JP2015176538A - センサ付き表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】入力位置情報を正確に検出することのできるセンサ付き表示装置を提供する。【解決手段】センサ付き表示装置は、表示パネルと、センサＳＥと、第１駆動部と、第２駆動部とを備えている。表示パネルは、表示領域ＤＡと、非表示領域ＮＤＡと、共通電極ＣＥと、画素電極と、を備えている。共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡ内に設けられ表示領域の外周縁に重なった縁を有している。センサＳＥは、リード線Ｌと、検出電極Ｒｘと、接続線ＬＣと、を有している。リード線Ｌは、非表示領域ＮＤＡ内であって且つ共通電極ＣＥの縁から３０μｍ以上の距離を置いた位置に設けられている。【選択図】図５

Description

本発明の実施形態は、センサ付き表示装置に関する。

近年、物体の接触あるいは接近を検出するセンサ（あるいは、タッチパネルと称される場合もある）を備えたセンサ付き表示装置が実用化されている。センサの一例として、静電容量の変化に基づいて指等の導体の接触あるいは接近を検出する静電容量型センサがある。このようなセンサを構成する検出電極及びセンサ駆動電極は、画像を表示する表示領域に配置され、誘電体を介して対向している。検出電極は、表示領域の外側に位置するリード線と電気的に接続されている。

特開２０１２−２０８７４９号公報 特開２０１１−９０４４３号公報

本発明の実施形態は、入力位置情報を正確に検出することのできるセンサ付き表示装置を提供する。

一実施形態に係るセンサ付き表示装置は、
表示領域と、前記表示領域の外側の非表示領域と、前記表示領域内に設けられ前記表示領域の外周縁に重なった縁を有した共通電極と、前記表示領域内に設けられた画素電極と、を備えた表示パネルと、
前記表示パネルに設けられ、前記共通電極からのセンサ信号を受けるセンサと、
前記共通電極に書き込み信号を供給し、前記共通電極とセンサとの間にセンサ信号を発生させる第１駆動部と、
前記センサに接続されて前記センサ信号の変化を示す読み取り信号を読み取る第２駆動部と、を備え、
前記センサは、少なくとも前記表示領域に設けられて前記共通電極との間に読み取り信号を発生させる検出電極と、前記非表示領域内に設けられて前記検出電極と第２駆動部とを接続するリード線と、検出電極とリード線とを接続する接続線とを備え、
前記リード線は、前記非表示領域内であって且つ前記共通電極の縁から３０μｍ以上の距離を置いた位置に設けられている。

図１は、第１の実施形態に係るセンサ付き表示装置の構成を概略的に示す斜視図である。 図２は、図１に示した液晶表示装置の基本構成及び等価回路を概略的に示す図である。 図３は、図２に示した画素ＰＸを示す等価回路図である。 図４は、上記液晶表示装置の一部の構造を概略的に示す断面図である。 図５は、上記第１の実施形態におけるセンサの構成を概略的に示す平面図である。 図６は、上記センサの一部を拡大して概略的に示す平面図である。 図７は、上記センサの一部を含む液晶表示パネルの構造を概略的に示す断面図である。 図８は、センシング方法の一例の原理を説明するための図である。 図９は、第２絶縁基板の厚みを変えた場合における、共通電極の縁からリード線までの平面的な距離に対する、共通電極とリード線との間に生じる容量の変化量の変化をグラフで示す図である。 図１０は、上記第１の実施形態に係る液晶表示装置のセンサの変形例１の一部を拡大して概略的に示す平面図である。 図１１は、上記第１の実施形態に係る液晶表示装置のセンサの変形例２の一部を拡大して概略的に示す平面図である。 図１２は、第２の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置のセンサの構成を概略的に示す平面図である。 図１３は、上記第２の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置のセンサの変形例１の構成を概略的に示す平面図である。 図１４は、上記第２の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置のセンサの変形例２の構成を概略的に示す断面図である。 図１５は、第３の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置の一部の構造を概略的に示す断面図である。 図１６は、上記第３の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置において、第１距離及び第２距離を変化させた場合のＭ／ｇの値と、判定結果とを表で示す図である。 図１７は、上記第３の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置において、液晶表示装置を視認する角度に対するＭ／ｇの値の変化をグラフで示す図である。 図１８は、上記第３の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置の変形例１の一部の構造を概略的に示す断面図である。 図１９は、第４の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置の実施例１乃至１６と、比較例１乃至６と、における、（１）ｘｙＹ表色系で示すリード線で反射した光の色と、（２）Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系で示すリード線で反射した光の色と、（３）偏光板を介さなかった場合におけるリード線Ｌで反射した光と周辺遮光層ＬＳで反射した光との色差と、（４）偏光板（第２光学素子ＯＤ２）越しでのリード線Ｌで反射した光と周辺遮光層ＬＳで反射した光との色差と、を表で示す図である。 図２０は、図１９に示した実施例１乃至１６と、比較例１乃至６とにおける、ｘｙＹ表色系で示すリード線Ｌで反射した光の色をｘｙ色度図で示す図である。

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

始めに、本発明の実施形態の基本構想について説明する。
センサ付き表示装置は、入力手段を用いて表示面側から入力されるデータを検出するように構成されている。ここで、上記センサは静電容量型センサであり、センサ駆動電極と、センサ駆動電極に対向配置された検出電極と、検出電極に接続されたリード線と、を有している。入力手段としては、ペンや人体等の導体を利用することができる。これにより、表示装置は、表示装置の入力面に指等が接触又は接近した個所の位置情報を検出することができる。

ところで、表示装置において、画像を表示する表示領域が拡大する一方で、当該表示領域の周囲の額縁領域（非表示領域）を可及的に狭くすることへの要求が高まっている。このため、表示装置において、額縁領域の面積は縮小する傾向にある。そこで、かかる額縁領域に設けられるリード線をセンサ駆動電極に接近させて配置することが考えられる。

しかしながら、センサ駆動電極とリード線とが接近すると、センサ駆動電極とリード線との間に容量結合（寄生容量）が生じてしまう。そして、センサ駆動電極とリード線とが接近するほど、上記寄生容量は大きくなってしまう。すると、例えば、表示領域の最外周付近において、表示装置の入力面に導体が接触あるいは接近した場合に、センサ駆動電極とリード線との間の寄生容量が変化し、リード線にノイズが生じてしまう。言い換えると、リード線に伝達される検出電極に生じる静電容量の変化（静電容量結合の強弱）を示す読取信号の振幅と、上記寄生容量によってリード線に生じるノイズ信号の振幅との比（Ｓ／Ｎ比）の低下を招いてしまう。

本発明の実施形態においては、かかる問題を解決することにより、入力位置情報を正確に検出することのできるセンサ付き表示装置を得ることができるものである。次に、上記課題を解決するための手段及び手法について説明する。

（第１の実施形態）
以下、図面を参照しながら第１の実施形態に係るセンサ付き表示装置について詳細に説明する。図１は、本実施形態に係るセンサ付き表示装置の構成を概略的に示す斜視図である。なお、本実施形態において、表示装置が液晶表示装置である場合について説明する。

図１に示すように、液晶表示装置ＤＳＰは、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルＰＮＬ、液晶表示パネルＰＮＬを駆動する駆動ＩＣチップＩＣ１、静電容量型のセンサＳＥ、センサＳＥを駆動する駆動ＩＣチップＩＣ２、液晶表示パネルＰＮＬを照明するバックライトユニットＢＬ、制御モジュールＣＭ、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１、ＦＰＣ２、ＦＰＣ３などを備えている。

液晶表示パネルＰＮＬは、平板状の第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された平板状の第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に挟持された液晶層（後述する液晶層ＬＱ）と、を備えている。なお、本実施形態において、第１基板ＳＵＢ１をアレイ基板と、第２基板ＳＵＢ２を対向基板と、それぞれ言い換えることができる。液晶表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域（アクティブエリア）ＤＡを備えている。この液晶表示パネルＰＮＬは、バックライトユニットＢＬからのバックライトを選択的に透過することで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型である。なお、液晶表示パネルＰＮＬは、透過表示機能に加えて、外光を選択的に反射することで画像を表示する反射表示機能を備えた半透過型であってもよい。

バックライトユニットＢＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側に配置されている。このようなバックライトユニットＢＬとしては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したものや冷陰極管（ＣＣＦＬ）を利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。なお、液晶表示パネルＰＮＬが反射表示機能のみを備えた反射型である場合には、バックライトユニットＢＬは省略される。

センサＳＥは、複数の検出電極Ｒｘを備えている。これらの検出電極Ｒｘは、例えば液晶表示パネルＰＮＬの画像を表示する画面側の外面ＥＳの上方に設けられている。このため、検出電極Ｒｘは、外面ＥＳに接していてもよく、又は外面ＥＳから離れて位置していてもよい。後者の場合、外面ＥＳと検出電極Ｒｘとの間には、絶縁膜等の部材が介在している。本実施形態において、検出電極Ｒｘは外面ＥＳに接している。ここで、外面ＥＳは、第２基板ＳＵＢ２の第１基板ＳＵＢ１と対向する面とは反対側の面であり、画像を表示する表示面を含んでいる。また、図示した例では、各検出電極Ｒｘは、概ね第１方向Ｘに延出し、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに並んでいる。なお、各検出電極Ｒｘは、第２方向Ｙに延出し第１方向Ｘに並んでいてもよいし、島状に形成され第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されていてもよい。ここでは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交している。第３方向Ｚは、それぞれ第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに直交している。

第１駆動部としての駆動ＩＣチップＩＣ１は、液晶表示パネルＰＮＬの第１基板ＳＵＢ１上に搭載されている。フレキシブル配線基板ＦＰＣ１は、液晶表示パネルＰＮＬと制御モジュールＣＭとを接続している。フレキシブル配線基板ＦＰＣ２は、センサＳＥの検出電極Ｒｘと制御モジュールＣＭとを接続している。第２駆動部としての駆動ＩＣチップＩＣ２は、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２上に搭載されている。フレキシブル配線基板ＦＰＣ３は、バックライトユニットＢＬと制御モジュールＣＭとを接続している。ここで、制御モジュールＣＭをアプリケーションプロセッサと言い換えることができる。
駆動ＩＣチップＩＣ１及び駆動ＩＣチップＩＣ２は、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２等を介して接続されている。例えば、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２が第１基板ＳＵＢ１上に接続された分岐部ＦＰＣＢを有している場合、駆動ＩＣチップＩＣ１及び駆動ＩＣチップＩＣ２は、分岐部ＦＰＣＢ及び第１基板ＳＵＢ１上の配線を介して接続されていてもよい。また、駆動ＩＣチップＩＣ１及び駆動ＩＣチップＩＣ２は、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１及びＦＰＣ２を介して接続されていてもよい。駆動ＩＣチップＩＣ２は、センサＳＥの駆動時期を知らせるタイミング信号を駆動ＩＣチップＩＣ１に与えることができる。又は、駆動ＩＣチップＩＣ１は、後述する共通電極ＣＥの駆動時期を知らせるタイミング信号を駆動ＩＣチップＩＣ２に与えることができる。又は、制御モジュールＣＭは、駆動ＩＣチップＩＣ１及びＩＣ２にタイミング信号を与えることができる。上記タイミング信号により、駆動ＩＣチップＩＣ１の駆動と、駆動ＩＣチップＩＣ２の駆動との同期化を図ることができる。

図２は、図１に示した液晶表示装置ＤＳＰの基本構成及び等価回路を概略的に示す図である。
図２に示すように、液晶表示装置ＤＳＰは、液晶表示パネルＰＮＬなどに加えて、表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡに位置した駆動ＩＣチップＩＣ１、ゲート線駆動回路ＧＤなどを備えている。本実施形態において、駆動ＩＣチップＩＣ１は、ソース線駆動回路ＳＤ及び共通電極駆動回路ＣＤを備えている。なお、駆動ＩＣチップＩＣ１は、ソース線駆動回路ＳＤ及び共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を備えていてもよい。非表示領域ＮＤＡの形状は、表示領域ＤＡを囲む額縁状（矩形枠状）である。非表示領域ＮＤＡの幅は１ｍｍ程度又はそれ以下に設定されていることが好ましい。

液晶表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に設けられ、ｍ×ｎ個配置されている（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。また、液晶表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、ｎ本のゲート線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、ｍ本のソース線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。

ゲート線Ｇは、第１方向Ｘに略直線的に延出し、表示領域ＤＡの外側に引き出され、ゲート線駆動回路ＧＤに接続されている。また、ゲート線Ｇは、第２方向Ｙに間隔を置いて並べられている。ソース線Ｓは、第２方向Ｙに略直線的に延出し、表示領域ＤＡの外側に引き出され、ソース線駆動回路ＳＤに接続されている。また、ソース線Ｓは、第１方向Ｘに間隔を置いて並べられ、ゲート線Ｇと交差している。なお、ゲート線Ｇ及びソース線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡ内に設けられ、共通電極駆動回路ＣＤに電気的に接続されている。この共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸで共用されている。共通電極ＣＥの詳細については後述する。

図３は、図２に示した画素ＰＸを示す等価回路図である。
図３に示すように、各画素ＰＸは、画素スイッチング素子ＰＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＱ等を備えている。画素スイッチング素子ＰＳＷは、例えば薄膜トランジスタで形成されている。画素スイッチング素子ＰＳＷは、ゲート線Ｇ及びソース線Ｓと電気的に接続されている。画素スイッチング素子ＰＳＷは、トップゲート型あるいはボトムゲート型のいずれであってもよい。また、画素スイッチング素子ＰＳＷの半導体層は、例えば、ポリシリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体などによって形成されていてもよい。画素電極ＰＥは、画素スイッチング素子ＰＳＷに電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向している。共通電極ＣＥ、絶縁膜及び画素電極ＰＥは、保持容量ＣＳを形成している。

図４は、液晶表示装置ＤＳＰの一部の構造を概略的に示す断面図である。
すなわち、液晶表示装置ＤＳＰは、上述した液晶表示パネルＰＮＬ及びバックライトユニットＢＬに加えて、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２等も備えている。なお、図示した液晶表示パネルＰＮＬは、表示モードとしてＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードに対応した構成を有しているが、他の表示モードに対応した構成を有していても良い。例えば、液晶表示パネルＰＮＬは、ＦＦＳモード等の主として基板主面に略平行な横電界を利用するＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードに対応した構成を有していてもよい。横電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が備えられた構成が適用可能である。又は、液晶表示パネルＰＮＬは、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｅｎｄ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｅｄ）モード等の主として基板主面に略垂直な縦電界を利用するモードに対応した構成を有していてもよい。縦電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥが備えられ、第２基板ＳＵＢ２に共通電極ＣＥが備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、互いに直交する第１方向Ｘと第２方向Ｙとで規定されるＸ−Ｙ平面と平行な面である。

液晶表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、及び、液晶層ＬＱを備えている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは所定の間隙を形成した状態で貼り合わされている。液晶層ＬＱは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間の間隙に封入されている。

第１基板ＳＵＢ１は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０の第２基板ＳＵＢ２に対向する側に、ソース線Ｓ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。

第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上に配置されている。なお、詳述しないが、本実施形態では、例えばトップゲート構造の画素スイッチング素子が適用されている。このような実施形態では、第１絶縁膜１１は、第３方向Ｚに積層された複数の絶縁層を含んでいる。例えば、第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０と画素スイッチング素子の半導体層との間に介在するアンダーコート層、半導体層とゲート電極との間に介在するゲート絶縁層、ゲート電極とソース・ドレイン電極との間に介在する層間絶縁層などの各種絶縁層を含んでいる。ゲート配線は、ゲート電極と同様に、ゲート絶縁層と層間絶縁層との間に配置されている。ソース線Ｓは、第１絶縁膜１１の上に形成されている。また、画素スイッチング素子のソース電極やドレイン電極なども第１絶縁膜１１の上に形成されている。図示した例では、ソース線Ｓは、第２方向Ｙに延出している。

第２絶縁膜１２は、ソース線Ｓ及び第１絶縁膜１１の上に配置されている。共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２の上に形成されている。このような共通電極ＣＥは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。なお、図示した例では、共通電極ＣＥの上に金属層ＭＬが形成され、共通電極ＣＥを低抵抗化しているが、金属層ＭＬは省略してもよい。

第３絶縁膜１３は、共通電極ＣＥ及び第２絶縁膜１２の上に配置されている。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に形成されている。各画素電極ＰＥは、隣接するソース線Ｓの間にそれぞれ位置し、共通電極ＣＥと対向している。また、各画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。このような画素電極ＰＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３を覆っている。

一方、第２基板ＳＵＢ２は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第２絶縁基板２０を用いて形成されている。第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１に対向する側に、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。

ブラックマトリクスＢＭは、第２絶縁基板２０の内面に形成され、各画素を区画している。カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢは、それぞれ第２絶縁基板２０の内面に形成され、それらの一部がブラックマトリクスＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦＲは、赤色画素に配置された赤色カラーフィルタであり、赤色の樹脂材料によって形成されている。カラーフィルタＣＦＧは、緑色画素に配置された緑色カラーフィルタであり、緑色の樹脂材料によって形成されている。カラーフィルタＣＦＢは、青色画素に配置された青色カラーフィルタであり、青色の樹脂材料によって形成されている。図示した例は、カラー画像を構成する最小単位である単位画素が赤色画素、緑色画素、及び、青色画素の３個の色画素によって構成された場合に相当する。但し、単位画素は、上記の３個の色画素の組み合わせによるものに限らない。例えば、単位画素は、赤色画素、緑色画素、青色画素に加えて、白色画素の４個の色画素によって構成されてもよい。この場合、白色あるいは透明のカラーフィルタが白色画素に配置されてもよいし、白色画素のカラーフィルタそのものを省略しても良い。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な樹脂材料によって形成されている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。

検出電極Ｒｘは、第２絶縁基板２０の表面（外面ＥＳ）の上方に形成されている。この検出電極Ｒｘの詳細な構造については後述する。また、ここでは、簡略化して図示しており、後述するリード線Ｌの図示を省略している。この実施形態において、検出電極Ｒｘは、導電材料として、例えば金属によって形成されている。検出電極Ｒｘの電気抵抗値を低くすることにより、検出に要する時間を短縮することができる。このため、検出電極Ｒｘを金属で形成することは、液晶表示パネルＰＮＬの大型化及び高精細化に対して有利になる。なお、検出電極Ｒｘは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されていてもよく、又は、金属（例えば、金属線）と透明な導電材料（例えば、透明な導電層）との組合せ（集合体）によって形成されていてもよい。各検出電極Ｒｘは、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１、液晶層ＬＱ、第２配向膜ＡＬ２、オーバーコート層ＯＣ、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢ、第２絶縁基板２０といった誘電体を介して共通電極ＣＥと対向している。

第１光学素子ＯＤ１は、第１絶縁基板１０とバックライトユニットＢＬとの間に配置されている。第２光学素子ＯＤ２は、検出電極Ｒｘの上方に配置されている。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、それぞれ少なくとも偏光板を含んでおり、必要に応じて位相差板を含んでいてもよい。第１光学素子ＯＤ１に含まれる偏光板の吸収軸は、第２光学素子ＯＤ２に含まれる偏光板の吸収軸と互いに直交している。また、この例では、液晶表示装置ＤＳＰの入力面ＩＳは第２光学素子ＯＤ２の表面である。液晶表示装置ＤＳＰは入力面ＩＳに指等が接触又は接近した個所の位置情報を検出することができる。

次に、本実施形態の液晶表示装置ＤＳＰが備える静電容量型のセンサＳＥについて説明する。図５は、本実施形態におけるセンサＳＥの構成を概略的に示す平面図である。図５において、上記駆動ＩＣチップＩＣ１の図示を省略しているが、上述したように共通電極駆動回路ＣＤは駆動ＩＣチップＩＣ１に設けられている。
図５に示すように、本実施形態のセンサＳＥは、第１基板ＳＵＢ１側の共通電極ＣＥ、並びに第２基板ＳＵＢ２側の検出電極Ｒｘ、リード線Ｌ及び接続線ＬＣを備えている。つまり、共通電極ＣＥは、表示用の電極として機能するとともに、センサ駆動電極として機能する。

共通電極ＣＥ及び検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに配置されている。図示した例では、共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡにおいて、それぞれ第１方向Ｘに間隔を置いて並び、第２方向Ｙに略直線的に延出し、帯状に形成された複数の分割電極Ｃを備えている。複数の分割電極Ｃのうち、表示領域ＤＡ内で第１方向Ｘにて最も外側に位置する分割電極Ｃはリード線Ｌと対向する一側縁を有し、上記一側縁は表示領域ＤＡの外周縁と平面的に重なっている。
なお、本実施形態において、平面的とは、液晶表示パネルＰＮＬを平面視した状態をいう。すなわち、平面的とは、表示面の法線方向から液晶表示パネルＰＮＬをみたときの状態（図１における第３方向Ｚの逆方向から液晶表示パネルＰＮＬをみたときの状態）をいう。このため、「平面的に」を「第３方向Ｚの逆方向から液晶表示パネルＰＮＬをみた状態において」と言い換えることができる。
ここで、非表示領域ＮＤＡのうち、第２基板ＳＵＢ２の右側の第１領域Ａ１（第２方向Ｙに延在した帯状の領域）の幅Ｗ１、第２基板ＳＵＢ２の左側の第２領域Ａ２（第２方向Ｙに延在した帯状の領域）の幅Ｗ２、第２基板ＳＵＢ２の下側の第３領域Ａ３（第１方向Ｘに延在した帯状の領域）の幅Ｗ３、及び第２基板ＳＵＢ２の上側の第４領域Ａ４（第１方向Ｘに延在した帯状の領域）の幅Ｗ４は、それぞれ０．５乃至１．５ｍｍである。幅Ｗ１，Ｗ２は第１方向Ｘの幅であり、幅Ｗ３，Ｗ４は第２方向Ｙの幅である。なお、幅Ｗ１と幅Ｗ２とは同一である方が望ましい。また、幅Ｗ３，Ｗ４については、少なくともいずれか一方が１．５ｍｍを超える幅を有する構成を採用することも可能である。
本実施形態において、表示領域ＤＡは矩形状であり、複数のリード線Ｌは第２基板ＳＵＢ２の第１領域Ａ１、第２領域Ａ２及び第３領域Ａ３に位置し、各分割電極Ｃの上辺は表示領域ＤＡの上側の縁と平面的に重なり、各分割電極Ｃの下辺は表示領域ＤＡの下側の縁と平面的に重なり、複数の分割電極Ｃのうちの両端の各分割電極Ｃのリード線Ｌと対向する一側縁は、表示領域ＤＡの外周縁と平面的に重なっている。

検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡにおいて、それぞれ第２方向Ｙに間隔をおいて並び、第１方向Ｘに略直線的に延出している。つまり、ここでは、検出電極Ｒｘは、分割電極Ｃと交差する方向に延出している。検出電極Ｒｘは、後述する複数の検出線ＬＢに相当する複数の金属線で形成されている。共通電極ＣＥ（第２方向Ｙに延在する複数の分割電極Ｃ）と第１方向Ｘに延在する複数の検出電極Ｒｘとは、上記の通り、各種誘電体を挟んで対向している。

なお、分割電極Ｃの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。また、共通電極ＣＥは、後述する例のように、第２方向Ｙに間隔を置いて並び、第１方向Ｘに略直線的に延出していても良い。さらには、共通電極ＣＥは、分割されることなく、表示領域ＤＡにおいて連続的に形成された単個の平板電極であってもよい。この場合、共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡ内に設けられ表示領域ＤＡの外周縁に平面的に重なった縁を有していればよい。

リード線Ｌは、非表示領域ＮＤＡ内にて液晶表示パネルＰＮＬの外面ＥＳの上方に設けられている。接続線ＬＣは、液晶表示パネルＰＮＬの外面ＥＳの上方に設けられ、リード線Ｌと検出電極Ｒｘとを接続している。この実施形態において、接続線ＬＣは、第１方向Ｘに延出している。リード線Ｌは、接続線ＬＣを介して検出電極Ｒｘと一対一で電気的に接続されている。

リード線Ｌの各々は、検出電極Ｒｘからのセンサ出力値を出力する。図示した例では、リード線Ｌは、第２基板ＳＵＢ２の第１領域Ａ１、又は第２領域Ａ２及び第３領域Ａ３に配置されている。例えば、第２方向Ｙに並んだ接続線ＬＣのうち、奇数番目の検出電極Ｒｘに接続された接続線ＬＣは第２領域Ａ２に配置され、また、偶数番目の検出電極Ｒｘに接続された接続線ＬＣは第１領域Ａ１に配置されている。上記のような接続線ＬＣ及びリード線Ｌのレイアウトは、幅Ｗ１及び幅Ｗ２の均一化、及び、液晶表示装置ＤＳＰの狭額縁化に対応したものである。接続線ＬＣ及びリード線Ｌは、例えば、検出電極Ｒｘと同様に、液晶表示パネルＰＮＬの外面ＥＳの上方に配置されている。

また、リード線Ｌは、平面的に共通電極ＣＥの縁から３０μｍ以上の距離Ｄ１を置いて位置している。本実施形態においては、リード線Ｌが平面的に表示領域ＤＡの外周縁から距離Ｄ１を置いて位置している、と言い換えることができる。
図５の如く液晶表示パネルＰＮＬを平面視した場合に、第１領域Ａ１に位置したリード線Ｌは、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２から第２方向Ｙに延出してＩ字状に形成され、表示領域ＤＡの最右端の分割電極Ｃの一側縁から第１方向Ｘに距離Ｄ１を置いて位置している。第２領域Ａ２及び第３領域Ａ３に位置したリード線Ｌは、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２から第１方向Ｘの逆方向に延出した後に第２方向Ｙの逆方向に延出したＬ字状に形成されている。また、上記Ｌ字状のリード線Ｌは、表示領域ＤＡの最左端の分割電極Ｃの一側縁から第１方向Ｘに距離Ｄ１を置いて位置し、且つ、複数の分割電極Ｃの下辺から第２方向Ｙに距離Ｄ１を置いて位置している。

液晶表示装置ＤＳＰは、さらに、非表示領域ＮＤＡに配置された共通電極駆動回路（第１駆動回路）ＣＤを備えている。分割電極Ｃのそれぞれは、共通電極駆動回路ＣＤに電気的に接続されている。共通電極駆動回路ＣＤは、共通電極ＣＥに対して、画像を表示する表示駆動時にコモン駆動信号を供給し、センシングを行うセンシング駆動時にセンサ駆動信号を供給する。

フレキシブル配線基板ＦＰＣ２は、非表示領域ＮＤＡにて、液晶表示パネルＰＮＬの外面ＥＳの上方に配置されたＯＬＢ（Outer Lead Bonding）パッド群に接続されている。ＯＬＢパッド群の各パッドは、リード線Ｌ及び接続線ＬＣを経由して検出電極Ｒｘに電気的に接続されている。この実施形態において、検出電極Ｒｘだけでなく、接続線ＬＣ及びリード線Ｌも、導電材料としての金属によって形成されている。リード線Ｌを透明な導電材料より電気抵抗値の非常に低い金属材料で形成することにより、リード線Ｌの幅を小さくすることができる。上記ＯＬＢパッド群を第２基板ＳＵＢ２の第４領域Ａ４の１個所に密集させることができるため、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２の小型化及び低コスト化を図ることができる。

検出回路ＲＣは、例えば、駆動ＩＣチップＩＣ２に内蔵されている。この検出回路ＲＣは、検出電極Ｒｘからのセンサ出力値に基づいて、液晶表示装置ＤＳＰの入力面ＩＳへの導体の接触あるいは接近を検出する。さらに、検出回路ＲＣは、導体が接触あるいは接近した個所の位置情報を検出することも可能である。なお、検出回路ＲＣは、制御モジュールＣＭに備えられていてもよい。

図６は、図５に示したセンサＳＥの一部を拡大して概略的に示す平面図である。
非表示領域ＮＤＡには、周辺遮光層ＬＳが配置されている。この周辺遮光層ＬＳは、非表示領域ＮＤＡの略全域に亘って延在している。共通電極ＣＥに含まれる分割電極Ｃは、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘに並んでいる。ここでは、表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡとの境界Ｂは、周辺遮光層ＬＳの表示領域ＤＡ側の端縁（内周縁）の位置に相当する。表示領域ＤＡの端部は、境界Ｂの近傍の領域である。

リード線Ｌは、非表示領域ＮＤＡに配置されている。つまり、リード線Ｌは、周辺遮光層ＬＳと重なる位置に配置されている。リード線Ｌの各々は、非表示領域ＮＤＡにおいて、概ね第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに略等間隔に並んでいる。図５及び図６に示す例において、上記距離Ｄ１は、共通電極ＣＥの縁から、この縁に最も近接したリード線Ｌまでの平面的な距離である。詳しくは、上記距離Ｄ１は、共通電極ＣＥの縁から、上記縁に最も近接したリード線Ｌの上記縁と対向する辺までの平面的な距離である。接続線ＬＣは、非表示領域ＮＤＡに配置されている。接続線ＬＣは、第２方向Ｙに延出している。本実施形態において、接続線ＬＣは、Ｔ字状に形成されている。

検出電極Ｒｘは、複数の検出線ＬＢによって形成されている。検出線ＬＢは、表示領域ＤＡに位置している。本実施形態において、検出線ＬＢは、表示領域ＤＡから非表示領域ＮＤＡに亘って配置されている。検出線ＬＢの各々は、非表示領域ＮＤＡにおいて接続線ＬＣに接続され、表示領域ＤＡにおいて概ね第１方向Ｘに延出している。図示した例では、検出線ＬＢの各々は、波形（より具体的には三角波形）に形成されている。これらの検出線ＬＢは、第２方向Ｙに略等間隔に並んでいる。

隣り合う検出電極Ｒｘの間には、ダミー電極ＤＲが配置されている。ダミー電極ＤＲは、検出線ＬＢと平行に、且つ、略等間隔に配置されている。このようなダミー電極ＤＲは、リード線Ｌなどの配線には接続されず、電気的にフローティング状態にある。

図７は、上記センサＳＥの一部を含む液晶表示パネルＰＮＬの構造を概略的に示す断面図である。なお、ここでは説明に必要な主要部のみを図示している。
図７に示すように、共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、第１基板ＳＵＢ１の第２基板ＳＵＢ２と対向する内面側に位置している。すなわち、共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２の上に形成され、第３絶縁膜１３によって覆われている。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に形成され、共通電極ＣＥと対向している。図示した例では、各分割電極Ｃの真上には、８画素分の画素電極ＰＥが配置されているが、各分割電極Ｃの真上に位置する画素電極ＰＥの個数はこの例に限らない。なお、ソース線などの各種配線や第１配向膜の図示は省略している。

ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢ、オーバーコート層ＯＣ、及び、周辺遮光層ＬＳは、第２基板ＳＵＢ２の第１基板ＳＵＢ１と対向する内面側に位置している。すなわち、表示領域ＤＡにおいては、各画素電極ＰＥと対向する位置にカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢが形成されている。ブラックマトリクスＢＭは、これらのカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢの境界に位置している。周辺遮光層ＬＳは、非表示領域ＮＤＡ内に設けられ、第２絶縁基板２０の内面に形成されている。周辺遮光層ＬＳは、枠状（矩形枠状）に形成され、表示領域ＤＡの外周縁に平面的に重なった内周縁を有している。周辺遮光層ＬＳは、ブラックマトリクスＢＭと同様の材料によって形成されている。オーバーコート層ＯＣは、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡに亘って延在している。なお、第２配向膜の図示は省略している。

検出電極Ｒｘ、リード線Ｌ及び接続線ＬＣは、第２基板ＳＵＢ２の第１基板ＳＵＢ１と対向する側とは反対の外面側に位置している。検出電極Ｒｘ、リード線Ｌ及び接続線ＬＣは、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料によって形成されている。なお、表示領域ＤＡに位置する検出電極Ｒｘは、上記の不透明な金属材料によって形成されている。但し、検出電極Ｒｘは、例えば３〜５μｍ程度の幅の細線からなる検出線ＬＢによって形成されているため、各画素の透過率を著しく低下させることはない。また、各検出線ＬＢは、画素の配列方向（第１方向Ｘ及び第２方向Ｙ）とは異なる方向に延出した細線からなるため、画素レイアウトとのモアレが抑制され、表示品位の劣化が抑制されている。なお、検出電極Ｒｘは、金属材料からなる複数の検出線ＬＢに代えて、ＩＴＯなどの透明な導電材料からなる帯状電極によって構成されていても良い。

次に、上記したＦＦＳモードの液晶表示装置ＤＳＰにおいて画像を表示する表示駆動時の動作について説明する。
まず、液晶層ＬＱに電圧が印加されていないオフ状態について説明する。オフ状態は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電位差が形成されていない状態に相当する。このようなオフ状態では、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子は、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２の配向規制力によりＸ−Ｙ平面内において一方向に初期配向している。バックライトユニットＢＬからのバックライトの一部は、第１光学素子ＯＤ１の偏光板を透過し、液晶表示パネルＰＮＬに入射する。液晶表示パネルＰＮＬに入射した光は、偏光板の吸収軸と直交する直線偏光である。このような直線偏光の偏光状態は、オフ状態の液晶表示パネルＰＮＬを通過した際にほとんど変化しない。このため、液晶表示パネルＰＮＬを透過した直線偏光のほとんどが、第２光学素子ＯＤ２の偏光板によって吸収される（黒表示）。このようにオフ状態で液晶表示パネルＰＮＬが黒表示となるモードをノーマリーブラックモードという。

続いて、液晶層ＬＱに電圧が印加されたオン状態について説明する。オン状態は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電位差が形成された状態に相当する。つまり、共通電極ＣＥに対しては共通電極駆動回路ＣＤからコモン駆動信号（コモン電圧）が供給される。その一方で、画素電極ＰＥには、コモン電圧に対して電位差を形成するような映像信号が供給される。これにより、オン状態では、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間にフリンジ電界が形成される。

このようなオン状態では、液晶分子は、Ｘ−Ｙ平面内において、初期配向方向とは異なる方位に配向する。オン状態では、第１光学素子ＯＤ１の偏光板の吸収軸と直交する直線偏光は、液晶表示パネルＰＮＬに入射し、その偏光状態は、液晶層ＬＱを通過する際に液晶分子の配向状態に応じて変化する。このため、オン状態においては、液晶層ＬＱを通過した少なくとも一部の光は、第２光学素子ＯＤ２の偏光板を透過する（白表示）。

次に、上記した液晶表示装置ＤＳＰの入力面ＩＳへの導体の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うセンシング駆動時の動作について説明する。すなわち、共通電極ＣＥに対しては、共通電極駆動回路ＣＤからセンサ駆動信号が供給される。このような状態で、センサＳＥが共通電極ＣＥからのセンサ信号を受けることにより、センシングが行われる。

ここで、センシング方法の一例の原理について図８を参照しながら説明する。
図８に示すように、検出電極Ｒｘは、少なくとも表示領域ＤＡに設けられて、共通電極ＣＥとの間に読取信号Ｖｒを発生させる。分割電極Ｃと検出電極Ｒｘとの間には、容量Ｃｃが存在する。すなわち、検出電極Ｒｘは分割電極Ｃ（共通電極ＣＥ）と静電容量結合する。分割電極Ｃの各々には、順次、所定の周期でパルス状の書込信号（センサ駆動信号）Ｖｗが供給される。この例では、利用者の指が特定の検出電極Ｒｘと分割電極Ｃとが交差する位置に近接して存在するものとする。検出電極Ｒｘに近接している利用者の指により、容量Ｃｘが生じる。分割電極Ｃにパルス状の書込信号Ｖｗが供給されたときに、特定の検出電極Ｒｘからは、他の検出電極から得られるパルスよりもレベルの低いパルス状の読取信号（センサ出力値）Ｖｒが得られる。すなわち、表示領域ＤＡにおける利用者の指の位置情報である入力位置情報を検出する際、第１駆動部としての駆動ＩＣチップＩＣ１（共通電極駆動回路ＣＤ）は共通電極ＣＥ（分割電極Ｃ）に対して書込信号Ｖｗを供給し、共通電極ＣＥとセンサＳＥとの間にセンサ信号を発生させる。第２駆動部としての駆動ＩＣチップＩＣ２は、センサＳＥに接続されて上記センサ信号（例えば、検出電極Ｒｘに生じる静電容量）の変化を示す読取信号Ｖｒを読取る。

図５に示した検出回路ＲＣでは、書込信号Ｖｗが分割電極Ｃに供給されるタイミングと、各検出電極Ｒｘからの読取信号Ｖｒと、に基づいて、センサＳＥのＸ−Ｙ平面内での指の２次元位置情報を検出することができる。また、上記の容量Ｃｘは、指が検出電極Ｒｘに近い場合と、遠い場合とで異なる。このため、読取信号Ｖｒのレベルも指が検出電極Ｒｘに近い場合と、遠い場合とで異なる。したがって、検出回路ＲＣでは、読取信号Ｖｒのレベルに基づいて、センサＳＥに対する指の近接度（センサＳＥの法線方向の距離）を検出することもできる。

次に、上記距離Ｄ１に対する、リード線Ｌと共通電極ＣＥ（上記リードＬに最も近い分割電極Ｃ）との間に生じる容量変化量の変化について説明する。図９には、第２絶縁基板２０の厚みを変えた場合における、距離Ｄ１に対する上記容量変化量の変化を調査した結果を示している。なお、共通電極ＣＥとリード線Ｌとの間に生じる容量の変化は、表示領域ＤＡの最外周付近において液晶表示装置ＤＳＰの入力面ＩＳに指を接触させて発生させている。

図９に示すように、上記容量変化量は、距離Ｄ１と、第２絶縁基板２０の厚みと、に起因していることが分かる。本実施形態に係る第２絶縁基板２０の厚みは０．５ｍｍであるため、上記のように、距離Ｄ１が３０μｍを境に上記容量変化量が大幅に低下することが分かる。このため、第２絶縁基板２０の厚みが０．５ｍｍの場合、距離Ｄ１を３０μｍ以上とすることが望ましい。
また、第２絶縁基板２０の厚みのみ０．２５ｍｍに変えた場合、距離Ｄ１が６０μｍを境に上記容量変化量が大幅に低下することが分かる。このため、第２絶縁基板２０の厚みが０．２５ｍｍの場合、距離Ｄ１を６０μｍ以上とすることが望ましい。
さらに、第２絶縁基板２０の厚みのみ０．１５ｍｍに変えた場合、距離Ｄ１が３００μｍを境に上記容量変化量が大幅に低下することが分かる。このため、第２絶縁基板２０の厚みが０．１５ｍｍの場合、距離Ｄ１を３００μｍ以上とすることが望ましい。ここで、図９において、距離Ｄ１が３００μｍのラインにおいて、◇と□とが重なるようにプロットされている。

上記のように構成された第１の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰによれば、液晶表示装置ＤＳＰは、液晶表示パネルＰＮＬと、液晶表示パネルに設けられた静電容量型のセンサＳＥと、を備えている。液晶表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡと、非表示領域ＮＤＡと、共通電極ＣＥと、画素電極ＰＥと、を備えている。センサＳＥは、リード線Ｌと、検出電極Ｒｘと、接続線ＬＣと、を有している。リード線Ｌは、非表示領域ＮＤＡ内に設けられ共通電極ＣＥの縁から３０μｍ以上の距離Ｄ１を置いて位置している。検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡ内に設けられ、共通電極ＣＥと静電容量結合する。接続線ＬＣは、リード線Ｌと検出電極Ｒｘとを接続している。入力位置情報を検出する際、駆動ＩＣチップＩＣ１（共通電極駆動回路ＣＤ）は共通電極ＣＥ（分割電極Ｃ）に対して書込信号Ｖｗを書込み、駆動ＩＣチップＩＣ２は検出電極Ｒｘに生じる静電容量の変化を示す読取信号Ｖｒを読取る。

距離Ｄ１を上記のように３０μｍ以上とすることにより、リード線Ｌと共通電極ＣＥ（上記リードＬに最も近い分割電極Ｃ）との間に生じる容量（寄生容量）の変化量を低減することが可能となる。言い換えると、リード線Ｌに伝達される読取信号Ｖｒの振幅と、上記寄生容量によってリード線Ｌに生じるノイズ信号の振幅との比（Ｓ／Ｎ比）の低下を抑制することができる。したがって、センサＳＥは、共通電極ＣＥとリード線Ｌとの間の容量の変化に起因した、入力位置情報の誤検出を抑制することができる。なお、上記のように、距離Ｄ１を大きくするほど、入力位置情報の誤検出を抑制することはできるが、狭額縁化は困難となるため、留意する必要がある。

また、リード線Ｌ、接続線ＬＣ及び検出電極Ｒｘの検出線ＬＢは、第２絶縁基板２０の表面（外面ＥＳ）に配置されるため、これらは同一材料を用いて同一工程で形成することが可能である。しかも、リード線Ｌ、接続線ＬＣ及び検出線ＬＢは、透明導電材料よりも電気抵抗値の非常に低い金属材料で形成可能であるため、線幅を細くすることができ、しかも、細い線幅を維持しつつ長い距離を引き回すことが可能である。リード線Ｌの線幅が細いため、非表示領域ＮＤＡに接触あるいは接近した導体との間に不所望な容量の形成を抑制することができ、ノイズを低減することが可能となる。

また、第２絶縁基板２０の表面（外面ＥＳ）の上方にセンサＳＥの一部（検出電極Ｒｘ、リード線Ｌ等）を形成することができる。このため、第２絶縁基板２０とは別の基板を用いてセンサＳＥの一部を形成する場合と比べて、液晶表示装置ＤＳＰの薄型化を図ることができる。
上記のことから、入力位置情報を正確に検出することのできるセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。

（第１の実施形態の変形例１）
次に、上記第１の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰの変形例１について説明する。図１０は、上記第１の実施形態に係る静電容量型のセンサＳＥの変形例１の一部を拡大して概略的に示す平面図である。

図１０に示すように、センサＳＥの全てのリード線Ｌは第２基板ＳＵＢ２の第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２の一方のみに位置していてもよい。この変形例１では、全てのリード線Ｌは第２基板ＳＵＢ２の第１領域Ａ１のみに位置している。図１０に示す例においても、共通電極ＣＥの縁に最も近接したリード線Ｌは、平面的に共通電極ＣＥの縁から３０μｍ以上の距離Ｄ１を置いて位置している。
上記のように構成された第１の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰの変形例１においても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。

（第１の実施形態の変形例２）
次に、上記第１の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰの変形例２について説明する。図１１は、上記第１の実施形態に係る静電容量型のセンサＳＥの変形例２の一部を拡大して概略的に示す平面図である。

図１１に示すように、変形例２の液晶表示装置ＤＳＰは、リード線Ｌの形状が異なる点を除き、変形例１の液晶表示装置ＤＳＰと同様に形成されている。複数のリード線Ｌは、リード線Ｌ１乃至Ｌ６を有している。リード線Ｌ１乃至Ｌ６は、非表示領域ＮＤＡにおいて、第１方向Ｘにこの順に並んでいる。リード線Ｌ１乃至Ｌ６のうち、リード線Ｌ１は、共通電極ＣＥに最も近接して位置している。

リード線Ｌ１は、平面的に共通電極ＣＥの縁とリード線Ｌ２との間に位置し、共通電極ＣＥの縁に沿って延出している。リード線Ｌ１は、接続線ＬＣ１に接続された先端部Ｌ１ａを有している。接続線ＬＣ１はリード線Ｌ１の先端部Ｌ１ａと検出電極Ｒｘ１とを接続している。

リード線Ｌ２は、平面的にリード線Ｌ１とリード線Ｌ３との間に位置し、リード線Ｌ１が延出した方向に延出し、先端部Ｌ２ａを有している。先端部Ｌ２ａは、リード線Ｌ１の先端を越えて位置し、平面的に拡張して形成されている。接続線ＬＣ２はリード線Ｌ２の先端部Ｌ２ａと検出電極Ｒｘ２とを接続している。

リード線Ｌ３は、平面的にリード線Ｌ２とリード線Ｌ４との間に位置し、リード線Ｌ１が延出した方向に延出し、先端部Ｌ３ａを有している。先端部Ｌ３ａは、リード線Ｌ２の先端を越えて位置し、平面的に拡張して形成されている。接続線ＬＣ３はリード線Ｌ３の先端部Ｌ３ａと検出電極Ｒｘ３とを接続している。

リード線Ｌ４乃至Ｌ６も同様に形成されている。例えば、リード線Ｌ４は先端部Ｌ４ａを有している。
この例では、先端部Ｌ２ａは、表示領域ＤＡ側に突出し、矩形状に形成されている。
リード線Ｌ１の共通電極ＣＥの縁と平面的に対向する辺Ｌ１ｓと、先端部Ｌ２ａの共通電極ＣＥの縁と平面的に対向する辺Ｌ２ｓと、先端部Ｌ３ａの共通電極ＣＥの縁と平面的に対向する辺Ｌ３ｓと、先端部Ｌ４ａの共通電極ＣＥの縁と平面的に対向する辺Ｌ４ｓと、は、同一平面上に位置している。ここでは、上記同一平面は、第２方向Ｙと第３方向Ｚとで規定されるＹ−Ｚ平面に平行である。また、辺Ｌ１ｓ乃至Ｌ４ｓは、第２方向Ｙに平行である。
また、辺Ｌ１ｓ乃至Ｌ４ｓ（リード線Ｌ１乃至６）は、平面的に共通電極ＣＥの縁から３０μｍ以上の距離を置いて位置している。

上記のように構成された第１の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰの変形例２においても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。リード線Ｌ２乃至Ｌ６は、平面的に拡張して形成された先端部を有している。非表示領域ＮＤＡにおけるリード線Ｌの占める割合（金属線の密度）を高くすることができる。これにより、反射光によるリード線Ｌの視認性を改善することができる。そして、リード線Ｌのパターンを利用者に視認させ難くすることができる。その他、リード線Ｌの電気抵抗値を下げることができる。また、辺Ｌ１ｓ乃至Ｌ４ｓを直線状に揃え、秩序をもったリード線Ｌのレイアウトにすることで、更に視認性を改善することができる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰについて詳細に説明する。図１２は、本実施形態における静電容量型のセンサＳＥの構成を概略的に示す平面図である。図１２において、上記駆動ＩＣチップＩＣ１の図示を省略しているが、本実施形態においても、共通電極駆動回路ＣＤは駆動ＩＣチップＩＣ１に設けられている。本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰは、上記第１の実施形態係る液晶表示装置ＤＳＰと比較して、共通電極ＣＥの各分割電極Ｃが第１方向Ｘに延出し、検出電極Ｒｘが概ね第２方向Ｙに延出している点で相違している。

図１２に示すように、共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡにおいて、それぞれ第２方向Ｙに間隔を置いて並び、第１方向Ｘに略直線的に延出した複数の分割電極Ｃを備えている。複数の分割電極Ｃのうちの下側の端の分割電極Ｃのリード線Ｌと対向する一側縁は、表示領域ＤＡの外周縁と平面的に重なっている。本実施形態において、複数のリード線Ｌは第２基板ＳＵＢ２の下側の端部に位置し、各分割電極Ｃの左辺は表示領域ＤＡの左側の縁と平面的に重なり、各分割電極Ｃの右辺は表示領域ＤＡの右側の縁と平面的に重なっている。

検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡにおいて、それぞれ第１方向Ｘに間隔をおいて並び、第２方向Ｙに略直線的に延出している。これらの共通電極ＣＥ及び検出電極Ｒｘは、上記の通り、各種誘電体を挟んで対向している。分割電極Ｃのそれぞれは、共通電極駆動回路ＣＤに電気的に接続されている。

リード線Ｌは、非表示領域ＮＤＡに配置され、検出電極Ｒｘと一対一で電気的に接続されている。図示した例では、リード線Ｌは、表示領域ＤＡの一端部に沿った非表示領域ＮＤＡに配置されている。このようなリード線Ｌは、例えば、検出電極Ｒｘと同様に、第２基板ＳＵＢ２に配置されている。リード線Ｌのそれぞれは、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２を介して、検出回路ＲＣに電気的に接続されている。また、本実施形態においても、共通電極ＣＥの縁に最も近接したリード線Ｌは、平面的に共通電極ＣＥの縁から３０μｍ以上の距離Ｄ１を置いて位置している。
ここでも、幅Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３及びＷ４は、それぞれ０．５乃至１．５ｍｍである。なお、幅Ｗ１と幅Ｗ２とは同一である方が望ましい。

上記のように構成された第２の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰによれば、液晶表示装置ＤＳＰは、液晶表示パネルＰＮＬと、液晶表示パネルに設けられた静電容量型のセンサＳＥと、を備えている。このため、本実施形態においても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。加えて、図５に示した例と比較して、各検出電極Ｒｘとフレキシブル配線基板ＦＰＣ２との間を接続するリード線Ｌの長さを短縮することができ、リード線Ｌのノイズをさらに低減することが可能となる。
上記のことから、入力位置情報を正確に検出することのできるセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。

（第２の実施形態の変形例１）
次に、上記第２の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰの変形例１について説明する。図１３は、上記第２の実施形態における静電容量型のセンサＳＥの変形例１の構成を概略的に示す平面図である。

図１３に示すように、静電容量型のセンサＳＥは、複数の第１パッドｐ１及び複数の第２パッドｐ２を備えている。第１パッドｐ１は、検出電極Ｒｘから読取信号（センサ出力値）Ｖｒを読み出すためのパッドである。第２パッドｐ２は、検出電極Ｒｘの抵抗値を検査するためのパッドである。第１パッドｐ１及び第２パッドｐ２は、第２絶縁基板２０の表面（外面ＥＳ）の上方に設けられ、非表示領域ＮＤＡ内に位置している。複数の第１パッドｐ１には、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２が電気的に接続される。検出電極Ｒｘは、接続線ＬＣ及びリード線Ｌを経由して第１パッドｐ１に電気的に接続された一端を有している。検出電極Ｒｘは、第２パッドｐ２に電気的に接続された他端を有している。
また、この変形例１において、共通電極ＣＥの縁に最も近接したリード線Ｌは、平面的に共通電極ＣＥの縁から３０μｍ以上の距離Ｄ１を置いて位置している。第１パッドｐ１も平面的に共通電極ＣＥの縁から３０μｍ以上の距離Ｄ２を置いて位置している。この変形例１ではＤ１＜Ｄ２である。また、第２パッドｐ２も平面的に共通電極ＣＥの縁から３０μｍ以上の距離Ｄ３を置いて位置している。
ここでも、幅Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３及びＷ４は、それぞれ０．５乃至１．５ｍｍである。なお、幅Ｗ１と幅Ｗ２とは同一である方が望ましい。

上記のように構成された第２の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰの変形例１においても、上記第２の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。検査用の第２パッドｐ２等のパッドを設置する場合でも、パッドは、共通電極ＣＥの縁から距離Ｄ１を置いて位置している。これにより、ノイズを改善することができるため、Ｓ／Ｎ比の低下を抑制することができる。

（第２の実施形態の変形例２）
次に、上記第２の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰの変形例２について説明する。図１４は、上記第２の実施形態における静電容量型のセンサＳＥの変形例２の構成を概略的に示す断面図である。

図１４に示すように、センサＳＥは、保護膜ＰＦをさらに備えていてもよい。保護膜ＰＦは、第２絶縁基板２０の表面（外面ＥＳ）の上方に設けられ、金属線を覆っている。保護膜ＰＦで覆われる金属線としては、検出電極Ｒｘ（検出線ＬＢ）、ダミー電極ＤＲ、接続線ＬＣ、及びリード線Ｌを挙げることができる。例えば、保護膜ＰＦは、表示領域ＤＡから非表示領域ＮＤＡに亘って設けられ、パッド（第１パッドｐ１、第２パッドｐ２）は露出するように形成されている。保護膜ＰＦとしては透明な無機膜や有機膜を利用することができる。本変形例２では、無機膜より透明度の高い有機膜を利用して保護膜ＰＦを形成している。
上記のように構成された第２の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰの変形例２においても、上記第２の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。また、液晶表示装置ＤＳＰは保護膜ＰＦを有しているため、保護膜ＰＦは金属線を保護することができる。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰについて詳細に説明する。図１５は、本実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰの一部の構造を概略的に示す断面図である。
図１５に示すように、リード線Ｌは、枠状の周辺遮光層ＬＳの内周縁から平面的に距離を置いて位置している。ここで、周辺遮光層ＬＳは、上述したように、非表示領域ＮＤＡ内に設けられ、表示領域ＤＡの外周縁に平面的に重なった内周縁を有している。

ここで、周辺遮光層ＬＳの内周縁とリード線Ｌとの間の平面的な距離を第１距離Ｍとする。言い換えると、第１距離Ｍは、第２絶縁基板２０の表面（外面ＥＳ、表示面）に沿った方向における周辺遮光層ＬＳの内周縁とリード線Ｌとの間の距離である。また、第２絶縁基板２０の表面の法線に平行な方向における周辺遮光層ＬＳとリード線Ｌとの間の距離を第２距離ｇ、とする。上記第１距離Ｍは、詳しくは、周辺遮光層ＬＳの内周縁から、リード線Ｌの周辺遮光層ＬＳの内周縁と平面的に対向する辺までの平面的な距離である。また、上記第２距離ｇは、詳しくは、互いに対向する周辺遮光層ＬＳの表面とリード線Ｌの表面との間の距離である。
本願発明者等が調査したところ、本実施形態において、第１距離Ｍは、第２距離ｇの０．４倍以上である方が望ましいことが分かった（Ｍ／ｇ≧０．４）。また、第１距離Ｍは、第２距離ｇの０．５４倍以上である方がさらに望ましいことが分かった（Ｍ／ｇ≧０．５４）。

次に、Ｍ／ｇ≧０．４が望ましい理由について説明する。
まず、第１調査用のセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰを用意した。第１調査用のセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰにおいて、ｇ＝１５０μｍ、Ｍ＝０μｍ、Ｍ／ｇ＝０、である。ここでは、第２絶縁基板２０の厚みが１５０μｍである。リード線Ｌを周辺遮光層ＬＳの上方に設置することで、液晶表示装置ＤＳＰの入力面ＩＳの法線方向からは、透過光によってリード線Ｌが視認される事態を防ぐことができる。すなわち、θ_１＝０°の状態では、リード線Ｌが視認されるのを防ぐことができる。

また、本願発明者等が、第１調査用の液晶表示装置ＤＳＰの入力面ＩＳの法線方向から傾斜したいくつかの方向からリード線Ｌが視認されるか否かを調査した。調査した結果、θ_１＝０°の状態の他、θ_１＝２０°，３０°，３５°，５５°，６０°，７０°の状態の視認角度においても、透過光によってリード線Ｌが視認される事態を防ぐことができることが分かった。しかしながら、θ_１＝４０°，４５°，５０°の状態の視認角度においては、表示領域ＤＡからの透過光のうち、周辺遮光層ＬＳで遮光できなかった透過光によってリード線Ｌが視認される結果となった。θ_１＝４５°の状態において、最もリード線Ｌが視認され易い結果となった。

そこで、本願発明者等は、いくつかの種類の第２調査用のセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰを用意し、θ_１＝４５°の状態においてリード線Ｌが視認されるか否かを調査した。図１６は、第１距離Ｍ及び第２距離ｇを変化させた場合のＭ／ｇの値と、判定結果とを表で示す図である。

図１６に示すように、本実施形態において、１５種類の第２調査用のセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰを用意した。第２距離ｇは、１５０μｍ，２００μｍ，及び３００μｍの３通りである。ここでは、液晶表示装置ＤＳＰは、厚みが１５０μｍ，２００μｍ，及び３００μｍの３種類の第２絶縁基板２０を利用している。第１距離Ｍは、０μｍ，３０μｍ，６０μｍ，９０μｍ，及び１２０μｍの５通りである。そして、リード線Ｌを全く視認することができなかった場合には◎を記載し、リード線Ｌを殆ど視認することができなかった場合には○を記載し、リード線Ｌを視認することができた場合には×を記載した。

図１６から分かるように、Ｍ／ｇ＝０，０．１，０．１５，０．２，及び０．３の場合、本願発明者等がリード線Ｌを視認することができる結果となった。ところが、Ｍ／ｇ＝０．４の場合、本願発明者等はリード線Ｌを殆ど視認することができない結果となった。さらに、Ｍ／ｇ＝０．５，０．６，０．７の場合、本願発明者等はリード線Ｌを全く視認することができない結果となった。
上記のことから、リード線Ｌの視認性に関する本願発明者等の主観的な目視評価では、Ｍ／ｇ≧０．４である方が望ましく、Ｍ／ｇ≧０．５である方がより望ましいことが分かった。これにより、斜め方向（θ_１＝４５°）からのリード線Ｌの視認性を改善することができる。

次に、本願発明者等は、第３調査用のセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰを用意し、リード線Ｌの視認性に関する客観的な評価を行った。ここで、第３調査用のセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰにおいて、ｇ＝１５０μｍである。すなわち、第３調査用のセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰは、厚みが１５０μｍの第２絶縁基板２０を利用している。上記第２絶縁基板２０の屈折率ｎ_１は１．５である。そして、視認する角度θ_１に対するＭ／ｇの理論値を算出することにより、上記客観評価を行った。

例えば、θ_１＝４５°とした場合における、Ｍ／ｇの値（理論値）を算出する手法について説明する。
図１５に示すように、まず、透過光が、第３調査用の液晶表示装置ＤＳＰの入力面ＩＳの法線に対して内側に成す角度をθ_２とする。すると、Ｍ／ｇの値と、角度θ_２との関係は、次の式１で表される。

また、角度θ_２と角度θ_１との関係は、次の式２で表される。

すると、式１、式２、及びθ_１＝４５°から、次の式３に示すように、Ｍ／ｇの値を算出することができる。

なお、式３、及びｇ＝１５０μｍから第１距離Ｍを算出すると、Ｍ＝８０．２５μｍとなる。
上記のことから、リード線Ｌの視認性に関する客観的な評価では、θ_１＝４５°の状態において、Ｍ／ｇの値が略０．５４以上である方が望ましいことが分かる。言い換えると、第１距離Ｍの値が略８０μｍ以上である方が望ましいことが分かる。
上記のことから、理論的には、Ｍ／ｇ≧０．５４に調整することにより、４５°の方向（θ_１＝４５°）からのリード線Ｌの視認性を改善することができる。

また、本願発明者等は、θ_１＝４５°の状態のＭ／ｇの値だけでなく、０°≦θ_１＜４５°、及び４５°＜θ_１≦９０°の状態のＭ／ｇの値（理論値）についても算出した。図１７は、第３調査用の液晶表示装置ＤＳＰを視認する角度θ_１に対するＭ／ｇの値の変化をグラフで示す図である。なお、図１７には、記号◎、○、×を記載し、リード線Ｌの視認性に関する本願発明者等の主観的な目視評価の判定結果についても示している。図１７には、θ_１＝４５°の状態での、主観的なＭ／ｇの値と、客観的なＭ／ｇの値との整合性が示されている。

上述したことから分かるように、本願発明者等の主観的な評価と、客観的な評価とをまとめると、上述したように、Ｍ／ｇ≧０．４であると望ましく、Ｍ／ｇ≧０．５４であるとより望ましい。

上記のように構成された第３の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰによれば、液晶表示装置ＤＳＰは、液晶表示パネルＰＮＬと、液晶表示パネルに設けられた静電容量型のセンサＳＥと、を備えている。このため、本実施形態においても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。

第１距離Ｍは、第２距離ｇの０．４倍以上である方が望ましい。これにより、周辺遮光層ＬＳは、リード線Ｌを殆ど視認することができない状態に透過光を遮蔽することができる。また、第１距離Ｍは、第２距離ｇの０．５４倍以上である方が望ましい。これにより、周辺遮光層ＬＳは、リード線Ｌを全く視認することができない状態に透過光を遮蔽することができる。
上記のことから、入力位置情報を正確に検出することのできるセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。

（第３の実施形態の変形例１）
次に、上記第３の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰの変形例１について説明する。図１８は、上記第３の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰの変形例１の一部の構造を概略的に示す断面図である。

図１８に示すように、液晶表示装置ＤＳＰは、第１絶縁基板１０及び第２絶縁基板２０と異なる第３絶縁基板３０をさらに備えている。第３絶縁基板３０は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。この実施形態に置いて、第３絶縁基板３０はガラスで形成され、液晶表示装置ＤＳＰの表面に位置するカバーガラスとして機能している。静電容量型のセンサＳＥを形成する金属パターンや保護膜ＰＦは第３絶縁基板３０の上方に形成されている。ここでは、液晶表示装置ＤＳＰの入力面ＩＳは第３絶縁基板３０の表面である。

本変形例１においても、Ｍ／ｇ≧０．４であると望ましく、Ｍ／ｇ≧０．５４であるとより望ましい。ここで、第２距離ｇは、金属部材（リード線Ｌ）と対向した領域における、第２絶縁基板２０の厚みと、第２光学素子ＯＤ２の厚みと、保護膜ＰＦの厚みと、の和である。

（第３の実施形態の変形例２）
次に、上記第３の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰの変形例２について説明する。周辺遮光層ＬＳは、リード線Ｌ以外の金属部材を視認し難い状態に、又は全く視認することができない状態に透過光を遮蔽するものであってもよい。
上記金属部材としては、例えば、上記第２パッドｐ２等のパッドを挙げることができる。この場合、周辺遮光層ＬＳの内周縁と第２パッドｐ２との間の平面的な距離が、第２距離ｇの０．４倍以上であると望ましく、０．５４倍以上であるとより望ましい。

（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰについて詳細に説明する。本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰは、リード線Ｌで反射した光の色度と、周辺遮光層ＬＳで反射した光の色度との関係を調整した以外、上記第１の実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰと同様に形成されている。

リード線Ｌを形成するために成膜した金属膜の厚み等により、リード線Ｌの反射特性にばらつきが生じ得る。リード線Ｌで反射した光と、周辺遮光層ＬＳで反射した光との色差が大きい程、反射光により、リード線Ｌ（金属線）のパターンが視認され易くなる。そこで、本願発明者等は、リード線Ｌで反射した光と、周辺遮光層ＬＳで反射した光との色差を小さくすることで、反射光によるリード線Ｌの視認性を改善できることを見出したものである。特に、本願発明者等は、偏光板（第２光学素子ＯＤ２）を介した、リード線Ｌで反射した光と周辺遮光層ＬＳで反射した光との色差が、５０以下である場合に、リード線Ｌのパターンが視認し難くなることを見出したものである。

ここで、上記色差が５０以下になる場合の実施例１乃至１６と、上記色差が５０を超える場合の比較例１乃至６と、について説明する。ここでは、周辺遮光層ＬＳで反射した光の色度は固定し、リード線Ｌで反射した光の色度を調整することにより、上記色差を調整した。図１９は、本実施形態の実施例１乃至１６と、比較例１乃至６とにおける、（１）ｘｙＹ表色系で示すリード線Ｌで反射した光の色と、（２）Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系で示すリード線Ｌで反射した光の色と、（３）偏光板（第２光学素子ＯＤ２）を介さなかった場合におけるリード線Ｌで反射した光と周辺遮光層ＬＳで反射した光との色差ΔＥａｂ１と、（４）偏光板（第２光学素子ＯＤ２）越しでのリード線Ｌで反射した光と周辺遮光層ＬＳで反射した光との色差ΔＥａｂ２と、を表で示す図である。

図２０は、図１９に示した実施例１乃至１６と、比較例１乃至６とにおける、ｘｙＹ表色系で示すリード線Ｌで反射した光の色をｘｙ色度図で示す図である。図２０には、周辺遮光層ＬＳで反射した光の色度も示している。なお、上記ｘｙＹ表色系において、ｘとｙは色度座標であり、Ｙは明度である。また、上記Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系において、Ｌ^＊は明度であり、ａ^＊及びｂ^＊は色相と彩度を示す色度である。

上記のように構成された第４の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰによれば、液晶表示装置ＤＳＰは、液晶表示パネルＰＮＬと、液晶表示パネルに設けられた静電容量型のセンサＳＥと、を備えている。このため、本実施形態においても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。
偏光板（第２光学素子ＯＤ２）を介した、リード線Ｌで反射した光と周辺遮光層ＬＳで反射した光との色差ΔＥａｂ２は５０以下である。これにより、リード線Ｌのパターンを視認し難くすることができる。
上記のことから、入力位置情報を正確に検出することのできるセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。

（第４の実施形態の変形例１）
次に、上記第４の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰの変形例１について説明する。偏光板（第２光学素子ＯＤ２）を介した、パッド（例えば、第２パッドｐ２）で反射した光と周辺遮光層ＬＳで反射した光との色差が５０以下であってもよい。これにより、パッドのパターンを視認し難くすることができる。

（第４の実施形態の変形例２）
次に、上記第４の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰの変形例２について説明する。本変形例２において、液晶表示装置ＤＳＰは、リード線Ｌや検出電極Ｒｘ等の金属部材を覆った保護膜ＰＦをさらに備えていてもよい。保護膜ＰＦを付加しても上記色差に与える影響は殆ど無いため、この場合も、金属部材のパターンを視認し難い状態を維持することができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

第２絶縁基板２０の表面（外面ＥＳ）の上方の金属部材（例えば、リード線Ｌ、検出線ＬＢ）には、反射光によるギラツキを抑えるための加工がなされていてもよい。例えば、金属線の上に光反射防止層を積層することで、反射光によるギラツキを抑えることができる。このため、金属線が反射光によって視認されることによる、液晶表示装置ＤＳＰの外観の悪化を抑制することができる。

上記リード線Ｌ、検出電極Ｒｘ及び接続線ＬＣは、第２絶縁基板２０の内面（第２絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１に対向する面）の上方に設けられていてもよい。又は、上記リード線Ｌ、検出電極Ｒｘ及び接続線ＬＣは、第１絶縁基板１０の内面（第２基板ＳＵＢ２に対向する面）の上方に設けられていてもよい。すなわち、これらリード線Ｌ、検出電極Ｒｘ及び接続線ＬＣは、液晶表示パネルＰＮＬ及び当該液晶表示パネルＰＮＬを覆うカバーを含めた層状構成のいずれかの層に設けられていればよい。
上記リード線Ｌ、検出電極Ｒｘ等が第１絶縁基板１０と第２絶縁基板２０との間に位置している場合、駆動ＩＣチップＩＣ１及び駆動ＩＣチップＩＣ２は、一体に形成されていてもよい。すなわち、駆動ＩＣチップＩＣ１及び駆動ＩＣチップＩＣ２は、単一の駆動ＩＣチップ（駆動部）に集約されていてもよい。この場合、上記単一の駆動ＩＣチップは、液晶表示パネルＰＮＬ及び制御モジュールＣＭに接続される。さらに、上記単一の駆動ＩＣチップは、液晶表示パネルＰＮＬに形成された配線や電極を介してセンサＳＥ（リード線Ｌ）に接続される。
また、上述した第１駆動部は、上記駆動ＩＣチップＩＣ１に限定されるものではなく、種々変形可能であり、共通電極ＣＥに書き込み信号を供給し、共通電極ＣＥとセンサＳＥとの間にセンサ信号を発生させる駆動部であればよい。一方、上述した第２駆動部は、上記駆動ＩＣチップＩＣ２に限定されるものではなく、種々変形可能であり、センサＳＥに接続されて上記センサ信号の変化を示す読み取り信号を読み取る駆動部であればよい。

上述した実施形態では、表示装置として、液晶表示装置を例に開示した。しかし、上述した実施形態は、有機ＥＬ（electroluminescent）表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパ型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置に適用可能である。また、上述した実施形態は、中小型の表示装置から大型の表示装置まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。

ＤＳＰ…液晶表示装置、ＰＮＬ…液晶表示パネル、ＳＵＢ１…第１基板、１０…第１絶縁基板、ＰＸ…画素、ＣＥ…共通電極、Ｃ…分割電極、ＰＥ…画素電極、ＳＵＢ２…第２基板、２０…第２絶縁基板、ＬＳ…周辺遮光層、ＥＳ…外面、ＬＱ…液晶層、ＰＦ…保護膜、ＯＤ２…第２光学素子、３０…第３絶縁基板、ＩＳ…入力面、ＳＥ…センサ、Ｒｘ…検出電極、ＬＢ…検出線、Ｌ，Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６…リード線、Ｌ１ａ，Ｌ２ａ，Ｌ３ａ，Ｌ４ａ…先端部、ＬＣ…接続線、ｐ１…第１パッド、ｐ２…第２パッド、Ｄ１…距離、Ｍ…第１距離、ｇ…第２距離、ｎ１…屈折率、θ１…角度、θ２…角度、ΔＥａｂ２…色差、ＤＡ…表示領域、ＮＤＡ…非表示領域、Ｘ…第１方向、Ｙ…第２方向

Claims (9)

1. 表示領域と、前記表示領域の外側の非表示領域と、前記表示領域内に設けられ前記表示領域の外周縁に重なった縁を有した共通電極と、前記表示領域内に設けられた画素電極と、を備えた表示パネルと、
   前記表示パネルに設けられ、前記共通電極からのセンサ信号を受けるセンサと、
   前記共通電極に書き込み信号を供給し、前記共通電極とセンサとの間にセンサ信号を発生させる第１駆動部と、
   前記センサに接続されて前記センサ信号の変化を示す読み取り信号を読み取る第２駆動部と、を備え、
   前記センサは、少なくとも前記表示領域に設けられて前記共通電極との間に読み取り信号を発生させる検出電極と、前記非表示領域内に設けられて前記検出電極と第２駆動部とを接続するリード線と、検出電極とリード線とを接続する接続線とを備え、
   前記リード線は、前記非表示領域内であって且つ前記共通電極の縁から３０μｍ以上の距離を置いた位置に設けられているセンサ付き表示装置。
2. 前記検出電極は、複数の検出線で形成され、
   前記複数の検出線、接続線及びリード線は、金属で形成されている請求項１に記載のセンサ付き表示装置。
3. 前記センサは、他のリード線と、他の検出電極と、他の接続線と、をさらに有し、
   前記リード線は、前記共通電極の縁と前記他のリード線との間に位置し、前記共通電極の縁に沿って延出し、前記接続線に接続された先端部を有し、
   前記他のリード線は、前記非表示領域内に設けられ、前記リード線が延出した方向に延出し、前記リード線の先端を越えて位置し拡張して形成された先端部を有し、
   前記他の接続線は、前記他のリード線の先端部と前記他の検出電極とを接続し、
   前記他のリード線の先端部は、前記共通電極の縁から３０μｍ以上の距離を置いて位置している請求項１に記載のセンサ付き表示装置。
4. 前記リード線の前記共通電極の縁と対向する辺と、前記他のリード線の先端部の前記共通電極の縁と対向する辺とは、同一平面上に位置している請求項３に記載のセンサ付き表示装置。
5. 前記表示パネルは、前記非表示領域内に設けられ前記表示領域の外周縁に重なった内周縁を有した枠状の周辺遮光層をさらに備え、
   前記表示パネルの表示面に沿った方向における前記周辺遮光層の内周縁と前記リード線との間の距離を第１距離、前記表示面の法線に平行な方向における前記周辺遮光層と前記リード線との間の距離を第２距離、とすると、
   前記第１距離は、前記第２距離の０．４倍以上である請求項１に記載のセンサ付き表示装置。
6. 前記センサは、それぞれ前記表示パネルの前記非表示領域に設けられた第１パッド及び第２パッドをさらに備え、
   前記検出電極は、一端が前記接続線及びリード線を経由して前記第１パッドに電気的に接続され、他端が前記第２パッドに電気的に接続されている請求項１に記載のセンサ付き表示装置。
7. 前記表示パネルは、互いに間隔をおいて対向配置された第１基板及び第２基板をさらに備え、
   前記共通電極及び画素電極は、前記第１基板の前記第２基板と対向する内面側に位置している請求項１に記載のセンサ付き表示装置。
8. 前記検出電極は、第１方向に延出し、
   前記リード線は、前記第１方向と交差する第２方向に延出し、前記共通電極の縁から前記第１方向に前記距離を置いて位置し、
   前記共通電極は、前記第１方向に互いに間隔を置いて並べられ前記第２方向に延出して帯状に形成された複数の分割電極を有し、
   前記複数の分割電極のうちの端の分割電極の前記リード線と対向する一側縁は、前記表示領域の外周縁と重なっている請求項１に記載のセンサ付き表示装置。
9. 前記表示領域から前記非表示領域に亘って設けられた偏光板をさらに備え、
   前記表示パネルは、前記非表示領域内に設けられた枠状の周辺遮光層をさらに備え、
   前記偏光板を介した、前記リード線で反射した光と前記周辺遮光層で反射した光との色差は、５０以下である請求項１に記載のセンサ付き表示装置。

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