JP6047994B2 - 透明導電性素子およびその製造方法、入力装置、電子機器、ならびに透明導電層の加工方法 - Google Patents

Description

本技術は、透明導電性素子およびその製造方法、入力装置、電子機器、ならびに透明導電層の加工方法に関する。詳しくは、透明導電部および透明絶縁部が基材表面に平面的に交互に設けられた透明導電性素子に関する。

近年、静電容量式のタッチパネルが携帯電話や携帯音楽端末などのモバイル機器に搭載されるケースが増えている。静電容量式のタッチパネルでは、基材フィルム表面にパターニングされた透明導電層が設けられた透明導電性フィルムが用いられている。

特許文献１では、次のような構成の透明導電性シートが提案されている。透明導電性シートは、基体シート上に形成された導電パターン層と、基体シートの導電パターン層が形成されていない部分に形成された絶縁パターン層とを備える。そして、導電パターン層が、複数の微少ピンホールを有し、絶縁パターン層が、狭小溝により複数の島状に形成される。

特開２０１０−１５７４００号公報

近年では、上述のように微小パターンを有する透明導電層を大面積で作製することが望まれている。このような要望に応えるためには、微小パターンも大面積で形成が容易なものとすることが望ましい。

したがって、本技術の目的は、大面積で微小パターンの形成が容易な透明導電性素子およびその製造方法、入力装置、電子機器、ならびに透明導電層の加工方法を提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の技術は、
表面を有する基材と、
表面に平面的に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
透明導電部および透明絶縁部の少なくとも一方には、ランダムパターンを有する少なくとも１種の単位区画が繰り返されている透明導電性素子である。

第２の技術は、
第１の表面および第２の表面を有する基材と、
第１の表面および第２の表面に平面的に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
透明導電部および透明絶縁部の少なくとも一方には、ランダムパターンを有する少なくとも１種の単位区画が繰り返されている入力装置である。

第３の技術は、
第１の透明導電性素子と、
第１の透明導電性素子の表面に設けられた第２の透明導電性素子と
を備え、
第１の透明導電性素子および第２の透明導電性素子が、
表面を有する基材と、
表面に平面的に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
透明導電部および透明絶縁部の少なくとも一方には、ランダムパターンを有する少なくとも１種の単位区画が繰り返されている入力装置である。

第４の技術は、
第１の表面および第２の表面を有する基材と、第１の表面および第２の表面に平面的に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部とを有する透明導電性素子を備え、
透明導電部および透明絶縁部の少なくとも一方には、ランダムパターンを有する少なくとも１種の単位区画が繰り返されている電子機器である。

第５の技術は、
第１の透明導電性素子と、
第１の透明導電性素子の表面に設けられた第２の透明導電性素子と
を備え、
第１の透明導電性素子および第２の透明導電性素子が、
第１の表面および第２の表面を有する基材と、
第１の表面および第２の表面に平面的に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
透明導電部および透明絶縁部の少なくとも一方には、ランダムパターンを有する少なくとも１種の単位区画が繰り返されている電子機器である。

第６の技術は、
ランダムパターンを有する少なくとも１種のマスクを介して基材表面の透明導電層に光を照射し、単位区画を繰り返し形成することにより、基材表面に透明導電部および透明絶縁部を平面的に交互に形成する透明導電性素子の製造方法である。

第７の技術は、
パターンを有する少なくとも１種のマスクを介して基材表面の透明導電層に光を照射し、単位区画を繰り返し形成することにより、基材表面に透明導電部および透明絶縁部を平面的に交互に形成する透明導電層の加工方法である。

本技術では、透明導電部および透明絶縁部の少なくとも一方には、ランダムパターンを有する少なくとも１種の単位区画が繰り返されているので、ランダムパターンを大面積で容易に形成することができる。

本技術では、基材表面に平面的に交互に透明導電部および透明絶縁部を設けているので、透明導電部が設けられている領域と透明導電部が設けられていない領域との反射率差を低減できる。したがって、透明導電部のパターンの視認を抑制することができる。

以上説明したように、本技術によれば、大面積で微小パターンの形成が容易な透明導電性素子を提供することができる。

図１は、本技術の第１の実施形態に係る情報入力装置の一構成例を示す断面図である。 図２Ａは、本技術の第１の実施形態に係る第１の透明導電性素子の一構成例を示す平面図である。図２Ｂは、図２Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図３Ａは、第１の透明導電性素子の透明電極部の一構成例を示す平面図である。図３Ｂは、第１の透明導電性素子の透明絶縁部の一構成例を示す平面図である。 図４Ａは、第１の透明導電性素子の透明電極部の単位区画の一構成例を示す平面図である。図４Ｂは、図４Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。図４Ｃは、第１の透明導電性素子の透明絶縁部の単位区画の一構成例を示す平面図である。図４Ｄは、図４Ｃに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図５は、境界部の形状パターンの一例を示す平面図である。 図６Ａは、本技術の第１の実施形態に係る第２の透明導電性素子の一構成例を示す平面図である。図６Ｂは、図６Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図７は、透明電極部および透明絶縁部を作製するためのレーザ加工装置の一構成例を示す模式図である。 図８Ａは、透明電極部１３を作製するための第１のマスクの一構成例を示す平面図である。図８Ｂは、透明絶縁部１４を作製するための第２のマスクの一構成例を示す平面図である。 図９Ａ〜図９Ｃは、本技術の第１の実施形態に係る第１の透明導電性素子の製造方法の一例について説明するための工程図である。 図１０Ａは、透明電極部の単位区画の変形例を示す平面図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。図１０Ｃは、透明絶縁部の単位区画の変形例を示す平面図である。図１０Ｄは、図１０Ｃに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図１１Ａ〜図１１Ｄは、本技術の第１の実施形態に係る第１の透明導電性素子の変形例を示す断面図である。 図１２Ａ、図１２Ｂは、本技術の第１の実施形態に係る第１の透明導電性素子の変形例を示す断面図である。 図１３Ａは、本技術の第２の実施形態に係る第１の透明導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１３Ｂは、透明電極部および透明絶縁部の境界部に境界パターンを作製するための第３のマスクの一構成例を示す平面図である。 図１４Ａは、本技術の第３の実施形態に係る第１の透明導電性素子の透明電極部の一構成例を示す平面図である。図１４Ｂは、本技術の第３の実施形態に係る第１の透明導電性素子の透明絶縁部の一構成例を示す平面図である。 図１５Ａは、透明電極部の単位区画の一構成例を示す平面図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。図１５Ｃは、透明絶縁部の単位区画の一構成例を示す平面図である。図１５Ｄは、図１５Ｃに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図１６は、境界部の形状パターンの一例を示す平面図である。 図１７Ａは、本技術の第４の実施形態に係る第１の透明導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１７Ｂは、透明電極部および透明絶縁部の境界部に境界パターンを作製するための第３のマスクの一構成例を示す平面図である。 図１８は、本技術の第５の実施形態に係る第１の透明導電性素子の一構成例を示す平面図である。 図１９Ａは、本技術の第６の実施形態に係る第１の透明導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１９Ｂは、透明電極部および透明絶縁部の境界部に境界パターンを作製するための第３のマスクの一構成例を示す平面図である。 図２０Ａは、本技術の第７の実施形態に係る第１の透明導電性素子の一構成例を示す平面図である。図２０Ｂは、本技術の第７の実施形態に係る第１の透明導電性素子の変形例を示す平面図である。 図２１Ａは、本技術の第８の実施形態に係る第１の透明導電性素子の一構成例を示す平面図である。図２０Ｂは、本技術の第８の実施形態に係る第１の透明導電性素子の変形例を示す平面図である。 図２２Ａは、本技術の第９の実施形態に係る第１の透明導電性素子の一構成例を示す平面図である。図２２Ｂは、本技術の第９の実施形態に係る第２の透明導電性素子の一構成例を示す平面図である。 図２３は、本技術の第１０の実施形態に係る情報入力装置の一構成例を示す断面図である。 図２４Ａは、本技術の第１１の実施形態に係る情報入力装置の一構成例を示す平面図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図２５Ａは、図２４Ａに示した交差部Ｃの付近を拡大して示す平面図である。図２５Ｂは、図２５Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図２６は、電子機器としてテレビの例を示す外観図である。 図２７Ａ、図２７Ｂは、電子機器としてデジタルカメラの例を示す外観図である。 図２８は、電子機器としてノート型パーソナルコンピュータの例を示す外観図である。 図２９は、電子機器としてビデオカメラの例を示す外観図である。 図３０は、電子機器として携帯端末装置の例を示す外観図である。 図３１Ａは、実施例１−５の透明導電性シート表面を顕微鏡により観察した結果を示す図である。図３１Ｂは、実施例２−１の透明導電性シート表面を顕微鏡により観察した結果を示す図である。 図３２は、透明電極部および透明絶縁部を作製するためのレーザ加工装置の変形例を示す模式図である。 図３３は、透明導電性シートに対してレーザ光を照射した際の加工深さｄを示す図である。 図３４Ａは、実施例５−４の透明導電性シート表面を顕微鏡により観察した結果を示す図である。図３４Ｂは、実施例５−５の透明導電性シート表面を顕微鏡により観察した結果を示す図である。図３４Ｃは、実施例５−６の透明導電性シート表面を顕微鏡により観察した結果を示す図である。 図３５Ａは、実施例５−７の透明導電性シート表面を顕微鏡により観察した結果を示す図である。図３５Ｂは、実施例５−８の透明導電性シート表面を顕微鏡により観察した結果を示す図である。 図３６は、実施例５−１〜５−３の透明導電性シートにおける抵抗比の結果を示す図である。 図３７は、実施例５−４〜５−８の透明導電性シートにおける抵抗比の結果を示す図である。 図３８Ａは、実施例７−１の透明導電性シート表面を顕微鏡により観察した結果を示す図である。図３８Ｂは、実施例７−２の透明導電性シート表面を顕微鏡により観察した結果を示す図である。図３８Ｃは、実施例７−３の透明導電性シート表面を顕微鏡により観察した結果を示す図である。 図３９は、実施例７−１〜７−３の透明導電性シートにおける抵抗比の結果を示す図である。 図４０Ａは、実施例８−１の透明導電性シート表面を顕微鏡により観察した結果を示す図である。図４０Ｂは、実施例８−２の透明導電性シート表面を顕微鏡により観察した結果を示す図である。 図４１Ａは、実施例８−３の透明導電性シート表面を顕微鏡により観察した結果を示す図である。図４１Ｂは、実施例８−４の透明導電性シート表面を顕微鏡により観察した結果を示す図である。 図４２は、実施例８−１〜８−４の透明導電性シートにおける抵抗比の結果を示す図である。 図４３は、比較例８−１〜８−４の透明導電性シートおよび実施例８−１〜８−４の透明導電性シートにおけるシート抵抗の結果を示す図である。 図４４は、比較例８−１〜８−４の透明導電性シートおよび実施例８−１〜８−４の透明導電性シートにおける抵抗比の結果を示す図である。 図４５Ａは、一般的なステージの移動速度の変化を示す図である。図４５Ｂは、高速ステージの移動速度の変化を示す図である。

本技術の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（ランダムパターンを有する単位区画により透明電極部および透明絶縁部を構成した例）
２．第２の実施形態（ランダムな境界パターンを有する単位区画により境界部を構成した例）
３．第３の実施形態（規則パターンを有する単位区画により透明電極部および透明絶縁部を構成した例）
４．第４の実施形態（規則的な境界パターンを有する単位区画により境界部を構成した例）
５．第５の実施形態（透明電極部を連続膜とした例）
６．第６の実施形態（ランダムパターンを有する単位区画により境界部を構成した例）
７．第７の実施形態（ランダムパターンを有する単位区画により透明電極部を構成し、規則パターンを有する単位区画により透明絶縁部を構成した例）
８．第８の実施形態（規則パターンを有する単位区画により透明電極部を構成し、ランダムパターンを有する単位区画により透明絶縁部を構成した例）
９．第９の実施形態（パッド部を連結した形状の透明電極部が設けられた例）
１０．第１０の実施形態（基材の両面に透明電極部が設けられた例）
１１．第１１の実施形態（基材の一主面に透明電極部が交差して設けられた例）
１２．第１２の実施形態（電子機器への適用例）

＜１．第１の実施形態＞
［情報入力装置の構成］
図１は、本技術の第１の実施形態に係る情報入力装置の一構成例を示す断面図である。図１に示すように、情報入力装置１０は、表示装置４の表示面上に設けられる。情報入力装置１０は、例えば貼合層５により表示装置４の表示面に貼り合わされている。

（表示装置）
情報入力装置１０が適用される表示装置４は特に限定されるものではないが、例示するならば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種表示装置が挙げられる。

（情報入力装置）
情報入力装置１０は、いわゆる投影型静電容量方式タッチパネルであり、第１の透明導電性素子１と、この第１の透明導電性素子１の表面上に設けられた第２の透明導電性素子２とを備え、第１の透明導電性素子１と第２の透明導電性素子２とは貼合層６を介して貼り合わされている。また、必要に応じて、第２の透明導電性素子２の表面上に光学層３をさらに備えるようにしてもよい。

（光学層）
光学層３は、例えば、基材３１と、基材３１と第２の透明導電性素子２との間に設けられた貼合層３２とを備え、この貼合層３２を介して基材３１が第２の透明導電性素子２の表面に貼り合わされる。光学層３はこの例に限定されるものではなく、ＳｉＯ₂などのセラミックコート（オーバーコート）とすることも可能である。

（第１の透明導電性素子）
図２Ａは、本技術の第１の実施形態に係る第１の透明導電性素子の一構成例を示す平面図である。図２Ｂは、図２Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。図２Ａおよび図２Ｂに示すように、第１の透明導電性素子１は、表面を有する基材１１と、この表面に設けられた透明導電層１２とを備える。ここでは、基材１１の面内において直交交差の関係にある２方向をＸ軸方向（第１方向）およびＹ軸方向（第２方向）と定義する。

透明導電層１２は、透明電極部（透明導電部）１３と透明絶縁部１４とを備える。透明電極部１３は、Ｘ軸方向に延在されたＸ電極部である。透明絶縁部１４は、いわゆるダミー電極部であり、Ｘ軸方向に延在されるとともに、透明電極部１３の間に介在されて、隣り合う透明電極部１３の間を絶縁する絶縁部である。これらの透明電極部１３と透明絶縁部１４とが、基材１１の表面にＹ軸方向に向かって平面的に交互に隣接して設けられている。なお、図２Ａ、図２Ｂにおいて、第１の領域Ｒ₁は透明電極部１３の形成領域を示し、第２の領域Ｒ₂は透明絶縁部１４の形成領域を示す。

（透明電極部、透明絶縁部）
透明電極部１３、および透明絶縁部１４の形状は、画面形状や駆動回路などに応じて適宜選択することが好ましく、例えば、直線状、複数の菱形状（ダイヤモンド形状）を直線状に連結した形状などが挙げられるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。なお、図２Ａ、図２Ｂでは、透明電極部１３、および透明絶縁部１４の形状を直線状とした構成が例示されている。

図３Ａは、第１の透明導電性素子の透明電極部の一構成例を示す平面図である。透明電極部１３は、図３Ａに示すように、孔部１３ａのランダムパターンを有する単位区画１３ｐが繰り返し設けられた透明導電層１２である。単位区画１３ｐは、例えば、Ｘ軸方向に周期Ｔｘで繰り返し設けられ、Ｙ軸方向に周期Ｔｙで繰り返し設けられている。すなわち、単位区画１３ｐは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に２次元配列されている。周期Ｔｘおよび周期Ｔｙはそれぞれ独立に、例えば、ミクロオーダーからナノオーダーの範囲内で設定される。

図３Ｂは、第１の透明導電性素子の透明絶縁部の一構成例を示す平面図である。透明電極部１３は、図３Ｂに示すように、島部１４ａのランダムパターンを有する単位区画１４ｐが繰り返し設けられた透明導電層１２である。単位区画１４ｐは、例えば、Ｘ軸方向に周期Ｔｘで繰り返し設けられ、Ｙ軸方向に周期Ｔｙで繰り返し設けられている。すなわち、単位区画１４ｐは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に２次元配列されている。周期Ｔｘおよび周期Ｔｙはそれぞれ独立に、例えば、ミクロオーダーからナノオーダーの範囲内で設定される。

図３Ａおよび図３Ｂでは、単位区画１３ｐおよび単位区画１４ｐがそれぞれ１種類である場合が例として示されているが、単位区画１３ｐおよび単位区画１４ｐを２種類以上としてもよい。この場合、同一種類の単位区画１３ｐおよび単位区画１４ｐがＸ軸方向およびＹ軸方向に周期的またはランダムに繰り返されるようにすることが可能である。

単位区画１３ｐおよび単位区画１４ｐの形状は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にほぼ隙間無く繰り返し設けることが可能な形状であればよく特に限定されるものではないが、例示するならば、三角形状、四角形状、六角形状もしくは八角形状などの多角形状、または不定形状などが挙げられる。

図４Ａは、第１の透明導電性素子の透明電極部の単位区画の一構成例を示す平面図である。図４Ｂは、図４Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。図４Ｃは、第１の透明導電性素子の透明絶縁部の単位区画の一構成例を示す平面図である。図４Ｄは、図４Ｃに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。透明電極部１３の単位区画１３ｐは、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、複数の孔部（絶縁要素）１３ａが離間してランダムパターンで設けられた透明導電層１２であり、隣り合う孔部１３ａの間には透明導電部１３ｂが介在されている。一方、透明絶縁部１４の単位区画１４ｐは、図４Ｃおよび図４Ｄに示すように、離間してランダムパターンで設けられた複数の島部（導電要素）１４ａを有する透明導電層１２であり、隣り合う島部１４ａの間には絶縁部としての間隙部１４ｂが介在される。島部１４ａは、例えば、透明導電材料を主成分とする島状の透明導電層１２である。ここで、間隙部１４ｂでは、透明導電層１２が完全に除去されていることが好ましいが、間隙部１４ｂが絶縁部として機能する範囲内であれば、透明導電層１２の一部分が島状や薄膜状に残留していてもよい。

単位区画１３ｐは、ランダムパターンのパターン要素である孔部１３ａが接する、または切断される辺を有していることが好ましく、単位区画１３ｐを構成するすべての辺がパターン要素とこのような関係にあることがより好ましい。なお、ランダムパターンのパターン要素である孔部１３ａがすべての辺から離間されている構成を採用することも可能である。

単位区画１４ｐは、ランダムパターンのパターン要素である島部１４ａが接する、または切断される辺を有していることが好ましく、単位区画１４ｐを構成するすべての辺がパターン要素とこのような関係にあることがより好ましい。なお、ランダムパターンのパターン要素である島部１４ａがすべての辺から離間されている構成を採用することも可能である。

孔部１３ａおよび島部１４ａの形状としては、例えば、ドット状を用いることができる。ドット状としては、例えば、円形状、楕円形状、円形状の一部分を切り取った形状、楕円形状の一部分を切り取った形状、多角形状、角を取った多角形状および不定形状からなる群より選ばれる１種以上を用いることができる。多角形状としては、例えば、三角形状、四角形状（例えば菱形など）、六角形状、八角形状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。孔部１３ａおよび島部１４ａとで異なる形状を採用するようにしてもよい。ここで、円形には、数学的に定義される完全な円（真円）のみならず、多少の歪みが付与されたほぼ円形も含まれる。楕円形には、数学的に定義される完全な楕円のみならず、多少の歪みが付与されたほぼ楕円形（例えば長円、卵型など）も含まれる。多角形には、数学的に定義される完全な多角形のみならず、辺に歪みが付与されたほぼ多角形、角に丸みが付与されたほぼ多角形、および辺に歪みが付与され、かつ角に丸みが付与されたほぼ多角形なども含まれる。辺に付与される歪みとしては、凸状または凹状などの湾曲などが挙げられる。

孔部１３ａおよび島部１４ａは、目視により認識できないサイズであることが好ましい。具体的には、孔部１３ａまたは島部１４ａのサイズは、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下であることが好ましい。ここで、サイズ（径Ｄmax）は、円形でない場合では孔部１３ａおよび島部１４ａの差し渡しの長さのうち最大ものを意味している。なお、円形の場合では径Ｄmaxは直径となる。孔部１３ａおよび島部１４ａの径Ｄmaxを１００μｍ以下にすると、目視による孔部１３ａおよび島部１４ａの視認を抑制することができる。具体的には例えば、孔部１３ａおよび島部１４ａを円形状にする場合、それらの直径は１００μｍ以下であることが好ましい。なお、透明導電性シートのトップ（最表面）とボトム（レーザ加工部の底面（レーザ光照射によるアブレーションが及んだ基材１１表面。以下、基材１１内にもアブレーションが生じた場合には、その露出表面を基材１１表面と適宜称する））とのランダムパターンとしての孔部の深さの距離は図４中において符号ｄで示されている。すなわち、透明導電部１３ｂの表面から孔部１３ａの底面（基材１１の表面）までの平均深さｄ、および島部１４ａの表面から間隙部１４ｂの底面（基材１１の表面）までの平均深さｄが図４中に示されている。

第１の領域Ｒ₁では、例えば、複数の孔部１３ａが基材表面の露出領域となるのに対して、隣り合う孔部１３ａ間に介在された透明導電部１３ｂが基材表面の被覆領域となる。一方、第２の領域Ｒ₂では、複数の島部１４ａが基材表面の被覆領域となるのに対して、隣り合う島部１４ａ間に介在された間隙部１４ｂが基材表面の露出領域となる。第１の領域Ｒ₁と第２の領域Ｒ₂との被覆率差を６０％以下、好ましくは４０％以下、さらに好ましくは３０％以下とし、かつ、孔部１３ａおよび島部１４ａの部分を目視で視認できない大きさで形成することが好ましい。透明電極部１３と透明絶縁部１４とを目視により比較したとき、透明導電層１２が第１の領域Ｒ₁と第２の領域Ｒ₂とで同じように被覆されているように感じられるため、透明電極部１３と透明絶縁部１４との視認を抑制することができる。

第１の領域Ｒ₁における透明導電部１３ｂによる被覆面積の割合は高くすることが好ましい。被覆率が低くなるにつれて、同じ導電性を持たせようとすると、透明導電部１３ｂの厚みを増やすために、最初の全面製膜時の厚みを厚くしなければならず、被覆率と反比例してコストが増大してしまうからである。例えば、被覆率が５０％の場合は材料費が２倍、被覆率が１０％の場合は材料費が１０倍となる。その他にも透明導電部１３ｂの膜厚が厚くなることで、光学特性の劣化などの問題も生じる。被覆率が小さくなりすぎると、絶縁してしまう可能性も大きくなる。以上の点を考慮すると、少なくとも被覆率は１０％以上であることが好ましい。被覆率の上限値は、特に制限されるものではない。

第２の領域Ｒ₂における島部１４ａによる被覆率は、高すぎるとランダムパターンの生成自体が困難になるとともに、島部１４ａ同士が接近し短絡する恐れがあるため、島部１４ａによる被覆率は９５％以下にすることが好ましい。

透明電極部１３および透明絶縁部１４の反射Ｌ値の差の絶対値が、０．３未満であることが好ましい。透明電極部１３および透明絶縁部１４の視認を抑制することができるからである。ここで、反射Ｌ値の差の絶対値は、JIS Z8722に従い評価した値である。

第１の領域（電極領域）Ｒ₁に設けられた透明電極部１３の平均境界線長さＬａと、第２の領域（絶縁領域）Ｒ₂に設けられた透明絶縁部１４の平均境界線長さＬｂとは、０＜Ｌａ、Ｌｂ≦２０ｍｍ／ｍｍ²の範囲内であることが好ましい。但し、平均境界線長さＬａは、透明電極部１３に設けられた孔部１３ａと透明導電部１３ｂとの境界線の平均境界線の長さであり、平均境界線の長さＬｂは、透明絶縁部１４に設けられた島部１４ａと間隙部１４ｂとの境界線の平均境界線の長さである。

平均境界線長さＬａ、Ｌｂを上述の範囲内にすることで、基材１１の表面において透明導電層１２が形成されている部分と形成されていない部分との境界を少なくし、当該境界における光散乱量を低減することができる。したがって、後述の平均境界線長さの比（Ｌａ／Ｌｂ）によらず、上述の反射Ｌ値の差の絶対値を０．３未満にすることができる。すなわち、透明電極部１３および透明絶縁部１４の視認を抑制することができる。

ここで、透明電極部１３の平均境界線長さＬａおよび透明絶縁部１４の平均境界線長さＬｂの求め方について説明する。
透明電極部１３の平均境界線長さＬａは、以下のようにして求められる。まず、デジタルマイクロスコープ（株式会社キーエンス製、商品名：VHX-900）にて観察倍率１００〜５００倍の範囲で透明電極部１３を観察し、観察像を保存する。次に、保存した観察像から画像解析により境界線（ΣＣ_i＝Ｃ₁＋・・・＋Ｃ_n）を計測し、境界線長さＬ₁［ｍｍ／ｍｍ²］を得る。この計測を、透明電極部１３から無作為に選び出された１０視野について行い、境界線長さＬ₁、・・・・、Ｌ₁₀を得る。次に、得られた境界線長さＬ₁、・・・・、Ｌ₁₀を単純に平均（算術平均）して、透明電極部１３の平均境界線長さＬａを求める。

透明絶縁部１４の平均境界線長さＬｂは、以下のようにして求められる。まず、デジタルマイクロスコープ（株式会社キーエンス製、商品名：VHX-900）にて観察倍率１００〜５００倍の範囲で透明絶縁部１４を観察し、観察像を保存する。次に、保存した観察像から画像解析により境界線（ΣＣ_i＝Ｃ₁＋・・・＋Ｃ_n）を計測し、境界線長さＬ₁［ｍｍ／ｍｍ²］を得る。この計測を、透明絶縁部１４から無作為に選び出された１０視野について行い、境界線長さＬ₁、・・・・、Ｌ₁₀を得る。次に、得られた境界線長さＬ₁、・・・・、Ｌ₁₀を単純に平均（算術平均）して、透明絶縁部１４の平均境界線長さＬｂを求める。

第１の領域（電極領域）Ｒ₁に設けられた透明電極部１３の平均境界線長さＬａと、第２の領域（絶縁領域）Ｒ₂に設けられた透明絶縁部１４の平均境界線長さＬｂとの平均境界線長さ比（Ｌａ／Ｌｂ）は、０．７５以上１．２５以下の範囲内であることが好ましい。平均境界線長さ比（Ｌａ／Ｌｂ）が上述の範囲外であると、透明電極部１３の平均境界線長さＬａおよび透明絶縁部１４の平均境界線長さＬｂが２０ｍｍ／ｍｍ²以下に設定されていない場合には、透明電極部１３と透明絶縁部１４との被覆率差が同等であっても、透明電極部１３および透明絶縁部１４が視認されてしまう。これは、例えば、基材１１の表面において透明導電層１２が有る部分と無い部分とで屈折率が異なることに起因する。透明導電層１２が有る部分と無い部分とで屈折率差が大きい場合、透明導電層１２が有る部分と無い部分との境界部で光散乱が発生する。これにより、透明電極部１３および透明絶縁部１４の領域のうち境界線長さがより長い領域の方がより白っぽく見えてしまい、被覆率差に依らず透明電極部１３の電極パターンが視認されてしまう。定量的には、JIS Z8722に従い評価した透明電極部１３と透明絶縁部１４との反射Ｌ値の差の絶対値は０．３以上となってしまう。

（境界部）
図５は、境界部の形状パターンの一例を示す平面図である。透明電極部１３と透明絶縁部１４との境界部には、ランダムな形状パターンが設けられている。このように境界部にランダムな形状パターンを設けることで、境界部の視認を抑制することができる。ここで、境界部とは、透明電極部１３と透明絶縁部１４との間の領域のことを示し、境界Ｌとは、透明電極部１３と透明絶縁部１４とを区切る境界線のことを示す。なお、境界部の形状パターンによっては、境界Ｌは実線ではなく仮想線の場合もある。

境界部の形状パターンは、透明電極部１３および透明絶縁部１４の少なくとも一方のランダムパターンのパターン要素の全体および／または一部分を含んでいることが好ましい。より具体的には、境界部の形状パターンは、孔部１３ａの全体、孔部１３ａの一部分、島部１４ａの全体および島部１４ａの一部分からなる群より選ばれる１種以上の形状を含んでいることが好ましい。

境界部の形状パターンに含まれる孔部１３ａの全体は、例えば、透明電極部１３側の境界Ｌに接して、またはほぼ接して設けられている。境界部の形状パターンに含まれる島部１４ａの全体は、例えば、透明絶縁部１４側の境界Ｌに接して、またはほぼ接して設けられている。

境界部の形状パターンに含まれる孔部１３ａの一部分は、例えば、境界Ｌにより孔部１３ａが部分的に切断された形状を有し、その切断辺が透明電極部１３側の境界Ｌに接して、またはほぼ接して設けられている。境界部の形状パターンに含まれる島部１４ａの一部分は、例えば、境界Ｌにより島部１４ａが部分的に切断された形状を有し、その切断辺が透明絶縁部１４側の境界Ｌに接して、またはほぼ接して設けられている。

単位区画１３ｐは、ランダムパターンのパターン要素である孔部１３ａが接する、または切断される辺を有し、この辺が、透明電極部１３および透明絶縁部１４の境界Ｌに接するまたはほぼ接するようにして設けられていることが好ましい。

単位区画１４ｐは、ランダムパターンのパターン要素である島部１４ａが接する、または切断される辺を有し、この辺が、透明電極部１３および透明絶縁部１４の境界Ｌに接するまたはほぼ接するようにして設けられていることが好ましい。

なお、図５では、境界部の形状パターンが、透明電極部１３および透明絶縁部１４の両方のランダムパターンのパターン要素の一部分を含んでいる例が示されている。より具体的には、境界部の形状パターンが、孔部１３ａおよび島部１４ａの両方の一部分を含む例が示されている。この例では、境界部に含まれる孔部１３ａの一部分は、孔部１３ａが部分的に境界Ｌにより切断された形状を有し、その切断辺が透明電極部１３側の境界Ｌに接して設けられる。一方、境界部に含まれる島部１４ａの一部分は、島部１４ａが境界Ｌにより部分的に切断された形状を有し、その切断辺が透明絶縁部１４側の境界Ｌに接して設けられる。

（基材）
基材１１の材料としては、例えば、ガラス、プラスチックを用いることができる。ガラスとしては、例えば公知のガラスを用いることができる。公知のガラスとしては、具体的には例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなどが挙げられる。プラスチックとしては、例えば、公知の高分子材料を用いることができる。公知の高分子材料としては、具体的には例えば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリアクリレート、ポリエーテルスルホン、ポリスルフォン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ノルボルネン系熱可塑性樹脂などが挙げられる。

ガラス基材の厚みは、２０μｍ〜１０ｍｍであることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。プラスチック基材の厚さは、２０μｍ〜５００μｍであることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。

（透明導電層）
透明導電層１２の材料としては、例えば、電気的導電性を有する金属酸化物材料、金属材料、炭素材料および導電性ポリマーなどからなる群より選ばれる１種以上を用いることができる。金属酸化物材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、ガリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などが挙げられる。金属材料としては、例えば、金属ナノ粒子、金属ワイヤーなどを用いることができる。それらの具体的材料としては、例えば、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンタル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛などの金属、またはこれらの合金などが挙げられる。炭素材料としては、例えば、カーボンブラック、炭素繊維、フラーレン、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンマイクロコイルおよびナノホーンなどが挙げられる。導電性ポリマーとしては、例えば、置換または無置換のポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびこれらから選ばれる１種または２種からなる（共）重合体などを用いることができる。

透明導電層１２の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などのＰＶＤ法や、ＣＶＤ法、塗工法、印刷法など用いることができる。透明導電層１２の厚みは、パターニング前の状態（基材１１の全面に透明導電層１２が形成されている状態）にて表面抵抗が１０００Ω／□以下となるように適宜選択することが好ましい。

（第２の透明導電性素子）
図６Ａは、本技術の第１の実施形態に係る第２の透明導電性素子の一構成例を示す平面図である。図６Ｂは、図６Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。図６Ａおよび図６Ｂに示すように、第２の透明導電性素子２は、表面を有する基材２１と、この表面に設けられた透明導電層２２とを備える。ここでは、基材２１の面内において直交交差の関係にある２方向をＸ軸方向（第１方向）およびＹ軸方向（第２方向）と定義する。

透明導電層２２は、透明電極部（透明導電部）２３と透明絶縁部２４とを備える。透明電極部２３は、Ｙ軸方向に延在されたＹ電極部である。透明絶縁部２４は、いわゆるダミー電極部であり、Ｙ軸方向に延在されるとともに、透明電極部２３の間に介在されて、隣り合う透明電極部２３の間を絶縁する絶縁部である。これらの透明電極部２３と透明絶縁部２４とが、基材２１の表面にＸ軸方向に向かって交互に隣接して設けられている。第１の透明導電性素子１が有する透明電極部１３および透明絶縁部１４と、第２の透明導電性素子２が有する透明電極部２３および透明絶縁部２４とは、例えば互いに直交する関係にある。なお、図６Ａ、図６Ｂにおいて、第１の領域Ｒ₁は透明電極部２３の形成用領域を示し、第２の領域Ｒ₂は透明絶縁部２４の形成領域を示す。
第２の透明導電性素子２において、上記以外のことは第１の透明導電性素子１と同様である。

［レーザ加工装置］
次に、図７を参照しながら、透明電極部１３および透明絶縁部１４を作製するためのレーザ加工装置の一構成例について説明する。レーザ加工装置は、レーザアブレーションプロセスを利用して、透明導電層をパターニングする加工装置であり、図７に示すように、レーザ４１と、マスク部４２と、ステージ４３とを備える。マスク部４２は、レーザ４１とステージ４３との間に設けられている。レーザ４１から出射されたレーザ光はマスク部４２を介して、ステージ４３に固定された透明導電性基材１ａに到達する。

レーザ加工装置は加工倍率を調整可能に構成されており、例えば、加工倍率１／４または加工倍率１／８に加工倍率を調整可能である。以下に、加工倍率１／４および加工倍率１／８の場合におけるマスク部４２のレーザ光照射範囲とステージに固定された透明導電性基材１ａの加工範囲との関係の例を示す。
加工倍率１／４：レーザ光照射範囲８ｍｍ×８ｍｍ、加工範囲２ｍｍ×２ｍｍ
加工倍率１／８：レーザ光照射範囲８ｍｍ×８ｍｍ、加工範囲１ｍｍ×１ｍｍ

レーザ４１としては、例えば、レーザアブレーションプロセスを利用して透明導電層をパターニング可能なものであればよく特に限定されるものではないが、例示するならば、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ、波長２６６ｎｍの第三高調波フェムト秒レーザ、波長３５５ｎｍの第三高調波ＹＡＧレーザなどのＵＶレーザを用いることができる。

マスク部４２は、透明電極部１３を作製するための第１のマスクと、透明絶縁部１４を作製するための第２のマスクとを備える。マスク部４２は、第１のマスクと第２のマスクとを制御装置（図示省略）などにより切り替え可能な構成を有している。このため、レーザ加工装置では、透明電極部１３と透明絶縁部１４とを連続的に繰り返し形成することができる。

なお、透明電極部１３の単位区画１３ｐとして２種類以上の単位区画１３ｐを備える場合には、マスク部４２が２種類以上の第１のマスクを備えるようにすればよい。また、透明絶縁部１４の単位区画１４ｐとして２種類以上の単位区画１４ｐを備える場合にも同様に、マスク部４２が２種類以上の第２のマスクを備えるようにすればよい。

ステージ４３は、被加工体である透明導電性基材１ａを固定するための固定面を有する。透明導電性基材１ａは基材１１と透明導電層１２とを備え、基材１１の側の面が固定面に対向するようにステージ４３に固定される。

レーザ４１から出射されたレーザ光がマスク部４２を介してステージ４３の固定面に対して垂直に入射するように、ステージ４３の向きは調整されている。ステージ４３は、レーザ光の入射角度を一定に保った状態で、Ｘ軸方向（水平方向）およびＹ軸方向（垂直方向）に移動可能な構成を有している。

図８Ａは、透明電極部１３を作製するための第１のマスクの一構成例を示す平面図である。第１のマスク５３は、図８Ａに示すように、ガラス表面またはガラス内部の遮光層に複数の孔部（光透過要素）５３ａが離間してランダムパターンで設けられたガラスマスクであり、隣り合う孔部５３ａの間には遮光部５３ｂが介在されている。

図８Ｂは、透明絶縁部１４を作製するための第２のマスクの一構成例を示す平面図である。第２のマスク５４は、図８Ｂに示すように、ガラス表面またはガラス内部に複数の遮光部（遮光要素）５４ａが離間してランダムパターンで設けられたガラスマスクであり、隣り合う遮光部５４ａの間はレーザ光が透過可能な間隙部（光透過部）５４ｂとなっている。

遮光部５３ｂおよび遮光部５４ａは、レーザ４１から出射されたレーザ光を遮光可能な材料であればよく特に限定されるものではないが、例示するならば、クロム（Ｃｒ）などが挙げられる。

第１のマスク５３は、ランダムパターンのパターン要素である孔部５３ａが接する、または切断される辺を有していることが好ましく、第１のマスク５３を構成するすべての辺がパターン要素とこのような関係にあることがより好ましい。なお、ランダムパターンのパターン要素である孔部５３ａがすべての辺から離間されている構成を採用することも可能である。

第２のマスク５４は、ランダムパターンのパターン要素である遮光部５４ａが接する、または切断される辺を有していることが好ましく、第２のマスク５４を構成するすべての辺がパターン要素とこのような関係にあることがより好ましい。なお、ランダムパターンのパターン要素である遮光部５４ａがすべての辺から離間されている構成を採用することも可能である。孔部５３ａおよび遮光部５４ａの形状および大きさはそれぞれ、上述の孔部１３ａおよび島部１４ａの形状および大きさに応じて適宜選択される。

［透明導電性素子の製造方法］
次に、図９Ａ〜図９Ｃを参照しながら、上述の構成を有する第１の透明導電性素子１の製造方法の一例について説明する。なお、第２の透明導電性素子２は、第１の透明導電性素子１とほぼ同様にして製造することができるので、第２の透明導電性素子２の製造方法については説明を省略する。

（透明導電層の成膜工程）
まず、図９Ａに示すように、基材１１の表面上に透明導電層１２を成膜することにより、透明導電性基材１ａを作製する。透明導電層１２の成膜方法としては、ドライ系およびウエット系のいずれの成膜方法を用いることができる。

ドライ系の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＡＬＤ（Atomic Layer Disposition（原子層堆積法））などのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。

ドライ系の成膜方法を用いる場合には、透明導電層１２の成膜後に、必要に応じて、透明導電層１２に対して焼成処理（アニール処理）を施してもよい。これにより、透明導電層１２が、例えばアモルファスと多結晶との混合状態、または多結晶状態となり、透明導電層１２の導電性が向上する。

ウエット系の成膜方法としては、例えば、透明導電塗料を基材１１の表面に塗布または印刷して基材１１の表面に塗膜を形成した後、乾燥および／または焼成する方法を用いることができる。塗布法としては、例えば、マイクログラビアコート法、ワイヤーバーコート法、ダイレクトグラビアコート法、ダイコート法、ディップ法、スプレーコート法、リバースロールコート法、カーテンコート法、コンマコート法、ナイフコート法、スピンコート法などを用いることができるが、特にこれに限定されるものではない。また、印刷法としては、例えば、凸版印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、凹版印刷法、ゴム版印刷法、スクリーン印刷法などを用いることができるが、特にこれに限定されるものではない。また、透明導電性基材１ａとして、市販のものを用いることも可能である。

（透明電極部および透明絶縁部の形成工程）
次に、上述のレーザ加工装置を用いて、第１のレーザ加工工程と第２のレーザ加工工程とを交互に繰り返して、透明導電性基材１ａの透明導電層１２をパターニングする。この際、レーザ加工により発生した煤を吸引処理などにより除去するようにしてもよい。次に、必要に応じて、透明導電性基材１ａに対してエアブロー処理および／またはリンス洗浄処理などを施す。これにより、透明電極部１３および透明絶縁部１４が一方向に向かって平面的に交互に隣接して形成される。第１のレーザ加工工程は、第１のマスク５３を介してレーザ光を透明導電性基材１ａの透明導電層１２に照射することにより行われる工程である。第２のレーザ加工工程は、第２のマスク５４を介してレーザ光を透明導電性基材１ａの透明導電層１２に照射することにより行われる工程である。ここで、これらの第１のレーザ加工工程および第２のレーザ加工工程の詳細について以下に説明する。

（第１のレーザ加工工程）
図９Ｂに示すように、第１のマスク５３を介してレーザ光を透明導電性基材１ａの透明導電層１２に照射して、透明導電層１２の表面に照射部１３Ｌを形成する。これにより、透明電極部１３の単位区画１３ｐが形成される。照射部１３ＬをＸ軸方向およびＹ軸方向にそれぞれ周期Ｔｘおよび周期Ｔｙで移動させながら、この操作を透明導電層１２の第１の領域（透明電極部１３の形成領域）Ｒ₁全体に行う。これにより、単位区画１３ｐがＸ軸方向およびＹ軸方向に繰り返し周期的に形成されて透明電極部１３が得られる。

（第２のレーザ加工工程）
図９Ｃに示すように、第２のマスク５４を介してレーザ光を透明導電性基材１ａの透明導電層１２に照射して、透明導電層１２の表面に照射部１４Ｌを形成する。これにより、透明絶縁部１４の単位区画１４ｐが形成される。照射部１４ＬをＸ軸方向およびＹ軸方向にそれぞれ周期Ｔｘおよび周期Ｔｙで移動させながら、この操作を透明導電層１２の第２の領域（透明絶縁部１４の形成領域）Ｒ₂全体に行う。これにより、単位区画１４ｐがＸ軸方向およびＹ軸方向に繰り返し周期的に形成されて透明絶縁部１４が得られる。
以上により、目的とする第１の透明導電性素子１が得られる。

（レーザ加工による加工深さ）
図３３は、透明導電性シートに対してレーザ光を照射した際の加工の平均深さｄを模式的に示す。図３３中には、基材１１の表面上に透明導電層１２が成膜された透明導電性基材１ａが示されている。なお、図３３では、簡略化のため、規則的なパターンで孔部が加工された透明導電性基材１ａを示している。

図３３に示すように、レーザ加工で、透明導電性基材１ａに孔部を形成（パターニング）した場合には、アブレーションによって、透明導電層１２だけでなく基材１１まで加工されてしまう。これに対して、基材１１の種類にもよるが、ｗｅｔエッチングによる透明導電性基材１ａの加工では基材１１には孔部が形成されないのが一般である。このため、レーザ加工を用いてパターニングしているか否かは、光学顕微鏡などで、基材１１のレーザ加工部の状態（例えば、平均深さｄなどの形状）を評価することによって確認できる。なお、加工した孔部が絶縁部として機能するのであれば、基材１１に、アブレーションが生じるように加工しても良い。

［効果］
第１の実施形態によれば、第１の透明導電性素子１は、基材１１の表面に平面的に交互に隣接して設けられた透明電極部１３および透明絶縁部１４を備えている。そして、透明電極部１３は、ランダムパターンを有する単位区画１３ｐが繰り返された構成を有するとともに、透明絶縁部１４は、ランダムパターンを有する単位区画１４ｐが繰り返された構成を有している。したがって、ランダムパターンを大面積で容易に形成することができる。

単位区画１３ｐの孔部１３ａおよび単位区画１４ｐの島部１４ａをランダムパターンで設けているので、モアレの発生を抑制することができる。

第１の透明導電性素子１は、基材１１の表面に平面的に交互に隣接して設けられた透明電極部１３および透明絶縁部１４を備えているので、透明電極部１３と透明絶縁部１４との反射率差を低減できる。したがって、透明電極部１３の視認を抑制することができる。

透明電極部１３と透明絶縁部１４との境界部に形状パターンをさらに設けた場合には、境界部の視認をさらに抑制することができる。したがって、透明電極部１３の視認をさらに抑制することができる。

第２の透明導電性素子２は、基材２１の表面に平面的に交互に隣接して設けられた透明電極部２３および透明絶縁部２４を備えている。透明電極部２３および透明絶縁部２４は、第１の透明導電性素子１の透明電極部１３および透明絶縁部１４と同様の構成を有している。したがって、第２の透明導電性素子２でも、第１の透明導電性素子１と同様の効果を得ることができる。

重ね合わせた第１の透明導電性素子１と第２の透明導電性素子２とを情報入力装置１０に備えた場合には、透明電極部１３および透明電極部２３の視認を抑制することができる。したがって、視認性に優れた情報入力装置１０を実現することができる。さらにこの情報入力装置１０を表示装置４の表示面に備えた場合には、情報入力装置１０の視認を抑制することができる。

レーザ加工は他のプロセスと比べて微細加工の点において、例えば次のような利点を有している。すなわち、スクリーン印刷などのウェットプロセスではＬ／Ｓ＝３０μｍ程度のパターン精度であるのに対し、レーザ加工プロセスではＬ／Ｓ＜１０μｍのパターン精度を実現できる。なお、ここで、Ｌはパターン線幅であり、Ｓは線間隔である。

ＵＶレーザを用いてレーザ加工を行った場合には、ＰＥＴフィルムなどの基材１１、２１のエッチング液などによる損傷を抑制することができる。したがって、金属ナノワイヤーやインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を含む透明導電層を選択的にアブレーションすることができる。

（変形例）
以下、第１の実施形態の変形例について説明する。

（透明電極部）
図１０Ａは、透明電極部の単位区画の変形例を示す平面図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。透明電極部１３の単位区画１３ｐは、図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように、ランダムな網目状に設けられた透明導電部１３ｂからなる透明導電層１２である。透明導電部１３ｂは、ランダムな方向に延設されており、延設された透明導電部１３ｂによって独立した孔部１３ａが形成されている。したがって、透明電極部１３の単位区画１３ｐには、複数の孔部１３ａがランダムに設けられている。透明導電部１３ｂは、例えば、透明導電層１２が設けられた側の面から第１の透明導電性素子１を見た場合、ランダムな線状を有している。

（透明絶縁部）
図１０Ｃは、透明絶縁部の単位区画の変形例を示す平面図である。図１０Ｄは、図１０Ｃに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。透明絶縁部１４の単位区画１４ｐは、図１０Ｃおよび図１０Ｄに示すように、ランダムな網目状に間隙部１４ｂが設けられた透明導電層１２である。具体的には、単位区画１４ｐに配置された透明導電層１２は、ランダムな方向に延設された間隙部１４ｂによって独立した島部１４ａに分割されている。すなわち、単位区画１４ｐは、透明導電層１２を用いて構成されており、ランダムな方向に延設された間隙部１４ｂによって透明導電層１２を分割してなる島部１４ａのパターンが、ランダムパターンとして配置されているのである。これらの島部１４ａのパターン（すなわちランダムパターン）は、例えば、ランダムな方向に延設された間隙部１４ｂによって、ランダムな多角形に分割されたものとなる。なお、延設方向がランダムな間隙部１４ｂ自体も、ランダムパターンとなる。間隙部１４ｂは、例えば、透明導電層１２が設けられた側の面から第１の透明導電性素子１を見た場合、ランダムな線状を有している。間隙部１４ｂは、例えば、島部１４ａ間に設けられた溝部である。

ここで、単位区画１４ｐに設けられた各間隙部１４ｂは、単位区画１４ｐにおいてランダムな方向に延設されたものである。延設方向に対して垂直方向の幅（線幅と称する）は、例えば同一の線幅に選ばれる。この単位区画１４ｐにおいては、各間隙部１４ｂの線幅によって、透明導電層１２による被覆率が調整されている。この単位区画１４ｐにおける透明導電層１２の被覆率は、透明電極部１３における透明導電層１２の被覆率と同程度となるように設定されることが好ましい。ここで同程度とは、透明電極部１３および透明絶縁部１４がパターンとして視認できない程度を意味する。

（ハードコート層）
図１１Ａに示すように、第１の透明導電性素子１の両表面のうち、少なくとも一方の表面にハードコート層６１を設けるようにしてもよい。これにより、基材１１にプラスチック基材を用いる場合、工程上での基材１１の傷付き防止、耐薬品性付与、オリゴマーなどの低分子量物の析出を抑制することができる。ハードコート材料には、光または電子線などにより硬化する電離放射線硬化型樹脂、または熱により硬化する熱硬化型樹脂を用いることが好ましく、紫外線により硬化する感光性樹脂が最も好ましい。このような感光性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリオールアクリレート、ポリエーテルアクリレート、メラミンアクリレートなどのアクリレート系樹脂を用いることができる。例えば、ウレタンアクリレート樹脂は、ポリエステルポリオールにイソシアネートモノマー、あるいはプレポリマーを反応させ、得られた生成物に、水酸基を有するアクリレートまたはメタクリレート系のモノマーを反応させることによって得られる。ハードコート層６１の厚みは、１μｍ〜２０μｍであることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。

ハードコート層６１は、次のようにして形成される。まず、ハードコート塗料を基材１１の表面に塗工する。塗工方法は、特に限定されるものではなく公知の塗工方法を用いることができる。公知の塗工方法としては、例えば、マイクログラビアコート法、ワイヤーバーコート法、ダイレクトグラビアコート法、ダイコート法、ディップ法、スプレーコート法、リバースロールコート法、カーテンコート法、コンマコート法、ナイフコート法、スピンコート法などが挙げられる。ハードコート塗料は、例えば、二官能以上のモノマーおよび／またはオリゴマーなどの樹脂原料、光重合開始剤、および溶剤を含有する。次に、必要に応じて、基材１１の表面に塗工されたハードコート塗料を乾燥させることにより、溶剤を揮発させる。次に、例えば電離放射線照射または加熱により、基材１１の表面のハードコート塗料を硬化させる。なお、上述した第１の透明導電性素子１と同様にして、第２の透明導電性素子２の両表面のうち、少なくとも一方の表面にハードコート層６１を設けるようにしてもよい。

（光学調整層）
図１１Ｂに示すように、第１の透明導電性素子１の基材１１と透明導電層１２との間に光学調整層６２を介在させることが好ましい。これにより、透明電極部１３のパターン形状の非視認性をアシストすることができる。光学調整層６２は、例えば屈折率が異なる２層以上の積層体から構成され、低屈折率層側に透明導電層１２が形成される。より具体的には、光学調整層６２としては、たとえば、従来公知の光学調整層を用いることができる。このような光学調整層としては、例えば、特開２００８−９８１６９号公報、特開２０１０−１５８６１号公報、特開２０１０−２３２８２号公報、特開２０１０−２７２９４号公報に記載されているものを用いることができる。なお、上述した第１の透明導電性素子１と同様に、第２の透明導電性素子２の基材２１と透明導電層２２との間に光学調整層６２を介在させるようにしてもよい。

（密着補助層）
図１１Ｃに示すように、第１の透明導電性素子１の透明導電層１２の下地層として密着補助層６３を設けることが好ましい。これにより、基材１１に対する透明導電層１２の密着性を向上することができる。密着補助層６３の材料としては、例えば、ポリアクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、および金属元素の塩化物や過酸化物やアルコキシドなどの加水分解および脱水縮合生成物などを用いることができる。

密着補助層６３を用いるのではなく、透明導電層１２を設ける表面にグロー放電またはコロナ放電を照射する放電処理を用いるようにしてもよい。また、透明導電層１２を設ける表面に、酸またはアルカリで処理する化学薬品処理法を用いてもよい。また、透明導電層１２を設けた後、カレンダー処理により密着を向上させるようにしてもよい。なお、第２の透明導電性素子２においても、上述した第１の透明導電性素子１と同様に密着補助層６３を設けるようにしてもよい。また、上述の密着性向上のための処理を施すようにしてもよい。

（シールド層）
図１１Ｄに示すように、第１の透明導電性素子１にシールド層６４を設けることが好ましい。例えば、シールド層６４が設けられたフィルムを第１の透明導電性素子１に透明粘着剤層を介して貼り合わせるようにしてもよい。また、Ｘ電極およびＹ電極が１枚の基材１１の同じ面側に形成されてある場合、それとは反対側にシールド層６４を直接形成してもよい。シールド層６４の材料としては、透明導電層１２と同様の材料を用いることができる。シールド層６４の形成方法としても、透明導電層１２と同様の方法を用いることができる。但し、シールド層６４はパターニングせず基材１１の表面全体に形成された状態で使用される。第１の透明導電性素子１にシールド層６４を形成することで、表示装置４から発せられる電磁波などに起因するノイズを低減し、情報入力装置１０の位置検出の精度を向上させることができる。なお、上述した第１の透明導電性素子１と同様に、第２の透明導電性素子２にシールド層６４を設けるようにしてもよい。

（反射防止層）
図１２Ａに示すように、第１の透明導電性素子１に反射防止層６５をさらに設けることが好ましい。反射防止層６５は、例えば、第１の透明導電性素子１の両主面のうち、透明導電層１２が設けられる側とは反対側の主面に設けられる。

反射防止層６５としては、例えば、低屈折率層またはモスアイ構造体などを用いることができる。反射防止層６５として低屈折率層を用いる場合には、基材１１と反射防止層６５との間にハードコート層をさらに設けるようにしてもよい。なお、上述した第１の透明導電性素子１と同様に、第２の透明導電性素子２にも反射防止層６５をさらに設けるようにしてもよい。

図１２Ｂは、反射防止層６５を設けた第１の透明導電性素子および第２の透明導電性素子の適用例を示す断面図である。図１２Ｂに示すように、第１の透明導電性素子１および第２の透明導電性素子２は、それら両主面のうち反射防止層６５が設けられた側の主面が表示装置４の表示面に対向するようにして、表示装置４上に配置される。このような構成を採用することで、表示装置４の表示面からの光の透過率を向上し、表示装置４の表示性能を向上することができる。

（レーザ加工装置）
図３２は、レーザ加工装置の変形例を示す模式図である。レーザ加工装置は、ステージ４３、マスク４４、レンズ４５およびレーザ（図示省略）を備えている。マスク４４は、被加工物である透明導電性基材１ａよりも大きいサイズを有している。マスク４４は、ステージ４３と同期してＸ軸方向およびＹ軸方向に移動可能に構成されている。レーザ光Ｌは、マスク４４およびレンズ４５を介して、透明導電性基材１ａの透明導電層に照射される。

以下に、上述の構成を有するレーザ加工装置の動作について説明する。
まず、パターンを有するマスクを介して被加工体である透明導電性基材１ａの透明導電層に対してレーザ光を照射する。次に、マスク４４とステージ４３とを同期してＸ軸方向および／またはＹ軸方向に移動させることにより、マスクに対するレーザ光の照射位置を移動させる。これにより、透明導電性基材１ａの透明導電層のほぼ全体が加工されて、透明電極部１３および透明絶縁部１４が一方向に向かって平面的に交互に隣接して形成される。
この変形例のレーザ加工装置では、単位区画１３ｐ、１４ｐなどのパターンの重なりやパターン間の未加工領域が発生しないため、第１の透明導電性素子１などの特性を向上することができるという利点が得られる。

＜２．第２の実施形態＞
［透明導電性素子の構成］
図１３Ａは、本技術の第２の実施形態に係る第１の透明導電性素子の一構成例を示す平面図である。第２の実施形態に係る第１の透明導電性素子１は、透明電極部１３および透明絶縁部１４の境界部に境界パターンを有する単位区画１５ｐをさらに備える点において、第１の実施形態に係る第１の透明導電性素子１とは異なっている。

単位区画１５ｐは、例えば、Ｙ軸方向（すなわち境界部の延在方向）に向かって周期Ｔｙで繰り返し設けられている。図１３Ａでは、単位区画１５ｐが１種類である場合が例として示されているが、単位区画１５ｐを２種類以上としてもよい。この場合、同一種類の単位区画１５ｐがＹ軸方向に周期的またはランダムに繰り返されるようにすることが可能である。

単位区画１５ｐの形状は、境界部に隙間無く繰り返し設けることが可能な形状であればよく特に限定されるものではないが、例示するならば、三角形状、四角形状、六角形状もしくは八角形状などの多角形状、または不定形状などが挙げられる。

単位区画１５ｐは、図１３Ａに示すように、ランダムな形状パターンが設けられた境界部を有している。このように境界部にランダムな形状パターンを設けることで、境界部の視認を抑制することができる。境界部の形状パターンとしては、上述の第１の実施形態と同様のパターンを採用することも可能であるが、透明電極部１３および透明絶縁部１４のランダムパターンのパターン要素以外の形状であってもよい。

単位区画１５ｐは、第１の区画１５ａと第２の区画１５ｂとを備え、両区画が境界Ｌにおいて接合されている。第１の区画１５ａは、例えば、透明電極部１３の単位区画１３ｐの一部である。一方、第２の区画１５ｂは、例えば、透明絶縁部１４の単位区画１４ｐの一部である。具体的には、第１の区画１５ａは、境界Ｌにより単位区画１３ｐが部分的に切断された区画であり、その切断辺が透明電極部１３側の境界Ｌに接して設けられている。一方、第２の区画１５ｂは、境界Ｌにより単位区画１４ｐが部分的に切断された区画であり、その切断辺が透明絶縁部１４側の境界Ｌに接して設けられている。

なお、図１３Ａでは、単位区画１５ｐの第１の区画１５ａおよび第２の区画１５ｂがそれぞれ、単位区画１３ｐおよび単位区画１４ｐの半分により構成される例が示されている。第１の区画１５ａおよび第２の区画１５ｂを構成する単位区画１３ｐおよび単位区画１４ｐの大きさはこれに限定されるものではなく両者の大きさは任意選択可能である。また、第１の区画１５ａおよび第２の区画１５ｂのランダムパターンとして、単位区画１３ｐおよび単位区画１４ｐとは異なるランダムパターンを用いることも可能である。第１の区画１５ａおよび第２の区画１５ｂのランダムパターンに代えて、規則パターンを用いることも可能である。

［レーザ加工装置］
レーザ加工装置のマスク部４２は、上述の第１の実施形態における第１のマスク５３および第２のマスク５４に加えて、透明電極部１３および透明絶縁部１４の境界部に境界パターンを作製するための第３のマスクをさらに備える。

マスク部４２は、第１のマスク５３と第２のマスク５４と第３のマスクとを制御装置（図示省略）などにより切り替え可能な構成を有している。このため、レーザ加工装置では、透明電極部１３と透明絶縁部１４とそれらの境界部とを連続的に繰り返し形成することができる。なお、単位区画１５ｐとして２種類以上の単位区画１５ｐを備える場合には、マスク部４２が２種類以上の第３のマスクを備えるようにすればよい。

図１３Ｂは、透明電極部１３および透明絶縁部１４の境界部に境界パターンを作製するための第３のマスクの一構成例を示す平面図である。第３のマスク５５は、図１３Ｂに示すように、第１の区画５５ａおよび第２の区画５５ｂを備え、両区画が境界Ｌにおいて接合されている。第１の区画５５ａは、例えば、第１のマスク５３の一部である。一方、第２の区画５５ｂは、例えば、第２のマスク５４の一部である。具体的には、第１の区画５５ａは、境界Ｌにより第１のマスク５３が部分的に切断された区画であり、その切断辺が境界Ｌの一方の側に接して設けられている。一方、第２の区画５５ｂは、境界Ｌにより第２のマスク５４が部分的に切断された区画であり、その切断辺が境界Ｌの他方の側に接して設けられている。

なお、図１３Ｂでは、第３のマスク５５の第１の区画５５ａおよび第２の区画５５ｂがそれぞれ、第１のマスク５３および第２のマスク５４の半分により構成される例が示されている。第１の区画５５ａおよび第２の区画５５ｂをそれぞれ構成する第１のマスク５３ｐおよび第２のマスク５４の大きさはこれに限定されるものではなく両者の大きさは任意選択可能である。また、第１の区画５５ａおよび第２の区画５５ｂのランダムパターンとして、第１のマスク５３および第２のマスク５４とは異なるランダムパターンを用いることも可能である。第１のマスク５３および第２のマスク５４のランダムパターンに代えて、規則パターンを用いることも可能である。

［透明導電性素子の製造方法］
第２の実施形態に係る第１の透明導電性素子の製造方法は、透明電極部および透明絶縁部の形成工程において、第１のレーザ加工工程および第２のレーザ加工工程との間に、第３のレーザ加工工程をさらに備える点において、第１の実施形態に係る第１の透明導電性素子の製造方法とは異なっている。第３のレーザ加工工程は、透明電極部１３および透明絶縁部１４の境界部に境界パターンを作製するための工程である。以下、第３のレーザ加工工程について説明する。

（第３のレーザ加工工程）
第３のマスク５５を介してレーザ光を透明導電性基材１ａの透明導電層１２に照射して、透明導電層１２の表面に照射部を形成する。これにより、境界部の単位区画１５ｐが形成される。照射部をＹ軸方向（すなわち境界部の延在方向）に周期Ｔｙで移動させながら、この操作を順次繰り返し行う。これにより、単位区画１５ｐがＹ軸方向に繰り返し周期的に形成されて、ランダムな形状パターンが設けられた境界部が得られる。

第２の実施形態において上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。

＜３．第３の実施形態＞
［透明導電性素子の構成］
（透明電極部、透明絶縁部）
図１４Ａは、第１の透明導電性素子の透明電極部の一構成例を示す平面図である。図１５Ａは、透明電極部の単位区画の一構成例を示す平面図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。透明電極部１３は、孔部１３ａの規則パターンを有する単位区画１３ｐが繰り返し設けられた透明導電層１２である。

図１４Ｂは、第１の透明導電性素子の透明絶縁部の一構成例を示す平面図である。図１５Ｃは、透明絶縁部の単位区画の一構成例を示す平面図である。図１５Ｄは、図１５Ｃに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。透明絶縁部１４は、島部１４ａの規則パターンを有する単位区画１４ｐが繰り返し設けられた透明導電層１２である。

（境界部）
透明電極部１３と透明絶縁部１４との境界部には、規則的な形状パターンが設けられている。このように境界部に規則的な形状パターンを設けることで、境界部の視認を抑制することができる。

図１６は、境界部の形状パターンの一例を示す平面図である。境界部の形状パターンは、透明電極部１３および透明絶縁部１４の少なくとも一方の規則パターンのパターン要素の全体および／または一部分を含んでいることが好ましい。より具体的には、境界部の形状パターンは、孔部１３ａの全体、孔部１３ａの一部分、島部１４ａの全体および島部１４ａの一部分からなる群より選ばれる１種以上の形状を含んでいることが好ましい。

単位区画１３ｐは、規則パターンのパターン要素である孔部１３ａが接する、または切断される辺を有し、この辺が、透明電極部１３および透明絶縁部１４の境界Ｌに接するまたはほぼ接するようにして設けられていることが好ましい。

単位区画１４ｐは、規則パターンのパターン要素である島部１４ａが接する、または切断される辺を有し、この辺が、透明電極部１３および透明絶縁部１４の境界Ｌに接するまたはほぼ接するようにして設けられていることが好ましい。

なお、図１６では、境界部の形状パターンが、透明電極部１３および透明絶縁部１４の両方の規則パターンの一部分を含んでいる例が示されている。より具体的には、境界部の形状パターンが、孔部１３ａおよび島部１４ａの両方の一部分を含む例が示されている。この例では、境界部に含まれる孔部１３ａの一部分は、孔部１３ａが部分的に境界Ｌにより切断された形状を有し、その切断辺が透明電極部１３側の境界Ｌに接して設けられる。一方、境界部に含まれる島部１４ａの一部分は、島部１４ａが境界Ｌにより部分的に切断された形状を有し、その切断辺が透明絶縁部１４側の境界Ｌに接して設けられる。

［透明導電性素子の製造方法］
第３の実施形態に係る第１の透明導電性素子の製造方法では、第１のマスク５３として、離間して規則パターンで設けられた複数の孔部（光透過要素）５３ａを有するものを用いる。第２のマスク５４として、離間して規則パターンで設けられた複数の遮光部（遮光要素）５４ａを有するものを用いる。

第３の実施形態において上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。

＜４．第４の実施形態＞
［透明導電性素子の構成］
図１７Ａは、本技術の第４の実施形態に係る第１の透明導電性素子の一構成例を示す平面図である。第４の実施形態に係る第１の透明導電性素子１は、透明電極部１３および透明絶縁部１４の境界部に境界パターンを有する単位区画１５ｐをさらに備える点において、第３の実施形態に係る第１の透明導電性素子１とは異なっている。

単位区画１５ｐは、図１７Ａに示すように、規則的な形状パターンが設けられた境界部を有している。このように境界部に規則的な形状パターンを設けることで、境界部の視認を抑制することができる。境界部の形状パターンとしては、上述の第３の実施形態と同様のパターンを採用することも可能であるが、透明電極部１３および透明絶縁部１４の規則パターンのパターン要素以外の形状であってもよい。

なお、図１７Ａでは、単位区画１５ｐの第１の区画１５ａおよび第２の区画１５ｂがそれぞれ、単位区画１３ｐおよび単位区画１４ｐの半分により構成される例が示されている。第１の区画１５ａおよび第２の区画１５ｂをそれぞれ構成する単位区画１３ｐおよび単位区画１４ｐの大きさはこれに限定されるものではなく両者の大きさは任意選択可能である。また、第１の区画１５ａおよび第２の区画１５ｂの規則パターンとして、単位区画１３ｐおよび単位区画１４ｐとは異なる規則パターンを用いることも可能である。第１の区画１５ａおよび第２の区画１５ｂの規則パターンに代えて、ランダムパターンを用いることも可能である。

［レーザ加工装置］
レーザ加工装置のマスク部４２が、上述の第３の実施形態における第１のマスク５３および第２のマスク５４に加えて、透明電極部１３および透明絶縁部１４の境界部に境界パターンを作製するための第３のマスクをさらに備える。

図１７Ｂは、透明電極部１３および透明絶縁部１４の境界部に境界パターンを作製するための第３のマスクの一構成例を示す平面図である。第３のマスク５５は、図１７Ｂに示すように、第１の区画５５ａおよび第２の区画５５ｂを備え、両区画が境界Ｌにおいて接合されている。

なお、図１７Ｂでは、第３のマスク５５の第１の区画５５ａおよび第２の区画５５ｂがそれぞれ、第１のマスク５３および第２のマスク５４の半分により構成される例が示されている。第１の区画５５ａおよび第２の区画５５ｂをそれぞれ構成する第１のマスク５３および第２のマスク５４の大きさはこれに限定されるものではなく両者の大きさは任意選択可能である。また、第１の区画５５ａおよび第２の区画５５ｂの規則パターンとして、第１のマスク５３および第２のマスク５４とは異なる規則パターンを用いることも可能である。第１のマスク５３および第２のマスク５４の規則パターンに代えて、ランダムパターンを用いることも可能である。

［透明導電性素子の製造方法］
第４の実施形態に係る第１の透明導電性素子の製造方法は、上述のレーザ加工装置を用いる以外のことは第２の実施形態に係る第１の透明導電性素子の製造方法と同様である。

第４の実施形態において上記以外のことは、第２の実施形態と同様である。

＜５．第５の実施形態＞
［透明導電性素子の構成］
（透明電極部、透明絶縁部）
図１８は、本技術の第５の実施形態に係る第１の透明導電性素子の一構成例を示す平面図である。第５の実施形態に係る第１の透明導電性素子１は、図１８に示すように、連続的に設けられた透明導電層１２を透明電極部１３として備える点において、第１の実施形態に係る第１の透明導電性素子とは異なっている。

透明電極部１３は、第１の領域（電極領域）Ｒ₁において基材１１の表面を孔部１３ａによって露出することなく、連続的に設けられた透明導電層（連続膜）１２である。但し、第１の領域（電極領域）Ｒ₁と第２の領域（絶縁領域）Ｒ₂との境界部は除くものとする。連続膜である透明導電層１２は、ほぼ一様な膜厚を有していることが好ましい。

（境界部）
透明電極部１３と透明絶縁部１４との境界部には、ランダムな形状パターンが設けられている。このように境界部にランダムな形状パターンを設けることで、境界部の視認を抑制することができる。

境界部の形状パターンは、島部１４ａの全体および島部１４ａの一部分からなる群より選ばれる１種以上の形状を含んでいる。具体的には例えば、境界部の形状パターンは、島部１４ａの全体、島部１４ａの一部分、または島部１４ａの全体および一部分の両方を含んでいる。

図１８では、境界部の形状パターンが、島部１４ａの一部分を含む例が示されている。この例では、境界部に含まれる島部１４ａの一部分は、例えば、島部１４ａが境界Ｌにより部分的に切断された形状を有し、その切断辺が透明絶縁部１４側の境界Ｌに接して設けられる。

［透明導電性素子の製造方法］
第４の実施形態に係る第１の透明導電性素子１の製造方法では、第１のレーザ加工工程を省略し、第２のレーザ加工工程のみを繰り返し行う点において、第１の実施形態に係る第１の透明導電性素子１の製造方法と異なっている。第２のレーザ加工工程のみを繰り返して行うことで、透明導電層１２の第２の領域（透明絶縁部１４の形成領域）Ｒ₂がパターニングされるのに対して、透明導電層１２の第１の領域（透明電極部１３の形成領域）Ｒ₁はパターニングされず、透明導電層１２が連続膜として残留する。

第５の実施形態において上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。

＜６．第６の実施形態＞
［透明導電性素子の構成］
（透明電極部、透明絶縁部）
図１９Ａは、本技術の第６の実施形態に係る第１の透明導電性素子の一構成例を示す平面図である。第６の実施形態に係る第１の透明導電性素子１は、透明電極部１３および透明絶縁部１４の境界部に境界パターンを有する単位区画１５ｐをさらに備える点において、第５の実施形態に係る第１の透明導電性素子１とは異なっている。

単位区画１５ｐは、図１９Ａに示すように、ランダムな形状パターンが設けられた境界部を有している。このように境界部にランダムな形状パターンを設けることで、境界部の視認を抑制することができる。境界部の形状パターンとしては、上述の第５の実施形態と同様のパターンを採用することも可能であるが、透明電極部１３および透明絶縁部１４の規則パターンのパターン要素以外の形状であってもよい。

なお、図１９Ａでは、単位区画１５ｐの第１の区画１５ａおよび第２の区画１５ｂがそれぞれ、単位区画１３ｐ（連続膜であるため仮想的な単位区画）および単位区画１４ｐの半分により構成される例が示されている。第１の区画１５ａおよび第２の区画１５ｂをそれぞれ構成する単位区画１３ｐおよび単位区画１４ｐの大きさはこれに限定されるものではなく両者の大きさは任意選択可能である。また、第２の区画１５ｂの規則パターンとして、単位区画１４ｐとは異なる規則パターンを用いることも可能である。第２の区画１５ｂのランダムパターンに代えて、規則パターンを用いることも可能である。

［レーザ加工装置］
レーザ加工装置のマスク部４２が、上述の第５の実施形態における第１のマスク５３および第２のマスク５４に加えて、透明電極部１３および透明絶縁部１４の境界部に境界パターンを作製するための第３のマスクをさらに備える。

図１９Ｂは、透明電極部１３および透明絶縁部１４の境界部に境界パターンを作製するための第３のマスクの一構成例を示す平面図である。第３のマスク５５は、図１９Ｂに示すように、第１の区画５５ａおよび第２の区画５５ｂを備え、両区画が境界Ｌにおいて接合されている。

なお、図１９Ｂでは、第３のマスク５５の第１の区画５５ａおよび第２の区画５５ｂがそれぞれ、第１のマスク５３および第２のマスク５４の半分により構成される例が示されている。第１の区画５５ａおよび第２の区画５５ｂをそれぞれ構成する第１のマスク５３および第２のマスク５４の大きさはこれに限定されるものではなく両者の大きさは任意選択可能である。また、第２の区画５５ｂのランダムパターンとして、第２のマスク５４とは異なる規則パターンを用いることも可能である。第２のマスク５４のランダムパターンに代えて、規則パターンを用いることも可能である。

［透明導電性素子の製造方法］
第６の実施形態に係る第１の透明導電性素子の製造方法は、上述のレーザ加工装置を用いる以外のことは第５の実施形態に係る第１の透明導電性素子の製造方法と同様である。

第６の実施形態において上記以外のことは、第５の実施形態と同様である。

＜７．第７の実施形態＞
［透明導電性素子の構成］
図２０Ａは、本技術の第７の実施形態に係る第１の透明導電性素子の一構成例を示す平面図である。透明電極部１３は、孔部１３ａのランダムパターンを有する単位区画１３ｐが繰り返し設けられた透明導電層１２である。具体的には、透明電極部１３の構成は、第１の実施形態における透明電極部１３と同様である。透明絶縁部１４は、島部１４ａの規則パターンを有する単位区画１４ｐが繰り返し設けられた透明導電層１２である。具体的には、透明絶縁部１４の構成は、第３の実施形態に係る透明絶縁部１４と同様である。

図２０Ｂに示すように、透明電極部１３と透明絶縁部１４との間に境界パターンを有する単位区画１５ｐをさらに備えるようにしてもよい。

第７の実施形態において上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。

＜８．第８の実施形態＞
［透明導電性素子の構成］
図２１Ａは、本技術の第８の実施形態に係る第１の透明導電性素子の一構成例を示す平面図である。透明電極部１３は、孔部１３ａの規則パターンを有する単位区画１３ｐが繰り返し設けられた透明導電層１２である。具体的には、透明電極部１３の構成は、第３の実施形態における透明電極部１３と同様である。透明絶縁部１４は、島部１４ａのランダムパターンを有する単位区画１４ｐが繰り返し設けられた透明導電層１２である。具体的には、透明絶縁部１４の構成は、第１の実施形態に係る透明絶縁部１４と同様である。

図２１Ｂに示すように、透明電極部１３と透明絶縁部１４との間に境界パターンを有する単位区画１５ｐをさらに備えるようにしてもよい。

第８の実施形態において上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。

＜９．第９の実施形態＞
［透明導電性素子の構成］
図２２Ａは、本技術の第９の実施形態に係る第１の透明導電性素子の一構成例を示す平面図である。図２２Ｂは、本技術の第９の実施形態に係る第２の透明導電性素子の一構成例を示す平面図である。第９の実施形態は、透明電極部１３、透明絶縁部１４、透明電極部２３および透明絶縁部２４の構成以外は、第１の実施形態と同様である。

透明電極部１３は、複数のパッド部（単位電極体）１３ｍと、複数のパッド部１３ｍ同士を連結する複数の連結部１３ｎとを備える。連結部１３ｎは、Ｘ軸方向に延在されており、隣り合うパッド部１３ｍの端部同士を連結する。パッド部１３ｍと連結部１３ｎとは一体的に形成されている。

透明電極部２３は、複数のパッド部（単位電極体）２３ｍと、複数のパッド部２３ｍ同士を連結する複数の連結部２３ｎとを備える。連結部２３ｎは、Ｙ軸方向に延在されており、隣り合うパッド部２３ｍの端部同士を連結する。パッド部２３ｍと連結部２３ｎとは一体的に形成されている。

パッド部１３ｍおよびパッド部２３ｍの形状としては、例えば、菱形（ダイヤモンド形）や矩形などの多角形状、星形、および十字形などを用いることができるが、これらの形状に限定されるものではない。

連結部１３ｎおよび連結部２３ｎの形状としては矩形状を採用することができるが、連結部１３ｎおよび連結部２３ｎの形状は隣り合うパッド部１３ｍおよびパッド部２３ｍ同士を連結可能な形状であればよく特に矩形状に限定されるものではない。矩形状以外の形状の例としては、線状、長円状、三角形状、不定形状などを挙げることができる。

更なる非視認性向上のためには、第１の透明導電性素子（Ｘ電極）１と第２の透明導電性素子（Ｙ電極）２の両方を重ねた状態における両素子の被覆率の関係を設定することが好ましい。

第９の実施形態において上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。

［効果］
第９の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

＜１０．第１０の実施形態＞
［情報入力装置の構成］
図２３は、本技術の第１０の実施形態に係る情報入力装置の一構成例を示す断面図である。第１０の実施形態に係る情報入力装置１０は、基材２１の一方の主面（第１の主面）に透明導電層１２を備え、他方の主面（第２の主面）に透明導電層２２を備える点において、第１の実施形態に係る情報入力装置１０とは異なっている。透明導電層１２は、透明電極部と透明絶縁部とを備える。透明導電層２２は、透明電極部と透明絶縁部とを備える。透明導電層１２の透明電極部は、Ｘ軸方向に延在されたＸ電極部であり、透明導電層２２の透明電極部は、Ｙ軸方向に延在されたＹ電極部である。したがって、透明導電層１２および透明導電層２２の透明電極部は互いに直交する関係にある。

第１０の実施形態において上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。

［効果］
第１０の実施形態によれば、第１の実施形態の効果に加えて以下の効果をさらに得ることができる。すなわち、基材２１の一方の主面に透明導電層１２を設け、他方の主面に透明導電層２２を設けているので、第１の実施形態における基材１１（図１）を省略することができる。したがって、情報入力装置１０をさらに薄型化することができる。

＜１１．第１１の実施形態＞
［情報入力装置の構成］
図２４Ａは、本技術の第１１の実施形態に係る情報入力装置の一構成例を示す平面図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。情報入力装置１０は、いわゆる投影型静電容量方式タッチパネルであり、図２４Ａおよび図２４Ｂに示すように、基材１１と、複数の透明電極部１３および透明電極部２３と、透明絶縁部１４と、透明絶縁層５１とを備える。複数の透明電極部１３および透明電極部２３は、基材１１の同一の表面に設けられている。透明絶縁部１４は、基材１１の面内方向における透明電極部１３および透明電極部２３の間に設けられている。透明絶縁層５１は、透明電極部１３および透明電極部２３の交差部間に介在されている。

また、図２４Ｂに示すように、必要に応じて、透明電極部１３および透明電極部２３が形成された基材１１の表面に光学層５２をさらに備えるようにしてもよい。なお、図２４Ａでは、光学層５２の記載を省略している。光学層５２は、貼合層５６と、基体５７とを備え、貼合層５６を介して基体５７が基材１１の表面に貼り合わされている。情報入力装置１０は、表示装置の表示面に対して適用して好適なものである。基材１１および光学層５２は、例えば、可視光に対して透明性を有しており、その屈折率ｎは、１．２以上１．７以下の範囲内であることが好ましい。以下では、情報入力装置１０の表面の面内で互いに直交する２方向をそれぞれＸ軸方向、およびＹ軸方向とし、その表面に垂直な方向をＺ軸方向と称する。

（透明電極部）
透明電極部１３は、基材１１の表面においてＸ軸方向（第１の方向）に延在されているに対して、透明電極部２３は、基材１１の表面においてＹ軸方向（第２の方向）に向かって延在されている。したがって、透明電極部１３と透明電極部２３とは互いに直交交差している。透明電極部１３と透明電極部２３とが交差する交差部Ｃには、両電極間を絶縁するための透明絶縁層５１が介在されている。透明電極部１３および透明電極部２３の一端にはそれぞれ、取り出し電極が電気的に接続され、この取り出し電極と駆動回路とがＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）を介して接続されている。

図２５Ａは、図２４Ａに示した交差部Ｃの付近を拡大して示す平面図である。図２５Ｂは、図２５Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。透明電極部１３は、複数のパッド部（単位電極体）１３ｍと、複数のパッド部１３ｍ同士を連結する複数の連結部１３ｎとを備える。連結部１３ｎは、Ｘ軸方向に延在されており、隣り合うパッド部１３ｍの端部同士を連結する。透明電極部２３は、複数のパッド部（単位電極体）２３ｍと、複数のパッド部２３ｍ同士を連結する複数の連結部２３ｎとを備える。連結部２３ｎは、Ｙ軸方向に延在されており、隣り合うパッド部２３ｍの端部同士を連結する。

交差部Ｃでは、連結部２３ｎ、透明絶縁層５１、連結部１３ｎがこの順序で基材１１の表面に積層されている。連結部１３ｎは、透明絶縁層５１を横断して跨ぐように形成され、透明絶縁層５１を跨いだ連結部１３ｎの一端が、隣り合うパッド部１３ｍの一方と電気的に接続され、透明絶縁層５１を跨いだ連結部１３ｎの他端が、隣り合うパッド部１３ｍの他方と電気的に接続される。

パッド部２３ｍと連結部２３ｎとは、一体的に形成されているのに対して、パッド部１３ｍと連結部１３ｎとは、別形成されている。パッド部１３ｍ、パッド部２３ｍ、連結部２３ｎ、および透明絶縁部１４は、例えば、基材１１の表面に設けられた単層の透明導電層１２により構成されている。連結部１３ｎは、例えば、導電層からなる。

パッド部１３ｍおよびパッド部２３ｍの形状としては、例えば、菱形（ダイヤモンド形）や矩形などの多角形状、星形、および十字形などを用いることができるが、これらの形状に限定されるものではない。

連結部１３ｎを構成する導電層としては、例えば、金属層または透明導電層を用いることができる。金属層は、金属を主成分として含んでいる。金属としては、導電性の高い金属を用いるこことが好ましく、このような材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｂ、不純物添加Ｓｉなどが挙げられるが、導電性の高さ、ならびに成膜性および印刷性などを考慮すると、Ａｇが好ましい。金属層の材料として導電性が高い金属を用いることにより、連結部１３ｎの幅を狭くし、その厚さを薄くし、その長さを短くすることが好ましい。これにより視認性を向上することができる。

連結部１３ｎおよび連結部２３ｎの形状としては矩形状を採用することができるが、連結部１３ｎおよび連結部２３ｎの形状は隣り合うパッド部１３ｍおよびパッド部２３ｍ同士を連結可能な形状であればよく特に矩形状に限定されるものではない。矩形状以外の形状の例としては、線状、長円状、三角形状、不定形状などを挙げることができる。

（透明絶縁層）
透明絶縁層５１は、連結部１３ｎと連結部２３ｎとが交差する部分より大きな面積を有していることが好ましく、例えば、交差部Ｃに位置するパッド部１３ｍおよびパッド部２３ｍの先端に被さる程度の大きさを有している。

透明絶縁層５１は、透明絶縁材料を主成分として含んでいる。透明絶縁材料としては、透明性を有する高分子材料を用いることが好ましく、このような材料としては、例えば、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（CR-39）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体および共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）、シクロオレフィンコポリマーなどが挙げられる。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂を使用することも可能である。ここで、（メタ）アクリレートは、アクリレートまたはメタアクリレートを意味する。

透明絶縁層５１の形状は、交差部Ｃにおいて透明電極部１３と透明電極部２３との間に介在し、両電極の電気的接触を防ぐことが可能な形状であればよく特に限定されるものではないが、例示するならば、四角形などの多角形、楕円形、円形などを挙げることができる。四角形としては、例えば、長方形、正方形、菱形、台形、平行四辺形、角に曲率Ｒが付された矩形状が挙げられる。

第１１の実施形態において上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。

［効果］
第１１の実施形態によれば、第１の実施形態の効果に加えて以下の効果をさらに得ることができる。すなわち、基材１１の一方の主面に透明電極部１３、２３を設けているので、第１の実施形態における基材２１（図１）を省略することができる。したがって、情報入力装置１０をさらに薄型化することができる。

＜１２．第１２の実施形態＞
第１２の実施形態に係る電子機器は、第１〜第１１の実施形態に係る情報入力装置１０のいずれかを表示部に備えている。以下に、本技術の第１２の実施形態に係る電子機器の例について説明する。

図２６は、電子機器としてテレビ２００の例を示す外観図である。テレビ２００は、フロントパネル２０２やフィルターガラス２０３などから構成される表示部２０１を備え、その表示部２０１に第１〜第１１の実施形態に係る情報入力装置１０のいずれかをさらに備える。

図２７Ａ、図２７Ｂは、電子機器としてデジタルカメラの例を示す外観図である。図２７Ａは、デジタルカメラを表側から見た外観図である。図２７Ｂは、デジタルカメラを裏側から見た外観図である。デジタルカメラ２１０は、フラッシュ用の発光部２１１、表示部２１２、メニュースイッチ２１３、シャッターボタン２１４などを備え、その表示部２１２に第１〜第１１の実施形態に係る情報入力装置１０のいずれかを備える。

図２８は、電子機器としてノート型パーソナルコンピュータの例を示す外観図である。ノート型パーソナルコンピュータ２２０は、本体２２１に、文字などを入力するとき操作されるキーボード２２２、画像を表示する表示部２２３などを備え、その表示部２２３に第１〜第１１の実施形態に係る情報入力装置１０のいずれかを備える。

図２９は、電子機器としてビデオカメラの例を示す外観図である。ビデオカメラ２３０は、本体部２３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ２３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ２３３、表示部２３４などを備え、その表示部２３４に第１〜第１１の実施形態に係る情報入力装置１０のいずれかを備える。

図３０は、電子機器として携帯端末装置の例を示す外観図である。携帯端末装置、例えば携帯電話機であり、上側筐体２４１、下側筐体２４２、連結部（ここではヒンジ部）２４３、表示部２４４を備え、その表示部２４４に第１〜第１１の実施形態に係る情報入力装置１０のいずれかを備える。

［効果］
以上説明した第１２の実施形態に係る電子機器は、第１〜第１１の実施形態に係る情報入力装置１０のいずれかを備えているので、表示部における情報入力装置１０の視認を抑制することができる。

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。本技術の実施例について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１．実施例１（レーザ光照射面積を小とした例）
２．実施例２（レーザ光照射面積を大とした例）
３．実施例３（レーザ光のショット数を変化させた例）
４．実施例４（レーザ光のエネルギー密度を変化させた例）
５．実施例５（レーザ光のショット数またはエネルギー密度を変化させた例）
６．実施例６（非導通部をパターニングした例）
７．実施例７（最隣接距離を一定値とした例）
８．実施例８（導電材料被覆率を一定値とした例）
９．比較例８（導電材料被覆率を一定値としてｗｅｔエッチングで加工した例）
１０．実施例９（レーザパターニングの高速度化の一例）

＜１．実施例１（レーザ光照射面積を小とした例）＞
（実施例１−１〜１−７）
まず、塗布法により、厚み１２５μｍのＰＥＴシートの表面に銀ナノワイヤーを含む透明導電層を形成することにより、透明導電性シートを得た。次に、この透明導電性シートのシート抵抗を４探針法により測定した。なお、測定装置としては、株式会社三菱化学アナリテック製、ロレスタＥＰ、ＭＣＰ−Ｔ３６０型を用いた。その結果、表面抵抗は２００Ω／□であった。

次に、図７に示したレーザ加工装置を用いて、レーザ加工工程（第１のレーザ加工工程）により、透明導電性シートの透明導電層をパターニングした。具体的には、マスク（第１のマスク）を介してレーザ光を透明導電性シートの透明導電層に照射して、透明導電層の表面に正方形状のレーザ光照射部を形成するとともに、レーザ光照射部をＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させた。

マスクとしては、ガラス表面の遮光層にドット状（円形状）を有する複数の孔部が離間してランダムパターンで設けられたガラスマスクを用いた。なお、透明導電性シートに対するレーザ光照射面積、透明導電層の孔部の直径の最大値、透明導電層の孔部間の最隣接距離、および透明導電層（透明導電材料）の被覆率が表１に示す値となるように、マスクの構成およびレーザ加工装置の加工倍率を調整した。また、レーザとしてはＵＶレーザ（波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ）を用い、レーザ光の照射を同一位置において４ショット行った。なお、レーザ光強度は２００ｍＪ／ｃｍ²に調整した。
以上により、目的とする透明導電性シートが得られた。

＜２．実施例２（レーザ光照射面積を大とした例）＞
（実施例２−１〜２−６）
透明導電性シートに対するレーザ光照射面積、透明導電層の孔部の直径の最大値、透明導電層の孔部間の最隣接距離、および透明導電層（透明導電材料）の被覆率が表１に示す値となるように、マスクの構成およびレーザ加工装置の加工倍率を調整したこと以外は実施例１−１〜１−７と同様にして透明導電性シートを得た。

＜３．実施例３（レーザ光のショット数を変化させた例）＞
（実施例３−１〜３−１０）
透明導電性シートに対するレーザ光照射面積、透明導電層の孔部の直径の最大値、透明導電層の孔部間の最隣接距離、および透明導電層（透明導電材料）の被覆率が表１に示す値となるように、マスクの構成およびレーザ加工装置の加工倍率を調整した。また、同一位置におけるレーザ光のショット数をサンプル毎に表１に示すように変化させた。上記以外のことは実施例１−１〜１−７と同様にして透明導電性シートを得た。

（パターン視認の評価）
上述のようにして得られた透明導電性シートについて、ドット形状（孔部形状）および単位区画形状（格子状）のパターン視認を以下のようにして評価した。まず、対角３．５インチの液晶ディスプレイ上に、粘着シートを介して透明導電性シートの透明導電層側の面が画面と対向するように貼り合わせた。次に、透明導電性シートの基材（ＰＥＴシート）側に、粘着シートを介してＡＲ（Anti Reflect：反射防止）フィルムを貼り合わせた。その後、液晶ディスプレイを黒表示または緑色表示し、表示面を目視により観察して、ドット形状および単位区画形状のパターン視認を評価した。その結果を表１に示す。
以下に、ドット形状および単位区画形状のパターン視認の評価基準を示す。

＜ドット形状の視認＞
○：ドット形状が視認不可能
×：ドット形状が視認可能

＜単位区画形状の視認＞
○：単位区画形状が視認不可能
×：単位区画形状が視認可能

図３１Ａは、実施例１−５の透明導電性シート表面を顕微鏡により観察した結果を示す。図３１Ｂは、実施例２−１の透明導電性シート表面を顕微鏡により観察した結果を示す。

表１から以下のことがわかる。
透明導電層に形成されるドット形状（孔部形状）の大きさを１００μｍ以下にすることで、ドット形状の視認を抑制することができる。
透明導電性シートに照射されるレーザ光強度を２００ｍＪ／ｃｍ²以下に調整することで、基材であるＰＥＴシートの損傷を抑制し、単位区画形状の視認を抑制することができる。

＜４．実施例４（レーザ光のエネルギー密度を変化させた例）＞
（実施例４−１）
レーザ光のエネルギー密度を８０ｍＪ／ｃｍ²に変更したこと以外は実施例１−１と同様にして透明導電性シートを得た。

（実施例４−２）
レーザ光のエネルギー密度を１５０ｍＪ／ｃｍ²に変更したこと以外は実施例１−１と同様にして透明導電性シートを得た。

（実施例４−３）
レーザ光のエネルギー密度を２２０ｍＪ／ｃｍ²に変更したこと以外は実施例１−１と同様にして透明導電性シートを得た。

（実施例４−４）
レーザ光のエネルギー密度を３６０ｍＪ／ｃｍ²に変更したこと以外は実施例１−１と同様にして透明導電性シートを得た。

（実施例４−５）
レーザ光のエネルギー密度を４２０ｍＪ／ｃｍ²に変更したこと以外は実施例１−１と同様にして透明導電性シートを得た。

（レーザ加工部の深さの評価）
透明導電性シート表面にレーザ加工により形成されたレーザ加工部の平均深さを以下のようにして評価した。すなわち、光学顕微鏡を用いて透明導電性シートのトップ（最表面）とボトム（レーザ加工部の底面）との距離を３Ｄ画像上で断面プロファイル計測にて求めて、この距離をレーザ加工部の平均深さとした。なお、光学顕微鏡の測定倍率は１０〜１０００倍の範囲で調整した。その結果を表２に示す。

（パターン視認の評価）
上述のようにして得られた透明導電性シートについて、単位区画形状のパターン視認を上述の実施例１−１〜３−１０と同様にして評価した。その結果を表２に示す。

表２は、実施例４−１〜４−５の透明導電性シートの評価結果を示す。

表２から以下のことがわかる。
レーザ光のエネルギー密度を２２０ｍＪ／ｃｍ²以下にすることで、単位区画形状のパターン視認を抑制することができる。
レーザ加工の際に形成される溝の平均深さを０ｎｍ以上３μｍ以下にすることで、単位区画形状のパターン視認を抑制することができる。

＜５．実施例５（レーザ光のショット数またはエネルギー密度を変化させた例）＞
（実施例５−１〜５−８）
透明導電性シートに対するレーザ光照射面積、透明導電層の孔部（ドット）の直径の最小値Ｄminおよび最大値Ｄmax、透明導電層の孔部間の最隣接距離、並びに透明導電層（透明導電材料）の被覆率が表３に示す値となるように、マスクの構成およびレーザ加工装置の加工倍率を調整した。そして、同一位置におけるレーザ光のエネルギー密度およびレーザ光のショット数をサンプル毎に表３に示すように変化させた。上述のこと以外は実施例２−３と同様にして透明導電性シートを得た。なお、実施例５−１〜５−３のレーザ光のエネルギー密度を一定値（２００［ｍＪ／ｃｍ²］）とした。そして、実施例５−４〜５−８のレーザ光のショット数を一定値（１回）とした。

表３は、実施例５−１〜５−８の設定条件を示す。

（レーザ加工部の深さの評価）
透明導電性シート表面にレーザ加工により形成されたレーザ加工部の平均深さｄ（以下、適宜加工深さｄと称する。）を上述の実施例４−１〜４−５と同様にして評価した。さらに、ドット直径の最大値Ｄmaxを加工深さｄで除した値Ｄmax／ｄを算出した。その結果を表４に示す。

（パターン視認の評価）
上述のようにして得られた透明導電性シートについて、ドット形状（孔部形状）および単位区画形状のパターン視認を上述の実施例１−１〜３−１０と同様にして評価した。その結果を表４に示す。

図３４Ａ〜図３５Ｂはそれぞれ、実施例５−４〜５−８の透明導電性シート表面を顕微鏡により観察した結果を示す。

（シート抵抗の評価）
上述のようにして得られた透明導電性シートについて、シート抵抗を評価した。その結果を表４に示す。表４中の「加工前」欄の値（Ｒb）は、加工前の透明導電性シート抵抗値［Ω／□］である。表４中の「加工後」欄の値（Ｒa）は、レーザ光の照射された加工部の（加工後の）透明導電性シート抵抗値［Ω／□］である。表４中の「抵抗比」欄の値（Ｒa／Ｒb）は、（加工後のシート抵抗値）／（加工前のシート抵抗値）によって算出された抵抗比［−］である。

表４は、実施例５−１〜５−８の評価結果を示す。

図３６は、エネルギー密度を一定値（２００［ｍＪ／ｃｍ²］）とした場合のショット数［回］に対する抵抗比［−］の変化の結果を示す。図３７は、ショット数を一定値（１回）とした場合のエネルギー密度［ｍＪ／ｃｍ²］に対する抵抗比［−］の変化の結果を示す。

表４、図３４、図３５、図３６および図３７から以下のことがわかる。
レーザ光照射条件によってパターンの視認性が変化した。より具体的には、エネルギー密度が２００［ｍＪ／ｃｍ²］の場合では、ショット数が多くなると格子状のパターン見えが発生するため、ショット数が少ない方が好ましい。ショット数は４回未満であることが好ましい。さらに、ショット数が１回であることがより好ましい。これは、シートを加工する速度の面からも好ましい。ショット数が１回の場合では、エネルギー密度が３２〜３３０［ｍＪ／ｃｍ²］の範囲で視認性が良好であった（視認不可能であった）。加工深さｄが２〜９［μｍ］の範囲で視認性が良好であった。ドット直径の最大値Ｄmaxを加工深さｄで除した値Ｄmax／ｄが５〜２３の範囲で視認性が良好であった。
ショット数が１回の場合では、エネルギー量（エネルギー密度）が小さいときに抵抗比も小さくなった。一方、エネルギー量が閾値よりも小さい場合には、シート面内において、形成されたパターン要素の形状にバラつきが発生した（図３５Ｂ参照）。したがって、このようなバラつきを回避し、安定した透明導電性シートを得るためには、６０［ｍＪ／ｃｍ²］以上のレーザ光照射条件での加工が好ましい。なお、この条件は、シートの表面に塗布される銀ナノワイヤーを含む透明導電層の厚さにも依存する。
なお、エネルギー量がより大きくなると、加工痕（デブリ）発生量が増えた。

＜６．実施例６（非導通部をパターニングした例）＞
（実施例６−１〜６−２０：反転パターン（非導通部））
次に、図７に示したレーザ加工装置を用いて、レーザ加工工程（第２のレーザ加工工程）により、透明導電性シートの透明絶縁層をパターニングした。具体的には、マスク（第２のマスク）を介してレーザ光を透明導電性シートの透明導電層に照射して、透明導電層の表面に正方形状のレーザ光照射部を形成するとともに、レーザ光照射部をＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させた。

マスクとしては、ガラス表面に、ドット状（円形状）を有する複数の遮光部が離間してランダムパターンで設けられたガラスマスクを用いた。なお、透明導電性シートに対するレーザ光照射面積、透明導電層の遮光部の直径の最小値Ｄminおよび最大値Ｄmax、透明導電層の遮光部間の最隣接距離、並びに透明導電層（透明導電材料）の被覆率が表５に示す値となるように、マスクの構成およびレーザ加工装置の加工倍率を調整した。また、レーザとしてはＵＶレーザ（波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ）を用いた。実施例６−１〜６−７では、エネルギー密度を一定値（６４［ｍＪ／ｃｍ²］）に調整したレーザ光を同一位置において１ショット照射した。実施例６−８〜６−１０では、エネルギー密度を一定値（２００［ｍＪ／ｃｍ²］）に調整したレーザ光を同一位置において４ショット照射した。実施例６−１１〜６−１５および実施例６−１６〜６−２０では、エネルギー密度を３３０［ｍＪ／ｃｍ²］〜３２［ｍＪ／ｃｍ²］の範囲内での一定値に調整したレーザ光を同一位置において１ショット照射した。
以上により、目的とする透明導電性シートが得られた。

表５は、実施例６−１〜６−２０の設定条件を示す。

（レーザ加工部の深さの評価）
透明導電性シート表面にレーザ加工により形成されたレーザ加工部の平均深さｄを上述の実施例５と同様にして評価した。さらに、ドット直径の最大値Ｄmaxを加工深さｄで除した値Ｄmax／ｄを算出した。その結果を表６に示す。

（パターン視認の評価）
上述のようにして得られた透明導電性シートについて、ドット形状（孔部形状）および単位区画形状のパターン視認を上述の実施例５と同様にして評価した。その結果を表６に示す。

表６は、実施例６−１〜６−２０の評価結果を示す。

表６から以下のことがわかる。
非導通部の視認性は、レーザ光照射条件によって異なり、ドット形状が視認不可能となるための適切なドット直径の最大値Ｄmaxは加工深さｄに依存する。
例えば、実施例６−１〜６−７の結果から、エネルギー密度が６４［ｍＪ／ｃｍ²］かつ１ショットで、加工深さｄが３［μｍ］の場合では、ドット直径は３００［μｍ］以下が好ましい。そして、実施例６−８〜６−１０の結果から、エネルギー密度が２００［ｍＪ／ｃｍ²］かつ４ショットで、加工深さｄが１２［μｍ］の場合では、ドット直径は２００［μｍ］以下が好ましい。
一方で、ドット直径の観点からは、その最大値Ｄmaxが２００［μｍ］以下の場合では、加工深さｄは１〜１２［μｍ］が好ましい。さらに、加工深さｄが、１［μｍ］以上３［μｍ］以下であることがより好ましい。
ドット直径の最大値Ｄmaxが２４５［μｍ］以上の場合では、加工深さｄが２［μｍ］であってもドット形状が視認可能となり得る。
さらに、加工深さｄが、１［μｍ］以上１０［μｍ］以下の範囲では、ドット直径の最大値Ｄmaxを加工深さｄで除した値Ｄmax／ｄは、８０以下が好ましい。加工深さｄが、１［μｍ］以上１２［μｍ］以下の範囲では、ドット直径の最大値Ｄmaxを加工深さｄで除した値Ｄmax／ｄは、１９以下が好ましい。

＜７．実施例７（最隣接距離を一定値とした例）＞
（実施例７−１〜７−３）
透明導電層の孔部間の最隣接距離が一定値（１０［μｍ］）となるようにし、透明導電性シートに対するレーザ光照射面積、透明導電層の孔部の直径の最小値Ｄminおよび最大値Ｄmax、並びに透明導電層（透明導電材料）の被覆率が表７に示す値となるように、マスクの構成およびレーザ加工装置の加工倍率を調整した。そして、同一位置におけるレーザ光のショット数を１回に、レーザ光のエネルギー密度を６４［ｍＪ／ｃｍ²］とした。上述のこと以外は実施例５と同様にして透明導電性シートを得た。

表７は、実施例７−１〜７−３の設定条件を示す。

（レーザ加工部の深さの評価）
透明導電性シート表面にレーザ加工により形成されたレーザ加工部の平均深さｄを上述の実施例６と同様にして評価した。さらに、ドット直径の最大値Ｄmaxを加工深さｄで除した値Ｄmax／ｄを算出した。その結果を表８に示す。

（パターン視認の評価）
上述のようにして得られた透明導電性シートについて、ドット形状（孔部形状）および単位区画形状のパターン視認を上述の実施例１−１〜３−１０と同様にして評価した。その結果を表８に示す。

図３８Ａ〜図３８Ｃはそれぞれ、実施例７−１〜７−３の透明導電性シート表面を顕微鏡により観察した結果を示す。

（シート抵抗の評価）
上述のようにして得られた透明導電性シートについて、シート抵抗を評価した。その結果を表８に示す。表８中の各欄の項目は、実施例５と同様である。

表８は、実施例７−１〜７−３の評価結果を示す。

図３９は、透明導電層の孔部間の最隣接距離を一定値（１０［μｍ］）とした場合の導電材料（導通部）の被覆率［％］に対する抵抗比［−］の変化の結果を示す。

表８、図３８および図３９から以下のことがわかる。
従来、ｗｅｔエッチング加工の分解能は最小で３０［μｍ］であった。これに対し、本技術では、レーザ加工によって、最隣接距離が１０［μｍ］の導通部のシートが作製可能となった。そこで、最隣接距離が１０［μｍ］の導通部のシート抵抗を評価できることとなった。最隣接距離が１０［μｍ］の導通部のシートで評価を行ったところ以下の知見が得られた。
最隣接距離が１０［μｍ］の場合では、３０［μｍ］の透明導電性シートと比べて、導通部被覆率の変化に対するシート抵抗の変化が大きくなった。
抵抗比の観点から、導通部被覆率は８５［％］以上が好ましい。
非視認性を向上する観点からすると、ドット直径の最大値Ｄmaxは４０［μｍ］以下が好ましい。ドット直径の最大値Ｄmaxが１０［μｍ］以上３８［μｍ］以下がより好ましい。さらに、ドット直径の最大値Ｄmaxを加工深さｄで除した値Ｄmax／ｄは、５以上１９以下の範囲が好ましい。

＜８．実施例８（導電材料被覆率を一定値とした例）＞
（実施例８−１〜８−４）
透明導電層（透明導電材料）の被覆率が一定値（８０［％］）となるようにし、透明導電性シートに対するレーザ光照射面積、透明導電層の孔部の直径の最小値Ｄminおよび最大値Ｄmax、並びに透明導電層の孔部間の最隣接距離が表９に示す値となるように、マスクの構成およびレーザ加工装置の加工倍率を調整した。そして、レーザ光のエネルギー密度を６４［ｍＪ／ｃｍ²］に、同一位置におけるレーザ光のショット数を１回とした。上述のこと以外は実施例５と同様にして透明導電性シートを得た。

表９は、実施例８−１〜８−４の設定条件を示す。

＜９．比較例８（導電材料被覆率を一定値としてｗｅｔエッチングで加工した例）＞
（比較例８−１〜８−４）
ｗｅｔエッチングによって加工された透明導電層（透明導電材料）の各種条件を以下に示す。フィルムには、ＤＩＣ株式会社製のＸＣＦ−４６８Ｂを用いた。マスクは、透明導電層（透明導電材料）の導通部被覆率が８０［％］となるようにし、透明導電層の孔部間の最隣接距離が表１１に示す値となるようにした。エッチング液には、混酸Ａｌ（ｐＨ ：１．０、粘度：１．５［ｍＰａ・ｓ］）を用い、エッチング条件は、５０［℃］で５分とした。

（レーザ加工部の深さの評価）
実施例８−１〜８−４について、透明導電性シート表面にレーザ加工により形成されたレーザ加工部の深さｄを上述の実施例７と同様にして評価した。さらに、ドット直径の最大値Ｄmaxを加工深さｄで除した値Ｄmax／ｄを算出した。その結果を表１０に示す。

（パターン視認の評価）
上述のようにして得られた実施例８−１〜８−４の透明導電性シートについて、ドット形状（孔部形状）および単位区画形状のパターン視認を上述の実施例１−１〜３−１０と同様にして評価した。その結果を表１０に示す。

図４０Ａ〜図４１Ｂはそれぞれ、実施例８−１〜８−４の透明導電性シート表面を顕微鏡により観察した結果を示す。

（シート抵抗の評価）
上述のようにして得られた透明導電性シートについて、シート抵抗を評価した。その結果を表１０に示す。表１０中の各欄の項目は、実施例５および実施例７と同様である。

表１０は、実施例８−１〜８−４の評価結果を示す。

図４２は、透明導電層（透明導電材料）の被覆率を一定値（８０［％］）とした場合の透明導電層の孔部間の最隣接距離［μｍ］に対する抵抗比［−］の変化の結果を示す。

表１０、図４０、図４１および図４２から以下のことがわかる。
非視認性を向上する観点からすると、ドット直径の最大値Ｄmaxが４８［μｍ］以上１００［μｍ］以下が好ましい。さらに、ドット直径の最大値Ｄmaxを加工深さｄで除した値Ｄmax／ｄは、２４以上５０以下の範囲が好ましい。
透明導電層（透明導電材料）の被覆率を一定値（８０［％］）とした場合では、透明導電層の孔部間の最隣接距離が狭くなると、抵抗比が上昇する傾向があった。

（加工プロセスの比較）
最隣接距離が狭くなると、抵抗比が上昇する傾向がレーザ加工特有のものなのか否かを検証するために、ｗｅｔエッチングによって加工された透明導電層（透明導電材料）との比較を行った。比較は、［１］ｗｅｔエッチング加工プロセスによる透明導電層（透明導電材料）（比較例８−１〜８−４）と、［２］レーザアブレーション（レーザ光照射による表面加工）による透明導電層（透明導電材料）（実施例８−１〜８−４）とで行った。なお、ｗｅｔエッチング加工に用いられたサンプルのシート抵抗値（加工前のシート抵抗値：実施例５、７および８における「加工前」欄の値（Ｒb）に当たる）は８７．５［Ω／□］であった。この値を用いて、ｗｅｔエッチングによって加工された透明導電層（透明導電材料）の抵抗比Ｒa／Ｒb［−］を算出した。

（シート抵抗の評価）
上述のようにして得られた［１］ｗｅｔエッチングおよび［２］レーザアブレーションの各加工プロセスによる透明導電性シートについて、シート抵抗を評価した。その結果を表１１に示す。

表１１は、比較例８−１〜８−４および実施例８−１〜８−４の評価結果を示す。

図４３は、透明導電層（透明導電材料）の被覆率を一定値（８０［％］）とした場合の透明導電層の孔部間の最隣接距離［μｍ］に対するシート抵抗［Ω／□］の変化の結果を［１］ｗｅｔエッチングおよび［２］レーザアブレーションの各加工プロセスについて示す。図４４は、透明導電層（透明導電材料）の被覆率を一定値（８０［％］）とした場合の透明導電層の孔部間の最隣接距離［μｍ］に対する抵抗比［−］の変化の結果を［１］ｗｅｔエッチングおよび［２］レーザアブレーションの各加工プロセスについて示す。図４３および図４４中において、［１］ｗｅｔエッチングの値については三角形、［２］レーザアブレーションの値については丸で示す。

表１１、図４３および図４４から以下のことがわかる。
透明導電層の孔部間の最隣接距離が小さい場合には、ｗｅｔエッチング加工による透明導電層（透明導電材料）の抵抗比Ｒa／Ｒbは、レーザ加工によるものに比べてより上昇した。したがって、抵抗比Ｒa／Ｒbの観点からすると、透明導電層の孔部間の最隣接距離が小さい場合にはレーザ加工が好ましい。なお、ｗｅｔエッチング加工による透明導電層の抵抗比Ｒa／Ｒbが上昇する原因としては、ｗｅｔエッチング加工において生じるサイドエッチングに起因するものと推測された。したがって、ｗｅｔエッチングにおいて、透明導電層のシート抵抗の上昇を抑制するには、サイドエッチングの抑制等の加工プロセスの改善が必要となることがわかった。
ｗｅｔエッチングによるプロセスでは、狭ピッチ（例えば〜１０［μｍ］）の加工が困難である。これに対して、レーザ加工によるプロセスでは、狭ピッチ（例えば〜１０［μｍ］）の透明導電層を安定的に作製できる。さらに、レーザ加工によるプロセスでは、サイドエッチング等に起因する余計なパラメータが入らない。したがって、パターンの原理確認として、レーザ加工は有効である。

＜実施例９（レーザパターニングの高速度化の一例）＞
（実施例９−１）
図４５Ａは、一般的なステージ（以下、適宜ステージ１と称する）のレーザ加工速度とステージの移動速度との関係を模式的に示す。図４５Ａ中において、横軸は時間ｔ、縦軸はステージの移動速度ｖである。さらに、図４５Ａ中の下向きの矢印はレーザ光照射のタイミングを示す。

図４５Ａに示すように、まず、次のレーザ光の照射箇所への移動のためにステージの移動速度が上がる。次に、ステージは、最高速度に到達した後に、レーザ光の照射箇所に近付くに連れて減速する。そして、レーザ光の照射箇所に到達すると、ステージは停止する。ステージが停止するとレーザ光が照射される。この一連の動作が繰り返されることによってレーザパターニングが形成される。例えば、１回のレーザ光の照射面積が２×２［ｍｍ²］であって、加工面積が４０×４０［ｍｍ²］である場合のタクトタイムは、ステージ１では、９００［ｓ］（１５［ｍｉｎ］）であった。

（実施例９−２）
図４５Ｂは、高速ステージ（以下、適宜ステージ２と称する）の移動速度ｖの変化である。図４５Ｂ中の点線が実施例９−２を示す。ステージ２としては例えば、エアロテック社の高速ステージが用いられる。ステージ２の動作は、ステージ１の動作と同様である。しかしながら、ステージ２は、ステージ１よりも加速度が高い。ステージの移動速度ｖが速やかに高まれば、レーザ光の照射箇所への到達時間が短くなるため、透明導電層のレーザ加工速度が高まる。例えば、１回のレーザ光の照射面積が２×２［ｍｍ²］であって、加工面積が４０×４０［ｍｍ²］である場合のタクトタイムは、ステージ２では、６０［ｓ］（１［ｍｉｎ］）となった。なお、ステージ２は、カタログスペック上では、３００［ｍｍ／ｓ］の加工が可能である。このように、高速なステージ２を導入することによって、ステージ１の１５倍の速度での加工が可能となった。したがって、透明導電層のレーザ加工速度を高めるには、透明導電性基材を固定しているステージの移動速度を高めることが有効であった。

（実施例９−３）
移動速度の速やかに高まるステージの導入で透明導電層のレーザ加工速度が高まった。しかしながら、上述した実施例９−２による方法は、レーザ照射時にステージが一旦停止する機構であって、レーザ加工の更なる高速化の余地を残していた（図４５Ａおよび図４５Ｂの点線を参照）。すなわち、同一位置におけるレーザ光のショット数が複数回でなければ、レーザ照射時にステージが一旦停止する必要はない。レーザ加工の更なる高速化の方法の一つとして、精密なレーザ発振制御を可能とする「ポジションシンクロナイズドアウトプット（エアロテック社製。以下、適宜ＰＳＯと称する）」の導入が考えられる。ステージの制御にＰＳＯのプログラムを組み込むことによってステージの移動中のレーザ照射が可能となる。

高速なステージ２で、かつＰＳＯの導入された場合におけるレーザ加工速度とステージの移動速度との関係を図４５Ｂ中の直線は模式的に示す。レーザ光を照射する位置（座標）を予め入力しておき、その入力された座標に対して、ステージを移動したままレーザ光を照射していくので、透明導電層のレーザ加工速度がさらに高まった。加工面積を拡大することによってこの効果はさらに高まる。なお、加速度が不充分なステージ１のような場合に対してもＰＳＯの導入によって、ステージの移動中のレーザ照射を行うことで、透明導電層のレーザ加工速度を高めることは可能である。

以上、本技術の実施形態および実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。

また、上述の実施形態および実施例の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、上述の実施形態および実施例では、本技術をレーザ加工に用いる場合を例として説明したが、本技術はこの例に限定されるものではなく、超微細加工が可能なプロセスにも適用可能であり、インクジェット印刷などにも応用できる。

また、上述の実施形態では、本技術を情報入力装置の透明導電性素子の製造に対して適用する例について説明したが、本技術はこの例に限定されるものではなく、太陽電池や有機ディスプレイなどのデバイス基板の微細形状パターンの製造にも適用することができる。

また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
表面を有する基材と、
上記表面に平面的に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明導電部および上記透明絶縁部の少なくとも一方には、ランダムパターンを有する少なくとも１種の単位区画が繰り返されている透明導電性素子。
（２）
上記透明導電部および上記透明絶縁部の境界部は、上記ランダムパターンの一部を含んでいる（１）に記載の透明導電性素子。
（３）
上記単位区画は、上記ランダムパターンのパターン要素が接する、または切断される辺を有し、
上記辺が、上記透明導電部および上記透明絶縁部の境界に設けられている（２）に記載の透明導電性素子。
（４）
上記透明導電部および上記透明絶縁部の境界部には、境界パターンを有する単位区画が繰り返されている（１）から（３）のいずれかに記載の透明導電性素子。
（５）
上記透明導電部のランダムパターンは、離間して設けられた複数の絶縁要素のパターンであり、
上記透明絶縁部のランダムパターンは、離間して設けられた複数の導電要素のパターンである（１）から（４）のいずれかに記載の透明導電性素子。
（６）
上記絶縁要素は孔部であり、
上記導電要素は島部である（５）に記載の透明導電性素子。
（７）
上記絶縁要素および上記導電要素が、ドット状を有している（５）に記載の透明導電性素子。
（８）
上記絶縁要素がドット状を有し、上記導電要素間の間隙部が網目状を有している（５）に記載の透明導電性素子。
（９）
上記透明導電部および上記透明絶縁部は、金属ワイヤを含んでいる（１）から（８）のいずれかに記載の透明導電性素子。
（１０）
上記透明導電部には、透明導電層が連続的に設けられ、
上記透明絶縁部には、ランダムパターンを有する少なくとも１種の単位区画が繰り返されている（１）に記載の透明導電性素子。
（１１）
第１の表面および第２の表面を有する基材と、
上記第１の表面および上記第２の表面に平面的に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明導電部および上記透明絶縁部の少なくとも一方には、ランダムパターンを有する少なくとも１種の単位区画が繰り返されている入力装置。
（１２）
第１の透明導電性素子と、
上記第１の透明導電性素子の表面に設けられた第２の透明導電性素子と
を備え、
上記第１の透明導電性素子および上記第２の透明導電性素子が、
表面を有する基材と、
上記表面に平面的に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明導電部および上記透明絶縁部の少なくとも一方には、ランダムパターンを有する少なくとも１種の単位区画が繰り返されている入力装置。
（１３）
第１の表面および第２の表面を有する基材と、上記第１の表面および上記第２の表面に平面的に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部とを有する透明導電性素子を備え、
上記透明導電部および上記透明絶縁部の少なくとも一方には、ランダムパターンを有する少なくとも１種の単位区画が繰り返されている電子機器。
（１４）
第１の透明導電性素子と、
上記第１の透明導電性素子の表面に設けられた第２の透明導電性素子と
を備え、
上記第１の透明導電性素子および上記第２の透明導電性素子が、
第１の表面および第２の表面を有する基材と、
上記第１の表面および上記第２の表面に平面的に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明導電部および上記透明絶縁部の少なくとも一方には、ランダムパターンを有する少なくとも１種の単位区画が繰り返されている電子機器。
（１５）
ランダムパターンを有する少なくとも１種のマスクを介して基材表面の透明導電層に光を照射し、単位区画を繰り返し形成することにより、上記基材表面に透明導電部および透明絶縁部を平面的に交互に形成する透明導電性素子の製造方法。
（１６）
境界パターンを有する少なくとも１種のマスクを介して上記基材表面の透明導電層に光を照射し、単位区画を繰り返し形成することにより、上記透明導電部および上記透明絶縁部の境界部を形成する（１５）に記載の透明導電性素子の製造方法。
（１７）
ランダムパターンを有する２種のマスクを切り替えながら、上記基材表面に透明導電部および透明絶縁部を平面的に交互に形成する（１５）に記載の透明導電性素子の製造方法。
（１８）
上記ランダムパターンを有する２種のマスクは、複数の遮光要素のランダムパターンを有する第１のマスク、および複数の光透過要素のランダムパターンを有する第２のマスクである（１７）に記載の透明導電性素子の製造方法。
（１９）
パターンを有する少なくとも１種のマスクを介して基材表面の透明導電層に光を照射し、単位区画を繰り返し形成することにより、上記基材表面に透明導電部および透明絶縁部を平面的に交互に形成する透明導電層の加工方法。
（２０）
パターンを有するマスクを介して被加工体に光を照射するとともに、マスクに対する光の照射位置を移動させることにより、上記被加工体を加工する被加工体の加工方法。
（２１）
上記マスクは、被加工物の加工領域よりも大きい面積を有している（２０）に記載の被加工体の加工方法。
（２２）
表面を有する基材と、
上記表面に平面的に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明絶縁部は、ランダムパターンを有し、上記ランダムパターンの孔部の平均深さが１［μｍ］以上１０［μｍ］以下であり、上記ランダムパターンのパターン要素の内で径が最大のものの値を上記平均深さで除した値が８０以下である透明導電性素子。
（２３）
表面を有する基材と、
上記表面に平面的に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明絶縁部は、ランダムパターンを有し、上記ランダムパターンの孔部の平均深さが１［μｍ］以上１２［μｍ］以下であり、上記ランダムパターンのパターン要素の内で径が最大のものの値を上記平均深さで除した値が１９以下である透明導電性素子。
（２４）
上記透明絶縁部の上記ランダムパターンの孔部の平均深さが１［μｍ］以上１２［μｍ］以下であり、上記ランダムパターンのパターン要素の内で径が最大のものの値が２００［μｍ］以下である（１）に記載の透明導電性素子。

１ 第１の透明導電性素子
２ 第２の透明導電性素子
３ 光学層
４ 表示装置
５、３２ 貼合層
１０ 情報入力装置
１１、２１ 基材
１２、２２ 透明導電層
１３、２３ 透明電極部
１４、２４ 透明絶縁部
１３ａ 孔部
１３ｂ 透明導電部
１４ａ 島部
１４ｂ 間隙部
１３ｐ、１４ｐ、１５ｐ 単位区画
Ｌ 境界
Ｒ₁ 第１の領域
Ｒ₂ 第２の領域

Claims (12)

1. 表面を有する基材と、
   上記表面に平面的に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
   を備え、
   上記透明導電部および上記透明絶縁部の双方には、ランダムパターンを有する少なくとも１種の単位区画が繰り返されており、
   上記透明導電部のランダムパターンは、離間して設けられた複数の絶縁要素のパターンであり、
   上記透明絶縁部のランダムパターンは、離間して設けられた複数の導電要素のパターンであり、
   上記絶縁要素がドット状を有し、上記導電要素間の間隙部が網目状を有している透明導電性素子。
2. 上記透明導電部および上記透明絶縁部の境界部は、上記ランダムパターンの一部を含んでいる請求項１に記載の透明導電性素子。
3. 上記単位区画は、上記ランダムパターンのパターン要素が接する、または切断される辺を有し、
   上記辺が、上記透明導電部および上記透明絶縁部の境界に設けられている請求項２に記載の透明導電性素子。
4. 上記透明導電部および上記透明絶縁部の境界部には、境界パターンを有する単位区画が繰り返されている請求項１に記載の透明導電性素子。
5. 上記絶縁要素は孔部であり、
   上記導電要素は島部である請求項４に記載の透明導電性素子。
6. 上記透明導電部および上記透明絶縁部は、金属ワイヤを含んでいる請求項１に記載の透明導電性素子。
7. 第１の表面および第２の表面を有する基材と、
   上記第１の表面および上記第２の表面に平面的に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
   を備え、
   上記透明導電部および上記透明絶縁部の双方には、ランダムパターンを有する少なくとも１種の単位区画が繰り返されており、
   上記透明導電部のランダムパターンは、離間して設けられた複数の絶縁要素のパターンであり、
   上記透明絶縁部のランダムパターンは、離間して設けられた複数の導電要素のパターンであり、
   上記絶縁要素がドット状を有し、上記導電要素間の間隙部が網目状を有している入力装置。
8. 第１の透明導電性素子と、
   上記第１の透明導電性素子の表面に設けられた第２の透明導電性素子と
   を備え、
   上記第１の透明導電性素子および上記第２の透明導電性素子が、
   表面を有する基材と、
   上記表面に平面的に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
   を備え、
   上記透明導電部および上記透明絶縁部の双方には、ランダムパターンを有する少なくとも１種の単位区画が繰り返されており、
   上記透明導電部のランダムパターンは、離間して設けられた複数の絶縁要素のパターンであり、
   上記透明絶縁部のランダムパターンは、離間して設けられた複数の導電要素のパターンであり、
   上記絶縁要素がドット状を有し、上記導電要素間の間隙部が網目状を有している入力装置。
9. 第１の表面および第２の表面を有する基材と、上記第１の表面および上記第２の表面に平面的に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部とを有する透明導電性素子を備え、
   上記透明導電部および上記透明絶縁部の双方には、ランダムパターンを有する少なくとも１種の単位区画が繰り返されており、
   上記透明導電部のランダムパターンは、離間して設けられた複数の絶縁要素のパターンであり、
   上記透明絶縁部のランダムパターンは、離間して設けられた複数の導電要素のパターンであり、
   上記絶縁要素がドット状を有し、上記導電要素間の間隙部が網目状を有している電子機器。
10. 第１の透明導電性素子と、
    上記第１の透明導電性素子の表面に設けられた第２の透明導電性素子と
    を備え、
    上記第１の透明導電性素子および上記第２の透明導電性素子が、
    第１の表面および第２の表面を有する基材と、
    上記第１の表面および上記第２の表面に平面的に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
    を備え、
    上記透明導電部および上記透明絶縁部の双方には、ランダムパターンを有する少なくとも１種の単位区画が繰り返されており、
    上記透明導電部のランダムパターンは、離間して設けられた複数の絶縁要素のパターンであり、
    上記透明絶縁部のランダムパターンは、離間して設けられた複数の導電要素のパターンであり、
    上記絶縁要素がドット状を有し、上記導電要素間の間隙部が網目状を有している電子機器。
11. ランダムパターンを有する少なくとも１種のマスクを介して基材表面の透明導電層に光を照射し、単位区画を繰り返し形成することにより、上記基材表面に透明導電部および透明絶縁部を平面的に交互に形成する透明導電性素子の製造方法であって、
    ランダムパターンを有する２種のマスクを切り替えながら、上記基材表面に、離間して設けられた複数の絶縁要素のランダムパターンを有する透明導電部と、離間して設けられた複数の導電要素のランダムパターンを有する透明絶縁部とを平面的に交互に形成し、
    上記ランダムパターンを有する２種のマスクは、透明導電部の絶縁要素のランダムパターンに対応する複数の遮光要素のランダムパターンを有する第１のマスク、および透明絶縁部の導電要素のランダムパターンに対応する複数の光透過要素のランダムパターンを有する第２のマスクであり、
    上記絶縁要素がドット状を有し、上記導電要素間の間隙部が網目状を有している、透明導電性素子の製造方法。
12. 境界パターンを有する少なくとも１種のマスクを介して上記基材表面の透明導電層に光を照射し、単位区画を繰り返し形成することにより、上記透明導電部および上記透明絶縁部の境界部を形成する請求項１１記載の透明導電性素子の製造方法。