JP2019101223A - 表示装置及び基板間導通構造 - Google Patents

Abstract

【課題】 信頼性の高い基板間接続部を有する表示装置及び基板間導通構造を提供する。【解決手段】 表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、表示機能層と、を備える。第２基体２０の第２端面Ｅ２ａは、第１端面Ｅ１ａと同一平面上に位置する平坦部ＳＲと、平坦部ＳＲよりも第２基体２０の内側に凹んで設けられる第１凹部Ｎａとを有する。第１凹部Ｎａには、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを電気的に接続する接続材Ｃが設けられている。【選択図】 図４

Description

本発明の実施形態は、表示装置及び基板間導通構造に関する。

近年、表示装置を狭額縁化するための技術が種々検討されている。一例では、樹脂製の第１基板の内面と外面とを貫通する孔の内部に孔内接続部を有する配線部と、樹脂製の第２基板の内面に設けられた配線部とが基板間接続部によって電気的に接続される技術が開示されている。

特開２００２−４０４６５号公報

本実施形態は、信頼性の高い基板間接続部を有する表示装置及び基板間導通構造を提供する。

一実施形態に係る表示装置は、
第１端面を備えた第１基体と、第１導電層と、を有する第１基板と、第２端面を備えた第２基体と、第２導電層と、を有し、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置した表示機能層と、を備え、前記第２端面は、前記第１端面と同一平面上に位置する平坦部と、該平坦部よりも前記第２基体の内側に凹んで設けられる第１凹部とを有し、該第１凹部には、前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続材が設けられている。

また、一実施形態に係る基板間導通構造は、
第１端面を備えた第１基体と、第１導電層と、を有する第１基板と、第２端面を備えた第２基体と、第２導電層と、を有し、前記第１基板に対向すする第２基板と、を備え、前記第２端面は、前記第１端面と同一平面上に位置する平坦部と、該平坦部よりも前記第２基体の内側に凹んで設けられる第１凹部とを有し、該第１凹部には、前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続材が設けられている。

図１は、第１の実施形態の表示装置の一構成例を示す平面図である。 図２は、図１に示した表示パネルの表示領域を示す断面図である。 図３は、図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って示す表示装置の断面図であり、凹部から外れた領域を示す図である。 図４は、図１の線ＩＶ−ＩＶに沿って示す表示装置の断面図であり、凹部を通る領域を示す図である。 図５は、上記第１の実施形態の変形例１の表示装置の一部を示す斜視図である。 図６は、上記第１の実施形態の変形例２の表示装置の一部を示す断面図である。 図７は、上記第１の実施形態の変形例３の表示装置の一部を示す平面図である。 図８は、上記第１の実施形態の変形例４の表示装置の一部を示す平面図である。 図９は、上記第１の実施形態の変形例５の表示装置の一部を示す平面図である。 図１０は、上記第１の実施形態の変形例７の表示装置の一部を示す平面図である。 図１１は、上記第１の実施形態の変形例８の表示装置の一部を示す平面図である。 図１２は、第２の実施形態に係るセンサ装置の構成例を示す平面図である。 図１３は、図１２の線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩに沿ったセンサ装置を示す断面図であり、凹部を通る領域を示す図である。 図１４は、第３の実施形態の表示装置の一部を示す斜視図である。

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

各実施形態において、表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブック型のパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。各実施形態で開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置等に適用可能である。

以下に示す各実施形態は、第１基体と第２基体とが間隔を空けて配置され、第１基体に位置する第１導電層と第２基体に位置する第２導電層とが第２基体の端面を通じて電気的に接続されている基板間導通構造を備えた種々の表示装置、センサ装置などに適用できる。

（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態について説明する。図１は、第１実施形態の表示装置ＤＳＰの一例を示す平面図である。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基体の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。ここでは、表示装置ＤＳＰの一例として、センサＳＳを搭載した液晶表示装置について説明する。

図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、ＩＣチップ１、配線基板３、後述するバックライトユニットＢＬなどを備えている。表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シール材ＳＥと、表示機能層としての液晶層ＬＣと、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第３方向Ｚにおいて第１基板ＳＵＢ１に対向している。図１においてドットパターンで示す部分はシール材ＳＥに相当する。シール材ＳＥは枠状の形状を有し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接合している。液晶層ＬＣは、シール材ＳＥの内側において第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間の空間に位置している。
以下の説明において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方と称する。また、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かって見ることを平面視と称する。

表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡと、を備えている。表示領域ＤＡは、シール材ＳＥに囲まれた内側に位置している。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡを囲む額縁状の領域であり、表示領域ＤＡと隣接している。シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置している。

図１に示す如く、非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの左側に位置し第２方向Ｙに延在する帯状の第１領域Ａ１と、表示領域ＤＡの右側に位置し第２方向Ｙに延在する帯状の第２領域Ａ２と、表示領域ＤＡの下側に位置し第１方向Ｘに延在し配線基板３が接続される領域を含む帯状の第３領域Ａ３と、表示領域ＤＡの上側に位置し第１方向Ｘに延在する帯状の第４領域Ａ４と、を含んでいる。第２基板ＳＵＢ２の端面は、第１領域Ａ１、第４領域Ａ４、及び第２領域Ａ２において第１基板ＳＵＢ１の端面と同一平面上に位置している。
第１基板ＳＵＢ１は、板状の第１基体１０を有している。第１基体１０は、図１にて右側の第１端面Ｅ１ａと左側の第１端面Ｅ１ｂとを有している。第２基板ＳＵＢ２は、図１にて板状の第２基体２０を有している。第２基体２０は、右側の第２端面Ｅ２ａと左側の第２端面Ｅ２ｂとを有している。これら右側の第１端面Ｅ１ａ、第２端面Ｅ２ａが同一平面上に位置し、左側の第１端面Ｅ１ｂ、第２端面Ｅ２ｂが同一平面上に位置している。

ＩＣチップ１は、表示パネルＰＮＬ、センサＳＳなどの制御部として機能している。ＩＣチップ１は、配線基板３に実装されている。なお、図１に示す例に限らず、ＩＣチップ１は、第１基板ＳＵＢ１のうち第２基板ＳＵＢ２よりも外側に延出した領域に実装されていてもよいし、配線基板３に接続される外部回路基板に実装されていてもよい。ＩＣチップ１は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。ディスプレイドライバＤＤは、後述する信号線を駆動する信号線駆動回路ＳＤ、走査線を駆動する走査線駆動回路ＧＤ、及び後述する共通電極を駆動する共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含んでいる。例えば、ディスプレイドライバＤＤは、信号線駆動回路ＳＤ、及び共通電極駆動回路ＣＤを含んでいる。また、図１に示す例では、ＩＣチップ１は、タッチパネルコントローラ等として機能する検出回路ＲＣを内蔵している。なお、検出回路ＲＣは、ＩＣチップ１とは異なる他のＩＣチップに内蔵されていてもよい。

表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１の下方からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型の表示パネルであってもよいし、第２基板ＳＵＢ２の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型の表示パネルであってもよい。或いは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型の表示パネルであってもよい。

センサＳＳは、表示装置ＤＳＰへの被検出物の接触或いは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサＳＳは、相互容量方式の静電容量型であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触或いは接近を検出できる。センサＳＳは、複数のセンサ駆動電極Ｔｘと複数の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３，Ｒｘ４…）を備えている。

検出電極Ｒｘは、表示領域を横切る本体部ＲＳと、複数の本体部を接続する接続部ＣＮと、を備えている。また、各検出電極Ｒｘは、接続部ＣＮに連結される端子部ＲＴ（ＲＴ１，ＲＴ２，ＲＴ３，ＲＴ４…）を備えている。
本体部ＲＳは、メッシュ状に形成された微細な金属細線の集合体によって帯状を呈している。また、隣り合う本体部ＲＳの間には、本体部ＲＳとほぼ同じ並びで金属細線を並べたダミー領域が存在する。上記ダミー領域の金属細線は、いずれの配線にも接続されず、電気的にフローティング状態となる。
また、端子部ＲＴの少なくとも一部は、平面視でシール材ＳＥに重なって位置している。端子部ＲＴは、非表示領域ＮＤＡの第１領域Ａ１又は第２領域Ａ２に位置している。

第１基板ＳＵＢ１は、パッドＰ（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４…）及び配線Ｗ（Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…）を備えている。表示パネルＰＮＬは、複数の凹部Ｎ（Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４…）を備えている。凹部Ｎ１，Ｎ３は第１領域Ａ１側に設けられ、凹部Ｎ２，Ｎ４は第２領域Ａ２側に設けられている。平面視において、各々の凹部Ｎは、例えば円弧の形状を有していると共に、端面に向けて開放状に設けられている。

パッドＰ及び配線Ｗは、非表示領域ＮＤＡの第１領域Ａ１や第２領域Ａ２に位置し、平面視でシール材ＳＥと重なっている。パッドＰは、平面視で端子部ＲＴに重なって位置している。配線Ｗは、パッドＰに接続され、第２方向Ｙ及び第１方向Ｘに延出し、配線基板３を介してＩＣチップ１の検出回路ＲＣと電気的に接続されている。本実施形態において、配線Ｗ１は、パッドＰ３及び凹部Ｎ３を迂回し、パッドＰ３、配線Ｗ３及び凹部Ｎ３より表示領域ＤＡ側を延在している。配線Ｗ２は、パッドＰ４及び凹部Ｎ４を迂回し、パッドＰ４、配線Ｗ４及び凹部Ｎ４より表示領域ＤＡ側を延在している。
端子部ＲＴは、対応する凹部Ｎの近傍に位置している。パッドＰは、対応する凹部Ｎと第３方向Ｚに対向し、又は上記凹部Ｎの近傍に位置している。

センサ駆動電極Ｔｘは、第１基板ＳＵＢ１に設けられている。検出電極Ｒｘは、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、Ｘ−Ｙ平面において、互いに交差している。例えば、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出した帯状の形状を有し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。

センサ駆動電極Ｔｘの各々は、配線ＷＲを介して共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。本実施形態において、複数のセンサ駆動電極Ｔｘは、後述する共通電極ＣＥによって形成される。センサ駆動電極Ｔｘは、画素電極ＰＥとの間で電界を発生させる機能と、検出電極Ｒｘとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能と、を有している。

共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに画像を表示する表示期間に、共通電極ＣＥを含むセンサ駆動電極Ｔｘに対してコモン信号を供給する。なお、表示期間に、信号線駆動回路ＳＤは、後述する画素電極ＰＥに画像信号を与える。また、共通電極駆動回路ＣＤは、センシングを行うセンシング期間（タッチ期間）に、センサ駆動電極Ｔｘに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Ｒｘは、センサ駆動電極Ｔｘへのセンサ駆動信号の供給にともなって、センシングに必要なセンサ信号、つまり、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の容量の変化に基づいた信号を出力する。図１に示す検出回路ＲＣは、第１導電層Ｌ１、及び後述する接続材Ｃを介して第２導電層Ｌ２の検出電極Ｒｘと電気的に接続され、検出電極Ｒｘから出力されるセンサ信号を読み取る。

なお、センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式のセンサに限らず、検出電極Ｒｘ自体の容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式のセンサであってもよい。また、これら２つの方式のセンシングを時分割で実行する構成も採用可能である。

図２は、表示領域ＤＡにおいて表示装置ＤＳＰを第１方向Ｘに切断した断面図である。図２に示す例では、表示パネルＰＮＬは、主としてＸ−Ｙ平面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルＰＮＬは、Ｘ−Ｙ平面に対して垂直な縦電界や、Ｘ−Ｙ平面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していてもよい。

図２に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、第１基体１０を備え、その上面（第３主面）に、第１絶縁層１１、信号線Ｓ、第２絶縁層１２、共通電極ＣＥ、金属層Ｍ、第３絶縁層１３、画素電極ＰＥ、第１配向膜ＡＬ１等がこの順に積層形成されている。
なお、図２において、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁層等を省略して示している。

第２基板ＳＵＢ２は、第２基体２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２等を備えている。遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、及び第２配向膜ＡＬ２は、第２基体２０の下面（第１主面）に、この順で積層形成されている。他方、第２基体２０の上面には、検出電極Ｒｘが形成されている。
第１偏光板ＰＬ１は、第１基体１０とバックライトＢＬとの間に位置している。第２偏光板ＰＬ２は、第２基体２０に設けられた検出電極Ｒｘの上方に位置している。

次に、表示装置ＤＳＰの端部の構成について説明する。図３は、図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って示す表示装置ＤＳＰの断面図であり、凹部Ｎから外れた領域を示す図である。
図３に示すように、表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、有機絶縁層ＯＩと、接続材Ｃと、第１偏光板ＰＬ１と、第２偏光板ＰＬ２と、カバー材ＣＧと、を備えている。

第２基体２０は、第１基板ＳＵＢ１と対向する第１主面２０Ａと、第１主面２０Ａの反対側の第２主面２０Ｂと、を含んでいる。第１基体１０は、第１主面２０Ａと対向する第３主面１０Ａと、第３主面１０Ａの反対側の第４主面１０Ｂと、を含んでいる。第１偏光板ＰＬ１は、第４主面１０Ｂと対向し、接着層ＡＤ１によって第１基板ＳＵＢ１に貼着されている。第２偏光板ＰＬ２は、第２主面２０Ｂと対向し、接着層ＡＤ２によって第２基板ＳＵＢ２に貼着されている。

ところで、第１基体１０と第２基体２０との間には、複数の絶縁層等からなる有機絶縁層ＯＩが位置しているとみることができる。例えば、有機絶縁層ＯＩは、シール材ＳＥ、第１基板ＳＵＢ１の第２絶縁層１２、第２基板ＳＵＢ２の遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣなどを含んでいる。

第２基体２０の第２端面Ｅ２ａは、後述する第１凹部Ｎａと、第１凹部Ｎａ以外の領域である平坦部ＳＲとを備えている。第２端面Ｅ２ａの平坦部ＳＲは、第１基体１０の第１端面Ｅ１ａと同一平面上に位置している。或いは、平坦部ＳＲと第１端面Ｅ１ａとは揃っているともいえる。ここで、平坦部ＳＲが第１端面Ｅ１ａと揃うとは、平坦部ＳＲと第１端面Ｅ１ａとの第１方向Ｘのずれ量ＳＬ１が１００μｍ未満であることを言う。なお、本実施形態において、遮光層ＢＭの端面ＥＢＭ、オーバーコート層ＯＣの端面ＥＯＣ、及び第２絶縁層１２の端面Ｅ１２も、第３方向Ｚに第１端面Ｅ１ａと揃っている。シール材ＳＥの端面ＥＳＥは、平坦部ＳＲより表示領域ＤＡ側に位置している。

図４は、図１の線ＩＶ−ＩＶに沿って示す表示装置ＤＳＰの断面図であり、凹部Ｎを通る領域を示す図である。
図４に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、前述の第１基体１０と、第１導電層Ｌ１と、を備えている。第１導電層Ｌ１は、前述のパッドＰや配線Ｗを含み、第１基体１０の第３主面１０Ａ側に位置している。第１基体１０とパッドＰとの間や、第１基体１０と第２絶縁層１２との間には、図２に示す第１絶縁層１１や、他の絶縁層や他の導電層が配置されていてもよい。

第２基板ＳＵＢ２は、前述の第２基体２０と、第２導電層Ｌ２と、を備えている。第２基体２０の第１主面２０Ａは、第１導電層Ｌ１から第３方向Ｚに離れて位置している。第２導電層Ｌ２は、前述の検出電極Ｒｘを含んでいる。第２導電層Ｌ２は、第２主面２０Ｂ側に位置し、保護層ＰＦに覆われている。換言すると、第１基体１０、第１導電層Ｌ１、第２基体２０、第２導電層Ｌ２及び保護層ＰＦは、この順に第３方向Ｚに並んでいる。

第１導電層Ｌ１と第２基体２０との間には、有機絶縁層ＯＩが位置しているが、これに限定されるものではなく、無機絶縁層、他の導電層、空気層等が替わりに位置していてもよい。なお、第２基体２０と第２導電層Ｌ２との間や、第２導電層Ｌ２の上に各種絶縁層や各種導電層が配置されてもよい。

なお、第２絶縁層１２とシール材ＳＥとの間には、第３導電層Ｌ３、並びに図２に示した第３絶縁層１３及び第１配向膜ＡＬ１が介在していてもよい。オーバーコート層ＯＣとシール材ＳＥとの間には、図２に示した第２配向膜ＡＬ２が介在していてもよい。
本実施形態において、第２絶縁層１２とシール材ＳＥとの間には、第３導電層Ｌ３が介在している。例えば、第３導電層Ｌ３は、上述した金属層Ｍとともに、同一材料を利用し、同時に形成される。第３導電層Ｌ３は、第１導電層Ｌ１に電気的に接続されている。図４に示す例では、第３導電層Ｌ３は、第２絶縁層１２に形成されたコンタクトホールを通り、第１導電層Ｌ１に接している。

第１及び第２基体１０，２０は、ガラス、樹脂などの絶縁材料によって形成されている。保護層ＰＦは、例えば、アクリル系樹脂等の有機絶縁材料によって形成されている。第１及び第２導電層Ｌ１，Ｌ２は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を含む合金や、インジウム・ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明な導電材料等によって形成されている。第１及び第２導電層Ｌ１，Ｌ２は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。本実施形態において、第１導電層Ｌ１は、チタン、アルミニウム、及びチタンの順に積層して形成され、第２導電層Ｌ２は、モリブデン、アルミニウム、モリブデン、及び透明な導電材料の順に積層して形成されている。

凹部Ｎは、第３方向Ｚに並んだ第１凹部Ｎａ、第２凹部Ｎｂ、及び第３凹部Ｎｃを有している。第２基体２０は、第１凹部Ｎａを有している。第１凹部Ｎａは、平坦部ＳＲよりも第２基体２０の内側に凹んで設けられている。言い換えると、第１凹部Ｎａは、平坦部ＳＲよりも液晶層ＬＣ側に凹んで設けられている。

第２基板ＳＵＢ２において、第２基体２０とシール材ＳＥとの間に位置する絶縁層（遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣの積層体）は、第２凹部Ｎｂを有している。第２凹部Ｎｂは、端面ＥＢＭ，ＥＯＣに形成され、第１凹部Ｎａと第３方向Ｚに対向している。なお、第２凹部Ｎｂは、端面ＥＢＭ，ＥＯＣよりも液晶層ＬＣ側に凹んで設けられている。

第１基板ＳＵＢ１において、第１導電層Ｌ１とシール材ＳＥとの間に位置する絶縁層（第２絶縁層１２）は、第３凹部Ｎｃを有している。第３凹部Ｎｃは、端面Ｅ１２に形成され、第１凹部Ｎａ及び第２凹部Ｎｂと第３方向Ｚに対向している。なお、第３凹部Ｎｃは、端面Ｅ１２よりも液晶層ＬＣ側に凹んで設けられている。

本実施形態において、凹部Ｎは、第４凹部Ｎｄをさらに有している。シール材ＳＥは、第４凹部Ｎｄを有している。第４凹部Ｎｄは、端面ＥＳＥに形成され、第２凹部Ｎｂと第３凹部Ｎｃとの間に位置している。なお、第４凹部Ｎｄは、端面ＥＳＥよりも液晶層ＬＣ側に凹んで設けられている。本実施形態において、第１凹部Ｎａ、第２凹部Ｎｂ、第４凹部Ｎｄ、及び第３凹部Ｎｃは、それぞれ円弧状に凹み、互いに連通している。

上記の凹部Ｎを形成する際、レーザを使用することができ、第２導電層Ｌ２の上方からレーザ光を照射することができる。レーザとしては、例えば炭酸ガスレーザなどが適用可能であるが、第２基体２０の第２端面Ｅ２ａを開口できる加工であればよく、エキシマレーザなども適用可能である。

上記のようなレーザ光が照射されることにより、第２基体２０に第１凹部Ｎａが形成される。この際、第２導電層Ｌ２のうち、第１凹部Ｎａと対向する部分も第２基体２０とともに昇華される。また、上記レーザ光が照射された際に、第１凹部Ｎａの直下にて、端面ＥＢＭ，ＥＯＣを液晶層ＬＣ側に凹ませた第２凹部Ｎｂ、端面ＥＳＥを液晶層ＬＣ側に凹ませた第４凹部Ｎｄ、及び端面Ｅ１２を液晶層ＬＣ側に凹ませた第３凹部Ｎｃも同時に形成される。これにより、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを接続するための凹部Ｎが形成される。

レーザ光の照射により、表示パネルＰＮＬに熱エネルギーが与えられると、第２基体２０及び第３導電層Ｌ３に利用する材料より、第２絶縁膜１２、シール材ＳＥ、オーバーコート層ＯＣ及び遮光層ＢＭに利用する材料の方が、昇華し易い。このため、上述したように、第２凹部Ｎｂ、第３凹部Ｎｃ、及び第４凹部Ｎｄは、第１凹部Ｎａよりも拡張して形成されている。
なお、図１及び図４に示すように、例えば、シール材ＳＥは、第１凹部Ｎａを迂回して延在している。本実施形態において、第４凹部Ｎｄは、シール材ＳＥにレーザ光が照射され、シール材ＳＥが部分的に除去されることで形成されている。

第１凹部Ｎａと重なる位置に第２導電層Ｌ２は存在していない。第１導電層Ｌ１は、凹部Ｎにおいて有機絶縁層ＯＩで覆われていない上面と、側面と、を有している。第３導電層Ｌ３は、第２絶縁膜１２及びシール材ＳＥで覆われていない円弧状の部分を有している。レーザ光の照射時、第３導電層Ｌ３に利用する材料より、有機絶縁層ＯＩに利用する材料の方が、昇華し易いためである。

凹部Ｎには、接続材Ｃが配置されている。接続材Ｃと、凹部Ｎが形成された各層、すなわち第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２及び有機絶縁層ＯＩとは、本実施形態に係る基板間導通構造を構成する。接続材Ｃは、例えば銀などの金属材料を含み、金属材料の粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの微粒子を溶剤に混ぜ込んだものを含むものであることが望ましい。上記の材料は、いわゆるナノ金属である。その他、接続材Ｃは、銀、銅などの金属材料を含み、金属材料の粒径が数百ナノメートルから数マイクロメートルのオーダーの粒子を溶剤に混ぜ込んだものを含むものであってもよい。上記の材料は、いわゆる金属ペーストである。なお、接続材を凹部Ｎに設けた後は、当該溶剤は蒸発し、基本的には金属材料（又は当該金属材料による薄膜）のみが凹部Ｎの壁部等に付着している状態となる。

接続材Ｃは、凹部Ｎ（第１凹部Ｎａ、第２凹部Ｎｂ、第４凹部Ｎｄ、及び第３凹部Ｎｃ）を通って異なる基板にそれぞれ設けられた第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを電気的に接続している。
接続材Ｃは、第２導電層Ｌ２、第１凹部Ｎａにおける第２基体２０の壁面２０Ｓ、第２凹部Ｎｂにおける遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣの壁面、第４凹部Ｎｄにおけるシール材ＳＥの壁面、第３導電層Ｌ３、第３凹部Ｎｃにおける第２絶縁膜１２の壁面、第１導電層Ｌ１などを覆っている。また、接続材Ｃは、第２主面２０Ｂの上方に位置している。

図４に示す例では、接続材Ｃは、凹部Ｎの全体に充填されていない。より具体的には、接続材Ｃは、壁面２０Ｓなどを皮膜状に覆っているのみで、層厚は薄い。
凹部Ｎの中空部分を埋めるべく、充填材ＦＩは、凹部Ｎ（第１凹部Ｎａ、第２凹部Ｎｂ、第４凹部Ｎｄ、及び第３凹部Ｎｃ）に囲まれた空間に充填されている。充填材ＦＩは、接続材Ｃを覆っている。充填材ＦＩは、例えば保護層ＰＦと同様の材料によって形成されている。

接続材Ｃは、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２との間において途切れることなく連続的に形成されている。これにより、第２導電層Ｌ２は、接続材Ｃを介して第１導電層Ｌ１に接続される。この結果、第２導電層Ｌ２は、接続材Ｃ及び第１導電層Ｌ１を介して前述の配線基板３と電気的に接続される。

図３や図４に示す如く、カバー材ＣＧは、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡにわたって形成され、表示パネルＰＮＬの全面を覆っている。カバー材ＣＧの表示パネルＰＮＬと対向する側の面には、遮光層ＳＨが形成されている。遮光層ＳＨは、非表示領域ＮＤＡに設けられている。カバー材ＣＧは、接着層ＡＬにより第２偏光板ＰＬ２に接合されている。例えば、接着層ＡＬは、光学用透明樹脂（ＯＣＲ：Optically Clear Resin）で形成されている。接着層ＡＬは、全域にわたって略均一な厚みを有している。
遮光層ＳＨは、凹部Ｎ、接続材Ｃなどを覆っている。

上記のように構成された第１の実施形態に係る表示装置ＤＳＰによれば、第２基板ＳＵＢ２に設けられた検出電極Ｒｘは、凹部Ｎに設けられた接続材Ｃにより、第１基板ＳＵＢ１に設けられたパッドＰと接続されている。このため、検出電極Ｒｘと検出回路ＲＣとを接続するための配線基板を第２基板ＳＵＢ２に実装する必要がなくなる。
接続材Ｃは、表示パネルＰＮＬに孔を形成し、上記孔を通じてパッドＰと接続されるものではない。なお、上記の場合、全周にわたって囲まれた孔の内部に接続材Ｃが充填されることになるため、孔の内部に気泡が残留する恐れがある。本実施形態では、接続材Ｃは、全周にわたって囲まれていない凹部Ｎに充填されているため、凹部Ｎで囲まれた空間に気泡が残留するリスクを無くすことができる。

また、表示パネルＰＮＬに孔を形成する場合、表示パネルＰＮＬの端面（平坦部ＳＲなど）から離れた位置に孔を形成する必要がある。なぜなら、表示パネルＰＮＬのうち孔と端面との間の部分の強度を確保する必要があったり、孔の位置ずれ等を加味して表示パネルＰＮＬの端面から孔までのマージン領域を確保する必要があったりするためである。このため、表示パネルＰＮＬの端面から離れた位置に孔を形成する場合、狭額縁化に不利である。
これに対し、本実施形態では、凹部Ｎにて基板間導通部を形成することができるため、上記のようなマージン領域を考慮する必要はなく、狭額縁化に貢献することができる。

また、接続材Ｃの材料は、凹部Ｎに充填することのできる材料であればよく、ナノ金属に限らず、金属ペーストであってもよい。金属ペーストで接続材Ｃを形成することにより、製造コストの低減を図ることができる。
上記のことから、信頼性の高い基板間接続部を有する表示装置ＤＳＰを得ることができる。
なお、パッドＰの位置の関係から、凹部Ｎの第１方向Ｘの位置が互いにずれることは許容できる。この場合、凹部Ｎにおける表示パネルＰＮＬの端面への開口面の大きさはパッドＰの位置によって異なる。また、各凹部Ｎの第１方向Ｘの位置を変えることなく、一方を他方よりも大きく形成することで、パッドＰの位置のずれに対応する構成も採用可能である。

（第１の実施形態の変形例１）
次に、第１の実施形態の変形例１について説明する。本変形例１の表示装置ＤＳＰでは、パッドの位置について、上記第１の実施形態と相違しているが、他の構成は上記第１の実施形態と同じである。したがって、上記第１の実施形態と同じ構成については同じ符号を付してその説明を省略する。図５は、上記第１の実施形態の変形例１の表示装置ＤＳＰの一部を示す斜視図である。

図５に示すように、配線Ｗ２は、配線Ｗ４より第１端面Ｅ１ａ側の領域を延在している。なお、この変形例１では、配線Ｗは、シール材ＳＥより第１端面Ｅ１ａ側の領域に設けられているが、シール材ＳＥと重なる位置に設けてもよい。本変形例１において、パッドＰ２は、パッドＰ４より第１端面Ｅ１ａ側に位置している。パッドＰに接続された接続材Ｃのうち第１基板ＳＵＢ１上に位置する部分の第１方向Ｘの長さＬＥを比較すると、パッドＰ２における長さＬＥ２はパッドＰ４における長さＬＥ４より大きい。

配線Ｗ２は、パッドＰ４及び凹部Ｎ４を迂回しておらず、凹部Ｎ４で囲まれた領域を通っている。各々の凹部Ｎの内部に位置する配線Ｗも、上述した充填材ＦＩに覆われている。
また、当該変形例では、パッドＰ４の外側をパッドＰ２からの配線Ｗ２が通過する構成となっている。当該パッドＰ４に接続材Ｃを設ける際に、当該接続材ＣがパッドＰ２からの配線Ｗ２に接触すると、不良となる。かかる観点から、図中に点線で示す如く、パッドＰ４と配線Ｗ２との間に接続材Ｃの流出を防止するストッパＳＴを設ける構成を採用することができる。当該ストッパは、溝でも凸条部でもいずれでも採用可能である。
上記のように構成された第１の実施形態の変形例１においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第１の実施形態の変形例２）
次に、第１の実施形態の変形例２について説明する。本変形例２の表示装置ＤＳＰでは、凹部Ｎ及び充填材ＦＩの形状に関して、上記第１の実施形態と相違しているが、他の構成は上記第１の実施形態と同じである。したがって、上記第１の実施形態と同じ構成については同じ符号を付してその説明を省略する。図６は、上記第１の実施形態の変形例２の表示装置ＤＳＰの一部を示す断面図である。

図６に示すように、壁面２０Ｓは、第３方向Ｚから傾斜している。例えば、第２基体２０に向かってガウシアン型のレーザ光を照射することにより、上記のように傾斜した壁面２０Ｓを得ることができる。第１基体１０は、孔部ＣＣを有している。孔部ＣＣは、凹部Ｎの直下に位置している。孔部ＣＣは、例えば、凹部Ｎとともにレーザ光の照射により形成される。

充填材ＦＩは、第３方向Ｚに第１端面Ｅ１ａと揃う端面ＥＦＩを含んでいる。凹部Ｎで囲まれた空間のより多くを充填材ＦＩで充填することができる。そのため、表示パネルＰＮＬの強度を高めることができる。
上記のように構成された第１の実施形態の変形例２においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第１の実施形態の変形例３）
次に、第１の実施形態の変形例３について説明する。本変形例３の表示装置ＤＳＰでは、シール材ＳＥの形状に関して、上記第１の実施形態と相違しているが、他の構成は上記第１の実施形態と同じである。したがって、上記第１の実施形態と同じ構成については同じ符号を付してその説明を省略する。図７は、上記第１の実施形態の変形例３の表示装置ＤＳＰの一部を示す平面図である。

図７に示すように、シール材ＳＥは、凹部Ｎが配置される第２領域Ａ２において、第２方向Ｙに直線状に延在した複数の帯状の第１シール部ＳＥ１と、複数の第２シール部ＳＥ２とを有している。なお、図示しないが、シール材ＳＥは、凹部Ｎが配置される上記第１領域Ａ１においても、複数の第１シール部ＳＥ１と、複数の第２シール部ＳＥ２とを有している。

第１シール部ＳＥ１は、凹部Ｎとともに第２方向Ｙに交互に並んでいる。第２シール部ＳＥ２は、円弧状の形状を有し、凹部Ｎを迂回し、凹部Ｎより表示領域ＤＡ側に位置している。第２シール部ＳＥ２の表示領域ＤＡ側の端面は、第１シール部ＳＥ１の表示領域ＤＡ側の端面より、第１端面Ｅ１ａから離れて位置している。第２シール部ＳＥ２は、凹部Ｎを形成する領域を迂回するように予め円弧状に形成されている。このため、シール材ＳＥは、直接的には上記のレーザ光の照射を受けない。このため、シール材ＳＥは上記凹部Ｎの形成加工に伴って一部切除されたり、形質が変質したりするものとはならない。

第１シール部ＳＥ１の幅ＷＩ１と、第２シール部ＳＥ２の幅ＷＩ２とは、同一である。幅ＷＩ１は、第１シール部ＳＥ１が延在する第２方向Ｙの軸に直交する方向における第１シール部ＳＥ１の長さである。幅ＷＩ２は、第２シール部ＳＥ２が延在する円弧状の軸に直交する方向における第２シール部ＳＥ２の長さである。凹部Ｎを形成しても、第２シール部ＳＥ２の平面視における面積の縮小を抑制することができる。第２シール部ＳＥ２による第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との接着力の低下を抑制することができる。このため、剥離の生じ難い表示パネルＰＮＬを得ることができる。又は、信頼性の高い表示パネルＰＮＬを得ることができる。
上記のように構成された第１の実施形態の変形例３においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第１の実施形態の変形例４）
次に、第１の実施形態の変形例４について説明する。本変形例４の表示装置ＤＳＰでは、第２シール部ＳＥ２が屈曲した形状を有している点で、上記変形例３と相違しているが、他の構成は上記第１の実施形態と同じである。したがって、上記第１の実施形態と同じ構成については同じ符号を付してその説明を省略する。図８は、上記第１の実施形態の変形例４の表示装置ＤＳＰの一部を示す平面図である。

図８に示すように、第２シール部ＳＥ２は、屈曲した形状を有している。第２シール部ＳＥ２は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙとは異なる第４方向ｄ４に延在する帯状の延出部と、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び第４方向ｄ４とは異なる第５方向ｄ５に延在する帯状の延出部と、を含んでいる。第２シール部ＳＥ２は、凹部Ｎを形成する領域を迂回するように予め屈曲して形成されている。
上記のように構成された第１の実施形態の変形例４においても、上記変形例３と同様の効果を得ることができる。第１シール部ＳＥ１の幅ＷＩ１と、第２シール部ＳＥ２の幅ＷＩ２とは、同一である。幅ＷＩ２は、第４方向ｄ４に延在する延出部の第４方向ｄ４に直交する方向の長さであり、第５方向ｄ５に延在する延出部の第５方向ｄ５に直交する方向の長さである。そのため、第２シール部ＳＥ２による第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との接着力の低下を抑制することができる。

（第１の実施形態の変形例５）
次に、第１の実施形態の変形例５について説明する。本変形例５の表示装置ＤＳＰでは、第１シール部ＳＥ１及び第２シール部ＳＥ２が千鳥状に配置されている点で、上記変形例３及び４と相違しているが、他の構成は上記第１の実施形態と同じである。したがって、上記第１の実施形態と同じ構成については同じ符号を付してその説明を省略する。図９は、上記第１の実施形態の変形例５の表示装置ＤＳＰの一部を示す平面図である。

図９に示すように、第２シール部ＳＥ２は、凹部Ｎと表示領域ＤＡとの間に位置し、平面視で矩形状に形成され、上下端部が第１シール部に接続されている。本変形例５において、第１シール部ＳＥ１の第１方向Ｘの幅ＷＩ１と、第２シール部ＳＥ２の第１方向Ｘの幅ＷＩ２とは、同一である。シール材ＳＥは、凹部Ｎを形成する領域を迂回するように予め形成されている。
上記のように構成された第１の実施形態の変形例５においても、上記変形例３と同様の効果を得ることができる。

（第１の実施形態の変形例６）
次に、第１の実施形態の変形例６について説明する。本変形例６の表示装置ＤＳＰでは、第１シール部ＳＥ１の幅と第２シール部ＳＥ２の幅とが互いに異なる点で、上記変形例５と相違しているが、他の構成は上記第１の実施形態と同じである。
上記のように構成された第１の実施形態の変形例６においても、上記変形例３と同様の効果を得ることができる。

（第１の実施形態の変形例７）
次に、第１の実施形態の変形例７について説明する。本変形例７の表示装置ＤＳＰでは、凹部Ｎに充填材ＦＩが個別に設けられている例を示している。図１０は、上記第１の実施形態の変形例７の表示装置ＤＳＰの一部を示す平面図である。
図１０に示すように、充填材ＦＩは、凹部Ｎ毎に独立して設けられている。本変形例７の充填材ＦＩにおいても、表示パネルＰＮＬの強度を高めることができる。

（第１の実施形態の変形例８）
次に、第１の実施形態の変形例８について説明する。本変形例８の表示装置ＤＳＰでは、充填材ＦＩが複数の凹部Ｎで共用されている例を示している。図１１は、上記第１の実施形態の変形例８の表示装置ＤＳＰの一部を示す平面図である。
図１１に示すように、充填材ＦＩは、第２領域Ａ２において第２方向Ｙに直線状に延在し、帯状の形状を有し、第２領域Ａ２に位置する全ての凹部Ｎに充填されている。上記変形例７と比較し、充填材ＦＩを配置する面積は大きい。そのため、一層、表示パネルＰＮＬの強度を高めることができる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。本実施形態では、センサ装置について説明する。図１２は、第２の実施形態に係るセンサ装置ＳＥＮの構成例を示す平面図である。
図１２に示すように、センサ装置ＳＥＮは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、配線基板３、ＩＣチップ１などを備えている。第１基板ＳＵＢ１は、第１基体１０と、パッドＰを含む第１導電層Ｌ１と、センサ駆動電極Ｔｘと、を有している。第２基板ＳＵＢ２は、第２基体２０と、検出電極Ｒｘ（第２導電層Ｌ２）と、を有している。凹部Ｎは、第２基体２０などに形成されている。

図１３は、図１２の線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩに沿ったセンサ装置ＳＥＮを示す断面図であり、凹部Ｎを通る領域を示す図である。
図１３に示すように、センサ装置ＳＥＮは、透明絶縁層ＴＩ及び接続材Ｃをさらに備えている。透明絶縁層ＴＩは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に位置している。例えば、透明絶縁層ＴＩは、透明な有機絶縁材料で形成され、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接合している。

この例では、凹部Ｎは、有機絶縁膜ＯＩではなく透明絶縁層ＴＩを凹ませている点を除き、実質的に上記第１の実施形態と同様に形成されている。凹部Ｎは、第１凹部Ｎａと、透明絶縁層ＴＩに形成された第５凹部Ｎｅとを有している。第５凹部Ｎｅは、第１凹部Ｎａと第３方向Ｚに対向し、第１凹部Ｎａに連通しているなお、第２基体２０の壁面２０Ｓも、上記第１の実施形態と同様に形成されている。

接続材Ｃは、第１凹部Ｎａ及び第５凹部Ｎｅを通り、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを電気的に接続している。図示しないが、充填材ＦＩは、第１凹部Ｎａ及び第５凹部Ｎｅで囲まれた空間に充填され、接続材Ｃを覆っている。
上記のように構成された第２の実施形態に係るセンサ装置ＳＥＮにおいても、接続材Ｃは、凹部Ｎを通って形成されている。第２の実施形態においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。本実施形態では、表示装置について説明する。図１４は、第３の実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一部を示す斜視図である。
図１４に示すように、表示装置ＤＳＰは、上記凹部Ｎ無しに形成されている。第２基体２０の第１方向Ｘの幅は、第１基体１０の第１方向Ｘの幅より狭い。第２端面Ｅ２ａは、第３方向Ｚに第１端面Ｅ１ａと揃っていない。本実施形態において、ずれ量ＳＬ１は実質的に０．１ｍｍである。

パッドＰ２，Ｐ４及び配線Ｗ２，Ｗ４は、シール材ＳＥより第１端面Ｅ１ａ側に位置している。配線Ｗ２は、配線Ｗ４より第１端面Ｅ１ａ側の領域を延在している。パッドＰ２は、パッドＰ４より第１端面Ｅ１ａ側に位置している。接続材Ｃは、第２端面Ｅ２ａと対向し、第２端面Ｅ２ａに接している。パッドＰ２に接続された接続材Ｃのうち第１基板ＳＵＢ１上に位置する部分の第１方向Ｘの長さは、パッドＰ４に接続された接続材Ｃのうち第１基板ＳＵＢ１上に位置する部分の第１方向Ｘの長さより大きい。

上記のように構成された第３の実施形態に係る表示装置ＤＳＰによれば、第２基体２０の幅を第１基体１０の幅より小さくしている。接続材Ｃは、第２端面Ｅ２ａと対向し、第２端面Ｅ２ａに接し、検出電極ＲｘとパッドＰとを接続している。第３の実施形態においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。必要に応じて、複数の実施形態を組合せることも可能である。

ＤＳＰ…表示装置、ＳＥＮ…センサ装置、ＳＵＢ１…第１基板、１０…第１基体、
Ｌ１…第１導電層、ＳＵＢ２…第２基板、２０…第２基体、Ｌ２…第２導電層、
ＯＩ…有機絶縁膜、ＬＣ…液晶層、Ｃ…接続材、Ｎ…凹部、
Ｎａ…第１凹部、Ｎｂ…第２凹部、Ｎｃ…第３凹部、
Ｎｄ…第４凹部、Ｎｅ…第５凹部、Ｔｘ…センサ駆動電極、
Ｒｘ…検出電極、ＲＣ…検出回路、１…ＩＣチップ、ＴＩ…透明絶縁層、
ＲＣ…検出回路、１…ＩＣチップ、ＴＩ…透明絶縁層、Ｅ１ａ，Ｅ１ｂ…第１端面、
Ｅ２ａ，Ｅ２ｂ…第２端面、ＤＡ…表示領域、ＮＤＡ…非表示領域、Ｘ…第１方向、
Ｙ…第２方向、Ｚ…第３方向。

Claims (10)

1. 第１端面を備えた第１基体と、第１導電層と、を有する第１基板と、
   第２端面を備えた第２基体と、第２導電層と、を有し、前記第１基板に対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に位置した表示機能層と、を備え、
   前記第２端面は、前記第１端面と同一平面上に位置する平坦部と、該平坦部よりも前記第２基体の内側に凹んで設けられる第１凹部とを有し、
   該第１凹部には、前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続材が設けられている、
   表示装置。
2. 前記第１基板と前記第２基板との間には、前記表示機能層の外側に設けられ前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシール材をさらに備え、
   前記シール材は、前記第１凹部を迂回して延在している、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１基板と前記第２基板との間には、前記表示機能層の外側に設けられ前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシール材をさらに備え、
   前記第２基板は、前記第２基体と前記シール材との間に位置する絶縁層を備え、該絶縁層には、前記第１凹部と対向する位置に第２凹部が形成されており、
   前記第１基板は、前記第１導電層と前記シール材との間に位置する絶縁層を備え、該絶縁層には、前記第２凹部に対向する位置に第３凹部が形成されており、
   前記接続材は、前記第１凹部、前記第２凹部、及び前記第３凹部を通って前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続している、
   請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１凹部、前記第２凹部、及び前記第３凹部には、前記接続材を覆った充填材が設けられている、
   請求項３に記載の表示装置。
5. 検出回路をさらに備え、
   前記第２導電層は、検出電極を有し、
   前記検出回路は、前記第１導電層、及び前記接続材を介して前記第２導電層の前記検出電極に電気的に接続され、前記検出電極から出力されるセンサ信号を読み取る、
   請求項１に記載の表示装置。
6. 第１端面を備えた第１基体と、第１導電層と、を有する第１基板と、
   第２端面を備えた第２基体と、第２導電層と、を有し、前記第１基板に対向すする第２基板と、を備え、
   前記第２端面は、前記第１端面と同一平面上に位置する平坦部と、該平坦部よりも前記第２基体の内側に凹んで設けられる第１凹部とを有し、
   該第１凹部には、前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続材が設けられている、
   基板間導通構造。
7. 前記第１基板と前記第２基板との間に位置した透明絶縁層をさらに備え、
   前記透明絶縁層の輪郭は、前記第１凹部を迂回している、
   請求項６に記載の基板間導通構造。
8. 前記第１基板と前記第２基板との間に位置した透明絶縁層をさらに備え、
   前記透明絶縁層は、前記第１凹部と対向した第５凹部を有し、
   前記接続材は、前記第５凹部にさらに設けられている、
   請求項６に記載の基板間導通構造。
9. 前記第１凹部、及び前記第５凹部には、前記接続材を覆った充填材が設けられている、
   請求項８に記載の基板間導通構造。
10. 検出回路をさらに備え、
    前記第２導電層は、検出電極を有し、
    前記検出回路は、前記第１導電層、及び前記接続材を介して前記第２導電層の前記検出電極に電気的に接続され、前記検出電極から出力されるセンサ信号を読み取る、
    請求項６に記載の基板間導通構造。

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