JP2018049154A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 表示品位に優れた表示装置を提供する。【解決手段】 表示装置は、絶縁基板を有する表示パネルＰＮＬと、上記絶縁基板の上に形成された検出電極Ｒｘ１，Ｒｘ２と、検出電極Ｒｘ１，Ｒｘ２の上に形成された絶縁層ＩＬと、を備える。絶縁層ＩＬは、絶縁層の表面で反射する第１反射光Ｌ１と、絶縁層に侵入し検出電極Ｒｘ１又はＲｘ２の表面で反射し絶縁層の表面から出射する第２反射光Ｌ２と、の位相がずれるように構成されている。【選択図】図１１

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

一般に、表示装置として液晶表示装置が知られている。液晶表示装置は、各種の導電層を利用している。上記の導電層としては、画像を表示する表示領域にて延在する配線が挙げられる。このような配線における光反射率は低い方が望ましい。これは、配線を視認させ難くすることができるためである。

特開２０１３−１４０７０３号公報 特開２０１３−１４０２４４号公報

本実施形態は、表示品位に優れた表示装置を提供する。

一実施形態に係る表示装置は、
絶縁基板を有する表示パネルと、
前記絶縁基板の上に形成された第１検出電極及び第２検出電極と、
前記第１検出電極及び前記第２検出電極の上に形成された絶縁層と、を備え、
前記絶縁層は、前記絶縁層の表面で反射する第１反射光と、前記絶縁層に侵入し前記第１検出電極又は前記第２検出電極の表面で反射し前記絶縁層の表面から出射する第２反射光と、の位相がずれるように構成されている。

また、一実施形態に係る表示装置は、
絶縁基板を有する表示パネルと、
前記絶縁基板の上に形成された第１検出電極及び第２検出電極と、
前記絶縁基板、前記第１検出電極及び前記第２検出電極の上に形成された絶縁層と、を備え、
前記絶縁層は、前記第１検出電極及び前記第２検出電極の各々に対応する位置に形成された第１絶縁層と、前記第１検出電極及び前記第２検出電極の間に形成された第２絶縁層と、を有し、
前記第１絶縁層の誘電率は、前記第２絶縁層の誘電率より低い。

図１は、第１の実施形態に係る表示装置の構成を示す平面図である。 図２は、上記実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す断面図である。 図３は、上記実施形態の表示装置の一構成例を示す平面図である。 図４は、図３に示した表示パネルの基本構成及び等価回路を示す図である。 図５は、図３に示した表示パネルの一部の構造を示す断面図である。 図６は、センサの一構成例を示す平面図である。 図７は、上記実施形態の表示装置の他の構成例を示す平面図である。 図８は、図３及び図７に示した検出電極の検出部の構成例を示す図である。 図９は、図３に示した接続用孔を含む表示パネルを線ＩＸ−ＩＸで切断した断面図である。 図１０は、上記実施形態の表示装置の一部を示す平面図であり、表示パネル、検出電極、接続用孔、及び絶縁層を示す図である。 図１１は、図１０の線ＸＩ−ＸＩに沿った表示装置を示す拡大断面図であり、表示装置の入力面にユーザの指が接触している状態を示す図である。 図１２は、上記第１の実施形態の変形例１に係る表示装置の一部を示す拡大断面図である。 図１３は、上記第１の実施形態の変形例２に係る表示装置の一部を示す拡大断面図である。 図１４は、上記第１の実施形態の変形例３に係る表示装置の一部を示す拡大断面図である。 図１５は、第２の実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。 図１６は、上記第２の実施形態の表示装置の一部を示す平面図であり、表示パネル、検出電極、リード配線、絶縁層、配線基板、及びＩＣチップを示す図である。 図１７は、図１６の線ＸＶＩＩ−ＸＶＩＩに沿った表示装置を示す拡大断面図である。 図１８は、上記第２の実施形態の変形例１に係る表示装置の一部を示す拡大断面図である。 図１９は、上記第２の実施形態の変形例２に係る表示装置の一部を示す平面図であり、表示パネル、検出電極、リード配線、絶縁層、配線基板、及びＩＣチップを示す図である。

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

各実施形態においては、表示装置の一例として、液晶表示素子を用いた表示パネルを備える表示装置を開示する。ただし、各実施形態は、液晶表示素子以外の表示素子を用いた表示装置に対する、各実施形態にて開示される個々の技術的思想の適用を妨げるものではない。液晶表示素子以外の表示素子としては、有機エレクトロルミネッセンス表示素子等を有する自発光型の表示パネル、或いは電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示パネルなどが想定される。

（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態に係るセンサ付き表示装置について詳細に説明する。図１は、第１の実施形態に係る表示装置の構成を示す平面図である。本実施形態では、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交している。ここで言う方向は、図中矢印の指す方向であり、矢印に対して１８０度反転した方向については逆方向とする。なお、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、９０°以外の角度で交差していてもよい。

図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、アクティブマトリックス型の表示パネルＰＮＬ、配線基板１，２、ＩＣチップＩ１，Ｉ２などを備えている。表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された第２基板ＳＵＢ２とを備えている。本実施形態において、第１基板ＳＵＢ１は矩形状に形成され、第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１より外形の小さい矩形状に形成されている。図に示した例では、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、配線基板１が実装された辺を除く３辺が重なっている。

表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡ以外の非表示領域ＮＤＡと、を備えている。本実施形態において、非表示領域ＮＤＡは、額縁状に形成されている。
ここで、非表示領域ＮＤＡのうち、表示領域ＤＡより左側の領域であり第２方向Ｙに延在した帯状の領域を第１領域Ａ１、表示領域ＤＡより右側の領域であり第２方向Ｙに延在した帯状の領域を第２領域Ａ２、表示領域ＤＡより下側の領域であり第１方向Ｘに延在した帯状の領域を第３領域Ａ３、表示領域ＤＡより上側の領域であり第１方向Ｘに延在した帯状の領域を第４領域Ａ４とする。第３領域Ａ３には、第１基板ＳＵＢ１が第２基板ＳＵＢ２と対向していない非対向領域Ａ５が含まれている。

表示パネルＰＮＬは、走査線駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２、回路群ＣＩＲ、及びパッド群ＰＧを備えている。走査線駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２は後述する走査線を駆動するように構成され、走査線駆動回路ＧＤ１は第１領域Ａ１に配置され、走査線駆動回路ＧＤ２は第２領域Ａ２に配置されている。
複数のリード配線Ｗは、第１基板ＳＵＢ１の非表示領域ＮＤＡに設けられている。第１領域Ａ１において、リード配線Ｗは、走査線駆動回路ＧＤ１より第１基板ＳＵＢ１の外側に位置している。第２領域Ａ２において、リード配線Ｗは、走査線駆動回路ＧＤ２より第１基板ＳＵＢ１の外側に位置している。言い換えると、走査線駆動回路ＧＤ１は第１領域Ａ１のリード配線Ｗより表示領域ＤＡ側に位置し、走査線駆動回路ＧＤ２は第２領域Ａ２のリード配線Ｗより表示領域ＤＡ側に位置している。なお、リード配線Ｗの詳細に関しては後述する。

回路群ＣＩＲは、第３領域Ａ３に配置されている。後述する共通電極を駆動する共通電極駆動回路などの複数の回路が含まれている。なお、本実施形態において、共通電極はセンサ駆動電極と称される場合がある。
パッド群ＰＧは、アウターリードボンディングのパッド群であり、非対向領域Ａ５に配置されている。本実施形態において、パッド群ＰＧに含まれるパッドは、走査線駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２、及び回路群ＣＩＲに電気的に接続されている。

配線基板１は、第１基板ＳＵＢ１の非対向領域Ａ５に物理的に接続され、パッド群ＰＧの複数のパッドに電気的に接続されている。ＩＣチップＩ１は、配線基板１に実装されている。但し、本実施形態と異なり、ＩＣチップＩ１は、第１基板ＳＵＢ１の非対向領域Ａ５に実装されていてもよい。ＩＣチップＩ１は、配線基板１、パッド群ＰＧなどを介し、走査線駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２、及び回路群ＣＩＲに信号を与えることができる。
配線基板２は、配線基板１に接続されている。なお、配線基板２は、図示しない制御モジュールに接続されていてもよい。ＩＣチップＩ２は、配線基板２に実装されている。ＩＣチップＩ２は、配線基板２、配線基板１、パッド群ＰＧなどを介し、後述する検出電極から信号を受取ることができる。

このような配線基板１，２は、例えば可撓性を有するフレキシブル基板である。なお、本実施形態で適用可能なフレキシブル基板とは、その少なくとも一部分に、屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えていればよい。例えば、本実施形態の配線基板１，２は、その全体がフレキシブル部として構成されたフレキシブル基板であってもよいし、ガラスエポキシなどの硬質材料によって形成されたリジッド部及びポリイミドなどの屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えたリジッドフレキシブル基板であってもよい。

表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１の下方からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型の液晶表示パネルである。又は、表示パネルＰＮＬは、第２基板ＳＵＢ２の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型の液晶表示パネルであってもよい。又は、表示パネルＰＮＬは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型の液晶表示パネルであってもよい。表示パネルＰＮＬが透過型の液晶表示パネル又は半透過型の液晶表示パネルである場合、表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１の背面に配置された照明装置を備えている。

次に、第１基板ＳＵＢ１側の導電層と、第２基板ＳＵＢ２側の電極との接続に関する構成について例示的に説明する。図２は、上記実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す断面図である。
図２に示すように、第３方向Ｚは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙとそれぞれ直交している。第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。以下の説明において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方（あるいは、単に上）とし、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方（あるいは、単に下）とする。また、「第１部材の上方の第２部材」及び「第１部材の下方の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、又は第１部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第１部材と第２部材との間に、第３の部材が介在していてもよい。また、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かって見ることを平面視という。

表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、接続部材Ｃと、を備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、第３方向Ｚに対向している。
第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板としての第１ガラス基板１０と、第１ガラス基板１０の第２基板ＳＵＢ２と対向する側に位置する導電層ＣＬと、を備えている。第１ガラス基板１０は、第２基板ＳＵＢ２と対向する主面１０Ａと、主面１０Ａとは反対側の主面１０Ｂとを有している。図示した例では、導電層ＣＬは、主面１０Ａに位置している。なお、図示しないが、第１ガラス基板１０と導電層ＣＬとの間や、導電層ＣＬの上には、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されていてもよい。

第２基板ＳＵＢ２は、絶縁基板としての第２ガラス基板２０と、検出電極Ｒｘとを備えている。第２ガラス基板２０は、第１基板ＳＵＢ１と対向する主面２０Ａと、主面２０Ａとは反対側の主面２０Ｂとを有している。第２ガラス基板２０は、その主面２０Ａが導電層ＣＬと対向し、且つ、導電層ＣＬから第３方向Ｚに離れている。図示した例では、検出電極Ｒｘは、主面２０Ｂに位置している。第１ガラス基板１０、導電層ＣＬ、第２ガラス基板２０、及び検出電極Ｒｘは、この順に第３方向Ｚに並んでいる。導電層ＣＬと第２ガラス基板２０との間には、有機絶縁膜ＯＩが位置している。ここでの有機絶縁膜ＯＩとは、例えば、後述する遮光層、カラーフィルタ、オーバーコート層、配向膜や、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を接着するシール材などが含まれる。
後述するが、検出電極Ｒｘの上には絶縁層が形成されている。なお、第２ガラス基板２０と検出電極Ｒｘとの間には、各種絶縁層や各種導電膜が配置されていてもよい。

第１ガラス基板１０及び第２ガラス基板２０は、例えば無アルカリガラスなどの絶縁性の材料によって形成されている。導電層ＣＬ及び検出電極Ｒｘは、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金によって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。導電層ＣＬは、金属層の替わりに又は金属層と併せて透明導電層を利用してもよい。上記透明導電層は、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）、インジウ亜鉛酸化物、（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）、酸化亜鉛（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：ＺｎＯ）などの透明な導電材料などによって形成される。接続部材Ｃは、銀などの金属材料を含み、その粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの微粒子を含むものであることが望ましい。

ここで、本実施形態における導電層ＣＬ及び検出電極Ｒｘとの接続構造について詳述する。第２基板ＳＵＢ２において、第２ガラス基板２０は、主面２０Ａと主面２０Ｂとの間を貫通する貫通孔（第１貫通孔）ＶＡを有している。図示した例では、貫通孔ＶＡは、検出電極Ｒｘも貫通している。一方、第１基板ＳＵＢ１においては、導電層ＣＬは、貫通孔ＶＡと第３方向Ｚで対向する貫通孔（第２貫通孔）ＶＢを有している。また、第１ガラス基板１０は、貫通孔ＶＢと第３方向Ｚで対向する凹部ＣＣを有している。

有機絶縁膜ＯＩは、貫通孔ＶＡ及びＶＢに繋がった貫通孔（第３貫通孔）ＶＣを有している。図示した例では、貫通孔ＶＣは、貫通孔ＶＡ及びＶＢと比較して、第１方向Ｘに拡張されている。なお、貫通孔ＶＣは、第１方向Ｘのみならず、Ｘ−Ｙ平面内における全方位に亘って貫通孔ＶＡ及びＶＢよりも拡張されている。凹部ＣＣ、貫通孔ＶＢ、貫通孔ＶＣ、及び貫通孔ＶＡは、この順に第３方向Ｚに並んでいる。

凹部ＣＣは、主面１０Ａに開口しているが、図示した例では、主面１０Ｂまで貫通していない。一例では、凹部ＣＣの第３方向Ｚに沿った深さは、第１ガラス基板１０の第３方向Ｚに沿った厚さの約１／５〜約１／２程度である。なお、第１ガラス基板１０は、凹部ＣＣの代わりに、主面１０Ａと主面１０Ｂとの間を貫通する貫通孔を有していてもよい。貫通孔ＶＢ及び凹部ＣＣは、いずれも貫通孔ＶＡ及びＶＣの直下に位置している。貫通孔ＶＡ、貫通孔ＶＣ、貫通孔ＶＢ、及び凹部ＣＣは、第３方向Ｚに沿った同一直線上に位置しており、接続用孔Ｖを形成している。

接続部材Ｃは、貫通孔ＶＡ，ＶＢ，及びＶＣを通って導電層ＣＬと検出電極Ｒｘとを電気的に接続している。図示した例では、接続部材Ｃは、第２基板ＳＵＢ２において、検出電極Ｒｘの上面ＴＲｘ、貫通孔ＶＡにおける検出電極Ｒｘの内面ＩＲｘ、及び貫通孔ＶＡにおける第２ガラス基板２０の内面Ｓ２０にそれぞれ接触している。また、接続部材Ｃは、第１基板ＳＵＢ１において、貫通孔ＶＢにおける導電層ＣＬの内面ＳＣＬ、導電層ＣＬの上面ＴＣＬ、及び凹部ＣＣにもそれぞれ接触している。

接続部材Ｃは、貫通孔ＶＣにおける有機絶縁膜ＯＩの内面ＳＯＩに接触している。なお、図示した例では、接続部材Ｃは、貫通孔ＶＡ，ＶＢ，ＶＣ、及び凹部ＣＣを埋めるように充填されている。但し、図２に示した例に限定されるものではなく、接続部材Ｃは、導電層ＣＬと検出電極Ｒｘとの間において途切れることなく連続的に形成されていればよい。また、貫通孔ＶＡの内部など、接続用孔Ｖの内部には、絶縁材料が充填されていてもよい。

これにより、検出電極Ｒｘは、接続部材Ｃ、導電層ＣＬなどを介して上述した配線基板２と電気的に接続される。このため、検出電極Ｒｘに対して信号を書き込んだり、検出電極Ｒｘから出力された信号を読み取ったりするための制御回路は、配線基板２を介して検出電極Ｒｘと接続可能となる。つまり、配線基板１，２とは別の配線基板を第２基板ＳＵＢ２に実装する必要がなくなる。

上記のように、第１基板ＳＵＢ１側の導電層ＣＬと、第２基板ＳＵＢ２側の検出電極Ｒｘとを接続する構成によれば、上記別の配線基板を実装するための端子部や、検出電極Ｒｘと上記別の配線基板とを接続するための引き回し配線が不要となる。このため、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ-Ｙ平面において、第２基板ＳＵＢ２の基板サイズを縮小することができる。又は、表示装置ＤＳＰの周縁部の額縁幅を縮小することができる。これにより、狭額縁化が可能となる。

図３は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰの一例として、センサＳＳを搭載した液晶表示装置について説明する。
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、ＩＣチップＩ１，Ｉ２、配線基板１，２などを備えている。表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シール材ＳＥと、表示機能層（後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１に対向している。シール材ＳＥは、図３において右上がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着している。シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置している。表示領域ＤＡは、シール材ＳＥによって囲まれた内側に位置している。

ＩＣチップＩ１は配線基板１に実装され、ＩＣチップＩ２は配線基板２に実装されているが、図示した例に限らず、ＩＣチップＩ１，Ｉ２は外部回路基板に実装されていてもよい。ＩＣチップＩ１は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。ここでのディスプレイドライバＤＤは、後述する信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含むものである。また、図示した例では、ＩＣチップＩ２は、タッチパネルコントローラなどとして機能する検出回路ＲＣを内蔵している。ＩＣチップＩ２は、配線基板２及び配線基板１を介してパッド群ＰＧのパッドに接続されている。なお、検出回路ＲＣは、ＩＣチップＩ１に内蔵されていてもよい。

センサＳＳは、表示装置ＤＳＰへの被検出物の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサＳＳは、複数の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ１，Ｒｘ２，…）を備えている。検出電極Ｒｘは、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。これらの検出電極Ｒｘは、それぞれ第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。図３には、検出電極Ｒｘとして、検出電極Ｒｘ１乃至Ｒｘ４が図示されているが、ここでは、検出電極（第１検出電極）Ｒｘ１に注目してその構造例について説明する。

すなわち、検出電極Ｒｘ１は、検出部ＲＳと、端子部ＲＴ１と、接続部ＣＮとを備えている。
検出部ＲＳは、表示領域ＤＡに位置し、第１方向Ｘに延出している。検出電極Ｒｘ１においては、主として検出部ＲＳがセンシングに利用される。図示した例では、検出部ＲＳは、帯状に形成されているが、より具体的には、図８を参照して説明するように微細な金属細線の集合体によって形成されている。また、１つの検出電極Ｒｘ１は、２本の検出部ＲＳを備えているが、３本以上の検出部ＲＳを備えていてもよいし、１本の検出部ＲＳを備えていてもよい。
端子部ＲＴ１は、非表示領域ＮＤＡの第１領域Ａ１に位置し、検出部ＲＳに繋がっている。接続部ＣＮは、非表示領域ＮＤＡの第２領域Ａ２に位置し、複数の検出部ＲＳを互いに接続している。端子部ＲＴ１の少なくとも一部は、平面視でシール材ＳＥと重なる位置に形成されている。

一方で、第１基板ＳＵＢ１は、上記の導電層ＣＬに対応する複数の導電層ＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，…）と、上記のリード配線Ｗに対応する複数のリード配線Ｗ（Ｗ１，Ｗ２，…）と、を備えている。導電層（第１導電層）ＣＬ１及びリード配線（第１リード配線）Ｗ１は、第１領域Ａ１に位置し、平面視でシール材ＳＥと重なっている。導電層ＣＬ１は、平面視で端子部ＲＴ１と重なる位置に形成されている。リード配線Ｗ１は、導電層ＣＬ１に接続され、第２方向Ｙに沿って延出し、パッド群ＰＧ、配線基板１，２を介してＩＣチップＩ２の検出回路ＲＣと電気的に接続されている。

表示パネルＰＮＬには複数の接続用孔Ｖ（Ｖ１，Ｖ２，…）が形成されている。接続用孔（第１接続用孔）Ｖ１は、端子部ＲＴ１と導電層ＣＬ１とが対向する位置に形成されている。また、接続用孔Ｖ１は、端子部ＲＴ１を含む第２基板ＳＵＢ２及びシール材ＳＥを貫通するとともに、導電層ＣＬ１を貫通する場合もあり得る。図示した例では、接続用孔Ｖ１は、平面視で真円であるが、その形状は図示した例に限らず、楕円形などの他の円形状であってもよく、円以外の形状であってもよい。図２などを参照して説明したように、接続用孔Ｖ１には、接続部材Ｃが設けられている。これにより、端子部ＲＴ１と導電層ＣＬ１とが電気的に接続される。つまり、第２基板ＳＵＢ２に設けられた検出電極Ｒｘ１は、第１基板ＳＵＢ１に接続された配線基板１，２を介して検出回路ＲＣと電気的に接続される。検出回路ＲＣは、検出電極Ｒｘから出力されたセンサ信号を読み取り、被検出物の接触あるいは接近の有無や、被検出物の位置座標などを検出する。

図示した例では、検出電極Ｒｘ１、検出電極（第３検出電極）Ｒｘ３などの奇数番目の検出電極Ｒｘ１，Ｒｘ３の端子部ＲＴ１，ＲＴ３、導電層ＣＬ１、導電層（第３導電層）ＣＬ３、リード配線Ｗ１、リード配線（第３リード配線）Ｗ３、接続用孔Ｖ１、接続用孔（第３接続用孔）Ｖ３は、いずれも非表示領域ＮＤＡの第１領域Ａ１に位置している。また、検出電極（第２検出電極）Ｒｘ２、検出電極（第４検出電極）Ｒｘ４などの偶数番目の検出電極Ｒｘ２，Ｒｘ４の端子部ＲＴ２，ＲＴ４、導電層（第２導電層）ＣＬ２、導電層（第４導電層）ＣＬ４、リード配線（第２リード配線）Ｗ２、リード配線（第４リード配線）Ｗ４、接続用孔（第２接続用孔）Ｖ２、接続用孔（第４接続用孔）Ｖ４は、いずれも非表示領域ＮＤＡの第２領域Ａ２に位置している。このようなレイアウトによれば、第１領域Ａ１の幅と第２領域Ａ２の幅とを均一化することができ、狭額縁化に好適である。

図示したように、導電層ＣＬ３が導電層ＣＬ１よりも第１パッド群ＰＧに近接するレイアウトでは、リード配線Ｗ１は、導電層ＣＬ３の内側（つまり、表示領域ＤＡに近接する側）を迂回し、導電層ＣＬ３と第１パッド群ＰＧとの間でリード配線Ｗ３の内側に並んで配置されている。同様に、リード配線Ｗ２は、導電層ＣＬ４の内側を迂回し、導電層ＣＬ４と第１パッド群ＰＧとの間でリード配線Ｗ４の内側に並んで配置されている。

図４は、図３に示した表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を示す図である。
図４に示すように、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。走査線Ｇは、各々第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに並んでいる。信号線Ｓは、各々第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び共通電極ＣＥは、それぞれ非表示領域ＮＤＡに引き出されている。非表示領域ＮＤＡにおいて、走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２に接続され、信号線Ｓは信号線駆動回路ＳＤに接続され、共通電極ＣＥは共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。

各走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２の両方に接続されているが、これに限定されるものではなく、走査線駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２の何れか一方に接続されていてもよい。例えば、奇数番目の走査線Ｇが走査線駆動回路ＧＤ１に接続され、偶数番目の走査線Ｇが走査線駆動回路ＧＤ２に接続されていてもよい。また、信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び共通電極駆動回路ＣＤは、第１基板ＳＵＢ１上に形成されてもよいし、これらの一部或いは全部が図３に示したＩＣチップＩ１に内蔵されていてもよい。

各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣなどを備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子ＳＷは、ゲート電極ＷＧ、ソース電極ＷＳ、及びドレイン電極ＷＤを備えている。ゲート電極ＷＧは、走査線Ｇと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Ｓと電気的に接続された電極をソース電極ＷＳと称し、画素電極ＰＥと電気的に接続された電極をドレイン電極ＷＤと称する。
走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。

図５は、図３に示した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰを第１方向Ｘに沿って切断した断面図を示す。
図５に示すように、図示した表示パネルＰＮＬは、主として基板主面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルＰＮＬは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していてもよい。横電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のいずれか一方に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が備えられた構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか一方が備えられ、第２基板ＳＵＢ２に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか他方が備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、Ｘ−Ｙ平面と平行な面である。

第１基板ＳＵＢ１は、第１ガラス基板１０、信号線Ｓ、共通電極ＣＥ、金属層Ｍ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。なお、ここでは、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁膜等の図示を省略している。
第１絶縁膜１１は、第１ガラス基板１０の上に位置している。図示しない走査線やスイッチング素子の半導体層は、第１ガラス基板１０と第１絶縁膜１１の間に位置している。信号線Ｓは、第１絶縁膜１１の上に位置している。第２絶縁膜１２は、信号線Ｓ、及び第１絶縁膜１１の上に位置している。共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２の上に位置している。金属層Ｍは、信号線Ｓの直上において共通電極ＣＥに接触している。図示した例では、金属層Ｍは、共通電極ＣＥの上に位置しているが、共通電極ＣＥと第２絶縁膜１２との間に位置していてもよい。第３絶縁膜１３は、共通電極ＣＥ、及び金属層Ｍの上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３を介して共通電極ＣＥと対向している。また、画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３を覆っている。

走査線、信号線Ｓ、及び金属層Ｍは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であってもよい。一例では走査線はモリブデンとタングステンを有する金属材料から形成され、信号線Ｓはチタンとアルミニウムを有する金属材料から形成され、金属層Ｍはモリブデンとアルミニウムから成る金属材料から形成され、走査線、信号線Ｓ及び金属層Ｍはそれぞれ異なる材料から成る。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第１絶縁膜１１及び第３絶縁膜１３は無機絶縁膜であり、第２絶縁膜１２は有機絶縁膜である。

なお、第１基板ＳＵＢ１の構成は、図示した例に限らず、画素電極ＰＥが第２絶縁膜１２と第３絶縁膜１３との間に位置し、共通電極ＣＥが第３絶縁膜１３と第１配向膜ＡＬ１との間に位置していてもよい。このような場合、画素電極ＰＥはスリットを有していない平板状に形成され、共通電極ＣＥは画素電極ＰＥと対向するスリットを有する。また、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように配置されていてもよい。

第２基板ＳＵＢ２は、第２ガラス基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦは、第２ガラス基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。遮光層ＢＭは、各画素を区画し、信号線Ｓの直上に位置している。カラーフィルタＣＦは、画素電極ＰＥと対向し、その一部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦは、赤色フィルタ、緑色フィルタ、青色フィルタなどを含んでいる。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。

なお、カラーフィルタＣＦは、第１基板ＳＵＢ１に配置されてもよい。カラーフィルタＣＦは、４色以上のカラーフィルタを含んでいてもよい。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されてもよいし、無着色の樹脂材料が配置されてもよいし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層ＯＣを配置してもよい。

検出電極Ｒｘは、第２ガラス基板２０の主面２０Ｂに位置している。検出電極Ｒｘは、上記の通り、金属を含む導電層によって形成されている。絶縁層ＩＬは、検出電極Ｒｘの上に形成されている。絶縁層ＩＬの詳細については後述する。
第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１は、第１ガラス基板１０と照明装置ＢＬとの間に位置している。第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２は、絶縁層ＩＬの上に位置している。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、必要に応じて位相差板を含んでいてもよい。また、図示しないが、カバー部材が、第２光学素子ＯＤ２の替わりに絶縁層ＩＬの上に設けられていてもよく、又は、第２光学素子ＯＤ２の上にさらに設けられていてもよい。カバー部材は、例えばガラス基板で形成されている。この場合、カバー部材はカバーガラスと称され場合がある。又は、カバー部材は、樹脂基板などの光透過性を有する基板を利用して形成することができる。

次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰに搭載されるセンサＳＳの一構成例について説明する。以下に説明するセンサＳＳは、例えば相互容量方式の静電容量型であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触あるいは接近を検出するものである。
図６は、センサＳＳの一構成例を示す平面図である。
図６に示すように、図示した構成例では、センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘ、及び検出電極Ｒｘを備えている。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１に設けられている。また、検出電極Ｒｘは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、Ｘ−Ｙ平面において、互いに交差している。検出電極Ｒｘは、第３方向Ｚにおいて、センサ駆動電極Ｔｘと対向している。

センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに位置し、それらの一部が非表示領域ＮＤＡに延在している。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出した帯状の形状を有し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、それぞれ第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、図３を参照して説明したように、第１基板ＳＵＢ１に設けられた導電層ＣＬに接続され、リード配線Ｗを介して検出回路ＲＣと電気的に接続されている。センサ駆動電極Ｔｘの各々は、引出し配線ＷＲを介して共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。なお、センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。

本実施形態において、センサ駆動電極Ｔｘに上記の共通電極ＣＥを利用している。センサ駆動電極Ｔｘは、共通電極ＣＥである。センサ駆動電極Ｔｘ（共通電極ＣＥ）は、画素電極ＰＥとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極Ｒｘとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。

共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに画像を表示する表示駆動時に、センサ駆動電極Ｔｘに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路ＣＤは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Ｔｘに対してセンサ駆動信号を供給する。共通電極駆動回路ＣＤ及びＩＣチップＩ１は、センサＳＳの駆動部として機能する。
検出電極Ｒｘは、センサ駆動電極Ｔｘへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センシングに必要なセンサ信号を出力する。検出電極Ｒｘが出力するセンサ信号は、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の電極間容量と、センサ駆動電極Ｔｘと被検出物との間の容量とに基づいている。検出電極Ｒｘから出力された検出信号は、図３に示したＩＣチップＩ２（検出回路ＲＣ）に入力される。ＩＣチップＩ２は、センサＳＳの制御部として機能し、検出電極Ｒｘのセンサ出力値を検出する。
なお、上記した各構成例におけるセンサＳＳは、相互容量方式のセンサに限らず、検出電極Ｒｘと被検出物との間の静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式のセンサであってもよい。

図７は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの他の構成例を示す平面図である。図７に示した構成例は、図３に示した構成例と比較して、検出電極Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３，…がそれぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる点で相違している。図示した例では、検出部ＲＳは、表示領域ＤＡにおいて第２方向Ｙに延出している。また、端子部ＲＴ１，ＲＴ２，ＲＴ３，…は、表示領域ＤＡとパッド群ＰＧとの間で第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。接続用孔Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，…は、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。なお、図示しないが、表示装置ＤＳＰは、第１方向Ｘに延出し第２方向Ｙに間隔をおいて並んだセンサ駆動電極を備えていてもよい。
図７に示した構成例は、検出電極Ｒｘを利用した自己容量方式のセンサＳＳに適用可能であり、また、図示しないセンサ駆動電極及び検出電極Ｒｘを利用した相互容量方式のセンサＳＳにも適用可能である。

図８は、図３及び図７に示した検出電極Ｒｘ１の検出部ＲＳの構成例を示す図である。
図８（Ａ）に示す例では、検出部ＲＳは、メッシュ状の金属細線ＭＳによって形成されている。金属細線ＭＳは、端子部ＲＴ１に繋がっている。図８（Ｂ）に示す例では、検出部ＲＳは、波状の金属細線ＭＷによって形成されている。図示した例では、金属細線ＭＷは、鋸歯状であるが、正弦波状などの他の形状であってもよい。金属細線ＭＷは、端子部ＲＴ１に繋がっている。
端子部ＲＴ１は、例えば検出部ＲＳと同一材料によって形成されている。端子部ＲＴ１には、円形の接続用孔Ｖ１が形成されている。

図９は、図３に示した接続用孔Ｖ１を含む表示パネルＰＮＬを、線ＩＸ−ＩＸで切断した表示パネルＰＮＬの断面図である。ここでは、説明に必要な主要部のみを図示している。
図９に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、第１ガラス基板１０、導電層ＣＬ１、有機絶縁膜に相当する第２絶縁膜１２などを備えている。第１導電層ＣＬ１は、例えば、図５に示した信号線Ｓと同一材料によって形成されている。第１ガラス基板１０と導電層ＣＬ１との間、及び第１ガラス基板１０と第２絶縁膜１２との間には、図５に示した第１絶縁膜１１や、他の絶縁膜や他の導電層が配置されていてもよい。

第２基板ＳＵＢ２は、第２ガラス基板２０、検出電極Ｒｘ１、有機絶縁膜に相当する遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣなどを備えている。
シール材ＳＥは、有機絶縁膜に相当し、第２絶縁膜１２とオーバーコート層ＯＣとの間に位置している。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とシール材ＳＥとで囲まれた空間に形成されている。なお、図示しないが、第２絶縁膜１２とシール材ＳＥとの間には、図５に示した金属層Ｍ、第３絶縁膜１３、及び第１配向膜ＡＬ１が介在していてもよい。また、オーバーコート層ＯＣとシール材ＳＥとの間には、図５に示した第２配向膜ＡＬ２が介在していてもよい。

接続用孔Ｖ１は、第２ガラス基板２０及び検出電極Ｒｘの端子部ＲＴを貫通する貫通孔ＶＡ、導電層ＣＬ１を貫通する貫通孔ＶＢ、各種有機絶縁膜を貫通する貫通孔ＶＣ、及び第１ガラス基板１０に形成された凹部ＣＣを含んでいる。貫通孔ＶＣは、第２絶縁膜１２を貫通する第１部分ＶＣ１、シール材ＳＥを貫通する第２部分ＶＣ２、及び遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣを貫通する第３部分ＶＣ３を有している。接続部材Ｃは、接続用孔Ｖ１に設けられ、導電層ＣＬ１と検出電極Ｒｘとを電気的に接続している。

図１０は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一部を示す平面図であり、表示パネルＰＮＬ、検出電極Ｒｘ、接続用孔Ｖ、及び絶縁層ＩＬを示す図である。
図１０に示すように、検出電極Ｒｘ１、検出電極Ｒｘ２などの複数の検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに設けられ、非表示領域ＮＤＡまで延出して形成されている。絶縁層ＩＬは、複数の検出電極Ｒｘの各々に対向して位置した第１絶縁層ＩＬ１と、第１絶縁層ＩＬ１の間に位置した第２絶縁層ＩＬ２と、を有している。第１絶縁層ＩＬ１は、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第２絶縁層ＩＬ２は、ドットパターンを付した部分に相当している。

平面視において、第１絶縁層ＩＬ１は、第２ガラス基板２０（第２基板ＳＵＢ２）と対向する領域において、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡにて複数の検出電極Ｒｘの各々に対向して位置している。Ｘ−Ｙ平面において、各第１絶縁層ＩＬ１の面積は各検出電極Ｒｘの面積より大きく、各第１絶縁層ＩＬ１は各検出電極Ｒｘの全体を覆っている。

一方、第２絶縁層ＩＬ２は、平面視において、第２ガラス基板２０（第２基板ＳＵＢ２）と対向する領域において、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡにて複数の第１絶縁層ＩＬ１及び複数の検出電極Ｒｘが形成された領域以外の領域に形成されている。第２絶縁層ＩＬ２は、複数の第１絶縁層ＩＬ１の間の領域などに位置し、第１絶縁層ＩＬ１の各々を囲んでいる。

図１１は、図１０の線ＸＩ−ＸＩに沿って表示装置ＤＳＰを示した拡大断面図であり、表示装置ＤＳＰの入力面に被検出物としてユーザの指が接触している状態を示す図である。ここでは、第２光学素子ＯＤ２の表面を入力面として説明するが、これに限定されるものではなく、例えば上述したカバー部材の表面が入力面であってもよい。
図１１に示すように、絶縁層ＩＬとしては、検出電極Ｒｘを保護する保護層を利用したり、第２光学素子ＯＤ２を第２ガラス基板２０に接着する接着層を利用したり、することができる。絶縁層ＩＬは、第２ガラス基板２０、検出電極Ｒｘ１、及び検出電極Ｒｘ２の上に形成されている。但し、本実施形態と異なり、検出電極Ｒｘ１及び検出電極Ｒｘ２の検出電極群と第２ガラス基板２０との間に、他の絶縁部材が介在していてもよい。この場合、絶縁層ＩＬは、上記他の絶縁部材、検出電極Ｒｘ１、及び検出電極Ｒｘ２の上に形成されている。本実施形態において、各第１絶縁層ＩＬ１は、対応する検出電極Ｒｘの上面ＴＲｘ及び側面ＳＲｘに接している。
センサ駆動電極Ｔｘは、第２ガラス基板２０の下方に位置している。センサ駆動電極Ｔｘは、検出電極Ｒｘ１と検出電極Ｒｘ２との間の領域にて第２絶縁層ＩＬ２と重なっている。

指とセンサ駆動電極Ｔｘとの間には第１カップリング容量Ｃｘ１が形成され、検出電極Ｒｘとセンサ駆動電極Ｔｘとの間には第２カップリング容量Ｃｘ２が形成される。第１カップリング容量Ｃｘ１は、第２絶縁層ＩＬ２、第２ガラス基板２０、第２光学素子ＯＤ２などを誘電体層として利用している。第２カップリング容量Ｃｘ２は、第２ガラス基板２０などを誘電体層として利用している。指とセンサ駆動電極Ｔｘと距離の変化に伴い、第１カップリング容量Ｃｘ１及び第２カップリング容量Ｃｘ２は変動する。ＩＣチップＩ２が第１カップリング容量Ｃｘ１及び第２カップリング容量Ｃｘ２に基づいて変化する検出電極Ｒｘのセンサ出力値を検出することにより、表示装置ＤＳＰの入力面に対する指の近接度（センサＳＳの法線方向の距離）を判断することができる。入力面に指が接触したことなどを判断することができる。

第１絶縁層ＩＬ１は、第１絶縁層ＩＬ１の表面で反射する第１反射光Ｌ１と、第１絶縁層ＩＬ１に侵入し検出電極Ｒｘ１又は検出電極Ｒｘ２の表面で反射し第１絶縁層ＩＬ１の表面から出射する第２反射光ＩＬ１と、の位相がずれるように構成されている。
また、第１絶縁層ＩＬ１の誘電率は、第２絶縁層ＩＬ２の誘電率より低い。

反射光の干渉現象は、第１反射光Ｌ１と第２反射光Ｌ２とが互いに干渉を起こすことにより発生する。上記第１反射光Ｌ１と上記第２反射光Ｌ２との位相差が０．５波長であれば両者は打ち消し合い、反射光強度が低下する効果が得られる。このため、表示装置ＤＳＰが、第１反射光Ｌ１と第２反射光Ｌ２との位相がずれるように構成されている場合、検出電極Ｒｘにて外光の反射が生じても視認性の低下を抑制することができる。例えば、人間の視感度の高い５５０ｎｍの波長又はその近傍の波長で光反射率が最も低くなるように、第１絶縁層ＩＬ１が構成されている。上記効果は、例えば、第１絶縁層ＩＬ１の厚みを１００ｎｍ程度に設定することにより、得ることができる。これにより、検出電極Ｒｘのパターンを利用者に視認させ難くすることができる。また、画素ＰＸのレイアウトとのモアレを抑制することができるため、表示品位の劣化を抑制することができる。

一方、第１絶縁層ＩＬ１の誘電率が第２絶縁層ＩＬ２の誘電率より低い場合、センサＳＳにおける良好な検出感度を得ることができる。絶縁層ＩＬを第１絶縁層ＩＬ１のみで形成した場合と比較して、第１カップリング容量Ｃｘ１の値を大きくできるためである。
また、第１絶縁層ＩＬ１の誘電率が第２絶縁層ＩＬ２の誘電率より低い場合、むしろ、センサＳＳの検出感度の向上を図ることができる。絶縁層ＩＬを第１絶縁層ＩＬ１のみで形成した場合と比較して、検出電極Ｒｘに結合され得る寄生容量の値を小さくできるためである。例えば、隣合う検出電極Ｒｘ１と検出電極Ｒｘ２との間に生じ得る寄生容量の値を小さくできるためである。

上記効果は、例えば、ナノ中空粒子を利用して第１絶縁層ＩＬ１を形成することにより、得ることができる。詳しくは、ナノ中空粒子とは、粒径が数ナノメートルから百数十ナノメートルのオーダーの中空の粒子である。第１絶縁層ＩＬ１は、複数のナノ中空粒子がバインダーで結合されて形成されている。本実施形態において、ナノ中空粒子は、導電性を有していない。第１絶縁層ＩＬ１は、絶縁性を有し、透明当電材料を利用したセンサ駆動電極Ｔｘの電気抵抗値、及び金属を利用した検出電極Ｒｘの電気抵抗値のそれぞれより高い抵抗値を有している。ナノ中空粒子は、例えば、中空シリカ粒子である。但し、ナノ中空粒子は、導電性を有していてもよい。例えば、導電性を有し互いに隣合う第１絶縁層ＩＬ１は絶縁性を有する第２絶縁層ＩＬ２で電気的に絶縁されているため、検出電極Ｒｘ間のショートは抑制される。

また、照明装置ＢＬから放出される光は、絶縁層ＩＬのうち検出電極Ｒｘと対向していない第２絶縁層ＩＬ２を主に透過する。このため、仮に、第１絶縁層ＩＬ１の光透過率が第２絶縁層ＩＬ２の光透過率より低くなっても、表示品位に優れた表示装置ＤＳＰを得ることができる。
なお、第１絶縁層ＩＬ１の誘電率は、第２ガラス基板２０の誘電率より低いものである。例えば、第１絶縁層ＩＬ１の誘電率は実質的に１．５乃至２．０の範囲内にあり、第２ガラス基板２０の誘電率は実質的に５乃至７の範囲内にある。

上記の本実施形態によれば、センサＳＳの検出感度を維持しながら、検出電極Ｒｘでの外光反射による視認性低下を抑制することができる。また、表示装置ＤＳＰに光反射防止フィルムを、別途、設けなくともよい分、（１）光透過効率の向上を図ることができ、（２）表示装置ＤＳＰを構成する部品の数を削減することができ、（３）表示装置ＤＳＰの全体の厚みの増大を抑制することができる。

上記のように構成された第１の実施形態に係るセンサ付き表示装置によれば、表示装置ＤＳＰは、第２ガラス基板（絶縁基板）２０を有する表示パネルＰＮＬと、第２ガラス基板２０の上に形成され金属を利用した検出電極Ｒｘ１及び検出電極Ｒｘ２と、第２ガラス基板２０、検出電極Ｒｘ１及び検出電極Ｒｘ２の上に形成された絶縁層ＩＬと、を備えている。絶縁層ＩＬは、検出電極Ｒｘ１及び検出電極Ｒｘ２の各々に対向して位置した第１絶縁層ＩＬ１と、第１絶縁層ＩＬ１の間に位置した第２絶縁層ＩＬ２と、を有している。

本実施形態において、第１絶縁層ＩＬ１は、第１反射光Ｌ１と第２反射光Ｌ２との位相がずれるように構成されている。さらに、第１絶縁層ＩＬ１の誘電率は、第２絶縁層ＩＬ２の誘電率より低い。このため、表示品位に優れた表示装置ＤＳＰを得ることができる。そして、センサＳＳの検出感度を維持しながら、検出電極Ｒｘでの外光反射による視認性低下を抑制することができる。

（第１の実施形態の変形例１）
次に、上記第１の実施形態の変形例１に係るセンサ付き表示装置について説明する。図１２は、上記変形例１に係る表示装置ＤＳＰの一部を示す拡大断面図である。
図１２に示すように、図示した変形例１の構成例は、上述した第１の実施形態の構成例と比較して、絶縁層ＩＬの構成に関して相違している。第１絶縁層ＩＬ１は、検出電極Ｒｘの上面ＴＲｘの上のみに形成されている。第１絶縁層ＩＬ１は、第２ガラス基板２０に接していない。検出電極Ｒｘ１及び検出電極Ｒｘ２の各々の上面ＴＲｘは、第１絶縁層ＩＬ１に接触している。検出電極Ｒｘ１及び検出電極Ｒｘ２の各々の側面ＳＲｘは、第２絶縁層ＩＬ２に接触している。第２カップリング容量Ｃｘ２において、検出電極Ｒｘの側面ＳＲｘとセンサ駆動電極Ｔｘとの間に形成されるフリンジ成分の容量の値を、上記第１の実施形態より大きくすることができる。このため、センサＳＳの検出感度の向上を図ることができる。

上記のような変形例１に係る表示装置ＤＳＰによれば、上述した第１の実施形態に係る表示装置と同様の効果を得ることができる。検出電極Ｒｘの側面ＳＲｘは、第２絶縁層ＩＬ２に接触している。このため、センサＳＳの検出感度の向上を図ることができる。

（第１の実施形態の変形例２）
次に、上記第１の実施形態の変形例２に係るセンサ付き表示装置について説明する。図１３は、上記変形例２に係る表示装置ＤＳＰの一部を示す拡大断面図である。
図１３に示すように、図示した変形例２の構成例は、上述した第１の実施形態の構成例と比較して、絶縁層ＩＬの構成に関して相違している。上記変形例１と同様、第１絶縁層ＩＬ１は、検出電極Ｒｘの上面ＴＲｘの上のみに形成されている。第１絶縁層ＩＬ１は、第２ガラス基板（絶縁基板）２０側の底面ＢＩＬ１と、上面ＴＩＬ１と、側面ＳＩＬ１とを有している。上面ＴＩＬ１は、底面ＢＩＬ１の面積より大きい面積を有している。第１絶縁層ＩＬ１は、逆テーパ状に形成されている。側面ＳＩＬ１は、逆テーパ面である。上記変形例１と比較して、第１絶縁層ＩＬ１は、上記第３方向Ｚから傾斜した方向など、より広い範囲にわたって上記第２反射光Ｌ２をガイドすることができる。このため、より広範囲にわたって反射光強度を低下させる効果を得ることができる。

上記のような変形例２に係る表示装置ＤＳＰによれば、上述した変形例１に係る表示装置と同様の効果を得ることができる。第１絶縁層ＩＬ１は、逆テーパ状に形成されている。このため、例えば、上記実施例１より広範囲にわたって検出電極Ｒｘのパターンを利用者に視認させ難くすることができる。

（第１の実施形態の変形例３）
次に、上記第１の実施形態の変形例３に係るセンサ付き表示装置について説明する。図１４は、上記変形例３に係る表示装置ＤＳＰの一部を示す拡大断面図である。
図１４に示すように、図示した変形例３の構成例は、上述した第１の実施形態の構成例と比較して、絶縁層ＩＬの構成に関して相違している。上述したように、表示パネルＰＮＬは、導電層ＣＬ、導電層ＣＬと検出電極Ｒｘ１及び検出電極Ｒｘ２の検出電極群との間に位置した第２ガラス基板２０、第２ガラス基板２０を貫通した接続用孔Ｖ、接続部材Ｃなどを備えている。導電層ＣＬ、接続用孔Ｖ、及び接続部材Ｃは、非表示領域ＮＤＡに形成されている。

接続部材Ｃは、接続用孔Ｖを通って検出電極Ｒｘ１及び検出電極Ｒｘ２の一方の検出電極Ｒｘと導電層ＣＬと電気的に接続している。図示した例では、一方の接続部材Ｃは接続用孔Ｖを通って検出電極Ｒｘ１と導電層ＣＬと電気的に接続し、他方の接続部材Ｃは接続用孔Ｖを通って検出電極Ｒｘ２と導電層ＣＬと電気的に接続している。第１絶縁層ＩＬ１は、接続用孔Ｖの内部に充填され、接続用孔Ｖの内部において接続部材Ｃを囲んでいる。

非表示領域ＮＤＡにて、第１絶縁層ＩＬ１は、検出電極Ｒｘ１，Ｒｘ２の上、検出電極Ｒｘ１と検出電極Ｒｘ２との間だけではなく、第２ガラス基板２０と検出電極Ｒｘ１との間、第２ガラス基板２０と検出電極Ｒｘ２との間にも位置している。非表示領域ＮＤＡだけではなく表示領域ＤＡにおいても、第１絶縁層ＩＬ１は、第２ガラス基板２０と検出電極Ｒｘとの間に位置していてもよい。この場合、表示領域ＤＡにおいて、第１絶縁層ＩＬ１は検出電極Ｒｘの全体を覆っている。

上述したように、第１絶縁層ＩＬ１の誘電率は、第２ガラス基板２０の誘電率より低い。このため、上記第１の実施形態、上記変形例１、及び上記変形例２と比較して、検出電極Ｒｘに結合される寄生容量、及び接続部材Ｃに結合される寄生容量をそれぞれ低減することができる。これにより、センサＳＳの検出感度の向上を図ることができる。その他に、検出電極Ｒｘ及び接続部材Ｃが、他の導電部材に及ぼし得る電気的な悪影響を低減することができる。

また、非表示領域ＮＤＡにおいては、光反射や見映えよりも電気特性を優先させることができる。本変形例３では、検出電極Ｒｘ１と検出電極Ｒｘ２との間で第１絶縁層ＩＬ１が連続的に形成されている。このため、第１絶縁層ＩＬ１は、絶縁性のナノ中空粒子を利用し、絶縁性を有している。また、絶縁層ＩＬの誘電率は、非表示領域ＮＤＡでは１に近づくように下げた方が望ましい。

上記のような変形例３に係る表示装置ＤＳＰによれば、上述した第１の実施形態に係る表示装置と同様の効果を得ることができる。第１絶縁層ＩＬ１は、接続用孔Ｖの内部に形成されている。このため、例えば、上記実施例１よりセンサＳＳの検出感度の向上を図ることができる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係るセンサ付き表示装置について詳細に説明する。本実施形態に係る表示装置ＤＳＰは、上記第１の実施形態係る表示装置と比較し、配線基板２が第２基板ＳＵＢ２に接続され、接続用孔Ｖ、接続部材Ｃなどを利用すること無しに検出電極Ｒｘが配線基板２に接続されている点で、相違している。図１５は、第２の実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成を示す斜視図である。

図１５に示すように、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、ＩＣチップＩ１、センサＳＳ、ＩＣチップＩ２、照明装置ＢＬ、制御モジュールＣＭ、配線基板１，２，３などを備えている。
ＩＣチップＩ１は、表示パネルＰＮＬの第１基板ＳＵＢ１上に搭載されている。配線基板１は、表示パネルＰＮＬと制御モジュールＣＭとを接続している。配線基板２は、センサＳＳの検出電極Ｒｘと制御モジュールＣＭとを接続している。ＩＣチップＩ２は、配線基板２上に搭載されている。配線基板３は、照明装置ＢＬと制御モジュールＣＭとを接続している。

ＩＣチップＩ１及びＩＣチップＩ２は、配線基板２などを介して接続されている。例えば、配線基板２が第１基板ＳＵＢ１上に接続された分岐部２ｂを有している場合、ＩＣチップＩ１及びＩＣチップＩ２は、分岐部２ｂ及び第１基板ＳＵＢ１上の配線を介して接続されていてもよい。また、ＩＣチップＩ１及びＩＣチップＩ２は、配線基板１，２を介して接続されていてもよい。

次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰが備えるセンサＳＳについて説明する。図１６は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一部を示す平面図であり、表示パネルＰＮＬ、検出電極Ｒｘ、リード配線Ｗ、絶縁層ＩＬ、配線基板２、及びＩＣチップＩ２を示す図である。図１６において、第１基板ＳＵＢ１側の上記センサ駆動電極Ｔｘ、ＩＣチップＩ１などの図示を省略している。

図１６に示すように、本実施形態のセンサＳＳは、第２基板ＳＵＢ２側の検出電極Ｒｘ及びリード配線Ｗを備えている。複数のリード配線Ｗは第２基板ＳＵＢ２の第１領域Ａ１、第２領域Ａ２及び第３領域Ａ３に位置している。検出電極Ｒｘは、上記センサ駆動電極Ｔｘと交差している。

なお、検出電極Ｒｘの個数、サイズ、及び形状は、特に限定されるものではなく種々変更可能である。また、図１６では、検出電極Ｒｘが第１方向Ｘに延出する例を示すが、検出電極Ｒｘは第２方向Ｙに延出してもよい。この場合、上記センサ駆動電極Ｔｘは、例えば第１方向Ｘに延出し、検出電極Ｒｘと交差している。

複数のリード配線Ｗは、検出電極Ｒｘ１及び検出電極Ｒｘ２などの複数の検出電極Ｒｘに一対一で接続され、金属を利用している。リード配線Ｗは、非表示領域ＮＤＡにて延出している。リード配線Ｗの各々は、検出電極Ｒｘからのセンサ出力値を出力する。図示した例では、リード配線Ｗは、第２基板ＳＵＢ２の第１領域Ａ１及び第３領域Ａ３、又は第２領域Ａ２に配置されている。例えば、リード配線Ｗのうち、奇数番目の検出電極Ｒｘに接続されたリード配線Ｗは第１領域Ａ１及び第３領域Ａ３に配置され、また、偶数番目の検出電極Ｒｘに接続されたリード配線Ｗは第２領域Ａ２に配置されている。上記のようなリード配線Ｗのレイアウトは、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２の第１方向Ｘの幅の均一化、及び表示装置ＤＳＰの狭額縁化に対応したものである。

配線基板２は、非表示領域ＮＤＡにて、表示パネルＰＮＬの外面の上方に配置された他のＯＬＢパッド群に接続されている。このＯＬＢパッド群の各パッドは、リード配線Ｗを経由して検出電極Ｒｘに電気的に接続されている。リード配線Ｗを透明な導電材料より電気抵抗値の非常に低い金属材料で形成することにより、リード配線Ｗの幅を小さくすることができる。上記ＯＬＢパッド群を第２基板ＳＵＢ２の第３領域Ａ３の１個所に密集させることができるため、配線基板２の小型化及び低コスト化を図ることができる。

第１絶縁層ＩＬ１は、複数の検出電極Ｒｘの各々に対向して位置した複数の帯状部と、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２及び第３領域Ａ３に位置したＵ字部とが一体となって形成されている。平面視において、リード配線Ｗと配線基板２との接続部近傍を除き、第１絶縁層ＩＬ１は、各検出電極Ｒｘの全体と、全てのリード配線Ｗとを覆っている。図１６においても、第１絶縁層ＩＬ１は、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第２絶縁層ＩＬ２は、ドットパターンを付した部分に相当している。

図１７は、図１６の線ＸＶＩＩ−ＸＶＩＩに沿った表示装置ＤＳＰを示す拡大断面図である。
図１７に示すように、複数のリード配線Ｗは、検出電極Ｒｘと同様に、第２ガラス基板２０の上方に配置されている。本実施形態において、複数のリード配線Ｗは、第２ガラス基板（絶縁基板）２０の上に形成されている。第１絶縁層ＩＬ１は、非表示領域ＮＤＡにて第２ガラス基板及びリード配線Ｗの上に形成されている。第１絶縁層ＩＬ１は、非表示領域ＮＤＡにてリード配線Ｗ同士の間にも位置している。隣合うリード配線Ｗの間で第１絶縁層ＩＬ１が連続的に形成されている。このため、第１絶縁層ＩＬ１は、絶縁性のナノ中空粒子を利用し、絶縁性を有している。
本実施形態でも、上記第１の実施形態と同様に、第２光学素子ＯＤ２の表面を入力面として説明するが、これに限定されるものではなく、例えば上述したカバー部材の表面が入力面であってもよい。

上記のように構成された第２の実施形態に係るセンサ付き表示装置によれば、表示装置ＤＳＰは、第２ガラス基板（絶縁基板）２０を有する表示パネルＰＮＬと、第２ガラス基板２０の上に形成され金属を利用した検出電極Ｒｘ１及び検出電極Ｒｘ２と、第２ガラス基板２０、検出電極Ｒｘ１及び検出電極Ｒｘ２の上に形成された絶縁層ＩＬと、を備えている。

本実施形態において、第１絶縁層ＩＬ１は、第１反射光Ｌ１と第２反射光Ｌ２との位相がずれるように構成されている。さらに、第１絶縁層ＩＬ１の誘電率は、第２絶縁層ＩＬ２の誘電率より低い。このため、上記のような第２の実施形態に係る表示装置ＤＳＰによれば、上述した第１の実施形態に係る表示装置と同様の効果を得ることができる。

（第２の実施形態の変形例１）
次に、上記第２の実施形態の変形例１に係るセンサ付き表示装置について説明する。図１８は、上記第２の実施形態の変形例１に係る表示装置ＤＳＰの一部を示す拡大断面図である。
図１８に示すように、図示した変形例１の構成例は、上述した第２の実施形態の構成例と比較して、絶縁層ＩＬの構成に関して相違している。非表示領域ＮＤＡにて、第１絶縁層ＩＬ１は、リード配線Ｗの上、リード配線Ｗ同士の間だけではなく、第２ガラス基板２０とリード配線Ｗとの間にも位置している。非表示領域ＮＤＡだけではなく表示領域ＤＡにおいても、第１絶縁層ＩＬ１は、第２ガラス基板２０と検出電極Ｒｘとの間に位置していてもよい。この場合、表示領域ＤＡにおいて、第１絶縁層ＩＬ１は検出電極Ｒｘの全体を覆っている。

上記のような変形例１に係る表示装置ＤＳＰによれば、上述した第２の実施形態に係る表示装置と同様の効果を得ることができる。第１絶縁層ＩＬ１は、第２ガラス基板２０とリード配線Ｗとの間にも位置している。上述した第２の実施形態と比較して、リード配線Ｗに結合され得る寄生容量の値を小さくすることができる。このため、例えば、上記第２の実施形態よりセンサＳＳの検出感度の向上を図ることができる。

（第２の実施形態の変形例２）
次に、上記第２の実施形態の変形例２に係るセンサ付き表示装置について説明する。図１９は、上記第２の実施形態の変形例２に係る表示装置ＤＳＰの一部を示す平面図であり、表示パネルＰＮＬ、検出電極Ｒｘ、リード配線Ｗ、絶縁層ＩＬ、配線基板２、及びＩＣチップＩ２を示す図である。

図１９に示すように、図示した変形例２の構成例は、上述した第２の実施形態の構成例と比較して、リード配線Ｗ及び絶縁層ＩＬの構成に関して相違している。複数のリード配線Ｗは、複数の検出電極Ｒｘに一対一で接続され、金属を利用している。複数のリード配線Ｗは、第２基板ＳＵＢ２の第２領域Ａ２に位置している。奇数番目の検出電極Ｒｘに接続されたリード配線Ｗと、偶数番目の検出電極Ｒｘに接続されたリード配線Ｗとの双方が、第２領域Ａ２に配置されている。また、本変形例２においても、第２基板ＳＵＢ２の上記ＯＬＢパッド群を第２基板ＳＵＢ２の第３領域Ａ３の１個所に密集させることができる。

第１絶縁層ＩＬ１は、複数の検出電極Ｒｘの各々に対向して位置した複数の帯状部と、第２領域Ａ２に位置したＩ字部とが一体となって形成されている。平面視において、リード配線Ｗと配線基板２との接続部近傍を除き、第１絶縁層ＩＬ１は、各検出電極Ｒｘの全体と、全てのリード配線Ｗとを覆っている。図１９においても、第１絶縁層ＩＬ１は、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第２絶縁層ＩＬ２は、ドットパターンを付した部分に相当している。
上記のような変形例２に係る表示装置ＤＳＰによれば、上述した第２の実施形態に係る表示装置と同様の効果を得ることができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＤＳＰ…表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、Ｉ１，Ｉ２…ＩＣチップ、
ＳＳ…センサ、ＣＭ…制御モジュール、１，２…配線基板、
ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、２０…第２ガラス基板、
ＰＸ…画素、ＯＤ２…第２光学素子、ＰＧ…パッド群、Ｗ…リード配線、
ＣＬ…導電層、ＯＩ…有機絶縁膜、Ｖ…接続用孔、Ｃ…接続部材、
Ｔｘ…センサ駆動電極、Ｒｘ…検出電極、ＴＲｘ…上面、ＳＲｘ…側面、
ＩＬ…絶縁層、ＩＬ１…第１絶縁層、
ＢＩＬ１…底面、ＴＩＬ１…上面、ＳＩＬ１…側面、
ＩＬ２…第２絶縁層、
ＣＤ…共通電極駆動回路、ＲＣ…検出回路、
ＤＡ…表示領域、ＮＤＡ…非表示領域、
Ｌ１…第１反射光、Ｌ２…第２反射光。

Claims (14)

1. 絶縁基板を有する表示パネルと、
   前記絶縁基板の上に形成された第１検出電極及び第２検出電極と、
   前記第１検出電極及び前記第２検出電極の上に形成された絶縁層と、を備え、
   前記絶縁層は、前記絶縁層の表面で反射する第１反射光と、前記絶縁層に侵入し前記第１検出電極又は前記第２検出電極の表面で反射し前記絶縁層の表面から出射する第２反射光と、の位相がずれるように構成されている、表示装置。
2. 前記絶縁層は、前記第１検出電極及び前記第２検出電極の上に形成された第１絶縁層と、前記第１検出電極及び前記第２検出電極の間に形成された第２絶縁層と、を備えている、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１絶縁層は、前記絶縁基板側の底面と、前記底面の面積より大きい面積を有する上面と、を有し、逆テーパ状に形成されている、請求項２に記載の表示装置。
4. 絶縁基板を有する表示パネルと、
   前記絶縁基板の上に形成された第１検出電極及び第２検出電極と、
   前記絶縁基板、前記第１検出電極及び前記第２検出電極の上に形成された絶縁層と、を備え、
   前記絶縁層は、前記第１検出電極及び前記第２検出電極の各々に対応する位置に形成された第１絶縁層と、前記第１検出電極及び前記第２検出電極の間に形成された第２絶縁層と、を有し、
   前記第１絶縁層の誘電率は、前記第２絶縁層の誘電率より低い、表示装置。
5. 前記第１絶縁層は、前記第１絶縁層の表面で反射する第１反射光と、前記第１絶縁層に侵入し前記第１検出電極又は前記第２検出電極の表面で反射し前記第１絶縁層の表面から出射する第２反射光と、の位相がずれるように構成されている、請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第１検出電極及び前記第２検出電極は、表示領域に設けられ、前記表示領域以外の非表示領域まで延出して形成され、
   前記第１絶縁層は、前記表示領域及び前記非表示領域にて前記第１検出電極及び前記第２検出電極の各々に対応する位置に形成され、
   前記第２絶縁層は、前記表示領域及び前記非表示領域にて前記第１絶縁層が形成された領域以外の領域に形成されている、請求項４に記載の表示装置。
7. 前記第１絶縁層は、前記非表示領域にて前記第１検出電極と前記第２検出電極との間、前記絶縁基板と前記第１検出電極との間、前記絶縁基板と前記第２検出電極との間、にさらに位置している、請求項６に記載の表示装置。
8. 前記表示パネルは、導電層と、前記導電層と前記第１検出電極及び前記第２検出電極の検出電極群との間に位置した前記絶縁基板を貫通した接続用孔と、接続部材と、をさらに備え、
   前記導電層、前記接続用孔、及び前記接続部材は、前記非表示領域に形成され、
   前記接続部材は、前記接続用孔を通って前記第１検出電極及び前記第２検出電極の一方の検出電極と前記導電層と電気的に接続し、
   前記第１絶縁層は、前記接続用孔の内部に充填され、前記接続用孔の内部において前記接続部材を囲んでいる、請求項７に記載の表示装置。
9. 前記絶縁基板の上に形成され前記第１検出電極及び前記第２検出電極に一対一で接続された複数のリード配線と、
   前記第１検出電極及び前記第２検出電極は、表示領域に設けられ、
   前記リード配線は、前記表示領域以外の非表示領域に延出し、
   前記第１絶縁層は、前記非表示領域において、前記リード配線の上に形成されている、請求項４に記載の表示装置。
10. 前記第１絶縁層は、前記非表示領域において、前記リード配線同士の間、前記絶縁基板と前記リード配線との間、にさらに位置している、請求項９に記載の表示装置。
11. 前記第１検出電極及び前記第２検出電極の各々の上面は、前記第１絶縁層に接触し、
    前記第１検出電極及び前記第２検出電極の各々の側面は、前記第２絶縁層に接触している、請求項４に記載の表示装置。
12. 前記絶縁基板の下方に位置したセンサ駆動電極と、
    画像を表示する表示駆動時に前記センサ駆動電極にコモン駆動信号を与え、センシングを行うセンシング駆動時に前記センサ駆動電極にセンサ駆動信号を与える、駆動部と、
    前記センシング駆動時に前記第１検出電極及び前記第２検出電極の少なくとも一方の検出電極のセンサ出力値を検出する制御部と、をさらに備え、
    前記センサ駆動電極は、前記第１検出電極と前記第２検出電極との間の領域にて前記第２絶縁層と重なっている、請求項２又は４に記載の表示装置。
13. 前記表示パネルは、導電層と、前記導電層と前記第１検出電極及び前記第２検出電極の検出電極群との間に位置した前記絶縁基板を貫通した接続用孔と、接続部材と、をさらに備え、
    前記接続部材は、前記接続用孔を通って前記第１検出電極及び前記第２検出電極の一方の検出電極と前記導電層と電気的に接続している、請求項１又は３に記載の表示装置。
14. 前記第１検出電極及び前記第２検出電極は、表示領域に設けられ、前記表示領域以外の非表示領域まで延出して形成され、
    前記導電層、前記接続用孔、及び前記接続部材は、前記非表示領域に形成されている、請求項１３に記載の表示装置。

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