JP2016197293A - センサ付き表示装置 - Google Patents

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剛司 石崎
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Abstract

【課題】 表示品位に優れたセンサ付き表示装置を提供する。【解決手段】 センサ付き表示装置は、画素電極及び共通電極を備える表示パネルと、表示パネルに対向したカバー部材と、表示パネルとカバー部材との間に位置した偏光板と、偏光板とカバー部材との間に位置した第1検出部D1と、を備える。第1検出部D1は、ドット状の複数の開口OPを有する第1検出電極Rx1と、ドット状の複数のダミー電極DR1を有するダミー部DU1と、を備える。【選択図】図7

Description

本発明の実施形態は、センサ付き表示装置に関する。
近年、物体の接触あるいは接近を検出するセンサ(あるいは、タッチパネルと称される場合もある)を備えたセンサ付き表示装置が実用化されている。センサの一例として、静電容量の変化に基づいて指等の導体の接触あるいは接近を検出する静電容量型センサがある。このようなセンサを構成する検出電極及びセンサ駆動電極は、画像を表示する表示領域に配置され、誘電体を介して対向している。
特開2010−113516号公報 特開2014−178847号公報
本実施形態は、表示品位に優れたセンサ付き表示装置を提供する。
一実施形態に係るセンサ付き表示装置は、
画像を表示する表示領域に位置した画素電極及び帯状の共通電極を備える表示パネルと、
前記表示パネルに対向したカバー部材と、
前記表示パネルと前記カバー部材との間に位置した偏光板と、
前記偏光板と前記カバー部材との間に位置した第1検出部と、を備え、
前記第1検出部は、ドット状の複数の開口を有する第1検出電極と、ドット状の複数のダミー電極を有するダミー部と、を備える。
また、一実施形態に係るセンサ付き表示装置は、
画像を表示する表示領域に位置した画素電極及び帯状の共通電極と、を備える表示パネルと、
前記表示パネルに対向したカバー部材と、
前記表示パネルと前記カバー部材との間に位置した偏光板と、
前記偏光板と前記カバー部材との間に位置した第1検出部と、を備え、
前記第1検出部は、仮想上の格子線に沿って延在して形成され互いに間隔を置いて配置された複数の開口を有する第1検出電極と、マトリクス状に配置され前記格子線に沿った格子状の間隙部を出現させる複数のダミー電極を有するダミー部と、を備える。
図1は、第1の実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す断面図である。 図2は、図1に示した液晶表示装置の構成を示す他の断面図である。 図3は、図1に示した液晶表示装置の基本構成及び等価回路を示す図である。 図4は、図3に示した画素を示す等価回路図である。 図5は、上記液晶表示装置の第1基板を示す平面図であり、第1絶縁基板、複数の共通電極、複数のリード線及び共通電極駆動回路を示す図である。 図6は、上記液晶表示装置の一部を示す平面図であり、カバー部材、第1検出部、フレキシブル配線基板の第2分岐部、第2絶縁基板及び周辺遮光層を示す図である。 図7は、上記第1検出部の一部を示す平面図であり、第1検出電極とダミー電極とを示す図である。 図8は、上記液晶表示装置の一部を示す平面図であり、第1絶縁基板、第2絶縁基板、周辺遮光層、第2検出部及びフレキシブル配線基板の第3分岐部を示す図である。 図9は、第1モードによるセンシング方法の一例の原理を説明するための図である。 図10は、図9に続く、上記第1モードによるセンシング方法の一例の原理を説明するための図である。 図11は、上記液晶表示装置の入力面に指が接触した状態における、第1検出電極と指との第1カップリング容量の値と、第2検出電極と指との第2カップリング容量の値との第1差分をグラフで示す図である。 図12は、上記液晶表示装置の入力面に指が近接した状態における、上記第1検出電極と指との第1カップリング容量の値と、上記第2検出電極と指との第2カップリング容量の値との第2差分をグラフで示す図である。 図13は、第2モードによるセンシング方法の一例の原理を説明するための図である。 図14は、上記第1実施形態の変形例1の液晶表示装置の第1検出部の一部を示す平面図であり、第1検出電極とダミー電極とを示す図である。 図15は、上記第1実施形態の変形例2の液晶表示装置の構成を示す断面図である。 図16は、第2の実施形態に係る液晶表示装置の第1検出部の一部を示す平面図であり、第1検出電極とダミー電極とを示す図である。
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
(第1の実施形態)
まず、第1の実施形態に係るセンサ付き表示装置について説明する。本実施形態において、表示装置が液晶表示装置である場合について説明する。図1は、第1の実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す断面図である。
図1に示すように、液晶表示装置DSPは、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルPNLと、液晶表示パネルPNLを駆動する駆動ICチップIC1と、カバー部材CGと、第1光学素子OD1と、第2光学素子OD2と、第1検出部D1と、第2検出部D2と、液晶表示パネルPNL、第1検出部D1及び第2検出部D2を駆動する駆動ICチップIC2と、液晶表示パネルPNLを照明するバックライトユニットBLと、制御モジュールCMと、フレキシブル配線基板FPCと、を備えている。
液晶表示パネルPNLは、平板状の第1基板SUB1と、第1基板SUB1に対向配置された平板状の第2基板SUB2と、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に保持された液晶層LCと、を備えている。液晶表示パネルPNLは、画像を表示する表示領域(アクティブエリア)DAを備えている。表示領域DAの外側において、第1基板SUB1と第2基板SUB2とはシール材SEAにより接合されている。例えば、第1基板SUB1は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第1絶縁基板10を用いて形成されている。第1基板SUB1は、第1絶縁基板10の第2基板SUB2に対向する側に、複数の共通電極CE、複数の画素電極PE、複数の共通電極CEと複数の画素電極PEとの間に介在した絶縁膜IFなどを備えている。画素電極PEは、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide:ITO)、インジウム亜鉛酸化物、(Indium Zinc Oxide:IZO)、酸化亜鉛(Zinc Oxide:ZnO)などの透明な導電材料によって形成されている。複数の共通電極CEは、第2方向Yに間隔を置いて並んでいる。第2基板SUB2は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第2絶縁基板20を用いて形成されている。
なお、図示した液晶表示パネルPNLは、表示モードとしてFFS(Fringe Field Switching)モードに対応した構成を有しているが、他の表示モードに対応した構成を有していても良い。例えば、液晶表示パネルPNLは、FFSモード等の主として基板主面に略平行な横電界を利用するIPS(In-Plane Switching)モードに対応した構成を有していてもよい。横電界を利用する表示モードでは、例えば第1基板SUB1に画素電極PE及び共通電極CEの双方が備えられた構成が適用可能である。又は、液晶表示パネルPNLは、TN(Twisted Nematic)モード、OCB(Optically Compensated Bend)モード、VA(Vertical Aligned)モード等の主として基板主面間に生じる縦電界を利用するモードに対応した構成を有していてもよい。縦電界を利用する表示モードでは、例えば第1基板SUB1に画素電極PEが備えられ、第2基板SUB2に共通電極CEが備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、互いに直交する第1方向Xと第2方向Yとで規定されるX−Y平面と平行な面である。
ここでは、第1方向X及び第2方向Yは、互いに直交しているが、90°以外の角度で交差していてもよい。第3方向Zは、第1方向X及び第2方向Yのそれぞれと互いに直交している。第3方向Zは、液晶表示パネルPNLの厚み方向に相当する。
本実施形態において、第1基板SUB1をアレイ基板と、第2基板SUB2を対向基板と、それぞれ言い換えることができる。この液晶表示パネルPNLは、バックライトユニットBLからの光を選択的に透過することで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型の液晶表示パネルである。なお、液晶表示パネルPNLは、透過表示機能に加えて、外光を選択的に反射することで画像を表示する反射表示機能を備えた半透過型の液晶表示パネルであってもよい。
バックライトユニットBLは、第1基板SUB1の背面側に配置されている。このようなバックライトユニットBLとしては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオード(LED)を利用したもの等が適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。なお、液晶表示パネルPNLが反射表示機能のみを備えた反射型である場合には、バックライトユニットBLは省略される。
カバー部材CGは、液晶表示パネルPNLの外側に位置し、第2基板SUB2に対向している。この例では、液晶表示装置DSPの入力面ISはカバー部材CGの表面である。液晶表示装置DSPは入力面ISに指等が接触又は接近した個所の位置情報を検出することができる。X−Y平面視において、カバー部材CGの寸法は、第2基板SUB2の寸法や、第1基板SUB1の寸法より大きい。第2方向Yにおいて、カバー部材CGは、第2基板SUB2や、第1基板SUB1より長い。カバー部材CGは、例えばガラス基板で形成されている。この場合、カバー部材CGはカバーガラスと称され場合がある。又は、カバー部材CGは、樹脂基板などの光透過性を有する基板を利用して形成することができる。
第1光学素子OD1は、第1絶縁基板10とバックライトユニットBLとの間に配置されている。第1光学素子OD1は、接着剤AD1により第1絶縁基板10に貼り付けられている。第2光学素子OD2は、液晶表示パネルPNLとカバー部材CGとの間に位置している。第2光学素子OD2は、接着剤AD2により第2絶縁基板20及び第2検出部D2に貼り付けられている。第1光学素子OD1及び第2光学素子OD2は、それぞれ少なくとも偏光板を含んでおり、必要に応じて位相差板を含んでいてもよい。第1光学素子OD1に含まれる偏光板の吸収軸は、第2光学素子OD2に含まれる偏光板の吸収軸と互いに交差している。例えば、上記偏光板の吸収軸同士は互いに直交している。
第2光学素子OD2における帯電を防止するため、第2光学素子OD2と接着剤AD2との間には、帯電防止層ASが設けられている。但し、帯電防止層ASは必要に応じて液晶表示装置DSPに設けられていればよい。
第1検出部D1は、第2光学素子OD2(偏光板)とカバー部材CGとの間に位置している。第1検出部D1は、カバー部材CGの第2光学素子OD2に対向する側の面の下方に設けられている。第1検出部D1は、第2方向Yに延在した第1検出電極Rx1などを有している。
本実施形態において、第1検出部D1はカバー部材CGから離れて位置し、第1検出部D1とカバー部材CGとの間には図示しない絶縁膜等の部材が介在している。例えば、第1検出部D1は、第1検出部D1がパターニングされたフィルムをカバー部材CGに貼り付けることにより、形成される。第1検出部D1を形成するための上記以外の手法としては、例えば、カバー部材CGの面の上に絶縁膜を形成した後、絶縁膜の上への導電膜の形成、導電膜へのフォトリソグラフィ法によるパターニングの露光、導電膜の現像など、従来から知られている手法を用いることができる。
なお、第1検出部D1はカバー部材CGに接するように形成されてもよい。
第1検出部D1が形成されたカバー部材CGは、接着層ALにより第2光学素子OD2に接合されている。例えば、接着層ALは、カバー部材CG側又は第2光学素子OD2側に光学弾性樹脂(SVR:Super View Resin)を塗布し、光学弾性樹脂を挟むようにカバー部材CGと第2光学素子OD2とを貼り合わせることにより光学弾性樹脂膜を形成し、光学弾性樹脂膜を硬化し、形成されている。
第2検出部D2は、共通電極CEと第2光学素子OD2(偏光板)との間に位置している。この実施形態において、第2検出部D2は、第2絶縁基板20の第2光学素子OD2と対向する側の面の上方に設けられている。このため、第2検出部D2は、第2絶縁基板20に接していてもよく、又は第2絶縁基板20から離れて位置していてもよい。後者の場合、第2絶縁基板20と第2検出部D2との間には、図示しない絶縁膜等の部材が介在している。この例では、第2検出部D2と第2絶縁基板20との間には絶縁膜が介在している。第2検出部D2は、第2方向Yに延在した第2検出電極Rx2などを有している。なお、第2検出部D2は、帯電防止層ASに蓄積された電荷を外部へ逃がす機能も有している。
複数の共通電極CE、第1検出部D1及び第2検出部D2は、静電容量型のセンサSEを形成している。共通電極CEは、表示用の電極として機能するとともに、センサ駆動電極として機能する。
駆動ICチップIC1は、液晶表示パネルPNLの第1基板SUB1上に搭載されている。フレキシブル配線基板FPCは、制御モジュールCMに接続されている。フレキシブル配線基板FPCは、第1分岐部FB1、第2分岐部FB2及び第3分岐部FB3を有している。第1分岐部FB1は液晶表示パネルPNLに接続されている。第2分岐部FB2は第1検出部D1に接続されている。第3分岐部FB3は第2検出部D2に接続されている。駆動ICチップIC2は、フレキシブル配線基板FPC上に搭載されている。
駆動ICチップIC1及び駆動ICチップIC2は、フレキシブル配線基板FPC等を介して接続されている。なお、制御モジュールCM、液晶表示パネルPNL、第1検出部D1及び第2検出部D2を相互に接続する手段は、種々変形可能である。例えば、フレキシブル配線基板FPCの替わりに、第1フレキシブル配線基板、第2フレキシブル配線基板及び第3フレキシブル配線基板の独立した3個のフレキシブル配線基板を利用してもよい。この場合、第1フレキシブル配線基板にて制御モジュールCMと液晶表示パネルPNLとを接続し、第2フレキシブル配線基板にて制御モジュールCMと第1検出部D1とを接続し、第3フレキシブル配線基板にて制御モジュールCMと第2検出部D2とを接続することができる。駆動ICチップIC2の配置に関して例示的に示すと、駆動ICチップIC2は、第1乃至第3フレキシブル配線基板の何れか1個のフレキシブル配線基板上に搭載したり、第2及び第3フレキシブル配線基板のそれぞれに分割して搭載したりすることができる。
制御モジュールCM、駆動ICチップIC1及び駆動ICチップIC2は、センサSEの駆動部として機能する。制御モジュールCMをアプリケーションプロセッサと言い換えることができる。駆動ICチップIC2は、センサSEの駆動時期を知らせるタイミング信号を駆動ICチップIC1に与えることができる。又は、駆動ICチップIC1は、後述する共通電極CEの駆動時期を知らせるタイミング信号を駆動ICチップIC2に与えることができる。又は、制御モジュールCMは、駆動ICチップIC1及びIC2のそれぞれにタイミング信号を与えることができる。上記タイミング信号により、駆動ICチップIC1の駆動と、駆動ICチップIC2の駆動との同期化を図ることができる。
なお、制御モジュールCMは、バックライトユニットBLに接続され、バックライトユニットBLの駆動を制御する。
図2は、図1に示した液晶表示装置DSPの構成を示す他の断面図である。なお、図1ではY−Z平面に平行な断面を示したが、図2では、X−Z平面に平行な断面を示している。
図2に示すように、共通電極CEは、第1方向Xに延在している。第1検出電極Rx1は、第2方向Yに延在し、共通電極CEと交差している。同様に、第2検出電極Rx2は、第2方向Yに延在し、共通電極CEと交差している。本実施形態において、複数の第1検出電極Rx1と複数の第2検出電極Rx2とは、平面視で第1方向Xに交互に配置されている。第1方向Xに並ぶ一対の第1検出電極Rx1及び第2検出電極Rx2に注目すると、第1検出電極Rx1と第2検出電極Rx2とは、第1及び第2検出電極Rx1及びRx2がそれぞれ延在する方向に直交する方向に並んでいる。
ここでは、隣合う第1検出電極Rx1の端縁と第2検出電極Rx2の端縁とは、同一平面上に位置している。上記同一平面は、第2方向Yと第3方向Zとで規定されるY−Z平面に平行である。但し、隣合う第1検出電極Rx1の端縁と第2検出電極Rx2の端縁との間に隙間が形成されていてもよい。又は、隣合う第1検出電極Rx1の端部と第2検出電極Rx2の端部とが第3方向Zに互いに対向していてもよい。
図3は、図1に示した液晶表示装置DSPの基本構成及び等価回路を示す図である。
図3に示すように、液晶表示パネルPNLは、表示領域DAの外側の非表示領域NDAに位置したゲート線駆動回路GDを備えている。駆動ICチップIC1も非表示領域NDAに位置している。本実施形態において、駆動ICチップIC1は、ソース線駆動回路SD及び共通電極駆動回路CDを備えている。なお、駆動ICチップIC1は、ソース線駆動回路SD及び共通電極駆動回路CDの少なくとも一部を備えていてもよい。非表示領域NDAの形状は、表示領域DAを囲む額縁状であり、矩形枠状である。
液晶表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数の画素PXを備えている。複数の画素PXは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に設けられ、m×n個配置されている(但し、m及びnは正の整数である)。また、液晶表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、n本のゲート線G(G1〜Gn)、m本のソース線S(S1〜Sm)、共通電極CEなどを備えている。
ゲート線Gは、第1方向Xに略直線的に延出し、表示領域DAの外側に引き出され、ゲート線駆動回路GDに接続されている。また、ゲート線Gは、第2方向Yに間隔を置いて並べられている。ソース線Sは、第2方向Yに略直線的に延出し、表示領域DAの外側に引き出され、ソース線駆動回路SDに接続されている。また、ソース線Sは、第1方向Xに間隔を置いて並べられ、ゲート線Gと交差している。なお、ゲート線G及びソース線Sは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極CEは、少なくとも表示領域DA内に設けられ、共通電極駆動回路CDに電気的に接続されている。共通電極CEは、それぞれ複数の画素PXで共用されている。
本実施形態において、第1方向Xに並んだ3個の画素PXは、赤色画素、緑色画素及び青色画素であり、1個の主画素を構成している。第2方向Yにおける画素PXのピッチは、等ピッチであり、例えば50乃至100μm程度である。なお、第2方向Yに画素電極PEが等ピッチに配置されている場合、第2方向Yにおける画素PXのピッチを、画素電極PEの中心の第2方向Yのピッチと言うことができる。又は、第2方向Yにゲート線Gが等ピッチに配列している場合、第2方向Yにおける画素PXのピッチを、ゲート線Gの中心の第2方向Yのピッチと言うことができる。
一方、第1方向Xにおける画素PXのピッチは、等ピッチであり、例えば第2方向Yにおける画素PXのピッチの3分の1である。なお、第1方向Xに画素電極PEが等ピッチに配置されている場合、第1方向Xにおける画素PXのピッチを、画素電極PEの中心の第1方向Xのピッチと言うことができる。又は、第1方向Xにソース線Sが等ピッチに配列している場合、第1方向Xにおける画素PXのピッチを、ソース線Sの中心の第1方向Xのピッチと言うことができる。
図4は、図3に示した画素PXを示す等価回路図である。
図4に示すように、各画素PXは、画素スイッチング素子PSW、画素電極PE、共通電極CE、液晶層LC等を備えている。画素スイッチング素子PSWは、例えば薄膜トランジスタで形成されている。画素スイッチング素子PSWは、ゲート線G及びソース線Sと電気的に接続されている。画素スイッチング素子PSWは、トップゲート型あるいはボトムゲート型のいずれであってもよい。また、画素スイッチング素子PSWの半導体層は、例えば、ポリシリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体などによって形成されていてもよい。画素電極PEは、画素スイッチング素子PSWに電気的に接続されている。画素電極PEは、共通電極CEと対向している。共通電極CE、絶縁膜(上述した絶縁膜IF)及び画素電極PEは、保持容量CSを形成している。
図5は、液晶表示装置DSPの第1基板SUB1を示す平面図であり、第1絶縁基板10、複数の共通電極CE、複数のリード線LCE及び共通電極駆動回路CDを示す図である。
図5に示すように、複数の共通電極CEは、それぞれ帯状に形成され、第1方向Xに延在し、第2方向Yに間隔を置いて並べられている。本実施形態において、共通電極CEは表示領域DA内に形成されているが、これに限定されるものではなく、共通電極CEの一部は非表示領域NDAまで延出して形成されていてもよい。共通電極CEは、ITO、IZO、ZnOなどの透明な導電材料によって形成されている。
複数のリード線LCEは、非表示領域NDAに位置し、共通電極CEを共通電極駆動回路CDに電気的に接続している。ここでは、リード線LCEは、共通電極CEと一対一で電気的に接続されている。リード線LCEは、共通電極CEと同様にITO、IZO、ZnOなどの透明な導電材料によって形成してもよいが、透明な導電材料の替わりに金属で形成してもよい。
ここで、非表示領域NDAのうち、表示領域DAの左側を第1領域A1(第2方向Yに延在した帯状の領域)、表示領域DAの右側を第2領域A2(第2方向Yに延在した帯状の領域)、表示領域DAの下側を第3領域A3(第1方向Xに延在した帯状の領域)、表示領域DAの上側を第4領域A4(第1方向Xに延在した帯状の領域)とする。例えば、共通電極駆動回路CDは第1分岐部FB1が位置する第3領域A3に配置され、リード線LCEは第1領域A1及び第3領域A3を延在している。
図6は、液晶表示装置DSPの一部を示す平面図であり、カバー部材CG、第1検出部D1、フレキシブル配線基板FPCの第2分岐部FB2、第2絶縁基板20及び周辺遮光層LSを示す図である。なお、図6は、第1検出部D1などを第3方向Zの逆方向からみた平面図である。
図6に示すように、第2基板SUB2の非表示領域NDAには、周辺遮光層LSが配置されている。周辺遮光層LSは、第2基板SUB2の非表示領域NDAの略全域に亘って延在している。例えば、周辺遮光層LSは、第2絶縁基板20の第1基板SUB1と対向する側に設けられている。
第1検出部D1は、複数の第1検出電極Rx1、複数のダミー部DU1及び複数のリード線L1を備えている。複数の第1検出電極Rx1は、それぞれ帯状に形成され、第2方向Yに延在し、第1方向Xに間隔を置いて並んでいる。
この実施形態において、複数の第1検出電極Rx1のうち最も左側に位置する第1検出電極Rx1の左側の側縁部は、第1領域A1に位置し、周辺遮光層LSと対向している。複数の第1検出電極Rx1のうち最も右側に位置する第1検出電極Rx1の右側の側縁部は、第2領域A2に位置し、周辺遮光層LSと対向している。また、全ての第1検出電極Rx1の一端部は、第4領域A4に位置し、第2基板SUB2の上辺を越える位置まで第2方向Yの逆方向に延在している。なお、第1検出部D1はカバー部材CGに形成されるため、第1検出電極Rx1を第2基板SUB2と対向する領域から外れる位置まで延在して形成することが可能である。全ての第1検出電極Rx1の他端部は、第3領域A3に位置し、周辺遮光層LSと対向している。
なお、第1検出電極Rx1は、カバー部材CGに対向して位置していればよく、第2基板SUB2と対向する領域から外れた第1領域A1、第2領域A2又は第3領域A3に位置するように形成されていてもよい。これにより、1本又は隣り合う2本の又は複数本の第1検出電極Rx1からの検出信号に基づいて、当該非表示領域NDAの入力位置情報が検出できるものとなる。
リード線L1は、非表示領域NDAに位置し、第1検出電極Rx1を第2分岐部FB2に電気的に接続している。ここでは、リード線L1は、第1検出電極Rx1と一対一で電気的に接続されている。ここでは、リード線L1は第3領域A3を延在している。
ダミー部DU1は、隣合う第1検出電極Rx1の間に配置されている。ダミー部DU1は、少なくとも第1検出電極Rx1から外れた表示領域DAの全体に形成した方が望ましい。ダミー部DU1は、リード線L1などの配線には接続されず、電気的にフローティング状態にある。
第1検出電極Rx1及びダミー部DU1は、ITO、IZO、ZnOなどの透明な導電材料によって形成されている。リード線L1は、第1検出電極Rx1などと同様にITO、IZO、ZnOなどの透明な導電材料によって形成してもよいが、透明な導電材料の替わりに太さ数μmの金属細線で形成してもよい。
図7は、第1検出部D1の一部を示す平面図であり、第1検出電極Rx1とダミー部DU1の複数のダミー電極DR1とを示す図である。
図7に示すように、第1検出電極Rx1は、ドット状の複数の開口OPを有している。ダミー部DU1は、ドット状の複数のダミー電極DR1を有している。各々の開口OPと各々のダミー電極DR1とは、円形の形状を有している。開口OP及びダミー電極DR1は、同一のサイズ(面積)を有している。本実施形態において、開口OP及びダミー電極DR1の形状は、それぞれ真円である。しかしながら、開口OP及びダミー電極DR1の形状は、楕円などの真円以外の円形であってもよい。開口OP及びダミー電極DR1が何れの円形であっても、開口OP及びダミー電極DR1の輪郭が辺を有している場合と比較し、特定の方向に屈折した光が集中する事態を回避することができる。このため、開口OP及びダミー電極DR1を円形にすることは、視認性の悪化の低減に寄与することができる。
複数の開口OPが配列するパターンと複数のダミー電極DR1が配列するパターンとは、同一である。より具体的には、カバー部材CGの第2光学素子OD2と対向する側の全面(あるいは、少なくとも表示領域DAと対向する領域)において、複数の開口OPと複数のダミー電極DR1とが配列することによってカバー部材CG表面に形成される全体的なパターンは、一様なドット状である。当該一様なドットパターンに対し、ドット部をITOで形成したものがダミー電極であり、ドット部を開口として形成し、その周囲をITOで形成したものが第1検出電極である。この点、当該ITOによって形成されている部位をポジ部とし、カバー部材表面が露出している部分をネガ部とすると、第1検出電極部とダミー電極部とでは、ポジ部とネガ部が互いに反転して形成されているものとなっている。複数の開口OP及び複数のダミー電極DR1の全ては、全面にわたって同一形状を有し、かつ等しいピッチP1、P2で配列している(P1=P2)。複数の開口OP及び複数のダミー電極DR1を配列する方向は、特に限定されるものではなく、種々調整可能である。但し、複数の開口OP及び複数のダミー電極DR1は、X−Y平面視において、第2方向Yから右回りに30°乃至35°傾斜した第1配列方向と、第1配列方向から右回りに60°傾斜した第2配列方向と、第1配列方向から左回りに60°傾斜した第3配列方向と、に等ピッチに配列されている方が望ましい。上記配列方向を調整することにより、画素PXのレイアウトとのモアレを抑制し、表示品位の劣化を抑制することができるためである。
また、複数の開口OP及び複数のダミー電極DR1が配列するピッチは、100乃至200μm程度であるが、上記範囲内に限定されるものではなく、種々調整可能である。但し、上記ピッチは、画素PXのピッチに対応付けた方が望ましい。上記ピッチの調整によっても、画素PXのレイアウトとのモアレを抑制し、表示品位の劣化を抑制することができるためである。
複数の開口OPは、円形の複数の第1開口OP1と第1開口OP1の半円状の複数の第2開口OP2とを有している。複数のダミー電極DR1は、それぞれ第1開口OP1と同一のサイズ及び形状を有する複数の第1ダミー電極DR1aと第1ダミー電極DR1aの半円状の複数の第2ダミー電極DR1bとを有している。複数の第2開口OP2のそれぞれの直径と、複数の第2ダミー電極DR1bのそれぞれの直径とは、第1検出電極Rx1とダミー部DU1との境界線BO上に位置し、一対一で重なっている。
上記のように、第2開口OP2の円弧状の輪郭及び第2ダミー電極DR1bの円弧状の輪郭によって円が形成(合成)されるように、第1検出電極Rx1と複数のダミー電極DR1とを配置した方が望ましい。第1検出電極Rx1とダミー部DU1との境界を利用者に視認させ難くすることができるためである。
第2開口OP2と第2ダミー電極DR1bとによってそれぞれ合成される複数の合成円は境界線BOに沿って並び、境界線BOは上記複数の合成円のそれぞれの真ん中を通っている。なお、形状及びサイズに関して、合成円は、第1開口OP1及び第1ダミー電極DR1aと同一である。このため、境界線BOの近傍においても、上記ドットパターン形状が乱れることはない。
第1検出電極Rx1が形成される領域をセンサ領域B1、ダミー部DU1が形成される領域をダミー領域B2とする。上記境界線BOは、センサ領域B1とダミー領域B2との境界でもある。センサ領域B1に占める複数の開口OPの面積を除く第1検出電極Rx1の面積の比率と、ダミー領域B2に占める複数のダミー電極DR1の総面積の比率とは、同一である方が望ましい。第1検出電極Rx1及びダミー部DU1のパターンを利用者に視認させ難くすることができるためである。
例えば、任意の1個の第1開口OP1を取囲む6個の第1開口OP1のそれぞれの中心を結ぶように図示した6角形の面積から上記6角形の内側に位置する第1開口OP1の面積を除いた面積を第1面積とする。一方、任意の1個の第1ダミー電極DR1aを取囲む6個の第1ダミー電極DR1aのそれぞれの中心を結ぶように図示した6角形の内側に位置する第1ダミー電極DR1aの総面積を第2面積とする。すると、上記第1面積と上記第2面積とは、同一である。
図8は、液晶表示装置DSPの一部を示す平面図であり、第1絶縁基板10、第2絶縁基板20、周辺遮光層LS、第2検出部D2及びフレキシブル配線基板FPCの第3分岐部FB3を示す図である。なお、図6は、第2検出部D2などを第3方向Zの逆方向からみた平面図である。
図8に示すように、第2検出部D2は、複数の第2検出電極Rx2、複数のダミー部DU2及び複数のリード線L2を備えている。複数の第2検出電極Rx2は、それぞれ帯状に形成され、第2方向Yに延在し、第1方向Xに間隔を置いて並んでいる。本実施形態において、第2検出電極Rx2は上述した第1検出部D1のダミー部DU1と対向している。
リード線L2は、非表示領域NDAに位置し、第2検出電極Rx2を第3分岐部FB3に電気的に接続している。ここでは、リード線L2は、第2検出電極Rx2と一対一で電気的に接続されている。ここでは、リード線L2は第3領域A3を延在している。
ダミー部DU2は、隣合う第2検出電極Rx2の間に配置されている。ダミー部DU2は、少なくとも第2検出電極Rx2から外れた表示領域DAの全体に形成した方が望ましい。ダミー部DU2は、リード線L2などの配線には接続されず、電気的にフローティング状態にある。
ダミー部DU2は、互いに隙間を置いて設けられた複数のダミー電極DR2を有している。ダミー電極DR2は、第1検出電極Rx1に対しても隙間を置いて配置されている。本実施形態において、ダミー部DU2は、上述した第1検出電極Rx1と対向している。
第2検出電極Rx2及びダミー部DU2は、ITO、IZO、ZnOなどの透明な導電材料によって形成されている。リード線L2は、第2検出電極Rx2などと同様にITO、IZO、ZnOなどの透明な導電材料によって形成してもよいが、透明な導電材料の替わりに金属で形成してもよい。
上記のようにダミー電極DR2の間に隙間が形成されているため、上記隙間を通して共通電極CEから第1検出電極Rx1に信号を送ることができる。例えば、共通電極CEと第1検出電極Rx1とは、静電容量結合することができる。
また、ダミー電極DR1の間にも隙間が形成されているため、上記隙間を通して、指などの導体と第2検出電極Rx2とは、静電容量結合することができる。
次に、上記したFFSモードの液晶表示装置DSPにおいて画像を表示する表示駆動時の動作について説明する。
まず、液晶層LCに電圧が印加されていないオフ状態について説明する。オフ状態は、画素電極PEと共通電極CEとの間に電位差が形成されていない状態に相当する。このようなオフ状態では、液晶層LCに含まれる液晶分子は、第1基板SUB1及び第2基板SUB2のそれぞれの配向膜の配向規制力によりX−Y平面内において一方向に初期配向している。バックライトユニットBLからの光の一部は、第1光学素子OD1の偏光板を透過し、液晶表示パネルPNLに入射する。液晶表示パネルPNLに入射した光は、偏光板の吸収軸と直交する直線偏光である。このような直線偏光の偏光状態は、オフ状態の液晶表示パネルPNLを通過した際にほとんど変化しない。このため、液晶表示パネルPNLを透過した直線偏光のほとんどが、第2光学素子OD2の偏光板によって吸収される(黒表示)。このようにオフ状態で液晶表示パネルPNLが黒表示となるモードをノーマリーブラックモードという。
続いて、液晶層LCに電圧が印加されたオン状態について説明する。オン状態は、画素電極PEと共通電極CEとの間に電位差が形成された状態に相当する。つまり、共通電極CEに対しては共通電極駆動回路CDからコモン駆動信号(コモン電圧)が供給される。その一方で、画素電極PEには、コモン電圧に対して電位差を形成するような映像信号が供給される。これにより、オン状態では、画素電極PEと共通電極CEとの間にフリンジ電界が形成される。
このようなオン状態では、液晶分子は、X−Y平面内において、初期配向方向とは異なる方位に配向する。オン状態では、第1光学素子OD1の偏光板の吸収軸と直交する直線偏光は、液晶表示パネルPNLに入射し、その偏光状態は、液晶層LCを通過する際に液晶分子の配向状態に応じて変化する。このため、オン状態においては、液晶層LCを通過した少なくとも一部の光は、第2光学素子OD2の偏光板を透過する(白表示)。
次に、上記した液晶表示装置DSPの入力面ISへの導体の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うセンシング駆動時の動作について説明する。すなわち、液晶表示装置DSPの駆動ICチップIC1,IC2及び制御モジュールCMで形成される駆動部は、第1モード及び第2モードの一方に切替えて複数の共通電極CE、複数の第1検出電極Rx1及び複数の第2検出電極Rx2の駆動を制御し、センシングを行う。なお、第1モードは自己容量(Self-Capacitive Sensing)モードと、第2モードは相互容量(Mutual-Capacitive Sensing)モードと、それぞれ称される場合がある。
〈第1モード〉
始めに、第1検出部D1及び第2検出部D2の少なくとも一方にて第1入力位置情報を検出する第1モードについて説明する。第1モードは、入力領域の全体を対象とし、短時間に入力位置を大まかに検出することができる特長を有している。
図9に示すように、まず、駆動ICチップIC2は、各々の第1検出電極Rx1に書込み信号Vw1を書込み、各々の第2検出電極Rx2に書込み信号Vw2を書込む。例えば、書込み信号Vw1と書込み信号Vw2とは同一の信号である。図10に示すように、その後、駆動ICチップIC2は、第1検出電極Rx1から読取り信号Vr1を読取り、第2検出電極Rx2から読取り信号Vr2を読取る。ここで、読取り信号Vr1は、書込み信号Vw1によって第1検出電極Rx1に発生したセンサ信号の変化を示している。読取り信号Vr2は、書込み信号Vw2によって第2検出電極Rx2に発生したセンサ信号の変化を示している。
図8及び図9に示すように、この例では、右から2番目の第1検出電極Rx1と右から2番目の第2検出電極Rx2とに利用者の指が近接し、各々の上記検出電極と指との間に静電容量結合が生じる。右から2番目の第1検出電極Rx1から読取った読取り信号Vr1には、他の第1検出電極Rx1から読取った読取り信号Vr1より大きな電圧値の変化が生じる。同様に、右から2番目の第2検出電極Rx2から読取った読取り信号Vr2には、他の第2検出電極Rx2から読取った読取り信号Vr2より大きな電圧値の変化が生じる。
このため、右から2番目の第1検出電極Rx1及び右から2番目の第2検出電極Rx2と対向した領域を入力位置のX座標であると判断することができる。すなわち、これら第1検出電極Rx1及び第2検出電極Rx2と対向した領域において、指が液晶表示装置DSPの入力面ISに接触又は近接したことを検出することができる。
上記第1モードでは、上述したように第1検出部D1及び第2検出部D2の両方を使用してもよいが、第1検出部D1及び第2検出部D2の何れか一方のみを使用してもよい。この場合、駆動ICチップIC2は、第1検出部D1及び第2検出部D2の一方の検出部の検出電極に書込み信号Vw2を書込み、上記検出電極から読取り信号を読取る。このように、一方の検出部を利用して入力位置を大まかに検出してもよい。
但し、上記第1モードでは、第1検出部D1及び第2検出部D2の両方を使用することにより、指(導体)が入力面ISに接しているかどうかを判断したり、指が入力面ISにどの程度近接しているかを判断したりすることができる。すなわち、入力面ISに対する指(導体)の近接度を判断することができる。
図11は、液晶表示装置DSPの入力面ISに指が接触した状態における、第1検出電極Rx1と指との第1カップリング容量Cx1の値と、第2検出電極Rx2と指との第2カップリング容量Cx2の値との第1差分DI1をグラフで示す図である。図12は、液晶表示装置DSPの入力面ISに指が近接した状態における、第1検出電極Rx1と指との第1カップリング容量Cx1の値と、第2検出電極Rx2と指との第2カップリング容量Cx2の値との第2差分DI2をグラフで示す図である。
図11及び図12に示すように、第1カップリング容量Cx1は、指が第1検出電極Rx1に近い場合と遠い場合とで異なり、指が第1検出電極Rx1に近づくほど大きくなる。同様に、第2カップリング容量Cx2は、指が第2検出電極Rx2に近い場合と遠い場合とで異なり、指が第2検出電極Rx2に近づくほど大きくなる。また、第1検出電極Rx1は第2検出電極Rx2より入力面IS側に位置している。このため、入力面ISと指との距離の変化に伴い、第1カップリング容量Cx1の変動は大きくなる。一方、入力面ISと指との距離の変化に伴う第2カップリング容量Cx2の変動は、上記第1カップリング容量Cx1の変動と比較すると小さくなる。入力面ISに指が近づくほど、第1カップリング容量Cx1の値と第2カップリング容量Cx2の値との差分が大きくなる。第2差分DI2は、第1差分DI1より小さいことが分かる。このため、上記差分に対応した読取り信号Vr1の値と読取り信号Vr2の値との差分を算出し、当該差分の大きさに基づいて入力面ISに対する指の近接度(センサSEの法線方向の距離)を判断することができる。例えば、読取り信号Vr1の値と読取り信号Vr2の値との差分が、閾値を上回った際に入力面ISに指が接触したことを判断し、上記閾値を下回った際に入力面ISから指が離れていることを判断することができる。
〈第2モード〉
次に、共通電極CEと、第1検出部D1及び第2検出部D2の少なくとも一方との組合せにて第2入力位置情報を検出する第2モードについて説明する。第2モードは、入力領域の少なくとも一部を対象とし、入力位置のX座標及びY座標を詳細に検出することができる特長を有している。
図13に示すように、共通電極CEと第1検出電極Rx1との間には容量Cc1が存在し、共通電極CEと第2検出電極Rx2との間には容量Cc2が存在する。すなわち、第1検出電極Rx1及び第2検出電極Rx2は、それぞれ共通電極CEと静電容量結合する。この例では、利用者の指が、上から3番目の共通電極CEと右から2番目の第1検出電極Rx1とが交差する位置と、上から3番目の共通電極CEと右から2番目の第2検出電極Rx2とが交差する位置と、に近接して存在するものとする。第1検出電極Rx1に利用者の指が近接することにより第1カップリング容量Cx1が生じ、第2検出電極Rx2に利用者の指が近接することにより第2カップリング容量Cx2が生じる。
まず、駆動ICチップIC1は、共通電極CEにパルス状の書込み信号(センサ駆動信号)Vwを書込み、共通電極CEと第1検出電極Rx1との間と、共通電極CEと第2検出電極Rx2との間とにそれぞれセンサ信号を発生させる。次いで、駆動ICチップIC2は、第1検出電極Rx1からセンサ信号(例えば、第1検出電極Rx1に生じる静電容量)の変化を示す読取り信号Vr1を読取り、第2検出電極Rx2からセンサ信号(例えば、第2検出電極Rx2に生じる静電容量)の変化を示す読取り信号Vr2を読取る。書込み信号Vwが共通電極CEに供給されるタイミングと、各検出電極からの読取り信号Vr1,Vr2と、に基づいて、第2入力位置情報を検出することができる。
ここで、上記第2モードによる入力位置情報の検出は、第1モードにて指の大まかな入力位置情報を検出した後に行うことができる。上記の例では、第1モードにて、右から2番目の第1検出電極Rx1及び右から2番目の第2検出電極Rx2と対向する領域に入力があったことを特定したため、上記領域のみ、又は上記領域近傍のみを対象とし、第2モードにて入力位置のX座標及びY座標を詳細に検出してもよい。
上記第2モードでは、上述したように第1検出部D1及び第2検出部D2の両方を使用してもよいが、第1検出部D1及び第2検出部D2の何れか一方のみを使用してもよい。この場合、駆動ICチップIC2は、第1検出部D1及び第2検出部D2の一方の検出部の検出電極から読取り信号を読取る。このように、一方の検出部を利用して入力位置を検出してもよい。
但し、上記第2モードにおいても、上述した第1モードと同様に、第1検出部D1及び第2検出部D2の両方を使用することにより、読取り信号Vr1の値と読取り信号Vr2の値とに基づいて入力面ISに対する指(導体)の近接度を判断することができる。
上記の表示駆動及びセンシング駆動は、例えば1フレーム期間内に行われる。一例では、1フレーム期間は、第1期間と、第2期間とに分けられる。第1期間では、表示領域DAの全ての画素PXに映像信号を書き込む表示駆動が時分割的に行われる(表示期間)。また、第1期間に続く第2期間では、表示領域DAの全域において被検出物を検出するセンシング駆動が時分割的に行われる(タッチ検出期間、或いはセンシング期間)。
また、他の例では、1フレーム期間はさらに複数の期間に分けられる。また、表示領域DAは複数のブロックに分けられ、ブロック毎に表示駆動及びセンシング駆動が行われる。すなわち、1フレーム期間の第1期間では、表示領域DAのうちの第1表示ブロックの画素PXに映像信号を書き込む第1表示駆動が行われる。第1期間に続く第2期間では、表示領域DAの第1センシングブロックにおいて被検出物を検出する第1センシング駆動が行われる。第1センシングブロックと第1表示ブロックとは同一の領域であってもよいし、異なる領域であってもよい。第2期間に続く第3期間では、第1表示ブロックとは異なる第2表示ブロックの画素に映像信号を書き込む第2表示駆動が行われる。第3期間に続く第4期間では、第1センシングブロックとは異なる第2センシングブロックにおいて被検出物を検出する第2センシング駆動が行われる。このように、1フレーム期間内に表示駆動とセンシング駆動とを交互に行い、表示領域DAの全ての画素PXに映像信号を書き込む一方で、表示領域DAの全域において被検出物を検出することも可能である。
また、各センシング期間において、上記第1モードによる入力位置情報の第1位置検出と、上記第1位置検出に続く上記第2モードによる入力位置情報の第2位置検出との両方を行ってもよい。
上記のように構成された第1の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置DSPによれば、液晶表示装置DSPは、液晶表示パネルPNLと、カバー部材CGと、偏光板(第2光学素子OD2)と、第1検出部D1と、を備えている。液晶表示パネルPNLは、表示領域DA1に位置した画素電極PE及び帯状の共通電極CEと、を備えている。カバー部材CGは、液晶表示パネルPNLに対向している。偏光板(第2光学素子OD2)は、液晶表示パネルPNLとカバー部材CGとの間に位置している。第1検出部D1は、上記偏光板とカバー部材CGとの間に位置している。このため、例えば、第1モードにて第1検出部D1を使用して第1入力位置情報を検出し、第2モードにて共通電極CEと第1検出部D1とを使用して第2入力位置情報を検出することができる。
ところで、第1検出部D1は、上記偏光板より利用者側に位置している。このため、利用者は、第1検出部D1が利用者からみて偏光板より奥の方に位置している場合と比較して、第1検出部D1のパターンを視認し易い。
しかしながら、本第1の実施形態において、第1検出部D1は、ドット状の複数の開口OPを有する第1検出電極Rx1と、ドット状の複数のダミー電極DR1を有するダミー部DU1と、を備えている。このため、第1検出部D1が上記偏光板より利用者側に位置していても、第1検出部D1のパターンを利用者に視認させ難くすることができる。
上記のことから、表示品位に優れたセンサ付き液晶表示装置DSPを得ることができる。
(第1の実施形態の変形例1)
次に、上記第1の実施形態の変形例1に係るセンサ付き液晶表示装置DSPについて説明する。図14は、上記第1実施形態の変形例1の液晶表示装置DSPの第1検出部D1の一部を示す平面図であり、第1検出電極Rx1とダミー電極DR1とを示す図である。
図14に示すように、各々の開口OPと各々のダミー電極DR1とは、正多角形の形状を有していてもよい。上記正多角形としては、正六角形、正八角形、正十角形、正十二角形、正十六角形、正二十角形など、正六角形から正二十角形までを挙げることができる。本変形例1において、各々の開口OPと各々のダミー電極DR1とは、正六角形の形状を有している。開口OP及びダミー電極DR1は、同一のサイズ(面積)を有している。
複数の開口OPが配列するパターンと複数のダミー電極DR1が配列するパターンとは、同一であり、本変形例1においても規則的に配列している。複数の開口OP及び複数のダミー電極DR1は、全て等しいピッチP1、P2で配列している(P1=P2)。複数の開口OP及び複数のダミー電極DR1が配列する方向において、隣合う開口OPの角同士、又は隣合うダミー電極DR1の角同士が、間隔を置いて位置している。
複数の開口OPは、正六角形の複数の第1開口OP1と第1開口OP1の半分の複数の第2開口OP2とを有している。複数のダミー電極DR1は、それぞれ第1開口OP1と同一のサイズ及び形状を有する複数の第1ダミー電極DR1aと第1ダミー電極DR1aの半分の複数の第2ダミー電極DR1bとを有している。
本変形例1においても、第2開口OP2及び第2ダミー電極DR1bによって正六角形が出現するように、第1検出電極Rx1と複数のダミー電極DR1とを配置した方が望ましい。また、センサ領域B1に占める複数の開口OPの面積を除く第1検出電極Rx1の面積の比率と、ダミー領域B2に占める複数のダミー電極DR1の総面積の比率とは、同一である方が望ましい。
上記のように構成された第1の実施形態の変形例1に係るセンサ付き液晶表示装置DSPにおいても、上記第1の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。
(第1の実施形態の変形例2)
次に、上記第1の実施形態の変形例2に係るセンサ付き液晶表示装置DSPについて説明する。図15は、第1実施形態の変形例2の液晶表示装置DSPの構成を示す断面図である。
図15に示すように、第2検出電極Rx2は、第1検出電極Rx1に沿って延在し、第3方向Zに第1検出電極Rx1と対向していてもよい。第1方向Xにおいて、第1検出電極Rx1の幅は、第2検出電極Rx2の幅より小さい。図示しないが、第1検出電極Rx1の間にはダミー電極DR1が設けられ、第2検出電極Rx2の間にはダミー電極DR2が設けられている。
本変形例2においても、ダミー電極DR2の間に隙間が形成されているため、上記隙間を通して共通電極CEから第1検出電極Rx1に信号を送ることができる。例えば、共通電極CEと第1検出電極Rx1とは、静電容量結合することができる。本変形例2においては、共通電極CEから第1検出電極Rx1に信号を送るため、第2検出電極Rx2は複数の開口を有していてもよい。
また、ダミー電極DR1の間にも隙間が形成されているため、上記隙間や開口OPを通して、指などの導体と第2検出電極Rx2とは、静電容量結合することができる。
上記のように構成された第1の実施形態の変形例2に係るセンサ付き液晶表示装置DSPにおいても、上記第1の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。
(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置DSPについて詳細に説明する。図16は、第2の実施形態に係る液晶表示装置DSPの第1検出部D1の一部を示す平面図であり、第1検出電極Rx1とダミー電極DR1とを示す図である。 本実施形態において、大まかに、第1検出部D1に関して上述した第1の実施形態と相違している。
図16に示すように、第1検出部D1は、複数の第1検出電極Rx1と、複数のダミー部DU1と、を備えている。第1検出電極Rx1は、複数の開口OPを有している。複数の開口OPは、仮想上の格子線に沿って延在して形成され、互いに間隔を置いて配置されている。複数の開口OPは、それぞれ短冊状に形成されている。複数の開口OPは、上記仮想上の格子線の交点と対向する位置にて互いに間隔を置いて配置されている。
複数のダミー電極DR1は、矩形状に形成され、マトリクス状に配置されている。複数のダミー電極DR1は、上記仮想上の格子線に沿った格子状の間隙部を出現させている。
複数の開口OP及び複数のダミー電極DR1は、全て等しいピッチP1、P2で配列している(P1=P2)。複数の開口OP及び複数のダミー電極DR1を配列する方向は、特に限定されるものではなく、種々調整可能である。但し、複数の開口OP及び複数のダミー電極DR1は、X−Y平面視において、第2方向Yから右回りに30°乃至35°傾斜した第1配列方向と、第1配列方向に直交する第2配列方向と、に等ピッチに配列されている方が望ましい。上記配列方向を調整することにより、画素PXのレイアウトとのモアレを抑制し、表示品位の劣化を抑制することができるためである。
また、複数の開口OP及び複数のダミー電極DR1が配列するピッチP1,P2は、50乃至150μm程度であるが、上記範囲内に限定されるものではなく、種々調整可能である。但し、上記ピッチは、画素PXのピッチに対応付けた方が望ましい。上記ピッチの調整によっても、画素PXのレイアウトとのモアレを抑制し、表示品位の劣化を抑制することができるためである。
センサ領域B1に占める複数の開口OPの面積を除く第1検出電極Rx1の面積の比率と、ダミー領域B2に占める複数のダミー電極DR1の総面積の比率とは、同一である方が望ましい。第1検出電極Rx1及びダミー部DU1のパターンを利用者に視認させ難くすることができるためである。
本第2の実施形態において、センサ領域B1に占める複数の開口OPの面積を除く第1検出電極Rx1の面積の比率と、ダミー領域B2に占める複数のダミー電極DR1の総面積の比率とは、同一である。そこで、各々の開口OPの幅W1と、ダミー電極DR1の間隙部の幅W2とを異ならせている。幅W1,W2は、上記仮想上の格子線に直交する方向の幅である。詳しくは、各々の開口OPの幅W1は、ダミー電極DR1の間隙部の幅W2より広い(W1>W2)。例えば、幅W1は10乃至17μm程度であり、幅W2は7乃至13μm程度である。
上記のように構成された第2の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置DSPによれば、液晶表示装置DSPは、液晶表示パネルPNLと、カバー部材CGと、偏光板(第2光学素子OD2)と、第1検出部D1と、を備えている。本第2の実施形態において、第1検出部D1は、仮想上の格子線に沿って延在して形成され互いに間隔を置いて配置された複数の開口OPを有する第1検出電極Rx1と、マトリクス状に配置され上記格子線に沿った格子状の間隙部を出現させる複数のダミー電極DR1を有するダミー部DU1と、を備えている。このため、第1検出部D1が上記偏光板より利用者側に位置していても、第1検出部D1のパターンを利用者に視認させ難くすることができる。
上記のことから、表示品位に優れたセンサ付き液晶表示装置DSPを得ることができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
例えば、共通電極CEが第2方向Yに延在し、第1検出電極Rx1及び第2検出電極Rx2がそれぞれ第1方向Xに延在していてもよい。
駆動ICチップIC1及び駆動ICチップIC2は、一体に形成されていてもよい。すなわち、駆動ICチップIC1及び駆動ICチップIC2は、単一の駆動ICチップに集約されていてもよい。この場合、上記単一の駆動ICチップは、液晶表示パネルPNL、第1検出部D1、第2検出部D2及び制御モジュールCMに接続され、共通電極CEにコモン駆動信号Vcomを与えたり、共通電極CE、又は第1検出電極Rx1及び第2検出電極Rx2の少なくとも一方に書込み信号を書込んだり、第1検出電極Rx1及び第2検出電極Rx2の少なくとも一方から読取り信号を読取ったり、できればよい。
上述した駆動部は、駆動ICチップIC1,IC2及び制御モジュールCMに限定されるものではなく、種々変形可能であり、液晶表示パネルPNL及びセンサSEを駆動することができるものであればよい。
上述した実施形態では、表示装置として、液晶表示装置を例に開示した。しかし、上述した実施形態は、有機EL(electroluminescent)表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパ型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置に適用可能である。また、上述した実施形態は、中小型の表示装置から大型の表示装置まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。
DSP…液晶表示装置、PNL…液晶表示パネル、SUB1…第1基板、10…第1絶縁基板、PX…画素、CE…共通電極、PE…画素電極、SUB2…第2基板、20…第2絶縁基板、SE…センサ、D1…第1検出部、Rx1…第1検出電極、OP,OP1,OP2…開口、DU1…ダミー部DR1,DR1a,DR1b…ダミー電極、D2…第2検出部、Rx2…第2検出電極、DU2…ダミー部、DR2…ダミー電極、CG…カバー部材、IC1,IC2…駆動ICチップ、CM…制御モジュール、CD…共通電極駆動回路、DA…表示領域、NDA…非表示領域、X…第1方向、Y…第2方向。

Claims (12)

  1. 画像を表示する表示領域に位置した画素電極及び帯状の共通電極を備える表示パネルと、
    前記表示パネルに対向したカバー部材と、
    前記表示パネルと前記カバー部材との間に位置した偏光板と、
    前記偏光板と前記カバー部材との間に位置した第1検出部と、を備え、
    前記第1検出部は、ドット状の複数の開口を有する第1検出電極と、ドット状の複数のダミー電極を有するダミー部と、を備える、センサ付き表示装置。
  2. 各々の前記開口と各々の前記ダミー電極とは、円形又は正多角形の形状を有する、請求項1に記載のセンサ付き表示装置。
  3. 前記複数の開口が配列するパターンと前記複数のダミー電極が配列するパターンとは、同一である、請求項1に記載のセンサ付き表示装置。
  4. 前記複数の開口は、円形の複数の第1開口と前記第1開口の半円状の複数の第2開口とを有し、
    前記複数のダミー電極は、それぞれ前記第1開口と同一のサイズ及び形状を有する複数の第1ダミー電極と前記第1ダミー電極の半円状の複数の第2ダミー電極とを有し、
    前記複数の第2開口のそれぞれの直径と前記複数の第2ダミー電極のそれぞれの直径とは、前記第1検出電極と前記ダミー部との境界線上に位置し、一対一で重なっている、請求項3に記載のセンサ付き表示装置。
  5. 画像を表示する表示領域に位置した画素電極及び帯状の共通電極と、を備える表示パネルと、
    前記表示パネルに対向したカバー部材と、
    前記表示パネルと前記カバー部材との間に位置した偏光板と、
    前記偏光板と前記カバー部材との間に位置した第1検出部と、を備え、
    前記第1検出部は、仮想上の格子線に沿って延在して形成され互いに間隔を置いて配置された複数の開口を有する第1検出電極と、マトリクス状に配置され前記格子線に沿った格子状の間隙部を出現させる複数のダミー電極を有するダミー部と、を備える、センサ付き表示装置。
  6. 各々の前記開口の幅は前記間隙部の幅より広い、請求項5に記載のセンサ付き表示装置。
  7. 前記複数の開口は、それぞれ短冊状に形成され、前記格子線の交点と対向する位置にて互いに間隔を置いて配置されている、請求項5に記載のセンサ付き表示装置。
  8. 前記第1検出電極が形成されるセンサ領域に占める前記複数の開口の面積を除く前記第1検出電極の面積の比率と、前記ダミー部が形成されるダミー領域に占める前記複数のダミー電極の総面積の比率とは、同一である、請求項1又は5に記載のセンサ付き表示装置。
  9. 前記第1検出電極は、前記表示領域の外側の非表示領域まで延在して形成されている、請求項1又は5に記載のセンサ付き表示装置。
  10. 第2検出電極を有し前記共通電極と前記偏光板との間に位置した第2検出部をさらに備える、請求項1又は5に記載のセンサ付き表示装置。
  11. 前記第1検出電極は、帯状に形成され前記共通電極と交差し、
    前記第2検出電極は、帯状に形成され前記第1検出電極に沿って延在し前記第1検出電極と対向し、
    前記第1検出電極の幅は、前記第2検出電極の幅より小さい、請求項10に記載のセンサ付き表示装置。
  12. 前記第1検出電極は、帯状に形成され前記共通電極と交差し、
    前記第2検出電極は、帯状に形成され、前記第1検出電極に沿って延在し、
    前記第1検出電極と前記第2検出電極とは、前記第1検出電極及び前記第2検出電極がそれぞれ延在する方向に直交する方向に並んでいる、請求項10に記載のセンサ付き表示装置。
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