、第１貫通孔ＶＡに向かって延びる延出部ＥＲが形成されている。前述の例とは逆に、注入された接続部材Ｃが不足する場合、第１貫通孔ＶＡまで延びた延出部ＥＲと接続部材Ｃが接触することにより、第１凸条部Ｒ１と接続部材Ｃとを接続させることができる。

第２導電層Ｌ２が、第１凸条部Ｒ１に加え、第２凸条部Ｒ２及び延出部ＥＲを備えているため、接続部材Ｃの注入量が多くても少なくても、接続部材Ｃが第２凸条部Ｒ２よりも外側に広がることを防止できる。接続部材Ｃと第１凸条部Ｒ１との接続信頼性も確保できる。

その後、図１４Ａ及び図１４Ｂに示すように、接続部材Ｃに含まれる溶剤を除去することにより、接続部材Ｃの体積が減少して中空部分が形成される。このように形成された接続部材Ｃは、図１４Ｂに示すように、第１貫通孔ＶＡにおいて第２導電層Ｌ２及び第２ガラス基板２０に接触し、第３貫通孔ＶＣにおいて遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣ、シールＳＥ及び第２絶縁膜１２にそれぞれ接触し、第２貫通孔ＶＢにおいて第１導電層Ｌ１に接触し、凹部ＣＣにおいて第１ガラス基板１０に接触している。

続いて、図１５Ａ及び図１５Ｂに示すように、中空部分に充填部材ＦＩを充填する。充填部材ＦＩは、例えば保護膜ＰＦと同様の材料から形成されている。図１５Ａに示す例では、充填部材ＦＩは、接続部材Ｃの中空部分に充填されるとともに、第１及び第２凸条部Ｒ１，Ｒ２や第１連結部ＣＲ１に加え、検出電極Ｒｘの接続部ＣＮの一部を覆っている。

充填部材ＦＩは、壁部ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３の内面ＷＬＳに沿って広がる。そのため、充填部材ＦＩが壁部ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３の内面ＷＬＳよりも外側に広がることを防止できる。充填部材ＦＩは、壁部ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３によって保護膜ＰＦと略同一の厚さに形成される。これにより、第２基板ＳＵＢ２の表面は、ほぼ平坦化され、接続用孔Ｖと重なる部分の段差を緩和できる。

その後、第１偏光板ＰＬ１を第１ガラス基板１０に接着し、第２偏光板ＰＬ２を保護膜ＰＦに接着すると、図５に示す表示装置ＤＳＰを得ることができる。前述の第２偏光板ＰＬ２は、接続用孔Ｖと重なる部分にも延在している。接続用孔Ｖに起因する段差が保護膜ＰＦによって緩和されているため、第２偏光板ＰＬ２を接着した際、第２偏光板ＰＬ２の下地の段差による第２偏光板ＰＬ２の剥離を抑制できる。

以上説明した表示装置ＤＳＰによれば、第２基板ＳＵＢ２に設けられた検出電極Ｒｘは、接続用孔Ｖに設けられた接続部材Ｃにより、第１基板ＳＵＢ１に設けられたパッドＰと接続されている。このため、検出電極Ｒｘと検出回路ＲＣとを接続するための配線基板を第２基板ＳＵＢ２に実装する必要がなくなる。つまり、第１基板ＳＵＢ１に実装された配線基板ＳＵＢ３は、表示パネルＰＮＬに画像を表示するのに必要な信号を伝送するための伝送路を形成するとともに、検出電極Ｒｘと検出回路ＲＣとの間で信号を伝送するための伝送路を形成する。

したがって、配線基板ＳＵＢ３の他に別個の配線基板を必要とする構成例と比較して、配線基板の個数を削減でき、コストを削減できる。また、第２基板ＳＵＢ２に配線基板を接続するためのスペースが不要となるため、表示パネルＰＮＬの非表示領域、特に、配線基板ＳＵＢ３が実装される端辺の幅を縮小できる。これにより、狭額縁化及び低コスト化が可能となる。

本実施形態に係る第２導電層Ｌ２は、端子部ＲＴにおいて、第１貫通孔ＶＡを囲う第１凸条部Ｒ１を備えている。第１貫通孔ＶＡに注入された接続部材Ｃは、表面張力によって第１凸条部Ｒ１の内周面Ｒ１１に沿って広がるため、第１凸条部Ｒ１よりも外側に接続部材Ｃが広がることを抑制できる。

さらに、第２導電層Ｌ２は、第１凸条部Ｒ１を囲う第２凸条部Ｒ２を備えている。第１貫通孔ＶＡに過剰の接続部材Ｃが注入されても、第１凸条部Ｒ１からあふれた接続部材Ｃは、表面張力によって第２凸条部Ｒ２の内周面Ｒ２１に沿って広がる。そのため、あふれた接続部材Ｃが第２凸条部Ｒ２よりも外側に広がることを防止できる。

このとき、あふれた接続部材Ｃが、第１凸条部Ｒ１の内周面Ｒ１１や上面Ｒ１２のみならず、第１凸条部Ｒ１の外周面Ｒ１３や第２凸条部Ｒ２の内周面Ｒ２１に回り込むように接触する。これにより、接続部材Ｃとの接触面積を拡大させ、接続部材Ｃ及び第２導電層Ｌ２の間の抵抗値を安定させることができる。

さらに、第２導電層Ｌ２は、第１凸条部Ｒ１よりも第１貫通孔ＶＡに近い延出部ＥＲを備えている。図６に示す例では、延出部ＥＲの先端ＥＲ１は、第１貫通孔ＶＡと面一に形成されている。第１貫通孔ＶＡに注入された接続部材Ｃが不足し、第１凸条部Ｒ１が接続部材Ｃとの接触面積を十分に確保できない場合も、延出部ＥＲであれば接続部材Ｃと接触できる。本実施形態によれば、延出部ＥＲを介して接続部材Ｃと第１凸条部Ｒ１との接続信頼性を確保することができる。

第１貫通孔ＶＡと第１凸条部Ｒ１との間は、延出部ＥＲで覆われた部分を除き、第２ガラス基板２０の第２主面２０Ｂが第２導電層Ｌ２から露出している。第１貫通孔ＶＡを形成するとき、レーザー光ＬＳＲは、第２導電層Ｌ２が形成されていない領域に照射される。レーザー光ＬＳＲが照射されても第１凸条部Ｒ１が直に加熱されることがない。

第２導電層Ｌ２と第２ガラス基板２０とは温度変化による膨張収縮が異なるが、本実施形態によれば、第２ガラス基板２０に掛かる負荷を最小限に抑えて第１貫通孔ＶＡを形成できる。或いは、第２ガラス基板２０の融点と比較して第２導電層Ｌ２の融点が大幅に高温であると、第２ガラス基板２０が過剰に加熱されて飛散することが考えられる。本実施形態によれば、そのような第２ガラス基板２０の飛散を防止できる。

第２導電層Ｌ２は、第１凸条部Ｒ１及び第２凸条部Ｒ２よりも外側に配置された壁部ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３を備えている。接続部材Ｃの表面を覆う充填部材ＦＩを充填する際、充填部材ＦＩが壁部ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３の内面ＷＬＳに沿って広がるため、充填部材ＦＩが壁部ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３の内面ＷＬＳよりも外側に広がることを防止できる。また、充填部材ＦＩの充填量に対する充填部材ＦＩの厚さのばらつきを抑え、端子部ＲＴにおける第３方向Ｚの段差を緩和できる。

次に、第２乃至第４実施形態について説明する。なお、第１実施形態の構成と同一又は類似の機能を有する構成については、同一の参照符号を付して対応する第１実施形態の記載を参酌することとし、その説明を省略する。また、下記に説明する以外の構成は、第１実施形態と同一である。

［第２実施形態］
第２実施形態に係る第２導電層Ｌ２について、図１６を参照して説明する。第２実施形態は、図１４に示すように、端子部ＲＴが第３凸条部Ｒ３を備える点が第１実施形態と相違している。
第３凸条部Ｒ３は、第１及び第２凸条部Ｒ１，Ｒ２を囲う円環状に形成されている。第３凸条部Ｒ３は、第１貫通孔ＶＡからみて第１及び第２凸条部Ｒ１，Ｒ２よりも外側に配置されているともいえる。第２凸条部Ｒ２と第３凸条部Ｒ３とは、第２連結部ＣＲ２によって連結されている。第２連結部ＣＲ２は、一つであってもよいし、二つ以上であってもよい。図１６に示す例では、第２連結部ＣＲ２が等間隔に八つ設けられている。

図１６に示すように、第１貫通孔ＶＡからみて、第１連結部ＣＲ１の延在方向と、第２連結部ＣＲ２の延在方向とは異なっている。つまり、第１連結部ＣＲ１及び第２連結部ＣＲ２は、第１貫通孔ＶＡの周方向において互いに離間して配置されている。
図１６に示す例では、接続部ＣＮは、第３凸条部Ｒ３と沿って円弧状に形成されたスリットＣＳＬを有している。保護膜ＰＬを塗布して第２導電層Ｌ２を覆う際、スリットＣＳＬの外縁Ｅ１に沿って保護膜ＰＬが広がるため、外縁Ｅ１よりも内側に保護膜ＰＬが広がることを防止できる。充填部材ＦＩを充填して接続部材Ｃを覆う際、スリットＣＳＬの内縁Ｅ２に沿って充填部材ＦＩが広がるため、内縁Ｅ２よりも外側に充填部材ＦＩが広がることを防止できる。

第２実施形態に係る第２導電層Ｌ２は、第２凸条部Ｒ２をさらに囲う第３凸条部Ｒ３を有している。そのため、第２凸条部Ｒ２からあふれる量の接続部材Ｃが注入されても、接続部材Ｃが第３凸条部Ｒ３よりも外側に広がることを防止できる。
第１連結部ＣＲ１及び第２連結部ＣＲ２は、同一直線上に配置されないように互いに離間している。そのため、第１連結部ＣＲ１に沿って広がった接続部材Ｃは、第２凸条部Ｒ２を経由しないと、第２連結部ＣＲ２まで広がることができない。第３凸条部Ｒ３に向かう経路が長くなるため、接続部材Ｃが第３凸条部Ｒ３よりも外側に広がることをより確実に防止できる。また、複数の第２連結部ＣＲ２によって第２凸条部Ｒ２と第３凸条部Ｒ３とを確実に接続できるため、後述する第３実施形態と比較して、第１凸条部Ｒ１と検出電極Ｒｘの接続部ＣＮとの接続信頼性を向上させることができる。

[第３実施形態]
第３実施形態に係る第２導電層Ｌ２について、図１７を参照して説明する。第３実施形態は、図１７に示すように、第１連結部ＣＲ１及び第２連結部ＣＲ２が一つずつである点が前述の第２実施形態と相違している。第１連結部ＣＲ１及び第２連結部ＣＲ２は、同一直線上に配置されないように、第１貫通孔ＶＡの周方向において互いに離間している。

第３実施形態では、第１凸条部Ｒ１と第２凸条部Ｒ２との間のスリットＲＳＬ１が、複数の第１連結部ＣＲ１によって分割されていない。一つの第１連結部ＣＲ１に覆われた部分を除き、ほぼ全周に亘ってスリットＲＳＬ１が延在している。同様に、第１凸条部Ｒ１と第２凸条部Ｒ２との間のスリットＲＳＬ２もほぼ全周に亘って延在している。

第３実施形態によれば、第２実施形態と同様に、第３凸条部Ｒ３よりも外側に接続部材Ｃが広がることを防止できる。また、第２実施形態よりもスリットＲＳＬ１，ＲＳＬ２が大きいため、より多くの接続部材Ｃを貯留できる。そのため、接続部材Ｃが第１凸条部Ｒ１の一側に偏ったときも、第２凸条部Ｒ２に沿って一側とは反対側の他側へ接続部材Ｃを広げることができる。

[第４実施形態]
第４実施形態に係る端子部ＲＴについて、図１８を参照して説明する。第４実施形態は、図１８に示すように、第１凸条部Ｒ１が円環状に形成されていない点が第１実施形態と相違している。そのため、第４実施形態に係る第１凸条部Ｒ１は、第１貫通孔ＶＡとの距離が近い第１部分Ｒ１Ａと、第２凸条部Ｒ２との距離が近い第２部分Ｒ１Ｂと、を有している。

図１８に示す例では、第１凸条部Ｒ１は、複数（例えば四つ）の円弧状の凸条部Ｒ４を有している。各凸条部Ｒ４は、端部同士が接続されている。この端部が第１部分Ｒ１Ａに相当する。なお、第１凸条部Ｒ１の形状はこれに限られない。図示しないが、折れ曲がりながら第１貫通孔ＶＡと第２凸条部Ｒ２との間を交互に直線的に近づく星形であってもよいし、第１貫通孔ＶＡと第２凸条部Ｒ２との間を交互に曲線的に近づく波形であってもよい。要するに、第１貫通孔ＶＡを囲う閉じた環状であって、第１貫通孔ＶＡとの距離が近い第１部分Ｒ１Ａと、第２凸条部Ｒ２との距離が近い第２部分Ｒ１Ｂと、を有していればよい。

第４実施形態では、第２部分Ｒ１Ｂにおいて、第１凸条部Ｒ１が第２凸条部Ｒ２と重なっている。そのため、第１凸条部Ｒ１と第２凸条部Ｒ２との接続信頼性を確保できる。また、第１部分Ｒ１Ｂにおいて、第１凸条部Ｒ１が第１貫通孔ＶＡと近接しているため、接続部材Ｃと第１凸条部Ｒ１との接続信頼性を確保できる。そのため、第１実施形態における第１連結部ＣＲ１や延出部ＥＲを省略できる。

以上説明したように、各実施形態によれば、狭額縁化及び低コスト化が可能な電子機器並びにその製造方法を提供することができる。なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

例えば、図１６乃至図１８に示す第２乃至４実施形態において、図６に示す第１実施形態に係る壁部ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３を付設してもよい。逆に、第１実施形態において、第２実施形態に係る円弧状のスリットＣＳＬを付設してもよい。

本明細書に開示した構成から得られる表示装置の一例を以下に付記する。
（１）
第１ガラス基板と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第１主面及び該第１主面とは反対側の第２主面を有した第２ガラス基板と、前記第２主面に設けられた第２導電層と、を備え、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通する貫通孔が形成された第２基板と、
前記貫通孔を通じて前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続部材と、を具備し、
前記第２導電層は、前記貫通孔の周囲に配置されて該貫通孔を包囲する第１凸条部を備え、
前記接続部材は、前記第１凸条部に接触している、表示装置。
（２）
前記第２導電層は、前記貫通孔からみて前記第１凸条部よりも外側に配置されて該第１凸条部を包囲する第２凸条部をさらに備えた、（１）に記載の表示装置。
（３）
前記第２導電層は、前記第１凸条部及び前記第２凸条部を互いに連結する第１連結部をさらに備えた、（２）に記載の表示装置。
（４）
前記第２導電層は、前記貫通孔からみて前記第２凸条部よりもさらに外側に配置されて該第２凸条部を包囲する第３凸条部と、前記第２凸条部及び前記第３凸条部を互いに連結する第２連結部と、をさらに備え、
前記貫通孔からみて前記第１連結部の延在方向と前記第２連結部の延在方向とが異なる、（３）に記載の表示装置。
（５）
前記第２導電層は、前記第１凸条部から前記貫通孔に向かって延出した延出部をさらに備えた、（１）乃至（４）のいずれか一に記載の表示装置。
（６）
前記第１凸条部は、前記第２凸条部よりも幅広に形成されている、（２）乃至（５）のいずれか一に記載の表示装置。
（７）
前記接続部材を覆う充填部材をさらに具備し、
前記第２導電層は、前記貫通孔からみて前記第１凸条部よりも外側に配置されて該第１凸条部を包囲する壁部をさらに備え、
前記充填部材は、前記壁部に接触している、（１）乃至（６）のいずれか一に記載の表示装置。
（８）
前記第２導電層は、前記第１凸条部と電気的に接続された電極部と、前記第１凸条部及び前記電極部を接続する接続部と、をさらに備え、
前記接続部にはスリットが形成されている、（１）乃至（７）のいずれか一に記載の表示装置。
（９）
前記第１凸条部は、前記貫通孔の周方向に延びる円環状に形成されている、（１）乃至（８）のいずれか一に記載の表示装置。
（１０）
前記第２凸条部は、前記第１凸条部と一定の間隔をあけて対向している、（２）乃至（４）のいずれか一に記載の表示装置。
（１１）
前記壁部は、前記貫通孔と一定の間隔をあけて対向する内面を有している、（７）に記載の表示装置。
（１２）
第１基板に設けられた第１導電層と、第２基板に設けられた第２導電層とを接続部材によって電気的に接続する基板間導通構造であって、
前記第１基板は、第１ガラス基板と、前記第１ガラス基板に設けられた第１導電層と、を備え、
前記第２基板は、前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第１主面及び該第１主面とは反対側の第２主面を有した第２ガラス基板と、前記第２主面に設けられた第２導電層と、を備え、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通する貫通孔が形成されており、
前記第２導電層は、前記貫通孔の周囲に配置されて該貫通孔を包囲する第１凸条部を備え、
前記接続部材は、前記貫通孔を通じて前記第１凸条部及び前記第１導電層に接触している、基板間導通構造。

１０…第１ガラス基板、２０…第２ガラス基板、２０Ａ…第１主面、２０Ｂ…第２主面、Ｃ…接続部材、ＣＮ…検出電極の接続部、ＣＲ１…第１連結部、ＣＲ２…第２連結部、ＣＳＬ…スリット、ＤＳＰ…表示装置、ＥＲ…延出部、ＦＩ…充填部材、Ｌ１…第１導電層、Ｌ２…第２導電層、Ｒ１…第１凸条部、Ｒ２…第２凸条部、Ｒ３…第３凸条部、ＲＳ…検出電極の本体部（電極部の一例）、ＲＷ１…第１凸条部の幅、ＲＷ２…第２凸条部の幅、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、ＶＡ…第１貫通孔（貫通孔の一例）、ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３…壁部、ＷＬＳ…壁部の内面。

Claims (12)

1. 第１ガラス基板と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
   前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第１主面及び該第１主面とは反対側の第２主面を有した第２ガラス基板と、前記第２主面に設けられた第２導電層と、を備え、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通する貫通孔が形成された第２基板と、
   前記貫通孔を通じて前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続部材と、を具備し、
   前記第２導電層は、前記貫通孔の周囲に配置されて該貫通孔を包囲する第１凸条部を備え、
   前記接続部材は、前記第１凸条部に接触している、表示装置。
2. 前記第２導電層は、前記貫通孔からみて前記第１凸条部よりも外側に配置されて該第１凸条部を包囲する第２凸条部をさらに備えた、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第２導電層は、前記第１凸条部及び前記第２凸条部を互いに連結する第１連結部をさらに備えた、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第２導電層は、前記貫通孔からみて前記第２凸条部よりもさらに外側に配置されて該第２凸条部を包囲する第３凸条部と、前記第２凸条部及び前記第３凸条部を互いに連結する第２連結部と、をさらに備え、
   前記貫通孔からみて前記第１連結部の延在方向と前記第２連結部の延在方向とが異なる、請求項３に記載の表示装置。
5. 前記第２導電層は、前記第１凸条部から前記貫通孔に向かって延出した延出部をさらに備えた、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置。
6. 前記第１凸条部は、前記第２凸条部よりも幅広に形成されている、請求項２乃至４のいずれか一項に記載の表示装置。
7. 前記接続部材を覆う充填部材をさらに具備し、
   前記第２導電層は、前記貫通孔からみて前記第１凸条部よりも外側に配置されて該第１凸条部を包囲する壁部をさらに備え、
   前記充填部材は、前記壁部に接触している、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の表示装置。
8. 前記第２導電層は、前記第１凸条部と電気的に接続された電極部と、前記第１凸条部及び前記電極部を接続する接続部と、をさらに備え、
   前記接続部にはスリットが形成されている、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の表示装置。
9. 前記第１凸条部は、前記貫通孔の周方向に延びる円環状に形成されている、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の表示装置。
10. 前記第２凸条部は、前記第１凸条部と一定の間隔をあけて対向している、請求項２乃至４のいずれか一項に記載の表示装置。
11. 前記壁部は、前記貫通孔と一定の間隔をあけて対向する内面を有している、請求項７に記載の表示装置。
12. 第１基板に設けられた第１導電層と、第２基板に設けられた第２導電層とを接続部材によって電気的に接続する基板間導通構造であって、
    前記第１基板は、第１ガラス基板と、前記第１ガラス基板に設けられた第１導電層と、を備え、
    前記第２基板は、前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第１主面及び該第１主面とは反対側の第２主面を有した第２ガラス基板と、前記第２主面に設けられた第２導電層と、を備え、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通する貫通孔が形成されており、
    前記第２導電層は、前記貫通孔の周囲に配置されて該貫通孔を包囲する第１凸条部を備え、
    前記接続部材は、前記貫通孔を通じて前記第１凸条部及び前記第１導電層に接触している、基板間導通構造。

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