JP2019135514A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 信頼性の向上が可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、第1対向面と前記第1対向面と反対側の第1背面とを有し、第1導電層を含む第1基板と、前記第1対向面と対向する第2対向面と前記第2対向面の反対側の第2背面とを有する基体を含む第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置された表示機能層と、前記第2背面と対向する第3対向面と前記第3対向面の反対側の第3背面とを有する偏光板と、前記基体と前記偏光板との間に位置する第2導電層と、前記第1導電層及び前記第2導電層を電気的に接続する接続材と、前記第1対向面と対向する第4対向面と前記第4対向面の反対側の第4背面とを有する遮光性の保護材と、を備え、前記偏光板は、第1貫通孔を有し、前記第4対向面及び前記第4背面は、前記偏光板に対向していない。【選択図】 図5
Description
本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
近年、表示装置を狭額縁化するための技術が種々検討されている。一例では、樹脂製の第1基板の内面と外面とを貫通する孔の内部に孔内接続部を有する配線部と、樹脂製の第2基板の内面に設けられた配線部とが基板間接続部によって電気的に接続される技術が開示されている。
本開示の一態様における目的は、信頼性の向上が可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。
一実施形態に係る表示装置は、第1対向面と前記第1対向面と反対側の第1背面とを有し、第1導電層を含む第1基板と、前記第1対向面と対向する第2対向面と前記第2対向面の反対側の第2背面とを有する基体を含む第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置された表示機能層と、前記第2背面と対向する第3対向面と前記第3対向面の反対側の第3背面とを有する偏光板と、前記基体と前記偏光板との間に位置する第2導電層と、前記第1導電層及び前記第2導電層を電気的に接続する接続材と、前記第1対向面と対向する第4対向面と前記第4対向面の反対側の第4背面とを有する遮光性の保護材と、を備え、前記偏光板は、第1貫通孔を有し、前記第4対向面及び前記第4背面は、前記偏光板に対向していない。
また、他の実施形態に係る表示装置の製造方法は、第1対向面と前記第1対向面の反対側の第1背面とを有し、第1導電層を含む第1基板と、前記第1対向面と対向する第2対向面と前記第2対向面と反対側の第2背面とを有する基体を含む第2基板と、前記第2背面と対向する第3対向面と前記第3対向面と反対側の第3背面と有する偏光板と、前記第3背面に接着されている保護フィルムと、前記第3対向面に接着されている接着層と、前記基体と前記接着層との間に位置する第2導電層とを備え、前記基体が前記第1導電層と対向し且つ前記第1導電層から離間した、表示パネルを用意し、前記保護フィルムにレーザー光を照射し、前記保護フィルム及び前記偏光板を貫通する第1貫通孔を形成し、前記第1貫通孔の内面に接触し、遮光性を有する保護材を形成する。
以下、いくつかの実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
各実施形態においては、表示装置の一例として液晶表示装置を開示する。この液晶表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、車載機器、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。各実施形態にて開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置など、他種の表示装置にも適用可能である。
図1は、実施形態の表示装置DSPの一構成例を示す平面図である。ここでは、表示装置DSPの一例として、センサSSを搭載した液晶表示装置について説明する。第1方向X、第2方向Y、及び、第3方向Zは、互いに直交しているが、90度以外の角度で交差していてもよい。第1方向X及び第2方向Yは、表示装置DSPを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第3方向Zは、表示装置DSPの厚さ方向に相当する。以下、第3方向の長さを厚さと称する。ここでは、第1方向X及び第2方向Yによって規定されるX−Y平面における表示装置DSPの平面図を示している。以下の説明において、第3方向ZからX−Y平面を見ることを平面視という。
表示装置DSPは、表示パネルPNL、ICチップI1、配線基板SUB3などを備えている。表示パネルPNLは、液晶表示パネルであり、第1基板SUB1と、第2基板SUB2と、シールSEと、表示機能層(後述する液晶層LC)と、を備えている。第2基板SUB2は、第1基板SUB1に対向している。シールSEは、図1において右上がりの斜線で示した部分に相当し、第1基板SUB1と第2基板SUB2とを接着している。以下の説明で、X−Y平面に対して垂直な方向、例えば、第3方向Zにおいて、第1基板SUB1から第2基板SUB2に向かう方向を上方(あるいは、単に上)と称し、第2基板SUB2から第1基板SUB1に向かう方向を下方(あるいは、単に下)と称する。「第1部材の上の第2部材」及び「第1部材の下の第2部材」とした場合、第2部材は、第1部材に接していてもよく、又は第1部材から離れて位置していてもよい。
表示パネルPNLは、画像を表示する表示領域DA、及び、表示領域DAに隣接する非表示領域NDAを備えている。表示領域DAは、例えば、シールSEによって囲まれた内側に位置している。非表示領域NDAは、表示領域DAを囲む額縁状の領域であってもよい。シールSEは、非表示領域NDAに位置している。
ICチップI1は、配線基板SUB3に実装されている。なお、図示した例に限らず、ICチップI1は、第2基板SUB2よりも外側に延出した第1基板SUB1に実装されていてもよいし、配線基板SUB3に接続される外部回路基板に実装されていてもよい。ICチップI1は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバDDを内蔵している。ここでのディスプレイドライバDDは、後述する信号線駆動回路SD、走査線駆動回路GD、及び、共通電極駆動回路CDの少なくとも一部を含むものである。また、図示した例では、ICチップI1は、タッチパネルコントローラなどとして機能する検出回路RCを内蔵している。なお、検出回路RCは、ICチップI1とは異なる他のICチップに内蔵されていてもよい。
センサSSは、表示装置DSPへの被検出物の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサSSは、複数の検出電極Rx(Rx1、Rx2、Rx3、Rx4…)を備えている。複数の検出電極Rxは、それぞれ、第2基板SUB2に設けられている。これらの検出電極Rxは、それぞれ、第1方向Xに延出し、第2方向Yに間隔をおいて並んでいる。
複数の検出電極Rx(Rx1、Rx2、Rx3、Rx4…)は、それぞれ、検出部RS(RS1、RS2、RS3、RS4…)と、端子部RT(RT1、RT2、RT3、RT4…)と、接続部CN(CN1、CN2、CN3、CN4…)とを備えている。
検出部RSは、それぞれ、表示領域DAに位置し、第1方向Xに延出している。検出電極Rxにおいては、主として検出部RSがセンシングに利用される。図示した例では、検出部RSは、それぞれ、帯上に示されているが、より具体的には、微細な金属細線の集合体によって形成されている。なお、図示した例では、検出電極Rxは、それぞれ、2本の検出部RSを備えているが、3本以上の検出部RSを備えていても良いし、1本の検出部RSを備えていてもよい。
検出部RSは、それぞれ、表示領域DAに位置し、第1方向Xに延出している。検出電極Rxにおいては、主として検出部RSがセンシングに利用される。図示した例では、検出部RSは、それぞれ、帯上に示されているが、より具体的には、微細な金属細線の集合体によって形成されている。なお、図示した例では、検出電極Rxは、それぞれ、2本の検出部RSを備えているが、3本以上の検出部RSを備えていても良いし、1本の検出部RSを備えていてもよい。
複数の端子部RTは、それぞれ、検出部RSに繋がっている。図示した例では、奇数番目の検出電極Rx1、Rx3…の各々の端子部RT1、RT3…は、非表示領域NDAの第1方向Xで一端側部(以下、第1側部と称する)に位置している。また、偶数番目の検出電極Rx2、Rx4…の各々の端子部RT2、RT4…は、いずれも非表示領域NDAの第1側部と第1方向Xで反対側の他端側部(以下、第2側部と称する)に位置している。端子部RTの一部は、平面視でシールSEと重なる位置に形成されている。
一方で、第1基板SUB1は、複数のパッドP(P1、P2、P3、P4…)及び複数の配線W(W1、W2、W3、W4…)を備えている。図示した例では、奇数番目のパッドP1、P3…及び配線W1、W3…は、いずれも非表示領域NDAの第1側部に位置している。また、偶数番目のパッドP2、P4…及び配線W2、W4…は、いずれも非表示領域NDAの第2側部に位置している。パッドP及び配線Wは、それぞれ、平面視でシールSEと重なっている。パッドPは、それぞれ、平面視で、対応する端子部RTと重なる位置に形成されている。図示した例では、パッドPは、それぞれ、平面視した場合に台形状に形成されている。なお、パッドPは、それぞれ、平面視した場合に台形状以外の形状、例えば、多角形状、円形状、及び、楕円形状等に形成されていてもよい。配線Wは、それぞれ、パッドPに接続され、第2方向Yに沿って延出し、配線基板SUB3を介してICチップI1の検出回路RCと電気的に接続されている。
図示したように、パッドP3が第2方向YにおいてパッドP1よりも配線基板SUB3に近い位置に配置されたレイアウトでは、配線W1は、第1方向XにおいてパッドP3の内側(つまり、表示領域DAが設けられた方向)を迂回し、パッドP3と配線基板SUB3との間で、配線W3の内側で配線W3に並んで配置されている。同様に、配線W2は、第1方向XにおいてパッドP4の内側を迂回し、パッドP4と配線基板SUB3との間で、配線W4の内側で配線W4に並んで配置されている。
複数の接続用孔(接続孔)V(V1、V2、V3、V4…)は、それぞれ、端子部RT(RT1、RT2、RT3、RT4…)とパッドP(P1、P2、P3、P4…)とが対向する位置に形成されている。また、複数の接続用孔Vは、それぞれ、端子部RTを含む第2基板SUB2及びシールSEを貫通するとともに、パッドPまで貫通するように形成され得る。図示した例では、複数の接続用孔Vは、それぞれ、平面視で円形であるが、その形状は図示した例に限らず、楕円形などの他の形状であっても良い。複数の接続用孔Vには、接続材C(C1、C2、C3、C4…)がそれぞれ設けられている。接続材Cは、それぞれ、端子部RTとパッドPとを電気的に接続している。つまり、第2基板SUB2に設けられた複数の検出電極Rxは、それぞれ、接続材Cを介して、第1基板SUB1のパッドPに接続された配線基板SUB3の検出回路RCと電気的に接続している。検出回路RCは、複数の検出電極Rxの各々から出力されたセンサ信号を読み取り、被検出物の接触あるいは接近の有無や、被検出物の位置座標などを検出する。以下、パッドPを第1導電層と称し、検出電極Rxを第2導電層と称する場合もある。
以上で説明したような表示装置DSPのレイアウトによれば、非表示領域NDAにおける第1側部の幅と第2側部の幅とを均一化することができ、狭額縁化に好適である。
以上で説明したような表示装置DSPのレイアウトによれば、非表示領域NDAにおける第1側部の幅と第2側部の幅とを均一化することができ、狭額縁化に好適である。
図2は、図1に示した表示パネルPNLの基本構成及び等価回路を示す図である。
表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数の画素PXを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素PXは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数本の走査線G(G1〜Gn)、複数本の信号線S(S1〜Sm)、共通電極CEなどを備えている。複数の走査線Gは、第1方向Xに延出し、第2方向Yに並んでいる。複数の信号線Sは、第2方向Yに延出し、第1方向Xに並んでいる。走査線G及び信号線Sは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料又はこれらの合金材料によって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。なお、走査線G及び信号線Sは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極CEは、複数の画素PXに亘って配置されている。走査線G、信号線S、及び、共通電極CEは、それぞれ非表示領域NDAに引き出されている。非表示領域NDAにおいて、走査線Gは走査線駆動回路GDに接続され、信号線Sは信号線駆動回路SDに接続され、共通電極CEは共通電極駆動回路CDに接続されている。信号線駆動回路SD、走査線駆動回路GD、及び、共通電極駆動回路CDは、第1基板SUB1上に形成されてもよいし、これらの一部或いは全部が図1に示したICチップI1に内蔵されていてもよい。
表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数の画素PXを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素PXは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数本の走査線G(G1〜Gn)、複数本の信号線S(S1〜Sm)、共通電極CEなどを備えている。複数の走査線Gは、第1方向Xに延出し、第2方向Yに並んでいる。複数の信号線Sは、第2方向Yに延出し、第1方向Xに並んでいる。走査線G及び信号線Sは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料又はこれらの合金材料によって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。なお、走査線G及び信号線Sは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極CEは、複数の画素PXに亘って配置されている。走査線G、信号線S、及び、共通電極CEは、それぞれ非表示領域NDAに引き出されている。非表示領域NDAにおいて、走査線Gは走査線駆動回路GDに接続され、信号線Sは信号線駆動回路SDに接続され、共通電極CEは共通電極駆動回路CDに接続されている。信号線駆動回路SD、走査線駆動回路GD、及び、共通電極駆動回路CDは、第1基板SUB1上に形成されてもよいし、これらの一部或いは全部が図1に示したICチップI1に内蔵されていてもよい。
各画素PXは、スイッチング素子SW、画素電極PE、共通電極CE、及び液晶層LC等を備えている。スイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタ(TFT)によって構成され、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子SWは、ゲート電極WG、ソース電極WS、及び、ドレイン電極WDを備えている。ゲート電極WGは、走査線Gと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Sと電気的に接続された電極をソース電極WSと称し、画素電極PEと電気的に接続された電極をドレイン電極WDと称する。共通電極CE及び画素電極PEは、例えばインジウム錫酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)などの透明な導電材料によって形成されている。
走査線Gは、第1方向Xに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと接続されている。信号線Sは、第2方向Yに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと接続されている。画素電極PEの各々は、例えば、共通電極CEと対向し、画素電極PEと共通電極CEとの間に生じる電界によって液晶層LCを駆動している。保持容量CSは、例えば、共通電極CEと画素電極PEとの間に形成される。
走査線Gは、第1方向Xに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと接続されている。信号線Sは、第2方向Yに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと接続されている。画素電極PEの各々は、例えば、共通電極CEと対向し、画素電極PEと共通電極CEとの間に生じる電界によって液晶層LCを駆動している。保持容量CSは、例えば、共通電極CEと画素電極PEとの間に形成される。
図3は、表示領域DAにおける表示装置DSPの一部を概略的に示す断面図である。ここでは、表示装置DSPを第1方向Xに沿って切断した断面図を示す。図示した表示装置DSPは、主に基板主面と略平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示装置DSPは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有してもよい。横電界を利用する表示モードでは、例えば第1基板SUB1及び第2基板SUB2のいずれか一方が画素電極PE及び共通電極CEの双方を備える構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第1基板SUB1が画素電極PE及び共通電極CEの一方を備え、第2基板SUB2が画素電極PE及び共通電極CEの他方を備える構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、X−Y平面と平行な面である。
第1基板SUB1は、第1基体10(第1絶縁基板)、信号線S、共通電極CE、画素電極PE、第1絶縁層11、第2絶縁層12、第3絶縁層13、及び第1配向層14などを備えている。なお、ここでは、上述のスイッチング素子SWや走査線G、これらの間に介在する各種絶縁層等の図示を省略している。
第1基体10は、例えば無アルカリガラスによって形成され、第2基板SUB2と対向する第1面(上面又は対向面)10Aと、第1面10Aの反対側の第2面(下面又は背面)10Bとを有している。第1絶縁層11は、第1基体10の第1面10Aの上に配置されている。信号線Sは、第1絶縁層11の上に配置されている。第2絶縁層12は、信号線S及び第1絶縁層11の上に配置されている。共通電極CEは、第2絶縁層12の上に配置されている。第3絶縁層13は、共通電極CEの上に配置されている。画素電極PEは、第3絶縁層13の上に配置されている。画素電極PEは、第3絶縁層13を介して共通電極CEと対向している。図3の例において、画素電極PEは、1つのスリットSLを有している。但し、画素電極PEは、より多くのスリットSLを有してもよいし、スリットSLを有さなくてもよい。第1配向層14は、画素電極PE及び第3絶縁層13を覆っている。例えば、第1絶縁層11及び第3絶縁層13は無機絶縁層であり、第2絶縁層12は有機絶縁層である。
なお、第1基板SUB1の構成は、図示した例に限らず、画素電極PEが第2絶縁層12と第3絶縁層13との間に位置し、共通電極CEが第3絶縁層13と第1配向層14との間に位置してもよい。また、画素電極PE及び共通電極CEの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように同層に配置されてもよい。
第2基板SUB2は、第2基体20(第2絶縁基板)、遮光層21、カラーフィルタ22、オーバーコート層23、第2配向層24などを備えている。
第2基体20は、例えば無アルカリガラスによって形成され、第1基板SUB1と対向する第1面(下面又は対向面)20Aと、第1面20Aの反対側の第2面(上面又は背面)20Bとを有している。遮光層21及びカラーフィルタ22は、第2基体20の第1面20Aの下に配置されている。遮光層21は、各画素を区画し、信号線Sの直上に位置している。
第2基体20は、例えば無アルカリガラスによって形成され、第1基板SUB1と対向する第1面(下面又は対向面)20Aと、第1面20Aの反対側の第2面(上面又は背面)20Bとを有している。遮光層21及びカラーフィルタ22は、第2基体20の第1面20Aの下に配置されている。遮光層21は、各画素を区画し、信号線Sの直上に位置している。
カラーフィルタ22は、画素電極PEと対向し、その一部が遮光層21と重なっている。カラーフィルタ22は、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタなどを含む。オーバーコート層23は、カラーフィルタ22を覆っている。第2配向層24は、オーバーコート層23を覆っている。液晶層LCは、第1配向層14と第2配向層24との間に配置されている。なお、カラーフィルタ22は、第1基板SUB1に配置されてもよい。カラーフィルタ22は、4色以上のカラーフィルタを含んでいてもよい。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されていてもよいし、無着色の樹脂材料が配置されていてもよいし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層を配置してもよい。
検出電極Rxは、第2基体20の主面20B側に位置している。検出電極Rxは、金属を含む導電層、ITOやIZO等の透明な導電材料によって形成されていてもよいし、金属を含む導電層の上に透明導電層が積層されていてもよいし、導電性の有機系材料や微細な導電性物質の分散体などによって形成されていてもよい。オーバーコート層30は、検出電極Rxを覆っている。オーバーコート層30は、例えば、有機絶縁材料で形成されている。
表示装置DSPは、カバー部材CGと、照明装置BLと、第1偏光板PL1と、第2偏光板PL2と、をさらに備えている。カバー部材CGは、接着層40を介して第1偏光板PL1に貼り付けられている。カバー部材CGは、例えば、ガラスを用いて形成されているが、ガラス以外の材料を用いて形成されていてもよい。第1偏光板PL1は、第1面20A側に位置している。図示した例では、第1偏光板PLは、カバー部材CGと検出電極Rxとの間に位置している。第1偏光板PL1は、第2面20Bと対向する第1面(下面又は対向面)PLAと、第1面PLAと反対側の第2面(上面又は背面)PLBとを有している。図示した例では、第1偏光板PL1は、第1面に接着している接着層31を介してオーバーコート層30に接着されている。第2偏光板PL2は、第2面10B側に位置している。図示した例では、第2偏光板PL2は、第1基板SUB1と照明装置BLとの間に位置している。各偏光板PL1、PL2は、少なくとも表示領域DAの全域と対向している。なお、表示装置DSPは、カバー部材CGと第2基板SUB2との間、及び、第1基板SUB1と照明装置BLとの間に位相差板などの光学素子をさらに備えてもよい。また、偏光板PL1と検出電極Rxとの間には、他の各種絶縁層や各種導電層が配置されていてもよい。
なお、図3に示す表示装置DSPは、照明装置BLからの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過型の構造の適用例である。この例に限らず、表示装置DSPは、第2基板SUB2の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射型であってもよいし、透過型及び反射型の双方の機能を備えた半透過型であってもよい。
図4は、センサSSの一構成例を示す平面図である。
図4に示した例では、センサSSは、センサ駆動電極Tx、及び、検出電極Rxを備えている。図4において、センサ駆動電極Txは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第1基板SUB1に設けられている。また、検出電極Rxは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第2基板SUB2に設けられている。センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxは、X−Y平面において、互いに交差している。検出電極Rxは、第3方向Zにおいて、センサ駆動電極Txと対向している。
図4は、センサSSの一構成例を示す平面図である。
図4に示した例では、センサSSは、センサ駆動電極Tx、及び、検出電極Rxを備えている。図4において、センサ駆動電極Txは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第1基板SUB1に設けられている。また、検出電極Rxは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第2基板SUB2に設けられている。センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxは、X−Y平面において、互いに交差している。検出電極Rxは、第3方向Zにおいて、センサ駆動電極Txと対向している。
センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxは、表示領域DAに位置し、それらの一部が非表示領域NDAに延在している。図示した例では、センサ駆動電極Txは、それぞれ第2方向Yに延出した帯状の形状を有し、第1方向Xに間隔を置いて並んでいる。検出電極Rxは、それぞれ第1方向Xに延出し、第2方向Yに間隔を置いて並んでいる。検出電極Rxは、図1を参照して説明したように、第1基板SUB1に設けられたパッドに接続され、配線を介して検出回路RCと電気的に接続されている。センサ駆動電極Txの各々は、配線WRを介して共通電極駆動回路CDと電気的に接続されている。なお、センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。
センサ駆動電極Txは、上記の共通電極CEを含み、画素電極PEとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極Rxとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。
共通電極駆動回路CDは、表示領域DAに画像を表示する表示駆動時に、共通電極CEを含むセンサ駆動電極Txに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路CDは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Txに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Rxは、センサ駆動電極Txへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センシングに必要なセンサ信号(つまり、センサ駆動電極Txと検出電極Rxとの間の電極間容量の変化に基づいた信号)を出力する。検出電極Rxから出力された検出信号は、図1に示した検出回路RCに入力される。
共通電極駆動回路CDは、表示領域DAに画像を表示する表示駆動時に、共通電極CEを含むセンサ駆動電極Txに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路CDは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Txに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Rxは、センサ駆動電極Txへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センシングに必要なセンサ信号(つまり、センサ駆動電極Txと検出電極Rxとの間の電極間容量の変化に基づいた信号)を出力する。検出電極Rxから出力された検出信号は、図1に示した検出回路RCに入力される。
なお、上記した構成例におけるセンサSSは、一対の電極間の静電容量(上記の例ではセンサ駆動電極Txと検出電極Rxとの間の静電容量)の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式に限らず、検出電極Rxの静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式であっても良い。
図5は、図1に示したA−B線に沿って切断した表示装置DSPの一部の概略的な断面図である。ここでは、図3に示した第1基板SUB1及び第2基板SUB2が備える各要素、照明装置BL、及び第2偏光板PL2の図示を適宜省略している。
第1基板SUB1と第2基板SUB2とは、シールSEによって貼り合わされている。シールSEは、例えば、図1に示したように表示領域DAを囲う環状に形成されている。図5に示した例において、シールSEと第1基体10との間に第2絶縁層12が配置され、シールSEと第2基体20との間に遮光層21及びオーバーコート層23が配置されている。シールSE、第2絶縁層12、遮光層21、及びオーバーコート層23は、例えば有機絶縁層である絶縁層ILを構成する。なお、絶縁層ILは、無機絶縁層を含んでいてもよい。以下、絶縁層ILを層間絶縁層ILと称する場合もある。
第1基板SUB1と第2基板SUB2とは、シールSEによって貼り合わされている。シールSEは、例えば、図1に示したように表示領域DAを囲う環状に形成されている。図5に示した例において、シールSEと第1基体10との間に第2絶縁層12が配置され、シールSEと第2基体20との間に遮光層21及びオーバーコート層23が配置されている。シールSE、第2絶縁層12、遮光層21、及びオーバーコート層23は、例えば有機絶縁層である絶縁層ILを構成する。なお、絶縁層ILは、無機絶縁層を含んでいてもよい。以下、絶縁層ILを層間絶縁層ILと称する場合もある。
なお、絶縁層ILは、図3に示した第1配向層14や第2配向層24などをさらに含んでもよい。また、絶縁層ILは、第2絶縁層12、オーバーコート層23、及び遮光層21の少なくとも1つを含まなくてもよい。
第1基板SUB1は、第1導電層L1を備えている。図5に示した例において、第1導電層L1は、第1基体の第1面10Aに形成されるとともに、第2絶縁層12で覆われている。この例に限らず、第1導電層L1と第1基体10との間や第1導電層L1と第2絶縁層12との間に、各種絶縁層や各種導電層が配置されてもよい。第1導電層L1は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金や、ITO及びIZOなどの透明な導電材料によって形成することができる。第1導電層L1は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。
第1基板SUB1は、第1導電層L1を備えている。図5に示した例において、第1導電層L1は、第1基体の第1面10Aに形成されるとともに、第2絶縁層12で覆われている。この例に限らず、第1導電層L1と第1基体10との間や第1導電層L1と第2絶縁層12との間に、各種絶縁層や各種導電層が配置されてもよい。第1導電層L1は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金や、ITO及びIZOなどの透明な導電材料によって形成することができる。第1導電層L1は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。
図示した例では、第2導電層L2は、第2基体20の第2面20Bの上に位置している。オーバーコート層30は、第2導電層L2の上に位置し、第2導電層L2に接触している。接着層31は、オーバーコート層30の上に位置し、オーバーコート層30を介して第2導電層L2と第1偏光板PL1と接着している。第1偏光板PLと第2導電層L2との間には、オーバーコート層30や接着層31と他の各種絶縁層や各種導電層が配置されてもよい。また、接着層31と第2導電層L2との間には、オーバーコート層30が設けられていなくともよい。この場合、第1偏光板PLは、接着層31を介して第2導電層L2に接着される。図示した例では、第2導電層L2は、図1に示したRx1に相当する。第2導電層L2は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金や、ITO及びIZOなどの透明な導電材料によって形成することができる。第2導電層L2は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。
第1偏光板PL1は、第1面PLAと第2面PLBを貫通する貫通孔VA1(第1貫通孔)を有している。接着層31及びオーバーコート層30は、貫通孔VA1に繋がる貫通孔VA2(第2貫通孔)を有している。なお、オーバーコート層30が設けられていない場合、貫通孔VA2は、接着層31に形成される。第2導電層L2は、貫通孔VA1及びVA2に繋がる貫通孔VA3(第3貫通孔)を有している。第2基体20は、第1面20Aと第2面20Bとの間を貫通し、各貫通孔VA1、VA2、及びVA3に繋がる貫通孔VA4(第4貫通孔)を有している。絶縁層ILは、各貫通孔VA1〜VA4に繋がる貫通孔VA5(第5貫通孔)を有している。第1導電層L1は、各貫通孔VA1〜VA5に繋がる貫通孔VA6(第6貫通孔)を有している。また、第1基体10は、各貫通孔VA1〜VA6に繋がる凹部Rを第1面10Aに有している。なお、貫通孔VA5は、絶縁層ILを構成する各層、すなわち図5に示した例ではシールSE、第2絶縁層12、遮光層21、及びオーバーコート層23をそれぞれ貫通している。
凹部Rは、第1面10Aから第2面10Bに向かって形成されているが、図示した例では、第2面10Bまで貫通していない。一例では、凹部Rの第3方向Zに沿った深さは、第1基体10の第3方向Zに沿った厚さの約1/5〜約1/2程度である。なお、第1基体10は、凹部Rの代わりに、第1面10Aと第2面10Bとの間を貫通する貫通孔を有してもよい。
各貫通孔VA1〜VA6及び凹部Rは、それぞれの孔の中心位置が平面視で見て一致しており、第3方向Zに沿った同一直線状に位置し、接続用孔V1を構成している。各貫通孔VA1〜VA6及び凹部Rは、例えば平面視における形状が正円形であるが、楕円形などの他の形状であってもよい。なお、接続用孔V1は、第3方向に沿った同一直線状に位置する各貫通孔VA1〜VA6及び凹部Rの少なくとも1つによって構成されていてもよい。
図5に示した例において、各貫通孔VA1〜VA6は、いずれも下方に向かうに連れて幅(内径)が小さくなる。すなわち、貫通孔VA1の内面F1、貫通孔VA2の内面F2、貫通孔VA3の内面F3、貫通孔VA4の内面F4、貫通孔VA5の内面F5、及び貫通孔VA6の内面F6は、第3方向Zに対して傾いたテーパ状である。図5に示した例では、各内面F1〜F6が断面視で直線状であるが、曲線状であってもよい。また、各貫通孔VA1〜VA6は、上方に向かうに連れて幅(内径)が小さくなる形状を有してもよいし、幅が一定(各内面F1〜F6が第3方向Zと平行)であってもよい。
貫通孔VA2と貫通孔VA3の境界近傍においては、貫通孔VA3の幅よりも貫通孔VA2の幅の方が大きい。これにより、第2導電層L2は、貫通孔VA3の周囲において、偏光板PL1、接着層31、及びオーバーコート層30から露出している第1領域A1を有している。換言すると、第1領域A1は、貫通孔VA2に向かって露出している。例えば、第1領域A1の平面視における形状は、貫通孔VA3を全周に亘って囲う環状である。但し、第1領域A1は、貫通孔VA3の周囲の一部に設けられてもよいし、断続的に複数設けられてもよい。
貫通孔VA5と貫通孔VA6の境界近傍においては、貫通孔VA6の幅よりも貫通孔VA5の幅の方が大きい。これにより、第1導電層L1は、貫通孔VA6の周囲において、絶縁層ILから露出した第2領域A2を有している。換言すると、第2領域A2は、貫通孔VA5に向かって露出している。例えば、第2領域A2の平面視における形状は、貫通孔VA6を全周に亘って囲う環状である。但し、第2領域A2は、貫通孔VA6の周囲の一部に設けられてもよいし、断続的に複数設けられてもよい。
表示装置DSPは、各貫通孔VA3〜VA6を通じて第1導電層L1と第2導電層L2とを電気的に接続する接続材Cをさらに備えている。図5に示した例では、接続材Cは、図1に示した接続材C1に相当する。一例として、接続材Cは、銀などの金属材料を含み、その粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの微粒子を含むものであることが望ましい。
接続材Cは、各貫通孔VA1〜VA6の内面F1〜F6、凹部Rの内面、第1領域A1、及び第2領域A2を途切れることなく連続的に覆っている。
図示した例では、接続材Cは、貫通孔VA1の内面F1の全部を覆っている。なお、接続材Cは、貫通孔VA1の内面F1の一部を覆っていてもよいし、貫通孔VA1を覆っていなくともよい。接続材Cは、貫通孔VA3の内面F3において第2導電層L2に接触している。また、接続材Cは、貫通孔VA6の内面F6において第1導電層L1に接触している。したがって、第1導電層L1及び第2導電層L2は、接続材Cにより電気的に接続される。接続材Cは、貫通孔VA3の内面F3だけでなく、第1領域A1においても第2導電層L2に接触している。これにより、内面F3にのみ接触する場合に比べて接触面積を大きくでき、導通の信頼性が向上する。また、接続材Cは、貫通孔VA6の内面F6だけでなく、第2領域A2においても第1導電層L1に接触している。これにより、内面F6にのみ接触する場合に比べて接触面積を大きくでき、導通の信頼性が向上する。なお、第1偏光板PL1の内面を覆っている接続材Cの内面を貫通孔VA1の内面F1としてもよい。オーバーコート層30及び接着層31の内面を覆っている接続材Cの内面を貫通孔VA2の内面F2としてもよい。第2導電層L2の内面を覆っている接続材Cの内面を貫通孔VA3の内面F3としてもよい。第2基体20の内面を覆っている接続材Cの内面を貫通孔VA4の内面F4としてもよい。絶縁層ILの内面を覆っている接続材Cの内面を貫通孔VA5の内面F5としてもよい。第1導電層L1の内面を覆っている接続材Cの内面を貫通孔VA6の内面F6としてもよい。凹部Rの内面を覆っている接続材Cの内面を凹部Rの内面としてもよい。
図示した例では、接続材Cは、貫通孔VA1の内面F1の全部を覆っている。なお、接続材Cは、貫通孔VA1の内面F1の一部を覆っていてもよいし、貫通孔VA1を覆っていなくともよい。接続材Cは、貫通孔VA3の内面F3において第2導電層L2に接触している。また、接続材Cは、貫通孔VA6の内面F6において第1導電層L1に接触している。したがって、第1導電層L1及び第2導電層L2は、接続材Cにより電気的に接続される。接続材Cは、貫通孔VA3の内面F3だけでなく、第1領域A1においても第2導電層L2に接触している。これにより、内面F3にのみ接触する場合に比べて接触面積を大きくでき、導通の信頼性が向上する。また、接続材Cは、貫通孔VA6の内面F6だけでなく、第2領域A2においても第1導電層L1に接触している。これにより、内面F6にのみ接触する場合に比べて接触面積を大きくでき、導通の信頼性が向上する。なお、第1偏光板PL1の内面を覆っている接続材Cの内面を貫通孔VA1の内面F1としてもよい。オーバーコート層30及び接着層31の内面を覆っている接続材Cの内面を貫通孔VA2の内面F2としてもよい。第2導電層L2の内面を覆っている接続材Cの内面を貫通孔VA3の内面F3としてもよい。第2基体20の内面を覆っている接続材Cの内面を貫通孔VA4の内面F4としてもよい。絶縁層ILの内面を覆っている接続材Cの内面を貫通孔VA5の内面F5としてもよい。第1導電層L1の内面を覆っている接続材Cの内面を貫通孔VA6の内面F6としてもよい。凹部Rの内面を覆っている接続材Cの内面を凹部Rの内面としてもよい。
保護材PTは、接続用孔V1内に位置し、接続用孔V1を塞いでいる。換言すると、保護材PTは、接続用孔V1内に位置し、接続用孔V1の内面(内面F1〜F6、及び凹部Rの内面)から内面に亘って設けられ接続用孔V1を閉じている。そのため、保護材PTは、平面視した場合、接続用孔V1に重畳している。図5に示した例では、保護材PTは、貫通孔VA1から貫通孔VA4の途中までに位置している。接続用孔V1は、保護材PTの下側、すなわち、保護材PTの第1基板SUB1側に空洞CVを有している。より具体的には、接続用孔V1は、保護材PTと凹部Rとの間に空洞CVを有している。そのため、保護材PTは、そのほぼ全てが接続用孔V1内に入り込み、接続用孔V1の上側に盛り上がっていない。なお、保護材PTは、接続用孔V1内の他の位置に位置していてもよい。保護材PTは、第1基板SUB1に対向する第1面(下面又は対向面)PTAと、第1面PTAと反対側の第2面(上面又は背面)PTBとを有している。第1面PTA及び第2面PTBは、第1偏光板PL1に対向していない。換言すると、第1偏光板PL1は、第2面PTBの上にない。また、第1偏光板PL1は、第1面PTAの下にもない。図示した例では、第2面PTBは、第1偏光板PL1の第2面PLBと平坦化されている。換言すると、第2面PTBは、第2面PLBと第3方向Zでほぼ同じ位置に配置されている。第1面PTA及び第2面PTBは、凹凸を有していてもよい。また、第2面PTBは、第2面PLBと平坦でなくともよいし、第2面PLBよりも上に位置していてもよいし、第2面PLBよりも下に位置していてもよい。保護材PTは、遮光性を有する絶縁材料、例えば、黒色の有機絶縁材料によって形成される。保護材PTは、接続用孔V1に露出する各部や接続材Cが外部から浸入する水分などによる腐食を防止し、接続用孔V1に入射する光を遮光する。さらに、保護材PTは、接続用孔V1に起因した凹凸の発生を抑制する。
第1偏光板PL1の第2面PLB及び保護材PTの第2面PTBは、上述の接着層40で覆われている。この接着層40を介して、カバー部材CGが貼り付けられている。このようにカバー部材CGが設けられるために、接続用孔V1の形成により第2基板SUB2などの強度が低下したとしても、接続用孔V1の近傍が十分に保護される。
カバー部材CGは、例えば第1偏光板PL1と対向する側の面に、加飾層41(遮光層)を備えている。加飾層41は、非表示領域NDAと対向し、上述の表示領域DAの形状に応じて開口している。この加飾層41により、接続用孔V1が外部から視認できなくなっている。
以上の本実施形態の構造によれば、接続用孔V1を通じて第1導電層L1と第2導電層L2とを接続している。したがって、極めて少ないスペースで第1導電層L1と第2導電層L2とを接続できる。これにより、表示装置DSPの狭額縁化が可能となる。
また、接続用孔V1は、第1偏光板PL1を貫通して形成された接続用孔V1に保護材PTが位置している。そのため、第1偏光板PL1と保護材PTとの間に生じる気泡を考慮する必要がない。つまり、第1偏光板PL1を貫通する接続用孔V1を形成することで、保護材PTと偏光板PL1との間に生じる得る気泡を削減できる。また、保護材PTは、黒色の有機絶縁材料で形成されているため、接続材Cに入射する光を遮光できる。したがって、信頼性の向上が可能な表示装置を提供することができる。
また、接続用孔V1は、第1偏光板PL1を貫通して形成された接続用孔V1に保護材PTが位置している。そのため、第1偏光板PL1と保護材PTとの間に生じる気泡を考慮する必要がない。つまり、第1偏光板PL1を貫通する接続用孔V1を形成することで、保護材PTと偏光板PL1との間に生じる得る気泡を削減できる。また、保護材PTは、黒色の有機絶縁材料で形成されているため、接続材Cに入射する光を遮光できる。したがって、信頼性の向上が可能な表示装置を提供することができる。
続いて、第1導電層L1と第2導電層L2との接続に関する製造工程の一例につき、図6乃至図9を用いて説明する。なお、各図においては、主に第2基板SUB2、第2導電層L2及び第1偏光板PL1に着目しており、第1基板SUB1やシールSE等の図示を省略している。
先ず、第1基板SUB1と第2基板SUB2とがシールSEによって貼り合わせられ、液晶層LCが形成された液晶パネルを用意する。次に、第2基体20の第2面20Bに第2導電層L2を貼り付ける。そして、図6に示すように、第2基体20の第2面20Bに第1偏光板PL1を貼り付ける。この段階で、第1偏光板PL1の第2面PLBには、保護フィルムSPが接着されている。保護フィルムSPは、例えば、セパレータフィルムである。保護フィルムの厚さは、例えば、十数μmである。
さらに、保護フィルムSPの上面からレーザー光Lを照射する。レーザー光源としては、例えば炭酸ガスレーザー装置などが適用可能であるが、ガラス材料及び有機系材料に穴あけ加工ができるものであればよく、エキシマレーザー装置なども適用可能である。
このようなレーザー光Lが照射されることにより、図7に示すように、保護フィルムSP及び第1偏光板PL1を貫通する貫通孔VA1と、接着層31及びオーバーコート層30を貫通する貫通孔VA2と、第2導電層L2を貫通する貫通孔VA3と、第2基体20を貫通する貫通孔VA4とが形成される。また、シールSEを含む絶縁層IL、第1導電層L1、及び第1基体10においては、レーザー光Lにより、図5に示した貫通孔VA5、貫通孔VA6、及び凹部Rが形成される。この工程においては、溶融した第2基体20などの残渣100が生じ得る。この残渣100は、例えば図7に示すように、貫通孔VA1の周囲において、保護フィルムSPの上面に付着する。
このようなレーザー光Lが照射されることにより、図7に示すように、保護フィルムSP及び第1偏光板PL1を貫通する貫通孔VA1と、接着層31及びオーバーコート層30を貫通する貫通孔VA2と、第2導電層L2を貫通する貫通孔VA3と、第2基体20を貫通する貫通孔VA4とが形成される。また、シールSEを含む絶縁層IL、第1導電層L1、及び第1基体10においては、レーザー光Lにより、図5に示した貫通孔VA5、貫通孔VA6、及び凹部Rが形成される。この工程においては、溶融した第2基体20などの残渣100が生じ得る。この残渣100は、例えば図7に示すように、貫通孔VA1の周囲において、保護フィルムSPの上面に付着する。
一般に、第1偏光板PL1、オーバーコート層30、や接着層31を構成する材料の融点は、第2導電層L2や第2基体20の融点よりも低い。したがって、レーザー光Lを照射した際には、第2導電層L2や第2基体20よりも第1偏光板PL1の方が溶融又は昇華し易い。これにより、図7に示すように貫通孔VA1及び貫通孔VA2の内径が貫通孔VA3の内径よりも大きくなり、上述の第1領域A1が第2導電層L2の上面に形成される。同様に、絶縁層ILの融点が第1導電層L1の融点よりも低いために、図5に示したように貫通孔VA5の内径が貫通孔VA6の内径よりも大きくなり、上述の第2領域A2が第1導電層L1の上面に形成される。
続いて、図8に示すように、第1導電層L1及び第2導電層L2を電気的に接続する接続材Cを形成する。より具体的には、例えば真空環境下において、溶剤と混合された接続材Cを接続用孔V1に注入し、接続用孔V1を満たす。その後、上記溶剤を除去することにより、接続材Cの体積を減少させる。これにより、図8や図5に示すように、接続用孔V1の内面に付着した接続材Cを形成することができる。図示した例では、接続材Cは、第1貫通孔VA1を通して接続用孔V1内に注入される。接続材Cは、保護フィルムSP及び第1偏光板PL1をマスクとして接続用孔V1内に注入される。換言すると、接続材Cは、保護フィルムSP及び第1偏光板PL1に合わせて接続用孔V1内に注入される。接続材Cの一部は、保護フィルムSPの上面に位置している。なお、接続材Cは、保護フィルムSPの上面に溢れるまでに注入されていなくともよく、接続用孔V1の途中、例えば、貫通孔VA2まで注入されていてもよい。
続いて、図9に示すように、保護材PTを形成する。図示した例では、保護材PTは、第1貫通孔VA1を通して接続用孔V1内に注入される。保護材PTは、保護フィルムSP及び第1偏光板PL1をマスクとして接続用孔V1内に注入される。換言すると、保護材PTは、保護フィルムSP及び第1偏光板PL1に合わせて接続用孔V1内に注入される。その後、保護材PTは、自重により接続用孔V1内に入り込む。保護材PTは、例えば、粘性を有する材料で形成されているため、接続用孔V1内の途中で止まり得る。図9に示した例では、保護材PTは、第4貫通孔VA4の途中で止まっている。接続用孔V1は、保護材PTの下側に空洞CVを有している。そのため、注入した際に接続用孔V1の外側に保護材PTが盛り上がっていたとしても、保護材PTは、自重により接続用孔V1内に入り込み、平坦になるか、若しくは下側に窪み得る。保護材PTの一部は、保護フィルムSPの上面に位置している。なお、保護材PTは、保護フィルムSPの上面に溢れるまで注入されていなくともよい。
図9に示すように、保護フィルムSPを剥がす。保護フィルムSP上に位置する残渣100、接続材Cの一部、及び保護材PTの一部は、保護フィルムSPを剥がすことで、保護フィルムSPとともに除去される。そのため、接続材C及び保護材PTは、第1偏光板PL1の上に位置していない。このとき、一例では、図5に示したように、第1偏光板PL1の第2面PLB、保護材PTの第2面PTB、及び接続材Cの上端部は、第1方向Xで平坦になり得る。その後、第1偏光板PL1の上に接着層40を介してカバー部材CGを貼り付け、照明装置BLなどを配置することにより、図5等に示した構造の表示装置DSPが完成する。
このような製造方法によれば、第1偏光板PL1を第2基板SUB2の上に配置した後に、レーザー光Lで各貫通孔VA1〜VA6及び凹部Rを一括で形成する。接続用孔V1を形成する際に生じる残渣等から保護するための保護層として、製造時から貼り付けられている保護フィルムSPを使用することで、新たに保護フィルム、例えば、PET(ポリエチレンテレフタレート)樹脂等から成るフィルムを第1偏光板PL1に張り付ける工程を削減することができる。また、保護フィルムSP及び第1偏光板PL1を貫通する貫通孔VA1を含む接続用孔V1を形成した後に、保護フィルムSP及び第1偏光板PL1をマスクとして、接続材C及び保護材PTをそれぞれ接続用孔V1に注入できる。そのため、接続材C及び保護材PTが、例えば、第1偏光板PL1の第2面PLB上に広がることを防止できる。さらに、第1偏光板PL1を貫通する貫通孔VA1を含む接続用孔V1を形成しているため、第1偏光板PL1と保護材PTとの間に生じる気泡を考慮する必要がない。つまり、第1偏光板PL1を貫通する接続用孔V1を形成することで、保護材PTと偏光板PL1との間に生じる気泡を削減できる。したがって、信頼性の向上が可能な表示装置を提供することができる。
なお、各貫通孔VA1〜VA6及び凹部Rは、エッチングなどの他種のプロセスを適宜に利用して形成されてもよい。
以上、本実施形態にて開示した表示装置DSP及びその製造方法によれば、既述した効果の他にも、種々の好適な効果を得ることができる。
以上、本実施形態にて開示した表示装置DSP及びその製造方法によれば、既述した効果の他にも、種々の好適な効果を得ることができる。
(変形例)
次に、本実施形態の変形例について図10乃至図16を参照しながらそれぞれ説明する。以下に説明する本実施形態の変形例において、前述と同一の部分には、同一の参照符号を付しその詳細な説明を省略し、前述と異なる部分を中心に詳細に説明する。なお、他の変形例においても、前述のと同様の効果を得ることができる。
次に、本実施形態の変形例について図10乃至図16を参照しながらそれぞれ説明する。以下に説明する本実施形態の変形例において、前述と同一の部分には、同一の参照符号を付しその詳細な説明を省略し、前述と異なる部分を中心に詳細に説明する。なお、他の変形例においても、前述のと同様の効果を得ることができる。
(変形例1)
図10は、本実施形態の変形例1に係る表示装置DSPの一部の概略的な断面図である。図10には、主に第2基板SUB2、第2導電層L2及び第1偏光板PL1に着目しており、第1基板SUB1やシールSE等の図示を省略している。
図10に示した構成例は、第2導電層L2が、貫通孔VA3の周囲において、偏光板PL1、オーバーコート層30、及び接着層31から露出していない点で前述の実施形態と相違している。図示した例では、オーバーコート層30は、第2導電層L2の上面の全部を覆っている。貫通孔VA2の内面F2は、貫通孔VA1の内面F1と貫通孔VA3の内面F3とに連続的に接続されている。また、図示した例では、内面F2は、曲線状に形成されているが、直線状に形成されていてもよい。接続材Cは、第2導電層L2に内面F3だけで接触している。変形例1においても、上記同様の効果が得られる。
図10は、本実施形態の変形例1に係る表示装置DSPの一部の概略的な断面図である。図10には、主に第2基板SUB2、第2導電層L2及び第1偏光板PL1に着目しており、第1基板SUB1やシールSE等の図示を省略している。
図10に示した構成例は、第2導電層L2が、貫通孔VA3の周囲において、偏光板PL1、オーバーコート層30、及び接着層31から露出していない点で前述の実施形態と相違している。図示した例では、オーバーコート層30は、第2導電層L2の上面の全部を覆っている。貫通孔VA2の内面F2は、貫通孔VA1の内面F1と貫通孔VA3の内面F3とに連続的に接続されている。また、図示した例では、内面F2は、曲線状に形成されているが、直線状に形成されていてもよい。接続材Cは、第2導電層L2に内面F3だけで接触している。変形例1においても、上記同様の効果が得られる。
(変形例2)
図11は、本実施形態の変形例2に係る表示装置DSPの一部の概略的な断面図である。図11には、主に第2基板SUB2、第2導電層L2及び第1偏光板PL1に着目しており、第1基板SUB1やシールSE等の図示を省略している。
図11に示した構成例は、接続材Cが、接続用孔V1の内面の途中まで覆っている点が前述の実施形態と相違している。図示した例では、接続材Cは、貫通孔VA2の内面F2に接触し、貫通孔VA1の内面F1に達していない。接続材Cは、貫通孔VA2において、オーバーコート層30及び接着層31に接触している。なお、接続材Cは、貫通孔VA2において、オーバーコート層30にだけに接触していてもよい。また、保護材PTは、貫通孔VA1の内面F1に接触している。変形例2においても、上記同様の効果が得られる。
図11は、本実施形態の変形例2に係る表示装置DSPの一部の概略的な断面図である。図11には、主に第2基板SUB2、第2導電層L2及び第1偏光板PL1に着目しており、第1基板SUB1やシールSE等の図示を省略している。
図11に示した構成例は、接続材Cが、接続用孔V1の内面の途中まで覆っている点が前述の実施形態と相違している。図示した例では、接続材Cは、貫通孔VA2の内面F2に接触し、貫通孔VA1の内面F1に達していない。接続材Cは、貫通孔VA2において、オーバーコート層30及び接着層31に接触している。なお、接続材Cは、貫通孔VA2において、オーバーコート層30にだけに接触していてもよい。また、保護材PTは、貫通孔VA1の内面F1に接触している。変形例2においても、上記同様の効果が得られる。
(変形例3)
図12は、本実施形態の変形例3に係る表示装置DSPの一部の概略的な断面図である。図12には、主に第2基板SUB2、第2導電層L2及び第1偏光板PL1に着目しており、第1基板SUB1やシールSE等の図示を省略している。
図12に示した構成例は、保護材PTが、下に窪んでいる点が前述の実施形態と相違している。図示した例では、接続用孔V1は、保護材PTの下側に空洞CVを有している。そのため、保護材PTは、下側、すなわち、第1基板SUB1側に窪んでいる。換言すると、保護材PTの第1面PTAは、第1基板SUB1側に突出する凸部BCを有し、保護材PTの第2面PTBは、第1基板SUB1側に窪んでいる凹部REを有している。変形例3においても、上記同様の効果が得られる。
図12は、本実施形態の変形例3に係る表示装置DSPの一部の概略的な断面図である。図12には、主に第2基板SUB2、第2導電層L2及び第1偏光板PL1に着目しており、第1基板SUB1やシールSE等の図示を省略している。
図12に示した構成例は、保護材PTが、下に窪んでいる点が前述の実施形態と相違している。図示した例では、接続用孔V1は、保護材PTの下側に空洞CVを有している。そのため、保護材PTは、下側、すなわち、第1基板SUB1側に窪んでいる。換言すると、保護材PTの第1面PTAは、第1基板SUB1側に突出する凸部BCを有し、保護材PTの第2面PTBは、第1基板SUB1側に窪んでいる凹部REを有している。変形例3においても、上記同様の効果が得られる。
(変形例4)
図13は、本実施形態の変形例4に係る表示装置DSPの一部の概略的な断面図である。図13には、主に第2基板SUB2、第2導電層L2及び第1偏光板PL1に着目しており、第1基板SUB1やシールSE等の図示を省略している。
図13に示した構成例は、保護材PTの第2面PTBが、凸部UCと凹部REとを有する点が前述の実施形態と相違している。図示した例では、保護材PTの第2面PTBは、貫通孔VA1の外側、且つ上に突出する凸部UCと、下に窪んでいる凹部REとを有している。凹部REは、第2面PTBの第1方向Xの両端に位置する2つの凸部UCの間に位置している。変形例4においても、上記同様の効果が得られる。
図13は、本実施形態の変形例4に係る表示装置DSPの一部の概略的な断面図である。図13には、主に第2基板SUB2、第2導電層L2及び第1偏光板PL1に着目しており、第1基板SUB1やシールSE等の図示を省略している。
図13に示した構成例は、保護材PTの第2面PTBが、凸部UCと凹部REとを有する点が前述の実施形態と相違している。図示した例では、保護材PTの第2面PTBは、貫通孔VA1の外側、且つ上に突出する凸部UCと、下に窪んでいる凹部REとを有している。凹部REは、第2面PTBの第1方向Xの両端に位置する2つの凸部UCの間に位置している。変形例4においても、上記同様の効果が得られる。
(変形例5)
図14は、本実施形態の変形例5に係る表示装置DSPの一部の概略的な断面図である。ここでは、図3に示した第1基板SUB1及び第2基板SUB2が備える各要素、照明装置BL、及び第2偏光板PL2の図示を適宜省略している。
図14に示した構成例は、保護材PTが接続用孔V1に充填されている点が前述の実施形態と相違している。図示した例では、保護材PTは、貫通孔VA1〜VA6、及び凹部Rに充填されている。換言すると、接続用孔V1は、保護材PTで満たされており、空洞を有していない。変形例5において、上記同様の効果が得られる。
図14は、本実施形態の変形例5に係る表示装置DSPの一部の概略的な断面図である。ここでは、図3に示した第1基板SUB1及び第2基板SUB2が備える各要素、照明装置BL、及び第2偏光板PL2の図示を適宜省略している。
図14に示した構成例は、保護材PTが接続用孔V1に充填されている点が前述の実施形態と相違している。図示した例では、保護材PTは、貫通孔VA1〜VA6、及び凹部Rに充填されている。換言すると、接続用孔V1は、保護材PTで満たされており、空洞を有していない。変形例5において、上記同様の効果が得られる。
(変形例6)
図15は、本実施形態の変形例6に係る表示装置DSPの一部の概略的な断面図である。ここでは、図3に示した第1基板SUB1及び第2基板SUB2が備える各要素、照明装置BL、及び第2偏光板PL2の図示を適宜省略している。
図15に示した構成例は、第3導電層L3を備えている点で前述の実施形態と相違している。図示した例では、第3導電層L3は、第2絶縁層12の上に位置している。換言すると、第3導電層L3は、絶縁層ILに覆われている。また、第2絶縁層12は、第1導電層L1まで貫通するコンタクトホールCHを有している。第3導電層L3は、第1導電層L1と電気的に接続されている。例えば、第3導電層L3は、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。
図示した例では、貫通孔VA5は、絶縁層ILを構成する各層、及び第3導電層L3を貫通している。接続材Cは、貫通孔VA5において、第3導電層L3に接触している。
変形例6においても、上記同様の効果が得られる。さらに、接続材Cと接触する第3導電層L3の分だけ接触面積を拡大することができる。
図15は、本実施形態の変形例6に係る表示装置DSPの一部の概略的な断面図である。ここでは、図3に示した第1基板SUB1及び第2基板SUB2が備える各要素、照明装置BL、及び第2偏光板PL2の図示を適宜省略している。
図15に示した構成例は、第3導電層L3を備えている点で前述の実施形態と相違している。図示した例では、第3導電層L3は、第2絶縁層12の上に位置している。換言すると、第3導電層L3は、絶縁層ILに覆われている。また、第2絶縁層12は、第1導電層L1まで貫通するコンタクトホールCHを有している。第3導電層L3は、第1導電層L1と電気的に接続されている。例えば、第3導電層L3は、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。
図示した例では、貫通孔VA5は、絶縁層ILを構成する各層、及び第3導電層L3を貫通している。接続材Cは、貫通孔VA5において、第3導電層L3に接触している。
変形例6においても、上記同様の効果が得られる。さらに、接続材Cと接触する第3導電層L3の分だけ接触面積を拡大することができる。
(変形例7)
図16は、本実施形態の変形例7に係る表示装置DSPの一部の概略的な断面図である。ここでは、説明に必要な構成のみを示している。
図16に示した構成例は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置DSPである点が前述の実施形態と相違している。図示した例では、第1基板SUB1は、第1基体10、第2絶縁層12、反射層4、有機EL素子OLED、リブ15、封止層16等を備えている。第1基体10は、有機絶縁材料を用いて形成され、例えば、ポリイミドを用いて形成される。反射層4は、第2絶縁層12の上に形成されている。反射層4は、アルミニウムや銀等の光反射率が高い金属材料で形成される。なお、反射層4の表面は、平坦面であってもよいし、光散乱性を付与するための凹凸面であってもよい。図示していないが、有機EL素子OLEDは、スイッチング素子に電気的に接続されている。有機EL素子OLEDは、反射層4の上に画素電極PEを備えている。図示していないが、画素電極PEは、スイッチング素子のドレイン電極WDと接触し、スイッチング素子と電気的に接続されている。有機EL素子OLEDは、さらに有機発光層ORG及び共通電極CEを備えている。図示した例では、画素電極PE及び共通電極CEのうち、一方が陽極であり、他方が陰極である。有機発光層ORGは、画素電極PEの上に位置している。共通電極CEは、有機発光層ORGの上に位置している。ここでは、共通電極CEは、例えば、ITOやIZO等の透明な導電材料によって形成されている。リブ15は、絶縁層12の上、且つ有機EL素子OLEDとシールSEとの間に位置している。封止層16は、有機EL素子OLEDの上を覆っている。図示した例では、封止層16は、第2基板SUB2の第2基体20とシールSEとの間にも位置している。封止層16は、有機EL素子OLEDへの酸素や水分の侵入を抑制し、有機EL素子OLEDの劣化を抑制する。例えば、封止層16は、無機膜と有機膜の積層体から構成されていてもよい。なお、封止層16は、第2基体20とシールSEとの間に位置していなくともよい。例えば、基体20の第1面20AにシールSEが接触していてもよい。また、第2絶縁層12と有機EL素子OLEDとの間には、他の各種絶縁層や各種導電層が配置されていてもよい。図示した例において、第2絶縁層12、シールSE、及び封止層16は、絶縁層ILを構成する。なお、絶縁層ILは、他の各種絶縁層や各種導電層をさらに含んでいてもよいし、第2絶縁層12及び封止層16の少なくとも1つを含まなくともよい。
図16は、本実施形態の変形例7に係る表示装置DSPの一部の概略的な断面図である。ここでは、説明に必要な構成のみを示している。
図16に示した構成例は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置DSPである点が前述の実施形態と相違している。図示した例では、第1基板SUB1は、第1基体10、第2絶縁層12、反射層4、有機EL素子OLED、リブ15、封止層16等を備えている。第1基体10は、有機絶縁材料を用いて形成され、例えば、ポリイミドを用いて形成される。反射層4は、第2絶縁層12の上に形成されている。反射層4は、アルミニウムや銀等の光反射率が高い金属材料で形成される。なお、反射層4の表面は、平坦面であってもよいし、光散乱性を付与するための凹凸面であってもよい。図示していないが、有機EL素子OLEDは、スイッチング素子に電気的に接続されている。有機EL素子OLEDは、反射層4の上に画素電極PEを備えている。図示していないが、画素電極PEは、スイッチング素子のドレイン電極WDと接触し、スイッチング素子と電気的に接続されている。有機EL素子OLEDは、さらに有機発光層ORG及び共通電極CEを備えている。図示した例では、画素電極PE及び共通電極CEのうち、一方が陽極であり、他方が陰極である。有機発光層ORGは、画素電極PEの上に位置している。共通電極CEは、有機発光層ORGの上に位置している。ここでは、共通電極CEは、例えば、ITOやIZO等の透明な導電材料によって形成されている。リブ15は、絶縁層12の上、且つ有機EL素子OLEDとシールSEとの間に位置している。封止層16は、有機EL素子OLEDの上を覆っている。図示した例では、封止層16は、第2基板SUB2の第2基体20とシールSEとの間にも位置している。封止層16は、有機EL素子OLEDへの酸素や水分の侵入を抑制し、有機EL素子OLEDの劣化を抑制する。例えば、封止層16は、無機膜と有機膜の積層体から構成されていてもよい。なお、封止層16は、第2基体20とシールSEとの間に位置していなくともよい。例えば、基体20の第1面20AにシールSEが接触していてもよい。また、第2絶縁層12と有機EL素子OLEDとの間には、他の各種絶縁層や各種導電層が配置されていてもよい。図示した例において、第2絶縁層12、シールSE、及び封止層16は、絶縁層ILを構成する。なお、絶縁層ILは、他の各種絶縁層や各種導電層をさらに含んでいてもよいし、第2絶縁層12及び封止層16の少なくとも1つを含まなくともよい。
第2基板SUB2は、第2基体20等を備えている。なお、第2基板SUB2は、有機EL素子OLEDに対向する位置にカラーフィルタ22を備えていてもよい。また、第2基体20は、有機絶縁材料を用いて形成され、例えば、ポリイミドを用いて形成されていてもよい。また、第2基板SUB2は、第2基体20の第1面20A側に他の各種絶縁層や各種導電層を備えていてもよい。
変形例7においても、上記同様の効果が得られる。
以上、本発明の実施形態及びその変形例を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
変形例7においても、上記同様の効果が得られる。
以上、本発明の実施形態及びその変形例を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
各実施形態では、接続用孔V1の内面に接続材が形成され、接続材の内側に保護材が充填されるとしたが、接続用孔V1の内部が接続材で満たされてもよい。
各実施形態では、接続用孔V1が第1基体10の凹部を有するとしたが、接続用孔V1は、凹部を有さなくてもよい。また、接続用孔V1は第1導電層L1を貫通する貫通孔VA6を有さなくてもよい。
本明細書にて開示した構成から得られる表示装置の一例を以下に付記する。
(1)
第1対向面と前記第1対向面と反対側の第1背面とを有し、第1導電層を含む第1基板と、
前記第1対向面と対向する第2対向面と前記第2対向面の反対側の第2背面とを有する基体を含む第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置された表示機能層と、
前記第2背面と対向する第3対向面と前記第3対向面の反対側の第3背面とを有する偏光板と、
前記基体と前記偏光板との間に位置する第2導電層と、
前記第1導電層及び前記第2導電層を電気的に接続する接続材と、
前記第1対向面と対向する第4対向面と前記第4対向面の反対側の第4背面とを有する遮光性の保護材と、を備え、
前記偏光板は、第1貫通孔を有し、
前記第4対向面及び前記第4背面は、前記偏光板に対向していない、表示装置。
(2)
前記基体と前記偏光板との間に位置する接着層をさらに備え、
前記第2導電層は、前記基体と前記接着層との間に位置し、
前記接着層は、前記第1貫通孔に繋がる第2貫通孔を有し、
前記第2導電層は、前記第2貫通孔に繋がる第3貫通孔を有し、
前記基体は、前記第3貫通孔に繋がる第4貫通孔を有し、
前記接続材は、前記第3貫通孔及び前記第4貫通孔を通って前記第1導電層及び前記第2導電層に接触している、(1)に記載の表示装置。
(3)
前記保護材は、前記第1貫通孔、前記第2貫通孔、前記第3貫通孔、及び前記第4貫通孔を含む接続孔内に位置し、前記接続孔を閉じている(2)に記載の表示装置。
(4)
前記保護材は、前記第1貫通孔に位置している、(3)に記載の表示装置。
(5)
前記接続孔は、前記保護材から前記第1基板側に空洞を有している、(3)又は(4)に記載の表示装置。
(6)
前記第2導電層は、前記第2貫通孔に向かって露出している第1領域を有し、
前記接続材は、前記第1領域に接触している、(2)乃至(5)のいずれか1項に記載の表示装置。
(7)
前記接続材は、前記第2貫通孔の内面に接触している、(2)乃至(6)のいずれか1項に記載の表示装置。
(8)
前記第1導電層と前記基体との間に配置された絶縁層をさらに備え、
前記絶縁層は、前記第4貫通孔に繋がる第5貫通孔を有し、
前記接続材は、前記第5貫通孔を通って、前記第1導電層及び前記第2導電層に接触している、(2)乃至(7)のいずれか1項に記載の表示装置。
(9)
前記第4背面は、前記第1基板側に窪んでいる凹部を有している、(1)乃至(8)のいずれか1に記載の表示装置。
(10)
前記保護材は、黒色の絶縁材料で形成されている、(1)乃至(9)のいずれか1に記載の表示装置。
(11)
第1対向面と前記第1対向面の反対側の第1背面とを有し、第1導電層を含む第1基板と、前記第1対向面と対向する第2対向面と前記第2対向面と反対側の第2背面とを有する基体を含む第2基板と、前記第2背面と対向する第3対向面と前記第3対向面と反対側の第3背面と有する偏光板と、前記第3背面に接着されている保護フィルムと、前記第3対向面に接着されている接着層と、前記基体と前記接着層との間に位置する第2導電層とを備え、前記基体が前記第1導電層と対向し且つ前記第1導電層から離間した、表示パネルを用意し、
前記保護フィルムにレーザー光を照射し、
前記保護フィルム及び前記偏光板を貫通する第1貫通孔を形成し、
前記第1貫通孔の内面に接触し、遮光性を有する保護材を形成する、表示装置の製造方法。
(12)
前記レーザー光により前記第1貫通孔を形成した後に前記第1貫通孔に対向する位置の前記接着層を貫通する第2貫通孔を形成し、
前記第2貫通孔に対向する位置の前記第2導電層を貫通する第3貫通孔を形成し、
前記第3貫通孔に対向する位置の前記基体を貫通する第4貫通孔を形成し、
前記第1貫通孔を通して接続材を注入して前記第1導電層及び前記第2導電層を電気的に接続する接続材を形成する、(11)に記載の表示装置の製造方法。
(13)
前記接続材を形成した後に前記第1貫通孔を通して前記保護材を注入する、(12)に記載の表示装置の製造方法。
(14)
前記保護材を注入した後に前記保護フィルムを剥がす、(13)に記載の表示装置の製造方法。
各実施形態では、接続用孔V1が第1基体10の凹部を有するとしたが、接続用孔V1は、凹部を有さなくてもよい。また、接続用孔V1は第1導電層L1を貫通する貫通孔VA6を有さなくてもよい。
本明細書にて開示した構成から得られる表示装置の一例を以下に付記する。
(1)
第1対向面と前記第1対向面と反対側の第1背面とを有し、第1導電層を含む第1基板と、
前記第1対向面と対向する第2対向面と前記第2対向面の反対側の第2背面とを有する基体を含む第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置された表示機能層と、
前記第2背面と対向する第3対向面と前記第3対向面の反対側の第3背面とを有する偏光板と、
前記基体と前記偏光板との間に位置する第2導電層と、
前記第1導電層及び前記第2導電層を電気的に接続する接続材と、
前記第1対向面と対向する第4対向面と前記第4対向面の反対側の第4背面とを有する遮光性の保護材と、を備え、
前記偏光板は、第1貫通孔を有し、
前記第4対向面及び前記第4背面は、前記偏光板に対向していない、表示装置。
(2)
前記基体と前記偏光板との間に位置する接着層をさらに備え、
前記第2導電層は、前記基体と前記接着層との間に位置し、
前記接着層は、前記第1貫通孔に繋がる第2貫通孔を有し、
前記第2導電層は、前記第2貫通孔に繋がる第3貫通孔を有し、
前記基体は、前記第3貫通孔に繋がる第4貫通孔を有し、
前記接続材は、前記第3貫通孔及び前記第4貫通孔を通って前記第1導電層及び前記第2導電層に接触している、(1)に記載の表示装置。
(3)
前記保護材は、前記第1貫通孔、前記第2貫通孔、前記第3貫通孔、及び前記第4貫通孔を含む接続孔内に位置し、前記接続孔を閉じている(2)に記載の表示装置。
(4)
前記保護材は、前記第1貫通孔に位置している、(3)に記載の表示装置。
(5)
前記接続孔は、前記保護材から前記第1基板側に空洞を有している、(3)又は(4)に記載の表示装置。
(6)
前記第2導電層は、前記第2貫通孔に向かって露出している第1領域を有し、
前記接続材は、前記第1領域に接触している、(2)乃至(5)のいずれか1項に記載の表示装置。
(7)
前記接続材は、前記第2貫通孔の内面に接触している、(2)乃至(6)のいずれか1項に記載の表示装置。
(8)
前記第1導電層と前記基体との間に配置された絶縁層をさらに備え、
前記絶縁層は、前記第4貫通孔に繋がる第5貫通孔を有し、
前記接続材は、前記第5貫通孔を通って、前記第1導電層及び前記第2導電層に接触している、(2)乃至(7)のいずれか1項に記載の表示装置。
(9)
前記第4背面は、前記第1基板側に窪んでいる凹部を有している、(1)乃至(8)のいずれか1に記載の表示装置。
(10)
前記保護材は、黒色の絶縁材料で形成されている、(1)乃至(9)のいずれか1に記載の表示装置。
(11)
第1対向面と前記第1対向面の反対側の第1背面とを有し、第1導電層を含む第1基板と、前記第1対向面と対向する第2対向面と前記第2対向面と反対側の第2背面とを有する基体を含む第2基板と、前記第2背面と対向する第3対向面と前記第3対向面と反対側の第3背面と有する偏光板と、前記第3背面に接着されている保護フィルムと、前記第3対向面に接着されている接着層と、前記基体と前記接着層との間に位置する第2導電層とを備え、前記基体が前記第1導電層と対向し且つ前記第1導電層から離間した、表示パネルを用意し、
前記保護フィルムにレーザー光を照射し、
前記保護フィルム及び前記偏光板を貫通する第1貫通孔を形成し、
前記第1貫通孔の内面に接触し、遮光性を有する保護材を形成する、表示装置の製造方法。
(12)
前記レーザー光により前記第1貫通孔を形成した後に前記第1貫通孔に対向する位置の前記接着層を貫通する第2貫通孔を形成し、
前記第2貫通孔に対向する位置の前記第2導電層を貫通する第3貫通孔を形成し、
前記第3貫通孔に対向する位置の前記基体を貫通する第4貫通孔を形成し、
前記第1貫通孔を通して接続材を注入して前記第1導電層及び前記第2導電層を電気的に接続する接続材を形成する、(11)に記載の表示装置の製造方法。
(13)
前記接続材を形成した後に前記第1貫通孔を通して前記保護材を注入する、(12)に記載の表示装置の製造方法。
(14)
前記保護材を注入した後に前記保護フィルムを剥がす、(13)に記載の表示装置の製造方法。
DSP…表示装置、SUB1…第1基板、SUB2…第2基板、10…第1基体、20…第2基体、PL1…第1偏光板、PL2…第2偏光板、DA…表示領域、NDA…非表示領域、LC…液晶層、CG…カバー部材、BL…照明装置、L1…第1導電層、L2…第2導電層、V1…接続用孔、VA1〜VA6…貫通孔、R…凹部、A1…第1領域、A2…第2領域、C…接続材、PT…保護材。
Claims (14)
- 第1対向面と前記第1対向面と反対側の第1背面とを有し、第1導電層を含む第1基板と、
前記第1対向面と対向する第2対向面と前記第2対向面の反対側の第2背面とを有する基体を含む第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置された表示機能層と、
前記第2背面と対向する第3対向面と前記第3対向面の反対側の第3背面とを有する偏光板と、
前記基体と前記偏光板との間に位置する第2導電層と、
前記第1導電層及び前記第2導電層を電気的に接続する接続材と、
前記第1対向面と対向する第4対向面と前記第4対向面の反対側の第4背面とを有する遮光性の保護材と、を備え、
前記偏光板は、第1貫通孔を有し、
前記第4対向面及び前記第4背面は、前記偏光板に対向していない、表示装置。 - 前記基体と前記偏光板との間に位置する接着層をさらに備え、
前記第2導電層は、前記基体と前記接着層との間に位置し、
前記接着層は、前記第1貫通孔に繋がる第2貫通孔を有し、
前記第2導電層は、前記第2貫通孔に繋がる第3貫通孔を有し、
前記基体は、前記第3貫通孔に繋がる第4貫通孔を有し、
前記接続材は、前記第3貫通孔及び前記第4貫通孔を通って前記第1導電層及び前記第2導電層に接触している、請求項1に記載の表示装置。 - 前記保護材は、前記第1貫通孔、前記第2貫通孔、前記第3貫通孔、及び前記第4貫通孔を含む接続孔内に位置し、前記接続孔を閉じている請求項2に記載の表示装置。
- 前記保護材は、前記第1貫通孔に位置している、請求項3に記載の表示装置。
- 前記接続孔は、前記保護材から前記第1基板側に空洞を有している、請求項3又は4に記載の表示装置。
- 前記第2導電層は、前記第2貫通孔に向かって露出している第1領域を有し、
前記接続材は、前記第1領域に接触している、請求項2乃至5のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記接続材は、前記第2貫通孔の内面に接触している、請求項2乃至6のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記第1導電層と前記基体との間に配置された絶縁層をさらに備え、
前記絶縁層は、前記第4貫通孔に繋がる第5貫通孔を有し、
前記接続材は、前記第5貫通孔を通って、前記第1導電層及び前記第2導電層に接触している、請求項2乃至7のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記第4背面は、前記第1基板側に窪んでいる凹部を有している、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記保護材は、黒色の絶縁材料で形成されている、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の表示装置。
- 第1対向面と前記第1対向面の反対側の第1背面とを有し、第1導電層を含む第1基板と、前記第1対向面と対向する第2対向面と前記第2対向面と反対側の第2背面とを有する基体を含む第2基板と、前記第2背面と対向する第3対向面と前記第3対向面と反対側の第3背面と有する偏光板と、前記第3背面に接着されている保護フィルムと、前記第3対向面に接着されている接着層と、前記基体と前記接着層との間に位置する第2導電層とを備え、前記基体が前記第1導電層と対向し且つ前記第1導電層から離間した、表示パネルを用意し、
前記保護フィルムにレーザー光を照射し、
前記保護フィルム及び前記偏光板を貫通する第1貫通孔を形成し、
前記第1貫通孔の内面に接触し、遮光性を有する保護材を形成する、表示装置の製造方法。 - 前記レーザー光により前記第1貫通孔を形成した後に前記第1貫通孔に対向する位置の前記接着層を貫通する第2貫通孔を形成し、
前記第2貫通孔に対向する位置の前記第2導電層を貫通する第3貫通孔を形成し、
前記第3貫通孔に対向する位置の前記基体を貫通する第4貫通孔を形成し、
前記第1貫通孔を通して接続材を注入して前記第1導電層及び前記第2導電層を電気的に接続する接続材を形成する、請求項11に記載の表示装置の製造方法。 - 前記接続材を形成した後に前記第1貫通孔を通して前記保護材を注入する、請求項12に記載の表示装置の製造方法。
- 前記保護材を注入した後に前記保護フィルムを剥がす、請求項13に記載の表示装置の製造方法。
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JP2018018289A JP2019135514A (ja) | 2018-02-05 | 2018-02-05 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
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WO2023206138A1 (zh) * | 2022-04-27 | 2023-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
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