JP2005108668A - プラズマディスプレイパネルの透明電極形成方法及び透明電極形成装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 表示画像に発光むらが発生しないプラズマディスプレイパネルの透明電極形成方法及び形成装置を提供する。
【解決手段】 透明導電性膜が形成された透明ガラス基板7をステージ上に載置し、1セル分の電極パターンに対応し、放電ギャップ部11に対応する部分が中央部に設けられた孔が形成されているマスク5を介して、透明ガラス基板7上に形成された透明導電性膜にレーザ光を照射する。これにより、レーザ光が照射された部分の透明導電性膜が除去され、透明基板上に1セル分の電極パターンが形成される。次に、ステージを移動させ同様の方法で1セル分の電極パターンを形成する。このとき、隣り合う電極パターンが切れてしまわないように、その端部を重ね合わせる。この工程を複数回繰り返して透明ガラス基板7上に透明電極10を形成する。
【選択図】 図2

Description

本発明はプラズマディスプレイパネルの透明基板上に透明電極を形成する方法及びそれに使用される透明電極形成装置に関し、特に、レーザ加工によりプラズマディスプレイパネルの透明電極を形成する透明電極形成方法及び透明電極形成装置に関する。
図9はAC面放電型カラープラズマディスプレイのパネル構造を示す分解斜視図である。図9に示すように、プラズマディスプレイパネル(以下、PDPという)100の背面基板は、透明ガラス基板102上に、一方向に延び相互に平行な複数のデータ電極103が形成されており、このデータ電極103を覆うように白色誘電体層104が形成されている。この白色誘電体層104上には、井桁上の隔壁105が形成されており、この隔壁105によりセルがマトリクス状に区画される。そして、このセルの内側には、蛍光体層(RGB)106が形成されている。
一方、PDP100の前面基板は、透明ガラス基板101上に、データ電極103と直交する方向に延び相互に平行な複数の透明電極107が形成されており、この透明電極107が走査電極及び放電維持電極となる。そして、透明電極107に重なるようにバス電極108が形成されており、透明電極107に直交するようにブラックストライプ110が形成されている。更に、これらを覆うように透明誘電体層109が形成されており、この誘電体層109の上には、透明保護膜111等が形成されている。このような前面基板と背面基板とが、透明ガラス基板101及び102が外側になるように重ね合わされて、接合されている。
このようなPDPを製造する工程において、透明基板上に透明電極を形成する方法としては、一般にリフトオフ法が利用されている。リフトオフ法により透明電極を形成する場合、先ず、透明基板上に感光性レジストを塗布し、所定の電極パターンが形成されたマスクを使用して露光及び現像を行って、パターン形成部を除去する。次に、レジストを除去した部分に、ITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)又は酸化錫(SnO)等を成膜し、その後レジストを除去することにより、透明基板上にITO又はSnOからなる透明電極が形成される。
近時、レーザにより薄膜を直接パターニングする方法が開発されている(例えば、非特許文献1及び2参照。)。このレーザ加工方法は、極めて高い精度で微細なパターンを形成することができるため、リフトオフ法に代わるパターン形成方法として注目されている。PDPの製造においても、レーザ加工装置を使用して透明基板上に透明電極を形成する方法が提案されている(例えば、特許文献1及2参照。)。
レーザ加工装置により透明電極を形成する場合、先ず、蒸着法又はスパッタ法等により透明基板上にITO又はSnOからなる透明導電膜を形成しておく。次に、所定の電極パターンの一部が形成されているマスクを透明導電膜の上方に配置し、このマスクの上方から透明導電膜に向かってレーザ光を照射する。前述のマスクは電極パターン以外の部分が孔になっており、この孔の部分に照射されたレーザ光のみマスクを通過して透明導電膜に照射される。これにより、レーザ光が照射された部分の透明導電膜が除去され、透明基板上にマスクパターンと同様の電極パターンの一部が形成される。次に、透明基板を移動させて、直前のレーザ光照射領域に隣接するパターンが形成されていない部分に、同様の方法で電極パターンの一部を形成する。この工程を複数回繰り返すことにより、照射領域をつなぎ合わせて透明基板上に所定の電極パターンを形成する。
このようなレーザ加工によるパターン形成方法は、リフトオフ法によるパターン形成方法に比べて、精度が高く、微細な加工が可能である。例えば、リフトオフ法では50μm程度のパターンが限界とされているが、レーザ加工法では20μm程度まで加工が可能であり、その精度も±1μm以下である。また、使用するマスクも作製が容易で且つ安価であるため、加工の自由度が大きい。このようなレーザ加工法をPDPの透明電極形成工程に適用すると、レジストパターン形成工程が不要になるため、プロセスを簡略化できると共に製造場所も縮小することができる。また、レーザ加工法では、溶剤を使用しないため、廃液処理等も不要になる。
特開2000−323027号公報 (第3−5頁、第1−4図) 特開2001−79675号公報 (第5−7頁、第1−5図) Phil Rumsby、他3名,「Excimer laser patterning of thick and thin films for high density packaging」,The International Society for Optical Engineering,1997年6月,第3184巻,p.176−185 Nadeem H. RAZVI、他6名,「Direct Manufacture Bio-Particle Electro-manipulator Devices using Excimer Laser Mask Projection Techniques」,Int. J. Japan Soc. Prec. Eng.,1999年6月,第33巻,第2号,p.100−104
しかしながら、前述の従来の技術には以下に示す問題点がある。上述したように、レーザ加工法により透明電極を形成する場合、従来のリフトオフ法のように、電極パターン全体を一括露光するのではなく、電極パターンを分割し、複数回に分けてパターニングしている。このため、セル内において対向して配置される電極間の距離等のプラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所が不均一になりやすいという問題点がある。
セル内において対向して配置される電極間の距離が不均一であると、画像に発光むらが発生しやすいため、特許文献1に記載のPDPにおける透明電極の加工方法においては、先ず、所定の間隔をあけてレーザ加工(予備加工)を行い、これにより形成されたレーザ加工ライン(透明電極)間の距離を測定して、そのばらつきを計算する。そして、各電極間の距離が均一になるように、再度レーザ加工(本加工)を行って、電極間の距離のばらつきが少ない透明電極を形成している。しかしながら、この方法は、複雑な計算が必要であり、1つのパターンを形成するために、予備加工及び本加工で合計2回レーザ光を照射しなくてはならないため、製造コスト及び製造時間が増加する。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、表示画像に発光むらが発生しないプラズマディスプレイパネルの透明電極形成方法及び形成装置を提供することを目的とする。
本願第1発明に係るプラズマディスプレイパネルの透明電極形成方法は、透明導電膜が形成されたパネルに向けてレーザ光を照射し、このレーザ光を前記透明導電膜に導く光学系に、前記透明導電膜に照射されるレーザ光の形状を規定するマスクを介在させ、前記マスクには、透明電極における1画素又は複数画素に対応する部分の形状の孔を形成しておき、前記レーザ光を前記透明導電膜に前記孔の形状で照射することにより透明導電膜における照射部分を前記孔の形状に局部的に除去し、前記パネルと前記マスクとを相対的に移動させることにより、前記透明導電膜における除去された部分をつなぎあわせて所定形状の透明電極を形成するプラズマディスプレイパネルの透明電極形成方法であって、前記マスクの孔形状は、前記プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所が前記レーザ光の各照射パターンのつなぎあわせ部に相当する位置ではない位置に設けられているものであることを特徴とする。
本発明者等は、上記問題点を解決するために鋭意実験検討を行った結果、レーザ加工法により透明電極を形成する場合、電極パターンを複数回に分けて形成するため、隣り合うパターン同士が切れてしまわないように、各パターンのつなぎ目部分が僅かに重なるように加工しており、その際に、透明基板が設置されているステージの位置精度に誤差があったり、マスク固定部にずれが生じたりすると、この継ぎ目部分の位置がずれてしまい、プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所の形状等が不均一になり、これが発光むらの原因になっていることを見出した。
そこで、本発明においては、プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所に相当する部分が、レーザ光の各照射パターンのつなぎあわせ部に相当する位置ではない位置に設けられているマスクを使用して、透明電極を形成する。これにより、パターンのつなぎ目が電気的特性に影響を与えない部分に設けられるため、パターンに位置ずれが生じても、放電開始電圧等のセルの発光に関係する電気的特性は変化しない。その結果、各セルにおける電気的特性が均一になり、発光むらがないプラズマディスプレイパネルを製造することができる。
前記プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所は、例えば、プラズマディスプレイパネルの透明電極間の放電ギャップの部分である。本発明者等は、PDPの透明電極における放電ギャップ長が不均一であると、各セルの放電開始電圧が不均一になり、表示画像に発光むらが発生することを見出した。具体的には、放電ギャップ長が2μm程度変化すると、放電開始電圧が50V程度変化する。このため、例えば、放電ギャップ長が短いセルは低い電圧で放電してしまい、発光させたくないときに発光してしまうことがある。一方、放電ギャップ長が長いセルは高い電圧をかけないと放電せず、所定の電圧を印加しても発光しないことがある。このような放電ギャップ長が短いセル又は放電ギャップ長が長いセルが、縦方向又は横方向に1列に並んでいると、その部分が全て発光してしまったり、全て発光しなかったりするため、画像に筋ができてしまう。そこで、本発明の透明電極の製造方法においては、マスクを、放電ギャップに相当する部分が前記レーザ光の各照射パターンのつなぎあわせ部に相当する位置ではない位置に設けられた孔形状にする。これにより、放電ギャップ長を均一化することができるため、各セルにおける放電開始電圧が一定になり、発光むらがないプラズマディスプレイパネルが得られる。
前記マスクの孔形状は、前記マスクの周縁部の孔形状のつなぎ目の部分が、前記プラズマディスプレイパネルの隔壁上に位置するように形成されていることが好ましい。これにより、位置ずれによりつなぎ目分部分にずれが生じても、このずれた部分は表示とは関係のない隔壁上に位置するため、画像には影響しない。
また、レーザ発振器から発振したレーザ光を、拡張器により径を拡大し、整形密度均質化器により強度を均一化した後、前記パネルに向けて照射してもよい。これにより、強度が均一なレーザ光を透明導電膜に照射することができるため、透明電極を精度よく且つ効率的に形成することができる。
本願第2発明に係るプラズマディスプレイパネルの透明電極形成装置は、プラズマディスプレイパネルの透明電極の形成装置において、レーザ光を透明導電膜が形成されたパネルに向けて照射するレーザ光照射装置と、このレーザ光照射装置及び前記パネルの少なくとも一方を相対的に移動させる駆動装置と、前記レーザ光照射装置からのレーザ光を前記パネル上の前記透明導電膜に導く光学系と、前記光学系に介在し前記透明導電膜に照射されるレーザ光の形状を規定するマスクと、を有し、前記マスクには、透明電極における1画素又は複数画素に対応する部分の形状の孔が形成されていて、前記レーザ光が前記透明導電膜に前記孔の形状で照射されて透明導電膜における照射部分が前記孔の形状に局部的に除去され、前記駆動手段により前記パネルと前記照射装置とを相対的に移動させることにより、前記透明導電膜における除去された部分をつなぎあわせて所定形状の透明電極を形成するものであり、前記マスクの孔形状は、前記プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所が前記レーザ光の各照射パターンのつなぎあわせ部に相当する位置ではない位置に設けられているものであることを特徴とする。
本発明においては、光学系に介在し前記透明導電膜に照射されるレーザ光の形状を規定するマスクを、プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所がレーザ光の各照射パターンのつなぎあわせ部に相当する位置ではない位置に設けられている孔形状にしている。これにより、レーザ光を照射して除去された部分のつなぎ目が電気的特性に影響を与えない部分に設けられるため、レーザ光照射装置及び前記パネル移動時又はマスク取り付け時に位置ずれが生じても、パターンのずれは電気的特性に影響を与えない部分に発生する。その結果、セル内の電気的特性を一定にすることができるため、発光むらがないプラズマディスプレイパネルを製造することができる。
本発明によれば、プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所がレーザ光の各照射パターンのつなぎあわせ部に相当する位置ではない位置に設けられている孔形状のマスクを使用して透明導電膜をパターニングすることにより、ショット毎のつなぎ目が電気的特性に影響を与えない部分に設けられるため、セル内の電気的特性が均一な透明電極を形成することができ、画像に発光むらがないプラズマディスプレイパネルを製造することができる。
以下、本発明の実施形態に係るPDPの透明電極形成方法について説明する。図1は本実施形態において使用する透明電極形成装置の構成を示す模式図である。図1に示すように、本実施形態において使用される透明電極形成装置は、レーザ光8を透明ガラス基板7に向けて照射するレーザ光照射装置と、ガラス基板7を相対的に移動される駆動装置と、レーザ光照射装置から出射されたレーザ光8を透明ガラス基板に導く光学系と、この光学系に介在して透明ガラス基板7に照射されるレーザ光8の形状を規定するマスク5とが設けられている。
本実施形態におけるレーザ光照射装置は、YAGレーザ等のレーザ発振器1にレーザ光8を拡大するビーム拡張器2が取り付けられており、このビーム拡張器2の下方には、ビーム拡張器2から出射したレーザ光8の強度を均一化するビーム整形密度均質化ユニット3が配置されている。そして、ビーム整形密度均質化ユニット3と透明導電膜が形成されている透明ガラス基板7との間には、レーザ光8を透明ガラス基板に導く光学系である結像レンズ4及び対物レンズ6が配置されており、この結像レンズ4と対物レンズ6との間に、マスク5が配置されている。また、本実施形態の透明電極形成装置には、X軸方向及びY軸方向に移動するステージを備える駆動装置(図示せず)が設けられており、透明ガラス基板7は、この駆動装置のステージ上に載置されている。
図2は本実施形態の電極形成装置で使用されるマスクの孔形状を示す平面図であり、図3は本実施形態において形成される透明電極のパターンを示す平面図である。図3に示すように、本実施形態において形成される透明電極10は、X方向に延びる基幹部10aと、この基幹部10aから垂直方向に延出する延出部10bとからなり、基幹部10aが相互に平行で隣り合う2本の透明電極10が、延出部10b同士が対向するように配置されている。そして、背面基板に上に形成された隔壁13は、この1対の透明電極10とこれらに隣接する他の透明電極との間、及びX方向に隣接する延出部10bの間に配置される。即ち、隔壁13により区画される1つのセル内においては、相互に平行でX方向に延びる1対の基幹部10aと、この基幹部10aの中心部からセルの中心部に向かって垂直に延出する1対の延出部10bとが設けられている。延出部10bは対向するように配置され、それらの間には一定の間隔が設けられており、この対向する延出部10b間が放電ギャップ11となる。
また、図2に示すように、本実施形態におけるマスク5には、1セル分の透明電極パターンに対応する形状の孔が形成されている。この孔の形状は、その中央部に、透明電極10の放電ギャップ11に対応する部分が形成されたものである。具体的には、マスク5の中央部分にH字型の孔9aが形成されており、この孔9aの上下にはX方向に延びる孔9b及び9cが形成されている。H字型の孔9aのX方向に延びる部分における孔9b及び9c側の縁9dは、透明電極10における延出部10aの縁を規定する。即ち、対向する縁9dの間が放電ギャップ11に対応する部分9eである。また、H字型の孔9aのY方向に延びる部分における孔9b及び9c側の縁9fは、透明電極パターン10の基幹部10aの縁部を規定し、この部分のY方向に延びる外側の縁9gは隣接するパターンと重ね合わされる部分を規定する。更に、X方向に延びる孔9b及び9cは、隣接する透明電極10を分離する領域を規定する。このように、マスク5の孔形状は、透明電極10間の基幹部10aに対応する部分が縁部になっている。そして、このマスク5を使用してレーザ光を照射する際は、このマスク縁部に対応するレーザ照射部で、透明導電性膜上の隣り合う電極パターン同士をつなぎ合わせるようになっている。
次に、本実施形態の透明電極形成装置の動作、即ち、PDP用透明電極の形成方法について説明する。先ず、透明導電膜が形成された透明ガラス基板5を駆動装置のステージ上に載置する。そして、レーザ発振器1から取り出したレーザ光8を、ビーム拡張器2にて拡大し、更にビーム整形均質化ユニット3でレーザ光8の強度を均一化する。均一化されたレーザ光8をある一定のパルスにて、結像レンズ4を介して図2に示す孔が形成されたマスク5に照射する。マスク5は1セル分の透明電極のパターンに対応する形状の孔9a、9b、9cが形成されており、レーザ光8はマスク5の孔9a、9b、9cを通過し、対物レンズ6を介して透明ガラス基板7上に形成された透明導電膜に照射される。これにより、レーザ光が照射された部分の透明導電膜が除去され、透明ガラス基板7上に1セル分の電極パターンが形成される。なお、この透明電極10における放電ギャップ長Lは、例えば、70μmである
次に、透明ガラス基板7が載置されているステージを、X軸方向に1セル分だけ移動させ、同様の方法で従前のレーザ光照射領域(電極パターンが形成された領域)に隣接する領域に、次の電極パターンを形成する。このとき、電極パターンが切れてしまわないように、先に形成したパターンの端部と僅かに重なるようにしてつなぎ合わせる。この工程を複数回繰り返して1列目の電極パターンを形成した後、ステージをY軸方向に移動させて、2列目の電極パターンを形成し、以下、同様に3列目以降の電極パターンを形成することにより、透明ガラス基板7上に透明電極10を形成する。
図3に示すように、図2に示すマスク5を使用して形成された透明電極10は、1セル内に配置される放電ギャップ11が1ショットで形成されており、ショット毎のつなぎ目部分13は基幹部10aに設けられている。これにより、例えば、透明ガラス基板7が載置されているステージの位置精度の誤差又はマスク5の固定部にずれにより、つなぎ目部分13にずれが生じても、延出部10aの形状及び対向する1対の延出部10aの間隔、即ち、放電ギャップ11の長さL及び形状は変化せず、常に一定になる。また、図3(b)に示すように、つなぎ目部分13は、背面基板に形成された隔壁12と重ね合わされる部分に設けられているため、多少のずれが発生していても画像表示には影響しない。
次に、本実施形態の比較例について説明する。図4比較例1のマスクの孔形状を示す平面図であり、図5(a)及び(b)はそれにより形成された透明電極を示す平面図である。また、図6は比較例2のマスクの孔形状を示す平面図であり、図7及び図8はそれにより形成された透明電極を示す平面図である。例えば、図4に示すように、比較例1のマスク25には、中心部に対向する1対の透明電極20の内側の縁を規定する十字型の孔29aが形成され、この孔29aの上下は、隣接する透明電極20を分離する領域を規定する孔29b及び29cが形成されている。マスク25における十字型の孔29aは、放電ギャップ部21に対応する部分29dが端部に設けられているため、このマスク25を使用して、前述の実施形態と同様の方法で透明電極20を形成すると、図5(a)に示すように、隣り合う電極パターン同士が延出部20b、即ち、放電ギャップ21でつなぎ合わせられることになる。このため、つなぎ目部分23にずれが生じると、その部分の放電ギャップの長さL2は、ずれがない放電ギャップの長さL1よりも短くなる。このように、放電ギャップ部21に対応する部分29dが孔の端部に設けられているマスク25では、透明電極20内における放電ギャップの長さ及び放電ギャップ21の形状が不均一になりやすい。放電ギャップ長が設計値よりも短いセルは、所定の放電電圧以下でも発光してしまうため、例えば、図5(b)に示すように、放電ギャップの長さが短いセルがY方向に並んで形成されると、この部分は発光させたくないセルまで発光してしまい、画像中に筋が発生する。
また、図6に示すように、比較例2のマスク35には、X方向に延び、中心部に隣接する透明電極30を分離する領域を規定する孔39aが形成されており、この孔39の上下には、透明電極30の基幹部30a及び延出部30bの縁を規定する⊥状の孔39b及び39cが形成されている。この孔39b及び39cにおいては、放電ギャップ部31に対応する部分39dが端部に設けられている。このマスク35を使用して、前述の実施形態と同様の方法で透明電極30を形成すると、前述の比較例1のマスク25と同様に、放電ギャップ部31でつなぎ合わされるため、放電ギャップ長が短くなりやすい。仮に、図7に示すように、X軸方向のつなぎ目部分33aにずれが生じなかった場合でも、透明ガラス基板7(ステージ)をY軸方向に移動させる際の誤差により、放電ギャップ部31のY軸方向の継ぎ目部分33bにおいて重ね合わされる面積が変化し、ずれがない場合の放電ギャップ長L1よりも、放電ギャップ長が短くなったり(放電ギャップ長L3)、長くなったり(放電ギャップ長L4)することがある。このように、放電ギャップ部31に対応する部分39dが端部に設けられている孔形状のマスク35では、透明電極30内における放電ギャップ長が不均一になりやすい。放電ギャップ長が短いセルは、放電開始電圧が低く、所定の放電電圧以下でも発光してしまうため、例えば、図8に示すように、放電ギャップ長が短いセルがX方向に並んで形成されると、この部分は発光させたくないセルまで発光してしまい、画像中に筋が発生する。
一方、本実施形態のマスク5は、孔の中央部に放電ギャップ部11に対応する部分を形成しているため、ショット毎のつなぎ目部分13は、放電ギャップ以外の部分に設けられる。このため、位置ずれが発生しても、放電ギャップ11の長さL及び形状は変化しない。また、本実施形態のマスク5の孔形状は、つなぎ目部分13を隔壁12と重なる部分に設けているため、このつなぎ目部分13にずれが発生しても、画像表示には影響がない。その結果、各セルの放電開始電圧が均一で、表示画像に発光むらがないPDPを製造することができる。
また、本実施形態の透明電極形成方法は、従来利用されてきたリフトオフ法より精度が高く、工程が少ないレーザ加工により透明電極を形成するため、より微細な加工が可能になると共に、製造時間の短縮及び製造コストの低減を実現することができる。
更に、本実施形態の透明電極形成方法は、1回のレーザ照射で所定の放電ギャップ長Lを得ることができるため、前述の特許文献1に記載の加工方法のように、1セル分の電極パターンを形成するために、複数回レーザ照射したり、放電ギャップ長を測定したりする必要がない。
なお、本発明は上記実施形態に限定されないことは勿論である。上記実施形態は、プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所として、プラズマディスプレイパネルの透明電極間の放電ギャップを例にとって説明したものであるが、例えば、このプラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所としては、そのほかに、電極の幅等があり、本発明は、放電開始電圧等の電気的特性に影響を与える箇所がレーザ光照射パターンのつなぎ目にこないようにすることを要旨とするものである。
また、本実施形態においては、マスク5に1セル分の電極パターンに対応する孔が形成されている場合について述べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、放電ギャップ部11に対応する部分(孔)が周縁部以外の部分に設けられていればよく、例えば、複数セル分の電極パターンに対応する孔が形成されていてもよい。
更に、本実施形態においては、透明ガラス基板7を移動させる場合について述べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、レーザ光照射装置又は透明ガラス基板の少なくとも一方を相対的に移動させればよく、例えば、透明ガラス基板7を固定して、レーザ光照射装置を移動させてもよい。
本発明の実施形態の透明電極形成装置の構成を示す模式図である。 本発明の実施形態の透明電極形成装置で使用されるマスクの孔形状示す平面図である。 本実施形態において形成される透明電極のパターンを示す平面図である。 比較例1のマスクの孔形状を示す平面図である。 (a)及び(b)は図4に示すマスクにより形成された透明電極を示す平面図である。 比較例2のマスクの孔形状を示す平面図である。 図6に示すマスクにより形成された透明電極を示す平面図である。 図6に示すマスクにより形成された透明電極を示す平面図である。 AC面放電型カラープラズマディスプレイのパネル構造を示す分解斜視図である。
符号の説明
1;レーザ発振器
2;ビーム拡張器
3;ビーム整形密度均質化ユニット
4;結像レンズ
5、25、35;マスク
6;対物レンズ
7、101、102;透明ガラス基板
8;レーザ光
9、9a、9b、9c、29a、29b、29c、39a、39b、39c;孔
9d、9f、9g;縁
9e、29d、39d;放電ギャップに対応する部分
10、20、30、107;透明電極
10a、20a、30a;基幹部
10b、20b、30b;延出部
11、21、31;放電ギャップ
12、105;隔壁
13、23、33;つなぎ目部分
100;プラズマディスプレイパネル
103;データ電極
104;白色誘電体層
106a;蛍光体層(R)
106b;蛍光体層(G)
106c;蛍光体層(B)
108;バス電極
109;透明誘電体層
110;ブラックストライプ
111;透明保護膜
L、L1、L2、L3、L4:放電ギャップ長

Claims (8)

  1. 透明導電膜が形成されたパネルに向けてレーザ光を照射し、このレーザ光を前記透明導電膜に導く光学系に、前記透明導電膜に照射されるレーザ光の形状を規定するマスクを介在させ、前記マスクには、透明電極における1画素又は複数画素に対応する部分の形状の孔を形成しておき、前記レーザ光を前記透明導電膜に前記孔の形状で照射することにより透明導電膜における照射部分を前記孔の形状に局部的に除去し、前記パネルと前記マスクとを相対的に移動させることにより、前記透明導電膜における除去された部分をつなぎあわせて所定形状の透明電極を形成するプラズマディスプレイパネルの透明電極形成方法であって、前記マスクの孔形状は、前記プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所が前記レーザ光の各照射パターンのつなぎあわせ部に相当する位置ではない位置に設けられているものであることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの透明電極形成方法。
  2. 前記プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所は、プラズマディスプレイパネルの透明電極間の放電ギャップの部分であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネルの透明電極形成方法。
  3. 前記マスクの孔形状は、前記レーザ光の各照射パターンのつなぎあわせ部に相当する位置が、前記プラズマディスプレイパネルの隔壁上に位置するように形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマディスプレイパネルの透明電極形成方法。
  4. レーザ発振器から発振したレーザ光を、拡張器により径を拡大し、整形密度均質化器により強度を均一化した後、前記パネルに向けて照射することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの透明電極形成方法。
  5. プラズマディスプレイパネルの透明電極の形成装置において、レーザ光を透明導電膜が形成されたパネルに向けて照射するレーザ光照射装置と、このレーザ光照射装置及び前記パネルの少なくとも一方を相対的に移動させる駆動装置と、前記レーザ光照射装置からのレーザ光を前記パネル上の前記透明導電膜に導く光学系と、前記光学系に介在し前記透明導電膜に照射されるレーザ光の形状を規定するマスクと、を有し、前記マスクには、透明電極における1画素又は複数画素に対応する部分の形状の孔が形成されていて、前記レーザ光が前記透明導電膜に前記孔の形状で照射されて透明導電膜における照射部分が前記孔の形状に局部的に除去され、前記駆動手段により前記パネルと前記照射装置とを相対的に移動させることにより、前記透明導電膜における除去された部分をつなぎあわせて所定形状の透明電極を形成するものであり、前記マスクの孔形状は、前記プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所が前記レーザ光の各照射パターンのつなぎあわせ部に相当する位置ではない位置に設けられているものであることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの透明電極形成装置。
  6. 前記プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所は、プラズマディスプレイパネルの透明電極間の放電ギャップの部分であることを特徴とする請求項5に記載のプラズマディスプレイパネルの透明電極形成装置。
  7. 前記マスクの孔形状は、前記レーザ光の各照射パターンのつなぎあわせ部に相当する位置が、前記プラズマディスプレイパネルの隔壁上に位置するように形成されていることを特徴とする請求項5又は6に記載のプラズマディスプレイパネルの透明電極形成装置。
  8. 前記レーザ照射装置は、レーザ発振器と、前記レーザ発振器から発振したレーザ光の径を拡大する拡張器と、前記レーザ光を均一化する整形密度均質化器と、を有することを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの透明電極形成装置。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007049653A1 (ja) * 2005-10-28 2007-05-03 Asahi Glass Co., Ltd. 薄膜付き透明基板、及び、その薄膜付き透明基板を用いる回路パターン付き透明基板の製造方法
EP1965616A1 (en) * 2005-12-20 2008-09-03 Asahi Glass Co., Ltd. Glass substrate having circuit pattern and process for producing the same
US7776229B2 (en) 2006-05-18 2010-08-17 Asahi Glass Company, Limited Glass substrate provided with transparent electrodes and process for its production
KR101109444B1 (ko) * 2005-12-06 2012-05-30 아사히 가라스 가부시키가이샤 레이저 패터닝용 투명 도전막이 형성된 기판 및 그 제조방법
WO2013111806A1 (ja) * 2012-01-24 2013-08-01 デクセリアルズ株式会社 透明導電性素子およびその製造方法、入力装置、電子機器、ならびに透明導電層の加工方法
JP2013171419A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Nissha Printing Co Ltd 配線パターン及び配線パターンの形成方法
US8648278B2 (en) 2010-04-08 2014-02-11 Asahi Glass Company, Limited Process for producing substrate provided with metal pattern and substrate provided with metal laminate
CN103915222A (zh) * 2014-03-11 2014-07-09 江苏欧赛德科技有限公司 一种节能环保型双炉膛立式漆包机
JP2019046541A (ja) * 2017-08-29 2019-03-22 古河電気工業株式会社 透明導電膜付基板の製造方法、透明導電膜付基板及び太陽電池

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007049653A1 (ja) * 2005-10-28 2007-05-03 Asahi Glass Co., Ltd. 薄膜付き透明基板、及び、その薄膜付き透明基板を用いる回路パターン付き透明基板の製造方法
KR101109444B1 (ko) * 2005-12-06 2012-05-30 아사히 가라스 가부시키가이샤 레이저 패터닝용 투명 도전막이 형성된 기판 및 그 제조방법
EP1965616A1 (en) * 2005-12-20 2008-09-03 Asahi Glass Co., Ltd. Glass substrate having circuit pattern and process for producing the same
EP1965616A4 (en) * 2005-12-20 2010-08-25 Asahi Glass Co Ltd GLASS SUPPLY WITH CIRCUIT STRUCTURE AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURE
US7846641B2 (en) 2005-12-20 2010-12-07 Asahi Glass Company, Limited Glass substrate having circuit pattern and process for producing the same
US7776229B2 (en) 2006-05-18 2010-08-17 Asahi Glass Company, Limited Glass substrate provided with transparent electrodes and process for its production
US8648278B2 (en) 2010-04-08 2014-02-11 Asahi Glass Company, Limited Process for producing substrate provided with metal pattern and substrate provided with metal laminate
JP2013173342A (ja) * 2012-01-24 2013-09-05 Dexerials Corp 透明導電性素子およびその製造方法、入力装置、電子機器、ならびに透明導電層の加工方法
WO2013111806A1 (ja) * 2012-01-24 2013-08-01 デクセリアルズ株式会社 透明導電性素子およびその製造方法、入力装置、電子機器、ならびに透明導電層の加工方法
CN104054140A (zh) * 2012-01-24 2014-09-17 迪睿合电子材料有限公司 透明导电元件及其制造方法、输入装置、电子设备以及透明导电层的加工方法
TWI570749B (zh) * 2012-01-24 2017-02-11 Dexerials Corp Transparent conductive element and method of manufacturing the same, input device, electronic machine, and transparent conductive layer processing method
JP2013171419A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Nissha Printing Co Ltd 配線パターン及び配線パターンの形成方法
CN103915222A (zh) * 2014-03-11 2014-07-09 江苏欧赛德科技有限公司 一种节能环保型双炉膛立式漆包机
CN103915222B (zh) * 2014-03-11 2016-08-10 江苏欧赛德科技有限公司 一种节能环保型双炉膛立式漆包机
JP2019046541A (ja) * 2017-08-29 2019-03-22 古河電気工業株式会社 透明導電膜付基板の製造方法、透明導電膜付基板及び太陽電池
US11198198B2 (en) 2017-08-29 2021-12-14 Furukawa Electric Co., Ltd. Method for manufacturing substrate with transparent conductive film, substrate with transparent conductive film, and solar cell
JP6998703B2 (ja) 2017-08-29 2022-02-04 古河電気工業株式会社 透明導電膜付基板の製造方法、透明導電膜付基板及び太陽電池

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