JP2015215884A - センサ付き表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】製造歩留まりの高いセンサ付き表示装置を提供する。又は、製品歩留まりの高いセンサ付き表示装置を提供する。【解決手段】センサ付き表示装置は、基板を有した表示パネルと、検出電極Ｒｘを有したセンサと、を有する。検出電極Ｒｘは、透明導電材料で形成された透明導電層ＴＣを有する。透明導電層ＴＣは、互いに混在した結晶状態の複数の第１領域Ｒ１と非晶質状態の複数の第２領域Ｒ２とを有している。【選択図】図８

Description

本発明の実施形態は、センサ付き表示装置に関する。

近年、物体の接触あるいは接近を検出するセンサ（あるいは、タッチパネルと称される場合もある）を備えたセンサ付き表示装置が実用化されている。センサの一例として、静電容量の変化に基づいて指等の導体の接触あるいは接近を検出する静電容量型センサがある。このようなセンサを構成する検出電極及びセンサ駆動電極は、誘電体を介して対向している。

特開２００３−２８８１６９号公報 特開２０００−８２３３７号公報

製造歩留まりの高いセンサ付き表示装置を提供する。又は、製品歩留まりの高いセンサ付き表示装置を提供する。

一実施形態に係るセンサ付き表示装置は、
基板を有した表示パネルと、
前記表示パネルの外側に位置し前記基板に対向した偏光板と、
検出電極を有したセンサと、を備え、
前記検出電極は、透明導電材料で形成された透明導電層を有し、
前記透明導電層は、互いに混在した結晶状態の複数の第１領域と非晶質状態の複数の第２領域とを有している。

図１は、第１の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置の構成を概略的に示す斜視図である。 図２は、図１に示した液晶表示装置の基本構成及び等価回路を概略的に示す図である。 図３は、図２に示した画素を示す等価回路図である。 図４は、上記液晶表示装置の一部の構造を概略的に示す断面図である。 図５は、上記第１の実施形態におけるセンサの構成を概略的に示す平面図である。 図６は、上記センサの一部を含む液晶表示パネルの構造を概略的に示す断面図である。 図７は、センシング方法の一例の原理を説明するための図である。 図８は、上記第１の実施形態に係る透明導電層についてＳＥＭ−ＥＢＳＤ解析を行った結果示す図であり、結晶状態の第１領域と非晶質状態の第２領域とを示す図である。 図９は、第２の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置の透明導電層の結晶化面積率を変化させた場合における、（１）透明導電層の結晶化粒の大きさの平均値と、（２）信頼性試験に基づく第１評価と、（３）透明導電層の状態の第２評価とを表で示す図である。 図１０は、第３の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置の透明導電層の結晶化粒の大きさの平均値を変化させた場合における、（１）透明導電層の結晶化面積率と、（２）信頼性試験に基づく第１評価と、（３）透明導電層の状態の第２評価とを表で示す図である。 図１１は、第４の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置の構成を概略的に示す断面図である。 図１２は、第５の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置の一部を示す概略平面図であり、検出電極、シールド電極及びＯＬＢパッド群を示す図である。 図１３は、図１２の線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩに沿った液晶表示装置を示す概略断面図である。 図１４は、図１２に示した液晶表示装置の一部を示す拡大平面図であり、検出電極及びダミー電極を示す図である。 図１５は、上記第５の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置の検出電極の平均電位とシールド電極の平均電位とを変化させた場合における、（１）検出電極の平均電位とシールド電極の平均電位との差と、（２）第１評価と、（３）第２評価と、（４）最終評価とを表で示す図である。

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

始めに、本発明の実施形態の基本構想について説明する。
センサ付き表示装置は、表示パネル、偏光板及びセンサを備え、入力手段を用いて表示面側から入力されるデータを検出するように構成されている。上記センサは静電容量型センサである。ここで、センサの検出電極は、表示パネルの基板と偏光板との間に位置している。検出電極は、透明な導電材料を用いて形成されている。このような透明な導電材料として、例えば、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）、インジウ亜鉛酸化物、（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）、又は酸化亜鉛（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：ＺｎＯ）を用いる。入力手段としては、ペンや人体等の導体を利用することができる。これにより、表示装置は、表示装置の入力面に指等が接触又は接近した個所の位置情報を検出することができる。

ところで、検出電極として、全域が非晶質状態である透明導電材料で形成された透明導電層を用いることができる。しかしながら、この場合、電気抵抗値が高く、腐食に弱い検出電極が形成されてしまう。このため、検出電極として、全域が多結晶状態である透明導電材料で形成された透明導電層を用いると、腐食に強い検出電極を得ることができる。なお、検出電極の電気的な低抵抗化を図ることもできる。

しかしながら、多結晶状態の透明導電層は、非晶質状態の透明導電層と比べ、非常に硬い。すると、多結晶状態の透明導電層を用いた検出電極には、割れ（破壊）や腐食が生じ易くなってしまう。例えば、上記検出電極の割れ等は、偏光板の収縮によって生じる応力が、検出電極に長期的に作用する場合に引き起こり易い。

また、多結晶状態の透明導電層においては、表面の凹凸が大きくなり、偏光板の接着層に含まれるイオン成分が、凹凸部分に局在する場合がある。この場合、イオン成分に起因した多結晶状態の透明導電層の腐食を招く恐れがある。

以上の問題を鑑み、下記に、上記の問題を解決するための手段及び手法について説明する。

（第１の実施形態）
以下、図面を参照しながら第１の実施形態に係るセンサ付き表示装置について詳細に説明する。なお、本実施形態において、表示装置が液晶表示装置である場合について説明する。図１は、本実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置の構成を概略的に示す斜視図である。

図１に示すように、液晶表示装置ＤＳＰは、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルＰＮＬ、液晶表示パネルＰＮＬを駆動する駆動ＩＣチップＩＣ１、静電容量型のセンサＳＥ、センサＳＥを駆動する駆動ＩＣチップＩＣ２、液晶表示パネルＰＮＬを照明するバックライトユニットＢＬ、制御モジュールＣＭ、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１、ＦＰＣ２、ＦＰＣ３などを備えている。

液晶表示パネルＰＮＬは、平板状の第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された平板状の第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に挟持された液晶層（後述する液晶層ＬＱ）と、を備えている。なお、本実施形態において、第１基板ＳＵＢ１をアレイ基板と、第２基板ＳＵＢ２を対向基板と、それぞれ言い換えることができる。液晶表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域（アクティブエリア）ＤＡを備えている。この液晶表示パネルＰＮＬは、バックライトユニットＢＬからのバックライトを選択的に透過することで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型である。なお、液晶表示パネルＰＮＬは、透過表示機能に加えて、外光を選択的に反射することで画像を表示する反射表示機能を備えた半透過型であってもよい。

バックライトユニットＢＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側に配置されている。このようなバックライトユニットＢＬとしては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したもの等が適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。なお、液晶表示パネルＰＮＬが反射表示機能のみを備えた反射型である場合には、バックライトユニットＢＬは省略される。

センサＳＥは、複数の検出電極Ｒｘを備えている。これらの検出電極Ｒｘは、例えば液晶表示パネルＰＮＬの画像を表示する画面側の外面ＥＳの上方に設けられている。このため、検出電極Ｒｘは、外面ＥＳに接していてもよく、又は外面ＥＳから離れて位置していてもよい。後者の場合、外面ＥＳと検出電極Ｒｘとの間には、絶縁膜等の部材が介在している。本実施形態において、検出電極Ｒｘは外面ＥＳに接している。ここで、外面ＥＳは、第２基板ＳＵＢ２の第１基板ＳＵＢ１と対向する面とは反対側の面であり、画像を表示する表示面を含んでいる。また、図示した例では、各検出電極Ｒｘは、概ね第１方向Ｘに延出し、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに並んでいる。なお、各検出電極Ｒｘは、第２方向Ｙに延出し第１方向Ｘに並んでいてもよいし、島状に形成され第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されていてもよい。ここでは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交している。第３方向Ｚは、それぞれ第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに直交している。

第１駆動部としての駆動ＩＣチップＩＣ１は、液晶表示パネルＰＮＬの第１基板ＳＵＢ１上に搭載されている。フレキシブル配線基板ＦＰＣ１は、液晶表示パネルＰＮＬと制御モジュールＣＭとを接続している。フレキシブル配線基板ＦＰＣ２は、センサＳＥの検出電極Ｒｘと制御モジュールＣＭとを接続している。第２駆動部としての駆動ＩＣチップＩＣ２は、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２上に搭載されている。フレキシブル配線基板ＦＰＣ３は、バックライトユニットＢＬと制御モジュールＣＭとを接続している。ここで、制御モジュールＣＭをアプリケーションプロセッサと言い換えることができる。

駆動ＩＣチップＩＣ１及び駆動ＩＣチップＩＣ２は、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２等を介して接続されている。例えば、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２が第１基板ＳＵＢ１上に接続された分岐部ＦＰＣＢを有している場合、駆動ＩＣチップＩＣ１及び駆動ＩＣチップＩＣ２は、分岐部ＦＰＣＢ及び第１基板ＳＵＢ１上の配線を介して接続されていてもよい。また、駆動ＩＣチップＩＣ１及び駆動ＩＣチップＩＣ２は、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１及びＦＰＣ２を介して接続されていてもよい。

駆動ＩＣチップＩＣ２は、センサＳＥの駆動時期を知らせるタイミング信号を駆動ＩＣチップＩＣ１に与えることができる。又は、駆動ＩＣチップＩＣ１は、後述する共通電極ＣＥの駆動時期を知らせるタイミング信号を駆動ＩＣチップＩＣ２に与えることができる。又は、制御モジュールＣＭは、駆動ＩＣチップＩＣ１及びＩＣ２にタイミング信号を与えることができる。上記タイミング信号により、駆動ＩＣチップＩＣ１の駆動と、駆動ＩＣチップＩＣ２の駆動との同期化を図ることができる。

図２は、図１に示した液晶表示装置ＤＳＰの基本構成及び等価回路を概略的に示す図である。
図２に示すように、液晶表示装置ＤＳＰは、液晶表示パネルＰＮＬなどに加えて、表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡに位置した駆動ＩＣチップＩＣ１、ゲート線駆動回路ＧＤなどを備えている。本実施形態において、駆動ＩＣチップＩＣ１は、ソース線駆動回路ＳＤ及び共通電極駆動回路ＣＤを備えている。なお、駆動ＩＣチップＩＣ１は、ソース線駆動回路ＳＤ及び共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を備えていてもよい。非表示領域ＮＤＡの形状は、表示領域ＤＡを囲む額縁状（矩形枠状）である。

液晶表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に設けられ、ｍ×ｎ個配置されている（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。また、液晶表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、ｎ本のゲート線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、ｍ本のソース線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。

ゲート線Ｇは、第１方向Ｘに略直線的に延出し、表示領域ＤＡの外側に引き出され、ゲート線駆動回路ＧＤに接続されている。また、ゲート線Ｇは、第２方向Ｙに間隔を置いて並べられている。ソース線Ｓは、第２方向Ｙに略直線的に延出し、表示領域ＤＡの外側に引き出され、ソース線駆動回路ＳＤに接続されている。また、ソース線Ｓは、第１方向Ｘに間隔を置いて並べられ、ゲート線Ｇと交差している。なお、ゲート線Ｇ及びソース線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡ内に設けられ、共通電極駆動回路ＣＤに電気的に接続されている。この共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸで共用されている。共通電極ＣＥの詳細については後述する。

図３は、図２に示した画素ＰＸを示す等価回路図である。
図３に示すように、各画素ＰＸは、画素スイッチング素子ＰＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＱ等を備えている。画素スイッチング素子ＰＳＷは、例えば薄膜トランジスタで形成されている。画素スイッチング素子ＰＳＷは、ゲート線Ｇ及びソース線Ｓと電気的に接続されている。画素スイッチング素子ＰＳＷは、トップゲート型あるいはボトムゲート型のいずれであってもよい。また、画素スイッチング素子ＰＳＷの半導体層は、例えば、ポリシリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体などによって形成されていてもよい。画素電極ＰＥは、画素スイッチング素子ＰＳＷに電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向している。共通電極ＣＥ、絶縁膜及び画素電極ＰＥは、保持容量ＣＳを形成している。

図４は、液晶表示装置ＤＳＰの一部の構造を概略的に示す断面図である。
すなわち、液晶表示装置ＤＳＰは、上述した液晶表示パネルＰＮＬ及びバックライトユニットＢＬに加えて、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２等も備えている。なお、図示した液晶表示パネルＰＮＬは、表示モードとしてＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードに対応した構成を有しているが、他の表示モードに対応した構成を有していても良い。例えば、液晶表示パネルＰＮＬは、ＦＦＳモード等の主として基板主面に略平行な横電界を利用するＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードに対応した構成を有していてもよい。横電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が備えられた構成が適用可能である。又は、液晶表示パネルＰＮＬは、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｅｎｄ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｅｄ）モード等の主として基板主面に略垂直な縦電界を利用するモードに対応した構成を有していてもよい。縦電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥが備えられ、第２基板ＳＵＢ２に共通電極ＣＥが備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、第１方向Ｘと第２方向Ｙとで規定されるＸ−Ｙ平面と平行な面である。

液晶表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、及び、液晶層ＬＱを備えている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは所定の間隙を形成した状態で貼り合わされている。液晶層ＬＱは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間の間隙に封入されている。

第１基板ＳＵＢ１は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０の第２基板ＳＵＢ２に対向する側に、ソース線Ｓ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。

第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上に配置されている。なお、詳述しないが、本実施形態では、例えばトップゲート構造の画素スイッチング素子が適用されている。このような実施形態では、第１絶縁膜１１は、第３方向Ｚに積層された複数の絶縁層を含んでいる。例えば、第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０と画素スイッチング素子の半導体層との間に介在するアンダーコート層、半導体層とゲート電極との間に介在するゲート絶縁層、ゲート電極とソース電極及びドレイン電極を含む複数の電極との間に介在する層間絶縁層などの各種絶縁層を含んでいる。ゲート配線は、ゲート電極と同様に、ゲート絶縁層と層間絶縁層との間に配置されている。ソース線Ｓは、第１絶縁膜１１の上に形成されている。また、画素スイッチング素子のソース電極やドレイン電極なども第１絶縁膜１１の上に形成されている。図示した例では、ソース線Ｓは、第２方向Ｙに延出している。

第２絶縁膜１２は、ソース線Ｓ及び第１絶縁膜１１の上に配置されている。共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２の上に形成されている。このような共通電極ＣＥは、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。なお、図示した例では、共通電極ＣＥの上に金属層ＭＬが形成され、共通電極ＣＥを低抵抗化しているが、金属層ＭＬは省略してもよい。

第３絶縁膜１３は、共通電極ＣＥ及び第２絶縁膜１２の上に配置されている。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に形成されている。各画素電極ＰＥは、隣接するソース線Ｓの間にそれぞれ位置し、共通電極ＣＥと対向している。また、各画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。このような画素電極ＰＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３を覆っている。

一方、第２基板ＳＵＢ２は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第２絶縁基板２０を用いて形成されている。第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１に対向する側に、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。

ブラックマトリクスＢＭは、第２絶縁基板２０の内面に形成され、各画素を区画している。カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢは、それぞれ第２絶縁基板２０の内面に形成され、それらの一部がブラックマトリクスＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦＲは、赤色画素に配置された赤色フィルタであり、赤色の樹脂材料によって形成されている。カラーフィルタＣＦＧは、緑色画素に配置された緑色フィルタであり、緑色の樹脂材料によって形成されている。カラーフィルタＣＦＢは、青色画素に配置された青色フィルタであり、青色の樹脂材料によって形成されている。

図示した例は、カラー画像を構成する最小単位である単位画素が赤色画素、緑色画素、及び、青色画素の３個の色画素によって構成された場合に相当する。但し、単位画素は、上記の３個の色画素の組み合わせによるものに限らない。例えば、単位画素は、赤色画素、緑色画素、青色画素に加えて、白色画素の４個の色画素によって構成されてもよい。この場合、白色あるいは透明のフィルタが白色画素に配置されてもよいし、白色画素のフィルタそのものを省略しても良い。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な樹脂材料によって形成されている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。

第２光学素子ＯＤ２は、接着層ＡＤによって液晶表示パネルＰＮＬに貼り付けられている。検出電極Ｒｘは、第２絶縁基板２０と接着層ＡＤとの間に位置している。検出電極Ｒｘは、第２絶縁基板２０の表面（外面ＥＳ）の上方に形成されている。この検出電極Ｒｘの詳細な構造については後述する。また、ここでは、簡略化して図示しており、後述するリード線Ｌの図示を省略している。検出電極Ｒｘは、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１、液晶層ＬＱ、第２配向膜ＡＬ２、オーバーコート層ＯＣ、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢ、第２絶縁基板２０といった誘電体を介して共通電極ＣＥと対向している。

接着層ＡＤの材料として、例えば、アクリル系ポリマーが用いられる。アクリル系ポリマーとは、アクリル酸、アクリル酸塩、アクリル酸エステル、メタアクリル酸、メタクリル酸塩、およびメタクリル酸エステルから選ばれる少なくとも１種を構成単位中に５０質量％以上含むポリマーをいう。

この実施形態において、検出電極Ｒｘは、導電材料として、例えばＩＴＯによって形成された透明導電層ＴＣを有している。検出電極Ｒｘは、ＩＺＯ、ジンク・オキサイド（ＺｎＯ）などの他の透明な導電材料によって形成された透明導電層を有していてもよい。なお、検出電極Ｒｘは、透明導電層（ＴＣ）と、金属線（又は、金属層）との組合せ（集合体）によって形成されていてもよい。検出電極Ｒｘの電気抵抗値を低くすることにより、検出に要する時間を短縮することができるためである。検出電極Ｒｘに金属線や金属層を利用することは、液晶表示パネルＰＮＬの大型化及び高精細化に対して有利になる。

本実施形態に係る透明導電層ＴＣとは異なる多結晶状態の透明導電層と、本実施形態に係る接着剤ＡＤとを用いた場合、接着剤ＡＤに用いたアクリル系ポリマーに含まれるアクリル酸が透明導電層の凹凸部分に局在する恐れが生じる。アクリル酸が透明導電層の凹凸部分に局在すると、上記の多結晶状態の透明導電層の腐食を招く恐れがある。

そのため、詳細は後述するが、本実施形態のように、結晶状態の複数の領域と、非晶質状態の複数の領域を有する透明導電層ＴＣを用いると、腐食に強い透明導電層ＴＣを得ることができるという点で有用である。

なお、接着剤ＡＤとして、アクリル系ポリマーだけでなく、酸を含む材料、あるいは、加水分解して酸が生じる材料を用いる場合に、本願発明は有用である。

第１光学素子ＯＤ１は、第１絶縁基板１０とバックライトユニットＢＬとの間に配置されている。第２光学素子ＯＤ２は、検出電極Ｒｘの上方に配置されている。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、それぞれ少なくとも偏光板を含んでおり、必要に応じて位相差板を含んでいてもよい。第１光学素子ＯＤ１に含まれる偏光板の吸収軸は、第２光学素子ＯＤ２に含まれる偏光板の吸収軸と互いに直交している。また、液晶表示装置ＤＳＰは入力面ＩＳに指等が接触又は接近した個所の位置情報を検出することができる。本実施形態において、液晶表示装置ＤＳＰの入力面ＩＳは第２光学素子ＯＤ２の表面である。

但し、入力面ＩＳは、第２光学素子ＯＤ２の表面に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、液晶表示装置ＤＳＰの表面に、第１絶縁基板１０及び第２絶縁基板２０と異なる第３絶縁基板が位置している場合、入力面ＩＳは第３絶縁基板の表面である。第３絶縁基板は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。第３絶縁基板がガラス基板である場合、第３絶縁基板はカバーガラスとして機能する。

なお、後述するが、ここで偏光板の一例について簡単に説明する。
第２光学素子ＯＤ２等に含まれる偏光板は、偏光子層と、偏光子層の両面に設けられた基材としての第１及び第２支持層と、を有している。偏光子層は、ポリビニルアルコール（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ：ＰＶＡ）フィルムにヨウ素化合物を染色し、次いでＰＶＡフィルムを１軸に沿って延伸するなどし、形成されている。延伸軸が偏光子層（第１偏光板）の吸収軸となる。

第１及び第２支持層は、例えばトリアセチルセルロース（Ｔｒｉａｃｅｔｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ：ＴＡＣ）を用いて形成されている。第１支持層は偏光子層の片面に貼り付けられ、第２支持層は偏光子層の別の面に貼り付けられている。第１及び第２支持層は偏光子層を保護している。例えば、第１及び第２支持層は、防湿機能を有し、偏光子層への水分の浸入を低減することができる。また、第１及び第２支持層は、偏光子層を補強することができる。これにより、第１及び第２支持層は、偏光子層が熱や湿気の影響を受けた際の偏光子層の収縮を抑制することができる。

次に、本実施形態の液晶表示装置ＤＳＰが備える静電容量型のセンサＳＥについて説明する。図５は、本実施形態におけるセンサＳＥの構成を概略的に示す平面図である。図５において、上記駆動ＩＣチップＩＣ１の図示を省略しているが、上述したように共通電極駆動回路ＣＤは駆動ＩＣチップＩＣ１に設けられている。
図５に示すように、本実施形態のセンサＳＥは、第２基板ＳＵＢ２側の検出電極Ｒｘ及びリード線Ｌを備え、第１基板ＳＵＢ１側の共通電極ＣＥを利用している。つまり、共通電極ＣＥは、表示用の電極として機能するとともに、センサ駆動電極として機能する。 共通電極ＣＥ及び検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに配置されている。図示した例では、共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡにおいて、それぞれ第１方向Ｘに間隔を置いて並び、第２方向Ｙに略直線的に延出し、帯状に形成された複数の分割電極Ｃ１を備えている。

非表示領域ＮＤＡは、第２基板ＳＵＢ２の右側の第１領域Ａ１（第２方向Ｙに延在した帯状の領域）、第２基板ＳＵＢ２の左側の第２領域Ａ２（第２方向Ｙに延在した帯状の領域）、第２基板ＳＵＢ２の下側の第３領域Ａ３（第１方向Ｘに延在した帯状の領域）、及び第２基板ＳＵＢ２の上側の第４領域Ａ４（第１方向Ｘに延在した帯状の領域）を有している。本実施形態において、表示領域ＤＡは矩形状である。

検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡにおいて、それぞれ第２方向Ｙに間隔をおいて並び、第１方向Ｘに略直線的に延出している。つまり、ここでは、検出電極Ｒｘは、分割電極Ｃ１と交差する方向に延出している。共通電極ＣＥ（第２方向Ｙに延在する複数の分割電極Ｃ１）と第１方向Ｘに延在する複数の検出電極Ｒｘとは、上記の通り、各種誘電体を挟んで対向している。

なお、分割電極Ｃ１の個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。また、分割電極Ｃ１は、後述する例のように、第２方向Ｙに間隔を置いて並び、第１方向Ｘに略直線的に延出していてもよい。さらには、共通電極ＣＥは、分割されることなく、表示領域ＤＡにおいて連続的に形成された単個の平板電極であってもよい。また図５では、分割電極Ｃ１が第２方向Ｙに延在し、検出電極Ｒｘが第１方向Ｘに延在する例を示すが、これに限定されず、分割電極Ｃ１が第１方向Ｘに延在し、検出電極Ｒｘが第２方向Ｙに延在してもよい。

リード線Ｌは、非表示領域ＮＤＡ内にて液晶表示パネルＰＮＬの外面ＥＳの上方に設けられている。リード線Ｌは、検出電極Ｒｘと一対一で電気的に接続されている。リード線Ｌの各々は、検出電極Ｒｘからのセンサ出力値を出力する。図示した例では、リード線Ｌは、第２基板ＳＵＢ２の第１領域Ａ１及び第３領域Ａ３、又は第２基板ＳＵＢ２の第２領域Ａ２及び第３領域Ａ３に配置されている。例えば、リード線Ｌのうち、奇数番目の検出電極Ｒｘに接続されたリード線Ｌは第２領域Ａ２及び第３領域Ａ３に配置され、また、偶数番目の検出電極Ｒｘに接続されたリード線Ｌは第１領域Ａ１及び第３領域Ａ３に配置されている。上記のようなリード線Ｌのレイアウトは、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２の第１方向Ｘの幅の均一化、及び、液晶表示装置ＤＳＰの狭額縁化に対応したものである。

液晶表示装置ＤＳＰは、さらに、非表示領域ＮＤＡに配置された共通電極駆動回路（第１駆動部）ＣＤを備えている。分割電極Ｃ１のそれぞれは、共通電極駆動回路ＣＤに電気的に接続されている。共通電極駆動回路ＣＤは、共通電極ＣＥに対して、画像を表示する表示駆動時にコモン駆動信号を供給し、センシングを行うセンシング駆動時にセンサ駆動信号を供給する。

フレキシブル配線基板ＦＰＣ２は、非表示領域ＮＤＡにて、液晶表示パネルＰＮＬの外面ＥＳの上方に配置されたＯＬＢ（Outer Lead Bonding）パッド群に接続されている。ＯＬＢパッド群の各パッドは、リード線Ｌを経由して検出電極Ｒｘに電気的に接続されている。この実施形態において、リード線Ｌは、導電材料としての金属によって形成されている。リード線Ｌを透明な導電材料より電気抵抗値の非常に低い金属材料で形成することにより、リード線Ｌの幅を小さくすることができる。上記ＯＬＢパッド群を第２基板ＳＵＢ２の第３領域Ａ３の１個所に密集させることができるため、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２の小型化及び低コスト化を図ることができる。

検出回路ＲＣは、例えば、駆動ＩＣチップＩＣ２に内蔵されている。この検出回路ＲＣは、検出電極Ｒｘからのセンサ出力値に基づいて、液晶表示装置ＤＳＰの入力面ＩＳへの導体の接触あるいは接近を検出する。さらに、検出回路ＲＣは、導体が接触あるいは接近した個所の位置情報を検出することも可能である。なお、検出回路ＲＣは、制御モジュールＣＭに備えられていてもよい。

図６は、上記センサＳＥの一部を含む液晶表示パネルＰＮＬの構造を概略的に示す断面図である。なお、ここでは説明に必要な主要部のみを図示している。
図６に示すように、共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、第１基板ＳＵＢ１の第２基板ＳＵＢ２と対向する内面側に位置している。すなわち、共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２の上に形成され、第３絶縁膜１３によって覆われている。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に形成され、共通電極ＣＥと対向している。図示した例では、各分割電極Ｃ１の真上には、８画素分の画素電極ＰＥが配置されているが、各分割電極Ｃ１の真上に位置する画素電極ＰＥの個数はこの例に限らない。なお、ソース線などの各種配線や第１配向膜の図示は省略している。

ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢ、オーバーコート層ＯＣ、及び周辺遮光層ＬＳは、第２基板ＳＵＢ２の第１基板ＳＵＢ１と対向する内面側に位置している。すなわち、表示領域ＤＡにおいては、各画素電極ＰＥと対向する位置にカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢが形成されている。ブラックマトリクスＢＭは、これらのカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢの境界に位置している。周辺遮光層ＬＳは、非表示領域ＮＤＡ内に設けられ、第２絶縁基板２０の内面に形成されている。周辺遮光層ＬＳは、枠状（矩形枠状）に形成されている。周辺遮光層ＬＳは、ブラックマトリクスＢＭと同様の材料によって形成されている。オーバーコート層ＯＣは、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡに亘って延在している。なお、第２配向膜の図示は省略している。なお、リード線Ｌは、周辺遮光層ＬＳと重なる位置に配置されている。

検出電極Ｒｘ及びリード線Ｌは、第２基板ＳＵＢ２の第１基板ＳＵＢ１と対向する側とは反対の外面側に位置している。リード線Ｌは、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料によって形成されている。なお、表示領域ＤＡに位置する検出電極Ｒｘは、ＩＴＯを利用した帯状電極によって形成されている。

次に、上記したＦＦＳモードの液晶表示装置ＤＳＰにおいて画像を表示する表示駆動時の動作について説明する。
まず、液晶層ＬＱに電圧が印加されていないオフ状態について説明する。オフ状態は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電位差が形成されていない状態に相当する。このようなオフ状態では、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子は、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２の配向規制力によりＸ−Ｙ平面内において一方向に初期配向している。バックライトユニットＢＬからのバックライトの一部は、第１光学素子ＯＤ１の偏光板を透過し、液晶表示パネルＰＮＬに入射する。液晶表示パネルＰＮＬに入射した光は、偏光板の吸収軸と直交する直線偏光である。このような直線偏光の偏光状態は、オフ状態の液晶表示パネルＰＮＬを通過した際にほとんど変化しない。このため、液晶表示パネルＰＮＬを透過した直線偏光のほとんどが、第２光学素子ＯＤ２の偏光板によって吸収される（黒表示）。このようにオフ状態で液晶表示パネルＰＮＬが黒表示となるモードをノーマリーブラックモードという。

続いて、液晶層ＬＱに電圧が印加されたオン状態について説明する。オン状態は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電位差が形成された状態に相当する。つまり、共通電極ＣＥに対しては共通電極駆動回路ＣＤからコモン駆動信号（コモン電圧）が供給される。その一方で、画素電極ＰＥには、コモン電圧に対して電位差を形成するような映像信号が供給される。これにより、オン状態では、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間にフリンジ電界が形成される。

このようなオン状態では、液晶分子は、Ｘ−Ｙ平面内において、初期配向方向とは異なる方位に配向する。オン状態では、第１光学素子ＯＤ１の偏光板の吸収軸と直交する直線偏光は、液晶表示パネルＰＮＬに入射し、その偏光状態は、液晶層ＬＱを通過する際に液晶分子の配向状態に応じて変化する。このため、オン状態においては、液晶層ＬＱを通過した少なくとも一部の光は、第２光学素子ＯＤ２の偏光板を透過する（白表示）。

次に、上記した液晶表示装置ＤＳＰの入力面ＩＳへの導体の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うセンシング駆動時の動作について説明する。すなわち、共通電極ＣＥに対しては、共通電極駆動回路ＣＤからセンサ駆動信号が供給される。このような状態で、センサＳＥが共通電極ＣＥからのセンサ信号を受けることにより、センシングが行われる。

ここで、センシング方法の一例の原理について図７を参照しながら説明する。
図７に示すように、検出電極Ｒｘは、少なくとも表示領域ＤＡに設けられている。分割電極Ｃ１と検出電極Ｒｘとの間には、容量Ｃｃが存在する。すなわち、検出電極Ｒｘは分割電極Ｃ１（共通電極ＣＥ）と静電容量結合する。分割電極Ｃ１の各々には、順次、所定の周期でパルス状の書込信号（センサ駆動信号）Ｖｗが供給される。この例では、利用者の指が特定の検出電極Ｒｘと分割電極Ｃ１とが交差する位置に近接して存在するものとする。検出電極Ｒｘに近接している利用者の指により、容量Ｃｘが生じる。分割電極Ｃ１にパルス状の書込信号Ｖｗが供給されたときに、特定の検出電極Ｒｘからは、他の検出電極から得られるパルスよりもレベルの低いパルス状の読取信号（センサ出力値）Ｖｒが得られる。すなわち、表示領域ＤＡにおける利用者の指の位置情報である入力位置情報を検出する際、第１駆動部としての駆動ＩＣチップＩＣ１（共通電極駆動回路ＣＤ）は共通電極ＣＥ（分割電極Ｃ１）に対して書込信号Ｖｗを供給し、共通電極ＣＥとセンサＳＥとの間にセンサ信号を発生させる。第２駆動部としての駆動ＩＣチップＩＣ２は、センサＳＥに接続されて上記センサ信号（例えば、検出電極Ｒｘに生じる静電容量）の変化を示す読取信号Ｖｒを読取る。

図５に示した検出回路ＲＣでは、書込信号Ｖｗが分割電極Ｃ１に供給されるタイミングと、各検出電極Ｒｘからの読取信号Ｖｒと、に基づいて、センサＳＥのＸ−Ｙ平面内での指の２次元位置情報を検出することができる。また、上記の容量Ｃｘは、指が検出電極Ｒｘに近い場合と、遠い場合とで異なる。このため、読取信号Ｖｒのレベルも指が検出電極Ｒｘに近い場合と、遠い場合とで異なる。したがって、検出回路ＲＣでは、読取信号Ｖｒのレベルに基づいて、センサＳＥに対する指の近接度（センサＳＥの法線方向の距離）を検出することもできる。

次に、検出電極Ｒｘの透明導電層ＴＣについて説明する。
上記のように、透明導電層ＴＣは、透明な導電材料として例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ等を利用して形成されている。透明導電層ＴＣは、結晶状態の複数の第１領域Ｒ１と、非晶質状態の複数の第２領域Ｒ２と、を有している。複数の第１領域Ｒ１と複数の第２領域Ｒ２とは、互いに混在している。第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２は、透明導電層ＴＣの表面及び内部を含む透明導電層ＴＣの全域において混在している。上記のような透明導電層ＴＣは、温度などの各種の製造条件を調整することにより形成される。

ここで、本実施形態に係る透明導電層ＴＣについてＩＴＯを用い、当該ＩＴＯをＳＥＭ−ＥＢＳＤ解析を行った結果を図８に示す。ここで、ＳＥＭ−ＥＢＳＤ解析とは、走査電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＥＭ）を用い、電子線を走査しながら電子線後方散乱回折（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ：ＥＢＳＤ）パターンを測定、及び解析することを言う。上記電子線後方散乱回折パターンは、走査電子顕微鏡から透明導電層ＴＣに電子線を照射することにより得られる。図８では、第１領域Ｒ１を白色で示し、第２領域Ｒ２を灰色で示している。図中、第２領域Ｒ２の明度は、第１領域Ｒ１の明度より低い。なお、ＥＢＳＤパターンは非晶質領域から得られないため、第２領域Ｒ２は灰色になっている。図８から分かるように、透明導電層ＴＣに、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２が混在していることがわかる。

上記のように構成された第１の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰによれば、液晶表示装置ＤＳＰは、第２基板ＳＵＢ２を有した液晶表示パネルＰＮＬと、第１光学素子ＯＤ１（偏光板）と、接着層ＡＤと、静電容量型のセンサＳＥと、を備えている。偏光板は、液晶表示パネルＰＮＬの外側に位置し第２基板ＳＵＢ２に対向している。接着層ＡＤは、偏光板を液晶表示パネルＰＮＬに貼り付ける。

センサＳＥは検出電極Ｒｘを有している。検出電極Ｒｘは、第２基板ＳＵＢ２と接着層ＡＤとの間に位置し、透明な導電材料を利用して形成された透明導電層ＴＣを有している。透明導電層ＴＣは、互いに混在した結晶状態の複数の第１領域Ｒ１と非晶質状態の複数の第２領域Ｒ２とを有している。

これにより、非晶質状態の透明導電層より、電気抵抗値が低く腐食に強い透明導電層ＴＣを得ることができる。

また、本実施形態に係る透明導電層ＴＣは、多結晶状態の透明導電層のように非常に硬く形成されることはない。このため、透明導電層ＴＣの内部にて、透明導電層ＴＣに加わる応力を分散させることができる。これにより、透明導電層ＴＣに割れ（破壊）や腐食を生じ難くすることができる。透明導電層ＴＣに加わる応力としては、偏光板の収縮によって生じる応力や、液晶表示装置ＤＳＰの製造時に生じる応力が挙げられる。上記製造時に生じる応力は、例えば、検出電極Ｒｘが形成されたマザー基板（第２基板ＳＵＢ２）の搬送時に生じる応力である。ここで、マザー基板とは、第２基板ＳＵＢ２のもとになる基板である。

さらに、本実施形態に係る透明導電層ＴＣは、多結晶状態の透明導電層のように表面の凹凸が大きくなることはない。偏光板の接着層ＡＤに含まれるイオン成分が局材し易い凹凸部分が透明導電層ＴＣに形成され難い。これにより、上記イオン成分に起因した透明導電層ＴＣの腐食を抑制することができる。
上記のことから、製造歩留まりの高いセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。又は、製品歩留まりの高いセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰについて詳細に説明する。本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰは、透明導電層ＴＣ以外、上記第１の実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰと同様に形成されている。本実施形態では、透明導電層ＴＣにおいて占める第１領域Ｒ１の割合について説明する。

本願発明者等は、透明導電層ＴＣの結晶化面積率を変化させ、信頼性試験と、透明導電層ＴＣの状態の調査とを行った。ここで、結晶化面積率とは、透明導電層ＴＣの単位面積当たりの結晶化した領域の面積の割合を言う。本実施の形態では、信頼性試験として、ＰＣＴ試験を用いる。本実施の形態でのＰＣＴ試験では、液晶表示装置ＤＳＰを、１２０℃、９５％ＲＨ、及び２気圧の環境下に２０時間置く試験を行う。上記信頼性試験に基づく第１評価と、透明導電層ＴＣの状態の第２評価とを図９に示す。図９は、結晶化面積率を変化させた場合における、（１）透明導電層ＴＣの結晶化粒の大きさの平均値と、（２）信頼性試験に基づく第１評価と、（３）透明導電層ＴＣの状態の第２評価とを表で示す図である。第２評価は、透明導電層ＴＣに割れ（断線）が生じたか否か等の不具合の度合いの評価である。

図９に示すように、ここでは、結晶化面積率を０％、３８％、４６％、５０％、５３％、６１％、６６％、７３％、７９％、８１％、８３％、８４％、９４％、９６％、９９％とした１５個の液晶表示装置ＤＳＰのサンプルを用意した。ここで、結晶化面積率が０％の場合、透明導電層ＴＣの全域が非晶質状態である。結晶化面積率が３８乃至９９％の範囲において、透明導電層ＴＣの結晶化粒の大きさの平均値は、０．１乃至０．４μｍの範囲内であった。ここで、結晶化粒は第１領域Ｒ１に相当する。

第１評価においては、透明導電層ＴＣに腐食も抵抗値の上昇も生じなかった場合には記号Ａを記載し、透明導電層ＴＣに腐食は生じないが透明導電層ＴＣの抵抗値が上昇した場合には記号Ｂを記載し、透明導電層ＴＣに腐食が生じた場合には記号Ｃを記載した。

第２評価においては、透明導電層ＴＣに割れ（断線）も溶解も生じなかった場合には記号Ａを記載し、透明導電層ＴＣに割れは生じないが透明導電層ＴＣに溶解が生じ透明導電層ＴＣの抵抗値が上昇した場合には記号Ｂを記載し、透明導電層ＴＣに割れが生じた場合には記号Ｃを記載した。

図９から分かるように、結晶化面積率が５０乃至９４％の範囲内で、第１評価及び第２評価は、記号Ａ又はＢとなる。このため、結晶化面積率が５０乃至９４％の範囲内になるように透明導電層ＴＣを形成した方が望ましい。さらに、結晶化面積率が６６乃至７９％の範囲内で、第１評価及び第２評価は、記号Ａのみとなる。このため、結晶化面積率が６６乃至７９％の範囲内になるように透明導電層ＴＣを形成した方がより望ましい。

上記のように構成された第２の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰによれば、液晶表示装置ＤＳＰは、液晶表示パネルＰＮＬと、偏光板と、接着層ＡＤと、静電容量型のセンサＳＥと、を備えている。透明導電層ＴＣは、互いに混在した複数の第１領域Ｒ１と複数の第２領域Ｒ２とを有している。このため、本実施形態においても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。

第１領域Ｒ１は、透明導電層ＴＣ（検出電極Ｒｘ）の５０乃至９４％を占めている方が望ましい。第１領域Ｒ１は、透明導電層ＴＣ（検出電極Ｒｘ）の６６乃至７９％を占めている方がより望ましい。
これにより、上記第１の実施形態より製造歩留まりの高いセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。又は、上記第１の実施形態より製品歩留まりの高いセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰについて詳細に説明する。本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰは、透明導電層ＴＣ以外、上記第１の実施形態係る液晶表示装置ＤＳＰと同様に形成されている。本実施形態では、透明導電層ＴＣの結晶化粒の大きさの平均値について説明する。

本願発明者等は、透明導電層ＴＣの結晶化粒の大きさの平均値を変化させ、信頼性試験と、透明導電層ＴＣの状態の調査とを行った。信頼性試験は、２０時間のＰＣＴ試験である。上記信頼性試験に基づく第１評価と、透明導電層ＴＣの状態の第２評価とを図１０に示す。図１０は、透明導電層ＴＣの結晶化粒の大きさの平均値を変化させた場合における、（１）透明導電層ＴＣの結晶化面積率と、（２）信頼性試験に基づく第１評価と、（３）透明導電層ＴＣの状態の第２評価とを表で示す図である。第２評価は、透明導電層ＴＣに割れ（断線）が生じたか否か等の不具合の度合いの評価である。

図１０に示すように、ここでは、透明導電層ＴＣの結晶化粒の大きさの平均値を「−」（結晶化粒無し）、０．０２０μｍ、０．０４５μｍ、０．０５１μｍ、０．０６１μｍ、０．０６８μｍ、０．０７１μｍ、０．０７６μｍ、０．１０μｍ、０．１４９μｍ、０．１５５μｍ、０．１８μｍ、０．２３μｍ、０．２４９μｍ、０．２５５μｍ、０．３１μｍ、０．４３μｍ、０．４９μｍ、０．６１μｍとした１９個の液晶表示装置ＤＳＰのサンプルを用意した。透明導電層ＴＣの結晶化粒の大きさの平均値が０．０２０乃至０．６１μｍの範囲において、結晶化面積率が４０乃至６０％の範囲内であった。ここでも、結晶化粒は第１領域Ｒ１に相当する。

第１評価においては、透明導電層ＴＣに腐食も抵抗値の上昇も生じなかった場合には記号Ａを記載し、透明導電層ＴＣに腐食は生じないが透明導電層ＴＣの抵抗値が上昇した場合には記号Ｂを記載し、透明導電層ＴＣに腐食が生じた場合には記号Ｃを記載した。

第２評価においては、透明導電層ＴＣに割れ（断線）も溶解も生じなかった場合には記号Ａを記載し、透明導電層ＴＣに割れは生じないが透明導電層ＴＣに溶解が生じ透明導電層ＴＣの抵抗値が上昇した場合には記号Ｂを記載し、透明導電層ＴＣに割れが生じた場合には記号Ｃを記載した。

図１０から分かるように、透明導電層ＴＣの結晶化粒の大きさの平均値が０．０５１乃至０．２４９μｍの範囲内で、第１評価及び第２評価は、記号Ａ又はＢとなる。このため、透明導電層ＴＣの結晶化粒の大きさの平均値が０．０５乃至０．２５μｍの範囲内になるように透明導電層ＴＣを形成した方が望ましい。さらに、透明導電層ＴＣの結晶化粒の大きさの平均値が０．０７１乃至０．１４９μｍの範囲内で、第１評価及び第２評価は、記号Ａのみとなる。このため、透明導電層ＴＣの結晶化粒の大きさの平均値が０．０７乃至０．１５μｍの範囲内になるように透明導電層ＴＣを形成した方がより望ましい。

上記のように構成された第３の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰによれば、液晶表示装置ＤＳＰは、液晶表示パネルＰＮＬと、偏光板と、接着層ＡＤと、静電容量型のセンサＳＥと、を備えている。透明導電層ＴＣは、互いに混在した複数の第１領域Ｒ１と複数の第２領域Ｒ２とを有している。このため、本実施形態においても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。

第１領域Ｒ１の大きさの平均値は、０．０５乃至０．２５μｍである方が望ましい。第１領域Ｒ１の大きさの平均値は、０．０７乃至０．１５μｍである方がより望ましい。 これにより、上記第１の実施形態より製造歩留まりの高いセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。又は、上記第１の実施形態より製品歩留まりの高いセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。

（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰについて詳細に説明する。本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰは、第２光学素子ＯＤ２の偏光板と、接着層ＡＤと第１絶縁基板１０と、第２絶縁基板２０以外、上記第１の実施形態係る液晶表示装置ＤＳＰと同様に形成されている。図１１は、本実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰの構成を概略的に示す断面図である。

図１１に示すように、第１光学素子ＯＤ１は、少なくとも偏光板ＰＯＬ１を備えている。第２光学素子ＯＤ２は、偏光板ＰＯＬ２及び帯電防止層ＡＳを備えている。偏光板ＰＯＬ２は、偏光子層ＰＬ、第１支持層ＳＬ１及び第２支持層ＳＬ２を備えている。第２支持層ＳＬ２は、第２基板ＳＵＢ２と第１支持層ＳＬ１との間に位置している。偏光子層ＰＬは、第１支持層ＳＬ１と第２支持層ＳＬ２との間に位置している。

本実施形態において、第１支持層ＳＬ１はＴＡＣを用いて形成されている。第２支持層ＳＬ２は第１支持層ＳＬ１の透湿性より低い透湿性を有している。また、第２支持層ＳＬ２は第１支持層ＳＬ１が発生する酸の量より少ない量の酸を発生する。第２支持層ＳＬ２は、例えば環状オレフィン構造ポリマを用いて形成されている。偏光子層ＰＬは、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）フィルムにヨウ素化合物を染色し、次いでＰＶＡフィルムを１軸に沿って延伸するなどし、形成されている。延伸軸が偏光子層ＰＬ（偏光板ＰＯＬ２）の吸収軸となる。

第１及び第２支持層ＳＬ１、ＳＬ２は、偏光子層ＰＬに貼り付けられている。第１及び第２支持層ＳＬ１、ＳＬ２は偏光子層ＰＬを保護している。第１及び第２支持層ＳＬ１、ＳＬ２は、偏光子層ＰＬが熱や湿気の影響を受けた際の偏光子層の収縮を抑制することができる。ここで、ＴＡＣとＰＶＡとは接着性がよいため、特に、第１支持層ＳＬ１は、偏光子層ＰＬを保持し、偏光子層ＰＬを補強することができる。

また、第１及び第２支持層ＳＬ１、ＳＬ２は、防湿機能を有し、偏光子層ＰＬへの水分の浸入を低減することができる。特に、第２支持層ＳＬ２は、第１支持層ＳＬ１の透湿性より低い透湿性を有しているため、第１支持層ＳＬ１より、外部からの水分の浸入を低減することができる。

さらに、ＴＡＣ（第１支持層ＳＬ１）は加水分解により酸（酢酸）を発生するが、環状オレフィン構造ポリマ（第２支持層ＳＬ２）は加水分解により酸（酢酸）を発生しない。少なくとも、環状オレフィン構造ポリマ（第２支持層ＳＬ２）が発生する酸の量は、ＴＡＣ（第１支持層ＳＬ１）が発生する酸の量より少ない。

帯電防止層ＡＳは、検出電極Ｒｘと偏光板ＰＯＬ２との間に設けられている。ここでは、帯電防止層ＡＳは、第２支持層ＳＬ２のうち液晶表示パネルＰＮＬと対向した面上に設けられている。帯電防止層ＡＳは、有機材料又は無機材料で形成されている。ここでは、帯電防止層ＡＳは、有機材料で形成されている。帯電防止層ＡＳは、１０^９乃至１０^１１Ω／□のシート抵抗を有している。帯電防止層ＡＳは、偏光板ＰＯＬ２の帯電を防止するものである。

帯電防止層ＡＳは、外部からの静電気が透明導電層ＴＣに直に与えられることを防止することができ、比較的柔らかい透明導電層ＴＣを保護することができる。帯電防止層ＡＳは、透明導電層ＴＣの破壊を防止することができる。また、帯電防止層ＡＳは、帯電防止層ＡＳ自体に蓄積された電荷を検出電極Ｒｘ（透明導電層ＴＣ）を介し、外部へ逃がすことができる。

なお、帯電防止層ＡＳは、必要に応じて設けられていてもよい。例えば、帯電防止層ＡＳ無しに液晶表示装置ＤＳＰが形成されている場合、接着層ＡＤは、帯電防止層として機能していてもよい。この場合、接着層ＡＤは１０^９乃至１０^１１Ω／□のシート抵抗を有している。

絶縁膜ＩＦは、第２絶縁基板２０（第２基板ＳＵＢ２）と透明導電層ＴＣとの間に設けられている。この実施形態において、絶縁膜ＩＦは、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を利用した絶縁膜と、五酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）を利用した絶縁膜とを積層して形成されている。なお、絶縁膜ＩＦに利用する材料は種々変形可能である。例えば、絶縁膜ＩＦは、ＳｉＯ２を利用した絶縁膜のみで形成されていてもよい。

透明導電層ＴＣは、第２絶縁基板２０上に直に形成されてはおらず、絶縁膜ＩＦ上に形成されている。透明導電層ＴＣと第２絶縁基板２０との密着性より、透明導電層ＴＣと絶縁膜ＩＦとの密着性の方が強い。このため、密着性に優れた透明導電層ＴＣを形成することができ、割れ（断線）の生じ難い透明導電層ＴＣを形成することができる。また、透明導電層ＴＣを第２絶縁基板２０上に直に形成しないことにより、透明導電層ＴＣの腐食を抑制することができる。なお、第２絶縁基板２０を化学研磨する場合、第２絶縁基板２０上には上記化学研磨に利用するフッ酸が残り易く、フッ酸がＩＴＯと反応してしまう。これにより、上記のように透明導電層ＴＣの腐食を招き得る。

さらに、絶縁膜ＩＦには、表面凹凸が形成される。上記のような絶縁膜ＩＦ上に透明導電層ＴＣを形成することにより、結晶化の際の核を多数形成することができ、局在的に結晶化した領域（第１領域Ｒ１）を有する透明導電層ＴＣを形成し易くすることができる。

本実施形態において、絶縁膜ＩＦの屈折率は、第２絶縁基板２０の屈折率と透明導電層ＴＣの屈折率との間に調整されている。絶縁膜ＩＦをいわゆるインデックスマッチング層として機能させることにより、絶縁膜ＩＦにおける界面反射を抑制することができる。

ここで、酸に起因した上記ＩＴＯ（透明導電層ＴＣ）の溶解を抑制することができる技術について説明する。
上述したように、ＴＡＣ（第１支持層ＳＬ１）は酢酸を発生する。また、ＰＶＡ（偏光子層ＰＬ）に含まれるヨウ素はヨウ素酸になり得る。上記酢酸やヨウ素酸等の酸は、ＩＴＯ（透明導電層ＴＣ）の溶解を招く。しかしながら、本実施形態において、第１支持層ＳＬ１や偏光子層ＰＬと、透明導電層ＴＣとの間には、第２支持層ＳＬ２、帯電防止層ＡＳ及び接着層ＡＤが介在されている。第１支持層ＳＬ１や偏光子層ＰＬは、透明導電層ＴＣから離間して位置しているため、透明導電層ＴＣに酸（酢酸、ヨウ素酸）を到達し難くすることができる。
また、接着層ＡＤには少なくとも酸（アクリル酸）が含まれるが、本実施形態に係る接着層ＡＤは、一般的な液晶表示装置の偏光板の接着層よりも酸性が弱い。この場合、例えば、偏光板ＰＯＬ２用の接着層ＡＤは、偏光板ＰＯＬ１用の接着層よりも酸性が弱くなり得る。但し、接着層ＡＤの酸性が弱くなりすぎると偏光板ＰＯＬ２が剥がれ易くなるため、注意する必要がある。
上記のことから、酸（酢酸、ヨウ素酸、アクリル酸）に起因した透明導電層ＴＣの溶解を抑制することができる。

次に、本実施形態に係る液晶表示パネルＰＮＬについて説明する。
液晶表示パネルＰＮＬは、シール材ＳＥＡを備えている。シール材ＳＥＡは、非表示領域ＮＤＡに設けられ、矩形枠状に形成されている。シール材ＳＥＡは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接合している。このため、液晶層ＬＱは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２及びシール材ＳＥＡで囲まれた空間に形成されている。

第２絶縁基板２０の厚みＴ２は、第１絶縁基板１０の厚みＴ１より大きい。第１絶縁基板１０及び第２絶縁基板２０のトータルの厚みを固定した場合、第１絶縁基板１０の厚みと第２絶縁基板２０の厚みとを均一にするより、片方の絶縁基板の厚みを大きくした方が、反りに強くなるためである。このため、変形例として、厚みＴ１を厚みＴ２より大きくしてもよく、この場合も反りに強くすることができる。
但し、Ｔ１＜Ｔ２である方がよい。透明導電層ＴＣ（検出電極Ｒｘ）から共通電極ＣＥまでの距離を長くすることができる分、透明導電層ＴＣの時定数を小さくすることができるためである。

上記のように構成された第４の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰによれば、液晶表示装置ＤＳＰは、液晶表示パネルＰＮＬと、偏光板と、接着層ＡＤと、静電容量型のセンサＳＥと、を備えている。透明導電層ＴＣは、互いに混在した複数の第１領域Ｒ１と複数の第２領域Ｒ２とを有している。このため、本実施形態においても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。
上記のことから、製造歩留まりの高いセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。又は、製品歩留まりの高いセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。

（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰについて詳細に説明する。なお、本実施形態において、上記第１の実施形態と同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。図１２は、本実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置の一部を示す概略平面図であり、検出電極、シールド電極及びＯＬＢパッド群を示す図である。図１３は、図１２の線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩに沿った液晶表示装置を示す概略断面図である。図１４は、図１２に示した液晶表示装置の一部を示す拡大平面図であり、検出電極Ｒｘ及びダミー電極ＤＲを示す図である。

図１２及び図１３に示すように、第２基板ＳＵＢ２の外面ＥＳの上方に、検出電極Ｒｘの他、ダミー電極ＤＲ、シールド電極ＳＨ及びＯＬＢパッド群ｐＧが形成されている。検出電極Ｒｘは透明導電層ＴＣを有している。この実施形態において、透明導電層ＴＣ、ダミー電極ＤＲ、シールド電極ＳＨ及びＯＬＢパッド群ｐＧは、ＩＴＯを利用して同層に形成されている。

透明導電層ＴＣ及びＯＬＢパッド群ｐＧは電気的に接続されている。ＯＬＢパッド群ｐＧは、非表示領域ＮＤＡ内に位置し、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２に接続されている。ＯＬＢパッド群ｐＧは、透明導電層ＴＣ（検出電極Ｒｘ）から読取信号（センサ出力値）Ｖｒを読み出すためのパッドである。

図１２乃至図１４に示すように、透明導電層ＴＣは、概ね第２方向Ｙに延在している。これらの透明導電層ＴＣは、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。なお、共通電極ＣＥの有する複数の分割電極（Ｃ１）は、概ね第１方向Ｘに延在し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。又は、共通電極ＣＥは、分割されることなく、表示領域ＤＡにおいて連続的に形成された単個の平板電極で形成されている。図示した例では、透明導電層ＴＣは、波形（より具体的には三角波形）に形成されている。透明導電層ＴＣの形状はジグザグパターンである。透明導電層ＴＣは、第２方向Ｙに対して斜めに交差する傾斜部を有している。

ここで、偏光板ＰＯＬ２は、透明導電層ＴＣが延在する第２方向Ｙに平行な辺と、第１方向Ｘに平行な辺とを有している。偏光板ＰＯＬ２の吸収軸は第１方向Ｘに平行である。上記傾斜部は、偏光板ＰＯＬ２の外形に対して、傾斜している。透明導電層ＴＣは、上記傾斜部を有しているため、偏光板ＰＯＬ２（偏光子層ＰＬ）の収縮により透明導電層ＴＣに作用する応力を拡散させることができる。例えば、高温高湿化等で偏光板ＰＯＬ２に収縮が生じても、透明導電層ＴＣは、上記応力を拡散させることができる。このため、透明導電層ＴＣを割れ難くすることができる。

また、透明導電層ＴＣは、概ね第２方向Ｙに延在した複数のスリットＳＬＩ１を有している。スリットＳＬＩ１は、偏光板ＰＯＬ２の透過軸（第２方向Ｙ）に沿った方向に対し±４５°以内の方向に傾斜した複数の傾斜部で形成されている。透明導電層ＴＣは、上記のようなスリットＳＬＩ１を有しているため、偏光板ＰＯＬ２（偏光子層ＰＬ）の収縮により透明導電層ＴＣに作用する応力をより拡散させることができる。

透明電極としてのダミー電極ＤＲは、隣り合う透明導電層ＴＣ（検出電極Ｒｘ）の間に配置されている。ダミー電極ＤＲも波形（より具体的には三角波形）に形成されている。透明導電層ＴＣとダミー電極ＤＲとは電気的に絶縁され、また、ダミー電極ＤＲ同士も電気的に絶縁されている。ダミー電極ＤＲは、電気的にフローティング状態にある。透明導電層ＴＣとダミー電極ＤＲとの間や、ダミー電極ＤＲ同士の間には、複数のスリットＳＬＩ２が形成されている。

透明導電層ＴＣ及びダミー電極ＤＲによって形成された複数のスリットＳＬＩ１，ＳＬＩ２のうち、偏光板ＰＯＬ２の透過軸に沿った方向に対し±４５°以内の方向に傾斜したスリットが最も多い。すなわち、複数のスリットＳＬＩ１，ＳＬＩ２のうち、偏光板ＰＯＬ２の延伸軸に略直交する成分が最も多い。このため、偏光板ＰＯＬ２（偏光子層ＰＬ）が収縮し難くすることができる。

図１２及び図１３に示すように、シールド電極ＳＨは、非表示領域ＮＤＡに設けられている。シールド電極ＳＨは、第２絶縁基板２０と偏光板ＰＯＬ２との間に位置している。図１２で見ると、シールド電極ＳＨは、Π字状に形成され、第２基板ＳＵＢ２の左辺部から上辺部及び右辺部に亘って連続的に形成されている。シールド電極ＳＨは、ＯＬＢパッド群ｐＧと同様にフレキシブル配線基板ＦＰＣ２に接続され、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２を介して電圧が与えられる。シールド電極ＳＨは、検出電極ＲＸが発生する電界であって液晶表示パネルＰＮＬの周縁部に影響を及ぼし得る電界を遮蔽するものである。例えば、シールド電極ＳＨは、上記ゲート線駆動回路ＧＤ（図２）のノイズになり得る上記電界を遮蔽することができる。シールド電極ＳＨはゲート線駆動回路ＧＤを形成するＴＦＴをガードするため、シールド電極ＳＨはガード電極でもある。

ここで、本願発明者等は、透明導電層ＴＣ（検出電極Ｒｘ）の平均電位とシールド電極ＳＨの平均電位とを変化させ、高温連続通電試験を行い、長時間、高温下での動作状態に対する透明導電層ＴＣの耐性を評価した。上記試験を２４０時間行った時点での第１評価と、上記試験を５００時間行った時点での第２評価と、透明導電層ＴＣの品質基準判定の結果である最終評価とを図１５に示す。図１５は、７０℃の温度条件で、検出電極Ｒｘ（透明導電層ＴＣ）の平均電位Ｖ１とシールド電極ＳＨの平均電位Ｖ２とを変化させた場合における、（１）平均電位Ｖ１と平均電位Ｖ２との差Ｖ１−Ｖ２と、（２）第１評価と、（３）第２評価と、（４）最終評価とを表で示す図である。

図１５に示すように、ここでは、平均電位Ｖ１を２．８Ｖに固定し、平均電位Ｖ２を０Ｖ、１．７Ｖ、１．８Ｖ、１．９Ｖ、２．０Ｖ、２．８Ｖ、３．０Ｖ、３．５Ｖ、３．８Ｖ、３．９Ｖとした１０個の液晶表示装置ＤＳＰのサンプルを用意した。さらに、平均電位Ｖ１を３．３Ｖに固定し、平均電位Ｖ２を２．２Ｖ、２．３Ｖ、２．４Ｖ、２．５Ｖとした４個の液晶表示装置ＤＳＰのサンプルを用意した。

第１評価及び第２評価においては、透明導電層ＴＣを視認できない場合には記号Ａを記載し、人によっては透明導電層ＴＣを視認できる場合には記号Ｂを記載し、多くの人が透明導電層ＴＣを視認できる場合には記号Ｃを記載した。記号Ａの評価の透明導電層ＴＣに変色が殆ど無かったことが分かる。記号Ｂの評価の透明導電層ＴＣには僅かに変色があったことが分かる。記号Ｃの評価の透明導電層ＴＣには目立った変色があったことが分かる。

最終評価においては、透明導電層ＴＣが殆ど変質せず変質の度合いが基準値以下である場合には記号Ａを記載し、透明導電層ＴＣに変質が生じたものの変質の度合いが基準値以下である場合には記号Ｂを記載し、透明導電層ＴＣに変質が生じ変質の度合いが基準値を超えた場合には記号Ｃを記載した。ここで、上記基準値以下とは、透明導電層ＴＣの抵抗値の上昇率が５０％以内であることを言う。

図１５から分かるように、第１評価は、電位差Ｖ１−Ｖ２が−１．１乃至１．０Ｖの範囲内で記号Ａとなり、電位差Ｖ１−Ｖ２が−１．１乃至１．１Ｖの範囲内で記号Ａ又はＢとなる。第２評価は、電位差Ｖ１−Ｖ２が−１．０乃至０．９Ｖの範囲内で記号Ａとなり、電位差Ｖ１−Ｖ２が−１．１乃至１．０Ｖの範囲内で記号Ａ又はＢとなる。さらに、最終評価は、電位差Ｖ１−Ｖ２が−１．０乃至０．９Ｖの範囲内で記号Ａとなり、電位差Ｖ１−Ｖ２が−１．１乃至１．０Ｖの範囲内で記号Ａ又はＢとなる。

このため、電位差Ｖ１−Ｖ２は−１．１乃至＋１．０Ｖの範囲内である方が望ましい。さらに、電位差Ｖ１−Ｖ２は−１．０乃至＋０．８Ｖの範囲内である方がより望ましい。これにより、透明導電層ＴＣの変質を抑制することができる。
なお、透明導電層ＴＣは、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２とが混在した微結晶のＩＴＯで形成されているため、非晶質のＩＴＯより変質は起こり難い。

その他、電位差Ｖ１−Ｖ２を小さくした方が、透明導電層ＴＣ（検出電極Ｒｘ）及びシールド電極ＳＨ間の寄生容量を小さくすることができる。

上記のように構成された第５の実施形態に係るセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰによれば、液晶表示装置ＤＳＰは、液晶表示パネルＰＮＬと、偏光板と、接着層ＡＤと、静電容量型のセンサＳＥと、を備えている。透明導電層ＴＣは、互いに混在した複数の第１領域Ｒ１と複数の第２領域Ｒ２とを有している。このため、本実施形態においても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。
上記のことから、製造歩留まりの高いセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。又は、製品歩留まりの高いセンサ付き液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

また、上述した第１駆動部は、上記駆動ＩＣチップＩＣ１に限定されるものではなく、種々変形可能であり、共通電極ＣＥに書き込み信号を供給し、共通電極ＣＥとセンサＳＥとの間にセンサ信号を発生させる駆動部であればよい。一方、上述した第２駆動部は、上記駆動ＩＣチップＩＣ２に限定されるものではなく、種々変形可能であり、センサＳＥに接続されて上記センサ信号の変化を示す読み取り信号を読み取る駆動部であればよい。

上述した実施形態では、表示装置として、液晶表示装置を例に開示した。しかし、上述した実施形態は、有機ＥＬ（electroluminescent）表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパ型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置に適用可能である。また、上述した実施形態は、中小型の表示装置から大型の表示装置まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。

下記は、開示する発明の態様に関する。

［Ｃ１］基板を有した表示パネルと、
検出電極を有したセンサと、を備え、
前記検出電極は、透明導電材料で形成された透明導電層を有し、
前記透明導電層は、互いに混在した結晶状態の複数の第１領域と非晶質状態の複数の第２領域とを有する、センサ付き表示装置、に関する。

［Ｃ２］前記第１領域は、前記透明導電層の５０乃至９４％を占める、［Ｃ１］に記載のセンサ付き表示装置、に関する。

［Ｃ３］前記第１領域の大きさの平均値は、０．０５乃至０．２５μｍである、［Ｃ１］に記載のセンサ付き表示装置、に関する。

［Ｃ４］前記表示パネルの外側に位置し前記基板に対向した偏光板と、
前記偏光板を前記表示パネルに貼り付ける接着層と、
をさらに有し、
前記検出電極は、前記基板と前記接着層との間に位置する、［Ｃ１］に記載のセンサ付き表示装置、に関する。

［Ｃ５］前記偏光板は、
第１支持層と、
前記基板と前記第１支持層との間に位置し前記第１支持層の透湿性より低い透湿性を有した第２支持層と、
前記第１支持層と前記第２支持層との間に位置した偏光子層と、
を有する、［Ｃ４］に記載のセンサ付き表示装置、に関する。

［Ｃ６］前記偏光板は、
第１支持層と、
前記基板と前記第１支持層との間に位置し前記第１支持層が発生する酸の量より少ない量の酸を発生する第２支持層と、
前記第１支持層と前記第２支持層との間に位置した偏光子層と、
を有する、［Ｃ４］に記載のセンサ付き表示装置、に関する。

［Ｃ７］前記基板と前記検出電極との間に絶縁膜を有する、［Ｃ１］に記載のセンサ付き表示装置、に関する。

［Ｃ８］前記表示パネルの外側に位置し前記基板に対向した偏光板と、
前記検出電極と前記偏光板との間に、シート抵抗が１０^９乃至１０^１１Ω／□である帯電防止層と、をさらに有する、［Ｃ１］に記載のセンサ付き表示装置、に関する。

［Ｃ９］前記表示パネルの外側に位置し前記基板に対向した偏光板と、
前記検出電極が設けられた表示領域の外側の非表示領域に、前記基板と前記偏光板との間に位置したシールド電極と、をさらに有し、
前記検出電極の平均電位と前記シールド電極の平均電位との差は、−１．１乃至＋１．０Ｖの範囲内である、［Ｃ１］に記載のセンサ付き表示装置、に関する。

［Ｃ１０］前記表示パネルの外側に位置し前記基板に対向した偏光板をさらに有し、
前記透明導電層は、所定の方向に延在し、前記方向に対して斜めに交差する傾斜部を有し、
前記偏光板は、前記透明導電層が延在する方向に平行な辺を有する、［Ｃ１］に記載のセンサ付き表示装置、に関する。

［Ｃ１１］前記表示パネルの外側に位置し前記基板に対向した偏光板をさらに有し、
前記透明導電層は、前記偏光板の透過軸に沿った方向に対し±４５°以内の方向に傾斜したスリットを有する、［Ｃ１］に記載のセンサ付き表示装置、に関する。

［Ｃ１２］前記表示パネルの外側に位置し前記基板に対向した偏光板をさらに有し、
前記センサは、前記基板と前記偏光板との間に、前記透明導電材料で形成された複数の透明電極をさらに有し、
前記透明導電層及び複数の透明電極によって形成された複数のスリットのうち、前記偏光板の透過軸に沿った方向に対し±４５°以内の方向に傾斜したスリットが最も多い、［Ｃ１］に記載のセンサ付き表示装置、に関する。

［Ｃ１３］前記複数の透明電極は、ダミー電極である、［Ｃ１２］に記載のセンサ付き表示装置、に関する。

［Ｃ１４］書込み信号を書込む第１駆動部と、
読取り信号を読取る第２駆動部と、をさらに備え、
前記表示パネルは、前記書込み信号が書込まれることにより前記検出電極との間にセンサ信号を発生させる共通電極をさらに有し、
前記検出電極は、前記センサ信号の変化を示す前記読取り信号を発生させる、［Ｃ１］に記載のセンサ付き表示装置、に関する。

ＤＳＰ…液晶表示装置、ＰＮＬ…液晶表示パネル、ＳＵＢ１…第１基板、１０…第１絶縁基板、ＰＸ…画素、ＣＥ…共通電極、Ｃ１…分割電極、ＰＥ…画素電極、ＳＵＢ２…第２基板、２０…第２絶縁基板、ＥＳ…外面、ＬＱ…液晶層、ＯＤ２…第２光学素子、ＰＯＬ２…偏光板、ＰＬ…偏光子層、ＳＬ１…第１支持層、ＳＬ２…第２支持層、ＡＳ…帯電防止層、ＡＤ…接着層、ＩＦ…絶縁膜、ＳＥ…センサ、Ｒｘ…検出電極、ＴＣ…透明導電層、Ｒ１…第１領域、Ｒ２…第２領域、ＤＲ…ダミー電極、ＳＨ…シールド電極、ＳＬＩ１，ＳＬＩ２…スリットＳＬＩ、Ｖ１，Ｖ２…平均電位、ＤＡ…表示領域、ＮＤＡ…非表示領域、Ｘ…第１方向、Ｙ…第２方向

Claims (14)

1. 基板を有した表示パネルと、
   検出電極を有したセンサと、を備え、
   前記検出電極は、透明導電材料で形成された透明導電層を有し、
   前記透明導電層は、互いに混在した結晶状態の複数の第１領域と非晶質状態の複数の第２領域とを有する、センサ付き表示装置。
2. 前記第１領域は、前記透明導電層の５０乃至９４％を占める、請求項１に記載のセンサ付き表示装置。
3. 前記第１領域の大きさの平均値は、０．０５乃至０．２５μｍである、請求項１に記載のセンサ付き表示装置。
4. 前記表示パネルの外側に位置し前記基板に対向した偏光板と、
   前記偏光板を前記表示パネルに貼り付ける接着層と、
   をさらに有し、
   前記検出電極は、前記基板と前記接着層との間に位置する、請求項１に記載のセンサ付き表示装置。
5. 前記偏光板は、
   第１支持層と、
   前記基板と前記第１支持層との間に位置し前記第１支持層の透湿性より低い透湿性を有した第２支持層と、
   前記第１支持層と前記第２支持層との間に位置した偏光子層と、
   を有する、請求項４に記載のセンサ付き表示装置。
6. 前記偏光板は、
   第１支持層と、
   前記基板と前記第１支持層との間に位置し前記第１支持層が発生する酸の量より少ない量の酸を発生する第２支持層と、
   前記第１支持層と前記第２支持層との間に位置した偏光子層と、
   を有する、請求項４に記載のセンサ付き表示装置。
7. 前記基板と前記検出電極との間に絶縁膜を有する、請求項１に記載のセンサ付き表示装置。
8. 前記表示パネルの外側に位置し前記基板に対向した偏光板と、
   前記検出電極と前記偏光板との間に、シート抵抗が１０^９乃至１０^１１Ω／□である帯電防止層と、をさらに有する、請求項１に記載のセンサ付き表示装置。
9. 前記表示パネルの外側に位置し前記基板に対向した偏光板と、
   前記検出電極が設けられた表示領域の外側の非表示領域に、前記基板と前記偏光板との間に位置したシールド電極と、をさらに有し、
   前記検出電極の平均電位と前記シールド電極の平均電位との差は、−１．１乃至＋１．０Ｖの範囲内である、請求項１に記載のセンサ付き表示装置。
10. 前記表示パネルの外側に位置し前記基板に対向した偏光板をさらに有し、
    前記透明導電層は、所定の方向に延在し、前記方向に対して斜めに交差する傾斜部を有し、
    前記偏光板は、前記透明導電層が延在する前記方向に平行な辺を有する、請求項１に記載のセンサ付き表示装置。
11. 前記表示パネルの外側に位置し前記基板に対向した偏光板をさらに有し、
    前記透明導電層は、前記偏光板の透過軸に沿った方向に対し±４５°以内の方向に傾斜したスリットを有する、請求項１に記載のセンサ付き表示装置。
12. 前記表示パネルの外側に位置し前記基板に対向した偏光板をさらに有し、
    前記センサは、前記基板と前記偏光板との間に、前記透明導電材料で形成された複数の透明電極をさらに有し、
    前記透明導電層及び複数の透明電極によって形成された複数のスリットのうち、前記偏光板の透過軸に沿った方向に対し±４５°以内の方向に傾斜したスリットが最も多い、請求項１に記載のセンサ付き表示装置。
13. 前記複数の透明電極は、ダミー電極である、請求項１２に記載のセンサ付き表示装置。
14. 書込み信号を書込む第１駆動部と、
    読取り信号を読取る第２駆動部と、をさらに有し、
    前記表示パネルは、前記書込み信号が書込まれることにより前記検出電極との間にセンサ信号を発生させる共通電極をさらに有し、
    前記検出電極は、前記センサ信号の変化を示す前記読取り信号を発生させる、請求項１に記載のセンサ付き表示装置。

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