JP2018018008A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】狭額縁化を可能とする表示装置を提供する。
【解決手段】本実施形態によれば、第1絶縁基板と、画像を表示する表示領域に配置された走査線及び信号線と、表示領域に配置され走査線と信号線とに電気的に接続されたスイッチング素子と、表示領域を囲う周辺領域に配置され走査線と異なる材料で形成された第1導電層と、を備えた第1基板と、第1導電層と対向し且つ第1導電層から離間した第2絶縁基板と、第2導電層と、を備え、第2絶縁基板を貫通する第1貫通孔を有する第2基板と、第1貫通孔を通って第1導電層及び第2導電層を電気的に接続する接続部材と、を備えた表示装置が提供される。
【選択図】図8
【解決手段】本実施形態によれば、第1絶縁基板と、画像を表示する表示領域に配置された走査線及び信号線と、表示領域に配置され走査線と信号線とに電気的に接続されたスイッチング素子と、表示領域を囲う周辺領域に配置され走査線と異なる材料で形成された第1導電層と、を備えた第1基板と、第1導電層と対向し且つ第1導電層から離間した第2絶縁基板と、第2導電層と、を備え、第2絶縁基板を貫通する第1貫通孔を有する第2基板と、第1貫通孔を通って第1導電層及び第2導電層を電気的に接続する接続部材と、を備えた表示装置が提供される。
【選択図】図8
Description
本実施形態は、表示装置に関する。
近年、表示装置を狭額縁化するための技術が種々検討されている。一例では、樹脂製の第1基板の内面と外面とを貫通する孔の内部に孔内接続部を有する配線部と、樹脂製の第2基板の内面に設けられた配線部とが基板間接続部によって電気的に接続される技術が開示されている。
本実施形態の目的は、狭額縁化が可能な表示装置を提供することである。
一実施形態によれば、
第1絶縁基板と、画像を表示する表示領域に配置された走査線及び信号線と、前記表示領域に配置され前記走査線と前記信号線とに電気的に接続されたスイッチング素子と、前記表示領域を囲う周辺領域に配置され前記走査線と異なる材料で形成された第1導電層と、を備えた第1基板と、前記第1導電層と対向し且つ前記第1導電層から離間した第2絶縁基板と、第2導電層と、を備え、前記第2絶縁基板を貫通する第1貫通孔を有する第2基板と、前記第1貫通孔を通って前記第1導電層及び前記第2導電層を電気的に接続する接続部材と、を備えた表示装置が提供される。
第1絶縁基板と、画像を表示する表示領域に配置された走査線及び信号線と、前記表示領域に配置され前記走査線と前記信号線とに電気的に接続されたスイッチング素子と、前記表示領域を囲う周辺領域に配置され前記走査線と異なる材料で形成された第1導電層と、を備えた第1基板と、前記第1導電層と対向し且つ前記第1導電層から離間した第2絶縁基板と、第2導電層と、を備え、前記第2絶縁基板を貫通する第1貫通孔を有する第2基板と、前記第1貫通孔を通って前記第1導電層及び前記第2導電層を電気的に接続する接続部材と、を備えた表示装置が提供される。
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
本実施形態の表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。本実施形態にて開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などに適用可能である。
図1は、本実施形態の表示装置DSPの一構成例を示す平面図である。ここでは、表示装置DSPの一例として、センサSSを搭載した液晶表示装置について説明する。
図に示す第1方向X、第2方向Y、及び、第3方向Zは、互いに直交しているが、第1方向Xと第2方向Yとは、90度以外の角度で交差していても良い。第1方向X及び第2方向Yは、表示装置DSPを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、例えば、第1方向Xは表示装置1の短辺と平行であり、第2方向Yは表示装置1の長辺と平行である。第3方向Zは、表示装置DSPの厚さ方向に相当する。
以下の説明において、第3方向Zを上方(あるいは、単に上)と称し、第3方向Zと反対方向を下方(あるいは、単に下)と称する。「第1部材の上方の第2部材」及び「第1部材の下方の第2部材」とした場合、第2部材は、第1部材に接していてもよく、又は第1部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第1部材と第2部材との間に、第3の部材が介在していてもよい。一方、「第1部材の上の第2部材」及び「第1部材の下の第2部材」とした場合、第2部材は第1部材に接している。また、第1方向X及び第2方向Yによって規定されるX−Y平面を第3方向Zと反対方向に見ることを平面視という。第1方向X及び第3方向Zによって規定されるX−Z平面、あるいは第2方向Y及び第3方向Zによって規定されるY−Z平面における表示装置DSPの断面を見ることを断面視という。
図1は、第1方向X及び第2方向Yによって規定されるX−Y平面における表示装置DSPの一部の平面を示している。表示装置DSPは、表示パネルPNL、ICチップI1、配線基板SUB3、などを備えている。
表示パネルPNLは、液晶表示パネルであり、第1基板SUB1と、第2基板SUB2と、シールSEと、表示機能層(後述する液晶層LC)と、を備えている。第1基板SUB1と第2基板SUB2とは、第3方向に沿って対向している。図示した例では、第2基板SUB2は、第1基板SUB1の上方に設けられている。シールSEは、図1において右上がりの斜線で示した部分に設けられ、第1基板SUB1と第2基板SUB2とを接着している。表示機能層は、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に保持されている。
表示パネルPNLは、表示領域DAと非表示領域(周辺領域)NDAとを有している。表示領域DAは、画像を表示する領域であり、シールSEによって囲まれた内側に位置している。非表示領域NDAは、表示領域DAを囲んでいる。シールSEは、非表示領域NDAに位置している。
配線基板SUB3は、第1基板SUB1に実装されている。このような配線基板SUB3は、例えば可撓性を有するフレキシブル基板である。なお、本実施形態で適用可能なフレキシブル基板とは、その少なくとも一部分に、屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えていれば良い。例えば、本実施形態の配線基板SUB3は、その全体がフレキシブル部として構成されたフレキシブル基板であっても良いし、ガラスエポキシなどの硬質材料によって形成されたリジッド部及びポリイミドなどの屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えたリジッドフレキシブル基板であっても良い。
ICチップI1は、配線基板SUB3に実装されている。なお、図示した例に限らず、ICチップI1は、第2基板SUB2よりも外側に延出した第1基板SUB1に実装されていてもよいし、配線基板SUB3に接続される外部回路基板に実装されていてもよい。ICチップI1は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバDDを内蔵している。ここでのディスプレイドライバDDは、後述する信号線駆動回路SD、走査線駆動回路GD、及び、共通電極駆動回路CDの少なくとも一部を含むものである。また、図示した例では、ICチップI1は、タッチパネルコントローラなどとして機能する検出回路RCを内蔵している。なお、検出回路RCは、ICチップI1とは異なる他のICチップに内蔵されていてもよい。
表示パネルPNLは、例えば、第1基板SUB1の下方(表示面と反対側)からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第2基板SUB2の上方(表示面側)からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであってもよい。
表示装置DSPに搭載されるセンサSSは、表示装置DSPへの被検出物の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサSSは、複数の検出電極Rx(Rx1、Rx2…)を備えている。検出電極Rxは、第2基板SUB2に設けられている。これらの検出電極Rxは、それぞれ第1方向Xに延出し、第2方向Yに間隔をおいて並んでいる。図1では、検出電極Rxとして、検出電極Rx1乃至Rx4が図示されているが、ここでは、検出電極Rx1に着目してその構造例について説明する。
すなわち、検出電極Rx1は、検出部RSと、端子部RT1と、接続部CNとを備えている。
検出部RSは、表示領域DAに位置し、第1方向Xに延出している。検出電極Rx1においては、主として検出部RSがセンシングに利用される。図示した例では、検出部RSは、帯状に形成されているが、より具体的には、後述の図5を参照して説明するように微細な金属細線の集合体によって形成されている。また、1つの検出電極Rx1は、2本の検出部RSを備えているが、3本以上の検出部RSを備えていてもよいし、1本の検出部RSを備えていてもよい。
端子部RT1は、非表示領域NDAの第1方向Xに沿った一端側に位置し、検出部RSに繋がっている。接続部CNは、非表示領域NDAの第1方向Xに沿った他端側に位置し、複数の検出部RSを互いに接続している。図1において、一端側とは表示領域DAよりも左側に相当し、他端側とは表示領域DAよりも右側に相当する。端子部RT1の一部は、平面視でシールSEと重なる位置に形成されている。
一方で、第1基板SUB1は、パッドP1及び配線W1を備えている。パッドP1及び配線W1は、非表示領域NDAの一端側に位置し、平面視でシールSEと重なっている。パッドP1は、平面視で端子部RT1と重なる位置に形成されている。配線W1は、パッドP1に接続され、第2方向Yに沿って延出し、配線基板SUB3を介してICチップI1の検出回路RCと電気的に接続されている。
本実施形態において、パッドP1及び配線W1を第1導電層L1と称し、検出電極Rx1を第2導電層L2と称する場合がある。表示パネルPNLは、非表示領域NDAにおいて、第1導電層L1と第2導電層L2とを接続するための接続用孔V1を有している。
接続用孔V1は、端子部RT1とパッドP1とが対向する位置に形成されている。また、接続用孔V1は、端子部RT1を含む第2基板SUB2及びシールSEを貫通するとともに、パッドP1を貫通する場合もあり得る。図示した例では、接続用孔V1は、平面視で円形であるが、その形状は図示した例に限らず、楕円形などの他の形状であってもよい。接続用孔V1には、端子部RT1とパッドP1とを電気的に接続する接続部材が設けられている。これにより、第2基板SUB2に設けられた検出電極Rx1は、第1基板SUB1に接続された配線基板SUB3を介して検出回路RCと電気的に接続される。検出回路RCは、検出電極Rxから出力されたセンサ信号を読み取り、被検出物の接触あるいは接近の有無や、被検出物の位置座標などを検出する。
図示した例では、奇数番目の検出電極Rx1、Rx3…の各々の端子部RT1、RT3…、パッドP1、P3…、配線W1、W3…、接続用孔V1、V3…は、いずれも非表示領域NDAの一端側に位置している。また、偶数番目の検出電極Rx2、Rx4…の各々の端子部RT2、RT4…、パッドP2、P4…、配線W2、W4…、接続用孔V2、V4…は、いずれも非表示領域NDAの他端側に位置している。このようなレイアウトによれば、非表示領域NDAにおける一端側の幅と他端側の幅とを均一化することができ、狭額縁化に好適である。
図示したように、パッドP3がパッドP1よりも配線基板SUB3に近接するレイアウトでは、配線W1は、パッドP3の内側(つまり、表示領域DAに近接する側)を迂回し、パッドP3と配線基板SUB3との間で配線W3の内側に並んで配置されている。同様に、配線W2は、パッドP4の内側を迂回し、パッドP4と配線基板SUB3との間で配線W4の内側に並んで配置されている。
図2は、図1に示す表示パネルPNLの基本構成及び等価回路を示す図である。
表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数の画素PXを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素PXは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数本の走査線G(G1〜Gn)、複数本の信号線S(S1〜Sm)、共通電極CEなどを備えている。走査線Gは、各々第1方向Xに延出し、第2方向Yに並んでいる。信号線Sは、各々第2方向Yに延出し、第1方向Xに並んでいる。なお、走査線G及び信号線Sは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極CEは、複数の画素PXに亘って配置されている。走査線G、信号線S、及び、共通電極CEは、それぞれ非表示領域NDAに引き出されている。非表示領域NDAにおいて、走査線Gは走査線駆動回路GDに接続され、信号線Sは信号線駆動回路SDに接続され、共通電極CEは共通電極駆動回路CDに接続されている。信号線駆動回路SD、走査線駆動回路GD、及び、共通電極駆動回路CDは、第1基板SUB1上に形成されても良いし、これらの一部或いは全部が図1に示すICチップI1に内蔵されていても良い。
各画素PXは、スイッチング素子SW、画素電極PE、共通電極CE、液晶層LC等を備えている。スイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタ(TFT)によって構成され、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子SWは、ゲート電極WG、ソース電極WS、及び、ドレイン電極WDを備えている。ゲート電極WGは、走査線Gと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Sと電気的に接続された電極をソース電極WSと称し、画素電極PEと電気的に接続された電極をドレイン電極WDと称する。
走査線Gは、第1方向Xに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと接続されている。信号線Sは、第2方向Yに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと接続されている。画素電極PEの各々は、共通電極CEと対向し、画素電極PEと共通電極CEとの間に生じる電界によって液晶層LCを駆動している。保持容量CSは、例えば、共通電極CEと画素電極PEとの間に形成される。
図3は、図1に示す表示パネルPNLの表示領域DAの構造を示す断面図である。ここでは、第1方向X及び第3方向Zによって規定されるX−Z平面で切断した断面図を示す。第3方向Zは、第1基板SUB1から第2基板SUB2に向かう方向に相当する。
図示した表示パネルPNLは、主として基板主面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルPNLは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していても良い。横電界を利用する表示モードでは、例えば第1基板SUB1及び第2基板SUB2のいずれか一方に画素電極PE及び共通電極CEの双方が備えられた構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第1基板SUB1に画素電極PE及び共通電極CEのいずれか一方が備えられ、第2基板SUB2に画素電極PE及び共通電極CEのいずれか他方が備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、X−Y平面と平行な面である。
第1基板SUB1は、第1絶縁基板としての第1ガラス基板10を用いて構成されている。第1ガラス基板10は、第2基板SUB2と対向する主面10Aと、主面10Aとは反対側の主面10Bとを有している。第1基板SUB1は、第1ガラス基板10の主面10Aの側に、信号線S、共通電極CE、金属層M、画素電極PE、第1絶縁膜11、第2絶縁膜12、第3絶縁膜13、第1配向膜AL1などを備えている。なお、ここでは、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁膜等の図示を省略している。
第1絶縁膜11は、第1ガラス基板10の上に位置している。図示しない走査線やスイッチング素子の半導体層は、第1ガラス基板10と第1絶縁膜11の間に位置している。信号線Sは、第1絶縁膜11の上に位置している。第2絶縁膜12は、信号線S、及び、第1絶縁膜11の上に位置している。共通電極CEは、第2絶縁膜12の上に位置している。金属層Mは、信号線Sの直上において共通電極CEに接触している。図示した例では、金属層Mは、共通電極CEの上に位置しているが、共通電極CEと第2絶縁膜12との間に位置していても良い。第3絶縁膜13は、共通電極CE、及び、金属層Mの上に位置している。画素電極PEは、第3絶縁膜13の上に位置している。画素電極PEは、第3絶縁膜13を介して共通電極CEと対向している。また、画素電極PEは、共通電極CEと対向する位置にスリットSLを有している。第1配向膜AL1は、画素電極PE及び第3絶縁膜13を覆っている。
走査線、信号線S、及び、金属層Mは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。共通電極CE及び画素電極PEは、インジウム錫酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)などの透明な導電材料によって形成されている。第1絶縁膜11及び第3絶縁膜13は無機絶縁膜であり、第2絶縁膜12は有機絶縁膜である。本実施例において、例えば走査線はタングステンを含む金属材料で形成されており、信号線Sはアルミニウムを含む金属材料により形成されている。
なお、第1基板SUB1の構成は、図示した例に限らず、画素電極PEが第2絶縁膜12と第3絶縁膜13との間に位置し、共通電極CEが第3絶縁膜13と第1配向膜AL1との間に位置していても良い。このような場合、画素電極PEはスリットを有していない平板状に形成され、共通電極CEは画素電極PEと対向するスリットを有する。また、画素電極PE及び共通電極CEの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように配置されていても良い。
第2基板SUB2は、第2絶縁基板としての第2ガラス基板20を用いて構成されている。第2ガラス基板20は、第1基板SUB1と対向する主面20Aと、主面20Aとは反対側の主面20Bとを有している。第2基板SUB2は、第2ガラス基板20の主面20Aの側に、遮光層BM、カラーフィルタCF、オーバーコート層OC、第2配向膜AL2などを備えている。
遮光層BM及びカラーフィルタCFは、第2ガラス基板20の第1基板SUB1と対向する側に位置している。遮光層BMは、各画素を区画し、信号線Sの直上に位置している。カラーフィルタCFは、画素電極PEと対向し、その一部が遮光層BMに重なっている。カラーフィルタCFは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタなどを含む。オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFを覆っている。第2配向膜AL2は、オーバーコート層OCを覆っている。
なお、カラーフィルタCFは、第1基板SUB1に配置されても良い。カラーフィルタCFは、4色以上のカラーフィルタを含んでいても良い。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されても良いし、無着色の樹脂材料が配置されても良いし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層OCを配置しても良い。
検出電極Rxは、第2ガラス基板20の主面20Bに位置している。検出電極Rxは、上記の通り、第2導電層L2に相当し、金属を含む導電層、ITOやIZO等の透明な導電材料によって形成されていても良いし、金属を含む導電層の上に透明導電層が積層されていても良いし、導電性の有機材料や、微細な導電性物質の分散体などによって形成されていても良い。
第1偏光板PL1を含む第1光学素子OD1は、第1ガラス基板10と照明装置BLとの間に位置している。第2偏光板PL2を含む第2光学素子OD2は、検出電極Rxの上に位置している。第1光学素子OD1及び第2光学素子OD2は、必要に応じて位相差板を含んでいても良い。
図4は、第1基板SUB1におけるスイッチング素子SWと画素電極PEとの接続関係を説明するための断面図である。ここではスイッチング素子SWとしてダブルゲート型の薄膜トランジスタを示しているが、スイッチング素子SWは、シングルゲート型の薄膜トランジスタであってもよい。
スイッチング素子SWを構成する半導体層SCは、アンダーコート層としての第1無機絶縁膜111の上に形成され、第2無機絶縁膜112により覆われている。ゲート電極WG11,WG12は、第2無機絶縁膜112の上に形成され、第3無機絶縁膜113により覆われている。ソース電極WS及びドレイン電極WDは、第3無機絶縁膜113の上に形成されている。ソース電極WS及びドレイン電極WDは、第1無機絶縁膜111及び第2無機絶縁膜112に設けられたコンタクトホールCH1及びコンタクトホールCH2をそれぞれ通って、半導体層SCに接続されている。第1無機絶縁膜111、第2無機絶縁膜112、第3無機絶縁膜113は、図3に示す第1絶縁膜11に相当する。
第2絶縁膜12は、ソース電極WS及びドレイン電極WDを覆うとともに、第3無機絶縁膜113の上にも形成されている。図示した例では、コンタクトホールCH2と重なる領域の第2絶縁膜12内に、ドレイン電極WDまで貫通したコンタクトホールCH3が形成されている。共通電極CEは、コンタクトホールCH3が設けられた領域を除く第2絶縁膜12の上に形成されている。第3絶縁膜13は、共通電極CEを覆うとともに、第2絶縁膜12の上にも形成されている。図示した例では、第3絶縁膜13は、コンタクトホールCH3の側面も覆っているが、ドレイン電極WDの少なくとも一部を露出する貫通孔を有している。画素電極PEは、コンタクトホールCH3を通って、ドレイン電極WDと接触している。
次に、本実施形態の表示装置DSPに搭載されるセンサSSの一構成例について説明する。以下に説明するセンサSSは、例えば相互容量方式の静電容量型であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触あるいは接近を検出するものである。
図5は、センサSSの一構成例を示す平面図である。
図示した構成例では、センサSSは、センサ駆動電極Tx、及び、検出電極Rxを備えている。図示した例では、センサ駆動電極Txは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第1基板SUB1に設けられている。また、検出電極Rxは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第2基板SUB2に設けられている。センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxは、X−Y平面において、互いに交差している。検出電極Rxは、第3方向Zにおいて、センサ駆動電極Txと対向している。
センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxは、表示領域DAに位置し、それらの一部が非表示領域NDAに延在している。図示した例では、センサ駆動電極Txは、それぞれ第2方向Yに延出した帯状の形状を有し、第1方向Xに間隔を置いて並んでいる。検出電極Rxは、それぞれ第1方向Xに延出し、第2方向Yに間隔を置いて並んでいる。検出電極Rxは、図1を参照して説明したように、第1基板SUB1に設けられたパッドに接続され、配線を介して検出回路RCと電気的に接続されている。センサ駆動電極Txの各々は、配線WRを介して共通電極駆動回路CDと電気的に接続されている。なお、センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。
センサ駆動電極Txは、上記の共通電極CEを含み、画素電極PEとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極Rxとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。
共通電極駆動回路CDは、表示領域DAに画像を表示する表示駆動時に、共通電極CEを含むセンサ駆動電極Txに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路CDは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Txに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Rxは、センサ駆動電極Txへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センシングに必要なセンサ信号(つまり、センサ駆動電極Txと検出電極Rxとの間の電極間容量の変化に基づいた信号)を出力する。検出電極Rxから出力された検出信号は、図1に示す検出回路RCに入力される。
なお、上記した各構成例におけるセンサSSは、一対の電極間の静電容量(上記の例ではセンサ駆動電極Txと検出電極Rxとの間の静電容量)の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式に限らず、検出電極Rxの静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式であっても良い。
図6は、図1に示す検出電極Rx1の検出部RSの構成例を示す図である。
図6(A)に示す例では、検出部RSは、メッシュ状の金属細線MSによって形成されている。金属細線MSは、端子部RT1に繋がっている。図6(B)に示す例では、検出部RSは、波状の金属細線MWによって形成されている。図示した例では、金属細線MWは、鋸歯状であるが、正弦波状などの他の形状であっても良い。金属細線MWは、端子部RT1に繋がっている。
端子部RT1は、例えば検出部RSと同一材料によって形成されている。端子部RT1には、円形の接続用孔V1が形成されている。なお、接続用孔V1は、破線の円で示すように、部分的に端子部RT1と重なっていてもよい。
図7は、図1に示すパッドP1を拡大して示している。
図示した例では、パッドP1は、八角形であるが、八角形以外の多角形でもよく、円形又は楕円形でもよく、直線と曲線とからなる形状でもよい。
パッドP1は、貫通孔VBを有している。図示した例では、パッドP1は、貫通孔VBを挟む2本のスリットSTを有している。これにより、例えばシールSEとパッドP1とが重畳する場合であっても、紫外線の照射によりシールSEを硬化する際に、スリットSTを通って紫外線がシールSEに到達するため、確実にシールを硬化することが可能となる。図7(A)に示す例では、スリットSTは、貫通孔VBから離間している。図7(B)に示す例では、スリットSTは、貫通孔VBと繋がっている。なお、スリットSTは、1本でもよく、3本以上設けられていてもよく、省略されてもよい。
図8は、図1に示す接続用孔V1を含むA−B線で切断した表示パネルPNLの断面図である。ここでは、説明に必要な主要部のみを図示している。
第1基板SUB1は、第1ガラス基板10の主面10A側に、第1導電層L1に相当するパッドP1、第1絶縁膜11、第2絶縁膜12、第3絶縁膜13、第1配向膜AL1などを備えている。
第1絶縁膜11は、上述したように、第1無機絶縁膜111、第2無機絶縁膜112、第3無機絶縁膜113がこの順で積層された層構造を有しており、第1ガラス基板10の主面10Aの上に設けられている。第1無機絶縁膜111は、表示領域DAにおいてスイッチング素子SWの半導体層SCの下に設けられている。第2無機絶縁膜112は、表示領域DAにおいて、スイッチング素子SWの半導体層SCを覆っている。第3無機絶縁膜113は、表示領域DAにおいて、スイッチング素子SWのゲート電極WG、及びゲート電極WGが接続される走査線Gを覆っている。
パッドP1は、第1ガラス基板10の主面10Aの上に形成されている。すなわち、第1絶縁膜11は、凹部GRを有している。図示した例では、凹部GRは、第1無機絶縁膜111、第2無機絶縁膜112、及び、第3無機絶縁膜113を第1ガラス基板10まで貫通している。パッドP1は、凹部GRに形成されている。図示した例では、パッドP1は、凹部GRにおける第1ガラス基板10の主面10Aに形成されるとともに、第1無機絶縁膜111の側面、第2無機絶縁膜112の側面、第3無機絶縁膜113の側面、及び第3無機絶縁膜113の上面にも形成されている。
パッドP1は、図3に示す信号線Sと同一材料によって形成されている。より具体的には、パッドP1は、チタン(Ti)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)がこの順で積層された積層構造を有している。なお、パッドP1は、図1に示す走査線Gと同一材料によって形成することもできる。しかしながら、上述したように走査線Gがタングステンを含む材料によって形成されている場合は、パッドP1は、走査線Gとは異なる材料によって形成されることが望ましい。タングステンは、アルミニウムより高い融点を有するため、例えばレーザー光を照射して貫通孔VBを形成する際に、貫通孔VBの形状が接続部材CとパッドP1とを導通させるのに適さない形状となる場合がある。したがって、走査線Gがタングステンを含む材料により形成され、信号線Sがタングステンを含まず例えばアルミニウム等の比較的融点が低い金属材料により形成されている場合は、パッドP1は、信号線Sと同一材料により形成されることが望ましい。
第2絶縁膜12は、パッドP1よりも表示領域DA側の第3無機絶縁膜113の上に設けられており、パッドP1を覆っていない。第2絶縁膜12は、表示領域DAにおいて、スイッチング素子SWのソース電極WS及びドレイン電極WDと、ソース電極WSが接続される信号線Sとを覆っている。
第3絶縁膜13は、第2絶縁膜12の上に設けられている。なお、第3絶縁膜13は、パッドP1を覆っていてもよい。第3絶縁膜13は、表示領域DAにおいて、共通電極CEを覆っている。
第1配向膜AL1は、第3無機絶縁膜113、パッドP1、第2絶縁膜12、第3絶縁膜13を覆っている。図示した例では、第1配向膜AL1は、パッドP1のスリットST内にも設けられているが、スリットSTにおいて除去されていてもよい。また、第1配向膜AL1は、パッドP1を覆っていなくてもよい。第1配向膜AL1は、表示領域DAにおいて、画素電極PEを覆っている。
第2基板SUB2は、第2ガラス基板20の主面20Aに、有機材料からなる遮光層BM、オーバーコート層OC、第2配向膜AL2などを備えている。第2基板SUB2は、第2ガラス基板20の主面20Bに、第2導電層L2に相当する検出電極Rx1を備えている。検出電極Rx1は、保護部材PFにより覆われている。保護部材PFは、例えばアクリル系樹脂などの有機絶縁材料によって形成されている。
シールSEは、有機材料からなり、少なくともパッドP1が設けられた領域において、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に位置している。
液晶層LCは、第2絶縁膜12が設けられた領域において、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間隙に位置している。
本実施形態では、第1ガラス基板10と第2ガラス基板20との間に設けられた遮光層BM、オーバーコート層OC、第2配向膜AL2、シールSE、第1配向膜AL1、第2絶縁膜12を、有機材料からなる構造物と称する場合がある。また、有機材料からなる構造物のうち、遮光層BM、オーバーコート層OC、第2配向膜AL2を第1有機絶縁膜と称し、第2絶縁膜12を第2有機絶縁膜と称する場合がある。
接続用孔V1は、第2ガラス基板20を貫通する貫通孔VA、パッドP1を貫通する貫通孔VB、有機材料からなる構造物を貫通する貫通孔VC、及び、第1ガラス基板10に形成された凹部CCを含んでいる。図示した例では、接続用孔V1は、検出電極Rxの端子部RTも貫通している。凹部CC、貫通孔VB、貫通孔VC、及び、貫通孔VAは、この順に第3方向Zに並び、且つ、第3方向Zに沿った同一直線上に位置している。
貫通孔VAは、例えばテーパー形状の断面を有している。第2ガラス基板20の主面20Bにおける貫通孔VAの第1方向Xの幅は、主面20Bにおける貫通孔VAの第1方向Xの幅より大きい。
貫通孔VCは、第2ガラス基板20の主面20Bと、パッドP1の第2基板SUB2と対向する主面(以下、上面と称す)P1Aとの間に形成されている。貫通孔VCは、第2基板SUB2に設けられた第1有機絶縁膜、すなわち遮光層BM、オーバーコート層OC、及び第2配向膜AL2を貫通する第1部分VC1と、シールSEを貫通する第2部分VC2とを有している。図示した例では、第2部分VC2は、第1配向膜AL1も貫通している。第2部分VC2、第1部分VC1は、この順に第3方向Zに並んでいる。第1部分VC1は、貫通孔VAと繋がっており、第2部分VC2は、第1部分VC1及び貫通孔VBと繋がっている。
貫通孔VCのパッドP1の上面P1Aにおける第1方向Xの幅WCは、貫通孔VBの第1方向Xの幅WBより大きい。図示した例では、貫通孔VCは、パッドP1の上面P1Aの一部を露出している。
接続部材Cは、接続用孔V1に設けられ、第2導電層L2に相当する検出電極Rx1と第1導電層L1に相当するパッドP1とを電気的に接続している。接続部材Cは、例えば銀などの金属材料を含む導電性材料により形成されている。接続部材Cは、粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの金属材料の微粒子を含むものであることが望ましい。図示した例では、接続部材Cは中空部分を有し、中空部分に絶縁性の充填材FIが充填されている。充填材FIは、第2基板SUB2において、検出電極Rx1の端子部RT1の一部を覆っている。なお、中空部分には、導電性の充填材が充填されてもよい。あるいは、接続部材Cが接続用孔V1を充填していてもよい。
接続部材Cは、第2基板SUB2において端子部RT1に重なり、貫通孔VAにおいて第2ガラス基板20に接触している。また、接続部材Cは、貫通孔VCの第1部分VC1において遮光層BM、オーバーコート層OC、及び第2配向膜AL2にそれぞれ接触し、貫通孔VCの第2部分VC2においてシールSE、第1配向膜AL1、及びパッドP1の上面P1Aにそれぞれ接触している。また、接続部材Cは、貫通孔VBにおいてパッドP1の側面P1Sに接触し、凹部CCにおいて第1ガラス基板10に接触している。
なお、接続部材Cは、接続用孔V1においてパッドP1の上面P1A、側面P1Sの少なくとも一方と接触されていればよい。パッドP1は、貫通孔VBを有していなくてもよい。この場合、接続部材Cは、パッドP1の上面P1Aと接触している。
上述したセンサSSを備える表示装置DSPによれば、第2基板SUB2に設けられた検出電極Rxは、接続用孔Vに設けられた接続部材Cにより、第1基板SUB1に設けられたパッドPと接続されている。このため、検出電極Rxと検出回路RCとを接続するための配線基板を第2基板SUB2に実装する必要がなくなる。つまり、第1基板SUB1に実装された配線基板SUB3は、表示パネルPNLに画像を表示するのに必要な信号を伝送するための伝送路を形成するとともに、検出電極Rxと検出回路RCとの間で信号を伝送するための伝送路を形成する。したがって、配線基板SUB3の他に別個の配線基板を必要とする構成例と比較して、配線基板の個数を削減することができる。また、第2基板SUB2に配線基板を接続するためのスペースが不要となるため、表示パネルPNLの非表示領域、特に、配線基板SUB3が実装される端辺の幅を縮小することができる。これにより、狭額縁化が可能となる。
(第1変形例)
図9は、本実施形態に係る表示装置DSPの第1変形例を示している。第1変形例では、第1導電層L1に相当するパッドP1が、第1無機絶縁膜111の上に形成されている。すなわち、凹部GRは、第3無機絶縁膜113と第2無機絶縁膜112とを第1無機絶縁膜111まで貫通している。このような凹部GRは、例えば、図4を参照して説明したコンタクトホールCH1などと同時に形成可能である。
図9は、本実施形態に係る表示装置DSPの第1変形例を示している。第1変形例では、第1導電層L1に相当するパッドP1が、第1無機絶縁膜111の上に形成されている。すなわち、凹部GRは、第3無機絶縁膜113と第2無機絶縁膜112とを第1無機絶縁膜111まで貫通している。このような凹部GRは、例えば、図4を参照して説明したコンタクトホールCH1などと同時に形成可能である。
接続用孔V1は、第1無機絶縁膜111を貫通し、貫通孔VBと凹部CCとにと繋がる貫通孔VD1を含んでいる。図示した例では、接続部材Cは、貫通孔VD1を通って凹部CCに接触している。
(第2変形例)
図10は、本実施形態に係る表示装置DSPの第2変形例を示している。第2変形例では、第1導電層L1に相当するパッドP1が、第2無機絶縁膜112の上に形成されている。すなわち、凹部GRは、第3無機絶縁膜113を第2無機絶縁膜112まで貫通している。
図10は、本実施形態に係る表示装置DSPの第2変形例を示している。第2変形例では、第1導電層L1に相当するパッドP1が、第2無機絶縁膜112の上に形成されている。すなわち、凹部GRは、第3無機絶縁膜113を第2無機絶縁膜112まで貫通している。
接続用孔V1は、第2無機絶縁膜112を貫通し貫通孔VBに繋がる貫通孔VD2と、第1無機絶縁膜111を貫通し貫通孔VD2及び凹部CCに繋がる貫通孔VD1とを含んでいる。図示した例では、接続部材Cは、貫通孔VD2,VD1を通って凹部CCに接触している。
(第3変形例)
図11は、本実施形態に係る表示装置DSPの第3変形例を示している。第3変形例では、第1導電層L1に相当するパッドP1が、第3無機絶縁膜113の上に形成されている。すなわち、第1絶縁膜11において凹部GRは設けられていない。
図11は、本実施形態に係る表示装置DSPの第3変形例を示している。第3変形例では、第1導電層L1に相当するパッドP1が、第3無機絶縁膜113の上に形成されている。すなわち、第1絶縁膜11において凹部GRは設けられていない。
接続用孔V1は、第3無機絶縁膜113を貫通し、貫通孔VBに繋がる貫通孔VD3と、第2無機絶縁膜112を貫通し、貫通孔VD3に繋がる貫通孔VD2と、第1無機絶縁膜111を貫通し、貫通孔VD2及び凹部CCに繋がる貫通孔VD1とを含んでいる。図示した例では、接続部材Cは、貫通孔VD3,VD2,VD1を通って凹部CCに接触している。
(第4変形例)
図12は、本実施形態に係る表示装置DSPの第4変形例を示している。第4変形例では、第1導電層L1に相当するパッドP1が、半導体層SCの上に設けられている。半導体層SCは、第1無機絶縁膜111の上に形成されている。このような半導体層SCは、表示領域DAにおけるスイッチング素子SWの半導体層と同時に形成することができる。凹部GRは、第3無機絶縁膜113と第2無機絶縁膜112とを半導体層SCまで貫通している。
図12は、本実施形態に係る表示装置DSPの第4変形例を示している。第4変形例では、第1導電層L1に相当するパッドP1が、半導体層SCの上に設けられている。半導体層SCは、第1無機絶縁膜111の上に形成されている。このような半導体層SCは、表示領域DAにおけるスイッチング素子SWの半導体層と同時に形成することができる。凹部GRは、第3無機絶縁膜113と第2無機絶縁膜112とを半導体層SCまで貫通している。
接続用孔V1は、半導体層SCを貫通し貫通孔VBに繋がる貫通孔VD4と、第1無機絶縁膜111を貫通し貫通孔VD4及び凹部CCに繋がる貫通孔VD1とを含んでいる。接続部材Cは、貫通孔VD4において、半導体層SCと接している。図示した例では、接続部材Cは、貫通孔VD4,VD1を通って凹部CCに接触している。
パッドP1は半導体層SCに接触し、両者が互いに電気的に接続されているため、貫通孔VD4において半導体層SCと接続部材Cとが接触することで、実質的にパッドP1と接続部材Cとの接触面積を拡大することができる。
(第5変形例)
図13は、本実施形態に係る表示装置DSPの第5変形例を示している。第5変形例では、第1導電層L1に相当するパッドP1が、第1透明導電層TC1により覆われている。第1透明導電層TC1は、インジウム錫酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)などの透明な導電材料により形成されている。このような第1透明導電層TC1は、表示領域DAにおける共通電極CEまたは画素電極PEと同時に形成することができる。図示した例では、第1透明導電層TC1は、パッドP1のスリットST内にも形成されているが、スリットSTにおいて除去されていてもよい。
図13は、本実施形態に係る表示装置DSPの第5変形例を示している。第5変形例では、第1導電層L1に相当するパッドP1が、第1透明導電層TC1により覆われている。第1透明導電層TC1は、インジウム錫酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)などの透明な導電材料により形成されている。このような第1透明導電層TC1は、表示領域DAにおける共通電極CEまたは画素電極PEと同時に形成することができる。図示した例では、第1透明導電層TC1は、パッドP1のスリットST内にも形成されているが、スリットSTにおいて除去されていてもよい。
接続用孔V1は、第1透明導電層TC1を貫通し、貫通孔VCと貫通孔VBとに繋がる貫通孔VE1を含んでいる。図示した例では、接続部材Cは、貫通孔VCにおいて、第1透明導電層TC1の第2基板SUB2と対向する主面(以下、上面と称す)TC1Aと接している。また、接続部材Cは、貫通孔VE1において、第1透明導電層TC1の側面TC1Sと接している。接続部材Cは、貫通孔VBを通って凹部CCに接触している。
第5変形例によれば、パッドP1が酸化物からなる導電材料により覆われているため、パッドP1の酸化を抑制することができる。したがって、第1導電層L1と第2導電層L2との間の導電性が低下することを抑制することができる。また、パッドP1は第1透明導電層TC1に接触し、両者が互いに電気的に接続されているため、貫通孔VE1において第1透明導電層TC1と接続部材Cとが接触することで、実質的にパッドP1と接続部材Cとの接触面積を拡大することができる。これにより、安定した電気特性を得ることができる。
(第6変形例)
図14は、本実施形態に係る表示装置DSPの第6変形例を示している。第6変形例では、第1導電層L1に相当するパッドP1が第1透明導電層TC1により覆われ、第1透明導電層TC1が第2透明導電層TC2により覆われている。第2透明導電層TC2は、インジウム錫酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)などの透明な導電材料により形成されている。このような第1透明導電層TC1は、例えば、共通電極CEと同時に形成することができ、第2透明導電層TC2は、画素電極PEと同時に形成することができる。
図14は、本実施形態に係る表示装置DSPの第6変形例を示している。第6変形例では、第1導電層L1に相当するパッドP1が第1透明導電層TC1により覆われ、第1透明導電層TC1が第2透明導電層TC2により覆われている。第2透明導電層TC2は、インジウム錫酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)などの透明な導電材料により形成されている。このような第1透明導電層TC1は、例えば、共通電極CEと同時に形成することができ、第2透明導電層TC2は、画素電極PEと同時に形成することができる。
接続用孔V1は、第2透明導電層TC2を貫通し、貫通孔VCに繋がる貫通孔VE2と、第1透明導電層TC1を貫通し、貫通孔VE2と貫通孔VBとに繋がる貫通孔VE1と、を含んでいる。図示した例では、接続部材Cは、貫通孔VCにおいて、第2透明導電層TC2の第2基板SUB2と対向する主面(以下、上面と称す)TC2Aと接している。また、接続部材Cは、貫通孔VE2において第2透明導電層TC2の側面TC2Sと接している。接続部材Cは、貫通孔VE1及び貫通孔VBを通って凹部CCに接触している。
第6変形例においても、第5変形例と同様の効果を得ることができる。また、パッドP1は第1透明導電層TC1に接触し、第1透明導電層TC1は第2透明導電層TC2に接触し、これらが電気的に接続されているため、貫通孔VE2において第2透明導電層TC2と接続部材Cとが接触することで、実質的にパッドP1と接続部材Cとの接触面積をさらに拡大することができる。これにより、安定した電気特性を得ることができる。
(第7変形例)
図15は、本実施形態に係る表示装置DSPの第7変形例を示している。第7変形例では、第1導電層L1に相当するパッドP1が、有機材料からなる第2絶縁膜12(第2有機絶縁膜)により覆われている。
図15は、本実施形態に係る表示装置DSPの第7変形例を示している。第7変形例では、第1導電層L1に相当するパッドP1が、有機材料からなる第2絶縁膜12(第2有機絶縁膜)により覆われている。
貫通孔VCは、第1有機絶縁膜に相当する遮光層BM、オーバーコート層OC、及び第2配向膜AL2を貫通する第1部分VC1と、シールSEを貫通する第2部分VC2と、第2有機絶縁膜に相当する第2絶縁膜12を貫通する第3部分VC3とを有している。図示した例では、第2部分VC2は、第1配向膜AL1も貫通している。第3部分VC3、第2部分VC2、第1部分VC1は、この順に第3方向Zに並んでいる。第3部分VC3は、第2部分VC2及び貫通孔VBと繋がっている。接続部材Cは、第3部分VC3において、パッドP1の上面P1Aと接している。また、接続部材Cは、貫通孔VBを通って凹部CCに接触している。
(第8変形例)
図16は、本実施形態に係る表示装置DSPの第8変形例を示している。第8変形例では、パッドP1は、島状の第2絶縁膜12aにより覆われている。島状の第2絶縁膜12aは、上述の第2絶縁膜12と同じ材料により形成されているが、パッドP1を覆う島状の第2絶縁膜12aは、表示領域DA側に設けられた第2絶縁膜12から離間している。
図16は、本実施形態に係る表示装置DSPの第8変形例を示している。第8変形例では、パッドP1は、島状の第2絶縁膜12aにより覆われている。島状の第2絶縁膜12aは、上述の第2絶縁膜12と同じ材料により形成されているが、パッドP1を覆う島状の第2絶縁膜12aは、表示領域DA側に設けられた第2絶縁膜12から離間している。
第8変形例によれば、島状の第2絶縁膜12aと第2絶縁膜12とが離間しているので、第2絶縁膜12aから表示領域DAへ第2絶縁膜12を介して水分が侵入することを抑制することができる。したがって、表示領域DAに設けられた各種素子の劣化を抑制することができる。
(第9変形例)
図17は、本実施形態に係る表示装置DSPの第9変形例を示している。第9変形例では、第1ガラス基板10には凹部が形成されていない。図示した例では、パッドP1は、第2無機絶縁膜112の上に形成されている。接続用孔V1は、第2ガラス基板20を貫通する貫通孔VA、有機材料からなる構造物を貫通する貫通孔VC、パッドP1を貫通する貫通孔VB、第2無機絶縁膜112を貫通する貫通孔VD2、第1無機絶縁膜111を貫通する貫通孔VD1、により構成されている。
図17は、本実施形態に係る表示装置DSPの第9変形例を示している。第9変形例では、第1ガラス基板10には凹部が形成されていない。図示した例では、パッドP1は、第2無機絶縁膜112の上に形成されている。接続用孔V1は、第2ガラス基板20を貫通する貫通孔VA、有機材料からなる構造物を貫通する貫通孔VC、パッドP1を貫通する貫通孔VB、第2無機絶縁膜112を貫通する貫通孔VD2、第1無機絶縁膜111を貫通する貫通孔VD1、により構成されている。
接続部材Cは、貫通孔VD1において、第1無機絶縁膜111に接するとともに、第1ガラス基板10の主面10Aに接している。
(第10変形例)
図18は、本実施形態に係る表示装置DSPの第10変形例を示している。第10変形例では、第1導電層L1としてのパッドP1、第2無機絶縁膜112、第1無機絶縁膜111に貫通孔が形成されていない。また、第1ガラス基板10には凹部が形成されていない。図示した例では、パッドP1は、第2無機絶縁膜112の上に形成されている。接続用孔V1は、第2ガラス基板20を貫通する貫通孔VA、有機材料からなる構造物を貫通する貫通孔VC、により構成されている。貫通孔VCは、第1配向膜AL1も貫通している。
図18は、本実施形態に係る表示装置DSPの第10変形例を示している。第10変形例では、第1導電層L1としてのパッドP1、第2無機絶縁膜112、第1無機絶縁膜111に貫通孔が形成されていない。また、第1ガラス基板10には凹部が形成されていない。図示した例では、パッドP1は、第2無機絶縁膜112の上に形成されている。接続用孔V1は、第2ガラス基板20を貫通する貫通孔VA、有機材料からなる構造物を貫通する貫通孔VC、により構成されている。貫通孔VCは、第1配向膜AL1も貫通している。
接続部材Cは、貫通孔VCの第2部分VC2において、第2配向膜AL2、シールSE、及び第1配向膜AL1に接するとともに、パッドP1の上面P1Aに接している。
第10変形例によれば、接続部材CとパッドP1との接触面積を拡大することができる。これにより、安定した電気特性を得ることができる。
なお、上記の各実施例において、非表示領域NDAに配置されパッドP1と電気的に接続される配線W1は、パッドP1が第1ガラス基板10、第1無機絶縁膜111、第2無機絶縁膜112、第3無機絶縁膜113、半導体層SCのいずれの上に形成される場合であっても、例えば第3無機絶縁膜113の上に形成されてもよい。あるいは、配線W1とパッドP1とは、同一の絶縁材料の上に形成されてもよい。すなわち、配線W1は、パッドP1が第1ガラス基板10の上に形成される場合、第1ガラス基板10の上に形成され、パッドP1が第1無機絶縁膜111の上に形成される場、第1無機絶縁膜111の上に形成され、パッドP1が第2無機絶縁膜112の上に形成される場合、第2無機絶縁膜112の上に形成されてもよい。また、配線W1は、信号線Sと同一材料によって形成されてもよく、走査線Gと同一材料によって形成されてもよく、例えば図3に示す金属層Mと同一材料によって形成されてもよい。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
DSP…表示装置 PNL…表示パネル SS…センサ
SUB1…第1基板 SUB2…第2基板 SUB3…配線基板
10…第1ガラス基板 20…第2ガラス基板
L1…導電層 L2…導電層 C…接続部材
VA,VB,VC,VD,VE…貫通孔 CC…凹部
VC1…第1部分 VC2…第2部分 VC3…第3部分
V…接続用孔
Rx…検出電極 RS…検出部 RT…端子部
P…パッド W…配線
FI…充填材 SE…シール
DA…表示領域 NDA…非表示領域
RC…検出回路
SUB1…第1基板 SUB2…第2基板 SUB3…配線基板
10…第1ガラス基板 20…第2ガラス基板
L1…導電層 L2…導電層 C…接続部材
VA,VB,VC,VD,VE…貫通孔 CC…凹部
VC1…第1部分 VC2…第2部分 VC3…第3部分
V…接続用孔
Rx…検出電極 RS…検出部 RT…端子部
P…パッド W…配線
FI…充填材 SE…シール
DA…表示領域 NDA…非表示領域
RC…検出回路
Claims (20)
- 第1絶縁基板と、画像を表示する表示領域に配置された走査線及び信号線と、前記表示領域に配置され前記走査線と前記信号線とに電気的に接続されたスイッチング素子と、前記表示領域を囲う周辺領域に配置され前記走査線と異なる材料で形成された第1導電層と、を備えた第1基板と、
前記第1導電層と対向し且つ前記第1導電層から離間した第2絶縁基板と、第2導電層と、を備え、前記第2絶縁基板を貫通する第1貫通孔を有する第2基板と、
前記第1貫通孔を通って前記第1導電層及び前記第2導電層を電気的に接続する接続部材と、
を備えた、表示装置。 - 前記第1導電層は、前記第1絶縁基板の前記第2基板と対向する主面に形成されている、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1基板は、前記第1絶縁基板の前記第2基板と対向する主面に形成された第1絶縁膜を備え、前記第1導電層は、前記第1絶縁膜の上に形成されている、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1基板は、前記スイッチング素子の半導体層を覆う第2絶縁膜を備え、前記第1導電層は、前記第2絶縁膜の上に形成されている、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1基板は、前記走査線を覆う第3絶縁膜を備え、前記第1導電層は、前記第3絶縁膜の上に形成されている、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1基板は、前記第1絶縁基板の上に前記スイッチング素子の半導体層と同じ材料で形成された半導体層を備え、前記第1導電層は、前記半導体層の上に形成されている、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた有機材料からなる構造物を備え、前記構造物は、前記第1貫通孔と繋がった第2貫通孔を有し、前記接続部材は、前記第2貫通孔を通っている、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記構造物は、前記第2基板に設けられた第1有機絶縁膜と、前記第1有機絶縁膜と前記第1基板との間に設けられたシール材とを含み、前記第2貫通孔は、前記第1有機絶縁膜を貫通する第1部分と、前記シール材を貫通し前記第1部分と繋がる第2部分とを有している、請求項7に記載の表示装置。
- 前記構造物は、前記信号線を覆う絶縁膜と同じ材料で形成されており前記第1導電層を覆う第2有機絶縁膜を含み、前記第2貫通孔は、前記第2有機絶縁膜を貫通し前記第2部分と繋がる第3部分を有している、請求項8に記載の表示装置。
- 前記構造物は、前記第2有機絶縁膜の上に形成された配向膜を含み、前記第2貫通孔は前記配向膜も貫通している、請求項9に記載の表示装置。
- 前記第2有機絶縁膜は、島状に形成されている、請求項9又は10に記載の表示装置。
- 前記第1導電層は、スリットを有している、請求項1乃至11のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記第1導電層は、前記第2貫通孔に繋がる第3貫通孔を有し、前記接続部材は、前記第3貫通孔において前記第1導電層の側面に接している、請求項7乃至11のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記第1導電層は、スリットを有し、前記スリットは、前記第3貫通孔と繋がっている、請求項13に記載の表示装置。
- 前記第2貫通孔は、前記第3貫通孔より大きい幅を有し、前記接続部材は、前記第2貫通孔において前記第1導電層の上面と接している、請求項13又は14に記載の表示装置。
- 前記第1導電層を覆う第1透明導電層を備える、請求項7乃至11のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記第1透明導電層は、前記第2貫通孔と繋がる第4貫通孔を有し、前記接続部材は、前記第2貫通孔において前記第1透明導電層の上面に接し、前記第4貫通孔において前記第1透明導電層の側面に接している、請求項16に記載の表示装置。
- 前記第1透明導電層を覆う第2透明導電層を備える、請求項16に記載の表示装置。
- 前記第2透明導電層は、前記第2貫通孔と繋がる第5貫通孔を有し、前記接続部材は、前記第2貫通孔において前記第2透明導電層の上面に接し、前記第5貫通孔において前記第2透明導電層の側面に接している、請求項18に記載の表示装置。
- 前記第1絶縁基板は、前記第1貫通孔と対向する位置に凹部を有し、前記接続部材は、前記凹部に接している、請求項1乃至19のいずれか1項に記載の表示装置。
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