TW201351447A - 透明導電性元件及其製造方法、輸入裝置、電子機器、及透明導電層之加工方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之容易大面積地形成微小圖形之透明導電性元件具備：具有表面之基材；以及平面而交替地設置於表面的透明導電部及透明絕緣部。於透明導電部及透明絕緣部之至少一者上，重複具有隨機圖形之至少1種之單位區劃。
Description
本技術係關於一種透明導電性元件及其製造方法、輸入裝置、電子機器、及透明導電層之加工方法。詳細而言，本技術係關於一種將透明導電部及透明絕緣部平面而交替地設置於基材表面上之透明導電性元件。
近年來，將靜電電容式觸控面板搭載於行動電話或移動音樂終端等行動機器之情況增多。於靜電電容式觸控面板中，使用於基材膜表面設有經圖形化之透明導電層之透明導電性膜。
於專利文獻1中，提出有如下構成之透明導電性片材。透明導電性片材具備：形成於基體片材上之導電圖形層；及絕緣圖形層，其形成於基體片材之未形成導電圖形層之部分。而且，導電圖形層具有複數個微小針孔，絕緣圖形層藉由狹小槽而形成為複數個島狀。
專利文獻1：日本專利特開2010-157400號公報
近年來，期待大面積地製作如上述般具有微小圖形之透明導電層。為滿足此種要求，而較理想的是將微小圖形亦設為容易大面積地形成者。
因此，本技術之目的在於提供一種容易大面積地形成微小圖形之透明導電性元件及其製造方法、輸入裝置、電子機器、及透明導電層之加工方法。
為解決上述課題，第1技術係一種透明導電性元件，其具備：具有表面之基材；以及平面而交替地設置於表面的透明導電部及透明絕緣部；且於透明導電部及透明絕緣部之至少一者，重複具有隨機圖形之至少1種之單位區劃。
第2技術係一種輸入裝置，其具備：具有第1表面及第2表面之基材；以及平面而交替地設置於第1表面及第2表面的透明導電部及透明絕緣部；且於透明導電部及透明絕緣部之至少一者，重複具有隨機圖形之至少1種之單位區劃。
第3技術係一種輸入裝置，其具備：第1透明導電性元件；及第2透明導電性元件，其設置於第1透明導電性元件之表面；且第1透明導電性元件及第2透明導電性元件具備：具有表面之基材；以及平面而交替地設置於表面的透明導電部及透明絕緣部；且
於透明導電部及透明絕緣部之至少一者，重複具有隨機圖形之至少1種之單位區劃。
第4技術係一種電子機器，其具備透明導電性元件，該透明導電性元件具有：具有第1表面及第2表面之基材；以及平面而交替地設置於第1表面及第2表面的透明導電部及透明絕緣部；且於透明導電部及透明絕緣部之至少一者，重複具有隨機圖形之至少1種之單位區劃。
第5技術係一種電子機器，其具備：第1透明導電性元件；及第2透明導電性元件，其設置於第1透明導電性元件之表面；且第1透明導電性元件及第2透明導電性元件具備：具有第1表面及第2表面之基材；以及平面而交替地設置於第1表面及第2表面的透明導電部及透明絕緣部；且於透明導電部及透明絕緣部之至少一者，重複具有隨機圖形之至少1種之單位區劃。
第6技術係一種透明導電性元件之製造方法，其係藉由介隔具有隨機圖形之至少1種遮罩對基材表面之透明導電層照射光，並重複形成單位區劃，而將透明導電部及透明絕緣部平面而交替地形成於基材表面。
第7技術係一種透明導電層之加工方法，其係藉由介隔具有圖形之至少1種遮罩對基材表面之透明導電層照射光，並重複形成單位區劃，而將透明導電部及透明絕緣部平面而交替地形成於基材表面。
於本技術中，因於透明導電部及透明絕緣部之至少一者，重
複具有隨機圖形之至少1種之單位區劃，故可大面積地容易地形成隨機圖形。
於本技術中，因於基材表面平面而交替地設有透明導電部及透明絕緣部，故可減少設有透明導電部之區域與未設置透明導電部之區域之反射率差。因此，可抑制透明導電部之圖形之視辨。
如以上說明般，根據本技術，可提供一種容易大面積地形成微小圖形之透明導電性元件。
1‧‧‧第1透明導電性元件
1a‧‧‧透明導電性基材
2‧‧‧第2透明導電性元件
3‧‧‧光學層
4‧‧‧顯示裝置
5、6、32、56‧‧‧貼合層
10‧‧‧資訊輸入裝置
11、21、31‧‧‧基材
12、22‧‧‧透明導電層
13、23‧‧‧透明電極部
13a‧‧‧孔部
13b‧‧‧透明導電部
13m、23m‧‧‧焊墊部
13n、23n‧‧‧連結部
13L、14L‧‧‧照射部
14、24‧‧‧透明絕緣部
14a‧‧‧島部
14b‧‧‧間隙部
13p、14p、15p‧‧‧單位區劃
15a‧‧‧第1區劃
15b‧‧‧第2區劃
41‧‧‧雷射
42‧‧‧遮罩部
43‧‧‧平台
44‧‧‧遮罩
45‧‧‧透鏡
51‧‧‧透明絕緣層
52‧‧‧光學層
53‧‧‧第1遮罩
53a‧‧‧孔部
53b‧‧‧遮光部
54‧‧‧第2遮罩
54a‧‧‧遮光部
54b‧‧‧間隙部
55‧‧‧第3遮罩
55a‧‧‧第1區劃
55b‧‧‧第2區劃
57‧‧‧基體
61‧‧‧硬塗層
62‧‧‧光學調整層
63‧‧‧密接輔助層
64‧‧‧屏蔽層
65‧‧‧抗反射層
200‧‧‧電視
201‧‧‧顯示部
202‧‧‧前面板
203‧‧‧濾光玻璃
210‧‧‧數位相機
211‧‧‧閃光用發光部
212‧‧‧顯示部
213‧‧‧選單開關
214‧‧‧快門按鈕
220‧‧‧筆記型個人電腦
221‧‧‧本體
222‧‧‧鍵盤
223、234、244‧‧‧顯示部
230‧‧‧攝像機
231‧‧‧本體部
232‧‧‧被攝體拍攝用透鏡
233‧‧‧開始/停止開關
241‧‧‧上側殼體
242‧‧‧下側殼體
243‧‧‧連結部
C‧‧‧交叉部
d‧‧‧加工深度
Dmax‧‧‧點直徑最大值
Dmin‧‧‧點直徑最小值
L‧‧‧邊界
R1‧‧‧第1區域
R2‧‧‧第2區域
Tx、Ty‧‧‧週期
圖1係表示本技術之第1實施形態之資訊輸入裝置之一構成例之剖面圖。
圖2A係表示本技術之第1實施形態之第1透明導電性元件之一構成例之平面圖。圖2B係沿著圖2A所示之A-A線之剖面圖。
圖3A係表示第1透明導電性元件之透明電極部之一構成例之平面圖。圖3B係表示第1透明導電性元件之透明絕緣部之一構成例之平面圖。
圖4A係表示第1透明導電性元件之透明電極部之單位區劃之一構成例之平面圖。圖4B係沿著圖4A所示之A-A線之剖面圖。圖4C係表示第1透明導電性元件之透明絕緣部之單位區劃之一構成例之平面圖。圖4D係沿著圖4C所示之A-A線之剖面圖。
圖5係表示邊界部之形狀圖形之一例之平面圖。
圖6A係表示本技術之第1實施形態之第2透明導電性元件之一構成例之平面圖。圖6B係沿著圖6A所示之A-A線之剖面圖。
圖7係表示用以製作透明電極部及透明絕緣部之雷射加工裝置之一構
成例之模式圖。
圖8A係表示用以製作透明電極部13之第1遮罩之一構成例之平面圖。圖8B係表示用以製作透明絕緣部14之第2遮罩之一構成例之平面圖。
圖9A~圖9C係用以對本技術之第1實施形態之第1透明導電性元件之製造方法之一例進行說明之步驟圖。
圖10A係表示透明電極部之單位區劃之變形例之平面圖。圖10B係沿著圖10A所示之A-A線之剖面圖。圖10C係表示透明絕緣部之單位區劃之變形例之平面圖。圖10D係沿著圖10C所示之A-A線之剖面圖。
圖11A~圖11D係表示本技術之第1實施形態之第1透明導電性元件之變形例之剖面圖。
圖12A、圖12B係表示本技術之第1實施形態之第1透明導電性元件之變形例之剖面圖。
圖13A係表示本技術之第2實施形態之第1透明導電性元件之一構成例之平面圖。圖13B係表示用以於透明電極部及透明絕緣部之邊界部製作邊界圖形之第3遮罩之一構成例之平面圖。
圖14A係表示本技術之第3實施形態之第1透明導電性元件之透明電極部之一構成例之平面圖。圖14B係表示本技術之第3實施形態之第1透明導電性元件之透明絕緣部之一構成例之平面圖。
圖15A係表示透明電極部之單位區劃之一構成例之平面圖。圖15B係沿著圖15A所示之A-A線之剖面圖。圖15C係表示透明絕緣部之單位區劃之一構成例之平面圖。圖15D係沿著圖15C所示之A-A線之剖面圖。
圖16係表示邊界部之形狀圖形之一例之平面圖。
圖17A係表示本技術之第4實施形態之第1透明導電性元件之一構成例之平面圖。圖17B係表示用以於透明電極部及透明絕緣部之邊界部製作邊界圖形之第3遮罩之一構成例之平面圖。
圖18係表示本技術之第5實施形態之第1透明導電性元件之一構成例之平面圖。
圖19A係表示本技術之第6實施形態之第1透明導電性元件之一構成例之平面圖。圖19B係表示用以於透明電極部及透明絕緣部之邊界部製作邊界圖形之第3遮罩之一構成例之平面圖。
圖20A係表示本技術之第7實施形態之第1透明導電性元件之一構成例之平面圖。圖20B係表示本技術之第7實施形態之第1透明導電性元件之變形例之平面圖。
圖21A係表示本技術之第8實施形態之第1透明導電性元件之一構成例之平面圖。圖21B係表示本技術之第8實施形態之第1透明導電性元件之變形例之平面圖。
圖22A係表示本技術之第9實施形態之第1透明導電性元件之一構成例之平面圖。圖22B係表示本技術之第9實施形態之第2透明導電性元件之一構成例之平面圖。
圖23係表示本技術之第10實施形態之資訊輸入裝置之一構成例之剖面圖。
圖24A係表示本技術之第11實施形態之資訊輸入裝置之一構成例之平面圖。圖24B係表示沿著圖24A所示之A-A線之剖面圖。
圖25A係將圖24A所示之交叉部C之附近放大而表示之平面圖。圖25B係沿著圖25A所示之A-A線之剖面圖。
圖26係表示電視之例作為電子機器之外觀圖。
圖27A、圖27B係表示數位相機之例作為電子機器之外觀圖。
圖28係表示筆記型個人電腦之例作為電子機器之外觀圖。
圖29係表示攝影機之例作為電子機器之外觀圖。
圖30係表示移動終端裝置之例作為電子機器之外觀圖。
圖31A係表示利用顯微鏡觀察實施例1-5之透明導電性片材表面所得之結果之圖。圖31B係表示利用顯微鏡觀察實施例2-1之透明導電性片材表面所得之結果之圖。
圖32係表示用以製作透明電極部及透明絕緣部之雷射加工裝置之變形例之模式圖。
圖33係表示對透明導電性片材照射雷射光時之加工深度d之圖。
圖34A係表示利用顯微鏡觀察實施例5-4之透明導電性片材表面所得之結果之圖。圖34B係表示利用顯微鏡觀察實施例5-5之透明導電性片材表面所得之結果之圖。圖34C係表示利用顯微鏡觀察實施例5-6之透明導電性片材表面所得之結果之圖。
圖35A係表示利用顯微鏡觀察實施例5-7之透明導電性片材表面所得之結果之圖。圖35B係表示利用顯微鏡觀察實施例5-8之透明導電性片材表面所得之結果之圖。
圖36係表示實施例5-1~5-3之透明導電性片材之電阻比之結果之圖。
圖37係表示實施例5-4~5-8之透明導電性片材之電阻比之結果之圖。
圖38A係表示利用顯微鏡觀察實施例7-1之透明導電性片材表面所得之結果之圖。圖38B係表示利用顯微鏡觀察實施例7-2之透明導電性片材表面所得之結果之圖。圖38C係表示利用顯微鏡觀察實施例7-3之透明導電性片材表面所得之結果之圖。
圖39係表示實施例7-1~7-3之透明導電性片材之電阻比之結果之圖。
圖40A係表示利用顯微鏡觀察實施例8-1之透明導電性片材表面所得之結果之圖。圖40B係表示利用顯微鏡觀察實施例8-2之透明導電性片材表面所得之結果之圖。
圖41A係表示利用顯微鏡觀察實施例8-3之透明導電性片材表面所得之結果之圖。圖41B係表示利用顯微鏡觀察實施例8-4之透明導電性片材表
面所得之結果之圖。
圖42係表示實施例8-1~8-4之透明導電性片材之電阻比之結果之圖。
圖43係表示比較例8-1~8-4之透明導電性片材及實施例8-1~8-4之透明導電性片材之片材電阻之結果之圖。
圖44係表示比較例8-1~8-4之透明導電性片材及實施例8-1~8-4之透明導電性片材之電阻比之結果之圖。
圖45A係表示普通平台之移動速度之變化之圖。圖45B係表示高速平台之移動速度之變化之圖。
一面參照圖式一面按照以下順序對本技術之實施形態進行說明。
1.第1實施形態(藉由具有隨機圖形之單位區劃而構成透明電極部及透明絕緣部之例)
2.第2實施形態(藉由具有隨機之邊界圖形之單位區劃而構成邊界部之例)
3.第3實施形態(藉由具有規則圖形之單位區劃而構成透明電極部及透明絕緣部之例)
4.第4實施形態(藉由具有規則之邊界圖形之單位區劃而構成邊界部之例)
5.第5實施形態(將透明電極部設為連續膜之例)
6.第6實施形態(藉由具有隨機圖形之單位區劃而構成邊界部之例)
7.第7實施形態(藉由具有隨機圖形之單位區劃而構成透明電極部，且藉由具有規則圖形之單位區劃而構成透明絕緣部之例)
8.第8實施形態(藉由具有規則圖形之單位區劃而構成透明電極部，且
藉由具有隨機圖形之單位區劃而構成透明絕緣部之例)
9.第9實施形態(設有連結焊墊(pad)部之形狀之透明電極部之例)
10.第10實施形態(於基材之兩面設有透明電極部之例)
11.第11實施形態(於基材之一主表面交叉地設有透明電極部之例)
12.第12實施形態(於電子機器之應用例)
圖1係表示本技術之第1實施形態之資訊輸入裝置之一構成例之剖面圖。如圖1所示，資訊輸入裝置10係設置於顯示裝置4之顯示面上。資訊輸入裝置10係例如藉由貼合層5而貼合於顯示裝置4之顯示面。
應用資訊輸入裝置10之顯示裝置4並無特別限定，但若例示，則可列舉：液晶顯示器、CRT(Cathode Ray Tube，陰極射線管)顯示器、電漿顯示器(Plasma Display Panel：PDP)、電致發光(Electro Luminescence：EL)顯示器、表面傳導型電子發射元件顯示器(Surface-conduction Electron-emitter Display：SED)等各種顯示裝置。
資訊輸入裝置10為所謂之投影型靜電電容方式觸控面板，且具備第1透明導電性元件1、及設置於該第1透明導電性元件1之表面上之第2透明導電性元件2，且第1透明導電性元件1與第2透明導電性元件2介隔貼合層6而貼合。又，亦可視需要於第2透明導電性元件2之表面上進而具備光學層3。
光學層3例如具備基材31、及設置於基材31與第2透明導電性元件2之間之貼合層32，且基材31經由該貼合層32而貼合於第2透明導電性元
件2之表面。光學層3並不限定於該例，亦可設為SiO2等陶瓷塗層(保護層，overcoat)。
圖2A係表示本技術之第1實施形態之第1透明導電性元件之一構成例之平面圖。圖2B係沿著圖2A所示之A-A線之剖面圖。如圖2A及圖2B所示，第1透明導電性元件1具備具有表面之基材11、及設置於該表面之透明導電層12。此處，將於基材11之面內存在正交交叉關係之2方向定義為X軸方向(第1方向)及Y軸方向(第2方向)。
透明導電層12具備透明電極部(透明導電部)13及透明絕緣部14。透明電極部13為於X軸方向延伸之X電極部。透明絕緣部14為所謂之虛設(dummy)電極部，且為於X軸方向延伸並且介於透明電極部13之間而使相鄰之透明電極部13之間絕緣之絕緣部。該等透明電極部13及透明絕緣部14朝Y軸方向平面而交替地鄰接設置於基材11之表面。再者，於圖2A、圖2B中，第1區域R1係表示透明電極部13之形成區域，第2區域R2係表示透明絕緣部14之形成區域。
透明電極部13、及透明絕緣部14之形狀較佳為根據畫面形狀或驅動電路等適當進行選擇，例如可列舉直線狀、呈直線狀連結複數個菱形狀(鑽石形狀)而成之形狀等，但並無特別限定於該等形狀。再者，圖2A、圖2B係例示將透明電極部13、及透明絕緣部14之形狀設為直線狀之構成。
圖3A係表示第1透明導電性元件之透明電極部之一構成例之平面圖。透明電極部13係如圖3A所示，為重複設有具有孔部13a之隨機圖形之單位區劃13p之透明導電層12。單位區劃13p係例如於X軸方向上以週期Tx重複設置，於Y軸方向上以週期Ty重複設置。即，單位區劃13p二維排列於X軸方向及Y軸方向上。週期Tx及週期Ty分別獨立地設
定於例如微米級~奈米級之範圍內。
圖3B係表示第1透明導電性元件之透明絕緣部之一構成例之平面圖。透明絕緣部14係如圖3B所示，為重複設有具有島部14a之隨機圖形之單位區劃14p之透明導電層12。單位區劃14p係例如於X軸方向上以週期Tx重複設置，於Y軸方向上以週期Ty重複設置。即，單位區劃14p二維排列於X軸方向及Y軸方向上。週期Tx及週期Ty分別獨立地設定於例如微米級~奈米級之範圍內。
圖3A及圖3B係以單位區劃13p及單位區劃14p分別為1種之情形為例進行表示，但亦可將單位區劃13p及單位區劃14p設為2種以上。於該情形時，可使相同種類之單位區劃13p及單位區劃14p於X軸方向及Y軸方向上週期性地或隨機地重複。
單位區劃13p及單位區劃14p之形狀只要為可於X軸方向及Y軸方向上大致無間隙地重複設置之形狀即可，並無特別限定，但若例示，則可列舉：三角形狀、四邊形狀、六邊形狀或八邊形狀等多邊形狀、或不定形狀等。
圖4A係表示第1透明導電性元件之透明電極部之單位區劃之一構成例之平面圖。圖4B係沿著圖4A所示之A-A線之剖面圖。圖4C係表示第1透明導電性元件之透明絕緣部之單位區劃之一構成例之平面圖。圖4D係沿著圖4C所示之A-A線之剖面圖。透明電極部13之單位區劃13p係如圖4A及圖4B所示，為複數個孔部(絕緣要素)13a相隔地以隨機圖形設置之透明導電層12，且於相鄰之孔部13a之間插入有透明導電部13b。另一方面，透明絕緣部14之單位區劃14p係如圖4C及圖4D所示，為具有相隔地以隨機圖形設置之複數個島部(導電要素)14a之透明導電層12，且於相鄰之島部14a之間插入有作為絕緣部之間隙部14b。島部14a例如為以透明導電材料為主成分之島狀之透明導電層12。此處，於間隙部14b
中，較佳為完全地去除透明導電層12，但只要為間隙部14b作為絕緣部發揮功能之範圍內，則亦可將透明導電層12之一部分殘留為島狀或薄膜狀。
單位區劃13p較佳為具有接觸、或切斷作為隨機圖形之圖形要素之孔部13a之邊，更佳為構成單位區劃13p之所有邊與圖形要素存在此種關係。再者，亦可採用作為隨機圖形之圖形要素之孔部13a與所有邊相隔之構成。
單位區劃14p較佳為具有接觸、或切斷作為隨機圖形之圖形要素之島部14a之邊，更佳為構成單位區劃14p之所有邊與圖形要素存在此種關係。再者，亦可採用作為隨機圖形之圖形要素之島部14a與所有邊相隔之構成。
作為孔部13a及島部14a之形狀，例如可使用點狀。作為點狀，例如可使用選自由圓形狀、橢圓形狀、切下圓形狀之一部分而成之形狀、切下橢圓形狀之一部分而成之形狀、多邊形狀、經倒角之多邊形狀及不定形狀所組成之群中之1種以上。作為多邊形狀，例如可列舉三角形狀、四邊形狀(例如菱形等)、六邊形狀、八邊形狀等，但並不限定於此。孔部13a及島部14a亦可採用不同之形狀。此處，圓形不僅包含數學上所定義之完全之圓(正圓)，而且亦包含被賦予些許變形之大致圓形。橢圓形不僅包含數學上所定義之完全之橢圓，而且包含被賦予些許變形之大致橢圓形(例如長橢圓、卵型等)。多邊形不僅包含數學上所定義之完全之多邊形，而且包含對邊賦予變形之大致多邊形、對角賦予弧度之大致多邊形、及對邊賦予變形且對角賦予弧度之大致多邊形等。作為賦予邊之變形，可列舉凸狀或凹狀等彎曲等。
孔部13a及島部14a較佳為藉由目視而無法識別之尺寸。具體而言，較佳為，孔部13a或島部14a之尺寸較佳為100μm以下、更佳為60μm以下。此處，於不為圓形之情形時，尺寸(徑Dmax)係指孔部13a
及島部14a之直徑之長度中最大者。再者，於為圓形之情形時，徑Dmax為直徑。若使孔部13a及島部14a之徑Dmax為100μm以下，則可抑制利用目視視辨孔部13a及島部14a。具體而言，例如，於使孔部13a及島部14a為圓形狀之情形時，較佳為其等之直徑為100μm以下。再者，透明導電性片材之頂面(最表面)與底面(雷射加工部之底面(因雷射光照射之剝蝕(ablation)所波及之基材11表面。以下，當於基材11內亦產生剝蝕之情形時，可適當將其露出表面稱為基材11表面))之作為隨機圖形之孔部之深度之距離於圖4中以符號d來表示。即，圖4中表示自透明導電部13b之表面至孔部13a之底面(基材11之表面)為止之平均深度d、及自島部14a之表面至間隙部14b之底面(基材11之表面)為止之平均深度d。
於第1區域R1中，例如，複數個孔部13a成為基材表面之露出區域，相對於此，介於相鄰之孔部13a間之透明導電部13b成為基材表面之被覆區域。另一方面，於第2區域R2中，複數個島部14a成為基材表面之被覆區域，相對於此，介於相鄰之島部14a間之間隙部14b成為基材表面之露出區域。較佳為，將第1區域R1與第2區域R2之被覆率差設為60%以下、較佳為40%以下、進而較佳為30%以下，且以藉由目視而無法視辨之大小來形成孔部13a及島部14a之部分。於藉由目視比較透明電極部13與透明絕緣部14時，因感到於第1區域R1及第2區域R2同樣地被覆有透明導電層12，故可抑制透明電極部13與透明絕緣部14之視辨。
較佳為第1區域R1中之利用透明導電部13b之被覆面積之比例較高。此係由於若隨著被覆率變低而具有相同之導電性，則為增加透明導電部13b之厚度，而必需增加最初之全面製膜時之厚度，與被覆率成反比，成本增大。例如，於被覆率為50%之情形時，材料費為2倍，於被覆率為10%之情形時，材料費為10倍。此外，由於透明導電部13b之膜厚變厚，因而亦產生光學特性之劣化等問題。若被覆率變得過小，則絕緣之
可能性亦變大。若考慮到以上方面，則較佳為被覆率至少為10%以上。被覆率之上限值並未特別限制。
若第2區域R2中之利用島部14a之被覆率過高，則有隨機圖形之生成本身變得困難並且島部14a彼此接近而發生短路之虞，故較佳為使利用島部14a之被覆率為95%以下。
較佳為，透明電極部13及透明絕緣部14之反射L值之差之絕對值未達0.3。此係由於可抑制透明電極部13及透明絕緣部14之視辨。此處，反射L值之差之絕對值為根據JIS Z8722進行評價所得之值。
較佳為，設置於第1區域(電極區域)R1之透明電極部13之平均邊界線長度La與設置於第2區域(絕緣區域)R2之透明絕緣部14之平均邊界線長度Lb為0<La、Lb≦20mm/mm2之範圍內。其中，平均邊界線長度La為設置於透明電極部13之孔部13a與透明導電部13b之邊界線之平均邊界線之長度，平均邊界線之長度Lb為設置於透明絕緣部14之島部14a與間隙部14b之邊界線之平均邊界線之長度。
藉由使平均邊界線長度La、Lb為上述範圍內，而可減少於基材11之表面形成有透明導電層12之部分與未形成透明導電層12之部分之邊界，從而減少該邊界之光散射量。因此，不按下述平均邊界線長度之比(La/Lb)便可使上述反射L值之差之絕對值未達0.3。即，可抑制透明電極部13及透明絕緣部14之視辨。
此處，對透明電極部13之平均邊界線長度La及透明絕緣部14之平均邊界線長度Lb之求出方法進行說明。
透明電極部13之平均邊界線長度La係以如下方式求出。首先，利用數位顯微鏡(KEYENCE股份有限公司製、商品名：VHX-900)於觀察倍率100~500倍之範圍內觀察透明電極部13，保存觀察像。其次，根據所保存之觀察像，藉由圖像解析而測量邊界線(ΣCi=C1+…+Cn)，獲得邊界線
長度L1[mm/mm2]。對於自透明電極部13隨機選出之10視野進行該測量，獲得邊界線長度L1、…、L10。接著，單純地將所獲得之邊界線長度L1、…、L10進行平均(算術平均)，求出透明電極部13之平均邊界線長度La。
透明絕緣部14之平均邊界線長度Lb係以如下方式求出。首先，利用數位顯微鏡(KEYENCE股份有限公司製、商品名：VHX-900)於觀察倍率100~500倍之範圍內觀察透明絕緣部14，保存觀察像。其次，根據所保存之觀察像，藉由圖像解析而測量邊界線(ΣCi=C1+…+Cn)，獲得邊界線長度L1[mm/mm2]。對於自透明絕緣部14隨機選出之10視野進行該測量，獲得邊界線長度L1、…、L10。接著，單純地將所獲得之邊界線長度L1、…、L10進行平均(算術平均)，求出透明絕緣部14之平均邊界線長度Lb。
較佳為，設置於第1區域(電極區域)R1之透明電極部13之平均邊界線長度La與設置於第2區域(絕緣區域)R2之透明絕緣部14之平均邊界線長度Lb之平均邊界線長度比(La/Lb)為0.75以上且1.25以下之範圍內。若平均邊界線長度比(La/Lb)為上述範圍外，則於未將透明電極部13之平均邊界線長度La及透明絕緣部14之平均邊界線長度Lb設定為20mm/mm2以下之情形時，即便透明電極部13與透明絕緣部14之被覆率差相同，亦視辨到透明電極部13及透明絕緣部14。此係起因於例如於基材11之表面具有透明導電層12之部分與不具有透明導電層12之部分折射率不同。當於具有透明導電層12之部分與不具有透明導電層12之部分折射率差較大之情形時，於具有透明導電層12之部分與不具有透明導電層12之部分之邊界部產生光散射。藉此，透明電極部13及透明絕緣部14之區域中邊界線長度較長之區域看上去更白，無關被覆率差，視辨到透明電極部13之電極圖形。定量上，根據JIS Z8722進行評價之透明電極部13與透明絕緣部14之反射L值之差之絕對值為0.3以上。
圖5係表示邊界部之形狀圖形之一例之平面圖。於透明電極部13與透明絕緣部14之邊界部，設有隨機之形狀圖形。藉由如此般地於邊界部設置隨機之形狀圖形，而可抑制邊界部之視辨。此處，所謂邊界部，係表示透明電極部13與透明絕緣部14之間之區域，所謂邊界L，係表示劃分透明電極部13與透明絕緣部14之邊界線。再者，根據邊界部之形狀圖形不同，亦有邊界L並非實線而為假想線之情況。
較佳為，邊界部之形狀圖形包含透明電極部13及透明絕緣部14之至少一者之隨機圖形之圖形要素之整體及/或一部分。更具體而言，較佳為，邊界部之形狀圖形包含選自由孔部13a之整體、孔部13a之一部分、島部14a之整體及島部14a之一部分所組成之群中之1種以上之形狀。
邊界部之形狀圖形所包含之孔部13a之整體係例如與透明電極部13側之邊界L相接、或大致相接而設置。邊界部之形狀圖形中所包含之島部14a之整體係例如與透明絕緣部14側之邊界L相接、或大致相接而設置。
邊界部之形狀圖形所包含之孔部13a之一部分係例如具有藉由邊界L而局部地切斷孔部13a而成之形狀，且其切斷邊與透明電極部13側之邊界L相接、或大致相接而設置。邊界部之形狀圖形所包含之島部14a之一部分係例如具有藉由邊界L而局部地切斷島部14a而成之形狀，且其切斷邊與透明絕緣部14側之邊界L相接、或大致相接而設置。
單位區劃13p較佳為具有接觸、或切斷作為隨機圖形之圖形要素之孔部13a之邊，且該邊以與透明電極部13及透明絕緣部14之邊界L相接或大致相接之方式設置。
單位區劃14p較佳為具有接觸、或切斷作為隨機圖形之圖形要素之島部14a之邊，且該邊以與透明電極部13及透明絕緣部14之邊界L
相接或大致相接之方式設置。
再者，圖5係表示邊界部之形狀圖形包含透明電極部13及透明絕緣部14之兩者之隨機圖形之圖形要素之一部分之例。更具體而言，表示邊界部之形狀圖形包含孔部13a及島部14a之兩者之一部分之例。於該例中，邊界部所包含之孔部13a之一部分具有藉由邊界L而局部地切斷孔部13a而成之形狀，且其切斷邊與透明電極部13側之邊界L相接而設置。另一方面，邊界部所包含之島部14a之一部分具有藉由邊界L而局部地切斷島部14a而成之形狀，且其切斷邊與透明絕緣部14側之邊界L相接而設置。
作為基材11之材料，例如可使用玻璃、塑膠。作為玻璃，例如可使用公知之玻璃。作為公知之玻璃，具體而言，例如可列舉：鹼石灰玻璃(soda-lime glass)、鉛玻璃、硬質玻璃、石英玻璃、液晶化玻璃等。作為塑膠，例如可使用公知之高分子材料。作為公知之高分子材料，具體而言，例如可列舉：三乙醯纖維素(TAC，Triacetylcellulose)、聚酯、聚對苯二甲酸乙二酯(PET，polyethylene terephthalate)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN，polyethylene naphthalate)、聚醯亞胺(PI，Polyimide)、聚醯胺(PA，Polyamide)、芳族聚醯胺、聚乙烯(PE，Polyethylene)、聚丙烯酸酯、聚醚碸、聚碸、聚丙烯(PP，Polypropylene)、二乙醯纖維素、聚氯乙烯、丙烯酸系樹脂(PMMA，polymethyl methacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)、聚碳酸酯(PC，Polycarbonate)、環氧樹脂、尿素樹脂、胺基甲酸乙酯樹脂、三聚氰胺樹脂、環狀烯烴聚合物(COP，cyclo olefin polymer)、降莰烯(norbornene)系熱塑性樹脂等。
玻璃基材之厚度較佳為20μm~10mm，但並無特別限定於此範圍。塑膠基材之厚度較佳為20μm~500μm，但並無特別限定於此範圍。
作為透明導電層12之材料，例如可使用選自由具有電氣導電性之金屬氧化物材料、金屬材料、碳材料及導電性聚合物等所組成之群中之1種以上。作為金屬氧化物材料，例如可列舉：銦錫氧化物(ITO，Indium Tin Oxides)、氧化鋅、氧化銦、添加有銻之氧化錫、添加有氟之氧化錫、添加有鋁之氧化鋅、添加有鎵之氧化鋅、添加有矽之氧化鋅、氧化鋅-氧化錫系、氧化銦-氧化錫系、氧化鋅-氧化銦-氧化鎂系等。作為金屬材料，例如可使用金屬奈米粒子、金屬線等。作為其等之具體材料，例如可列舉銅、銀、金、鉑、鈀、鎳、錫、鈷、銠、銥、鐵、釕、鋨、錳、鉬、鎢、鈮、鉭、鈦、鉍、銻、鉛等金屬、或該等之合金等。作為碳材料，例如可列舉碳黑、碳纖維、富勒烯(fullerene)、石墨烯、奈米碳管、螺旋碳纖維及奈米角(nanohorn)等。作為導電性聚合物，例如可使用經取代或未經取代之聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、及由選自該等之1種或2種所構成之(共)聚合物等。
作為透明導電層12之形成方法，例如可使用濺鍍法、真空蒸鍍法、離子電鍍法等PVD(Physical Vapor Deposition，物理氣相沈積)法、或CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法、塗佈法、印刷法等。透明導電層12之厚度較佳為以於圖形化前之狀態(於基材11之整個面形成有透明導電層12之狀態)下表面電阻成為1000Ω/□以下之方式適當進行選擇。
圖6A係表示本技術之第1實施形態之第2透明導電性元件之一構成例之平面圖。圖6B係沿著圖6A所示之A-A線之剖面圖。如圖6A及圖6B所示，第2透明導電性元件2具備具有表面之基材21、及設置於該表面之透明導電層22。此處，將於基材21之面內存在正交交叉關係之2方向定義為
X軸方向(第1方向)及Y軸方向(第2方向)。
透明導電層22具備透明電極部(透明導電部)23及透明絕緣部24。透明電極部23為沿Y軸方向延伸之Y電極部。透明絕緣部24為所謂之虛設電極部，且為沿Y軸方向延伸並且介於透明電極部23之間而使相鄰之透明電極部23之間絕緣之絕緣部。該等透明電極部23及透明絕緣部24朝X軸方向交替地鄰接設置於基材21之表面。第1透明導電性元件1所具有之透明電極部13及透明絕緣部14與第2透明導電性元件2所具有之透明電極部23及透明絕緣部24例如存在相互正交之關係。再者，於圖6A、圖6B中，第1區域R1係表示透明電極部23之形成用區域，第2區域R2係表示透明絕緣部24之形成區域。
於第2透明導電性元件2中，除上述說明以外係與第1透明導電性元件1相同。
其次，一面參照圖7，一面對用以製作透明電極部13及透明絕緣部14之雷射加工裝置之一構成例進行說明。雷射加工裝置係利用雷射剝蝕製程將透明導電層圖形化之加工裝置，且如圖7所示，具備雷射41、遮罩部42、及平台43。遮罩部42設置於雷射41與平台43之間。自雷射41出射之雷射光係經由遮罩部42而到達至固定於平台43之透明導電性基材1a。
雷射加工裝置構成為可調整加工倍率，例如，可將加工倍率調整為加工倍率1/4或加工倍率1/8。以下，表示於加工倍率1/4及加工倍率1/8之情形時之遮罩部42之雷射光照射範圍與固定於平台之透明導電性基材1a之加工範圍之關係之例。
加工倍率1/4：雷射光照射範圍8mm×8mm、加工範圍2mm×2mm
加工倍率1/8：雷射光照射範圍8mm×8mm、加工範圍1mm×1mm
作為雷射41，例如只要為可利用雷射剝蝕製程將透明導電
層圖形化者，則並無特別限定，但若例示，則可使用波長248nm之KrF準分子雷射、波長266nm之第三諧波飛秒雷射、波長355nm之第三諧波YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔-鋁-石榴石)雷射等UV(Ultraviolet，紫外線)雷射。
遮罩部42具備用以製作透明電極部13之第1遮罩、及用以製作透明絕緣部14之第2遮罩。遮罩部42具有可藉由控制裝置(省略圖示)等切換第1遮罩與第2遮罩之構成。因此，於雷射加工裝置中，可連續地重複形成透明電極部13及透明絕緣部14。
再者，於具備2種以上之單位區劃13p作為透明電極部13之單位區劃13p之情形時，只要使遮罩部42具備2種以上之第1遮罩即可。又，於具備2種以上之單位區劃14p作為透明絕緣部14之單位區劃14p之情形時，亦同樣只要使遮罩部42具備2種以上之第2遮罩即可。
平台43具有用以固定作為被加工體之透明導電性基材1a之固定面。透明導電性基材1a具備基材11及透明導電層12，且基材11側之面以與固定面對向之方式固定於平台43。
以自雷射41出射之雷射光經由遮罩部42而相對於平台43之固定面垂直地入射之方式調整平台43之朝向。平台43具有可於將雷射光之入射角度保持為固定之狀態下於X軸方向(水平方向)及Y軸方向(垂直方向)移動之構成。
圖8A係表示用以製作透明電極部13之第1遮罩之一構成例之平面圖。第1遮罩53係如圖8A所示，為於玻璃表面或玻璃內部之遮光層相隔地以隨機圖形設置複數個孔部(透光要素)53a而成之玻璃遮罩，且於相鄰之孔部53a之間介入有遮光部53b。
圖8B係表示用以製作透明絕緣部14之第2遮罩之一構成例之平面圖。第2遮罩54係如圖8B所示，為於玻璃表面或玻璃內部相隔地
以隨機圖形設置複數個遮光部(遮光要素)54a而成之玻璃遮罩，且相鄰之遮光部54a之間成為可透過雷射光之間隙部(透光部)54b。
遮光部53b及遮光部54a只要為可遮擋自雷射41出射之雷射光之材料即可，並無特別限定，但若例示，則可列舉鉻(Cr)等。
第1遮罩53較佳為具有接觸、或切斷作為隨機圖形之圖形要素之孔部53a之邊，更佳為構成第1遮罩53之所有邊與圖形要素存在此種關係。再者，亦可採用作為隨機圖形之圖形要素之孔部53a與所有邊相隔之構成。
第2遮罩54較佳為具有接觸、或切斷作為隨機圖形之圖形要素之遮光部54a之邊，更佳為構成第2遮罩54之所有邊與圖形要素存在此種關係。再者，亦可採用作為隨機圖形之圖形要素之遮光部54a與所有邊相隔之構成。孔部53a及遮光部54a之形狀及大小分別根據上述孔部13a及島部14a之形狀及大小適當進行選擇。
接著，一面參照圖9A~圖9C，一面對具有上述構成之第1透明導電性元件1之製造方法之一例進行說明。再者，因第2透明導電性元件2可以與第1透明導電性元件1大致相同之方式製造，故對於第2透明導電性元件2之製造方法省略說明。
首先，如圖9A所示，藉由於基材11之表面上成膜透明導電層12，而製作透明導電性基材1a。作為透明導電層12之成膜方法，可使用乾系及濕系中任一之成膜方法。
作為乾系成膜方法，例如，除熱CVD、電漿CVD、光CVD、ALD(Atomic Layer Disposition(原子層堆積法))等CVD法(Chemical Vapor Deposition(化學蒸鍍法)：利用化學反應使薄膜自氣相中析出之技術)以外，
還可使用真空蒸鍍、電漿援用蒸鍍、濺鍍、離子電鍍等PVD法(Physical Vapor Deposition(物理蒸鍍法)：於真空中使物理上氣化之材料凝集於基板上而形成薄膜之技術)。
於使用乾系成膜方法之情形時，亦可於成膜透明導電層12後，視需要對透明導電層12實施煅燒處理(退火處理)。藉此，透明導電層12成為例如非晶與多晶之混合狀態、或多晶狀態，透明導電層12之導電性提高。
作為濕系成膜方法，例如，可使用於將透明導電塗料塗佈或印刷於基材11之表面而於基材11之表面形成塗膜後，進行乾燥及/或煅燒之方法。作為塗佈法，例如可使用微凹板塗佈法、線棒塗佈法、直接凹板塗佈法、擠壓式塗佈法、浸漬法、噴塗法、逆輥塗佈法、淋幕式塗佈法、卡馬塗佈法、刮塗法、旋轉塗佈法等，但並無特別限定於此。又，作為印刷法，例如可使用凸版印刷法、平版印刷法、凹板印刷法(gravure printing)、凹版印刷法(intaglio printing)、膠版印刷法、網版印刷法等，但並無特別限定於此。又，作為透明導電性基材1a，亦可使用市售者。
其次，使用上述雷射加工裝置交替地重複第1雷射加工步驟及第2雷射加工步驟，將透明導電性基材1a之透明導電層12圖形化。此時，亦可藉由抽吸處理等而去除因雷射加工而產生之煤。接著，視需要對透明導電性基材1a實施鼓風處理及/或沖洗洗淨處理等。藉此，透明電極部13及透明絕緣部14朝一方向平面而交替地鄰接形成。第1雷射加工步驟為藉由介隔第1遮罩53對透明導電性基材1a之透明導電層12照射雷射光而進行之步驟。第2雷射加工步驟為藉由介隔第2遮罩54對透明導電性基材1a之透明導電層12照射雷射光而進行之步驟。此處，對於該等第1雷射加工步驟及第2雷射加工步驟之詳細情況，於以下進行說明。
如圖9B所示，介隔第1遮罩53對透明導電性基材1a之透明導電層12照射雷射光，從而於透明導電層12之表面形成照射部13L。藉此，形成透明電極部13之單位區劃13p。一面使照射部13L於X軸方向及Y軸方向上分別以週期Tx及週期Ty移動，一面對透明導電層12之第1區域(透明電極部13之形成區域)R1整體進行此操作。藉此，於X軸方向及Y軸方向上重複地週期性地形成單位區劃13p，獲得透明電極部13。
如圖9C所示，介隔第2遮罩54對透明導電性基材1a之透明導電層12照射雷射光，從而於透明導電層12之表面形成照射部14L。藉此，形成透明絕緣部14之單位區劃14p。一面使照射部14L於X軸方向及Y軸方向上分別以週期Tx及週期Ty移動，一面對透明導電層12之第2區域(透明絕緣部14之形成區域)R2整體進行此操作。藉此，於X軸方向及Y軸方向上重複地週期性地形成單位區劃14p，獲得透明絕緣部14。
藉由以上，獲得目標之第1透明導電性元件1。
圖33係模式性地表示對透明導電性片材照射雷射光時之加工之平均深度d。於圖33中，表示於基材11之表面上成膜有透明導電層12之透明導電性基材1a。再者，於圖33中，為了簡化，而表示以規則之圖形加工孔部而成之透明導電性基材1a。
如圖33所示，於藉由雷射加工而於透明導電性基材1a形成(圖形化)孔部之情形時，藉由剝蝕不僅加工至透明導電層12而且亦加工至基材11。相對於此，雖亦取決於基材11之種類，但於利用wet(濕式)蝕刻加工透明導電性基材1a時，通常不於基材11上形成孔部。因此，是否使用雷射加工進行了圖形化可藉由利用光學顯微鏡等評價基材11之雷射加
工部之狀態(例如，平均深度d等之形狀)而確認。再者，經加工之孔部只要作為絕緣部發揮功能，則亦可對基材11以產生剝蝕之方式進行加工。
根據第1實施形態，第1透明導電性元件1具備平面而交替地鄰接設置於基材11之表面之透明電極部13及透明絕緣部14。而且，透明電極部13具有重複具有隨機圖形之單位區劃13p之構成，並且透明絕緣部14具有重複具有隨機圖形之單位區劃14p之構成。因此，可大面積地容易地形成隨機圖形。
因以隨機圖形設有單位區劃13p之孔部13a及單位區劃14p之島部14a，故可抑制雲紋(moire)之產生。
第1透明導電性元件1因具備平面而交替地鄰接設置於基材11之表面之透明電極部13及透明絕緣部14，故可減少透明電極部13與透明絕緣部14之反射率差。因此，可抑制透明電極部13之視辨。
當於透明電極部13與透明絕緣部14之邊界部進而設置形狀圖形之情形時，可進一步抑制邊界部之視辨。因此，可進一步抑制透明電極部13之視辨。
第2透明導電性元件2具備平面而交替地鄰接設置於基材21之表面之透明電極部23及透明絕緣部24。透明電極部23及透明絕緣部24具有與第1透明導電性元件1之透明電極部13及透明絕緣部14相同之構成。因此，藉由第2透明導電性元件2亦可獲得與第1透明導電性元件1相同之效果。
當於資訊輸入裝置10具備重疊之第1透明導電性元件1與第2透明導電性元件2之情形時，可抑制透明電極部13及透明電極部23之視辨。因此，可實現視辨性優異之資訊輸入裝置10。進而，當於顯示裝置4之顯示面具備該資訊輸入裝置10之情形時，可抑制資訊輸入裝置10
之視辨。
與其他製程相比，雷射加工在微細加工方面例如具有如下優點。即，於網版印刷等濕式製程中，為L/S=30μm左右之圖形精度，相對於此，於雷射加工製程中，可實現L/S<10μm之圖形精度。再者，此處，L為圖形線寬，S為線間隔。
於使用UV雷射進行雷射加工之情形時，可抑制PET膜等基材11、21之因蝕刻液等所致之損傷。因此，可選擇性地剝蝕包含金屬奈米線或銦錫氧化物(ITO)之透明導電層。
以下，對第1實施形態之變形例進行說明。
圖10A係表示透明電極部之單位區劃之變形例之平面圖。圖10B係沿著圖10A所示之A-A線之剖面圖。透明電極部13之單位區劃13p係如圖10A及圖10B所示，為由設置成隨機之網狀之透明導電部13b所構成之透明導電層12。透明導電部13b沿隨機之方向延伸設置，藉由延伸設置之透明導電部13b而形成有獨立之孔部13a。因此，於透明電極部13之單位區劃13p，隨機地設有複數個孔部13a。於觀察透子1之情形時，具有隨機之線狀。
圖10C係表示透明絕緣部之單位區劃之變形例之平面圖。圖10D係沿著圖10C所示之A-A線之剖面圖。透明絕緣部14之單位區劃14p係如圖10C及圖10D所示，為將間隙部14b設置成隨機之網狀之透明導電層12。具體而言，配置於單位區劃14p之透明導電層12係藉由沿隨機之方向延伸設置之間隙部14b而分割成獨立之島部14a。即，單位區劃14p係使用透明導電層12而構成，且藉由沿隨機之方向延伸設置之間隙部14b而分割透明導電層12而成之島部14a之圖形作為隨機圖形而配置。該等島部14a之圖形(即
隨機圖形)例如成為藉由沿隨機之方向延伸設置之間隙部14b而分割成隨機之多邊形者。再者，延伸設置方向隨機之間隙部14b本身亦成為隨機圖形。例如，於自設有透明導電層12之側之面觀察第1透明導電性元件1之情形時，間隙部14b具有隨機之線狀。間隙部14b為例如設置於島部14a間之槽部。
此處，設置於單位區劃14p之各間隙部14b係於單位區劃14p中沿隨機之方向延伸設置者。相對於延伸設置方向垂直之方向之寬度(稱為線寬)例如選為相同之線寬。於該單位區劃14p中，藉由各間隙部14b之線寬而調整透明導電層12之被覆率。該單位區劃14p中之透明導電層12之被覆率較佳為以成為與透明電極部13中之透明導電層12之被覆率相同程度之方式設定。此處所謂相同程度係指透明電極部13及透明絕緣部14作為圖形無法視辨之程度。
如圖11A所示，亦可於第1透明導電性元件1之兩表面中之至少一者之表面設置硬塗層61。藉此，於基材11使用塑膠基材之情形時，可防止步驟上之基材11之損傷、賦予耐化學品性、抑制低聚物等低分子量物之析出。硬塗材料較佳為使用利用光或電子束等硬化之游離輻射硬化型樹脂、或因熱而硬化之熱硬化型樹脂，最佳為利用紫外線硬化之感光性樹脂。作為此種感光性樹脂，例如可使用丙烯酸胺基甲酸酯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、多元醇丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、三聚氰胺丙烯酸酯等丙烯酸酯系樹脂。例如，丙烯酸胺基甲酸酯樹脂可藉由使異氰酸酯基單體或預聚物與聚酯多元醇反應，並使具有羥基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯系單體與所獲得之產物反應而獲得。硬塗層61之厚度較佳為1μm~20μm，但並無特別限定於此範圍。
硬塗層61係以如下方式形成。首先，將硬塗塗料塗佈於基
材11之表面。塗佈方法並無特別限定，可使用公知之塗佈方法。作為公知之塗佈方法，例如可列舉：微凹板塗佈法、線棒塗佈法、直接凹板塗佈法、擠壓式塗佈法、浸漬法、噴塗法、逆輥塗佈法、淋幕式塗佈法、卡馬塗佈法、刮塗法、旋轉塗佈法等。硬塗塗料例如含有二官能以上之單體及/或低聚物等樹脂原料、光聚合起始劑、及溶劑。其次，視需要藉由乾燥塗佈於基材11之表面上之硬塗塗料，而使溶劑揮發。接著，例如藉由游離輻射照射或加熱而使基材11之表面之硬塗塗料硬化。再者，亦可以與上述第1透明導電性元件1相同之方式於第2透明導電性元件2之兩表面之至少一者之表面上設置硬塗層61。
較佳為，如圖11B所示，於第1透明導電性元件1之基材11與透明導電層12之間介入光學調整層62。藉此，可輔助透明電極部13之圖形形狀之非視辨性。光學調整層62例如由折射率不同之2層以上之積層體所構成，且於低折射率層側形成有透明導電層12。更具體而言，作為光學調整層62，例如可使用先前公知之光學調整層。作為此種光學調整層，例如可使用日本特開2008-98169號公報、日本特開2010-15861號公報、日本特開2010-23282號公報、日本特開2010-27294號公報中所記載者。再者，亦可與上述第1透明導電性元件1同樣地，於第2透明導電性元件2之基材21與透明導電層22之間介入光學調整層62。
較佳為，如圖11C所示，設置密接輔助層63作為第1透明導電性元件1之透明導電層12之底層。藉此，可提高透明導電層12對於基材11之密接性。作為密接輔助層63之材料，例如可使用聚丙烯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、聚酯系樹脂、及金屬元素之氯化物或過氧化物或烷氧化物等水解及脫水縮合產物等。
亦可不使用密接輔助層63，而使用對設置透明導電層12之表面照射輝光放電或電暈放電之放電處理。又，亦可對設置透明導電層12之表面使用以酸或鹼進行處理之化學藥品處理法。又，亦可於設置透明導電層12後，藉由壓光(calender)處理而提高密接。再者，於第2透明導電性元件2上，亦可與上述第1透明導電性元件1同樣地設置密接輔助層63。又，亦可實施用於提高上述密接性之處理。
較佳為，如圖11D所示，於第1透明導電性元件1設置屏蔽層64。例如，亦可將設有屏蔽層64之膜經由透明黏著劑層而貼合於第1透明導電性元件1。又，當X電極及Y電極形成於1片基材11之相同之面側之情形時，亦可於與之相反側直接形成屏蔽層64。作為屏蔽層64之材料，可使用與透明導電層12相同之材料。作為屏蔽層64之形成方法，亦可使用與透明導電層12相同之方法。然而，屏蔽層64係於未圖形化而形成於基材11之整個表面之狀態下被使用。藉由於第1透明導電性元件1形成屏蔽層64，而可減少起因於自顯示裝置4發出之電磁波等之雜訊，從而提高資訊輸入裝置10之位置檢測之精度。再者，亦可與上述第1透明導電性元件1同樣地，於第2透明導電性元件2設置屏蔽層64。
較佳為，如圖12A所示，於第1透明導電性元件1進而設置抗反射層65。抗反射層65例如設置於第1透明導電性元件1之兩主表面中之與設有透明導電層12之側為相反側之主表面。
作為抗反射層65，例如可使用低折射率層或蛾眼(moth eye)結構體等。於使用低折射率層作為抗反射層65之情形時，亦可於基材11與抗反射層65之間進而設置硬塗層。再者，亦可與上述第1透明導電性元件1同樣地，於第2透明導電性元件2亦進而設置抗反射層65。
圖12B係表示設有抗反射層65之第1透明導電性元件及第2透明導電性元件之應用例之剖面圖。如圖12B所示，第1透明導電性元件1及第2透明導電性元件2係以其等兩主表面中之設有抗反射層65之側之主表面與顯示裝置4之顯示面對向之方式配置於顯示裝置4上。藉由採用此種構成，而可提高來自顯示裝置4之顯示面之光之透過率，從而提高顯示裝置4之顯示性能。
圖32係表示雷射加工裝置之變形例之模式圖。雷射加工裝置具備平台43、遮罩44、透鏡45及雷射(省略圖示)。遮罩44具有大於作為被加工物之透明導電性基材1a之尺寸。遮罩44係構成為可與平台43同步地於X軸方向及Y軸方向移動。雷射光L係經由遮罩44及透鏡45而照射至透明導電性基材1a之透明導電層。
以下，對於具有上述構成之雷射加工裝置之動作進行說明。首先，介隔具有圖形之遮罩而對作為被加工體之透明導電性基材1a之透明導電層照射雷射光。其次，藉由使遮罩44與平台43同步地於X軸方向及/或Y軸方向移動，而使雷射光對於遮罩之照射位置移動。藉此，加工透明導電性基材1a之透明導電層之大致整體，朝一方向平面而交替地鄰接形成透明電極部13及透明絕緣部14。
於該變形例之雷射加工裝置中，未產生單位區劃13p、14p等圖形之重疊或圖形間之未加工區域，故獲得可提高第1透明導電性元件1等之特性之優點。
圖13A係表示本技術之第2實施形態之第1透明導電性元件之一構成例之平面圖。於在透明電極部13及透明絕緣部14之邊界部進而具備具有邊
界圖形之單位區劃15p之方面，第2實施形態之第1透明導電性元件1與第1實施形態之第1透明導電性元件1不同。
單位區劃15p例如朝Y軸方向(即邊界部之延伸方向)以週期Ty重複設置。圖13A係以單位區劃15p為1種之情形為例進行表示，但亦可將單位區劃15p設為2種以上。於該情形時，可使相同種類之單位區劃15p於Y軸方向上週期性地或隨機地重複。
單位區劃15p之形狀只要為可無間隙地重複設置於邊界部之形狀即可，並無特別限定，但若例示，則可列舉：三角形狀、四邊形狀、六邊形狀或八邊形狀等多邊形狀、或不定形狀等。
單位區劃15p係如圖13A所示，具有設有隨機之形狀圖形之邊界部。藉由如此般地於邊界部設置隨機之形狀圖形，而可抑制邊界部之視辨。作為邊界部之形狀圖形，亦可採用與上述第1實施形態相同之圖形，但亦可為除透明電極部13及透明絕緣部14之隨機圖形之圖形要素以外之形狀。
單位區劃15p具備第1區劃15a及第2區劃15b，且兩區劃於邊界L接合。第1區劃15a例如為透明電極部13之單位區劃13p之一部分。另一方面，第2區劃15b例如為透明絕緣部14之單位區劃14p之一部分。具體而言，第1區劃15a為藉由邊界L而局部地切斷單位區劃13p而成之區劃，且其切斷邊與透明電極部13側之邊界L相接而設置。另一方面，第2區劃15b為藉由邊界L而局部地切斷單位區劃14p而成之區劃，且其切斷邊與透明絕緣部14側之邊界L相接而設置。
再者，圖13A係表示單位區劃15p之第1區劃15a及第2區劃15b分別由單位區劃13p及單位區劃14p之一半所構成之例。構成第1區劃15a及第2區劃15b之單位區劃13p及單位區劃14p之大小並不限定於此，兩者之大小可任意選擇。又，亦可使用與單位區劃13p及單位區劃14p不同
之隨機圖形作為第1區劃15a及第2區劃15b之隨機圖形。亦可使用規則圖形代替第1區劃15a及第2區劃15b之隨機圖形。
雷射加工裝置之遮罩部42除上述第1實施形態中之第1遮罩53及第2遮罩54以外，進而具備用以於透明電極部13及透明絕緣部14之邊界部製作邊界圖形之第3遮罩。
遮罩部42具有可藉由控制裝置(省略圖示)等而切換第1遮罩53、第2遮罩54及第3遮罩之構成。因此，於雷射加工裝置中，可連續地重複形成透明電極部13、透明絕緣部14及其等之邊界部。再者，於具備2種以上之單位區劃15p作為單位區劃15p之情形時，只要使遮罩部42具備2種以上之第3遮罩即可。
圖13B係表示用以於透明電極部13及透明絕緣部14之邊界部製作邊界圖形之第3遮罩之一構成例之平面圖。第3遮罩55係如圖13B所示，具備第1區劃55a及第2區劃55b，且兩區劃於邊界L接合。第1區劃55a例如為第1遮罩53之一部分。另一方面，第2區劃55b例如為第2遮罩54之一部分。具體而言，第1區劃55a為藉由邊界L而局部地切斷第1遮罩53而成之區劃，且其切斷邊與邊界L之一側相接而設置。另一方面，第2區劃55b為藉由邊界L而局部地切斷第2遮罩54而成之區劃，且其切斷邊與邊界L之另一側相接而設置。
再者，圖13B係表示第3遮罩55之第1區劃55a及第2區劃55b分別由第1遮罩53及第2遮罩54之一半所構成之例。分別構成第1區劃55a及第2區劃55b之第1遮罩53及第2遮罩54之大小並不限定於此，兩者之大小可任意選擇。又，亦可使用與第1遮罩53及第2遮罩54不同之隨機圖形作為第1區劃55a及第2區劃55b之隨機圖形。亦可使用規則圖形代替第1遮罩53及第2遮罩54之隨機圖形。
於在透明電極部及透明絕緣部之形成步驟中，於第1雷射加工步驟及第2雷射加工步驟之間進而具備第3雷射加工步驟之方面，第2實施形態之第1透明導電性元件之製造方法與第1實施形態之第1透明導電性元件之製造方法不同。第3雷射加工步驟為用以於透明電極部13及透明絕緣部14之邊界部製作邊界圖形之步驟。以下，對第3雷射加工步驟進行說明。
介隔第3遮罩55而對透明導電性基材1a之透明導電層12照射雷射光，從而於透明導電層12之表面形成照射部。藉此，形成邊界部之單位區劃15p。一面使照射部於Y軸方向(即邊界部之延伸方向)以週期Ty移動，一面依序重複進行此操作。藉此，於Y軸方向上重複地週期性地形成單位區劃15p，獲得設有隨機之形狀圖形之邊界部。
於第2實施形態中，除上述說明以外係與第1實施形態相同。
圖14A係表示第1透明導電性元件之透明電極部之一構成例之平面圖。圖15A係表示透明電極部之單位區劃之一構成例之平面圖。圖15B係沿著圖15A所示之A-A線之剖面圖。透明電極部13為重複設有具有孔部13a之規則圖形之單位區劃13p之透明導電層12。
圖14B係表示第1透明導電性元件之透明絕緣部之一構成例之平面圖。圖15C係表示透明絕緣部之單位區劃之一構成例之平面圖。圖15D係沿著圖15C所示之A-A線之剖面圖。透明絕緣部14為重複設有具有島部14a之規則圖形之單位區劃14p之透明導電層12。
於透明電極部13與透明絕緣部14之邊界部，設有規則之形狀圖形。藉由如此般地於邊界部設置規則之形狀圖形，而可抑制邊界部之視辨。
圖16係表示邊界部之形狀圖形之一例之平面圖。邊界部之形狀圖形較佳為包含透明電極部13及透明絕緣部14之至少一者之規則圖形之圖形要素之整體及/或一部分。更具體而言，邊界部之形狀圖形較佳為包含選自由孔部13a之整體、孔部13a之一部分、島部14a之整體及島部14a之一部分所組成之群中之1種以上之形狀。
單位區劃13p較佳為具有接觸、或切斷作為規則圖形之圖形要素之孔部13a之邊，且該邊以與透明電極部13及透明絕緣部14之邊界L相接或大致相接之方式設置。
單位區劃14p較佳為具有接觸、或切斷作為規則圖形之圖形要素之島部14a之邊，且該邊以與透明電極部13及透明絕緣部14之邊界L相接或大致相接之方式設置。
再者，圖16係表示邊界部之形狀圖形包含透明電極部13及透明絕緣部14之兩者之規則圖形之一部分之例。更具體而言，表示邊界部之形狀圖形包含孔部13a及島部14a之兩者之一部分之例。於該例中，邊界部所含之孔部13a之一部分具有藉由邊界L而局部地切斷孔部13a而成之形狀，且其切斷邊與透明電極部13側之邊界L相接而設置。另一方面，邊界部所含之島部14a之一部分具有藉由邊界L而局部地切斷島部14a而成之形狀，且其切斷邊與透明絕緣部14側之邊界L相接而設置。
於第3實施形態之第1透明導電性元件之製造方法中，使用具有相隔地以規則圖形設置之複數個孔部(透光要素)53a者作為第1遮罩53。使用具有相隔地以規則圖形設置之複數個遮光部(遮光要素)54a者作為第2遮罩54。
於第3實施形態中，除上述說明以外係與第1實施形態相同。
圖17A係表示本技術之第4實施形態之第1透明導電性元件之一構成例之平面圖。於在透明電極部13及透明絕緣部14之邊界部進而具備具有邊界圖形之單位區劃15p之方面，第4實施形態之第1透明導電性元件1與第3實施形態之第1透明導電性元件1不同。
單位區劃15p係如圖17A所示，具有設有規則之形狀圖形之邊界部。藉由如此般地於邊界部設置規則之形狀圖形而可抑制邊界部之視辨。作為邊界部之形狀圖形，亦可採用與上述第3實施形態相同之圖形，但亦可為除透明電極部13及透明絕緣部14之規則圖形之圖形要素以外之形狀。
再者，圖17A係表示單位區劃15p之第1區劃15a及第2區劃15b分別由單位區劃13p及單位區劃14p之一半所構成之例。分別構成第1區劃15a及第2區劃15b之單位區劃13p及單位區劃14p之大小並不限定於此，兩者之大小可任意選擇。又，亦可使用與單位區劃13p及單位區劃14p不同之規則圖形作為第1區劃15a及第2區劃15b之規則圖形。亦可使用隨機圖形代替第1區劃15a及第2區劃15b之規則圖形。
雷射加工裝置之遮罩部42除上述第3實施形態中之第1遮罩53及第2遮罩54以外，進而具備用以於透明電極部13及透明絕緣部14之邊界部製作邊界圖形之第3遮罩。
圖17B係表示用以於透明電極部13及透明絕緣部14之邊界部製作邊界圖形之第3遮罩之一構成例之平面圖。第3遮罩55係如圖17B所示，具備第1區劃55a及第2區劃55b，且兩區劃於邊界L接合。
再者，圖17B係表示第3遮罩55之第1區劃55a及第2區劃55b分別由第1遮罩53及第2遮罩54之一半所構成之例。分別構成第1區劃55a及第2區劃55b之第1遮罩53及第2遮罩54之大小並不限定於此，兩者之大小可任意選擇。又，亦可使用與第1遮罩53及第2遮罩54不同之規則圖形作為第1區劃55a及第2區劃55b之規則圖形。亦可使用隨機圖形代替第1遮罩53及第2遮罩54之規則圖形。
除使用上述雷射加工裝置以外，第4實施形態之第1透明導電性元件之製造方法係與第2實施形態之第1透明導電性元件之製造方法相同。
於第4實施形態中，除上述說明以外係與第2實施形態相同。
圖18係表示本技術之第5實施形態之第1透明導電性元件之一構成例之平面圖。第5實施形態之第1透明導電性元件1係如圖18所示，於具備連續地設置之透明導電層12作為透明電極部13之方面與第1實施形態之第1透明導電性元件不同。
透明電極部13為於第1區域(電極區域)R1不藉由孔部13a而露出基材11之表面而連續地設置之透明導電層(連續膜)12。其中，第1區域(電極區域)R1與第2區域(絕緣區域)R2之邊界部除外。作為連續膜之透明導電層12較佳為具有大致均勻之膜厚。
於透明電極部13與透明絕緣部14之邊界部，設有隨機之形狀圖形。藉由如此般地於邊界部設置隨機之形狀圖形而可抑制邊界部之視辨。
邊界部之形狀圖形包含選自由島部14a之整體及島部14a之
一部分所組成之群中之1種以上之形狀。具體而言，例如，邊界部之形狀圖形包含島部14a之整體、島部14a之一部分、或島部14a之整體及一部分之兩者。
圖18係表示邊界部之形狀圖形包含島部14a之一部分之例。於該例中，邊界部所含之島部14a之一部分例如具有藉由邊界L而局部地切斷島部14a而成之形狀，且其切斷邊與透明絕緣部14側之邊界L相接而設置。
於省略第1雷射加工步驟而僅重複進行第2雷射加工步驟之方面，第5實施形態之第1透明導電性元件1之製造方法與第1實施形態之第1透明導電性元件1之製造方法不同。藉由僅重複進行第2雷射加工步驟，而將透明導電層12之第2區域(透明絕緣部14之形成區域)R2圖形化，相對於此，透明導電層12之第1區域(透明電極部13之形成區域)R1未經圖形化，透明導電層12作為連續膜而殘留。
於第5實施形態中，除上述說明以外係與第1實施形態相同。
圖19A係表示本技術之第6實施形態之第1透明導電性元件之一構成例之平面圖。於在透明電極部13及透明絕緣部14之邊界部進而具備具有邊界圖形之單位區劃15p之方面，第6實施形態之第1透明導電性元件1與第5實施形態之第1透明導電性元件1不同。
單位區劃15p係如圖19A所示，具有設有隨機之形狀圖形之邊界部。藉由如此般地於邊界部設置隨機之形狀圖形而可抑制邊界部之視辨。作為邊界部之形狀圖形，亦可採用與上述第5實施形態相同之圖形，
但亦可為除透明電極部13及透明絕緣部14之隨機圖形之圖形要素以外之形狀。
再者，圖19A係表示單位區劃15p之第1區劃15a及第2區劃15b分別由單位區劃13p(由於為連續膜故為假想之單位區劃)及單位區劃14p之一半所構成之例。分別構成第1區劃15a及第2區劃15b之單位區劃13p及單位區劃14p之大小並不限定於此，兩者之大小可任意選擇。又，亦可使用與單位區劃14p不同之隨機圖形作為第2區劃15b之隨機圖形。亦可使用規則圖形代替第2區劃15b之隨機圖形。
雷射加工裝置之遮罩部42除上述第5實施形態中之第1遮罩53及第2遮罩54以外，進而具備用以於透明電極部13及透明絕緣部14之邊界部製作邊界圖形之第3遮罩。
圖19B係表示用以於透明電極部13及透明絕緣部14之邊界部製作邊界圖形之第3遮罩之一構成例之平面圖。第3遮罩55係如圖19B所示，具備第1區劃55a及第2區劃55b，且兩區劃於邊界L接合。
再者，圖19B係表示第3遮罩55之第1區劃55a及第2區劃55b分別由第1遮罩53及第2遮罩54之一半所構成之例。分別構成第1區劃55a及第2區劃55b之第1遮罩53及第2遮罩54之大小並不限定於此，兩者之大小可任意選擇。又，亦可使用與第2遮罩54不同之隨機圖形作為第2區劃55b之隨機圖形。亦可使用規則圖形代替第2遮罩54之隨機圖形。
除使用上述雷射加工裝置以外，第6實施形態之第1透明導電性元件之製造方法係與第5實施形態之第1透明導電性元件之製造方法相同。
於第6實施形態中，除上述說明以外係與第5實施形態相同。
圖20A係表示本技術之第7實施形態之第1透明導電性元件之一構成例之平面圖。透明電極部13為重複設有具有孔部13a之隨機圖形之單位區劃13p之透明導電層12。具體而言，透明電極部13之構成係與第1實施形態中之透明電極部13相同。透明絕緣部14為重複設有具有島部14a之規則圖形之單位區劃14p之透明導電層12。具體而言，透明絕緣部14之構成係與第3實施形態之透明絕緣部14相同。
亦可如圖20B所示，於透明電極部13與透明絕緣部14之間進而具備具有邊界圖形之單位區劃15p。
於第7實施形態中，除上述說明以外係與第1實施形態相同。
圖21A係表示本技術之第8實施形態之第1透明導電性元件之一構成例之平面圖。透明電極部13為重複設有具有孔部13a之規則圖形之單位區劃13p之透明導電層12。具體而言，透明電極部13之構成係與第3實施形態中之透明電極部13相同。透明絕緣部14為重複設有具有島部14a之隨機圖形之單位區劃14p之透明導電層12。具體而言，透明絕緣部14之構成係與第1實施形態之透明絕緣部14相同。
亦可如圖21B所示，於透明電極部13與透明絕緣部14之間進而具備具有邊界圖形之單位區劃15p。
於第8實施形態中，除上述說明以外係與第1實施形態相同。
圖22A係表示本技術之第9實施形態之第1透明導電性元件之一構成例之平面圖。圖22B係表示本技術之第9實施形態之第2透明導電性元件
之一構成例之平面圖。除透明電極部13、透明絕緣部14、透明電極部23及透明絕緣部24之構成以外，第9實施形態係與第1實施形態相同。
透明電極部13具備複數個焊墊部(單位電極體)13m、及將複數個焊墊部13m彼此連結之複數個連結部13n。連結部13n係沿X軸方向延伸，且將相鄰之焊墊部13m之端部彼此連結。焊墊部13m與連結部13n係一體地形成。
透明電極部23具備複數個焊墊部(單位電極體)23m、及將複數個焊墊部23m彼此連結之複數個連結部23n。連結部23n係沿Y軸方向延伸，且將相鄰之焊墊部23m之端部彼此連結。焊墊部23m與連結部23n係一體地形成。
作為焊墊部13m及焊墊部23m之形狀，例如可使用菱形(鑽石形)或矩形等多邊形狀、星形、及十字形等，但並不限定於該等形狀。
作為連結部13n及連結部23n之形狀，可採用矩形狀，但連結部13n及連結部23n之形狀只要為可將相鄰之焊墊部13m及焊墊部23m彼此連結之形狀即可，並無特別限定於矩形狀。作為除矩形狀以外之形狀之例，可列舉線狀、橢圓狀、三角形狀、不定形狀等。
為進一步提高非視辨性，而較佳為對於在重疊第1透明導電性元件(X電極)1與第2透明導電性元件(Y電極)2之兩者之狀態之兩元件之被覆率之關係進行設定。
於第9實施形態中，除上述說明以外係與第1實施形態相同。
根據第9實施形態，可獲得與第1實施形態相同之效果。
圖23係表示本技術之第10實施形態之資訊輸入裝置之一構成例之剖
面圖。於在基材21之一主表面(第1主表面)具備透明導電層12，於另一主表面(第2主表面)具備透明導電層22之方面，第10實施形態之資訊輸入裝置10係與第1實施形態之資訊輸入裝置10不同。透明導電層12具備透明電極部及透明絕緣部。透明導電層22具備透明電極部及透明絕緣部。透明導電層12之透明電極部為於X軸方向延伸之X電極部，透明導電層22之透明電極部為於Y軸方向延伸之Y電極部。因此，透明導電層12及透明導電層22之透明電極部存在相互正交之關係。
於第10實施形態中，除上述說明以外係與第1實施形態相同。
根據第10實施形態，除第1實施形態之效果以外，可進而獲得以下效果。即，因於基材21之一主表面設有透明導電層12，於另一主表面設有透明導電層22，故可省略第1實施形態中之基材11(圖1)。因此，可使資訊輸入裝置10進一步薄型化。
圖24A係表示本技術之第11實施形態之資訊輸入裝置之一構成例之平面圖。圖24B係沿著圖24A所示之A-A線之剖面圖。資訊輸入裝置10為所謂之投影型靜電電容方式觸控面板，且如圖24A及圖24B所示，具備基材11、複數個透明電極部13及透明電極部23、透明絕緣部14、以及透明絕緣層51。複數個透明電極部13及透明電極部23設置於基材11之相同之表面。透明絕緣部14設置於基材11之面內方向之透明電極部13及透明電極部23之間。透明絕緣層51介於透明電極部13及透明電極部23之交叉部間。
又，如圖24B所示，亦可視需要於形成有透明電極部13及透明電極部23之基材11之表面進而具備光學層52。再者，於圖24A中省
略光學層52之記載。光學層52具備貼合層56、及基體57，且基體57介隔貼合層56而貼合於基材11之表面。資訊輸入裝置10係應用於顯示裝置之顯示面較佳者。基材11及光學層52例如相對於可見光具有透明性，且其折射率n較佳為1.2以上且1.7以下之範圍內。以下，將於資訊輸入裝置10之表面之面內相互正交之2方向分別設為X軸方向、及Y軸方向，將與其表面垂直之方向稱為Z軸方向。
透明電極部13係於基材11之表面於X軸方向(第1方向)延伸，相對於此，透明電極部23係於基材11之表面朝Y軸方向(第2方向)延伸。因此，透明電極部13與透明電極部23係相互正交交叉。於透明電極部13與透明電極部23所交叉之交叉部C，介入有用以使兩電極間絕緣之透明絕緣層51。於透明電極部13及透明電極部23之一端分別電性連接有取出電極，該取出電極與驅動電路經由FPC(Flexible Printed Circuit，可撓性印刷電路板)而連接。
圖25A係將圖24A所示之交叉部C之附近放大而表示之平面圖。圖25B係沿著圖25A所示之A-A線之剖面圖。透明電極部13具備複數個焊墊部(單位電極體)13m、及將複數個焊墊部13m彼此連結之複數個連結部13n。連結部13n係於X軸方向延伸，且將相鄰之焊墊部13m之端部彼此連結。透明電極部23具備複數個焊墊部(單位電極體)23m、及將複數個焊墊部23m彼此連結之複數個連結部23n。連結部23n係於Y軸方向延伸，且將相鄰之焊墊部23m之端部彼此連結。
於交叉部C，連結部23n、透明絕緣層51、連結部13n依此順序積層於基材11之表面。連結部13n係以橫跨透明絕緣層51之方式形成，且跨過透明絕緣層51之連結部13n之一端與相鄰之焊墊部13m之一方電性連接，跨過透明絕緣層51之連結部13n之另一端與相鄰之焊墊部13m
之另一方電性連接。
焊墊部23m與連結部23n係一體地形成，相對於此，焊墊部13m與連結部13n係分開形成。焊墊部13m、焊墊部23m、連結部23n、及透明絕緣部14例如由設置於基材11之表面之單層透明導電層12所構成。連結部13n例如由導電層所構成。
作為焊墊部13m及焊墊部23m之形狀，例如可使用菱形(鑽石形)或矩形等多邊形狀、星形、及十字形等，但並不限定於該等形狀。
作為構成連結部13n之導電層，例如可使用金屬層或透明導電層。金屬層包含金屬作為主成分。作為金屬，較佳為使用導電性較高之金屬，作為此種材料，例如可列舉Ag、Al、Cu、Ti、Nb、添加有雜質之Si等，若考慮導電性之高低、以及成膜性及印刷性等，則較佳為Ag。較佳為，藉由使用導電性較高之金屬作為金屬層之材料而使連結部13n之寬度較窄，使其厚度較薄，且使其長度較短。藉此，可提高視辨性。
作為連結部13n及連結部23n之形狀，可採用矩形狀，但連結部13n及連結部23n之形狀只要為可將相鄰之焊墊部13m及焊墊部23m彼此連結之形狀即可，並無特別限定於矩形狀。作為除矩形狀以外之形狀之例，可列舉線狀、橢圓狀、三角形狀、不定形狀等。
透明絕緣層51較佳為具有大於連結部13n與連結部23n所交叉之部分之面積，例如，具有被覆位於交叉部C之焊墊部13m及焊墊部23m之前端之程度之大小。
透明絕緣層51包含透明絕緣材料作為主成分。作為透明絕緣材料，較佳為使用具有透明性之高分子材料，作為此種材料，例如可列舉：聚甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯與其他(甲基)丙烯酸烷基酯、與苯乙烯等之類的乙烯系單體之共聚物等(甲基)丙烯酸系樹脂；聚碳酸酯、二乙
二醇雙烯丙基碳酸酯(CR-39)等聚碳酸酯系樹脂；(溴化)雙酚A型二(甲基)丙烯酸酯之均聚物或共聚物、(溴化)雙酚A單(甲基)丙烯酸酯之胺基甲酸酯改質單體之聚合物及共聚物等之類的熱硬化性(甲基)丙烯酸系樹脂；聚酯、特別是聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯及不飽和聚酯、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚胺基甲酸酯、環氧樹脂、聚芳酯、聚醚碸、聚醚酮、環烯烴聚合物(商品名：ARTON、ZEONOR)、環狀烯烴共聚物等。又，亦可使用考慮到耐熱性之芳族聚醯胺系樹脂。此處，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
透明絕緣層51之形狀只要為於交叉部C中介於透明電極部13與透明電極部23之間，且可防止兩電極之電性接觸之形狀即可，並無特別限定，但若例示，則可列舉四邊形等多邊形、橢圓形、圓形等。作為四邊形，例如可列舉長方形、正方形、菱形、梯形、平行四邊形、對於角賦予曲率R之矩形狀。
於第11實施形態中，除上述說明以外係與第1實施形態相同。
根據第11實施形態，除第1實施形態之效果以外，可進而獲得以下效果。即，因於基材11之一主表面設有透明電極部13、23，故可省略第1實施形態中之基材21(圖1)。因此，可使資訊輸入裝置10進一步薄型化。
第12實施形態之電子機器係於顯示部具備第1~第11實施形態之資訊輸入裝置10中之任一者。以下，對本技術之第12實施形態之電子機器之例進行說明。
圖26係表示電視200之例作為電子機器之外觀圖。電視200具備由前面板202、濾光玻璃203等所構成之顯示部201，且於該顯示部201
進而具備第1~第11實施形態之資訊輸入裝置10中之任一者。
圖27A、圖27B係表示數位相機之例作為電子機器之外觀圖。圖27A係自正面側觀察數位相機之外觀圖。圖27B係自背面側觀察數位相機之外觀圖。數位相機210具備閃光用發光部211、顯示部212、選單開關213、快門按鈕214等，且於該顯示部212具備第1~第11實施形態之資訊輸入裝置10中之任一者。
圖28係表示筆記型個人電腦之例作為電子機器之外觀圖。筆記型個人電腦220於本體221具備輸入文字等時所操作之鍵盤222、顯示圖像之顯示部223等，且於該顯示部223具備第1~第11實施形態之資訊輸入裝置10中之任一者。
圖29係表示攝影機之例作為電子機器之外觀圖。攝影機230具備本體部231、朝向前方之側面之被攝體拍攝用透鏡232、拍攝時之開始/停止開關233、顯示部234等，且於該顯示部234具備第1~第11實施形態之資訊輸入裝置10中之任一者。
圖30係表示移動終端裝置之例作為電子機器之外觀圖。移動終端裝置例如為行動電話機，且具備上側殼體241、下側殼體242、連結部(此處為鉸鏈部)243、顯示部244，且於該顯示部244具備第1~第11實施形態之資訊輸入裝置10中之任一者。
以上說明之第12實施形態之電子機器因具備第1~第11實施形態之資訊輸入裝置10中之任一者，故可抑制顯示部中之資訊輸入裝置10之視辨。
以下，藉由實施例而對本技術進行具體說明，但本技術並不僅限定於該等實施例。對於本技術之實施例，一面參照圖式一面按照以下順序進行說明。
1.實施例1(將雷射光照射面積設為較小之例)
2.實施例2(將雷射光照射面積設為較大之例)
3.實施例3(使雷射光之曝射數產生變化之例)
4.實施例4(使雷射光之能量密度產生變化之例)
5.實施例5(使雷射光之曝射數或能量密度產生變化之例)
6.實施例6(將非導通部圖形化之例)
7.實施例7(將最鄰接距離設為固定值之例)
8.實施例8(將導電材料被覆率設為固定值之例)
9.比較例8(將導電材料被覆率設為固定值並利用wet蝕刻進行加工之例)
10.實施例9(雷射圖形化之高速度化之一例)
首先，藉由塗佈法而於厚度125μm之PET片材之表面形成包含銀奈米線之透明導電層，藉此獲得透明導電性片材。其次，藉由四探針法而測定該透明導電性片材之片材電阻。再者，作為測定裝置，使用三菱化學ANALYTECH股份有限公司製造之Loresta EP、MCP-T360型。其結果，表面電阻為200Ω/□。
接著，使用圖7所示之雷射加工裝置，並藉由雷射加工步驟(第1雷射加工步驟)而將透明導電性片材之透明導電層圖形化。具體而言，介隔遮罩(第1遮罩)而對透明導電性片材之透明導電層照射雷射光，從而於透明導電層之表面形成正方形狀之雷射光照射部，並且使雷射光照射部沿X軸方向及Y軸方向移動。
作為遮罩，使用於玻璃表面之遮光層上相隔地以隨機圖形設有具有點狀(圓形狀)之複數個孔部之玻璃遮罩。再者，以對於透明導電
性片材之雷射光照射面積、透明導電層之孔部之直徑之最大值、透明導電層之孔部間之最鄰接距離、及透明導電層(透明導電材料)之被覆率成為表1所示之值之方式調整遮罩之構成及雷射加工裝置之加工倍率。又，作為雷射，使用UV雷射(波長248nm之KrF準分子雷射)，於相同位置進行4發雷射光之照射。再者，雷射光強度係調整為200mJ/cm2。
藉由以上，獲得目標之透明導電性片材。
以對於透明導電性片材之雷射光照射面積、透明導電層之孔部之直徑之最大值、透明導電層之孔部間之最鄰接距離、及透明導電層(透明導電材料)之被覆率成為表1所示之值之方式調整遮罩之構成及雷射加工裝置之加工倍率，除此以外係以與實施例1-1~1-7相同之方式獲得透明導電性片材。
以對於透明導電性片材之雷射光照射面積、透明導電層之孔部之直徑之最大值、透明導電層之孔部間之最鄰接距離、及透明導電層(透明導電材料)之被覆率成為表1所示之值之方式調整遮罩之構成及雷射加工裝置之加工倍率。又，針對每個樣本而使相同位置之雷射光之曝射數如表1所示般變化。除上述說明以外係以與實施例1-1~1-7相同之方式獲得透明導電性片材。
對於以上述方式獲得之透明導電性片材，以如下方式評價點形狀(孔部形狀)及單位區劃形狀(格子狀)之圖形視辨。首先，於對角3.5英吋之液晶顯示器上，經由黏著片材而以與畫面對向之方式貼合透明導電性片材
之透明導電層側之面。其次，於透明導電性片材之基材(PET片材)側，經由黏著片材而貼合AR(Anti Reflect：抗反射)膜。其後，使液晶顯示器進行黑顯示或綠色顯示，藉由目視而觀察顯示面，評價點形狀及單位區劃形狀之圖形視辨。將其結果示於表1中。
以下，表示點形狀及單位區劃形狀之圖形視辨之評價基準。
○：無法視辨點形狀
×：可視辨點形狀
○：無法視辨單位區劃形狀
×：可視辨單位區劃形狀
圖31A係表示利用顯微鏡觀察實施例1-5之透明導電性片材表面所得之結果。圖31B係表示利用顯微鏡觀察實施例2-1之透明導電性片材表面所得之結果。
根據表1可知：藉由使形成於透明導電層之點形狀(孔部形狀)之大小為100μm以下，而可抑制點形狀之視辨。
藉由將照射至透明導電性片材之雷射光強度調整為200mJ/cm2以下，而可抑制作為基材之PET片材之損傷，從而抑制單位區劃形狀之視辨。
將雷射光之能量密度變更為80mJ/cm2，除此以外係以與實施例1-1相同之方式獲得透明導電性片材。
將雷射光之能量密度變更為150mJ/cm2，除此以外係以與實施例1-1相同之方式獲得透明導電性片材。
將雷射光之能量密度變更為220mJ/cm2，除此以外係以與實施例1-1相同之方式獲得透明導電性片材。
將雷射光之能量密度變更為360mJ/cm2，除此以外係以與實施例1-1相同之方式獲得透明導電性片材。
將雷射光之能量密度變更為420mJ/cm2，除此以外係以與實施例1-1相同之方式獲得透明導電性片材。
以如下方式評價藉由雷射加工而形成於透明導電性片材表面之雷射加工部之平均深度。即，使用光學顯微鏡，於3D圖像上藉由剖面分佈測量而求出透明導電性片材之頂面(最表面)與底面(雷射加工部之底面)之距
離，並將該距離設為雷射加工部之平均深度。再者，光學顯微鏡之測定倍率係於10~1000倍之範圍內進行調整。將其結果示於表2中。
對於以上述方式獲得之透明導電性片材，以與上述實施例1-1~3-10相同之方式評價單位區劃形狀之圖形視辨。將其結果示於表2中。
表2係表示實施例4-1~4-5之透明導電性片材之評價結果。
根據表2可知：藉由使雷射光之能量密度為220mJ/cm2以下，而可抑制單位區劃形狀之圖形視辨。
藉由使雷射加工時形成之槽之平均深度為0nm以上且3μm以下，而可抑制單位區劃形狀之圖形視辨。
以使對於透明導電性片材之雷射光照射面積、透明導電層之孔部(點)之直徑之最小值Dmin及最大值Dmax、透明導電層之孔部間之最鄰接距離、以及透明導電層(透明導電材料)之被覆率成為表3所示之值之方式調整遮罩之構成及雷射加工裝置之加工倍率。而且，針對每個樣本而使相同位置之雷射光之能量密度及雷射光之曝射數如表3所示般變化。除上述說明
以外係以與實施例2-3相同之方式獲得透明導電性片材。再者，將實施例5-1~5-3之雷射光之能量密度設為固定值(200[mJ/cm2])。而且，將實施例5-4~5-8之雷射光之曝射數設為固定值(1次)。
表3係表示實施例5-1~5-8之設定條件。
以與上述實施例4-1~4-5相同之方式評價藉由雷射加工而形成於透明導電性片材表面之雷射加工部之平均深度d(以下，適當稱為加工深度d)。進而，算出點直徑之最大值Dmax除以加工深度d所得之值Dmax/d。將其結果示於表4中。
對於以上述方式獲得之透明導電性片材，以與上述實施例1-1~3-10相同之方式評價點形狀(孔部形狀)及單位區劃形狀之圖形視辯。將其結果示於表4中。
圖34A~圖35B係分別表示利用顯微鏡觀察實施例5-4~5-8之透明導電性片材表面所得之結果。
對於以上述方式獲得之透明導電性片材，評價片材電阻。將其結果示於表4中。表4中之「加工前」一欄之值(Rb)為加工前之透明導電性片材電阻值[Ω/□]。表4中之「加工後」一欄之值(Ra)為經照射雷射光之加工部之(加工後之)透明導電性片材電阻值[Ω/□]。表4中之「電阻比」一欄之值(Ra/Rb)為藉由(加工後之片材電阻值)/(加工前之片材電阻值)而算出之電阻比[-]。
表4係表示實施例5-1~5-8之評價結果。
圖36係表示將能量密度設為固定值(200[mJ/cm2])之情形時之相對於曝射數[次]之電阻比[-]之變化之結果。圖37係表示將曝射數設為固定值(1次)之情形時之相對於能量密度[mJ/cm2]之電阻比[-]之變化之結果。
根據表4、圖34、圖35、圖36及圖37可知：根據雷射光照射條件不同而圖形之視辨性產生變化。更具體而言，於能量密度為200[mJ/cm2]之情形時，若曝射數變多則產生格子狀之圖形外觀，故較佳為曝射數較少。曝射數較佳為小於4次。進而，更佳為曝射數為1次。此就加工片材之速度之方面而言亦較佳。於曝射數為1次之情形時，於能量密度為32~330[mJ/cm2]之範圍內視辨性良好(無法視辨)。於加工深度d為2~9[μm]之範圍內視辨性良好。於點直徑之最大值Dmax除以加工深度d所得之值Dmax/d為5~23之範圍內視辨性良好。
於曝射數為1次之情形時，於能量(能量密度)較小時，電阻比亦變小。另一方面，於能量小於閾值之情形時，於片材面內所形成之圖形要素之形狀產生不均(參照圖35B)。因此，為避免此種不均，獲得穩定之透明導電性片材，而較佳為60[mJ/cm2]以上之雷射光照射條件下之加工。再者，此條件亦依存於包含塗佈於片材之表面之銀奈米線之透明導電層之厚度。
再者，若能量變得更大，則加工痕(碎片)產生量增加。
其次，使用圖7所示之雷射加工裝置，並藉由雷射加工步驟(第2雷射加工步驟)，而將透明導電性片材之透明絕緣層圖形化。具體而言，介隔遮罩(第2遮罩)而對透明導電性片材之透明導電層照射雷射光，而於透明導電層之表面形成正方形狀之雷射光照射部，並且使雷射光照射部於X軸方向及Y軸方向移動。
作為遮罩，使用於玻璃表面相隔地以隨機圖形設有具有點狀(圓形狀)之複數個遮光部之玻璃遮罩。再者，以使對於透明導電性片材之雷射光照射面積、透明導電層之遮光部之直徑之最小值Dmin及最大值Dmax、透明導電層之遮光部間之最鄰接距離、以及透明導電層(透明導電材料)之被覆率成為表5所示之值之方式調整遮罩之構成及雷射加工裝置之加工倍率。又，作為雷射，使用UV雷射(波長248nm之KrF準分子雷射)。於實施例6-1~6-7中，於相同位置照射1發將能量密度調整為固定值(64[mJ/cm2])之雷射光。於實施例6-8~6-10中，於相同位置照射4發將能量密度調整為固定值(200[mJ/cm2])之雷射光。於實施例6-11~6-15及實施例6-16~6-20中，於相同位置照射1發將能量密度調整為330[mJ/cm2]~32[mJ/cm2]之範圍內之固定值之雷射光。
藉由以上，獲得目標之透明導電性片材。
表5係表示實施例6-1~6-20之設定條件。
以與上述實施例5相同之方式評價藉由雷射加工而形成於透明導電性片材表面之雷射加工部之平均深度d。進而，算出點直徑之最大值Dmax除以加工深度d所得之值Dmax/d。將其結果示於表6中。
對於以上述方式獲得之透明導電性片材，以與上述實施例5相同之方式評價點形狀(孔部形狀)及單位區劃形狀之圖形視辨。將其結果示於表6中。
表6係表示實施例6-1~6-20之評價結果。
根據表6可知：非導通部之視辨性根據雷射光照射條件不同而不同，用以使點形狀無法視辨之適當之點直徑之最大值Dmax係依存於加工深度d。
例如，根據實施例6-1~6-7之結果，於能量密度為64[mJ/cm2]且1發、加工深度d為3[μm]之情形時，點直徑較佳為300[μm]以下。而且，根據實施例6-8~6-10之結果，於能量密度為200[mJ/cm2]且4發、加工深度d為12[μm]之情形時，點直徑較佳為200[μm]以下。
另一方面，自點直徑之觀點而言，於其最大值Dmax為200[μm]以下之情形時，加工深度d較佳為1~12[μm]。進而，更佳為加工深度d為1[μm]以上且3[μm]以下。
於點直徑之最大值Dmax為245[μm]以上之情形時，即便加工深度d為2[μm]亦可視辨點形狀。
進而，當加工深度d為1[μm]以上且10[μm]以下之範圍內時，點直徑之最大值Dmax除以加工深度d所得之值Dmax/d較佳為80以下。當加工深度d為1[μm]以上且12[μm]以下之範圍內時，點直徑之最大值Dmax除以加工深度d所得之值Dmax/d較佳為19以下。
以使透明導電層之孔部間之最鄰接距離為固定值(10[μm])，且使對於透明導電性片材之雷射光照射面積、透明導電層之孔部之直徑之最小值Dmin及最大值Dmax、以及透明導電層(透明導電材料)之被覆率成為表7所示之值之方式調整遮罩之構成及雷射加工裝置之加工倍率。而且，使相同位置之雷射光之曝射數為1次，將雷射光之能量密度設為64[mJ/cm2]。
除上述說明以外係以與實施例5相同之方式獲得透明導電性片材。
表7係表示實施例7-1~7-3之設定條件。
以與上述實施例6相同之方式評價藉由雷射加工而形成於透明導電性片材表面之雷射加工部之平均深度d。進而，算出點直徑之最大值Dmax除以加工深度d所得之值Dmax/d。將其結果示於表8中。
對於以上述方式獲得之透明導電性片材，以與上述實施例1-1~3-10相同之方式評價點形狀(孔部形狀)及單位區劃形狀之圖形視辨。將其結果示於表8中。
圖38A~圖38C係分別表示利用顯微鏡觀察實施例7-1~7-3之透明導電性片材表面所得之結果。
對於以上述方式獲得之透明導電性片材，評價片材電阻。將其結果示於表8中。表8中之各欄之項目係與實施例5相同。
表8係表示實施例7-1~7-3之評價結果。
圖39係表示於將透明導電層之孔部間之最鄰接距離設為固定值(10[μm])之情形時之導電材料(導通部)之相對於被覆率[%]之電阻比[-]之變化之結果。
根據表8、圖38及圖39可知：先前，wet蝕刻加工之解析力最小為30[μm]。相對於此，於本技術中，藉由雷射加工而可製作最鄰接距離為10[μm]之導通部之片材。因此，可評價最鄰接距離為10[μm]之導通部之片材電阻。以最鄰接距離為10[μm]之導通部之片材進行評價，結果，獲得以下見解。
於最鄰接距離為10[μm]之情形時，與30[μm]之透明導電性片材相比，相對於導通部被覆率之變化之片材電阻之變化變大。
就電阻比之觀點而言，導通部被覆率較佳為85[%]以上。
就提高非視辨性之觀點而言，點直徑之最大值Dmax較佳為40[μm]以下。更佳為點直徑之最大值Dmax為10[μm]以上且38[μm]以下。進而較佳為點直徑之最大值Dmax除以加工深度d所得之值Dmax/d為5以上且19以下之範圍。
以使透明導電層(透明導電材料)之被覆率為固定值(80[%])，且使對於透明導電性片材之雷射光照射面積、透明導電層之孔部之直徑之最小值Dmin及最大值Dmax、以及透明導電層之孔部間之最鄰接距離成為表9所示之值之方式調整遮罩之構成及雷射加工裝置之加工倍率。而且，使雷射光之能量密度為64[mJ/cm2]，將相同位置之雷射光之曝射數設為1次。除上述說明以外係以與實施例5相同之方式獲得透明導電性片材。
表9係表示實施例8-1~8-4之設定條件。
將藉由wet蝕刻而加工之透明導電層(透明導電材料)之各種條件示於以下。膜係使用DIC股份有限公司製之XCF-468B。遮罩係使透明導電層(透明導電材料)之導通部被覆率為80[%]，使透明導電層之孔部間之最鄰接距離成為表11所示之值。蝕刻液使用混酸Al(pH：1.0、黏度：1.5[mPa．s])，蝕刻條件設為50[℃]、5分鐘。
對於實施例8-1~8-4，以與上述實施例7相同之方式評價藉由雷射加工而形成於透明導電性片材表面之雷射加工部之深度d。進而，算出點直徑之最大值Dmax除以加工深度d所得之值Dmax/d。將其結果示於表10中。
對於以上述方式獲得之實施例8-1~8-4之透明導電性片材，以與上述實施例1-1~3-10相同之方式評價點形狀(孔部形狀)及單位區劃形狀之圖形視辨。將其結果示於表10中。
圖40A~圖41B係分別表示利用顯微鏡觀察實施例8-1~8-4之透明導電性片材表面所得之結果。
對於以上述方式獲得之透明導電性片材，評價片材電阻。將其結果示於表10中。表10中之各欄之項目係與實施例5及實施例7相同。
表10係表示實施例8-1~8-4之評價結果。
圖42係表示於將透明導電層(透明導電材料)之被覆率設為固定值(80[%])之情形時之透明導電層之相對於孔部間之最鄰接距離[μm]之電阻比[-]之變化之結果。
根據表10、圖40、圖41及圖42可知：就提高非視辨性之觀點而言，較佳為點直徑之最大值Dmax為48[μm]以上且100[μm]以下。進而較佳為，點直徑之最大值Dmax除以加工深度d所得之值Dmax/d為24以上且50以下之範圍。
於將透明導電層(透明導電材料)之被覆率設為固定值(80[%])之情形時，有如下傾向：若透明導電層之孔部間之最鄰接距離變窄則電阻比上升。
為驗證若最鄰接距離變窄則電阻比上升之傾向是否為雷射加工所特有，而進行與藉由wet蝕刻而加工之透明導電層(透明導電材料)之比較。比較係藉由[1]利用wet蝕刻加工製程之透明導電層(透明導電材料)(比較例8-1~8-4)、及[2]利用雷射剝蝕(利用雷射光照射之表面加工)之透明導電層(透明導電材料)(實施例8-1~8-4)而進行。再者，wet蝕刻加工中所使用之樣本之片材電阻值(加工前之片材電阻值：相當於實施例5、7及8中之「加工前」一欄之值(Rb))為87.5[Ω/□]。使用該值，算出藉由wet蝕刻而加工之透明導電層(透明導電材料)之電阻比Ra/Rb[-]。
對於以上述方式獲得之利用[1]wet蝕刻及[2]雷射剝蝕之各加工製程之透明導電性片材，評價片材電阻。將其結果示於表11中。
表11係表示比較例8-1~8-4及實施例8-1~8-4之評價結果。
圖43係對於[1]wet蝕刻及[2]雷射剝蝕之各加工製程表示於將透明導電層(透明導電材料)之被覆率設為固定值(80[%])之情形時之透明導電層之相對於孔部間之最鄰接距離[μm]之片材電阻[Ω/□]之變化之結果。圖44係對於[1]wet蝕刻及[2]雷射剝蝕之各加工製程表示於將透明導電層(透明導電材料)之被覆率設為固定值(80[%])之情形時之透明導電層之相對於孔部間之最鄰接距離[μm]之電阻比[-]之變化之結果。於圖43及圖44中，對於[1]wet蝕刻之值以三角形來表示，對於[2]雷射剝蝕之值以圓來表示。
根據表11、圖43及圖44可知：於透明導電層之孔部間之最鄰接距離較小之情形時，與利用雷射加工者相比，利用wet蝕刻加工之透明導電層(透明導電材料)之電阻比Ra/Rb進一步上升。因此，就電阻比Ra/Rb之觀點而言，於透明導電層之孔部間之最鄰接距離較小之情形時較佳為雷射加工。再者，作為利用wet蝕刻加工
之透明導電層之電阻比Ra/Rb上升之原因，推測為起因於wet蝕刻加工中產生之側蝕。因此，可知：於wet蝕刻中，為抑制透明導電層之片材電阻之上升，而必需改善抑制側蝕等之加工製程。
於利用wet蝕刻之製程中，難以進行窄間距(例如~10[μm])之加工。相對於此，於利用雷射加工之製程中，可穩定地製作窄間距(例如~10[μm])之透明導電層。進而，於利用雷射加工之製程中，未出現起因於側蝕等之多餘之參數。因此，作為圖形之原理確認，雷射加工較為有效。
圖45A係模式性地表示普通平台(以下，適當稱為平台1)之雷射加工速度與平台之移動速度之關係。於圖45A中，橫軸為時間t，縱軸為平台之移動速度v。進而，圖45A中之向下之箭頭係表示雷射光照射之時機。
如圖45A所示，首先，為向下一雷射光之照射位置移動而提昇平台之移動速度。其次，平台於達到最高速度後，隨著接近雷射光之照射位置而減速。而且，若到達至雷射光之照射位置，則平台停止。若平台停止則照射雷射光。藉由重複該一系列之動作而形成雷射圖形化。例如，平台1於1次之雷射光之照射面積為2×2[mm2]且加工面積為40×40[mm2]之情形時之節拍時間為900[s](15[min])。
圖45B係高速平台(以下，適當稱為平台2)之移動速度v之變化。圖45B中之虛線表示實施例9-2。作為平台2，例如使用Aerotech公司之高速平台。平台2之動作係與平台1之動作相同。然而，平台2之加速度高於平台1。若平台之移動速度v快速地提高，則到達至雷射光之照射位置之時間變短，故透明導電層之雷射加工速度提高。例如，平台2於1次之雷射光之照射面積為2×2[mm2]且加工面積為40×40[mm2]之情形時之節拍時間為
60[s](1[min])。再者，於目錄規格上，平台2可進行300[mm/s]之加工。藉由如此般地導入高速之平台2，而可以平台1之15倍之速度進行加工。因此，為提高透明導電層之雷射加工速度，有效的是提高固定透明導電性基材之平台之移動速度。
藉由導入移動速度快速地提高之平台而提高透明導電層之雷射加工速度。然而，上述實施例9-2之方法係於雷射照射時暫時停止平台之機制，且留有雷射加工之更高速化之餘地(參照圖45A及圖45B之虛線)。即，若相同位置之雷射光之發數不為複數次，則無需於雷射照射時暫時停止平台。作為雷射加工之更高速化之方法之一，考慮導入可控制精密之雷射振盪之「位置同步輸出(position synchronized output)(Aerotech公司製，以下適當稱為PSO)」。藉由將PSO之程式併入於平台之控制，而可進行平台之移動中之雷射照射。
圖45B中之直線係模式性地表示於藉由高速之平台2且導入有PSO之情形時之雷射加工速度與平台之移動速度之關係。預先輸入照射雷射光之位置(座標)，於使平台相對於該輸入之座標移動之狀態下照射雷射光，故透明導電層之雷射加工速度進一步提高。藉由擴大加工面積而該效果進一步提高。再者，對於如加速度不充分之平台1之情形，亦可藉由PSO之導入，並藉由進行平台之移動中之雷射照射，而提高透明導電層之雷射加工速度。
以上，對本技術之實施形態及實施例進行了具體說明，但本技術並不限定於上述實施形態及實施例，可基於本技術之技術思想進行各種變形。
例如，於上述實施形態及實施例中列舉之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等終歸不過為示例，亦可視需要使用與之不同之構成、
方法、步驟、形狀、材料及數值等。
又，上述實施形態及實施例之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等只要不脫離本技術之主旨，則可相互組合。
又，於上述實施形態及實施例中，以將本技術用於雷射加工之情形為例進行了說明，但本技術並不限定於該例，亦可應用於可進行超微細加工之製程，且亦可應用於噴墨印刷等。
又，於上述實施形態中，對於將本技術應用於資訊輸入裝置之透明導電性元件之製造之例進行了說明，但本技術並不限定於該例，亦可應用於太陽電池或有機顯示器等之器件基板之微細形狀圖形之製造。
又，本技術亦可採用以下構成。
(1)一種透明導電性元件，其具備：具有表面之基材；以及平面而交替地設置於上述表面的透明導電部及透明絕緣部；且於上述透明導電部及上述透明絕緣部之至少一者，重複具有隨機圖形之至少1種之單位區劃。
(2)如(1)之透明導電性元件，其中上述透明導電部及上述透明絕緣部之邊界部包含上述隨機圖形之一部分。
(3)如(2)之透明導電性元件，其中上述單位區劃具有接觸、或切斷上述隨機圖形之圖形要素之邊；且上述邊係設置於上述透明導電部及上述透明絕緣部之邊界。
(4)如(1)至(3)中任一項之透明導電性元件，其中於上述透明導電部
及上述透明絕緣部之邊界部，重複具有邊界圖形之單位區劃。
(5)如(1)至(4)中任一項之透明導電性元件，其中上述透明導電部之隨機圖形為相隔地設置之複數個絕緣要素之圖形；且上述透明絕緣部之隨機圖形為相隔地設置之複數個導電要素之圖形。
(6)如(5)之透明導電性元件，其中上述絕緣要素為孔部；且上述導電要素為島部。
(7)如(5)之透明導電性元件，其中上述絕緣要素及上述導電要素具有點狀。
(8)如(5)之透明導電性元件，其中上述絕緣要素具有點狀，上述導電要素間之間隙部具有網狀。
(9)如(1)至(8)中任一項之透明導電性元件，其中上述透明導電部及上述透明絕緣部包含金屬線。
(10)如(1)之透明導電性元件，其中於上述透明導電部，連續地設有透明導電層；且於上述透明絕緣部，重複具有隨機圖形之至少1種之單位區劃。
(11)一種輸入裝置，其具備：具有第1表面及第2表面之基材；以及平面而交替地設置於上述第1表面及上述第2表面的透明導電部及透
明絕緣部；且於上述透明導電部及上述透明絕緣部之至少一者，重複具有隨機圖形之至少1種之單位區劃。
(12)一種輸入裝置，其具備：第1透明導電性元件；及第2透明導電性元件，其設置於上述第1透明導電性元件之表面；且上述第1透明導電性元件及上述第2透明導電性元件具備：具有表面之基材；以及平面而交替地設置於上述表面的透明導電部及透明絕緣部；且於上述透明導電部及上述透明絕緣部之至少一者，重複具有隨機圖形之至少1種之單位區劃。
(13)一種電子機器，其具備透明導電性元件，該透明導電性元件具有：具有第1表面及第2表面之基材；以及平面而交替地設置於上述第1表面及上述第2表面的透明導電部及透明絕緣部；且於上述透明導電部及上述透明絕緣部之至少一者，重複具有隨機圖形之至少1種之單位區劃。
(14)一種電子機器，其具備：第1透明導電性元件；及第2透明導電性元件，其設置於上述第1透明導電性元件之表面；且上述第1透明導電性元件及上述第2透明導電性元件具備：具有第1表面及第2表面之基材；以及平面而交替地設置於上述第1表面及上述第2表面的透明導電部及透
明絕緣部；且於上述透明導電部及上述透明絕緣部中之至少一者，重複具有隨機圖形之至少1種之單位區劃。
(15)一種透明導電性元件之製造方法，其係藉由介隔具有隨機圖形之至少1種遮罩對基材表面之透明導電層照射光，並重複形成單位區劃，而將透明導電部及透明絕緣部平面而交替地形成於上述基材表面。
(16)如(15)之透明導電性元件之製造方法，其係藉由介隔具有邊界圖形之至少1種遮罩對上述基材表面之透明導電層照射光，並重複形成單位區劃，而形成上述透明導電部及上述透明絕緣部之邊界部。
(17)如(15)之透明導電性元件之製造方法，其係一面切換具有隨機圖形之2種遮罩，一面將透明導電部及透明絕緣部平面而交替地形成於上述基材表面。
(18)如(17)之透明導電性元件之製造方法，其中具有上述隨機圖形之2種遮罩為具有複數個遮光要素之隨機圖形之第1遮罩、及具有複數個透光要素之隨機圖形之第2遮罩。
(19)一種透明導電層之加工方法，其係藉由介隔具有圖形之至少1種遮罩對基材表面之透明導電層照射光，並重複形成單位區劃，而將透明導電部及透明絕緣部平面而交替地形成於上述基材表面。
(20)一種被加工體之加工方法，其係藉由介隔具有圖形之遮罩對被加工體
照射光並且使光對遮罩之照射位置移動，而加工上述被加工體。
(21)如(20)之被加工體之加工方法，其中上述遮罩具有大於被加工物之加工區域之面積。
(22)一種透明導電性元件，其具備：具有表面之基材；以及平面而交替地設置於上述表面的透明導電部及透明絕緣部；且上述透明絕緣部具有隨機圖形，上述隨機圖形之孔部之平均深度為1[μm]以上且10[μm]以下，且於上述隨機圖形之圖形要素內，直徑最大者之值除以上述平均深度所得之值為80以下。
(23)一種透明導電性元件，其具備：具有表面之基材；以及平面而交替地設置於上述表面的透明導電部及透明絕緣部；且上述透明絕緣部具有隨機圖形，上述隨機圖形之孔部之平均深度為1[μm]以上且12[μm]以下，且於上述隨機圖形之圖形要素內，直徑最大者之值除以上述平均深度所得之值為19以下。
(24)如(1)之透明導電性元件，其中上述透明絕緣部之上述隨機圖形之孔部之平均深度為1[μm]以上且12[μm]以下，且於上述隨機圖形之圖形要素內，直徑最大者之值為200[μm]以下。
1‧‧‧第1透明導電性元件
11‧‧‧基材
12‧‧‧透明導電層
13‧‧‧透明電極部
14‧‧‧透明絕緣部
R1‧‧‧第1區域
R2‧‧‧第2區域
Claims (19)
- 一種透明導電性元件，其具備：具有表面之基材；以及平面而交替地設置於上述表面的透明導電部及透明絕緣部；且於上述透明導電部及上述透明絕緣部之至少一者，重複具有隨機圖形之至少1種之單位區劃。
- 如申請專利範圍第1項之透明導電性元件，其中上述透明導電部及上述透明絕緣部之邊界部包含上述隨機圖形之一部分。
- 如申請專利範圍第2項之透明導電性元件，其中上述單位區劃具有接觸或切斷上述隨機圖形之圖形要素之邊；且上述邊係設置於上述透明導電部及上述透明絕緣部之邊界。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之透明導電性元件，其中於上述透明導電部及上述透明絕緣部之邊界部，重複具有邊界圖形之單位區劃。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之透明導電性元件，其中上述透明導電部之隨機圖形為相隔地設置之複數個絕緣要素之圖形；且上述透明絕緣部之隨機圖形為相隔地設置之複數個導電要素之圖形。
- 如申請專利範圍第5項之透明導電性元件，其中上述絕緣要素為孔部；且上述導電要素為島部。
- 如申請專利範圍第5項之透明導電性元件，其中上述絕緣要素及上述導電要素具有點狀。
- 如申請專利範圍第5項之透明導電性元件，其中上述絕緣要素具有點狀，上述導電要素間之間隙部具有網狀。
- 如申請專利範圍第1至8項中任一項之透明導電性元件，其中上述透明導電部及上述透明絕緣部包含金屬線。
- 如申請專利範圍第1項之透明導電性元件，其中於上述透明導電部，連續地設有透明導電層；且於上述透明絕緣部，重複具有隨機圖形之至少1種之單位區劃。
- 一種輸入裝置，其具備：具有第1表面及第2表面之基材；以及平面而交替地設置於上述第1表面及上述第2表面的透明導電部及透明絕緣部；且於上述透明導電部及上述透明絕緣部之至少一者，重複具有隨機圖形之至少1種之單位區劃。
- 一種輸入裝置，其具備：第1透明導電性元件；及第2透明導電性元件，其設置於上述第1透明導電性元件之表面；且上述第1透明導電性元件及上述第2透明導電性元件具備：具有表面之基材；以及平面而交替地設置於上述表面的透明導電部及透明絕緣部；且於上述透明導電部及上述透明絕緣部之至少一者，重複具有隨機圖形之至少1種之單位區劃。
- 一種電子機器，其具備透明導電性元件，該透明導電性元件具有：具有第1表面及第2表面之基材；以及平面而交替地設置於上述第1表面及上述第2表面的透明導電部及透明絕緣部；且於上述透明導電部及上述透明絕緣部之至少一者，重複具有隨機圖形之至少1種之單位區劃。
- 一種電子機器，其具備：第1透明導電性元件；及第2透明導電性元件，其設置於上述第1透明導電性元件之表面；且上述第1透明導電性元件及上述第2透明導電性元件具備：具有第1表面及第2表面之基材；以及平面而交替地設置於上述第1表面及上述第2表面的透明導電部及透明絕緣部；且於上述透明導電部及上述透明絕緣部之至少一者，重複具有隨機圖形之至少1種之單位區劃。
- 一種透明導電性元件之製造方法，其係藉由介隔具有隨機圖形之至少1種遮罩對基材表面之透明導電層照射光，並重複形成單位區劃，而將透明導電部及透明絕緣部平面而交替地形成於上述基材表面。
- 如申請專利範圍第15項之透明導電性元件之製造方法，其係藉由介隔具有邊界圖形之至少1種遮罩對上述基材表面之透明導電層照射光，並重複形成單位區劃，而形成上述透明導電部及上述透明絕緣部之邊界部。
- 如申請專利範圍第15項之透明導電性元件之製造方法，其係一面切換具有隨機圖形之2種遮罩，一面將透明導電部及透明絕緣部平面而交替地形成於上述基材表面。
- 如申請專利範圍第17項之透明導電性元件之製造方法，其中具有上述隨機圖形之2種遮罩為具有複數個遮光要素之隨機圖形之第1遮罩、及具有複數個透光要素之隨機圖形之第2遮罩。
- 一種透明導電層之加工方法，其係藉由介隔具有圖形之至少1種遮罩對基材表面之透明導電層照射光，並重複形成單位區劃，而將透明導 電部及透明絕緣部平面而交替地形成於上述基材表面。
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