JP6998703B2 - 透明導電膜付基板の製造方法、透明導電膜付基板及び太陽電池 - Google Patents

透明導電膜付基板の製造方法、透明導電膜付基板及び太陽電池 Download PDF

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Description

本発明は、透明導電膜付基板の製造方法、透明導電膜付基板及び太陽電池に関するものである。
液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイや、太陽電池には、ガラス等の透明基板の表面に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜等の透明導電膜が形成された透明導電膜付基板が用いられている。透明導電膜付基板では、透明導電膜が所定のパターンで基板の表面に形成されている。透明導電膜のパターニングは、例えばレーザ加工により行われる。レーザ加工の場合、基板表面の透明導電膜へのレーザ光の照射によってエネルギーが与えられることで、透明導電膜の一部が除去され、パターニングされる。透明導電膜が除去された後に露出した基板の表面には、絶縁性の保護膜が形成される。
特許文献１では、透明導電膜が除去された除去領域と透明導電膜との境界領域に、透明導電膜が島状になっている島状部分を形成して、そのアンカー効果によって保護膜の剥離をし難くする技術が開示されている。特許文献１では、周辺部分に熱拡散をさせないため、パルス幅が１０ピコ秒以下、好ましくはフェムト秒である超短パルスレーザ光を用いて、透明電極のパターニングを行うことが開示されている。
特開２０１６－１９０３９２号公報
しかしながら、このような超短パルスレーザ光では、透明導電膜の島状部分の大きさが小さく形成されるので、境界領域における透明導電膜は目が細かい凹凸形状となり、また、島の間に透明導電膜が残存しやすく、また、島同士が完全に分離しない場合があるので、アンカー効果が不十分になる虞がある。また、超短パルスレーザ光では、１パルス当たりのエネルギーが小さいので、透明電極を除去してパターニングするには時間が掛かる場合がある。また、超短パルスレーザ光は、１パルス当たりのエネルギーが同じ場合はパルス幅が短い程尖塔値が高くなるので、尖塔値が高い部分で基板にダメージを与える虞がある。このようなダメージを防止するには、基板にダメージを与えない程度に尖塔値を低下させる必要があるが、そうすると１パルス当たりのエネルギーが小さくなるので、パターニングに一層時間が掛かることとなる。このようにパターニングに時間が掛かると、透明導電膜付基板の製造時間が長くなり、製造性が低下する。そのため透明導電膜付基板の製造コストが高くなる。
また、超短パルスレーザ光の場合、その超短パルス幅に対応するために、超短パルスレーザ光を出力するレーザ装置自体や、レーザ装置とともに使用するレンズ等の周辺機器も高価なものが必要となるので、設備コストが高くなる。その結果、製造される透明導電膜付基板も高価になる。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、透明導電膜の形状加工を安価かつ好適に実現できる透明導電膜付基板の製造方法、好適な形状の透明導電膜を有する安価な透明導電膜付基板、及びこれを用いた太陽電池を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の一態様に係る透明導電膜付基板の製造方法は、透明導電膜付基板の製造方法であって、サブナノ－ナノ秒レーザ光を、基板の表面に形成された透明導電膜に照射して、前記透明導電膜の少なくとも一部に、凹凸形状のレーザ誘起周期表面構造を形成することを特徴とする。
本発明の一態様に係る透明導電膜付基板の製造方法は、前記透明導電膜での照射面における、前記サブナノ－ナノ秒レーザ光のビームの少なくとも一部の領域が、前記透明導電膜を除去できるフルエンスと前記透明導電膜を除去できないフルエンスとの間の値となるように、前記サブナノ－ナノ秒レーザ光のフルエンスを制御することを特徴とする。
本発明の一態様に係る透明導電膜付基板の製造方法は、前記サブナノ－ナノ秒レーザ光のビームにおいて、中心領域では前記透明導電膜を除去できるフルエンスとなり、前記中心領域の周囲に位置する第１周囲領域では、前記レーザ誘起周期表面構造を形成できるフルエンスとなり、前記第１周囲領域の周囲に位置する第２周囲領域では、前記透明導電膜を除去できないフルエンスとなるように、前記サブナノ－ナノ秒レーザ光のフルエンスを制御することを特徴とする。
本発明の一態様に係る透明導電膜付基板の製造方法は、前記サブナノ－ナノ秒レーザ光によって前記透明導電膜をパターニングすることを特徴とする。
本発明の一態様に係る透明導電膜付基板の製造方法は、前記サブナノ－ナノ秒レーザ光のビームにおける前記レーザ誘起周期表面構造を形成できるフルエンスである領域の幅を制御することで、前記透明導電膜が除去される幅と、前記レーザ誘起周期表面構造が形成される幅との比率を制御することを特徴とする。
本発明の一態様に係る透明導電膜付基板の製造方法は、前記レーザ誘起周期表面構造は、所定方向に延伸し前記透明導電膜が除去された除去部と、前記所定方向に延伸し前記透明導電膜が残存する残存部とが、前記所定方向と交差する方向において交互に配置された構造を有することを特徴とする。
本発明の一態様に係る透明導電膜付基板の製造方法は、前記透明導電膜の互いに離間した第１領域と第２領域との間に、前記レーザ誘起周期表面構造を形成し、前記第１領域と前記第２領域との間の電気抵抗値を調整することを特徴とする。
本発明の一態様に係る透明導電膜付基板の製造方法は、前記所定方向の設定によって前記第１領域と前記第２領域との間の電気抵抗値を調整することを特徴とする。
本発明の一態様に係る透明導電膜付基板の製造方法は、前記透明導電膜には、前記第１領域と前記第２領域とを含む回路パターンが形成されており、前記所定方向は、前記回路パターンの長手方向に対して傾斜していることを特徴とする。
本発明の一態様に係る透明導電膜付基板の製造方法は、前記所定方向が前記第１領域と前記第２領域とを最短距離で結ぶ方向と直交するように前記レーザ誘起周期表面構造を形成し、前記第１領域と前記第２領域との間を電気的に絶縁することを特徴とする。
本発明の一態様に係る透明導電膜付基板の製造方法は、２つの前記レーザ誘起周期表面構造を、互いの前記所定方向が交差するように重ねて形成し、前記第１領域と前記第２領域との間を電気的に絶縁することを特徴とする。
本発明の一態様に係る透明導電膜付基板の製造方法は、前記透明導電膜の残存部は、０．３μｍから３．０μｍの範囲の間隔で配置されていることを特徴とする。
本発明の一態様に係る透明導電膜付基板の製造方法は、前記サブナノ－ナノ秒レーザ光の偏光方向の設定によって前記所定方向を調整することを特徴とする。
本発明の一態様に係る透明導電膜付基板は、基板と、前記基板の表面に形成された透明導電膜と、を備え、前記基板の表面には、前記基板が前記透明導電膜に覆われていない露出領域と、前記基板が前記透明導電膜に覆われた被膜領域とが形成されており、前記露出領域と前記被膜領域との境界領域に、所定方向に延伸し前記透明導電膜が除去された除去部と前記所定方向に延伸し前記透明導電膜が残存する残存部とが、前記所定方向と交差しかつ前記境界領域の延伸する方向において交互に配置された凹凸構造を有することを特徴とする。
本発明の一態様に係る透明導電膜付基板は、基板と、前記基板の表面に形成された透明導電膜と、を備え、所定方向に延伸し前記透明導電膜が除去された除去部と前記所定方向に延伸し前記透明導電膜が残存する残存部とが、前記所定方向と交差する方向において交互に配置された凹凸構造を有し、前記除去部と前記残存部とによって前記透明導電膜が所定のパターン形状になっていることを特徴とする。
本発明の一態様に係る透明導電膜付基板は、前記凹凸構造はレーザ誘起周期表面構造であることを特徴とする。
本発明の一態様に係る透明導電膜付基板は、前記レーザ誘起周期表面構造はサブナノ－ナノ秒レーザ光によって形成されたものであることを特徴とする。
本発明の一態様に係る透明導電膜付基板は、前記透明導電膜の残存部は、０．３μｍから３．０μｍの範囲の間隔で配置されていることを特徴とする。
本発明の一態様に係る透明導電膜付基板は、少なくとも前記透明導電膜における前記凹凸構造の上に膜が形成されていることを特徴とする。
本発明の一態様に係る太陽電池は、本発明の一態様に係る透明導電膜付基板を備えることを特徴とする。
本発明によれば、透明導電膜の形状加工を安価かつ好適に実現できるという効果を奏する。
図１は、実施形態１に係る透明導電膜付基板の製造方法を説明するための図である。 図２は、実施形態１に係る製造方法を用いて製造された透明導電膜付基板の模式図である。 図３は、凹凸構造とフルエンスとの関係を説明するための図である。 図４は、凹凸構造の顕微鏡写真を示す図である。 図５は、レーザ光のフルエンスを説明するための図である。 図６は、実施形態２に係る透明導電膜付基板の模式図である。 図７は、凹凸構造の写真を示す図である。 図８は、実施形態３に係る透明導電膜付基板の模式図である。 図９は、実施形態４に係る透明導電膜付基板の模式図である。 図１０は、実施形態５に係る透明導電膜付基板の模式図である。 図１１は、実施形態６に係る透明導電膜付基板の模式図である。 図１２は、実施形態７に係る太陽電池の模式的な分解斜視図である。
以下に、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一又は対応する要素には適宜同一の符号を付している。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る透明導電膜付基板の製造方法を説明するための図である。実施形態１に係る製造方法は、加工装置１００によって、透明導電膜が基板の表面全面に形成された透明導電膜付基板の透明導電膜に所定のパターニングを施して、後述する透明導電膜付基板を製造するものである。加工装置１００は、レーザ装置１０１と、ガルバノスキャナ１０２と、ｆθレンズ１０３とを備えている。
レーザ装置１０１は、例えば光ファイバレーザ等のレーザ光源を備えており、パルス幅が０．１ナノ秒から９９９ナノ秒の範囲のサブナノ－ナノ秒パルスレーザ光であるレーザ光Ｌ１を出力する。また、レーザ装置１０１は、レーザ光Ｌ１の偏光方向を調整するための偏光子等の偏光調整器と、レーザ光Ｌ１のビームの形状を調整するためのビーム成形器とを備えている。ビーム成形器は、例えばＤＯＥ（Diffractive Optical Element）で構成されている。
ガルバノスキャナ１０２は、それぞれが電動モータで回転駆動されるガルバノミラー１０２ａ、１０２ｂを備えており、レーザ装置１０１が出力したレーザ光Ｌ１を、回転するガルバノミラー１０２ａ、１０２ｂで反射させて、レーザ光Ｌ１を走査させる。図１では、走査されたレーザ光Ｌ１をレーザ光Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４として示している。
ｆθレンズ１０３は、ガルバノスキャナ１０２が等角度走査したレーザ光を所定の平面上に集光し、かつ該平面上で等速度走査させるものである。上記の所定の平面は、不図示のステージに載置された透明導電膜付基板Ｓの表面に一致するように設定されているので、レーザ光Ｌ１（レーザ光Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４）はｆθレンズ１０３によって透明導電膜付基板Ｓの表面に集光した状態で照射され、軌跡ＴＬのように走査される。サブナノ－ナノ秒のレーザ光Ｌ１を、透明導電膜付基板Ｓの表面に形成された透明導電膜に照射し、透明導電膜の一部を除去することで、透明導電膜に所定のパターンを形成することができる。
図２は、実施形態１に係る製造方法を用いて製造された透明導電膜付基板１０の模式図である。図２（ａ）は透明導電膜付基板１０の、図１の透明導電膜付基板Ｓの領域Ａ１に対応する部分の上面図である。図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ－Ａ線断面図である。
透明導電膜付基板１０は、基板１と、透明導電膜２とを備えている。基板１は、例えばガラス等の透明な材質からなる基板である。透明導電膜２は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化亜鉛（ＺｎＯ）系材料等の透明な導電性材料からなる膜であり、レーザ光Ｌ１によってパターニングされることで、基板１の表面に所定のパターンで形成されたものである。
透明導電膜付基板１０の表面には、基板１が透明導電膜２に覆われていない露出領域１ａと、基板１が透明導電膜２に覆われた被膜領域１ｂとが形成されている。露出領域１ａは図１で示したレーザ光Ｌ１によって透明導電膜２が除去された領域であり、レーザ光Ｌ１の走査方向である方向Ｄ１（図２（ａ）参照）に沿って形成されている。
さらに、透明導電膜付基板１０は、露出領域１ａと被膜領域１ｂとの境界領域１ｃに、凹凸構造３を有する。凹凸構造３については後に詳述する。
さらに、図２（ｂ）に示すように、透明導電膜付基板１０は、保護膜４を有する。保護膜４は、基板１の表面の露出領域１ａと、凹凸構造３と、透明導電膜２の一部とを覆うように形成されている。保護膜４は、絶縁性材料からなる。絶縁性材料は、例えば、窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素、酸化アルミニウムなどの無機材料や、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂等の有機材料である。なお、図２（ａ）では保護膜４の図示を省略している。保護膜４は、レーザ光Ｌ１によって透明導電膜２をパターニングした後に、周知の方法を用いて形成することができる。
つぎに、凹凸構造３について具体的に説明する。図３に示すように、凹凸構造３は、境界領域１ｃにおいて、方向Ｄ２に延伸する除去部３ａ及び残存部３ｂが、方向Ｄ２と交差する方向Ｄ１において交互に配置された凹凸形状を有するものである。除去部３ａは、透明導電膜２がレーザ光Ｌ１によって除去された部分であり、残存部３ｂは、透明導電膜２がレーザ光Ｌ１によって除去されず、残存している部分である。残存部３ｂは被膜領域１ｂ上の透明導電膜２と接続している。方向Ｄ１は、上述したようにレーザ光Ｌ１の走査方向であり、境界領域１ｃの延伸する方向と等しい。
このような凹凸構造３は、レーザ誘起周期表面構造（Laser Induced Periodic Surface Structure:ＬＩＰＳＳ）と呼ばれるものであり、レーザ光Ｌ１の干渉によって発生するものである。凹凸構造３において、除去部３ａ又は残存部３ｂは、レーザ光Ｌ１の波長と同程度の間隔で略周期的に配置されている。例えば、レーザ光Ｌ１の波長が１０７０ｎｍである場合、除去部３ａ又は残存部３ｂも約１μｍの間隔で配置されている。除去部３ａ又は残存部３ｂは、レーザ光Ｌ１の波長を変更することによって、例えば０．３μｍから３．０μｍの範囲の間隔（周期ｄ）で配置される。また、方向Ｄ２は、レーザ光Ｌ１の偏光方向の設定によって調整することができる。また、レーザ光Ｌ１の走査方向である方向Ｄ１と除去部３ａ及び残存部３ｂの延伸方向である方向Ｄ２とのなす角をθとすると、境界領域１ｃの幅ｗは、ｄ／ｃｏｓθが下限値となる。また、残存部３ｂの長さｌは、ｗ／ｓｉｎθ＝ｄ／ｓｉｎθ・ｃｏｓθである。これらの式に周期ｄの範囲である０．３μｍから３．０μｍの範囲の値を代入することで、幅ｗ及び長さｌの値が導出される。
また、このような凹凸構造３は、レーザ光Ｌ１を、基板１の表面に形成された透明導電膜２に照射する際に、レーザ光Ｌ１のフルエンスを制御することで形成することができる。ここで、フルエンスとは、レーザ光のビームの断面における、単位面積当たりのエネルギー量を意味し、単位は例えばＪ／ｃｍ２又はＷ／ｃｍ２である。
図３を参照して凹凸構造とフルエンスとの関係を説明する。図３では、露出領域１ａと境界領域１ｃと被膜領域１ｂとに対応させて、レーザ光Ｌ１のフルエンスの分布のグラフを示している。横軸はレーザ光Ｌ１のビームの中心からの距離であり、縦軸はフルエンスである。図３から解るように、レーザ光Ｌ１のビーム内には、フルエンスが値Ｆ２以上の領域と、値Ｆ２未満で値Ｆ１より大きい領域と、値Ｆ１以下の領域とがある。レーザ光Ｌ１のフルエンスが値Ｆ２より大きい領域では、レーザ光Ｌ１によって透明導電膜２に与えられるエネルギー量が多いので、透明導電膜２は除去される。そのため、露出領域１ａが形成される。レーザ光Ｌ１のフルエンスが値Ｆ１より小さい領域では、レーザ光Ｌ１によって透明導電膜２に与えられるエネルギー量が少ないので、透明導電膜２は除去されない。レーザ光Ｌ１のフルエンスが値Ｆ２未満で値Ｆ１より大きい領域では、レーザ光Ｌ１によって透明導電膜２に与えられるエネルギー量が、ＬＩＰＳＳを形成できる量となるので、凹凸構造３が形成される。このように、透明導電膜２への照射面におけるレーザ光Ｌ１のビームの少なくとも一部が、透明導電膜２を除去できるフルエンス値Ｆ２と除去できないフルエンス値Ｆ１との間の値となるように、レーザ光Ｌ１のフルエンスを制御することで、凹凸構造３を形成することができる。なお、値Ｆ１、Ｆ２は、透明導電膜２の材質や厚さ等に応じて決まる値である。
なお、図４は、本発明者らがガラス基板の表面にＩＴＯ膜が形成された透明導電膜付基板に波長が１５５０ｎｍでパルス幅が１．６ｎｓのレーザ光を照射した場合の透明導電膜付基板の顕微鏡写真を示す図である。なお、図４にはサイズを示す目盛が図示されており、１目盛は１．０μｍである。図４から、写真の左側の領域では透明導電膜が除去されて露出領域が形成され、中央よりやや右側の領域には周期が１μｍ程度の凹凸構造が形成され、右側の領域には透明導電膜が残存していることが解る。
つぎに、ＬＩＰＳＳによる凹凸構造３を形成するためのレーザ光のフルエンスについて説明する。図５は、レーザ光のフルエンスを説明するための図である。図５（ａ）は、透明導電膜２での照射面におけるレーザ光Ｌ１のビームＢ１の領域毎のフルエンスを示した図である。ビームＢ１において、中心領域Ｂ１１ではフルエンスが値Ｆ２以上であり、透明導電膜２を除去できるフルエンスである。また、中心領域Ｂ１１の周囲に位置する第１周囲領域Ｂ１２では、ＬＩＰＳＳによる凹凸構造３を形成できるような値Ｆ２未満で値Ｆ１より大きいフルエンスである。さらに、第１周囲領域Ｂ１２の周囲に位置する第２周囲領域Ｂ１３では、透明導電膜２を除去できない、値Ｆ１以下のフルエンスである。なお、実際のレーザ光のビームではフルエンスは連続的に変化するが、図５では値Ｆ１、Ｆ２を閾値としてステップ状にフルエンスを表している。
例えば、図５（ａ）に示すフルエンスのビームＢ１を有するレーザ光Ｌ１を透明導電膜２へ照射し、走査すると、形成される露出領域１ａの幅は中心領域Ｂ１１の直径である幅Ｗ１１となり、形成される凹凸構造３の幅は第１周囲領域Ｂ１２の幅である幅Ｗ１２となる。このように、レーザ光Ｌ１のフルエンスを、レーザ光Ｌ１のビームＢ１が中心領域Ｂ１１、第１周囲領域Ｂ１２、及び第２周囲領域Ｂ１３を有するように制御すると、図２に示す構成の透明導電膜付基板１０を製造することができる。
なお、レーザ光Ｌ１のビームにおけるフルエンスの分布は、レーザ装置１０１が備えるレーザ光源の出力調整と、ビーム成形器の特性の設定によって変更可能である。例えば、図５（ｂ）に示すビームＢ２のように、フルエンスが値Ｆ２以上の領域の幅Ｗ２１に対してフルエンスが値Ｆ２未満で値Ｆ１より大きい領域の幅Ｗ２２が広くなるように調整を行うことができるし、図５（ｃ）に示すビームＢ３のように幅Ｗ３１に対して幅Ｗ３２が狭くなるように調整を行うことができる。このように、レーザ光Ｌ１のビーム（ビームＢ１、Ｂ２、Ｂ３）におけるＬＩＰＳＳを形成できるフルエンスである領域の幅（幅Ｗ１２、Ｗ２２、Ｗ３２）を制御することで、透明導電膜２が除去される幅（幅Ｗ１１、Ｗ２１、Ｗ３１）と、ＬＩＰＳＳが形成される幅（幅Ｗ１２、Ｗ２２、Ｗ３２）との比率を制御することができる。
さらには、図５（ｄ）に示すように、レーザ光Ｌ１のビームＢ４を、幅Ｗ４の領域でフルエンスが値Ｆ２未満で値Ｆ１より大きくなり、フルエンスが値Ｆ２以上の領域が無いように調整することもできる。ビームＢ４のようなレーザ光Ｌ１によって形成される凹凸構造の例に関しては、実施形態２として後に詳述する。
なお、図５では、レーザ光Ｌ１のビームが円形である場合について説明したが、レーザ光Ｌ１のビームは円形に限られず、ビーム成形器によって実現できる様々な形状をとり得る。
実施形態１に係る製造方法によれば、透明導電膜２に対するパターニングと同時に、ＬＩＰＳＳである凹凸構造３を形成することができる。凹凸構造３では、特許文献１のような島状部分とは異なり、除去部３ａにおいて透明導電膜が完全に除去され、残存部３ｂの間は除去部３ａによって完全に離間される。その結果、凹凸構造３には、深さ方向において高低差の大きいマクロ構造が確実に形成されるので、保護膜４に対するアンカー効果が高い。また、凹凸構造３の幅を容易に調整できるので、アンカー効果の程度も容易に調整することができる。さらには、レーザ光Ｌ１はサブナノ－ナノ秒パルスレーザ光であるため、尖塔値を、基板にダメージを与えない程度に低くしつつ１パルス当たりのエネルギーを比較的大きくできる。そのため、パターニングに掛かる時間を短くでき、かつ設備コストも低減できる。また、ビーム成形器についても、安価で準備できる。従って、透明導電膜付基板１０の製造において、透明導電膜２の形状加工を安価かつ好適に実現できる。また、製造された透明導電膜付基板１０は、好適な形状の透明導電膜２を有する安価なものとなる。
（実施形態２）
図６は、実施形態２に係る透明導電膜付基板１０Ａの模式図であり、透明導電膜付基板１０Ａの一部の上面図である。
透明導電膜付基板１０Ａは、基板１と、基板１の表面に形成された透明導電膜２Ａとを備えている。透明導電膜２Ａは、透明導電膜２と同様の透明な導電性材料からなる膜である。
透明導電膜２Ａは、第１領域である領域２Ａ１と、第２領域である領域２Ａ２と、領域２Ａ１と領域２Ａ２との間に位置する領域２Ａ３とを有する。
領域２Ａ３では、透明導電膜２Ａは、方向Ｄ３に延伸する除去部２Ａ３１及び残存部２Ａ３２が、方向Ｄ３と９０度以外の角度で交差する方向Ｄ４において交互に配置された凹凸構造を有する。除去部２Ａ３１は、透明導電膜２Ａがレーザ光Ｌ１によって除去された部分であり、残存部２Ａ３２は、透明導電膜２Ａがレーザ光Ｌ１によって除去されず、残存している部分である。残存部２Ａ３２は領域２Ａ１及び領域２Ａ２と電気的に接続している。方向Ｄ４は、レーザ光Ｌ１の走査方向である。この凹凸構造は、領域２Ａ１と領域２Ａ２との間にレーザ光Ｌ１を走査させることによって形成されたＬＩＰＳＳであり、除去部２Ａ３１又は残存部２Ａ３２は、レーザ光Ｌ１の波長と同程度の間隔で略周期的に配置されている。
領域２Ａ３では、透明導電膜２Ａは、除去部２Ａ３１と残存部２Ａ３２とによって、領域２Ａ１と領域２Ａ２との間の電気抵抗値が所定の値となるようなパターン形状になっている。
以下、具体的に説明する。透明導電膜に凹凸構造が無い場合、透明導電膜の互いに離間した２つの領域の間の電気抵抗値は、通常は透明導電膜の構成材料の電気抵抗率と、２つの領域の間の距離とに応じて定まる値である。
これに対して、透明導電膜２Ａの場合、領域２Ａ１と領域２Ａ２との間の電気抵抗値は、透明導電膜２Ａの構成材料の電気抵抗率と、領域２Ａ１と領域２Ａ２との間の距離と、領域２Ａ３における凹凸構造の形状とに応じて定まる値である。具体的には、領域２Ａ１と領域２Ａ２との間で電流が流れる場合、電流経路は、領域２Ａ１と領域２Ａ２とを最短距離で結ぶ経路Ｐ１ではなく、領域２Ａ３の残存部２Ａ３２の少なくともいずれか一つを経由する経路Ｐ２となる。経路Ｐ２の長さは経路Ｐ１の長さよりも長く、かつ残存部２Ａ３２では透明導電膜２Ａの幅が狭い。従って、領域２Ａ１と領域２Ａ２との間の電気抵抗値は、領域２Ａ３に凹凸構造が無い場合よりも高くなる。
このように、領域２Ａ１と領域２Ａ２との間の領域２Ａ３にＬＩＰＳＳを形成することで、領域２Ａ１と領域２Ａ２との間の電気抵抗値を調整することができる。電気抵抗値の調整は、除去部２Ａ３１又は残存部２Ａ３２の配置の間隔の設定によって行うこともできるし、除去部２Ａ３１及び残存部２Ａ３２の延伸する方向Ｄ３の設定によって行うこともできる。すなわち、領域２Ａ１と領域２Ａ２とを結ぶ最短距離で結ぶ経路Ｐ１に対する方向Ｄ３の角度を大きくすれば、それだけ経路Ｐ２が長くなるので、電気抵抗値を高くできる。方向Ｄ３はレーザ光Ｌ１の偏光方向の設定によって調整することができるので、レーザ装置１０１に備えられた偏光調整器によって容易に調整することができる。
なお、このようなＬＩＰＳＳである凹凸構造は、図５（ｄ）に示すビームＢ４のような、フルエンスが値Ｆ２以上の領域が無いレーザ光Ｌ１によって形成することができる。
また、図７は、本発明者らがガラス基板の表面にＩＴＯ膜が形成された透明導電膜付基板に波長が１５５０ｎｍでパルス幅が１．６ｎｓのレーザ光を照射した場合の透明導電膜付基板の顕微鏡写真を示す図である。なお、図７にはサイズを示す目盛が図示されており、１目盛は１．０μｍである。図７から、写真の中央の領域には周期が１μｍ程度の凹凸構造が形成されていることが解る。
（実施形態３）
図８は、実施形態３に係る透明導電膜付基板１０Ｂの模式図であり、透明導電膜付基板１０Ｂの一部の上面図である。
透明導電膜付基板１０Ｂは、基板１と、基板１の表面に形成された透明導電膜２Ｂとを備えている。透明導電膜２Ｂは、透明導電膜２と同様の透明な導電性材料からなる膜である。
透明導電膜２Ｂは、第１領域である領域２Ｂ１と、第２領域である領域２Ｂ２と、領域２Ｂ１と領域２Ｂ２との間に位置する領域２Ｂ３とを有する。
領域２Ｂ３では、透明導電膜２Ｂは、方向Ｄ５に延伸する除去部２Ｂ３１及び残存部２Ｂ３２が、方向Ｄ６において交互に配置された凹凸構造を有する。方向Ｄ６は、領域２Ｂ１と領域２Ｂ２とを最短距離で結ぶ経路に平行な方向であり、方向Ｄ５と直交している。除去部２Ｂ３１は、透明導電膜２Ｂがレーザ光Ｌ１によって除去された部分であり、残存部２Ｂ３２は、透明導電膜２Ｂがレーザ光Ｌ１によって除去されず、残存している部分である。方向Ｄ５は、レーザ光Ｌ１の走査方向である。この凹凸構造は、領域２Ｂ１と領域２Ｂ２との間にレーザ光Ｌ１を走査させることによって形成されたＬＩＰＳＳである。
領域２Ｂ３では、透明導電膜２Ｂは、除去部２Ｂ３１と残存部２Ｂ３２とによって、領域２Ｂ１と領域２Ｂ２との間が電気的に絶縁されるようなパターン形状になっている。すなわち、領域２Ｂ１と領域２Ｂ２との間には、透明導電膜２Ｂが除去された除去部２Ｂ３１が複数存在するので、電気的に絶縁される。なお、領域２Ｂ３の方向Ｄ６における幅や除去部２Ｂ３１の数を増加させることによって、領域２Ｂ１と領域２Ｂ２との間の電気的な絶縁を一層確実に行うことができる。図８では除去部２Ｂ３１の数は６であるが、これに限定はされない。
このように、除去部２Ｂ３１及び残存部２Ｂ３２の延伸する方向Ｄ５が、除去部２Ｂ３１と残存部２Ｂ３２とを最短距離で結ぶ経路の方向Ｄ６と直交するようにＬＩＰＳＳを形成することによって、領域２Ｂ１と領域２Ｂ２との間を電気的に絶縁することができる。なお、方向Ｄ５はレーザ光Ｌ１の偏光方向の設定によって調整することができるので、レーザ装置１０１に備えられた偏光調整器によって容易に調整することができる。このようなＬＩＰＳＳである凹凸構造も、図５（ｄ）に示すビームＢ４のようなレーザ光Ｌ１によって形成することができる。
なお、透明導電膜付基板１０Ｂでは方向Ｄ５と方向Ｄ６とは直交しているが、方向Ｄ５と方向Ｄ６とが必ずしも直交していなくてもよく、方向Ｄ５と方向Ｄ６との成す角度が、領域２Ｂ１と領域２Ｂ２との間が電気的に絶縁され得る角度であればよい。また、領域２Ｂ３の方向Ｄ５における長さは、領域２Ｂ１と領域２Ｂ２との間が電気的に絶縁され得る長さであればよい。
（実施形態４）
図９は、実施形態４に係る透明導電膜付基板１０Ｃの模式図である。図９（ａ）は透明導電膜付基板１０Ｃの一部の上面図である。図９（ｂ）は図９（ａ）の領域Ａ２を拡大して示した図である。図９（ｃ）は図９（ｂ）のＢ－Ｂ線断面図である。
透明導電膜付基板１０Ｃは、基板１と、基板１の表面に形成された透明導電膜２Ｃとを備えている。透明導電膜２Ｃは、透明導電膜２と同様の透明な導電性材料からなる膜である。
透明導電膜２Ｃは、第１領域である領域２Ｃ１と、第２領域である領域２Ｃ２、２Ｃ３、２Ｃ４、２Ｃ５と、領域２Ｃ１と領域２Ｃ２、２Ｃ３、２Ｃ４、２Ｃ５のそれぞれとの間に位置する領域２Ｃ６、２Ｃ７、２Ｃ８、２Ｃ９とを有する。
図９（ｂ）に示すように、領域２Ｃ６では、透明導電膜２Ｃは、領域２Ｃ６が延伸する方向に延伸する除去部２Ｃ６１と残存部２Ｃ６２とが、領域２Ｃ６が延伸する方向と略直交する方向において交互に配置された凹凸構造を有する。除去部２Ｃ６１は、透明導電膜２Ｃがレーザ光Ｌ１によって除去された部分であり、残存部２Ｃ６２は、透明導電膜２Ｃがレーザ光Ｌ１によって除去されず、残存している部分である。領域２Ｃ６が延伸する方向は、レーザ光Ｌ１の走査方向である。この凹凸構造は、レーザ光Ｌ１を走査させることによって形成されたＬＩＰＳＳである。
領域２Ｃ６では、透明導電膜２Ｃは、除去部２Ｃ６１と残存部２Ｃ６２とによって、領域２Ｃ１と領域２Ｃ２との間が電気的に絶縁されるようなパターン形状になっている。また、図９（ｃ）に示すように、透明導電膜付基板１０Ｃは、保護膜４Ｃを有する。保護膜４Ｃは、透明導電膜２Ｃにおける領域２Ｃ１、２Ｃ２のそれぞれの一部と、領域２Ｃ６とを覆うように形成されている。保護膜４Ｃは、保護膜４と同様の絶縁性材料からなる。なお、図９（ａ）、（ｂ）では保護膜４Ｃの図示を省略している。保護膜４Ｃは、保護膜４と同様に周知の方法を用いて形成することができる。
また、領域２Ｃ７～２Ｃ９も、領域２Ｃ６と同様なＬＩＰＳＳの凹凸構造を有しており、それぞれ、領域２Ｃ１と領域２Ｃ３～２Ｃ５のそれぞれとの間が電気的に絶縁されるようなパターン形状になっている。さらに、保護膜４Ｃと同様の保護膜が、領域２Ｃ７～２Ｃ９のそれぞれと、その両側の領域（領域２Ｃ１と領域２Ｃ３～２Ｃ５のいずれか一つ）を覆うように形成されている。
実施形態３の場合と同様に、このようなＬＩＰＳＳである凹凸構造も、図５（ｄ）に示すビームＢ４のようなレーザ光Ｌ１によって形成することができる。
領域２Ｃ６～２Ｃ９は、それぞれ、その両側の領域を電気的に絶縁するとともに、その上に形成された各保護膜に対して、領域全体がアンカー効果を発揮する。このように領域２Ｃ６～２Ｃ９はいずれも絶縁機能とアンカー機能とを合わせもつので、絶縁機能とアンカー機能とを別個の構造によって実現する場合よりも精細かつ省スペースで設けることができる。従って、透明導電膜付基板１０Ｃの表面の有効活用に寄与する。
（実施形態５）
図１０は、実施形態５に係る透明導電膜付基板１０Ｄの模式図である。図１０（ａ）は透明導電膜付基板１０Ｄの一部の上面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）の一部の拡大図である。
透明導電膜付基板１０Ｄは、基板１と、基板１の表面に形成された透明導電膜２Ｄとを備えている。透明導電膜２Ｄは、透明導電膜２と同様の透明な導電性材料からなる膜である。
透明導電膜２Ｄには、２分岐する回路パターンが形成されており、一方の分岐側に、第１領域である領域２Ｄ１と、第２領域である領域２Ｄ２と、領域２Ｄ１と領域２Ｄ２との間に位置する領域２Ｄ３とを有する。
図１０（ｂ）に示すように、領域２Ｄ３では、透明導電膜２Ｄは、方向Ｄ７に延伸する除去部２Ｄ３１及び残存部２Ｄ３２が、方向Ｄ８において交互に配置された凹凸構造を有する。なお、方向Ｄ７は方向Ｄ８に対して傾斜している。方向Ｄ８は、透明導電膜２Ｄの回路パターンの長手方向である。除去部２Ｄ３１は、透明導電膜２Ｄがレーザ光Ｌ１によって除去された部分であり、残存部２Ｄ３２は、透明導電膜２Ｄがレーザ光Ｌ１によって除去されず、残存している部分である。レーザ光Ｌ１の走査方向は方向Ｄ８に平行である。この凹凸構造は、領域２Ｄ１と領域２Ｄ２との間にレーザ光Ｌ１を走査させることによって形成されたＬＩＰＳＳである。なお、除去部２Ｄ３１は、領域２Ｄ１と領域２Ｄ２との間を電気的に絶縁しないように形成されている。
領域２Ｄ３では、透明導電膜２Ｄは、除去部２Ｄ３１と残存部２Ｄ３２とによって、領域２Ｄ１と領域２Ｄ２との間の電気抵抗値が所定の値となるようなパターン形状になっている。具体的には、図６に示す透明導電膜付基板１０Ａの場合と同様に、領域２Ｄ３を流れる電流には、残存部２Ｄ３２の少なくともいずれか一つを経由する経路Ｐ３のように、領域２Ｄ３を最短距離で流れる経路よりも長い経路を流れる成分がある。また、残存部２Ｄ３２では透明導電膜２Ｄの幅が狭い。従って、領域２Ｄ１と領域２Ｄ２との間の電気抵抗値は、領域２Ｄ３に凹凸構造が無い場合よりも高くなる。
このように、領域２Ｄ１と領域２Ｄ２との間の領域２Ｄ３にＬＩＰＳＳを形成することで、領域２Ｄ１と領域２Ｄ２との間の電気抵抗値を調整することができる。透明導電膜付基板１０Ａの場合と同様に、方向Ｄ８に対する方向Ｄ７の角度を大きくすれば、電気抵抗値を高くできる。なお、例えば、領域２Ｄ３の幅方向（方向Ｄ８と直交する方向）を横断する程に除去部２Ｄ３１を長く形成すれば、領域２Ｄ１と領域２Ｄ２との間を電気的に絶縁する（すなわち、電気抵抗値を非常に高い値に調整する）こともできる。
（実施形態６）
図１１は、実施形態６に係る透明導電膜付基板１０Ｅの模式図であり、透明導電膜付基板１０Ｅの一部の上面図である。
透明導電膜付基板１０Ｅは、基板１と、基板１の表面に形成された透明導電膜２Ｅとを備えている。透明導電膜２Ｅは、透明導電膜２と同様の透明な導電性材料からなる膜である。
透明導電膜２Ｅは、第１領域である領域２Ｅ１と、第２領域である領域２Ｅ２と、領域２Ｅ１と領域２Ｅ２との間に位置する領域２Ｅ３とを有する。
領域２Ｅ３では、透明導電膜２Ｅは、所定方向に延伸する除去部２Ｅ３１ａ及び残存部２Ｅ３２ａとからなる凹凸構造２Ｅ３ａと、除去部２Ｅ３１ａ及び残存部２Ｅ３２ａが延伸する方向と交差する方向に延伸する除去部２Ｅ３１ｂ及び残存部２Ｅ３２ｂとからなる凹凸構造２Ｅ３ｂとの２つの凹凸構造を、互いの延伸する方向が交差するように重ね合わせて形成されてある。このようにＬＩＰＳＳである凹凸構造２Ｅ３ａ、２Ｅ３ｂを２つ重ね合わせて形成することによって、領域２Ｅ１と領域２Ｅ２との間を電気的に絶縁することができる。なお、上述したように、ＬＩＰＳＳにおける除去部及び残存部の延伸の方向は、レーザ光Ｌ１の偏光方向の設定によって調整することができる。従って、透明導電膜付基板１０Ｅを製造する場合は、例えば、まずレーザ装置１０１においてレーザ光Ｌ１を或る偏光方向に設定して凹凸構造２Ｅ３ａを形成し、次にレーザ光Ｌ１の偏光方向を変更して凹凸構造２Ｅ３ｂを形成すればよい。なお、３つ以上のＬＩＰＳＳを重ね合わせてさらに複雑な凹凸構造を形成してもよい。
（実施形態７）
図１２は、実施形態７に係る太陽電池２００の模式的な分解斜視図である。太陽電池２００は、正極となる裏面電極層２０１と、起電力を発生する半導体層２０２と、負極を提供する透明導電膜付基板１０と、カバー層としてのガラス基板２０３とを備えている。
半導体層２０２は、例えば単結晶シリコンやアモルファスシリコン等の、太陽電池に使用される公知の半導体材料からなる。半導体層２０２は、導電型がｐ型である半導体層２０２ａと、真性半導体である半導体層２０２ｂと、導電型がｎ型である半導体層２０２ｃとが順次積層して構成されている、いわゆるＰＩＮ型構造を有する。
透明導電膜付基板１０は、透明導電膜が負極として機能し、さらに透明導電膜にＬＩＰＳＳである凹凸構造（テクスチャ）が形成されたものである。このようなテクスチャは、入射した太陽光に対する表面反射の低減や太陽光の閉じ込め等の効果を発揮し、太陽電池２００の光電変換効率の向上に寄与する。
太陽電池２００は、光電変換効率を向上させる上で好適な形状の透明導電膜を有する安価な透明導電膜付基板１０を備えているので、好適な特性を備える安価なものとなる。特に、太陽電池２００は大面積のものが求められているが、透明導電膜付基板１０はサブナノ－ナノ秒パルスレーザ光を用いて高速で製造されたものであるので、太陽電池２００の低コスト化に対する寄与が大きい。
なお、上記実施形態の透明導電膜付基板１０又は１０Ｃにおいて、保護膜４又は４Ｃ以外に、凹凸構造３又は領域２Ｃ６～２Ｃ９の凹凸構造によってアンカー効果を発揮させるべき膜を形成する場合は、少なくとも凹凸構造３又は領域２Ｃ６～２Ｃ９の凹凸構造の上に膜が形成されていればよい。
また、上記実施形態のレーザ装置１０１は、偏光調整器とビーム成形器とを備えているが、偏光調整器若しくはビーム成形器、又はその両方がレーザ装置の外部に配置されていてもよい。
また、実施形態１において、境界領域１ｃの幅ｗの下限値はｄ／ｃｏｓθであることを説明したが、例えば最初に図６に示す領域２Ａ３のような凹凸構造を形成し、その後、トップハットビームを有するレーザ光を掃引して凹凸構造の側部の一部を含めた透明導電膜を除去することで、ｄ／ｃｏｓθよりも小さい幅ｗを実現できる。ここで、トップハットビームとは、図５（ｄ）に示すビームＢ４のような形状を有するが、幅Ｗ４の領域でフルエンスが値Ｆ２以上であり、それ以外の領域ではフルエンスが値Ｆ１以下となっているビームである。
また、上記実施形態により本発明が限定されるものではない。上述した各構成要素を適宜組み合わせて構成したものも本発明に含まれる。例えば、上記実施形態に係るいずれの透明導電膜付基板も、実施形態７に係る太陽電池に使用することができる。特に、複数の凹凸構造を重ね合わせて複雑な構造のテクスチャを形成した実施形態６に係る透明導電膜付基板が好ましい。また、さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。よって、本発明のより広範な態様は、上記の実施形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。
１ 基板
１ａ 露出領域
１ｂ 被膜領域
１ｃ 境界領域
２、２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ、２Ｅ 透明導電膜
２Ａ１、２Ａ２、２Ａ３、２Ｂ１、２Ｂ２、２Ｂ３、２Ｃ１、２Ｃ２、２Ｃ３、２Ｃ４、２Ｃ５、２Ｃ６、２Ｃ７、２Ｃ８、２Ｃ９、２Ｄ１、２Ｄ２、２Ｄ３、２Ｅ１、２Ｅ２、２Ｅ３ 領域
２Ａ３１、２Ｂ３１、２Ｃ６１、２Ｄ３１、２Ｅ３１ａ、２Ｅ３１ｂ、３ａ 除去部
２Ａ３２、２Ｂ３２、２Ｃ６２、２Ｄ３２、２Ｅ３２ａ、２Ｅ３２ｂ、３ｂ 残存部
２Ｅ３ａ、２Ｅ３ｂ、３ 凹凸構造
４、４Ｃ 保護膜
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、Ｓ 透明導電膜付基板
１００ 加工装置
１０１ レーザ装置
１０２ ガルバノスキャナ
１０２ａ、１０２ｂ ガルバノミラー
１０３ ｆθレンズ
２００ 太陽電池
２０１ 裏面電極層
２０２、２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ 半導体層
２０３ ガラス基板
Ａ１、Ａ２ 領域
Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４ ビーム
Ｂ１１ 中心領域
Ｂ１２ 第１周囲領域
Ｂ１３ 第２周囲領域
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６、Ｄ７、Ｄ８ 方向
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４ レーザ光
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３ 経路
ＴＬ 軌跡

Claims (22)

  1. 透明導電膜付基板の製造方法であって、
    サブナノ－ナノ秒レーザ光を、基板の表面に形成された透明導電膜に照射して、前記透明導電膜の少なくとも一部に、凹凸形状のレーザ誘起周期表面構造を形成し、
    前記透明導電膜での照射面における、前記サブナノ－ナノ秒レーザ光のビームの少なくとも一部の領域が、前記透明導電膜を除去できるフルエンスと前記透明導電膜を除去できないフルエンスとの間の値となるように、前記サブナノ－ナノ秒レーザ光のフルエンスを制御する
    ことを特徴とする透明導電膜付基板の製造方法。
  2. 前記サブナノ－ナノ秒レーザ光のビームにおいて、中心領域では前記透明導電膜を除去できるフルエンスとなり、前記中心領域の周囲に位置する第１周囲領域では、前記レーザ誘起周期表面構造を形成できるフルエンスとなり、前記第１周囲領域の周囲に位置する第２周囲領域では、前記透明導電膜を除去できないフルエンスとなるように、前記サブナノ－ナノ秒レーザ光のフルエンスを制御する
    ことを特徴とする請求項１に記載の透明導電膜付基板の製造方法。
  3. 前記サブナノ－ナノ秒レーザ光によって前記透明導電膜をパターニングする
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の透明導電膜付基板の製造方法。
  4. 前記サブナノ－ナノ秒レーザ光のビームにおける前記レーザ誘起周期表面構造を形成できるフルエンスである領域の幅を制御することで、前記透明導電膜が除去される幅と、前記レーザ誘起周期表面構造が形成される幅との比率を制御する
    ことを特徴とする請求項１～３のいずれか一つに記載の透明導電膜付基板の製造方法。
  5. 前記レーザ誘起周期表面構造は、所定方向に延伸し前記透明導電膜が除去された除去部と、前記所定方向に延伸し前記透明導電膜が残存する残存部とが、前記所定方向と交差する方向において交互に配置された構造を有する
    ことを特徴とする請求項１～４のいずれか一つに記載の透明導電膜付基板の製造方法。
  6. 透明導電膜付基板の製造方法であって、
    サブナノ－ナノ秒レーザ光を、基板の表面に形成された透明導電膜に照射して、前記透明導電膜の少なくとも一部に、凹凸形状のレーザ誘起周期表面構造を形成し、
    前記レーザ誘起周期表面構造は、所定方向に延伸し前記透明導電膜が除去された除去部と、前記所定方向に延伸し前記透明導電膜が残存する残存部とが、前記所定方向と交差する方向において交互に配置された構造を有する
    ことを特徴とする透明導電膜付基板の製造方法。
  7. 前記透明導電膜の互いに離間した第１領域と第２領域との間に、前記レーザ誘起周期表面構造を形成し、前記第１領域と前記第２領域との間の電気抵抗値を調整する
    ことを特徴とする請求項５又は６に記載の透明導電膜付基板の製造方法。
  8. 前記所定方向の設定によって前記第１領域と前記第２領域との間の電気抵抗値を調整する
    ことを特徴とする請求項７に記載の透明導電膜付基板の製造方法。
  9. 前記透明導電膜には、前記第１領域と前記第２領域とを含む回路パターンが形成されており、前記所定方向は、前記回路パターンの長手方向に対して傾斜している
    ことを特徴とする請求項７又は８に記載の透明導電膜付基板の製造方法。
  10. 前記所定方向が前記第１領域と前記第２領域とを最短距離で結ぶ方向と直交するように前記レーザ誘起周期表面構造を形成し、前記第１領域と前記第２領域との間を電気的に絶縁する
    ことを特徴とする請求項７に記載の透明導電膜付基板の製造方法。
  11. ２つの前記レーザ誘起周期表面構造を、互いの前記所定方向が交差するように重ねて形成し、前記第１領域と前記第２領域との間を電気的に絶縁する
    ことを特徴とする請求項７に記載の透明導電膜付基板の製造方法。
  12. 前記透明導電膜の残存部は、０．３μｍから３．０μｍの範囲の間隔で配置されている
    ことを特徴とする請求項５～１１のいずれか一つに記載の透明導電膜付基板の製造方法。
  13. 前記サブナノ－ナノ秒レーザ光の偏光方向の設定によって前記所定方向を調整する
    ことを特徴とする請求項５～１２のいずれか一つに記載の透明導電膜付基板の製造方法。
  14. 基板と、
    前記基板の表面に形成された透明導電膜と、
    を備え、
    前記基板の表面には、前記基板が前記透明導電膜に覆われていない露出領域と、前記基板が前記透明導電膜に覆われた被膜領域とが、サブナノ－ナノ秒レーザ光によって形成されており、前記露出領域と前記被膜領域との境界領域に、所定方向に延伸し前記透明導電膜が除去された除去部と前記所定方向に延伸し前記透明導電膜が残存する残存部とが、前記所定方向と交差しかつ前記境界領域の延伸する方向において、前記サブナノ－ナノ秒レーザ光の波長に基づいた所定の間隔で略周期的に交互に配置された凹凸構造を有する
    ことを特徴とする透明導電膜付基板。
  15. 基板と、
    前記基板の表面に形成された透明導電膜と、
    を備え、
    サブナノ－ナノ秒レーザ光によって形成された、所定方向に延伸し前記透明導電膜が除去された除去部と前記所定方向に延伸し前記透明導電膜が残存する残存部とが、前記所定方向と交差する方向において、前記サブナノ－ナノ秒レーザ光の波長に基づいた所定の間隔で略周期的に交互に配置された凹凸構造を有し、
    前記除去部と前記残存部とによって前記透明導電膜が所定のパターン形状になっている
    ことを特徴とする透明導電膜付基板。
  16. 基板と、
    前記基板の表面に形成された透明導電膜と、
    を備え、
    前記基板の表面には、前記基板が前記透明導電膜に覆われていない露出領域と、前記基板が前記透明導電膜に覆われた被膜領域とが形成されており、前記露出領域と前記被膜領域との境界領域に、所定方向に延伸し前記透明導電膜が除去された除去部と前記所定方向に延伸し前記透明導電膜が残存する残存部とが、前記所定方向と交差しかつ前記境界領域の延伸する方向において、０．３μｍから３．０μｍの範囲の間隔で略周期的に交互に配置された凹凸構造を有する
    ことを特徴とする透明導電膜付基板。
  17. 基板と、
    前記基板の表面に形成された透明導電膜と、
    を備え、
    所定方向に延伸し前記透明導電膜が除去された除去部と前記所定方向に延伸し前記透明導電膜が残存する残存部とが、前記所定方向と交差する方向において、０．３μｍから３．０μｍの範囲の間隔で略周期的に交互に配置された凹凸構造を有し、
    前記除去部と前記残存部とによって前記透明導電膜が所定のパターン形状になっている
    ことを特徴とする透明導電膜付基板。
  18. 前記凹凸構造はレーザ誘起周期表面構造である
    ことを特徴とする請求項１４～１７のいずれか１項に記載の透明導電膜付基板。
  19. 前記レーザ誘起周期表面構造はサブナノ－ナノ秒レーザ光によって形成されたものである
    ことを特徴とする請求項１８に記載の透明導電膜付基板。
  20. 前記透明導電膜の残存部は、０．３μｍから３．０μｍの範囲の間隔で配置されている
    ことを特徴とする請求項１４～１９のいずれか一つに記載の透明導電膜付基板。
  21. 少なくとも前記透明導電膜における前記凹凸構造の上に膜が形成されている
    ことを特徴とする請求項１４～２０のいずれか一つに記載の透明導電膜付基板。
  22. 請求項１４～２１のいずれか一つに記載の透明導電膜付基板を備える
    ことを特徴とする太陽電池。
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