JP4396283B2

JP4396283B2 - パターン形成方法及び表示パネルの製造方法

Info

Publication number: JP4396283B2
Application number: JP2004012202A
Authority: JP
Inventors: 治朗泉
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 2004-01-20
Filing date: 2004-01-20
Publication date: 2010-01-13
Anticipated expiration: 2024-01-20
Also published as: JP2005208155A

Description

本発明は、フォトリソグラフィーによる微細パターン形成方法、及び、表示パネルの製造方法に関するものである。

近年、表示装置として主流となりつつある液晶表示パネルやプラズマディスプレイパネル等のフラットパネルディスプレイに対してより高精細な表示が求められており、そのため、それらディスプレイにおいては電極配線の数が増えると共に配線間の間隔が極めて微小化している。このような高精細配線パターンをフォトリソグラフィーで形成する場合、配線パターン間のショートが大きな問題となっている。

フォトリソグラフィーにおけるパターン間のショートを防止する方法としては、特許文献１に示されるような「２度露光方法」や「移動露光方法」が、知られている。

前者の２度露光方法は、１度目の露光工程において生じたショート部を２度目の露光工程でカットする方法である。この方法による場合、２度目の露光工程において１度目の露光工程で形成されたパターンを崩さないように露光する必要があるため、２度目の露光工程で用いるフォトマスクはその光を通すスリットの寸法が１度目のものよりも小さい高精細なフォトマスクとなり、且つその位置合せ作業にもより緻密さが要求される。その結果、フォトマスクが高価になるとともに、２度の露光工程を行う上にフォトマスクの位置合せを緻密に行う必要があるために工数が大幅に増加して生産性が低下し、製品のコストアップの大きな要因となる。

また、後者の移動露光方法は、１回の露光工程において１度露光した後にフォトマスクを僅かにずらして再度露光する方法であり、単一のマスクを用いるという点及び露光工程が１回だけで済むという点で、上述した２度露光方法に比べてコスト面や生産性の面では優れている。

しかし、同一のフォトマスクを移動させているため、マスク移動方向と平行なパターン部分以外は１度目の露光と露光エリアがずれてしまう。その結果、配線の幅が減少して配線の電気抵抗値が増加してしまい、高精細ディスプレイの配線パターン形成には不利となる。
特開平５−２１６０５２号公報

本発明の課題は、適正パターンを崩さずにショート欠陥部を修正できると共にコストアップや生産性の低下を招くことなく、所望の高精細パターンを容易に形成することができるパターンの形成方法及び表示パネルの製造方法を提供する、ことである。

上記課題を解決するため、請求項１に記載のパターン形成方法は、フォトリソグラフィーにより基板上に所定の微細パターンを形成するパターン形成方法であって、基板上に一定の膜厚のパターン材料膜を一様に被着させる成膜工程と、前記パターン材料膜上に第１フォトレジスト膜を一様に積層する第１レジスト膜積層工程と、所定の開口パターンが穿設されたフォトマスクを介して前記第１フォトレジスト膜の表面に光を照射する第１露光工程と、光が照射された前記第１フォトレジスト膜を所定の現像液を用いて現像し前記第１フォトレジスト膜に前記フォトマスクの開口パターンに対応する第１レジストパターンを形成する第１現像工程と、前記第１レジストパターンが形成された第１フォトレジスト膜を介して前記パターン材料膜をエッチングする第１エッチング工程と、前記第１レジストパターンが形成された前記第１フォトレジスト膜を剥離する剥離工程と、エッチングされた前記パターン材料膜上に第２フォトレジスト膜を積層する第２レジスト膜積層工程と、前記第１露光工程で用いたフォトマスクを介して前記第２フォトレジスト膜の表面に光を照射する第２露光工程と、光が照射された前記第２フォトレジスト膜を所定の現像液を用いて現像し前記第２フォトレジスト膜に第２レジストパターンを形成する第２現像工程と、前記第２レジストパターンが形成された第２フォトレジスト膜を介して前記パターン材料膜をエッチングする第２エッチング工程と、を有し、前記第１露光工程における第１照射光と前記第２露光工程における第２照射光とが同じ光度で同じ光源から射出されるように設定し、且つ、前記第２フォトレジスト膜の前記第２照射光に対する感光度を前記第１フォトレジスト膜の前記第１照射光に対する感光度よりも低くなるように設定することで、前記第１レジストパターンが形成された第１フォトレジスト膜で被われない第１の露出エリア内に、前記第２レジストパターンが形成された第２フォトレジスト膜で被われない第２の露出エリアを形成することを特徴とするものである。
また、請求項２に記載のパターン形成方法は、請求項１に記載のパターン形成方法において、前記第１フォトレジスト膜と前記第２フォトレジスト膜は、互いに感光性化合物の含有率が異なっていることを特徴とするものである。
また、請求項３に記載のパターン形成方法は、請求項１または２に記載のパターン形成方法において、前記パターン材料膜は透明導電膜であり、複数の配線が微小な間隔で並設されたパターンに形成されることを特徴とするものである。
また、請求項４に記載の表示パネルの製造方法は、フォトリソグラフィーにより基板上に所定の微細パターンを形成する表示パネルの製造方法であって、基板上に一定の膜厚のパターン材料膜を一様に被着させる成膜工程と、前記パターン材料膜上に第１フォトレジスト膜を一様に積層する第１レジスト膜積層工程と、所定の開口パターンが穿設されたフォトマスクを介して前記第１フォトレジスト膜の表面に光を照射する第１露光工程と、光が照射された前記第１フォトレジスト膜を所定の現像液を用いて現像し前記第１フォトレジスト膜に前記フォトマスクの開口パターンに対応する第１レジストパターンを形成する第１現像工程と、前記第１レジストパターンが形成された第１フォトレジスト膜を介して前記パターン材料膜をエッチングする第１エッチング工程と、前記第１レジストパターンが形成された前記第１フォトレジスト膜を剥離する剥離工程と、エッチングされた前記パターン材料膜上に第２フォトレジスト膜を積層する第２レジスト膜積層工程と、前記第１露光工程で用いたフォトマスクを介して前記第２フォトレジスト膜の表面に光を照射する第２露光工程と、光が照射された前記第２フォトレジスト膜を所定の現像液を用いて現像し前記第２フォトレジスト膜に第２レジストパターンを形成する第２現像工程と、前記第２レジストパターンが形成された第２フォトレジスト膜を介して前記パターン材料膜をエッチングする第２エッチング工程と、を有し、前記第１露光工程における第１照射光と前記第２露光工程における第２照射光とが同じ光度で同じ光源から射出されるように設定し、且つ、前記第２フォトレジスト膜の前記第２照射光に対する感光度を前記第１フォトレジスト膜の前記第１照射光に対する感光度よりも低くなるように設定することで、前記第１レジストパターンが形成された第１フォトレジスト膜で被われない第１の露出エリア内に、前記第２レジストパターンが形成された第２フォトレジスト膜で被われない第２の露出エリアを形成することを特徴とするものである。

本発明によれば、適正パターンを崩さずにショート欠陥部を修正できると共にコストアップや生産性の低下を招くことなく、所望の高精細パターンを容易に形成することができる。

本発明のパターン形成方法においては、第２フォトレジスト膜と第１フォトレジスト膜とは同じ材質で同じ感光性を備え、且つ、第１露光工程における第１照射光と第２露光工程における第２照射光は同じ光源から照射されると共に第２照射光の光度を第１照射光の光度よりも小さくすることが好ましく、これにより、露光光源から射出される照射光の光度を変えるという簡単な操作で異なるレジストパターンを容易に形成することができる。

また、本発明のパターン形成方法においては、第１露光工程における第１照射光と第２露光工程における第２照射光とは同じ光源から同じ光度で射出され、且つ、第２フォトレジスト膜の第２照射光に対する感光度を第１フォトレジスト膜の第１照射光に対する感光度よりも低くすることが好ましく、これにより、所望の２種類のレジストパターンをより再現性良く確実に形成することができる。

さらに、本発明のパターン形成方法は、透明導電膜をパターン材料膜として複数の配線が微小な間隔で並設されたパターンを形成する場合に好適に適用できる。

以下、本発明の好適な実施形態について説明する。
図１(ａ)〜(ｄ)及び図２(ａ)〜(ｄ)は、本発明の一実施形態であって高精細液晶表示パネルのガラス基板上に電極に接続したリード配線(以下、電極配線という)パターンを形成する方法を各工程毎に示す模式的断面図で、図１(ａ)〜(ｄ)は前半の１次フォトリソプロセスを示し、図２(ａ)〜(ｄ)は後半の２次フォトリソプロセスを示している。

まず、成膜工程を実施する。すなわち、図１(ａ)に示すように、ガラス基板１上に電極配線の材料であるＩＴＯ(Indium Tin Oxide：インジウム・錫酸化物)を蒸着し、膜厚が均一なパターン材料膜２を一様に被着する。

次の第１レジスト膜積層工程では、上記パターン材料膜２上に、スピンコート法等によりポジタイプの第１フォトレジスト膜３を均一な膜厚で一様に積層する。この場合のポジタイプの第１フォトレジスト膜３の材料としては、ポリビニールフェノール誘導体やアクリル系樹脂が好適に用いられる。

次順の第１露光工程では、図１(ｂ)に示されるように、得ようとする電極配線パターンに対応した開口パターンが形成されているフォトマスク４を介して、光Ｒ1を上記第１フォトレジスト膜３上に照射する。本実施形態の第１フォトレジスト膜３はポジタイプであるから、フォトマスク４に形成されている開口部４ａは、電極配線パターンの配線間のスペースに対応させて穿設されている。

ここで、本実施形態においては、露光光源として低圧水銀ランプ(不図示)を用い、水銀ランプからの射出光(波長：２５４ｎｍ)をコンデンサレンズ(不図示)を透過させて平行な光束の照射光Ｒ1とし、フォトマスク４を介して第１フォトレジスト膜３上に照射する。ポリビニールフェノール誘導体やアクリル系樹脂からなるポジタイプの第１フォトレジスト膜３は、この照射光Ｒ1に対して高度な感光性を示す。

照射光Ｒ1は、コンデンサレンズにより平行光束とされるが、微小幅の開口スリット４ａを通過することにより、その通過照射光Ｒ1の光量分布は、スリット幅中央において最大でスリット両側縁部に向かって減衰する分布となっている。しかし、照射光Ｒ1の光度つまり光の強さをスリット両側縁部に対応するフォトレジスト膜も充分に感光する程度に高く設定してあるので、第１フォトレジスト膜３におけるスリット開口４ａに対応するエリア全体が、全厚みにわたり、後順の第１現像工程で溶解除去され得る程度に充分に感光した、飽和感光領域ｄが得られる。

次順の第１現像工程においては、現像液として環境対応を考慮した低濃度アルカリ性水溶液を用い、上述した露光済み第１フォトレジスト膜３を現像する。これにより、図１(ｃ)に示されるように、飽和感光領域ｄが溶解除去され、ポジ型の第１レジストパターンが形成される。

そして、次順の第１エッチング工程において、第１レジストパターンが形成された第１フォトレジスト膜３を被着したまま塩化第二鉄を含んだヨウ化水素酸のエッチング液を用いてエッチングすることにより、ＩＴＯパターン材料膜２の露出された領域が選択的に溶解除去され、この後、第１フォトレジスト膜３を適宜の溶剤で溶解除去すれば、図１(ｄ)に示されるようにガラス基板１上に電極配線パターンが形成された液晶表示パネル用電極基板Ｓ1が得られる。

この第１エッチング工程においては、正確な高精細電極配線パターンを得るためにオーバーエッチングを防止すべく、露出ＩＴＯ膜をエッチング液に晒すエッチング時間が厳密に制御されており、その為、図示されるようにＩＴＯ膜２の露出部分でパターン材料のＩＴＯが充分に溶解除去されずに残存した欠陥領域Ｄｄを生じさせ易い。この欠陥領域Ｄｄは、隣設形成された電極配線Ｌ、Ｌをショート接続するショート欠陥部である。このようなショート欠陥部は、本実施形態のように高精細電極配線パターンを形成するためにフォトマスクの開口パターンも高精細となる場合は、その高精細な開口部に異物等が挟まって露光不足を来たすことによっても生じる。

そこで、上記ショート欠陥部を解消して液晶表示パネル用電極基板を良品に修復するために、以下に示す２次フォトリソプロセスを実施する。

まず、図２(ａ)に示す第２レジスト膜積層工程を実施する。この工程においては、ショート欠陥部Ｄｄを有する上記電極配線パターンを覆い、再度、前述した第１フォトレジスト膜と同じ材料を用いて第２フォトレジスト膜３´を被着形成する。

次に、図２(ｂ)に示す第２露光工程を実施する。この第２露光工程においては、第１露光工程で用いたフォトマスク４をそのまま用いて第２フォトレジスト膜３´に光Ｒ2を照射する。この場合の光Ｒ2は、第１露光工程において用いたものと同じ光源つまり低圧水銀ランプの出力を抑えて射出される光量つまり光度を低減した照射光である。ここで、照射光Ｒ2の光度は、第２フォトレジスト膜３´の照射光Ｒ2により照射されたエリアにおいて後順の第２現像工程で溶解除去され得る程度に感光した飽和感光領域ｄ´が、図示されるような断面が台形の先窄み形状となるまで低減させる。すなわち、飽和感光領域ｄ´がスリット４ａを通過した照射光Ｒ2の光量分布に対応した形状となるまで、光度を低減させる。

次に、図２(ｃ)に示す第２現像工程を実施する。この第２現像工程で用いる現像剤は、１次エッチングプロセスにおける第１現像工程で用いたものと同じ低濃度アルカリ性水溶液である。この低濃度アルカリ性水溶液を用いて第１フォトレジスト膜３と同じ材質の露光された第２フォトレジスト膜３´を現像することにより、図示されるように飽和感光領域ｄ´が溶解除去される。この第２現像工程を終えた段階で、第２フォトレジスト膜３´で被われずに露出しているエリア(以下、第２の露出エリアという)は、上述したように飽和感光領域ｄ´が先窄み形状に形成されていた為、第１現像工程を終えた段階において第１フォトレジスト膜３で被われずに露出していたエリア(以下、第１の露出エリアという)内に形成されている。

次に、図２(ｄ)に示す第２エッチング工程を実施する。ここで用いるエッチング液も、第１エッチング工程で用いたエッチング液と同一である。すなわち、第２フォトレジスト膜３´を溶解せずＩＴＯ膜２だけを選択的に溶解する塩化第二鉄を含んだヨウ化水素酸を用いて第２現像工程を終えた電極基板をエッチング処理することにより、露出されているショート欠陥領域ＤｄのＩＴＯ膜２が選択的に溶解除去される。この際のエッチング時間は、ショート欠陥領域ＤｄのＩＴＯ膜２を溶解するだけであるから、第１エッチング工程でのエッチング処理時間よりも相当に短くてよい。なお、第１エッチングプロセスで得られた適正な電極配線Ｌは、第２フォトレジスト膜３´により覆われているから、この２度目のエッチング処理によってオーバーエッチングされることはない。この後、第２フォトレジスト膜３´を第１エッチング工程で用いたものと同じ溶剤を用いて溶解除去すれば、ショート欠陥領域ＤｄのＩＴＯ膜２が溶解除去されて隣設する電極配線Ｌ、Ｌ間が切り離され、ショート欠陥部が解消されて良品に修復された電極基板Ｓ2が得られる。

以上のように、本実施形態の液晶表示パネル用電極配線パターン形成方法によれば、２度目の露光における照射光Ｒ2の光度を１度目の露光における照射光Ｒ1の光度よりも低くし、第２フォトレジスト膜３´に形成する飽和感光領域ｄ´を照射光量分布に対応した先窄み形状としたから、１度目の露光で形成された第１の露出エリア内に、２度目の露光で形成した第２の露出エリアを、常に安定して形成することができる。また、同じフォトマスクを用いて２度露光を行うにも拘わらず、フォトマスクの位置合せにおいてある程度の許容幅を見込むことができるから、従来の２度露光方法に比べると生産性の低下が大幅に緩和される。その結果、コストアップや生産性の低下を最小限に抑えて、ショート欠陥部が修正されると共に所望の高精細電極配線パターンが正確に形成された液晶表示パネル用電極基板が得られる。

次に、本発明の他の実施形態について、図３(ａ)〜(ｄ)に基づき説明する。なお、上記実施形態と同一の構成要素については同一の符号を付して、その説明を省略する。

本実施形態のパターン形成方法は、上述した液晶表示パネルの電極配線パターン形成方法の一変形方法であり、１次フォトリソプロセスは上述の実施形態の場合と同じである。

本実施形態の２次フォトリソプロセスにおいては、まず、図３(ａ)に示す第２レジスト膜積層工程を実施する。この第２レジスト膜積層工程では、１次フォトリソプロセスにおいて発生したショート欠陥領域Ｄｄを有する電極基板Ｓ1に第２フォトレジスト膜５を被着する。この第２フォトレジスト膜５は、第１フォトレジスト膜(図１(ａ)参照)と同じ材料からなるが、低圧水銀ランプから射出された照射光に対する感光度が第１フォトレジスト膜３よりも低くなるように材料が調製されている。なお、フォトレジスト膜の感光度を低下させるには、フォトレジスト膜の材料中に含有させる例えば光ラジカル開始剤およびラジカル重合性二重結合化合物等の感光性化合物の濃度を低減すればよい。

次に、図３(ｂ)に示す第２露光工程を実施する。この第２露光工程においては、第１露光工程と同じ光源からの照射光Ｒ1を同一のフォトマスク４を介して第２フォトレジスト膜５上に照射させる。この場合、１度目の露光と２度目の露光とで、同じ光源から同じ光度で射出される照射光Ｒ1を照射するが、第２フォトレジスト膜５の照射光Ｒ1に対する感光度を第１フォトレジスト膜３の照射光Ｒ1に対する感光度よりも低く設定したから、照射エリアの縁辺における照射光量は第２フォトレジスト膜５の飽和感光光量に達しない。その結果、２度目の露光により生じる飽和露光領域ｄ´は、図示されるような逆釣鐘状をなす。すなわち、第２フォトレジスト膜５表面からの深さが深くなるに従い急速に飽和感光面積が小さくなっている。

次に、図３(ｃ)に示す第２現像工程を実施する。この第２現像工程で用いる現像剤としては、１次エッチングプロセスにおける第１現像工程で用いたものと同じ低濃度アルカリ性水溶液を用いることができる。この低濃度アルカリ性水溶液を用いて第１フォトレジスト膜３とは照射光Ｒ1に対する感光度が低いだけで略同じ材質の露光された第２フォトレジスト膜５を現像することにより、図示されるように飽和感光領域ｄ´が溶解除去される。この第２現像工程を終えた段階で、第２フォトレジスト膜５で被われずに露出しているのは、上述したように飽和感光領域ｄ´が逆釣鐘状に形成されていた為、１次フォトリソプロセスで形成された電極配線Ｌ、Ｌ間のガラス基板面かショート欠陥領域ＤｄのＩＴＯ膜２である。

次に、図３(ｄ)に示す第２エッチング工程を実施する。ここで用いるエッチング液も、第１エッチング工程で用いたエッチング液と同一である。すなわち、第２フォトレジスト膜５を溶解せずＩＴＯ膜２だけを選択的に溶解する塩化第二鉄を含んだヨウ化水素酸を用いて第２現像工程を終えた電極基板をエッチング処理することにより、露出されているショート欠陥領域ＤｄのＩＴＯ膜２が選択的に溶解除去される。この際のエッチング時間は、ショート欠陥領域ＤｄのＩＴＯ膜２を溶解するだけでよいから、第１エッチング工程でのエッチング処理時間よりも相当に短くて済む。なお、１次フォトリソプロセスで得られた適正なパターンの電極配線Ｌは、第２フォトレジスト膜５により覆われているから、この２度目のエッチング処理によってオーバーエッチングされることはない。この後、第２フォトレジスト膜５を第１エッチング工程で用いたものと同じ溶剤を用いて溶解除去すれば、ショート欠陥領域ＤｄのＩＴＯ膜２が溶解除去されて隣り合う電極配線Ｌ、Ｌ間が切り離され、ショート欠陥部が解消されて良品に修復された電極基板Ｓ2が得られる。

以上のように、本実施形態の液晶表示パネル用電極配線パターン形成方法によれば、第２フォトレジスト膜５の照射光に対する感光度が第１フォトレジスト膜３の同じ照射光に対する感光度よりも低くなるようにそれぞれの材料を調製し、第２フォトレジスト膜５に形成する飽和感光領域ｄ´を逆釣鐘形状としたから、２度目の露光で形成した第２レジストパターンで被われずに露出するエリアつまり第２の露出エリアを、１度目の露光で形成された第１レジストパターンで被われずに露出するエリアつまり第１の露出エリア内に、常に安定して形成することができる。また、同じフォトマスクを用いて２度露光を行うにも拘わらず、フォトマスクの位置合せにおいて所望の許容幅を見込むことができるから、従来の２度露光方法に比べると生産性の低下が大幅に緩和される。その結果、コストアップや生産性の低下を最小限に抑えて、ショート欠陥部が修正されると共に所望の高精細電極配線パターンが再現性良く正確に形成された液晶表示パネル用電極基板Ｓ2が得られる。

なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。
例えば、異なる２種類の所望のレジストパターンを形成することは、上述した照射光の光度やフォトレジスト膜の感光度を変える方法に限らず、露光時間やフォトマスクとフォトレジスト膜面間の距離或いはフォトレジスト膜の膜厚を変えることによっても可能である。

また、フォトレジスト膜の感光度を変える方法においては、第１フォトリソプロセスと第２フォトリソプロセスにおける照射光の光源や光度とフォトレジスト膜の材質との組み合わせを同じにして感光度だけを変えたが、これに限らず、それらの組み合わせは、第２の露出エリアをを第１の露出エリア内に形成できるならば、他の種々の組み合わせが可能である。

更に、本発明は、液晶表示パネルにおける電極配線パターンの形成に限らず、他の種々の微細パターンの形成に広く適用できることは勿論である。

本発明の一実施形態であって、液晶表示パネルの電極配線パターン形成方法における１次フォトリソプロセスを各工程毎に示す模式的断面図であり、(ａ)は第１レジスト膜形成工程を、(ｂ)は第１露光工程を、(ｃ)は第１現像工程を、(ｄ)は第１エッチング工程を、それぞれ示している。上記電極配線パターン形成方法における２次フォトリソプロセスを各工程毎に示す模式的断面図であり、(ａ)は第２レジスト膜形成工程を、(ｂ)は第２露光工程を、(ｃ)は第２現像工程を、(ｄ)は第２エッチング工程を、それぞれ示している。本発明の他の実施形態であって、液晶表示パネルの電極配線パターン形成方法における２次フォトリソプロセスの他の実施形態を各工程毎に示す模式的断面図であり、(ａ)は第２レジスト膜形成工程を、(ｂ)は第２露光工程を、(ｃ)は第２現像工程を、(ｄ)は第２エッチング工程を、それぞれ示している。

符号の説明

１ガラス基板
２パターン材料膜
３第１フォトレジスト膜
３´、５第２フォトレジスト膜
４フォトマスク
Ｓ1、Ｓ2 電極基板
Ｒ1、Ｒ2 照射光
ｄ、ｄ´ 飽和感光領域

Claims

フォトリソグラフィーにより基板上に所定の微細パターンを形成するパターン形成方法であって、
基板上に一定の膜厚のパターン材料膜を一様に被着させる成膜工程と、
前記パターン材料膜上に第１フォトレジスト膜を一様に積層する第１レジスト膜積層工程と、
所定の開口パターンが穿設されたフォトマスクを介して前記第１フォトレジスト膜の表面に光を照射する第１露光工程と、
光が照射された前記第１フォトレジスト膜を所定の現像液を用いて現像し前記第１フォトレジスト膜に前記フォトマスクの開口パターンに対応する第１レジストパターンを形成する第１現像工程と、
前記第１レジストパターンが形成された第１フォトレジスト膜を介して前記パターン材料膜をエッチングする第１エッチング工程と、
前記第１レジストパターンが形成された前記第１フォトレジスト膜を剥離する剥離工程と、
エッチングされた前記パターン材料膜上に第２フォトレジスト膜を積層する第２レジスト膜積層工程と、
前記第１露光工程で用いたフォトマスクを介して前記第２フォトレジスト膜の表面に光を照射する第２露光工程と、
光が照射された前記第２フォトレジスト膜を所定の現像液を用いて現像し前記第２フォトレジスト膜に第２レジストパターンを形成する第２現像工程と、
前記第２レジストパターンが形成された第２フォトレジスト膜を介して前記パターン材料膜をエッチングする第２エッチング工程と、
を有し、
前記第１露光工程における第１照射光と前記第２露光工程における第２照射光とが同じ光度で同じ光源から射出されるように設定し、且つ、前記第２フォトレジスト膜の前記第２照射光に対する感光度を前記第１フォトレジスト膜の前記第１照射光に対する感光度よりも低くなるように設定することで、前記第１レジストパターンが形成された第１フォトレジスト膜で被われない第１の露出エリア内に、前記第２レジストパターンが形成された第２フォトレジスト膜で被われない第２の露出エリアを形成することを特徴とするパターン形成方法。
前記第１フォトレジスト膜と前記第２フォトレジスト膜は、互いに感光性化合物の含有率が異なっていることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
前記パターン材料膜は透明導電膜であり、複数の配線が微小な間隔で並設されたパターンに形成されることを特徴とする請求項１または２に記載のパターン形成方法。
フォトリソグラフィーにより基板上に所定の微細パターンを形成する表示パネルの製造方法であって、
基板上に一定の膜厚のパターン材料膜を一様に被着させる成膜工程と、
前記パターン材料膜上に第１フォトレジスト膜を一様に積層する第１レジスト膜積層工程と、
所定の開口パターンが穿設されたフォトマスクを介して前記第１フォトレジスト膜の表面に光を照射する第１露光工程と、
光が照射された前記第１フォトレジスト膜を所定の現像液を用いて現像し前記第１フォトレジスト膜に前記フォトマスクの開口パターンに対応する第１レジストパターンを形成する第１現像工程と、
前記第１レジストパターンが形成された第１フォトレジスト膜を介して前記パターン材料膜をエッチングする第１エッチング工程と、
前記第１レジストパターンが形成された前記第１フォトレジスト膜を剥離する剥離工程と、
エッチングされた前記パターン材料膜上に第２フォトレジスト膜を積層する第２レジスト膜積層工程と、
前記第１露光工程で用いたフォトマスクを介して前記第２フォトレジスト膜の表面に光を照射する第２露光工程と、
光が照射された前記第２フォトレジスト膜を所定の現像液を用いて現像し前記第２フォトレジスト膜に第２レジストパターンを形成する第２現像工程と、
前記第２レジストパターンが形成された第２フォトレジスト膜を介して前記パターン材料膜をエッチングする第２エッチング工程と、
を有し、
前記第１露光工程における第１照射光と前記第２露光工程における第２照射光とが同じ光度で同じ光源から射出されるように設定し、且つ、前記第２フォトレジスト膜の前記第２照射光に対する感光度を前記第１フォトレジスト膜の前記第１照射光に対する感光度よりも低くなるように設定することで、前記第１レジストパターンが形成された第１フォトレジスト膜で被われない第１の露出エリア内に、前記第２レジストパターンが形成された第２フォトレジスト膜で被われない第２の露出エリアを形成することを特徴とする表示パネルの製造方法。